KR20080043428A - Liquid crystal display apparatus - Google Patents

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삼성전자주식회사
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Abstract

An LCD(Liquid Crystal Display) is provided to form a transparent conductive layer on the inner side of a counter panel of a fringe field switching mode LCD so as to prevent introduction of static electricity and generation of defect in the transparent conductive layer. An LCD includes an array panel(200), a counter panel(300) and a liquid crystal layer(400) interposed between the array panel and the counter panel. The array panel includes a lower substrate(210), a common electrode(220) and a pixel electrode(230). The common electrode and the pixel electrode are formed on the lower substrate and form a horizontal field. The counter panel includes an upper substrate(310) opposite to the array panel, a transparent conductive layer(320) formed on the inner side of the upper substrate, a black matrix(330) and a color filter(340).

Description

액정표시장치{LIQUID CRYSTAL DISPLAY APPARATUS}Liquid crystal display device {LIQUID CRYSTAL DISPLAY APPARATUS}

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 액정표시장치를 나타낸 단면도이다.1 is a cross-sectional view of a liquid crystal display according to an exemplary embodiment of the present invention.

도 2는 본 발명의 다른 실시예에 따른 액정표시장치를 나타낸 단면도이다.2 is a cross-sectional view of a liquid crystal display according to another exemplary embodiment of the present invention.

도 3은 도 1 및 도 2에 도시된 어레이 기판의 일 실시예를 나타낸 단면도이다.3 is a cross-sectional view illustrating an embodiment of the array substrate illustrated in FIGS. 1 and 2.

<도면의 주요부분에 대한 부호의 설명><Description of the symbols for the main parts of the drawings>

200 : 어레이 기판 210 : 하부 기판200: array substrate 210: lower substrate

220 : 공통 전극 230 : 화소 전극220: common electrode 230: pixel electrode

240 : 절연막 300 : 대향 기판240: insulating film 300: opposing substrate

310 : 상부 기판 320 : 투명 도전층310: upper substrate 320: transparent conductive layer

330 : 블랙 매트릭스 340 : 컬러필터330: black matrix 340: color filter

350 : 오버 코팅층 400 : 액정층350: overcoating layer 400: liquid crystal layer

본 발명은 액정표시장치에 관한 것으로, 보다 상세하게는 수평 전계 방식(Fringe Field Switching Mode)의 액정표시장치에 관한 것이다.The present invention relates to a liquid crystal display device, and more particularly to a liquid crystal display device of a horizontal field switching mode.

일반적으로, 수평 전계 방식 액정표시장치는 어레이 기판, 어레이 기판과 대향 배치되는 대향 기판 및 어레이 기판과 대향 기판 사이에 배치되는 액정층을 포함한다. In general, a horizontal electric field type liquid crystal display device includes an array substrate, an opposite substrate disposed to face the array substrate, and a liquid crystal layer disposed between the array substrate and the opposite substrate.

어레이 기판은 액정의 배열 변화를 위한 수평 전계를 형성하기 위하여 형성된 공통 전극 및 화소 전극을 포함한다. 이때, 공통 전극은 기판 상에 판 형상으로 형성되며, 화소 전극은 절연막을 사이에 두고 빗살 형상으로 형성되어 수평 전계를 형성한다. 한편, 대향 기판은 광의 차단을 위한 블랙 매트릭스 및 색의 구현을 위한 컬러필터를 포함한다. The array substrate includes a common electrode and a pixel electrode formed to form a horizontal electric field for changing the arrangement of liquid crystals. In this case, the common electrode is formed in a plate shape on the substrate, and the pixel electrode is formed in a comb-tooth shape with an insulating film therebetween to form a horizontal electric field. On the other hand, the opposing substrate includes a black matrix for blocking light and a color filter for realizing color.

그러나, 공통 전극 및 화소 전극이 어레이 기판에 모두 형성되고, 대향 기판에는 어떠한 전극도 형성되지 않기 때문에 외부로부터 유입되는 정전기에 불량이 발생되는 문제가 있다. However, since both the common electrode and the pixel electrode are formed on the array substrate, and no electrode is formed on the counter substrate, there is a problem that a defect occurs in static electricity flowing from the outside.

따라서, 본 발명은 이러한 종래의 문제점을 해결하기 위한 것으로, 본 발명은 정전기 유입으로 인한 불량 발생을 방지할 수 있는 액정표시장치를 제공한다. Accordingly, the present invention is to solve such a conventional problem, the present invention provides a liquid crystal display device that can prevent the occurrence of defects due to the inflow of static electricity.

본 발명의 일 특징에 따른 액정표시장치는 어레이 기판, 대향 기판 및 상기 두 기판 사이에 배치된 액정층을 포함한다. 상기 어레이 기판은 하부 기판, 상기 하부 기판 상에 형성되어 수평 전계를 형성하는 공통 전극 및 화소 전극을 포함한다. 상기 대향 기판은 상기 어레이 기판과 대향 배치되는 상부 기판, 상기 상부 기판의 내면에 형성되는 투명 도전층, 블랙 매트릭스 및 컬러필터를 포함한다.A liquid crystal display according to an aspect of the present invention includes an array substrate, an opposing substrate and a liquid crystal layer disposed between the two substrates. The array substrate includes a lower substrate, a common electrode and a pixel electrode formed on the lower substrate to form a horizontal electric field. The opposing substrate includes an upper substrate disposed to face the array substrate, a transparent conductive layer formed on an inner surface of the upper substrate, a black matrix, and a color filter.

상기 투명 도전층은 상기 상부 기판과 상기 블랙 매트릭스 및 컬러필터의 사이에 형성될 수 있다. 이와 달리, 상기 투명 도전층은 상기 블랙 매트릭스의 상부 및 상기 상부 기판과 상기 컬러필터의 사이에 형성될 수 있다. The transparent conductive layer may be formed between the upper substrate and the black matrix and the color filter. Alternatively, the transparent conductive layer may be formed on the black matrix and between the upper substrate and the color filter.

상기 투명 도전층은 예를 들어, 인듐 틴 옥사이드(ITO)로 형성된다.The transparent conductive layer is formed of, for example, indium tin oxide (ITO).

이러한 액정표시장치에 의하면, 대향 기판을 통해 유입되는 정전기를 투명 도전층을 통해 차단하여 불량 발생을 방지할 수 있다. According to the liquid crystal display device, it is possible to prevent the occurrence of defects by blocking the static electricity flowing through the opposing substrate through the transparent conductive layer.

이하, 첨부한 도면들을 참조하여, 본 발명의 실시예들을 보다 상세하게 설명하고자 한다.Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 액정표시장치를 나타낸 단면도이다.1 is a cross-sectional view of a liquid crystal display according to an exemplary embodiment of the present invention.

도 1을 참조하면, 액정표시장치는 어레이 기판(200), 어레이 기판(200)과 대향 배치되는 대향 기판(300) 및 어레이 기판(200)과 대향 기판(300) 사이에 배치되는 액정층(400)을 포함한다. Referring to FIG. 1, the liquid crystal display device includes an array substrate 200, an opposite substrate 300 disposed to face the array substrate 200, and a liquid crystal layer 400 disposed between the array substrate 200 and the opposite substrate 300. ).

어레이 기판(200)은 하부 기판(210), 하부 기판(210) 상에 형성된 공통 전극(220) 및 화소 전극(230)을 포함한다. 공통 전극(220)과 화소 전극(230)은 사이에 배치된 절연막(240)을 통해 상호 절연되며, 외부로부터 인가되는 전압에 의해 수평 전계(fringe field)를 형성한다. 예를 들어, 공통 전극(220)은 각 화소 내에 판 형상으로 형성되며, 화소 전극(230)은 각 화소 내에 다수의 라인으로 이루어진 빗살 형상으로 형성된다. The array substrate 200 includes a lower substrate 210, a common electrode 220 and a pixel electrode 230 formed on the lower substrate 210. The common electrode 220 and the pixel electrode 230 are insulated from each other through the insulating layer 240 disposed therebetween, and form a horizontal fringe field by a voltage applied from the outside. For example, the common electrode 220 is formed in a plate shape in each pixel, and the pixel electrode 230 is formed in a comb-tooth shape consisting of a plurality of lines in each pixel.

대향 기판(300)은 상부 기판(310), 상부 기판(310)의 내면에 순차적으로 형 성되는 투명 도전층(320), 블랙 매트릭스(330) 및 컬러필터(340)를 포함한다. The opposing substrate 300 includes an upper substrate 310, a transparent conductive layer 320 sequentially formed on an inner surface of the upper substrate 310, a black matrix 330, and a color filter 340.

투명 도전층(320)은 정전기 유입을 방지하기 위하여 상부 기판(310)의 내면에 형성된다. 투명 도전층(320)은 광의 투과 및 정전기 차폐를 위하여 투명하면서 도전성을 갖는 물질로 형성된다. 예를 들어, 투명 도전층(320)은 인듐 틴 옥사이드(Indium Tin Oxide : ITO) 또는 인듐 징크 옥사이드(Indium Zinc Oxide : IZO)로 형성될 수 있다.The transparent conductive layer 320 is formed on an inner surface of the upper substrate 310 to prevent static electricity from flowing in. The transparent conductive layer 320 is formed of a transparent and conductive material for light transmission and electrostatic shielding. For example, the transparent conductive layer 320 may be formed of indium tin oxide (ITO) or indium zinc oxide (IZO).

투명 도전층(320)이 상부 기판(310)의 외면에 형성될 경우, 이후 공정시에 스크래치 또는 얼룩 등의 불량이 발생될 수 있으므로, 투명 도전층(320)은 상부 기판(310)의 내면에 형성되는 것이 바람직하다. 또한, 공통 전극(220)과 화소 전극(230)이 형성하는 수평 전계에 미치는 영향을 최소화시키기 위하여 투명 도전층(320)은 상부 기판(310)의 바로 내면에 형성하는 것이 바람직하다. 예를 들어, 컬러필터(340)는 약 1.2㎛의 두께로 형성되고, 오버 코팅층(350)은 약 2.0㎛의 두께로 형성되며, 액정층(400)의 두께에 해당하는 셀 갭(cell gap)은 약 4.0㎛의 두께로 형성되므로, 투명 도전층(320)과 화소 전극(230) 및 공통 전극(220)간의 거리는 약 7.0㎛ 이상이 되므로, 수평 전계에는 별 다른 영향을 미치지 않게 된다.When the transparent conductive layer 320 is formed on the outer surface of the upper substrate 310, defects such as scratches or stains may occur in subsequent processes, so that the transparent conductive layer 320 may be formed on the inner surface of the upper substrate 310. It is preferably formed. In addition, in order to minimize the influence on the horizontal electric field formed by the common electrode 220 and the pixel electrode 230, the transparent conductive layer 320 is preferably formed directly on the inner surface of the upper substrate 310. For example, the color filter 340 is formed to a thickness of about 1.2㎛, the overcoat layer 350 is formed to a thickness of about 2.0㎛, the cell gap (cell gap) corresponding to the thickness of the liquid crystal layer 400 Has a thickness of about 4.0 μm, and thus the distance between the transparent conductive layer 320, the pixel electrode 230, and the common electrode 220 is about 7.0 μm or more, and thus does not significantly affect the horizontal electric field.

블랙 매트릭스(330)는 외부광 또는 백라이트 광의 투과를 차단하기 위한 것으로써, 화소들 사이와 대향 기판(300)의 가장자리에 형성된다. 블랙 매트릭스(330)는 광의 반사 또는 흡수를 위하여, 금속, 금속 산화물 또는 유기물로 형성될 수 있다. 예를 들어, 블랙 매트릭스(330)는 크롬 산화물(CrOx) 및 크롬(Cr)이 이중막으로 형성된 구조를 갖거나, 유기물로 이루어진 단일막 구조를 가질 수 있 다. 한편, 도 1에 도시된 바와 같이, 블랙 매트릭스(330)가 투명 도전층(320) 이후에 형성된 경우, 외부광에 대한 차광 효율을 향상시키기 위하여 블랙 매트릭스(330)는 유기물로 형성되는 것이 바람직하다.The black matrix 330 is to block transmission of external light or backlight light, and is formed between the pixels and at the edge of the opposing substrate 300. The black matrix 330 may be formed of a metal, a metal oxide, or an organic material to reflect or absorb light. For example, the black matrix 330 may have a structure in which chromium oxide (CrOx) and chromium (Cr) are formed as a double layer, or may have a single layer structure made of organic material. Meanwhile, as shown in FIG. 1, when the black matrix 330 is formed after the transparent conductive layer 320, the black matrix 330 is preferably formed of an organic material in order to improve light blocking efficiency against external light. .

컬러필터(340)는 컬러를 구현하기 위한 것으로써, 각 화소에 대응되도록 블랙 매트릭스(330) 사이에 형성된다. 예를 들어, 컬러필터(340)는 적색, 녹색 및 청색의 컬러필터를 포함하며, 약 1.2㎛ 이하의 두께로 형성된다.The color filter 340 is for realizing color and is formed between the black matrices 330 to correspond to each pixel. For example, the color filter 340 includes red, green, and blue color filters, and has a thickness of about 1.2 μm or less.

대향 기판(300)은 투명 도전층(320), 블랙 매트릭스(330) 및 컬러필터(340) 상에 형성된 오버 코팅층(350)을 더 포함할 수 있다. 오버 코팅층(350)은 대향 기판(300)의 평탄화를 위한 것으로써, 예를 들어, 약 2.0㎛ 이하의 두께로 형성된다.The opposing substrate 300 may further include an overcoat layer 350 formed on the transparent conductive layer 320, the black matrix 330, and the color filter 340. The overcoat layer 350 is for planarization of the counter substrate 300, and is formed to have a thickness of about 2.0 μm or less, for example.

액정층(400)은 이방성 굴절률, 이방성 유전율 등의 광학적, 전기적 특성을 갖는 액정들이 일정한 형태로 배열된 구조를 갖는다. 액정층(400)은 어레이 기판(200)의 공통 전극(220)과 화소 전극(230)을 통해 형성되는 수평 전계에 의하여 액정들의 배열이 변화되고, 액정들의 배열 변화에 따라서 통과하는 광의 투과율을 제어한다.The liquid crystal layer 400 has a structure in which liquid crystals having optical and electrical characteristics such as anisotropic refractive index and anisotropic dielectric constant are arranged in a predetermined form. In the liquid crystal layer 400, an arrangement of liquid crystals is changed by a horizontal electric field formed through the common electrode 220 and the pixel electrode 230 of the array substrate 200, and the transmittance of light passing through the liquid crystal layer is changed according to the arrangement change of the liquid crystals. do.

도 2는 본 발명의 다른 실시예에 따른 액정표시장치를 나타낸 단면도이다.2 is a cross-sectional view of a liquid crystal display according to another exemplary embodiment of the present invention.

도 2를 참조하면, 대향 기판(300)의 블랙 매트릭스(330)의 상부, 및 상부 기판(310)과 컬러필터(340)의 사이에 형성된다. 즉, 대향 기판(300)은 상부 기판(310)에 블랙 매트릭스(330)를 먼저 형성한 후, 그 위에 투명 도전층(320), 컬러필터(340) 및 오버 코팅층(350)을 순차적으로 형성하는 공정으로 형성된다.Referring to FIG. 2, an upper portion of the black matrix 330 of the opposing substrate 300 and between the upper substrate 310 and the color filter 340 are formed. That is, the opposing substrate 300 first forms the black matrix 330 on the upper substrate 310, and then sequentially forms the transparent conductive layer 320, the color filter 340, and the overcoating layer 350 thereon. It is formed by a process.

블랙 매트릭스(330)가 크롬 산화막(CrOx) 및 크롬(Cr)으로 이루어진 이중막 구조를 가질 경우, 투명 도전층(320)이 상부 기판(310)과 블랙 매트릭스(330) 사이에 배치되면 외부광에 대한 차광 효율이 떨어질 수 있다. 따라서, 블랙 매트릭스(330)를 먼저 형성한 후, 투명 도전층(320)을 형성함으로써, 블랙 매트릭스(330)의 차광 효율의 저하를 방지할 수 있다. When the black matrix 330 has a double layer structure composed of chromium oxide film CrOx and chromium Cr, the transparent conductive layer 320 is disposed between the upper substrate 310 and the black matrix 330 to external light. The light shielding efficiency may be reduced. Therefore, by forming the black matrix 330 first and then forming the transparent conductive layer 320, it is possible to prevent a decrease in light blocking efficiency of the black matrix 330.

도 3은 도 1 및 도 2에 도시된 어레이 기판의 일 실시예를 나타낸 단면도이다.3 is a cross-sectional view illustrating an embodiment of the array substrate illustrated in FIGS. 1 and 2.

도 3을 참조하면, 어레이 기판(200)은 하부 기판(210) 상에 형성된 공통 전극(220) 및 공통 전극(220)과 이격되게 형성된 게이트 배선을 포함한다. 공통 전극(220)은 예를 들어, 각 화소 내에 판 형상으로 형성되며, 인듐 틴 옥사이드(Indium Tin Oxide : ITO) 또는 인듐 징크 옥사이드(Indium Zinc Oxide : IZO)로 형성된다. 게이트 배선은 예를 들어, 가로 방향으로 연장되는 게이트 라인 및 게이트 라인과 연결된 게이트 전극(251)을 포함한다. Referring to FIG. 3, the array substrate 200 includes a common electrode 220 formed on the lower substrate 210 and a gate wiring spaced apart from the common electrode 220. The common electrode 220 is, for example, formed in a plate shape in each pixel, and formed of indium tin oxide (ITO) or indium zinc oxide (IZO). The gate line includes, for example, a gate line extending in the horizontal direction and a gate electrode 251 connected to the gate line.

어레이 기판(200)은 공통 전극(220) 및 게이트 배선이 형성된 하부 기판(210) 상에 형성되는 게이트 절연막(242)을 포함할 수 있다. 게이트 절연막(242)은 예를 들어, 실리콘 질화물 또는 실리콘 산화물로 형성된다.The array substrate 200 may include a gate insulating layer 242 formed on the lower substrate 210 on which the common electrode 220 and the gate wiring are formed. The gate insulating film 242 is formed of, for example, silicon nitride or silicon oxide.

어레이 기판(200)은 게이트 절연막(242) 상에서 게이트 전극(251)과 중첩되게 형성되는 액티브층(252)을 포함할 수 있다. 액티브층(252)은 예를 들어, 비정질 실리콘(amorphous silicon)으로 이루어진 채널층(252a) 및 n형 불순물이 고농도로 도핑된 비정질 실리콘으로 이루어진 오믹 콘택층(252b)을 포함한다.The array substrate 200 may include an active layer 252 formed on the gate insulating layer 242 to overlap the gate electrode 251. The active layer 252 includes, for example, a channel layer 252a made of amorphous silicon and an ohmic contact layer 252b made of amorphous silicon heavily doped with n-type impurities.

어레이 기판(200)은 액티브층(252)이 형성된 하부 기판(210) 상에 형성되는 데이터 배선을 포함할 수 있다. 데이터 배선은 예를 들어, 세로 방향으로 연장되는 데이터 라인, 데이터 라인과 연결되는 소오스 전극(253) 및 소오스 전극(253)과 이격된 드레인 전극(254)을 포함한다. 이와 같은, 게이트 전극(251), 액티브층(252), 소오스 전극(253) 및 드레인 전극(254)을 통해 박막 트랜지스터를 구성할 수 있다.The array substrate 200 may include data lines formed on the lower substrate 210 on which the active layer 252 is formed. The data line includes, for example, a data line extending in a vertical direction, a source electrode 253 connected to the data line, and a drain electrode 254 spaced apart from the source electrode 253. The thin film transistor may be configured through the gate electrode 251, the active layer 252, the source electrode 253, and the drain electrode 254.

어레이 기판(200)은 데이터 배선이 형성된 하부 기판(210) 상에 형성되는 보호막(244)을 포함할 수 있다. 보호막(244)은 예를 들어, 실리콘 질화물 또는 실리콘 산하물로 형성된다. The array substrate 200 may include a passivation layer 244 formed on the lower substrate 210 on which data lines are formed. The protective film 244 is formed of, for example, silicon nitride or silicon product.

어레이 기판(200)은 보호막(244) 상에 형성된 화소 전극(230)을 포함한다. 화소 전극(230)은 예를 들어, 각 화소 내에 다수의 라인으로 이루어진 빗살 형상으로 형성되며, 인듐 틴 옥사이드(Indium Tin Oxide : ITO) 또는 인듐 징크 옥사이드(Indium Zinc Oxide : IZO)로 형성된다. 화소 전극(230)은 보호막(244)에 형성된 콘택홀을 통해 드레인 전극(254)과 전기적으로 연결된다.The array substrate 200 includes the pixel electrode 230 formed on the passivation layer 244. The pixel electrode 230 is formed, for example, in the shape of a comb teeth consisting of a plurality of lines in each pixel, and is formed of indium tin oxide (ITO) or indium zinc oxide (IZO). The pixel electrode 230 is electrically connected to the drain electrode 254 through a contact hole formed in the passivation layer 244.

한편, 도 3에 도시된 어레이 기판(200)의 구성은 일 예에 지나지 않으며, 수평 전계를 형성하기 위한 공통 전극(220) 및 화소 전극(230)을 구성을 제외하고는 다양한 구성을 가질 수 있다.Meanwhile, the configuration of the array substrate 200 illustrated in FIG. 3 is merely an example, and may have various configurations except for configuring the common electrode 220 and the pixel electrode 230 to form a horizontal electric field. .

이와 같은 액정표시장치에 따르면, 수평전계 방식의 액정표시장치에서 대향 기판의 내면에 투명 도전층을 형성함으로써, 정전기의 유입을 방지함과 동시에 투명 도전층의 불량 발생을 방지할 수 있다. According to the liquid crystal display device, the transparent conductive layer is formed on the inner surface of the opposing substrate in the horizontal electric field type liquid crystal display device, thereby preventing the inflow of static electricity and preventing the failure of the transparent conductive layer.

또한, 투명 도전층을 기판과 컬러필터 사이에 형성하는 방식으로 어레이 기판과의 거리를 최대한 증가시킴으로써, 수평 전계에 미치는 영향을 최소화시킬 수 있다.In addition, by increasing the distance from the array substrate as much as possible by forming a transparent conductive layer between the substrate and the color filter, it is possible to minimize the effect on the horizontal electric field.

앞서 설명한 본 발명의 상세한 설명에서는 본 발명의 바람직한 실시예들을 참조하여 설명하였지만, 해당 기술분야의 숙련된 당업자 또는 해당 기술분야에 통상의 지식을 갖는 자라면 후술될 특허청구범위에 기재된 본 발명의 사상 및 기술 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.In the detailed description of the present invention described above with reference to the preferred embodiments of the present invention, those skilled in the art or those skilled in the art having ordinary skill in the art will be described in the claims to be described later It will be understood that various modifications and variations can be made in the present invention without departing from the scope of the present invention.

Claims (8)

하부 기판, 상기 하부 기판 상에 형성되어 수평 전계를 형성하는 공통 전극 및 화소 전극을 포함하는 어레이 기판;An array substrate including a lower substrate, a common electrode and a pixel electrode formed on the lower substrate to form a horizontal electric field; 상기 어레이 기판과 대향 배치되는 상부 기판, 상기 상부 기판의 내면에 형성되는 투명 도전층, 블랙 매트릭스 및 컬러필터를 포함하는 대향 기판; 및An opposing substrate including an upper substrate disposed to face the array substrate, a transparent conductive layer formed on an inner surface of the upper substrate, a black matrix, and a color filter; And 상기 어레이 기판과 상기 대향 기판 사이에 배치되는 액정층을 포함하는 액정표시장치.And a liquid crystal layer disposed between the array substrate and the opposing substrate. 제1항에 있어서, 상기 투명 도전층은 상기 상부 기판과 상기 블랙 매트릭스 및 컬러필터의 사이에 형성되는 것을 특징으로 하는 액정표시장치.The liquid crystal display of claim 1, wherein the transparent conductive layer is formed between the upper substrate, the black matrix, and the color filter. 제2항에 있어서, 상기 블랙 매트릭스는 유기물로 형성된 것을 특징으로 하는 액정표시장치.The liquid crystal display device of claim 2, wherein the black matrix is formed of an organic material. 제1항에 있어서, 상기 투명 도전층은 상기 블랙 매트릭스의 상부 및 상기 상기 기판과 상기 컬러필터의 사이에 형성되는 것을 특징으로 하는 액정표시장치.The liquid crystal display device according to claim 1, wherein the transparent conductive layer is formed on the black matrix and between the substrate and the color filter. 제1항에 있어서, 상기 투명 도전층은 인듐 틴 옥사이드(ITO)로 형성된 것을 특징으로 하는 액정표시장치.The liquid crystal display device of claim 1, wherein the transparent conductive layer is formed of indium tin oxide (ITO). 제1항에 있어서, 상기 대향 기판은 상기 투명 도전층, 블랙 매트릭스 및 컬러필터 상에 형성된 오버 코팅층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 액정표시장치.The liquid crystal display device of claim 1, wherein the opposing substrate further comprises an overcoat layer formed on the transparent conductive layer, the black matrix, and the color filter. 제1항에 있어서, 상기 어레이 기판은 The method of claim 1, wherein the array substrate is 상기 하부 기판 상에 형성된 상기 공통 전극;The common electrode formed on the lower substrate; 상기 하부 기판 상에 상기 공통 전극과 이격되게 형성된 게이트 배선;A gate wiring formed on the lower substrate to be spaced apart from the common electrode; 상기 공통 전극 및 상기 게이트 배선이 형성된 상기 하부 기판 상에 형성된 게이트 절연막;A gate insulating film formed on the lower substrate on which the common electrode and the gate wiring are formed; 상기 게이트 절연막 상에 형성된 액티브층;An active layer formed on the gate insulating layer; 상기 액티브층이 형성된 상기 하부 기판 상에 형성된 데이터 배선;A data line formed on the lower substrate on which the active layer is formed; 상기 데이터 배선이 형성된 상기 하부 기판 상에 형성된 보호막; 및A protective film formed on the lower substrate on which the data wiring is formed; And 상기 보호막 상에 형성된 상기 화소 전극을 포함하는 것을 특징으로 하는 액정표시장치.And the pixel electrode formed on the passivation layer. 제7항에 있어서, 상기 공통 전극은 판 형상을 가지며, 상기 화소 전극은 빗살 형상을 갖는 것을 특징으로 하는 액정표시장치.The liquid crystal display of claim 7, wherein the common electrode has a plate shape, and the pixel electrode has a comb tooth shape.
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Cited By (3)

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Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20110038497A (en) * 2009-10-08 2011-04-14 엘지디스플레이 주식회사 Display device
CN108594516A (en) * 2018-05-03 2018-09-28 京东方科技集团股份有限公司 Display base plate and preparation method thereof, display panel, display device
WO2020113682A1 (en) * 2018-12-04 2020-06-11 惠科股份有限公司 Process for manufacturing color filter substrate, color filter substrate, and display device

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20110038497A (en) * 2009-10-08 2011-04-14 엘지디스플레이 주식회사 Display device
CN108594516A (en) * 2018-05-03 2018-09-28 京东方科技集团股份有限公司 Display base plate and preparation method thereof, display panel, display device
WO2020113682A1 (en) * 2018-12-04 2020-06-11 惠科股份有限公司 Process for manufacturing color filter substrate, color filter substrate, and display device

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