JP2016513087A - マンガン含有化合物、その合成及びマンガン含有膜の堆積へのその使用 - Google Patents
マンガン含有化合物、その合成及びマンガン含有膜の堆積へのその使用 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2016513087A JP2016513087A JP2015555838A JP2015555838A JP2016513087A JP 2016513087 A JP2016513087 A JP 2016513087A JP 2015555838 A JP2015555838 A JP 2015555838A JP 2015555838 A JP2015555838 A JP 2015555838A JP 2016513087 A JP2016513087 A JP 2016513087A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- manganese
- simn
- group
- compound
- deposition
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000011572 manganese Substances 0.000 title claims abstract description 196
- 229910052748 manganese Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 118
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 title claims abstract description 115
- PWHULOQIROXLJO-UHFFFAOYSA-N Manganese Chemical compound [Mn] PWHULOQIROXLJO-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 110
- 230000008021 deposition Effects 0.000 title claims description 22
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 title abstract description 13
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 title abstract description 10
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims abstract description 31
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 16
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 claims abstract description 15
- 150000002430 hydrocarbons Chemical class 0.000 claims abstract description 13
- 229930195733 hydrocarbon Natural products 0.000 claims abstract description 12
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 claims abstract description 12
- 125000004122 cyclic group Chemical group 0.000 claims abstract description 11
- 239000004215 Carbon black (E152) Substances 0.000 claims abstract description 8
- 229910004534 SiMn Inorganic materials 0.000 claims description 58
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 50
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 31
- 238000000231 atomic layer deposition Methods 0.000 claims description 30
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 29
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 claims description 27
- 229910017028 MnSi Inorganic materials 0.000 claims description 24
- 238000005137 deposition process Methods 0.000 claims description 18
- 239000012495 reaction gas Substances 0.000 claims description 16
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 15
- 150000003254 radicals Chemical class 0.000 claims description 11
- 239000003446 ligand Substances 0.000 claims description 10
- QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N Acetic acid Chemical compound CC(O)=O QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- 239000003638 chemical reducing agent Substances 0.000 claims description 9
- -1 hydrocarbon radical Chemical class 0.000 claims description 9
- 238000004518 low pressure chemical vapour deposition Methods 0.000 claims description 9
- AMWRITDGCCNYAT-UHFFFAOYSA-L hydroxy(oxo)manganese;manganese Chemical compound [Mn].O[Mn]=O.O[Mn]=O AMWRITDGCCNYAT-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims description 8
- 238000000623 plasma-assisted chemical vapour deposition Methods 0.000 claims description 8
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 238000001505 atmospheric-pressure chemical vapour deposition Methods 0.000 claims description 7
- 239000007800 oxidant agent Substances 0.000 claims description 7
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 claims description 7
- 229910006404 SnO 2 Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 claims description 5
- JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N AsGa Chemical compound [As]#[Ga] JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- FHTCLMVMBMJAEE-UHFFFAOYSA-N bis($l^{2}-silanylidene)manganese Chemical compound [Si]=[Mn]=[Si] FHTCLMVMBMJAEE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- ASTZLJPZXLHCSM-UHFFFAOYSA-N dioxido(oxo)silane;manganese(2+) Chemical compound [Mn+2].[O-][Si]([O-])=O ASTZLJPZXLHCSM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- RPQDHPTXJYYUPQ-UHFFFAOYSA-N indium arsenide Chemical compound [In]#[As] RPQDHPTXJYYUPQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910000673 Indium arsenide Inorganic materials 0.000 claims description 3
- RRZKHZBOZDIQJG-UHFFFAOYSA-N azane;manganese Chemical compound N.[Mn] RRZKHZBOZDIQJG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 239000012530 fluid Substances 0.000 claims description 3
- WPBNNNQJVZRUHP-UHFFFAOYSA-L manganese(2+);methyl n-[[2-(methoxycarbonylcarbamothioylamino)phenyl]carbamothioyl]carbamate;n-[2-(sulfidocarbothioylamino)ethyl]carbamodithioate Chemical compound [Mn+2].[S-]C(=S)NCCNC([S-])=S.COC(=O)NC(=S)NC1=CC=CC=C1NC(=S)NC(=O)OC WPBNNNQJVZRUHP-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims description 3
- HKOOXMFOFWEVGF-UHFFFAOYSA-N phenylhydrazine Chemical compound NNC1=CC=CC=C1 HKOOXMFOFWEVGF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229940067157 phenylhydrazine Drugs 0.000 claims description 3
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 claims description 2
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 claims description 2
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 claims 1
- 101100386054 Saccharomyces cerevisiae (strain ATCC 204508 / S288c) CYS3 gene Proteins 0.000 abstract 1
- 101150035983 str1 gene Proteins 0.000 abstract 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 49
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 25
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 24
- 239000002243 precursor Substances 0.000 description 19
- 125000001449 isopropyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])(*)C([H])([H])[H] 0.000 description 16
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 16
- 239000000463 material Substances 0.000 description 9
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 8
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 8
- 125000000999 tert-butyl group Chemical group [H]C([H])([H])C(*)(C([H])([H])[H])C([H])([H])[H] 0.000 description 8
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 description 7
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 7
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 7
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- YMWUJEATGCHHMB-UHFFFAOYSA-N Dichloromethane Chemical compound ClCCl YMWUJEATGCHHMB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Chemical compound CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- ZMANZCXQSJIPKH-UHFFFAOYSA-N Triethylamine Chemical compound CCN(CC)CC ZMANZCXQSJIPKH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 6
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 5
- 239000003153 chemical reaction reagent Substances 0.000 description 5
- 125000004108 n-butyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 5
- 125000004123 n-propyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 5
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 5
- 239000012159 carrier gas Substances 0.000 description 4
- 230000007935 neutral effect Effects 0.000 description 4
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 4
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 4
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 4
- 230000008022 sublimation Effects 0.000 description 4
- 238000005292 vacuum distillation Methods 0.000 description 4
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- NUSMKBGNIDQKQY-UHFFFAOYSA-N [SiH3][Mn] Chemical class [SiH3][Mn] NUSMKBGNIDQKQY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000004821 distillation Methods 0.000 description 3
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 3
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 3
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 3
- 125000000524 functional group Chemical group 0.000 description 3
- 238000011065 in-situ storage Methods 0.000 description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 238000010926 purge Methods 0.000 description 3
- 238000000859 sublimation Methods 0.000 description 3
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- YNQLUTRBYVCPMQ-UHFFFAOYSA-N Ethylbenzene Chemical compound CCC1=CC=CC=C1 YNQLUTRBYVCPMQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- WSFSSNUMVMOOMR-UHFFFAOYSA-N Formaldehyde Chemical compound O=C WSFSSNUMVMOOMR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910010413 TiO 2 Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000007792 addition Methods 0.000 description 2
- 150000001343 alkyl silanes Chemical class 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000001412 amines Chemical class 0.000 description 2
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 2
- 230000005587 bubbling Effects 0.000 description 2
- 125000000484 butyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 2
- 125000006165 cyclic alkyl group Chemical group 0.000 description 2
- DIOQZVSQGTUSAI-UHFFFAOYSA-N decane Chemical compound CCCCCCCCCC DIOQZVSQGTUSAI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000010494 dissociation reaction Methods 0.000 description 2
- 230000005593 dissociations Effects 0.000 description 2
- SNRUBQQJIBEYMU-UHFFFAOYSA-N dodecane Chemical compound CCCCCCCCCCCC SNRUBQQJIBEYMU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000001495 ethyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 2
- 238000004050 hot filament vapor deposition Methods 0.000 description 2
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 2
- 125000000959 isobutyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])(C([H])([H])[H])C([H])([H])* 0.000 description 2
- 125000002496 methyl group Chemical group [H]C([H])([H])* 0.000 description 2
- 239000002070 nanowire Substances 0.000 description 2
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 2
- 238000009832 plasma treatment Methods 0.000 description 2
- 125000001436 propyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 2
- 239000000376 reactant Substances 0.000 description 2
- 125000002914 sec-butyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])(*)C([H])([H])[H] 0.000 description 2
- 229910021332 silicide Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 2
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 2
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 2
- ITWBWJFEJCHKSN-UHFFFAOYSA-N 1,4,7-triazonane Chemical compound C1CNCCNCCN1 ITWBWJFEJCHKSN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 1
- BZKFMUIJRXWWQK-UHFFFAOYSA-N Cyclopentenone Chemical class O=C1CCC=C1 BZKFMUIJRXWWQK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N O-Xylene Chemical compound CC1=CC=CC=C1C CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229930040373 Paraformaldehyde Natural products 0.000 description 1
- 229910004200 TaSiN Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910008482 TiSiN Inorganic materials 0.000 description 1
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000003848 UV Light-Curing Methods 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 229910052787 antimony Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052785 arsenic Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052788 barium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052454 barium strontium titanate Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 229910052797 bismuth Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 description 1
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 description 1
- 150000001768 cations Chemical class 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 description 1
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 1
- 125000000113 cyclohexyl group Chemical group [H]C1([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])(*)C([H])([H])C1([H])[H] 0.000 description 1
- 125000000058 cyclopentadienyl group Chemical group C1(=CC=CC1)* 0.000 description 1
- 125000001511 cyclopentyl group Chemical group [H]C1([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])(*)C1([H])[H] 0.000 description 1
- 125000001559 cyclopropyl group Chemical group [H]C1([H])C([H])([H])C1([H])* 0.000 description 1
- CEJLBZWIKQJOAT-UHFFFAOYSA-N dichloroisocyanuric acid Chemical compound ClN1C(=O)NC(=O)N(Cl)C1=O CEJLBZWIKQJOAT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 1
- 238000001227 electron beam curing Methods 0.000 description 1
- 150000002118 epoxides Chemical class 0.000 description 1
- 150000002170 ethers Chemical class 0.000 description 1
- 229910052735 hafnium Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000004435 hydrogen atom Chemical group [H]* 0.000 description 1
- 238000007654 immersion Methods 0.000 description 1
- 239000007943 implant Substances 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 1
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N iron Substances [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 1
- QRXWMOHMRWLFEY-UHFFFAOYSA-N isoniazide Chemical compound NNC(=O)C1=CC=NC=C1 QRXWMOHMRWLFEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000002596 lactones Chemical class 0.000 description 1
- 229910052747 lanthanoid Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002602 lanthanoids Chemical class 0.000 description 1
- 229910052745 lead Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000007791 liquid phase Substances 0.000 description 1
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002697 manganese compounds Chemical class 0.000 description 1
- AUHZEENZYGFFBQ-UHFFFAOYSA-N mesitylene Substances CC1=CC(C)=CC(C)=C1 AUHZEENZYGFFBQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000001827 mesitylenyl group Chemical group [H]C1=C(C(*)=C(C([H])=C1C([H])([H])[H])C([H])([H])[H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 229910001092 metal group alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 239000003921 oil Substances 0.000 description 1
- 125000001181 organosilyl group Chemical group [SiH3]* 0.000 description 1
- 229920002866 paraformaldehyde Polymers 0.000 description 1
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 description 1
- 239000012071 phase Substances 0.000 description 1
- 125000001997 phenyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(*)C([H])=C1[H] 0.000 description 1
- 238000000197 pyrolysis Methods 0.000 description 1
- 238000004151 rapid thermal annealing Methods 0.000 description 1
- 229910001404 rare earth metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920006395 saturated elastomer Polymers 0.000 description 1
- FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N silicide(4-) Chemical compound [Si-4] FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 1
- 239000003381 stabilizer Substances 0.000 description 1
- 229910052712 strontium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 230000002194 synthesizing effect Effects 0.000 description 1
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 229910052723 transition metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910021350 transition metal silicide Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000004665 trialkylsilyl group Chemical group 0.000 description 1
- 238000002061 vacuum sublimation Methods 0.000 description 1
- 239000012808 vapor phase Substances 0.000 description 1
- 239000008096 xylene Substances 0.000 description 1
- 229910052727 yttrium Inorganic materials 0.000 description 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C07—ORGANIC CHEMISTRY
- C07F—ACYCLIC, CARBOCYCLIC OR HETEROCYCLIC COMPOUNDS CONTAINING ELEMENTS OTHER THAN CARBON, HYDROGEN, HALOGEN, OXYGEN, NITROGEN, SULFUR, SELENIUM OR TELLURIUM
- C07F7/00—Compounds containing elements of Groups 4 or 14 of the Periodic Table
- C07F7/02—Silicon compounds
- C07F7/08—Compounds having one or more C—Si linkages
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C07—ORGANIC CHEMISTRY
- C07F—ACYCLIC, CARBOCYCLIC OR HETEROCYCLIC COMPOUNDS CONTAINING ELEMENTS OTHER THAN CARBON, HYDROGEN, HALOGEN, OXYGEN, NITROGEN, SULFUR, SELENIUM OR TELLURIUM
- C07F13/00—Compounds containing elements of Groups 7 or 17 of the Periodic Table
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/06—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of metallic material
- C23C16/18—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of metallic material from metallo-organic compounds
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
- C23C16/45523—Pulsed gas flow or change of composition over time
- C23C16/45525—Atomic layer deposition [ALD]
- C23C16/45553—Atomic layer deposition [ALD] characterized by the use of precursors specially adapted for ALD
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/28—Manufacture of electrodes on semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/268
- H01L21/283—Deposition of conductive or insulating materials for electrodes conducting electric current
- H01L21/285—Deposition of conductive or insulating materials for electrodes conducting electric current from a gas or vapour, e.g. condensation
- H01L21/28506—Deposition of conductive or insulating materials for electrodes conducting electric current from a gas or vapour, e.g. condensation of conductive layers
- H01L21/28512—Deposition of conductive or insulating materials for electrodes conducting electric current from a gas or vapour, e.g. condensation of conductive layers on semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table
- H01L21/28556—Deposition of conductive or insulating materials for electrodes conducting electric current from a gas or vapour, e.g. condensation of conductive layers on semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table by chemical means, e.g. CVD, LPCVD, PECVD, laser CVD
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
- H01L21/71—Manufacture of specific parts of devices defined in group H01L21/70
- H01L21/768—Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics
- H01L21/76838—Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics characterised by the formation and the after-treatment of the conductors
- H01L21/76841—Barrier, adhesion or liner layers
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
Abstract
マンガン含有化合物、その合成及びマンガン含有膜の堆積へのその使用を開示する。開示のマンガン含有化合物は式(I)、式(II)を有する:【化1】(式中、R1、R2及びR3は各々独立して水素、又は直鎖、環状若しくは分岐炭化水素から選択されるが、ただしR1、R2及びR3はR1=R2=R3である場合にC3〜C4炭化水素基であり、R4及びR5は各々独立して直鎖、環状又は分岐炭化水素基から選択される)。【選択図】なし
Description
マンガン含有化合物、その合成及びマンガン含有膜の堆積へのその使用を開示する。
[関連出願の相互参照]
本出願は、2013年1月31日付けで出願された米国仮出願第61/759,149号(その内容全体が引用することにより本明細書の一部をなす)に対する米国特許法第119条(e)項に基づく利益を主張するものである。
本出願は、2013年1月31日付けで出願された米国仮出願第61/759,149号(その内容全体が引用することにより本明細書の一部をなす)に対する米国特許法第119条(e)項に基づく利益を主張するものである。
化学蒸着(CVD)及び原子層堆積(ALD)は、半導体デバイス用の薄膜を作製する主要な堆積技法として適用されている。これらの方法は、堆積プロセス中のパラメータの微調整によるコンフォーマルな膜(金属、酸化物、窒化物、ケイ化物等)の達成を可能にする。膜成長は主に金属含有化合物(前駆体)の化学反応によって制御されるため、その特性及び反応プロセスの予測による最適な前駆体の開発が不可欠である。
マンガン含有膜は、様々な電子工学及び電気化学的用途に重要となっている。例えば、ケイ酸マンガン(MnSiOx)は銅、O2及びH2O蒸気の拡散に対する優れた障壁であることが見出されている。銅とMnSiOxとの付着性は半導体産業における相互接続要件を満たすのに十分強いものであることが見出されている。堆積されたマンガンは銅表面へと溶解し、拡散することで、キャッピング層への付着が増大する。Mn−Cu、Mn−Ptのようなマンガン−金属合金もシード層として機能することができる。
アルキル又はハロゲン化シリルマンガンペンタカルボニル複合体(R3SiMn(CO)5)の合成方法は既知である。例えば、非特許文献1、非特許文献2、非特許文献3、非特許文献4、非特許文献5、非特許文献6を参照されたい。
アルキル又はハロゲン化シリルマンガンペンタカルボニル前駆体を用いた堆積もマンガン含有膜の形成に既知である。例えば、非特許文献7、非特許文献8、非特許文献5、非特許文献6を参照されたい。
MacDiarmid et al., Properties of silicon derivates of cobalt, manganese and iron carbonyls, pp. 431-448
Xu et al., Photochemical synthesis of silyl manganese pentacarbonyls (CO)5MnSiR3, Huaxue Xuebao, 67(20) pp. 2355-2362 (2009)
Xu et al., Study on the photochemical silyl exchange reactions of (CO)5MnSiR3 with R'3SiH, Xuebao, 69(8), pp. 999-1006 (2011)
Deshong et al., Regioselective opening of epoxides and ethers by (trialkylsilyl)manganese pentacarbonyl complexes. A general strategy for the synthesis of spiroketal lactone and cyclopentenone derivatives", Journal of organic chemistry, 53(20), pp. 4892-4894 (1988)
Schmitt et al., Synthesis and applications of metal silicide nanowires, Journal of material chemistry, 20, pp. 223-235 (2010)
Higgins et al., Higher manganese silicide nanowires of nowotny chimney ladder phase, Journal of American chemical society 130, pp. 16086-16094 (2008).
Kodas et al., The chemistry of metal CVD, 9.2 Classification of precursors, pp. 431-433
Aylett et al., Chemical vapor deposition of transition-metal silicides by pyrolysis of silyl transition-metal carbonyl compound, J.C.S. Dalton, pp.2058-2061 (1977)
マンガン含有膜の堆積に好適なマンガン化合物が依然として必要とされている。
表記法及び命名法
幾つかの略語、記号及び用語を以下の明細書及び特許請求の範囲全体を通して使用する。
幾つかの略語、記号及び用語を以下の明細書及び特許請求の範囲全体を通して使用する。
本明細書で使用される場合、不定冠詞「a」又は「an」は、1つ又は複数を意味する。
本明細書で使用される場合、「アルキル基」という用語は、炭素原子及び水素原子のみを含有する飽和官能基を指す。さらに、「アルキル基」という用語は直鎖、分岐又は環状アルキル基を指す。直鎖アルキル基の例としては、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基等が挙げられるが、これらに限定されない。分岐アルキル基の例としては、t−ブチルが挙げられるが、これに限定されない。環状アルキル基の例としては、シクロプロピル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基等が挙げられるが、これらに限定されない。
本明細書で使用される「炭化水素」という用語は、水素原子及び炭素原子のみを含有する官能基を意味する。官能基は飽和(単結合のみを含有する)又は不飽和(二重結合又は三重結合を含有する)であり得る。
本明細書で使用される場合、略語「Me」はメチル基を指し、略語「Et」はエチル基を指し、略語「Pr」は任意のプロピル基(すなわち、n−プロピル又はイソプロピル)を指し、略語「iPr」はイソプロピル基を指し、略語「Bu」は任意のブチル基(n−ブチル、イソブチル、t−ブチル、sec−ブチル)を指し、略語「tBu」はtert−ブチル基を指し、略語「sBu」はsec−ブチル基を指し、略語「iBu」はイソブチル基を指し、略語「Ph」はフェニル基を指し、略語「Cp」はシクロペンタジエニル基を指す。
元素周期表による元素の一般的な略語が本明細書中で使用される。元素がこれらの略語によって言及される場合もあることを理解されたい(例えば、Mnはマンガンを指し、Siはシリコンを指し、Cは炭素を指す等)。
以下の式の一方を有する化合物を開示する:
(式中、R1、R2及びR3は各々独立して水素、又は直鎖、環状若しくは分岐炭化水素から選択されるが、ただしR1、R2及びR3はR1=R2=R3である場合にC3〜C4炭化水素基であり、R4及びR5は各々独立して直鎖、環状又は分岐炭化水素基から選択される)。開示の化合物は、1つ又は複数の以下の態様を有し得る:
NMe3、NEt3、NiPr3、NMeEt2、NC5H5、OC4H8、Me2O、及びEt2Oからなる群から選択される1つ又は2つの中性付加物リガンドを含む式Iの化合物、
式Iを有する化合物、
nPr3SiMn(CO)5である化合物、
iPr3SiMn(CO)5である化合物、
nBu3SiMn(CO)5である化合物、
tBu3SiMn(CO)5である化合物、
Et2HSiMn(CO)5である化合物、
Me2iPrSiMn(CO)5である化合物、
(CH2=CH)H2SiMn(CO)5である化合物、
(CH2=CH)Me2SiMn(CO)5である化合物、
(CH2=CH)Et2SiMn(CO)5である化合物、
式IIを有する化合物、
(CO)5MnSiMe2Mn(CO)5である化合物、
(CO)5MnSiEt2Mn(CO)5である化合物、
(CO)5MnSi(iPr)2Mn(CO)5である化合物、
(CO)5MnSi(Ph)2Mn(CO)5である化合物、並びに、
(CO)5MnSi(CH2=CH)(H)Mn(CO)5である化合物。
NMe3、NEt3、NiPr3、NMeEt2、NC5H5、OC4H8、Me2O、及びEt2Oからなる群から選択される1つ又は2つの中性付加物リガンドを含む式Iの化合物、
式Iを有する化合物、
nPr3SiMn(CO)5である化合物、
iPr3SiMn(CO)5である化合物、
nBu3SiMn(CO)5である化合物、
tBu3SiMn(CO)5である化合物、
Et2HSiMn(CO)5である化合物、
Me2iPrSiMn(CO)5である化合物、
(CH2=CH)H2SiMn(CO)5である化合物、
(CH2=CH)Me2SiMn(CO)5である化合物、
(CH2=CH)Et2SiMn(CO)5である化合物、
式IIを有する化合物、
(CO)5MnSiMe2Mn(CO)5である化合物、
(CO)5MnSiEt2Mn(CO)5である化合物、
(CO)5MnSi(iPr)2Mn(CO)5である化合物、
(CO)5MnSi(Ph)2Mn(CO)5である化合物、並びに、
(CO)5MnSi(CH2=CH)(H)Mn(CO)5である化合物。
マンガン含有膜を堆積させる方法も開示する。マンガン含有化合物を基板が中に配置された反応器に導入する。マンガン含有化合物の少なくとも一部を基板上に堆積させ、マンガン含有膜を形成する。マンガン含有化合物は以下の式の一方を有する:
(式中、R1、R2、R3、R4及びR5は各々独立して水素又は直鎖、環状若しくは分岐炭化水素基から選択されるが、ただしR1=R2=R3である場合にR1、R2及びR3は水素ではない)。開示の方法は、1つ又は複数の以下の態様を有し得る:
NMe3、NEt3、NiPr3、NMeEt2、NC5H5、OC4H8、Me2O、及びEt2Oからなる群から選択される1つ又は2つの中性付加物リガンドを含む式Iのマンガン含有化合物;
式Iを有するマンガン含有化合物、
Me3SiMn(CO)5であるマンガン含有化合物、
Et3SiMn(CO)5であるマンガン含有化合物、
nPr3SiMn(CO)5であるマンガン含有化合物、
iPr3SiMn(CO)5であるマンガン含有化合物、
nBu3SiMn(CO)5であるマンガン含有化合物、
tBu3SiMn(CO)5であるマンガン含有化合物、
Et2HSiMn(CO)5であるマンガン含有化合物、
Ph3SiMn(CO)5であるマンガン含有化合物、
Me2 tBuSiMn(CO)5であるマンガン含有化合物、
Me2EtSiMn(CO)5であるマンガン含有化合物、
Me2iPrSiMn(CO)5であるマンガン含有化合物、
Ph2HSiMn(CO)5であるマンガン含有化合物、
PhMe2Mn(CO)5であるマンガン含有化合物、
(CH2=CH)H2SiMn(CO)5であるマンガン含有化合物、
(CH2=CH)Me2SiMn(CO)5であるマンガン含有化合物、
(CH2=CH)Et2SiMn(CO)5であるマンガン含有化合物、
式IIを有するマンガン含有化合物、
(CO)5MnSiH2Mn(CO)5であるマンガン含有化合物、
(CO)5MnSiMe2Mn(CO)5であるマンガン含有化合物、
(CO)5MnSiEt2Mn(CO)5であるマンガン含有化合物、
(CO)5MnSi(iPr)2Mn(CO)5であるマンガン含有化合物、
(CO)5MnSi(Ph)2Mn(CO)5であるマンガン含有化合物、
(CO)5MnSi(CH2=CH)(H)Mn(CO)5であるマンガン含有化合物、
化学蒸着(CVD)である堆積工程;
原子層堆積(ALD)である堆積工程;
プラズマ強化(plasma enhanced)化学蒸着(PECVD)である堆積工程;
プラズマ強化原子層堆積(PEALD)である堆積工程;
パルス化学蒸着(PCVD)である堆積工程;
低圧化学蒸着(LPCVD)である堆積工程;
減圧化学蒸着(SACVD)である堆積工程;
常圧化学蒸着(APCVD)である堆積工程;
空間的(spatial)ALDである堆積工程;
ラジカル支援(incorporated)堆積である堆積工程;
超臨界流体堆積である堆積工程;
CVD、ALD、PECVD、PEALD、PCVD、LPCVD、SACVD、APCVD、空間的ALD、ラジカル支援堆積、又は超臨界堆積の2つ以上の組合せである堆積工程;
約20℃〜約800℃の温度で行われる方法;
約25℃〜約600℃の温度で行われる方法;
圧力がおよそ0.1Pa〜およそ105Paの反応器;
圧力がおよそ2.5Pa〜およそ103Paの反応器;
純マンガンであるマンガン含有膜;
マンガン窒化物(MnxNy)(式中、x及びyは各々1〜3を含む範囲の整数である)であるマンガン含有膜;
マンガンケイ化物(MnxSiy)(式中、x及びyは各々1〜3を含む範囲の整数で
ある)であるマンガン含有膜;
マンガンケイ化窒化物(MnxSiyNz)(式中、x、y及びzは各々1〜3を含む範囲の整数である)であるマンガン含有膜;
マンガン酸化物(MnxOy)(式中、x及びyは各々1〜3を含む範囲の整数である)であるマンガン含有膜;
ケイ酸マンガン(MnSiOx)(式中、xは1〜3を含む範囲の整数である)であるマンガン含有膜;
マンガンをドープしたヒ化インジウム(In,Mn)Asであるマンガン含有膜;
マンガンをドープしたヒ化ガリウム(Ga,Mn)Asであるマンガン含有膜;
マンガンをドープした酸化亜鉛(Mn)ZnOであるマンガン含有膜;
マンガンをドープした二酸化スズ(Mn)SnO2であるマンガン含有膜;
マンガン含有化合物の導入と同時に又は交互に反応ガスを反応器中へと導入すること;
N2、H2、NH3、SiH4、Si2H6、Si3H8、(CH3)2SiH2、(C2H5)2SiH2、(CH3)3SiH、(C2H5)3SiH、[N(C2H5)2]2SiH2、N(CH3)3、N(C2H5)3、(SiMe3)2NH、(CH3)HNNH2、(CH3)2NNH2、フェニルヒドラジン、B2H6、(SiH3)3N、これらの還元剤のラジカル種、及びこれらの還元剤の混合物からなる群から選択される還元剤である反応ガス;並びに、
O2、O3、H2O、H2O2、NO、NO2、酢酸、これらの酸化剤のラジカル種、及びこれらの酸化剤の混合物からなる群から選択される酸化剤である反応ガス。
NMe3、NEt3、NiPr3、NMeEt2、NC5H5、OC4H8、Me2O、及びEt2Oからなる群から選択される1つ又は2つの中性付加物リガンドを含む式Iのマンガン含有化合物;
式Iを有するマンガン含有化合物、
Me3SiMn(CO)5であるマンガン含有化合物、
Et3SiMn(CO)5であるマンガン含有化合物、
nPr3SiMn(CO)5であるマンガン含有化合物、
iPr3SiMn(CO)5であるマンガン含有化合物、
nBu3SiMn(CO)5であるマンガン含有化合物、
tBu3SiMn(CO)5であるマンガン含有化合物、
Et2HSiMn(CO)5であるマンガン含有化合物、
Ph3SiMn(CO)5であるマンガン含有化合物、
Me2 tBuSiMn(CO)5であるマンガン含有化合物、
Me2EtSiMn(CO)5であるマンガン含有化合物、
Me2iPrSiMn(CO)5であるマンガン含有化合物、
Ph2HSiMn(CO)5であるマンガン含有化合物、
PhMe2Mn(CO)5であるマンガン含有化合物、
(CH2=CH)H2SiMn(CO)5であるマンガン含有化合物、
(CH2=CH)Me2SiMn(CO)5であるマンガン含有化合物、
(CH2=CH)Et2SiMn(CO)5であるマンガン含有化合物、
式IIを有するマンガン含有化合物、
(CO)5MnSiH2Mn(CO)5であるマンガン含有化合物、
(CO)5MnSiMe2Mn(CO)5であるマンガン含有化合物、
(CO)5MnSiEt2Mn(CO)5であるマンガン含有化合物、
(CO)5MnSi(iPr)2Mn(CO)5であるマンガン含有化合物、
(CO)5MnSi(Ph)2Mn(CO)5であるマンガン含有化合物、
(CO)5MnSi(CH2=CH)(H)Mn(CO)5であるマンガン含有化合物、
化学蒸着(CVD)である堆積工程;
原子層堆積(ALD)である堆積工程;
プラズマ強化(plasma enhanced)化学蒸着(PECVD)である堆積工程;
プラズマ強化原子層堆積(PEALD)である堆積工程;
パルス化学蒸着(PCVD)である堆積工程;
低圧化学蒸着(LPCVD)である堆積工程;
減圧化学蒸着(SACVD)である堆積工程;
常圧化学蒸着(APCVD)である堆積工程;
空間的(spatial)ALDである堆積工程;
ラジカル支援(incorporated)堆積である堆積工程;
超臨界流体堆積である堆積工程;
CVD、ALD、PECVD、PEALD、PCVD、LPCVD、SACVD、APCVD、空間的ALD、ラジカル支援堆積、又は超臨界堆積の2つ以上の組合せである堆積工程;
約20℃〜約800℃の温度で行われる方法;
約25℃〜約600℃の温度で行われる方法;
圧力がおよそ0.1Pa〜およそ105Paの反応器;
圧力がおよそ2.5Pa〜およそ103Paの反応器;
純マンガンであるマンガン含有膜;
マンガン窒化物(MnxNy)(式中、x及びyは各々1〜3を含む範囲の整数である)であるマンガン含有膜;
マンガンケイ化物(MnxSiy)(式中、x及びyは各々1〜3を含む範囲の整数で
ある)であるマンガン含有膜;
マンガンケイ化窒化物(MnxSiyNz)(式中、x、y及びzは各々1〜3を含む範囲の整数である)であるマンガン含有膜;
マンガン酸化物(MnxOy)(式中、x及びyは各々1〜3を含む範囲の整数である)であるマンガン含有膜;
ケイ酸マンガン(MnSiOx)(式中、xは1〜3を含む範囲の整数である)であるマンガン含有膜;
マンガンをドープしたヒ化インジウム(In,Mn)Asであるマンガン含有膜;
マンガンをドープしたヒ化ガリウム(Ga,Mn)Asであるマンガン含有膜;
マンガンをドープした酸化亜鉛(Mn)ZnOであるマンガン含有膜;
マンガンをドープした二酸化スズ(Mn)SnO2であるマンガン含有膜;
マンガン含有化合物の導入と同時に又は交互に反応ガスを反応器中へと導入すること;
N2、H2、NH3、SiH4、Si2H6、Si3H8、(CH3)2SiH2、(C2H5)2SiH2、(CH3)3SiH、(C2H5)3SiH、[N(C2H5)2]2SiH2、N(CH3)3、N(C2H5)3、(SiMe3)2NH、(CH3)HNNH2、(CH3)2NNH2、フェニルヒドラジン、B2H6、(SiH3)3N、これらの還元剤のラジカル種、及びこれらの還元剤の混合物からなる群から選択される還元剤である反応ガス;並びに、
O2、O3、H2O、H2O2、NO、NO2、酢酸、これらの酸化剤のラジカル種、及びこれらの酸化剤の混合物からなる群から選択される酸化剤である反応ガス。
以下の式を有するマンガン含有化合物を開示する:
(式中、R1、R2及びR3は各々独立して水素、又は直鎖、環状若しくは分岐炭化水素から選択されるが、ただしR1、R2及びR3はR1=R2=R3である場合にC3〜C4炭化水素基であり、R4及びR5は各々独立して直鎖、環状又は分岐炭化水素基から選択される)。
式Iの化合物はNMe3、NEt3、NiPr3、NMeEt2、NC5H5、OC4H8、Me2O、及びEt2Oからなる群から選択される1つ又は2つの中性付加物リガンドを含み得る。リガンドはNMe3又はNEt3であることが好ましい。
例示的な式Iの化合物としては、nPr3SiMn(CO)5、iPr3SiMn(CO)5、nBu3SiMn(CO)5、tBu3SiMn(CO)5、Et2HSiMn(CO)5、Me2iPrSiMn(CO)5、(CH2=CH)H2SiMn(CO)5、(CH2=CH)Me2SiMn(CO)5、及び(CH2=CH)Et2SiMn(CO)5、好ましくはiPr3SiMn(CO)5又はEt2HSiMn(CO)5が挙げられるが、これらに限定されない。
例示的な式IIの化合物としては、(CO)5MnSiMe2Mn(CO)5、(CO
)5MnSiEt2Mn(CO)5、(CO)5MnSi(iPr)2Mn(CO)5、(CO)5MnSi(Ph)2Mn(CO)5、及び(CO)5MnSi(CH2=CH)(H)Mn(CO)5、好ましくは(CO)5MnSiMe2Mn(CO)5又は(CO)5MnSiEt2Mn(CO)5が挙げられるが、これらに限定されない。
)5MnSiEt2Mn(CO)5、(CO)5MnSi(iPr)2Mn(CO)5、(CO)5MnSi(Ph)2Mn(CO)5、及び(CO)5MnSi(CH2=CH)(H)Mn(CO)5、好ましくは(CO)5MnSiMe2Mn(CO)5又は(CO)5MnSiEt2Mn(CO)5が挙げられるが、これらに限定されない。
マンガン含有化合物は、Mn2(CO)10と過剰量のアルキルシランとを−30℃で反応させることによって合成することができる。これらの反応物は市販されている。混合物を撹拌しながら室温に温めて反応を完了させる。反応中に水素発生が観察される。1時間の撹拌後に過剰なアルキルシランを真空下、室温で除去する。得られる暗色の油又は固体を真空蒸留又は昇華によって精製する。
付加物を、マンガン含有化合物をトルエン又はジクロロメタン等の溶媒に添加することによって合成することができる。得られる混合物をおよそ−15℃に冷却する。付加物リガンドを冷却混合物にゆっくりと添加する。冷却付加物混合物を撹拌し続けながら室温(およそ20℃)に温める。過剰な付加物リガンドを真空下で除去する。得られる付加物生成物を蒸留又は昇華によって精製してもよい。
マンガン含有膜を堆積させる方法も開示する。マンガン含有化合物を基板が中に配置された反応器に導入する。マンガン含有化合物の少なくとも一部を基板上に堆積させ、マンガン含有膜を形成する。マンガン含有化合物は以下の式の一方を有する:
(式中、R1、R2、R3、R4及びR5は各々独立して水素又は直鎖、環状若しくは分岐炭化水素基から選択されるが、ただしR1=R2=R3である場合にR1、R2及びR3は水素ではない)。
式Iの化合物はNMe3、NEt3、NiPr3、NMeEt2、NC5H5、OC4H8、Me2O、及びEt2Oからなる群から選択される1つ又は2つの中性付加物リガンドを含み得る。リガンドはNMe3又はNEt3であることが好ましい。
例示的な式Iの化合物としては、Me3SiMn(CO)5、Et3SiMn(CO)5、nPr3SiMn(CO)5、iPr3SiMn(CO)5、nBu3SiMn(CO)5、tBu3SiMn(CO)5、Et2HSiMn(CO)5、Ph3SiMn(CO)5、Me2 tBuSiMn(CO)5、Me2EtSiMn(CO)5、Me2iPrSiMn(CO)5、Ph2HSiMn(CO)5、PhMe2Mn(CO)5、(CH2=CH)H2SiMn(CO)5、(CH2=CH)Me2SiMn(CO)5、及び(CH2=CH)Et2SiMn(CO)5、好ましくはMe3SiMn(CO)5、Et3SiMn(CO)5、iPr3SiMn(CO)5又はEt2HSiMn(CO)5が挙げられるが、これらに限定されない。
例示的な式IIの化合物としては、(CO)5MnSiH2Mn(CO)5、(CO)5MnSiMe2Mn(CO)5、(CO)5MnSiEt2Mn(CO)5、(CO)
5MnSi(iPr)2Mn(CO)5、(CO)5MnSi(Ph)2Mn(CO)5、及び(CO)5MnSi(CH2=CH)(H)Mn(CO)5、好ましくは(CO)5MnSiMe2Mn(CO)5又は(CO)5MnSiEt2Mn(CO)5が挙げられるが、これらに限定されない。
5MnSi(iPr)2Mn(CO)5、(CO)5MnSi(Ph)2Mn(CO)5、及び(CO)5MnSi(CH2=CH)(H)Mn(CO)5、好ましくは(CO)5MnSiMe2Mn(CO)5又は(CO)5MnSiEt2Mn(CO)5が挙げられるが、これらに限定されない。
Et3SiMn(CO)5、iPr3SiMn(CO)5、Et2HSiMn(CO)5、Ph3SiMn(CO)5、Me2 tBuSiMn(CO)5、Me2EtSiMn(CO)5、Me2iPrSiMn(CO)5、Ph2HSiMn(CO)5、及びPhMe2Mn(CO)5は以下に示す:
少なくとも一部の開示のマンガン含有化合物は、基板上に堆積させ、化学蒸着(CVD)、原子層堆積(ALD)、又は蒸気コーティング(vapor coating)に関連した他の種類の堆積、例えば、プラズマ強化CVD(PECVD)、プラズマ強化ALD(PEALD)、パルスCVD(PCVD)、低圧CVD(LPCVD)、減圧CVD堆積(SACVD)若しくは常圧CVD(APCVD)、ホットワイヤーCVD(catCVDとしても知られ、ホットワイヤーが堆積プロセス用触媒として働くHWCVD)、空間的ALD、ホットワイヤーALD(HWALD)、ラジカル支援堆積、及び超臨界流体堆積又はそれらの組合せにより、マンガン含有膜を形成することができる。堆積法は、CVD、ALD、又はPE−ALDであることが好ましい。
開示の方法は半導体デバイス、光起電デバイス、LCD−TFTデバイス又はフラットパネルディスプレイデバイスの製造に有用であり得る。該方法は、上で開示した少なくとも1つのマンガン含有化合物の蒸気を少なくとも1つの基板が中に配置された反応器に導入することと、マンガン含有化合物の少なくとも一部を少なくとも1つの基板上に蒸着プロセスを用いて堆積させ、マンガン含有層を形成することとを含む。反応器内の温度及び圧力並びに基板の温度は、基板の少なくとも1つの表面上でのマンガン含有層の形成に好適な条件に保持される。マンガン含有層の形成を助けるために反応ガスを使用してもよい。
反応器は、堆積法を行うデバイス内の任意のエンクロージャ又はチャンバ、例えば、限定されるものではないが、平行板型反応器、低温壁型反応器、高温壁型反応器、単一ウエハ反応器、マルチウエハ反応器、又は他のかかるタイプの堆積システムであり得る。これらの例示的な反応器の全てをALD反応器又はCVD反応器とすることが可能である。反
応器を約0.5mTorr〜約20Torrの範囲の圧力に維持することができる。加えて、反応器内の温度はほぼ室温(20℃)〜約600℃の範囲であり得る。所望の結果を達成するために単なる実験によって温度を最適化することができることが当業者には認識されるであろう。
応器を約0.5mTorr〜約20Torrの範囲の圧力に維持することができる。加えて、反応器内の温度はほぼ室温(20℃)〜約600℃の範囲であり得る。所望の結果を達成するために単なる実験によって温度を最適化することができることが当業者には認識されるであろう。
反応器の温度は、基板ホルダーの温度の制御(低温壁反応器と呼ばれる)若しくは反応器壁の温度の制御(高温壁反応器と呼ばれる)、又は両方法の組合せによって制御することができる。基板の加熱に使用されるデバイスは当該技術分野で既知である。
反応器壁は、所望の膜を十分な成長速度並びに所望の物理的状態及び組成で得るのに十分な温度に加熱することができる。反応器壁を加熱することができる非限定的な例示的温度範囲としては、およそ20℃〜およそ600℃が挙げられる。プラズマ堆積プロセスを利用する場合、堆積温度はおよそ20℃〜およそ550℃の範囲であり得る。代替的には、熱プロセスを行う場合、堆積温度はおよそ100℃〜およそ600℃の範囲であり得る。
代替的には、基板を所望のマンガン含有層を十分な成長速度並びに所望の物理的状態及び組成で得るのに十分な温度に加熱することができる。基板を加熱することができる非限定的な例示的温度範囲としては100℃〜600℃が挙げられる。基板の温度は500℃以下に保つのが好ましい。
マンガン含有層を堆積させる基板のタイプは最終使用目的に応じて異なる。幾つかの実施形態では、基板はMIM、DRAM若しくはFeRam技術において誘電材料として使用される酸化物(例えばZrO2系材料、HfO2系材料、TiO2系材料、希土類酸化物系材料、三元酸化物系材料等)又は銅と低k層との間の酸素障壁として使用される窒化物系層(例えばTaN)から選ばれ得る。他の基板を半導体デバイス、光起電デバイス、LCD−TFTデバイス又はフラットパネルデバイスの製造に使用することができる。かかる基板の例としては、銅及び銅系の合金等の固体基板、金属窒化物含有基板(例えばTaN、TiN、WN、TaCN、TiCN、TaSiN及びTiSiN);絶縁体(例えばSiO2、Si3N4、SiON、HfO2、Ta2O5、ZrO2、TiO2、Al2O3及びチタン酸バリウムストロンチウム);又はこれらの材料の任意の数の組合せを含む他の基板が挙げられるが、これらに限定されない。利用される実際の基板は利用される具体的な化合物の実施形態にも左右され得る。しかし、多くの場合、利用される好ましい基板はSi基板及びSiO2基板から選択される。
開示のマンガン含有化合物を純粋な(neat)形態で、又はエチルベンゼン、キシレン、メシチレン、デカン、ドデカン等の好適な溶媒とブレンドして供給し、前駆体混合物を形成することができる。開示の化合物は溶媒中に様々な濃度で存在し得る。
1つ又は複数の純粋な化合物又は前駆体混合物を、チューブ及び/又は流量計等の従来の手段によって蒸気形態で反応器に導入する。純粋な化合物又は前駆体混合物の蒸気形態は、純粋な化合物又は前駆体混合物を直接蒸発、蒸留等の従来の蒸発工程によって、又はバブリングによって、又はXu et alの国際公開第2009/087609号に開示されているような昇華装置を用いて蒸発させることにより生成することができる。純粋な化合物又は前駆体混合物を液体状態で蒸発装置に供給し、そこで蒸発させた後、反応器に導入することができる。代替的には、純粋な化合物又は前駆体混合物を、キャリアガスを純粋な化合物若しくは前駆体混合物の入った容器に通すか、又はキャリアガスを純粋な化合物若しくは前駆体混合物中にバブリングすることによって蒸発させることができる。キャリアガスはAr、He、N2及びそれらの混合物を含み得るが、これらに限定されない。次いで、キャリアガス及び化合物を蒸気として反応器に導入する。
必要に応じて、純粋な化合物又は前駆体混合物の容器を、純粋な化合物又は前駆体混合物がその液相に存在し、十分な蒸気圧を有するようになる温度まで加熱してもよい。容器を例えばおよそ0℃〜およそ200℃の範囲の温度で維持してもよい。蒸発する前駆体の量を制御する既知の方法で容器の温度を調節することができることが当業者には認識される。
反応器への導入前のマンガン含有化合物と溶媒、第2の前駆体及び安定剤との任意の混合に加えて、マンガン含有化合物を反応器内の反応ガスと混合してもよい。
反応ガスは、N2、H2、NH3、SiH4、Si2H6、Si3H8、(CH3)2SiH2、(C2H5)2SiH2、(CH3)3SiH、(C2H5)3SiH、[N(C2H5)2]2SiH2、N(CH3)3、N(C2H5)3、(SiMe3)2NH、(CH3)HNNH2、(CH3)2NNH2、フェニルヒドラジン、B2H6、(SiH3)3N、これらの還元剤のラジカル種、及びこれらの還元剤の混合物から選択される還元剤を含有し得るが、これらに限定されない。ALDプロセスを行う場合、還元試薬はH2であるのが好ましい。
所望のマンガン含有層が酸素、例えば、限定されるものではないが、MnxOyも含有する場合、反応ガスは、限定されるものではないが、O2、O3、H2O、H2O2、酢酸、ホルマリン、パラホルムアルデヒド、これらの酸化剤のラジカル種及びこれらの酸化剤の混合物から選択される酸化試薬を含有し得る。ALDプロセスを行う場合、酸化試薬はH2Oであるのが好ましい。
反応ガスは、反応ガスをそのラジカル形態へと分解するためにプラズマによって処理することができる。プラズマは発生させてもよく、又は反応チャンバ自体に存在していてもよい。代替的には、プラズマは概して反応チャンバから離れて、例えば遠隔設置されたプラズマシステム内に位置し得る。かかるプラズマ処理に好適な方法及び装置が当業者には認識されるであろう。
例えば、反応ガスを反応チャンバ内にプラズマを発生させる直流プラズマ反応器に導入し、プラズマ処理反応ガスを反応チャンバ内に発生させてもよい。例示的な直流プラズマ反応器としては、Trion Technologies製のTitan(商標) PECVDシステムが挙げられる。反応ガスをプラズマ処理前に反応チャンバに導入し、保持することができる。代替的には、プラズマ処理を反応ガスの導入と同時に行ってもよい。in situプラズマは通常、シャワーヘッドと基板ホルダーとの間に発生する13.56MHz RFの容量結合プラズマである。基板又はシャワーヘッドは陽イオン衝突が起こるか否かに応じて電源電極であってもよい。in situプラズマ発生器における典型的な印加電力はおよそ50W〜およそ1000Wである。in situプラズマを用いた反応ガスの解離は通常、同じ電源入力の遠隔プラズマ源を用いて達成されるとはいえず、したがって反応ガス解離では遠隔プラズマシステムほど効率的ではなく、プラズマによる損傷を受けやすい基板上への金属窒化物含有膜の堆積に有益であり得る。
代替的には、プラズマ処理反応ガスは反応チャンバの外で発生させることができる。MKS InstrumentsのASTRONi(商標)反応性ガス発生器を用いて、反応ガスを反応チャンバに通す前に処理することができる。2.45GHz、7kWのプラズマ出力及びおよそ3Torr〜およそ10Torrの範囲の圧力で操作することで、反応ガスO2を2つのO−ラジカルに分解することができる。好ましくは、遠隔プラズマは約1kW〜約10kW、より好ましくは約2.5kW〜約7.5kWの範囲の出力で発生させることができる。
所望のマンガン含有層が別の元素、例えば、限定されるものではないが、Ta、Hf、Nb、Mg、Al、Sr、Y、Ba、Ca、As、In、Sb、Bi、Sn、Pb、Co、ランタニド(Er等)又はそれらの組合せ等も含有する場合、反応ガスは、限定されるものではないが、(CH3)3Al等の金属アルキル、Nb(Cp)(NtBu)(NMe2)3等の金属アミン及びそれらの任意の組合せから選択される第2の前駆体を含み得る。
マンガン含有化合物及び1つ又は複数の反応ガスは反応器に同時に(化学蒸着)、順次に(原子層堆積)又は他の組合せで導入することができる。例えば、マンガン含有化合物を1つのパルスで導入し、2つの付加的な前駆体を別個のパルスでともに導入することができる[改良原子層堆積]。代替的には、反応器はマンガン含有化合物の導入前に反応ガスを既に含有していてもよい。代替的には、マンガン含有化合物を反応器に連続的に導入し、他の反応ガスをパルスにより導入してもよい(パルス化学蒸着)。反応ガスを反応器に局在する又は反応器から離れたプラズマシステムに通し、ラジカルへと分解することができる。いずれの例でも、パルスに続いて過剰量の導入された成分を除去するパージ又は排気工程を行うことができる。いずれの例でも、パルスは約0.01秒〜約30秒、代替的には約0.3秒〜約3秒、代替的には約0.5秒〜約2秒の範囲の期間にわたって持続し得る。別の選択肢では、マンガン含有化合物及び1つ又は複数の反応ガスを同時にシャワーヘッドから吹き付けながら、幾つかのウエハを把持するサセプタを回転させることができる(空間的ALD)。
非限定的な一例示的原子層堆積式プロセスでは、マンガン含有化合物の気相を反応器に導入し、そこで好適な基板と接触させる。次いで、反応器のパージ及び/又は排気によって過剰なマンガン含有化合物を反応器から除去することができる。酸化試薬を反応器に導入し、そこで吸着したマンガン含有化合物と自己制御式に反応させる。反応器のパージ及び/又は排気によって過剰な酸化試薬を全て反応器から除去する。所望の層がマンガン酸化物層である場合、この二段階プロセスによって所望の層厚を得ることができ、又は所要の厚さの層が得られるまでこれを繰り返すことができる。
上で論考したプロセスによって得られるマンガン含有層は、純マンガン、マンガン窒化物(MnxNy)、マンガンケイ化物(MnxSiy)、マンガンケイ化窒化物(MnxSiyNz)、マンガン酸化物(MnxOy)、ケイ酸マンガン(MnSiOx)、マンガンをドープしたヒ化インジウム{(In,Mn)As}、マンガンをドープしたヒ化ガリウム{(Ga,Mn)As}、マンガンをドープした酸化亜鉛{(Mn)ZnO}、及びマンガンをドープした二酸化スズ{(Mn)SnO2}を含むことができ、ここでx及びyはそれぞれ1〜3を含む範囲の整数である。適切なマンガン含有化合物及び反応ガスの最善の(judicial)選択によって、所望のマンガン含有層組成を得ることができることが当業者には認識されるであろう。
所望の膜厚を得るには、膜を熱アニーリング、炉アニーリング、高速熱アニーリング、UV硬化若しくは電子ビーム硬化及び/又はプラズマガス曝露等の更なる処理に供することができる。これらの付加的な処理工程を行うために利用するシステム及び方法が当業者には認識される。例えば、マンガン含有膜を不活性雰囲気、H含有雰囲気、N含有雰囲気、O含有雰囲気又はこれらの組合せの下で、およそ200℃〜およそ1000℃の範囲の温度に、およそ0.1秒〜およそ7200秒の範囲の時間にわたって曝露することができる。最も好ましくは、温度はH含有雰囲気下、3600秒間では400℃である。得られる膜が含有する不純物がより少ないことから、密度が改善され、結果としてリーク電流が改善され得る。アニーリング工程は、堆積プロセスを行うのと同じ反応チャンバ内で行うことができる。代替的には、基板を反応チャンバから取り出し、アニーリング/フラッシ
ュアニーリングプロセスを別の装置で行ってもよい。上記の後処理方法のいずれも、特に熱アニーリングは、マンガン含有膜のどんな炭素汚染及び窒素汚染も効果的に低減することが期待されている。これにより膜の抵抗率が改善されることが期待されている。
ュアニーリングプロセスを別の装置で行ってもよい。上記の後処理方法のいずれも、特に熱アニーリングは、マンガン含有膜のどんな炭素汚染及び窒素汚染も効果的に低減することが期待されている。これにより膜の抵抗率が改善されることが期待されている。
別の選択肢では、開示のマンガン含有化合物をドープ剤又は注入剤として使用することができる。開示のマンガン含有前駆体の一部をヒ化インジウム(InAs)膜、ヒ化ガリウム(GaAs)膜、酸化亜鉛(ZnO)膜又は二酸化スズ(SnO2)膜等のドープすべき膜の上に堆積させることができる。次いで、アニーリング工程においてマンガンを膜中に拡散させ、マンガンドープ膜{(In,Mn)As、(Ga,Mn)As、(Mn)ZnO又は(Mn)SnO2}を形成する。例えば、Lavoie et al.の米国特許出願公開第2008/0241575号(そのドーピング方法の全体が引用することにより本明細書の一部をなすものとする)を参照されたい。代替的には、可変エネルギー高周波四重極注入装置を使用する高エネルギーイオン注入を用いて、マンガン含有化合物のマンガンを膜にドープすることができる。例えば、Kensuke et al., JVSTA 16(2) Mar/Apr 1998(その注入方法の全体が引用することにより本明細書の一部をなすものとする)を参照されたい。別の選択肢では、プラズマドーピング、パルスプラズマドーピング又はプラズマ浸漬イオン注入を開示のマンガン含有化合物を使用して行うことができる。例えば、Felch et
al., Plasma doping for the fabrication of ultra-shallow junctions Surface Coatings Technology, 156 (1-3) 2002, pp. 229-236(そのドーピング方法の全体が引用することにより本明細書の一部をなすものとする)を参照されたい。
al., Plasma doping for the fabrication of ultra-shallow junctions Surface Coatings Technology, 156 (1-3) 2002, pp. 229-236(そのドーピング方法の全体が引用することにより本明細書の一部をなすものとする)を参照されたい。
以下の非限定的な実施例は、本発明の実施形態を更に例示するために提示するものである。しかしながら、実施例は、全てを包括するものであることを意図するものではなく、本明細書中に記載される本発明の範囲を限定することを意図するものでもない。
(CO)5MnSi(H)Et2の予測的合成
Mn2(CO)10を100mL容のフラスコに添加する。液体SiH2Et2をフラスコに−30℃でゆっくりと滴下する。混合物を撹拌し続けながら室温に温め、反応を完了させる。5分間の撹拌後に水素ガスが発生した。1時間の撹拌後に過剰なSiH2Et2を真空下、室温でガスとして除去した。生成物を真空蒸留によって精製することができる。
Mn2(CO)10を100mL容のフラスコに添加する。液体SiH2Et2をフラスコに−30℃でゆっくりと滴下する。混合物を撹拌し続けながら室温に温め、反応を完了させる。5分間の撹拌後に水素ガスが発生した。1時間の撹拌後に過剰なSiH2Et2を真空下、室温でガスとして除去した。生成物を真空蒸留によって精製することができる。
(CO)5MnSiEt3の予測的合成
Mn2(CO)10を100mL容のフラスコに添加する。液体Si(H)Et3を−30℃でフラスコにゆっくりと滴下する。混合物を撹拌し続けながら室温に温め、反応を完了させる。撹拌中水素ガスが発生する。1時間の撹拌後に過剰なSiHEt3を真空下、室温でガスとして除去する。生成物を真空蒸留によって精製することができる。
Mn2(CO)10を100mL容のフラスコに添加する。液体Si(H)Et3を−30℃でフラスコにゆっくりと滴下する。混合物を撹拌し続けながら室温に温め、反応を完了させる。撹拌中水素ガスが発生する。1時間の撹拌後に過剰なSiHEt3を真空下、室温でガスとして除去する。生成物を真空蒸留によって精製することができる。
(CO)5MnSi(iPr)3の予測的合成
Mn2(CO)10を100mL容のフラスコに添加する。液体Si(H)iPr3を−30℃でフラスコにゆっくりと滴下する。混合物を撹拌し続けながら室温に温め、反応を完了させる。撹拌中水素ガスが発生する。1時間の撹拌後に過剰なSiHEt3を真空下、室温でガスとして除去する。生成物を真空蒸留によって精製することができる。
Mn2(CO)10を100mL容のフラスコに添加する。液体Si(H)iPr3を−30℃でフラスコにゆっくりと滴下する。混合物を撹拌し続けながら室温に温め、反応を完了させる。撹拌中水素ガスが発生する。1時間の撹拌後に過剰なSiHEt3を真空下、室温でガスとして除去する。生成物を真空蒸留によって精製することができる。
Et3SiMn(CO)5・2NEt3の予測的合成
Et3SiMn(CO)5を100mL容のフラスコにトルエン又はジクロロメタンとともに添加する。溶液を−15℃で冷却し、液体トリエチルアミンをゆっくりと添加する。アミンを添加した後、混合物を撹拌し続けながら室温に温め、反応を完了させる。一晩の反応後に、過剰なトリエチルアミンを真空下で除去する。生成物は真空下での蒸留又は
昇華によって精製することができる。
Et3SiMn(CO)5を100mL容のフラスコにトルエン又はジクロロメタンとともに添加する。溶液を−15℃で冷却し、液体トリエチルアミンをゆっくりと添加する。アミンを添加した後、混合物を撹拌し続けながら室温に温め、反応を完了させる。一晩の反応後に、過剰なトリエチルアミンを真空下で除去する。生成物は真空下での蒸留又は
昇華によって精製することができる。
(CO)5MnSi(Et2)Mn(CO)5の予測的合成
Mn2(CO)10を100mL容のフラスコに添加する。液体SiH2Et2を−30℃でフラスコにゆっくりと滴下する。混合物を撹拌し続けながら室温に温め、反応を完了させる。5分間の撹拌後に水素ガスが発生する。1時間の撹拌後に過剰なSiH2Et2を真空下、室温でガスとして除去する。この方法は上記の実施例において(CO)5MnSi(H)Et2を合成するのに用いられるものと同じ方法である。(CO)5MnSi(Et2)Mn(CO)5も生成された。
Mn2(CO)10を100mL容のフラスコに添加する。液体SiH2Et2を−30℃でフラスコにゆっくりと滴下する。混合物を撹拌し続けながら室温に温め、反応を完了させる。5分間の撹拌後に水素ガスが発生する。1時間の撹拌後に過剰なSiH2Et2を真空下、室温でガスとして除去する。この方法は上記の実施例において(CO)5MnSi(H)Et2を合成するのに用いられるものと同じ方法である。(CO)5MnSi(Et2)Mn(CO)5も生成された。
MnSi膜の予測的ALD堆積
出願人らは、開示の化合物のいずれかを使用することで、当該技術分野で既知のALD技法を用い、H2を反応ガスとして使用してMnxSiy膜を堆積させることができると考える。
出願人らは、開示の化合物のいずれかを使用することで、当該技術分野で既知のALD技法を用い、H2を反応ガスとして使用してMnxSiy膜を堆積させることができると考える。
Mn膜の予測的ALD堆積
出願人らは、開示の化合物のいずれかを使用することで、当該技術分野で既知のプラズマ強化ALD技法を用い、H2及びNH3を反応ガスとして使用してMn膜を堆積させることができると考える。
出願人らは、開示の化合物のいずれかを使用することで、当該技術分野で既知のプラズマ強化ALD技法を用い、H2及びNH3を反応ガスとして使用してMn膜を堆積させることができると考える。
MnxOy膜の予測的CVD堆積
出願人らは、開示の化合物のいずれかを使用することで、当該技術分野で既知のCVD技法を用い、O2又はH2Oを反応ガスとして使用してMnxOy膜を堆積させることができると考える。
出願人らは、開示の化合物のいずれかを使用することで、当該技術分野で既知のCVD技法を用い、O2又はH2Oを反応ガスとして使用してMnxOy膜を堆積させることができると考える。
MnSiOx膜の予測的CVD堆積
出願人らは、開示の化合物のいずれかを使用することで、当該技術分野で既知のCVD技法を用い、O2又はH2Oを反応ガスとして使用してMnSiOx膜を堆積させることができると考える。
出願人らは、開示の化合物のいずれかを使用することで、当該技術分野で既知のCVD技法を用い、O2又はH2Oを反応ガスとして使用してMnSiOx膜を堆積させることができると考える。
MnxNy膜の予測的CVD堆積
出願人らは、開示の化合物のいずれかを使用することで、当該技術分野で既知のCVD技法を用い、NH3を反応ガスとして使用してMnxNy膜を堆積させることができると考える。
出願人らは、開示の化合物のいずれかを使用することで、当該技術分野で既知のCVD技法を用い、NH3を反応ガスとして使用してMnxNy膜を堆積させることができると考える。
MnxSiyNz膜の予測的CVD堆積
出願人らは、開示の化合物のいずれかを使用することで、当該技術分野で既知のCVD技法を用い、NH3を反応ガスとして使用してMnxSiyNz膜を堆積させることができると考える。
出願人らは、開示の化合物のいずれかを使用することで、当該技術分野で既知のCVD技法を用い、NH3を反応ガスとして使用してMnxSiyNz膜を堆積させることができると考える。
本発明の性質を説明するために本明細書中に記載及び例示されている詳細、材料、工程及び部材の配列の多くの更なる変更は、添付の特許請求の範囲に表される本発明の原理及び範囲内で当業者が行うことができることが理解される。よって、本発明は、上記に挙げられる実施例及び/又は添付の図面における具体的な実施形態に限定されることが意図されるものではない。
Claims (18)
- 前記式Iの化合物が、NMe3、NEt3、NiPr3、NMeEt2、NC5H5、OC4H8、Me2O、及びEt2Oからなる群から選択される1つ又は2つの中性付加物リガンドを含む、請求項1に記載の化合物。
- 式Iを有し、iPr3SiMn(CO)5、Et2HSiMn(CO)5、Me2iPrSiMn(CO)5、(CH2=CH)H2SiMn(CO)5、(CH2=CH)Me2SiMn(CO)5、及び(CH2=CH)Et2SiMn(CO)5からなる群から選択される、請求項1又は2に記載の化合物。
- iPr3SiMn(CO)5又はEt2HSiMn(CO)5である、請求項3に記載の化合物。
- 式IIを有し、(CO)5MnSiMe2Mn(CO)5、(CO)5MnSiEt2Mn(CO)5、(CO)5MnSi(iPr)2Mn(CO)5、(CO)5MnSi(Ph)2Mn(CO)5、及び(CO)5MnSi(CH2=CH)(H)Mn(CO)5からなる群から選択される、請求項1に記載の化合物。
- 前記式Iの化合物が、NMe3、NEt3、NiPr3、NMeEt2、NC5H5、OC4H8、Me2O、及びEt2Oからなる群から選択される1つ又は2つの中性付加物リガンドを含む、請求項6に記載の方法。
- 前記マンガン含有化合物が、式Iを有し、Me3SiMn(CO)5、Et3SiMn(CO)5、iPr3SiMn(CO)5、Et2HSiMn(CO)5、Me2 tBuSiMn(CO)5、Me2EtSiMn(CO)5、Me2iPrSiMn(CO)5、Ph2HSiMn(CO)5、PhMe2Mn(CO)5、(CH2=CH)H2SiMn(CO)5、(CH2=CH)Me2SiMn(CO)5、及び(CH2=CH)Et2SiMn(CO)5からなる群から選択される、請求項6又は7に記載の方法。
- 前記マンガン含有化合物が、Me3SiMn(CO)5、Et3SiMn(CO)5、iPr3SiMn(CO)5、及びEt2HSiMn(CO)5からなる群から選択される、請求項8に記載の方法。
- 前記マンガン含有化合物が、式IIを有し、(CO)5MnSiH2Mn(CO)5、(CO)5MnSiMe2Mn(CO)5、(CO)5MnSiEt2Mn(CO)5、(CO)5MnSi(iPr)2Mn(CO)5、(CO)5MnSi(Ph)2Mn(CO)5、及び(CO)5MnSi(CH2=CH)(H)Mn(CO)5からなる群から選択される、請求項6に記載の方法。
- 前記堆積工程が、化学蒸着(CVD)、原子層堆積(ALD)、プラズマ強化化学蒸着(PECVD)、プラズマ強化原子層堆積(PEALD)、パルス化学蒸着(PCVD)、低圧化学蒸着(LPCVD)、減圧化学蒸着(SACVD)、常圧化学蒸着(APCVD)、空間的ALD、ラジカル支援堆積、超臨界流体堆積、及びそれらの組合せからなる群から選択される、請求項6又は10のいずれか一項に記載の方法。
- 約20℃〜約800℃、好ましくは約25℃〜約600℃の温度で行われる、請求項6又は11のいずれか一項に記載の方法。
- 前記反応器の圧力がおよそ0.1Pa〜およそ105Pa、好ましくはおよそ2.5Pa〜およそ103Paである、請求項6〜12のいずれか一項に記載の方法。
- 前記マンガン含有膜が、純マンガン、マンガン窒化物(MnxNy)、マンガンケイ化物(MnxSiy)、マンガンケイ化窒化物(MnxSiyNz)、マンガン酸化物(MnxOy)、及びケイ酸マンガン(MnSiOx)からなる群から選択され、ここでx、y及びzはそれぞれ1〜3を含む範囲の整数である、請求項6〜13のいずれか一項に記載の方法。
- 前記マンガン含有膜が、マンガンをドープしたヒ化インジウム{(In,Mn)As}、マンガンをドープしたヒ化ガリウム{(Ga,Mn)As}、マンガンをドープした酸化亜鉛{(Mn)ZnO}、及びマンガンをドープした二酸化スズ{(Mn)SnO2}からなる群から選択される、請求項6〜14のいずれか一項に記載の方法。
- 反応ガスを、前記マンガン含有化合物の導入と同時に又は交互に前記反応器に導入することを更に含む、請求項6〜15のいずれか一項に記載の方法。
- 前記反応ガスが、N2、H2、NH3、SiH4、Si2H6、Si3H8、(CH3)2SiH2、(C2H5)2SiH2、(CH3)3SiH、(C2H5)3SiH、[N(C2H5)2]2SiH2、N(CH3)3、N(C2H5)3、(SiMe3)2NH、(CH3)HNNH2、(CH3)2NNH2、フェニルヒドラジン、B2H6、(SiH3)3N、これらの還元剤のラジカル種、及びこれらの還元剤の混合物からなる群から選択される還元剤である、請求項16に記載の方法。
- 前記反応ガスが、O2、O3、H2O、H2O2、NO、NO2、酢酸、これらの酸化剤のラジカル種、及びこれらの酸化剤の混合物からなる群から選択される酸化剤である、請求項16に記載の方法。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US201361759149P | 2013-01-31 | 2013-01-31 | |
US61/759,149 | 2013-01-31 | ||
PCT/IB2014/058714 WO2014118750A1 (en) | 2013-01-31 | 2014-01-31 | Manganese-containing compounds, their synthesis, and use in manganese-containing film deposition |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2016513087A true JP2016513087A (ja) | 2016-05-12 |
Family
ID=51261540
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2015555838A Pending JP2016513087A (ja) | 2013-01-31 | 2014-01-31 | マンガン含有化合物、その合成及びマンガン含有膜の堆積へのその使用 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2016513087A (ja) |
WO (1) | WO2014118750A1 (ja) |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP3288954A4 (en) | 2015-04-30 | 2018-12-12 | Seastar Chemicals Inc. | Organometallic compounds useful for chemical phase deposition |
US9786760B1 (en) | 2016-09-29 | 2017-10-10 | International Business Machines Corporation | Air gap and air spacer pinch off |
CN110482675A (zh) * | 2019-08-25 | 2019-11-22 | 山东理工大学 | 一种用硅酸锰处理亚甲基蓝废水的方法 |
Family Cites Families (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2005035823A1 (ja) * | 2003-10-14 | 2005-04-21 | Ube Industries, Ltd. | β−ジケトナト配位子を有する金属錯体および金属含有薄膜の製造方法 |
-
2014
- 2014-01-31 WO PCT/IB2014/058714 patent/WO2014118750A1/en active Application Filing
- 2014-01-31 JP JP2015555838A patent/JP2016513087A/ja active Pending
Non-Patent Citations (10)
Title |
---|
ACTA CHIMICA SINICA, vol. 67, no. 20, JPN7017004037, 2009, pages 2355 - 2362 * |
CHEMISCHE BERICHTE, vol. 118, no. 3, JPN7017004036, 1985, pages 1143 - 1153 * |
JOURNAL OF ORGANIC CHEMISTRY, vol. 53, no. 20, JPN7017004038, 1988, pages 4892 - 4894 * |
JOURNAL OF ORGANOMETALLIC CHEMISTRY, vol. 236, no. 1, JPN7017004043, 1982, pages 33 - 52 * |
JOURNAL OF THE AMERICAN CHEMICAL SOCIETY, vol. 118, no. 42, JPN7017004039, 1996, pages 10069 - 10084 * |
ORGANOMETALLICS, vol. 15, no. 12, JPN7017004040, 1996, pages 2764 - 2769 * |
ORGANOMETALLICS, vol. 8, no. 3, JPN7017004035, 1989, pages 577 - 583 * |
THIN SOLID FILMS, vol. 156, no. 2, JPN7017004041, 1988, pages 327 - 336 * |
VACUUM, vol. Vol.35, No.10-11, JPN7017004042, 1985, pages 435 - 439 * |
ZHURNAL OBSHCHEI KHIMII, vol. 48, no. 5, JPN7017004044, 1978, pages 1172 - 1173 * |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
WO2014118750A1 (en) | 2014-08-07 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR101627988B1 (ko) | 몰리브데넘-함유 필름의 증착을 위한 비스(알킬이미도)-비스(알킬아미도)몰리브데넘 분자 | |
KR102443752B1 (ko) | 6족 전이 금속-함유 막의 증착용 6족 막 형성 조성물 | |
US9938303B2 (en) | Organosilane precursors for ALD/CVD silicon-containing film applications | |
JP6317370B2 (ja) | コバルト含有化合物、その合成及びコバルト含有膜の堆積におけるその使用 | |
EP2556181A2 (en) | Titanium-containing precursors for vapor deposition | |
WO2011006064A1 (en) | Metal-containing precursors for deposition of metal-containing films | |
KR20140116852A (ko) | 니켈-함유 필름의 증착을 위한 니켈 알릴 아미디네이트 전구체 | |
KR20240008929A (ko) | 안정한 비스(알킬-아렌) 전이 금속 착물 및 이를 사용한 필름 증착 방법 | |
JP2016508497A (ja) | マンガン含有化合物、その合成及びマンガン含有膜の堆積へのその使用 | |
JP2016513087A (ja) | マンガン含有化合物、その合成及びマンガン含有膜の堆積へのその使用 | |
US9790247B2 (en) | Cobalt-containing compounds, their synthesis, and use in cobalt-containing film deposition | |
US20160032454A1 (en) | Bis(alkylimido)-bis(alkylamido)tungsten molecules for deposition of tungsten-containing films | |
JP2023545471A (ja) | 阻害剤分子を使用する高アスペクト比構造のための堆積方法 | |
JP6694704B2 (ja) | チタン含有膜形成用前駆体、及びチタン含有膜の形成方法 | |
WO2019030117A1 (en) | GE-CONTAINING CO-FILM FORMING MATERIAL, GE-CONTAINING CO-FILM AND CORRESPONDING FILM-FORMING METHOD |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20161213 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20171129 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20171206 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20180725 |