KR20080055058A - 표시 기판 및 그 제조 방법 - Google Patents

표시 기판 및 그 제조 방법 Download PDF

Info

Publication number
KR20080055058A
KR20080055058A KR1020060127913A KR20060127913A KR20080055058A KR 20080055058 A KR20080055058 A KR 20080055058A KR 1020060127913 A KR1020060127913 A KR 1020060127913A KR 20060127913 A KR20060127913 A KR 20060127913A KR 20080055058 A KR20080055058 A KR 20080055058A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
color filter
layer
thin film
film transistor
electrode
Prior art date
Application number
KR1020060127913A
Other languages
English (en)
Inventor
이동은
박승규
이동기
정병성
Original Assignee
삼성전자주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 삼성전자주식회사 filed Critical 삼성전자주식회사
Priority to KR1020060127913A priority Critical patent/KR20080055058A/ko
Publication of KR20080055058A publication Critical patent/KR20080055058A/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/30—Devices specially adapted for multicolour light emission
    • H10K59/38—Devices specially adapted for multicolour light emission comprising colour filters or colour changing media [CCM]
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/123—Connection of the pixel electrodes to the thin film transistors [TFT]
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)

Abstract

본 발명은 컬러 필터 온 어레이(Color Filter On Array; COA)공정 중 효율적인 패턴형태를 이용하여 컬러 필터 포토공정 마진을 높이는 표시 기판 및 그 제조 방법에 관한 것이다.
본 발명에 따른 표시 기판은, 다수개의 화소 영역을 가지는 기판과 각 화소 영역마다 형성되는 박막 트랜지스터와 상기 박막 트랜지스터 상부에 형성되는 보호막과 상기 보호막을 관통하여 형성되는 컨택홀과 상기 화소 영역에 형성된 상기 컨택홀을 제외한 영역에 형성되며, 나머지 영역과 중첩되는 컬러 필터와 상기 컬러 필터 상부에 위치하며, 상기 컨택홀을 통하여 상기 박막 트랜지스터의 드레인 전극과 접속되는 화소 전극을 포함한다.
컬러 필터, 박막 트랜지스터, CoA

Description

표시 기판 및 그 제조 방법{DISPLAY SUBSTRATE AND METHOD FOR MANUFACTURING THEREOF}
도 1 은 종래의 유기 전계 발광 표시 장치의 컬러 필터를 나타낸 평면도이다.
도 2 는 본 발명의 실시 예에 따른 유기 전계 발광 표시 장치를 나타내는 평면도이다.
도 3 은 도 2에서 I-I'를 따라 절단한 절단면을 나타내는 단면도이다.
도 4a 내지 도 4i는 본 발명의 실시 예에 따른 유기 전계 발광 표시 장치의 제조 방법을 나타내는 단면도들이다.
<도면의 주요 부분에 대한 부호 설명>
10: 절연 기판 12: 게이트 절연막
14: 보호막 16: 평탄화층
18: 격벽 20: 게이트 라인
30: 데이터 라인 42: 컨택홀
52, 53: 소스 전극 58, 70: 드레인 전극
54, 55: 반도체 패턴 62, 64: 게이트 전극
82: 유기막 86: 화소 전극
87: 공통 전극 88: 컬러 필터
본 발명은 표시 장치의 COA 공정에 대한 것으로 보다 상세하게는 공정 안정화와 제작 비용 절감 효과를 가져 오고, 이로 인한 생산 능력 향상 및 수율 증대를 가져 올 수 있는 표시 기판 및 그 제조 방법에 대한 것이다.
컬러 필터 온 어레이(Color Filter On Array; COA)란 박막 트랜지스터를 형성한 후 액티브 어레이(Active Array) 개구부에 컬러 필터를 형성하는 것을 말한다. 이때 사용되는 공정은 전형적인 네거티브 포토레지스트를 사용하여 포토 공정을 통해 진행된다. 컬러 필터를 어레이 공정에 집약하게 되면, 컬러 필터 부분을 별도로 제작하여 부착할 필요가 없으며, 이에 따라 제작 비용 절감 효과를 가져 올 수 있다. 하지만, 컬러 필터의 현상 과정에서 Over-develop 현상이 발생하게 되는 문제점이 있다.
도 1은 종래 유기 전계 발광 표시 장치의 컬러 필터 현상과정 후에 나타난 컬러 필터의 Over-develop 현상을 나타낸 도면이다.
도면을 참조하면, 주변 환경에 의해 상대적으로 점착력이 취약한 컨택홀 주변부의 컬러 포토레지스트가 현상액에 의해 떨어져 나간 것을 볼 수 있다. 이와 같 은 Over-develop 현상의 대표적인 원인은 컬러 포토레지스트 자체의 외부막과 점착력 특성, 포토레지스트 코팅시 도포 되거나 Pre-bake 공정 조건, 노광시간 그리고 현상시 현상액의 Dipping과 Rinse 조건 등을 꼽을 수 있다. 그러나 양산 공정성의 관점에서 보면 이러한 원인들 하나하나가 양품 수율과 바로 직결되는 요소이기 때문에 생산성 관점에서는 CoA 공정시 넓은 공정 마진(Margin)이 필수적이다.
따라서, 본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는 컬러 필터 온 어레이(Color Filter On Array; COA) 공정 중 효율적인 패턴형태를 이용하여 컬러 필터 포토공정 마진을 높이는 방법을 제공함에 목적이 있다.
상기 기술적 과제를 달성하기 위하여, 본 발명에 따른 표시 기판 및 그 제조 방법은 다수개의 화소 영역을 가지는 기판과 각 화소 영역마다 형성되는 박막 트랜지스터와 상기 박막 트랜지스터 상부에 형성되는 보호막과 상기 보호막을 관통하여 형성되는 컨택홀과 상기 화소 영역에 형성된 상기 컨택홀을 제외한 영역에 형성되며, 나머지 영역과 중첩되는 컬러 필터와 상기 컬러 필터 상부에 위치하며, 상기 컨택홀을 통하여 상기 박막 트랜지스터의 드레인 전극과 접속되는 화소 전극을 포함한다.
그리고 이 표시 기판을 유기 전계 발광 표시 장치에 사용하는 경우에는, 상 기 화소 전극은 애노드인 것이 바람직하다.
또한, 상기 화소 전극을 노출시키는 격벽을 더 포함하는 것이 바람직하다.
그리고 상기 화소 전극 위에 형성된 유기막을 더 포함하는 것이 바람직하다.
그리고 상기 유기막 위에 형성되는 공통 전극을 더 포함하는 것이 바람직하다.
상기 기술적 과제를 달성하기 위하여, 기판 상의 각 화소 영역별로 스위치 박막 트랜지스터와 구동 박막 트랜지스터를 형성하는 단계와 상기 화소 영역에 보호막 및 컬러 필터를 형성하는 단계와 상기 컬러 필터가 형성된 절연 기판 상에 컨택홀을 포함하는 평탄화층을 형성하는 단계와 상기 평탄화층 상에 화소 전극을 포함하는 투명 도전 패턴을 형성하는 단계와 상기 투명 도전 패턴 상에 격벽을 형성하는 단계와 상기 격벽상에 유기막을 형성하는 단계와 상기 유기막 상에 공통 전극을 형성하는 단계를 특징으로 한다.
그리고 상기 컬러 필터를 형성하는 단계는 기판 전면에 보호막을 형성하는 단계와 상기 보호막 상에 컬러 포토레지스트를 증착하는 단계와 상기 포토레지스트를 노광 및 현상하는 단계를 더 포함한다.
또한 상기 컬러 필터는 네거티브 포토레지스트를 사용하는 것이 바람직하다.
상기 기술적 과제 외에 본 발명의 다른 기술적 이점들은 첨부도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시 예에 대한 설명을 통해 명백하게 드러나게 될 것이다.
이하 본 발명의 바람직한 실시 예에 대하여 첨부된 도면을 참조하여 설명하기로 한다.
도 2 는 본 발명의 실시 예에 따른 유기 전계 발광 표시 장치를 나타내는 평면도이고, 도 3은 도 2에 도시된 I-I'선을 따라 절단한 절단면을 나타내는 단면도이다.
본 발명에 따른 유기전계 발광 표시 장치는 적색(R), 녹색(G), 청색(B) 및 백색(W) 서브 화소가 하나의 화소를 이룬다. 각각의 화소는 2×2 행렬의 형태로 배열되어 기본 화소 단위를 이루며, 기본 화소 단위가 행 방향 및 열 방향으로 반복되어 배치되어 있다. 이때, 적색(R), 녹색(G), 청색(B) 및 백색(W) 서브 픽셀은 컬러 필터의 색상을 제외하고는 동일한 구조를 가진다. 따라서, 본 발명에서는 적색(R) 서브 픽셀 구조만을 설명한다.
도 2 및 도 3을 참조하면, 본 발명에 따른 유기 전계 발광 표시 장치는 절연 기판(10)상에 형성된 게이트 라인(20)과, 게이트 라인(20)과 교차하는 데이터 라인(30)과, 게이트 라인(20)과 교차하고 데이터 라인(30)과 나란하게 형성되어 서브 화소 영역을 마련하는 전원 라인(90)과, 게이트 라인(20) 및 데이터 라인(30)과 접속된 스위치 박막 트랜지스터(T1)와, 스위치 박막 트랜지스터(T1) 및 전원 라인(90)과 유기 전계 발광 셀의 공통 전극(87) 사이에 접속된 구동 박막 트랜지스터(T2)와, 전원 라인(90)과 스위치 박막 트랜지스터(T1)의 제 1 드레인 전극(58) 사이에 접속된 스토리지 커패시터(C)와 유기 전계 발광 셀과 중첩되는 컬러 필터(88)를 포함한다.
게이트 라인(20)은 스위치 박막 트랜지스터(T1)에 스캔 신호를 공급하며, 데이터 라인(30)은 스위치 박막 트랜지스터(T1)에 데이터 신호를 공급하며, 전원 라 인(90)은 구동 박막 트랜지스터(T2)에 전원 신호를 공급한다.
스위치 박막 트랜지스터(T1)는 게이트 라인(20)에 스캔 펄스가 공급되면 턴-온 되어 데이터 라인(30)에 공급된 데이터 신호를 스토리지 커패시터(C) 및 구동 박막 트랜지스터(T2)의 제 2 게이트 전극(64)으로 공급한다.
이를 위해, 스위치 박막 트랜지스터(T1)는 게이트 라인(20)과 접속된 제 1 게이트 전극(62), 데이터 라인(30)과 접속된 제1 소스 전극(52), 제1 소스 전극(52)과 마주하며 구동 박막 트랜지스터(T2)의 제2 게이트 전극(64) 및 스토리지 커패시터(C)와 접속된 제 1 드레인 전극(58), 제 1 소스 전극(52) 및 제1 드레인 전극(58) 사이에 채널부를 형성하는 제 1 반도체 패턴(54)을 구비한다.
여기서, 제1 반도체 패턴(54)은 게이트 절연막(12)을 사이에 두고 제1 게이트 전극(62)과 중첩되는 제1 활성층(54a), 제1 소스 전극(52) 및 제1 드레인 전극(58)과의 오믹 접촉을 위하여 채널부를 제외한 제1 활성층(54a) 위에 형성된 제1 오믹 접촉층(54b)을 구비한다.
구동 박막 트랜지스터(T2)는 제2 게이트 전극(64)으로 공급되는 데이터 신호에 응답하여 전원 라인(90)으로부터의 유기 전계 발광 셀로 공급되는 전류를 제어함으로써 유기 전계 발광 셀의 발광량을 조절하게 된다.
이를 위해, 구동 박막 트랜지스터(T2)는 전원 라인(90)과 접속된 제2 소스 전극(53), 제2 소스 전극(53)과 마주하며 유기 전계 발광 셀의 화소 전극(86)과 접속된 제2 드레인 전극(70), 제2 소스 및 제2 드레인 전극(53, 70) 사이에 채널부를 형성하는 제2 반도체 패턴(55)을 구비한다.
제2 반도체 패턴(55)은 게이트 절연막(12)을 사이에 두고 제2 게이트 전극(64)과 중첩되는 제2 활성층(55a), 제2 소스 전극(53) 및 제2 드레인 전극(70)과의 오믹 접촉을 위하여 채널부를 제외한 제2 활성층(55a) 위에 형성된 제 2 오믹 접촉층(55b)을 구비한다.
스토리지 커패시터(C)는 전원 라인(90)과 구동 박막 트랜지스터(T2)의 제2 게이트 전극(64)이 게이트 절연막(12)을 사이에 두고 중첩됨으로써 형성된다.
이러한 스토리지 커패시터(C)에 충전된 전압에 의해 스위치 박막 트랜지스터(T1)가 턴-오프 되더라도 구동 박막 트랜지스터(T2)는 다음 프레임의 데이터 신호가 공급될 때까지 일정한 전류를 공급하여 유기 전계 발광 셀이 발광을 유지하게 한다.
스위치 박막 트랜지스터(T1), 구동 박막 트랜지스터(T2) 및 스토리지 캐패시터(C)가 형성된 기판 상에는 보호막(passivation layer, 14)이 형성되는데, 이러한 보호막(14)으로는 질화 실리콘(SiNx) 또는 산화 실리콘(SiOx) 같은 무기 절연막이 박막 트랜지스터의 특성을 열화시키지 않으므로 바람직하다.
공통 전극(87)은 서브 화소 단위로 형성된 유기막을 사이에 두고 화소 전극(86)과 마주하게 된다.
화소 전극(86)은 평탄화층(16) 위에서 화소 영역을 따라 형성되며 컬러 필터(88)와 중첩되도록 각 서브 화소 영역에 독립적으로 형성된다. 이 화소 전극은 애노드의 기능을 한다. 그리고 화소 전극(86)은 보호막(14) 및 평탄화층(16)을 각각 관통하는 컨택홀(46)을 통해 노출된 구동 박막 트랜지스터의 제 2 드레인 전 극(70)과 접속된다.
컬러 필터(88)는 보호막(14) 위에 백색광을 생성하는 유기막과 중첩되게 형성된다. 또한, 보호막(14)을 관통하여 형성되는 컨택홀(46)의 외측에 화소 영역과 중첩되어 형성된다. 이에 따라, 컬러 필터(88)는 유기막(82)으로부터 생성된 백색광을 이용하여 적색, 녹색 및 청색을 구현한다. 컬러 필터(88)에서 생성된 적색, 녹색 및 청색광은 절연 기판을 통해 외부로 방출된다. 컬러 필터(88)에 사용되는 공정은 전형적인 네거티브 포토레지스트를 사용하여 포토 공정을 통해 진행된다. 컬러 필터(88)를 박막 트랜지스터 어레이 공정에 집약하게 되면, 컬러 필터(88) 부분을 별도로 제작하여 부착할 필요가 없으며, 이에 따라 제작 비용 절감 효과를 가져 올 수 있어 바람직하다.
유기 전계 발광 셀은 격벽(18)에 의하여 형성될 영역이 정해지게 된다.
격벽(18)에 의해 형성되는 유기 전계 발광 셀 형성 영역에 유기 전계 발광 셀이 형성된다. 유기 전계 발광 셀은 평탄화층(16) 위에 형성된 투명 도전 물질의 화소 전극(86)과, 화소 전극(86)과 격벽(18) 위에 형성된 발광층을 포함하는 유기막(82)과 유기막(82) 위에 형성된 공통 전극(87)으로 구성된다.
유기막(82)은 화소 전극(86) 및 격벽(18) 위에 적층된 정공 주입층, 정공 수송층, 발광층, 전자 수송층, 전자 주입층으로 구성된다. 여기서, 발광층은 적색(R), 녹색(G) 및 청색(B)을 각각 구현하는 발광층들이 순차적으로 적층되어 3층 구조로 형성되거나 보색 관계를 가지는 발광층들이 적층되어 2층 구조로 형성되거나 백색을 구현하는 발광층으로 이루어진 단층 구조로 형성된다.
이에 따라, 유기막(82)에 포함된 발광층은 화소 전극(86)에 공급된 전류량에 따라 발광하여 화소 전극(86)을 경유하여 컬러 필터(88) 쪽으로 백색광을 방출하게 된다.
도 4a 내지 도 4i는 본 발명의 실시 예에 따른 유기 전계 발광 표시 장치의 제조 방법을 나타내는 단면도들이다.
도 4a를 참조하면, 절연 기판(10) 위에 게이트 라인(20), 제1 및 제2 게이트 전극(62, 64)을 포함하는 게이트 금속 패턴이 형성된다.
게이트 금속 패턴은 절연 기판(10) 위에 스퍼터링 방법 등의 증착 방법을 통해 게이트 금속층을 형성한 후 포토리소 그래피 공정과 식각 공정으로 패터닝 함으로써 형성된다.
도 4b를 참조하면, 게이트 금속 패턴이 형성된 절연 기판(10) 위에 게이트 절연막(12)과, 활성층(54a,55a) 및 오믹 접촉층(54b, 55b)을 각각 포함하는 제1 및 제2 반도체 패턴(54, 55)이 형성된다.
게이트 절연막(12)은 게이트 금속 패턴이 형성된 절연 기판(10) 위에 PECVD등의 증착 방법으로 산화 실리콘(SiOx), 질화 실리콘(SiNx) 등과 같은 무기 절연 물질이 전면 증착됨으로써 형성된다.
제1 및 제2 반도체 패턴(54, 55)은 아몰퍼스 실리콘층과 n+아몰퍼스 실리콘층을 형성한 후 포토리소 그래피 공정과 다수의 식각 공정을 통해 패터닝함으로써 형성된다.
도 4c를 참조하면, 반도체 패턴(54, 55)이 형성된 절연 기판(10) 위에 데이 터 라인(30), 제1 및 제2 소스 전극(52, 53), 제1 및 제2 드레인 전극(58, 70)을 포함하는 소스/드레인 금속 패턴이 형성된다.
소스/드레인 금속 패턴은 반도체 패턴(54, 55)이 형성된 절연 기판(10) 위에 스퍼터링 등의 증착 방법으로 소스/드레인 금속층을 형성한 후 포토리소그래피 공정과 식각 공정을 통해 패터닝 함으로써 형성된다. 이후, 제1 및 제2 소스 전극(52, 53)과 제1 및 제2 드레인 전극(58, 70)을 마스크로 하여 그사이로 노출된 제1 및 제2 오믹 접촉층(54b, 55b)을 제거하여 채널부의 제1 및 제2 활성층(54a, 55a)을 노출시킨다.
도 4d를 참조하면, 소스/드레인 금속 패턴이 형성된 절연 기판(10) 위에 보호막(14)과 그 보호막(14) 위에 적색(R)필터가 형성된다.
보호막(14)은 소스/드레인 금속 패턴이 형성된 절연 기판(10) 위에 산화 실리콘(SiOx) 또는 질화 실리콘(SiNx) 등과 같은 무기 절연 물질 또는 아크릴 수지 등과 같은 유기 절연 물질이 적층됨으로써 형성된다.
적색(R) 컬러 필터(88)는 보호막(14)이 형성된 절연 기판(10) 상에 적색 안료가 적층된 후 포토리소그래피 공정을 통해 패터닝 됨으로써 형성된다. 이때, 컬러 필터(88)는 컨택홀(42)를 제외한 부분에 화소 전극(86)과 중첩되게 형성되거나 넓게 형성되는 것이 바람직하다.
컬러 필터(88)는 보호막(14)을 기판 전면에 걸쳐서 형성한 후, 화소 영역에 컬러 필터(88)를 형성한다. 먼저 보호막(14)은 SiNx 또는 SiOx 와 같은 무기 절연막으로 형성된다. 그리고 이 보호막(14) 상에 네거티브 성질을 가지는 컬러 포토 레지스트 등을 전면 증착하고 나서 노광 및 현상하여 일정한 패턴의 컬러 필터(88)를 얻는 것이다. 전체 기판에 대하여는 적색, 녹색, 청색 컬러 필터(88)를 각각 형성하므로, 3번의 동일한 과정을 반복하여 각 화소 영역별로 컬러 필터(88)를 형성한다.
도 4e를 참조하면, 보호막(14) 및 컬러 필터(88)가 형성된 절연 기판(10) 상에 컨택홀(42)을 포함하는 평탄화층(16)이 형성된다.
평탄화층(16)은 보호막(14) 및 컬러 필터(88)가 형성된 절연 기판(10) 상에 스핀 코팅(Spin Coating) 또는 스핀리스 코팅(Spinless Coating) 등의 방법으로 형성 된다. 이러한 평탄화층(16)은 아크릴레이드(Acrylate)와 같은 투명한 유기 물질로 이루어진다.
컨택홀(42)은 게이트 절연막(12), 보호막(14) 중 적어도 두 층이 선택적으로 포토리소그래피 공정과 식각 공정으로 패터닝됨으로써 형성된다.
컨택홀(42)은 보호막(14) 및 평탄화층(16)을 관통하여 구동 박막 트랜지스터(T2)의 제2 드레인 전극(58)을 노출시킨다.
도 4f를 참조하면, 평탄화층(16)이 형성된 절연 기판(10) 상에 화소 전극(86)을 포함하는 투명 도전 패턴이 형성된다.
투명 도전 패턴은 평탄화층(16)이 형성된 절연 기판(10) 상에 스퍼터링 등의 증착 방법으로 투명 도전막을 형성한 후 포토리소 그래피 공정과 식각 공정을 통해 패터닝 함으로써 형성된다. 투명 도전막으로는 ITO(Indium Tin Oxide), TO(Tin Oxide), IZO(Indium Zinc Oxide), ITZO 등이 이용된다.
도 4g를 참조하면, 투명 도전 패턴이 형성된 절연 기판(10) 위에 격벽(18)이 형성된다.
격벽(18)은 투명 도전 패턴이 형성된 평탄화층(16) 위에 유기 절연 물질을 도포하여 포토리소 그래피 공정 및 식각 공정을 통해 형성된다. 이러한 격벽(18)은 평탄화층(16)과 동일한 재질의 유기 물질로 이루어지는 것이 바람직하다.
도 4h를 참조하면, 격벽(18)이 형성된 절연 기판(10) 위에 유기막(82)이 형성된다.
유기막(82)은 챔버 내에서 증착 공정을 통해 형성된다. 유기막(82)에 포함된 발광층은 적색(R), 녹색(G) 및 청색을 각각 구현하는 발광층들이 순차적으로 적층되어 3층 구조로 형성되거나 보색 관계를 가지는 발광층들이 적층되어 2층 구조로 형성되거나 백색을 구현하는 발광층으로 이루어진 단층 구조로 형성된다. 여기서, 유기막(82)은 크기가 서로 다른 2개 이상의 개구부를 가지며 지지 프레임을 구비하는 유기막(82) 증착용 마스크에 의해 형성됨으로써 섀도우 현상이 방지되어 원하고자 하는 패턴 형태로 형성되어 패널의 특성을 증가시킬 수 있다.
도 4i를 참조하면, 유기막(82)이 형성된 절연 기판(10) 위에 공통 전극(87)이 형성된다.
구체적으로, 공통 전극(87)은 유기막(82)이 형성된 절연 기판(10) 상에 증착되며 도전성 금속으로 이루어지되, 빛이 통과하지 못하는 재질로 형성된다. 이러한 공통 전극(87)은 Al, Mg, Ag, Ca 또는 MgAg 등과 같은 반사율이 높은 금속으로 형성된다. 이러한 공통 전극(87)은 캐소드 역할을 한다.
상술된 바와 같이, 본 발명은 유기 전계 발광표시 장치에 관해 기재하고 있지만, 이에 한정되지 않으며, 예를 들어 액정 표시 장치에도 적용 가능하다. 또한, 본 발명은 이에 한정하지 않고 박막 트랜지스터와 컬러 필터가 하나의 기판에 형성되는 어떠한 표시 장치에도 적용 가능하다.
상술한 바와 같이, 본 발명에 따른 표시 기판은 컬러 필터 내에 컨택홀을 형성하지 않아 고기능성 CoA 공정 개발시 Over-develop 등과 같은 불량의 감소와 컬러 필터 패턴 후 평탄화 유기막 증착시 컬러 포토레지스트 노출 방지 등의 효과를 얻을 수 있다.
이상에서 설명한 본 발명의 상세한 설명에서는 본 발명의 바람직한 실시 예를 참조하여 설명하였지만, 해당 기술 분야의 숙련된 당업자 또는 해당 기술분야에 통상의 지식을 갖는 자라면 후술 될 특허청구범위에 기재된 본 발명의 사상 및 기술 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.

Claims (9)

  1. 다수개의 화소 영역을 가지는 기판;
    각 화소 영역마다 형성되는 박막 트랜지스터;
    상기 박막 트랜지스터 상부에 형성되는 보호막;
    상기 보호막을 관통하여 형성되는 컨택홀;
    상기 화소 영역에 형성된 상기 컨택홀을 제외한 영역에 형성되며, 나머지 영역과 중첩되는 컬러 필터;
    상기 컬러 필터 상부에 위치하며, 상기 컨택홀을 통하여 상기 박막 트랜지스터의 드레인 전극과 접속되는 화소 전극을 포함하는 것을 특징으로 하는 표시 기판.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 화소 전극은 애노드인 것을 특징으로 하는 표시 기판.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 박막 트랜지스터는,
    게이트 전극;
    상기 게이트 전극 상에 형성된 게이트 절연막;
    상기 게이트 절연막 상에 형성된 활성층;
    상기 활성층 상에 형성된 오믹 접촉층; 및
    상기 오믹 접촉층 위에 형성되는 소스 전극 및 드레인 전극을 포함하는 것을 특징으로 하는 표시 기판.
  4. 제 2 항에 있어서,
    상기 화소 전극을 노출시키는 격벽을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 표시 기판.
  5. 제 4 항에 있어서,
    상기 화소 전극 위에 형성된 유기막을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 표시 기판.
  6. 제 5 항에 있어서,
    상기 유기막 위에 형성되는 공통 전극을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 표시 기판.
  7. 기판 상의 각 화소 영역별로 스위치 박막 트랜지스터와 구동 박막 트랜지스터를 형성하는 단계;
    상기 화소 영역에 보호막 및 컬러 필터를 형성하는 단계;
    상기 컬러 필터가 형성된 절연 기판 상에 컨택홀을 포함하는 평탄화층을 형 성하는 단계;
    상기 평탄화층 상에 화소 전극을 포함하는 투명 도전 패턴을 형성하는 단계;
    상기 투명 도전 패턴 상에 격벽을 형성하는 단계;
    상기 격벽상에 유기막을 형성하는 단계;
    상기 유기막 상에 공통 전극을 형성하는 단계를 특징으로 하는 표시 기판 제조 방법.
  8. 제 7 항에 있어서,
    상기 컬러 필터를 형성하는 단계는
    기판 전면에 보호막을 형성하는 단계;
    상기 보호막 상에 컬러 포토레지스트를 증착하는 단계;
    상기 포토레지스트를 노광 및 현상하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 표시 기판 제조 방법.
  9. 제 8 항에 있어서,
    상기 컬러 필터는 네거티브 포토레지스트를 사용하는 것을 특징으로 하는 표시 기판 제조 방법.
KR1020060127913A 2006-12-14 2006-12-14 표시 기판 및 그 제조 방법 KR20080055058A (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020060127913A KR20080055058A (ko) 2006-12-14 2006-12-14 표시 기판 및 그 제조 방법

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020060127913A KR20080055058A (ko) 2006-12-14 2006-12-14 표시 기판 및 그 제조 방법

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20080055058A true KR20080055058A (ko) 2008-06-19

Family

ID=39801927

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020060127913A KR20080055058A (ko) 2006-12-14 2006-12-14 표시 기판 및 그 제조 방법

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR20080055058A (ko)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103676390A (zh) * 2013-12-31 2014-03-26 京东方科技集团股份有限公司 一种阵列基板及其制作方法、显示装置
US10241246B2 (en) 2016-03-22 2019-03-26 Samsung Display Co., Ltd. Color filter array panel and a display device including the same

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103676390A (zh) * 2013-12-31 2014-03-26 京东方科技集团股份有限公司 一种阵列基板及其制作方法、显示装置
CN103676390B (zh) * 2013-12-31 2017-02-08 京东方科技集团股份有限公司 一种阵列基板及其制作方法、显示装置
US10241246B2 (en) 2016-03-22 2019-03-26 Samsung Display Co., Ltd. Color filter array panel and a display device including the same

Similar Documents

Publication Publication Date Title
EP2996151B1 (en) Organic light emitting display device and method of manufacturing the same
KR102037850B1 (ko) 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법
US9653520B2 (en) Organic light emitting display panel and method of manufacturing the same
KR100484591B1 (ko) 능동행렬 유기전기발광소자 및 그의 제조 방법
US8883531B2 (en) Organic light emitting diode display device and method of manufacturing the same
US8237351B2 (en) Organic light-emitting display device and method of manufacturing the same
US20180166015A1 (en) Organic light-emitting display device
KR101443188B1 (ko) 유기발광장치의 제조방법 및 유기발광장치
KR20080011829A (ko) 유기 전계 발광 표시 장치 및 그 제조 방법
KR20130018501A (ko) 유기 발광 표시 장치의 제조 방법
KR101595449B1 (ko) 유기전계발광 표시장치와 그 제조방법
CN110911446B (zh) 有机发光显示装置
KR101071712B1 (ko) 유기전계발광 소자 및 그의 제조 방법
WO2021175330A1 (zh) 显示基板及其制备方法、显示装置
KR20100039610A (ko) 표시 패널
KR100725493B1 (ko) 디스플레이장치 및 그 제조방법
KR20090058283A (ko) 유기 전계 발광 표시 장치 및 그 제조 방법
KR20180003965A (ko) 유기발광 표시장치 및 그 제조방법
KR20080055058A (ko) 표시 기판 및 그 제조 방법
KR101481665B1 (ko) 발광 표시 패널 및 그의 제조 방법
KR20080030175A (ko) 유기전계 발광소자 및 그 제조방법
KR20080052774A (ko) 유기전계 발광표시장치 및 그 제조방법
KR100515465B1 (ko) 유기전계 발광소자와 그 제조방법
KR20080063539A (ko) 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법
KR20080003109A (ko) 유기전계 발광 표시소자의 제조방법

Legal Events

Date Code Title Description
WITN Application deemed withdrawn, e.g. because no request for examination was filed or no examination fee was paid