KR101506000B1 - Apparatus of treating substrate, and methods of manufacturing substrate for electronic device and flat display device using the same - Google Patents

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Abstract

본 발명은 기판이 놓여지는 제1전극부와; 상기 제1전극부와 마주보며 플라즈마를 형성하는 제2전극부와; 상기 제2전극부 외측에 위치하며 DC전원부와 연결되는 제3전극부를 포함하는 기판처리장치를 제공한다.The present invention provides a plasma display panel comprising a first electrode part on which a substrate is placed; A second electrode part facing the first electrode part and forming a plasma; And a third electrode unit located outside the second electrode unit and connected to the DC power source unit.

Description

기판처리장치와 이를 이용한 전자소자용 기판 제조 방법 및 평판표시장치 제조방법{Apparatus of treating substrate, and methods of manufacturing substrate for electronic device and flat display device using the same}BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a substrate processing apparatus, a method of manufacturing a substrate for an electronic device using the substrate processing apparatus,

본 발명은 기판처리장치에 관한 것으로서, 보다 상세하게는, 기판처리장치와 이를 이용한 전자소자용 기판 및 평판표시장치 제조방법에 관한 것이다.
The present invention relates to a substrate processing apparatus, and more particularly, to a substrate processing apparatus, a substrate for an electronic device using the substrate processing apparatus, and a method of manufacturing a flat panel display.

정보화 사회가 발전함에 따라 반도체나 평판표시장치와 같은 전자소자에 대한 요구가 다양한 형태로 증가하고 있다. 이들 전자소자가 제품 경쟁력에서 우위를 확보하기 위해서는 소형, 경량, 다기능, 저가화와 같은 추세를 따라야 되는데, 이를 위해서는 전자소자의 제조 공정에서 높은 난이도의 박막 증착 기술이나 박막 식각 기술이 제공되어야 할 것이다.As the information society develops, there is an increasing demand for electronic devices such as semiconductors and flat panel displays. In order to secure superiority of these electronic devices in terms of product competitiveness, it is necessary to follow trends such as small size, light weight, multifunction, and low cost. For this purpose, it is necessary to provide thin film deposition technology or thin film etching technology with high difficulty in manufacturing electronic devices.

박막 증착이나 식각 공정에 사용되는 기판처리장치는 플라즈마의 발생방식에 따라 축전결합 플라즈마(CCP: Capacitively Coupled Plasma) 방식과 유도결합 플라즈마(ICP: Inductively Coupled Plasma) 방식으로 구분될 수 있다.The substrate processing apparatus used in the thin film deposition or etching process can be classified into a capacitively coupled plasma (CCP) method and an inductively coupled plasma (ICP) method according to the generation method of the plasma.

축전결합 플라즈마 방식과 유도결합 플라즈마 방식은 플라즈마를 발생시키는 원리가 상이하고 각각 장단점을 가지고 있어서, 필요에 따라 선택적으로 이용하게 된다.The capacitively coupled plasma system and the inductively coupled plasma system are different in principle from each other in producing plasma, and each has advantages and disadvantages.

식각 공정용 축전결합 플라즈마 장치는 식각률(etch rate)이 높고 물리적 식각(physical etch)이 용이한 장점을 가지는 반면, 차징 결함(charging damage)이 발생하고 기판 외곽 부분에서의 식각 균일도(etch uniformity)가 저하되는 단점을 갖는다.The plasma-coupled plasma apparatus for the etching process has advantages of high etch rate and easy physical etch, while charging damage occurs and the etch uniformity at the substrate outer portion is reduced .

한편, 식각 공정용 유도결합 플라즈마 장치는 선택적 식각(selectively etch)이 가능하고 플라즈마 밀도(plasma density)가 높으며 화학적 식각(chemical etch)이 용이한 장점을 갖는 반면, 식각률이 낮고 기판 외곽 부분에서의 CD(critical dimension) 제어가 어려운 단점을 갖게 된다.On the other hand, the inductively coupled plasma apparatus for the etching process has advantages of selective etch, high plasma density and easy chemical etch, while the etch rate is low and the CD (critical dimension) control is difficult.

이처럼, 종래의 축전결합 플라즈마 장치와 유도결합 플라즈마 장치는 특성상 장단점을 갖게 되는데, 특히 기판 외곽 부분의 처리에 있어서 문제점을 가지고 있다. 따라서, 기판 외곽 부분 처리에 있어 보다 개선된 방안이 요구되고 있는 실정이다.
As described above, the conventional capacitive coupling plasma device and the inductively coupled plasma device have advantages and disadvantages in terms of characteristics, and particularly have a problem in the processing of the substrate outer portion. Therefore, there is a need for a more improved method for processing the substrate outer portion.

본 발명은, 기판 외곽 부분 처리를 향상시킬 수 있는 방안을 제공하는데 그 과제가 있다.
SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has a problem to be solved by providing a method for improving processing of the substrate outer portion.

전술한 바와 같은 과제를 달성하기 위해, 본 발명은 기판이 놓여지는 제1전극부와; 상기 제1전극부와 마주보며 플라즈마를 형성하는 제2전극부와; 상기 제2전극부 외측에 위치하며 DC전원부와 연결되는 제3전극부를 포함하는 기판처리장치를 제공한다.According to an aspect of the present invention, there is provided a plasma display panel comprising: a first electrode part on which a substrate is placed; A second electrode part facing the first electrode part and forming a plasma; And a third electrode unit located outside the second electrode unit and connected to the DC power source unit.

여기서, 상기 제3전극부는, 상기 DC전원부와 연결되는 요크코일과; 상기 요크코일 전방에 위치하는 자석부를 포함할 수 있다.The third electrode unit may include: a yoke coil connected to the DC power source; And a magnet portion positioned in front of the yoke coil.

상기 자석부는 제2전극부의 외측 방향을 따라 N극과 S극이 교대로 배치되도록 구성될 수 있다.The magnet portion may be configured such that N poles and S poles are alternately arranged along the outer direction of the second electrode portion.

상기 제2전극부는 평판 형상의 전극을 포함하여, 축전결합 방식으로 플라즈마를 형성할 수 있다.The second electrode unit may include a plate-shaped electrode, and the plasma may be formed by a capacitive coupling method.

상기 제2전극부는 코일 형상의 안테나를 포함하여, 유도결합 방식으로 플라즈마를 형성할 수 있다.The second electrode unit includes a coil-shaped antenna, and the plasma can be formed by an inductively coupled method.

상기 안테나는 상기 기판을 바라보는 방향을 따라 1층이나 다층 구조로 구성될 수 있다.The antenna may have a single-layer structure or a multi-layer structure along the direction in which the substrate is viewed.

상기 DC전원부는 DC전원이나 DC펄스전원을 발생시키며, 상기 제1 및 2전극부 중 적어도 하나에는 RF전원이 인가될 수 있다.The DC power supply unit generates a DC power supply or a DC pulse power supply, and RF power may be applied to at least one of the first and second electrode units.

다른 측면에서, 본 발명은 기판 상에 박막을 형성하는 단계와; 상기 기판이 놓여지는 제1전극부와 상기 제1전극부와 마주보는 제2전극부 사이에 플라즈마를 형성하여, 상기 박막을 식각하는 단계를 포함하고, 상기 제2전극부 외측에는 DC전원부와 연결되는 제3전극부가 구성된 전자소자용 기판 제조방법을 제공한다.In another aspect, the present invention provides a method comprising: forming a thin film on a substrate; And etching the thin film by forming a plasma between the first electrode part on which the substrate is placed and the second electrode part facing the first electrode part, And a third electrode part formed on the second electrode part.

여기서, 상기 제3전극부는, 상기 DC전원부와 연결되는 요크코일과; 상기 요크코일 전방에 위치하는 자석부를 포함할 수 있다.The third electrode unit may include: a yoke coil connected to the DC power source; And a magnet portion positioned in front of the yoke coil.

상기 자석부는 제2전극부의 외측 방향을 따라 N극과 S극이 교대로 배치되도록 구성될 수 있다.The magnet portion may be configured such that N poles and S poles are alternately arranged along the outer direction of the second electrode portion.

상기 제2전극부는 평판 형상의 전극을 포함하여, 축전결합 방식으로 플라즈마를 형성할 수 있다.The second electrode unit may include a plate-shaped electrode, and the plasma may be formed by a capacitive coupling method.

상기 제2전극부는 코일 형상의 안테나를 포함하여, 유도결합 방식으로 플라즈마를 형성할 수 있다.The second electrode unit includes a coil-shaped antenna, and the plasma can be formed by an inductively coupled method.

상기 안테나는 상기 기판을 바라보는 방향을 따라 1층이나 다층 구조로 구성될 수 있다.The antenna may have a single-layer structure or a multi-layer structure along the direction in which the substrate is viewed.

상기 DC전원부는 DC전원이나 DC펄스전원을 발생시키며, 상기 제1 및 2전극부 중 적어도 하나에는 RF전원이 인가될 수 있다.The DC power supply unit generates a DC power supply or a DC pulse power supply, and RF power may be applied to at least one of the first and second electrode units.

또 다른 측면에서, 본 발명은 반도체층을 갖는 박막트랜지스터를 포함하는 평판표시장치의 제조방법에 있어서, 기판 상에 상기 반도체층을 형성하는 단계와; 상기 기판이 놓여지는 제1전극부와 상기 제1전극부와 마주보는 제2전극부 사이에 플라즈마를 형성하여, 상기 반도체층을 식각하는 단계를 포함하고, 상기 제2전극부 외측에는 DC전원부와 연결되는 제3전극부가 구성되는 평판표시장치 제조방법을 제공한다.According to another aspect of the present invention, there is provided a method of manufacturing a flat panel display including a thin film transistor having a semiconductor layer, the method comprising: forming the semiconductor layer on a substrate; And etching the semiconductor layer by forming a plasma between the first electrode portion on which the substrate is placed and the second electrode portion facing the first electrode portion, And a third electrode part connected to the third electrode part.

여기서, 상기 제2전극부는 코일 형상의 안테나를 포함하여, 유도결합 방식으로 플라즈마를 형성할 수 있다.Here, the second electrode unit may include a coil-shaped antenna to form a plasma by an inductively coupled method.

상기 제3전극부는, 상기 DC전원부와 연결되는 요크코일과; 상기 요크코일 전방에 위치하는 자석부를 포함할 수 있다.The third electrode unit may include: a yoke coil connected to the DC power source; And a magnet portion positioned in front of the yoke coil.

상기 DC전원부는 DC전원이나 DC펄스전원을 발생시키며, 상기 제1 및 2전극부 중 적어도 하나에는 RF전원이 인가될 수 있다.The DC power supply unit generates a DC power supply or a DC pulse power supply, and RF power may be applied to at least one of the first and second electrode units.

또 다른 측면에서, 본 발명은 박막트랜지스터와 절연막을 포함하는 평판표시장치의 제조방법에 있어서, 기판 상에 상기 절연막을 형성하는 단계와; 상기 기판이 놓여지는 제1전극부와 상기 제1전극부와 마주보는 제2전극부 사이에 플라즈마를 형성하여, 상기 절연막을 식각하는 단계를 포함하고, 상기 제2전극부 외측에는 DC전원부와 연결되는 제3전극부가 구성되는 평판표시장치 제조방법을 제공한다.According to another aspect of the present invention, there is provided a method of manufacturing a flat panel display including a thin film transistor and an insulating film, the method comprising: forming the insulating film on a substrate; And forming a plasma between the first electrode portion on which the substrate is placed and the second electrode portion facing the first electrode portion to etch the insulating layer, And a third electrode part formed on the second electrode part.

여기서, 상기 제2전극부는 평판 형상의 전극을 포함하여, 축전결합 방식으로 플라즈마를 형성할 수 있다.Here, the second electrode part may include a plate-shaped electrode, and may form plasma by a capacitive coupling method.

상기 제3전극부는, 상기 DC전원부와 연결되는 요크코일과; 상기 요크코일 전방에 위치하는 자석부를 포함할 수 있다.The third electrode unit may include: a yoke coil connected to the DC power source; And a magnet portion positioned in front of the yoke coil.

상기 DC전원부는 DC전원이나 DC펄스전원을 발생시키며, 상기 제1 및 2전극부 중 적어도 하나에는 RF전원이 인가될 수 있다.
The DC power supply unit generates a DC power supply or a DC pulse power supply, and RF power may be applied to at least one of the first and second electrode units.

본 발명에서는, 제2전극부의 외측에 DC전원이 공급되는 제3전극부를 배치하게 된다. 이에 따라, 플라즈마 발생 영역이 외측 방향으로 분산될 수 있게 된다. 더욱이, 제2전극부에 자기장을 발생시키는 자극부를 더욱 배치하는 경우에는, 플라즈마 발생 영역이 외측 방향으로 보다 더 효과적으로 분산될 수 있다.In the present invention, a third electrode portion to which DC power is supplied is disposed outside the second electrode portion. Thus, the plasma generating region can be dispersed in the outward direction. Furthermore, in the case of further disposing the magnetic pole portion for generating the magnetic field in the second electrode portion, the plasma generating region can be more effectively dispersed in the outward direction.

이에 따라, 외곽부의 플라즈마 밀도가 향상될 수 있게 되어, 기판 전체의 식각률 균일도가 향상될 수 있으며 외곽부의 CD 제어가 용이해 질 수 있게 된다.
Accordingly, the plasma density of the outer frame portion can be improved, the uniformity of the etch rate of the entire substrate can be improved, and the CD control of the outer frame portion can be facilitated.

도 1은 본 발명의 제1실시예에 따른 기판처리장치를 개략적으로 도시한 단면도.
도 2는 본 발명의 제1실시예에 따른 기판처리장치의 마그네틱전극부를 개략적으로 도시한 평면도.
도 3은 본 발명의 제1실시예에 따른 제2전극부 전방에 발생되는 전자 궤적을 개략적으로 도시한 도면.
도 4는 본 발명의 제2실시예에 따른 기판처리장치를 개략적으로 도시한 단면도.
도 5는 본 발명의 제1 및/또는 2실시예에 따른 기판처리장치를 사용하여 유기발광소자를 제조하는 방법을 도시한 도면.1 is a cross-sectional view schematically showing a substrate processing apparatus according to a first embodiment of the present invention;
2 is a plan view schematically showing a magnetic electrode part of a substrate processing apparatus according to a first embodiment of the present invention.
FIG. 3 is a schematic view showing an electron locus generated in front of a second electrode unit according to the first embodiment of the present invention; FIG.
4 is a cross-sectional view schematically showing a substrate processing apparatus according to a second embodiment of the present invention.
5 is a view illustrating a method of manufacturing an organic light emitting device using the substrate processing apparatus according to the first and / or second embodiments of the present invention.

이하, 도면을 참조하여 본 발명의 실시예를 설명한다.Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings.

도 1은 본 발명의 제1실시예에 따른 기판처리장치를 개략적으로 도시한 단면도이고, 도 2는 본 발명의 제1실시예에 따른 기판처리장치의 제3전극부를 개략적으로 도시한 평면도이다.FIG. 1 is a cross-sectional view schematically showing a substrate processing apparatus according to a first embodiment of the present invention, and FIG. 2 is a plan view schematically showing a third electrode unit of the substrate processing apparatus according to the first embodiment of the present invention.

도 1을 참조하면, 본 발명의 제1실시예에 따른 기판처리장치(10)는, 예를 들면 축전결합 플라즈마 방식의 기판처리장치에 플라즈마 발생 영역을 확장시키는 기능을 하는 제3전극부(100)를 더욱 구성하게 된다. 이에 대해, 이하에서 보다 상세하게 설명한다.Referring to FIG. 1, the substrate processing apparatus 10 according to the first embodiment of the present invention includes a third electrode unit 100 (see FIG. 1) that functions to expand a plasma generating region in a substrate processing apparatus of a capacitive coupling plasma system, ). This will be described in more detail below.

기판처리장치(10)는 공정챔버(20)와 공정챔버(20) 내에 설치되는 제1 및 2전극부(30, 40)를 포함할 수 있다.The substrate processing apparatus 10 may include a process chamber 20 and first and second electrode portions 30 and 40 installed in the process chamber 20.

공정챔버(20)는 내부공간을 갖는 몸체(21)와, 몸체(21)에 착탈 가능하도록 결합되어 반응공간을 외부로부터 밀봉하는 리드(22)를 포함할 수 있다.The process chamber 20 may include a body 21 having an inner space and a lid 22 detachably coupled to the body 21 to seal the reaction space from the outside.

예를 들면, 몸체(21)는 상부가 개방된 형상으로 제작될 수 있으며, 리드(22)는 몸체(21)의 상부를 차폐하는 판 형상으로 제작될 수 있는데, 이에 한정되지는 않는다.For example, the body 21 may be formed in an open shape, and the lid 22 may be formed in a plate shape that shields the upper portion of the body 21, but the present invention is not limited thereto.

그리고, 도시하지는 않았지만, 몸체(21)와 리드(22)의 결합면에는 오링이나 가스켓과 같은 별도의 밀봉부재가 마련될 수 있다. 또한, 몸체(21)와 리드(22)를 결합하여 고정하는 별도의 고정부재가 구비될 수 있다. Although not shown, a separate sealing member such as an O-ring or a gasket may be provided on the coupling surface of the body 21 and the lead 22. [ In addition, a separate fixing member for fixing the body 21 and the lid 22 to each other may be provided.

한편, 몸체(21)의 일측에는 기판(SUB)이 공정챔버(20) 내부로 반입되거나 외부로 반출되기 위한 출입구가 마련될 수 있다. 그리고, 공정챔버(20)의 하부에는 내부공간의 가스를 배기하는 배기구가 마련될 수 있으다. On the other hand, an inlet port for receiving the substrate SUB into or out of the process chamber 20 may be provided at one side of the body 21. An exhaust port for evacuating gas in the inner space may be provided in the lower portion of the process chamber 20.

한편, 전술한 공정챔버(20)의 구성은 일예로서, 예를 들면 몸체(21)와 리드(22)가 일체화된 공정챔버(20)가 사용될 수도 있다.On the other hand, the above-described construction of the process chamber 20 is an example. For example, a process chamber 20 in which the body 21 and the lid 22 are integrated may be used.

제1전극부(30)는 기판(SUB)이 안치되는 기판안치부로서 기능하며 판형상으로 구성될 수 있다. 이와 같은 제1전극부(30)는, 상하 방향으로 승강 가능하도록 구성될 수 있다. 이와 관련하여 예를 들면, 제1전극부(30)의 하부에는 승강축이 연결되고 승강축은 구동장치에 연결되도록 구성되어, 구동장치에서 발생된 동력에 의해 제1전극부(30)는 상하 방향으로 승강할 수 있게 된다.The first electrode portion 30 functions as a substrate holding portion on which the substrate SUB is placed and may be formed in a plate shape. The first electrode unit 30 may be configured to be vertically movable. In this regard, for example, the elevation shaft is connected to the lower part of the first electrode unit 30, and the elevation shaft is connected to the driving unit. The power generated by the driving unit causes the first electrode unit 30 to move up and down As shown in FIG.

한편, 도시하지는 않았지만, 제1전극부(30) 상의 기판(SUB)을 로딩/언로딩(loading/unloading)하기 위해, 리프트핀이 구비될 수 있다. 이와 같은 리프트핀은 다수개 구비되며, 제1전극부(30)를 관통하도록 구성될 수 있다.Although not shown, a lift pin may be provided to load / unload the substrate SUB on the first electrode unit 30. A plurality of such lift pins may be provided and may be configured to penetrate the first electrode unit 30.

또한, 제1전극부(30)에는 기판(SUB)을 가열하거나 냉각하기 위한 온도조절수단이 구비될 수 있다. 이와 같은 온도조절수단은, 제1전극부(30)의 내부나 표면 또는 외측에 구성될 수 있다.The first electrode unit 30 may be provided with temperature control means for heating or cooling the substrate SUB. The temperature adjusting means may be formed on the inside, the surface, or the outside of the first electrode unit 30. [

제2전극부(40)는 제1전극부(30) 상부에서 제1전극부(30)와 마주보도록 배치되며, 평판형상의 전극을 포함할 수 있다. 제2전극부(40)는 공정가스를 하부로 분사하는 가스분배판으로서 기능할 수 있다. 이와 같은 경우에, 공정챔버(20)의 상부 중앙을 관통하는 가스공급관을 통해 공정가스가 제2전극부(40)로 공급될 수 있다.The second electrode unit 40 may be disposed on the first electrode unit 30 to face the first electrode unit 30 and may include a flat electrode. The second electrode portion 40 can function as a gas distribution plate for spraying the process gas downward. In such a case, the process gas may be supplied to the second electrode unit 40 through the gas supply pipe passing through the upper center of the process chamber 20.

제1 및 2전극부(30, 40) 중 적어도 하나에는 예를 들면 고주파전원이 인가되고, 이에 따라 제1 및 2전극부(30, 40) 사이의 공간에는 플라즈마가 발생될 수 있게 된다. At least one of the first and second electrode portions 30 and 40 is supplied with a high frequency power, for example, so that a plasma can be generated in the space between the first and second electrode portions 30 and 40.

본 발명의 제1실시예에서는, 제1 및 2전극부(30, 40) 각각에 제1 및 2고주파전원부(Vrf1, Vrf2)가 연결되어, 제1 및 2고주파전원이 인가되는 경우를 예로 들었다.In the first embodiment of the present invention, the first and second high-frequency power supply units Vrf1 and Vrf2 are connected to the first and second electrode units 30 and 40, respectively, and the first and second high-frequency power sources are applied .

이처럼, 제1 및 2전극부(30, 40) 사이 공간에 발생된 플라즈마를 사용하여, 기판(SUB) 상에 형성된 박막을 건식식각(dry etch)할 수 있게 된다. 이와 같은 건식식각을 통해, 원하는 박막 패턴이 형성될 수 있게 된다.
As described above, the thin film formed on the substrate SUB can be dry etched using the plasma generated in the spaces between the first and second electrode portions 30 and 40. Through such dry etching, a desired thin film pattern can be formed.

한편, 전술한 바와 같이 제1 및 2전극부(30, 40)만을 사용하는 경우에는, 플라즈마 밀도의 불균일이 발생하여, 식각 균일도가 저하될 수 있다. 예를 들면, 기판(SUB)의 중심부에서의 플라즈마 밀도가 외곽부에 비해 높게 되어, 기판(SUB)의 외곽부에서의 식각이 바람직하게 이루어지지 않을 수 있다. On the other hand, when only the first and second electrode portions 30 and 40 are used as described above, unevenness of the plasma density occurs, and the etching uniformity may be lowered. For example, the plasma density at the central portion of the substrate SUB becomes higher than that at the outer portion, and the etching at the outer portion of the substrate SUB may not be preferably performed.

이와 같은 문제를 개선하기 위해, 본 발명의 제1실시예에 따른 기판처리장치(10)는 제2전극부(40)의 외측 중 적어도 일부에 제3전극부(100)를 배치하게 된다. 이에 대해, 이하에서 보다 상세하게 설명한다.In order to solve such a problem, the substrate processing apparatus 10 according to the first embodiment of the present invention places the third electrode unit 100 on at least a part of the outside of the second electrode unit 40. This will be described in more detail below.

제3전극부(100)는 플라즈마가 발생하는 영역의 상부 외측으로서 예를 들면 제2전극부(40) 주변을 둘러싸도록 배치될 수 있다. The third electrode unit 100 may be arranged to surround the second electrode unit 40, for example, as an upper outside of the region where the plasma is generated.

제3전극부(100)는 그 후방에 위치하는 요크코일(york coil; 110)과, 요크 코일(110) 전방에 위치하는 자석부(120)를 포함할 수 있다. The third electrode unit 100 may include a yoke coil 110 positioned behind the third electrode unit 100 and a magnet unit 120 located in front of the yoke coil 110.

요크코일(110)은 예를 들면 DC(direct current) 전원부(Vdc)에 연결되어 저저위 DC전원이나 DC펄스(pulse) 전원이 인가될 수 있는데, 이에 한정되지는 않는다.The yoke coil 110 may be connected to a direct current (DC) power source Vdc, for example, and may be a low DC power source or a DC pulse power source. However, the present invention is not limited thereto.

자석부(120)는 외측 방향을 따라 서로 반대되는 자극이 교대로 배치되도록 구성될 수 있다. 예를 들면, 제2전극부(40)에서 멀어지는 방향을 따라 N극과 S극의 교대 배치 횟수가 적어도 1회 이상 되도록 구성될 수 있다. 본 발명의 제1실시예에서는, 설명의 편의를 위해, N극과 S극이 2회 교대 배치된 경우를 예로 들어 설명한다.The magnet portion 120 may be configured such that magnetic poles that are opposite to each other along the outward direction are alternately arranged. For example, the number of alternating arrangement of the N-pole and the S-pole along the direction away from the second electrode unit 40 may be at least one. In the first embodiment of the present invention, for convenience of explanation, the case where the N pole and the S pole are arranged alternately twice will be described as an example.

전술한 바와 같은 자석부(120)의 자극 배치에 따라 플라즈마는 외측 방향으로 분산되어 기판 외곽부 상의 플라즈마 밀도는 향상된다. 이에 따라, 전체적으로 플라즈마 밀도는 균일화될 수 있게 된다. 이와 관련하여 도 3을 더욱 참조하여 설명한다. 도 3은 본 발명의 제1실시예에 따른 제2전극부 전방에 발생되는 전자 궤적을 개략적으로 도시한 도면이다.As described above, according to the pole arrangement of the magnet portion 120, the plasma is dispersed in the outward direction to improve the plasma density on the substrate outer frame portion. Thus, the plasma density as a whole can be made uniform. This will be described further with reference to FIG. 3 is a view schematically showing an electron locus generated in front of a second electrode unit according to the first embodiment of the present invention.

도 3을 더욱 참조하면, 제2전극부(40) 외측에 구성된 자석부(120)의 자극이 교대로 배치됨에 따라, 전기장 및 자기장에 의한 로렌츠힘(Lorentz's force)이 전자에 작용하게 된다. Referring to FIG. 3, as the magnetic poles of the magnet unit 120 arranged outside the second electrode unit 40 are arranged alternately, Lorentz's force due to the electric field and the magnetic field acts on the electrons.

이와 관련하여, N극을 기준으로 내측과 외측으로 서로 반대되는 방향의 자기장이 발생하게 된다. 이에 따라 N극을 기준으로 내측과 외측에 발생되는 로렌츠힘은 서로 반대 방향이 되며, 자석부(120)의 형상을 따라 닫혀진 루프를 이루게 된다.In this connection, a magnetic field in a direction opposite to the inside and the outside is generated with respect to the N pole. Accordingly, the Lorentz forces generated on the inner side and the outer side with respect to the N pole are opposite to each other and form a closed loop along the shape of the magnet part 120.

이에 따라, 전자는 로렌츠힘에 의해 외측으로 이동하여 제3전극부(100) 전방에서 포획되어, N극을 기준으로 내측과 외측에서 서로 반대되는 닫혀진 루프의 운동 궤적(L1, L2)을 따라 운동하게 된다.Accordingly, the electrons move outwardly by the Lorentz force and are caught in front of the third electrode part 100, and move along the motion loci L1 and L2 of the closed loop opposite to each other on the inner side and the outer side with respect to the N pole, .

이로 인해, 제3전극부(100)의 전방에서는 전자의 밀도가 높아지게 되고, 이에 따라 플라즈마 밀도가 높아질 수 있게 된다. Therefore, the density of electrons is increased in front of the third electrode unit 100, and accordingly, the plasma density can be increased.

따라서, 기판 외곽부의 플라즈마 밀도가 중심부에 비해 상대적으로 낮아, 외곽부의 식각률이 저하되는 경우에는, 제3전극부(100)에 전원을 온(on)하여 이를 가동함으로써 식각률 저하를 개선할 수 있게 된다. 이에 따라, 기판 전체의 식각률이 균일해 질 수 있게 된다. Accordingly, when the plasma density at the substrate outer portion is relatively low as compared with the central portion, and the etching rate of the outer peripheral portion is lowered, the third electrode portion 100 is turned on and operated to improve the etching rate reduction . Thus, the etching rate of the entire substrate can be made uniform.

한편, 기판 외곽부의 플라즈마 밀도가 중심부와 균일한 정도를 갖는 경우에는, 제3전극부(100)에 전원을 오프(off)하여 가동을 중단하게 된다.On the other hand, when the plasma density of the substrate outer portion is uniform with the central portion, the power is turned off to the third electrode unit 100 to stop the operation.

이처럼, 본 발명의 제1실시예에서는, 필요에 따라 제3전극부(100)의 가동을 온/오프할 수 있다.As described above, in the first embodiment of the present invention, the operation of the third electrode unit 100 can be turned on / off as needed.

더욱이, 제3전극부(100)에 인가되는 전원의 크기 등을 조절하여, 기판 외곽부의 식각률을 적응적으로 조절할 수 있다.
In addition, the etching rate of the outer edge portion of the substrate can be adjusted adaptively by adjusting the size of the power source applied to the third electrode portion 100 and the like.

한편, 본 발명의 제1실시예에서는 플라즈마 밀도의 분포를 모니터링(monitoring)하기 위한 수단으로서 예를 들면 아크디텍터(arc detector; 70)가 기판처리장치(10)에 구비될 수 있다. Meanwhile, in the first embodiment of the present invention, for example, an arc detector 70 may be provided in the substrate processing apparatus 10 as a means for monitoring the distribution of the plasma density.

이와 같은 아크디텍터(50)를 통해 기판(SUB) 상의 플라즈마 밀도 분포를 확인하여, 제3전극부(100)의 가동 여부나 인가 전원의 크기 등을 결정할 수 있게 된다. The plasma density distribution on the substrate SUB can be checked through the arc detector 50 to determine whether the third electrode unit 100 is operating or the size of an applied power source.

한편, 전술한 바에서는, 제3전극부(100)에 자석부가 구비된 경우를 예로 들어 설명하였다. 이와는 달리, 별도의 자석부를 구비하지 않은 제3전극부(100)가 사용될 수 있다. 이처럼, 별도의 자석부를 구비하지 않더라도, 제3전극부(100)에 인가되는 DC전원이나 DC펄스전원을 인가함으로써, 외측 방향으로의 플라즈마 분산이 충분히 이루어질 수 있게 된다.
In the above description, the third electrode unit 100 is provided with a magnet unit. Alternatively, the third electrode unit 100 having no separate magnet unit may be used. In this way, even if a separate magnet portion is not provided, the DC power source or the DC pulse power source applied to the third electrode portion 100 can be sufficiently applied to the plasma discharge in the outward direction.

도 4는 본 발명의 제2실시예에 따른 기판처리장치를 개략적으로 도시한 단면도이다. 4 is a cross-sectional view schematically showing a substrate processing apparatus according to a second embodiment of the present invention.

도 4를 참조하면, 제2실시예에 따른 기판처리장치(10)는 예를 들면 유도결합 플라즈마 방식의 기판처리장치에 제3전극부(100)를 더욱 구성한 것으로서, 유도결합 플라즈마 방식에 따른 구성을 제외하면 실질적으로 제1실시예의 기판처리장치와 유사한 구성을 갖는다. 따라서, 제1실시예와 동일유사한 구성에 대해서는 설명을 생략할 수 있다.Referring to FIG. 4, the substrate processing apparatus 10 according to the second embodiment further includes a third electrode unit 100 in a substrate processing apparatus of, for example, an inductively coupled plasma system, Substantially the same as the substrate processing apparatus of the first embodiment. Therefore, description of similar components to those of the first embodiment can be omitted.

도 4를 참조하면, 본 발명의 제2실시예에 따른 기판처리장치(10)는 공정챔버(20)와 제1 및 2전극부(30, 50)을 포함할 수 있다.Referring to FIG. 4, a substrate processing apparatus 10 according to a second embodiment of the present invention may include a process chamber 20 and first and second electrode units 30 and 50.

제1전극부(30)는 공정챔버(20) 내부에 설치되고, 기판(SUB)이 안치되는 기판안치부로서 기능하며, 판형상으로 구성될 수 있다. The first electrode unit 30 is provided inside the process chamber 20 and functions as a substrate holding part on which the substrate SUB is placed and may be formed in a plate shape.

제2전극부(50)는 제1전극부(30) 상부에서 제1전극부(30)와 마주보도록 배치된다. 제2전극부(50)는 코일 형상의 안테나(antenna; 51)를 구비하게 된다. The second electrode unit 50 is arranged to face the first electrode unit 30 above the first electrode unit 30. The second electrode unit 50 includes a coil-shaped antenna 51.

안테나(51)는 기판(SUB)을 바라보는 수직한 방향을 따라 1층 구조로 구성되거나 다층 구조로 구성될 수 있다. 이와 관련하여, 안테나(51)가 다층 구조로 형성된 경우에, 안테나 층 사이의 이격 간격을 조절함으로써 플라즈마 밀도를 조절할 수 있게 된다. 본 발명의 제2실시예에서는, 설명의 편의를 위해, 안테나(51)이 1층 구조로 이루어진 경우를 예로 든다.The antenna 51 may have a one-layer structure or a multi-layer structure along a vertical direction looking at the substrate SUB. In this regard, when the antenna 51 is formed in a multi-layered structure, the plasma density can be adjusted by adjusting the spacing between the antenna layers. In the second embodiment of the present invention, for convenience of explanation, a case where the antenna 51 has a one-layer structure is taken as an example.

안테나(51)는 공정챔버(20) 내부나 외부에 위치할 수 있다. 본 발명의 제2실시예에서는, 설명의 편의를 위해, 안테나(51)가 공정챔버(20) 내부에 위치하는 경우를 예로 든다. 이와 같은 경우에, 안테나(51)는 세라믹 등의 절연재질로 이루어진 안테나하우징을 사용하여 밀폐된 상태를 갖도록 구성된다.The antenna 51 may be located inside or outside the process chamber 20. In the second embodiment of the present invention, for convenience of explanation, a case where the antenna 51 is located inside the process chamber 20 will be described as an example. In such a case, the antenna 51 is configured to have a closed state by using an antenna housing made of an insulating material such as ceramic.

한편, 제2전극부(50)는 안테나(51) 하부에 위치하는 가스분배판(52)을 포함할 수 있다.Meanwhile, the second electrode unit 50 may include a gas distribution plate 52 disposed under the antenna 51.

제1 및 2전극부(30, 50) 중 적어도 하나에는 예를 들면 고주파전원이 인가되고, 이에 따라 제1 및 2전극부(30, 50) 사이의 영역에는 플라즈마가 발생될 수 있게 된다. At least one of the first and second electrode portions 30 and 50 is supplied with a high frequency power, for example, so that plasma can be generated in the region between the first and second electrode portions 30 and 50.

본 발명의 제2실시예에서는, 제1 및 2전극부(30, 50) 각각에 제1 및 2고주파전원부(Vrf1, Vrf2)가 연결되어, 제1 및 2고주파전원이 인가되는 경우를 예로 든다.In the second embodiment of the present invention, first and second high-frequency power supply units Vrf1 and Vrf2 are connected to the first and second electrode units 30 and 50, respectively, and first and second high-frequency power sources are applied .

이처럼, 제1 및 2전극부(30, 50) 사이의 영역에 발생된 플라즈마를 사용하여, 기판 상에 형성된 박막을 건식식각(dry etch)할 수 있게 된다. 이와 같은 건식식각을 통해, 원하는 박막 패턴이 형성될 수 있게 된다.
As described above, the plasma generated in the region between the first and second electrode portions 30 and 50 can be used to dry etch the thin film formed on the substrate. Through such dry etching, a desired thin film pattern can be formed.

한편, 전술한 바와 같이 제1 및 2전극부(30, 50)만을 사용하는 경우에는, 플라즈마 밀도의 불균일이 발생하여 식각 균일도가 저하되며, 기판 외곽부에서의 CD 제어에 어려움이 발생한다. On the other hand, when only the first and second electrode portions 30 and 50 are used as described above, unevenness of the plasma density occurs, etching uniformity is lowered, and CD control in the outer portion of the substrate is difficult.

이와 같은 문제를 개선하기 위해, 본 발명의 제2실시예에 따른 기판처리장치(10)는 제2전극부(50)의 외측 중 적어도 일부에, 전술한 제1실시예와 유사하게 제3전극부(100)를 배치하게 된다. In order to solve such a problem, the substrate processing apparatus 10 according to the second embodiment of the present invention includes at least a part of the outside of the second electrode part 50, So that the unit 100 is disposed.

제3전극부(100)는 플라즈마가 발생하는 영역의 상부 외측으로서 예를 들면 제2전극부(50) 주변을 둘러싸도록 배치될 수 있다. The third electrode unit 100 may be arranged to surround the second electrode unit 50, for example, as an upper portion outside the region where the plasma is generated.

제3전극부(100)는 그 후방에 위치하는 요크코일(110)과, 요크 코일 전방에 위치하는 자석부(120)를 포함할 수 있다. The third electrode unit 100 may include a yoke coil 110 located behind the third electrode unit 100 and a magnet unit 120 located in front of the yoke coil.

요크코일(110)은 예를 들면 DC(direct current) 전원부(Vdc)에 연결되어 저저위 DC전원이나 DC펄스(pulse) 전원이 인가될 수 있는데, 이에 한정되지는 않는다.The yoke coil 110 may be connected to a direct current (DC) power source Vdc, for example, and may be a low DC power source or a DC pulse power source. However, the present invention is not limited thereto.

자석부(120)는 외측 방향을 따라 서로 반대되는 자극이 교대로 배치되도록 구성될 수 있다. The magnet portion 120 may be configured such that magnetic poles that are opposite to each other along the outward direction are alternately arranged.

전술한 바와 같은 자석부(120)의 자극 배치에 따라, 제 1 실시예에서 설명한 바와 같이, 플라즈마는 외측 방향으로 분산되어 기판 외곽부 상의 플라즈마 밀도는 향상된다. 이에 따라, 전체적으로 플라즈마 밀도는 균일화될 수 있게 된다.According to the magnetic pole arrangement of the magnet portion 120 as described above, as described in the first embodiment, the plasma is dispersed outwardly to improve the plasma density on the substrate outer frame portion. Thus, the plasma density as a whole can be made uniform.

이에 따라, 기판 전체의 식각률이 균일해 질 수 있게 있으며, 기판 외곽부의 CD 제어가 용이해 질 수 있게 된다. As a result, the etch rate of the entire substrate can be made uniform, and CD control of the substrate outside portion can be facilitated.

한편, 기판 외곽부의 플라즈마 밀도가 중심부와 균일한 정도를 갖는 경우에는, 제3전극부(100)에 전원을 오프(off)하여 가동을 중단하게 된다.On the other hand, when the plasma density of the substrate outer portion is uniform with the central portion, the power is turned off to the third electrode unit 100 to stop the operation.

이처럼, 본 발명의 제2실시예에서는, 필요에 따라 제3전극부(100)의 가동을 온/오프할 수 있다.In this manner, in the second embodiment of the present invention, the operation of the third electrode unit 100 can be turned on / off as needed.

더욱이, 제3전극부(100)에 인가되는 전원의 크기 등을 조절하여, 기판 외곽부의 식각률을 적응적으로 조절할 수 있다.In addition, the etching rate of the outer edge portion of the substrate can be adjusted adaptively by adjusting the size of the power source applied to the third electrode portion 100 and the like.

한편, 본 발명의 제2실시예에서는 플라즈마 밀도의 분포를 모니터링(monitoring)하기 위한 수단으로서 예를 들면 아크디텍터(70)가 기판처리장치(10)에 구비될 수 있다.
Meanwhile, in the second embodiment of the present invention, for example, an arc detector 70 may be provided in the substrate processing apparatus 10 as a means for monitoring the distribution of the plasma density.

전술한 바와 같이, 본 발명의 실시예들에 따르면, 제2전극부의 외측에 DC전원이 공급되는 제3전극부를 배치하게 된다. 이에 따라, 플라즈마 발생 영역이 외측 방향으로 분산될 수 있게 된다. 더욱이, 제2전극부에 자기장을 발생시키는 자극부를 더욱 배치하는 경우에는, 플라즈마 발생 영역이 외측 방향으로 보다 더 효과적으로 분산될 수 있다.As described above, according to the embodiments of the present invention, the third electrode portion to which DC power is supplied is disposed outside the second electrode portion. Thus, the plasma generating region can be dispersed in the outward direction. Furthermore, in the case of further disposing the magnetic pole portion for generating the magnetic field in the second electrode portion, the plasma generating region can be more effectively dispersed in the outward direction.

이에 따라, 외곽부의 플라즈마 밀도가 향상될 수 있게 되어, 기판 전체의 식각률 균일도가 향상될 수 있으며 외곽부의 CD 제어가 용이해 질 수 있게 된다.Accordingly, the plasma density of the outer frame portion can be improved, the uniformity of the etch rate of the entire substrate can be improved, and the CD control of the outer frame portion can be facilitated.

전술한 바에서는 제3전극부를 적용한 식각 공정용 기판처리장치에 대해 주로 설명하였다. 한편, 다른 예로서, 증착 공정용 기판처리장치에 전술한 제3전극부를 적용할 수 있다.
In the foregoing description, the substrate processing apparatus for the etching process to which the third electrode portion is applied is mainly described. On the other hand, as another example, the above-described third electrode unit can be applied to the substrate processing apparatus for a deposition process.

전술한 바와 같은 기판처리장치를 사용하여 기판 상에 박막을 증착하거나 식각함으로써 반도체나 평판표시장치 등의 전자소자나 전자소자용 기판을 제조할 수 있게 된다.It is possible to manufacture electronic devices such as semiconductors and flat panel display devices or substrates for electronic devices by depositing or etching a thin film on a substrate using the above-described substrate processing apparatus.

이하, 본 발명의 실시예에 따른 기판처리장치를 사용하여 전자소자를 제조하는 방법과 관련하여, 평판표시장치인 유기발광소자를 제조하는 방법을 예로 들어 설명한다.Hereinafter, a method of manufacturing an organic light emitting device as a flat panel display will be described with reference to a method of manufacturing an electronic device using a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention.

도 5는 본 발명의 제1 및/또는 2실시예에 따른 기판처리장치를 사용하여 유기발광소자를 제조하는 방법을 도시한 도면이다.5 is a view illustrating a method of manufacturing an organic light emitting device using the substrate processing apparatus according to the first and / or second embodiments of the present invention.

도 5를 참조하면, 기판(200) 상에 버퍼층(buffer layer; 210)을 형성한다. 기판(200)으로서 유리기판이나 석영기판이 사용될 수 있다. 버퍼층(210)으로서, 산화실리콘(silicon oxide)이나 질화실리콘(silicon nitride)이 사용될 수 있다.Referring to FIG. 5, a buffer layer 210 is formed on a substrate 200. As the substrate 200, a glass substrate or a quartz substrate can be used. As the buffer layer 210, silicon oxide or silicon nitride may be used.

다음으로, 버퍼층(210) 상에 비정질실리콘을 형성한다. 비정질실리콘을 형성한 후에 이를 결정화하게 된다. 이와 관련하여, 다양한 결정화 방법이 사용될 수 있는데, 예를 들면 금속촉매를 매개로 한 결정화방법이 사용될 수 있다. 이에 따라, 다결정실리콘으로 이루어진 반도체층(221)이 형성된다.Next, amorphous silicon is formed on the buffer layer 210. After forming amorphous silicon, it crystallizes. In this connection, various crystallization methods may be used, for example, a crystallization method mediated by a metal catalyst may be used. Thus, a semiconductor layer 221 made of polycrystalline silicon is formed.

다음으로, 반도체층(221)에 대해 패터닝(patterning) 공정을 진행하게 된다. 다음으로, 반도체층(221) 상에 게이트절연막(230)을 형성하게 된다. 다음으로, 반도체층(221)의 양측부에 n+ 또는 p+ 도핑을 진행하게 된다. 이와 같은 이온도핑에 의해, 반도체층(221)의 양측은 소스영역과 드레인영역이 되고, 이온도핑이 되지 않은 가운데부분은 채널영역이 된다.Next, a patterning process is performed on the semiconductor layer 221. Next, a gate insulating layer 230 is formed on the semiconductor layer 221. Next, n + or p + doping is performed on both sides of the semiconductor layer 221. By such ion doping, both sides of the semiconductor layer 221 become a source region and a drain region, and a portion in which ions are not doped becomes a channel region.

다음으로, 금속층을 증착하고 패턴하여, 채널영역에 대응하는 게이트전극(240)을 형성하게 된다. 게이트전극(240)을 형성하는 공정에서, 게이트배선(미도시)이 형성될 수 있다.Next, a metal layer is deposited and patterned to form the gate electrode 240 corresponding to the channel region. In the step of forming the gate electrode 240, a gate wiring (not shown) may be formed.

다음으로, 게이트전극(240) 상에 층간절연막(250)을 형성한다. 다음으로, 층간절연막(250)과 게이트절연막(230)을 패턴하여, 반도체층(221)의 소스영역 및 드레인영역을 노출하는 콘택홀을 형성한다.Next, an interlayer insulating film 250 is formed on the gate electrode 240. Next, the interlayer insulating film 250 and the gate insulating film 230 are patterned to form a contact hole exposing the source region and the drain region of the semiconductor layer 221. Next, as shown in FIG.

다음으로, 층간절연막(250) 상에 금속층을 증착하고 패턴하여, 소스전극(261)과 드레인전극(262)을 형성한다. 소스전극(261)과 드레인전극(262)은 각각, 콘택홀을 통해 소스영역과 드레인영역과 접촉하게 된다. 소스전극(261)과 드레인전극(262)을 형성하는 공정에서, 게이트배선과 함께 화소영역을 정의하는 데이터배선(미도시)이 형성될 수 있다.Next, a metal layer is deposited on the interlayer insulating film 250 and patterned to form a source electrode 261 and a drain electrode 262. [ The source electrode 261 and the drain electrode 262 are brought into contact with the source region and the drain region through the contact holes, respectively. In the step of forming the source electrode 261 and the drain electrode 262, a data line (not shown) for defining a pixel region together with the gate line can be formed.

전술한 바와 같은 공정을 통해, 결정질실리콘으로 이루어진 반도체층(221), 게이트전극(240), 소스전극(261), 드레인전극(262)을 포함하는 박막트랜지스터가 형성된다.A thin film transistor including a semiconductor layer 221 made of crystalline silicon, a gate electrode 240, a source electrode 261, and a drain electrode 262 is formed through the above-described process.

이와 같이 형성된 박막트랜지스터는, 유기발광소자의 화소 및 구동회로의 스위칭소자로 사용된다. 한편, 유기발광소자의 화소영역에는, 박막트랜지스터를 형성한 후 다음과 같은 공정이 더욱 진행될 수 있다.The thus formed thin film transistor is used as a switching element of a pixel of an organic light emitting element and a driving circuit. On the other hand, in the pixel region of the organic light emitting device, the following process can be further performed after forming the thin film transistor.

즉, 제 1 및 2 전극(281, 287)과 유기발광층(285)을 포함하는 유기발광다이오드(EL)를 형성하게 된다. 유기발광다이오드(EL)의 제 1 전극(281)은, 제 1 보호층(265)에 형성된 콘택홀을 통해 박막트랜지스터와 연결된다. 여기서, 도 5에 도시된 박막트랜지스터는 화소에 형성되는 구동박막트랜지스터이다. 도시하지는 않았지만, 유기발광소자의 화소에는 게이트배선 및 데이터배선과 연결되며, 데이터신호를 스위칭하여 구동박막트랜지스터에 전달하는 스위칭박막트랜지스터가 형성된다. 한편, 제 2 보호층(283)은 제 1 전극(281)을 일부 덮게 되며, 이웃하는 화소 사이에 위치하게 된다. 이와 같은 공정을 통해 제작된 기판은, 이와 마주보는 대응기판, 예를 들면, 인캡슐레이션기판(미도시)과 합착된다. 이와 같은 공정들을 통해, 본발명의 실시예에 따른 유기발광소자가 제작된다.That is, the organic light emitting diode EL including the first and second electrodes 281 and 287 and the organic light emitting layer 285 is formed. The first electrode 281 of the organic light emitting diode EL is connected to the thin film transistor through the contact hole formed in the first passivation layer 265. Here, the thin film transistor shown in FIG. 5 is a driving thin film transistor formed in a pixel. Although not shown, a pixel of the organic light emitting element is connected to a gate wiring and a data wiring, and a switching thin film transistor for switching a data signal to transmit the data signal to the driving thin film transistor is formed. On the other hand, the second passivation layer 283 partially covers the first electrode 281 and is located between neighboring pixels. The substrate manufactured through such a process is bonded to a corresponding substrate, for example, an encapsulation substrate (not shown) facing the substrate. Through such processes, an organic light emitting device according to an embodiment of the present invention is fabricated.

이처럼 다수의 박막으로 구성된 유기발광소자를 제작함에 있어, 다수의 박막 중 적어도 하나를 형성하는 과정에서, 전술한 제1 및/또는 2실시예에 따른 기판처리장치가 사용될 수 있다. The substrate processing apparatus according to the first and / or second embodiments may be used in the process of forming at least one of the plurality of thin films in manufacturing the organic light emitting device having a plurality of thin films.

이와 관련하여 예를 들면, 절연막으로서 산화실리콘으로 이루어진 무기절연막을 패터닝하는 경우에, 제1실시예에 따른 기판처리장치(도 1의 10 참조)를 사용하여 해당 절연막을 식각할 수 있다.In this regard, for example, when the inorganic insulating film made of silicon oxide is patterned as the insulating film, the insulating film can be etched using the substrate processing apparatus according to the first embodiment (see 10 in FIG. 1).

한편, 다결정실리콘으로 이루어진 반도체층을 패터닝하는 경우에, 제2실시예에 따른 기판처리장치(도 4의 10 참조)를 사용하여 해당 반도체층을 식각할 수 있다.On the other hand, in the case of patterning a semiconductor layer made of polycrystalline silicon, the semiconductor layer can be etched using the substrate processing apparatus according to the second embodiment (see 10 in FIG. 4).

이처럼, 박막 형성시 본 발명의 실시예에 따른 기판처리장치를 사용하게 됨으로써, 기판 전체에 걸쳐 균일한 특성을 갖는 박막이 형성될 수 있게 된다. 이에 따라, 제조효율이 향상되고 제조비용이 절감될 수 있게 된다.
As described above, when the substrate processing apparatus according to the embodiment of the present invention is used for forming a thin film, a thin film having uniform characteristics can be formed over the entire substrate. Thus, the manufacturing efficiency can be improved and the manufacturing cost can be reduced.

전술한 본 발명의 실시예는 본 발명의 일예로서, 본 발명의 정신에 포함되는 범위 내에서 자유로운 변형이 가능하다. 따라서, 본 발명은, 첨부된 특허청구범위 및 이와 등가되는 범위 내에서의 본 발명의 변형을 포함한다.
The embodiment of the present invention described above is an example of the present invention, and variations are possible within the spirit of the present invention. Accordingly, the invention includes modifications of the invention within the scope of the appended claims and equivalents thereof.

10: 기판처리장치 20: 공정챔버
21: 몸체 22: 리드
30: 제1전극부 40: 제2전극부
70: 아크디텍터 100: 제3전극부
110: 요크코일 120: 자석부10: substrate processing apparatus 20: process chamber
21: body 22: lead
30: first electrode part 40: second electrode part
70: arc detector 100: third electrode part
110: yoke coil 120: magnet portion

Claims (22)

기판이 놓여지는 제1전극부와;
상기 제1전극부와 마주보며 플라즈마를 형성하는 제2전극부와;
상기 제2전극부 외측에 위치하며, DC전원부와 연결되는 요크코일과 상기 요크코일 전방에 위치하며 제2전극부의 외측 방향을 따라 N극과 S극이 교대로 배치되도록 구성된 자석부를 포함하며, 상기 DC전원부로부터 전원이 인가되면 상기 제2전극부 전방에 형성된 상기 플라즈마를 외측 방향으로 분산시키는 제3전극부
를 포함하는 기판처리장치.
A first electrode part on which a substrate is placed;
A second electrode part facing the first electrode part and forming a plasma;
A yoke coil located outside the second electrode portion and connected to the DC power source portion and a magnet portion disposed in front of the yoke coil and having N poles and S poles alternately arranged along the outer direction of the second electrode portion, When the power is applied from the DC power source unit, the third electrode unit for dispersing the plasma formed in front of the second electrode unit in the outward direction,
And the substrate processing apparatus.
삭제delete 삭제delete 제 1 항에 있어서,
상기 제2전극부는 평판 형상의 전극을 포함하여, 축전결합 방식으로 플라즈마를 형성하는
기판처리장치.
The method according to claim 1,
The second electrode unit may include a plate-shaped electrode, and the plasma may be formed in a capacitive coupling manner
/ RTI >
제 1 항에 있어서,
상기 제2전극부는 코일 형상의 안테나를 포함하여, 유도결합 방식으로 플라즈마를 형성하는
기판처리장치.
The method according to claim 1,
The second electrode unit includes a coil-shaped antenna, and the plasma is formed by an inductively coupled method
/ RTI >
제 5 항에 있어서,
상기 안테나는 상기 기판을 바라보는 방향을 따라 1층이나 다층 구조로 구성된
기판처리장치.
6. The method of claim 5,
The antenna may be formed as a single layer or a multi-layer structure along the direction in which the substrate is viewed.
/ RTI >
제 1 항에 있어서,
상기 DC전원부는 DC전원이나 DC펄스전원을 발생시키며,
상기 제1 및 2전극부 중 적어도 하나에는 RF전원이 인가되는
기판처리장치.
The method according to claim 1,
The DC power source generates DC power or DC pulse power,
At least one of the first and second electrode portions is supplied with RF power
/ RTI >
기판 상에 박막을 형성하는 단계와;
상기 기판이 놓여지는 제1전극부와 상기 제1전극부와 마주보는 제2전극부 사이에 플라즈마를 형성하여, 상기 박막을 식각하는 단계를 포함하고,
상기 제2전극부 외측에는, DC전원부와 연결되는 요크코일과 상기 요크코일 전방에 위치하며 제2전극부의 외측 방향을 따라 N극과 S극이 교대로 배치되도록 구성된 자석부를 포함하며, 상기 DC전원부로부터 전원이 인가되면 상기 제2전극부 전방에 형성된 상기 플라즈마를 외측 방향으로 분산시키는 제3전극부가 구성된
전자소자용 기판 제조방법.
Forming a thin film on a substrate;
And etching the thin film by forming a plasma between a first electrode portion on which the substrate is placed and a second electrode portion facing the first electrode portion,
A yoke coil connected to the DC power source unit and a magnet unit disposed in front of the yoke coil and configured such that N and S poles are alternately arranged along the outer direction of the second electrode unit, And a third electrode part for dispersing the plasma formed in front of the second electrode part in the outward direction when power is supplied from the second electrode part
A method for manufacturing a substrate for an electronic device.
삭제delete 삭제delete 제 8 항에 있어서,
상기 제2전극부는 평판 형상의 전극을 포함하여, 축전결합 방식으로 플라즈마를 형성하는
전자소자용 기판 제조방법.
9. The method of claim 8,
The second electrode unit may include a plate-shaped electrode, and the plasma may be formed in a capacitive coupling manner
A method for manufacturing a substrate for an electronic device.
제 8 항에 있어서,
상기 제2전극부는 코일 형상의 안테나를 포함하여, 유도결합 방식으로 플라즈마를 형성하는
전자소자용 기판 제조방법.
9. The method of claim 8,
The second electrode unit includes a coil-shaped antenna, and the plasma is formed by an inductively coupled method
A method for manufacturing a substrate for an electronic device.
제 12 항에 있어서,
상기 안테나는 상기 기판을 바라보는 방향을 따라 1층이나 다층 구조로 구성된
전자소자용 기판 제조방법.
13. The method of claim 12,
The antenna may be formed as a single layer or a multi-layer structure along the direction in which the substrate is viewed.
A method for manufacturing a substrate for an electronic device.
제 8 항에 있어서,
상기 DC전원부는 DC전원이나 DC펄스전원을 발생시키며,
상기 제1 및 2전극부 중 적어도 하나에는 RF전원이 인가되는
전자소자용 기판 제조방법.
9. The method of claim 8,
The DC power source generates DC power or DC pulse power,
At least one of the first and second electrode portions is supplied with RF power
A method for manufacturing a substrate for an electronic device.
반도체층을 갖는 박막트랜지스터를 포함하는 평판표시장치의 제조방법에 있어서,
기판 상에 상기 반도체층을 형성하는 단계와;
상기 기판이 놓여지는 제1전극부와 상기 제1전극부와 마주보는 제2전극부 사이에 플라즈마를 형성하여, 상기 반도체층을 식각하는 단계를 포함하고,
상기 제2전극부 외측에는, DC전원부와 연결되는 요크코일과 상기 요크코일 전방에 위치하며 제2전극부의 외측 방향을 따라 N극과 S극이 교대로 배치되도록 구성된 자석부를 포함하며, 상기 DC전원부로부터 전원이 인가되면 상기 제2전극부 전방에 형성된 상기 플라즈마를 외측 방향으로 분산시키는 제3전극부가 구성되는
평판표시장치 제조방법.
A method of manufacturing a flat panel display including a thin film transistor having a semiconductor layer,
Forming a semiconductor layer on the substrate;
And etching the semiconductor layer by forming a plasma between the first electrode portion on which the substrate is placed and the second electrode portion facing the first electrode portion,
A yoke coil connected to the DC power source unit and a magnet unit disposed in front of the yoke coil and configured such that N and S poles are alternately arranged along the outer direction of the second electrode unit, A third electrode part for dispersing the plasma formed in front of the second electrode part in the outward direction is formed
A flat panel display manufacturing method.
제 15 항에 있어서,
상기 제2전극부는 코일 형상의 안테나를 포함하여, 유도결합 방식으로 플라즈마를 형성하는
평판표시장치 제조방법.
16. The method of claim 15,
The second electrode unit includes a coil-shaped antenna, and the plasma is formed by an inductively coupled method
A flat panel display manufacturing method.
삭제delete 제 15 항에 있어서,
상기 DC전원부는 DC전원이나 DC펄스전원을 발생시키며,
상기 제1 및 2전극부 중 적어도 하나에는 RF전원이 인가되는
평판표시장치 제조방법.
16. The method of claim 15,
The DC power source generates DC power or DC pulse power,
At least one of the first and second electrode portions is supplied with RF power
A flat panel display manufacturing method.
박막트랜지스터와 절연막을 포함하는 평판표시장치의 제조방법에 있어서,
기판 상에 상기 절연막을 형성하는 단계와;
상기 기판이 놓여지는 제1전극부와 상기 제1전극부와 마주보는 제2전극부 사이에 플라즈마를 형성하여, 상기 절연막을 식각하는 단계를 포함하고,
상기 제2전극부 외측에는, DC전원부와 연결되는 요크코일과 상기 요크코일 전방에 위치하며 제2전극부의 외측 방향을 따라 N극과 S극이 교대로 배치되도록 구성된 자석부를 포함하며, 상기 DC전원부로부터 전원이 인가되면 상기 제2전극부 전방에 형성된 상기 플라즈마를 외측 방향으로 분산시키는 제3전극부가 구성되는
평판표시장치 제조방법.
A manufacturing method of a flat panel display device including a thin film transistor and an insulating film,
Forming an insulating film on the substrate;
And etching the insulating film by forming a plasma between the first electrode portion on which the substrate is placed and the second electrode portion facing the first electrode portion,
A yoke coil connected to the DC power source unit and a magnet unit disposed in front of the yoke coil and configured such that N and S poles are alternately arranged along the outer direction of the second electrode unit, A third electrode part for dispersing the plasma formed in front of the second electrode part in the outward direction is formed
A flat panel display manufacturing method.
제 19 항에 있어서,
상기 제2전극부는 평판 형상의 전극을 포함하여, 축전결합 방식으로 플라즈마를 형성하는
평판표시장치 제조방법.
20. The method of claim 19,
The second electrode unit may include a plate-shaped electrode, and the plasma may be formed in a capacitive coupling manner
A flat panel display manufacturing method.
삭제delete 제 19 항에 있어서,
상기 DC전원부는 DC전원이나 DC펄스전원을 발생시키며,
상기 제1 및 2전극부 중 적어도 하나에는 RF전원이 인가되는
평판표시장치 제조방법.20. The method of claim 19,
The DC power source generates DC power or DC pulse power,
At least one of the first and second electrode portions is supplied with RF power
A flat panel display manufacturing method.
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