KR20080021684A - 프로그램 가능한 내구력을 가진 플래시 메모리 - Google Patents
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Abstract
Description
Claims (37)
- 비휘발성 메모리 디바이스로서a) 비휘발성 메모리; 및b) 요구되는 유효 내구력을 제공하기 위해 상기 비휘발성 메모리의 적어도 일부분을 구성하도록 동작하는 컨트롤러를 포함하는 것을 특징으로 하는 비휘발성 메모리 디바이스.
- 제 1 항에 있어서, 상기 유효 내구력은 상기 적어도 일부분의 비휘발성 메모리의 물리적 내구력 보다 우수한 것을 특징으로 하는 비휘발성 메모리 디바이스.
- 제 1 항에 있어서, 논리적으로 어드레싱 가능한 메모리의 전체 크기는 증가된 상기 유효 내구력을 제공하도록 구성할 때 감소되는 것을 특징으로 하는 비휘발성 메모리 디바이스.
- 제 1 항에 있어서, 상기 컨트롤러의 상기 적어도 일부분의 상기 구성하는 단계는i) 상기 적어도 일부분에 대하여 확보하기 위한 물리적 비휘발성 메모리의 크기를 결정하는 단계; 및ii) 상기 결정된 물리적 메모리의 크기를 할당하는 단계를 포함하고, 그리고상기 결정된 물리적 메모리의 크기는 상기 적어도 일부분의 논리적 크기를 초과하는 것을 특징으로 하는 비휘발성 메모리 디바이스.
- 제 4 항에 있어서, 주어진 크기의 상기 구성된 물리적 메모리에 대하여, 더 큰 유효 내구력을 요구하는 것은 더 작은 크기의 논리적 어드레싱 가능한 메모리를 제공하는 것을 특징으로 하는 비휘발성 메모리 디바이스.
- 제 4 항에 있어서, 주어진 크기의 상기 논리적으로 어드레싱 가능한 메모리에 대하여, 더 큰 유효 내구력을 요구하는 것은 더 큰 크기의 상기 물리적 비휘발성 메모리를 구성하는 것을 특징으로 하는 비휘발성 메모리 디바이스.
- 제 4 항에 있어서, 상기 크기는 상기 요구되는 유효 내구력의 특정 값에 따라 결정되는 것을 특징으로 하는 비휘발성 메모리 디바이스.
- 제 4 항에 있어서, 상기 컨트롤러는 상기 할당된 물리적 메모리에 주어진 데이터를 기록하도록 동작하고, 상기 기록하는 단계 중 적어도 하나는 상기 할당된 물리적 메모리에 주어진 데이터를 한번만 기록하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 비휘발성 메모리 디바이스.
- 제 1 항에 있어서, 상기 컨트롤러는 상기 유효 내구력을 복수의 값 중 하나 로 설정하도록 동작하는 것을 특징으로 하는 비휘발성 메모리 디바이스.
- 제 1 항에 있어서,c) 상기 요구되는 유효 내구력의 값을 수신하기 위한 인터페이스를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 비휘발성 메모리 디바이스.
- 제 1 항에 있어서, 상기 비휘발성 메모리는 NAND 플래시 메모리를 포함하는 것을 특징으로 하는 비휘발성 메모리 디바이스.
- 제 1 항에 있어서, 상기 비휘발성 메모리는 NOR 플래시 메모리를 포함하는 것을 특징으로 하는 비휘발성 메모리 디바이스.
- 제 1 항에 있어서, 상기 비휘발성 메모리는 EEPROM 메모리를 포함하는 것을 특징으로 하는 비휘발성 메모리 디바이스.
- 제 1 항에 있어서, 상기 디바이스는 EEPROM 메모리를 에뮬레이팅하도록 동작하는 것을 특징으로 하는 비휘발성 메모리 디바이스.
- 제 1 항에 있어서, 상기 컨트롤러는 상기 비휘발성 메모리의 전부를 상기 요구된 유효 내구력을 제공하도록 구성하도록 동작하는 것을 특징으로 하는 비휘발 성 메모리 디바이스.
- 제 1 항에 있어서, 상기 컨트롤러는 상기 비휘발성 메모리의 제1부분에 대하여 상기 유효 내구력을 제1값으로 설정하고, 상기 비휘발성 메모리의 제2부분에 대하여 상기 유효 내구력을 제2값으로 설정하도록 동작하는 것을 특징으로 하는 비휘발성 메모리 디바이스.
- 제 1 항에 있어서, 상기 컨트롤러는 수신된 외부 커맨드에 따라 상기 비휘발성 메모리를 구성하도록 동작하는 것을 특징으로 하는 비휘발성 메모리 디바이스.
- 제 1 항에 있어서, 상기 컨트롤러는 내장된 소프트웨어를 포함하고, 상기 구성하는 단계는 상기 내장된 소프트웨어에 의해 적어도 일부분 유효화되는 것을 특징으로 하는 비휘발성 메모리 디바이스.
- 데이터 저장 시스템으로서,a) 비휘발성 메모리를 포함하는 비휘발성 메모리 디바이스;b) 상기 비휘발성 메모리 디바이스에 연결된 호스트 디바이스; 및c) 상기 호스트 디바이스에 상주하는 드라이버 코드를 포함하고, 그리고상기 드라이버 코드는 요구된 유효 내구력을 제공하도록 상기 비휘발성 메모 리의 적어도 일부분을 구성하도록 동작하는 것을 특징으로 하는 데이터 저장 시스템.
- 유효 메모리 내구력을 설정하기 위한 방법으로서,a) 비휘발성 메모리를 포함하는 비휘발성 메모리 디바이스의 유효 내구력을 설정하기 위한 커맨드를 생성하는 단계; 및b) 상기 요구된 유효 내구력을 제공하도록 상기 비휘발성 메모리의 적어도 일부분을 구성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 유효 메모리 내구력을 설정하기 위한 방법.
- 제 20 항에 있어서, 상기 커맨드는 상기 비휘발성 메모리 디바이스에 연결된 호스트 디바이스에 의해 생성된 외부 커맨드인 것을 특징으로 하는 유효 메모리 내구력을 설정하기 위한 방법.
- 제 20 항에 있어서, 상기 유효 내구력은 상기 적어도 일부분의 비휘발성 메모리의 물리적 내구력 보다 우수한 것을 특징으로 하는 유효 메모리 내구력을 설정하기 위한 방법.
- 제 20 항에 있어서, 상기 구성하는 단계는 상기 비휘발성 메모리 디바이스의 논리적으로 어드레싱 가능한 메모리의 전체 크기를 감소시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 유효 메모리 내구력을 설정하기 위한 방법.
- 제 20 항에 있어서, 상기 적어도 일부분을 구성하는 단계는i) 상기 적어도 일부분을 확보하기 위한 물리적 비휘발성 메모리의 크기를 결정하는 단계; 및ii) 상기 결정된 크기의 물리적 메모리를 할당하는 단계를 포함하고, 그리고상기 물리적 메모리의 결정된 크기는 상기 적어도 일부분의 논리적 크기 보다 큰 것을 특징으로 하는 유효 메모리 내구력을 설정하기 위한 방법.
- 제 24 항에 있어서, 주어진 크기의 논리적으로 어드레싱 가능한 메모리에 대하여, 더 큰 상기 유효 내구력을 요구하는 것은 더 큰 크기의 상기 물리적 비휘발성 메모리를 할당하는 것을 특징으로 하는 유효 메모리 내구력을 설정하기 위한 방법.
- 제 24 항에 있어서, 주어진 크기의 상기 물리적 비휘발성 메모리에 대하여, 더 큰 상기 유효 내구력을 요구하는 것은 더 작은 크기의 논리적으로 어드레싱 가능한 메모리를 제공하는 것을 특징으로 하는 유효 메모리 내구력을 설정하기 위한 방법.
- 제 24 항에 있어서, 상기 크기는 상기 요구된 유효 내구력의 특정 값에 따 라 결정되는 것을 특징으로 하는 유효 메모리 내구력을 설정하기 위한 방법.
- 제 24 항에 있어서,c) 상기 할당된 물리적 메모리에 데이터를 기록하는 단계를 포함하여, 상기 기록하는 단계가 상기 할당된 물리적 메모리에 주어진 데이터를 한번만 기록하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 유효 메모리 내구력을 설정하기 위한 방법.
- 제 20 항에 있어서, 상기 유효 내구력은 상기 비휘발성 메모리 디바이스의 제조 시에 설정되는 것을 특징으로 하는 유효 메모리 내구력을 설정하기 위한 방법.
- 제 20 항에 있어서, 상기 유효 내구력은 상기 비휘발성 메모리 디바이스의 실행 시에 설정되는 것을 특징으로 하는 유효 메모리 내구력을 설정하기 위한 방법.
- 제 20 항에 있어서, 상기 유효 내구력을 설정하는 단계는 상기 비휘발성 메모리 디바이스 내에 내장된 소프트웨어에 의해 적어도 일부분 유효화되는 것을 특징으로 하는 유효 메모리 내구력을 설정하기 위한 방법.
- 제 20 항에 있어서, 상기 유효 내구력을 설정하는 단계는 상기 비휘발성 메모리 디바이스에 연결된 호스트 디바이스에 상주하는 소프트웨어에 의해 적어도 일부분 유효화되는 것을 특징으로 하는 유효 메모리 내구력을 설정하기 위한 방법.
- 제 20 항에 있어서, 상기 비휘발성 메모리 디바이스는 NAND 플래시 메모리를 포함하는 것을 특징으로 하는 유효 메모리 내구력을 설정하기 위한 방법.
- 제 20 항에 있어서, 상기 비휘발성 메모리 디바이스는 NOR 플래시 메모리를 포함하는 것을 특징으로 하는 유효 메모리 내구력을 설정하기 위한 방법.
- 제 20 항에 있어서, 상기 비휘발성 메모리 디바이스는 EEPROM 메모리를 포함하는 것을 특징으로 하는 유효 메모리 내구력을 설정하기 위한 방법.
- 제 20 항에 있어서, 상기 비휘발성 메모리 디바이스는 EEPROM 메모리를 에뮬레이팅하도록 동작하는 것을 특징으로 하는 유효 메모리 내구력을 설정하기 위한 방법.
- 내장된 컴퓨터 판독가능한 코드를 갖춘 컴퓨터 판독가능한 저장 매체로서,상기 컴퓨터 판독가능한 코드는 요구된 유효 내구력을 제공하도록 비휘발성 메모리 디바이스의 비휘발성 메모리의 적어도 일부분을 구성하기 위한 명령어를 포함하는 것을 특징으로 하는 내장된 컴퓨터 판독가능한 코드를 갖춘 컴퓨터 판독가 능한 저장 매체.
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