KR20080061128A - Display substrate and display apparatus having the same - Google Patents

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Abstract

A display substrate and a display device having the same are provided to form a light shield layer on the display substrate, thereby enhancing the light transmission rate and reducing the manufacturing cost. A TFT(Thin Film Transistor) layer includes a gate line. A data line is insulated and crossed with the gate line. A TFT is connected with the gate line and the data line. A storage line is formed on the same layer as the gate line. A passivation layer covers the TFT layer. A color filter layer is formed on the passivation layer. A pixel electrode(240) is formed on the color filter layer and corresponds to each pixel. The first light shielding layer is formed on the same layer as the gate line and arranged between adjacent pixel electrodes. A second light shielding layer(260) is formed on the same layer as the data line and arranged between the first light shielding layer and the gate line. The color filter layer includes color filters with different colors.

Description

표시 기판 및 이를 갖는 표시 장치{DISPLAY SUBSTRATE AND DISPLAY APPARATUS HAVING THE SAME}DISPLAY SUBSTRATE AND DISPLAY APPARATUS HAVING THE SAME}

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치를 나타낸 평면도이며, 1 is a plan view illustrating a display device according to an exemplary embodiment of the present invention.

도 2는 도 1의 Ⅰ-Ⅰ'선을 따라 절단한 단면도이며, 2 is a cross-sectional view taken along the line II ′ of FIG. 1;

도 3은 도 1의 A부분을 확대한 확대도이다.3 is an enlarged view illustrating an enlarged portion A of FIG. 1.

도 4는 본 발명의 다른 실시예에 따른 표시 장치를 나타낸 평면도이다.4 is a plan view illustrating a display device according to another exemplary embodiment of the present invention.

도 5는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 표시 장치를 나타낸 평면도이며, 5 is a plan view illustrating a display device according to still another embodiment of the present invention;

도 6은 도 5의 Ⅱ-Ⅱ'선을 따라 절단한 단면도이며, 6 is a cross-sectional view taken along the line II-II 'of FIG. 5,

도 7은 도 5의 B부분을 확대한 확대도이다.7 is an enlarged view illustrating an enlarged portion B of FIG. 5.

도 8은 도 7에 도시된 광차단부의 다른 실시예를 나타낸 확대도이다.FIG. 8 is an enlarged view illustrating another embodiment of the light blocking unit illustrated in FIG. 7.

도 9는 도 7에 도시된 광차단부의 또 다른 실시예를 나타낸 확대도이다.FIG. 9 is an enlarged view illustrating still another embodiment of the light blocking unit illustrated in FIG. 7.

<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명><Description of the symbols for the main parts of the drawings>

100 : 표시 장치 200 : 표시 기판100: display device 200: display substrate

210 : 박막 트랜지스터층 220 : 보호막210: thin film transistor layer 220: protective film

230 : 컬러필터층 240 : 화소 전극230: color filter layer 240: pixel electrode

250 : 제1 광차단막 260 : 제2 광차단막250: first light blocking film 260: second light blocking film

300 : 대향 기판 400 : 액정층300: opposing substrate 400: liquid crystal layer

본 발명은 표시 기판 및 이를 갖는 표시 장치에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 컬러필터들의 경계부에서의 빛샘을 방지할 수 있는 표시 기판 및 이를 갖는 표시 장치에 관한 것이다.The present invention relates to a display substrate and a display device having the same, and more particularly, to a display substrate and a display device having the same that can prevent light leakage at the boundary of the color filters.

영상을 표시하는 표시 장치 중의 하나인 액정표시장치는 표시 기판, 표시 기판과 대향하도록 결합된 대향 기판 및 두 기판 사이에 배치된 액정층을 포함한다.One of the display devices for displaying an image includes a display substrate, an opposite substrate coupled to face the display substrate, and a liquid crystal layer disposed between the two substrates.

일반적으로, 표시 기판은 다수의 화소들을 독립적으로 구동시키기 위하여 절연 기판 상에 형성된 신호 배선, 박막 트랜지스터 및 화소 전극 등을 포함한다. 대향 기판은 적색(R), 녹색(G), 청색(B)의 컬러필터들로 이루어진 컬러필터층, 컬리필터들의 경계부에 위치하는 블랙 매트릭스 및 화소 전극에 대향하는 공통 전극을 포함한다. In general, the display substrate includes signal wirings, a thin film transistor, a pixel electrode, and the like formed on an insulating substrate to independently drive a plurality of pixels. The opposing substrate includes a color filter layer made of color filters of red (R), green (G), and blue (B), a black matrix positioned at the boundary of the curl filters, and a common electrode facing the pixel electrode.

최근 들어, 표시 기판과 대향 기판간의 얼라인 미스로 인한 품질 저하를 방지하기 위하여, 표시 기판 상에 컬러필터층이 형성된 COA(Color filter On Array) 구조의 액정표시장치가 제안된 바 있다. Recently, in order to prevent quality deterioration due to misalignment between the display substrate and the opposite substrate, a liquid crystal display apparatus having a color filter on array (COA) structure in which a color filter layer is formed on the display substrate has been proposed.

그러나, 표시 기판과 대향 기판의 얼라인 미스를 고려할 때, 대향 기판에 형성되는 블랙 매트릭스의 폭을 감소시키는 데에는 한계가 있으며, 이로 인해 광 투과율이 감소되는 문제가 발생된다. 또한, 블랙 매트릭스를 갖는 대향 기판에는 평 탄화를 위한 오버 코팅층이 형성되어야 하므로, 오버 코팅층으로 인해 광 투과율이 더욱 감소되고 원가가 증가되는 문제가 발생된다.However, in consideration of misalignment between the display substrate and the opposing substrate, there is a limit in reducing the width of the black matrix formed on the opposing substrate, which causes a problem that the light transmittance is reduced. In addition, since the overcoating layer for flattening should be formed on the counter substrate having the black matrix, the overcoating layer causes a problem that the light transmittance is further reduced and the cost is increased.

따라서, 본 발명은 이와 같은 문제점을 감안한 것으로써, 본 발명은 광투과율을 향상시키고, 컬러필터들의 경계부에서 발생되는 빛샘을 방지할 수 있는 표시 기판 및 이를 갖는 표시 장치를 제공한다.Accordingly, the present invention has been made in view of such a problem, and the present invention provides a display substrate and a display device having the same, which can improve light transmittance and prevent light leakage generated at the boundary of color filters.

본 발명의 일 특징에 따른 표시 기판은 박막 트랜지스터층, 보호막, 컬러필터층, 화소 전극, 제1 광차단막 및 제2 광차단막을 포함한다. 상기 박막 트랜지스터층은 게이트 라인, 게이트 절연막을 통해 상기 게이트 라인과 절연되어 교차하는 데이터 라인, 상기 게이트 라인 및 상기 데이터 라인과 연결된 박막 트랜지스터, 및 상기 게이트 라인과 동일한 층에 형성된 스토리지 배선을 포함한다. 상기 보호막은 상기 박막 트랜지스터층을 커버한다. 상기 컬러필터층은 상기 보호막 상에 형성된다. 상기 화소 전극은 상기 컬러필터층 상에 각 확소에 대응되도록 형성된다. 상기 제1 광차단막은 상기 게이트 라인과 동일한 층에 형성되며, 서로 인접한 상기 화소 전극들 사이에 배치된다. 상기 제2 광차단막은 상기 데이터 라인과 동일한 층에 형성되며, 상기 제1 광차단막과 상기 게이트 라인 사이에 배치된다.A display substrate according to an aspect of the present invention includes a thin film transistor layer, a protective film, a color filter layer, a pixel electrode, a first light blocking film, and a second light blocking film. The thin film transistor layer includes a gate line, a data line that is insulated from and crosses the gate line through a gate insulating layer, a thin film transistor connected to the gate line and the data line, and a storage line formed on the same layer as the gate line. The passivation layer covers the thin film transistor layer. The color filter layer is formed on the protective film. The pixel electrode is formed to correspond to each size on the color filter layer. The first light blocking layer is formed on the same layer as the gate line and is disposed between the pixel electrodes adjacent to each other. The second light blocking film is formed on the same layer as the data line and is disposed between the first light blocking film and the gate line.

상기 컬러필터층은 서로 다른 색을 갖는 컬러필터들을 포함하며, 상기 제1 광차단막 및 상기 제2 광차단막은 상기 컬러필터들의 경계부에 배치된다.The color filter layer includes color filters having different colors, and the first light blocking film and the second light blocking film are disposed at the boundary of the color filters.

상기 제1 광차단막은 공통전압이 인가되는 상기 스토리지 배선과 연결될 수 있다. 이와 달리, 상기 제1 광차단막은 상기 게이트 라인 및 상기 스토리지 배선과 이격되어 플로팅 상태를 유지할 수 있다.The first light blocking layer may be connected to the storage line to which a common voltage is applied. In contrast, the first light blocking layer may be spaced apart from the gate line and the storage line to maintain a floating state.

상기 제2 광차단막은 상기 데이터 라인과 이격되어 플로팅 상태를 유지하거나 또는 상기 데이터 라인과 연결될 수 있다.The second light blocking layer may be spaced apart from the data line to maintain a floating state or be connected to the data line.

본 발명의 다른 특징에 따른 표시 기판은 박막 트랜지스터층, 보호층, 컬러필터층, 화소 전극 및 광차단부를 포함한다. 상기 박막 트랜지스터층은 게이트 라인, 게이트 절연막을 통해 상기 게이트 라인과 절연되어 교차하는 데이터 라인, 상기 게이트 라인 및 상기 데이터 라인과 연결된 박막 트랜지스터, 및 상기 게이트 라인과 동일한 층에 형성된 스토리지 배선을 포함한다. 상기 보호막은 상기 박막 트랜지스터층을 커버한다. 상기 컬러필터층은 상기 보호막 상에 형성된다. 상기 화소 전극은 상기 컬러필터층 상에 각 확소에 대응되도록 형성된다. 상기 광차단부는 상기 박막 트랜지스터층에 형성되며, 서로 인접한 상기 화소 전극들 사이에 배치되어 상기 데이터 라인이 커버하지 못하는 영역을 커버한다. According to another aspect of the present invention, a display substrate includes a thin film transistor layer, a protective layer, a color filter layer, a pixel electrode, and a light blocking unit. The thin film transistor layer includes a gate line, a data line that is insulated from and crosses the gate line through a gate insulating layer, a thin film transistor connected to the gate line and the data line, and a storage line formed on the same layer as the gate line. The passivation layer covers the thin film transistor layer. The color filter layer is formed on the protective film. The pixel electrode is formed to correspond to each size on the color filter layer. The light blocking unit is formed in the thin film transistor layer and is disposed between the pixel electrodes adjacent to each other to cover an area that the data line cannot cover.

상기 컬러필터층은 서로 다른 색을 갖는 컬러필터들을 포함하며, 상기 컬러필터들의 경계부에는 상기 데이터 라인 및 상기 광차단부가 배치된다. The color filter layer includes color filters having different colors, and the data line and the light blocking part are disposed at boundaries of the color filters.

상기 광차단부는 상기 게이트 라인과 동일한 층에 형성된 제1 광차단막 및 상기 데이터 라인과 동일한 층에 형성된 제1 광차단막을 포함할 수 있다.The light blocking unit may include a first light blocking layer formed on the same layer as the gate line and a first light blocking layer formed on the same layer as the data line.

본 발명의 일 특징에 따른 표시 장치는 표시 기판, 상기 표시 기판과 대향하여 결합되며, 대향면에 공통 전극이 형성된 대향 기판, 및 상기 표시 기판과 상기 대향 기판 사이에 배치된 액정층을 포함한다. 상기 표시 기판은 박막 트랜지스터 층, 보호막, 컬러필터층, 화소 전극, 제1 광차단막 및 제2 광차단막을 포함한다. 상기 박막 트랜지스터층은 게이트 라인, 게이트 절연막을 통해 상기 게이트 라인과 절연되어 교차하는 데이터 라인, 상기 게이트 라인 및 상기 데이터 라인과 연결된 박막 트랜지스터, 및 상기 게이트 라인과 동일한 층에 형성된 스토리지 배선을 포함한다. 상기 보호막은 상기 박막 트랜지스터층을 커버한다. 상기 컬러필터층은 상기 보호막 상에 형성된다. 상기 화소 전극은 상기 컬러필터층 상에 각 확소에 대응되도록 형성된다. 상기 제1 광차단막은 상기 게이트 라인과 동일한 층에 형성되며, 서로 인접한 상기 화소 전극들 사이에 배치된다. 상기 제2 광차단막은 상기 데이터 라인과 동일한 층에 형성되며, 상기 제1 광차단막과 상기 게이트 라인 사이에 배치된다.A display device according to an aspect of the present invention includes a display substrate, an opposite substrate coupled to the display substrate and having a common electrode formed on the opposite surface, and a liquid crystal layer disposed between the display substrate and the opposite substrate. The display substrate includes a thin film transistor layer, a protective film, a color filter layer, a pixel electrode, a first light blocking film, and a second light blocking film. The thin film transistor layer includes a gate line, a data line that is insulated from and crosses the gate line through a gate insulating layer, a thin film transistor connected to the gate line and the data line, and a storage line formed on the same layer as the gate line. The passivation layer covers the thin film transistor layer. The color filter layer is formed on the protective film. The pixel electrode is formed to correspond to each size on the color filter layer. The first light blocking layer is formed on the same layer as the gate line and is disposed between the pixel electrodes adjacent to each other. The second light blocking film is formed on the same layer as the data line and is disposed between the first light blocking film and the gate line.

본 발명의 다른 특징에 따른 표시 장치는 표시 기판, 상기 표시 기판과 대향하여 결합되며, 대향면에 공통 전극이 형성된 대향 기판, 및 상기 표시 기판과 상기 대향 기판 사이에 배치된 액정층을 포함한다. 상기 표시 기판은 박막 트랜지스터층, 보호층, 컬러필터층, 화소 전극 및 광차단부를 포함한다. 상기 박막 트랜지스터층은 게이트 라인, 게이트 절연막을 통해 상기 게이트 라인과 절연되어 교차하는 데이터 라인, 상기 게이트 라인 및 상기 데이터 라인과 연결된 박막 트랜지스터, 및 상기 게이트 라인과 동일한 층에 형성된 스토리지 배선을 포함한다. 상기 보호막은 상기 박막 트랜지스터층을 커버한다. 상기 컬러필터층은 상기 보호막 상에 형성된다. 상기 화소 전극은 상기 컬러필터층 상에 각 확소에 대응되도록 형성된다. 상기 광차단부는 상기 박막 트랜지스터층에 형성되며, 서로 인접한 상기 화 소 전극들 사이에 배치되어 상기 데이터 라인이 커버하지 못하는 영역을 커버한다. According to another aspect of the present invention, a display device includes a display substrate, an opposite substrate coupled to the display substrate and having a common electrode formed on the opposite surface, and a liquid crystal layer disposed between the display substrate and the opposite substrate. The display substrate includes a thin film transistor layer, a protective layer, a color filter layer, a pixel electrode, and a light blocking unit. The thin film transistor layer includes a gate line, a data line that is insulated from and crosses the gate line through a gate insulating layer, a thin film transistor connected to the gate line and the data line, and a storage line formed on the same layer as the gate line. The passivation layer covers the thin film transistor layer. The color filter layer is formed on the protective film. The pixel electrode is formed to correspond to each size on the color filter layer. The light blocking unit is formed in the thin film transistor layer and disposed between the pixel electrodes adjacent to each other to cover an area that the data line cannot cover.

이러한 표시 기판 및 이를 갖는 표시 장치에 따르면, 표시 기판에 광차단막을 형성하여 광투과율을 향상시키고, 컬러필터들의 경계부에서의 빛샘을 방지할 수 있다.According to the display substrate and the display device having the same, a light blocking film may be formed on the display substrate to improve light transmittance and to prevent light leakage at the boundary of the color filters.

이하, 첨부한 도면들을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예들을 보다 상세하게 설명하고자 한다.Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치를 나타낸 평면도이며, 도 2는 도 1의 Ⅰ-Ⅰ'선을 따라 절단한 단면도이며, 도 3은 도 1의 A부분을 확대한 확대도이다.1 is a plan view illustrating a display device according to an exemplary embodiment of the present invention, FIG. 2 is a cross-sectional view taken along the line II ′ of FIG. 1, and FIG. 3 is an enlarged view of portion A of FIG. 1 enlarged. .

도 1, 도 2 및 도 3을 참조하면, 표시 장치(100)는 표시 기판(200), 대향 기판(300) 및 액정층(400)을 포함한다.1, 2, and 3, the display device 100 includes a display substrate 200, an opposing substrate 300, and a liquid crystal layer 400.

표시 기판(200)은 박막 트랜지스터층(210), 보호막(220), 컬러필터층(230), 화소 전극(240), 제1 광차단막(250) 및 제2 광차단막(260)을 포함한다.The display substrate 200 includes the thin film transistor layer 210, the passivation layer 220, the color filter layer 230, the pixel electrode 240, the first light blocking layer 250, and the second light blocking layer 260.

박막 트랜지스터층(210)은 투명한 절연 기판(270) 상에 형성된다. 절연 기판(270)은 예를 들어, 유리 또는 플라스틱으로 형성된다. The thin film transistor layer 210 is formed on the transparent insulating substrate 270. Insulating substrate 270 is formed of, for example, glass or plastic.

박막 트랜지스터층(210)은 게이트 라인(GL), 게이트 절연막(211)을 통해 게이트 라인(GL)과 절연되어 교차하는 데이터 라인(DL), 게이트 라인(GL) 및 데이터 라인(DL)과 연결된 박막 트랜지스터(TFT), 및 게이트 라인(GL)과 동일한 층에 형성된 스토리지 배선(SL)을 포함한다.The thin film transistor layer 210 is insulated from the gate line GL by the gate line GL and the gate insulating layer 211 and crosses the data line DL, the gate line GL, and the data line DL. The transistor TFT and a storage line SL formed on the same layer as the gate line GL.

게이트 라인(GL)은 절연 기판(270) 상에 형성되며, 예를 들어, 가로 방향으로 연장되도록 형성된다. The gate line GL is formed on the insulating substrate 270 and, for example, is formed to extend in the horizontal direction.

게이트 라인(GL)은 각 화소를 두 개의 구역으로 나누어 구동시키기 위하여, 예를 들어, 제1 게이트 라인부(GL1) 및 제2 게이트 라인부(GL2)를 포함할 수 있다. 이때, 제2 게이트 라인부(GL2)는 제1 게이트 라인부(GL1)와 스토리지 배선(SL) 사이에 형성된다. 이와 달리, 게이트 라인(GL)은 제1 게이트 라인부(GL1)만을 포함할 수 있다.The gate line GL may include, for example, a first gate line part GL1 and a second gate line part GL2 to drive each pixel by dividing it into two regions. In this case, the second gate line part GL2 is formed between the first gate line part GL1 and the storage line SL. In contrast, the gate line GL may include only the first gate line part GL1.

스토리지 배선(SL)은 게이트 라인(GL)과 동일한 층에 동일한 물질로 동시에 형성된다. 스토리지 배선(SL)은 예를 들어, 게이트 라인(GL)들 사이에서 게이트 라인(GL)들과 동일한 방향으로 연장되도록 형성된다. 스토리지 배선(SL)은 게이트 절연막(211), 보호막(220) 및 컬러필터층(230)을 사이에 두고 화소 전극(240)과 대향하여 스토리지 커패시터(Cst)를 형성한다. 이와 달리, 스토리지 배선(SL)에 대응되는 컬러필터층(230) 영역에 홀을 형성함으로써, 스토리지 배선(SL)과 화소 전극(140)간의 거리를 감소시켜 스토리지 커패시터(Cst)의 정전 용량을 증가시킬 수 있다. 박막 트랜지스터(TFT)를 통해 화소 전극(240)에 인가된 데이터 전압은 스토리지 커패시터(Cst)에 의해 한 프레임 동안 유지된다.The storage line SL is simultaneously formed of the same material on the same layer as the gate line GL. The storage line SL is formed to extend in the same direction as the gate lines GL, for example, between the gate lines GL. The storage line SL forms a storage capacitor Cst facing the pixel electrode 240 with the gate insulating layer 211, the passivation layer 220, and the color filter layer 230 interposed therebetween. On the other hand, by forming a hole in the area of the color filter layer 230 corresponding to the storage line SL, the capacitance between the storage line SL and the pixel electrode 140 may be reduced to increase the capacitance of the storage capacitor Cst. Can be. The data voltage applied to the pixel electrode 240 through the thin film transistor TFT is maintained for one frame by the storage capacitor Cst.

게이트 절연막(211)은 게이트 라인(GL) 및 스토리지 배선(SL)이 형성된 절연 기판(270) 상에 형성된다. 게이트 절연막(211)은 게이트 라인(GL) 및 스토리지 배선(SL)을 보호하고 절연시키기 위한 절연막으로써, 예를 들어, 질화 실리콘(SiNx)으로 형성된다.The gate insulating layer 211 is formed on the insulating substrate 270 on which the gate line GL and the storage line SL are formed. The gate insulating film 211 is an insulating film for protecting and insulating the gate line GL and the storage wiring SL, and is formed of, for example, silicon nitride (SiNx).

데이터 라인(DL)은 게이트 절연막(211) 상에 형성된다. 데이터 라인(DL)은 게이트 절연막(211)을 통해 게이트 라인(GL) 및 스토리지 배선(SL)과 절연되며, 게이트 라인(GL)과 교차되는 방향, 예를 들어, 세로 방향으로 연장되도록 형성된다.The data line DL is formed on the gate insulating layer 211. The data line DL is insulated from the gate line GL and the storage line SL through the gate insulating layer 211, and is formed to extend in a direction crossing the gate line GL, for example, in a vertical direction.

박막 트랜지스터(TFT)는 게이트 라인(GL) 및 데이터 라인(DL)과 연결되어 각 화소에 적어도 하나 이상이 형성된다. 박막 트랜지스터(TFT)는 게이트 라인(GL)을 통해 인가되는 게이트 전압에 반응하여 데이터 라인(DL)을 통해 인가되는 데이터 전압을 화소 전극(240)에 인가한다. The thin film transistor TFT is connected to the gate line GL and the data line DL so that at least one thin film transistor TFT is formed in each pixel. The thin film transistor TFT applies a data voltage applied through the data line DL to the pixel electrode 240 in response to a gate voltage applied through the gate line GL.

박막 트랜지스터(TFT)는 각 화소를 두 개의 구역으로 나누어 구동시키기 위하여, 예를 들어, 제1 박막 트랜지스터부(TFT1) 및 제2 박막 트랜지스터부(TFT2)를 포함할 수 있다. 이때, 제1 박막 트랜지스터부(TFT1)는 제1 게이트 라인부(GL1) 및 데이터 라인(DL)과 연결되며, 제2 박막 트랜지스터부(TFT2)는 제2 게이트 라인부(GL2) 및 데이터 라인(DL)과 연결된다. 이와 달리, 박막 트랜지스터(TFT)는 제1 박막 트랜지스터부(TFT1)만을 포함할 수 있다.The thin film transistor TFT may include, for example, a first thin film transistor unit TFT1 and a second thin film transistor unit TFT2 in order to drive each pixel into two zones. In this case, the first thin film transistor unit TFT1 is connected to the first gate line unit GL1 and the data line DL, and the second thin film transistor unit TFT2 is connected to the second gate line unit GL2 and the data line ( DL). In contrast, the thin film transistor TFT may include only the first thin film transistor unit TFT1.

제1 박막 트랜지스터부(TFT1)는 제1 게이트 전극(212), 제1 액티브층(213), 제1 소오스 전극(214) 및 제1 드레인 전극(215)을 포함할 수 있다. 제1 게이트 전극(212)은 제1 게이트 라인부(GL1)와 연결되며, 제1 박막 트랜지스터부(TFT1)의 게이트 단자를 구성한다. 제1 액티브층(213)은 제1 게이트 전극(212)의 위치에 대응하여 게이트 절연막(211) 상에 형성된다. 제1 액티브층(213)은 예를 들어, 비정질 실리콘(amorphous Silicon : 이하, a-Si)으로 이루어진 반도체층(213a) 및 n형 불순물이 고농도로 도핑된 비정질 실리콘(이하, n+a-Si)으로 이루어진 오믹 콘택 층(213b)을 포함한다. 제1 소오스 전극(214)은 제1 액티브층(213) 상에 형성되어 데이터 라인(DL)과 연결되며, 제1 박막 트랜지스터부(TFT1)의 소오스 단자를 구성한다. 제1 드레인 전극(215)은 제1 액티브층(213) 상에 제1 소오스 전극(214)과 이격되도록 형성되어 제1 박막 트랜지스터부(TFT1)의 드레인 단자를 구성한다. 제1 드레인 전극(215)은 보호막(220) 및 컬러필터층(230)에 형성된 제1 콘택 홀(CNT1)을 통해 제1 화소 전극부(241)와 전기적으로 연결된다. The first thin film transistor TFT1 may include a first gate electrode 212, a first active layer 213, a first source electrode 214, and a first drain electrode 215. The first gate electrode 212 is connected to the first gate line part GL1 and constitutes a gate terminal of the first thin film transistor unit TFT1. The first active layer 213 is formed on the gate insulating layer 211 corresponding to the position of the first gate electrode 212. The first active layer 213 is, for example, a semiconductor layer 213a made of amorphous silicon (hereinafter, referred to as a-Si) and amorphous silicon (hereinafter, n + a-Si) doped with a high concentration of n-type impurities. Ohmic contact layer 213b. The first source electrode 214 is formed on the first active layer 213 to be connected to the data line DL and constitutes a source terminal of the first thin film transistor unit TFT1. The first drain electrode 215 is formed on the first active layer 213 to be spaced apart from the first source electrode 214 to form a drain terminal of the first thin film transistor unit TFT1. The first drain electrode 215 is electrically connected to the first pixel electrode part 241 through the first contact hole CNT1 formed in the passivation layer 220 and the color filter layer 230.

제2 박막 트랜지스터부(TFT2)는 제2 게이트 전극(216), 제2 액티브층(217), 제2 소오스 전극(218) 및 제2 드레인 전극(219)을 포함할 수 있다. 제2 박막 트랜지스터부(TFT2)는 제2 게이트 전극(216)이 제2 게이트 라인부(GL2)와 연결되고, 제2 드레인 전극(219)이 보호막(220) 및 컬러필터층(230)에 형성된 제2 콘택 홀(CNT2)을 통해 제2 화소 전극부(242)와 연결되는 것을 제외하고는 제1 박막 트랜지스터부(TFT1)와 거의 유사한 구조를 가지므로, 중복되는 상세한 설명은 생략하기로 한다.The second thin film transistor TFT2 may include a second gate electrode 216, a second active layer 217, a second source electrode 218, and a second drain electrode 219. In the second thin film transistor TFT2, the second gate electrode 216 is connected to the second gate line GL2, and the second drain electrode 219 is formed on the passivation layer 220 and the color filter layer 230. Since the structure is substantially similar to that of the first thin film transistor TFT1 except for being connected to the second pixel electrode 242 through the second contact hole CNT2, detailed descriptions thereof will be omitted.

보호막(220)은 게이트 라인(GL), 데이터 라인(DL), 박막 트랜지스터(TFT) 및 스토리지 배선(SL)을 포함하는 박막 트랜지스터층(210) 상에 형성된다. 보호막(220)은 박막 트랜지스터층(210)을 보호하고 절연시키기 위한 절연막으로써, 예를 들어, 질화 실리콘(SiNx)으로 형성된다.The passivation layer 220 is formed on the thin film transistor layer 210 including the gate line GL, the data line DL, the thin film transistor TFT, and the storage line SL. The passivation layer 220 is an insulating layer for protecting and insulating the thin film transistor layer 210, and is formed of, for example, silicon nitride (SiNx).

컬러필터층(230)은 보호막(220) 상에 형성된다. 컬러필터층(230)은 감광성 유기 조성물에 색을 구현하기 위한 안료가 포함된 구조를 가질 수 있다. 예를 들어, 컬러필터층(230)은 감광성 유기 조성물에 적색, 녹색 또는 청색의 안료가 각각 포함된 적색, 녹색 및 청색 컬러필터들을 포함한다. 적색, 녹색 및 청색 컬러필터들은 보호막(220) 상에 일정한 패턴을 갖도록 규칙적으로 형성된다. 예를 들어, 적색, 녹색 및 청색 컬러필터들은 각각의 화소에 대응하여 순차적으로 배열된다.The color filter layer 230 is formed on the passivation layer 220. The color filter layer 230 may have a structure including a pigment for realizing color in the photosensitive organic composition. For example, the color filter layer 230 includes red, green, and blue color filters in which a red, green, or blue pigment is included in the photosensitive organic composition, respectively. The red, green, and blue color filters are regularly formed on the passivation layer 220 to have a predetermined pattern. For example, the red, green, and blue color filters are sequentially arranged corresponding to each pixel.

컬러필터층(230)은 표시 기판(200)의 평탄화를 위하여 비교적 두꺼운 두께로 형성된다. 예를 들어, 컬러필터층(230)은 약 2.5㎛ ~ 3.5㎛의 두께로 형성된다.The color filter layer 230 is formed to have a relatively thick thickness to planarize the display substrate 200. For example, the color filter layer 230 is formed to a thickness of about 2.5㎛ 3.5㎛.

이와 같이, 대향 기판(300)에 형성되던 컬러필터층(230)을 표시 기판(200)에 형성함으로써, 표시 기판(200)의 평탄화를 위해 형성되던 유기절연막을 제거하여 약 7% 정도의 투과율 향상과 원가 절감을 달성할 수 있다.As such, by forming the color filter layer 230 formed on the opposing substrate 300 on the display substrate 200, the organic insulating film formed for the planarization of the display substrate 200 is removed to improve transmittance by about 7%. Cost reduction can be achieved.

서로 다른 색을 갖는 컬러필터들의 경계부(232)는 오목한 형상을 갖도록 형성되는 것이 바람직하다. 서로 다른 색을 갖는 컬러필터들이 경계부(232)에서 중첩되어 돌출부가 형성되는 경우에는 액정층(400)에 포함된 액정의 수직 배향력에 의해 돌출부에서 액정의 틸트(tilt)가 발생되며, 이러한 액정의 틸트가 인접부의 액정으로 전이되어 빛샘이 발생될 수 있다. 따라서, 서로 다른 색의 컬러필터들이 경계부(132)에서 이격되도록 공정을 진행하여 돌출부가 아닌 오목한 모양으로 형성하면, 액정의 틸트가 전이되는 방향이 중심부로 향하게 되어 빛샘의 강도를 감소시킬 수 있다.The boundary portion 232 of the color filters having different colors is preferably formed to have a concave shape. When color filters having different colors overlap at the boundary portion 232 to form a protrusion, a tilt of the liquid crystal is generated at the protrusion by the vertical alignment force of the liquid crystal included in the liquid crystal layer 400. The tilt of is transferred to the liquid crystal of the adjacent portion may cause light leakage. Therefore, when the color filters of different colors are formed to be spaced apart from the boundary part 132 to form a concave shape instead of a protruding part, the direction in which the tilt of the liquid crystal is transferred toward the center may reduce the intensity of light leakage.

화소 전극(240)은 각 화소에 대응되도록 컬러필터층(230) 상에 형성된다. 화소 전극(240)은 광이 투과할 수 있는 투명한 도전성 물질로 이루어진다. 예를 들어, 화소 전극(240)은 인듐 징크 옥사이드(Indium Zinc Oxide : IZO) 또는 인듐 틴 옥사이드(Indium Tin Oxide : ITO)로 형성된다. The pixel electrode 240 is formed on the color filter layer 230 to correspond to each pixel. The pixel electrode 240 is made of a transparent conductive material through which light can pass. For example, the pixel electrode 240 is formed of indium zinc oxide (IZO) or indium tin oxide (ITO).

화소 전극(240)은 투과율 향상을 위하여 게이트 라인(GL)의 배열 방향을 따라 지그재그 형태로 형성될 수 있다. 이에 따라, 화소 전극(240)은 데이터 라인(DL)과 중첩되게 형성된다. 한편, 화소 전극(240)은 보호막(220) 및 게이트 절연막(212)을 사이에 두고 스토리지 배선(SL)과 대향하여 스토리지 커패시터(Cst)를 형성한다. The pixel electrode 240 may be formed in a zigzag form along the arrangement direction of the gate line GL to improve transmittance. Accordingly, the pixel electrode 240 is formed to overlap the data line DL. The pixel electrode 240 forms the storage capacitor Cst to face the storage line SL with the passivation layer 220 and the gate insulating layer 212 interposed therebetween.

화소 전극(240)은 각 화소를 두 개의 구역으로 나누어 구동시키기 위하여, 예를 들어, 제1 화소 전극부(241) 및 제2 화소 전극부(242)를 포함할 수 있다. 이때, 제1 화소 전극부(241)는 제1 콘택홀(CNT1) 영역에서 제1 박막 트랜지스터부(TFT)의 제1 드레인 전극(215)과 연결되며, 제2 화소 전극부(242)는 제2 콘택 홀(CNT2) 영역에서 제2 박막 트랜지스터부(TFT2)의 제2 드레인 전극(219)과 연결된다. The pixel electrode 240 may include, for example, a first pixel electrode part 241 and a second pixel electrode part 242 in order to drive each pixel by dividing into two zones. In this case, the first pixel electrode part 241 is connected to the first drain electrode 215 of the first thin film transistor TFT in the first contact hole CNT1 region, and the second pixel electrode part 242 is formed in the first contact hole CNT1 region. The second drain electrode 219 of the second thin film transistor unit TFT2 is connected to the second contact hole CNT2.

한편, 화소 전극(240)은 각 화소에 독립적으로 형성되므로, 인접한 화소들 사이가 개구되어 컬러필터층(230)이 노출될 수 있다. 컬러필터층(230)의 노출된 영역을 통해 불순물이 유출되어 액정을 오염시킬 수 있으므로, 컬러필터층(230)과 화소 전극(240) 사이에는 불순물 유출을 방지하기 위한 무기 절연막(미도시)이 더 형성될 수 있다.Meanwhile, since the pixel electrode 240 is formed independently of each pixel, the color filter layer 230 may be exposed by opening between adjacent pixels. Since impurities may leak through the exposed areas of the color filter layer 230 to contaminate the liquid crystal, an inorganic insulating layer (not shown) may be further formed between the color filter layer 230 and the pixel electrode 240 to prevent impurities from leaking out. Can be.

제1 광차단막(250)은 서로 인접한 화소 전극(240)들 사이에 배치되도록 게이트 라인(GL)과 동일한 층에 형성된다. 따라서, 제1 광차단막(250)은 각 화소의 경계부에 해당하는 컬러필터들의 경계부(232)에 위치하여 광 투과를 차단하고 대비비(contrast ratio)를 향상시킨다. 예를 들어, 화소 전극(240)간의 간격이 약 8㎛ 로 형성되면, 제1 광차단막(250)은 약 10㎛ 이하의 폭으로 형성될 수 있다. 대향 기판(300)에 블랙 매트릭스가 형성되는 경우, 얼라인 미스를 고려하여 블랙 매트릭스의 폭을 약 12㎛로 형성하였으나, 블랙 매트릭스를 대신하여 표시 기판(200)에 제1 광차단막(250)을 형성함으로써, 약 2%의 개구율을 향상시킬 수 있다. 또한, 표시 기판(200)과 대향 기판(300)의 얼라인 미스에 따른 좌우 도메인간의 광특성 편차가 발생하지 않아 시야각에 따른 표시 특성이 안정된다. 또한, 대향 기판(300)에 형성되던 블랙 매트릭스가 제거됨에 따라, 평탄화를 위해 사용되던 오버 코팅층을 제거할 수 있어, 추가적인 원가 절감 및 투과율 향상을 달성할 수 있다. The first light blocking layer 250 is formed on the same layer as the gate line GL to be disposed between the pixel electrodes 240 adjacent to each other. Therefore, the first light blocking layer 250 is positioned at the boundary portion 232 of the color filters corresponding to the boundary portion of each pixel to block light transmission and to improve the contrast ratio. For example, when the interval between the pixel electrodes 240 is about 8 μm, the first light blocking layer 250 may have a width of about 10 μm or less. When the black matrix is formed on the counter substrate 300, the width of the black matrix is formed to about 12 μm in consideration of misalignment. However, the first light blocking layer 250 is formed on the display substrate 200 in place of the black matrix. By forming, the opening ratio of about 2% can be improved. In addition, since there is no optical characteristic deviation between the left and right domains due to misalignment of the display substrate 200 and the counter substrate 300, the display characteristics according to the viewing angle are stabilized. In addition, as the black matrix formed on the counter substrate 300 is removed, the overcoating layer used for planarization may be removed, thereby further reducing cost and improving transmittance.

제1 광차단막(250)은 게이트 라인(GL)과는 기본적으로 이격되어야 하며, 공통 전압이 인가되는 스토리지 배선(SL)과 연결되거나, 또는 스토리지 배선(SL)과 이격되어 플로팅(floating) 상태를 유지할 수 있다. The first light blocking layer 250 should be basically spaced apart from the gate line GL, connected to the storage line SL to which a common voltage is applied, or spaced apart from the storage line SL. I can keep it.

게이트 라인(GL)이 제1 게이트 라인부(GL1) 및 제2 게이트 라인부(GL2)를 포함하는 경우, 제1 광차단막(250)은 제1 게이트 라인부(GL1)와 스토리지 배선(SL) 사이에 형성되는 제1 광차단부(251), 제2 게이트 라인부(GL2)와 스토리지 배선(SL) 사이에 형성되는 제2 광차단부(252) 및 제1 게이트 라인부(GL1)와 제2 게이트 라인부(GL2) 사이에 형성되는 제3 광차단부(253)을 포함할 수 있다. 이때, 제1 광차단부(251)의 일단은 제1 게이트 라인부(GL1)와 소정 거리로 이격되며, 타단은 스토리지 배선(SL)과 연결된다. 또한, 제2 광차단부(252)의 일단은 스토리지 배선(SL)과 연결되며, 타단은 제2 게이트 라인부(GL2)와 소정 거리로 이격된다. 또한, 제3 광차단부(253)의 일단은 제2 게이트 라인부(GL2)와 소정 거리로 이격되며, 타단은 제 1 게이트 라인부(GL1)와 소정 거리로 이격된다. 이와 같이, 제1 광차단막(250)은 컬러필터들의 경계부(232)를 대부분 커버하지만, 게이트 라인(GL)과 인접한 일부 영역은 커버하지 못하게 된다.When the gate line GL includes the first gate line part GL1 and the second gate line part GL2, the first light blocking layer 250 may include the first gate line part GL1 and the storage line SL. The first light blocking portion 251 formed between the second light blocking portion 252 and the first gate line portion GL1 and the second gate line portion GL2 and the storage wiring SL formed between the first and second gate line portions GL2 and the storage wiring SL. The light blocking part 253 may be formed between the two gate line parts GL2. In this case, one end of the first light blocking part 251 is spaced apart from the first gate line part GL1 by a predetermined distance, and the other end thereof is connected to the storage line SL. In addition, one end of the second light blocking part 252 is connected to the storage line SL, and the other end is spaced apart from the second gate line part GL2 by a predetermined distance. In addition, one end of the third light blocking part 253 is spaced apart from the second gate line part GL2 by a predetermined distance, and the other end is spaced apart from the first gate line part GL1 by a predetermined distance. As such, the first light blocking layer 250 covers most of the boundary portion 232 of the color filters, but does not cover some regions adjacent to the gate line GL.

따라서, 본 실시예에서는 컬러필터들의 경계부(232) 중에서 제1 광차단막(250)이 커버하지 못하는 영역을 제1 광차단막(250)과 다른 층에 형성된 제2 광차단막(260)을 통해 커버한다.Therefore, in the present exemplary embodiment, an area that the first light blocking film 250 does not cover among the boundary portions 232 of the color filters is covered by the second light blocking film 260 formed on a layer different from the first light blocking film 250. .

제2 광차단막(260)은 게이트 절연막(211)을 사이에 두고 게이트 라인(GL)과 다른 층에 형성되는 데이터 라인(DL)과 동일한 층에 형성된다. 따라서, 제2 광차단막(260)은 게이트 절연막(211)을 통해 제1 광차단막(250) 및 게이트 라인(GL)과 절연된다. 또한, 제2 광차단막(260)은 데이터 라인(DL)과 연결되거나, 데이터 라인(DL)과 이격되어 플로팅 상태를 유지할 수 있다.The second light blocking layer 260 is formed on the same layer as the data line DL formed on a layer different from the gate line GL with the gate insulating layer 211 interposed therebetween. Therefore, the second light blocking layer 260 is insulated from the first light blocking layer 250 and the gate line GL through the gate insulating layer 211. In addition, the second light blocking layer 260 may be connected to the data line DL or spaced apart from the data line DL to maintain a floating state.

제2 광차단막(260)은 컬러필터들의 경계부(232)에서 제1 광차단막(250)과 게이트 라인(GL) 사이에 배치된다. 예를 들어, 제2 광차단막(260)은 제1 게이트 라인부(GL1)와 제1 광차단부(251) 사이에 배치되는 제4 광차단부(261), 제2 게이트 라인부(GL2)와 제2 광차단부(252) 사이에 배치되는 제5 광차단부(262), 제2 게이트 라인부(GL2)와 제3 광차단부(253) 사이에 배치되는 제6 광차단부(263) 및 제1 게이트 라인부(GL1)와 제3 광차단부(253) 사이에 배치되는 제7 광차단부(264)를 포함할 수 있다. 이때, 제4 광차단막(261) 및 제7 광차단막(264)은 데이터 라인(DL)과 이격되어 플로팅 상태를 유지하며, 제5 광차단막(262) 및 제6 광차단막(263)은 데이터 라인(DL)과 연결될 수 있다.The second light blocking layer 260 is disposed between the first light blocking layer 250 and the gate line GL at the boundary portion 232 of the color filters. For example, the second light blocking film 260 may include a fourth light blocking part 261 and a second gate line part GL2 disposed between the first gate line part GL1 and the first light blocking part 251. And a fifth light blocking portion 262 disposed between the second light blocking portion 252 and the second light blocking portion 263 disposed between the second gate line portion GL2 and the third light blocking portion 253. ) And a seventh light blocking portion 264 disposed between the first gate line portion GL1 and the third light blocking portion 253. In this case, the fourth light blocking layer 261 and the seventh light blocking layer 264 are spaced apart from the data line DL to maintain a floating state, and the fifth light blocking layer 262 and the sixth light blocking layer 263 are each a data line. (DL).

이와 같이, 제1 광차단부(250) 및 제2 광차단부(260)를 이용하여 컬러필터들의 경계부(232)를 완전히 커버함으로써, 컬러필터들의 경계부(232)에서 발생되는 빛샘을 완전히 방지할 수 있다.As such, by completely covering the boundary portion 232 of the color filters using the first light blocking portion 250 and the second light blocking portion 260, light leakage generated at the boundary portion 232 of the color filters may be completely prevented. Can be.

대향 기판(300)은 액정층(400)을 사이에 두고 표시 기판(200)과 대향하도록 결합된다. 대향 기판(300)은 표시 기판(200)과 대향하는 절연 기판(310)의 대향면에 형성된 공통 전극(320)을 포함한다. 공통 전극(320)은 광의 투과를 위하여 투명한 도전성 물질로 형성된다. 예를 들어, 공통 전극(320)은 화소 전극(240)과 동일한 인듐 징크 옥사이드(Indium Zinc Oxide : IZO) 또는 인듐 틴 옥사이드(Indium Tin Oxide : ITO)로 형성된다. 공통 전극(320)에는 광시야각의 구현을 위한 개구 패턴이 형성될 수 있다.The opposite substrate 300 is coupled to face the display substrate 200 with the liquid crystal layer 400 therebetween. The opposite substrate 300 includes a common electrode 320 formed on an opposite surface of the insulating substrate 310 facing the display substrate 200. The common electrode 320 is formed of a transparent conductive material to transmit light. For example, the common electrode 320 is formed of the same indium zinc oxide (IZO) or indium tin oxide (ITO) as the pixel electrode 240. An opening pattern for implementing a wide viewing angle may be formed in the common electrode 320.

표시 기판(200)에 제1 광차단막(250) 및 제2 광차단막(260)을 형성함으로 인해, 대향 기판(300)에는 블랙 매트릭스가 형성되지 않는다. 이와 같이, 블랙 매트릭스가 제거되면, 블랙 매트릭스의 보호 및 평탄화를 위해 사용되던 오버 코팅층을 제거할 수 있어, 추가적인 원가 절감 및 투과율 향상을 달성할 수 있다. By forming the first light blocking layer 250 and the second light blocking layer 260 on the display substrate 200, the black matrix is not formed on the opposing substrate 300. As such, when the black matrix is removed, the overcoating layer used for the protection and planarization of the black matrix can be removed, thereby achieving further cost reduction and transmittance improvement.

액정층(400)은 이방성 굴절률, 이방성 유전율 등의 광학적, 전기적 특성을 갖는 액정들이 일정한 형태로 배열된 구조를 갖는다. 액정층(400)은 화소 전극(240)과 공통 전극(320) 사이에 형성되는 전계에 의하여 액정들의 배열이 변화되고, 액정들의 배열 변화에 따라서 통과하는 광의 투과율을 제어한다. The liquid crystal layer 400 has a structure in which liquid crystals having optical and electrical characteristics such as anisotropic refractive index and anisotropic dielectric constant are arranged in a predetermined form. In the liquid crystal layer 400, the arrangement of liquid crystals is changed by an electric field formed between the pixel electrode 240 and the common electrode 320, and the transmittance of light passing through the liquid crystal layer 400 is controlled according to the arrangement change of the liquid crystals.

도 4는 본 발명의 다른 실시예에 따른 표시 장치를 나타낸 평면도이다. 도 4에서, 제1 광차단막 및 제2 광차단막을 제외한 나머지 구성은 도 1에 도시된 것과 동일하므로, 그 중복되는 상세한 설명은 생략하기로 한다.4 is a plan view illustrating a display device according to another exemplary embodiment of the present invention. In FIG. 4, the rest of the components except for the first light blocking film and the second light blocking film are the same as those shown in FIG. 1, and thus detailed description thereof will be omitted.

도 4를 참조하면, 제1 광차단막(250)은 스토리지 배선(SL)과 소정 거리로 이격되어 플로팅 상태를 유지할 수 있다. 따라서, 제1 광차단막(250)과 스토리지 배선(SL) 사이의 이격된 영역을 커버하기 위하여, 제2 광차단막(260)은 제1 광차단막(250)과 스토리지 배선(SL) 사이에 더 형성될 수 있다.Referring to FIG. 4, the first light blocking layer 250 may be spaced apart from the storage line SL by a predetermined distance to maintain a floating state. Therefore, the second light blocking layer 260 is further formed between the first light blocking layer 250 and the storage line SL to cover a spaced area between the first light blocking layer 250 and the storage line SL. Can be.

예를 들어, 제1 광차단부(251) 및 제2 광차단부(252)는 스토리지 배선(SL)과 소정 거리로 이격된다. 이때, 제1 광차단부(251) 및 제2 광차단부(252)와 스토리지 배선(SL) 사이의 이격된 영역을 커버하기 위하여, 제2 광차단막(260)은 스토리지 배선(SL)과 제1 광차단부(251) 사이에 형성되는 제8 광차단부(265) 및 스토리지 배선(SL)과 제2 광차단부(252) 사이에 형성되는 제9 광차단부(266)를 더 포함할 수 있다. 제8 광차단부(265) 및 제9 광차단부(266)는 예를 들어, 데이터 라인(DL)과 이격되어 플로팅 상태를 유지한다.For example, the first light blocking unit 251 and the second light blocking unit 252 are spaced apart from the storage line SL by a predetermined distance. In this case, the second light blocking layer 260 may include the storage line SL and the first light blocking unit 251 to cover the spaced apart area between the second light blocking unit 252 and the storage line SL. The light blocking part 251 may further include an eighth light blocking part 265 formed between the first light blocking part 251 and a ninth light blocking part 266 formed between the storage wiring SL and the second light blocking part 252. Can be. The eighth light blocking unit 265 and the ninth light blocking unit 266 are spaced apart from, for example, the data line DL to maintain a floating state.

도 5는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 표시 장치를 나타낸 평면도이며, 도 6은 도 5의 Ⅱ-Ⅱ'선을 따라 절단한 단면도이며, 도 7은 도 5의 B부분을 확대한 확대도이다. 도 5 및 도 6에서, 표시 기판을 제외한 나머지 구성은 도 1 및 도 2에 도시된 것과 동일하므로, 그 중복되는 상세한 설명은 생략하기로 한다. 5 is a plan view illustrating a display device according to still another embodiment of the present invention, FIG. 6 is a cross-sectional view taken along the line II-II ′ of FIG. 5, and FIG. 7 is an enlarged view of portion B of FIG. 5 enlarged. to be. 5 and 6, the rest of the configuration except for the display substrate is the same as that illustrated in FIGS. 1 and 2, and thus the detailed description thereof will be omitted.

도 5, 도 6 및 도 7을 참조하면, 서로 인접한 화소 전극(240)들 사이에는 기본적으로 데이터 라인(DL)이 배치된다. 즉, 데이터 라인(DL)은 화소 전극(240)이 게이트 라인(GL)들의 배열 방향을 따라 지그재그 형태로 형성된 것과 마찬가지로, 게이트 라인(GL)의 배열 방향을 따라 지그재그 형태로 형성된다. 예를 들어, 데이 터 라인(DL)은 스토리지 배선(SL)의 양측에 배치되는 제1 게이트 라인부(GL1)와 제2 게이트 라인부(GL2) 사이에서 컬러필터들의 경계부(232)에 배치된다. 따라서, 데이터 라인(DL)은 각 화소의 경계부에 해당하는 컬러필터들의 경계부(232)에 배치되어 빛샘을 방지한다. 5, 6, and 7, the data line DL is basically disposed between the pixel electrodes 240 adjacent to each other. That is, the data line DL is formed in a zigzag form along the array direction of the gate line GL, similarly to the pixel electrode 240 formed in the zigzag form along the arrangement direction of the gate lines GL. For example, the data line DL is disposed at the boundary portion 232 of the color filters between the first gate line portion GL1 and the second gate line portion GL2 disposed on both sides of the storage line SL. . Therefore, the data line DL is disposed at the boundary portion 232 of the color filters corresponding to the boundary portion of each pixel to prevent light leakage.

그러나, 데이터 라인(DL)은 박막 트랜지스터(TFT)의 형성을 위해, 일부 영역에서 컬러필터들의 경계부(232)를 커버하지 못하게 된다. 예를 들어, 데이터 라인(DL)은 제1 게이트 라인부(GL1)와 인접한 일부 영역에서는 컬러필터들의 경계부(232)를 커버하지 못하게 된다.However, the data line DL may not cover the boundary portion 232 of the color filters in some regions in order to form the thin film transistor TFT. For example, the data line DL may not cover the boundary portion 232 of the color filters in some regions adjacent to the first gate line portion GL1.

따라서, 본 실시예에서는 컬러필터들의 경계부(232) 중에서 데이터 라인(DL)이 커버하지 못하는 영역을 광차단막(280)을 통해 커버한다.Therefore, in the present exemplary embodiment, the light blocking layer 280 covers an area that the data line DL does not cover among the boundary portions 232 of the color filters.

광차단막(280)은 박막 트랜지스터층(210)에 형성되며, 서로 인접한 화소 전극(240)들 사이에 배치되어 데이터 라인(DL)이 커버하지 못하는 영역을 커버한다. 예를 들어, 광차단막(280)은 제1 게이트 라인부(GL1)와 데이터 라인(DL) 사이에 형성된다. 따라서, 각 화소의 경계부에 해당하는 컬러필터들의 경계부(232)에는 데이터 라인(DL)과 광차단부(280)가 배치된다.The light blocking layer 280 is formed in the thin film transistor layer 210 and is disposed between the pixel electrodes 240 adjacent to each other to cover an area that the data line DL cannot cover. For example, the light blocking film 280 is formed between the first gate line part GL1 and the data line DL. Therefore, the data line DL and the light blocking unit 280 are disposed at the boundary portion 232 of the color filters corresponding to the boundary portion of each pixel.

이와 같이, 데이터 라인(DL) 및 광차단부(280)를 이용하여 컬러필터들의 경계부(232)를 완전히 커버함으로써, 컬러필터들의 경계부(232)에서 발생되는 빛샘을 완전히 방지할 수 있다.As such, by completely covering the boundary portion 232 of the color filters using the data line DL and the light blocking portion 280, light leakage generated at the boundary portion 232 of the color filters may be completely prevented.

광차단부(280)는 도 7에 도시된 바와 같이, 게이트 라인(GL)과 동일한 층에 형성될 수 있다. 이 경우, 광차단부(280)는 게이트 라인(GL)과 연결되며, 데이터 라인(DL)과는 게이트 절연막(211)을 통해 절연된다.As illustrated in FIG. 7, the light blocking portion 280 may be formed on the same layer as the gate line GL. In this case, the light blocking unit 280 is connected to the gate line GL and is insulated from the data line DL through the gate insulating layer 211.

도 8은 도 7에 도시된 광차단부의 다른 실시예를 나타낸 확대도이다.FIG. 8 is an enlarged view illustrating another embodiment of the light blocking unit illustrated in FIG. 7.

도 8을 참조하면, 다른 실시예에 따른 광차단부(285)는 데이터 라인(DL)과 동일한 층에 형성될 수 있다. 이 경우, 광차단부(285)는 데이터 라인과 연결되며, 게이트 라인(GL)과는 게이트 절연막(211)을 통해 절연된다. Referring to FIG. 8, the light blocking unit 285 according to another embodiment may be formed on the same layer as the data line DL. In this case, the light blocking part 285 is connected to the data line and is insulated from the gate line GL through the gate insulating layer 211.

도 9는 도 7에 도시된 광차단부의 또 다른 실시예를 나타낸 확대도이다.FIG. 9 is an enlarged view illustrating still another embodiment of the light blocking unit illustrated in FIG. 7.

도 9를 참조하면, 또 다른 실시예에 따른 광차단부(290)는 게이트 라인(GL)과 동일한 층에 형성된 제1 광차단막(292) 및 데이터 라인(DL)과 동일한 층에 형성된 제2 광차단막(294)을 포함할 수 있다. 이 경우, 제1 광차단막(292)은 게이트 라인(GL)과 연결되며, 제2 광차단막(294)은 데이터 라인(DL)과 연결되며, 제1 광차단막(292) 및 제2 광차단막(294)은 게이트 절연막(211)을 통해 절연된다.Referring to FIG. 9, the light blocking portion 290 according to another embodiment may include a first light blocking layer 292 and a second light formed on the same layer as the data line DL. The blocking film 294 may be included. In this case, the first light blocking film 292 is connected to the gate line GL, the second light blocking film 294 is connected to the data line DL, and the first light blocking film 292 and the second light blocking film ( 294 is insulated through the gate insulating film 211.

이와 같이, 데이터 라인(DL)이 커버하지 못하는 컬러필터들의 경계부(232)를 게이트 라인(GL) 또는 데이터 라인(DL)을 연장하여 커버함으로써, 컬러필터들의 경계부(232)에서 발생될 수 있는 빛샘 문제를 완전히 해결할 수 있다.As such, by covering the boundary portion 232 of the color filters that the data line DL does not cover by extending the gate line GL or the data line DL, light leakage that may be generated at the boundary portion 232 of the color filters. You can solve the problem completely.

이와 같은 표시 기판 및 이를 갖는 표시 장치에 따르면, 대향 기판에 형성되던 블랙 매트릭스를 대신하여 표시 기판에 게이트 메탈 또는 데이터 메탈로 광차단막을 형성함으로써, 컬러필터들의 경계부에서 발생되는 빛샘 문제를 방지할 수 있다. According to such a display substrate and a display device having the same, a light blocking film made of a gate metal or a data metal is formed on the display substrate instead of the black matrix formed on the counter substrate, thereby preventing a light leakage problem occurring at the boundary of the color filters. have.

또한, 대향 기판에 형성되던 블랙 매트릭스 및 오버 코팅층을 제거하여 원가 를 절감하고, 투과율을 향상시킬 수 있다.In addition, it is possible to reduce the cost and improve the transmittance by removing the black matrix and the overcoating layer formed on the counter substrate.

앞서 설명한 본 발명의 상세한 설명에서는 본 발명의 바람직한 실시예들을 참조하여 설명하였지만, 해당 기술분야의 숙련된 당업자 또는 해당 기술분야에 통상의 지식을 갖는 자라면 후술될 특허청구범위에 기재된 본 발명의 사상 및 기술 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.In the detailed description of the present invention described above with reference to the preferred embodiments of the present invention, those skilled in the art or those skilled in the art having ordinary skill in the art will be described in the claims to be described later It will be understood that various modifications and variations can be made in the present invention without departing from the scope of the present invention.

Claims (24)

게이트 라인, 게이트 절연막을 통해 상기 게이트 라인과 절연되어 교차하는 데이터 라인, 상기 게이트 라인 및 상기 데이터 라인과 연결된 박막 트랜지스터, 및 상기 게이트 라인과 동일한 층에 형성된 스토리지 배선을 포함하는 박막 트랜지스터층;A thin film transistor layer including a gate line, a data line insulated from and intersecting the gate line through a gate insulating layer, a thin film transistor connected to the gate line and the data line, and a storage line formed on the same layer as the gate line; 상기 박막 트랜지스터층을 커버하는 보호막;A passivation layer covering the thin film transistor layer; 상기 보호막 상에 형성된 컬러필터층;A color filter layer formed on the protective film; 상기 컬러필터층 상에 각 확소에 대응되도록 형성된 화소 전극;A pixel electrode formed on the color filter layer so as to correspond to each expansion; 상기 게이트 라인과 동일한 층에 형성되며, 서로 인접한 상기 화소 전극들 사이에 배치되는 제1 광차단막; 및A first light blocking layer formed on the same layer as the gate line and disposed between the pixel electrodes adjacent to each other; And 상기 데이터 라인과 동일한 층에 형성되며, 상기 제1 광차단막과 상기 게이트 라인 사이에 배치되는 제2 광차단막을 포함하는 표시 기판.And a second light blocking layer formed on the same layer as the data line and disposed between the first light blocking layer and the gate line. 제1항에 있어서, 상기 컬러필터층은 서로 다른 색을 갖는 컬러필터들을 포함하며, 상기 제1 광차단막 및 상기 제2 광차단막은 상기 컬러필터들의 경계부에 배치되는 것을 특징으로 하는 표시 기판.The display substrate of claim 1, wherein the color filter layer includes color filters having different colors, and the first light blocking layer and the second light blocking layer are disposed at a boundary between the color filters. 제2항에 있어서, 상기 제1 광차단막은 공통전압이 인가되는 상기 스토리지 배선과 연결된 것을 특징으로 하는 표시 기판.The display substrate of claim 2, wherein the first light blocking layer is connected to the storage line to which a common voltage is applied. 제2항에 있어서, 상기 제1 광차단막은 상기 게이트 라인 및 상기 스토리지 배선과 이격되어 플로팅 상태를 유지하는 것을 특징으로 하는 표시 기판.The display substrate of claim 2, wherein the first light blocking layer is spaced apart from the gate line and the storage line to maintain a floating state. 제4항에 있어서, 상기 제2 광차단막은 상기 제1 광차단막과 상기 스토리지 배선 사이에 더 형성되는 것을 특징으로 하는 표시 기판.The display substrate of claim 4, wherein the second light blocking film is further formed between the first light blocking film and the storage wiring. 제2항에 있어서, 상기 제2 광차단막은 상기 데이터 라인과 이격되어 플로팅 상태를 유지하거나 또는 상기 데이터 라인과 연결된 것을 특징으로 하는 표시 기판.The display substrate of claim 2, wherein the second light blocking layer is spaced apart from the data line to maintain a floating state or connected to the data line. 제2항에 있어서, 상기 화소 전극은 상기 데이터 라인과 중첩되도록 상기 게이트 라인의 배열 방향을 따라 지그재그 형태로 형성되는 것을 특징으로 하는 표시 기판.The display substrate of claim 2, wherein the pixel electrode is formed in a zigzag shape along an array direction of the gate line to overlap the data line. 제7항에 있어서, The method of claim 7, wherein 상기 화소 전극은 전기적으로 서로 분리된 제1 화소 전극부 및 제2 화소 전극부를 포함하며,The pixel electrode includes a first pixel electrode part and a second pixel electrode part electrically separated from each other. 상기 박막 트랜지스터는 상기 제1 화소 전극부에 연결된 제1 박막 트랜지스터부 및 상기 제2 화소 전극부에 연결된 제2 박막 트랜지스터부를 포함하며,The thin film transistor includes a first thin film transistor part connected to the first pixel electrode part and a second thin film transistor part connected to the second pixel electrode part. 상기 게이트 라인은 상기 제1 박막 트랜지스터부에 연결된 제1 게이트 라인부 및 상기 제2 박막 트랜지스터부에 연결되며 상기 제1 게이트 라인부와 상기 스토리지 배선 사이에 배치되는 제2 게이트 라인부를 포함하는 것을 특징으로 하는 표시 기판.The gate line may include a first gate line part connected to the first thin film transistor part and a second gate line part connected to the second thin film transistor part and disposed between the first gate line part and the storage wiring. Display substrate. 제8항에 있어서, 상기 제1 광차단막은 The method of claim 8, wherein the first light blocking film 상기 제1 게이트 라인부와 상기 스토리지 배선 사이에 형성되는 제1 광차단부;A first light blocking portion formed between the first gate line portion and the storage wiring; 상기 제2 게이트 라인부와 상기 스토리지 배선 사이에 형성되는 제2 광차단부; 및A second light blocking portion formed between the second gate line portion and the storage wiring; And 상기 제1 게이트 라인부와 상기 제2 게이트 라인부 사이에 형성되는 제3 광차단부를 포함하는 것을 특징으로 하는 표시 기판.And a third light blocking portion formed between the first gate line portion and the second gate line portion. 제9항에 있어서, 상기 제2 광차단막은 The method of claim 9, wherein the second light blocking film 상기 제1 게이트 라인부와 상기 제1 광차단부 사이에 형성되는 제4 광차단부;A fourth light blocking portion formed between the first gate line portion and the first light blocking portion; 상기 제2 게이트 라인부와 상기 제2 광차단부 사이에 형성되는 제5 광차단부;A fifth light blocking portion formed between the second gate line portion and the second light blocking portion; 상기 제2 게이트 라인부와 상기 제3 광차단부 사이에 형성되는 제6 광차단부; 및A sixth light blocking portion formed between the second gate line portion and the third light blocking portion; And 상기 제1 게이트 라인부와 상기 제3 광차단부 사이에 형성되는 제7 광차단부를 포함하는 것을 특징으로 하는 표시 기판.And a seventh light blocking portion formed between the first gate line portion and the third light blocking portion. 제10항에 있어서, The method of claim 10, 상기 제4 광차단부 및 상기 제7 광차단부는 상기 데이터 라인과 이격되어 플로팅 상태를 유지하며, The fourth light blocking unit and the seventh light blocking unit are spaced apart from the data line to maintain a floating state, 상기 제5 광차단부 및 상기 제6 광차단부는 상기 데이터 라인과 연결된 것을 특징으로 하는 표시 기판.And the fifth light blocking part and the sixth light blocking part are connected to the data line. 제10항에 있어서, 상기 제2 광차단막은 The method of claim 10, wherein the second light blocking film 상기 스토리지 배선과 상기 제1 광차단부 사이에 형성되는 제8 광차단부; 및An eighth light blocking portion formed between the storage line and the first light blocking portion; And 상기 스토리지 배선과 상기 제2 광차단부 사이에 형성되는 제9 광차단부를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 표시 기판.And a ninth light blocking portion formed between the storage line and the second light blocking portion. 게이트 라인, 게이트 절연막을 통해 상기 게이트 라인과 절연되어 교차하는 데이터 라인, 상기 게이트 라인 및 상기 데이터 라인과 연결된 박막 트랜지스터, 및 상기 게이트 라인과 동일한 층에 형성된 스토리지 배선을 포함하는 박막 트랜지스터층;A thin film transistor layer including a gate line, a data line insulated from and intersecting the gate line through a gate insulating layer, a thin film transistor connected to the gate line and the data line, and a storage line formed on the same layer as the gate line; 상기 박막 트랜지스터층을 커버하는 보호막;A passivation layer covering the thin film transistor layer; 상기 보호막 상에 형성된 컬러필터층;A color filter layer formed on the protective film; 상기 컬러필터층 상에 각 확소에 대응되도록 형성된 화소 전극; 및A pixel electrode formed on the color filter layer so as to correspond to each expansion; And 상기 박막 트랜지스터층에 형성되며, 서로 인접한 상기 화소 전극들 사이에 배치되어 상기 데이터 라인이 커버하지 못하는 영역을 커버하는 광차단부를 포함하는 표시 기판.And a light blocking portion formed on the thin film transistor layer and disposed between the pixel electrodes adjacent to each other to cover an area that the data line cannot cover. 제13항에 있어서, 상기 컬러필터층은 서로 다른 색을 갖는 컬러필터들을 포함하며, 상기 컬러필터들의 경계부에는 상기 데이터 라인 및 상기 광차단부가 배치되는 것을 특징으로 하는 표시 기판. The display substrate of claim 13, wherein the color filter layer includes color filters having different colors, and the data line and the light blocking part are disposed at boundaries of the color filters. 제14항에 있어서, 상기 광차단부는 상기 게이트 라인과 동일한 층에 형성된 것을 특징으로 하는 표시 기판.The display substrate of claim 14, wherein the light blocking portion is formed on the same layer as the gate line. 제14항에 있어서, 상기 광차단부는 상기 데이터 라인과 동일한 층에 형성된 것을 특징으로 하는 표시 기판.The display substrate of claim 14, wherein the light blocking portion is formed on the same layer as the data line. 제14항에 있어서, 상기 광차단부는 The method of claim 14, wherein the light blocking unit 상기 게이트 라인과 동일한 층에 형성된 제1 광차단막; 및A first light blocking layer formed on the same layer as the gate line; And 상기 데이터 라인과 동일한 층에 형성된 제2 광차단막을 포함하는 것을 특징으로 하는 표시 기판.And a second light blocking layer formed on the same layer as the data line. 제17항에 있어서, 상기 제1 광차단막은 상기 게이트 라인과 연결되며, 상기 제2 광차단막은 상기 데이터 라인과 연결된 것을 특징으로 하는 표시 기판. The display substrate of claim 17, wherein the first light blocking layer is connected to the gate line, and the second light blocking layer is connected to the data line. 제14항에 있어서, 상기 화소 전극은 상기 데이터 라인과 중첩되도록 상기 게이트 라인의 배열 방향을 따라 지그재그 형태로 형성되는 것을 특징으로 하는 표시 기판.The display substrate of claim 14, wherein the pixel electrode is formed in a zigzag shape along an array direction of the gate line so as to overlap the data line. 제19항에 있어서, The method of claim 19, 상기 화소 전극은 전기적으로 서로 분리된 제1 화소 전극부 및 제2 화소 전극부를 포함하며,The pixel electrode includes a first pixel electrode part and a second pixel electrode part electrically separated from each other. 상기 박막 트랜지스터는 상기 제1 화소 전극부에 연결된 제1 박막 트랜지스터부 및 상기 제2 화소 전극부에 연결된 제2 박막 트랜지스터부를 포함하며,The thin film transistor includes a first thin film transistor part connected to the first pixel electrode part and a second thin film transistor part connected to the second pixel electrode part. 상기 게이트 라인은 상기 제1 박막 트랜지스터부에 연결된 제1 게이트 라인부 및 상기 제2 박막 트랜지스터부에 연결되며 상기 제1 게이트 라인부와 상기 스토리지 배선 사이에 배치되는 제2 게이트 라인부를 포함하는 것을 특징으로 하는 표시 기판.The gate line may include a first gate line part connected to the first thin film transistor part and a second gate line part connected to the second thin film transistor part and disposed between the first gate line part and the storage wiring. Display substrate. 제20항에 있어서, 상기 데이터 라인은 상기 스토리지 배선의 양측에 배치된 상기 제1 게이트 라인부와 상기 제2 게이트 라인부의 사이에서 상기 컬러필터들의 경계부에 배치되는 것을 특징으로 하는 표시 기판.The display substrate of claim 20, wherein the data line is disposed at a boundary of the color filters between the first gate line part and the second gate line part disposed on both sides of the storage line. 제21항에 있어서, 상기 광차단부는 상기 제1 게이트 라인부와 상기 데이터 라인 사이에 배치되는 것을 특징으로 하는 표시 기판.The display substrate of claim 21, wherein the light blocking portion is disposed between the first gate line portion and the data line. 표시 기판;Display substrates; 상기 표시 기판과 대향하여 결합되며, 대향면에 공통 전극이 형성된 대향 기판; 및 An opposite substrate coupled to the display substrate and having a common electrode formed on an opposite surface thereof; And 상기 표시 기판과 상기 대향 기판 사이에 배치된 액정층을 포함하며,A liquid crystal layer disposed between the display substrate and the opposing substrate, 상기 표시 기판은,The display substrate, 게이트 라인, 게이트 절연막을 통해 상기 게이트 라인과 절연되어 교차하는 데이터 라인, 상기 게이트 라인 및 상기 데이터 라인과 연결된 박막 트랜지스터, 및 상기 게이트 라인과 동일한 층에 형성된 스토리지 배선을 포함하는 박막 트랜지스터층,A thin film transistor layer including a gate line, a data line insulated from and intersecting the gate line through a gate insulating layer, a thin film transistor connected to the gate line and the data line, and a storage wiring formed on the same layer as the gate line; 상기 박막 트랜지스터층을 커버하는 보호막,A protective film covering the thin film transistor layer, 상기 보호막 상에 형성된 컬러필터층,A color filter layer formed on the protective film, 상기 컬러필터층 상에 각 확소에 대응되도록 형성된 화소 전극,A pixel electrode formed on the color filter layer so as to correspond to each expansion; 상기 게이트 라인과 동일한 층에 형성되며, 서로 인접한 상기 화소 전극들 사이에 배치되는 제1 광차단막, 및A first light blocking layer formed on the same layer as the gate line and disposed between the pixel electrodes adjacent to each other, and 상기 데이터 라인과 동일한 층에 형성되며, 상기 제1 광차단막과 상기 게이트 라인 사이에 배치되는 제2 광차단막을 포함하는 것을 특징으로 하는 표시 장치.And a second light blocking layer formed on the same layer as the data line and disposed between the first light blocking layer and the gate line. 표시 기판;Display substrates; 상기 표시 기판과 대향하여 결합되며, 대향면에 공통 전극이 형성된 대향 기판; 및 An opposite substrate coupled to the display substrate and having a common electrode formed on an opposite surface thereof; And 상기 표시 기판과 상기 대향 기판 사이에 배치된 액정층을 포함하며,A liquid crystal layer disposed between the display substrate and the opposing substrate, 상기 표시 기판은,The display substrate, 게이트 라인, 게이트 절연막을 통해 상기 게이트 라인과 절연되어 교차하는 데이터 라인, 상기 게이트 라인 및 상기 데이터 라인과 연결된 박막 트랜지스터, 및 상기 게이트 라인과 동일한 층에 형성된 스토리지 배선을 포함하는 박막 트랜지스터층,A thin film transistor layer including a gate line, a data line insulated from and intersecting the gate line through a gate insulating layer, a thin film transistor connected to the gate line and the data line, and a storage wiring formed on the same layer as the gate line; 상기 박막 트랜지스터층을 커버하는 보호막,A protective film covering the thin film transistor layer, 상기 보호막 상에 형성된 컬러필터층,A color filter layer formed on the protective film, 상기 컬러필터층 상에 각 확소에 대응되도록 형성된 화소 전극, 및A pixel electrode formed on the color filter layer so as to correspond to each expansion; 상기 박막 트랜지스터층에 형성되며, 서로 인접한 상기 화소 전극들 사이에 배치되어 상기 데이터 라인이 커버하지 못하는 영역을 커버하는 광차단부를 포함하는 것을 특징으로 하는 표시 장치.And a light blocking portion formed on the thin film transistor layer and disposed between the pixel electrodes adjacent to each other to cover an area that the data line cannot cover.
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