KR20080045495A - 플라즈마 표시 장치 - Google Patents

플라즈마 표시 장치 Download PDF

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Abstract

본 발명은 플라즈마 표시 장치에 관한 것이다.
이를 위하여, 본 발명은 입력 전압을 변환하여 제1 전압을 생성하는 전원 공급 장치 및 제1 전극의 전압을 시간이 경과함에 따라 제1 전압보다 높은 제2전압에서 제1 전압까지 하강시키는 제1 구동회로부를 포함하며, 제1 구동회로부는, 제1단이 제1 전극에 연결되고 제2단이 제1 전압을 공급하는 제1 전원에 연결되는 제1 스위치 및 제1 전극의 전압과 제1 전압을 비교하고, 비교 결과 제1 전극의 전압이 제1 전압보다 큰 경우에만 제1 스위치를 턴 온 시키는 스위칭 제어부를 포함하며, 제1 전극의 전압은 제1 스위치가 온(ON) 상태를 유지하는 동안 제1 전압까지 하강하는 플라즈마 표시 장치를 제공한다.
본 발명에 의하면, 주사 전극(Y)의 전압이 Vnf 전압으로 유지되는 기간을 제거하여 플라즈마 표시 장치가 고온에서 동작하는 경우 발생 가능한 저 방전을 사전에 예방할 수 있다.
Figure P1020060114687
PDP, Vnf, 온도, 저 방전

Description

플라즈마 표시 장치{PLASMA DISPLAY APPARARUS}
도 1은 종래 주사 전극을 구동하는 플라즈마 표시 장치의 구동 장치의 일부를 도시한 도면이다.
도 2는 본 발명의 실시예에 따른 플라즈마 표시 장치를 나타내는 블록도이다.
도 3은 본 발명의 실시예에 따른 주사 전극 구동부(400)를 도시한 도면이다.
도 4는 본 발명의 실시예에 따른 플라즈마 표시 장치의 구동 파형을 도시한 도면이다.
본 발명은 플라즈마 표시 장치에 관한 것이다.
플라즈마 표시 장치는 기체 방전에 의해 생성된 플라즈마를 이용하여 문자 또는 영상을 표시하는 장치이다. 이러한 플라즈마 표시 패널에는 그 크기에 따라 수십에서 수백 만개 이상의 방전 셀이 매트릭스 형태로 배열되어 있다.
일반적으로 플라즈마 표시 장치에서는 한 프레임이 복수의 서브필드로 분할되어 구동되며, 복수의 서브필드 중 표시 동작이 일어나는 서브필드의 가중치의 조 합에 의해 계조가 표시된다. 각 서브필드는 리셋 기간, 어드레스 기간 및 유지 기간으로 나누어 구동된다. 리셋 기간 동안 방전 셀의 벽 전하 상태가 초기화되고, 어드레스 기간 동안 켜질 셀과 켜지지 않을 셀이 선택되며 유지 기간 동안 실제로 영상을 표시하기 위해 켜질 셀에 대하여 유지 방전이 수행된다.
일반적인 플라즈마 표시 장치는 어드레스 기간 동안 켜질 셀을 선택하기 위해 주사 전극에 인가되는 스캔 전압을 이용하여 스캔 전압보다 일정 수준 높은 전압을 리셋 기간의 종료 시점에 주사 전극에 인가하는데, 이를 위한 구동 회로를 도 1을 참조로 하여 설명한다.
도 1은 종래 주사 전극을 구동하는 플라즈마 표시 장치의 구동 장치의 일부를 도시한 도면이다.
도 1에 도시한 바와 같이, 종래 구동 장치(10)는 드레인이 주사 전극(Y)에 연결되고 소스가 VscL 전원에 연결되는 트랜지스터(YscL), 캐소드가 주사 전극(Y)에 연결되고 애노드가 트랜지스터(Yfr)의 소스에 연결되는 제너 다이오드(ZD1) 및 드레인이 제너 다이오드(ZD1)에 연결되고 소스가 VscL 전원에 연결되는 트랜지스터(Yfr)를 포함한다.
리셋 기간의 종료 시점에, 트랜지스터(Yfr)가 턴 온 되고, 트랜지스터(YscL)는 턴 오프 상태를 유지한다. 이로 인해, 주사 전극(Y)로부터 제너 다이오드(ZD1) 및 트랜지스터(Yfr)를 통해 VscL 전원으로의 전류 경로가 형성되고, 제너 다이오드(ZD1)로 인해 주사 전극(Y)에 인가되는 전압은 VscL 전압보다 일정 레벨(이하, ΔⅤ) 높은 Vnf 전압으로 유지된다.
어드레스 기간에, 트랜지스터(Yfr)가 턴 오프 되고, 트랜지스터(YscL)가 턴 온 된다. 이로 인해, 주사 전극(Y)로부터 트랜지스터(YscL)를 거쳐 VscL 전원으로의 전류 경로가 형성되고, 주사 전극(Y)에 인가되는 전압은 VscL 전압이 된다.
일반적으로, VscL 전압은 -200 V 정도이고, ΔⅤ는 대략 25 V 내외로 설정된다. 이를 위해, 25 V 정도의 항복 전압을 가지는 제너 다이오드(ZD1)를 이용한다. 그러나, 이러한 항복 전압을 가지는 제너 다이오드의 이용은 플라즈마 표시 장치의 구현 비용의 증가뿐 아니라 ΔⅤ의 크기가 제너 다이오드(ZD1)의 항복 전압의 크기로 제한되는 단점이 있었다.
또한, 실제 사용 가능한 제너 다이오드의 항복 전압의 크기도 제한되어 있으므로, 도 1로 나타낸 종래 구동 장치(10)는 플라즈마 표시 장치의 설계 호환성 및 방전 마진에 따라 ΔⅤ의 크기를 변경할 수 없었다.
또한, 플라즈마 표시 장치가 고온에서 동작하는 경우, 리셋 기간의 종료 시점에 주사 전극(Y)의 전압이 Vnf 전압으로 하강하는 속도가 빨라져 주사 전극(Y)의 전압을 Vnf 전압으로 유지하는 시간이 길어지게 되고, 이로 인한 벽 전하의 손실로 저 방전이 발생할 가능성이 많아 문제가 되어왔다.
본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는 고온에서 구동되더라도 저 방전이 발생하지 않는 플라즈마 표시 장치를 제공하는 것이다.
이러한 기술적 과제를 달성하기 위하여 본 발명의 특징에 따른 플라즈마 표 시 장치는, 복수의 제1 전극, 복수의 제2 전극 및 상기 제1 및 제2 전극과 교차하는 방향으로 형성되는 복수의 제3 전극을 포함하는 플라즈마 표시 패널, 입력 전압을 변환하여 제1 전압을 생성하는 전원 공급 장치 및 상기 제1 전극의 전압을 시간이 경과함에 따라 상기 제1 전압보다 높은 제2전압에서 상기 제1 전압까지 하강시키는 제1 구동회로부를 포함하며, 상기 제1 구동회로부는, 제1단이 상기 제1 전극에 연결되고 제2단이 상기 제1 전압을 공급하는 제1 전원에 연결되는 제1 스위치 및 상기 제1 전극의 전압과 상기 제1 전압을 비교하고, 상기 비교 결과 상기 제1 전극의 전압이 상기 제1 전압보다 큰 경우에만 상기 제1 스위치를 턴 온 시키는 스위칭 제어부를 포함하며, 상기 제1 전극의 전압은 상기 제1 스위치가 온(ON) 상태를 유지하는 동안 상기 제1 전압까지 하강한다.
아래에서는 첨부한 도면을 참고로 하여 본 발명의 실시예에 대하여 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 상세히 설명한다. 그러나 본 발명은 여러 가지 상이한 형태로 구현될 수 있으며 여기에서 설명하는 실시예에 한정되지 않는다. 그리고 도면에서 본 발명을 명확하게 설명하기 위해서 설명과 관계없는 부분은 생략하였으며, 명세서 전체를 통하여 유사한 부분에 대해서는 유사한 도면 부호를 붙였다.
명세서 전체에서, 어떤 부분이 다른 부분과 "연결"되어 있다고 할 때, 이는 "직접적으로 연결"되어 있는 경우뿐 아니라, 그 중간에 다른 소자를 사이에 두고 "전기적으로 연결"되어 있는 경우도 포함한다. 또한 어떤 부분이 어떤 구성요소를 "포함"한다고 할 때, 이는 특별히 반대되는 기재가 없는 한 다른 구성요소를 제외하 는 것이 아니라 다른 구성요소를 더 포함할 수 있는 것을 의미한다.
또한, 본 명세서에서 기재한 벽 전하란 용어는 셀의 벽(예를 들어, 유전체층) 상에서 각 전극에 가깝게 형성되는 전하를 의미한다. 벽 전하는 실제로 전극 자체에 접촉되지는 않지만, 여기서는 전극에 “형성됨”, “축적됨” 또는 “쌓임”과 같이 설명하며, 벽 전압은 벽 전하에 의해서 셀의 벽에 형성되는 전위 차를 말한다.
이제 본 발명의 실시예에 따른 플라즈마 표시 장치에 대하여 도면을 참고로 하여 상세하게 설명한다.
도 2는 본 발명의 실시예에 따른 플라즈마 표시 장치를 나타내는 블록도이다.
도 2에 나타낸 바와 같이, 본 발명의 실시예에 따른 플라즈마 표시 장치는 플라즈마 표시 패널(100), 제어장치(200), 어드레스 전극 구동부(300), 주사 전극 구동부(400), 유지 전극 구동부(500) 및 전원 공급 장치(600)를 포함한다.
플라즈마 표시 패널(100)은 열 방향으로 뻗어 있는 복수의 어드레스 전극(A1∼Am), 그리고 행 방향으로 서로 쌍을 이루면서 뻗어 있는 복수의 유지 전극(X1∼Xn) 및 주사 전극(Y1∼Yn)을 포함한다. 유지 전극(X1∼Xn)은 각 주사 전극(Y1∼Yn)에 대응해서 형성되며, 일반적으로 그 일단이 서로 공통으로 연결되어 있다. 그리고 플라즈마 표시 패널(100)은 유지 전극(X1∼Xn) 및 주사 전극(Y1∼Yn)이 배열된 기판(도시하지 않음)과 어드레스 전극(A1∼Am)이 배열된 기판(도시하지 않음)으로 이루어진다. 두 기판은 주사 전극(Y1∼Yn)과 어드레스 전극(A1∼Am) 및 유지 전극(X1∼Xn)과 어드레스 전극(A1∼Am)이 각각 직교하도록 방전 공간을 사이에 두고 대향하여 배치된다. 이때, 어드레스 전극(A1∼Am), 유지 전극(X1∼Xn) 및 주사 전극(Y1∼Yn)의 교차부에 있는 방전 공간이 방전 셀을 형성한다. 이러한 플라즈마 표시 패널(100)의 구조는 일 예이며, 아래에서 설명하는 구동 파형이 적용될 수 있는 다른 구조의 패널도 본 발명에 적용될 수 있다.
제어장치(200)는 외부로부터 영상신호를 수신하여 어드레스 전극 구동 제어 신호(Sa), 유지 전극 구동 제어신호(Sx) 및 주사 전극 구동 제어신호(Sy)를 출력한다. 그리고 제어장치(200)는 한 프레임을 복수의 서브필드로 분할하여 구동하며, 각 서브필드는 시간적인 동작 변화로 표현하면 리셋 기간, 어드레스 기간 및 유지 기간으로 이루어진다. 또한, 제어장치(200)는 전원 공급 장치(600)로부터 전달받은 DC 전압을 이용하여 어드레스 기간에 어드레스(Address)되지 않는 셀에 인가되는 스캔 하이 전압(Vscan_h)을 생성하여 주사 전극 구동부(400) 또는 유지 전극 구동부(500)로 전달한다.
어드레스 전극 구동부(300)는 제어장치(200)로부터 어드레스 전극 구동 제어신호(Sa)를 수신하여 표시하고자 하는 방전 셀을 선택하기 위한 표시 데이터 신호를 각 어드레스 전극에 인가한다.
주사 전극 구동부(400)는 제어장치(200)로부터 주사 전극 구동 제어신호(Sy)를 수신하여 주사 전극(Y)에 구동 전압을 인가한다.
유지 전극 구동부(500)는 제어장치(200)로부터 유지 전극 구동 제어신호(Sx)를 수신하여 유지 전극(X)에 구동 전압을 인가한다.
전원 공급 장치(600)는 플라즈마 표시 장치의 구동에 필요한 전원을 제어장치(200) 및 각 구동부(300, 400, 500)에 공급한다.
이하, 도 2로 나타낸 본 발명의 실시예에 따른 플라즈마 표시 장치 중 주사 전극 구동부(400)를 도 3을 참조하여 설명한다.
도 3은 본 발명의 실시예에 따른 주사 전극 구동부(400)를 도시한 도면이다.
도 3에 도시한 바와 같이, 본 발명의 실시예에 따른 주사 전극 구동부(400)는 Vnf 전압 공급부(410) 및 어드레스 구동부(420)를 포함한다. 참고로, 도 3에 도시한 본 발명의 실시예에 따른 주사 전극 구동부(400)는 본 발명의 특징이 되는 부분만을 도시한 것이다.
Vnf 전압 공급부(410)는 일단이 주사 전극(Y)에 연결되는 저항(R1), 드레인이 저항(R1)에 연결되고 소스가 Vnf 전압을 공급하는 전원(Vnf)에 연결되는 트랜지스터(Yfr), 비반전 입력 단자가 저항(R1)의 일단에 연결되고, 반전 입력 단자가 트랜지스터(Yfr)의 소스에 연결되는 비교기(412), 하나의 입력단이 비교기(412)의 출력단과 연결되고 다른 하나의 입력단을 통해 제어 장치(200)로부터 트랜지스터(Yfr) 제어 신호(Sfr)를 입력받아 두 신호를 논리곱한 결과에 따라 트랜지스터(Yfr)를 온/오프 구동시키는 논리곱 소자(414)를 포함한다.
어드레스 구동부(420)는 드레인이 VscH 전압을 공급하는 전원(VscH)에 연결되고 소스가 주사 전극(Y)에 연결되는 트랜지스터(Sch) 및 드레인이 트랜지스터(Sch)의 소스에 연결되고 소스가 저항(R1)의 일단에 연결되는 트랜지스터(scl)를 포함하는 선택회로(422) 및 드레인이 트랜지스터(Scl)의 소스에 연결되고 소스가 VscL 전압을 공급하는 전원(VscL)에 연결되는 트랜지스터(YscL)를 포함한다.
Vnf 전압 공급부(410)에 포함되는 비교기(412)는 비반전 입력 단자를 통해 입력되는 전압(이하, 기준 전압)과 반전 단자를 통해 입력되는 전압을 비교한 결과에 따라 Vcc 전압 또는 VscL 전압과 같은 전압 레벨을 갖는 신호(Sc)를 논리곱 소자(414)로 출력한다. 여기에서, 제어 장치(도 2의 200)는 저항(R1)의 일단을 통해 흐르는 전류의 량을 감지하고, 이에 따라 어드레스 구동부(420)의 선택회로(422)에 포함되는 트랜지스터(Sch, Scl)를 선택적으로 구동시키는데 이에 대해서는 후술한다.
논리곱 소자(414)는 입력되는 Sc 신호 및 Sfr 신호의 신호 레벨에 따라 트랜지스터(Yfr)를 온/오프 구동시키는데, 이를 본 발명의 실시예에 따른 플라즈마 표시 장치의 구동 파형을 나타낸 도 4를 참조하여 설명한다.
도 4는 본 발명의 실시예에 따른 플라즈마 표시 장치의 구동 파형을 도시한 도면이다.
도 4에 도시한 플라즈마 표시 장치의 구동 파형은 하나의 서브필드내의 구동 파형만을 도시한 것으로, 플라즈마 표시 패널(도 2의 100)의 하나의 서브필드는 제어 장치(도 2의 200)의 제어에 따른 유지 전극(X), 주사 전극(Y) 및 어드레스 전극(A)의 입력 전압의 변동에 따라 리셋 기간, 어드레스 기간 및 유지 기간으로 이루어진다.
먼저, 본 발명의 실시예에 따른 구동 회로(410)를 적용하지 않은 일반적인 플라즈마 표시 장치의 구동 파형에 대하여 설명한다.
리셋 기간은 상승 기간(T1)과 하강 기간(T2, T3, T4)으로 이루어진다. 상승 기간(T1)에서는 어드레스 전극(A) 및 유지 전극(X)을 기준 전압(도 4에서는 0V)으로 유지한 상태에서, 주사 전극(Y)의 전압을 Vs 전압에서 Vset 전압까지 점진적으로 증가시킨다. 주사 전극(Y) 전압의 증가는 주사 전극(Y)과 유지 전극(X) 사이 및 주사 전극(Y)과 어드레스 전극(A) 사이에서의 미약한 방전(이하,"약 방전"이라 함)을 유발하고, 이로 인해, 주사 전극(Y)에는 (-) 벽 전하가 형성되고, 유지 전극(X) 및 어드레스 전극(A)에는 (+) 벽 전하가 형성된다. 주사 전극(Y)의 전압이 Vset에 도달하였을 때에 형성되는 벽 전하로 인한 각 전극 간의 벽전압과 외부 인가 전압의 합은 방전 개시 전압(Vf)과 같다. 리셋 기간에서 모든 셀의 상태는 초기화되어야 하고, 이로 인해 Vset 전압은 모든 조건의 셀에서 방전이 일어날 수 있을 정도의 높은 전압으로 설정된다. 한편, 도 4에서는 주사 전극(Y) 전압이 램프 형태로 증가 또는 감소되는 경우를 도시하였으나, 이와 달리 점진적으로 증가 또는 감소하는 다른 형태의 파형이 인가될 수도 있다.
하강 기간(T2 ~ T4)에서는 어드레스 전극(A) 및 유지 전극(X)을 각각 기준 전압 및 Ve 전압으로 유지시킨 상태에서 주사 전극(Y)의 전압을 Vs 전압으로 소정 시간 유지하다가(T2) Vnf 전압까지 점진적으로 감소시킨 후(T3), 일정 시간 Vnf 전압으로 유지시킨다(T4). 주사 전극(Y) 전압의 감소는 주사 전극(Y)과 유지 전극(X) 사이 및 주사 전극(Y)과 어드레스 전극(A) 사이에서의 약 방전을 유발하고, 이로 인해 상승 기간 동안 주사 전극(Y)에 형성되었던 (-) 벽 전하 및 유지 전극(X)과 어드레스 전극(A)에 형성된 (+) 벽 전하가 소거된다. 이 결과, 주사 전 극(Y)의 (-) 벽 전하와 유지 전극(X)의 (+) 벽 전하 및 어드레스 전극(A)의 (+) 벽 전하가 감소된다. 이 때, 어드레스 전극(A)의 (+) 벽 전하는 어드레스 동작에 적당한 양까지 감소된다. 일반적으로 (Vnf-Ve) 전압의 크기는 주사 전극(Y)과 유지 전극(X) 사이의 방전 개시 전압(Vf) 근처로 설정되고, 이로 인해 주사 전극(Y)과 유지 전극(X) 사이의 벽 전압의 차가 거의 0V에 가깝게 되어 어드레스 기간에서 어드레스 방전이 일어나지 않은 셀이 유지 기간에서 오방전하는 것을 방지한다.
상술한 리셋 기간 중 하강 기간(T2 ~T4)은 각 서브 필드 당 한번씩 필수적으로 존재하여야 한다. 이와는 반대로, 상승 기간(T1)은 제어부(도 1의 200)에 기설정된 제어 프로그램에 따라 각 서브 필드 별로 존재 여부가 결정된다.
어드레스 기간(T5)에서는 발광할 셀을 선택하기 위해서 유지 전극(X)에 Ve 전압을 인가한 상태에서 복수의 주사 전극(Y)에 순차적으로 VscL 전압(주사 전압)을 가지는 주사 펄스를 인가한다. 이와 동시에, VscL 전압이 인가된 주사 전극(Y)에 의해 형성되는 복수의 셀 중에서 발광할 셀을 통과하는 어드레스 전극(A)에 어드레스 전압을 인가한다. 이로 인해, 어드레스 전압이 인가된 어드레스 전극(A)과 VscL 전압이 인가된 주사 전극(Y) 사이 및 VscL 전압이 인가된 주사 전극(Y)과 VscL 전압이 인가된 주사 전극(Y)에 대응하는 유지 전극(X) 사이에서 어드레스 방전이 일어나 주사 전극(Y)에 (+) 벽 전하가 형성되고, 어드레스 전극(A) 및 유지 전극(X)에 각각 (-) 벽 전하가 형성된다. 이때, VscL 전압은 Vnf 전압보다 소정 전압 낮은 레벨로 설정된다. 한편, VscL 전압이 인가되지 않는 주사 전극(Y)에는 VscL 전압보다 높은 VscH 전압(비주사 전압)이 인가되고, 선택되지 않는 방전 셀의 어드레스 전극(A)에는 기준 전압이 인가된다.
유지 기간(T6)에서는 주사 전극(Y)과 유지 전극(X)에 하이 레벨 전압(도 2에서는 Vs 전압)과 로우 레벨 전압(도 4에서는 0V 전압)을 교대로 가지는 유지방전 펄스를 반대 위상으로 인가한다. 이로 인해, 주사 전극(Y)에 Vs 전압이 인가될 때 유지 전극(X)에 0V 전압이 인가되고, 유지 전극(X)에 Vs 전압이 인가될 때 주사 전극(Y)에 0V 전압이 인가되고, 어드레스 방전에 의해 주사 전극(Y)과 유지 전극(X) 간에 형성된 벽 전압과 Vs 전압에 의해 주사 전극(Y)과 유지 전극(Y)에서 방전이 일어난다. 이후, 주사 전극(Y)과 유지 전극(X)에 유지 방전 펄스를 인가하는 과정은 해당 서브필드가 표시하는 가중치에 대응하는 횟수만큼 반복된다.
한편, 플라즈마 표시 장치가 고온에서 동작하는 경우, 도 4에 도시한 것과는 달리 T3 기간에서 주사 전극(Y)의 전압이 Vs 전압에서 Vnf 전압으로 하강하는 속도가 빨라져 주사 전극(Y)의 전압이 Vnf 전압에 도달하는 시간이 짧아지게 되어 주사 전극(Y)의 전압을 Vnf 전압으로 유지하는 T4 기간이 길어지게 된다. 이로 인해 벽 전하의 손실이 커져 저 방전을 유발시키는 원인이 된다.
본 발명의 실시예에 따른 구동 회로(410)에 포함되는 비교기(412)의 출력 신호(Sc), 제어 장치(도 2의 200)로부터 논리곱 소자(414)로 입력되는 트랜지스터(Yfr) 제어 신호(Sfr) 및 본 발명의 실시예에 따른 구동 회로(410)를 이용함으로써 T4 기간이 제거된 주사 전극(Y)의 구동 파형을 도 4의 하단에 나타내었다. 이를 참조하여 도 3에 나타낸 본 발명의 실시예에 따른 구동 회로(410)의 구동을 상세히 설명한다.
도 3에 도시한 본 발명의 실시예에 따른 주사 전극 구동부(400)에 포함되는Vnf 전압 공급부(410)는 도 4에 나타낸 구동 파형 중 T3 기간에 주사 전극(Y)에 Vnf 전압을 공급하는 구동 회로로서, 도 1로 나타낸 종래 구동 장치와는 달리 전원 공급 장치(도 2의 600)에서 생성되어 공급된 Vnf 전압을 이용한다. 여기에서, 전원 공급 장치(도 2의 600)는 외부 제어 신호에 대응하여 Vnf 전압의 전압 레벨을 변경시킬 수 있고, 이로 인해 VscL 전압과 Vnf 전압 간의 전압차인 ΔⅤ를 변경시킬 수 있어 플라즈마 표시 장치의 설계 호환성 및 방전 마진에 따른 변화폭에 대응할 수 있다.
먼저, 도 3에 도시한 Sfr 신호는 주사 전극(Y)에 Vnf 전압을 인가하는 기간 동안에만 Vcc 전압을 유지하고, 나머지 기간에는 VscL 전압을 유지한다. 여기에서, Vcc 전압은 Vnf 전압보다 소정 레벨 높은 전압으로 트랜지스터(Yfr)를 턴 온 시키기에 충분한 전압이다. 참고로 아래에서, 신호 레벨이 "1"이라고 언급하는 것은 신호의 전압 레벨이 Vcc 전압임을 나타내고, 신호 레벨이 "0"이라고 언급하는 것은 신호의 전압 레벨이 VscL 전압임을 나타낸다.
논리곱 소자(414)는 입력되는 두 신호, 즉 Sfr 신호 및 Sc 신호의 전압 레벨이 모두 "1"인 경우에만 트랜지스터(Yfr)를 턴 온 시키므로, Sfr 신호가 Vcc 전압을 유지하는 기간을 제외한 나머지 기간에 트랜지스터(Yfr)는 오프 상태를 유지한다. 한편, 비교기(412)는 기준 전압(Vref) 및 Vnf 전압을 비교하고, 그 비교 결과 기준 전압(Vref)이 Vnf 전압보다 높으면 "1" 레벨인 Sc 신호를 출력하고, 기준 전압(Vref)이 Vnf 전압보다 높지 않으면 "0"레벨인 Sc 신호를 출력한다.
주사 전극(Y)의 전압이 Vnf 전압까지 하강하면, 즉 T3 기간이 종료되는 시점에, 비교기(412)의 출력 신호인 Sc 신호는 "1" 레벨에서 "0" 레벨로 변경되고, 이로 인해 논리곱 소자(414)의 출력 또한 "1" 레벨에서 "0" 레벨로 천이된다. 이로 인해, 주사 전극(Y)의 전압을 Vnf 전압으로 유지하는 T4 기간이 제거된다.
한편, 제어 장치(도 2의 200)는 저항(R1)의 일단에 흐르는 전류의 량을 감지하고, 전류량이 제로가 되면 선택회로(도 3의 422)에 포함되는 트랜지스터(Scl)를 턴 오프 시키고, 트랜지스터(Sch)를 턴 온 시켜 주사 전극(Y)에 VscH 전압을 공급한다. 여기에서, 트랜지스터(Yfr)가 턴 오프되는 순간, 기준 전압(Vref)이 0V가 되므로, 이로 인해 주사 전극(Y)의 전압이 Vnf 전압이 되는 순간 리셋 기간이 종료되고 어드레스 기간이 시작된다.
이상 설명한 본 발명의 실시예에 따른 플라즈마 표시 장치는 주사 전극(Y)의 전압을 Vnf 전압으로 유지하는 T4 기간을 제거함으로써 플라즈마 표시 장치가 고온에서 동작하는 경우 발생 가능한 저 방전을 사전에 예방할 수 있다. 또한, 전원 공급 장치(도 2의 600)에서 생성되고, 외부 제어 신호에 의해 변경 가능한 Vnf 전압을 이용하므로 ΔⅤ를 변경시킬 수 있어 플라즈마 표시 장치의 설계 호환성 및 방전 마진에 따른 변화폭에 대응할 수 있음은 물론, 큰 전압 내압을 갖는 제너 다이오드를 이용할 필요가 없어 플라즈마 표시 장치의 구현 비용 및 소비 전력을 감소시킬 수 있다.
또한, 본 발명의 실시예에 따른 주사 전극 구동부(400)는 유지 전극(X)의 구동을 위한 유지 전극 구동부(500)로도 이용될 수 있다.
이상에서 본 발명의 실시예에 대하여 상세하게 설명하였지만 본 발명의 권리범위는 이에 한정되는 것은 아니고 다음의 청구범위에서 정의하고 있는 본 발명의 기본 개념을 이용한 당업자의 여러 변형 및 개량 형태 또한 본 발명의 권리범위에 속하는 것이다.
이상에서 설명한 바와 같이 본 발명의 특징에 따르면, 주사 전극(Y)의 전압이 Vnf 전압으로 유지되는 기간을 제거하여 플라즈마 표시 장치가 고온에서 동작하는 경우 발생 가능한 저 방전을 사전에 예방할 수 있다.
또한, 전원 공급 장치에서 생성되고, 외부 제어 신호에 의해 변경 가능한 Vnf 전압을 이용하므로 ΔⅤ를 변경시킬 수 있어 플라즈마 표시 장치의 설계 호환성 및 방전 마진에 따른 변화폭에 대응할 수 있다.
또한, ΔⅤ 구현을 위해 제너 다이오드를 이용할 필요가 없어 플라즈마 표시 장치의 구현 비용을 감소시킬 수 있다.

Claims (9)

  1. 복수의 제1 전극, 복수의 제2 전극 및 상기 제1 및 제2 전극과 교차하는 방향으로 형성되는 복수의 제3 전극을 포함하는 플라즈마 표시 패널;
    입력 전압을 변환하여 제1 전압을 생성하는 전원 공급 장치 및
    상기 제1 전극의 전압을 시간이 경과함에 따라 상기 제1 전압보다 높은 제2전압에서 상기 제1 전압까지 하강시키는 제1 구동회로부를 포함하며,
    상기 제1 구동회로부는,
    제1단이 상기 제1 전극에 연결되고 제2단이 상기 제1 전압을 공급하는 제1 전원에 연결되는 제1 스위치 및
    상기 제1 전극의 전압과 상기 제1 전압을 비교하고, 상기 비교 결과 상기 제1 전극의 전압이 상기 제1 전압보다 큰 경우에만 상기 제1 스위치를 턴 온 시키는 스위칭 제어부
    를 포함하며, 상기 제1 전극의 전압은 상기 제1 스위치가 온(ON) 상태를 유지하는 동안 상기 제1 전압까지 하강하는 플라즈마 표시 장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 플라즈마 표시 장치는 상기 제1 구동회로부의 구동을 제어하는 제1 신호를 생성하는 제어부를 더 포함하고,
    상기 스위칭 제어부는,
    상기 제1 전극의 전압 및 상기 제1 전압을 비교한 결과에 따라 상기 제1 전압보다 높은 제3 전압 또는 상기 제1 전압보다 낮은 제4 전압을 갖는 제2 신호를 출력하는 비교기 및
    상기 제1 및 제2 신호에 대응하여 상기 제1 스위치를 온/오프 구동시키는 논리 소자를 포함하는 플라즈마 표시 장치.
  3. 제2항에 있어서,
    상기 제1 신호는 리셋 기간의 일부 구간인 제1 기간에만 상기 제3 전압이고, 상기 제1 기간을 제외한 나머지 기간에는 상기 제4 전압인 플라즈마 표시 장치.
  4. 제2항에 있어서,
    상기 비교기는,
    상기 제1 전극의 전압이 상기 제1 전압보다 높으면 상기 제3 전압을 출력하고, 낮으면 상기 제4 전압을 출력하는 플라즈마 표시 장치.
  5. 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 제1 전압은 리셋 기간에 상기 제1 전극에 인가되는 전압 중 제일 낮은 전압인 플라즈마 표시 장치.
  6. 제3항 또는 제4항에 있어서,
    상기 논리 소자는 상기 제1 및 제2 신호가 모두 상기 제3 전압인 경우에만 상기 제1 스위치를 턴 온 시키는 논리곱 소자인 플라즈마 표시 장치.
  7. 제6항에 있어서,
    상기 플라즈마 표시 장치는,
    어드레스 기간에 상기 복수의 제1 전극에 상기 제4 전압 또는 상기 제4 전압보다 높은 제5 전압을 공급하는 제2 구동회로부를 더 포함하는 플라즈마 표시 장치.
  8. 제7항에 있어서,
    상기 제1 구동회로부는 일단이 상기 제1 전극에 연결되고 타단이 상기 제1 스위치의 제1단과 연결되는 제1 저항을 더 포함하고,
    상기 제어부는 상기 제1 저항의 일단에 흐르는 전류량을 감지하여 상기 제1 스위치가 턴 오프 되면, 상기 제1 전극에 상기 제5 전압을 공급하는 플라즈마 표시 장치.
  9. 제7항에 있어서,
    상기 제4 전압은 어드레스 기간에 상기 복수의 제1 전극에 순차적으로 인가되는 어드레스 데이터 전압인 플라즈마 표시 장치.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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