KR20080025783A - Dry etching apparatus - Google Patents

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KR20080025783A KR1020060090371A KR20060090371A KR20080025783A KR 20080025783 A KR20080025783 A KR 20080025783A KR 1020060090371 A KR1020060090371 A KR 1020060090371A KR 20060090371 A KR20060090371 A KR 20060090371A KR 20080025783 A KR20080025783 A KR 20080025783A
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전재영
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엘지.필립스 엘시디 주식회사
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Abstract

A dry etching apparatus is provided to prevent the reduction of the uniformity of etching at an edge of a substrate by overlapping a baffle with an exhausting unit of a chamber. A dry etching apparatus comprises a chamber(310), first and second electrodes(320,330), a vacuum pump(340), and a baffle(350). The chamber includes lateral walls(312b) and a bottom plate(312a). The first electrode is formed apart from the lateral walls and bottom plate. The second electrode with a plate shape is formed opposite to the first electrode. The vacuum pump is connected to an exhausting unit formed at the bottom plate. The baffle, which is formed between the lateral walls and first electrode, is overlapped with the exhausting unit.

Description

건식 식각 장치{DRY ETCHING APPARATUS}Dry Etching Equipment {DRY ETCHING APPARATUS}

도 1은 본 발명의 제1 실시예에 의한 건식 식각 장치를 도시한 평면도이다.1 is a plan view showing a dry etching apparatus according to a first embodiment of the present invention.

도 2는 본 발명의 일실시예에 의한 메인 식각 챔버의 단면도이다.2 is a cross-sectional view of the main etching chamber according to an embodiment of the present invention.

도 3은 본 발명의 제2 실시예에 의한 건식 식각 장치의 배플을 도시한 단면도이다.3 is a cross-sectional view illustrating a baffle of a dry etching apparatus according to a second exemplary embodiment of the present invention.

도 4는 본 발명의 제3 실시예에 의한 건식 식각 장치의 배플을 도시한 단면도이다.4 is a cross-sectional view illustrating a baffle of a dry etching apparatus according to a third exemplary embodiment of the present invention.

도 5는 본 발명의 제4 실시예에 의한 건식 식각 장치의 배플을 도시한 단면도이다.5 is a cross-sectional view illustrating a baffle of a dry etching apparatus according to a fourth exemplary embodiment of the present invention.

도 6은 본 발명의 제5 실시예에 의한 건식 식각 장치의 배플을 도시한 단면도이다.6 is a cross-sectional view illustrating a baffle of a dry etching apparatus according to a fifth exemplary embodiment of the present invention.

본 발명은 건식 식각 장치에 관한 것이다. 보다 구체적으로, 본 발명은 식각 균일성을 향상시킨 건식 식각 장치에 관한 것이다.The present invention relates to a dry etching apparatus. More specifically, the present invention relates to a dry etching apparatus with improved etching uniformity.

최근 들어, 정보처리장치의 기술 개발뿐만 아니라 정보처리장치에서 처리된 정보를 영상으로 표시하는 표시장치의 기술 개발이 급속히 이루어지고 있다.Recently, not only the technology development of the information processing apparatus but also the technology development of the display apparatus which displays the information processed by the information processing apparatus as an image is rapidly made.

대표적인 표시장치인 평판 표시장치의 종류는 액정표시장치, 유기광발생장치, 평판표시장치 등이 있다.Typical types of flat panel display devices include liquid crystal displays, organic light emitting devices, and flat panel displays.

이들 평판 표시장치는 공통적으로 영상을 표시하는 표시패널 내부에 박막 트랜지스터 들을 포함하고 있다.These flat panel displays commonly include thin film transistors inside a display panel for displaying an image.

박막 트랜지스터는 게이트 전극, 게이트 전극을 덮는 게이트 절연막, 게이트 전극과 대응하는 게이트 절연막 상에 배치된 반도체 패턴 및 반도체 패턴에 전기적으로 연결된 소오스 전극 및 드레인 전극을 포함한다.The thin film transistor includes a gate electrode, a gate insulating layer covering the gate electrode, a semiconductor pattern disposed on the gate insulating layer corresponding to the gate electrode, and a source electrode and a drain electrode electrically connected to the semiconductor pattern.

이들 박막 트랜지스터를 제조하기 위해서는 게이트 전극, 반도체 패턴, 소오스/드레인 전극을 형성하기 위한 박막을 증착하는 증착 설비, 박막을 패터닝 하는 식각 장치 등을 필요로 한다. 특히, 박막을 패터닝 하는 식각 장치의 예로서는 플라즈마를 이용하는 건식 식각 장치 및/또는 에천트를 이용하는 습식 식각 장치를 들 수 있다.In order to manufacture these thin film transistors, a deposition apparatus for depositing a thin film for forming a gate electrode, a semiconductor pattern, a source / drain electrode, an etching apparatus for patterning the thin film, and the like are required. In particular, examples of the etching apparatus for patterning the thin film include a dry etching apparatus using plasma and / or a wet etching apparatus using etchant.

이들 중 종래 건식 식각 장치는 건식 식각 공정을 진행하기 위한 챔버, 챔버 내부에 플라즈마를 발생하기 위한 전계를 형성하는 전극들, 챔버 내부로 소스 가스를 제공하는 소스 가스 공급 유닛 및 미반응 가스와 잔류 가스를 제거하기 위한 배기구를 포함한다.Among them, the conventional dry etching apparatus includes a chamber for performing a dry etching process, electrodes for forming an electric field for generating plasma in the chamber, a source gas supply unit for providing a source gas into the chamber, and an unreacted gas and a residual gas. It includes an exhaust for removing.

그러나, 종래 건식 식각 장치는 배기구 부분에서의 미반응 가스, 잔류 가스의 흐름 및 배기구 이외 부분에서의 미반응 가스, 잔류 가스의 흐름이 서로 달라 건식 식각 공정이 수행되는 박막의 식각 균일성이 크게 감소 되는 문제점을 갖는 다.However, in the conventional dry etching apparatus, the etching uniformity of the thin film on which the dry etching process is performed is greatly reduced because the flow of unreacted gas, residual gas in the exhaust port, and the flow of unreacted gas and residual gas in the portion other than the exhaust port is different. Have problems.

따라서, 본 발명의 하나의 목적은 박막의 식각 균일성을 향상시킨 건식 식각 장치를 제공함에 있다.Accordingly, one object of the present invention is to provide a dry etching apparatus that improves the etching uniformity of a thin film.

본 발명의 하나의 목적을 구현하기 위한 건식 식각 장치는 측벽들 및 바닥판을 갖는 챔버, 챔버의 바닥판 및 측벽들로부터 이격된 제1 전극, 제1 전극과 마주보는 플레이트 형상의 제2 전극, 바닥판에 형성된 배기구에 연결된 진공 펌프 및 측벽 및 제1 전극 사이에 개재되며, 배기구와 중첩되는 배플(baffle)을 포함한다.A dry etching apparatus for realizing one object of the present invention includes a chamber having sidewalls and a bottom plate, a first electrode spaced apart from the bottom plate and sidewalls of the chamber, a second electrode in a plate shape facing the first electrode, And a baffle interposed between the vacuum pump and the side wall and the first electrode connected to the exhaust port formed in the bottom plate, and overlapping the exhaust port.

이하, 첨부된 도면들을 참조하여 본 발명의 실시예들에 따른 건식 식각 장치 에 대하여 상세하게 설명하지만, 본 발명이 하기의 실시예들에 제한되는 것은 아니며, 해당 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양한 다른 형태로 구현할 수 있을 것이다.Hereinafter, a dry etching apparatus according to embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. However, the present invention is not limited to the following embodiments, and those skilled in the art will appreciate The present invention may be embodied in various other forms without departing from the spirit of the invention.

실시예Example 1 One

도 1은 본 발명의 제1 실시예에 의한 건식 식각 장치를 도시한 평면도이다.1 is a plan view showing a dry etching apparatus according to a first embodiment of the present invention.

도 1을 참조하면, 건식 식각 장치는 로드락 챔버(100), 트랜스퍼 챔버(200) 및 메인 식각 챔버(300)를 포함한다.Referring to FIG. 1, the dry etching apparatus includes a load lock chamber 100, a transfer chamber 200, and a main etching chamber 300.

본 실시예에서, 로드락 챔버(100)에는 트랜스퍼 챔버(200)가 연결되고, 트랜스퍼 챔버(200)에는 메인 식각 챔버(300)가 연결되어 있다. 로드락 챔버(100), 트 랜스퍼 챔버(200) 및 메인 식각 챔버(300)는 인-시튜 방식으로 연결되는 것이 바람직하다.In the present embodiment, the transfer chamber 200 is connected to the load lock chamber 100, and the main etching chamber 300 is connected to the transfer chamber 200. The load lock chamber 100, the transfer chamber 200 and the main etching chamber 300 are preferably connected in-situ.

로드락 챔버(100)는 선행 공정, 예를 들면, 기판(미도시) 상에 박막을 형성하는 박막 형성 공정 및 박막 상에 포토레지스트 패턴을 형성하는 포토레지스트 패턴 형성 공정이 종료된 기판이 임시적으로 수납된다.In the load lock chamber 100, a substrate in which a preceding process, for example, a thin film forming process of forming a thin film on a substrate (not shown) and a photoresist pattern forming process of forming a photoresist pattern on the thin film is finished, is temporarily It is stored.

트랜스퍼 챔버(200)는 로드락 챔버(100)에 수납된 기판을 메인 식각 챔버(300)로 전송 및 메인 식각 챔버(300)의 기판을 로드락 챔버(100)로 전송한다. 본 실시예에서, 트랜스퍼 챔버(200)에는 기판을 전송하기 위한 로봇 암을 포함할 수 있다.The transfer chamber 200 transmits the substrate accommodated in the load lock chamber 100 to the main etching chamber 300 and transmits the substrate of the main etching chamber 300 to the load lock chamber 100. In the present embodiment, the transfer chamber 200 may include a robot arm for transferring the substrate.

도 2는 본 발명의 일실시예에 의한 메인 식각 챔버의 단면도이다.2 is a cross-sectional view of the main etching chamber according to an embodiment of the present invention.

도 2를 참조하면, 메인 식각 챔버(300)는 챔버(310), 제1 전극(320), 제2 전극(330), 진공펌프(340) 및 배플(baffle;350)을 포함한다.Referring to FIG. 2, the main etching chamber 300 includes a chamber 310, a first electrode 320, a second electrode 330, a vacuum pump 340, and a baffle 350.

챔버(310)는 상부 챔버(312) 및 하부 챔버(314)를 포함한다.Chamber 310 includes an upper chamber 312 and a lower chamber 314.

상부 챔버(312)는, 예를 들어, 하부면이 개구된 사각 박스 형상을 갖는다. 따라서, 상부 챔버(312)는 바닥 플레이트(312a) 및 4 개의 측벽(312b)들을 갖는다.The upper chamber 312 has, for example, a rectangular box shape with an open lower surface. Thus, the upper chamber 312 has a bottom plate 312a and four side walls 312b.

하부 챔버(314)는 상부면이 개구된 사각 박스 형상을 갖는다. 하부 챔버(314)는 바닥 플레이트(314a) 및 4개의 측벽(314b)들을 갖는다. 상부 챔버(312)의 개구 및 하부 챔버(314)는 개구가 마주하도록 어셈블리되어 챔버(310) 내부에는 건식 식각 공정을 수행하기에 적합한 공간이 형성된다.The lower chamber 314 has a rectangular box shape with an open upper surface. The lower chamber 314 has a bottom plate 314a and four side walls 314b. The opening of the upper chamber 312 and the lower chamber 314 are assembled such that the openings face each other to form a space suitable for performing a dry etching process inside the chamber 310.

제1 전극(320)은, 예를 들어, 하부 챔버(314)의 바닥 플레이트(341a) 근처에 배치된다. 본 실시예에서, 제1 전극(320)은, 박막 증착 공정 및 포토레지스트 패턴 형성 공정과 같은 선행 공정이 종료된 기판(1)이 배치된다.The first electrode 320 is disposed, for example, near the bottom plate 341a of the lower chamber 314. In the present embodiment, the first electrode 320 is disposed on the substrate 1 on which the preceding processes such as the thin film deposition process and the photoresist pattern forming process are completed.

제1 전극(320)의 측면은 하부 챔버(314)의 바닥 플레이트(314a)에 연결된 측벽(314b)과 소정 간격 이격 되어 배치된다. 본 실시예에서, 제1 전극(320)의 측면 및 하부 챔버(314)의 측벽(314b)들 사이에 형성된 공간은 미반응 가스 및 잔류 가스가 배출되기 위한 통로 역할을 한다.Side surfaces of the first electrode 320 are spaced apart from the side wall 314b connected to the bottom plate 314a of the lower chamber 314. In the present embodiment, the space formed between the side of the first electrode 320 and the sidewalls 314b of the lower chamber 314 serves as a passage for discharging unreacted gas and residual gas.

본 실시예에서, 제1 전극(320)에는 챔버(310) 내부에서 플라즈마를 형성하기위한 전원, 예를 들면, 직류 전원, 교류 전원 및 고주파 전원 등이 인가된다.In the present embodiment, a power source for forming plasma in the chamber 310 is applied to the first electrode 320, for example, a DC power source, an AC power source, and a high frequency power source.

한편, 기판(1)은 제1 전극(320) 상에 진공 흡착 또는 정전기에 의하여 고정된다. 이에 더하여, 제1 전극(320)의 표면은 플라즈마에 의하여 손상받지 않도록 식각 방지층(미도시)이 형성된다.Meanwhile, the substrate 1 is fixed on the first electrode 320 by vacuum adsorption or static electricity. In addition, an etch stop layer (not shown) is formed on the surface of the first electrode 320 so as not to be damaged by the plasma.

한편, 제1 전극(320)의 하부면에는 제1 전극(320) 및 후술 될 제2 전극(330)의 사이 간격을 조절하기 위한 간격 조절 장치(325)가 설치된다. 간격 조절 장치(325)는 제1 전극(320) 및 제2 전극(330) 사이의 간격을 조절하여 플라즈마의 강도(intensity)를 조절한다.On the other hand, the lower surface of the first electrode 320 is provided with a gap adjusting device 325 for adjusting the gap between the first electrode 320 and the second electrode 330 to be described later. The gap adjusting device 325 controls the intensity of the plasma by adjusting the gap between the first electrode 320 and the second electrode 330.

제2 전극(330)은 제1 전극(320)과 마주하며, 예를 들어, 상부 챔버(312)의 바닥면(313) 상에 배치된다. 본 실시예에서, 제2 전극(320)은 건식 식각 공정에 필요한 소스 가스를 챔버(310) 내부로 제공 및 플라즈마를 형성하기에 적합한 직류 전원, 교류 전원 및 고주파 전원 등과 같은 전원이 제공된다.The second electrode 330 faces the first electrode 320 and is disposed on the bottom surface 313 of the upper chamber 312, for example. In the present embodiment, the second electrode 320 is provided with a power source such as a direct current power source, an alternating current power source and a high frequency power source suitable for providing a source gas necessary for the dry etching process into the chamber 310 and forming a plasma.

한편, 챔버(310)의 하부 챔버(314)의 바닥 플레이트(314a)에는 제2 전 극(330)을 통해 챔버(310) 내부로 제공된 소스 가스 중 미반응 가스 및 잔류 가스를 배기하기 위한 배기구(316)가 형성된다. 본 실시예에서, 배기구(316)는 바닥 플레이트(314a)의 코너 부분에 형성될 수 있다. 예를 들어, 배기구(316)는, 평면상에서 보았을 때, 바닥 플레레이트(314a)의 코너마다 형성된다.On the other hand, the bottom plate 314a of the lower chamber 314 of the chamber 310 has an exhaust port for exhausting unreacted gas and residual gas among the source gases provided into the chamber 310 through the second electrode 330. 316 is formed. In the present embodiment, the exhaust port 316 may be formed in the corner portion of the bottom plate 314a. For example, the exhaust port 316 is formed for each corner of the bottom plate 314a in plan view.

각 배기구(316)에는 챔버(310)의 내부를 대기압보다 낮은 진공을 형성하기 위한 진공펌프(340)가 연결된다. 진공펌프(340)는 챔버 내부로 제공된 소스 가스 중 미반응 가스 및 잔류 가스를 하부 챔버(314) 및 제1 전극(320)의 측면 사이를 통해 배기구(316)로 배기시킨다.Each exhaust port 316 is connected to a vacuum pump 340 for forming a vacuum lower than atmospheric pressure inside the chamber 310. The vacuum pump 340 exhausts the unreacted gas and the remaining gas in the source gas provided into the chamber to the exhaust port 316 through the side of the lower chamber 314 and the first electrode 320.

배플(350)은 제1 전극(320) 및 하부 챔버(314)의 내측면 사이에 개재된다. 배플(350)은, 예를 들어, 배기구(316)와 중첩되는 위치에 형성된다. 배플(350)은 배기구(316)와 중첩되어 미반응 가스 및 잔류 가스의 배기 경로를 증가시켜 기판(1)에 형성된 박막의 식각 균일성을 크게 향상시킨다.The baffle 350 is interposed between the first electrode 320 and the inner side surface of the lower chamber 314. The baffle 350 is formed at a position overlapping with the exhaust port 316, for example. The baffle 350 overlaps the exhaust port 316 to increase the exhaust paths of the unreacted gas and the residual gas, thereby greatly improving the etching uniformity of the thin film formed on the substrate 1.

실시예Example 2 2

도 3은 본 발명의 제2 실시예에 의한 건식 식각 장치의 배플을 도시한 단면도이다. 본 발명의 제2 실시예에 의한 건식 식각 장치는 배플의 형상을 제외하면 앞서 설명한 제1 실시예에 의한 건식 식각 장치와 실질적으로 동일하다. 따라서, 실질적으로 동일한 구성 요소에 대한 중복된 설명은 생략하기로 하며, 동일한 구성 요소에 대해서는 동일한 명칭 및 참조부호를 부여하기로 한다.3 is a cross-sectional view illustrating a baffle of a dry etching apparatus according to a second exemplary embodiment of the present invention. The dry etching apparatus according to the second embodiment of the present invention is substantially the same as the dry etching apparatus according to the first embodiment described above except for the shape of the baffle. Therefore, duplicate descriptions of substantially the same components will be omitted, and the same components and the same reference numerals will be given.

도 3을 참조하면, 건식 식각 장치(300)의 하부 챔버(314)에 형성된 배 플(352)은 하부 챔버(314)의 바닥면(314a)에 형성된 배기구(316)와 중첩된다. 본 실시예에서, 배기구(316) 및 배플(352)은 상호 소정 간격 이격 된다.Referring to FIG. 3, the baffle 352 formed in the lower chamber 314 of the dry etching apparatus 300 overlaps the exhaust port 316 formed in the bottom surface 314a of the lower chamber 314. In this embodiment, the exhaust port 316 and the baffle 352 are spaced apart from each other by a predetermined interval.

배플(352)은 하부 챔버(314)의 인접한 한 쌍의 측벽(314b)들에 형성된다. 본 실시예에서, 배플(352)은, 평면상에서 보았을 때, 삼각 플레이트 형상을 갖고, 따라서 배플(352)은 3 개의 측면들을 갖고, 배플(352)의 3 개의 측면들 중 2 개의 측면들은 인접한 한 쌍의 측벽(314)들에 결합 된다.The baffle 352 is formed on the adjacent pair of sidewalls 314b of the lower chamber 314. In this embodiment, the baffle 352 has a triangular plate shape when viewed in plan, so the baffle 352 has three sides, and two of the three sides of the baffle 352 are adjacent to each other. Coupled to the pair of sidewalls 314.

본 실시예에서, 배기구(316)와 중첩된 배플(352)은 챔버(310) 내부의 미반응 가스 및 잔류 가스가 배기구(316)로 직접 유입되는 것을 방지하여 기판(1) 중 배기구(316)와 인접한 부분, 예를 들면, 기판(1)의 모서리 부분에서의 박막의 식각 균일성을 향상시키는 역할을 한다.In the present embodiment, the baffle 352 overlapping the exhaust port 316 prevents unreacted gas and residual gas from flowing directly into the exhaust port 316 inside the chamber 310, thereby exhausting the exhaust port 316 of the substrate 1. It serves to improve the etching uniformity of the thin film at the portion adjacent to, for example, the edge portion of the substrate 1.

실시예Example 3 3

도 4는 본 발명의 제3 실시예에 의한 건식 식각 장치의 배플을 도시한 단면도이다. 본 발명의 제3 실시예에 의한 건식 식각 장치는 배플의 형상을 제외하면 앞서 설명한 제1 실시예에 의한 건식 식각 장치와 실질적으로 동일하다. 따라서, 실질적으로 동일한 구성 요소에 대한 중복된 설명은 생략하기로 하며, 동일한 구성 요소에 대해서는 동일한 명칭 및 참조부호를 부여하기로 한다.4 is a cross-sectional view illustrating a baffle of a dry etching apparatus according to a third exemplary embodiment of the present invention. The dry etching apparatus according to the third embodiment of the present invention is substantially the same as the dry etching apparatus according to the first embodiment described above except for the shape of the baffle. Therefore, duplicate descriptions of substantially the same components will be omitted, and the same components and the same reference numerals will be given.

도 4를 참조하면, 건식 식각 장치(300)의 하부 챔버(314)에 형성된 배플(354)은 하부 챔버(314)의 바닥면(314a)에 형성된 배기구(316)와 중첩된다. 본 실시예에서, 배기구(316) 및 배플(354)은 상호 소정 간격 이격 된다.Referring to FIG. 4, the baffle 354 formed in the lower chamber 314 of the dry etching apparatus 300 overlaps the exhaust port 316 formed in the bottom surface 314a of the lower chamber 314. In this embodiment, the exhaust port 316 and the baffle 354 are spaced apart from each other by a predetermined interval.

배플(354)은 하부 챔버(314)의 인접한 한 쌍의 측벽(314b)들에 형성된다. 본 실시예에서, 배플(354)은, 평면상에서 보았을 때, 삼각 플레이트 형상을 갖고, 따라서 배플(354)은 3 개의 측면들을 갖고, 배플(354)의 3 개의 측면들 중 2 개의 측면들은 인접한 한 쌍의 측벽(314)들에 결합되고, 나머지 하나의 측면(354a)는 제1 전극(320)의 측면과 마주한다. 이때, 배플(354) 중 제1 전극(320)의 측면과 마주하는 측면(354a)은, 평면상에서 보았을 때, 적어도 한번 절곡된 형상을 갖고, 배플(354)의 측면(354a)의 절곡된 각도는 둔각인 것이 바람직하다.The baffle 354 is formed in the adjacent pair of sidewalls 314b of the lower chamber 314. In this embodiment, the baffle 354 has a triangular plate shape when viewed in plan, so that the baffle 354 has three sides, and two of the three sides of the baffle 354 are adjacent to each other. Coupled to the pair of sidewalls 314, the other side 354a faces the side of the first electrode 320. At this time, the side surface 354a of the baffle 354 facing the side surface of the first electrode 320 has a shape which is bent at least once when viewed in plan view, and the bent angle of the side surface 354a of the baffle 354. Is preferably an obtuse angle.

본 실시예에서, 배기구(316)와 중첩된 배플(354)은 챔버(310) 내부의 미반응 가스 및 잔류 가스가 배기구(316)로 직접 유입되는 것을 방지하여 기판(1) 중 배기구(316)와 인접한 부분, 예를 들면, 기판(1)의 모서리 부분에서의 박막의 식각 균일성을 향상시키는 역할을 한다.In the present embodiment, the baffle 354 overlapping the exhaust port 316 prevents unreacted gas and residual gas from flowing directly into the exhaust port 316 inside the chamber 310, thereby exhausting the exhaust port 316 of the substrate 1. It serves to improve the etching uniformity of the thin film at the portion adjacent to, for example, the edge portion of the substrate 1.

실시예Example 4 4

도 5는 본 발명의 제4 실시예에 의한 건식 식각 장치의 배플을 도시한 단면도이다. 본 발명의 제4 실시예에 의한 건식 식각 장치는 배플의 형상을 제외하면 앞서 설명한 제1 실시예에 의한 건식 식각 장치와 실질적으로 동일하다. 따라서, 실질적으로 동일한 구성 요소에 대한 중복된 설명은 생략하기로 하며, 동일한 구성 요소에 대해서는 동일한 명칭 및 참조부호를 부여하기로 한다.5 is a cross-sectional view illustrating a baffle of a dry etching apparatus according to a fourth exemplary embodiment of the present invention. The dry etching apparatus according to the fourth embodiment of the present invention is substantially the same as the dry etching apparatus according to the first embodiment described above except for the shape of the baffle. Therefore, duplicate descriptions of substantially the same components will be omitted, and the same components and the same reference numerals will be given.

도 5를 참조하면, 건식 식각 장치(300)의 하부 챔버(314)에 형성된 배플(356)은 하부 챔버(314)의 바닥면(314a)에 형성된 배기구(316)와 중첩된다. 본 실시예에서, 배기구(316) 및 배플(356)은 상호 소정 간격 이격 된다.Referring to FIG. 5, the baffle 356 formed in the lower chamber 314 of the dry etching apparatus 300 overlaps the exhaust port 316 formed in the bottom surface 314a of the lower chamber 314. In this embodiment, the exhaust port 316 and the baffle 356 are spaced apart from each other by a predetermined interval.

배플(356)은 하부 챔버(314)의 인접한 한 쌍의 측벽(314b)들에 형성된다. 본 실시예에서, 배플(356)은, 평면상에서 보았을 때, 하부 챔버(314)의 인접한 한 쌍의 측벽(314b)들 및 한 쌍의 측벽(314b)들과 마주하는 제1 전극(320)의 한 쌍의 인접한 측면들 사이에 개재된 'L' 자 형상으로 형성된다.The baffle 356 is formed on the adjacent pair of sidewalls 314b of the lower chamber 314. In the present embodiment, the baffle 356, when viewed in plan, of the first electrode 320 facing the adjacent pair of sidewalls 314b and the pair of sidewalls 314b of the lower chamber 314. It is formed in an 'L' shape interposed between a pair of adjacent sides.

본 실시예에서, 배기구(316)와 중첩된 배플(356)은 챔버(310) 내부의 미반응 가스 및 잔류 가스가 배기구(316)로 직접 유입되는 것을 방지하여 기판(1) 중 배기구(316)와 인접한 부분, 예를 들면, 기판(1)의 모서리 부분에서의 박막의 식각 균일성을 향상시키는 역할을 한다.In the present embodiment, the baffle 356 overlapping the exhaust port 316 prevents unreacted gas and residual gas from flowing directly into the exhaust port 316 inside the chamber 310, thereby exhausting the exhaust port 316 of the substrate 1. It serves to improve the etching uniformity of the thin film at the portion adjacent to, for example, the edge portion of the substrate 1.

실시예Example 5 5

도 6은 본 발명의 제5 실시예에 의한 건식 식각 장치의 배플을 도시한 단면도이다. 본 발명의 제5 실시예에 의한 건식 식각 장치는 배플의 형상을 제외하면 앞서 설명한 제1 실시예에 의한 건식 식각 장치와 실질적으로 동일하다. 따라서, 실질적으로 동일한 구성 요소에 대한 중복된 설명은 생략하기로 하며, 동일한 구성 요소에 대해서는 동일한 명칭 및 참조부호를 부여하기로 한다.6 is a cross-sectional view illustrating a baffle of a dry etching apparatus according to a fifth exemplary embodiment of the present invention. The dry etching apparatus according to the fifth embodiment of the present invention is substantially the same as the dry etching apparatus according to the first embodiment described above except for the shape of the baffle. Therefore, duplicate descriptions of substantially the same components will be omitted, and the same components and the same reference numerals will be given.

도 6을 참조하면, 건식 식각 장치(300)의 하부 챔버(314)에 형성된 배플(352)은 하부 챔버(314)의 바닥면(314a)에 형성된 배기구(316)와 중첩된다. 본 실시예에서, 배기구(316) 및 배플(352)은 상호 소정 간격 이격 된다.Referring to FIG. 6, the baffle 352 formed in the lower chamber 314 of the dry etching apparatus 300 overlaps the exhaust port 316 formed in the bottom surface 314a of the lower chamber 314. In this embodiment, the exhaust port 316 and the baffle 352 are spaced apart from each other by a predetermined interval.

배플(352)은 하부 챔버(314)의 인접한 한 쌍의 측벽(314b)들에 형성된다. 본 실시예에서, 배플(352)은, 평면상에서 보았을 때, 삼각 플레이트 형상을 갖고, 따라서 배플(352)은 3 개의 측면들을 갖고, 배플(352)의 3 개의 측면들 중 2 개의 측면들은 인접한 한 쌍의 측벽(314)들에 결합 된다.The baffle 352 is formed on the adjacent pair of sidewalls 314b of the lower chamber 314. In this embodiment, the baffle 352 has a triangular plate shape when viewed in plan, so the baffle 352 has three sides, and two of the three sides of the baffle 352 are adjacent to each other. Coupled to the pair of sidewalls 314.

한편, 배플(352)에는 복수개의 소공(352a)들이 형성될 수 있다. 본 실시예에서, 소공(352a)들은 배플(352)을 통해 미반응 가스 및 잔류가스의 일부가 통과되도록 한다. 이때, 배기구(316)와 대응하는 부분에는 소공(352a)이 형성되지 않고, 배기구(316)의 주변에 소공(352a)을 형성하는 것이 바람직하다.Meanwhile, a plurality of small holes 352a may be formed in the baffle 352. In this embodiment, the pores 352a allow some of the unreacted gas and residual gas to pass through the baffle 352. At this time, the small hole 352a is not formed in the portion corresponding to the exhaust port 316, and the small hole 352a is preferably formed around the exhaust port 316.

본 실시예에서, 배기구(316)와 중첩되며 다수개의 소공(352a)을 갖는 배플(352)은 챔버(310) 내부의 미반응 가스 및 잔류 가스가 배기구(316)로 직접 유입되는 것을 방지하여 기판(1) 중 배기구(316)와 인접한 부분, 예를 들면, 기판(1)의 모서리 부분에서의 박막의 식각 균일성을 향상시키는 역할을 한다.In this embodiment, the baffle 352 overlapping the exhaust port 316 and having a plurality of small holes 352a prevents unreacted gas and residual gas from directly flowing into the exhaust port 316 inside the chamber 310. It serves to improve the etching uniformity of the thin film in the portion adjacent to the exhaust port 316, for example, the edge portion of the substrate (1).

이상에서 상세하게 설명한 바에 의하면, 배플을 챔버의 배기구와 중첩되도록 배치하여 배기구로 배출되는 잔류 가스 및 미반응 가스의 분포를 균일하게 하여 기판에 형성된 박막의 모서리 부분에서 식각 균일성이 저하되는 것을 방지하는 효과를 갖는다.As described in detail above, the baffle is disposed to overlap the exhaust port of the chamber to uniformly distribute the residual gas and the unreacted gas discharged to the exhaust port, thereby preventing the etching uniformity from deteriorating at the corners of the thin film formed on the substrate. Has the effect.

앞서 설명한 본 발명의 상세한 설명에서는 본 발명의 실시예들을 참조하여 설명하였지만, 해당 기술분야의 숙련된 당업자 또는 해당 기술분야에 통상의 지식을 갖는 자라면 후술될 특허청구범위에 기재된 본 발명의 사상 및 기술 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이 해할 수 있을 것이다.Although the detailed description of the present invention has been described with reference to the embodiments of the present invention, those skilled in the art or those skilled in the art will have the spirit and scope of the present invention as set forth in the claims below. It will be understood that various modifications and variations can be made in the present invention without departing from the scope of the art.

Claims (7)

측벽들 및 바닥판을 갖는 챔버;A chamber having sidewalls and a bottom plate; 상기 챔버의 상기 바닥판 및 상기 측벽들로부터 이격된 제1 전극;A first electrode spaced apart from the bottom plate and the sidewalls of the chamber; 상기 제1 전극과 마주보는 플레이트 형상의 제2 전극;A plate-shaped second electrode facing the first electrode; 상기 바닥판에 형성된 배기구에 연결된 진공 펌프; 및A vacuum pump connected to an exhaust port formed in the bottom plate; And 상기 측벽 및 상기 제1 전극 사이에 개재되며, 상기 배기구와 중첩되는 배플(baffle)을 포함하는 것을 특징으로 하는 건식 식각 장치.And a baffle interposed between the sidewall and the first electrode and overlapping the exhaust port. 제1항에 있어서, 상기 배기구는 상기 바닥판의 모서리에 배치된 것을 특징으로 하는 건식 식각 장치.The dry etching apparatus of claim 1, wherein the exhaust port is disposed at an edge of the bottom plate. 제2항에 있어서, 상기 배플은 상기 배기구와 대응하여 상기 챔버의 인접한 상기 측벽들의 모서리에 배치된 것을 특징으로 하는 건식 식각 장치.The dry etching apparatus of claim 2, wherein the baffle is disposed at an edge of the adjacent sidewalls of the chamber to correspond to the exhaust port. 제3항에 있어서, 상기 배플은 삼각 플레이트 형상을 갖는 것을 특징으로 하는 건식 식각 장치.The dry etching apparatus of claim 3, wherein the baffle has a triangular plate shape. 제4항에 있어서, 상기 제1 전극과 접촉하는 상기 배플의 측면은, 평면상에서 보았을 때, 절곡된 형상을 갖는 것을 특징으로 하는 건식 식각 장치.The dry etching apparatus of claim 4, wherein a side surface of the baffle contacting the first electrode has a bent shape when viewed in a plan view. 제2항에 있어서, 상기 배플은 인접한 한 쌍의 상기 측벽들 및 상기 제1 전극의 측면들에 연결되는 L자 형상을 갖는 것을 특징으로 하는 건식 식각 장치.The dry etching apparatus of claim 2, wherein the baffle has an L shape connected to adjacent pairs of the sidewalls and side surfaces of the first electrode. 제1항에 있어서, 상기 배플은 플레이트 형상을 갖고 상기 배플을 관통하는 복수개의 소공들을 갖는 것을 특징으로 하는 건식 식각 장치.The dry etching apparatus of claim 1, wherein the baffle has a plate shape and has a plurality of pores penetrating the baffle.
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