KR20080051819A - Method for manufacturing organic light emitting device - Google Patents
Method for manufacturing organic light emitting device Download PDFInfo
- Publication number
- KR20080051819A KR20080051819A KR1020060123540A KR20060123540A KR20080051819A KR 20080051819 A KR20080051819 A KR 20080051819A KR 1020060123540 A KR1020060123540 A KR 1020060123540A KR 20060123540 A KR20060123540 A KR 20060123540A KR 20080051819 A KR20080051819 A KR 20080051819A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- driving
- electrode
- light emitting
- switching
- forming
- Prior art date
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
- H10K71/20—Changing the shape of the active layer in the devices, e.g. patterning
- H10K71/221—Changing the shape of the active layer in the devices, e.g. patterning by lift-off techniques
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier
- H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
- H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
- H01L27/124—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition, shape or layout of the wiring layers specially adapted to the circuit arrangement, e.g. scanning lines in LCD pixel circuits
- H01L27/1244—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition, shape or layout of the wiring layers specially adapted to the circuit arrangement, e.g. scanning lines in LCD pixel circuits for preventing breakage, peeling or short circuiting
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier
- H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
- H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
- H01L27/1259—Multistep manufacturing methods
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
Abstract
Description
도 1은 본 발명의 한 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 등가 회로도이고, 1 is an equivalent circuit diagram of an organic light emitting diode display according to an exemplary embodiment of the present invention.
도 2는 본 발명의 한 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 배치도이고, 2 is a layout view of an organic light emitting diode display according to an exemplary embodiment of the present invention.
도 3은 도 2의 유기 발광 표시 장치를 III-III 선을 따라 자른 단면도이다.3 is a cross-sectional view of the organic light emitting diode display of FIG. 2 taken along line III-III.
도 4 내지 도 10은 도 2 및 도 3의 유기 발광 표시 장치를 본 발명의 한 실시예에 따라 제조하는 방법을 차례로 도시한 단면도이고, 4 to 10 are cross-sectional views sequentially illustrating a method of manufacturing the organic light emitting diode display of FIGS. 2 and 3 according to an exemplary embodiment of the present invention.
도 11은 본 발명의 다른 한 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 배치도이고, 11 is a layout view of an organic light emitting diode display according to another exemplary embodiment.
도 12는 도 11의 유기 발광 표시 장치를 XI-XI 선을 따라 자른 단면도이고,FIG. 12 is a cross-sectional view of the organic light emitting diode display of FIG. 11 taken along the line XI-XI. FIG.
도 13 내지 도 19는 도 11 및 도 12의 유기 발광 표시 장치를 본 발명의 한 실시예에 따라 제조하는 방법을 차례로 도시한 단면도이다.13 to 19 are cross-sectional views sequentially illustrating a method of manufacturing the organic light emitting diode display of FIGS. 11 and 12 according to an exemplary embodiment of the present invention.
<도면 부호의 설명><Description of Drawing>
110: 절연 기판 121: 게이트선110: insulating substrate 121: gate line
124a: 스위칭 제어 전극 124b: 구동 제어 전극124a: switching
127: 유지 전극 129: 게이트선의 끝 부분127: sustain electrode 129: end of gate line
140, 142: 게이트 절연막 154a: 스위칭 반도체140 and 142: gate
154b: 구동 반도체 163a,163b,165a,165b: 저항성 접촉 부재154b:
171: 데이터선 172: 구동 전압선171: data line 172: driving voltage line
173a: 스위칭 입력 전극 173b: 구동 입력 전극173a: switching
175a: 스위칭 출력 전극 175b: 구동 출력 전극175a: switching
179: 데이터선의 끝 부분 81, 82: 접촉 보조 부재179: end of
85: 연결 부재85: connecting member
181, 182, 184, 185a, 185b: 접촉 구멍 181, 182, 184, 185a, 185b: contact hole
191: 화소 전극 270: 공통 전극191: pixel electrode 270: common electrode
361: 격벽 370: 유기 발광 부재 361: partition 370: organic light emitting member
PR: 감광막 PR: photoresist
Qs: 스위칭 트랜지스터 Qd: 구동 트랜지스터Qs: switching transistor Qd: driving transistor
LD: 유기 발광 다이오드 Vss: 공통 전압LD: organic light emitting diode Vss: common voltage
Cst: 유지 축전기Cst: retaining capacitor
본 발명은 유기 발광 표시 장치의 제조 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a method of manufacturing an organic light emitting display device.
최근 모니터 또는 텔레비전 등의 경량화 및 박형화가 요구되고 있으며, 이러한 요구에 따라 음극선관(cathode ray tube, CRT)이 액정 표시 장치(liquid crystal display, LCD)로 대체되고 있다.Recently, there is a demand for weight reduction and thinning of a monitor or a television, and according to such a demand, a cathode ray tube (CRT) has been replaced by a liquid crystal display (LCD).
그러나, 액정 표시 장치는 수발광 소자로서 별도의 백라이트(backlight)가 필요할 뿐만 아니라, 응답 속도 및 시야각 등에서 많은 문제점이 있다.However, the liquid crystal display device requires not only a separate backlight as a light emitting device, but also has many problems in response speed and viewing angle.
최근 이러한 문제점을 극복할 수 있는 표시 장치로서, 유기 발광 표시 장치(organic light emitting diode display, OLED display)가 주목 받고 있다. Recently, as a display device capable of overcoming such a problem, an organic light emitting diode display (OLED display) has attracted attention.
유기 발광 표시 장치는 두 개의 전극과 그 사이에 위치하는 발광층을 포함하며, 하나의 전극으로부터 주입된 전자(electron)와 다른 전극으로부터 주입된 정공(hole)이 발광층에서 결합하여 여기자(exciton)를 형성하고, 여기자가 에너지를 방출하면서 발광한다.The organic light emitting diode display includes two electrodes and a light emitting layer interposed therebetween, and electrons injected from one electrode and holes injected from another electrode are combined in the light emitting layer to form excitons. The excitons emit light while releasing energy.
유기 발광 표시 장치는 자체발광형으로 별도의 광원이 필요 없으므로 소비전력 측면에서 유리할 뿐만 아니라, 응답 속도, 시야각 및 대비비(contrast ratio)도 우수하다.The OLED display is self-luminous and does not require a separate light source, which is advantageous in terms of power consumption, and also has excellent response speed, viewing angle, and contrast ratio.
유기 발광 표시 장치는 구동 방식에 따라 단순 매트릭스 방식의 유기 발광 표시 장치(passive matrix OLED display)와 능동 매트릭스 방식의 유기 발광 표시 장치(active matrix OLED display)로 나눌 수 있다. The organic light emitting diode display may be classified into a passive matrix OLED display of a simple matrix type and an active matrix OLED display of an active matrix type according to a driving method.
이 중, 능동 매트릭스 방식의 유기 발광 표시 장치는 신호선에 연결되어 데이터 전압을 제어하는 스위칭 박막 트랜지스터(switching thin film transistor)와 이로부터 전달받은 데이터 전압을 게이트 전압으로 인가하여 발광 소자에 전류를 흘리는 구동 박막 트랜지스터(driving thin film transistor)를 포함한다. Among these, an active matrix type organic light emitting display device is a driving thin film transistor that is connected to a signal line to control a data voltage and a data voltage received therefrom as a gate voltage to drive current through the light emitting device. And driving thin film transistors.
그런데 유기 발광 표시 장치가 최적의 특성을 나타내기 위하여 스위칭 박막 트랜지스터와 구동 박막 트랜지스터에 요구되는 특성이 다르다. 스위칭 박막 트랜지스터는 높은 온/오프 전류 비(Ion/Ioff) 특성이 요구되는 반면, 구동 박막 트랜지스터는 발광 소자에 충분한 전류를 흘릴 수 있도록 높은 이동성(mobility) 및 안정성(stability)이 요구된다.However, the characteristics required for the switching thin film transistor and the driving thin film transistor are different in order for the organic light emitting diode display to exhibit optimal characteristics. Switching thin film transistors require high on / off current ratio (I on / I off ) characteristics, while driving thin film transistors require high mobility and stability to allow sufficient current to flow through the light emitting device.
스위칭 박막 트랜지스터에 오프 전류가 증가하는 경우 구동 박막 트랜지스터로 전달되는 데이터 전압이 감소되어 크로스 토크(cross talk)가 발생할 수 있고, 구동 박막 트랜지스터가 낮은 이동도 및 안정성을 가지는 경우 발광 소자에 흐르는 전류량이 감소하여 발광량이 감소하고 이미지 고착(image sticking) 및 수명 단축이 될 수 있다. 특히, 제조 공정시에 반도체가 손상되어 구동 박막 트랜지스터의 동작이 저하될 수 있다.When the off current increases in the switching thin film transistor, the data voltage transmitted to the driving thin film transistor decreases, thereby causing cross talk. When the driving thin film transistor has low mobility and stability, the amount of current flowing through the light emitting device is reduced. The amount of light emitted can be reduced, resulting in image sticking and shortening of lifespan. In particular, the semiconductor may be damaged during the manufacturing process, thereby degrading the operation of the driving thin film transistor.
따라서 본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는 이러한 문제점을 해결하기 위한 것으로서 스위칭 박막 트랜지스터 및 구동 박막 트랜지스터에 요구되는 특성을 동시에 충족하여 유기 발광 표시 장치의 특성을 개선하는 것이다. Accordingly, the technical problem to be solved by the present invention is to solve the above problems and to simultaneously meet the characteristics required for the switching thin film transistor and the driving thin film transistor, thereby improving the characteristics of the organic light emitting display device.
본 발명의 한 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 제조 방법은 기판 위에 스위칭 제어 전극, 구동 전압선 및 구동 출력 전극을 형성하는 단계, 구동 전압선 및 구동 출력 전극 상부 또는 하부에 구동 반도체를 형성하는 단계, 구동 전압선 및 구동 출력 전극과 구동 반도체 사이에 저항성 접촉 부재를 형성하는 단계, 구동 전압선, 구동 출력 전극 및 구동 반도체 상부에 게이트 절연막을 형성하는 단계, 게이트 절연막 위에 스위칭 반도체를 형성하는 단계, 게이트 절연막 및 스위칭 반도체 위에 스위칭 입력 전극을 포함하는 데이터선, 스위칭 출력 전극 및 구동 제어 전극을 형성하는 단계, 구동 출력 전극과 연결되어 있는 제1 전극을 형성하는 단계, 제1 전극 위에 발광 부재를 형성하는 단계, 그리고 발광 부재 위에 제2 전극을 형성하는 단계를 포함한다. 이때, 저항성 접촉 부재를 형성하기 위해서는 기판 상부에 감광막을 선택적으로 형성하고, 기판 및 감광막 위에 저항성 접촉층을 적층한 다음 감광막 상부의 저항성 접촉층에 균열을 발생시킨다. 이어, 균열을 통하여 감광막에 용제를 침투시켜, 감광막 및 그 상부의 저항성 접촉층을 제거한다.According to an embodiment of the present invention, a method of manufacturing an organic light emitting display device may include forming a switching control electrode, a driving voltage line, and a driving output electrode on a substrate, forming a driving semiconductor on or below the driving voltage line and the driving output electrode; Forming an ohmic contact between the driving voltage line and the driving output electrode and the driving semiconductor, forming a gate insulating film on the driving voltage line, the driving output electrode and the driving semiconductor, forming a switching semiconductor on the gate insulating film, a gate insulating film, and Forming a data line including a switching input electrode, a switching output electrode, and a driving control electrode on the switching semiconductor; forming a first electrode connected to the driving output electrode; forming a light emitting member on the first electrode; And forming a second electrode on the light emitting member. . At this time, in order to form the ohmic contact member, a photoresist film is selectively formed on the substrate, the ohmic contact layer is laminated on the substrate and the photoresist film, and then a crack is generated in the ohmic contact layer on the photoresist film. Then, the solvent penetrates the photosensitive film through the crack to remove the photosensitive film and the ohmic contact layer thereon.
스위칭 제어 전극, 구동 전압선 및 구동 출력 전극은 저항성 접촉 부재와 함께 형성할 수 있으며, 이를 위해서는 기판 및 저항성 접촉층 상부 또는 하부에 금속층을 적층하고 금속층의 일부를 상기 저항성 접촉층과 함께 제거하여 형성하는 것이 바람직하다.The switching control electrode, the driving voltage line, and the driving output electrode may be formed together with the ohmic contact member. The switching control electrode, the driving voltage line, and the driving output electrode may be formed by stacking a metal layer on or under the substrate and the ohmic contact layer and removing a part of the metal layer together with the ohmic contact layer. It is preferable.
저항성 접촉층은 100 내지 500도 범위의 온도에서 적층하고, 1,000 내지 3,000?? 범위의 두께로 적층하는 것이 바람직하다.The ohmic contact layer is laminated at a temperature in the range of 100 to 500 degrees, and 1,000 to 3,000 ° C. It is preferable to laminate | stack to the thickness of the range.
저항성 접촉층은 미세 결정으로 형성하는 것이 바람직하다.The ohmic contact layer is preferably formed of fine crystals.
저항성 접촉층을 적층한 다음 열처리 공정을 실시하는 단계를 더 포함하고, 기판을 냉각시키는 단계를 더 포함할 수 있다.The method may further include performing a heat treatment process after stacking the ohmic contact layer, and further cooling the substrate.
이하, 첨부한 도면을 참고로 하여 본 발명의 실시예에 대하여 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 상세히 설명한다. 그러나 본 발명은 여러 가지 상이한 형태로 구현될 수 있으며 여기에서 설명하는 실시예에 한정되지 않는다.Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings so that those skilled in the art may easily implement the present invention. As those skilled in the art would realize, the described embodiments may be modified in various different ways, all without departing from the spirit or scope of the present invention.
먼저 본 발명의 한 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치에 대하여 도 1을 참고로 상세하게 설명한다.First, an organic light emitting diode display according to an exemplary embodiment of the present invention will be described in detail with reference to FIG. 1.
도 1은 본 발명의 한 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 등가 회로도이다.1 is an equivalent circuit diagram of an organic light emitting diode display according to an exemplary embodiment of the present invention.
도 1을 참고하면, 본 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치는 복수의 신호선(121, 171, 172)과 이들에 연결되어 있으며 대략 행렬(matrix)의 형태로 배열된 복수의 화소(pixel)를 포함한다.Referring to FIG. 1, the organic light emitting diode display according to the present exemplary embodiment includes a plurality of
신호선은 게이트 신호(또는 주사 신호)를 전달하는 복수의 게이트선(gate line)(121), 데이터 신호를 전달하는 복수의 데이터선(data line)(171) 및 구동 전압을 전달하는 복수의 구동 전압선(driving voltage line)(172)을 포함한다. 게이트선(121)은 대략 행 방향으로 뻗어 있으며 서로가 거의 평행하고 데이터선(171)과 구동 전압선(172)은 대략 열 방향으로 뻗어 있으며 서로가 거의 평행하다.The signal line includes a plurality of
각 화소(PX)는 스위칭 트랜지스터(switching transistor)(Qs), 구동 트랜지스터(driving transistor)(Qd), 유지 축전기(storage capacitor)(Cst) 및 유기 발광 다이오드(organic light emitting diode, OLED)(LD)를 포함한다.Each pixel PX includes a switching transistor Qs, a driving transistor Qd, a storage capacitor Cst, and an organic light emitting diode OLED. It includes.
스위칭 트랜지스터(Qs)는 제어 단자(control terminal), 입력 단자(input terminal) 및 출력 단자(output terminal)를 가지는데, 제어 단자는 게이트선(121)에 연결되어 있고, 입력 단자는 데이터선(171)에 연결되어 있으며, 출력 단자는 구 동 트랜지스터(Qd)에 연결되어 있다. 스위칭 트랜지스터(Qs)는 게이트선(121)에 인가되는 주사 신호에 응답하여 데이터선(171)에 인가되는 데이터 신호를 구동 트랜지스터(Qd)에 전달한다.The switching transistor Qs has a control terminal, an input terminal, and an output terminal. The control terminal is connected to the
구동 트랜지스터(Qd) 또한 제어 단자, 입력 단자 및 출력 단자를 가지는데, 제어 단자는 스위칭 트랜지스터(Qs)에 연결되어 있고, 입력 단자는 구동 전압선(172)에 연결되어 있으며, 출력 단자는 유기 발광 다이오드(LD)에 연결되어 있다. 구동 트랜지스터(Qd)는 제어 단자와 출력 단자 사이에 걸리는 전압에 따라 그 크기가 달라지는 출력 전류(ILD)를 흘린다.The driving transistor Qd also has a control terminal, an input terminal and an output terminal, the control terminal being connected to the switching transistor Qs, the input terminal being connected to the driving
축전기(Cst)는 구동 트랜지스터(Qd)의 제어 단자와 입력 단자 사이에 연결되어 있다. 이 축전기(Cst)는 구동 트랜지스터(Qd)의 제어 단자에 인가되는 데이터 신호를 충전하고 스위칭 트랜지스터(Qs)가 턴 오프(turn-off)된 뒤에도 이를 유지한다.The capacitor Cst is connected between the control terminal and the input terminal of the driving transistor Qd. The capacitor Cst charges the data signal applied to the control terminal of the driving transistor Qd and maintains it even after the switching transistor Qs is turned off.
유기 발광 다이오드(LD)는 구동 트랜지스터(Qd)의 출력 단자에 연결되어 있는 애노드(anode)와 공통 전압(Vss)에 연결되어 있는 캐소드(cathode)를 가진다. 유기 발광 다이오드(LD)는 구동 트랜지스터(Qd)의 출력 전류(ILD)에 따라 세기를 달리하여 발광함으로써 영상을 표시한다.The organic light emitting diode LD has an anode connected to the output terminal of the driving transistor Qd and a cathode connected to the common voltage Vss. The organic light emitting diode LD displays an image by emitting light having a different intensity depending on the output current I LD of the driving transistor Qd.
스위칭 트랜지스터(Qs) 및 구동 트랜지스터(Qd)는 n-채널 전계 효과 트랜지스터(field effect transistor, FET)이다. 그러나 스위칭 트랜지스터(Qs)와 구동 트랜지스터(Qd) 중 적어도 하나는 p-채널 전계 효과 트랜지스터일 수 있다. 또한, 트랜지스터(Qs, Qd), 축전기(Cst) 및 유기 발광 다이오드(LD)의 연결 관계가 바뀔 수 있다.The switching transistor Qs and the driving transistor Qd are n-channel field effect transistors (FETs). However, at least one of the switching transistor Qs and the driving transistor Qd may be a p-channel field effect transistor. In addition, the connection relationship between the transistors Qs and Qd, the capacitor Cst, and the organic light emitting diode LD may be changed.
이하 도 1에 도시한 유기 발광 표시 장치에 대하여 도면을 참조하여 다양한 실시예를 보인다. Hereinafter, various embodiments of the organic light emitting diode display illustrated in FIG. 1 will be described with reference to the accompanying drawings.
도면에서 여러 층 및 영역을 명확하게 표현하기 위하여 두께를 확대하여 나타내었다. 명세서 전체를 통하여 유사한 부분에 대해서는 동일한 도면 부호를 붙였다. 층, 막, 영역, 판 등의 부분이 다른 부분 "위에" 있다고 할 때, 이는 다른 부분 "바로 위에" 있는 경우뿐 아니라 그 중간에 또 다른 부분이 있는 경우도 포함한다. 반대로 어떤 부분이 다른 부분 "바로 위에" 있다고 할 때에는 중간에 다른 부분이 없는 것을 뜻한다.In the drawings, the thickness of layers, films, panels, regions, etc., are exaggerated for clarity. Like parts are designated by like reference numerals throughout the specification. When a part of a layer, film, region, plate, etc. is said to be "on" another part, this includes not only the other part being "right over" but also another part in the middle. On the contrary, when a part is "just above" another part, there is no other part in the middle.
[실시예 1]Example 1
그러면 도 1에 도시한 유기 발광 표시 장치의 상세 구조에 대하여 도 2 및 도 3을 도 1과 함께 참고하여 상세하게 설명한다.Next, detailed structures of the organic light emitting diode display illustrated in FIG. 1 will be described in detail with reference to FIGS. 2 and 3.
도 2는 본 발명의 한 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 배치도이고, 도 3은 도 2의 유기 발광 표시 장치를 III-III 선을 따라 자른 단면도이다.FIG. 2 is a layout view of an organic light emitting diode display according to an exemplary embodiment, and FIG. 3 is a cross-sectional view of the organic light emitting diode display of FIG. 2 taken along line III-III.
투명한 유리 또는 플라스틱 따위로 만들어진 절연 기판(110) 위에 스위칭 제어 전극(124a) 및 끝 부분(129)을 포함하는 게이트선(121), 구동 입력 전극(173b)을 포함하는 구동 전압선(172) 및 구동 출력 전극(175b)이 형성되어 있다.A
게이트선(121)은 게이트 신호를 전달하며 주로 가로 방향으로 뻗어 있다. 각 게이트선(121)은 다른 층 또는 외부 구동 회로와의 접속을 위하여 면적이 넓은 끝 부분(129)을 포함하며, 스위칭 제어 전극(124a)은 게이트선(121)으로부터 위로 뻗어 있다. 게이트 신호를 생성하는 게이트 구동 회로(도시하지 않음)가 기판(110) 위에 집적되어 있는 경우 게이트선(121)이 연장되어 게이트 구동 회로와 직접 연결될 수 있다.The
구동 전압선(172)은 구동 전압을 전달하며 주로 가로 방향으로 뻗어 게이트선(121)과 평행하다. 각 구동 전압선(172)은 복수의 구동 입력 전극(173b)을 포함한다.The driving
구동 출력 전극(175b)은 게이트선(121) 및 구동 전압선(172)과 분리되어 있다.The driving
게이트선(121), 구동 전압선(172) 및 구동 출력 전극(175b)은 알루미늄(Al)이나 알루미늄 합금 등 알루미늄 계열 금속, 은(Ag)이나 은 합금 등 은 계열 금속, 구리(Cu)나 구리 합금 등 구리 계열 금속, 몰리브덴(Mo)이나 몰리브덴 합금 등 몰리브덴 계열 금속, 크롬(Cr), 탄탈륨(Ta) 및 티타늄(Ti) 따위로 만들어질 수 있다. 그러나 이들은 물리적 성질이 다른 두 개의 도전막(도시하지 않음)을 포함하는 다중막 구조를 가질 수도 있다. The
게이트선(121), 구동 전압선(172) 및 구동 출력 전극(175b)의 측면은 기판(110) 면에 대하여 경사져 있으며 그 경사각은 약 30ㅀ내지 약 80ㅀ인 것이 바람직하다.Side surfaces of the
서로 인접한 구동 입력 전극(173b) 및 구동 출력 전극(175b) 상의 일부에는 각각 복수 쌍의 저항성 접촉 부재(ohmic contact)(163b, 165b)가 형성되어 있다. 저항성 접촉 부재(163b, 165b)는 섬 모양이며, 인(P) 따위의 n형 불순물이 고농도 로 도핑되어 있는 미세 결정질 규소 또는 다결정 규소의 물질로 만들어질 수 있다.A plurality of pairs of
각 쌍의 저항성 접촉 부재(ohmic contact)(163b, 165b) 및 이들 사이의 기판(110) 상부에는 미세 결정질 규소(microcrystalline silicon) 또는 다결정 규소(polycrystalline silicon)로 만들어진 구동 반도체(154b)가 형성되어 있다.A
구동 반도체(154b)는 구동 입력 전극(173b) 및 구동 출력 전극(175b)과 일부 중첩되어 있으며, 저항성 접촉 부재(163b, 165b)는 구동 반도체(154b)와 구동 입력 전극(173b) 및 구동 출력 전극(175b)이 중첩하는 사이에만 위치한다.The driving
게이트선(121), 구동 전압선(172), 구동 출력 전극(175b) 및 구동 반도체(154b) 위에는 게이트 절연막(140)이 형성되어 있다.The
게이트 절연막(140) 위에는 수소화 비정질 규소로 만들어진 복수의 스위칭 반도체(154a)가 형성되어 있다. 스위칭 반도체(154a)는 스위칭 제어 전극(124a)과 중첩되어 있다.A plurality of switching
스위칭 반도체(154a) 및 게이트 절연막(140) 위에는 스위칭 입력 전극(173a) 및 끝 부분(179)을 포함하는 데이터선(171), 스위칭 출력 전극(175a) 및 구동 제어 전극(124b)이 형성되어 있다.A
데이터선(171)은 데이터 신호를 전달하며 주로 세로 방향으로 뻗어 게이트선(121) 및 구동 전압선(172)과 교차한다. 각 데이터선(171)은 스위칭 제어 전극(124a)을 향하여 뻗은 복수의 스위칭 입력 전극(switching input electrode)(173a)과 다른 층 또는 외부 구동 회로와의 접속을 위하여 면적이 넓은 끝 부분(179)을 포함한다. 데이터 신호를 생성하는 데이터 구동 회로(도시하지 않 음)가 기판(110) 위에 집적되어 있는 경우, 데이터선(171)이 연장되어 데이터 구동 회로와 직접 연결될 수 있다.The
스위칭 출력 전극(175a)은 데이터선(171)과 분리되어 있다. 스위칭 입력 전극(173a) 및 스위칭 출력 전극(175a)은 스위칭 반도체(154a)와 일부 중첩되어 있으며, 스위칭 반도체(154a)를 중심으로 서로 마주한다.The switching
구동 제어 전극(124b)은 섬형이며, 가로 방향으로 길게 뻗은 유지 전극(storage capacitor)(127)을 포함한다.The
구동 제어 전극(124b)은 구동 입력 전극(173b)과 구동 출력 전극(175b) 사이에 위치하여 구동 반도체(154b)와 중첩하고 있으며, 구동 입력 전극(173b) 및 구동 출력 전극(175b)과도 일부 중첩되어 있다.The driving
데이터선(171) 및 스위칭 출력 전극(175a)의 측면은 기판(110) 면에 대하여 경사져 있으며 그 경사각은 약 30ㅀ 내지 약 80ㅀ 인 것이 바람직하다.Side surfaces of the
스위칭 반도체(154a)와 스위칭 입력 전극(173a) 사이 및 스위칭 반도체(154a)와 스위칭 출력 전극(175a) 사이에는 각각 복수 쌍의 저항성 접촉 부재(163a, 165a)가 형성되어 있다. 저항성 접촉 부재(163a, 165a)는 섬 모양이며, 인(P) 따위의 불순물이 고동도로 도핑되어 있는 n+ 수소화 비정질 규소 따위로 만들어질 수 있다.A plurality of pairs of
데이터선(171), 스위칭 출력 전극(175a) 및 구동 제어 전극(124b) 위에는 보호막(180)이 형성되어 있다.The
보호막(180)에는 스위칭 출력 전극(175a), 구동 제어 전극(124b) 및 데이터 선(171)의 끝 부분(179)을 드러내는 복수의 접촉 구멍(185a, 184, 182)이 형성되어 있으며, 보호막(180) 및 게이트 절연막(140)에는 게이트선(121)의 끝 부분(129) 및 구동 출력 전극(175b)을 드러내는 복수의 접촉 구멍(181, 185b)이 형성되어 있다.The
보호막(180) 위에는 복수의 화소 전극(191), 연결 부재(85) 및 복수의 접촉 보조 부재(81, 82)가 형성되어 있다. A plurality of
화소 전극(191)은 접촉 구멍(185b)를 통하여 구동 출력 전극(175b)과 전기적으로 연결되어 있다.The
연결 부재(85)는 접촉 구멍(185a, 184)을 통하여 스위칭 출력 전극(175a) 및 구동 제어 전극(124b)에 연결되어 있다.The connecting
접촉 보조 부재(81, 82)는 각각 접촉 구멍(181, 182)을 통하여 게이트선(121)의 끝 부분(129) 및 데이터선(171)의 끝 부분(179)과 연결된다. 접촉 보조 부재(81, 82)는 게이트선(121) 및 데이터선(171)의 끝 부분(129, 179)과 외부 장치와의 접착성을 보완하고 이들을 보호한다.The contact
화소 전극(191), 연결 부재(85) 및 접촉 보조 부재(81, 82)는 ITO 또는 IZO 따위의 투명 도전체로 만들어질 수 있으며, 전면 발광(top emission)인 경우에는 알루미늄 또는 알루미늄 합금, 높은 일 함수(work function)를 가지는 금(Au), 백금(Pt), 니켈(Ni), 구리(Cu), 텅스텐(W) 또는 이들의 합금 따위의 불투명 도전체로 만들어질 수 있다.The
화소 전극(191), 연결 부재(85) 및 접촉 보조 부재(81, 82) 위에는 격벽(partition)(361)이 형성되어 있다. 격벽(361)은 화소 전극(191) 가장자리 주변 을 둑(bank)처럼 둘러싸서 개구부(opening)(365)를 정의한다. 격벽(361)은 아크릴 수지(acrylic resin), 폴리이미드 수지(polyimide resin) 따위의 내열성 및 내용매성을 가지는 유기 절연물 또는 산화규소(SiO2), 산화티탄(TiO2) 따위의 무기 절연물로 만들어질 수 있으며, 2층 이상일 수 있다. 격벽(361)은 또한 검정색 안료를 포함하는 감광재로 만들어질 수 있는데, 이 경우 격벽(361)은 차광 부재의 역할을 하며 그 형성 공정이 간단하다. A
격벽(361)이 정의하는 화소 전극(191) 위의 개구부(365)에는 유기 발광 부재(organic light emitting member)(370)가 형성되어 있다. An organic
유기 발광 부재(370)는 빛을 내는 발광층(emitting layer)(도시하지 않음) 외에 발광층의 발광 효율을 향상하기 위한 부대층(auxiliary layer)(도시하지 않음)을 포함하는 다층 구조를 가질 수 있다. The organic
발광층은 적색, 녹색, 청색의 삼원색 등 기본색(primary color) 중 어느 하나의 빛을 고유하게 내는 고분자 물질 또는 저분자 물질 또는 이들의 혼합물로 만들어질 수 있다. 고분자 물질에는 예컨대 폴리플루오렌(polyfluorene) 유도체, (폴리)파라페닐렌비닐렌((poly)paraphenylenevinylene) 유도체, 폴리페닐렌(polyphenylene) 유도체, 폴리비닐카바졸(polyvinylcarbazole), 폴리티오펜(polythiophene) 유도체 등이 포함될 수 있다. 또한 저분자 물질에는 9,10-디페닐안트라센(9,10-diphenylanthracene)과 같은 안트라센(anthracene), 테트라페닐부타디엔(tetraphenylbutadiene)과 같은 부타디엔(butadiene), 테트라센(tetracene), 디스티릴아릴렌(distyrylarylene) 유도체, 벤자졸(benzazole) 유도체 및 카바졸(carbazole) 유도체 등이 포함될 수 있다. 또는 상술한 고분자 물질 또는 저분자 물질을 호스트(host) 재료로 하고, 여기에 예컨대 크산텐(xanthene), 페릴렌(perylene), 쿠마린(cumarine), 로더민(rhodamine), 루브렌(rubrene), 디시아노메틸렌피란(dicyanomethylenepyran) 화합물, 티오피란(thiopyran) 화합물, (티아)피릴리움((thia)pyrilium) 화합물, 페리플란텐(periflanthene) 유도체, 인데노페릴렌(indenoperylene) 유도체, 카보스티릴(carbostyryl) 화합물, 나일 레드(Nile red), 퀴나크리돈(quinacridone) 따위의 도펀트(dopant)를 도핑하여 발광 효율을 높일 수도 있다. 유기 발광 표시 장치는 발광층에서 내는 기본색 색광의 공간적인 합으로 원하는 영상을 표시한다. 부대층에는 전자와 정공의 균형을 맞추기 위한 전자 수송층(electron transport layer)(도시하지 않음) 및 정공 수송층(hole transport layer)(도시하지 않음)과 전자와 정공의 주입을 강화하기 위한 전자 주입층(electron injecting layer)(도시하지 않음) 및 정공 주입층(hole injecting layer)(도시하지 않음) 등이 있으며, 이 중에서 선택된 하나 또는 둘 이상의 층을 포함할 수 있다. 정공 수송층 및 정공 주입층은 화소 전극(191)과 발광층의 중간 정도의 일 함수를 가지는 재료로 만들어지고, 전자 수송층과 전자 주입층은 공통 전극(270)과 발광층의 중간 정도의 일 함수를 가지는 재료로 만들어진다. 예컨대 정공 수송층 또는 정공 주입층으로는 다이아민류, MTDATA ([4,4',4"-tris(3-methylphenyl)phenylamino]triphenylamine), TPD (N,N'-diphenyl-N, N'-di(3-methylphenyl)-1,1'-biphenyl-4,4'-diamine), 1,1-비스(4-디-p-톨릴아미노페닐)시 클로헥산(1,1-bis(4-di-p-tolylaminophenyl)cyclohexane), N,N,N',N'-테트라(2-나프틸)-4,4"-디아미노-p-터페닐(N,N,N',N'-tetra(2-naphthyl)-4,4"-diamino-p-terphenyl), 4,4',4"-트리스[(3-메틸페닐)페닐아미노]트리페닐아민(4,4',4"-tris[(3-methylphenyl)phenylamino]triphenylamine), 폴리피롤(polypyrrole), 폴리아닐린(polyaniline), 폴리에틸렌디옥시티오펜과 폴리스티렌술폰산의 혼합물(poly-(3,4-ethylenedioxythiophene: polystyrenesulfonate, PEDOT:PSS) 따위를 사용할 수 있다.The light emitting layer may be made of a polymer material or a low molecular material or a mixture thereof that uniquely emits light of any one of primary colors such as three primary colors of red, green, and blue. Polymeric materials include, for example, polyfluorene derivatives, (poly) paraphenylenevinylene derivatives, polyphenylene derivatives, polyvinylcarbazole, polythiophene Derivatives and the like. In addition, low molecular weight materials include anthracene such as 9,10-diphenylanthracene, butadiene such as tetraphenylbutadiene, tetratracene, and distyrylarylene. ) Derivatives, benzazole derivatives and carbazole derivatives. Or the above-mentioned high molecular material or low molecular material as a host material, for example, xanthene, perylene, coumarin, rhodamine, rubrene, dish Aminomethylenepyran compound, thiopyran compound, (thia) pyrilium compound, periflanthene derivative, indenoperylene derivative, carbostyryl Dopant such as a compound, nile red, and quinacridone may be used to increase luminous efficiency. The organic light emitting diode display displays a desired image by using a spatial sum of primary color light emitted from the emission layer. The auxiliary layer includes an electron transport layer (not shown) and a hole transport layer (not shown) for balancing electrons and holes, and an electron injection layer for enhancing the injection of electrons and holes ( electron injecting layer (not shown) and hole injecting layer (hole injecting layer) (not shown) and the like, and may include one or two or more layers selected from them. The hole transport layer and the hole injection layer are made of a material having a work function that is about the middle of the
유기 발광 부재(370)는 각 화소별로 적색, 녹색 및 청색 따위의 색을 발광하는 발광층을 각각 배열하여 화소별로 원하는 색을 구현할 수도 있고, 하나의 화소에 적색, 녹색 및 청색의 발광층을 수직 또는 수평 형성하여 백색(white) 발광층을 형성하고 백색 발광층의 하부 또는 상부에 적색, 녹색 및 청색의 색을 구현하는 색 필터를 형성하여 원하는 색을 구현할 수도 있다. 이 때, 색 필터는 하부 발광 구조(bottom emission)인 경우에는 발광층의 하부에 위치할 수 있고, 상부 발광 구조(top emission)인 경우에는 발광층의 상부에 위치할 수 있다. The organic
또한 적색, 녹색 및 청색 화소를 포함한 3색 구조 외에, 적색, 녹색, 청색 및 백색 화소를 포함한 4색 구조를 스트라이프(stripe) 또는 바둑판 형태로 배치하여 휘도를 개선할 수 있다. In addition to the three-color structure including the red, green, and blue pixels, the four-color structure including the red, green, blue, and white pixels may be arranged in the form of a stripe or a checkerboard to improve luminance.
유기 발광 부재(370) 위에는 공통 전극(common electrode)(270)이 형성되어 있다. 공통 전극(270)은 기판의 전면(全面)에 형성되어 있으며, 화소 전극(191)과 쌍을 이루어 유기 발광 부재(370)에 전류를 흘려 보낸다.The
이러한 유기 발광 표시 장치에서, 게이트선(121)에 연결되어 있는 스위칭 제어 전극(124a), 데이터선(171)에 연결되어 있는 스위칭 입력 전극(173a) 및 스위칭 출력 전극(175a)은 스위칭 반도체(154a)와 함께 스위칭 박막 트랜지스터(switching TFT)(Qs)를 이루며, 스위칭 박막 트랜지스터(Qs)의 채널(channel)은 스위칭 입력 전극(173a)과 스위칭 출력 전극(175a) 사이의 스위칭 반도체(154a)에 형성된다. 스위칭 출력 전극(175a)에 연결되어 있는 구동 제어 전극(124b), 구동 전압선(172)에 연결되어 있는 구동 입력 전극(173b) 및 화소 전극(191)에 연결되어 있는 구동 출력 전극(175b)은 구동 반도체(154b)와 함께 구동 박막 트랜지스터(driving TFT)(Qd)를 이루며, 구동 박막 트랜지스터(Qd)의 채널은 구동 입력 전극(173b)과 구동 출력 전극(175b) 사이의 구동 반도체(154b)에 형성된다.In the organic light emitting diode display, the switching
전술한 바와 같이, 스위칭 반도체(154a)는 비정질 반도체로 만들어지고, 구동 반도체(155b)는 미세 결정질 또는 다결정 반도체로 만들어진다. 즉, 스위칭 박막 트랜지스터의 채널은 비정질 반도체에 형성되고, 구동 박막 트랜지스터의 채널은 미세 결정질 또는 다결정 반도체에 형성된다.As described above, the switching
이와 같이 본 발명에서 스위칭 박막 트랜지스터와 구동 박막 트랜지스터의 채널은 결정질이 다른 반도체에 형성되며, 이에 따라 각 박막 트랜지스터에서 요구되는 특성을 동시에 만족할 수 있다.As described above, the channels of the switching thin film transistor and the driving thin film transistor are formed in semiconductors having different crystalline properties, thereby satisfying the characteristics required for each thin film transistor.
구동 박막 트랜지스터의 채널을 미세 결정질 또는 다결정 반도체에 형성함으로써 높은 전하 이동도(carrier mobility) 및 안정성(stability)을 가질 수 있고, 이에 따라 발광 소자에 흐르는 전류량을 늘릴 수 있어서 휘도를 높일 수 있다. 또 한, 구동 박막 트랜지스터의 채널을 미세 결정질 또는 다결정 반도체에 형성함으로써 구동시 계속적인 양(positive) 전압의 인가에 의해 발생하는 문턱 전압 이동 현상(Vth shift)을 방지하여 이미지 고착(image sticking) 및 수명 단축을 방지할 수 있다. By forming the channel of the driving thin film transistor in the microcrystalline or polycrystalline semiconductor, the carrier thin film may have high carrier mobility and stability, thereby increasing the amount of current flowing through the light emitting device, thereby increasing luminance. In addition, by forming a channel of the driving thin film transistor in a microcrystalline or polycrystalline semiconductor, image sticking is prevented by preventing a Vth shift caused by continuous application of positive voltage during driving. It can prevent the life shortening.
한편, 스위칭 박막 트랜지스터는 데이터 전압을 제어하는 역할을 하기 때문에 온/오프(on/off) 특성이 중요하며, 특히 오프 전류(off current)를 줄이는 것이 중요하다. 그런데, 미세 결정질 또는 다결정 반도체는 오프 전류(off current)가 크기 때문에 스위칭 박막 트랜지스터를 통과하는 데이터 전압이 감소하고 크로스 토크가 발생할 수 있다. 따라서, 본 발명에서 스위칭 박막 트랜지스터는 오프 전류가 작은 비정질 반도체로 형성함으로써 데이터 전압의 감소를 방지하고 크로스 토크를 줄일 수 있다.On the other hand, since the switching thin film transistor plays a role of controlling the data voltage, on / off characteristics are important, and in particular, it is important to reduce the off current. However, since the microcrystalline or polycrystalline semiconductor has a large off current, the data voltage passing through the switching thin film transistor may decrease and crosstalk may occur. Therefore, in the present invention, the switching thin film transistor is formed of an amorphous semiconductor having a small off current, thereby preventing a decrease in data voltage and reducing cross talk.
본 실시예에서는 스위칭 박막 트랜지스터 1개와 구동 박막 트랜지스터 1개만을 도시하였지만 이들 외에 적어도 하나의 박막 트랜지스터 및 이를 구동하기 위한 복수의 배선을 더 포함함으로써, 장시간 구동하여도 유기 발광 다이오드(LD) 및 구동 트랜지스터(Qd)가 열화되는 것을 방지하거나 보상하여 유기 발광 표시 장치의 수명이 단축되는 것을 방지할 수 있다. Although only one switching thin film transistor and one driving thin film transistor are shown in the present embodiment, at least one thin film transistor and a plurality of wirings for driving the same are further included, so that the organic light emitting diode LD and the driving transistor may be driven even for a long time. It is possible to prevent or compensate for deterioration of the Qd so as to shorten the lifespan of the organic light emitting display device.
화소 전극(191), 유기 발광 부재(370) 및 공통 전극(270)은 유기 발광 다이오드(LD)를 이루며, 화소 전극(191)이 애노드(anode), 공통 전극(270)이 캐소드(cathode)가 되거나 반대로 화소 전극(191)이 캐소드, 공통 전극(270)이 애노드가 된다. 또한 서로 중첩하는 유지 전극(127)과 구동 전압선(172)은 유지 축전 기(storage capacitor)(Cst)를 이룬다. The
그러면 도 2 및 도 3에 도시한 유기 발광 표시 장치를 제조하는 방법에 대하여 도 4 내지 도 10을 참고하여 상세하게 설명한다.Next, a method of manufacturing the organic light emitting diode display illustrated in FIGS. 2 and 3 will be described in detail with reference to FIGS. 4 to 10.
도 4 내지 도 10은 도 2 및 도 3의 유기 발광 표시 장치를 본 발명의 한 실시예에 따라 제조하는 방법을 차례로 도시한 단면도이다. 4 to 10 are cross-sectional views sequentially illustrating a method of manufacturing the organic light emitting diode display of FIGS. 2 and 3 according to an exemplary embodiment of the present invention.
도 4에 도시한 바와 같이, 기판(110) 위에 음성 또는 양성의 감광성을 가지는 감광막을 도포하고 마스크를 이용한 사진 공정으로 역 테이퍼(reversed taper) 구조를 가자는 감광막 패턴(PR1)을 형성한다. 이어, 그 상부에 금속층(170)과 불순물 비정질 규소 또는 불순물 미세 결정질 규소로 이루어진 규소층(160)을 적층한 후 냉각시킨다. 규소층(160)은 미세 결정질과 같이 고밀도를 가지며, 100도 내지 500도 범위의 온도에서 1,000 내지 3,000?? 범위의 두께로 적층하는 것이 바람직하다. 이와 같이 유기막(PR1) 상부에 무기막(160)을 고밀도로 100도 이상으로 적층하고 냉각시키면, 하부의 유기막(PR1)은 팽창되고 유기막(PR1) 상부에 위치하는 무기막(160)은 팽창에 의한 응력으로 인하여 갈라져 균열이 발생한다. As shown in FIG. 4, a photosensitive film having negative or positive photosensitivity is coated on the
이어, 감광막(PR1)을 제거하기 위해 기판(110)을 감광막 용제에 담그면 용제는 감광막(PR1)의 노출된 측면 또는 규소층(160)의 갈라진 틈을 통하여 감광막(PR1)으로 침투하고 이에 따라 감광막(PR1)은 제거된다. 이때, 감광막(PR1) 위에 위치하는 금속층(170) 및 규소층(160) 또한 리프트-오프(lift-off) 방식으로 감광막(PR1)과 함께 떨어져 나가므로, 결국 도 5에서 보는 바와 같이, 스위칭 제어 전극(124a) 및 끝 부분(129)을 포함하는 게이트선(121), 구동 입력 전극(173b)을 포함하는 구동 전압선(172), 구동 출력 전극(175b) 및 이들의 상부에 저항성 접촉층(164b)을 형성한다.Subsequently, when the
이러한 감광막(PR1)에서 내측으로 들어가는 역 테이퍼 정도는 노광 에너지와 열처리 조건에 따라 달라지는데, 노광 에너지가 감소할수록 감광막(PR1)의 상부에서 받는 에너지와 하부에서 받는 에너지의 차가 커지게 되어 역 테이퍼 정도가 커진다.The degree of reverse taper entering the inside of the photoresist film PR1 varies depending on the exposure energy and the heat treatment condition. As the exposure energy decreases, the difference between the energy received from the upper part of the photoresist film PR1 and the energy received from the lower part increases, so that the reverse taper degree increases. Gets bigger
이때, 갈라짐 현상을 보다 효과적으로 유도하기 위하여 재열처리 공정을 추가할 수도 있으며, 금속층(170)은 응력이 강한 물질로 형성하여 열 팽창에 대한 응력을 증가시킬 수도 있다. In this case, a reheating process may be added to more effectively induce a cracking phenomenon, and the
다음, 도 6에 도시한 바와 같이, 기판(110) 위에 비정질 규소층을 적층한 후 저항성 접촉층(164b)과 함께 사진 식각하여 저항성 접촉 부재(163b, 165b) 및 구동 반도체(154b)를 형성한다. Next, as shown in FIG. 6, an amorphous silicon layer is stacked on the
이때, 구상 반도체(154b)를 비정질 규소로 형성하는 경우에는 고상 결정화 따위의 결정화 방법을 이용하여 구동 반도체(154b)를 결정화하는 것이 바람직하다. In this case, when the
한편, 리프트-오프 공정으로 저항성 접촉 부재(163b, 165b)만을 형성하고 구동 반도체(154b)를 형성할 수도 있다.Meanwhile, only the
다음, 도 7에 도시한 바와 같이, 기판(110), 게이트선(121) 및 구동 반도체(154b) 위에 게이트 절연막(140), 진성 비정질 규소층 및 불순물이 도핑된 비정질 규소층을 연속하여 적층한 후 사진 식각하여 스위칭 반도체(154a) 및 저항성 접촉층(164a)를 형성한다.Next, as shown in FIG. 7, the
다음, 도 8에 도시한 바와 같이, 게이트 절연막(140) 및 저항성 접촉층(164a) 위에 금속층을 적층하고 사진 식각하여 스위칭 입력 전극(173a) 및 끝 부분(179)을 포함하는 데이터선(171), 스위칭 출력 전극(175a) 및 구동 제어 전극(124b)을 형성한다.Next, as shown in FIG. 8, a metal layer is stacked on the
이어서, 스위칭 입력 전극(173a) 및 스위칭 출력 전극(175a)을 마스크로 하여 저항성 접촉층(164a)을 식각하여 한 쌍의 저항성 접촉 부재(163a, 165a)를 형성한다.Subsequently, the
다음, 도 9에 도시한 바와 같이, 기판 전면에 보호막(180)을 적층하고 사진 식각하여 복수의 접촉 구멍(181, 182, 184, 185a, 185b)을 형성한다.Next, as shown in FIG. 9, the
다음, 도 10에 도시한 바와 같이, 보호막(180) 위에 ITO를 증착한 후 사진 식각하여 복수의 화소 전극(191), 연결 부재(85) 및 복수의 접촉 보조 부재(81, 82)를 형성한다.Next, as shown in FIG. 10, after the ITO is deposited on the
다음, 도 2 및 도 3에 도시한 바와 같이, 화소 전극(191), 연결 부재(85), 복수의 접촉 보조 부재(81, 82) 및 보호막(180) 위에 감광성 유기막을 도포한 후 노광 및 현상하여 복수의 개구부(365)를 가지는 격벽(361)을 형성한다.Next, as shown in FIGS. 2 and 3, after the photosensitive organic layer is coated on the
이어서, 개구부(365)에 정공 수송층(도시하지 않음) 및 발광층(도시하지 않음)을 포함한 발광 부재(370)를 형성한다. 발광 부재(370)는 잉크젯 인쇄(inkjet printing) 방법 등의 용액 방법(solution process) 또는 증착(deposition)으로 형성할 수 있으며, 그 중 잉크젯 헤드(inkjet head)(도시하지 않음)를 이동시키며 개구부(365)에 용액을 적하하는 잉크젯 인쇄방법이 바람직하며, 이 경우 각 층의 형 성 후 건조 단계가 뒤따른다. Subsequently, a
마지막으로, 격벽(361) 및 발광 부재(370) 위에 공통 전극(270)을 형성한다.Finally, the
이러한 본 발명의 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 제조 방법에서는 리프트-오프공정으로 저항성 접촉 부재(163b, 165b)를 분리하여 완성함으로써 저항성 접촉 부재(163b, 165b)의 잔류하거나 불균일하게 식각되는 것을 방지할 수 있다. 또한, 저항성 접촉 부재(163b, 165b)를 형성한 다음 구동 반도체(154b)를 형성함으로써 구동 박막 트랜지스터가 손상되는 것을 방지할 수 있어 구동 박막 트랜지스터의 특성을 안정적으로 확보할 수 있다. 또한, 신호선을 구동 반도체(154b)를 형성하기 전에 형성함으로써 구동 반도체(154b)가 오염되는 것을 방지할 수 있다.In the method of manufacturing the organic light emitting diode display according to the exemplary embodiment of the present invention, the
[실시예 2]Example 2
이하, 도 1에 도시한 유기 발광 표시 장치의 또 다른 구조에 대하여 도 11 및 도 12를 도 1과 함께 참고하여 상세하게 설명한다.Hereinafter, another structure of the OLED display illustrated in FIG. 1 will be described in detail with reference to FIGS. 11 and 12 together with FIG. 1.
전술한 실시예와 동일한 내용은 생략한다.The same content as in the above-described embodiment is omitted.
도 11은 본 발명의 다른 한 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 배치도이고, 도 12는 도 11의 유기 발광 표시 장치를 XII-XII 선을 따라 자른 단면도이다.FIG. 11 is a layout view of an organic light emitting diode display according to another exemplary embodiment. FIG. 12 is a cross-sectional view of the organic light emitting diode display of FIG. 11 taken along a line XII-XII.
절연 기판(110) 위에 미세 결정질 반도체 또는 다결정 반도체로 만들어진 구동 반도체(154b)가 형성되어 있다. A driving
기판(110) 및 구동 반도체(154b) 위에는 스위칭 제어 전극(124a) 및 끝 부분(129)을 포함하는 복수의 게이트선(121), 구동 입력 전극(173b)을 포함하는 구동 전압선(172) 및 구동 출력 전극(175b)이 형성되어 있다.On the
구동 반도체(154b)와 구동 전압선(172) 사이 및 구동 반도체(154b)와 구동 출력 전극(175b) 사이에는 각각 복수 쌍의 저항성 접촉 부재(163b, 165b)가 형성되어 있다. 이 때, 저항성 접촉 부재(163b, 165b)는 구동 전압선(172) 및 구동 출력 전극(175b)과 실질적으로 다른 평면 모양을 가지지만, 동일한 평면 모양을 가질 수 있다.A plurality of pairs of
게이트선(121), 구동 전압선(172) 및 구동 출력 전극(175b) 위에는 게이트 절연막(140)이 형성되어 있다.The
게이트 절연막(140) 위에는 수소화 비정질 규소로 만들어진 복수의 스위칭 반도체(154a)가 형성되어 있다. 스위칭 반도체(154a)는 스위칭 제어 전극(124a)과 중첩되어 있다.A plurality of switching
스위칭 반도체(154a) 및 게이트 절연막(140) 위에는 스위칭 입력 전극(173a) 및 끝 부분(179)을 포함하는 데이터선(171), 스위칭 출력 전극(175a) 및 구동 제어 전극(124b)이 형성되어 있다.A
스위칭 입력 전극(173a) 및 스위칭 출력 전극(175a)은 스위칭 제어 전극(124a)과 일부 중첩되어 있으며, 스위칭 반도체(154a)를 중심으로 서로 마주한다.The switching
구동 제어 전극(124b)은 구동 입력 전극(173b) 및 구동 출력 전극(175b) 상부에서 구동 반도체(154b)와 일부 중첩되어 있다.The driving
스위칭 반도체(154a)와 스위칭 입력 전극(173a) 사이 및 스위칭 반도체(154a)와 스위칭 출력 전극(175a) 사이에는 각각 복수 쌍의 저항성 접촉 부 재(163a, 165a)가 형성되어 있다. 저항성 접촉 부재(163a, 165a)는 인(P) 따위의 n형 불순물이 고농도로 도핑되어 있는 비정질 규소 따위로 만들어질 수 있다.A plurality of pairs of
데이터선(171), 스위칭 출력 전극(175a) 및 구동 제어 전극(124b) 위에는 보호막(180)이 형성되어 있다.The
보호막(180)에는 스위칭 출력 전극(175a), 구동 제어 전극(124b) 및 데이터선(171)의 끝 부분(179)을 드러내는 복수의 접촉 구멍(185a, 184, 182)이 형성되어 있으며, 보호막(180) 및 게이트 절연막(140)에는 게이트선(121)의 끝 부분(129) 및 구동 출력 전극(175b)을 드러내는 복수의 접촉 구멍(181, 185b)이 형성되어 있다.The
보호막(180) 위에는 복수의 화소 전극(191), 연결 부재(85) 및 복수의 접촉 보조 부재(81, 82)가 형성되어 있다. A plurality of
화소 전극(191)은 구동 출력 전극(175b)과 전기적으로 연결되어 있으며, 연결 부재(85)는 스위칭 출력 전극(175a) 및 구동 제어 전극(124b)에 연결되어 있다.The
화소 전극(191), 연결 부재(85) 및 접촉 보조 부재(81, 82) 위에는 개구부(365)를 가지는 격벽(361)이 형성되어 있다. A
격벽(361)이 정의하는 화소 전극(191) 위의 개구부(365)에는 유기 발광 부재(370)가 형성되어 있고, 격벽(361) 및 유기 발광 부재(370) 위에는 공통 전극(270)이 형성되어 있다. An organic
그러면 도 10 및 도 11에 도시한 유기 발광 표시 장치를 제조하는 방법에 대하여 도 12 내지 도 19를 참고하여 상세하게 설명한다.Next, a method of manufacturing the OLED display illustrated in FIGS. 10 and 11 will be described in detail with reference to FIGS. 12 to 19.
도 13 내지 도 19는 도 11 및 도 12의 유기 발광 표시 장치를 본 발명의 한 실시예에 따라 제조하는 방법을 차례로 도시한 단면도이다.13 to 19 are cross-sectional views sequentially illustrating a method of manufacturing the organic light emitting diode display of FIGS. 11 and 12 according to an exemplary embodiment of the present invention.
도 13에 도시한 바와 같이, 기판(110) 위에 결정 규소층 또는 비정질 규소층을 적층한 후 마스크를 이용한 사진 식각 공정으로 패터닝하여 구동 반도체(154b)를 형성한다.As shown in FIG. 13, the driving
이어서, 도 14에 도시한 바와 같이, 기판(110) 및 구동 반도체(154b) 위에 양성의 감광성을 가지는 감광성 유기막을 도포하고 사진 공정으로 패터닝하여 감광막(PR2)를 형성한다. 이어 그 상부에 고밀도를 가지며 불순물이 도핑된 미세 결정 규소층(160)을 100 내지 500도의 범위의 온도에서 1,000-3,000?? 범위의 두께로 적층한 냉각시킨다. 그러면, 앞의 실시예와 동일하게 감광막(PR2) 상부에 위치하는 규소층(160)에서는 균열이 발생한다. 이어, 기판(110)을 감광막 용제에 담그면 용제는 규소층(160)의 갈라진 틈을 통하여 감광막(PR2)으로 침투하고 이에 따라 감광막(PR2) 및 그 상부의 규소층(160)은 제거된다. 여기서, 도면에서 빗금 친 부분은 감광막(PR2) 및 규소층(160)이 제거되는 부분을 나타낸 것이다.Subsequently, as illustrated in FIG. 14, a photosensitive organic film having positive photosensitivity is coated on the
한편, 구동 반도체(154b)가 비정질 규소인 경우에는 저항성 접촉 부재(163b, 165b)를 완성한 다음, 고상 결정화 따위의 결정화 방법을 이용하여 구동 반도체(154b)를 결정화하는 것이 바람직하다.On the other hand, when the driving
다음, 도 15에 도시한 바와 같이, 기판(110) 위에 금속층을 적층하고 마스크를 이용한 사진 식각 공정으로 패터닝하여 스위칭 제어 전극(124a) 및 끝 부분(129)을 포함하는 게이트선(121), 구동 입력 전극(173b)을 포함하는 구동 전압선(172) 및 구동 출력 전극(175b)을 형성한다.Next, as illustrated in FIG. 15, the
한편, 구동 반도체(154b)를 형성한 다음, 앞의 실시예와 유사하게 도핑된 규층과 금속층을 연속으로 적층하고 리프트-오프 공정으로 게이트선(121), 구동 전압선(172) 및 구동 출력 전극(175b)과 저항성 접촉 부재(163b, 165b)를 함께 할 수 있다.On the other hand, after the driving
다음, 도 16에 도시한 바와 같이, 기판(110), 게이트선(121), 구동 전압선(172) 및 구동 출력 전극(175b) 위에 게이트 절연막(140), 진성 비정질 규소층 및 불순물 비정질 규소층을 연속하여 적층한 후 사진 식각하여 스위칭 반도체(154a) 및 저항성 접촉층(164a)을 형성한다.Next, as shown in FIG. 16, the
다음, 도 17에 도시한 바와 같이, 게이트 절연막(140) 및 저항성 접촉층(164a) 위에 금속층을 적층하고 사진 식각하여 스위칭 입력 전극(173a) 및 끝 부분(179)을 포함하는 데이터선(171), 스위칭 출력 전극(175a) 및 구동 제어 전극(124b)을 형성한다.Next, as shown in FIG. 17, a metal layer is stacked and photo-etched on the
이어서, 데이터선(171) 및 스위칭 출력 전극(175a)을 마스크로 하여 저항성 접촉층(164a)을 식각하여 한 쌍의 저항성 접촉 부재(163a, 165a)를 형성한다.Next, the
다음, 도 18에 도시한 바와 같이, 기판 전면에 보호막(180)을 적층하고 사진 식각하여 복수의 접촉 구멍(181, 182, 184, 185a, 185b)을 형성한다.Next, as shown in FIG. 18, the
다음, 도 19에 도시한 바와 같이, 보호막(180) 위에 ITO를 증착한 후 사진 식각하여 복수의 화소 전극(191), 연결 부재(85) 및 복수의 접촉 보조 부재(81, 82)를 형성한다.Next, as shown in FIG. 19, ITO is deposited on the
다음, 도 11 및 도 12에 도시한 바와 같이, 화소 전극(191), 연결 부재(85), 복수의 접촉 보조 부재(81, 82) 및 보호막(180) 위에 감광성 유기막을 도포한 후 노광 및 현상하여 복수의 개구부(365)를 가지는 격벽(361)을 형성한다.Next, as illustrated in FIGS. 11 and 12, after the photosensitive organic layer is coated on the
이어서, 개구부(365)에 정공 수송층(도시하지 않음) 및 발광층(도시하지 않음)을 포함한 발광 부재(370)를 형성한다. Subsequently, a
마지막으로, 격벽(361) 및 발광 부재(370) 위에 공통 전극(270)을 형성한다.Finally, the
이와 같은 본 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 제조 방법에서는 응력을 이용한 리프트-오프 공정으로 형성함으로써 저항성 접촉 부재(163b, 165b)를 균일하게 패터닝할 수 있으며, 구동 반도체(154b)의 표면이 손상되는 것을 방지할 수 있다. 따라서, 박막 트랜지스터의 특성을 균일하고 안정적으로 확보할 수 있다. In the method of manufacturing the organic light emitting diode display according to the present exemplary embodiment, the
이상에서 본 발명의 바람직한 실시예들에 대하여 상세하게 설명하였지만 본 발명의 권리 범위는 이에 한정되는 것은 아니고 다음의 청구 범위에서 정의하고 있는 본 발명의 기본 개념을 이용한 당업자의 여러 변형 및 개량 형태 또한 본 발명의 권리 범위에 속하는 것이다.Although the preferred embodiments of the present invention have been described in detail above, the scope of the present invention is not limited thereto, and various modifications and improvements of those skilled in the art using the basic concepts of the present invention defined in the following claims are also provided. It belongs to the scope of the invention.
이상에서 설명한 바와 같이, 본 발명에서는 저항성 접촉 부재를 응력을 이용한 리프트-오프 공정으로 패터닝함으로써 구동 박막 트랜지스터의 특성을 균일하게 향상시킬 수 있으며, 신호선과 함께 패터닝함으로써 제조 공정을 단순화할 수 있다. As described above, in the present invention, the resistive contact member may be patterned by a lift-off process using stress to uniformly improve the characteristics of the driving thin film transistor, and the patterning together with the signal line may simplify the manufacturing process.
Claims (8)
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020060123540A KR20080051819A (en) | 2006-12-07 | 2006-12-07 | Method for manufacturing organic light emitting device |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020060123540A KR20080051819A (en) | 2006-12-07 | 2006-12-07 | Method for manufacturing organic light emitting device |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20080051819A true KR20080051819A (en) | 2008-06-11 |
Family
ID=39806750
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020060123540A KR20080051819A (en) | 2006-12-07 | 2006-12-07 | Method for manufacturing organic light emitting device |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
KR (1) | KR20080051819A (en) |
-
2006
- 2006-12-07 KR KR1020060123540A patent/KR20080051819A/en not_active Application Discontinuation
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR101294260B1 (en) | Organic light emitting diode display and method for manufacturing the same | |
KR101293562B1 (en) | Organic light emitting diode display and method for manufacturing the same | |
JP5302033B2 (en) | Organic light-emitting display device and method for manufacturing the same | |
KR101251998B1 (en) | Organic light emitting diode display and method for manufacturing the same | |
KR20070081829A (en) | Organic light emitting diode display and method for manufacturing the same | |
KR101209041B1 (en) | Organic light emitting diode display and method for manufacturing the same | |
KR101240651B1 (en) | Display device and method for manufacturing the same | |
US7710019B2 (en) | Organic light-emitting diode display comprising auxiliary electrodes | |
EP1821343B1 (en) | Display device and manufacturing method thereof | |
KR101240648B1 (en) | Organic light emitting diode display and method for manufacturing the same | |
KR101240649B1 (en) | Organic light emitting diode display and method for manufacturing the same | |
KR20080053646A (en) | Method for manufacturing an organic light emitting device | |
KR20080054547A (en) | Organic light emitting device | |
KR20080061167A (en) | Organic light emitting device | |
KR20070045690A (en) | Organic light emitting diode display and method for manufacturing thereof | |
KR101367130B1 (en) | Organic light emitting diode display | |
KR20080050690A (en) | Method for manufacturing organic light emitting diode display | |
KR20080051819A (en) | Method for manufacturing organic light emitting device | |
KR101143006B1 (en) | Organic light emitting diode display and method for manufacturing thereof | |
KR20080006894A (en) | Display device and method for manufacturing the same | |
KR20080055247A (en) | Method for manufacturing of organic light emitting diode display |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
WITN | Application deemed withdrawn, e.g. because no request for examination was filed or no examination fee was paid |