KR20080034030A - 표면활성제를 사용한 금속 함유 필름의 원자층 증착 - Google Patents
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Abstract
본 발명은, 표면 상에 금속 함유 필름을 형성하는 원자층 증착 방법을 제공한다. 상기 방법은 그의 가장 광범위한 면에서, (a) 표면을 표면활성제에 노출시켜 표면 상에 표면활성 착물의 증착물을 형성하는 단계; (b) 표면활성 착물의 증착물을 금속 전구체에 노출시켜 표면 상에 금속 착물의 증착물을 형성하는 단계; 및 (c) 증착된 금속 착물을 환원제와 반응시켜 표면 상에 산화물 비함유 금속 함유 필름을 형성하는 단계를 포함하며, 여기서 금속은 Co, Ni, Pt, Pd, Ir 및 W로 구성된 군으로부터 선택된다.
금속 함유 필름, 원자층 증착, 표면활성제
Description
본 발명은, 표면활성제를 사용하여 원자층 증착 (ALD) 방법으로 표면 상에 Co, Ni, Pt, Pd, Ir 또는 W 함유 필름을 형성하는 방법에 관한 것이다.
원자층 증착 (ALD) (또한, 원자층 에피택시로서 공지됨)은, 표면 상에 고도로 균일한 등각(conformal) 금속 박층을 증착시키는 방법이다. 표면을 금속 전구체 및 환원제의 증기에 노출시킨다. 이러한 필름은 반도체 마이크로전자공학 및 광학 필름에서 폭넓게 다양한 용도를 갖는다. 2단계 방법을 이용하는 통상의 ALD 방법은 문헌 [M. Ritala and M. Leskela in "Atomic Layer Deposition" in Handbook of Thin Film Materials, H. S. Nalwa, Editor, Academic Press, San Diego, 2001, Volume 1, Chapter 2]에 기재되어 있다.
전형적인 2단계 ALD 방법에서는, 열 분해 단계에서 전구체와 기판의 상호작용에 의해 조절되는, 금속 착물의 표면으로의 자가-제한적 흡착이 존재한다. 금속 표면은 화학적으로 리간드 손실을 유도하는 관능기를 갖지 않음으로써, 리간드 손실은 열적으로 유도된다. 금속 전구체는 증착 챔버내로 전달되기에 충분히 안정적이며, 또한 기판 표면에서 변환되기에 충분히 반응성인 것이 바람직하다.
관련 ALD 방법에서, 기판은 금속 함유 전구체 상의 1개 이상의 리간드와 화학적으로 반응하는 관능기를 함유한다. 예를 들어, 등각 Al2O3 박막 제조에 이용되는 전형적인 방법에서는, 히드록실기를 갖는 기판을 사용한다. 기판을 Al(CH3)3과 접촉시키는데, 이것은 표면 히드록실기와 반응하여 흡착된 Al-O 착물을 형성하고 메탄은 유리된다. 표면 히드록실기가 소비되면, 반응이 중지된다. 이어서, 물을 표면 상의 Al-O 착물과 접촉시켜 산화알루미늄상 및 추가의 히드록실기를 생성한다. 이어서, 필요에 따라 상기 방법을 반복하여 원하는 두께의 산화물 필름으로 성장시킨다. Al(CH3)3의 증착 속도는 표면 히드록실기의 수에 의해 조절된다. 일단 히드록실기가 소비되면, 더이상 Al(CH3)3이 표면에 흡착될 수 없다.
관심있는 기판 상의 금속 필름의 증착을 위한 다른 공지된 ALD 방법에서는, Al2O3의 경우에서 나타나는 자가-제한적 유형의 반응을 개시하는 반응성 기가 기판 표면 상에 존재하지 않을 수 있다. 예를 들어, 질화탄탈 기판 상의 금속 배리어층의 증착에서는, 자가-제한적 흡착이 전구체의 열 분해에 의해 달성된다. 전구체는 바람직하게는 반응 챔버로의 수송에 필요한 휘발성 및 안정성을 갖도록, 또한 금속 착물이 기판 표면에 화학흡착될 수 있게 완전히 열 분해되는 반응성을 갖도록 디자인된다. 흔히 이들 방법에서는, 열 증착 동안 분해된 금속 리간드로부터의 단편으로 오염된 필름이 형성된다.
US2002/0081381에는, ALD 방법에 의한 금속 필름 (Co, Fe, Ni, Pd, Ru, Rh, Ir, Pt, Au, Ag)의 증착 방법에 기재되어 있다. 리간드는 β-디케톤, 모노티오-β-케톤, 디티오-β-케톤, 아미노케톤 및 실릴-β-케톤으로부터 선택된다. 환원제는 수소 및 실란이다. Co(acac)2가 코발트 필름의 증착을 위한 전구체로서 개시되어 있다. 금속 산화물층의 형성 및 환원을 포함하는 방법에서는 산소 및 다른 산화제가 개시되어 있다.
WO2004/046417에는, 기판 표면 상의 Co(N,N'-디이소프로필아세트아미디네이트)2의 흡착 및 수소 기체에 의한 환원에 의한 코발트 필름의 형성이 기재되어 있다. 증착 온도가 250 내지 350℃인 코발트의 증착이 개시되어 있다. 250℃ 미만의 온도에서의 증착은 얻어지지 않았다.
US 2004/0092096에는, 확산 배리어 필름과 금속 필름 사이에 산소 원자의 단층을 생성함으로써 확산 배리어 필름과 금속 필름 사이의 접착력을 향상시키는 방법이 개시되어 있다. 적합한 금속으로는, Cu, Al, Ni, Co 및 Ru가 포함된다. 일 실시양태에서, 상기 단층은, 확산 배리어 필름을 산소 함유 반응물에 노출시키고, 이어서 금속 필름을 CVD, ALD, PVD 또는 스퍼터링에 의해 증착시킴으로써 생성된다.
비교적 저온에서 수행될 수 있고, 고순도를 갖는 고품질의 균일한 필름을 제공할 수 있는 산화물 비함유 금속 함유 필름의 형성 방법에 대한 필요성이 존재한다.
<발명의 요약>
본 발명의 일면은,
a. 기판의 표면을 표면활성제에 노출시켜 표면 상에 표면활성 착물의 증착물을 형성하는 단계;
b. 표면활성 착물의 증착물을 금속 전구체에 노출시켜 표면 상에 금속 착물의 증착물을 형성하는 단계; 및
c. 증착된 금속 착물을 환원제와 반응시켜 표면 상에 산화물 비함유 금속 함유 필름을 형성하는 단계
를 포함하며, 여기서 금속은 Co, Ni, Pt, Pd, Ir 및 W로 구성된 군으로부터 선택되는, 기판의 표면 상에 금속 함유 필름을 증착시키는 방법이다.
본 발명자들은 금속 함유 필름의 증착을 위한 신규한 ALD 방법을 발견하였다. 본 발명의 방법은, 기판 표면을 세가지 반응물: 표면활성제, 금속 전구체 및 환원제에 순차적으로 노출시키는 것을 포함한다.
본 발명에 따른 방법의 일 실시양태에서 제1 단계는 표면 활성제를 기판 표면 상에 증착시키는 것이고, 상기 표면 활성제는 반응의 제2 단계에서 도입되는 금속 전구체와 반응하여 자가-제한적 증착 반응에서 표면 상에 표면 결합된 비휘발성 금속 전구체 착물을 형성한다. 표면 결합된 착물을 환원제와 반응시켜 원하는 필름을 생성한다. 상기 방법의 단계들을 필요에 따라 수회 반복하여 원하는 필름 두께를 달성할 수 있다.
본 발명의 또다른 실시양태는, 금속 전구체와 제3 시약 사이의 기체상 반응이 없다면, 증착된 표면활성제를 금속 전구체와 제3 시약의 혼합물에 노출시키는 2단계 방법이다. 2단계 방법을 필요에 따라 수회 반복하여 원하는 필름 두께를 달성할 수 있다.
전형적으로, 이들 방법은 배기가능하고, 조절된 양의 휘발성 시약이 도입될 수 있는 반응 챔버내에서 수행된다. 기판 가열 수단 또한 유용하다.
적합한 기판으로는, 초대규모 집적 회로를 제조하기 위해 전자 산업에서 전형적으로 사용되는 기판을 포함한, 도체, 반도체 및 절연체 기판이 포함된다. 적합한 기판은 전형적으로, 구리, 규소, 이산화규소, 저k 기판 또는 배리어층으로 코팅된 저k 기판을 포함한다. 적합한 배리어층으로는, 탄탈, 질화탄탈, 티탄, 질화티탄, 질화탄탈규소, 질화티탄규소, 질화탄탈탄소, 탄질화텅스텐 및 질화니오브가 포함된다. "저k" 기판은 약 4 미만의 유전 상수 ("k")를 갖는다. 적합한 저k 기판으로는, 도핑된 산화물 (예를 들어, FSG, HSQ, MSQ, HOSP), 유기물 (예를 들어, SiLK, BCB, FLARE, PAE), 고도로 플루오르화된 물질 (예를 들어, 파릴렌-F, a-CF 및 PTFE) 및 다공성 물질 (예를 들어, 에어로겔 및 크세로겔)이 포함된다. 초대규모 집적 회로는 전형적으로 수백만개의 게이트 및 수억개의 개별 트랜지스터를 함유한다.
방법은 기판 상의 표면활성제의 증착을 포함한다. 표면활성제는 ALD 방법의 후속 단계, 즉 금속 전구체의 증착에 적합한 표면 상의 비휘발성 착물을 형성하도록 선택된다. 표면활성제의 선택은 금속 이온에 배위된 리간드에 따라 달라진다. 금속 전구체는 염기성 리간드를 포함하며, 표면활성제는 배위된 리간드에 양성자를 첨가하기에 충분히 산성이어야 한다.
표면활성기는 유기 분자 또는 물이다. 표면활성기는 기판에 화학흡착되고 양성자 공여체로서 작용한다. 표면활성기는 금속 전구체에 양성자를 공여하여 금속 착물이 리간드를 손실하여 결과적으로 표면에 화학흡착되게 할 수 있는 유기산일 수 있다. 별법으로, 표면활성기를 배위된 리간드에 첨가하거나, 또는 금속 배위권으로부터 배위된 리간드를 치환하여 새로운 착물, 예를 들어 아쿠오(aquo) 착물을 형성할 수 있다. 표면활성제의 부재 하에서는, 금속 전구체가 표면에 흡착되지 않는다. 표면활성제의 증착은, 전형적인 열 분해 온도보다 낮은 20℃ 내지 400℃의 온도에서 수행할 수 있고, 따라서 증착된 필름이 리간드에 의해 오염되는 것을 막을 수 있다.
적합한 표면활성제로는, 이민, 피페리딘, 질소 함유 방향족 헤테로사이클 (예를 들어, 피라졸, 이미다졸 및 트리아졸), 물, 및 카르복실산, 예컨대 포름산 및 아세트산이 포함된다. 적합한 질소 함유 방향족 헤테로사이클로는, 피라졸, 3,5-디메틸피라졸, 3,4,5-트리메틸피라졸, 1H-1,2,3-트리아졸 및 1,2,4-트리아졸이 포함된다.
바람직하게는, 금속 전구체를 도입하기 전에 과량의 (비증착된) 표면활성제를 반응 챔버로부터 배기시킨다.
이어서, 금속 전구체를 흡착된 표면활성 착물과 접촉시켜 흡착된 착물과 금속 전구체 사이의 반응을 가능하게 한다. 반응은 표면활성기가 소비되면 필수적으로 중지된다. 과량의 전구체 및 부산물은 반응 챔버의 배기 또는 플러슁에 의해 제거할 수 있다.
이어서, 환원제를 반응 챔버내에 도입한다. 전형적으로, 환원제는 임의의 비증착된 금속 전구체 및 금속 전구체와 표면활성기의 반응으로부터의 부산물을 반응 챔버로부터 배기시킨 후에 도입한다. 별법으로, 제3 시약과 금속 전구체 사이의 기체상 반응이 없다면, 이들 둘을 함께 도입할 수 있다. 금속 필름의 경우, 제3 시약은 통상적으로 환원제, 예컨대 수소, 실란, 9-BBN (9-보라바이시클로[3.3.1]노난), 보란, 디히드로벤조푸란, 피라졸린, 디에틸실란, 디메틸실란, 에틸실란, 메틸실란 또는 페닐실란이다. 바람직한 환원제는 휘발성이고, 가열시 분해되지 않는다. 또한, 환원제는 기판 표면 상에 증착된 금속 전구체 착물과 접촉시 빠르게 반응하도록 충분한 환원력을 갖는 것이 바람직하다.
금속 전구체의 증착 및 후속된 제3 시약과의 반응은, 전구체의 휘발성, 원하는 필름 및 용도에 따라 폭넓은 범위의 온도, 전형적으로는 실온 내지 약 450℃에서 수행할 수 있다. 보다 휘발성인 착물을 사용하는 방법은 보다 저온에서 실행할 수 있다. 상기 증착 방법은 보다 저온의 사용을 가능하게 하고, 보다 고품질의 보다 균일한 필름을 생성함으로써 공지된 방법을 개선시킨다.
ALD 방법에서 유용하게 되도록, 금속 전구체는 바람직하게는 열 분해 없이 승화되거나 휘발되기에 충분히 휘발성이다. ALD 방법에서 사용되는 리간드는 또한 바람직하게는 분해에 대해 안정하고, 표면활성제 또는 환원제와의 반응 후에 금속 비함유 형태로 전구체로부터 탈착될 수 있다. 금속 이온의 환원 또는 반응 후에, 임의의 잔류 리간드는 이것이 형성되는 금속 함유층내로 혼입되지 않도록 유리되고 표면으로부터 제거된다. 제3 단계 후의 배기는 필수적이지 않을 수 있다. 예를 들어, 환원제로서 수소를 사용하는 경우, 후속 단계를 위한 표면활성제의 도입 전에 챔버를 퍼징하는 것이 필수적이지는 않다.
본원의 방법은 3개의 개별 단계를 갖는 것으로 제한되도록 의도되지는 않는다. 예를 들어, 표면활성제의 도입 후에 금속 전구체를 운반 기체로서의 수소와 함께 도입하는 2단계 방법이 고려된다.
본 발명의 방법에 사용하기에 적합한 금속 전구체는 하기 화학식 I로 표시될 수 있다.
식 중,
m은 2, n은 0이고;
M은 +2 산화 상태에 있으며, Co, Ni, Pt, Pd 및 Ir로 구성된 군으로부터 선택되며;
L은 하기 구조식 I로 표시되는 HL로부터 유도된 음이온성 2자리 리간드이고;
<구조식 I>
식 중,
R3 및 R4는 독립적으로 H, C1-C5 알킬 및 디메틸아미노로 구성된 군으로부터 선택되며;
R1 및 R2는 독립적으로 H 및 C1-C5 알킬로부터 선택되거나; 또는
R1, R3 및 R5는 독립적으로 H 및 C1-C5 알킬로부터 선택되고;
R2 및 R4는 함께 (CH2)x이고, 여기서 x는 3, 4 또는 5이거나; 또는
m은 0, n은 3이고;
M은 +3 산화 상태에 있으며, Co 및 Ir로부터 선택되며;
L*은 HL*로부터 유도된 음이온성 2자리 리간드이고, HL*은 하기 구조식 II로 표시되는 β-디케티민 및 하기 구조식 III으로 표시되는 N-아세트이미도일아세트아미딘으로 구성된 군으로부터 선택되고;
<구조식 II>
<구조식 III>
식 중, R6 및 R7은 독립적으로 H, C1-C5 알킬 및 디메틸아미노로부터 선택된다.
본 발명의 방법에 유용한 금속 전구체를 제조하는 데 사용되는 리간드는, 본원에 참고로 도입된 US 6,939,578에 기재된 바와 같이, 또는 문헌 [Chem. Commun. 2001, 1174-1175] 또는 문헌 [Inorganic Chemistry, 2003, 42, 7239-7248]에 기재된 바와 같이 제조할 수 있다.
표면활성기, 금속 전구체 상의 리간드 및 환원제는, 환원 반응으로부터의 생성물이 반응 챔버로부터 용이하게 제거되도록 선택된다. 본원에 개시된 방법은 금속 함유 필름의 ALD에서 간단하고 안정한 화합물의 사용을 가능하게 한다. 자가-제한적 흡착 단계는 전구체의 열 분해보다는 예비-흡착된 착물과 금속 전구체 사이의 특정 반응에 의존한다. 따라서, 화합물은 열적으로 안정할 수 있고, 분해되지 않고 반응 챔버내로 수송될 수 있다. 반응 챔버내에서의 유일한 반응은 표면과 흡착된 표면활성제에서 일어난다. 상기 방법은 열 분해 방법에 의한 ALD 방법에 적합하지 않은 화합물의 사용을 가능하게 한다.
본 발명을 하기 실시예에 의해 추가로 설명한다. 모든 시약은 시그마-알드리치 코포레이션(Sigma-Aldrich Corporation, 미국 위스콘신주 밀와우키 소재), 아크로스 오가닉스(Acros Organics, 미국 뉴저지주 모리스 플레인즈 소재), 또는 겔레스트(Gelest, 미국 펜실바니아주 모리스빌 소재)로부터 입수가능하였다. 표준 건조 박스 및 슈렌크-웨어(Schlenk-ware) 기술을 하기하는 화합물의 제조 및 취급에 이용하였다. 유기 용매를 질소에 의해 탈기시키고, 활성화된 4 Å 체로 건조시켰다. 마이크로-아날리시스, 인코포레이티드(Micro-Analysis, Inc., 미국 델라웨어주 윌밍톤 소재)에 의해 원소 분석을 수행하였다.
실시예
1
비스
(N-에틸-4-
에틸이미노
-2-
펜텐
-2-
아미네이토
)코발트(II)의 제조
모든 조작을 질소 분위기 하에 진공 분위기 건조 박스내에서 수행하였다. 1,3-디이민 리간드 CH3CH2N=C(CH3)-CH2-C(CH3)=N-CH2CH3·HBF4를 문헌의 방법 (문헌 [S.G. McGeachin, Canadian Journal of Chemistry, 46, 1903-1912 (1968)])에 따라 제조하였다. 리튬 N,N'-디에틸펜탄디케티미네이트를 에테르 중의 t-부틸 리튬과 유리 리간드의 반응에 의해 제조하였다 (US 2005/0227007). 염화코발트 (0.1115 g)를 에탄올 10 mL 중에서 교반하여 청색 용액을 수득하였다. 리튬 N,N'-디에틸펜탄디케티미네이트 (0.2755 g)을 고체로서 한꺼번에 첨가하였다. 빠르게 적색-오렌지색이 나타났다. 반응 혼합물을 0.5시간 동안 교반하였다. 용매를 진공 하에 제거하였다. 생성된 물질을 톨루엔 대략 5 mL 중에 용해시켰다. 메탄올 (10 내지 15 mL)을 바이알에 첨가하고, 이어서 이것을 -30℃의 냉동장치에 넣었다. 오렌지색 결정을 바이알내에서 그대로 성장시키고, 결정을 용매를 경사분리(decantation)하여 수거하고, 결정을 건조시켰다. 분석은 Co(C7H17N2)2의 형성에 일치되었다. 측정된 조성은 59.02％ C, 9.40％ H 및 15.13％ N이었다. X-선 결정 구조에 의해 화학량론을 확인하였다.
실시예
2
비스
(N-에틸-4-
에틸이미노
-2-
펜텐
-2-
아미네이토
)코발트(II)의 제조
모든 조작을 질소 분위기 하에 진공 분위기 건조 박스내에서 수행하였다. 에탄올 중의 나트륨 메톡시드와 유리 리간드의 반응 후 용매 제거에 의해 제조된 나트륨 (3-2-아미노-4-펜타노네이트) (0.10 g)을 무수 에탄올 10 mL 중에서 교반하였다. 상기 교반 용액에 염화코발트(II) (0.070 g)를 한꺼번에 첨가하였다. 곧 짙은 청색이 나타났고; 밤새 교반함에 따라 용액의 색이 적색으로 변하였다. 반응 혼합물을 셀라이트(Celite, 등록상표) 545로 여과하고; 용매를 진공 하에 제거하였다. 생성된 고체를 헥산으로 세척하여 오렌지색 용액을 얻었다. -30℃에서 그대로 오렌지색 침전물이 형성되었다. 용매를 경사분리하고, 잔류물을 건조시켜 고체를 수거하였다. 분석은 Co(C5H8NO)2의 형성에 일치되었다. 측정된 조성은 47.17％ C, 6.29％ H 및 10.60％ N이었다.
실시예
3
코발트 필름의 증착
본 실시예에서는 실시예 1에 기재된 코발트(II) 화합물을 사용하여 코발트 필름을 제조하였다. 기판은 물리적 증착에 의해 제조된 규소 상의 루테늄 필름 (170 Å)이었다. 반응 챔버는, 표면활성제, 전구체 및 환원제의 도입이 가능하도록 연결기가 장착된 유리 튜브 (직경 1 인치)였다. 튜브의 한쪽 말단에 유리 진공 라인으로의 연결이 가능하도록 분쇄 유리 조인트를 장착하였다. 튜브의 다른쪽 말단에는 기체의 도입을 위한 튜브의 부착이 가능하도록 튜브화기(tubulator)를 장착하였다.
코발트 필름을 하기 방식으로 Ru 웨이퍼 상에 증착시켰다. Ru 웨이퍼를 유리 튜브의 바닥부에 배치하고, 1시간 동안 수소 유동 (질소 중 4％) 하에 200℃에서 가열하여 세정하였고; 증착 챔버내 압력은 150 내지 200 mtorr였다. 가열 밴드 및 가열 테이프를 이용하여 전구체 및 웨이퍼가 95℃가 되도록 하였다. 10초 동안 헬륨 유동 하에 피라졸을 반응 챔버내로 펄싱(pulsing)하였고; 반응 챔버내 압력은 150 내지 200 mtorr였다. 이어서, 챔버를 1분 동안 퍼징하였다. 이어서, Co(II) 전구체를 2분 동안 챔버내로 펄싱하였고; 반응 챔버내 압력은 150 내지 200 mtorr였다. 이어서, 반응 챔버를 1분 동안 퍼징하였다. 디메틸실란을 함유하는 실린더의 밸브를 개방하고 즉시 폐쇄하여 상기 시약을 반응 챔버내로 펄싱하였다. 반응 챔버를 1분 동안 퍼징하였다. 상기 사이클을 84회 반복하여 등각 코발트 박막을 생성하였다.
Claims (10)
- a. 기판의 표면을 표면활성제에 노출시켜 표면 상에 표면활성 착물의 증착물을 형성하는 단계;b. 표면활성 착물의 증착물을 금속 전구체에 노출시켜 표면 상에 금속 착물의 증착물을 형성하는 단계; 및c. 증착된 금속 착물을 환원제와 반응시켜 표면 상에 금속 함유 필름을 형성하는 단계를 포함하며, 여기서 금속은 Co, Ni, Pt, Pd, Ir 및 W로 구성된 군으로부터 선택되는, 기판의 표면 상에 산화물 비함유 금속 함유 필름을 증착시키는 방법.
- 제1항에 있어서, 환원제가 수소, 디실란, 9-보라바이시클로[3.3.1]노난, 보란, 디히드로벤조푸란, 피라졸린, 디에틸실란, 디메틸실란, 에틸실란, 메틸실란, 페닐실란 및 실란으로 구성된 군으로부터 선택되는 것인 방법.
- 제1항에 있어서, 표면활성제가 양성자 공급원인 방법.
- 제1항에 있어서, 표면활성제가 물, 포름산, 카르복실산, 이민, 피페리딘 및 질소 함유 방향족 헤테로사이클로 구성된 군으로부터 선택되는 것인 방법.
- 제4항에 있어서, 질소 함유 방향족 헤테로사이클이 피라졸, 이미다졸 및 트리아졸로 구성된 군으로부터 선택되는 것인 방법.
- 제1항에 있어서, 기판이 구리, 규소, 이산화규소, 저k 기판, 또는 배리어층으로 코팅된 저k 기판을 포함하는 것인 방법.
- 제6항에 있어서, 배리어층이 탄탈, 질화탄탈, 티탄, 질화티탄, 질화탄탈규소, 질화티탄규소, 질화탄탈탄소, 탄질화텅스텐 또는 질화니오브를 포함하는 것인 방법.
- 제1항에 있어서, 금속 전구체가 하기 화학식 I로 표시되는 것인 방법.<화학식 I>MLmL* n식 중,m은 2, n은 0이고;M은 +2 산화 상태에 있으며, Co, Ni, Pt, Pd 및 Ir로 구성된 군으로부터 선택되며;L은 하기 구조식 I로 표시되는 HL로부터 유도된 음이온성 2자리 리간드이고;<구조식 I>
식 중,R3 및 R4는 독립적으로 H, C1-C5 알킬 및 디메틸아미노로 구성된 군으로부터 선택되며;R1 및 R2는 독립적으로 H 및 C1-C5 알킬로부터 선택되거나; 또는R1, R3 및 R5는 독립적으로 H 및 C1-C5 알킬로부터 선택되고;R2 및 R4는 함께 (CH2)x이고, 여기서 x는 3, 4 또는 5이거나; 또는m은 0, n은 3이고;M은 +3 산화 상태에 있으며, Co 및 Ir로부터 선택되며;L*은 HL*로부터 유도된 음이온성 2자리 리간드이고, HL*은 하기 구조식 II로 표시되는 β-디케티민 및 하기 구조식 III으로 표시되는 N-아세트이미도일아세트아미딘으로 구성된 군으로부터 선택되고;<구조식 II>
<구조식 III>
식 중, R6 및 R7은 독립적으로 H, C1-C5 알킬 및 디메틸아미노로부터 선택된다. - 제8항에 있어서, HL*이 하기 구조식 II으로 표시되는 β-디케티민인 방법.<구조식 II>
식 중, R6 및 R7은 H이다. - 제8항에 있어서, HL*이 하기 구조식 IV로 표시되는 N-아세트이미도일아세트아미딘인 방법.<구조식 IV>
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