KR20080025949A - Electronic chip embedded printed circuit board and manufacturing method thereof - Google Patents

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KR20080025949A KR1020060090775A KR20060090775A KR20080025949A KR 20080025949 A KR20080025949 A KR 20080025949A KR 1020060090775 A KR1020060090775 A KR 1020060090775A KR 20060090775 A KR20060090775 A KR 20060090775A KR 20080025949 A KR20080025949 A KR 20080025949A
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Abstract

An electronic chip embedded printed circuit board and a manufacturing method thereof are provided to improve heat discharging efficiency of the embedded board by stacking a metal layer on a surface of an electronic chip and connecting a via for discharging heat to the metal layer. A manufacturing method of an electronic chip embedded printed circuit board includes the steps of: punching a cavity on a core substrate and closing a surface of the cavity(P10); embedding an electronic chip stacked with a metal layer on a surface in the cavity(P20); stacking an insulating layer on the core substrate(P30); and forming a via passing through the insulating layer and contacting with the metal layer(P40). The core substrate is a CCL(Copper Clad Laminate) stacked with a copper clad layer on a surface thereof. The method further includes a step of forming an inner layer circuit by selectively removing the copper clad layer before the step of P10.

Description

전자소자 내장 인쇄회로기판 및 그 제조방법{Electronic chip embedded printed circuit board and manufacturing method thereof}Electronic chip embedded printed circuit board and manufacturing method thereof

도 1은 종래기술에 따른 방열특성을 개선한 패키지 기판을 나타낸 분해사시도.1 is an exploded perspective view showing a package substrate with improved heat radiation characteristics according to the prior art.

도 2는 종래기술에 따른 방열특성을 개선한 인쇄회로기판을 나타낸 단면도.2 is a cross-sectional view showing a printed circuit board having improved heat dissipation characteristics according to the prior art.

도 3은 본 발명의 바람직한 일 실시예에 따른 전자소자 내장 인쇄회로기판 제조방법을 나타낸 순서도.3 is a flow chart showing a method for manufacturing a printed circuit board embedded with an electronic device according to an embodiment of the present invention.

도 4는 본 발명의 바람직한 일 실시예에 따른 전자소자 내장 인쇄회로기판 제조공정을 나타낸 흐름도.4 is a flowchart illustrating a manufacturing process of an electronic device-embedded printed circuit board according to an exemplary embodiment of the present invention.

도 5는 본 발명의 바람직한 일 실시예에 따른 반도체 소자에 금속층을 적층하는 공정을 나타낸 흐름도.5 is a flowchart illustrating a process of laminating a metal layer on a semiconductor device according to an exemplary embodiment of the present invention.

도 6은 본 발명의 바람직한 일 실시예에 따른 전자소자 내장 인쇄회로기판을 나타낸 단면도.6 is a cross-sectional view showing a printed circuit board embedded with an electronic device according to an embodiment of the present invention.

<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명><Explanation of symbols for the main parts of the drawings>

110 : 코어기판 112 : 내층회로110: core substrate 112: inner layer circuit

114 : 캐비티 116 : 테이프114: cavity 116: tape

120 : 전자소자 122 : 금속층120: electronic device 122: metal layer

130 : 절연층 132 : 비아홀130: insulating layer 132: via hole

133 : 비아 134 : 외층회로133: Via 134: outer layer circuit

본 발명은 전자소자 내장 인쇄회로기판 및 그 제조방법에 관한 것이다.The present invention relates to a printed circuit board embedded with an electronic device and a method of manufacturing the same.

제한된 면적에 더욱 많은 기능을 부여하려는 노력이 지속적으로 이루어지고 있는 가운데, 차세대 다기능성, 소형 패키지 기술의 일환으로써 전자소자 내장 인쇄회로기판의 개발이 주목 받고 있다. 전자소자 내장 인쇄회로기판은 이러한 다기능성, 소형화의 장점과 더불어, 고기능화의 측면도 일정 정도 포함하고 있는데, 이는 100MHz 이상의 고주파에서 배선 간의 거리를 최소화할 수 있을 뿐만 아니라, 경우에 따라서는 FC(Flip chip)이나 BGA(Ball grid array)에서 사용되는 와이어 본딩(Wire bonding) 또는 솔더볼(Solder ball)을 이용한 전자소자의 연결에서 오는 신뢰성의 문제를 개선할 수 있는 방편을 제공하기 때문이다.While efforts are being made to provide more functions in a limited area, development of printed circuit boards with electronic devices is drawing attention as a part of next-generation multifunctional and small package technologies. In addition to the advantages of multifunctionality and miniaturization, printed circuit boards with electronic devices include aspects of high functionality, which can minimize the distance between wirings at high frequencies of 100 MHz or higher, and in some cases, FC (Flip chip) This is because it provides a way to improve the reliability problems resulting from the connection of electronic devices using wire bonding or solder balls used in BGA (Ball grid array).

또한, 최근에는 기판 제조과정에서 납의 사용을 배제하는 이른바 '솔더리스(solderless)' 공정에 대한 관심이 높아졌으며, 이로 인해 지난 10여 년간 큰 이슈가 되어 온 환경문제를 근본적으로 해결할 방편을 모색하고 있다.Recently, interest in the so-called 'solderless' process, which eliminates the use of lead in the manufacturing process of the substrate, has increased, which has led to the quest for fundamental solutions to environmental problems that have been a major issue for the last decade. have.

IC와 같은 고밀도 전자소자를 기판에 내장하는 기술에 있어서 가장 중요한 요소 중의 하나는 IC에서 발생한 열을 신속히 방열할 수 있는 인쇄회로기판의 대응력이라고 할 수 있다. 통상 인쇄회로기판의 열전도계수는 그 재질 및 구조에 따라 다르지만, 약 6.5W/mK 정도로 알려져 있고, 이는 IC의 주재료인 실리콘(Si)의 열전도계수인 124W/mK에 비해 크게 낮기 때문에 고밀도 IC가 내장될 경우 기판 외부로의 방열이 필요하다고 할 수 있다.One of the most important factors in the technology of embedding high-density electronic devices such as ICs on a substrate is the ability of a printed circuit board to rapidly dissipate heat generated in an IC. Generally, the thermal conductivity of printed circuit boards varies depending on the material and structure, but it is known to be about 6.5W / mK, which is significantly lower than the thermal conductivity of silicon (Si), the main material of IC, 124W / mK. If necessary, the heat radiation to the outside of the substrate is required.

도 1은 종래기술에 따른 방열특성을 개선한 패키지 기판을 나타낸 분해사시도이고, 도 2는 종래기술에 따른 방열특성을 개선한 인쇄회로기판을 나타낸 단면도이다. 도 1에 도시된 종래기술의 경우, 반도체 소자 등이 실장되는 패키지 기판의 표면에 동박층으로 코팅막을 형성하여 외부로 열을 방출시키는 구조이며, 도 2에 도시된 종래기술의 경우, 동박적층판(CCL)의 수지(Resin)층 내에 알루미늄 호일(Al foil)로 된 메탈코어(metal core)층을 함침시킴으로써 금속층을 통해 방열이 효율적으로 이루어지도록 하여 방열특성을 개선하고자 한 것이다.1 is an exploded perspective view showing a package substrate with improved heat dissipation characteristics according to the prior art, and FIG. 2 is a cross-sectional view showing a printed circuit board with improved heat dissipation characteristics according to the prior art. In the prior art illustrated in FIG. 1, a copper foil layer is formed on the surface of a package substrate on which a semiconductor device or the like is mounted to form a coating film to release heat to the outside. In the prior art illustrated in FIG. It is intended to improve heat dissipation characteristics by impregnating a metal core layer made of aluminum foil (Al foil) in the resin layer of the CCL so that heat dissipation is efficiently performed through the metal layer.

그러나, 전술한 종래기술들은 전자소자를 표면에 실장하는 구조에 적용되는 것으로서, 기판 내부에 발열체인 전자소자를 내장한 구조에서는 적용상 어느 정도 한계가 있다. CPU와 같은 발열이 큰 전자소자의 경우에는 표면실장에 있어서도 방열에 주의를 기울여야 하므로, 이와 같이 발열이 큰 전자소자를 내장할 경우에는 보다 개선된 새로운 기술이 요구되는 실정이다.However, the above-described prior arts are applied to a structure in which an electronic device is mounted on a surface, and there is a limit in application to the structure in which the electronic device, which is a heating element, is embedded in a substrate. In the case of an electronic device with a large heat generation such as a CPU, attention must be paid to heat dissipation even in the surface mounting. Thus, when an electronic device with a large heat generation is incorporated, a new and improved technology is required.

본 발명은 IC 등 고밀도, 고성능 전자소자가 내장된 기판에 있어서 전자소자로부터 발생된 열을 보다 효과적으로 방열시킬 수 있는 전자소자 내장 인쇄회로기판 및 그 제조방법을 제공하는 것이다.The present invention provides a printed circuit board with an electronic device capable of more effectively dissipating heat generated from the electronic device in a board having a high-density, high-performance electronic device such as an IC, and a manufacturing method thereof.

본 발명의 일 측면에 따르면, (a) 코어기판에 캐비티(cavity)를 천공하고, 캐비티의 일면을 폐쇄하는 단계, (b) 표면에 금속층이 적층되는 전자소자를 캐비티에 내장하는 단계, (c) 코어기판에 절연층을 적층하는 단계, 및 (d) 절연층을 관통하여 금속층에 접하는 비아(via)를 형성하는 단계를 포함하는 전자소자 내장 인쇄회로기판 제조방법이 제공된다.According to an aspect of the invention, (a) perforating the cavity (cavity) on the core substrate, closing one surface of the cavity, (b) embedding an electronic device in which a metal layer is laminated on the surface, (c) A method of manufacturing an electronic device-embedded printed circuit board is provided, comprising: laminating an insulating layer on a core substrate, and (d) forming a via penetrating the insulating layer to be in contact with the metal layer.

코어기판은 표면에 동박층이 적층된 동박적층판(CCL)이며, 단계 (a) 이전에, 동박층을 선택적으로 제거하여 내층회로를 형성하는 단계를 더 포함할 수 있다.The core substrate is a copper clad laminate (CCL) having a copper foil layer laminated on a surface thereof, and may further include forming an inner layer circuit by selectively removing the copper foil layer before step (a).

단계 (a)는 코어기판의 일면에 테이프를 부착하는 단계를 포함하며, 테이프는 표면에 실리콘 접착제가 도포된 폴리이미드(PI) 필름을 포함할 수 있다. 이 경우, 단계 (c)는, (c1) 코어기판의 타면에 절연층을 적층하는 단계, (c2) 테이프를 제거하는 단계, (c3) 코어기판의 일면에 상기 절연층을 적층하는 단계를 포함할 수 있다.Step (a) includes attaching the tape to one side of the core substrate, the tape may comprise a polyimide (PI) film is coated with a silicone adhesive on the surface. In this case, step (c) includes (c1) laminating an insulating layer on the other surface of the core substrate, (c2) removing the tape, and (c3) laminating the insulating layer on one surface of the core substrate. can do.

전자소자의 표면에 금속층을 적층하기 위해, 첫째, 단계 (b)는, (b1) 전자소자를 캐비티 내에 삽입하여 고정시키는 단계, (b2) 코어기판에, 전자소자의 위치에 상응하는 부분이 개방된 마스크를 적층하는 단계, (b3) 마스크에 금속 페이스트(paste)를 프린팅하는 단계를 포함할 수 있으며, 둘째, 전자소자는, 웨이퍼 기판의 표면에 금속층을 적층한 후, 웨이퍼 기판을 다이싱(dicing)하여 제조될 수 있다.In order to deposit a metal layer on the surface of the electronic device, first, step (b) comprises: (b1) inserting and fixing the electronic device in the cavity; and (b2) opening a portion corresponding to the position of the electronic device to the core substrate. (B3) printing a metal paste on the mask, and second, the electronic device may laminate the metal layer on the surface of the wafer substrate and then dice the wafer substrate ( dicing).

방열용인 비아를 형성하기 위해, 단계 (d)는, (d1) 전자소자가 내장된 위치 에 상응하여 절연층에 비아홀을 천공하여 금속층을 노출시키는 단계, 및 (d2) 비아홀에 금속을 충전하는 단계를 포함할 수 있다. 이 경우, 비아홀에 도금 등에 의해 금속을 충전하는 공정과 병행하여, 단계 (d2)는, (e) 절연층의 표면을 도금하여 도금층을 적층시키는 단계, (f) 도금층의 일부를 선택적으로 제거하여 외층회로를 형성하는 단계를 포함할 수 있다.In order to form the via for heat dissipation, the step (d) comprises: (d1) exposing a metal layer by drilling a via hole in the insulating layer corresponding to the position where the electronic device is embedded, and (d2) filling the via hole with metal. It may include. In this case, in parallel with the step of filling the via hole with metal by plating or the like, step (d2) includes: (e) plating the surface of the insulating layer to laminate the plating layer, and (f) selectively removing a part of the plating layer. It may include forming an outer layer circuit.

본 발명의 다른 측면에 따르면, 코어기판과, 코어기판에 천공되는 캐비티와, 캐비티에 내장되는 전자소자와, 전자소자의 표면에 적층되는 금속층과, 전자소자를 커버하도록 코어기판에 적층되는 절연층과, 전자소자가 내장된 위치에 상응하여 절연층을 관통하여 금속층에 접하는 방열용 비아를 포함하는 전자소자 내장 인쇄회로기판이 제공된다.According to another aspect of the present invention, a core substrate, a cavity perforated in the core substrate, an electronic element embedded in the cavity, a metal layer laminated on the surface of the electronic element, and an insulating layer laminated on the core substrate to cover the electronic element And a heat dissipation via penetrating the insulating layer to contact the metal layer in correspondence with the position where the electronic device is embedded.

코어기판의 표면에 형성되는 내층회로와 절연층의 표면에 형성되는 외층회로 및 절연층을 관통하여 내층회로와 외층회로를 전기적으로 연결하는 도전용 비아를 더 포함할 수 있다.The semiconductor device may further include a conductive via configured to electrically connect the inner layer circuit and the outer layer circuit through the inner layer circuit formed on the surface of the core substrate and the outer layer circuit formed on the surface of the insulating layer and the insulating layer.

전술한 것 외의 다른 측면, 특징, 잇점이 이하의 도면, 특허청구범위 및 발명의 상세한 설명으로부터 명확해질 것이다.Other aspects, features, and advantages other than those described above will become apparent from the following drawings, claims, and detailed description of the invention.

이하, 본 발명에 따른 전자소자 내장 인쇄회로기판 및 그 제조방법의 바람직한 실시예를 첨부도면을 참조하여 상세히 설명하기로 하며, 첨부 도면을 참조하여 설명함에 있어, 동일하거나 대응하는 구성 요소는 동일한 도면번호를 부여하고 이에 대한 중복되는 설명은 생략하기로 한다.Hereinafter, preferred embodiments of an electronic device-embedded printed circuit board and a method of manufacturing the same according to the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. In describing the accompanying drawings, the same or corresponding components are the same drawings. The numbering and duplicate description thereof will be omitted.

도 3은 본 발명의 바람직한 일 실시예에 따른 전자소자 내장 인쇄회로기판 제조방법을 나타낸 순서도이고, 도 4는 본 발명의 바람직한 일 실시예에 따른 전자소자 내장 인쇄회로기판 제조공정을 나타낸 흐름도이고, 도 5는 본 발명의 바람직한 일 실시예에 따른 반도체 소자에 금속층을 적층하는 공정을 나타낸 흐름도이다. 도 4 및 도 5를 참조하면, 코어기판(110), 내층회로(112), 캐비티(114), 테이프(116), 전자소자(120), 금속층(122), 절연층(130), 비아홀(132), 비아(133), 외층회로(134)가 도시되어 있다.3 is a flowchart illustrating a method of manufacturing an electronic device-embedded printed circuit board according to an exemplary embodiment of the present invention, and FIG. 4 is a flowchart illustrating a process of manufacturing an electronic device-embedded printed circuit board according to an exemplary embodiment of the present invention. 5 is a flowchart illustrating a process of laminating a metal layer on a semiconductor device according to an exemplary embodiment of the present invention. 4 and 5, the core substrate 110, the inner circuit 112, the cavity 114, the tape 116, the electronic device 120, the metal layer 122, the insulating layer 130, and the via hole ( 132, vias 133, and outer circuit 134 are shown.

본 실시예는, 인쇄회로기판에 내장되는 전자소자(120)의 표면에 금속층(122)을 적층하고, 이 금속층(122)에 방열용 비아홀(132)을 연결시켜 기판의 방열효율을 향상시킨 것을 특징으로 한다.In this embodiment, the metal layer 122 is laminated on the surface of the electronic device 120 embedded in the printed circuit board, and the heat dissipation via hole 132 is connected to the metal layer 122 to improve the heat dissipation efficiency of the substrate. It features.

이와 같은 전자소자 내장 인쇄회로기판을 제조하기 위해서는, 먼저, 코어기판(110)의 표면에 내층회로(112)를 형성한다. 도 4의 (a)에 도시된 것과 같이 코어기판(110)으로서 동박적층판(CCL)을 사용할 경우, 그 표면에 적층되어 있는 동박층을 노광, 현상, 에칭하는 등 선택적으로 제거하여 내층회로(112)를 형성한다(P9). 또한 코어기판(110)의 양면에 형성되는 회로패턴 간을 전기적으로 연결시키기 위해 코어기판(110)을 관통하는 IVH를 형성할 수 있다.In order to manufacture such an electronic device-embedded printed circuit board, first, an inner layer circuit 112 is formed on the surface of the core substrate 110. As shown in FIG. 4A, when the copper clad laminate (CCL) is used as the core substrate 110, the inner layer circuit 112 may be selectively removed by exposing, developing, or etching the copper foil layer stacked on the surface thereof. ) (P9). In addition, an IVH penetrating through the core substrate 110 may be formed to electrically connect the circuit patterns formed on both surfaces of the core substrate 110.

다음으로, 도 4의 (b)와 같이 코어기판(110)의 전자소자(120)가 내장될 위치를 천공하여 캐비티(114)를 형성한다. 캐비티(114)는 전자소자(120)가 내장될 공간에 해당하므로 전자소자(120)의 크기를 고려하여 그에 필요한 공간이 확보될 수 있도록 천공하는 것이 좋다. 캐비티(114) 내에 전자소자(120)를 내장하기 위해서는 캐비티(114)의 한 쪽, 즉 코어기판(110)의 일면을 폐쇄한다(P10).Next, as shown in FIG. 4B, the cavity 114 is formed by drilling a position where the electronic device 120 of the core substrate 110 is to be embedded. Since the cavity 114 corresponds to a space in which the electronic device 120 is to be embedded, it is preferable to consider the size of the electronic device 120 so that the space required for the cavity 114 may be secured. In order to embed the electronic device 120 in the cavity 114, one side of the cavity 114, that is, one surface of the core substrate 110 is closed (P10).

캐비티(114)의 폐쇄는 도 4의 (c)와 같이 코어기판(110)의 일면에 테이프(116)를 부착함으로써 간단하게 이루어질 수 있다. 캐비티(114)를 폐쇄하기 위한 테이프(116)는 이후에 절연층(130)을 빌드업하여 전자소자(120)의 위치가 고정되기 전에 임시적으로 사용되는 부재로서, 제거시 기판의 표면에 잔류물이 남지 않는 접착제가 사용된 것이 좋다. 또한 테이프(116)에 전자소자(120)를 고정시킨 후 절연층(130)을 빌드업하는 과정에서 기판에 열이 가해지기 때문에 테이프(116)의 재질은 내열성이 우수한 것이 좋다. 예를 들어 실리콘 접착제가 도포된 폴리이미드(PI) 재질의 필름으로 제작된 테이프(116)가 사용될 수 있다(P12).Closing of the cavity 114 can be made simply by attaching the tape 116 to one surface of the core substrate 110 as shown in FIG. The tape 116 for closing the cavity 114 is a member that is temporarily used before the position of the electronic device 120 is fixed by building up the insulating layer 130 afterwards. This remaining adhesive is preferably used. In addition, since the electronic device 120 is fixed to the tape 116 and heat is applied to the substrate in the process of building up the insulating layer 130, the material of the tape 116 may be excellent in heat resistance. For example, a tape 116 made of a polyimide (PI) film coated with a silicone adhesive may be used (P12).

코어기판(110)에 천공된 캐비티(114)의 일측을 폐쇄한 후에는 도 4의 (d)와 같이 전자소자(120)를 캐비티(114)에 내장한다(P20). 전자소자(120)를 캐비티(114)에 내장하기 위해 캐비티(114) 내에 전자소자(120)를 삽입하고 이를 테이프(116)에 부착하여 고정시킨다(P22). 후술하는 것과 같이 전자소자(120)의 표면에 금속층(122)을 적층하기 위해서는 금속층(122)이 적층되지 않을 부분, 즉 전자소자(120)의 전극이 형성된 면을 테이프(116)에 부착하여 고정시키는 것이 좋다.After closing one side of the cavity 114 perforated on the core substrate 110, the electronic device 120 is embedded in the cavity 114 as shown in FIG. 4 (d) (P20). In order to embed the electronic device 120 in the cavity 114, the electronic device 120 is inserted into the cavity 114 and attached to the tape 116 to fix the electronic device 120 (P22). As described later, in order to stack the metal layer 122 on the surface of the electronic device 120, a portion where the metal layer 122 is not stacked, that is, a surface on which an electrode of the electronic device 120 is formed, is attached and fixed to the tape 116. It is good to let.

캐비티(114)에 내장되는 전자소자(120)의 표면에는 금속층(122)이 적층된다. 금속층(122)은 전자소자(120)의 전기적 기능에 영향을 주지 않으면서 방열효율을 극대화하기 위해 최대한 넓은 면적에 적층되는 것이 좋으며, 따라서 전자소자(120)에서 전극이 형성된 면을 프런트 사이드(front side), 그 반대면을 백 사이드(back side)라고 할 때, 백 사이드에 금속층(122)을 적층하는 것이 좋다.The metal layer 122 is stacked on the surface of the electronic device 120 embedded in the cavity 114. The metal layer 122 may be stacked in the largest area in order to maximize the heat dissipation efficiency without affecting the electrical function of the electronic device 120. Therefore, the front surface of the surface of the electronic device 120 is formed. When the side and the opposite side are called the back side, it is good to laminate the metal layer 122 on the back side.

반도체 소자의 경우, 본 실시예에 따라 백 사이드에 금속층(122)이 적층된 전자소자(120)를 제조하기 위해서는, 도 5의 (a)에 도시된 것과 같이 웨이퍼(wafer) 상태의 반도체 소자에 대해, 도 5의 (b)와 같이 백 랩핑(back lapping) 등의 후공정을 진행한 후, 백 사이드에 도금이나 증착 등의 방법으로 금속층(122)을 적층시킨다. 금속층(122)이 적층된 웨이퍼 상태의 반도체 소자를 도 5의 (c)와 같이 다이싱(dicing)하여 본 실시예에 따른 전자소자(120)를 제조한다.In the case of the semiconductor device, in order to manufacture the electronic device 120 having the metal layer 122 stacked on the back side according to the present embodiment, the semiconductor device in the wafer state as shown in FIG. On the other hand, as shown in Fig. 5 (b) after the back lapping (back lapping) and the like after the process, the metal layer 122 is laminated on the back side by a method such as plating or vapor deposition. The semiconductor device in the wafer state in which the metal layer 122 is stacked is diced as shown in FIG. 5C to manufacture the electronic device 120 according to the present embodiment.

본 실시예에서 전자소자(120)의 백 사이드에 도금 또는 증착되는 금속층(122)은 방열효율을 높이기 위한 것이므로 열전도율이 우수한 금속을 사용하는 것이 좋으며, 반드시 한 종류의 금속만을 적층해야 하는 것은 아니며, 두 종류 이상의 금속을 다층으로 적층할 수도 있다. 예를 들어 Cr과 Au, Cr과 Cu, Ti과 Cu 등의 조합으로 다층의 금속층(122)을 적층할 수 있다.In this embodiment, the metal layer 122 to be plated or deposited on the back side of the electronic device 120 is to increase the heat dissipation efficiency, so it is preferable to use a metal having excellent thermal conductivity, and it is not necessary to stack only one type of metal. Two or more kinds of metals may be laminated in multiple layers. For example, the multilayer metal layer 122 may be stacked by using a combination of Cr and Au, Cr and Cu, Ti, and Cu.

한편, 전술한 바와 같이 웨이퍼 상태의 전자소자(120)의 백 사이드에 미리 금속층(122)을 적층한 후 캐비티(114)에 내장하는 방법 이외에, 캐비티(114)에 전자소자(120)를 내장한 후 그 표면에 금속층(122)을 적층하는 것도 가능하다.Meanwhile, as described above, in addition to the method in which the metal layer 122 is laminated on the back side of the electronic device 120 in the wafer state and then embedded in the cavity 114, the electronic device 120 is embedded in the cavity 114. After that, it is also possible to laminate the metal layer 122 on the surface.

이를 위해서는, 캐비티(114)에 전자소자(120)를 내장하여 고정시킨 후, 전자소자(120)의 위치가 개방된 마스크를 코어기판(110)에 적층한 후(P24), 마스크에 Cu 페이스트나 Ag 페이스트 등 열전도율이 우수한 금속 페이스트를 프린팅하여 전자소자(120)의 표면에 금속층(122)이 적층되도록 할 수 있다(P26). 즉, 전자소자(120)를 내장한 후, 마스크 프린팅(mask printing) 방법을 적용하여 전자소자(120)의 표면에 금속층(122)이 적층되도록 하는 것이다.To this end, after the electronic device 120 is embedded in the cavity 114 and fixed, the mask in which the position of the electronic device 120 is opened is laminated on the core substrate 110 (P24), and then the Cu paste or the like is applied to the mask. A metal paste having excellent thermal conductivity, such as Ag paste, may be printed to stack the metal layer 122 on the surface of the electronic device 120 (P26). That is, after the electronic device 120 is embedded, the metal layer 122 is laminated on the surface of the electronic device 120 by applying a mask printing method.

다음으로, 도 4의 (e)와 같이 코어기판(110)에 절연층(130)을 빌드업(build-up)하여 캐비티(114)에 내장된 전자소자(120)를 커버한다(P30). 전술한 바와 같이 코어기판(110)의 일면에는 캐비티(114)에 전자소자(120)를 고정시키기 위한 임시 부재인 테이프(116)가 부착되어 있으므로, 먼저 테이프(116)가 부착되지 않은 코어기판(110)의 타면에 절연층(130)을 빌드업하고(P32), 코어기판(110)의 일면에 부착되어 있는 테이프(116)를 제거한 후(P34), 코어기판(110)의 일면에도 절연층(130)을 빌드업한다(P36).Next, as shown in FIG. 4E, the insulating layer 130 is built up on the core substrate 110 to cover the electronic device 120 embedded in the cavity 114 (P30). As described above, since the tape 116, which is a temporary member for fixing the electronic device 120 to the cavity 114, is attached to one surface of the core substrate 110, first, the core substrate to which the tape 116 is not attached ( The insulating layer 130 is built up on the other surface of the 110 (P32), and after removing the tape 116 attached to one surface of the core substrate 110 (P34), the insulating layer on one surface of the core substrate 110 Build up (130) (P36).

전술한 바와 같이 코어기판(110)의 일면에 부착된 테이프(116)를 제거한 후, 그 표면을 별도로 처리하는 공정 없이 빌드업 공정을 진행하기 위해서는 테이프(116) 제거시 잔류물이 남지 않는 재질을 사용하는 것이 좋다.After removing the tape 116 attached to one surface of the core substrate 110 as described above, in order to proceed with the build-up process without processing the surface separately, a material that does not leave a residue when removing the tape 116 is formed. It is good to use.

이와 같이 코어기판(110)의 표면에 절연층(130)을 적층하여 캐비티(114) 내에 전자소자(120)를 내장시킨 후에는 전자소자(120)의 위치에 맞춰 절연층(130)을 관통하는 비아(133)를 형성한다(P40). 이는 전자소자(120)에서 발생된 열이 금속층(122)을 통해 외부로 방출되도록 하기 위한 것으로, 비아(133)가 전자소자(120)의 표면에 적층된 금속층(122)에 접하도록 하는 것이 좋다.As such, after the insulating layer 130 is stacked on the surface of the core substrate 110 to embed the electronic device 120 in the cavity 114, the insulating layer 130 penetrates to the position of the electronic device 120. The via 133 is formed (P40). This is to allow heat generated in the electronic device 120 to be discharged to the outside through the metal layer 122, and the via 133 may be in contact with the metal layer 122 stacked on the surface of the electronic device 120. .

금속층(122)에 접하는 방열용 비아(133)를 형성하기 위해서는, 도 4의 (f)와 같이 전자소자(120)가 내장된 위치의 절연층(130)을 레이저 드릴(Laser drill) 등으로 천공하여 비아홀(132)을 형성함으로써, 전자소자(120)의 표면에 적층된 금속층(122)을 노출시킨 후(P42), 비아홀(132) 내에 금속 등 열전도성이 우수한 재질을 충전한다(P48). 즉, 내장된 전자소자(120)의 백 사이드 쪽에 방열용 비아홀(132)을 가공하는 것이다. 비아홀(132)의 형태는 BVH(Blind via hole) 또는 IVH(Interstitial via hole) 등으로 다양하게 할 수 있다.In order to form the heat dissipation via 133 in contact with the metal layer 122, as shown in FIG. 4F, the insulating layer 130 at the position where the electronic device 120 is embedded is drilled with a laser drill or the like. By forming the via holes 132, the metal layer 122 stacked on the surface of the electronic device 120 is exposed (P42), and the via holes 132 are filled with a material having excellent thermal conductivity such as metal (P48). That is, the heat dissipation via hole 132 is processed in the back side of the embedded electronic device 120. The shape of the via hole 132 may be various, such as a blind via hole (BVH) or an interstitial via hole (IVH).

한편, 비아홀 형성과정에서 방열용 비아홀(132) 뿐만 아니라, 전자소자(120)의 전극이 위치한 부위나 내층회로(112)와 외층회로(134)의 전기적 연결이 필요한 부위에도 비아홀을 천공하여 기판의 층간 전기적 연결을 구현할 수 있다.Meanwhile, in the formation of the via hole, not only the heat dissipation via hole 132 but also the hole where the electrode of the electronic device 120 is located or the part where the electrical connection between the inner layer circuit 112 and the outer layer circuit 134 is required is formed. Interlayer electrical connections can be implemented.

비아홀(132) 내에 금속이 충전되도록 하기 위해서는 기판의 표면을 도금하는 것이 좋으며, 이 과정에서 절연층(130)의 표면에 회로패턴을 형성하는 공정을 병행할 수 있다. 즉, 절연층(130)에 비아홀(132)을 가공한 후, 도 4의 (g)와 같이 Cu 등을 전면에 도금하여 절연층(130)의 표면 및 비아홀(132)의 내부에 도금층이 적층되도록 하는 것이다(P44). 이에 따라 비아홀(132) 내에는 금속이 충전되게 되며, 절연층(130)의 표면에 적층되어 있는 도금층에는 내층회로(112)의 경우와 마찬가지로 노광, 현상, 에칭 등의 공정을 적용하여 도금층을 선택적으로 제거함으로써 도 4의 (h)와 같이 외층회로(134)를 형성할 수 있다(P46).In order to fill the via hole 132 with metal, it is preferable to plate the surface of the substrate, and in this process, a process of forming a circuit pattern on the surface of the insulating layer 130 may be performed in parallel. That is, after the via hole 132 is processed in the insulating layer 130, the plating layer is laminated on the surface of the insulating layer 130 and the inside of the via hole 132 by plating Cu and the like on the entire surface as shown in FIG. 4G. (P44). Accordingly, metal is filled in the via hole 132, and the plating layer is selectively applied to the plating layer stacked on the surface of the insulating layer 130 by applying a process such as exposure, development, and etching as in the case of the inner circuit 112. By removing it, the outer circuit 134 can be formed as shown in FIG. 4 (h) (P46).

도 6은 본 발명의 바람직한 일 실시예에 따른 전자소자 내장 인쇄회로기판을 나타낸 단면도이다. 도 6을 참조하면, 코어기판(110), 내층회로(112), 전자소자(120), 금속층(122), 절연층(130), 비아(133), 외층회로(134)가 도시되어 있다.6 is a cross-sectional view illustrating a printed circuit board having an electronic device according to an exemplary embodiment of the present invention. Referring to FIG. 6, a core substrate 110, an inner layer circuit 112, an electronic device 120, a metal layer 122, an insulating layer 130, a via 133, and an outer layer circuit 134 are illustrated.

전술한 방법에 따라 제조되는 전자소자 내장 인쇄회로기판은, 내장되는 전자소자(120)의 백 사이드에 금속층(122)을 적층하고, 이 금속층(122)에 방열을 위한 비아(133)를 연결시켜, 기판 내에서 발생된 열이 외부로 효과적으로 방출되도록 한 것이다.In the printed circuit board with the electronic device manufactured according to the above-described method, the metal layer 122 is laminated on the back side of the electronic device 120 to be embedded, and the via 133 for heat dissipation is connected to the metal layer 122. Therefore, the heat generated in the substrate is effectively released to the outside.

즉, 본 실시예에 따른 전자소자 내장 인쇄회로기판은, 코어기판(110)에 천공된 캐비티(114) 내에 전자소자(120)가 내장되며, 빌드업층의 전자소자(120)의 위치에 방열용 비아(133)가 형성되는 구조로 이루어진다.That is, in the printed circuit board with the electronic device according to the present embodiment, the electronic device 120 is embedded in the cavity 114 perforated on the core board 110 and used for heat dissipation at the position of the electronic device 120 in the buildup layer. The via 133 is formed.

내장된 전자소자(120)의 표면에는 방열이 효과적으로 이루어지도록 하기 위해 금속층(122)이 적층되는데, 이는 전술한 바와 같이 웨이퍼 상태의 전자소자(120)에 금속층(122)을 도금 또는 증착에 의해 적층한 후 다이싱하거나, 캐비티(114)에 전자소자(120)를 내장한 후 절연층(130)을 빌드업하기 전에 금속 페이스트를 마스크 프린팅함으로써 구현될 수 있다.The metal layer 122 is stacked on the surface of the embedded electronic device 120 so that heat dissipation can be effectively performed. As described above, the metal layer 122 is laminated on the electronic device 120 in a wafer state by plating or vapor deposition. After dicing, or by embedding the electronic device 120 in the cavity 114, and before the build-up of the insulating layer 130 may be implemented by mask printing the metal paste.

한편, 도 6에 도시된 것과 같이 코어기판(110)의 표면 및 빌드업층의 표면에는 각각 내층회로(112)와 외층회로(134)가 형성될 수 있으며, 회로 층간의 전기적 연결을 위해 비아가 형성될 수 있다. 이와 같이 전기적 연결을 위한 비아, 즉 도전용 비아는 전자소자(120)가 내장된 위치에 형성되는 방열용 비아(133)와 동일한 형태로 형성될 수 있으며, 따라서 방열용 비아(133)를 형성하는 과정에서 도전용 비아도 병행하여 형성할 수 있음은 전술한 바와 같다.Meanwhile, as illustrated in FIG. 6, an inner layer circuit 112 and an outer layer circuit 134 may be formed on the surface of the core substrate 110 and the surface of the build-up layer, respectively, and vias are formed for electrical connection between the circuit layers. Can be. As described above, the via for electrical connection, that is, the conductive via may be formed in the same shape as the heat dissipation via 133 formed at the position where the electronic device 120 is embedded, thus forming the heat dissipation via 133. The conductive via may also be formed in parallel in the process as described above.

전술한 실시예 외의 많은 실시예들이 본 발명의 특허청구범위 내에 존재한다.Many embodiments other than the above-described embodiments are within the scope of the claims of the present invention.

상술한 바와 같이 본 발명의 바람직한 실시예에 따르면, 인쇄회로기판에 발열이 많은 고성능 반도체 소자 등의 전자소자를 내장할 경우, 전자소자의 표면에 금속층을 적층하고 여기에 방열용 비아를 연결시킴으로써 소자 내장기판의 방열효율을 높일 수 있으며, 종래의 내장기판에 비하여 방열 효율에 중점을 두어 구조를 설계함으로써 고부가가치 내장기판에 활용될 수 있다.According to a preferred embodiment of the present invention as described above, in the case of embedding an electronic device such as a high-performance semiconductor device that generates a lot of heat in a printed circuit board, by stacking a metal layer on the surface of the electronic device and connecting a heat dissipation via thereto The heat dissipation efficiency of the embedded substrate can be increased, and by designing a structure with a focus on the heat dissipation efficiency as compared with the conventional embedded substrate, it can be utilized for high value-added embedded substrate.

Claims (12)

(a) 코어기판에 캐비티(cavity)를 천공하고, 상기 캐비티의 일면을 폐쇄하는 단계;(a) drilling a cavity in the core substrate and closing one surface of the cavity; (b) 표면에 금속층이 적층되는 전자소자를 상기 캐비티에 내장하는 단계;(b) embedding an electronic device having a metal layer on a surface thereof in the cavity; (c) 상기 코어기판에 절연층을 적층하는 단계; 및(c) stacking an insulating layer on the core substrate; And (d) 상기 절연층을 관통하여 상기 금속층에 접하는 비아(via)를 형성하는 단계를 포함하는 전자소자 내장 인쇄회로기판 제조방법.(d) forming a via penetrating the insulating layer to be in contact with the metal layer. 제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 코어기판은 표면에 동박층이 적층된 동박적층판(CCL)이며,The core substrate is a copper clad laminate (CCL) is a copper foil layer laminated on the surface, 상기 단계 (a) 이전에, 상기 동박층을 선택적으로 제거하여 내층회로를 형성하는 단계를 더 포함하는 전자소자 내장 인쇄회로기판 제조방법.Prior to the step (a), further comprising the step of selectively removing the copper foil layer to form an inner layer circuit. 제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 단계 (a)는 상기 코어기판의 일면에 테이프를 부착하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 전자소자 내장 인쇄회로기판 제조방법.The step (a) is a method of manufacturing a printed circuit board with an electronic device comprising the step of attaching a tape to one surface of the core substrate. 제3항에 있어서,The method of claim 3, 상기 테이프는 표면에 실리콘 접착제가 도포된 폴리이미드(PI) 필름을 포함하는 것을 특징으로 하는 전자소자 내장 인쇄회로기판 제조방법.The tape comprises a polyimide (PI) film coated with a silicone adhesive on the surface of the electronic device embedded printed circuit board manufacturing method. 제3항에 있어서,The method of claim 3, 상기 단계 (c)는,Step (c) is, (c1) 상기 코어기판의 타면에 상기 절연층을 적층하는 단계;(c1) stacking the insulating layer on the other surface of the core substrate; (c2) 상기 테이프를 제거하는 단계;(c2) removing the tape; (c3) 상기 코어기판의 일면에 상기 절연층을 적층하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 전자소자 내장 인쇄회로기판 제조방법.and (c3) stacking the insulating layer on one surface of the core board. 제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 단계 (b)는,Step (b) is, (b1) 상기 전자소자를 상기 캐비티 내에 삽입하여 고정시키는 단계;(b1) inserting and fixing the electronic device into the cavity; (b2) 상기 코어기판에, 상기 전자소자의 위치에 상응하는 부분이 개방된 마스크를 적층하는 단계;(b2) stacking a mask having a portion corresponding to the position of the electronic device open on the core substrate; (b3) 상기 마스크에 금속 페이스트(paste)를 프린팅하는 단계를 포함하는 것 을 특징으로 하는 전자소자 내장 인쇄회로기판 제조방법.(b3) a method of manufacturing an electronic device-embedded printed circuit board, comprising the step of printing a metal paste on the mask. 제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 전자소자는, 웨이퍼 기판의 표면에 금속층을 적층한 후, 상기 웨이퍼 기판을 다이싱(dicing)하여 제조되는 것을 특징으로 하는 전자소자 내장 인쇄회로기판 제조방법.The electronic device is a method of manufacturing an electronic device embedded printed circuit board, characterized in that the metal substrate is laminated on the surface of the wafer substrate, and then manufactured by dicing the wafer substrate. 제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 단계 (d)는,Step (d) is, (d1) 상기 전자소자가 내장된 위치에 상응하여 상기 절연층에 비아홀을 천공하여 상기 금속층을 노출시키는 단계; 및(d1) exposing the metal layer by drilling a via hole in the insulating layer corresponding to a location where the electronic device is embedded; And (d2) 상기 비아홀에 금속을 충전하는 단계를 포함하는 전자소자 내장 인쇄회로기판 제조방법.(d2) A method of manufacturing an electronic device embedded printed circuit board comprising the step of filling a metal in the via hole. 제8항에 있어서,The method of claim 8, 상기 단계 (d2)는,Step (d2), (e) 상기 절연층의 표면을 도금하여 도금층을 적층시키는 단계;(e) plating the surface of the insulating layer to stack a plating layer; (f) 상기 도금층의 일부를 선택적으로 제거하여 외층회로를 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 전자소자 내장 인쇄회로기판 제조방법.(f) selectively removing a portion of the plating layer to form an outer layer circuit. 코어기판과;A core substrate; 상기 코어기판에 천공되는 캐비티와;A cavity perforated in the core substrate; 상기 캐비티에 내장되는 전자소자와;An electronic device embedded in the cavity; 상기 전자소자의 표면에 적층되는 금속층과;A metal layer laminated on the surface of the electronic device; 상기 전자소자를 커버하도록 상기 코어기판에 적층되는 절연층과;An insulating layer laminated on the core substrate to cover the electronic device; 상기 전자소자가 내장된 위치에 상응하여 상기 절연층을 관통하여 상기 금속층에 접하는 방열용 비아를 포함하는 전자소자 내장 인쇄회로기판.And a heat dissipation via penetrating the insulating layer to contact the metal layer in correspondence with the position where the electronic device is embedded. 제10항에 있어서,The method of claim 10, 상기 코어기판의 표면에 형성되는 내층회로와, 상기 절연층의 표면에 형성되는 외층회로를 더 포함하는 전자소자 내장 인쇄회로기판.And an inner layer circuit formed on the surface of the core substrate and an outer layer circuit formed on the surface of the insulating layer. 제11항에 있어서,The method of claim 11, 상기 절연층을 관통하여 상기 내층회로와 상기 외층회로를 전기적으로 연결 하는 도전용 비아를 더 포함하는 전자소자 내장 인쇄회로기판.And a conductive via for electrically connecting the inner layer circuit and the outer layer circuit through the insulating layer.
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