KR20080040804A - 반도체 제조관리 시스템 - Google Patents

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KR20080040804A
KR20080040804A KR1020060108208A KR20060108208A KR20080040804A KR 20080040804 A KR20080040804 A KR 20080040804A KR 1020060108208 A KR1020060108208 A KR 1020060108208A KR 20060108208 A KR20060108208 A KR 20060108208A KR 20080040804 A KR20080040804 A KR 20080040804A
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Abstract

본 발명은 생산성을 증대 또는 극대화할 수 있는 반도체 제조관리 시스템에 대하여 개시한다. 그의 시스템은, 각종 데이터를 제공하는 데이터 베이스를 구비하는 호스트 컴퓨터; 상기 호스트 컴퓨터와 온라인으로 연결되며, 상기 호스트 컴퓨터에서 출력되는 제어신호에 의해 제어되는 설비 컴퓨터; 상기 설비 컴퓨터에서 출력되는 제어신호에 의해 플라즈마 반응을 유도하여 해당 반도체 공정을 수행토록 형성된 반도체 제조설비; 및 상기 설비 컴퓨터에 병렬로 연결되며 상기 반도체 제조설비에서 상기 플라즈마 반응을 유도하기 위해 상기 반도체 제조설비에 인가되는 고주파 파워의 임피던스를 정합시키는 정합장치의 초기 설정값을 산출하여 상기 반도체 제조설비를 제어하도록 형성된 정합장치의 자동제어 모듈을 포함함에 의해 정합장치의 초기 설정값을 자동으로 인식하고 입력시킬 수 있기 때문에 생산성을 향상시킬 수 있다.
Figure P1020060108208
컴퓨터(computer), 서버(sever), 호스트(host), 정합(match), 자동제어

Description

반도체 제조관리 시스템{System for managing semiconductor manufacture equipment}
도 1은 종래 기술에 따른 반도체 제조관리 시스템을 개략적으로 나타낸 블록도.
도 2는 본 발명의 실시예에 따른 반도체 제조관리 시스템을 개략적으로 나타낸 블록도.
도 3은 폐루프 제어시스템을 나타내는 도면.
*도면의 주요부분에 대한 부호의 설명*
110 : 호스트 컴퓨터 120 : 데이터 베이스
140 : 서버 160 : 설비 컴퓨터
180 : 반도체 제조설비 200 : 정합장치의 자동제어 모듈
본 발명은 반도체 제조관리 시스템에 관한 것으로, 상세하게는 플라즈마 반 응을 유도하기 위해 인가되는 고주파 파워를 정합시키는 정합장치의 초기 설정값을 자동으로 인식하고 입력토록 하여 생산성을 향상시킬 수 있는 반도체 제조관리 시스템에 관한 것이다.
최근 정보 통신 분야의 급속한 발달과, 컴퓨터와 같은 정보 매체의 대중화에 따라 반도체 설비도 비약적으로 발전하고 있다. 또한, 그 기능적인 면에 있어서 상기 반도체 설비는 고속으로 동작하는 동시에 대용량의 저장 능력을 가질 것이 요구되고 있다. 이에 따라, 상기 반도체 설비의 제조 기술은 집적도, 신뢰도 및, 응답 속도 등을 극대화하는 방향으로 연구 개발되고 있다.
반도체 장치의 제조 기술은 크게 반도체 기판 상에 가공막을 형성하는 증착(deposition)공정과, 상기 증착공정으로 형성된 가공막 상에 피가공막을 형성하여 패터닝 하는 포토리소그래피(photo-lithography) 공정과, 상기 포토리소그래피 공정에 의해 형성된 상기 피가공막을 마스크로 사용하여 상기 가공막을 식각하는 식각 공정과, 상기 피가공막을 이온주입마스크로 사용하여 불순물이온을 주입하는 이온주입공정과, 각종 열처리 공정을 포함하여 이루어진다. 이와 같은 다수의 공정은 일련의 정해진 흐름을 따라 정확한 관리 감독이 요구되고, 인체에 유해한 각종 가스로부터 작업자를 보호하기 위해 무인 로봇과 같은 자동설비를 관리하는 자동 시스템이 요구되고 있는 실정이다.
한편, 상기 포토리소그래피 공정의 건식식각 공정 및 상기 증착 공정은 반응성이 우수한 반응 가스가 필수적으로 요구되고 있다. 이때, 상기 반응 가스를 균일한 혼합비로 혼합시키고 상기 웨이퍼로 집중시키기 위해 상기 반응 가스를 플라즈 마 반응시킨다. 예컨대, 상기 포토리소그래피 공정 중 건식식각은 챔버내에 충만한 불활성 기체 및 식각용 반응가스에 RF 파워(Radio Frequency power : 이하, 고주파 파워)를 인가하여 상기 반응가스를 플라즈마(plasma) 상태로 만들고, 상기 플라즈마 상태의 반응가스가 상기 피가공막으로부터 노출된 상기 가공막을 선택적으로 제거하는 건식식각장치에 의해 이루어진다. 이때, 건식식각에 이용되는 반응 챔버 내부의 전기적 임피던스는 반응 챔버 내부에 조성된 환경에 의해서 변경될 수 있는 요소를 갖고 있으며, 특히 고주파 파워가 가해지는 반응 챔버의 경우 변수적 요인이 크게 작용하게 된다. 또한, 플라즈마 식각장치에서 가장 이상적인 고주파 정합은 고주파 파워가 인가된 전극에서의 임피던스와 반응 챔버의 내부에서 피드백되는 임피던스가 동일하게 되는 상태이다. 따라서 이들 복수개의 고주파 파워 임피던스를 정합시키는 정합장치를 사용하여 전력의 이용도를 높일 수 있다. 그러나, 상기 정합장치는 고주파 파워가 최초 인가되기 시작되는 초기 설정값(예를 들어, PID 이득값)이 작업자의 수작업에 의해 수동으로 입력되고 있는 상태에 있다.
이하, 도면을 참조하여 종래 기술에 따른 반도체 제조관리 시스템을 설명하면 다음과 같다.
도 1은 종래 기술에 따른 반도체 제조관리 시스템을 개략적으로 나타낸 블록도이다.
도 1에 도시된 바와 같이, 종래의 반도체 제조관리 시스템은, 반도체 생산라인을 총괄하여 관리하고 각종 데이터를 제공하는 데이터 베이스(12)를 구비하는 호스트 컴퓨터(10)와, 상기 호스트 컴퓨터(10)와 온라인으로 연결되도록 형성된 서 버(14)와, 상기 호스트 컴퓨터(10)에서 출력되는 제어신호를 상기 서버(14)를 통해 전달받아 제어되며 상기 데이터 베이스(12)에 저장된 데이터를 불러오도록 입력신호를 출력하는 설비 컴퓨터(16)와, 상기 설비 컴퓨터(16)에서 출력되는 제어신호에 의해 플라즈마 반응을 유도하여 해당 반도체 공정을 수행토록 형성된 반도체 제조설비(18)를 포함하여 이루어진다.
여기서, 상기 설비 컴퓨터(16)는 상기 호스트 컴퓨터(10)와 상기 서버(14)에 순차적으로 연결되어 제어신호를 입력받고, 상기 반도체 제조설비(18)를 개별적으로 제어하도록 형성되어 있다. 예컨대, 상기 설비 컴퓨터(16)는 반도체 제조설비(18)의 정합장치를 통해 정합되는 고주파 파워의 임피던스를 정합시키는 제어신호를 출력할 수 있다.
또한, 상기 반도체 제조설비(18)는 외부로부터 독립적으로 반도체 제조공정을 수행토록 형성된 반응 챔버 내의 상부 전극 및 하부 전극에 상기 정합장치를 통해 임피던스가 정합된 고주파 파워되어 상기 반응 챔버 내에서 플라즈마 반응이 유도되도록 형성되어 있다. 이때, 상기 반응 챔버 내에서의 초기 플라즈마 반응의 형성 시에 상기 정합장치를 통해 임피던스가 정합된 고주파 파워가 소정의 설정된 값을 따라 에너지가 증가되어야 하나 안정적이지 못할 수 있다.
따라서, 종래 기술에 따른 반도체 제조관리 시스템은 고주파 파워를 정합시키는 정합장치의 초기 설정값을 작업자가 통계적인 수치에 근거하여 임으로 설정하여 초기 플라즈마 반응을 안정되게 형성토록 할 수 있다.
상술한 바와 같이, 종래 기술에 따른 반도체 제조관리 시스템은 다음과 같은 문제점이 있었다.
종래 기술에 따른 반도체 제조관리 시스템은 반도체 제조설비(18)의 플라즈마 반응을 유도하기 위해 인가되는 고주파 파워를 정합시키는 정합장치의 초기 설정값을 작업자가 직접 수작업으로 입력하여야 함으로 복수개의 반도체 제조설비(18) 전체에 상기 초기 설정값을 입력하기 위한 대기 인력을 필요로 하기 때문에 생산성이 떨어질 수 있는 단점이 있었다.
본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위한 목적은, 정합장치의 초기 설정값을 자동으로 인식하고 입력시키도록 하고 대기 인력의 수요를 줄여 생산성을 증대 또는 극대화할 수 있는 반도체 제조설비의 관리시스템을 제공하는 데 있다.
상기 목적을 달성하기 위한 본 발명의 양태에 따른 반도체 제조관리 시스템은, 각종 데이터를 제공하는 데이터 베이스를 구비하는 호스트 컴퓨터; 상기 호스트 컴퓨터와 온라인으로 연결되며, 상기 호스트 컴퓨터에서 출력되는 제어신호에 의해 제어되는 설비 컴퓨터; 상기 설비 컴퓨터에서 출력되는 제어신호에 의해 플라즈마 반응을 유도하여 해당 반도체 공정을 수행토록 형성된 반도체 제조설비; 및 상기 설비 컴퓨터에 병렬로 연결되며 상기 반도체 제조설비에서 상기 플라즈마 반응을 유도하기 위해 상기 반도체 제조설비에 인가되는 고주파 파워의 임피던스를 정합시키는 정합장치의 초기 설정값을 산출하여 상기 반도체 제조설비를 제어하도록 형성된 정합장치의 자동제어 모듈을 포함함을 특징으로 한다.
이하, 도면을 참조하여 본 발명의 실시예에 따른 반도체 제조관리 시스템을 설명하면 다음과 같다. 본 발명의 실시 예는 여러 가지 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 아래에서 상술하는 실시 예로 인해 한정되어 지는 것으로 해석되어져서는 안 된다. 본 실시 예는 당업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 보다 완전하게 설명하기 위해서 제공되어지는 것이다. 따라서 도면에서의 요소의 형상은 보다 명확한 설명을 강조하기 위해서 과장되어진 것이다.
도 2는 본 발명의 실시예에 따른 반도체 제조관리 시스템을 개략적으로 나타낸 블록도이다.
도 2에 도시된 바와 같이, 본 발명에 따른 반도체 제조관리 시스템은, 반도체 생산라인을 총괄하여 관리하고 각종 데이터를 제공하는 데이터 베이스(120)를 구비하는 호스트 컴퓨터(110)와, 상기 호스트 컴퓨터(110)와 온라인으로 연결되도록 형성된 서버(140)와, 상기 호스트 컴퓨터(110)에서 출력되는 제어신호를 상기 서버(140)를 통해 전달받아 제어되며 상기 데이터 베이스(120)에 저장된 데이터를 불러오도록 입력신호를 출력하는 설비 컴퓨터(160)와, 상기 설비 컴퓨터(160)에서 출력되는 제어신호에 의해 플라즈마 반응을 유도하여 해당 반도체 공정을 수행토록 형성된 반도체 제조설비(180)와, 상기 설비 컴퓨터(160)에 병렬로 연결되며 상기 반도체 제조설비(180)에서 상기 플라즈마 반응을 유도하기 위해 상기 반도체 제조설비(180)에 인가되는 고주파 파워의 임피던스를 정합시키는 정합장치의 초기 설정값을 산출하여 상기 반도체 제조설비(180)를 제어하도록 형성된 정합장치의 자동제 어 모듈(200)을 포함하여 구성된다.
여기서, 상기 호스트 컴퓨터(110)는 반도체 생산라인의 전반에 걸쳐 거의 모든 반도체 제조설비(180)를 체계적으로 관리할 수 있도록 형성되어 있다. 또한, 상기 반도체 제조설비(180)에서 발생되는 모든 상황을 파악하여 기록할 수 있으며, 후속의 공정과 연계되도록 설정되어 있다. 예컨대, 상기 반도체 제조설비(180)에서의 구체적인 데이터를 상기 설비 컴퓨터(160)로부터 입력받아 상기 데이터 베이스(120)에 영구히 저장시키도록 할 수 있다. 또한, 상기 데이터 베이스(120)에 저장된 데이터는 상기 설비 컴퓨터(160)에서 입력되는 출력신호에 응답하여 상기 서버(140)를 통해 상기 설비 컴퓨터(160)에 출력될 수 있다.
예컨대, 상기 호스트 컴퓨터(110)와 상기 서버(140)는 일반적으로 널리 알려진 통신 규약인 TCP/IP(Transmission Control Protocol/Internet Protocol)에 의해 통신을 하면서 상호 데이터를 서로 주고받는다. 또한, 상기 설비 컴퓨터(160)와 상기 서버(140)는 전송된 데이터를 인지하고 응답할 수 있도록 상호간의 통신을 규정하는 반도체 장비 표준 통신 규약인 SECS(Semi Equipment Communication Standard) 프로토콜에 의하여 상호 통신하며 데이터를 공유하도록 형성되어 있다.
따라서, 상기 서버(140)는 상기 설비 컴퓨터(160)와 상기 호스트 컴퓨터(110) 사이에서 온라인으로 서로를 연결한다. 예컨대, 상기 호스트 컴퓨터(110)가 해당 설비 컴퓨터(160)에 소정의 제어신호를 출력하면 상기 서버(140)는 해당되는 주소를 갖는 상기 설비 컴퓨터(160)에 상기 제어신호를 출력하고, 다시 상기 설비 컴퓨터(160)에서 소정의 데이터가 출력되면 상기 호스트 컴퓨터(110)로 상기 데 이터를 전송하는 중계기 역할을 수행한다.
한편, 상기 반도체 제조설비(180)는 상기 고주파 파워를 이용하여 플라즈마 상태의 반응 가스를 생성하여 소정의 가공막을 증착하는 증착 설비, 또는 마스크 막을 식각 마스크로 사용하여 피가공막을 식각하는 식각 설비를 포함하여 이루어진다.
도시되지는 않았지만, 상기 반도체 제조설비(180)는 증착 공정 또는 식각 공정에서 요구되는 반응 가스를 공급하는 반응 가스 공급부와 상기 반응 가스 공급부에서 공급되는 반응 가스의 분위기를 만들기 위해 외부로부터 독립된 공간을 제공하는 반응 챔버와, 상기 반응 챔버의 내부에 충만되는 상기 반응 가스를 플라즈마 상태로 여기시키는 고주파 파워가 인가되는 상부 전극 및 하부 전극과, 상기 상부 전극 및 하부 전극으로 인가되는 고주파 파워의 임피던스와 상기 반응 챔버 내부의 반응 가스를 통해 반사되어 피드백되는 고주파 파워의 임피던스를 정합시키도록 형성된 정합장치를 포함하여 이루어진다.
여기서, 상기 상부 전극 및 하부 전극은 상기 반응 챔버 내부에 공급되는 반응 가스에 고주파 파워가 인가되는 플라즈마 전극이다. 상기 상부 전극은 상기 반응 가스를 양의 전하를 갖는 이온 상태를 만들도록 형성되고, 상기 하부 전극은 상기 상부 전극에 의해 플라즈마 상태를 갖는 반응 가스를 하부의 웨이퍼 상으로 집속시키고 가속시키도록 형성되어 있다.
이때, 상기 상부 전극 및 하부 전극에 플라즈마 반응의 초기부터 고에너지를 갖는 고주파 파워가 인가될 경우, 상기 고주파 파워가 상기 반응 가스를 플라즈마 상태로 여기시킬 뿐만 아니라 상기 상부 전극 및 하부 전극을 통해 상기 정합장치로 피드백되어 상기 정합장치를 손상시키거나 상기 정합장치를 통해 정합되어 공급되는 상기 고주파 파워의 노이즈를 만들 수도 있다. 따라서, 상기 정합장치는 상기 고주파 파워의 에너지 및 PID 이득값을 점진적으로 증가시켜 상기 에너지 및 PID 이득값이 일정한 상태에서 반도체 제조공정이 수행되도록 할 수 있다. 이때, 상기 정합장치의 고주파 파워 에너지 및 PID는 후속에서 설명된다.
상기 설비 컴퓨터(160)는 상기 반도체 제조설비(180)를 개별적으로 제어하도록 형성되어 있으며, 반도체 생산라인에서는 사용자 인터페이스 단말기와 연결되거나 대체되어 사용될 수 있다. 예컨대, 상기 설비 컴퓨터(160)는 상기 반도체 제조설비(180)의 해당 반도체 제조공정을 제어하는 제어신호를 출력하는 공정 제어부와, 상기 정합장치를 통해 상기 반도체 제조설비(180) 내에 공급되는 상기 고주파 파워의 정보를 상기 설비 컴퓨터(160) 및 상기 호스트 컴퓨터(110)에 교류시키는 정합 네트워크 제어부(도 3의 162)를 포함하여 이루어진다. 여기서, 상기 정합 네트워크 제어부(162)는 상기 반도체 제조장치의 정합장치와 폐루프 시스템을 갖도록 형성되어 있다. 상기 정합 네트워크 제어부(162)는 PID(Proportional-plus-Integrate-plus-Derivative) 제어기라 불리어질 수 있다. 이때, 폐루프 제어시스템은 비례-적분-미분 제어기로서 산업현장에서 가장 많이 사용되는 제어시스템이다.
도 3은 폐루프 제어시스템을 나타내는 도면으로서, 폐루프 제어시스템은 정합 네트워크 제어부(162)로 입력되는 값은 정합장치(164)의 출력값과 정합장치(164)가 출력해야 하는 값의 차인 오차신호(e) 이다. 일반적으로 대부분의 정합 네트워크 제어부(162)는 오차신호를 피드백(feedback) 받아서 정합 네트워크 제어부(162) 출력신호를 출력하도록 설계되어 진다. 이때, 상기 페루프 제어시스템은 오차신호를 수학적으로는 수식1과 같이 처리하여 제어신호(u)를 계산한다.
(수식 1)
Figure 112006080661360-PAT00001
여기서, KP는 오차신호에 곱해지는 비례이득이며 , KI는 오차신호를 적분한 값에 곱해지는 적분이득 이며, KD는 오차신호를 미분한 값에 곱해지는 미분이득 이라고 한다. PID 제어기의 성능을 향상시키는 것은 이득들의 값을 어떻게 정하느냐에 따라 달려있고, 수식 1을 Laplace 변환시켜 표현한 후, 전달함수 형태로 나타내면 수식 2와 같이 표현될 수 있다.
(수식 2)
Figure 112006080661360-PAT00002
여기서, PID 제어기는 모든 이득이 0으로 수렴될 수 있으며, 만약 비례이득 KP의 값만 0 이 아닌 값을 갖게 되면 P 제어기이며, 적분이득의 KI값만 0 이 아닌 값을 갖게 되면 I 제어기, 미분이득 KL의 값만 0 이 아닌 값을 갖게 되면 D 제어기가 된다. 또 이러한 조합으로 PI 제어기 혹은 PD 제어기가 만들어 질 수 있다. PID 제어기의 설계 시에 각 이득값들의 변화에 따른 정합장치(164)의 응답 특성을 알면 매우 편리하다. 이때, 반도체 제조설비(180)의 정합장치(164)의 초기 설정시 적용되는 제어기는 PD제어기로서, 고주파 파워를 점진적으로 증가시키면서 비례이득 KP는 상기 정합장치(164)의 고주파 파워 상승시간(rise time)을 상승시간을 줄일 수 있다. 그러나 정상상태 오차 (Steady state error)를 없애지는 못한다. 적분이득 KI의 값은 정상상태 오차를 제거하는 효과를 가지고 있지만, 과도응답 특성을 좋지 않게 만들 수 있다.
미분이득 KL의 값은 시스템의 안정도를 향상시키는 효과를 갖고 있어서, 오버슈트를 줄이고, 과도응답 특성을 향상시킬 수 있다. 표1은 PID 이득값 변화에 대한 정합장치(164)의 응답특성을 나타낸다.
Figure 112006080661360-PAT00003
이와 같은 특성을 이용하여 PID 이득값을 튜닝(tuning)하면 원하는 정합장치(164)의 응답특성을 낼 수 있는 PID 제어기가 설계될 수 있다. 각 계수들의 상관관계는 각 계수들끼리 서로 영향을 미치기 때문에 항상 일정하지는 않다. 실제로, 한 계수의 변화가 다른 두 계수를 변화시키는 효과를 낼 수 있다. 이러한 이유로 표 1의 내용은 각 계수들의 값을 결정할 때 하나의 참고로서만 활용될 수 있을 것이다.
상기 정합장치의 자동제어 모듈(200)은 상기 호스트 컴퓨터(110)의 데이터 베이스(120)로부터 선행되는 반도체 제조공정에서의 저장된 데이터를 불러오고 상기 데이터를 이용하여 상기 PID 이득값(설정값)을 비교하고 상기 정합장치(164)의 초기 PID 이득값을 사전에 자동적으로 설정할 수 있다. 상술한 바와 같이, 상기 정합장치의 자동제어 모듈(200)은 PD 제어기를 근간으로 하는 알고리즘을 포함하여 구성된다. 이때, 상기 정합장치의 자동제어 모듈(200)은 상기 정합장치(164)의 초기 PID 이득값을 포화(saturation) PID 이득값보다 작은 값을 갖도록 하여 오버슈트 시간을 줄이도록 할 수 있다. 예컨대, 상기 정합장치의 자동제어 모듈(200)은, 상기 호스트 컴퓨터(110)의 상기 데이터 베이스(120)에서 출력되는 정합장치(164)의 제어정보를 수집하는 수집부와, 상기 수집부에서 수집되는 제어정보를 이용하여 최적의 상기 고주파 파워의 임피던스를 정합시키는 초기 PID 이득값을 설정하는 설정부와, 상기 설정부에서 설정된 상기 초기 PID 이득값을 검증받는 확인부와, 상기 확인부에서 검정되는 상기 초기 PID 이득값을 상기 반도체 제조설비(180)의 상기 정합장치(164)에 출력하는 출력부를 포함하여 이루어진다. 또한, 상기 정합장치의 자동제어 모듈(200)은 상기 호스트 컴퓨터(110)의 데이터 베이스(120)로부터 상기 데이터를 출력할 수 있도록 제어신호를 출력하고, 상기 데이터 베이스(120)에서 출력되는 상기 데이터를 이용하여 상기 정합장치(164)의 초기 PID 이득값을 설정하는 소정의 알고리즘이 저장된 보조기억장치를 포함하여 이루어진다.
따라서, 본 발명의 실시예에 따른 반도체 제조관리 시스템은 호스트 컴퓨터(110)의 데이터 베이스(120)에서 출력되는 소정의 데이터를 이용하여 반도체 제조설비(180)의 정합장치(164) 초기 PID 이득값을 자동적으로 설정하는 정합장치의 자동제어 모듈(200)을 구비하여 정합장치(164)의 초기 설정값을 수작업으로 행하지 않고 자동으로 인식시키고 대기 인력의 수요를 줄일 수 있기 때문에 생산성을 증대 또는 극대화할 수 있다.
또한, 상기한 실시예의 설명은 본 발명의 더욱 철저한 이해를 제공하기 위하여 도면을 참조로 예를 든 것에 불과하므로, 본 발명을 한정하는 의미로 해석되어서는 안될 것이다. 또한, 본 발명의 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 있어 본 발명의 기본적 원리를 벗어나지 않는 범위 내에서 다양한 변화와 변경이 가능함은 물론이다.
이상 상술한 바와 같이, 본 발명에 의하면, 호스트 컴퓨터의 데이터 베이스에서 출력되는 소정의 데이터를 이용하여 반도체 제조설비의 정합장치 초기 PID 이득값을 자동적으로 설정하는 정합장치의 자동제어 모듈을 구비하여 정합장치의 초 기 설정값을 수작업으로 행하지 않고 자동으로 인식시키고 대기 인력의 수요를 줄일 수 있기 때문에 생산성을 증대 또는 극대화할 수 있는 효과가 있다.

Claims (3)

  1. 각종 데이터를 제공하는 데이터 베이스를 구비하는 호스트 컴퓨터;
    상기 호스트 컴퓨터와 온라인으로 연결되며, 상기 호스트 컴퓨터에서 출력되는 제어신호에 의해 제어되는 설비 컴퓨터;
    상기 설비 컴퓨터에서 출력되는 제어신호에 의해 플라즈마 반응을 유도하여 해당 반도체 공정을 수행토록 형성된 반도체 제조설비; 및
    상기 설비 컴퓨터에 병렬로 연결되며 상기 반도체 제조설비에서 상기 플라즈마 반응을 유도하기 위해 상기 반도체 제조설비에 인가되는 고주파 파워의 임피던스를 정합시키는 정합장치의 초기 설정값을 산출하여 상기 반도체 제조설비를 제어하도록 형성된 정합장치의 자동제어 모듈을 포함함을 특징으로 하는 반도체 제조관리 시스템.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 정합장치의 자동제어 모듈은,
    상기 호스트 컴퓨터의 데이터 베이스에서 출력되는 정합장치의 제어정보를 수집하는 수집부와, 상기 수집부에서 수집되는 제어정보를 이용하여 최적의 상기 고주파 파워의 임피던스를 정합시키는 초기 설정값을 설정하는 설정부와, 상기 설정부에서 설정된 상기 초기 설정값을 검증받는 확인부와, 상기 확인부에서 검정되 는 상기 초기 설정값을 상기 반도체 제조설비의 상기 정합장치에 출력하는 출력부를 포함함을 특징으로 하는 반도체 제조관리 시스템.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 설비 컴퓨터는, 상기 반도체 제조설비의 해당 반도체 제조공정을 제어하는 제어신호를 출력하는 공정 제어부와, 상기 정합장치를 통해 상기 반도체 제조설비 내에 공급되는 상기 고주파 파워의 정보를 상기 설비 컴퓨터 및 상기 호스트 컴퓨터에 교류시키는 네트워크 제어부를 포함함을 특징으로 하는 반도체 제조관리 시스템.
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN107392492A (zh) * 2017-08-02 2017-11-24 深圳市时创意电子有限公司 一种半导体智能化管理系统
KR101989518B1 (ko) * 2018-04-24 2019-06-14 주식회사 뉴파워 프라즈마 가상 임피던스 자동 매칭 방법
US11599069B1 (en) 2021-09-03 2023-03-07 Applied Materials, Inc. Method for auto-tuning and process performance assessment of chamber control

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN107392492A (zh) * 2017-08-02 2017-11-24 深圳市时创意电子有限公司 一种半导体智能化管理系统
CN107392492B (zh) * 2017-08-02 2020-06-30 深圳市时创意电子有限公司 一种半导体智能化管理系统
KR101989518B1 (ko) * 2018-04-24 2019-06-14 주식회사 뉴파워 프라즈마 가상 임피던스 자동 매칭 방법
CN110400734A (zh) * 2018-04-24 2019-11-01 新动力等离子体株式会社 虚拟电阻自动匹配方法
CN110400734B (zh) * 2018-04-24 2022-02-01 新动力等离子体株式会社 虚拟电阻自动匹配方法
US11599069B1 (en) 2021-09-03 2023-03-07 Applied Materials, Inc. Method for auto-tuning and process performance assessment of chamber control
WO2023034008A1 (en) * 2021-09-03 2023-03-09 Applied Materials, Inc. Method for auto-tuning and process performance assessment of chamber control

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