KR20080052411A - Semiconductor device and method of manufacturing the same, and mounting structure of semiconductor device - Google Patents

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KR20080052411A
KR20080052411A KR1020070124813A KR20070124813A KR20080052411A KR 20080052411 A KR20080052411 A KR 20080052411A KR 1020070124813 A KR1020070124813 A KR 1020070124813A KR 20070124813 A KR20070124813 A KR 20070124813A KR 20080052411 A KR20080052411 A KR 20080052411A
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유키히로 고자카
요시후미 나카무라
미치나리 데타니
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마쯔시다덴기산교 가부시키가이샤
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    • H01L2224/73204—Bump and layer connectors the bump connector being embedded into the layer connector

Abstract

A semiconductor device is provided to improve heat radiation efficiency from a circuit formation region by making a filling material filled in an opening of a wiring substrate come in contact with the circuit formation region and a heat radiation body. In a wiring substrate(4), a conductive interconnection(6) is formed on an insulation substrate(5) with an opening(5a). A semiconductor device(2) has a circuit formation region and an electrode pad(3), mounted on the wiring substrate to make the circuit formation region confront the opening. The electrode pad is electrically connected to the conductive interconnection by a protrusion electrode(3a). The connection part of the electrode pad and the conductive interconnection is coated by sealing resin(7). A heat radiation body(9) is disposed to have a portion confronting the opening. A filling material(8) has higher thermal conductivity than the sealing resin, filled in the opening and coming in contact with the circuit formation region of the semiconductor device and the heat radiation body. The heat radiation body can be made of a material with higher thermal conductivity than the filling material.

Description

반도체 장치와 그 제조 방법 및 반도체 장치의 실장 구조{SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME, AND MOUNTING STRUCTURE OF SEMICONDUCTOR DEVICE}Semiconductor device, manufacturing method thereof, and mounting structure of semiconductor device {SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME, AND MOUNTING STRUCTURE OF SEMICONDUCTOR DEVICE}

본 발명은, 방열성을 향상시킨 반도체 장치 및 그 제조 방법, 및 반도체 장치의 실장 구조에 관한 것이다.This invention relates to the semiconductor device which improved heat dissipation, its manufacturing method, and the mounting structure of a semiconductor device.

최근, 집적회로의 고집적화, 반도체 소자의 축소화가 진행되고, 협피치의 단자 접속에 대응 가능한 실장 기술이 요구되고 있다. 이러한 요구에 대응할 수 있는 실장 구조로서, TCP(Tape Carrier Package) 등에 이용되는 TAB(Tape Automated Bonding)나, 이방성 도전막(ACF：Anisotropic Conductive Film)을 이용한 COG(Chip On Glass) 혹은 COF(Chip On Film), BOF(Bump On Film)가 알려져 있다.Background Art In recent years, integration of integrated circuits and reduction of semiconductor devices have progressed, and a mounting technology capable of responding to terminal connections of narrow pitches has been demanded. As a mounting structure capable of responding to such a demand, a chip on glass (COG) or a chip on glass using an anisotropic conductive film (ACF) or a tape automated bonding (TAB) used for a tape carrier package (TCP) or the like is used. Film) and BOF (Bump On Film) are known.

이러한 실장 구조의 기본 구성은, 반도체 소자의 각 전극 패드 상에 범프라 불리는 돌기 전극을 Au나 땜납을 이용하여 형성하고, 수지 테이프나 유리 기판 상에 형성된 금속 배선에, 반도체 소자의 범프를 일괄해 접합하는 것이다. 다만, BOF(Bump On Film)에 있어서는, 수지 테이프 상의 금속 배선측에 돌기 전극을 형성하고, 반도체 소자의 전극 패드를 돌기 전극에 일괄하여 접합하는 것이다.The basic structure of such a mounting structure forms a protrusion electrode called bump on the electrode pad of a semiconductor element using Au or solder, and bumps a semiconductor element collectively on the metal wiring formed on the resin tape or the glass substrate. To join. In the BOF (Bump On Film), however, the protruding electrode is formed on the metal wiring side on the resin tape, and the electrode pads of the semiconductor element are collectively bonded to the protruding electrode.

이상과 같은 실장 기술의 적용에 있어서,고집적화에 따라, 집적회로의 단위 체적당의 소비 전력이 많아진 것으로부터, 이러한 집적회로를 구비한 반도체 장치 중에는, 발열 대책이 취해지는 것이 있다(예를 들면, 일본국 특허공개평10-41428호 공보 참조).In the application of the above-described mounting technology, due to the high integration, power consumption per unit volume of an integrated circuit increases, and some semiconductor devices provided with such integrated circuits may take heat generation measures (for example, Japan See Japanese Patent Application Laid-open No. 10-41428.

도 20은, 실장 구조가 TAB의 경우에 있어서의 발열 대책이 실시된 반도체 장치의 구성을 나타낸 단면도이다. 반도체 소자(101)는, 주면(회로 형성 영역측의 면, 도에서는 상면)에 돌기 전극(102)이 형성되어 있다. 배선 기판(103) 상에 패턴 형성된 도체 배선(104)은, 돌기 전극(102)과 전기적으로 접속되어 있다. 도체 배선(104)과 돌기 전극(102)의 접속 부분, 및 반도체 소자(101)의 주면은, 밀봉 수지(105)에 의해 덮여 있다. 또, 배선 기판(103)의 한쪽 면에는, 도체 배선(104)의 인회(引回) 배선을 덮는, 를 들면 폴리이미드나 에폭시 등으로 이루어진 유기 절연 재료(111)가 설치되어 있다.20 is a cross-sectional view showing the configuration of a semiconductor device to which heat generation measures are implemented when the mounting structure is TAB. In the semiconductor element 101, the protruding electrode 102 is formed on the main surface (surface on the circuit formation area side, upper surface in the figure). The conductor wiring 104 patterned on the wiring board 103 is electrically connected to the protruding electrode 102. The connecting portion of the conductor wiring 104 and the protruding electrode 102 and the main surface of the semiconductor element 101 are covered with the sealing resin 105. In addition, an organic insulating material 111 made of, for example, polyimide, epoxy, or the like is provided on one surface of the wiring board 103 to cover the phosphorus wiring of the conductor wiring 104.

방열체(107)에는, 오목부(110)가 형성되고, 오목부(110)에 반도체 소자(101)가 배치되어 있다. 반도체 소자(101)의 주면에 대한 이면(도에서는 하면)과 대향하는 측의 오목부(110) 내에는, 충전재(106)가 충전되어 있다. 그로 인해, 반도체 소자(101)의 이면은, 방열체(107)의 오목부(110)의 내벽면에 대하여 충전재(106)를 통하여 접속되어 있다. A recess 110 is formed in the heat radiator 107, and the semiconductor element 101 is disposed in the recess 110. The filler 106 is filled in the concave portion 110 on the side opposite to the rear surface (the lower surface in the figure) with respect to the main surface of the semiconductor element 101. Therefore, the back surface of the semiconductor element 101 is connected to the inner wall surface of the recessed part 110 of the heat sink 107 through the filler 106.

또, 반도체 소자(101)의 접지용 돌기 전극(102)에 접속된 도체 배선(104)은, 도전 나사(108)를 통하여 방열체(107)에 전기적으로 접속되어 있다. 또한, 배선 기판(103)과 방열체(107)는, 양면 테이프(109)에 의해 접착되어 있다.In addition, the conductor wiring 104 connected to the grounding protruding electrode 102 of the semiconductor element 101 is electrically connected to the heat sink 107 through the conductive screw 108. In addition, the wiring board 103 and the radiator 107 are bonded by a double-sided tape 109.

이러한 구성에 의해, 반도체 소자(101)가 구동될 때에 발생하는 주면의 열은, 반도체 소자(101)의 이면으로부터 충전재(106)를 통하여 방열체(107)에 전달되고, 공기 중에 방출되는 것과 동시에, 돌기 전극(102)을 통하여 도체 배선(104)에 전달되어 공기 중에 방출된다.By such a configuration, heat of the main surface generated when the semiconductor element 101 is driven is transmitted from the back surface of the semiconductor element 101 to the radiator 107 via the filler 106 and is released into the air. The conductive wire 104 is transmitted to the conductor wiring 104 through the protruding electrode 102 and discharged into the air.

또, 반도체 소자(101)의 접지 단자 신호는, 돌기 전극(102)으로부터 도체 배선(104) 및 도전 나사(108)를 통하여 방열체(107)에 전달되므로, 접지를 충분히 취할 수 있고, 노이즈 및 EMI(전자 장해)가 저감된다.In addition, since the ground terminal signal of the semiconductor element 101 is transmitted from the protruding electrode 102 to the heat sink 107 through the conductor wiring 104 and the conductive screw 108, the ground can be sufficiently grounded, and noise and EMI (electromagnetic interference) is reduced.

그러나, 도 20에 나타낸 바와 같은 종래의 반도체 장치에서는, 장치 소형화를 위하여 도체 배선(104)이 형성된 배선 기판(103)의 면적을 축소하는 경우는, 동시에 방열체(107)도 작게 할 필요가 있으므로, 방열 효율이 저하된다고 하는 문제가 있다.However, in the conventional semiconductor device as shown in Fig. 20, when the area of the wiring board 103 on which the conductor wiring 104 is formed is reduced in order to reduce the size of the device, the heat sink 107 must be made smaller at the same time. There is a problem that the heat radiation efficiency is lowered.

본 발명은, 상기 문제를 해결하는 것으로서, 면적이 작은 배선 기판의 경우이어도, 방열 효율을 확보할 수 있고, 또한 염가의 반도체 장치 및 그 제조 방법, 또한 반도체 장치의 실장 구조를 제공하는 것을 목적으로 한다.The present invention solves the above problems, and even in the case of a wiring board having a small area, the object of the present invention is to provide a heat dissipation efficiency, an inexpensive semiconductor device, a method of manufacturing the same, and a mounting structure of the semiconductor device. do.

상기 과제를 해결하기 위하여, 본 발명의 반도체 장치는, 개구부를 갖는 절연 기판 상에 도체 배선이 형성된 배선 기판과, 회로 형성 영역 및 전극 패드를 가지며, 상기 회로 형성 영역이 상기 개구부에 대향하도록 상기 배선 기판 상에 탑재 되고, 상기 전극 패드가 상기 도체 배선과 돌기 전극을 통하여 전기적으로 접속된 반도체 소자와, 상기 전극 패드와 상기 도체 배선의 접속부를 피복한 밀봉 수지와, 상기 개구부에 대향하는 부분을 갖도록 배치된 방열체와, 상기 밀봉 수지보다 높은 열전도율을 가지며, 상기 개구부에 충전되고, 상기 반도체 소자의 회로 형성 영역과 상기 방열체에 접촉되어 있는 충전재를 구비한다.MEANS TO SOLVE THE PROBLEM In order to solve the said subject, the semiconductor device of this invention has a wiring board in which conductor wiring was formed on the insulated substrate which has an opening, a circuit formation area | region, and an electrode pad, and the said wiring so that the said circuit formation area may face the said opening part. A semiconductor element mounted on a substrate and having the electrode pad electrically connected through the conductor wiring and the protruding electrode, a sealing resin covering the connection portion of the electrode pad and the conductor wiring, and a portion facing the opening; The heat dissipation member is arranged, and has a higher thermal conductivity than the sealing resin, and is filled in the opening portion and is in contact with the circuit formation region of the semiconductor element and the heat dissipation member.

본 발명의 반도체 장치의 실장 구조는, 개구부를 갖는 절연 기판 상에 도체 배선이 형성된 배선 기판과, 회로 형성 영역 및 전극 패드를 가지며, 상기 회로 형성 영역이 상기 개구부에 대향하도록, 상기 배선 기판 상에 탑재되고, 상기 전극 패드가 상기 도체 배선과 돌기 전극을 통하여 전기적으로 접속된 반도체 소자와, 상기 전극 패드와, 상기 도체 배선의 접속부를 피복한 밀봉 수지를 구비한 반도체 장치와, 상기 개구부에 대향하는 부분을 갖도록 배치된 방열체와, 상기 밀봉 수지보다 높은 열전도율을 가지며, 상기 개구부에 충전되고, 상기 반도체 소자의 회로 형성 영역과 상기 방열체에 접촉되어 있는 충전재를 구비한다.The mounting structure of the semiconductor device of the present invention has a wiring board having conductor wiring formed on an insulating substrate having openings, a circuit forming area and an electrode pad, and on the wiring board so that the circuit forming area faces the opening. A semiconductor device mounted with the electrode pad electrically connected through the conductor wiring and the protruding electrode, a semiconductor device having the electrode pad, a sealing resin covering the connection portion of the conductor wiring, and facing the opening; And a heat dissipating member arranged to have a portion, and a filler having a higher thermal conductivity than the sealing resin and filled in the opening and in contact with the circuit forming region of the semiconductor element and the heat dissipating member.

본 발명의 반도체 장치의 제조 방법은, 개구부를 갖는 절연 기판 상에 도체 배선이 형성된 배선 기판에, 회로 형성 영역 및 전극 패드를 갖는 반도체 소자를 실장하는 방법으로서, 상기 회로 형성 영역을 상기 개구부에 대향시키고, 상기 도체 배선의 선단 부분과 상기 반도체 소자의 전극 패드 부분을 위치 맞춤하는 공정과, 상기 도체 배선과 상기 전극 패드를, 상기 도체 배선 또는 상기 전극 패드의 어느 한쪽에 형성된 돌기 전극을 통하여 접속하는 공정과, 상기 도체 배선과 상기 전극 패드의 접속부에 밀봉 수지를 도포하여, 회로 형성 영역이 노출된 상태로 상기 밀봉 수지를 경화시키는 공정과, 상기 노출한 회로 형성 영역에 열전도제를 도포하는 공정과, 상기 배선 기판에 방열체를 장착하고, 상기 열전도제와 상기 방열체를 밀착시키는 공정을 갖는다.The manufacturing method of the semiconductor device of this invention is a method of mounting the semiconductor element which has a circuit formation area | region and an electrode pad on the wiring board in which the conductor wiring was formed on the insulated substrate which has an opening part, Comprising: The said circuit formation area | region is opposed to the said opening part. And positioning the distal end portion of the conductor wiring and the electrode pad portion of the semiconductor element, and connecting the conductor wiring and the electrode pad through the protruding electrode formed on either of the conductor wiring or the electrode pad. A step of applying a sealing resin to a connection portion between the conductor wiring and the electrode pad, curing the sealing resin in a state where the circuit formation region is exposed, and applying a heat conductive agent to the exposed circuit formation region; And attaching a heat sink to the wiring board and bringing the heat conductor into close contact with the heat sink. The.

상기 구성에 의하면, 배선 기판의 개구부에 충전된 충전재가, 반도체 소자의 회로 형성 영역과 방열체에 접촉한 구성에 의해, 회로 형성 영역으로부터의 방열 효율을 향상시키고, 배선 기판의 면적이 작은 경우에 있어서도, 방열 효율을 충분히 확보할 수 있고, 또한 염가인 반도체 장치 혹은/및 반도체 장치의 실장 구조를 제공할 수 있다.According to the said structure, when the filler filled in the opening part of a wiring board contacts the circuit formation area | region of a semiconductor element and a heat sink, when the heat radiation efficiency from a circuit formation area | region is improved and the area of a wiring board is small, Also, heat dissipation efficiency can be sufficiently secured, and an inexpensive semiconductor device and / or a mounting structure of the semiconductor device can be provided.

본 발명은, 상기 구성을 기본으로 하여, 이하와 같은 형태를 취할 수 있다.This invention can take the following forms based on the said structure.

즉, 상기 구성의 반도체 장치에 있어서, 상기 방열체가 시트인 구성으로 할 수 있다. 혹은, 상기 방열체가 금속판인 구성으로 할 수 있다.That is, in the semiconductor device of the said structure, the said heat sink can be set as a sheet | seat. Alternatively, the heat radiator may be a metal plate.

또, 상기 방열체가 상기 충전재보다 열전도율이 높은 재료인 것이 바람직하다. Moreover, it is preferable that the said heat sink is a material with a higher thermal conductivity than the said filler.

또, 상기 충전재로서 땜납 합금, 수지, 금속 함유 수지, 실리콘, 고무, 또는 무기 입자 함유 수지 중 어느 하나를 이용할 수 있다.As the filler, any one of a solder alloy, a resin, a metal-containing resin, a silicone, a rubber, and an inorganic particle-containing resin can be used.

또, 상기 회로 형성 영역에 절연성의 보호막을 갖는 것이 바람직하다.Moreover, it is preferable to have an insulating protective film in the said circuit formation area.

상기 구성의 반도체 장치의 실장 구조에 있어서, 상기 방열체가 섀시인 구성으로 할 수 있다. 혹은, 상기 방열체가 케이스의 일부인 구성으로 할 수 있다.In the mounting structure of the semiconductor device of the said structure, the said heat sink can be set as a chassis. Alternatively, the heat dissipation member may be a part of the case.

또, 상기 충전재로서 땜납 합금, 수지, 금속 함유 수지, 실리콘, 고무, 또는 무기 입자 함유 수지 중 어느 하나를 이용할 수 있다.As the filler, any one of a solder alloy, a resin, a metal-containing resin, a silicone, a rubber, and an inorganic particle-containing resin can be used.

또, 상기 회로 형성 영역에 절연성의 보호막을 갖는 것이 바람직하다.Moreover, it is preferable to have an insulating protective film in the said circuit formation area.

이하, 본 발명의 실시 형태에 관한 반도체 장치에 대하여, 도면을 참조하면서 설명한다.EMBODIMENT OF THE INVENTION Hereinafter, the semiconductor device which concerns on embodiment of this invention is demonstrated, referring drawings.

(실시 형태 1)(Embodiment 1)

도 1a는, 본 발명의 실시 형태 1에 관한 반도체 장치(1a)의 구성을 나타낸 단면도이다.1A is a cross-sectional view showing the configuration of a semiconductor device 1a according to Embodiment 1 of the present invention.

반도체 소자(2)는, 회로 형성 영역(주면의 회로가 형성된 영역)(2a)을 가지며, 회로 형성 영역(2a)의 주변에 배치된 전극 패드(3) 상에, 돌기 전극(3a)이 형성되어 있다. 돌기 전극(3a)은, 예를 들면 Au, 또는 Ni 위에 Au가 피복된 재료에 의해 형성된다. 또한, 다른 도면에 있어서, 전극 패드(3)의 도시를 생략하는 경우 도 있다.The semiconductor element 2 has the circuit formation area | region (region | region in which the circuit of the principal surface was formed) 2a, and the processus | protrusion electrode 3a is formed on the electrode pad 3 arrange | positioned around the circuit formation area 2a. It is. The protruding electrode 3a is made of, for example, Au or a material coated with Au on Ni. In addition, in another figure, illustration of the electrode pad 3 may be abbreviate | omitted.

배선 기판(4)은, 예를 들면 폴리이미드를 주체로 한 절연 기판(5)에, 패턴 형성된 도체 배선(6)이 설치된 구성을 갖는다. 절연 기판(5)에는, 반도체 소자(2)의 주면보다 큰 개구부(5a)가 형성되어 있다. 도체 배선(6)은, 증착 등으로 형성된 도체층으로 이루어지고, 패턴이 형성된, 예를 들면 Cu배선에, Sn 혹은 Au 등이 피복된 구조를 갖는다. 도체 배선(6)은, 절연 기판(5)의 개구부(5a) 내까지 연장되어 있다. 또, 배선 기판(4)의 한쪽 면에는, 도체 배선(6)의 인회(引回) 배선을 덮는, 예를 들면 폴리이미드나 에폭시 등으로 이루어진 유기 절연 재료(25)가 설치되어 있다.The wiring board 4 has the structure in which the conductor wiring 6 by which the pattern was formed was provided in the insulating board 5 which mainly used polyimide, for example. The opening 5a larger than the main surface of the semiconductor element 2 is formed in the insulating substrate 5. The conductor wiring 6 is made of a conductor layer formed by vapor deposition or the like, and has a structure in which a pattern, for example, Cu wiring is coated on a Cu wiring. The conductor wiring 6 extends into the opening part 5a of the insulated substrate 5. Moreover, the organic insulating material 25 which consists of polyimide, epoxy, etc. which covers the phosphorus wiring of the conductor wiring 6 is provided in one surface of the wiring board 4.

이상과 같이, 이 반도체 장치(1a)는, 반도체 소자(2)의 회로 형성 영역(2a)을, 배선 기판(4)에 대하여 도체 배선(6)이 형성되어 있지 않은 측의 면을 향해 대면시킨 페이스업 구조를 갖는다. As mentioned above, this semiconductor device 1a has the circuit formation area 2a of the semiconductor element 2 facing the surface of the side where the conductor wiring 6 is not formed with respect to the wiring board 4. It has a face up structure.

반도체 소자(2)는, 배선 기판(4)의 개구부(5a) 내에 배치되고, 돌기 전극(3a)과 도체 배선(6)이 전기적으로 접속되어 있다. 도체 배선(6)과 돌기 전극(3a)과의 접속 부분 및 그 주변은 전기적 안정을 유지하기 위해, 에폭시계 수지 등의 절연성의 밀봉 수지(7)에 의해 덮여 있다. 반도체 소자(2)의 회로 형성 영역(2a)에는, 열전도제인 충전재(8)가 접촉되어 있다.The semiconductor element 2 is arrange | positioned in the opening part 5a of the wiring board 4, and the protrusion electrode 3a and the conductor wiring 6 are electrically connected. The connecting portion between the conductor wiring 6 and the protruding electrode 3a and the periphery thereof are covered with an insulating sealing resin 7 such as an epoxy resin in order to maintain electrical stability. The filler 8 which is a thermal conductor is in contact with the circuit formation region 2a of the semiconductor element 2.

도체 배선(6)의 절연 기판(5)에 고정된 면의 이면에는, 예를 들면 Al에 의해 형성된 방열체(9)가, 접착제인 양면 테이프(10)에 의해 접착되어 있다. 방열체(9)는, 평탄한 면을 가지며, 그 평탄한 면에 충전재(8)가 접촉하고 있다. 따라서, 방 열체(9)의 평탄한 면과, 반도체 소자(2)에 있어서의 노출된 회로 형성 영역(2a)의 면은, 충전재(8)에 의하여 열적으로 결합되어 있다.On the back surface of the surface fixed to the insulated substrate 5 of the conductor wiring 6, the heat sink 9 formed by Al, for example, is adhere | attached with the double-sided tape 10 which is an adhesive agent. The heat sink 9 has a flat surface, and the filler 8 is in contact with the flat surface. Therefore, the flat surface of the radiator 9 and the surface of the exposed circuit formation area 2a in the semiconductor element 2 are thermally coupled by the filler 8.

충전재(8)로서 이용되는 재료는, 예를 들면 땜납 합금, 수지, 금속 입자 함유 수지, 실리콘, 고무, 무기 입자 함유 수지 등이며, 열전도율이 밀봉 수지(7)의 열전도율(0.6W/mK)보다 높다(1.5W/mK 이상). 단, 땜납 합금, 금속 입자 함유 수지 등의 도전성의 충전재(8)를 사용하는 경우는, 회로 형성 영역(2a)에 절연성의 보호막(2c)을 형성해 둘 필요가 있다.The material used as the filler 8 is, for example, a solder alloy, a resin, a metal particle-containing resin, silicone, rubber, an inorganic particle-containing resin, or the like, and the thermal conductivity is higher than that of the sealing resin 7 (0.6 W / mK). High (more than 1.5 W / mK). However, in the case of using conductive fillers 8 such as solder alloys and metal particle-containing resins, it is necessary to form an insulating protective film 2c in the circuit formation region 2a.

또, 방열체(9)는, 충전재(8)보다 열전도율이 높은 재료로 구성되는 것이 바람직하다. 방열체(9)로서는, 예를 들면 Al에 의해 형성된 금속판을 이용할 수 있다.Moreover, it is preferable that the heat sink 9 is comprised from the material whose thermal conductivity is higher than the filler 8. As the heat sink 9, the metal plate formed of Al can be used, for example.

반도체 소자(2)가 구동될 때, 회로 형성 영역(2a)은 열원이 되기 때문에, 가장 온도가 높아진다. 회로 형성 영역(2a)에 열전도율이 높은 방열체(9)를 직접 접촉시킬 수 있으면, 가장 방열 효율이 좋아진다. 그러나, 반도체 소자(2)의 회로 형성 영역(2a)과 동일면에 돌기 전극(3a)이 형성되어 있는 경우는, 구성상, 회로 형성 영역(2a)에 방열체(9)를 접촉시키는 것이 곤란하다. 한편, 도체 배선(6)과 돌기 전극(3a)과의 접속 부분, 및 회로 형성 영역(2a) 전체를 밀봉 수지(7)로 덮고, 밀봉 수지(7)를 통하여 방열체(9)로 접촉시킨 경우, 밀봉 수지(7)는 열전도율이 낮기 때문에 방열성이 불충분하다.When the semiconductor element 2 is driven, the circuit formation region 2a becomes a heat source, so that the temperature is the highest. If the heat radiating element 9 with high thermal conductivity can be directly brought into contact with the circuit formation area 2a, heat dissipation efficiency will be the most. However, in the case where the protruding electrode 3a is formed on the same plane as the circuit formation region 2a of the semiconductor element 2, it is difficult to bring the heat sink 9 into contact with the circuit formation region 2a. . On the other hand, the connecting portion between the conductor wiring 6 and the protruding electrode 3a and the entire circuit formation region 2a are covered with the sealing resin 7 and brought into contact with the heat sink 9 through the sealing resin 7. In this case, since the sealing resin 7 has low thermal conductivity, heat dissipation is inadequate.

또, 도 20에 나타낸 반도체 장치의 종래의 구성에 의하면, 반도체 소자(101)의 주면(회로 형성 영역의 면)에서 발생한 열은, 반도체 소자(101)의 이면에 전해 지고, 그리고 충전재(106)를 통하여 방열체(107)에 전해진다. 주면측은 열전도율이 낮은(0.6W/mK) 밀봉 수지(105)로 덮여 있기 때문에, 주된 방열 경로가, 반도체 소자(101) 및 충전재(106)를 통한 방열체(107) 측으로 치우쳐 버리고, 방열 효율이 나빠져 있다.Moreover, according to the conventional structure of the semiconductor device shown in FIG. 20, the heat which generate | occur | produced in the main surface (surface of the circuit formation area) of the semiconductor element 101 is transmitted to the back surface of the semiconductor element 101, and the filler 106 It is transmitted to the heat sink 107 through the heat sink. Since the main surface side is covered with the low thermal conductivity (0.6 W / mK) sealing resin 105, the main heat dissipation path is biased toward the heat dissipator 107 through the semiconductor element 101 and the filler 106, and the heat dissipation efficiency is improved. It is bad.

이에 대하여, 본 실시 형태에 관한 반도체 장치(1a)와 같은 구성으로 하면, 반도체 소자(2)의 회로 형성 영역(2a)에서 발생한 열은, 직접, 열전도율이 높은 충전재(8)에 전해지고, 또한 방열체(9)로 전해진다. 충전재(8)는, 밀봉 수지(7)보다 열전도율이 높기 때문에, 회로 형성 영역(2a)에서 발생한 열을 효율적으로 방열체(9)에 전할 수 있다. 방열체(9)에 전해진 열은, 방열체(9) 전체로부터 공기 중에 방출된다.On the other hand, if it is set as the structure similar to the semiconductor device 1a which concerns on this embodiment, the heat which generate | occur | produced in the circuit formation area 2a of the semiconductor element 2 will be directly transmitted to the filler 8 with high thermal conductivity, and also dissipates heat. It is conveyed to sieve (9). Since the filler 8 has a higher thermal conductivity than the sealing resin 7, the heat generated in the circuit formation region 2a can be efficiently transmitted to the heat sink 9. Heat transmitted to the heat sink 9 is released into the air from the entire heat sink 9.

이상과 같이, 본 실시 형태에 관한 반도체 장치(1a)는, 회로 형성 영역(2a)과 방열체(9) 사이에 충전재(8)를 충전하는 구성에 의해, 방열 효율을 향상시킬 수 있다. 또, 반도체 소자(2)에 있어서의 회로 형성 영역(2a)의 이면(2b)을 개방해 두면, 이면(2b)으로부터 공기 중에 방열시킬 수 있다. 반도체 소자(2)의 이면(2b)에 방열체나 방열 시트를 접촉시키면, 더욱 효율적으로 방열시킬 수 있다. As mentioned above, the semiconductor device 1a which concerns on this embodiment can improve heat dissipation efficiency by the structure which charges the filler 8 between the circuit formation area 2a and the heat sink 9. Moreover, if the back surface 2b of the circuit formation area | region 2a in the semiconductor element 2 is opened, it can radiate | circulate in air from the back surface 2b. When the heat sink or the heat dissipation sheet is brought into contact with the back surface 2b of the semiconductor element 2, the heat dissipation can be achieved more efficiently.

도 1b는, 본 실시 형태에 관한 반도체 장치의 일변형예의 구성을 나타낸 단면도이다. 반도체 장치(1b)는, 배선 기판(4)으로부터 방열체(9)에 이르는 도전 나사(11)가 설치된 이외는, 반도체 장치(1a)와 같고, 동일한 구성요소에 대해서는, 동일한 부호를 부여하여 설명을 생략한다. 반도체 소자(2)의 접지용 돌기 전극(3a)에 접속된 도체 배선(6)은, 도전 나사(11)에 의해, 방열체(9)에 접속되어 있 다. 이와 같이, 접지용의 도체 배선(6)이 방열체(9)에 접속되고, 접지를 충분히 취하는 것이 가능하기 때문에, 노이즈 및 EMI가 저감함과 동시에, 반도체 소자(2)에서 발생한 열은, 도체 배선(6)으로부터 도전 나사(11)를 통하여 방열체(9)에 전달된다.1B is a cross-sectional view showing the configuration of one modification of the semiconductor device according to the present embodiment. The semiconductor device 1b is the same as the semiconductor device 1a except that the conductive screw 11 extending from the wiring board 4 to the heat sink 9 is provided, and the same components are designated by the same reference numerals. Omit. The conductor wiring 6 connected to the grounding protruding electrode 3a of the semiconductor element 2 is connected to the heat sink 9 by the conductive screw 11. Thus, since the conductor wiring 6 for grounding is connected to the heat sink 9, and sufficient grounding can be taken, while noise and EMI are reduced, heat generated by the semiconductor element 2 It is transmitted from the wiring 6 to the heat sink 9 through the conductive screw 11.

도 2는, 반도체 장치(1a)의 실장 구조를 나타낸 단면도이다. 예를 들면, 액정 디스플레이 등의 유리 패널(12)에는, 섀시(13)가 배치되어 있다. 반도체 장치(1a)는, 회로 형성 영역(2a)이 유리 패널(12)에 대향하도록 배치되어 있다. 방열체(9)는, 유리 패널(12)의 섀시(13)와 접촉하고, 반도체 소자(2)로부터의 열은 섀시(13)에 전달된다. 도체 배선(6)은, 유리 패널(12)에 접속되어 있다.2 is a cross-sectional view showing the mounting structure of the semiconductor device 1a. For example, the chassis 13 is disposed in glass panels 12 such as liquid crystal displays. The semiconductor device 1a is arrange | positioned so that the circuit formation area | region 2a may face the glass panel 12. As shown in FIG. The heat sink 9 is in contact with the chassis 13 of the glass panel 12, and heat from the semiconductor element 2 is transferred to the chassis 13. The conductor wiring 6 is connected to the glass panel 12.

다음으로, 본 실시 형태에 관한 반도체 장치(1b)의 제조 방법에 대해서, 도 1b 및 도 3a~도 3e를 참조하면서 설명한다. 도 3a~도 3e는, 반도체 장치(1b)의 제조 공정을 나타낸 단면도이다.Next, the manufacturing method of the semiconductor device 1b which concerns on this embodiment is demonstrated, referring FIG. 1B and FIG. 3A-FIG. 3E. 3A to 3E are sectional views showing the manufacturing process of the semiconductor device 1b.

우선, 도 3a에 나타낸 바와 같이, 본딩 스테이지(14) 상에, 반도체 소자(2)를 탑재한다. 그리고 도체 배선(6)이 형성되고, 개구부(5a)를 갖는 배선 기판(4)을, 반도체 소자(2)의 상방에 배치하고, 반도체 소자(2)의 돌기 전극(3a)과 개구부(5a)에 위치하는 도체 배선(6)을 위치 맞춤한다.First, as shown in FIG. 3A, the semiconductor element 2 is mounted on the bonding stage 14. And the conductor wiring 6 is formed, the wiring board 4 which has the opening part 5a is arrange | positioned above the semiconductor element 2, and the protrusion electrode 3a and the opening part 5a of the semiconductor element 2 are carried out. Position the conductor wiring 6 located at.

다음에, 도 3b에 나타낸 바와 같이, 본딩 툴(15)을 도체 배선(6) 상에 배치하고, 돌기 전극(3a)과 도체 배선(6)을 접촉시키고, 본딩 툴(15)과 돌기 전극(3a) 사이에 도체 배선(6)을 끼워 넣는다. 다음으로, 돌기 전극(3a)과 도체 배선(6) 사이에, 열, 하중 또는 초음파 진동을 준다. 이로 인해, 돌기 전극(3a)의 표면의 Au 와 도체 배선(6)의 표면의 Sn 혹은 Au가, 공정 또는 금속 결합에 의해 접합된다. 또한, 본딩 스테이지(14) 및 본딩 툴(15)은, 강재 혹은 세라믹재로 형성되어 있다.3B, the bonding tool 15 is arrange | positioned on the conductor wiring 6, the projection electrode 3a and the conductor wiring 6 are contacted, and the bonding tool 15 and the projection electrode ( The conductor wiring 6 is sandwiched between 3a). Next, heat, load or ultrasonic vibration are applied between the protruding electrode 3a and the conductor wiring 6. For this reason, Au of the surface of the projection electrode 3a and Sn or Au of the surface of the conductor wiring 6 are joined by a process or a metal bond. In addition, the bonding stage 14 and the bonding tool 15 are formed with steel materials or a ceramic material.

다음에, 도 3c에 나타낸 바와 같이, 반도체 소자(2) 상에 밀봉 수지(7)를 적하하여, 도체 배선(6)과 돌기 전극(3a)과의 접속 부분, 및 그 주변을 덮고, 반도체 소자(2)의 회로 형성 영역(2a)은 노출시킨다. 이 상태로, 밀봉 수지(7)에 열처리를 실시하고, 경화시킨다.Next, as shown in FIG. 3C, the sealing resin 7 is dripped on the semiconductor element 2, covering the connection part of the conductor wiring 6 and the protrusion electrode 3a, and the periphery thereof, The circuit formation area 2a of (2) is exposed. In this state, the sealing resin 7 is heat-treated and hardened.

다음으로, 도 3d에 나타낸 바와 같이, 반도체 소자(2)의 노출된 회로 형성 영역(2a)에 충전재(8)를 도포한다. 그 후, 도 3e에 나타낸 바와 같이, 양면 테이프(10)를 이용하여, 배선 기판(4)의 도체 배선(6)의 부설된 면에 방열체(9)를 붙임으로써, 방열체(9)와 충전재(8)를 밀착시킨다.Next, as shown in FIG. 3D, the filler 8 is applied to the exposed circuit formation region 2a of the semiconductor element 2. Thereafter, as shown in FIG. 3E, by using the double-sided tape 10, the heat sink 9 is attached to the laid surface of the conductor wiring 6 of the wiring board 4, thereby radiating the heat sink 9 and the heat sink 9. The filler 8 is brought into close contact.

마지막으로, 도 1b에 나타낸 바와 같이, 도전 나사(11)로 배선 기판(4)과 방열체(9)를 체결 고정함으로써, 반도체 장치(1b)가 제조된다.Finally, as shown in FIG. 1B, the semiconductor device 1b is manufactured by fastening and fixing the wiring board 4 and the heat sink 9 with the conductive screws 11.

이상과 같이, 본 실시 형태에 관한 반도체 장치(1a, 1b)는, 발열원인 반도체 소자(2)의 회로 형성 영역(2a)과 방열용의 방열체(9)가 충전재(8)에 의해 결합되어 있기 때문에, 방열 효율이 향상된다. 또, 반도체 장치(1b)의 경우는, 접지용의 도체 배선(6)과 방열체(9)를 도전 나사(11)로 접속함으로써, 노이즈, EMI를 저감시키고, 또 방열 효과도 향상시킬 수 있다.As described above, in the semiconductor devices 1a and 1b according to the present embodiment, the circuit forming region 2a of the semiconductor element 2 as a heat generating source and the heat dissipating body 9 for heat dissipation are joined by the filler 8. As a result, heat dissipation efficiency is improved. In the case of the semiconductor device 1b, by connecting the conductive wiring 6 and the heat sink 9 for grounding with the conductive screw 11, noise and EMI can be reduced, and the heat dissipation effect can also be improved. .

(실시 형태 2)(Embodiment 2)

도 4는, 본 발명의 실시 형태 2에 관한 반도체 장치(1c)의 구성을 나타낸 단면도이다. 이 반도체 장치(1c)는, 반도체 소자(2)의 회로 형성 영역(2a)을, 배선 기판(4)의 도체 배선(6)이 형성되어 있는 측의 면에 대면시킨 페이스다운 구조를 갖는다. 즉, 배선 기판(4)에 대하여, 방열체(9)와는 반대측에 도체 배선(6)이 배치되어 있는 점에서, 실시 형태 1의 반도체 장치(1a)와 상이하다. 배선 기판(4)에 있어서의 도체 배선(6)이 형성된 면의 이면에, 양면 테이프(10)에 의해 방열체(9)가 붙여져 있다. 다른 구성은, 실시 형태 1의 반도체 장치(1a)와 같고, 동일한 구성요소에는, 동일한 부호를 부여하고, 설명을 간략화한다.4 is a cross-sectional view showing the configuration of a semiconductor device 1c according to the second embodiment of the present invention. This semiconductor device 1c has a face-down structure in which the circuit formation region 2a of the semiconductor element 2 is faced to the surface on the side where the conductor wiring 6 of the wiring board 4 is formed. That is, the conductor wiring 6 is arrange | positioned with respect to the wiring board 4 on the opposite side to the heat sink 9, and is different from the semiconductor device 1a of Embodiment 1. FIG. The heat radiation body 9 is attached to the back surface of the surface in which the conductor wiring 6 in the wiring board 4 was formed by the double-sided tape 10. The other structure is the same as that of the semiconductor device 1a of Embodiment 1, the same code | symbol is attached | subjected to the same component, and description is simplified.

상기와 같은 구성으로 하면, 반도체 소자(2)의 회로 형성 영역(2a)에서 발생한 열은, 열전도율이 높은 충전재(8)에 전해지고, 또한 방열체(9)로 전해진다. 충전재(8)는, 밀봉 수지(7)보다 열전도율이 높기 때문에, 회로 형성 영역(2a)에서 발생한 열을 효율적으로 방열체(9)에 전할 수 있다. 방열체(9)에 전해진 열은, 방열체(9) 전체로부터 공기 중에 방출된다.With the above configuration, heat generated in the circuit formation region 2a of the semiconductor element 2 is transmitted to the filler 8 having high thermal conductivity and also to the heat sink 9. Since the filler 8 has a higher thermal conductivity than the sealing resin 7, the heat generated in the circuit formation region 2a can be efficiently transmitted to the heat sink 9. Heat transmitted to the heat sink 9 is released into the air from the entire heat sink 9.

반도체 소자(2)에서 발생한 열은 또, 돌기 전극(3a)을 통하여, 도체 배선(6)에 전해지고, 도체 배선(6)으로부터 공기 중에 방출되므로, 방열 효율을 향상시킬 수 있다.Heat generated in the semiconductor element 2 is further transmitted to the conductor wiring 6 via the protruding electrode 3a and released into the air from the conductor wiring 6, so that the heat radiation efficiency can be improved.

또, 반도체 소자(2)에 있어서의 회로 형성 영역(2a)의 이면(2b)을 개방해 두면, 이면(2b)으로부터도 공기 중에 방열시킬 수 있다. 또한, 반도체 소자(2)의 이면(2b)에 방열체, 방열 시트, 혹은, 케이스 등을 접촉시키면, 더 효율적으로 방열시킬 수 있다.Moreover, if the back surface 2b of the circuit formation area 2a in the semiconductor element 2 is opened, it can also radiate heat in air from the back surface 2b. In addition, when the heat sink, the heat dissipation sheet, the case, or the like is brought into contact with the back surface 2b of the semiconductor element 2, the heat dissipation can be more efficiently performed.

도 5는, 상기 구성의 반도체 장치(1c)의 실장 구조를 나타낸 단면도이다. 도 5에 있어서, 도 2에 나타낸 반도체 장치(1a)의 실장 구조와 동일한 구성요소에 대해서는, 동일한 부호를 부여하여, 설명을 간략화한다. 반도체 소자(2)의 회로 형성 영역(2a)은, 유리 패널(12)에 대면하는 측과 반대측에 향하도록 배치되어 있다. 섀시(13)에는, 볼록부(12a)가 설치되고, 볼록부(12a)는, 방열체(9)에 접촉하여, 방열 효율을 높이고 있다.5 is a cross-sectional view illustrating a mounting structure of the semiconductor device 1c having the above configuration. In FIG. 5, the same code | symbol is attached | subjected about the component same as the mounting structure of the semiconductor device 1a shown in FIG. 2, and description is simplified. The circuit formation area 2a of the semiconductor element 2 is arrange | positioned so that it may face to the opposite side to the side which faces the glass panel 12. As shown in FIG. The convex part 12a is provided in the chassis 13, and the convex part 12a is in contact with the heat sink 9, and the heat dissipation efficiency is improved.

이상과 같이, 본 실시 형태에 관한 반도체 장치(1c)에서는, 발열원인 반도체 소자(2)의 회로 형성 영역(2a)과 방열용의 방열체(9)가 충전재(8)을 통하여 열적으로 결합되어 있기 때문에, 방열 효율이 향상된다.As mentioned above, in the semiconductor device 1c which concerns on this embodiment, the circuit formation area | region 2a of the semiconductor element 2 which is a heat generating source, and the heat radiator 9 for heat dissipation are thermally couple | bonded through the filler 8, As a result, heat dissipation efficiency is improved.

또, 반도체 장치(1c)의 접지용 돌기 전극(3a)에 접속된 도체 배선(6)과 방열체(9)를, 도전 나사로 접속하는 구성으로 할 수도 있다. 그로 인해, 접지를 충분히 취하는 것이 가능하기 때문에, 노이즈, EMI를 저감시킬 수 있다.Moreover, the conductor wiring 6 connected to the grounding protruding electrode 3a of the semiconductor device 1c, and the heat sink 9 can also be set as the structure which connects with a conductive screw. Therefore, since it is possible to take sufficient ground, noise and EMI can be reduced.

또, 본 실시 형태의 반도체 장치(1c)의 구성은, TAB(Tape Automated Bonding) 이외의, COF(Chip On Film) 및 BOF(Bump On Film)에 적용되어도, 같은 효과를 얻을 수 있다.In addition, even if the structure of the semiconductor device 1c of this embodiment is applied to COF (Chip On Film) and BOF (Bump On Film) other than TAB (Tape Automated Bonding), the same effect can be acquired.

도 6은, 실시 형태 2에 관한 구성이 COF에 적용된 반도체 장치(1d)를 나타낸 단면도이다. 도 7은, 동반도체 장치(1d)의 실장 구조를 나타낸 단면도이다. 이 구성에 있어서, 도 4에 나타낸 반도체 장치(1c) 및 도 5에 나타낸 실장 구조와 동일한 구성요소에는, 동일한 부호를 부여하고, 설명을 간략화한다.6 is a cross-sectional view showing the semiconductor device 1d to which the configuration according to the second embodiment is applied to COF. 7 is a cross-sectional view showing the mounting structure of the companion conductor device 1d. In this structure, the same code | symbol is attached | subjected to the component same as the semiconductor device 1c shown in FIG. 4, and the mounting structure shown in FIG. 5, and description is simplified.

이 구성에 있어서의 COF용 배선 기판(16)에서는, 절연 기판(17)에, TAB용의 배선 기판(4)의 개구부(5a)와 같은 개구부(17a)가 설치되어 있다. 절연 기판(17) 상에 설치된 도체 배선(18)은, 개구부(17a) 내에 연장되어 있지 않다. 개구 부(17a)는, 반도체 소자(2)의 회로 형성 영역(2a)과 대향하는 부분에 설치되어 있다. 이 개구부(17a)에 충전재(8)를 충전하고 방열체(9)와 결합시킨 방열 경로를 형성하여, 방열성을 향상시킨다. 또한, 방열성을 충분히 얻기 위하여는, 개구부(17a)의 크기를, 회로 형성 영역(2a)과 동등 또는 그 이상의 면적으로 하는 것이 바람직하다.In the COF wiring board 16 in this configuration, the opening 17a is provided in the insulating board 17, such as the opening 5a of the wiring board 4 for TAB. The conductor wiring 18 provided on the insulated substrate 17 does not extend in the opening 17a. The opening part 17a is provided in the part which opposes the circuit formation area 2a of the semiconductor element 2. The heat dissipation path which filled the filler material 8 in this opening part 17a and couple | bonded with the heat sink 9 is formed, and improves heat dissipation. In addition, in order to obtain sufficient heat dissipation, it is preferable to make the size of the opening part 17a the same or more area as the circuit formation area 2a.

또, 도 8은, 실시 형태 2에 관한 구성이 BOF에 적용된 반도체 장치(1e)를 나타낸 단면도이다. 도 9는, 동반도체 장치(1e)의 실장 구조를 나타낸 단면도이다. 이 구성에 있어서, 도 4에 나타낸 반도체 장치(1c) 및 도 5에 나타낸 실장 구조와 동일한 구성요소에는, 동일한 부호를 부여하여, 설명을 간략화한다.8 is sectional drawing which showed the semiconductor device 1e to which the structure concerning Embodiment 2 was applied to BOF. 9 is a cross-sectional view showing the mounting structure of the companion conductor device 1e. In this structure, the same code | symbol is attached | subjected to the component same as the semiconductor device 1c shown in FIG. 4, and the mounting structure shown in FIG. 5, and description is simplified.

이 구성에 있어서의 BOF용의 배선 기판(19)에서는, 절연 기판(20)에, TAB용 배선 기판(4)의 개구부(5a)와 같은 개구부(20a)가 설치되어 있다. 절연 기판(20) 상에 설치된 도체 배선(21)은, 개구부(20a) 내에 연장되어 있지 않다. 또, 도체 배선(21)에 돌기 전극(21a)이 설치되어 있다. 개구부(20a)는, 반도체 소자(2)의 회로 형성 영역(2a)과 대향하는 부분에 설치되어 있다. 이 개구부(20a)에 충전재(8)를 충전하고 방열체(9)와 결합시킨 방열 경로를 형성하여, 방열성을 향상시킨다. 또한, 방열성을 충분히 얻기 위하여는, 개구부(20a)의 크기를, 회로 형성 영역(2a)과 동등 또는 그 이상의 면적으로 하는 것이 바람직하다.In the wiring board 19 for BOF in this structure, the opening 20a like the opening 5a of the wiring board 4 for TAB is provided in the insulating board 20. The conductor wiring 21 provided on the insulated substrate 20 does not extend in the opening part 20a. In addition, the protruding electrode 21a is provided on the conductor wiring 21. The opening part 20a is provided in the part facing the circuit formation area 2a of the semiconductor element 2. The heat dissipation path which fills the opening part 20a with the filler 8 and couple | bonded with the heat sink 9 is formed, and improves heat dissipation. In addition, in order to obtain sufficient heat dissipation, it is preferable that the size of the opening part 20a be equal to or larger than the circuit formation area 2a.

이상과 같이, COF 및 BOF에 있어서도, 발열원인 반도체 소자(2)의 회로 형성 영역(2a)과 방열용의 방열체(9)가, 열전도율이 높은 충전재(8)를 통하여 열적으로 결합되어 있기 때문에, 방열 효율을 향상시킬 수 있다.As mentioned above, also in COF and BOF, since the circuit formation area | region 2a of the semiconductor element 2 which is a heat generating source, and the heat radiator 9 for heat dissipation are thermally couple | bonded through the filler 8 with high thermal conductivity. The heat dissipation efficiency can be improved.

(실시 형태 3) (Embodiment 3)

도 10은, 본 발명의 실시 형태 3에 관한 반도체 장치(1f)의 구성을 나타낸 단면도이다. 이 반도체 장치(1f)는, 반도체 소자(2)의 회로 형성 영역(2a)을, 배선 기판(4)의 도체 배선(6)이 형성되어 있지 않은 면에 대면시킨 페이스업 구조를 갖는다. 이 반도체 장치(1d)는, 배선 기판(4)의 도체 배선(6)이 형성된 면의 이면에, 양면 테이프에 의해 방열체를 붙이지 않는 점에서, 실시 형태 1의 반도체 장치(1a)와 상이하다. 다른 구성은, 실시 형태 1의 반도체 장치(1a)와 같고, 동일한 구성요소에는, 동일한 부호를 부여하여, 설명을 간략화한다.10 is a cross-sectional view showing the configuration of a semiconductor device 1f according to the third embodiment of the present invention. This semiconductor device 1f has a face up structure in which the circuit formation region 2a of the semiconductor element 2 is faced to a surface on which the conductor wiring 6 of the wiring board 4 is not formed. This semiconductor device 1d differs from the semiconductor device 1a of the first embodiment in that the double-sided tape does not attach the heat sink to the back surface of the surface on which the conductor wiring 6 of the wiring board 4 is formed. . The other structure is the same as that of the semiconductor device 1a of Embodiment 1, and the same code | symbol is attached | subjected to the same component, and description is simplified.

반도체 소자(2)는, 배선 기판(4)의 개구부(5a) 내에 배치되고, 돌기 전극(3a)과 도체 배선(6)이 전기적으로 접속되어 있다. 도체 배선(6)과 돌기 전극(3a)과의 접속 부분, 및 그 주변은, 전기적 안정을 유지하기 위해, 에폭시계 수지 등의 절연성의 밀봉 수지(7)에 의해 덮여 있다. 또, 배선 기판(4)의 한쪽의 면에는, 도체 배선(6)의 인회 배선을 덮는, 예를 들면 폴리이미드나 에폭시 등으로 이루어진 유기 절연 재료(25)가 설치되어 있다. 그리고, 반도체 소자(2)의 회로 형성 영역(2a)이 노출된 상태로, 반도체 장치(1f)가 구성되어 있다.The semiconductor element 2 is arrange | positioned in the opening part 5a of the wiring board 4, and the protrusion electrode 3a and the conductor wiring 6 are electrically connected. The connecting portion between the conductor wiring 6 and the protruding electrode 3a and the periphery thereof are covered with insulating sealing resin 7 such as an epoxy resin in order to maintain electrical stability. In addition, an organic insulating material 25 made of, for example, polyimide, epoxy, or the like is provided on one surface of the wiring board 4 to cover the draw wire of the conductor wiring 6. The semiconductor device 1f is configured in a state where the circuit formation region 2a of the semiconductor element 2 is exposed.

도 11은, 반도체 장치(1f)의 실장 구조를 나타낸 단면도이다. 유리 패널(12)에는, 섀시(22)가 배치되어 있다. 반도체 장치(1f)는, 회로 형성 영역(2a)이 유리 패널(12)에 대면하도록 배치되어 있다. 회로 형성 영역(2a)에는, 열전도율이 높은 충전재(8)가 도포되어 있다. 그리고, 이 충전재(8)가 섀시(22)의 볼록부(22a)와 접촉하도록, 배선 기판(4)이 유리 패널(12)에 설치되어 있다. 그로 인 해, 반도체 소자(2)로부터의 열을, 실시 형태 1의 반도체 장치(1a)에 설치된 바와 같은 방열체(9)를 개입시키는 일 없이, 직접 섀시(22)에 전달할 수 있다. 그로 인해, 코스트 다운을 도모할 수 있다.11 is a cross-sectional view illustrating a mounting structure of the semiconductor device 1f. The chassis 22 is disposed in the glass panel 12. The semiconductor device 1f is disposed so that the circuit formation region 2a faces the glass panel 12. The filler 8 with high thermal conductivity is applied to the circuit formation region 2a. And the wiring board 4 is provided in the glass panel 12 so that this filler 8 may contact with the convex part 22a of the chassis 22. As shown in FIG. Therefore, heat from the semiconductor element 2 can be directly transmitted to the chassis 22 without interfering with the heat sink 9 provided in the semiconductor device 1a of the first embodiment. Therefore, cost down can be aimed at.

또, 반도체 소자(2)의 이면(2b)에, 방열체(9), 방열 시트, 혹은 케이스 등을 접촉시키면, 더 효율적으로 방열시킬 수 있다.In addition, when the heat sink 9, the heat radiation sheet, the case, or the like is brought into contact with the back surface 2b of the semiconductor element 2, the heat radiation can be more efficiently performed.

도 10의 반도체 장치(1f)의 구성을, 도 12에 나타낸 반도체 장치(1g)와 같이 변형시킬 수도 있다. 즉, 반도체 장치(1g)의 반도체 소자(2)의 회로 형성 영역(2a)에는, 미리 열전도율이 높은 충전재(8) 등을 충전해 둔다. 이 경우, 회로 형성 영역(2a)의 충전재(8)를, 섀시(22)에 확실히 접촉시킬 필요가 있다. 그 때문에, (도체 배선(6)의 상면으로부터 밀봉 수지(7)의 상면까지의 높이)：h1에 대해서, (도체 배선(6)의 상면으로부터 충전재(8)의 상면까지의 높이)：h2의 관계가, h1≤h2가 되도록 충전재(8)을 충전한다.The structure of the semiconductor device 1f in FIG. 10 may be modified as in the semiconductor device 1g shown in FIG. 12. That is, the filler 8 etc. with high thermal conductivity are previously filled in the circuit formation area 2a of the semiconductor element 2 of the semiconductor device 1g. In this case, it is necessary to make the filler 8 of the circuit formation area 2a contact the chassis 22 reliably. Therefore, (height from the upper surface of the conductor wiring 6 to the upper surface of the sealing resin 7): About h1 (height from the upper surface of the conductor wiring 6 to the upper surface of the filler 8): of h2 The filler 8 is charged such that the relationship is h1 ≦ h2.

(실시 형태 4)(Embodiment 4)

도 13은, 본 발명의 실시 형태 4에 관한 반도체 장치(1h)의 구성을 나타낸 단면도이다. 이 반도체 장치(1h)는, 반도체 소자(2)의 회로 형성 영역(2a)을, 배선 기판(4)의 도체 배선(6)이 형성되어 있는 면에 대면시킨 페이스다운 구조를 갖는다. 또, 이 반도체 장치(1h)는, 배선 기판(4)의 도체 배선(6)이 형성된 이면에, 양면 테이프에 의해 방열체를 붙이지 않는 점에서, 실시 형태 2의 반도체 장치(1c)와 상이하다. 다른 구성은, 실시 형태 2의 반도체 장치(1c)와 같으며, 동일한 구성요소에는, 동일한 부호를 부여하여, 설명을 간략화한다.13 is a cross-sectional view showing the configuration of a semiconductor device 1h according to the fourth embodiment of the present invention. This semiconductor device 1h has a face-down structure in which the circuit formation region 2a of the semiconductor element 2 faces the surface on which the conductor wiring 6 of the wiring board 4 is formed. Moreover, this semiconductor device 1h differs from the semiconductor device 1c of Embodiment 2 by the point which does not attach a heat radiator with the double-sided tape to the back surface in which the conductor wiring 6 of the wiring board 4 was formed. . The other structure is the same as that of the semiconductor device 1c of Embodiment 2, and the same code | symbol is attached | subjected to the same component, and description is simplified.

반도체 소자(2)는, 배선 기판(4)의 개구부(5a)에 배치되고, 돌기 전극(3a)과 도체 배선(6)이 전기적으로 접속되어 있다. 도체 배선(6)과 돌기 전극(3a)과의 접속 부분 및 그 주변은, 전기적 안정을 유지하기 위하여, 에폭시계 수지 등의 절연성의 밀봉 수지(7)에 의해 덮여 있다. 또, 배선 기판(4)의 한쪽 면에는, 도체 배선(6)의 인회 배선을 덮는, 예를 들면 폴리이미드나 에폭시 등으로 이루어진 유기 절연 재료(25)가 설치되어 있다. 그리고, 반도체 소자(2)의 회로 형성 영역(2a)이 노출된 상태로, 반도체 장치(1h)가 구성되어 있다.The semiconductor element 2 is arrange | positioned at the opening part 5a of the wiring board 4, and the protrusion electrode 3a and the conductor wiring 6 are electrically connected. The connecting portion between the conductor wiring 6 and the protruding electrode 3a and the periphery thereof are covered with insulating sealing resin 7 such as an epoxy resin in order to maintain electrical stability. Moreover, the organic insulating material 25 which consists of polyimide, an epoxy, etc. which covers the drawing wiring of the conductor wiring 6 is provided in one surface of the wiring board 4. And the semiconductor device 1h is comprised in the state which the circuit formation area 2a of the semiconductor element 2 was exposed.

도 14는, 반도체 장치(1h)의 실장 구조를 나타낸 단면도이다. 반도체 장치(1h)는, 회로 형성 영역(2a)이 유리 패널(12)에 대면하지 않는 측을 향하도록 배치되어 있다. 회로 형성 영역(2a)에는, 열전도율이 높은 충전재(8) 등이 도포되어 있다. 이 위에 방열용의 방열체(9)가, 충전재(8)와 접촉한 상태로 섀시(13)에, 양면 테이프(10) 및 나사(23)에 의해 고정되어 방열 효율을 높이고 있다.14 is a cross-sectional view illustrating a mounting structure of the semiconductor device 1h. The semiconductor device 1h is arrange | positioned so that the circuit formation area 2a may face the side which does not face the glass panel 12. As shown in FIG. The filler 8 etc. with high thermal conductivity are apply | coated to the circuit formation area 2a. The heat radiator 9 for heat dissipation is fixed to the chassis 13 by the double-sided tape 10 and the screw 23 in the state which contacted the filler 8, and the heat dissipation efficiency is improved.

도 15a에 나타낸 바와 같이, 이 방열체(9)를 대형화하고, 복수의 반도체 장치(1h)를 정리하여 접촉시키는 구성으로 함으로써, 코스트 다운을 도모하는 것이 가능해진다. 도 15b는, 도 15a의 2점 쇄선으로 둘러싸인 영역(X)의 구조를 확대하여 나타낸 도면이며, 도 14의 구조에 대응한다.As shown in FIG. 15A, cost reduction can be achieved by increasing the size of the heat sink 9 and arranging the plurality of semiconductor devices 1h to be in contact with each other. FIG. 15B is an enlarged view of the structure of the region X surrounded by the dashed-dotted line in FIG. 15A, and corresponds to the structure of FIG. 14.

또, 반도체 소자(2)의 이면(2b)을, 방열 시트(24)를 통하여 섀시(13)에 접촉시키면, 더 효율적으로 방열시킬 수 있다. In addition, when the back surface 2b of the semiconductor element 2 is brought into contact with the chassis 13 via the heat dissipation sheet 24, heat dissipation can be more efficiently performed.

도 16은, 실시 형태 4에 관한 구성이 COF에 적용된 반도체 장치(1i)의 구성을 나타낸 단면도이다. 도 17은, 동반도체 장치(1i)의 실장 구조를 나타낸 단면도 이다. 이 구성에 있어서, 도 6에 나타낸 반도체 장치(1d) 및 도 7에 나타낸 실장 구조와 동일한 구성요소에는, 동일한 부호를 부여하여, 설명을 생략한다.FIG. 16 is a cross-sectional view showing the configuration of the semiconductor device 1i to which the configuration according to the fourth embodiment is applied to COF. 17 is a cross-sectional view showing a mounting structure of the companion conductor device 1i. In this structure, the same code | symbol is attached | subjected to the component same as the semiconductor device 1d shown in FIG. 6 and the mounting structure shown in FIG. 7, and description is abbreviate | omitted.

또, 도 18은, 실시 형태 4에 관한 구성이 BOF에 적용된 반도체 장치(1j)의 구성을 나타낸 단면도이다. 도 19는, 동반도체 장치(1j)의 실장 구조를 나타낸 단면도이다. 이 구성에 있어서, 도 8에 나타낸 반도체 장치(1e) 및 도 9에 나타낸 실장 구조와 동일한 구성요소에는, 동일한 부호를 부여하여, 설명을 생략한다.18 is a cross-sectional view showing the configuration of the semiconductor device 1j to which the configuration according to the fourth embodiment is applied to the BOF. 19 is a cross-sectional view showing the mounting structure of the companion conductor device 1j. In this structure, the same code | symbol is attached | subjected to the component same as the semiconductor device 1e shown in FIG. 8 and the mounting structure shown in FIG. 9, and description is abbreviate | omitted.

이상과 같이, COF 및 BOF에 있어서도, 발열원인 반도체 소자(2)의 회로 형성 영역(2a)과 방열용의 방열체(9)가, 열전도율의 높은 충전재(8)를 통하여 열적으로 결합되어 있기 때문에, 방열 효율을 향상시킬 수 있다.As mentioned above, also in COF and BOF, since the circuit formation area | region 2a of the semiconductor element 2 which is a heat generating source, and the heat radiator 9 for heat dissipation are thermally couple | bonded through the filler 8 with high thermal conductivity. The heat dissipation efficiency can be improved.

또, COF 및 BOF에 있어서도, 충전재(8)를 섀시(13)와 접촉시키고, 반도체 소자(2)로부터의 열을, 실시 형태 1의 반도체 장치(1a)에 설치된 방열체(9)를 통하는 일 없이, 직접 섀시(13)에 전할 수 있기 때문에, 코스트 다운을 도모할 수 있다.Moreover, also in COF and BOF, the filler 8 is made to contact the chassis 13, and the heat from the semiconductor element 2 passes through the heat sink 9 provided in the semiconductor device 1a of Embodiment 1 Since it can be transmitted directly to the chassis 13 without cost, the cost can be reduced.

이상의 실시 형태 1~4는, 세트측의 반도체 장치의 설치 구조에 맞춰, 어느 하나를 선택할 수 있으며, 본 발명은 범용성이 높다.In the above embodiments 1 to 4, any one can be selected in accordance with the mounting structure of the semiconductor device on the set side, and the present invention has high versatility.

또, 실시 형태 1~4에 있어서는, 열전달을 위한 재료는 상술과 같은 충전재(8)로 한정되지 않고, 밀봉 수지보다 열전도율이 높고, 점성이 있으며, 방열체(9)와 밀착 가능한 재료이면, 충전재(8) 대신에 이용할 수 있다.In addition, in Embodiments 1-4, the material for heat transfer is not limited to the filler 8 mentioned above, and if it is a material which is higher in heat conductivity than viscous resin, it is viscous, and is close to the heat sink 9, a filler (8) It can be used instead.

또, 방열체(9)와, 배선 기판(4) 혹은 도체 배선(6)의 접착에는, 양면 테이프(10)로 한정되는 일 없이, 방열체(9)와, 배선 기판(4) 혹은 도체 배선(6)을 접착하는 것이면, 양면 테이프(10) 대신에 다른 요소를 이용할 수 있다.Moreover, not only the double-sided tape 10 but the heat sink 9, the wiring board 4, or the conductor wiring 6 adhere | attached the heat sink 9, the wiring board 4, or the conductor wiring. In the case of adhering (6), other elements may be used instead of the double-sided tape 10.

도 1a는 본 발명의 실시 형태 1에 관한 반도체 장치의 구성을 나타낸 단면도.1A is a cross-sectional view showing a configuration of a semiconductor device according to Embodiment 1 of the present invention.

도 1b는 동 실시 형태에 관한 반도체 장치의 다른 구성을 나타낸 단면도.1B is a cross-sectional view showing another configuration of the semiconductor device according to the embodiment.

도 2는 도 1a의 반도체 장치의 실장 구조를 나타낸 단면도.FIG. 2 is a cross-sectional view illustrating a mounting structure of the semiconductor device of FIG. 1A. FIG.

도 3a는 본 발명의 실시 형태 1에 관한 반도체 장치의 제조 공정을 나타낸 단면도.3A is a cross-sectional view illustrating the process of manufacturing the semiconductor device according to the first embodiment of the present invention.

도 3b는 도 3a의 다음의 공정을 나타낸 평면도.3B is a plan view showing a process following FIG. 3A.

도 3c는 도 3b의 다음의 공정을 나타낸 평면도.3C is a plan view showing a process following FIG. 3B.

도 3d는 도 3c의 다음의 공정을 나타낸 평면도.3D is a plan view showing a process following FIG. 3C.

도 3e는 도 3d의 다음의 공정을 나타낸 평면도.3E is a plan view showing a process following FIG. 3D.

도 4는 본 발명의 실시 형태 2에 관한 반도체 장치의 구성을 나타낸 단면도.4 is a cross-sectional view showing a structure of a semiconductor device according to Embodiment 2 of the present invention.

도 5는 동반도체 장치의 실장 구조를 나타낸 단면도.5 is a cross-sectional view showing a mounting structure of a companion conductor device.

도 6은 실시 형태 2에 관한 반도체 장치의 구성이 COF에 적용된 반도체 장치를 나타낸 단면도.6 is a sectional view of a semiconductor device to which a configuration of a semiconductor device according to Embodiment 2 is applied to COF;

도 7은 동반도체 장치의 실장 구조를 나타낸 단면도.7 is a cross-sectional view showing a mounting structure of a companion conductor device.

도 8은 실시 형태 2에 관한 반도체 장치의 구성이 BOF에 적용된 반도체 장치를 나타낸 단면도.8 is a cross-sectional view showing a semiconductor device to which a configuration of a semiconductor device according to Embodiment 2 is applied to a BOF.

도 9는 동반도체 장치의 실장 구조를 나타낸 단면도.9 is a sectional view showing a mounting structure of a companion conductor device;

도 10은 본 발명의 실시 형태 3에 관한 반도체 장치의 구성을 나타낸 단면도.Fig. 10 is a sectional view showing the structure of a semiconductor device according to Embodiment 3 of the present invention.

도 11은 동반도체 장치의 실장 구조를 나타낸 단면도.11 is a cross-sectional view showing a mounting structure of a companion conductor device.

도 12는 동반도체 장치에 충전재를 충전한 구성을 나타낸 단면도.12 is a cross-sectional view showing a configuration in which a filler is filled in the companion conductor device.

도 13은 본 발명의 실시 형태 4에 관한 반도체 장치의 구성을 나타낸 단면도.Fig. 13 is a sectional view showing the structure of a semiconductor device according to Embodiment 4 of the present invention.

도 14는 동반도체 장치의 실장 구조를 나타낸 단면도.14 is a cross-sectional view showing a mounting structure of a companion conductor device.

도 15a는 동반도체 장치의 실장 구조의 변형예를 나타낸 사시도.15A is a perspective view illustrating a modification of the mounting structure of the companion conductor device.

도 15b는 도 15a의 일부를 확대하여 나타낸 사시도.FIG. 15B is an enlarged perspective view of a portion of FIG. 15A; FIG.

도 16은 실시 형태 4에 관한 반도체 장치의 구성이 COF에 적용된 반도체 장치의 구성을 나타낸 단면도.16 is a cross-sectional view illustrating a configuration of a semiconductor device to which a configuration of a semiconductor device according to Embodiment 4 is applied to COF.

도 17은 동반도체 장치의 실장 구조를 나타낸 단면도.17 is a cross-sectional view showing a mounting structure of a companion conductor device.

도 18은 실시 형태 4에 관한 반도체 장치의 구성이 BOF에 적용된 반도체 장치의 구성을 나타낸 단면도.18 is a cross-sectional view showing a configuration of a semiconductor device to which a configuration of a semiconductor device according to Embodiment 4 is applied to a BOF.

도 19는 동반도체 장치의 실장 구조를 나타낸 단면도.19 is a sectional view showing a mounting structure of a companion conductor device;

도 20은 종래의 반도체 장치의 구성을 나타낸 단면도.20 is a cross-sectional view showing a configuration of a conventional semiconductor device.

Claims (12)

개구부를 갖는 절연 기판 상에 도체 배선이 형성된 배선 기판과,A wiring board on which conductive wiring is formed on an insulating substrate having openings; 회로 형성 영역 및 전극 패드를 가지며, 상기 회로 형성 영역이 상기 개구부에 대향하도록 상기 배선 기판 상에 탑재되고, 상기 전극 패드가 상기 도체 배선과 돌기 전극을 통하여 전기적으로 접속된 반도체 소자와,A semiconductor element having a circuit formation region and an electrode pad, the circuit formation region being mounted on the wiring board so as to face the opening, and the electrode pad being electrically connected through the conductor wiring and the protruding electrode; 상기 전극 패드와 상기 도체 배선의 접속부를 피복한 밀봉 수지와,Sealing resin which coat | covered the connection part of the said electrode pad and the said conductor wiring, 상기 개구부에 대향하는 부분을 갖도록 배치된 방열체와,A heat sink disposed to have a portion opposing the opening; 상기 밀봉 수지보다 높은 열전도율을 가지며, 상기 개구부에 충전되어, 상기 반도체 소자의 회로 형성 영역과 상기 방열체에 접촉되어 있는 충전재를 구비한 반도체 장치.A semiconductor device having a thermal conductivity higher than that of the encapsulating resin, and having a filler filled in the opening and in contact with the circuit formation region of the semiconductor element and the heat radiator. 청구항 1에 있어서,The method according to claim 1, 상기 방열체가 시트인 반도체 장치.The semiconductor device wherein the heat sink is a sheet. 청구항 1에 있어서,The method according to claim 1, 상기 방열체가 금속판인 반도체 장치.The semiconductor device in which the said heat sink is a metal plate. 청구항 1에 있어서,The method according to claim 1, 상기 방열체가 상기 충전재보다 열전도율이 높은 재료인 반도체 장치.And the heat sink is a material having a higher thermal conductivity than the filler. 청구항 1에 있어서,The method according to claim 1, 상기 충전재가 땜납 합금, 수지, 금속 함유 수지, 실리콘, 고무, 또는 무기 입자 함유 수지 중 어느 하나인 반도체 장치.A semiconductor device, wherein the filler is any one of a solder alloy, a resin, a metal-containing resin, silicon, a rubber, or an inorganic particle-containing resin. 청구항 1에 있어서,The method according to claim 1, 상기 회로 형성 영역에 절연성 보호막을 갖는 반도체 장치.A semiconductor device having an insulating protective film in said circuit formation area. 개구부를 갖는 절연 기판 상에 도체 배선이 형성된 배선 기판과, 회로 형성 영역 및 전극 패드를 가지며, 상기 회로 형성 영역이 상기 개구부에 대향하도록 상기 배선 기판 상에 탑재되고, 상기 전극 패드가 상기 도체 배선과 돌기 전극을 통하여 전기적으로 접속된 반도체 소자와, 상기 전극 패드와 상기 도체 배선의 접속부를 피복한 밀봉 수지를 구비한 반도체 장치와,A wiring board having conductor wiring formed on an insulating substrate having an opening, a circuit forming region and an electrode pad, mounted on the wiring board so that the circuit forming region is opposed to the opening, and the electrode pad is connected to the conductor wiring; A semiconductor device having a semiconductor element electrically connected through a protruding electrode, a sealing resin covering a connecting portion of the electrode pad and the conductor wiring; 상기 개구부에 대향하는 부분을 갖도록 배치된 방열체와,A heat sink disposed to have a portion opposing the opening; 상기 밀봉 수지보다 높은 열전도율을 가지며, 상기 개구부에 충전되어, 상기 반도체 소자의 회로 형성 영역과 상기 방열체에 접촉되어 있는 충전재를 구비한 반도체 장치의 실장 구조.A structure for mounting a semiconductor device having a higher thermal conductivity than the encapsulating resin and having a filler filled in the opening and in contact with the circuit formation region of the semiconductor element and the heat radiator. 청구항 7에 있어서,The method according to claim 7, 상기 방열체가 섀시인 반도체 장치의 실장 구조.The mounting structure of the semiconductor device whose said heat sink is a chassis. 청구항 7에 있어서,The method according to claim 7, 상기 방열체가 케이스의 일부인 반도체 장치의 실장 구조.The mounting structure of the semiconductor device whose said heat sink is a part of case. 청구항 7에 있어서,The method according to claim 7, 상기 충전재가 땜납 합금, 수지, 금속 함유 수지, 실리콘, 고무, 또는 무기 입자 함유 수지 중 어느 하나인 반도체 장치의 실장 구조.A mounting structure of a semiconductor device in which the filler is any one of a solder alloy, a resin, a metal-containing resin, silicon, a rubber, or an inorganic particle-containing resin. 청구항 7에 있어서,The method according to claim 7, 상기 회로 형성 영역에 절연성의 보호막을 갖는 반도체 장치의 실장 구조.A mounting structure of a semiconductor device having an insulating protective film in the circuit formation region. 개구부를 갖는 절연 기판 상에 도체 배선이 형성된 배선 기판에, 회로 형성 영역 및 전극 패드를 갖는 반도체 소자를 실장하는 반도체 장치의 제조 방법에 있어서, In the manufacturing method of the semiconductor device which mounts the semiconductor element which has a circuit formation area and an electrode pad in the wiring board with which the conductor wiring was formed on the insulated substrate which has an opening part, 상기 회로 형성 영역을 상기 개구부에 대향시켜, 상기 도체 배선의 선단 부분과 상기 반도체 소자의 전극 패드 부분을 위치 맞춤하는 공정과,Opposing the opening portion with the circuit formation region to align the tip portion of the conductor wiring with the electrode pad portion of the semiconductor element; 상기 도체 배선과 상기 전극 패드를, 상기 도체 배선 또는 상기 전극 패드 중 어느 하나에 형성된 돌기 전극을 통하여 접속하는 공정과,Connecting the conductor wiring and the electrode pad through a protruding electrode formed in any one of the conductor wiring or the electrode pad; 상기 도체 배선과 상기 전극 패드의 접속부에 밀봉 수지를 도포하여, 회로 형성 영역이 노출된 상태로 상기 밀봉 수지를 경화시키는 공정과,Applying a sealing resin to a connection portion of the conductor wiring and the electrode pad to cure the sealing resin in a state where the circuit formation region is exposed; 상기 노출된 회로 형성 영역에 열전도제를 도포하는 공정과,Applying a thermal conductive material to the exposed circuit formation region; 상기 배선 기판에 방열체를 장착하고, 상기 열전도제와 상기 방열체를 밀착시키는 공정을 갖는 반도체 장치의 제조 방법.A method of manufacturing a semiconductor device, comprising attaching a heat sink to the wiring board, and bringing the heat conductor into close contact with the heat sink.
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