KR20010044058A - Ashing apparatus for processing glass substrate or waper - Google Patents
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Abstract
Description
본 발명은 반도체 제조 장비에 관한 것으로, 특히 유리기판 또는 웨이퍼 처리용 에슁장치에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to semiconductor manufacturing equipment, and more particularly, to an apparatus for processing a glass substrate or a wafer.
반도체 제조공정 중의 웨이퍼 표면 또는 액정표시장치 제조공정 중의 유리기판 표면에는 기능성 박막의 패턴 형성을 위하여 포토레지스트가 도포되는데, 현상 공정에 의해 박막의 패턴이 형성된 후 웨이퍼 또는 유리기판 표면 위에 잔류하는 포토레지스트는 에슁공정에 의해 제거된다.A photoresist is applied to the surface of the wafer during the semiconductor manufacturing process or the glass substrate during the manufacturing process of the liquid crystal display to form a pattern of the functional thin film. The photoresist remaining on the surface of the wafer or the glass substrate after the pattern of the thin film is formed by the developing process. Is removed by an etch process.
근래에는 포토레지스트의 에칭 부분에 플라즈마를 조사하여 회화(灰化)하고 그것을 가스화하여 챔버 외부로 배출시키는 플라즈마 에슁장치 등이 사용되고 있는 바, 이러한 장치로는 비가공부를 손상, 오염하는 일 없이 청결가공이 가능하고, 세정을 간소화할 수 있으며 주위의 청소도 용이하다. 따라서 최근에는 능동행렬 표시용 기판의 가공을 위시하여 서서히 도입이 넓게 진행되고 있다.In recent years, plasma etching apparatuses that irradiate plasma on an etching portion of a photoresist, incinerate it, gasify it, and discharge it out of the chamber have been used. With such a device, clean processing is performed without damaging or contaminating the unprocessed part. This can be done, the cleaning can be simplified and the surroundings are easy to clean. In recent years, the introduction of the active matrix display substrate has been gradually progressing widely.
도 1은 종래의 액정표시소자용 유리기판의 에슁장치를 개략적으로 도시한 도면이고, 도 2는 도 1의 Ⅰ-Ⅰ선에 따른 단면도이다.FIG. 1 is a view schematically showing an edge device of a conventional glass substrate for a liquid crystal display device, and FIG. 2 is a cross-sectional view taken along the line I-I of FIG.
종래의 액정표시소자용 유리기판의 에슁장치는 내부에 복수의 에슁챔버(10)와 각 챔버(10) 사이에 유리기판(13)를 이송시키기 위한 이송기구(도시하지 않음)가 설치된다. 또한, 각 챔버(10) 사이 평면상에는 버퍼챔버(15)가 배설된다. 에슁챔버(10) 내에는 유리기판(13)이 안착되고 후술하는 상부전극과 함께 전계를 형성하기 위한 하부전극(17)이 설치되는 데, 챔버(10)의 일측에 형성된 인입구를 통해 이송기구에 의해 유리기판(13)이 하부전극(17)에 안착된다.In the conventional apparatus for glass substrates for liquid crystal display devices, a transfer mechanism (not shown) for transferring the glass substrates 13 between the plurality of edge chambers 10 and the respective chambers 10 is provided therein. Moreover, the buffer chamber 15 is arrange | positioned on the plane between each chamber 10. In the etchant chamber 10, a glass substrate 13 is mounted, and a lower electrode 17 is formed to form an electric field together with an upper electrode which will be described later. The inlet is formed at one side of the chamber 10 to the transfer mechanism. As a result, the glass substrate 13 is seated on the lower electrode 17.
도 1에서 화살표 방향은 버퍼챔버(15)를 거쳐 각 에슁챔버(10)로 인입되는 유리기판(13)의 인입방향을 나타낸다.In FIG. 1, the arrow direction indicates the direction in which the glass substrates 13 enter the respective chambers 10 through the buffer chamber 15.
종래의 에슁장치를 이용하여 유리기판(13) 표면에 도포된 프토레지스트(11)가 제거되는 에슁공정을 알아본다.The etching process for removing the protoresist 11 applied to the surface of the glass substrate 13 using the conventional etching apparatus will be described.
먼저, 표면에 포토레지스트(11)가 도포된 유리기판(13)은 트랜스암 등의 이송기구(도시하지 않음)에 의해 에슁공정을 진행하기 위하여 에슁챔버(10) 내로 인입되며, 하부전극(17)에 안착된다.First, the glass substrate 13 having the photoresist 11 coated on the surface is introduced into the etchant chamber 10 to proceed with the etching process by a transfer mechanism (not shown) such as a transarm, and the lower electrode 17 It is seated on).
이어서, 유리기판(13)의 안착이 완료되면, 이송기구는 에슁챔버 밖으로 인출된다. 그후, 챔버(10) 외부에 제공된 가스공급부(19)의 가스공급라인(19a)을 통해 에슁가스가 배출되고 가스확산판(21)에 의해 상부전극(23) 상의 전면에 균일하게 분포한다.Subsequently, when the mounting of the glass substrate 13 is completed, the transfer mechanism is taken out of the etchant chamber. Thereafter, the etchant gas is discharged through the gas supply line 19a of the gas supply unit 19 provided outside the chamber 10 and uniformly distributed on the entire surface on the upper electrode 23 by the gas diffusion plate 21.
계속해서, 전력공급장치(25)가 턴온되면 상기 상부전극(23)과 하부전극(17) 사이에는 전계가 형성되며 전계의 방향을 따라 가스가 상부전극(23)에서 하부전극(17)을 향하는 방향(도 2의 점선 화살표 방향)으로 흐른다. 그 결과 유리기판(13) 표면에 도포된 포토레지스트(11)는 가스화되어 배기구(27)를 통해 챔버(10) 외부로 배출된다.Subsequently, when the power supply device 25 is turned on, an electric field is formed between the upper electrode 23 and the lower electrode 17, and gas flows from the upper electrode 23 to the lower electrode 17 along the direction of the electric field. Direction (in the direction of the dashed arrow in Fig. 2). As a result, the photoresist 11 coated on the surface of the glass substrate 13 is gasified and discharged to the outside of the chamber 10 through the exhaust port 27.
도면의 부호 10a는 에슁챔버(10)의 외벽을 나타낸다.Reference numeral 10a in the drawing denotes an outer wall of the etchant chamber 10.
그러나, 상기한 종래 에슁장치는 장비자체가 복잡하고, 대형이며, 고가라는 단점이 있었다. 또한, 에슁챔버가 직접 대기압에 노출되지 않도록 기압을 저감시키기 위한 버퍼챔버를 필요로 하였고, 버퍼챔버의 존재로 인하여 에슁챔버의 배치에 제한이 따르므로, 비교적 넓은 작업 공간의 확보가 필요하게 되고, 더욱 에슁챔버의 내부 구조가 복잡하여 장치의 제조와 가격에 있어서 매우 불리하였다.However, the conventional apparatus has a disadvantage in that the equipment itself is complicated, large, and expensive. In addition, a buffer chamber is required to reduce the air pressure so that the evacuation chamber is not directly exposed to atmospheric pressure, and the arrangement of the evacuation chamber is limited due to the presence of the buffer chamber, thus securing a relatively large work space. Moreover, the internal structure of the etchant chamber was complex, which was very disadvantageous in the manufacture and price of the device.
본 발명은 상기한 종래 기술의 문제점을 해결하기 위하여 안출된 것으로서, 본 발명의 목적은 종래 에슁장치에서 각 에슁챔버 사이에 게재된 버퍼챔버를 생략하여 구조를 단순화하는 것이다.SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made to solve the above-mentioned problems of the prior art, and an object of the present invention is to simplify the structure by omitting a buffer chamber placed between each etching chamber in a conventional etching apparatus.
본 발명의 다른 목적은 각 에슁챔버를 수직으로 적층하여 공간 활용도를 높이고, 에슁공정 전·후의 공정에 사용되는 다종의 장비와 결합하여 연속 진행이 가능하게 하는 것이다.Another object of the present invention is to increase the space utilization by vertically stacking each chamber, combined with a variety of equipment used in the process before and after the etch process to enable continuous progress.
본 발명의 또 다른 목적은 에슁챔버 내부의 상부 전극으로서 챔버 외벽을 이용하고, 슬릿 또는 파이프형의 가스 공급장치를 제공하여 전체 구성의 간소화를 꾀하는 것이다.A further object of the present invention is to simplify the overall configuration by using a chamber outer wall as an upper electrode inside the etchant chamber and providing a slit or pipe type gas supply device.
상기한 목적을 달성하기 위하여 본 발명에 따른 에슁장치는, 포토레지스트가 도포된 유리기판 또는 웨이퍼가 안착되는 하부전극과, 상기 하부전극과 함께 전계를 형성하는 상부전극과, 챔버 내로 가스를 공급하기 위한 가스슬릿 또는 가스파이프와, 상기 상부전극 상에 제공되어 챔버 외벽과 함께 챔버의 밀폐 분위기를 형성하는 안전덮개와, 상기 상부전극과 하부전극에 전계를 형성하기 위한 전력공급장치와, 상기 상부전극과 챔버 외벽 사이에 삽입되어 전기적 접촉을 방지하는 절연체와, 챔버 내에서 기화된 포토레지스트를 챔버 외부로 배출하기 위한 배기구 등을 포함하여 이루어진다.In order to achieve the above object, an etching apparatus according to the present invention includes a lower electrode on which a glass substrate or wafer coated with a photoresist is seated, an upper electrode forming an electric field together with the lower electrode, and supplying gas into a chamber. A gas slit or gas pipe, a safety cover provided on the upper electrode to form an airtight atmosphere of the chamber together with the outer wall of the chamber, a power supply for forming an electric field in the upper electrode and the lower electrode, and the upper electrode. And an insulator inserted between the chamber and the outer wall of the chamber to prevent electrical contact, and an exhaust port for discharging the photoresist vaporized in the chamber to the outside of the chamber.
도 1은 종래 액정표시소자용 유리기판의 에슁장치를 개략적으로 도시한 도면.1 is a view schematically showing an etching apparatus of a glass substrate for a conventional liquid crystal display device.
도 2는 도 1의 Ⅰ-Ⅰ선에 따른 단면도.FIG. 2 is a cross-sectional view taken along line II of FIG. 1. FIG.
도 3은 본 발명에 따른 액정표시소자용 유리기판의 에슁장치를 개략적으로 도시한 도면.3 is a view schematically showing an edge device of a glass substrate for a liquid crystal display device according to the present invention.
도 4는 본 발명에 따른 액정표시소자용 유리기판의 단위 에슁장치의 종단면도.4 is a longitudinal sectional view of a unit etching apparatus of a glass substrate for a liquid crystal display device according to the present invention.
〈도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명〉<Explanation of symbols for main parts of drawing>
100 ----- 에슁챔버 111 ----- 포토레지스트100 ----- Equipped Chamber 111 ----- Photoresist
113 ----- 유리기판 117 ----- 하부전극113 ----- Glass substrate 117 ----- Bottom electrode
123 ----- 상부전극 125 ----- 전력공급장치123 ----- Top electrode 125 ----- Power supply
127 ----- 배기구 200 ----- 안전덮개127 ----- Air Vent 200 ----- Safety Cover
210 ----- 절연체 220 ----- 가스슬릿210 ----- Insulator 220 ----- Gas Slit
100a ---- 챔버외벽100a ---- chamber outer wall
이하, 본 발명의 바람직한 실시예를 도면을 참조하여 상세하게 설명한다.Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings.
반도체 제조공정 중의 웨이퍼는 이하의 설명 중 액정표시소자 제조공정 중의 유리기판과 동일시 되는 것으로서 웨이퍼 처리용 에슁장치에 대해서는 별도의 설명을 생략한다.The wafer in the semiconductor manufacturing process is the same as the glass substrate in the liquid crystal display device manufacturing process in the following description, and a separate description of the wafer processing edge device is omitted.
도 3은 본 발명에 따른 액정표시소자용 유리기판의 에슁장치를 개략적으로 도시한 도면으로서, 도면에 나타내는 바와 같이, 본 발명의 에슁장치는 수직적층구조를 취한다. 이는 종래 에슁장치에서 버퍼챔버를 생략하므로써 가능해지는데, 상부 에슁챔버(100)와 하부 에슁챔버(101)는 상·하부 챔버 오픈용 승강기구(300)에 탑재된 상태로 순차적으로 적층된다. 이러한 구조는 협소한 공간에서 좌·우 작업공간을 확보하는데 매우 유리하고 에슁공정 전·후 공정, 예를 들면 에칭공정, 세정공정 등에 사용되는 다종의 장비와 결합하여 연속 진행하는 것이 가능하게 한다.FIG. 3 is a view schematically showing an edge device of a glass substrate for a liquid crystal display element according to the present invention. As shown in the figure, the edge device of the present invention has a vertical laminated structure. This can be achieved by omitting the buffer chamber in the conventional edge apparatus, and the upper edge chamber 100 and the lower edge chamber 101 are sequentially stacked while being mounted on the lifting mechanism 300 for opening the upper and lower chambers. This structure is very advantageous for securing the left and right working spaces in a narrow space, and it is possible to proceed continuously in combination with a variety of equipment used before and after the etch process, for example, the etching process and the cleaning process.
도면의 부호 200 및 201은 각각의 챔버 외벽(100a, 101a)와 함께 챔버(100, 101)의 밀폐 분위기를 형성하는 안전덮개를 나타내고, 부호 400은 지지대를 나타낸다.Reference numerals 200 and 201 in the drawings denote safety covers that form a sealed atmosphere of the chambers 100 and 101 together with the respective chamber outer walls 100a and 101a, and reference numeral 400 denotes a support.
도 4는 도 3의 단위 에슁장치의 종단면도로서, 도면에 나타내는 바와 같이, 본 발명의 단위 에슁장치는 패턴된 포토레지스트(111)가 도포된 유리기판(113)이 안착되는 하부전극(117)과, 상기 하부전극(117)과 함께 전계를 형성하는 상부전극(123)과, 챔버(100) 내로 가스를 공급하기 위한 가스슬릿 또는 가스파이프(220)와, 상기 상부전극(123) 상에 제공되어 챔버 외벽(100a)과 함께 챔버(100)의 밀폐 분위기를 형성하는 안전덮개(200)와, 상기 상부전극(123)과 하부전극(117)에 전계를 형성하기 위한 전력공급장치(125)와, 상기 상부전극(123)과 챔버 외벽(100a) 사이에 삽입되어 전기적 접촉을 방지하는 절연체(210)와, 챔버(100) 내에서 기화된 포토레지스트를 챔버(100) 외부로 배출하기 위한 배기구(127) 등을 포함하여 이루어진다.FIG. 4 is a longitudinal cross-sectional view of the unit etching apparatus of FIG. 3. As shown in the drawing, the unit etching apparatus of the present invention includes a lower electrode 117 on which a glass substrate 113 coated with a patterned photoresist 111 is seated. And an upper electrode 123 forming an electric field together with the lower electrode 117, a gas slit or gas pipe 220 for supplying gas into the chamber 100, and provided on the upper electrode 123. And a safety cover 200 for forming an airtight atmosphere of the chamber 100 together with the chamber outer wall 100a, and a power supply device 125 for forming an electric field in the upper electrode 123 and the lower electrode 117; An insulator 210 inserted between the upper electrode 123 and the chamber outer wall 100a to prevent electrical contact, and an exhaust port for discharging the photoresist vaporized in the chamber 100 to the outside of the chamber 100 ( 127).
본 발명에 따른 에슁장치를 이용하여 유리기판(113) 표면에 도포된 프토레지스트(111)가 제거되는 에슁공정을 알아본다.Using the edge device according to the present invention looks at the edge process to remove the photoresist 111 is applied to the surface of the glass substrate 113.
본 발명의 에슁장치는 동일 구조를 갖는 복수의 에슁챔버가 수직으로 적층된 형태를 취하는 바, 이하에서는 단위 에슁챔버 내에서 이루어지는 에슁공정에 대해 설명한다.The edge device of the present invention has a form in which a plurality of edge chambers having the same structure are stacked vertically. Hereinafter, the edge step in the unit edge chamber will be described.
먼저, 표면에 포토레지스트(111)가 도포된 유리기판(113)은 트랜스암 등의 이송기구(도시하지 않음)에 의해 에슁공정을 진행하기 위하여 에슁챔버(100) 내로 인입되며, 하부전극(117)에 안착된다.First, the glass substrate 113 coated with the photoresist 111 on the surface is introduced into the etchant chamber 100 to perform an etching process by a transfer mechanism (not shown) such as a transarm, and the lower electrode 117. It is seated on).
이어서, 유리기판(113)의 안착이 완료되면, 이송기구는 에슁챔버(100) 밖으로 인출된다. 그후, 챔버(100) 외부에 제공된 가스공급부(도시하지 않음)로부터 가스슬릿(220)을 통해 에슁가스(O2)가 배출되고(도면의 점선 화살표 방향) 상부전극(123)의 하부 영역에서 챔버(100) 내부의 전면에 균일하게 분포한다.Subsequently, when the mounting of the glass substrate 113 is completed, the transfer mechanism is drawn out of the etchant chamber 100. Thereafter, the etchant gas O 2 is discharged from the gas supply unit (not shown) provided outside the chamber 100 through the gas slit 220 (in the direction of the dashed arrow in the drawing) and in the lower region of the upper electrode 123. (100) Evenly distributed on the front surface inside.
이때, 상기 가스슬릿(220)은 챔버(100)의 일측 외벽을 통해 형성되는 것으로서 가스파이프로 대신할 수 있고, 에슁가스의 고른 분포를 목적으로 가스확산판이 상부전극(123) 위에 형성되는 종래 구조와 비교하여 상부전극(123)과 하부전극(117) 사이의 공간으로 원할한 가스공급이 이루어지는 단순한 구조를 취한다.In this case, the gas slit 220 is formed through one outer wall of the chamber 100 and may be replaced by a gas pipe, and a conventional structure in which a gas diffusion plate is formed on the upper electrode 123 for the purpose of even distribution of the etchant gas. Compared with the above, a simple structure in which a smooth gas supply is made to the space between the upper electrode 123 and the lower electrode 117 is taken.
계속해서, 전력공급장치(125)가 턴온되면 상기 상부전극(123)과 하부전극(117) 사이에는 전계가 형성되며 전계의 방향을 따라 가스가 상부전극(123)에서 하부전극(117)을 향하는 방향으로 흐른다. 그 결과 유리기판(113) 표면에 도포된 포토레지스트(111)는 가스화되어 배기구(127)를 통해 챔버(100) 외부로 배출된다.Subsequently, when the power supply device 125 is turned on, an electric field is formed between the upper electrode 123 and the lower electrode 117, and gas flows from the upper electrode 123 to the lower electrode 117 along the direction of the electric field. Flow in the direction. As a result, the photoresist 111 coated on the surface of the glass substrate 113 is gasified and discharged to the outside of the chamber 100 through the exhaust port 127.
도면에서 절연체(210)는 상부전극(123)과 금속제의 챔버 외벽(100a) 사이에 삽입되어 두 기재 사이의 전기적 접촉을 방지하는 것으로서, 본 발명에서는 상기 상부전극(123)이 챔버(100)의 상측 외벽 역할을 하기 때문에 두 기재가 전기적으로 접촉하게 되면 전력공급장치(125)가 턴온될 시 두 전극(123, 117) 사이의 전계의 형성을 방해하기 때문이다. 절연체 물질은 통상의 절연 기능을 수행하는 것이라면 특별히 한정되지 않는다.In the drawing, the insulator 210 is inserted between the upper electrode 123 and the metal chamber outer wall 100a to prevent electrical contact between the two substrates. In the present invention, the upper electrode 123 of the chamber 100 This is because when the two substrates are in electrical contact with each other because they serve as upper outer walls, they prevent the formation of an electric field between the two electrodes 123 and 117 when the power supply 125 is turned on. The insulator material is not particularly limited as long as it performs a normal insulation function.
또한, 안전덮개(200)는 전술한 바와 같이, 챔버 외벽(100a)과 함께 챔버(100)의 밀폐 분위기를 형성하기 위한 것으로서, 금속제의 챔버 외벽(100a)과 동일한 물질 또는 유사한 강도를 갖는 것으로서 외부의 충격으로부터 챔버(100)를 보호하는 기능을 수행하며 특별히 한정되지 않는다.In addition, the safety cover 200, as described above, to form a sealed atmosphere of the chamber 100 together with the chamber outer wall (100a), the outside having the same material or similar strength as the chamber outer wall (100a) made of metal It performs a function of protecting the chamber 100 from the impact of and is not particularly limited.
상기한 일련의 공정은 종래 기술과 비교하여 다음과 같은 차이점을 갖는다.The above series of processes have the following differences compared to the prior art.
① 버퍼챔버의 생략① Omission of buffer chamber
종래에는 각 에슁챔버 사이에 횡적으로 배설된 버퍼챔버로 인하여 협소 공간에서의 작업이 곤란하였으나, 본 발명에 따르면 버퍼챔버를 생략하여 상대적으로 넓은 작업 공간을 확보할 수 있다.In the past, work in a narrow space was difficult due to the buffer chambers arranged horizontally between each chamber, but according to the present invention, a relatively large work space can be secured by omitting the buffer chamber.
② 수직적층구조의 에슁챔버② Equipped chamber with vertical stacking structure
종래에는 복수의 에슁챔버를 횡적나열구조로 하였으나, 본 발명에 따르면 버퍼챔버의 생략과 더불어 복수의 챔버를 수직적층구조로 하므로서 상대적으로 넓은 작업 공간의 확보와 더불어 에슁공정 전·후의 공정에 사용되는 다종의 장비와 결합하여 연속 진행할 수 있다.Conventionally, a plurality of edge chambers have a horizontal row structure. However, according to the present invention, a plurality of chambers have a vertical stacked structure in addition to the omission of the buffer chamber, thereby securing a relatively large working space and being used in the process before and after the edge process. It can be combined with a variety of equipment to proceed continuously.
③ 전극의 다기능 수행③ Multifunction of electrode
종래에는 챔버 내에 상부전극이 별도 구성되었으나, 본 발명에 따르면 상부전극이 챔버의 일측 외벽을 구성하므로 전극이 갖는 전계형성의 본질적인 기능외에도 챔버 구성의 단순화에도 기여한다.Conventionally, although the upper electrode is separately configured in the chamber, according to the present invention, since the upper electrode constitutes one outer wall of the chamber, it contributes to the simplification of the chamber configuration in addition to the essential function of the electric field formation of the electrode.
④ 가스확산판의 생략④ Omission of gas diffusion plate
종래에는 외부의 가스공급장치로부터 챔버 내로 인입된 에슁가스를 골고루 분포시키 위하여 가스확산판을 채용하였으나, 본 발명에서는 상부전극 하부에서 챔버의 일측을 통해 가스가 직접 공급되도록 가스슬릿 또는 가스파이프를 배설하여 구조를 단순화 한다.Conventionally, a gas diffusion plate was adopted to evenly distribute the etchant gas introduced into the chamber from an external gas supply device, but in the present invention, a gas slit or a gas pipe is disposed so that the gas is directly supplied through one side of the chamber under the upper electrode. To simplify the structure.
전술하였듯이, 본 발명의 바람직한 실시예는 액정표시소자의 유리기판 처리용 에슁장치에 관하여 설명하였으나, 비록 도면으로 나타내지는 않았지만, 본 발명은 또한 반도체의 웨이퍼 처리용 에슁장치로도 사용 가능한 것으로서, 에슁 대상물의 차이점만을 제외한다면 그 구성이나 기능 및 그에 따른 효과 또한 동일하므로, 웨이퍼 처리용 에슁장치에 대해서는 그 설명을 생략한다.As described above, although the preferred embodiment of the present invention has been described with respect to the glass substrate processing edge device of the liquid crystal display device, although not shown in the drawings, the present invention can also be used as an edge device for wafer processing of semiconductors. Except for the difference of the object, the configuration, function and effects thereof are also the same, and therefore the description of the wafer processing edge device will be omitted.
본 발명의 에슁장치에 따르면 버퍼챔버를 생략하여 구조를 단순화하므로써. 복수의 에슁챔버를 수직으로 적층하여 공간 활용도를 높이고, 에슁공정 전·후의 공정에 사용되는 다종의 장비와 결합하여 연속 진행이 가능하게 된다.According to the apparatus of the present invention, the structure is simplified by omitting the buffer chamber. By stacking a plurality of chambers vertically to increase the space utilization, it is possible to continuously proceed by combining with a variety of equipment used in the process before and after the etching process.
더욱, 본 발명에 따르면 에슁챔버 내부의 상부 전극으로서 챔버 외벽을 이용하고, 슬릿 또는 파이프형의 가스 공급장치를 제공하여 전체 구성의 간소화를 꾀하므로, 저가이며 공정 효율이 높은 에슁장치를 구현하는 것이 가능하다.Furthermore, according to the present invention, since the chamber outer wall is used as the upper electrode inside the etchant chamber and the slit or pipe type gas supply device is provided to simplify the overall configuration, it is possible to implement an etchant apparatus with low cost and high process efficiency. It is possible.
Claims (4)
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