KR20080041889A - 반도체 제조 장치 - Google Patents

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Abstract

특정한 공정이 이루어지는 챔버를 구비하는 반도체 제조 장치에 관하여 개시한다.
본 발명에 따른 반도체 제조 장치는 제1전극부, 제1전원부, 제2전극부 및 제2전원부를 구비한다. 상기 제1전극부는 상기 챔버 상부에 위치하는 샤워헤드에 장착된다. 상기 제1전원부는 상기 제1전극부에 제1파워를 인가한다. 상기 제2전극부는 상기 챔버 내부벽에 장착되되, 상기 챔버 내부에 위치하는 히터의 높이 이하로 장착된다. 상기 제2전원부는 상기 제1전극부 및 상기 제2전극부에 제2파워를 인가한다.
반도체 제조 공정, 챔버, 클리닝

Description

반도체 제조 장치{Apparatus for manufacturing semiconductor}
도 1은 본 발명에 따른 반도체 제조 장치의 일실시예를 나타낸다.
도 2는 본 발명에 따른 반도체 제조 장치의 다른 일실시예를 나타낸다.
<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명>
10 : 챔버 10a : 챔버 내부벽
20 : 샤워헤드 30 : 히터
100,200 : 반도체 제조 장치 110 : 제1전극부
120 : 제1전원부 130 : 제2전극부
140 : 제2전원부 150 : 절연체부
220 : 제1스위치 240 : 제2스위치
본 발명은 반도체 제조 장치에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 공정이 진행되는 동안 사용되는 전극 외에, 챔버 내부를 클리닝할 때만 사용되는 전극이 더 구비된 반도체 제조 장치에 관한 것이다.
종래의 일반적인 반도체 제조 장치는 샤워헤드가 상부에 위치하고, 히터가 내부에 위치하는 챔버를 구비하여, 챔버 내부에서 특정한 공정이 수행된다. 여기서, 샤워헤드에는 플라즈마를 발생시킬 수 있는 전극이 장착되어 있는 것이 일반적이다.
CVD 공정의 예를 들면, CVD 공정에는 증착 공정과 클리닝 공정을 필요로 한다.
그러나, 종래의 반도체 제조 장치는, 챔버 내부의 클리닝 공정시에도 증착 공정에서 이용되는 전극에 의해 클리닝 가스를 플라즈마 상태로 만들기 때문에 히터 하부와 같은 영역에는 클리닝 효율이 떨어지는 단점이 있다.
본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는, 챔버 내부의 클리닝 시에, 히터 하부에도 클리닝의 효율을 높일 수 있는 반도체 제조 장치를 제공하는데 있다.
상기 기술적 과제를 이루기 위한 본 발명에 따른 반도체 제조 장치의 일실시예는, 제1전극부, 제1전원부, 제2전극부 및 제2전원부를 구비한다.
상기 제1전극부는 챔버 상부에 위치하는 샤워헤드에 장착된다. 상기 제1전원부는 상기 제1전극부에 제1파워를 인가한다. 상기 제2전극부는 상기 챔버 내부벽에 장착되되, 상기 챔버 내부에 위치하는 히터의 높이 이하로 장착된다. 상기 제2전원부는 상기 제1전극부 및 상기 제2전극부에 제2파워를 인가한다.
상기 기술적 과제를 이루기 위한 본 발명에 따른 반도체 제조 장치의 다른 일실시예는, 제1전극부, 제1전원부, 제2전극부, 제2전원부, 절연체부, 제1스위치 및 제2스위치를 구비한다.
상기 제1전극부는 챔버 상부에 위치하는 샤워헤드에 장착된다. 상기 제1전원부는 상기 제1전극부에 제1파워를 인가한다. 상기 제2전극부는 상기 챔버 내부벽에 장착되되, 상기 챔버 내부에 위치하는 히터의 높이 이하로 장착된다. 상기 제2전원부는 상기 제1전극부 및 상기 제2전극부에 제2파워를 인가한다. 상기 절연체부는 상기 제2전극부 및 상기 챔버 내부벽 사이에 위치한다. 상기 제1스위치는 상기 제1파워를 스위칭한다. 상기 제2스위치는 제2파워를 스위칭한다.
이하에서는 본 발명의 구체적인 실시예를 도면을 참조하여 상세히 설명하도록 한다.
도 1은 본 발명에 따른 반도체 제조 장치의 일실시예를 나타낸다.
도 1을 참조하면, 반도체 제조 장치(100)는 제1전극부(110), 제1전원부(120), 제2전극부(130) 및 제2전원부(140)를 구비한다.
상기 제1전극부(110)는 챔버(10) 상부에 위치하는 샤워헤드(20)에 장착된다.
제1전원부(120)는 챔버(10) 외부에 위치하며, 제1전극부(110)에 제1파워를 인가한다. 제1전원부(120)가 필요없는 경우도 있다. 예를 들면, ALD 공정에서는 원자층 증착시 플라즈마를 필요로 하지 않기 때문에, 제1전원부(120)가 없을 수도 있다.
제2전극부(130)는 챔버(10) 내부벽(10a)에 장착되는데, 챔버(10) 내부에 위치하는 히터(30)의 높이 이하로 장착된다.
제2전원부(140)는 제1전극부(110) 및 제2전극부(130)에 제2파워를 인가한다.
제2전극부(130) 및 챔버(10) 내부벽(10a) 사이에 절연체부(150)가 더 포함될 수 있다. 이때 절연체부(150)는 제2전극부(130)의 그라운드(GND)가 된다. 따라서, 절연체부(150)로 제2전극부(130)와 챔버 내부벽(10a)을 절연(insulation)시킴으로써, 제2전극부(130)에 제2파워가 인가될 때, 챔버 내부벽(10a)에 미치는 파워의 영향을 차단할 수 있다.
제1전원부(120)는, 챔버(10) 내부에서 공정을 진행하는 동안에만 제1파워를 제1전극부(110)에 인가한다. 반면, 제2전원부(140)는, 챔버(10) 내부에서 클리닝을 진행하는 동안에만 제2파워를 제1전극부(110) 및 제2전극부(130)에 인가한다.
CVD 공정의 예를 들면, 웨이퍼에 전구체를 증착하는 동안에는 제1전원부(120)에서 제1파워가 제1전극부(110)에 인가되지만, 증착이 끝난 후 챔버 내부를 클리닝하는 동안에는 제2전원부(140)에서 제2파워가 제1전극부(110) 및 제2전극부(130)에 인가된다.
결국, 상기 제1전극부(110)에는 공정이 진행되는 동안에는 제1파워가 인가되고, 클리닝이 진행되는 동안에는 제2파워가 인가되지만, 상기 제2전극부(110)에는 클리닝이 진행되는 동안에만 제2파워가 인가된다.
특히, 본 발명에 따른 반도체 제조 장치는 챔버(10) 내부의 히터(30)보다 아래에 위치하는 제2전극부(130)를 더 구비함으로써, 클리닝시 제2파워에 의해 히터(30) 아래 부분의 클리닝 효율을 높일 수 있다.
제1파워와 제2파워는 동일한 주파수를 갖는 RF 파워일 수 있다.
경우에 따라서, 클리닝 가스를 활성화하기 위한 주파수와 전구체를 활성화하 기 위한 주파수는 서로 다를 수 있으므로, 제1파워와 제2파워는 서로 다른 주파수를 갖는 파워일 수 있다.
도 2는 본 발명에 따른 반도체 제조 장치의 다른 일실시예를 나타낸다.
도 2를 참조하면, 본 실시예에서는 제1스위치(220) 및 제2스위치(240)를 더 구비한다.
제1스위치(220)는 제1파워를 스위칭한다. 제1파워는 챔버(10) 내부에서 공정을 진행하는 동안에만 필요하므로, 제1스위치(220)는 챔버(10) 내부에서 공정을 진행하는 동안에만 턴 온(Turn-On) 된다.
반면, 제2스위치(240)는 제2파워를 스위칭한다. 제2파워는 챔버(10) 내부를 클리닝하는 동안에만 필요하므로, 제2스위치(240)는 챔버(10) 내부에서 클리닝을 진행하는 동안에만 턴 온 된다.
이상에서 본 발명에 대한 기술사상을 첨부 도면과 함께 서술하였지만 이는 본 발명의 바람직한 실시예를 예시적으로 설명한 것이지 본 발명을 한정하는 것은 아니다. 또한 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 누구나 본 발명의 기술적 사상의 범주를 이탈하지 않는 범위 내에서 다양한 변형 및 모방이 가능함은 명백한 사실이다.
상술한 바와 같이, 본 발명에 따른 반도체 제조 장치는 히터보다 낮은 위치에서 챔버 내부의 클리닝 동안에만 이용되는 별도의 전극부를 구비함으로써, 챔버 내부의 클리닝시 히터 아래 부분의 클리닝 효율을 높일 수 있는 장점이 있다.

Claims (9)

  1. 특정한 공정이 이루어지는 챔버를 구비하는 반도체 장치에 있어서,
    상기 챔버 상부에 위치하는 샤워헤드에 장착되는 제1전극부;
    상기 제1전극부에 제1파워를 인가하는 제1전원부;
    상기 챔버 내부벽에 장착되되, 상기 챔버 내부에 위치하는 히터의 높이 이하로 장착되는 제2전극부; 및
    상기 제1전극부 및 상기 제2전극부에 제2파워를 인가하는 제2전원부를 구비하는 것을 특징으로 하는 반도체 제조 장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 제2전극부 및 상기 챔버 내부벽 사이에 위치하는 절연체부를 더 구비하는 것을 특징으로 하는 반도체 제조 장치.
  3. 제1항에 있어서, 상기 제2전원부는,
    상기 챔버 내부에서 클리닝을 진행하는 동안에만 상기 제2파워를 인가하는 것을 특징으로 하는 반도체 제조 장치.
  4. 제1항에 있어서, 상기 제2파워는,
    상기 제1파워와 동일한 주파수를 갖는 파워인 것을 특징으로 하는 반도체 제 조 장치.
  5. 제1항에 있어서, 상기 제2파워는,
    상기 제1파워와 다른 주파수를 갖는 파워인 것을 특징으로 하는 반도체 제조 장치.
  6. 특정한 공정이 이루어지는 챔버를 구비하는 반도체 장치에 있어서,
    상기 챔버 상부에 위치하는 샤워헤드에 장착되는 제1전극부;
    상기 제1전극부에 제1파워를 인가하는 제1전원부;
    상기 챔버 내부벽에 장착되되, 상기 챔버 내부에 위치하는 히터의 높이 이하로 장착되는 제2전극부;
    상기 제1전극부 및 상기 제2전극부에 제2파워를 인가하는 제2전원부;
    상기 제2전극부 및 상기 챔버 내부벽 사이에 위치하는 절연체부;
    상기 제1파워를 스위칭하는 제1스위치; 및
    상기 제2파워를 스위칭하는 제2스위치를 구비하는 것을 특징으로 하는 반도체 제조 장치.
  7. 제6항에 있어서,
    상기 제1스위치는, 상기 챔버 내부에서 공정을 진행하는 동안에만 턴 온(Turn-On) 되고,
    상기 제2스위치는, 상기 챔버 내부에서 클리닝을 진행하는 동안에만 턴 온 되는 것을 특징으로 하는 반도체 제조 장치.
  8. 제6항에 있어서, 상기 제2파워는,
    상기 제1파워와 동일한 주파수를 갖는 파워인 것을 특징으로 하는 반도체 제조 장치.
  9. 제6항에 있어서, 상기 제2파워는,
    상기 제1파워와 다른 주파수를 갖는 파워인 것을 특징으로 하는 반도체 제조 장치.
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