KR20080038837A - 광학 검사 장치의 초점 위치 보정 방법 및 장치 - Google Patents

광학 검사 장치의 초점 위치 보정 방법 및 장치 Download PDF

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Abstract

효과적인 검사를 위한 광학 검사 장치의 초점 위치 보정 방법은, 제 1 파장 대역을 갖는 제 1 광을 필터링하여 제 2 파장 대역을 갖는 제 2 광을 생성한다. 이어서, 상기 제 2 광을 이용하여 상기 피검사체의 초점 거리를 조절한다.

Description

광학 검사 장치의 초점 위치 보정 방법 및 장치{method and apparatus for correcting a focal position of an optical inspector}
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 광학 검사 장치를 설명하기 위한 블록도이다.
도 2는 도 1의 필터부를 설명하기 위한 사시도이다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 광학 검사 장치에서 사용된 광의 파장별 흡수율을 도시한 그래프이다.
도 4는 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 초점 위치 보정 방법 및 광학 검사 방법을 설명하기 위한 순서도이다.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명 *
1 : 반도체 기판 2 : 박막
3 : 포커싱부 10 : 광원부
11 : 램프 12 : 전원공급부
13 : 램프 하우징 20 : 필터부
21 : 필터 21a : 광투과부
22 : 구동부 23 : 필터 하우징
31 : 제 1 광 32 : 제 2 광
40 : 제어부 41 : 측정부
본 발명은 광학 검사 방법 및 장치에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 반도체 장치의 제조 공정에서 반도체 기판을 검사하기 위한 초점 위치 보정 방법 및 장치에 관한 것이다. 그리고, 상기 초점 위치 보정 방법을 이용한 광학 검사 방법 및 광학 검사 장치에 관한 것입니다.
최근 컴퓨터와 같은 정보 매체의 급속한 보급에 따라 반도체 장치도 비약적으로 발전하고 있다. 그 기능 면에 있어서, 상기 반도체 장치는 고속으로 동작하는 동시에 대용량의 저장 능력을 가질 것이 요구된다. 이러한 요구에 부응하여, 상기 반도체 장치는 집적도, 신뢰도 및 응답 속도 등을 향상시키는 방향으로 반도체 공정 기술이 발전되고 있다.
일반적으로 반도체 장치는 반도체 기판으로 사용되는 실리콘 기판 상에 전기 소자들을 포함하는 전기적인 회로를 형성하는 팹(Fab) 공정과, 상기 팹 공정에서 형성된 반도체 장치들의 전기적인 특성을 검사하기 위한 EDS(electrical die sorting) 공정과, 상기 반도체 장치들을 각각 에폭시 수지로 봉지하고 개별화시키기 위한 패키지 조립 공정을 통해 제조된다.
상기 팹 공정은 반도체 기판 상에 막을 형성하기 위한 증착 공정과, 상기 막을 평탄화하기 위한 화학적 기계적 연마 공정과, 상기 막 상에 포토레지스트 패턴 을 형성하기 위한 포토리소그래피 공정과, 상기 포토레지스트 패턴을 이용하여 상기 막을 전기적인 특성을 갖는 패턴으로 형성하기 위한 식각 공정과, 반도체 기판의 소정 영역에 특정 이온을 주입하기 위한 이온 주입 공정과, 반도체 기판 상의 불순물을 제거하기 위한 세정 공정과, 상기 막 또는 패턴이 형성된 반도체 기판의 표면을 검사하기 위한 검사 공정 등을 포함한다.
상기 검사 공정에는 다양한 광학 검사 장치들이 사용된다. 상기 광학 검사 장치들은 검사의 정밀도 및 정확도를 위하여 사용되는 광원의 광의 휘도(brightness), 휘도의 변동, 강도(intensity), 스펙트럼(spectrum) 특성과 같은 특성값을 정밀하게 유지해야 한다. 예를 들어, 포토리소그래피 공정에서 반도체 기판 상에 형성된 포토레지스트 패턴의 두께 측정에 사용되는 광학 검사 장치의 경우 높은 신뢰도가 요구되는데, 이는 검사 결과가 제품의 품질 및 제조 공정의 불량 여부를 검사하는 기초가 되기 때문이다.
상기 광학 검사 장치의 광원으로는 할로겐(halogen) 램프, 크세논(xenon) 램프, 듀테륨(deuterium) 램프 등이 다양하게 사용된다.
광학 검사 장치에서 검사 방법을 살펴보면, 먼저, 검사하고자 하는 반도체 기판 상에 광을 1차 조사하고 상기 반도체 기판과의 거리를 조절하여 초점을 최적화하는 포커싱(focusing)을 수행한다. 이어서, 초점이 조절된 상기 반도체 기판 상으로 광을 2차 조사하여 상기 반도체 기판에 대한 광학 정보를 획득하는 검사 단계를 수행한다.
그러나, 종래의 광학 검사 방법은, 검사에 사용하는 광으로 인해 포커싱 불 량이나 검사의 정확도가 저하되는 문제점이 있다. 예를 들어, 포토레지스트 패턴을 형성할 때 사용한 노광원의 파장과 동일한 파장을 갖는 광을 사용하여 상기 포토레지스트 패턴을 검사하는 경우, 포커싱을 하는 동안 상기 포토레지스트 패턴에 버닝(burning) 현상이 발생할 수 있으며, 이는 포커싱 및 검사의 정확도를 저하시킨다.
또한, 상기와 같은 문제로 인한 검사 장치의 가동률 저하는 반도체 장치의 전체적인 생산성을 저하시키며, 후속 공정에서 불량 요인을 양산하고, 반도체 장치의 수율에도 전반적인 영향을 주는 문제점이 된다.
상기와 같은 문제점을 해결하기 위한 본 발명의 제 1 목적은 검사하고자 하는 대상에 따라 서로 다른 파장을 갖는 광을 이용하여 초점 위치를 보정하는 방법을 제공하는 것이다.
또한, 본 발명의 제 2 목적은 상기 초점 위치 보정 방법을 수행하기에 적합한 초점 위치 보정 장치를 제공하는 것이다.
또한, 본 발명의 제 3 목적은 상기 초점 위치 보정 방법을 이용한 광학 검사 방법을 제공하는 것이다.
또한, 본 발명의 제 4 목적은 상기 광학 검사 방법을 수행하기에 적합한 광학 검사 장치를 제공하는 것이다.
상기 본 발명의 제 1 목적을 달성하기 위해 본 발명에 따른 광학 검사 방법 은, 제 1 파장 대역을 갖는 제 1 광을 피검사체의 반사도 및 흡수도에 따라 필터링 하여 제 2 파장 대역을 갖는 제 2 광을 생성하고, 상기 제 2 광을 이용하여 상기 피검사체의 초점 거리를 조절한다.
상기 제 2 파장 대역은 상기 제 1 파장 대역에서 장파장 대역을 선택하는 것이 바람직하다.
실시예에서, 상기 피검사체는 반도체 기판 상에 형성된 포토레지스트 패턴이고, 상기 제 2 광은 500㎚ 이상의 파장 대역을 갖는 광을 선택할 수 있다.
한편, 본 발명의 제 3 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 광학 검사 장치의 초점 위치 보정 장치는, 제 1 파장 대역을 갖는 제 1 광을 조사하는 광원부와, 상기 제 1 광의 경로 상에 배치되고, 상기 제 1 파장 대역 내에서 피검사체의 반사도 및 흡수도에 따라 제 2 파장 대역을 갖는 제 2 광을 선택적으로 투과시키는 필터부 및 상기 피검사체를 지지하고, 상기 피검사체의 초점 거리를 조절하는 포커싱부를 포함한다.
상기 필터부는, 드럼 형상의 필터 하우징과, 상기 필터 하우징 내부에 방사상으로 수납된 다수의 필터와, 상기 필터 하우징을 회전시킬 수 있도록 상기 필터 하우징에 연결되는 구동부를 포함한다. 상기 필터부는 상기 제 1 광 전체를 통과시키는 광투과부를 더 포함할 수 있다. 상기 필터는 제 2 파장 대역 이하의 파장 대역을 갖는 광을 차단시키는 하이패스 필터(high-pass filter)일 수 있다.
한편, 상기 본 발명의 제 3 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 광학 검사 방법은, 제 1 파장 대역을 갖는 제 1 광을 피검사체의 반사도 및 흡수도에 따라 필 터링 하여 제 2 파장 대역을 갖는 제 2 광을 생성하고, 상기 제 2 광을 이용하여 상기 피검사체의 초점 거리를 조절하고, 상기 제 1 광을 피검사체에 조사하여 상기 피검사체를 검사한다.
한편, 상기 본 발명의 제 4 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 광학 검사 장치는, 제 1 파장 대역을 갖는 제 1 광을 조사하는 광원부와, 상기 제 1 광의 경로 상에 배치되고, 상기 제 1 파장 대역 내에서 피검사체의 반사도 및 흡수도에 따라 제 2 파장 대역을 갖는 제 2 광을 선택적으로 투과시키는 다수의 필터와, 상기 필터들 중 하나를 선택하는 구동부를 포함하는 필터부와, 상기 피검사체를 지지하고, 상기 피검사체의 초점 거리를 조절하는 포커싱부와, 상기 피검사체로부터 반사되는 광을 검출하는 측정부를 포함한다.
상기 광학 검사 장치는 상기 구동부 및 광원부의 동작을 제어하는 제어부를 더 포함할 수 있다.
이하, 첨부한 도면을 참조하여 본 발명의 실시예에 따른 광학 검사 장치의 초점 위치 보정 방법 및 장치에 대해 상세히 설명한다.
본 발명은 다양한 변경을 가할 수 있고 여러 가지 형태를 가질 수 있는 바, 특정 실시예들을 도면에 예시하고 본문에 상세하게 설명하고자 한다. 그러나, 이는 본 발명을 특정한 개시 형태에 대해 한정하려는 것이 아니며, 본 발명의 사상 및 기술 범위에 포함되는 모든 변경, 균등물 내지 대체물을 포함하는 것으로 이해되어야 한다. 각 도면을 설명하면서 유사한 참조부호를 유사한 구성요소에 대해 사용하였다. 첨부된 도면에 있어서, 구조물들의 치수는 본 발명의 명확성을 기하기 위하 여 실제보다 확대하여 도시한 것이다.
제 1, 제 2 등의 용어는 다양한 구성요소들을 설명하는데 사용될 수 있지만, 상기 구성요소들은 상기 용어들에 의해 한정되어서는 안된다. 상기 용어들은 하나의 구성요소를 다른 구성요소로부터 구별하는 목적으로만 사용된다. 예를 들어, 본 발명의 권리 범위를 벗어나지 않으면서 제 1 구성요소는 제 2 구성요소로 명명될 수 있고, 유사하게 제 2 구성요소도 제 1 구성요소로 명명될 수 있다.
본 출원에서 사용한 용어는 단지 특정한 실시예를 설명하기 위해 사용된 것으로, 본 발명을 한정하려는 의도가 아니다. 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다. 본 출원에서, "포함하다" 또는 "가지다" 등의 용어는 명세서 상에 기재된 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부분품 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징들이나 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부분품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다.
다르게 정의되지 않는 한, 기술적이거나 과학적인 용어를 포함해서 여기서 사용되는 모든 용어들은 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 일반적으로 이해되는 것과 동일한 의미를 가지고 있다. 일반적으로 사용되는 사전에 정의되어 있는 것과 같은 용어들은 관련 기술의 문맥 상 가지는 의미와 일치하는 의미를 가지는 것으로 해석되어야 하며, 본 출원에서 명백하게 정의하지 않는 한, 이상적이거나 과도하게 형식적인 의미로 해석되지 않는다.
이하, 도 1 내지 도 3을 참조하여 본 발명의 일 실시예에 따른 광학 검사 장치에 대해 상세히 설명한다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 광학 검사 장치를 설명하기 위한 블록도이고, 도 2는 도 1의 필터부를 도시한 사시도이다. 그리고, 도 3은 광을 박막에 조사하였을 때, 상기 광의 파장에 따라 상기 광이 상기 박막에 흡수되는 정도를 도시한 그래프이다.
도 1에 도시한 바와 같이, 광학 검사 장치는, 검사하고자 하는 박막(2)이 형성된 반도체 기판(1)과, 제 1 광(31)을 제공하는 광원부(10)와, 상기 제 1 광(31)의 경로 상에 설치되는 필터부(20)와, 상기 제 1 광(31)의 초점 거리를 조절하기 위한 포커싱부(3) 및 상기 박막(2)으로부터 반사되는 광을 검출하는 측정부(41)를 포함한다.
예를 들어, 상기 박막(2)은 노광 공정을 통해 형성된 포토레지스트 패턴일 수 있다.
상기 광원부(10)는 램프(11)와, 상기 램프(11)에 전원을 인가하는 전원공급부(12)와, 상기 램프(11) 및 전원공급부(12)를 수용하는 램프 하우징(13)을 포함한다.
상기 램프(11)는 실질적으로 다양한 램프들을 사용할 수 있다. 예를 들어, 상기 램프(11)는 할로겐(halogen) 램프, 크세논(xenon) 램프 또는 듀테륨(deuterium) 램프 등이 사용될 수 있다.
상기 광원부(10)에서 제공되는 제 1 광의 제 1 파장 대역은 상기 램프(11)의 종류에 의해 결정되며, 바람직하게는, 상기 제 1 광(31)은 200 내지 800㎚의 제 1 파장 대역을 갖는다.
상기 필터부(20)는 상기 제 1 광(31)에서 소정의 제 2 파장 대역을 갖는 제 2 광(32)을 선택적으로 투과시키는 필터(21)와, 상기 다수의 필터(21)가 수용되는 필터 하우징(23)과, 상기 필터 하우징(23)에 연결되고 상기 필터 하우징(23)을 회전시켜 상기 필터(21) 중 하나의 필터(21)를 선택하는 구동부(22)를 포함한다.
상기 필터 하우징(23)은 상기 다수의 필터(21)가 방사상으로 수납된 드럼형상을 가진다. 그러나, 상기 필터 하우징(23)의 형상은 이에 한정되는 것은 아니며, 적어도 4개 이상의 필터(21)가 한 면상에 배치된 형상이면 된다. 여기서, 상기 필터(21)는 적어도 4개 이상 구비되는 것이 바람직하다. 이는 후술하는 표 1에서와 같이, 피검사체인 박막(2)이 주로 4가지 이므로, 하나의 광학 검사 장치에서 상기 박막(2)을 모두 검사할 수 있기 위해서는 4개의 필터를 구비하는 것이 바람직하다. 또한, 상기 4개의 필터(21) 외에 상기 제 1 광(31)을 필터링하지 않고 투과시키는 광투과부(21a)를 포함하여 5개가 상기 필터 하우징(23)의 일 표면 상에 배치될 수 있다.
상기 구동부(22)는 상기 필터 하우징(23)을 회전시킬 수 있도록 상기 필터 하우징(23)의 중심에 연결되고, 바람직하게는 회전각도를 미세하게 조정할 수 있는 스텝모터를 사용할 수 있다.
따라서, 다수의 필터(21)가 구비되고, 상기 구동부(22)에 의해서 상기 필터(21) 중 하나의 필터(21)가 선택되므로, 하나의 광학 검사 장치에서 다양한 종류 의 박막(2)을 용이하게 검사할 수 있다.
상기 필터(21)는 상기 제 2 파장 대역을 갖는 제 2 광(32)을 선택적으로 투과시키는 광필터로서, 바람직하게는 상기 제 2 파장 대역 이하의 파장 대역을 갖는 광을 차단시키는 필터를 사용한다.
상기 필터(21)는 파장에 따른 광투과 특성의 차이를 이용하는 것으로, 예를 들어, 광의 일부 투과하는 판, 편광물질, 회절격자 등으로 구성되고, 석영, 유리 등을 포함하는 재료를 사용할 수 있다.
상기 제 2 파장 대역은 상기 제 1 파장 대역에서 상기 제 1 광(31)의 포커싱을 위해 선택된 파장 대역으로서, 상기 박막(2)의 종류에 따라 결정된다.
상기 박막(2)의 종류에 따른 상기 제 2 파장 대역의 예를 표 1에 나타냈다.
표 1
포커싱 파장 컷오프 파장 검사 파장
SiO2 계열 320~800㎚ 320㎚ 200~800㎚
SiN 계열 370~800㎚ 370㎚ 200~800㎚
poly 계열 400~800㎚ 400㎚ 200~800㎚
포토레지스트 계열 500~800㎚ 500㎚ 500~800㎚
상기 제 2 파장 대역은 상기 제 1 파장 대역에서 장파장 대역으로 선택된다.
이는, 도 3 에 도시한 바와 같이, 상기 박막(2)에 입사되는 광의 파장에 따라 광의 흡수율이 달라지므로, 검사 시 사용하는 광의 파장에 따라 검사의 정확도가 달라질 수 있다. 특히, 단파장 대역을 갖는 광의 흡수율이 크기 때문에, 상기 제 2 파장 대역은 상기 제 1 파장 대역 중 장파장 대역을 선택하는 것이 바람직하다.
한편, 상기 필터부(20)에는 상기 제 1 광(31) 전체를 통과시키는 광투과부(21a)가 형성된다. 상기 광투과부(21a)는 상기 박막(2)을 검사할 때 보다 많은 광학 정보를 수집하기 위해서 비교적 넓은 파장 대역을 갖는 상기 제 1 광(31)을 이용하여 검사하기 위함이다.
즉, 포커싱을 할 때는 박막(2)에의 흡수율이 비교적 작은 장파장 대역을 갖는 제 2 광(32)을 이용하고, 검사를 할 때는 정보량이 많은 것이 유리하므로 비교적 넓은 파장 대역을 갖는 제 1 광(31)을 이용하는 것이 바람직하다.
상기 포커싱부(3)는 상기 반도체 기판(1)을 하부에서 지지하고, 상기 반도체 기판(1)을 움직여서 상기 반도체 기판(1)과 광원 사이의 거리를 조절하여 상기 초점 거리 상에 상기 반도체 기판(1)을 위치시킨다.
상기 포커싱부(3)의 동작을 살펴보면, 먼저 상기 박막(2) 상으로 상기 제 2 광(32)을 조사하고, 상기 박막(2)으로부터 반사되는 광을 검출하여 초점 거리 및 상기 박막(2)의 최적 위치를 산출한다. 그리고 상기 산출된 위치에 박막(2)이 놓일 수 있도록 상기 반도체 기판(1)의 위치를 변경시킨다.
상기 측정부(41)는 상기 박막(2)으로부터 반사되는 광을 검출한다.
도면 부호 40은 제어부로서, 상기 광원부(10)와 필터부(20) 및 포커싱부(3)의 동작을 제어하고, 상기 측정부(41)로부터 검출된 광신호를 수집한다. 또한, 상기 제어부(40) 및 측정부(41)는 상기 제 2 광(32)이 상기 박막(2)으로부터 반사되는 광을 검출하여 초점 거리를 산출하고, 상기 제 1 광(31)이 상기 박막(2)으로부터 반사되는 광을 검출하여 상기 박막(2)의 광학 정보를 획득한다.
한편, 본 실시예에서는 검사시 필터부(20)를 회전시켜 광투과부(21a)가 선택되도록 하지만, 검사시 상기 필터부(20) 자체를 상기 광의 경로상에서 제거하는 실시예도 가능할 것이다. 다만, 이와 같이 필터부(20) 전체를 이동시키기 위해서는 상기 필터부(20) 자체를 이동시킬 수 있는 이동수단을 더 필요로 하며, 상기 필터부(20)가 이동될 수 있는 공간적 여유를 더 필요로 한다.
한편, 본 실시예에서는 모터의 회전에 필터가 교체되는 것을 도시하였으나, 발명이 이에 한정되는 것은 아니다. 예를 들어, 다수의 필터가 순차적으로 열을 맞춰 램프의 상부 또는 하부에 배치되고, 램프에서 조사되는 광의 경로에 대해 수직 방향으로 필터를 설치/제거할 수 있다. 이 경우, 구동부는 상기 필터를 상하방향으로 직선운동시키는 수단이 사용된다.
이하, 도 4를 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 광학 검사 방법에 대해 설명한다.
우선, 검사하고자 하는 박막(2)이 형성된 반도체 기판(1)을 광학 검사 장치의 포커싱부(3)에 로딩한다(S1).
예를 들어, 상기 박막(2)은 포토레지스트 패턴일 수 있다.
그리고, 상기 박막(2)의 종류에 따라, 포커싱에 사용할 제 2 파장 대역을 설정한다(S2).
여기서, 제 2 파장 대역 결정 단계는 광학 검사 장치에 미리 박막의 종류에 따른 파장 대역을 설정해 두고, 사용자가 수동 또는 자동으로 상기 박막의 종류를 설정함에 따라 상기 제 2 파장 대역이 결정될 수 있다.
이어서, 상기 제 2 파장 대역을 갖는 제 2 광(32)을 선택적으로 투과시키는 필터(21)를 선택하고, 상기 선택된 필터(21)를 광원부(10)에서 방출되는 제 1 광(31)의 경로상에 위치시킨다(S3).
여기서, 상기 제 2 파장 대역은 상기 제 1 파장 대역에서 비교적 장파장 대역으로 선택되며, 상기 필터(21)는 상기 제 2 파장 대역보다 단파장 대역을 갖는 광을 차단시킨다.
이어서, 램프(11)에 전원을 인가하여 제 1 광(31)을 상기 필터(21) 상으로 조사한다(S4).
상기 제 1 광(31)은 200 내지 800㎚의 파장 대역을 가질 수 있다. 예를 들어, 상기 박막(2)이 포토레지스트 패턴인 경우, 상기 제 2 광(32)은 500 내지 800㎚의 파장 대역을 가지며, 상기 필터(21)는 500㎚ 이하의 파장 대역을 갖는 광을 차단시키는 광필터를 사용한다.
상기 램프(11)는 할로겐 램프, 크세논 램프, 듀체륨 램프 중 하나일 수 있다.
상기 필터(21) 상으로 조사된 제 1 광(31)은 상기 필터(21)를 통과하면서 단파장 대역이 제거되고 제 2 파장 대역을 갖는 제 2 광(32)이 되고, 상기 제 2 광(32)은 상기 박막(2) 상으로 조사된다(S5).
이어서, 상기 제 2 광(32)을 이용하여 상기 제 1 광(31)의 초점 거리를 산출하고, 상기 초점 거리에 맞게 상기 포커싱부(3)를 이용하여 상기 반도체 기판(1)의 위치를 조정한다(S6).
상기와 같이 상기 초점 거리에 반도체 기판(1)이 정확하게 위치할 수 있도록 상기 반도체 기판(1)의 위치를 조절하는 것을 포커싱(focsing)이라 한다.
상기 포커싱부(3)는 상기 반도체 기판(1)을 지지하고, 포커싱 단계에서 산출된 초점 거리에 반도체 기판(1)이 놓일 수 있도록 상하 방향으로 상기 반도체 기판(1)을 이동시킨다.
그리고, 상기 포커싱이 완료되면, 상기 필터(21)를 상기 제 1 광(31)의 경로상에서 제거하여, 상기 제 1 광(31)이 상기 박막(2) 상으로 조사될 수 있도록 한다(S7).
여기서, 상기 필터부(20)가 회전하여 상기 필터(21)가 이동하고, 광투과부(21a)가 상기 제 1 광(31)의 경로상에 위치하고, 상기 제 1 광(31)은 상기 광투과부(21a)를 통해 상기 박막(2)으로 제공될 수 있다.
또는 상기 필터부(20) 전체가 상기 제 1 광(31)의 경로상에서 제거됨으로써 상기 제 1 광(31)이 상기 박막(2)으로 조사되도록 할 수도 있을 것이다.
이어서, 상기 초점이 조절된 반도체 기판(1) 상으로 상기 제 1 광(31)을 조사하고(S8), 상기 박막(2)으로부터 반사되는 광을 검출함으로써 상기 박막(2)에 대한 광학 정보들을 획득한다(S9).
상술한 바와 같이, 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 광학 검사 장치는 검사 대상이 되는 막질에 따라 서로 다른 파장을 가지는 광을 이용하여 포커싱함으로써, 광학 검사 과정에서 상기 광에 의해 피검사체가 손상되는 것을 방지하고, 검사 의 정확성을 향상시킨다.
상기에서는 본 발명의 바람직한 실시예를 참조하여 설명하였지만, 해당 기술 분야의 숙련된 당업자는 하기의 특허 청구 범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.

Claims (10)

  1. 제 1 파장 대역을 갖는 제 1 광을 피검사체의 반사도 및 흡수도에 따라 필터링 하여 제 2 파장 대역을 갖는 제 2 광을 생성하는 단계; 및
    상기 제 2 광을 이용하여 상기 피검사체의 초점 거리를 조절하는 단계를 포함하는 광학 검사 장치의 초점 거리 보정 방법.
  2. 제 1 항에 있어서, 상기 제 2 파장 대역은 상기 제 1 파장 대역에서 장파장 대역인 것을 특징으로 하는 광학 검사 장치의 초점 거리 보정 방법.
  3. 제 1 항에 있어서, 상기 피검사체는 반도체 기판 상에 형성된 포토레지스트 패턴이고, 상기 제 2 광은 500㎚ 이상의 파장 대역을 갖는 광인 것을 특징으로 하는 광학 검사 장치의 초점 거리 보정 방법.
  4. 제 1 파장 대역을 갖는 제 1 광을 피검사체의 반사도 및 흡수도에 따라 필터링 하여 제 2 파장 대역을 갖는 제 2 광을 생성하는 단계;
    상기 제 2 광을 이용하여 상기 피검사체의 초점 거리를 조절하는 단계; 및
    상기 제 1 광을 피검사체에 조사하여 상기 피검사체를 검사하는 단계를 포함하는 광학 검사 방법.
  5. 제 1 파장 대역을 갖는 제 1 광을 조사하는 광원부;
    상기 제 1 광의 경로 상에 배치되고, 상기 제 1 파장 대역 내에서 피검사체의 반사도 및 흡수도에 따라 제 2 파장 대역을 갖는 제 2 광을 선택적으로 투과시키는 필터부; 및
    상기 피검사체를 지지하고, 상기 피검사체의 초점 거리를 조절하는 포커싱부를 포함하는 광학 검사 장치의 초점 위치 보정 장치.
  6. 제 5 항에 있어서, 상기 필터부는
    드럼 형상의 필터 하우징;
    상기 필터 하우징 내부에 방사상으로 수납된 다수의 필터; 및
    상기 필터 하우징을 회전시킬 수 있도록 상기 필터 하우징에 연결되는 구동부를 포함하는 것을 특징으로 하는 광학 검사 장치의 초점 위치 보정 장치.
  7. 제 6 항에 있어서, 상기 필터부는 상기 제 1 광 전체를 통과시키는 광투과부를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 광학 검사 장치의 초점 위치 보정 장치.
  8. 제 5 항에 있어서, 상기 필터는 제 2 파장 대역 이하의 파장 대역을 갖는 광을 차단시키는 하이패스 필터(high-pass filter)인 것을 특징으로 하는 광학 검사 장치의 초점 위치 보정 장치.
  9. 제 1 파장 대역을 갖는 제 1 광을 조사하는 광원부;
    상기 제 1 광의 경로 상에 배치되고, 상기 제 1 파장 대역 내에서 피검사체의 반사도 및 흡수도에 따라 제 2 파장 대역을 갖는 제 2 광을 선택적으로 투과시키는 다수의 필터와, 상기 필터들 중 하나를 선택하는 구동부를 포함하는 필터부;
    상기 피검사체를 지지하고, 상기 피검사체의 초점 거리를 조절하는 포커싱부; 및
    상기 피검사체로부터 반사되는 광을 검출하는 측정부를 포함하는 광학 검사 장치.
  10. 제 9 항에 있어서, 상기 구동부 및 광원부의 동작을 제어하는 제어부를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 광학 검사 장치.
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
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KR101493048B1 (ko) * 2009-02-27 2015-02-13 삼성전자주식회사 반도체 소자 측정 장치 및 이를 사용한 반도체 소자 측정 방법
KR20180069948A (ko) * 2016-12-15 2018-06-26 신한대학교 산학협력단 세극등

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