KR20080047099A - Spreading apparatus and spacer spreading method using the same - Google Patents

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문연규
송영걸
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삼성전자주식회사
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Abstract

A spreading apparatus and a spacer spreading method by using the same are provided to perform a spreading process and a baking process within one chamber, thereby reducing the processing time. A nozzle(410) scatters the spacer. A substrate stage(200) is located oppositely to the nozzle. A substrate is seated on the substrate stage. The substrate stage includes a heating member(210). The heating member is a heating line. The heating line is buried in the inside of the substrate stage. Plural heating lines are controlled independently. A support member is extended and protruded to the upper portion of the substrate stage. The substrate(G) is seated on the upper portion of the support member. Plural penetration holes are formed up and down to the substrate support member. Lift pins are equipped to the penetration holes and moved up and down.

Description

산포 장치 및 이를 이용한 스페이서 산포 방법{SPREADING APPARATUS AND SPACER SPREADING METHOD USING THE SAME}Spreader and Spacer Spreading Method Using the Same {SPREADING APPARATUS AND SPACER SPREADING METHOD USING THE SAME}

도 1은 본 발명에 따른 스페이서 산포 장치를 나타낸 개략 단면도이다.1 is a schematic cross-sectional view showing a spacer spreading apparatus according to the present invention.

도 2 및 도 3은 본 발명의 따른 기판 스테이지의 평면 단면도이다.2 and 3 are planar cross-sectional views of the substrate stage according to the present invention.

도 4 내지 도 6은 본 발명에 따른 기판 스테이지의 변형예를 나타낸 단면도이다.4 to 6 are cross-sectional views showing a modification of the substrate stage according to the present invention.

도 7은 본 발명에 따른 스페이서 산포 방법을 나타낸 순서도이다.7 is a flowchart illustrating a spacer spreading method according to the present invention.

< 도면 주요 부분에 대한 부호의 설명 >             <Description of the code | symbol about the principal part of drawings>

100: 챔버 200: 기판 스테이지100: chamber 200: substrate stage

210: 가열 수단 220: 지지부210: heating means 220: support

300: 기판 승강기 410: 노즐300: substrate lift 410: nozzle

420: 중공 430: 연결관420: hollow 430: connector

440: 스페이서 공급부 G: 기판440: spacer supply portion G: substrate

본 발명은 산포 장치에 관한 것으로, 보다 상세하게는 스페이서의 산포 및 베이킹 공정을 단축하기 위한 산포 장치 및 이를 이용한 산포 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a spreading device, and more particularly, to a spreading device for shortening the spreading and baking process of the spacer and a spreading method using the same.

일반적으로, 평판 표시 장치(FPD; Flat Panel Display)는 데스크탑 컴퓨터의 모니터 뿐만 아니라, 노트북 컴퓨터, PDA 등의 휴대용 컴퓨터나 휴대 전화 단말기 등의 소형 경량화된 시스템을 구현하는데 필수적인 표시 장치로, 이러한 평판 표시 장치는 액정 표시 장치(LCD; Liquid Crystal Display), 플라즈마 표시 장치(PDP; Plasma Display Panel), 전계 방출 표시 장치(FED; Field Emission Display) 등이 있다.In general, a flat panel display (FPD) is a display device essential for realizing a compact and lightweight system such as a monitor of a desktop computer, a portable computer such as a notebook computer, a PDA, or a mobile phone terminal. The device includes a liquid crystal display (LCD), a plasma display panel (PDP), a field emission display (FED), and the like.

특히, 액정 표시 장치는 소형화, 경량화 및 저전력 소비화 등의 이점을 가지고 있어서 기존의 브라운관(CRT; Cathode Ray Tube)의 단점을 극복할 수 있는 대체 수단으로서 점차 주목받아 왔고, 현재는 평판 표시 장치를 필요로 하는 소형 및 중대형 제품으로 다양하게 적용되고 있다.In particular, the liquid crystal display has been attracting attention as an alternative means to overcome the disadvantages of the conventional cathode ray tube (CRT) due to its advantages such as miniaturization, light weight, and low power consumption. It is applied to various small and medium sized products.

상기 액정 표시 장치의 제조 공정은 기판 세정과, 기판 패터닝, 배향막 형성, 기판 합착/액정 주입, 실장 공정 및 테스트 공정으로 나뉘어진다. 이때, 기판 합착/액정주입 공정에서는 하부 기판 상에 배향막을 도포하고 러빙하는 공정에 이어, 실(Seal)을 이용한 상하부 기판 합착 공정, 액정 주입, 주입구 봉지 공정이 순차적으로 이루어진다.The manufacturing process of the liquid crystal display is divided into substrate cleaning, substrate patterning, alignment film formation, substrate bonding / liquid crystal injection, mounting process, and test process. At this time, in the substrate bonding / liquid crystal injection process, the alignment film is coated and rubbed on the lower substrate, followed by the upper and lower substrate bonding processes using a seal, the liquid crystal injection, and the injection hole encapsulation process.

이와 같은 공정 중에서 하부 기판에는 박막 트랜지스터(Thin Film Transistor, TFT)가 형성된 후, 상부 및 하부 기판들이 합착할 때 액정셀의 셀갭(Cell Gap)을 규제하고 적당한 액정층의 두께를 유지하여 액정층 두께의 불균일로 인하여 발생하는 표시얼룩과 시인성 저하를 방지하기 위하여 스페이서(Spacer) 를 산포하게 된다.In this process, a thin film transistor (TFT) is formed on the lower substrate, and when the upper and lower substrates are bonded together, the cell gap of the liquid crystal cell is regulated and the thickness of the liquid crystal layer is maintained by maintaining an appropriate thickness of the liquid crystal layer. In order to prevent display spots and visibility deterioration caused by nonuniformity of the spacers, the spacers are dispersed.

이때, 상기 기판에 산포된 스페이서의 경우 진동 및 충격 발생 시 스페이서가 이동하게 되고 그 결과 배향막에 손상을 주어 빛샘 불량이 발생하게 되기 때문에 상기 기판에 스페이서를 산포한 후, 상기 스페이서가 산포된 기판을 베이크 장치로 이동하여 스페이서를 기판에 고착시키는 방법을 적용하고 있다.In this case, in the case of the spacers scattered on the substrate, the spacers are moved when vibrations and shocks occur, and as a result, damage to the alignment layer causes light leakage. Therefore, after the spacers are scattered on the substrate, the spacers are scattered. The method of moving to a baking apparatus and fixing a spacer to a board | substrate is applied.

하지만, 상기와 같은 방법은 산포 장치에서 베이크 장치로 이동하는 시간 및 공정 단계가 길고, 총 공정에 걸리는 시간이 상당히 소요되어 공정 효율을 떨어뜨리는 문제점을 야기시킨다.However, such a method takes a long time and a process step to move from the spreading apparatus to the baking apparatus, and the time required for the total process is considerably long, which causes a problem of lowering the process efficiency.

상기와 같은 문제점을 해결하기 위해 본 발명의 산포 장치 및 이를 이용한 스페이서 산포 방법은 스페이서 공정 단계를 줄여 공정 시간 및 공정 효율을 높이기 위한 산포 장치 및 이를 이용한 스페이서 산포 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.In order to solve the above problems, an object of the present invention is to provide a scattering apparatus and a spacer scattering method using the same according to the present invention.

상술한 목적을 달성하기 위하여 본 발명의 산포 장치는 스페이서를 산포하는 노즐과, 상기 노즐과 대향 위치하고 기판이 안착되는 기판 스테이지를 포함하고, 상기 기판 스테이지는 가열 수단을 구비한 것을 특징으로 한다.In order to achieve the above object, the spreading apparatus of the present invention includes a nozzle dispersing a spacer, a substrate stage positioned opposite to the nozzle and on which a substrate is seated, wherein the substrate stage includes heating means.

상기 가열 수단은 열선인 것을 특징으로 한다.The heating means is characterized in that the hot wire.

상기 열선은 상기 기판 스테이지의 내부에 매설되어 있는 것을 특징으로 한다.The hot wire is embedded in the substrate stage.

상기 열선은 다수개로 구비되고, 각각은 독립적으로 제어되는 것을 특징으로 한다.The heating wire is provided in plurality, each of which is characterized in that it is controlled independently.

상기 기판 스테이지의 상부에 연장 돌출된 지지부를 더 포함하는 것을 특징으로 한다.It characterized in that it further comprises a support extending protruding on the upper portion of the substrate stage.

상기 지지부 상부에 상기 기판이 안착되는 것을 특징으로 한다.The substrate is mounted on the support.

상기 기판 지지부에는 상하로 관통 형성된 다수의 관통홀을 더 포함하고, 상기 관통홀에는 상하로 이동 가능한 리프트 핀이 더 구비된 것을 특징으로 한다.The substrate support further includes a plurality of through holes penetrated up and down, and the through holes are further provided with lift pins movable up and down.

상술한 목적을 달성하기 위하여 본 발명의 산포 방법은 기판을 로딩하는 단계와, 상기 기판 상부에 스페이서를 산포함과 동시에 상기 기판을 가열하는 단계와, 상기 기판을 언로딩하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.In order to achieve the above object, the scattering method of the present invention includes the steps of loading a substrate, heating the substrate simultaneously with scattering a spacer on the substrate, and unloading the substrate. It is done.

이하, 도면을 참조하여 본 발명의 실시예를 상세히 설명하기로 한다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 것이며, 단지 본 실시예들은 본 발명의 개시가 완전하도록 하며, 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이다. 도면상의 동일 부호는 동일한 요소를 지칭한다.Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. However, the present invention is not limited to the embodiments disclosed below, but will be implemented in various forms, and only the embodiments are intended to complete the disclosure of the present invention, and to those skilled in the art to fully understand the scope of the invention. It is provided to inform you. Like reference numerals in the drawings refer to like elements.

도 1은 본 발명에 따른 스페이서 산포 장치를 나타낸 개략 단면도이고, 도 2 및 도 3은 본 발명의 따른 기판 스테이지의 평면 단면도이고, 도 4 내지 도 6은 본 발명에 따른 기판 스테이지의 변형예를 나타낸 단면도이고, 도 7은 본 발명에 따른 스페이서 산포 방법을 나타낸 순서도이다.1 is a schematic cross-sectional view showing a spacer spreading apparatus according to the present invention, FIGS. 2 and 3 are planar cross-sectional views of a substrate stage according to the present invention, and FIGS. 4 to 6 show a modification of the substrate stage according to the present invention. 7 is a cross-sectional view illustrating a spacer spreading method according to the present invention.

도 1을 참조하면, 상기 산포 장치는 챔버(100)와, 상기 챔버(100) 내의 상부에 위치한 노즐부(400)와, 상기 노즐부(400)와 대향 위치하여 가열 수단(210)을 구비한 기판 스테이지(200)를 포함한다.Referring to FIG. 1, the dispersing apparatus includes a chamber 100, a nozzle unit 400 positioned at an upper portion of the chamber 100, and a heating unit 210 positioned opposite to the nozzle unit 400. The substrate stage 200 is included.

상기 챔버(100)는 표면이 원통형 또는 장방형 형상으로, 상기 챔버(100)의 형상은 상기 기판(G)의 형상과 대응하도록 형성함이 바람직하다.The chamber 100 may have a cylindrical surface or a rectangular shape, and the shape of the chamber 100 may correspond to the shape of the substrate G.

상기 노즐부(400)는 상기 챔버(100) 내의 상부에 위치하고, 상기 기판(G)에 스페이서를 분사하는 노즐(410)과, 상기 노즐(410)에 스페이서를 공급하는 스페이서 공급부(440)를 포함한다.The nozzle unit 400 is positioned above the chamber 100, and includes a nozzle 410 for injecting a spacer onto the substrate G and a spacer supply unit 440 for supplying a spacer to the nozzle 410. do.

상기 노즐(410)의 하부에는 다수의 중공(420)이 형성되어 있으며, 상기 중공(420)을 통해 스페이서를 상기 기판(G)의 상부에 산포하게 된다. 이때, 상기 노즐(410)은 평면상에서 좌우 및 전후 방향으로 자유롭게 움직일 수 있으며, 이는 상기 스페이서를 상기 기판(G) 상부에 균일하게 산포하기 위함이다.A plurality of hollows 420 are formed below the nozzle 410, and the spacers are distributed on the substrate G through the hollows 420. At this time, the nozzle 410 can move freely in the left and right and front and rear directions on a plane, to uniformly distribute the spacer on the substrate (G).

상기 스페이서 공급부(440)는 상기 노즐(410)에 스페이서를 제공하는 역할을 한다. 즉, 상기 스페이서 공급부(440)는 상기 챔버(440)의 외부에 마련되고, 공기나 질소 등의 가스체의 기류와 함께 스페이서를 상기 노즐(410)에 공급한다. 이때, 상기 노즐(410)과 스페이서 공급부(440) 사이에는 상기 스페이서 공급부(440)와 노즐(410)을 연결하는 연결관(SUS pipe, 430)이 연결되어 있어, 상기 스페이서 공급부(440)로부터 연결관(430)을 통해 상기 노즐(410)로 스페이서가 제공된다.The spacer supplier 440 serves to provide a spacer to the nozzle 410. That is, the spacer supply unit 440 is provided outside the chamber 440, and supplies the spacer to the nozzle 410 together with an airflow of a gas body such as air or nitrogen. In this case, a connection pipe (SUS pipe) 430 connecting the spacer supply part 440 and the nozzle 410 is connected between the nozzle 410 and the spacer supply part 440, thereby connecting from the spacer supply part 440. A spacer is provided to the nozzle 410 through a tube 430.

상기 기판 스테이지(200)는 상기 챔버(100) 내의 하부, 구체적으로는 상기 노즐(410)의 대향하는 하부에 마련된다. 상기 기판 스테이지(200)는 상기 기판(G) 의 형상과 대응되며, 상기 기판(G)의 크기보다 크게 형성됨이 바람직하다. 이때, 상기 기판 스테이지(200)의 내부에는 상기 기판 스테이지(200)를 가열하기 위한 가열 수단(210)이 마련되어 있다. 상기 가열 수단(210)이 마련된 기판 스테이지(200)에 대해서는 이후 도면을 참조하여 상세히 설명하기로 한다.The substrate stage 200 is provided in the lower portion of the chamber 100, specifically, the lower portion of the nozzle 410 facing the substrate stage 200. The substrate stage 200 corresponds to the shape of the substrate G, and is preferably formed larger than the size of the substrate G. At this time, the heating means 210 for heating the substrate stage 200 is provided in the substrate stage 200. The substrate stage 200 provided with the heating means 210 will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

또한, 상기 기판 스테이지(200)의 하부에는 상기 기판 스테이지(200)를 승하강시키기 위한 기판 승강기(300)가 마련되어 있다. 상기 기판 승강기(300)는 기판(G)의 반입 반출시 상기 기판 스테이지(200)를 소정 높이로 상승 및 하강시키고, 상기 산포 공정이 진행될 때, 상기 노즐(210)과 기판 스테이지(200)가 소정 간격 이격되는 위치에 고정시키는 역할을 한다.In addition, a lower portion of the substrate stage 200 is provided with a substrate lifter 300 for raising and lowering the substrate stage 200. The substrate lifter 300 raises and lowers the substrate stage 200 to a predetermined height when loading and unloading the substrate G. When the spreading process is performed, the nozzle 210 and the substrate stage 200 are predetermined. It serves to fix the position spaced apart.

이때, 상기에서는 상기 기판 스테이지(200)가 이동하여 상기 노즐(410)과 소정 간격 이격되어 배치되었으나, 상기 기판 스테이지(200)가 고정된 상태에서 상기 노즐(410)이 상하로 이동하여 상기 기판 스테이지(200)와 소정 간격을 유지할 수 있으며, 상기 노즐(410) 및 기판 스테이지(200)가 모두 이동가능하게 설치되어 상기 노즐(410) 및 기판 스테이지(200)가 이동하여 상기 노즐(410) 및 기판 스테이지(200)가 소정 간격으로 배치될 수 있음은 물론이다.In this case, the substrate stage 200 is moved to be spaced apart from the nozzle 410 by a predetermined interval, but the nozzle 410 is moved up and down while the substrate stage 200 is fixed to the substrate stage. The nozzle 410 and the substrate stage 200 may be moved to each other, and the nozzle 410 and the substrate stage 200 may be moved to move the nozzle 410 and the substrate. Of course, the stage 200 may be arranged at predetermined intervals.

한편, 기판 스테이지(200)의 내부에는 가열 수단 즉, 열선(210)이 마련되어 있다. 즉, 상기 열선(210)은 도 2에 도시된 바와 같이, 상기 기판 스테이지(200)의 내부를 선회하여 형성할 수 있으며, 지그재그로 배치할 수도 있다. 즉, 상기와 같은 열선(210)의 배치는 상기 기판 스테이지(200)의 전부분을 균일하게 가열시킬 수 있는 효과가 있다.On the other hand, a heating means, that is, a heating wire 210 is provided inside the substrate stage 200. That is, as shown in FIG. 2, the hot wire 210 may be formed by turning the inside of the substrate stage 200 or may be disposed in a zigzag manner. That is, the arrangement of the heating wire 210 as described above has the effect of uniformly heating the entire portion of the substrate stage 200.

또한, 상기 열선(210)의 양끝에는 상기 열선(210)을 가열시키기 위한 전원 공급 부재(미도시)가 있으며, 상기 전원 공급 부재에 의해 상기 기판 스테이지(200)의 내부에 마련된 열선(210)에 전원을 가할 수 있다.In addition, a power supply member (not shown) for heating the heating wire 210 is provided at both ends of the heating wire 210, and is provided to the heating wire 210 provided inside the substrate stage 200 by the power supply member. Power can be applied.

따라서, 상기 기판(G)이 챔버(100) 내로 로딩되어 상기 기판 스테이지(200)의 상부에 안착되면, 상기 전원 공급 부재에 의해 상기 열선(210)에 전원이 가해지고, 상기 열선(210)에 의해 상기 기판 스테이지(200)의 전부분에 열이 가해진다. 이후, 상기 기판 스테이지(200)의 열에 의해 상기 기판 스테이지(200) 상부에 안착된 기판(G)에 열이 전도되어 가해진다.Therefore, when the substrate G is loaded into the chamber 100 and seated on the substrate stage 200, power is applied to the heating wire 210 by the power supply member, and to the heating wire 210. As a result, heat is applied to all parts of the substrate stage 200. Thereafter, heat is conducted and applied to the substrate G seated on the substrate stage 200 by the heat of the substrate stage 200.

또한, 상기 기판 스테이지(200)는 도 4에 도시된 바와 같이 구성될 수 있다. 즉, 상기 기판 스테이지(200)의 내부에는 다수의 열선(210)이 마련되어 있으며, 상기 열선(210)은 각각 또는 동시에 동작할 수 있다. 상기와 같은 구성은 각각의 열선(210)을 제어함으로써, 하나의 열선에 의해 불균일하게 가열될 수 있는 단점을 보완할 수 있는 효과가 있다. 따라서, 상기 기판(G)이 상기 기판 스테이지(200)에 안착되면, 다수개의 열선(210)을 동작시키고, 이에 의해 기판 스테이지(200)에 안착된 기판(G)을 균일하게 가열시킬 수 있다.In addition, the substrate stage 200 may be configured as shown in FIG. 4. That is, a plurality of hot wires 210 are provided in the substrate stage 200, and the hot wires 210 may operate individually or simultaneously. The configuration as described above has the effect of compensating for the disadvantage that it can be unevenly heated by one heating wire by controlling each heating wire 210. Therefore, when the substrate G is seated on the substrate stage 200, the plurality of hot wires 210 may be operated to thereby uniformly heat the substrate G seated on the substrate stage 200.

또한, 상기 기판 스테이지(200)는 도 5에 도시된 바와 같이 구성될 수 있다. 즉, 상기 기판 스테이지(200)의 내부에는 열선(210)이 마련되고, 상기 기판 스테이지(200)의 상부에는 상기 기판 스테이지(200)의 상부로 돌출 형성된 지지부(220)가 더 형성된다. In addition, the substrate stage 200 may be configured as shown in FIG. 5. That is, the heating wire 210 is provided inside the substrate stage 200, and a support portion 220 protruding to the upper portion of the substrate stage 200 is further formed on the substrate stage 200.

즉, 상기와 같은 구성은 상기 기판(G)을 상기 지지부(220)에 안착시킴으로 써, 상기 기판(G)을 상기 기판 스테이지(200)와 비접촉식으로 가열할 수 있다. 이는 도 3 및 도 4에 도시된 바와 같은 구성인 경우, 상기 기판(G)과 상기 기판 스테이지(200)와 접촉하여 있기 때문에 위치별로 가열 정도가 달라질 수 있는 단점이 있으므로, 상기 도 5에 도시된 바와 같이 구성하면, 이와 같은 문제점을 보완할 수 있다.That is, in the above configuration, the substrate G may be mounted on the support part 220 to heat the substrate G in a non-contact manner with the substrate stage 200. 3 and 4, since the contact with the substrate G and the substrate stage 200 has a disadvantage in that the degree of heating may vary depending on the location, it is shown in FIG. The configuration as described above can compensate for such a problem.

또한, 상기 기판 스테이지(200)는 도 6에 도시된 바와 같이 구성될 수 있다. 즉, 상기 기판 스테이지(200)의 내부에는 열선(210)이 마련되고, 상기 기판 스테이지(200)의 내부에는 상기 기판 스테이지(200)의 상하를 관통하는 다수의 관통홀(230)이 형성되고, 상기 관통홀(230)을 따라 이동가능한 리프트 핀(240)이 마련된다. In addition, the substrate stage 200 may be configured as shown in FIG. 6. That is, the heating wire 210 is provided in the substrate stage 200, and a plurality of through holes 230 penetrating the upper and lower portions of the substrate stage 200 are formed in the substrate stage 200. A lift pin 240 movable along the through hole 230 is provided.

즉, 상기 관통홀(230)에는 상기 리프트 핀(240)이 이동할 수 있는 크기로 형성하고, 상기 관통홀(230)의 상부는 상기 리프트 핀(240)이 상기 기판 스테이지(200)의 상부면보다 낮은 위치에 배치될 수 있도록 홈을 형성할 수 있다. 또한, 상기 다수의 리프트 핀(240)에는 상기 리프트 핀(240)을 승하강 시킬 수 있는 제어부(250)가 마련되어 있으며, 상기 제어부(250)는 상기 다수의 리프트 핀(240)의 승하강을 제어할 수 있다.That is, the lift pin 240 is formed in a size through which the lift pin 240 can move, and the upper portion of the through hole 230 has the lift pin 240 lower than the upper surface of the substrate stage 200. Grooves can be formed to be placed in position. In addition, the plurality of lift pins 240 are provided with a control unit 250 for raising and lowering the lift pins 240, and the control unit 250 controls the raising and lowering of the plurality of lift pins 240. can do.

상기와 같은 구성은 상기 기판(G)을 상기 리프트 핀(240)에 안착시켜 공정을 진행함으로써, 상기 기판(G)을 상기 기판 스테이지(200)와 비접촉식으로 가열할 수 있다. 또한, 이와 동시에 상기 리프트 핀(240)은 상기 기판(G)이 챔버(100) 내로 로딩될 때, 상기 리프트 핀(240)을 상승시켜 상기 기판(G)을 안착시킬 수 있으며, 이에 의해 상기 기판 스테이지(200) 하부에 마련된 기판 승강기(300)를 생략할 수 있다.In such a configuration, the substrate G may be heated in contact with the substrate stage 200 by mounting the substrate G on the lift pins 240 to perform a process. At the same time, when the substrate G is loaded into the chamber 100, the lift pin 240 may lift the lift pin 240 to seat the substrate G, thereby allowing the substrate G to be seated. The substrate elevator 300 provided below the stage 200 may be omitted.

이하에서는 도 1을 참조하여, 상기 기판에 스페이서를 산포하는 단계를 설명한다.Hereinafter, referring to FIG. 1, a step of dispersing a spacer on the substrate will be described.

상기 스페이서를 산포하는 단계는 기판을 로딩하는 단계(S10)와, 상기 기판에 스페이서를 산포하는 단계(S20)와, 상기 기판을 가열하는 단계(S30)와, 상기 기판을 언로딩하는 단계(S40)를 포함한다.The dispersing of the spacer may include loading a substrate (S10), dispersing the spacer on the substrate (S20), heating the substrate (S30), and unloading the substrate (S40). ).

상기 기판을 로딩하는 단계(S10)를 설명하면, 상기 챔버(100) 측벽에 형성된 게이트(미도시)에 의해 상기 기판(G)이 상기 챔버(100)의 내부로 로딩되고, 상기 기판 스테이지(200)는 상기 기판 스테이지(200)의 하부에 연결된 기판 승강기(300)에 의해 상기 기판 스테이지(200)가 상승하고, 이에 의해 상기 기판(G)을 상기 기판 스테이지(200)의 상부로 안착시켜 상기 기판을 로딩하는 단계(S10)를 수행한다. Referring to the step of loading the substrate (S10), the substrate (G) is loaded into the chamber 100 by a gate (not shown) formed on the side wall of the chamber 100, the substrate stage 200 The substrate stage 200 is raised by the substrate lifter 300 connected to the lower portion of the substrate stage 200, thereby seating the substrate G on the substrate stage 200. Performing the step of loading (S10).

상기 기판을 로딩하는 단계(S10)를 마치면, 챔버(100) 외부에 마련된 스페이서 공급부(440)로부터 상기 스페이서를 공기 또는 질소 등의 가스체의 기류와 함께 스페이서를 연결관(430)을 통해 노즐(410)로 공급한다. 이후. 상기 노즐(410)의 하부에 형성된 중공(420)을 통해 상기 스페이서를 분사하고, 이에 의해 기판 스테이지(200)에 안착된 기판(G)의 상부에 스페이서가 산포되어 상기 기판(G) 상부에 스페이서를 산포하는 단계(S20)를 마친다.After the step of loading the substrate (S10), the spacer from the spacer supply unit 440 provided outside the chamber 100 together with the air stream of the gas body such as air or nitrogen through the nozzle (connecting pipe 430) 410). after. The spacer is sprayed through the hollow 420 formed under the nozzle 410, whereby a spacer is scattered on the substrate G seated on the substrate stage 200, and the spacer is disposed on the substrate G. Finish the step of dispersing (S20).

상기 기판 상부에 스페이서를 산포하는 단계(S20)를 마치면, 기판 스테이지(200)에 연결된 전원 공급 부재에 의해 상기 기판 스테이지(200)의 내부에 마련 된 열선(210)에 열을 가하고, 이에 의해 기판 스테이지(200)를 통해 상기 기판(G)을 가열하여 상기 기판을 가열하는 단계(S30)를 마친다. 이때, 상기 기판(G) 상부에 산포된 스페이서는 상기 기판(G)에 전달된 열에 의해 기판 위에 고착되게 된다.After finishing the step (S20) of dispersing the spacer on the substrate, by applying a power supply member connected to the substrate stage 200 heat is applied to the heating wire 210 provided inside the substrate stage 200, thereby The substrate 200 is heated through the stage 200, thereby completing the step S30 of heating the substrate. At this time, the spacers scattered on the substrate G are fixed on the substrate by the heat transferred to the substrate G.

이때, 상기 기판을 가열하는 단계(S30)는 상기 기판 상부에 스페이서를 산포하는 단계(S20) 이후에 수행되었지만, 상기 기판 상부에 스페이서를 산포하는 단계(S20)와 동시에 이루어질 수 있음은 물론이다.At this time, the step of heating the substrate (S30) was performed after the step of dispersing the spacers on the substrate (S20), it can be made at the same time as the step (S20) of dispersing the spacers on the substrate.

상기 기판을 가열하는 단계(S30)를 마치면, 스페이서가 산포 및 고착된 기판(G)은 챔버(100) 외부로 언로딩되어 기판을 언로딩하는 단계(S40)를 마친다.After the step of heating the substrate (S30), the substrate (G), the spacer is dispersed and fixed is unloaded to the outside of the chamber 100 to finish the step (S40) of unloading the substrate.

따라서, 상기와 같은 구성은 종래 기판에 스페이서를 산포한 후, 베이크 장치로 이동하여 베이킹하는 공정을 생략할 수 있어 공정 시간이 줄어들게 되고, 이에 의해 공정 효율이 향상된다.Therefore, in the above configuration, since the spacers are scattered on the conventional substrate, the process of moving to the baking apparatus and baking may be omitted, thereby reducing the process time, thereby improving process efficiency.

상기에서는 기판 스테이지에 하나의 기판을 안착하여 기판을 처리하였으나, 다수의 기판이 안착되어 다수의 기판을 처리할 수 있음은 물론이다.In the above, the substrate is processed by mounting one substrate on the substrate stage, but a plurality of substrates may be seated to process a plurality of substrates.

이상에서는 도면 및 실시예를 참조하여 설명하였지만, 해당 기술 분야의 숙련된 당업자는 하기의 특허청구범위에 기재된 본 발명의 기술적 사상으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명은 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.Although described above with reference to the drawings and embodiments, those skilled in the art that the present invention can be variously modified and changed within the scope without departing from the spirit of the invention described in the claims below. I can understand.

상술한 바와 같이, 본 발명의 산포 장치 및 이를 이용한 스페이서 산포 방법은 산포 공정 및 베이킹 공정을 하나의 챔버 내에서 가능하도록 구성함으로써, 공 정 시간을 줄일 수 있는 효과가 있다.As described above, the spreading apparatus and the spacer spreading method using the same of the present invention is configured to enable the spreading process and the baking process in one chamber, thereby reducing the process time.

또한, 본 발명은 산포 공정 및 베이킹 공정을 하나의 챔버 내에서 가능하도록 구성함으로써, 공정 효율을 높일 수 있는 효과가 있다.In addition, the present invention has the effect of increasing the process efficiency by configuring the spraying process and the baking process to be possible in one chamber.

Claims (8)

스페이서를 산포하는 노즐과,A nozzle dispersing the spacer, 상기 노즐과 대향 위치하고 기판이 안착되는 기판 스테이지를 포함하고,A substrate stage facing the nozzle and on which the substrate is seated; 상기 기판 스테이지는 가열 수단을 구비한 것을 특징으로 하는 산포 장치.And the substrate stage has a heating means. 청구항 1에 있어서, 상기 가열 수단은 열선인 것을 특징으로 하는 산포 장치.The dispersion apparatus according to claim 1, wherein the heating means is a hot wire. 청구항 2에 있어서, 상기 열선은 상기 기판 스테이지의 내부에 매설되어 있는 것을 특징으로 하는 산포 장치.The dispersion apparatus according to claim 2, wherein the hot wire is embedded in the substrate stage. 청구항 3에 있어서, 상기 열선은 다수개로 구비되고, 각각은 독립적으로 제어되는 것을 특징으로 하는 산포 장치.The scattering apparatus of claim 3, wherein the heating wire is provided in plurality, and each of the heating wires is independently controlled. 청구항 1 내지 청구항 4 중 어느 한 항에 있어서, 상기 기판 스테이지의 상부에 연장 돌출된 지지부를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 산포 장치.The spreading device according to any one of claims 1 to 4, further comprising a support portion extending and projecting on the substrate stage. 청구항 5에 있어서, 상기 지지부 상부에 상기 기판이 안착되는 것을 특징으로 하는 산포 장치.The apparatus of claim 5, wherein the substrate is mounted on the support. 청구항 1 내지 청구항 4 중 어느 한 항에 있어서, 상기 기판 지지부에는 상하로 관통 형성된 다수의 관통홀을 더 포함하고, 상기 관통홀에는 상하로 이동 가능한 리프트 핀이 더 구비된 것을 특징으로 하는 산포 장치.The spreading device according to any one of claims 1 to 4, wherein the substrate support further includes a plurality of through holes vertically penetrated, and the through holes further include a lift pin that is movable up and down. 기판을 로딩하는 단계와,Loading the substrate, 상기 기판 상부에 스페이서를 산포함과 동시에 상기 기판을 가열하는 단계와,Heating the substrate simultaneously with scattering spacers on the substrate; 상기 기판을 언로딩하는 단계Unloading the substrate 를 포함하는 것을 특징으로 하는 스페이서 산포 방법.Spacer spreading method comprising a.
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