KR20080053832A - 액정 표시 장치 및 그의 불량 화소 제거 방법 - Google Patents

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Abstract

불량 화소에 해당되는 박막 트랜지스터 표시판의 화소 전극 또는 공통 전극 표시판의 공통 전극을 제거하여 불량 화소에 빛이 투과하지 않도록 하는 액정 표시 장치 및 그의 불량 화소 제거 방법이 제공된다. 액정 표시 장치는 화소 전극을 포함하여 전기 신호에 따라 전개를 형성하는 박막 트랜지스터 표시판과, 컬러 필터 및 공통 전극을 포함하여 색상을 구현하는 공통 전극 표시판과, 박막 트랜지스터 표시판과 공통 전극 표시판 사이게 게재되는 액정층을 포함하되, 화소 전극 또는 공통 전극에 전극 제거부를 포함한다.
불량 화소, 복구, 전극 제거

Description

액정 표시 장치 및 그의 불량 화소 제거 방법{Liquid crystal display device and method of repairing bad pixels thereof}
도 1은 본 발명의 일실시예에 따른 액정 표시 장치의 배치도이다.
도 2는 도 1의 액정 표시 장치를 II-II' 선으로 절개한 단면도이다.
도 3은 도 1의 액정 표시 장치에 포함되는 공통 전극 표시판의 공통 전극을 제거하기 전의 모습을 도시한 배치도이다.
도 4a는 도 1의 액정 표시 장치에 포함되는 공통 전극 표시판의 공통 전극을 제거한 후의 모습을 도시한 배치도이다.
도 4b는 도 4a의 공통 전극 표시판을 IVb-IVb' 선으로 절개한 단면도이다.
도 5는 도 1의 액정 표시 장치에 포함되는 박막 트랜지스터 표시판의 화소 전극을 제거하기 전의 모습을 도시한 배치도이다.
도 6a는 도 1의 액정 표시장치에 포함되는 박막 트랜지스터 표시판의 화소 전극을 제거한 후의 모습을 도시한 배치도이다.
도 6b는 도 6a의 박막 트랜지스터 표시판을 VIb-VIb' 선으로 절개한 단면도이다.
<도면의 주요부분에 대한 부호의 설명>
1: 액정 표시 장치 2: 박막 트랜지스터
3: 공통 전극 표시판 4: 액정층
10: 제1 절연 기판 21: 게이트 선
22: 게이트 전극 25: 수직부
26: 수평부 30: 게이트 절연막
40: 반도체층 55, 56: 저항성 접촉층
62: 데이터 선 65: 소스 전극
66: 드레인 전극 70: 보호막
72: 콘택홀 81: 화소 전극
100: 제2 절연 기판 120: 블랙 매트리스
130: 컬러 필터 140: 공통 전극
142: 공통 전극 제거부 242: 화소 전극 제거부
본 발명은 액정 표시 장치 및 그의 불량 화소 제거 방법에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 불량 화소에 해당되는 박막 트랜지스터 표시판의 화소 전극 또는 공통 전극 표시판의 공통 전극을 제거하여 불량 화소에 빛이 투과하지 않도록 하는 액정 표시 장치 및 그의 불량 화소 제거 방법에 관한 것이다.
액정 표시 장치(Liquid Crystal Display : LCD)는 현재 가장 널리 사용되고 있는 평판 표시 장치(Flat Panel Display : FPD) 중 하나로서, 전극이 형성되어 있 는 두 장의 기판과 그 사이에 삽입되어 있는 액정층으로 이루어지며, 전극에 전압을 인가하여 액정층의 액정 분자들을 재배열시킴으로써 투과되는 빛의 양을 조절하여 영상을 표시하는 장치이다.
액정 표시 장치는 공통 전극을 포함하는 공통 전극 표시판과 박막 트랜지스터 어레이를 포함하는 박막 트랜지스터 표시판을 포함한다. 공통 전극 표시판과 박막 트랜지스터 표시판은 서로 대향하도록 배치되며, 두 표시판 사이에는 액정층이 개재된다. 이와 같은 액정 표시 장치는 두 표시판 사이에 전압을 인가하면 액정층의 액정 분자들이 재배열되면서 빛의 투과량을 조절하여 영상을 표시하게 된다. 액정 표시 장지는 비발광소자로서 자체 발광을 할 수 없기 때문에 박막 트랜지스터 표시판의 하부에 빛을 공급하는 백라이트 유닛을 배치한다.
종래에는 액정 표시 장치에 포함되는 액정 패널에 빛샘 등이 일어나는 불량 화소가 발생하는 경우 그 액정 패널을 폐기하거나 일정한 공정을 다시 반복하여 수행해야 하는 어려움이 있었으며, 불량 화소 복구를 위한 반복 작업을 한 경우에도 복구율이 높지 않다는 문제점이 있었다.
또한, 공통 전극 표시판 등은 오버코트막이 형성된 경우에는 컬러 필터를 다시 복구할 수 없다는 문제점이 있었다.
본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는, 불량 화소에 해당되는 박막 트랜지스터 표시판의 화소 전극 또는 공통 전극 표시판의 공통 전극을 제거하여 불량 화소에 빛이 투과되지 못하도록 하는 액정 표시 장치를 제공하고자 하는 것이다.
본 발명이 이루고자 하는 다른 기술적 과제는, 불량 화소에 해당되는 박막 트랜지스터 표시판의 화소 전극 또는 공통 전극 표시판의 공통 전극을 제거하여 불량 화소에 빛이 투과되지 못하도록 하는 액정 표시 장치의 불량 화소 제거 방법을 제공하고자 하는 것이다.
본 발명의 기술적 과제들은 이상에서 언급한 기술적 과제들로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 기술적 과제들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
상기 기술적 과제를 달성하기 위한 본 발명의 일 실시예에 따른 액정 표시 장치는, 화소 전극을 포함하여 전기 신호에 따라 전개를 형성하는 박막 트랜지스터 표시판과, 컬러 필터 및 공통 전극을 포함하여 색상을 구현하는 공통 전극 표시판과, 상기 박막 트랜지스터 표시판과 상기 공통 전극 표시판 사이게 게재되는 액정층을 포함하되, 상기 화소 전극 또는 공통 전극에 전극 제거부를 포함한다.
상기 다른 기술적 과제를 달성하기 위한 본 발명의 일 실시예에 따른 액정 표시 장치의 불량 화소 제거 방법은 액정 패널의 화소를 검사하는 단계와, 상기 화소를 검사하는 단계에서 검출된 불량 화소의 전극을 제거하는 단계를 포함한다.
본 발명의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 수 있으며, 단지 본 실시예들은 본 발명의 개시가 완전하도록 하고, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이며, 본 발명은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다. 명세서 전체에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 구성 요소를 지칭한다.
소자(elements) 또는 층이 다른 소자 또는 층의 "위(on)" 또는 "상(on)"으로 지칭되는 것은 다른 소자 또는 층의 바로 위 뿐만 아니라 중간에 다른 층 또는 다른 소자를 개재한 경우를 모두 포함한다. 반면, 소자가 "직접 위(directly on)" 또는 "바로 위"로 지칭되는 것은 중간에 다른 소자 또는 층을 개재하지 않은 것을 나타낸다. 명세서 전체에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 구성 요소를 지칭한다.
공간적으로 상대적인 용어인 "아래(below)", "아래(beneath)", "하부(lower)", "위(above)", "상부(upper)" 등은 도면에 도시되어 있는 바와 같이 하나의 소자 또는 구성 요소들과 다른 소자 또는 구성 요소들과의 상관관계를 용이하게 기술하기 위해 사용될 수 있다. 공간적으로 상대적인 용어는 도면에 도시되어 있는 방향에 더하여 사용시 또는 동작시 소자의 서로 다른 방향을 포함하는 용어로 이해되어야 한다. 명세서 전체에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 구성 요소를 지칭한다.
이하 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예들을 상세히 설명한다.
도 1 및 도 2를 참조하여, 본 발명의 일실시예에 따른 액정 표시 장치에 대하여 상세히 설명한다. 도 1은 본 발명의 일실시예에 따른 액정 표시 장치의 배치도이고, 도 2는 도 1의 액정 표시 장치를 II-II' 선으로 절개한 단면도이다.
본 발명의 일실시예에 따른 액정 표시 장치(1)는 공통 전극 표시판(3)과 박 막 트랜지스터 표시판(2)을 포함하는 액정 패널과 액정 패널에 빛을 공급하는 백라이트 어셈블리(미도시) 등을 포함하여 구성된다.
박막 트랜지스터 표시판(2)은 제1 절연 기판(10) 위에 진공 증착 등의 방법으로 형성된 박막을 이용하여 만들어진 트랜지스터로서, 전기 신호를 액정에 기록 가능하도록 스위치 역할을 한다. 이와 같은 박막 트랜지스터 표시판(2)은 게이트 배선(21, 22), 데이터 배선(62, 65, 66), 및 화소 전극(81) 등을 포함하여 구성된다.
공통 전극 표시판(3)은 백라이트 어셈블리(미도시)를 통하여 공급되는 빛이 컬러 필터(130)를 투과하여 소정의 영상을 표시하도록 하는 역할을 한다. 이와 같은 공통 전극 표시판(3)은 색상을 구현하는 컬러 필터(130), 컬러 필터(130)의 셀(cell) 사이를 구분하고 빛을 차단하는 블랙 메트릭스(black matrix), 및 액정 셀에 전압을 인가하기 위한 투명 전극인 공통 전극(140)을 포함하여 구성된다.
백라이트 어셈블리(미도시)는 액정 패널에 빛을 공급하는 역할을 한다. 이와 같은 백라이트 어셈블리(미도시)는 램프의 배열 위치에 따라 램프가 도광판의 측면에 위치하는 엣지(edge)형과 램프가 확산판의 하부에 위치하는 직하형으로 구분된다.
이하, 도 2 및 도 3 내지 도 4b를 참조하여, 본 발명의 일실시예에 따른 액정 표시 장치에 포함되는 공통 전극 표시판에 대하여 상세히 설명한다. 도 3은 도 1의 액정 표시 장치에 포함되는 공통 전극 표시판의 공통 전극을 제거하기 전의 모습을 도시한 배치도이고, 도 4a는 도 1의 액정 표시 장치에 포함되는 공통 전극 표 시판의 공통 전극을 제거한 후의 모습을 도시한 배치도이고, 도 4b는 도 4a의 공통 전극 표시판을 IVb-IVb' 선으로 절개한 단면도이다.
공통 전극 표시판(3)은 제2 절연 기판(100), 블랙 매트릭스(120), 컬러 필터(130), 오버코트막(미도시), 및 공통 전극(140)을 포함한다.
제2 절연 기판(100)은 투명 유리 또는 플라스틱과 같이 내열성 및 투광성을 갖는 재질로 형성된다. 제2 절연 기판(100) 위는 화소 영역을 구획하는 블랙 매트릭스(120)가 배치된다.
블랙 매트릭스(120)는 화소 영역을 정의하며, 화소 영역 외의 다른 영역에서 빛이 새는 것을 방지하는 역할을 한다. 이와 같은 블랙 매트릭스(120)는 크롬 또는 크롬 산화물과 같은 금속 또는 금속 산화물이나 유기 블랙 레지스트 등으로 이루어질 수 있다.
또한, 블랙 매트릭스(120) 사이의 화소 영역에는 적색, 녹색, 청색의 컬러 필터(130)가 순차적으로 배열되어 있다.
컬러 필터(130)는 적색, 녹색, 및 청색의 필터로 이루어져 있으며, 각 필터마다 특정한 색의 빛을 투과시켜 이를 혼합함으로써, 다양한 색을 표시하도록 한다. 이와 같은 컬러 필터(130)는 스트라이프(stripe), 모자이크(mosaic), 및 델타(delta) 형상 등으로 배치될 수 있다.
컬러 필터(130) 위에는 유기 물질로 이루어진 오버코트막(미도시)이 형성되어 있다. 오버코트막의 위에는 ITO 또는 IZO 등의 투명한 전도 물질로 이루어진 공통 전극(140)이 형성되어 있다.
공통 전극(140)은 모든 액정 셀의 공통적인 대향 전극의 역할을 하는 것으로서, 투명한 재료인 ITO로 형성되며 공통 전극 표시판(3)의 전면에 증착되며, 화소 전극(81)과 더불어 액정층(4)에 전계를 발생시켜 빛의 투과율을 조절하게 된다.
도 3에 도시된 바와 같이, 컬러 필터(130) 부분에 결함(141)이 발생하면, 원하는 색을 나타낼 수 없거나 백라이트 어셈블리로부터 공급되는 빛이 적절하게 제어가 되지 않고 빛샘 현상이 발생하는 경우가 발생한다. 이때 화소 전극(81)의 대향 전극인 공통 전극(140)을 제거하여 공통 전극 제거부(142)를 형성할 수 있다.
공통 전극(140)을 제거하여 공통 전극 제거부(142)를 형성하면, 화소 전극(81) 대향하는 전극이 존재하지 않아 제거된 부분에 해당하는 영역에 전계가 발생하지 않는다. 따라서, 전압을 인가하지 않았을 때 빛이 차단되는 방식인 노말리 블랙모드(nomally black mode)에서는 액정의 재배열이 이루어지지 않게 되어 박막 트랜지스터 표시판(2)의 하부에서 방출되는 빛이 통과하지 못하게 됨에 따라 전극이 제거된 부분은 암점의 형태로 남게 된다. 이러한 암점은 휘점에 비해 시각에 의한 인지도가 매우 낮아지게 되기 때문에 휘점보다 큰 영역으로 형성되는 경우에도 액정 표시 장치(1)의 성능을 나타내기 위한 허용 범위 내에 포함되게 된다.
이와 같은 공통 전극 제거부(142)는 다양한 방법으로 형성할 수 있으나, 레이저를 이용하는 것이 가장 바람직하다. 레이저를 사용할 경우 공통 전극 표시판(3)에 오버코트층(미도시)이 형성된 후에도 간단하게 작업이 가능하며, 미세한 작업이 가능하여 주위의 다른 화소나 구성요소에 영향을 주지 않으면서 결함(141) 부위의 공통 전극(140)만 간단하게 제거가 가능하다.
이하, 도 5 내지 도 6b를 참조하여, 본 발명의 일실시예에 따른 액정 표시 장치에 포함되는 박막 트랜지스터 표시판에 대하여 상세히 설명한다. 도 5는 도 1의 액정 표시 장치에 포함되는 박막 트랜지스터 표시판의 화소 전극을 제거하기 전의 모습을 도시한 배치도이고, 도 6a는 도 1의 액정 표시장치에 포함되는 박막 트랜지스터 표시판의 화소 전극을 제거한 후의 모습을 도시한 배치도이고, 도 6b는 도 6a의 박막 트랜지스터 표시판을 VIb-VIb' 선으로 절개한 단면도이다.
본 발명의 일실시예에 의한 박막 트랜지스터 표시판(2)은 제1 절연 기판(10) 위에 형성된 게이트 배선(21, 22), 스토리지 배선(25, 26), 게이트 절연막(30), 반도체층(40), 저항성 접촉층(55, 56) 및 데이터 배선(62, 65, 66), 보호막(70) 및 화소 전극(81) 등을 포함한다.
제1 절연 기판(10)은 투명 유리 또는 플라스틱과 같이 내열성 및 투광성을 갖는 재질로 형성된다.
제1 절연 기판(10) 위에는 게이트 배선(21, 22)과 스토리지 배선(25, 26)이 형성되며, 두 배선은 제1 절연 기판(10) 위의 같은 층(layer)에 함께 형성될 수 있다. 이와 같은 게이트 배선(21, 22)과 스토리지 배선(25, 26)은 알루미늄(Al)과 알루미늄 합금 등 알루미늄 계열의 금속, 은(Ag)과 은 합금 등 은 계열의 금속, 구리(Cu)와 구리 합금 등 구리 계열의 금속, 몰리브덴(Mo)과 몰리브덴 합금 등 몰리브덴 계열의 금속, 크롬(Cr), 티타늄(Ti), 탄탈륨(Ta) 등의 금속성 재료로 이루어질 수 있다. 또한, 게이트 배선(21, 22)과 스토리지 배선(25, 26)은 물리적 성질이 다른 두 개의 도전막(미도시)을 포함하는 다중막 구조를 가질 수 있다.
여기서 게이트 배선(21, 22)은 제1 절연 기판(10)의 제1 방향으로 배치된 게이트 선(21)과 게이트 선(21)에 돌기의 형태로 이루어진 게이트 전극(22)을 말하는 것이며, 스토리지 배선(25, 26)은 스토리지 전압을 인가받아 후술하는 화소 전극(81)과 함께 스토리지 캐패시터를 형성하는 것을 말한다.
구체적으로, 게이트 배선(21, 22)은 예를 들면 가로 방향과 같은 제1 방향으로 배열되어 게이트 신호를 전달하는 게이트 선(21)과 게이트 선(21)에서 돌기 형태로 돌출되어 형성된 게이트 전극(22)을 포함하며, 게이트 전극(22)은 후술하는 소스 전극(65) 및 드레인 전극(66)과 함께 박막 트랜지스터의 단자를 구성하게 된다.
스토리지 배선(25, 26)은 화소 전극(81)의 일부분과 층간 절연물을 매개로 중첩되어, 화소 전압을 일정하게 유지시켜주는 역할을 한다. 이와 같은 스토리지 배선(25, 26)은 게이트 배선(21, 22)과 평행하도록 제1 방향으로 배열된 수평부(26)와 일단부가 수평부(26)와 연결되며 제2 방향으로 배치되는 수직부(25)를 포함한다. 여기서 수직부(25)는 후술할 데이터 배선(62, 65, 66)과 일정부분 중첩되도록 형성된다.
수평부(26)는 게이트 선(21)과 같이 제1 방향으로 배열되며, 스토리지 전압이 인가되어 화소 전극(81)과 함께 스토리지 캐패시터를 형성한다. 수평부(26)는 화소 전극(81)과 일정 부분이 중첩되도록 배치되며, 게이트 선(21)과 일정부분 이격되어 평행하게 제1 방향으로 배열된다.
수직부(25)는 화소 전극(81)과 일부 중첩되어 스토리지 캐패시터를 형성하 며, 게이트 배선(21, 22)과 같은 비투광성 재질인 금속성 재질로 형성되어 광차단막 역할을 함께 수행한다. 이러한 수직부(25)는 일단부가 수평부(26)에 연결되며, 수직 방향과 같은 제2 방향으로 배치된다. 이러한 수직부(25)는 수평부(26)에 연결된 일단부로 스토리지 전압이 인가되며, 타단부는 인접 셀의 게이트 선(21)과 인접하게 형성되나, 전기적으로는 절연되도록 일정 간격으로 이격하여 형성된다.
게이트 배선(21, 22) 및 스토리지 배선(25, 26)의 상부에는 질화 규소(SiNx) 등의 절연물질로 이루어진 게이트 절연막(30)이 형성된다.
게이트 절연막(30) 위에는 수소화 비정질 규소(hydrogenated amorphous silicon) 또는 다결정 규소 등으로 이루어진 반도체층(40)을 형성한다. 이러한 반도체층(40)은 섬형, 선형 등과 같이 다양한 형상을 가질 수 있으며, 예를 들어 본 실시예에서와 같이 게이트 전극(26) 상에 섬형으로 형성될 수 있다. 또한 데이터 선(62) 아래에 위치하여 게이트 전극(22) 상부까지 연장된 형상을 가지는 선형으로 형성될 수도 있다. 선형 반도체층의 경우, 데이터 선(62)과 동일하게 패터닝하여 형성될 수 있다.
반도체층(40)의 위에는 실리사이드(silicide) 또는 n형 불순물이 고농도로 도핑되어 있는 n+ 수소화 비정질 규소 따위의 물질로 만들어진 저항성 접촉층(55, 56)을 형성한다. 이러한 저항성 접촉층(55, 56)은 후술하는 소스 전극(65) 및 드레인 전극(66)과 반도체층(40)의 접촉 특성을 양호하게 한다. 따라서, 반도체층(40)과 소스 전극(65) 및 드레인 전극(66)의 접촉 특성이 양호한 경우에는 저항성 접촉층(55, 56)은 생략될 수 있다.
또한, 저항성 접촉층(55, 56)은 섬형, 선형 등과 같이 다양한 형상을 가질 수 있으며, 예를 들어 본 실시예에서와 같이 섬형 저항성 접촉층(55, 56)의 경우 드레인 전극(66) 및 소스 전극(65) 아래에 위치하고, 선형의 저항성 접촉층의 경우 데이터 선(62)의 아래까지 연장되어 형성될 수 있다.
저항성 접촉층(55, 56) 및 게이트 절연막(30) 위에는 데이터 배선(62, 65, 66) 및 드레인 전극(66)이 형성된다. 여기서 데이터 배선(62, 65, 66)은 데이터 선(62), 소스 전극(65) 및 드레인 전극(66)을 말한다.
데이터 선(62)은 세로 방향 등과 같은 제2 방향으로 배열되어 게이트 선(21)과 교차하도록 배치되며, 데이터 신호를 인가받아 소스 전극(65)으로 전달한다. 이러한 데이터 선(62)은 스토리지 배선(25, 26)의 위에 중첩되게 배치되며, 선의 폭은 스토리지 배선(25, 26)의 폭보다 작도록 형성할 수 있다.
소스 전극(65)은 데이터 선(62)으로부터 분지되어 일단부가 데이터 선(62)에 연결되어 있으며, 타단부는 반도체층(40)의 상부에 위치하여 반도체층(40)과 일부가 중첩되도록 배치된다.
드레인 전극(66)은 일단부가 반도체층(40) 상부에 위치하여 반도체층(40)과 일부가 중첩되도록 배치되며, 게이트 전극(22)을 중심으로 소스 전극(65)과 대향되도록 일정 간격 이격하여 형성된다.
이와 같은 소스 전극(65)과 드레인 전극(66)은 전술한 게이트 전극(22)과 함께 스위칭 소자를 이루게 되어, 게이트 전극(22)에 전압이 인가되면 소스 전극(65)과 드레인 전극(66) 사이에 전류가 흐르게 된다.
한편, 데이터 배선(62, 65, 66)은 알루미늄, 크롬, 몰리브덴, 탄탈륨 및 티타늄 등 중에서 하나 이상의 물질로 구성된 단일막 또는 다층막으로 이루어질 수 있다. 즉, 데이터 배선(62, 65, 66)은 크롬, 몰리브덴 계열의 금속, 탄탈륨 및 티타늄 등 내화성 금속으로 이루어지는 것이 바람직하며, 내화성 금속 따위의 하부막(미도시)과 그 위에 위치한 저저항 물질 상부막(미도시)으로 이루어진 다층막 구조를 가질 수 있다. 다층막 구조의 예로는 앞서 설명한 크롬 하부막과 알루미늄 상부막 또는 알루미늄 하부막과 몰리브덴 상부막의 이중막 외에도 몰리브덴막-알루미늄막-몰리브덴막의 삼중막을 들 수 있다.
데이터 배선(62, 65, 66) 및 노출된 반도체층(40)의 위에는 절연막으로 이루어진 보호막(70)이 도포된다. 보호막(70)은 질화규소 또는 산화규소로 이루어진 무기물, 평탄화 특성이 우수하며 감광성(photosensitivity)을 가지는 유기물 또는 플라스마 화학 기상 증착(plasma enhanced chemical vapor deposition, PECVD)으로 형성되는 a-Si:C:O, a-Si:O:F 등의 저유전율 절연 물질 등으로 이루어진다. 또한, 보호막(70)을 유기 물질로 형성하는 경우에는 소스 전극(65)과 드레인 전극(66) 사이의 반도체층(40)이 드러난 부분에 보호막(70)의 유기 물질이 접촉하는 것을 방지하기 위하여, 질화 규소(SiNx) 또는 산화 규소(SiO2)로 이루어진 하부 무기막과 상부 유기막의 이중막 구조를 가질 수 있다.
보호막(70)에는 드레인 전극(66)을 드러내는 콘택홀(contact hole)(72)이 형성되어 있다.
보호막(70) 위에는 콘택홀(72)을 통하여 드레인 전극(66)과 전기적으로 연결 되며, 화소 모양을 따라 형성된 화소 전극(81)이 위치한다.
화소 전극(81)은 화소의 투과율을 조절함으로써, 백라이트 어셈블리(미도시)에서 공급하는 빛을 조절하여 액정 패널에 영상이 표시되도록 한다. 이와 같은 화소 전극(81)은 콘택홀(72)을 통하여 드레인 전극(66)과 전기적으로 접속되어 있다. 드레인 전극(66)을 통하여 데이터 전압이 인가된 화소 전극(81)은 공통 전극 표시판(3)의 공통 전극과 함께 전기장을 생성함으로써, 화소 전극(81)과 공통 전극(140) 사이에 개재된 액정 분자들의 배열을 결정한다.
한편, 화소 전극(81)은 ITO(Indium Tin Oxide) 또는 IZO(Indium Zinc Oxide) 등의 투명 도전체 또는 알루미늄 등의 반사성 도전체로 이루어진다. 전술한 바와 같이, 화소 전극(81)과 공통 전극(140) 사이에 전압이 인가되면 전압에 의해 발생하는 전계의 영향으로 액정층(4)이 재배열하게 되며, 이 때 백라이트 어셈블리(미도시)로부터 공급되는 빛이 액정 패널을 투과하게 된다. 그러므로, 화소 전극(81)과 공통 전극(140) 사이에 전압이 인가되지 않으면 액정 패널의 빛이 투과할 수 없게 된다.
따라서, 컬러 필터(130)의 일부분에 결함(141)이 발생하여 원하는 색상을 얻을 수 없거나, 빛을 원하는 바와 같이 제어할 수 없을 경우 화소 전극(81)을 제거하여 빛샘을 방지할 수 있다. 화소 전극(81)의 일부를 제거하면 화소에 빛이 투과할 수 없어 암점의 형태로 나타나게 되는데 이 부분을 화소 전극 제거부(242)라 한다. 이러한 암점은 휘점의 경우보다 인식률이 떨어지기 때문에 휘점보다 더 큰 영역으로 형성하여도 불량률은 적어지게 된다. 또한, 화소 전극 제거부(242)는 컬러 필터(130)의 결함에 의한 빛샘 현상뿐만 아니라 화소 전극(81)의 결함이 있는 경우에도 형성될 수 있다.
이와 같은 화소 전극 제거부(242)를 형성하기 위해서 본 발명에 따른 일실시예로서 레이저를 사용할 수 있다. 불량 화소를 제거하기 위하여 레이저를 사용할 경우 액정 패널 제조 과정 중 거의 모든 단계에서도 작업이 가능하다. 액정 패널의 각 제조 단계에서 화소의 정상 유무를 검사하게 되는데 검사 단계에서 불량 화소가 발견될 경우에는 간단하게 레이저를 사용하여 화소 전극(81)의 국소 부분만을 제거하여, 불량 화소 부분에 빛이 투과하는 것을 방지하여 정상 화소로 복구할 수 있다.
화소 전극(81) 및 보호막(70) 위에는 액정층을 배양할 수 있는 배향막(미도시)이 도포될 수 있다.
또한, 화소 전극(81) 상에는 박막 트랜지스터 표시판(2)과 일정 간격을 유지하기 위한 스페이서(미도시)가 형성될 수 있으며, 이러한 스페이서(미도시)에 의해 유지되는 간격에 액정층(4)이 개재된다.
액정 표시 장치(1)의 화소 불량을 제거하는 방법을 다시 한번 설명하면, 액정 표시 장치(1)를 제조하는 과정에 있어서, 각 단계 마다 불량 화소를 발생시키는 인자의 발생 여부를 검사하게 된다. 이와 같이 불량 화소를 발생시키는 인자는 컬러 필터(130)의 결함, 공통 전극(140)의 결함, 화소 전극(81)의 결함 등 다양한 형태로 나타나게 된다.
이때, 불량 화소에 해당되는 부분의 전극을 제거하여 해당 부분을 빛이 투과 되지 않는 암점의 형태로 변환시켜 불량 화소를 제거할 수 있다. 여기서 말하는 전극은 공통 전극 표시판(2)에 포함되는 공통 전극이 될 수도 있으며 경우에 따라서는 박막 트랜지스터 표시판(2)에 포함되는 화소 전극일 수도 있다.
이와 같은 전극의 제거를 위해서는 레이저를 사용하여 필요한 부분만 간단하게 제거가 가능하도록 하며, 불량 화소 발생 인자를 발견시 제작 과정 어느 때나 간단하게 작업할 수 있도록 한다.
이상 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예들을 설명하였지만, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자는 본 발명이 그 기술적 사상이나 필수적인 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로 이상에서 기술한 실시예 및 실시예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적이 아닌 것으로 이해해야만 한다.
상술한 바와 같이 본 발명의 실시예들에 따른 액정 표시 장치 및 그의 불량 화소 제거 방법에 의하면, 액정 표시 장치의 제조 과정 중 어느 단계에서라도 불량 화소에 해당되는 박막 트랜지스터 표시판의 화소 전극 또는 공통 전극 표시판의 공통 전극을 레이저로 간단하게 제거함으로써, 불량 화소의 복구 시간 및 비용을 최소화할 수 있는 효과가 있다.

Claims (6)

  1. 화소 전극을 포함하여 전기 신호에 따라 전개를 형성하는 박막 트랜지스터 표시판;
    컬러 필터 및 공통 전극을 포함하여 색상을 구현하는 공통 전극 표시판; 및
    상기 박막 트랜지스터 표시판과 상기 공통 전극 표시판 사이게 게재되는 액정층을 포함하되,
    상기 화소 전극 또는 공통 전극에 전극 제거부를 포함하는 액정 표시 장치.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 전극 제거부는 레이저를 이용하여 형성되는 액정 표시 장치.
  3. 액정 패널의 화소를 검사하는 단계; 및
    상기 화소를 검사하는 단계에서 검출된 불량 화소의 전극을 제거하는 단계
    를 포함하는 액정 표시 장치의 불량 화소 제거 방법.
  4. 제 3 항에 있어서,
    상기 전극은 레이저를 이용하여 제거하는 액정 표시 장치의 불량 화소 제거 방법.
  5. 제 3 항에 있어서,
    상기 전극은 전기 신호에 따라 전개를 형성하는 박막 트랜지스터 표시판에 포함되는 화소 전극인 액정 표시 장치의 불량 화소 제거 방법.
  6. 제 3 항에 있어서,
    상기 전극은 색상을 구현하는 공통 전극 표시판에 포함되는 공통 전극인 액정 표시 장치의 불량 화소 제거 방법.
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