KR20080027261A - 투명 전도성 상호 연결 라인을 가진 픽셀 셀을 갖는 촬상장치 및 픽셀 셀 제조 방법 - Google Patents
투명 전도성 상호 연결 라인을 가진 픽셀 셀을 갖는 촬상장치 및 픽셀 셀 제조 방법 Download PDFInfo
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Abstract
본 발명은 광센서로의 입사광을 초점 조절하기 위한 투명 전도성 재료 상호 연결 라인을 갖는 픽셀 셀을 가지며 픽셀 회로로의 전기적인 연결을 제공하는 촬상 장치, 및 그 제조 방법에 관한 것이다. 픽셀 셀은, 광센서(12a, 12b), 전송 트랜지스터(TX), 플로팅 확산(18), 리셋 트랜지스터(RST), 소스 팔로워 트랜지스터(34), 및 로우 선택 트랜지스터(26, SEL)를 포함한다. 투명 상호 연결 라인(111)은 픽셀 회로에 사용되는 어떠한 상호 연결 라인, 예컨대, Vaa-pix 라인, 전하 전송 라인, 리셋 제어신호 라인, 로우 선택 라인 또는 공급 전압 라인일 수 있다. 투명 전도성 재료는 주석, 인듐, 아연, 및 카드뮴으로 구성되는 그룹으로부터 선택되는 재료의 반도체 산화물이다.
Description
본 발명은 투명 전도성 재료 상호 연결 라인을 가진 픽셀을 갖는 촬상 장치, 및 그 제조 방법에 관한 것이다.
전하 결합 소자(CCD) 및 상보성 금속 산화물 반도체(CMOS) 센서를 포함하는 촬상 장치는, 일반적으로 광-촬상 어플리케이션(application)에 사용된다. CMOS 이미저 회로는 초점 면 어레이(focal plane array)의 픽셀 셀(pixel cell)을 포함하며, 각각의 셀은, 기판의 특정 부분에 광-발생 전하를 축적하기 위하여, 광센서, 예컨대, 광게이트, 광컨덕터 또는, 광다이오드를 포함한다. 각 픽셀 셀은, 기판 상이나 기판 내에 형성되고, 판독 회로의 부분인 출력 트랜지스터의 게이트에 연결되는 전하 저장 영역을 가진다. 상기 전하 저장 영역은 플로팅(floating) 확산 영역으로서 구성될 수 있다. 일부 이미저 회로에서는, 각 픽셀이, 전하를 광센서로부터 저장 영역으로 전송하기 위한 트랜지스터와 같은 적어도 하나의 전자 소자와, 전하를 전송하기 전 저장 영역을 미리 설정된 충전 레벨로 리셋하기 위한, 또한 일반적으로 트랜지스터인, 하나의 소자를 포함할 수 있다.
CMOS 이미저에서, 픽셀 셀의 능동 요소들은, (1) 포톤(photon)에서 전하로의 변환, (2) 화상 전하의 축적, (3) 저장 영역을 알려진 상태로 리셋, (4) 전하를 저장 영역으로 전송, (5) 판독을 위한 픽셀의 선택, 및 (6) 픽셀 전하를 나타내는 신호의 출력 및 증폭의 기능을 수행한다. 광전하는 초기 전하 축적 영역으로부터 저장 영역으로 이동할 때 증폭될 수 있다. 저장 영역의 전하는 일반적으로 소스 팔로워(source follower) 출력 트랜지스터에 의해 픽셀 출력 전압으로 변환된다.
모범적인 CMOS 촬상 회로, 그 처리 공정, 및 촬상 회로의 다양한 CMOS 요소의 기능의 상세한 설명은, 예컨대, 마이크론 테크놀로지 주식회사(Micron Technology, Inc.)의 미국 특허 제6,140,630호, 미국 특허 제6,376,868호, 미국 특허 제6,310,366호, 미국 특허 제6,326,652호, 미국 특허 제6,204,524호, 미국 특허 제 6,333,205호, 및 미국 특허 제 6,852,591호에 기술되어 있다. 상기한 각각의 개시는 이 명세서에 그 전체가 참조로 통합되어 있다.
CMOS 이미저(imager)와 같은, 종래의 촬상 장치(50)는, 도 1에 예시된다. 촬상 장치(50)는 4-트랜지스터(4T) 픽셀 셀(10) 상에 형성된 전형적인 마이크로렌즈(11)를 갖는다. 결상되는 대상으로부터의 광은 포톤(1000)으로서 입사되어, 일반적으로 컬러 필터(172) 위에 형성된 전형적인 마이크로렌즈(11)를 통해서 전해진다. 각 컬러 필터는 각 특정 컬러의 주광(predominantly light)이 픽셀 셀(10)의 광센서(12)를 통해서 전해지는 것을 가능케 한다. 컬러는 특정 파장 대역을 가진 광으로 정의된다. 일반적인 컬러 필터는, 적색, 녹색, 및 청색 필터(RGB), 또는 시안(cyan), 마젠타(magenta), 및 황색(CMY) 필터를 포함한다.
광센서(12)는, p-형 기판 위에 형성될 수 있는, p-형 에피택셜(epitaxial) 층(14) 내의 p-형 영역(12a) 및 n-형 영역(12b)을 갖는다. 픽셀 셀(10)은, 핀드(pinned) 광다이오드로서 구현될 수 있는 광센서(12), 전송 트랜지스터 게이트(16), 플로팅 확산 영역(18), 리셋 트랜지스터 게이트(22), 관련된 소스/드레인 영역을 가진 소스 팔로워 트랜지스터 게이트(24), 및 관련 소스/드레인 영역을 가진 로우 선택 트랜지스터 게이트(26)를 포함한다. 광센서(12)는, 전송 트랜지스터 게이트(16)가 전송 게이트 제어 신호(TX)에 의해 능동화될 때, 전송 트랜지스터 게이트(16)에 의해 플로팅 확산 영역(18)으로 전기적으로 연결된다.
리셋 트랜지스터 게이트(22)는 플로팅 확산 영역(18)과 픽셀 공급 전압(예컨대, Vaa-Vpix) 라인(31)의 사이에 연결된다. 리셋 제어 신호(RST)는, 플로팅 확산 영역(18)을 당업계에 주지되어 있는 바와 같은 픽셀 공급 전압(Vaa-Vpix) 레벨로 리셋하는 리셋 트랜지스터(22)를 능동화하는 데 사용된다. 소스 팔로워 트랜지스터 게이트(24)는 전하 전송 라인(23)에 의해 플로팅 확산 영역(18)에 연결되며, 어레이 공급 전압 라인(31)과 로우 선택 트랜지스터 게이트(26)의 사이에 연결된다. 소스 팔로워 트랜지스터 게이트(24)는 플로팅 확산 영역(18)에 저장된 전하에 따라서 전기적인 출력 전압 신호를 생성한다. 로우 선택 트랜지스터 게이트(26)는 소스 팔로워 트랜지스터 게이트(24)와 그 출력 전압 신호를 픽셀 어레이의 칼럼(column) 라인(28)에 선택적으로 연결하기 위해 로우 선택 신호(SEL)에 의해 제어될 수 있다.
도 1의 촬상 장치(50)가 잘 동작할지라도, 촬상 장치(50)의 전반적인 크기는 픽셀 셀 밖의 광-발생 전하 판독의 처리에 포함되는 다수의 층들에 의해서 제한된다. 그러나, 하나의 실시예로서, 도 1은, 플로팅 확산 영역(18)을 소스 팔로워 트랜지스터 게이트(24)에 전기적으로 연결하는, 전하 전송 라인(23)을 포함할 수 있는 금속화 층(M1)을 포함한다.
추가적으로, 촬상 장치(50)는 칼럼 및 전압 라인(28, 31)을 포함할 수 있는 추가적인 금속화 층(M2)을 또한 포함한다. 주목해야할 것은, 고체 이미저의 M1 및 M2 층에 배열된 특정 컨덕터는 도 1에 도시된 것과 다를 수 있지만, 일반적으로 적어도 2개의 금속화 층(M1, M2)은 존재한다는 것이다. 보다 복잡한 설계에서는, 제3 금속화 층(M3)이 M2 층 위에 또한 채용될 수 있다.
재료 층(M1, M2)(그리고, 채용되었다면 M3 층)에서 복수의 상호 연결 라인은 불투명한 금속 재료로부터 제조되었기 때문에, 상기 상호 연결 라인은 광센서(12)를 타격하는 포톤(1000)에 영향을 미치지 않는 픽셀의 어레이의 위치에 배치되어야 한다. 이는 광센서(12)에 교차하지 않도록 하는 상호 연결 라인의 경로 배정을 필요로 한다.
추가적으로, 촬상 장치(50)로 입사되는 포톤(1000)은, 광센서(12)에 의해 캡쳐(capture)되는 화상을 전반적으로 감소시켜, 화상 품질 저하라는 결과를 가져오는, 불투명한 금속 재료의 M1 및 M2 층에서 반사될 수 있다. 이것은 M1 및 M2 층에서 컨덕터의 경로를 설정할 때, 매우 필수적으로 고려되어야 한다.
따라서, 광센서(12)로의 광 경로에 영향을 미치지 않는 전도성 배선을 제조하는 이미저가 이상적이다.
본 발명은 다양한 모범적인 실시예에서, 전기적인 연결을 형성하기 위해, 촬상 장치의 광 투과 부분을 담당하도록 구성 및 배열될 수 있는, 광 투과 컨덕터를 채용한 촬상 장치를 제공한다. 일부 실시예에서는 투명 전도성 재료가 마이크로렌즈로서 기능하도록 구성 및 배열되는 반면, 다른 실시예에서는 컬러 필터로서 기능하도록 구성 및 배열된다.
본 발명의 상기한 특징 및 장점은 첨부 도면을 참조해서 제공되는 하기의 상세한 설명으로부터 보다 명확히 이해될 것이다.
도 1은 종래 촬상 장치의 부분 단면도,
도 2는 본 발명의 모범적인 제1 실시예에 따라 구성된 촬상 장치의 부분 단면도,
도 3 내지 6은 도 2의 촬상 장치 제조의 다른 단계들의 부분 단면도,
도 7은 본 발명의 모범적인 제2 실시예에 따라 구성된 촬상 장치의 부분 단면도,
도 8은 본 발명의 모범적인 제3 실시예에 따라 구성된 촬상 장치의 부분 단면도,
도 9는 도 2의 복수의 촬상 장치의 탑-다운(top-down) 도,
도 10은 본 발명의 모범적인 제4 실시예에 따라 구성된 촬상 장치의 부분 단면도,
도 11은 도 10의 복수의 촬상 장치의 부분 탑-다운 도,
도 12는 본 발명의 모범적인 제5 실시예에 따라 구성된 촬상 장치의 부분 단면도,
도 13은 도 2에 따라 구성된 촬상 장치를 통합한 CMOS 이미저의 블록도,
도 14는 본 발명의 모범적인 실시예에 따른 도 12의 CMOS 이미저를 통합한 프로세서 시스템의 개략도.
이 명세서에서 사용되는 바와 같은,“반도체 기판”및“기판”이라는 용어는 당연히 어떠한 반도체-기반 구조도 포함한다. 상기 반도체 구조는, 실리콘, 실리콘-온-인슐레이터(SOI) 또는, 실리콘-온-사파이어(SOS), 실리콘-게르마늄, 도핑 또는 언도핑된(undoped) 반도체, 베이스 반도체 기초에 의해 지지되는 실리콘의 에피택셜(epitaxial) 층, 및 여타 반도체 구조를 포함하는 것으로 이해해야 한다. 반도체는 실리콘-기반일 필요는 없다. 반도체는 게르마늄 또는 갈륨 비화물(gallium arsenide)일 수 있다. 하기의 상세한 설명에서 반도체 기판에 대해 언급할 때, 베이스 반도체 또는 기초의 내부 또는 상부에 영역 또는 접합을 형성하기 위해 종전의 처리 공정들이 활용될 수 있다.
이 명세서에 사용되는 바와 같은“픽셀 셀”이라는 용어는, 포톤을 전기적인 신호로 변환하기 위한, 광센서 및 관련 회로를 포함하는 광-요소 단위 셀을 말한다. 예시의 목적으로, 대표적인 단일 픽셀 및 그 형성 방식이 이 명세서의 도면 및 상세한 설명에 예시될 수 있지만, 일반적으로 복수의 동일 픽셀 제조는 동시에 진행된다. 따라서, 하기의 상세한 설명은 한정 의미를 갖지 않는다.
하기의 상술한 설명에 있어서, 본 발명은 편이를 위해 CMOS 이미저에 관하여 기술된다; 하지만, 본 발명은, 전하 결합 소자(CCD) 및 여타 상태의 이미저에 사용되는 픽셀을 포함하는, 어떠한 이미저 셀의 어느 광센서에도 더 넓게 적용될 수 있다.
도 2를 참조하여, 본 발명의 모범적인 실시예에 따라 구성된 CMOS 촬상 장치(150)의 대표 부분 단면도가 예시된다. 도 2의 촬상 장치(150)는, p-형 기판 위에 마련되는 에피택셜 층(14) 내의 p-형 영역(12a) 및 n-형 영역(12b)을 포함하는 광센서(12)(광다이오드로서 구현됨), 전송 트랜지스터 게이트(16), 플로팅 확산 영역(18), 리셋 트랜지스터 게이트(22), 관련 소스/드레인 영역을 가진 소스 팔로워 트랜지스터(24), 및 관련 소스/드레인 영역을 갖는 게이트(26)를 가진 로우 선택 트랜지스터를 갖는 픽셀 셀(10)을 포함한다. 중대하게, 도 2의 촬상 장치(150)는, 컨덕터(152)(부분 개략적으로 예시됨)에 의해 로우 선택 트랜지스터 게이트(26)의 드레인 영역(26a)으로 전기적으로 연결되는 투명 전도성 재료로 형성되는 투명 칼럼 라인(111)을 또한 포함한다. 투명 칼럼 라인(111)은, 광센서(12)로의 입사광(1000)의 초점 조절을 위한 마이크로렌즈 내부에 제조된다. 투명 칼럼 라인(111)은 당업계에 주지된 칼럼 라인 픽셀 판독 회로에 또한 연결된다.
투명 칼럼 라인(111)은 투명 전도성 재료로 형성된다. 투명 전도성 재료는, 주석, 인듐, 아연, 및 카드뮴으로 구성된 그룹으로부터 선택된 재료의 반도체의 산 화물로 형성될 수 있다. 투명 전도성 재료는, 따라서, SnO2, In2O3, Cd2SnO4, ZnO, Zn2SnO4, ZnSnO3, Cd2SnO4, (Zn2SnO4)4, (MgIn2O4)5, (CdSb2O6:Y)6, (ZnSnO3)7, (GaInO3)8, (Zn2In2O5)9, 및 (In4Sn3O12)10, 및 인듐-주석 산화물(ITO)로 구성되는 그룹으로부터 선택될 수 있다.
동작 중에, 광센서(12)의 p-형 영역(12a)의 표면을 타격하여, 광센서(12)의 n-형 영역(12b)에서 수집되는 전자를 생성하기 위해, 컬러 필터(172)를 통해 포톤(1000)이 초점 조절되도록, 포톤(1000)이 투명 칼럼 라인(111)을 통해 전해진다. 전하는 전송 트랜지스터 게이트(16)를 통해서, 소스 팔로워 트랜지스터 게이트(24)에 전기적으로 연결된 플로팅 확산 영역(18)로 전송된다. 소스 팔로워 트랜지스터 게이트(24)로부터의 출력신호는 관련된 로우 선택 트랜지스터(26)에 의해 투명 칼럼 라인으로 게이트 인가된다. 컨덕터(SEL)로부터 로우 선택 신호가 능동화되면, 소스 팔로워 트랜지스터(24)에 의해 생성되는 신호 전압은, 도 12에 관련하여 후술되는, 투명 칼럼 라인(111)에 연결되는 샘플/홀드 회로 및 다른 신호 처리 회로에 의해 추가적으로 처리되는, 투명 칼럼 라인(111)으로 게이트 인가된다.
도 2의 촬상 장치(150)는, 입사광으로부터의 포톤(1000)을 초점 조절하기 위해서, 그리고 소스 팔로워 트랜지스터(24)에 의해 처리되는 신호를 판독 회로로 안내하기 위해서, 투명 칼럼 라인(111)이 이제 이미저의 최상면으로 이동되고, 컨덕터 및 마이크로렌즈의 2중 기능을 담당함에 따라, 이들 층의 하나 이상에서 일반적 으로 존재하는 칼럼 라인(예컨대, 칼럼 라인(28)(도 1))으로서, M1 및 M2 층에서의 컨덕터 경로 배정을 단순화하는, 투명 칼럼 라인(111)을 갖는다. 투명 칼럼 라인(111)은 입사광의 초점 조절 및 신호 안내의 이중의 용도를 만족시킨다. 이는 제조를 단순화하고 제조 비용을 감소시킨다.
또한, 투명 칼럼 라인(111)을 형성하는데 사용되는 투명 전도성 재료는 픽셀 셀 마이크로렌즈(예컨대, 마이크로렌즈(11)(도 1))를 위해 사용되는 재료보다 일반적으로 저가이며, 그 결과로서 제조 비용 절감을 가져온다.
주목해야할 것은, 도 2의 촬상 장치(150)가 p-n-p 광센서 구성(즉, n-형 영역(12b)에 형성된 p-형 영역(12a)이, 또한, p-형 에피택셜 층(14))에 형성됨)을 갖는 픽셀 셀(10)을 포함하는 것으로 예시되었을지라도, 어떠한 식으로도 한정을 의도한 것은 아니라는 것이다. 예를 들어, 픽셀 셀(10)은 에피택셜 층(14)이 n-형 기판인 n-p-n 구성을 갖게 형성될 수 있고, 광센서(12)는 p-형 영역(12b) 내에 형성된 n-형 영역(12a)를 갖는다. 광게이트, 광트랜지스터, 및 광컨덕터와 같은, 다른 광센서 구조도 역시 사용될 수 있다.
투명 칼럼 라인(111)이 도 2에서 반-타원형 단면 형상을 갖는 것으로 예시되었을지라도, 이 예시는 어떠한 식으로도 한정을 의도한 것은 아니다. 예를 들어, 투명 칼럼 라인(111)은 단면 및/또는 탑 뷰(top view) 형상이 실제적으로 직사각형, 타원형, 또는 원형을 가질 수 있다.
또한 주목해야할 것은, 투명 상호 연결 라인이 투명 칼럼 라인(111)으로 예시 및 기술되었을지라도, 예컨대, Vaa-pix 라인, 전하 전송 라인, 리셋 제어 신호 라인, 로우 선택 라인, 또는 공급 전압 라인일 수 있는 픽셀 회로에 일반적으로 사용되는 어떠한 상호 연결라인도 될 수 있고, 예시된 칼럼 라인(111)로 한정되지 않는다. 투명 전도성 상호 연결 라인은 광을 픽셀 셀(10)의 광센서(12)로 초점 조절할 수 있어야 하고, 픽셀 회로로의 전기적인 연결을 제공한다.
도 3 내지 6은 도 2의 촬상 장치(150)를 제조하는 모범적인 방법을 예시한다. 도 3에 예시된 바와 같이, 평탄화 층(160), 예컨대, BPSG 층은, 광센서(12), 전송 트랜지스터 게이트(16), 플로팅 확산 영역(18), 리셋 트랜지스터 게이트(22), 소스/드레인 영역(30), 소스 팔로워 트랜지스터 게이트(24), 및 로우 선택 트랜지스터 게이트(26)가 내부 및 상부에 형성되어 있는 에피택셜 층(14)의 위에 형성된다. 평탄화 층(160)은, 실리콘 이산화물, 보로실리케이트(borosilicate) 유리(BSG), 포스포실리케이트(phosphosilicate) 유리(PSG), 및 보로-포스포-실리케이트(boro-phospho-silicate) 유리(BPSG)로 구성된 그룹으로부터 선택된 재료를 포함하는, 어떠한 재료로도 구성될 수 있다. 도 3은, 소스 팔로워 트랜지스터의 게이트(24)를 층(160)의 비어(via)를 통해서 플로팅 확산 영역(18)으로 연결하는 평탄화 층(160) 위에 형성되는 전하 전송 라인(23)을 또한 예시한다. 패턴화된 컨덕터의 층은, 에피택셜 층과, 도 12에 관하여 후술되는 바와 같이, 또한 외부 회로로의 전기적인 연결을 제공하는 평탄화 층(160) 위에 형성되는 패턴화된 컨덕터 층의 사이에, (층(160)의 비어를 통해서) 전기적인 연결을 가능하게 하는, 평탄화 층(160) 위에 또한 형성된다.
도 4는 평탄화 층(160)의 위에 형성된 제1 및 제2 층간 절연 층(ILD 층 )(162, 164)을 예시한다. 제1 및 제2 ILD 층(162, 164)은, 예컨대, 실리콘 질화물과 같은 어떠한 절연 재료로도 형성될 수 있다. 제2 ILD 층(164)이 형성되기 전에, 제1 ILD 층(162)이 일반적으로 CMP(화학 기계적 연마) 평탄화되고, 비어를 마련하기 위해 에칭된다. 비어는 전도성 재료로 채워지고, 패턴화된 컨덕터의 제2 층은, 에피택셜 층(14) 구조와, 도 12에 관하여 후술되는 바와 같이, 또한 외부 회로로의 전기적인 연결을 제공하는 제1 ILD 층(162)의 컨덕터의 사이에, 전기적인 연결을 가능하게 하는, 제1 ILD 층(162) 위에 형성된다.
도 5는, 일반적으로 CMP 평탄화되고, 비어를 마련하기 위해 에칭되는 제1 ILD 층(162) 위에 형성된 제2 ILD 층(164)을 예시한다. 비어는 전도성 재료로 채워지고, 투명 칼럼 라인 전구체(precursor)(111a)가 제2 ILD 층(164)의 위에 형성된다. 주목해야할 것은, 컬러 필터(172)가 일반적으로, 투명 칼럼 라인 전구체(111a)가 촬상 장치 위로 침전되기 전에 형성된다는 것이다.
제1 및 제2 ILD 층(162, 164)이 동일 재료로 형성될 필요는 없다. 또한 주목해야할 것은, 평탄화 층(160), 제1 ILD 층(162), 및 ILD 재료 층(164) 내에 비어를 생성하기 위해 리세스(recess)가 화학적 에칭, 반응성 이온 에칭(RIE), 또는 비어 생성의 다른 수단에 의해 형성될 수 있다는 것이다.
도 6은 완성된 촬상 장치(150)를 예시한다. 투명 칼럼 라인 전구체(111a)(도 5)는 광센서(12) 위의 패턴 내로 에칭된다. 패턴화된 투명 칼럼 라인 전구체(111a)가 융해되어 투명 칼럼 라인(111)를 형성하는데 사용되는 재료의 표면 장력에 기초하여 반-타원형을 형성하도록, 패턴화된 투명 칼럼 라인 전구체(111a) 도 5)가 그 다음으로 가열된다.
주목해야할 것은, 접점(152) 및/또한 평탄화 층(160) 또는 제1 및 제2 ILD 층(162, 164) 위에 형성되는 어떠한 다른 패턴화된 컨덕터도 투명 전도성 재료로 형성될 수 있으며, 이들 구성 요소는 투명 칼럼 라인(111)을 포함하는 동일 재료로 형성될 수 있다.
또한 주목해야할 것은, 촬상 장치(150)는 어플리케이션에 따라서 평탄화 층(160) 또는 제1 및 제2 ILD 층(162, 164)의 위 또는 아래에 형성되는 더욱 많은 층들을 포함할 수 있다는 것이다.
도 7은 본 발명의 모범적인 제2 실시예에 따라 구성된 촬상 장치(250)를 예시한다. 도 2의 촬상 장치(150)와 마찬가지로, 도 7의 촬상 장치(250)는, 광센서(12)로의 입사광으로부터의 포톤(1000)을 초점 조절하고, 픽셀 출력 신호 전하를 로우 선택 트랜지스터 게이트(26)의 드레인 영역(26a)으로부터의 판독 회로(도시되지 않음)로 안내하기 위한 투명 칼럼 라인(111)을 갖는다. 도 7의 촬상 장치(250)는 또한, 광센서(12)로의 입사광으로부터의 포톤(1000)을 초점 조절할 수 있는 투명 전도성 재료로 형성되는 전압 공급 라인(131)(Vaa - pix)을 갖는다. 전압 공급 라인(131)은 소스/드레인 영역(30)에 전기적으로 연결될 수 있다. 이 컨덕터는 투명하기 때문에, 광센서(12)로의 광학 경로를 가로지를 수 있으며, 따라서 컨덕터 경로 배정을 단순화한다.
픽셀 셀을 위한 신호 라인은 일반적으로, 평탄화 층(160), 및/또는 로우 리 셋 게이트 신호 라인과 전송 게이트 신호 라인 및 로우 선택 게이트 신호 라인을 포함하는 제1 및 제2 ILD 층(162, 164)(도 6)에 포함된다. 이들 신호 라인의 어떠한 것도 또한 투명 전도성 재료로 이루어질 수 있고, 투명 칼럼 라인(111)로부터 광센서(12)까지의 광 경로를 통하는 평탄화 층(160) 및/또는 제1 및 제2 ILD 층(162, 164)(도 6) 내의 경로가 배정될 수 있다.
주목해야할 것은 전압 공급 라인(131)이 투명 칼럼 라인(111)과 동일한 투명 전도성 재료, 또는 다른 투명 전도성 재료로 형성될 수 있다는 것이다.
도 8은, 투명 전도성 재료로 형성된 전압 공급 라인(231)이 반-타원 형상을 가지도록 형성되는, 본 발명의 제3 실시예에 따라 구성된 촬상 장치(350)를 예시한다. 도 6에 관해 상술한 바와 같이, 전압 공급 라인(231)은 종래의 광리소그라피(photolithography)에 의해 패턴화될 수 있다. 전압 공급 라인(231)이 그 다음에 반-타원 형상을 형성하기 위해 가열로 처리된다. 인슐레이터(180)는 전압 공급 라인(231) 상에 형성될 수 있고, 전압 공급 라인(231)의 반-타원 형상을 취한다. 예시된 컬러 필터(172)는 인슐레이터(180) 상에 형성되고, 또한 인슐레이터(180)의 반-타원 형상을 취한다. 투명 칼럼 라인(111)은, 또한, 반-타원형 컬러 필터(172) 위에 형성될 수 있고, 컬러 필터(172)의 반-타원 형상을 취한다. 도 8은, 또한, 투명 칼럼 라인(111)과 함께 전압 공급 라인(231)을 전기적으로 절연하는, 전압 공급 라인(231) 위의 인슐레이터(180)를 예시한다. 이 모범적인 실시예d에서 투명 칼럼 라인(111)은 반-타원 형상을 갖는다. 컬러 필터(172)는 투명 칼럼 라인(111)의 아래에 형성된다. 전압 공급 라인(231)의 형상은 픽셀 셀(10)의 광센서(12) 상 으로 초점 조절되는 포톤(1000)의 양을 증가시킬 수 있다.
도 9는 본 발명의 일 실시예에 따라서 제조되는 촬상 장치 어레이(600)의 탑-다운 도를 예시한다. 예시된 촬상 장치 어레이(600)는 본 발명의 적어도 하나의 촬상 장치(예컨대, (도 2, 7, 또는 8의) 150, 250, 350)를 포함한다. 촬상 장치 어레이(600)는 미리 설정된 개수의 칼럼(601)과 로우(602)로 배열된 복수의 촬상 장치를 포함한다. 도 9는 외부 회로로의 각 픽셀 셀의 로우 선택 트랜지스터 게이트(26)(예컨대, 도 2)의 드레인 영역을 연결하는 단일 라인으로서 형성된 칼럼 라인(111)을 예시한다. 예시된 바와 같이, 칼럼 라인(111)은 각각 반-타원 형상을 가지며 서로 공간에 걸치는 즉, 특정 칼럼(601)에서 각각의 칼럼 라인은, 각각의 칼럼 라인(111)이 칼럼에서 근접한 칼럼 라인(111)과 결합하도록 제조된다. 예시된 촬상 장치 어레이(600)는, 각각의 칼럼(601)을 전기적으로 절연하기 위해 각 칼럼(601) 사이에 형성된 인슐레이터(183)를 또한 갖는다. 동작 중에, 촬상 장치 어레이(600)에서 각 로우의 픽셀 셀은 도 12에 관해 하기에서 추가적으로 상세히 논의되는 바와 같이 연속해서 판독될 수 있다.
도 9의 촬상 장치 어레이(600)가 10 × 8 촬상 장치 어레이로 예시되었을지라도, 주목해야할 것은 촬상 장치 어레이가 일반적으로 다중 칼럼 및 로우로 배열된 수백만의 촬상 장치(각기 픽셀 셀을 가짐)를 포함한다는 것이다. 또한 주목해야할 것은 투명 칼럼 라인(111)의 형상이 변화될 수 있다는 것이다. 예를 들어, 각 촬상 장치(150)의 광센서(12)(도 2) 위의 투명 칼럼 라인(111)은 광센서 위에서 실제적으로 직사각형일 수 있다. 광센서(12)(도 12) 위의 각 투명 칼럼 라인(111) 은 또한 금속 라인 또는 투명 전도성 재료에 의해 연결될 수 있다.
도 10은 투명 칼럼 라인(111) 위에 형성된 로우 선택 라인(701)과 함께 제조되는 도 9의 촬상 장치 어레이(600)에 사용되는 촬상 장치(150)의 단면도를 예시한다. 예시된 로우 선택 라인(701)은 앞서 규정된 바와 같이 투명 전도성 재료로 형성된다. 로우 선택 라인(701)은, 도 10에 예시한 바와 같이, 반-타원 형상으로 칼럼 라인(111) 위에 형성될 수 있다. 그 대신에, 로우 선택 라인(701)은 칼럼 라인(111) 위에 형성될 수 있고, 그 다음에 평탄면을 갖도록 평탄화된다. 로우 선택 라인(701)은 추가적으로 픽셀 셀(10)의 광센서(12)로의 입사광(1000)을 초점 조절할 수 있다. 주목해야할 것은, 로우 선택 라인(701)은 투명 칼럼 라인(111)과 동일한 재료로서 형성될 수 있다는 것이다. 로우 선택 라인(701)은 또한 투명 칼럼 라인(111)과는 다른 재료로 형성될 수 있다. 인슐레이터(180)는 각 컨덕터를 전기적으로 절연하기 위해 투명 칼럼 라인(111) 및 로우 선택 라인(701) 사이에 일반적으로 마련된다.
도 11은 복수의 도 10의 촬상 장치(150)의 부분 탑-다운 도를 예시한다. 예시된 로우 선택 라인(701)은 반-타원형 투명 칼럼 라인(111) 위에 형성되고, 칼럼 라인(111)의 반-타원 형상의 형태를 취한다. 로우 선택 라인(701)은 추가적으로 픽셀 셀(10)(도 10)의 광센서(12)(도 10)로의 입사광(1000)을 초점 조절할 수 있다. 주목해야할 것은, 인슐레이터(180)가 각 컨덕터를 전기적으로 절연하기 위해 투명 칼럼 라인(111) 및 로우 선택 라인(701) 사이에 일반적으로 마련된다는 것이다.
도 12는, 로우 선택 라인(701)이 투명 칼럼 라인(111) 및 광센서(12) 사이에 형성되는, 본 발명의 모범적인 제5 실시예에 따라 구성된 촬상 장치(550)의 단면도를 예시한다. 로우 선택 라인(701)이 반-타원 형상을 갖는 것으로 예시되었을지라도, 이러한 예시는 어떠한 식으로도 한정을 의도한 것은 아니다. 예컨대, 로우 선택 라인(701)은 실제적으로, 원, 반원, 또는 직사각형 형상을 가질 수 있다.
도 13은 본 발명의 픽셀 어레이를 포함하는 CMOS 이미저(608)를 예시한다. 픽셀 어레이가 도 2, 8, 9, 10, 또는 12의 모범적인 실시예들 중 어느 하나로 형성될 수 있을지라도, 도 13은 도 9의 촬상 장치 어레이(600)를 예시한다. 촬상 장치 어레이(600)의 각 로우의 각 촬상 장치(150)(도 9)의 픽셀 셀(10)(도 2)은 로우 선택 라인에 의해 모두 동시에 턴온되며, 각 칼럼의 픽셀 셀은 각각의 투명 칼럼 라인(111)(도 9)에 의해 선택적으로 출력된다. 복수의 로우 및 칼럼 라인(투명 칼럼 라인(111)(도 9))은 촬상 장치 어레이(600)의 전체에 대해 마련된다. 로우 라인은 로우 어드레스 디코더(decorder)(620)에 따른 로우 구동부(610)에 의해 순서대로 선택적으로 능동화되며, 투명 칼럼 라인(111)(도 9)은 칼럼 어드레스 디코더(670)에 따른 칼럼 구동부(660)에 의해 각 로우 능동화에 대해 순서대로 선택적으로 능동화한다. 따라서, 로우 및 칼럼 어드레스는 촬상 장치(150)(도 9)의 각 픽셀(10)에 대해 마련된다. CMOS 이미저는, 픽셀 판독을 위해 적합한 로우 및 칼럼 라인을 선택하기 위해 어드레스 디코더(620, 670)를 제어하는 제어 회로(650)와, 선택된 로우 및 칼럼 라인의 구동 트랜지스터에 구동 전압을 인가하는 로우 및 칼럼 구동 회로(610, 660)에 의해 동작된다.
픽셀 출력 신호는, 일반적으로, 리셋될 때 플로팅 확산 영역으로부터 (소스 팔로워 트랜지스터를 통해서) 벗어나는 픽셀 리셋 신호(Vrst)와, 화상에 의해 생성된 전하가 전송된 후에 플로팅 확산 영역으로부터 (소스 팔로워 트랜지스터를 통해서) 벗어나는 픽셀 화상 신호(Vsig)를 포함한다. 신호(Vrst)와 신호(Vsig)는 샘플 앤 홀드 회로(661)에 의해 판독되고, 픽셀에 충돌 포집되는 광량을 나타내는, 각 픽셀 셀(10)에 대한 차분 신호(Vrst - Vsig)를 생성하는, 차동 증폭기(662)에 의해 감산된다. 이 신호 차이는 아날로그-디지털 변환기(675)에 의해 디지털화된다. 디지털화된 픽셀 신호는, 디지털 화상을 형성 및 출력하기 위해, 그 다음에 화상 프로세서(680)로 공급된다. 또한, 도 13에 묘사된 바와 같이, CMOS 이미저 장치(608)는 반도체 칩(예컨대, 웨이퍼(1500))에 포함될 수 있다.
도 14는 본 발명의 촬상 장치(608)(도 13에 예시된 촬상 장치(608)와 같은)를 포함하는 일반적인 프로세서 시스템(900)을 도시한다. 프로세서 시스템(900)은 화상 센서 장치를 포함할 수 있는 디지털 회로를 가진 시스템의 모범적인 예이다. 제한 없이, 상기 시스템은, 컴퓨터 시스템, 카메라 시스템, 스캐너, 머신 비젼(machine vision), 차량 네비게이션, 비디오 폰, 감시 시스템, 자동 초점 시스템, 천체 추적 시스템, 동작 감지 시스템, 화상 안정화 시스템, 및 이미저를 채용한 여타 시스템을 포함할 수 있다.
시스템(900), 예를 들어 카메라 시스템은, 일반적으로, 버스(904)를 통해 입출력(I/O) 장치(906)와 통신하는, 마이크로프로세서와 같은, 중앙 처리 장 치(CPU)(902)를 포함한다. 촬상 장치(608)도 또한 버스(904)를 통해 CPU(902)와 통신한다. 프로세서-기반 시스템(900)은 또한 랜덤 액세스 메모리(RAM)(910)를 포함하고, 또한 버스(904)를 통해 CPU(902)와 통신하는, 플래시 메모리와 같은 탈착가능 메모리(removable memory)(914)를 포함할 수 있다. 촬상 장치(608)는, 단일 집적 회로 또는 프로세서와는 다른 칩 상의 메모리 저장부와 함께하거나 함께하지 않는, CPU, 디지털 신호 프로세서, 또는 마이크로프로세서와 같은 프로세서와 결합될 수 있다.
다시 주목해야할 것은, 본 발명이 특정 CMOS 촬상 장치(예컨대, 도 2, 8, 9, 10, 및 12의 (150), (250), (350), (550))를 참조하여 기술되었을지라도, 본 발명은 더 넓은 적용성을 가지며, 어떠한 촬상 장치에도 사용될 수 있다. 예를 들어, 본 발명은 전하 결합 소자(CCD) 이미저와 연합하여 사용될 수 있다. 앞서의 상세한 설명 및 도면은, 본 발명의 목적, 특징 및 장점을 달성하는 바람직한 실시예들을 예시한다. 특정 장점 및 바람직한 실시예가 앞서 기술되었을지라도, 당업자라면 본 발명의 사상 또는 권리범위를 벗어남 없이 대체, 추가, 삭제, 변형 및/또는 다른 변형도 만들 수 있음을 알 수 있을 것이다. 따라서, 본 발명은 상기한 기술에 의해 한정되지 않으며, 첨부된 청구범위의 권리범위에 의해서만 한정된다.
Claims (42)
- 픽셀 셀로서,전하 축적 영역을 갖는 광센서,적어도 하나의 픽셀 출력 신호를 생성하도록 상기 픽셀 셀을 동작시키기 위해 상기 광센서로 연결되는 픽셀 회로, 및상기 광센서로의 입사광을 초점 조절하고 상기 회로로의 전기적인 연결을 제공하기 위한 투명 전도성 재료 상호 연결 라인을 포함하는, 픽셀 셀.
- 청구항 1에 있어서, 상기 투명 전도성 재료는, 주석, 인듐, 아연, 및 카드뮴으로 구성되는 그룹으로부터 선택되는 재료의 반도체 산화물인, 픽셀 셀.
- 청구항 2에 있어서, 상기 투명 전도성 재료는, SnO2, In2O3, Cd2SnO4, ZnO, Zn2SnO4, ZnSnO3, Cd2SnO4, (Zn2SnO4)4, (MgIn2O4)5, (CdSb2O6:Y)6, (ZnSnO3)7, (GaInO3)8, (Zn2In2O5)9, 및 (In4Sn3O12)10, 및 인듐-주석 산화물로 구성되는 그룹으로부터 선택되는, 픽셀 셀.
- 청구항 1에 있어서, 상기 투명 전도성 재료는, 인듐-주석-산화물인, 픽셀 셀.
- 청구항 1에 있어서, 상기 투명 전도성 재료 상호 연결 라인이, 반-타원형인 단면 형상을 갖는, 픽셀 셀.
- 청구항 1에 있어서, 상기 투명 전도성 재료 상호 연결 라인은, 실제적으로 원형, 직사각형, 및 타원형으로 구성되는 그룹으로부터 선택되는 탑 다운(top down) 형상을 갖는, 픽셀 셀.
- 청구항 1에 있어서, 상기 투명 전도성 재료 상호 연결 라인은, 상기 전하 저장 영역을 외부 회로로 연결하는, 픽셀 셀.
- 청구항 7에 있어서, 상기 투명 전도성 재료 상호 연결 라인은, 상기 전하 저장 영역에 관련된 게이트로 연결되는, 픽셀 셀.
- 청구항 1에 있어서, 상기 투명 전도성 재료 상호 연결 라인은, 트랜지스터의 소스/드레인 영역으로 연결되며, 상기 트랜지스터의 트랜지스터 게이트는 상기 관련된 전하 저장 영역을 리셋할 수 있는, 픽셀 셀.
- 청구항 9에 있어서, 상기 투명 전도성 재료 상호 연결 라인은, 상기 트랜지 스터 게이트의 상기 소스/드레인 영역에 전압을 인가할 수 있는, 픽셀 셀.
- 청구항 1에 있어서, 상기 투명 전도성 재료 상호 연결 라인은, 상기 전하 저장 영역을 트랜지스터 게이트로 연결하는, 픽셀 셀.
- 청구항 1에 있어서, 상기 투명 전도성 재료 상호 연결 라인은, 트랜지스터 게이트로 전압을 인가할 수 있고, 상기 트랜지스터 게이트는 상기 전하 수집 영역에서 수집된 전하의 출력을 게이트 제어하는, 픽셀 셀.
- 픽셀 셀로서,전하 축적 영역을 갖는 광센서,상기 광센서에 의해 축적되는 전하를 저장하기 위한 관련 전하 저장 영역,적어도 하나의 픽셀 출력 신호를 생성하도록 상기 픽셀 셀을 동작시키기 위해 상기 광센서 및 전하 저장 영역으로 연결되는 픽셀 회로, 및상기 광센서로의 입사광을 초점 조절하고 상기 회로로의 전기적인 연결을 제공하기 위한 투명 전도성 재료 상호 연결 라인을 포함하는, 픽셀 셀.
- 반도체 기판에 형성된 픽셀 셀의 어레이를 포함하는 이미저 집적 회로로서,상기 어레이의 각 픽셀 셀은,적어도 하나의 도핑된 영역을 갖는 광센서,상기 광센서로부터 전하를 수집하기 위해 상기 광센서에 전기적으로 연결된 관련 전하 수집 영역,상기 광센서로부터의 상기 수집된 전하를 픽셀 출력 신호로 변환하기 위해 상기 전하 수집 영역으로 연결되는 제1 트랜지스터 게이트, 및상기 픽셀 출력 신호를 제1 투명 전도성 재료 상호 연결 라인으로 출력하기 위한 제2 트랜지스터 게이트를 포함하며, 상기 제1 투명 전도성 재료 상호 연결 라인은 상기 광센서로의 입사광을 초점 조절할 수 있고 상기 픽셀 출력 신호를 판독 회로로 안내하는, 이미저 집적 회로.
- 청구항 14에 있어서, 상기 어레이에 의해 획득된 화상을 나타내는 픽셀 출력 신호를 수신 및 처리하기 위해, 그리고 상기 화상을 나타내는 출력 데이터를 제공하기 위해, 상기 기판에 형성되고 상기 어레이에 전기적으로 연결되는 신호 처리 회로를 더 포함하는, 이미저 집적 회로.
- 청구항 14에 있어서, 상기 투명 전도성 재료는, 주석, 인듐, 아연, 및 카드뮴으로 구성되는 그룹으로부터 선택되는 재료의 반도체 산화물인, 이미저 집적 회로.
- 청구항 14에 있어서, 상기 투명 전도성 재료는, SnO2, In2O3, Cd2SnO4, ZnO, Zn2SnO4, ZnSnO3, Cd2SnO4, (Zn2SnO4)4, (MgIn2O4)5, (CdSb2O6:Y)6, (ZnSnO3)7, (GaInO3)8, (Zn2In2O5)9, 및 (In4Sn3O12)10, 실리콘 질화물, 및 인듐-주석 산화물로 구성되는 그룹으로부터 선택되는, 이미저 직접 회로.
- 청구항 14에 있어서, 상기 투명 전도성 재료는, 인듐-주석-산화물인, 이미저 집적 회로.
- 청구항 14에 있어서, 제3 트랜지스터 게이트의 소스/드레인 영역으로 연결되는 제2 투명 전도성 재료 상호 연결 라인을 더 포함하며, 상기 제3 트랜지스터 게이트는 상기 관련된 전하 수집 영역을 리셋할 수 있는, 이미저 집적 회로.
- 청구항 19에 있어서, 상기 제2 투명 전도성 재료 상호 연결 라인은, 상기 광센서로의 입사광을 초점 조절할 수 있는, 이미저 집적 회로.
- 청구항 19에 있어서, 상기 제2 트랜지스터 게이트로 연결되는 로우 선택 라인을 더 포함하고, 상기 로우 선택 라인은 상기 제2 트랜지스터 게이트로 전압을 인가할 수 있는, 이미저 집적 회로.
- 청구항 21에 있어서, 상기 로우 선택 라인은 투명 전도성 재료로 구성되고, 상기 광센서로의 입사광을 초점 조절할 수 있는, 이미저 집적 회로.
- 전하 축적 영역을 갖는 광센서를 형성하는 단계,상기 광센서에 의해 축적된 전하를 저장하기 위한 관련 전하 저장 영역을 형성하는 단계,적어도 하나의 픽셀 출력 신호를 생성하도록 상기 픽셀 셀을 동작시키기 위해 상기 광센서 및 전하 저장 영역으로 연결되는 픽셀 회로를 형성하는 단계, 및상기 광센서로의 입사광을 초점 조절하고 상기 회로로의 전기적인 연결을 제공하기 위한 투명 전도성 재료 상호 연결 라인을 형성하는 단계를 포함하는, 픽셀 셀 형성 방법.
- 청구항 23에 있어서, 상기 투명 전도성 재료 상호 연결 라인은, 상기 전하 저장 영역을 트랜지스터의 게이트로 연결하도록 된, 픽셀 셀 형성 방법.
- 청구항 23에 있어서, 상기 투명 전도성 재료 상호 연결 라인은, 외부 회로를 상기 전하 저장 영역과 관련된 게이트의 드레인 영역으로 연결하도록 형성된, 픽셀 셀 형성 방법.
- 청구항 23에 있어서, 상기 투명 전도성 재료 상호 연결 라인은, 상기 전하 저장 영역을 외부 회로로 연결하도록 형성된, 픽셀 셀 형성 방법.
- 픽셀 셀로서,전하 축적 영역을 갖는 광센서,적어도 하나의 픽셀 출력 신호를 생성하도록 상기 픽셀 셀을 동작시키기 위해 상기 광센서로 연결되는 픽셀 회로, 및상기 픽셀 회로 위에 형성된 마이크로렌즈에 관련된 투명 전도성 재료 상호 연결 라인을 포함하는, 픽셀 셀.
- 청구항 27에 있어서, 상기 투명 전도성 재료는, 주석, 인듐, 아연, 및 카드뮴으로 구성되는 그룹으로부터 선택되는 재료의 반도체 산화물인, 픽셀 셀.
- 청구항 28에 있어서, 상기 투명 전도성 재료는, SnO2, In2O3, Cd2SnO4, ZnO, Zn2SnO4, ZnSnO3, Cd2SnO4, (Zn2SnO4)4, (MgIn2O4)5, (CdSb2O6:Y)6, (ZnSnO3)7, (GaInO3)8, (Zn2In2O5)9, 및 (In4Sn3O12)10, 및 인듐-주석 산화물로 구성되는 그룹으로부터 선택되는, 픽셀 셀.
- 청구항 27에 있어서, 상기 투명 전도성 재료는, 인듐-주석-산화물인, 픽셀 셀.
- 청구항 27에 있어서, 상기 투명 전도성 재료 상호 연결 라인은, 반-타원형인 단면 형상을 갖는, 픽셀 셀.
- 청구항 27에 있어서, 상기 투명 전도성 재료 상호 연결 라인은, 실제적으로 원형, 직사각형, 및 타원형으로 구성되는 그룹으로부터 선택되는 탑 다운 형상을 갖는, 픽셀 셀.
- 청구항 27에 있어서, 상기 투명 전도성 재료 상호 연결 라인은, 상기 전하 축적 영역을 외부 회로로 연결하는, 픽셀 셀.
- 청구항 33에 있어서, 상기 투명 전도성 재료 상호 연결 라인은, 상기 전하 축적 영역에 관련된 게이트에 연결되는, 픽셀 셀.
- 청구항 27에 있어서, 상기 투명 전도성 재료 상호 연결 라인은, 트랜지스터의 소스/드레인 영역에 연결되며, 상기 트랜지스터의 트랜지스터 게이트는 상기 관련된 전하 저장 영역을 리셋할 수 있는, 픽셀 셀.
- 청구항 35에 있어서, 상기 투명 전도성 재료 상호 연결 라인은, 상기 트랜지 스터 게이트의 상기 소스/드레인 영역으로 전압을 인가할 수 있는, 픽셀 셀.
- 청구항 27에 있어서, 상기 투명 전도성 재료 상호 연결 라인은, 상기 전하 축적 영역을 트랜지스터 게이트로 연결하는, 픽셀 셀.
- 청구항 1에 있어서, 상기 투명 전도성 재료 상호 연결 라인은, 트랜지스터 게이트로 전압을 인가할 수 있고, 상기 트랜지스터 게이트는 상기 전하 축적 영역에서 수집된 전하의 출력을 게이트 제어하는, 픽셀 셀.
- 픽셀 셀 어레이로서,각기 전하 축적 영역을 갖는 복수의 광센서,픽셀 출력 신호를 생성하도록 상기 픽셀 셀 어레이를 동작시키기 위해 상기 복수의 광센서에 각각 연결되는 복수의 픽셀 회로, 및상기 복수의 광센서에 각각 관련된 복수의 마이크로렌즈로서, 상기 픽셀 회로에 관련된 전기 신호를 위한 전기 신호 경로의 일부가 되는 마이크론렌즈를 포함하는, 픽셀 셀 어레이.
- 청구항 39에 있어서, 상기 복수의 마이크로렌즈의 적어도 하나는, 주석, 인듐, 아연, 및 카드뮴으로 구성되는 그룹으로부터 선택되는 재료의 반도체 산화물로 형성되는, 픽셀 셀 어레이.
- 청구항 39에 있어서, 상기 복수의 마이크로렌즈의 적어도 하나는, SnO2, In2O3, Cd2SnO4, ZnO, Zn2SnO4, ZnSnO3, Cd2SnO4, (Zn2SnO4)4, (MgIn2O4)5, (CdSb2O6:Y)6, (ZnSnO3)7, (GaInO3)8, (Zn2In2O5)9, 및 (In4Sn3O12)10, 및 인듐-주석 산화물로 구성되는 그룹으로부터 선택되는 재료로 형성되는, 픽셀 셀 어레이.
- 청구항 39에 있어서, 상기 복수의 마이크로렌즈의 적어도 하나는, 인듐-주석-산화물로 형성되는, 픽셀 셀 어레이.
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