KR20080016005A - New anthracene derivatives and organic electronic device using the same - Google Patents
New anthracene derivatives and organic electronic device using the same Download PDFInfo
- Publication number
- KR20080016005A KR20080016005A KR1020060077502A KR20060077502A KR20080016005A KR 20080016005 A KR20080016005 A KR 20080016005A KR 1020060077502 A KR1020060077502 A KR 1020060077502A KR 20060077502 A KR20060077502 A KR 20060077502A KR 20080016005 A KR20080016005 A KR 20080016005A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- group
- unsubstituted
- substituted
- aryl
- heteroaryl
- Prior art date
Links
- 150000001454 anthracenes Chemical class 0.000 title claims abstract description 30
- 125000003118 aryl group Chemical group 0.000 claims abstract description 92
- 125000001072 heteroaryl group Chemical group 0.000 claims abstract description 79
- 125000003277 amino group Chemical group 0.000 claims abstract description 63
- 239000011368 organic material Substances 0.000 claims abstract description 36
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 claims description 70
- 125000003342 alkenyl group Chemical group 0.000 claims description 69
- 125000003545 alkoxy group Chemical group 0.000 claims description 68
- 125000000753 cycloalkyl group Chemical group 0.000 claims description 61
- 125000000592 heterocycloalkyl group Chemical group 0.000 claims description 55
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 claims description 52
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 claims description 52
- 125000002560 nitrile group Chemical group 0.000 claims description 51
- 125000000449 nitro group Chemical group [O-][N+](*)=O 0.000 claims description 51
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 37
- 238000002347 injection Methods 0.000 claims description 33
- 239000007924 injection Substances 0.000 claims description 33
- YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N Furan Chemical group C=1C=COC=1 YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 21
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 20
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 claims description 19
- -1 acridil group Chemical group 0.000 claims description 18
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 10
- 125000005264 aryl amine group Chemical group 0.000 claims description 9
- PAYRUJLWNCNPSJ-UHFFFAOYSA-N Aniline Chemical compound NC1=CC=CC=C1 PAYRUJLWNCNPSJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- UJOBWOGCFQCDNV-UHFFFAOYSA-N 9H-carbazole Chemical compound C1=CC=C2C3=CC=CC=C3NC2=C1 UJOBWOGCFQCDNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 125000004450 alkenylene group Chemical group 0.000 claims description 5
- 125000000304 alkynyl group Chemical group 0.000 claims description 5
- 125000001425 triazolyl group Chemical group 0.000 claims description 5
- RUFPHBVGCFYCNW-UHFFFAOYSA-N 1-naphthylamine Chemical compound C1=CC=C2C(N)=CC=CC2=C1 RUFPHBVGCFYCNW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 125000000732 arylene group Chemical group 0.000 claims description 4
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 claims description 4
- 125000005549 heteroarylene group Chemical group 0.000 claims description 4
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 claims description 4
- 125000002496 methyl group Chemical group [H]C([H])([H])* 0.000 claims description 4
- ROFVEXUMMXZLPA-UHFFFAOYSA-N Bipyridyl Chemical group N1=CC=CC=C1C1=CC=CC=N1 ROFVEXUMMXZLPA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- YTPLMLYBLZKORZ-UHFFFAOYSA-N Thiophene Chemical group C=1C=CSC=1 YTPLMLYBLZKORZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 125000001624 naphthyl group Chemical group 0.000 claims description 3
- 125000001997 phenyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(*)C([H])=C1[H] 0.000 claims description 3
- 125000004076 pyridyl group Chemical group 0.000 claims description 3
- JYEUMXHLPRZUAT-UHFFFAOYSA-N 1,2,3-triazine Chemical group C1=CN=NN=C1 JYEUMXHLPRZUAT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- NTYDMFCZXBCEJY-UHFFFAOYSA-N 1-methyl-2-phenylcyclohexa-2,4-dien-1-amine Chemical compound CC1(N)CC=CC=C1C1=CC=CC=C1 NTYDMFCZXBCEJY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- WONYVCKUEUULQN-UHFFFAOYSA-N 2-methyl-n-(2-methylphenyl)aniline Chemical group CC1=CC=CC=C1NC1=CC=CC=C1C WONYVCKUEUULQN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- JJYPMNFTHPTTDI-UHFFFAOYSA-N 3-methylaniline Chemical compound CC1=CC=CC(N)=C1 JJYPMNFTHPTTDI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- ZCYVEMRRCGMTRW-UHFFFAOYSA-N 7553-56-2 Chemical compound [I] ZCYVEMRRCGMTRW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- WKBOTKDWSSQWDR-UHFFFAOYSA-N Bromine atom Chemical compound [Br] WKBOTKDWSSQWDR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N Chlorine atom Chemical compound [Cl] ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N Fluorine Chemical compound FF PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- XQVWYOYUZDUNRW-UHFFFAOYSA-N N-Phenyl-1-naphthylamine Chemical group C=1C=CC2=CC=CC=C2C=1NC1=CC=CC=C1 XQVWYOYUZDUNRW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- FZWLAAWBMGSTSO-UHFFFAOYSA-N Thiazole Chemical group C1=CSC=N1 FZWLAAWBMGSTSO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- YUENFNPLGJCNRB-UHFFFAOYSA-N anthracen-1-amine Chemical compound C1=CC=C2C=C3C(N)=CC=CC3=CC2=C1 YUENFNPLGJCNRB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- DMVOXQPQNTYEKQ-UHFFFAOYSA-N biphenyl-4-amine Chemical compound C1=CC(N)=CC=C1C1=CC=CC=C1 DMVOXQPQNTYEKQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- GDTBXPJZTBHREO-UHFFFAOYSA-N bromine Substances BrBr GDTBXPJZTBHREO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910052794 bromium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 125000000484 butyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 claims description 2
- 239000000460 chlorine Substances 0.000 claims description 2
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 125000000113 cyclohexyl group Chemical group [H]C1([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])(*)C([H])([H])C1([H])[H] 0.000 claims description 2
- 125000001511 cyclopentyl group Chemical group [H]C1([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])(*)C1([H])[H] 0.000 claims description 2
- DMBHHRLKUKUOEG-UHFFFAOYSA-N diphenylamine Chemical group C=1C=CC=CC=1NC1=CC=CC=C1 DMBHHRLKUKUOEG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 125000001495 ethyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 claims description 2
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 claims description 2
- 125000003187 heptyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 claims description 2
- 125000004051 hexyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 claims description 2
- 125000002883 imidazolyl group Chemical group 0.000 claims description 2
- 239000011630 iodine Substances 0.000 claims description 2
- 229910052740 iodine Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 125000001449 isopropyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])(*)C([H])([H])[H] 0.000 claims description 2
- 125000002183 isoquinolinyl group Chemical group C1(=NC=CC2=CC=CC=C12)* 0.000 claims description 2
- 125000002971 oxazolyl group Chemical group 0.000 claims description 2
- 125000001147 pentyl group Chemical group C(CCCC)* 0.000 claims description 2
- 125000001436 propyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 claims description 2
- 125000002943 quinolinyl group Chemical group N1=C(C=CC2=CC=CC=C12)* 0.000 claims description 2
- 125000003011 styrenyl group Chemical group [H]\C(*)=C(/[H])C1=C([H])C([H])=C([H])C([H])=C1[H] 0.000 claims description 2
- 125000000999 tert-butyl group Chemical group [H]C([H])([H])C(*)(C([H])([H])[H])C([H])([H])[H] 0.000 claims description 2
- 125000006617 triphenylamine group Chemical group 0.000 claims description 2
- QXDWMAODKPOTKK-UHFFFAOYSA-N 9-methylanthracen-1-amine Chemical compound C1=CC(N)=C2C(C)=C(C=CC=C3)C3=CC2=C1 QXDWMAODKPOTKK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 125000001769 aryl amino group Chemical group 0.000 claims 1
- 239000000463 material Substances 0.000 abstract description 57
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract description 2
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 131
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 111
- WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N Tetrahydrofuran Chemical compound C1CCOC1 WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 38
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 33
- VLKZOEOYAKHREP-UHFFFAOYSA-N n-Hexane Chemical compound CCCCCC VLKZOEOYAKHREP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 33
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 description 32
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 28
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 23
- RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N Diethyl ether Chemical compound CCOCC RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 16
- CSNNHWWHGAXBCP-UHFFFAOYSA-L Magnesium sulfate Chemical compound [Mg+2].[O-][S+2]([O-])([O-])[O-] CSNNHWWHGAXBCP-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 16
- RFFLAFLAYFXFSW-UHFFFAOYSA-N 1,2-dichlorobenzene Chemical compound ClC1=CC=CC=C1Cl RFFLAFLAYFXFSW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 15
- HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M Sodium hydroxide Chemical compound [OH-].[Na+] HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 15
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 14
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 13
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 13
- PQXKHYXIUOZZFA-UHFFFAOYSA-M lithium fluoride Chemical compound [Li+].[F-] PQXKHYXIUOZZFA-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 13
- QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N Acetic acid Chemical compound CC(O)=O QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 11
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 11
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 11
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 10
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 10
- UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N Benzene Chemical compound C1=CC=CC=C1 UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N Methanol Chemical compound OC OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 9
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- NLKNQRATVPKPDG-UHFFFAOYSA-M potassium iodide Chemical compound [K+].[I-] NLKNQRATVPKPDG-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 9
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 8
- TYJJADVDDVDEDZ-UHFFFAOYSA-M potassium hydrogencarbonate Chemical compound [K+].OC([O-])=O TYJJADVDDVDEDZ-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 8
- 125000001424 substituent group Chemical group 0.000 description 8
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 7
- RLOWWWKZYUNIDI-UHFFFAOYSA-N phosphinic chloride Chemical compound ClP=O RLOWWWKZYUNIDI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- DMEVMYSQZPJFOK-UHFFFAOYSA-N 3,4,5,6,9,10-hexazatetracyclo[12.4.0.02,7.08,13]octadeca-1(18),2(7),3,5,8(13),9,11,14,16-nonaene Chemical group N1=NN=C2C3=CC=CC=C3C3=CC=NN=C3C2=N1 DMEVMYSQZPJFOK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- JGFZNNIVVJXRND-UHFFFAOYSA-N N,N-Diisopropylethylamine (DIPEA) Chemical compound CCN(C(C)C)C(C)C JGFZNNIVVJXRND-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- MZRVEZGGRBJDDB-UHFFFAOYSA-N N-Butyllithium Chemical compound [Li]CCCC MZRVEZGGRBJDDB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- MWPLVEDNUUSJAV-UHFFFAOYSA-N anthracene Natural products C1=CC=CC2=CC3=CC=CC=C3C=C21 MWPLVEDNUUSJAV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- IKDUDTNKRLTJSI-UHFFFAOYSA-N hydrazine hydrate Chemical compound O.NN IKDUDTNKRLTJSI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- NLXLAEXVIDQMFP-UHFFFAOYSA-N Ammonia chloride Chemical compound [NH4+].[Cl-] NLXLAEXVIDQMFP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N O-Xylene Chemical compound CC1=CC=CC=C1C CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000012153 distilled water Substances 0.000 description 5
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 5
- 238000001914 filtration Methods 0.000 description 5
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 5
- IBHBKWKFFTZAHE-UHFFFAOYSA-N n-[4-[4-(n-naphthalen-1-ylanilino)phenyl]phenyl]-n-phenylnaphthalen-1-amine Chemical group C1=CC=CC=C1N(C=1C2=CC=CC=C2C=CC=1)C1=CC=C(C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=CC=CC=2)C=2C3=CC=CC=C3C=CC=2)C=C1 IBHBKWKFFTZAHE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 description 5
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N palladium Substances [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000008096 xylene Substances 0.000 description 5
- LMXOZFCNVIVYSH-UHFFFAOYSA-N 2-bromo-9,10-dinaphthalen-1-ylanthracene Chemical compound C1=CC=C2C(C3=C4C=CC=CC4=C(C=4C5=CC=CC=C5C=CC=4)C4=CC=C(C=C43)Br)=CC=CC2=C1 LMXOZFCNVIVYSH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 4
- 125000005843 halogen group Chemical group 0.000 description 4
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 4
- 150000003852 triazoles Chemical class 0.000 description 4
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- YMWUJEATGCHHMB-UHFFFAOYSA-N Dichloromethane Chemical compound ClCCl YMWUJEATGCHHMB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- XEKOWRVHYACXOJ-UHFFFAOYSA-N Ethyl acetate Chemical compound CCOC(C)=O XEKOWRVHYACXOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 3
- PYKYMHQGRFAEBM-UHFFFAOYSA-N anthraquinone Natural products CCC(=O)c1c(O)c2C(=O)C3C(C=CC=C3O)C(=O)c2cc1CC(=O)OC PYKYMHQGRFAEBM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 150000004056 anthraquinones Chemical class 0.000 description 3
- PASDCCFISLVPSO-UHFFFAOYSA-N benzoyl chloride Chemical compound ClC(=O)C1=CC=CC=C1 PASDCCFISLVPSO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 description 3
- 229920001940 conductive polymer Polymers 0.000 description 3
- 238000004770 highest occupied molecular orbital Methods 0.000 description 3
- 229910052943 magnesium sulfate Inorganic materials 0.000 description 3
- 235000019341 magnesium sulphate Nutrition 0.000 description 3
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 3
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 3
- 239000012299 nitrogen atmosphere Substances 0.000 description 3
- 239000000047 product Substances 0.000 description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 3
- DLKQHBOKULLWDQ-UHFFFAOYSA-N 1-bromonaphthalene Chemical compound C1=CC=C2C(Br)=CC=CC2=C1 DLKQHBOKULLWDQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NGNBDVOYPDDBFK-UHFFFAOYSA-N 2-[2,4-di(pentan-2-yl)phenoxy]acetyl chloride Chemical compound CCCC(C)C1=CC=C(OCC(Cl)=O)C(C(C)CCC)=C1 NGNBDVOYPDDBFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QENGPZGAWFQWCZ-UHFFFAOYSA-N 3-Methylthiophene Chemical compound CC=1C=CSC=1 QENGPZGAWFQWCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- DHYHYLGCQVVLOQ-UHFFFAOYSA-N 3-bromoaniline Chemical compound NC1=CC=CC(Br)=C1 DHYHYLGCQVVLOQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- UYIMBYKIIMYFPS-UHFFFAOYSA-N 4-bromobenzohydrazide Chemical compound NNC(=O)C1=CC=C(Br)C=C1 UYIMBYKIIMYFPS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RZVHIXYEVGDQDX-UHFFFAOYSA-N 9,10-anthraquinone Chemical group C1=CC=C2C(=O)C3=CC=CC=C3C(=O)C2=C1 RZVHIXYEVGDQDX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000006069 Suzuki reaction reaction Methods 0.000 description 2
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 235000019270 ammonium chloride Nutrition 0.000 description 2
- 239000010405 anode material Substances 0.000 description 2
- 150000004982 aromatic amines Chemical class 0.000 description 2
- WARCRYXKINZHGQ-UHFFFAOYSA-N benzohydrazide Chemical compound NNC(=O)C1=CC=CC=C1 WARCRYXKINZHGQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IOJUPLGTWVMSFF-UHFFFAOYSA-N benzothiazole Chemical compound C1=CC=C2SC=NC2=C1 IOJUPLGTWVMSFF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000006267 biphenyl group Chemical group 0.000 description 2
- IPWKHHSGDUIRAH-UHFFFAOYSA-N bis(pinacolato)diboron Chemical compound O1C(C)(C)C(C)(C)OB1B1OC(C)(C)C(C)(C)O1 IPWKHHSGDUIRAH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010406 cathode material Substances 0.000 description 2
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 2
- 239000003599 detergent Substances 0.000 description 2
- 238000011161 development Methods 0.000 description 2
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 2
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 2
- 125000004494 ethyl ester group Chemical group 0.000 description 2
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 2
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000007773 negative electrode material Substances 0.000 description 2
- 125000002080 perylenyl group Chemical group C1(=CC=C2C=CC=C3C4=CC=CC5=CC=CC(C1=C23)=C45)* 0.000 description 2
- 238000005240 physical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 229920000553 poly(phenylenevinylene) Polymers 0.000 description 2
- 229920000767 polyaniline Polymers 0.000 description 2
- SCVFZCLFOSHCOH-UHFFFAOYSA-M potassium acetate Chemical compound [K+].CC([O-])=O SCVFZCLFOSHCOH-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- BWHMMNNQKKPAPP-UHFFFAOYSA-L potassium carbonate Chemical compound [K+].[K+].[O-]C([O-])=O BWHMMNNQKKPAPP-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- 239000011541 reaction mixture Substances 0.000 description 2
- ACUGTEHQOFWBES-UHFFFAOYSA-M sodium hypophosphite monohydrate Chemical compound O.[Na+].[O-]P=O ACUGTEHQOFWBES-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 230000002194 synthesizing effect Effects 0.000 description 2
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 2
- TVIVIEFSHFOWTE-UHFFFAOYSA-K tri(quinolin-8-yloxy)alumane Chemical compound [Al+3].C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1.C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1.C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1 TVIVIEFSHFOWTE-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 2
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 2
- BCMCBBGGLRIHSE-UHFFFAOYSA-N 1,3-benzoxazole Chemical compound C1=CC=C2OC=NC2=C1 BCMCBBGGLRIHSE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RYHBNJHYFVUHQT-UHFFFAOYSA-N 1,4-Dioxane Chemical compound C1COCCO1 RYHBNJHYFVUHQT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SAODOTSIOILVSO-UHFFFAOYSA-N 2-(4-bromophenyl)naphthalene Chemical compound C1=CC(Br)=CC=C1C1=CC=C(C=CC=C2)C2=C1 SAODOTSIOILVSO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VTSDGYDTWADUJQ-UHFFFAOYSA-N 2-bromoanthracene-9,10-dione Chemical compound C1=CC=C2C(=O)C3=CC(Br)=CC=C3C(=O)C2=C1 VTSDGYDTWADUJQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- APSMUYYLXZULMS-UHFFFAOYSA-N 2-bromonaphthalene Chemical compound C1=CC=CC2=CC(Br)=CC=C21 APSMUYYLXZULMS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BNAQRAZIPAHWAR-UHFFFAOYSA-N 3-bromobenzohydrazide Chemical compound NNC(=O)C1=CC=CC(Br)=C1 BNAQRAZIPAHWAR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MQFYUZCANYLWEI-UHFFFAOYSA-N 4-methylnaphthalen-1-amine Chemical compound C1=CC=C2C(C)=CC=C(N)C2=C1 MQFYUZCANYLWEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WNLMYNASWOULQY-UHFFFAOYSA-N 4-tert-butylbenzoyl chloride Chemical compound CC(C)(C)C1=CC=C(C(Cl)=O)C=C1 WNLMYNASWOULQY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KWSLGOVYXMQPPX-UHFFFAOYSA-N 5-[3-(trifluoromethyl)phenyl]-2h-tetrazole Chemical compound FC(F)(F)C1=CC=CC(C2=NNN=N2)=C1 KWSLGOVYXMQPPX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005725 8-Hydroxyquinoline Substances 0.000 description 1
- OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N Calcium Chemical compound [Ca] OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-M Chloride anion Chemical compound [Cl-] VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052688 Gadolinium Inorganic materials 0.000 description 1
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M Ilexoside XXIX Chemical compound C[C@@H]1CC[C@@]2(CC[C@@]3(C(=CC[C@H]4[C@]3(CC[C@@H]5[C@@]4(CC[C@@H](C5(C)C)OS(=O)(=O)[O-])C)C)[C@@H]2[C@]1(C)O)C)C(=O)O[C@H]6[C@@H]([C@H]([C@@H]([C@H](O6)CO)O)O)O.[Na+] DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M 0.000 description 1
- WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N Lithium Chemical compound [Li] WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZLMJMSJWJFRBEC-UHFFFAOYSA-N Potassium Chemical compound [K] ZLMJMSJWJFRBEC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NRCMAYZCPIVABH-UHFFFAOYSA-N Quinacridone Chemical compound N1C2=CC=CC=C2C(=O)C2=C1C=C1C(=O)C3=CC=CC=C3NC1=C2 NRCMAYZCPIVABH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910006404 SnO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PVVUJMPJDPJDSE-UHFFFAOYSA-N [CH-]1C=CC=C1.C1=CC=C[C-]1P(C1=CC=CC=C1)C1=CC=CC=C1.Cl.[Fe+2] Chemical compound [CH-]1C=CC=C1.C1=CC=C[C-]1P(C1=CC=CC=C1)C1=CC=CC=C1.Cl.[Fe+2] PVVUJMPJDPJDSE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PKWBMOXZIMVOJT-UHFFFAOYSA-N anthracen-2-ylboronic acid Chemical compound C1=CC=CC2=CC3=CC(B(O)O)=CC=C3C=C21 PKWBMOXZIMVOJT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000005577 anthracene group Chemical group 0.000 description 1
- 125000002178 anthracenyl group Chemical group C1(=CC=CC2=CC3=CC=CC=C3C=C12)* 0.000 description 1
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 1
- 150000001502 aryl halides Chemical class 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000009739 binding Methods 0.000 description 1
- UFVXQDWNSAGPHN-UHFFFAOYSA-K bis[(2-methylquinolin-8-yl)oxy]-(4-phenylphenoxy)alumane Chemical compound [Al+3].C1=CC=C([O-])C2=NC(C)=CC=C21.C1=CC=C([O-])C2=NC(C)=CC=C21.C1=CC([O-])=CC=C1C1=CC=CC=C1 UFVXQDWNSAGPHN-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- 229920001400 block copolymer Polymers 0.000 description 1
- ZADPBFCGQRWHPN-UHFFFAOYSA-N boronic acid Chemical compound OBO ZADPBFCGQRWHPN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011575 calcium Substances 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 1
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- GBRBMTNGQBKBQE-UHFFFAOYSA-L copper;diiodide Chemical compound I[Cu]I GBRBMTNGQBKBQE-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 239000012043 crude product Substances 0.000 description 1
- 238000005137 deposition process Methods 0.000 description 1
- 238000003618 dip coating Methods 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 1
- 239000000284 extract Substances 0.000 description 1
- UIWYJDYFSGRHKR-UHFFFAOYSA-N gadolinium atom Chemical compound [Gd] UIWYJDYFSGRHKR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007429 general method Methods 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 150000004820 halides Chemical class 0.000 description 1
- 125000000623 heterocyclic group Chemical group 0.000 description 1
- 125000004435 hydrogen atom Chemical group [H]* 0.000 description 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 1
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910003437 indium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007641 inkjet printing Methods 0.000 description 1
- 125000005956 isoquinolyl group Chemical group 0.000 description 1
- 239000011133 lead Substances 0.000 description 1
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 1
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001092 metal group alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- NSNPSJGHTQIXDO-UHFFFAOYSA-N naphthalene-1-carbonyl chloride Chemical compound C1=CC=C2C(C(=O)Cl)=CC=CC2=C1 NSNPSJGHTQIXDO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 229960003540 oxyquinoline Drugs 0.000 description 1
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 1
- CSHWQDPOILHKBI-UHFFFAOYSA-N peryrene Natural products C1=CC(C2=CC=CC=3C2=C2C=CC=3)=C3C2=CC=CC3=C1 CSHWQDPOILHKBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003208 petroleum Substances 0.000 description 1
- UHZYTMXLRWXGPK-UHFFFAOYSA-N phosphorus pentachloride Chemical compound ClP(Cl)(Cl)(Cl)Cl UHZYTMXLRWXGPK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920002098 polyfluorene Polymers 0.000 description 1
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 1
- 239000002861 polymer material Substances 0.000 description 1
- 229920000128 polypyrrole Polymers 0.000 description 1
- 229920000123 polythiophene Polymers 0.000 description 1
- 239000007774 positive electrode material Substances 0.000 description 1
- 239000011591 potassium Substances 0.000 description 1
- 229910052700 potassium Inorganic materials 0.000 description 1
- 235000011056 potassium acetate Nutrition 0.000 description 1
- 229910000027 potassium carbonate Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002244 precipitate Substances 0.000 description 1
- 125000001725 pyrenyl group Chemical group 0.000 description 1
- MCJGNVYPOGVAJF-UHFFFAOYSA-N quinolin-8-ol Chemical compound C1=CN=C2C(O)=CC=CC2=C1 MCJGNVYPOGVAJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000005493 quinolyl group Chemical group 0.000 description 1
- 238000001953 recrystallisation Methods 0.000 description 1
- YYMBJDOZVAITBP-UHFFFAOYSA-N rubrene Chemical compound C1=CC=CC=C1C(C1=C(C=2C=CC=CC=2)C2=CC=CC=C2C(C=2C=CC=CC=2)=C11)=C(C=CC=C2)C2=C1C1=CC=CC=C1 YYMBJDOZVAITBP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 1
- 239000000741 silica gel Substances 0.000 description 1
- 229910002027 silica gel Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
- 229910052708 sodium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011734 sodium Substances 0.000 description 1
- 229910001379 sodium hypophosphite Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 1
- 150000003413 spiro compounds Chemical class 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 125000005504 styryl group Chemical group 0.000 description 1
- 239000000725 suspension Substances 0.000 description 1
- 238000010345 tape casting Methods 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 229930192474 thiophene Natural products 0.000 description 1
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011135 tin Substances 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 1
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 1
- 229910052720 vanadium Inorganic materials 0.000 description 1
- GPPXJZIENCGNKB-UHFFFAOYSA-N vanadium Chemical compound [V]#[V] GPPXJZIENCGNKB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052727 yttrium Inorganic materials 0.000 description 1
- VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N yttrium atom Chemical compound [Y] VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 1
- YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[In+3] YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
- C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
- C09K11/06—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing organic luminescent materials
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C07—ORGANIC CHEMISTRY
- C07D—HETEROCYCLIC COMPOUNDS
- C07D249/00—Heterocyclic compounds containing five-membered rings having three nitrogen atoms as the only ring hetero atoms
- C07D249/02—Heterocyclic compounds containing five-membered rings having three nitrogen atoms as the only ring hetero atoms not condensed with other rings
- C07D249/08—1,2,4-Triazoles; Hydrogenated 1,2,4-triazoles
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
- H10K50/11—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
- H10K50/14—Carrier transporting layers
- H10K50/15—Hole transporting layers
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
- H10K50/14—Carrier transporting layers
- H10K50/16—Electron transporting layers
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
- H10K50/17—Carrier injection layers
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
- H10K50/17—Carrier injection layers
- H10K50/171—Electron injection layers
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10S428/917—Electroluminescent
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Plural Heterocyclic Compounds (AREA)
Abstract
Description
도 1은 본 발명에 따른 유기발광소자의 한 예를 도시한 것이다. 1 illustrates an example of an organic light emitting device according to the present invention.
[도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명][Description of Symbols for Main Parts of Drawing]
1. 기판 2. 양극1.
3. 정공 주입층 4. 정공 수송층3.
5. 유기 발광층 6. 전자 수송층5. organic
7. 음극7. Cathode
도 2는 본 발명의 화학식 1-1로 표시되는 화합물의 MS 그래프이다.2 is an MS graph of a compound represented by Chemical Formula 1-1 of the present invention.
도 3은 본 발명의 화학식 1-51로 표시되는 화합물의 MS 그래프이다.3 is an MS graph of a compound represented by Chemical Formula 1-51 of the present invention.
도 4는 본 발명의 화학식 1-151로 표시되는 화합물의 MS 그래프이다.4 is an MS graph of a compound represented by Chemical Formula 1-151 of the present invention.
도 5는 본 발명의 화학식 2-201로 표시되는 화합물의 MS 그래프이다.5 is an MS graph of a compound represented by Formula 2-201 of the present invention.
본 발명은 안트라센에 트리아졸(triazole)기가 결합된 신규한 안트라센 유도체 및 이를 이용한 유기전자소자에 관한 것이다. The present invention relates to a novel anthracene derivative in which a triazole group is bonded to anthracene, and an organic electronic device using the same.
본 명세서에서, 유기전자소자란 유기 반도체 물질을 이용한 전자소자로서, 전극과 유기 반도체 물질 사이에서의 정공 및/또는 전자의 교류를 필요로 한다. 유기전자소자는 동작 원리에 따라 하기와 같이 크게 두 가지로 나눌 수 있다. 첫째는 외부의 광원으로부터 소자로 유입된 광자에 의하여 유기물층에서 엑시톤(exiton)이 형성되고, 이 엑시톤이 전자와 정공으로 분리되고, 이 전자와 정공이 각각 다른 전극으로 전달되어 전류원(전압원)으로 사용되는 형태의 전자소자이다. 둘째는 2개 이상의 전극에 전압 또는 전류를 가하여 전극과 계면을 이루는 유기 반도체 물질층에 정공 및/또는 전자를 주입하고, 주입된 전자와 정공에 의하여 작동하는 형태의 전자소자이다. In the present specification, an organic electronic device is an electronic device using an organic semiconductor material, and requires an exchange of holes and / or electrons between an electrode and an organic semiconductor material. The organic electronic device can be divided into two types according to the operation principle. First, an exciton is formed in the organic layer by photons introduced into the device from an external light source, and the exciton is separated into electrons and holes, and these electrons and holes are transferred to different electrodes to be used as current sources (voltage sources). It is an electronic device of the form. The second type is an electronic device in which holes and / or electrons are injected into the organic semiconductor material layer that interfaces with the electrodes by applying voltage or current to two or more electrodes, and is operated by the injected electrons and holes.
유기전자소자의 예로는 유기발광소자, 유기태양전지, 유기감광체(OPC) 드럼, 유기 트랜지스터 등이 있으며, 이들은 모두 소자의 구동을 위하여 전자/정공 주입 물질, 전자/정공 추출 물질, 전자/정공 수송 물질 또는 발광 물질을 필요로 한다. 이하에서는 주로 유기발광소자에 대하여 구체적으로 설명하지만, 상기 유기전자소자들에서는 전자/정공 주입 물질, 전자/정공 추출 물질, 전자/정공 수송 물질 또는 발광 물질이 모두 유사한 원리로 작용한다. Examples of organic electronic devices include organic light emitting devices, organic solar cells, organic photoconductor (OPC) drums and organic transistors, all of which are electron / hole injection materials, electron / hole extraction materials, and electron / hole transport materials for driving the devices. Materials or luminescent materials are required. Hereinafter, the organic light emitting device will be described in detail. However, in the organic electronic devices, an electron / hole injection material, an electron / hole extraction material, an electron / hole transport material, or a light emitting material all operate on a similar principle.
일반적으로 유기 발광 현상이란 유기 물질을 이용하여 전기에너지를 빛에너지로 전환시켜주는 현상을 말한다. 유기 발광 현상을 이용하는 유기발광소자는 통상 양극과 음극 및 이들 사이에 유기물층을 포함하는 구조를 가진다. 여기서 유기물층은 유기발광소자의 효율과 안정성을 높이기 위하여 각기 다른 물질로 구성된 다층의 구조로 이루어진 경우가 많으며, 예컨대 정공 주입층, 정공 수송층, 발광 층, 전자 수송층, 전자 주입층 등을 포함할 수 있다. 이러한 유기발광소자의 구조에서 두 전극 사이에 전압을 걸어주게 되면 양극에서는 정공이, 음극에서는 전자가 유기물층으로 주입되고, 주입된 정공과 전자가 만났을 때 엑시톤(exciton)이 형성되며, 이 엑시톤이 바닥상태로 떨어질 때 빛이 나게 된다. 이러한 유기발광소자는 자발광, 고휘도, 고효율, 낮은 구동 전압, 넓은 시야각, 높은 콘트라스트, 고속 응답성 등의 특성을 갖는 것으로 알려져 있다. In general, organic light emitting phenomenon refers to a phenomenon of converting electrical energy into light energy using an organic material. An organic light emitting device using an organic light emitting phenomenon usually has a structure including an anode and a cathode and an organic material layer therebetween. In this case, the organic material layer is often formed of a multilayer structure composed of different materials in order to increase the efficiency and stability of the organic light emitting device, and may include, for example, a hole injection layer, a hole transport layer, a light emitting layer, an electron transport layer, an electron injection layer, and the like. . When the voltage is applied between the two electrodes in the structure of the organic light emitting diode, holes are injected into the organic material layer at the anode, and electrons are injected into the organic material layer, and excitons are formed when the injected holes and electrons meet, and the excitons are at the bottom. When it falls to the state, it becomes light. Such organic light emitting diodes are known to have characteristics such as self-luminous, high brightness, high efficiency, low driving voltage, wide viewing angle, high contrast, and high speed response.
유기발광소자에서 유기물층으로 사용되는 재료는 기능에 따라, 발광 재료와 전하 수송 재료, 예컨대 정공 주입 재료, 정공 수송 재료, 전자 수송 재료, 전자 주입 재료 등으로 분류될 수 있다. 발광 재료는 발광색에 따라 청색, 녹색, 적색 발광 재료와 보다 나은 천연색을 구현하기 위해 필요한 노란색 및 주황색 발광 재료가 있다. 또한, 색순도의 증가와 에너지 전이를 통한 발광 효율을 증가시키기 위하여, 발광 재료로서 호스트/도판트 계를 사용할 수 있다. 그 원리는 발광층을 주로 구성하는 호스트 보다 에너지 대역 간극이 작고 발광 효율이 우수한 도판트를 발광층에 소량 혼합하면, 호스트에서 발생한 엑시톤이 도판트로 수송되어 효율이 높은 빛을 내는 것이다. 이 때 호스트의 파장이 도판트의 파장대로 이동하므로, 이용하는 도판트의 종류에 따라 원하는 파장의 빛을 얻을 수 있다. Materials used as the organic material layer in the organic light emitting device may be classified into light emitting materials and charge transport materials such as hole injection materials, hole transport materials, electron transport materials, electron injection materials and the like depending on their functions. The luminescent material includes blue, green, and red luminescent materials and yellow and orange luminescent materials necessary to realize better natural colors depending on the emission color. In addition, in order to increase luminous efficiency through increase in color purity and energy transfer, a host / dopant system may be used as the light emitting material. The principle is that when a small amount of dopant having a smaller energy band gap and excellent luminous efficiency than the host mainly constituting the light emitting layer is mixed in the light emitting layer, excitons generated in the host are transported to the dopant to produce high efficiency light. At this time, since the wavelength of the host shifts to the wavelength of the dopant, light having a desired wavelength can be obtained according to the type of dopant to be used.
전술한 유기발광소자가 갖는 우수한 특징들을 충분히 발휘하기 위해서는 소자내 유기물층을 이루는 물질, 예컨대 정공 주입 물질, 정공 수송 물질, 발광 물질, 전자 수송 물질, 전자 주입 물질 등이 안정하고 효율적인 재료에 의하여 뒷받침되는 것이 선행되어야 하나, 아직까지 안정하고 효율적인 유기발광소자용 유기물 층 재료의 개발이 충분히 이루어지지 않은 상태이며, 따라서 새로운 재료의 개발이 계속 요구되고 있다. In order to fully exhibit the excellent characteristics of the organic light emitting device described above, a material forming the organic material layer in the device, such as a hole injection material, a hole transport material, a light emitting material, an electron transport material, an electron injection material, etc., is supported by a stable and efficient material. Although this should be preceded, the development of a stable and efficient organic layer material for an organic light emitting device has not been sufficiently achieved, and therefore, the development of new materials is still required.
본 발명자들은 안트라센에 트리아졸기를 도입한 신규한 구조를 갖는 안트라센 유도체를 밝혀내었다. 또한, 상기 신규한 안트라센 유도체를 이용하여 유기전자소자의 유기물층을 형성하는 경우 소자의 효율 상승, 구동 전압 하강 및 안정성 상승 등의 효과를 나타낼 수 있다는 사실을 밝혀내었다.The inventors have discovered an anthracene derivative having a novel structure in which a triazole group is introduced into anthracene. In addition, it has been found that the formation of an organic material layer of an organic electronic device using the novel anthracene derivative may have effects such as an increase in efficiency of the device, a decrease in driving voltage, and an increase in stability.
이에 본 발명은 트리아졸이 결합된 신규한 안트라센 유도체 및 이를 이용한 유기전자소자를 제공하는 것을 목적으로 한다. Accordingly, an object of the present invention is to provide a novel anthracene derivative coupled to triazole and an organic electronic device using the same.
본 발명은 하기 화학식 1의 화합물을 제공한다. The present invention provides a compound of Formula 1 below.
상기 화학식 1에 있어서, In Chemical Formula 1,
R1 및 R2는 서로 같거나 상이하고, 독립적으로 할로겐, 아미노기, 니트릴기, 니트로기, C1~C40의 알킬기, C2~C40의 알케닐기, C1~C40의 알콕시기, C3~C40의 시클로알킬기, C3~C40의 헤테로시클로알킬기, C6~C40의 아릴기, C3~C40의 헤테로아릴기 및 아릴아민기로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상의 기로 치환되거나 비치환된 C6~C40의 아릴기; 할로겐, 아미노기, 니트릴기, 니트로기, C1~C40의 알킬기, C2~C40의 알케닐기, C1~C40의 알콕시기, C3~C40의 시클로알킬기, C3~C40의 헤테로시클로알킬기, C6~C40의 아릴기 및 C3~C40의 헤테로아릴기로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상의 기로 치환되거나 비치환된 C3~C40의 헤테로아릴기; 및 할로겐, 아미노기, 니트릴기, 니트로기, C1~C40의 알킬기, C2~C40의 알케닐기, C1~C40의 알콕시기, C3~C40의 시클로알킬기, C3~C40의 헤테로시클로알킬기, C6~C40의 아릴기 및 C3~C40의 헤테로아릴기로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상의 기로 치환되거나 비치환된 C6~C40의 아미노기로 이루어진 군에서 선택되고, R1 and R2 are the same as or different from each other, independently halogen, an amino group, a nitrile group, a nitro group, C 1 ~ alkoxy group of C 40 alkyl group, C 2 ~ C 40 alkenyl group, C 1 ~ C 40 of, C 3 Unsubstituted or substituted with one or more groups selected from the group consisting of -C 40 cycloalkyl group, C 3 -C 40 heterocycloalkyl group, C 6 -C 40 aryl group, C 3 -C 40 heteroaryl group, and arylamine group An aryl group of C 6 to C 40 ; Halogen, amino group, nitrile group, nitro group, C 1 ~ C 40 alkyl group, C 2 ~ C 40 alkenyl group, C 1 ~ C 40 alkoxy group, C 3 ~ C 40 cycloalkyl group, C 3 ~ C 40 a heterocycloalkyl group, a heteroaryl group of C 6 ~ C 40 aryl group and C 3 ~ C 40 heteroaryl group substituted with one or more selected from the group consisting of unsubstituted C 3 ~ C 40; And halogen, amino group, nitrile group, nitro group, C 1 ~ C 40 alkyl group, C 2 ~ C 40 alkenyl group, C 1 ~ C 40 alkoxy group, C 3 ~ C 40 cycloalkyl group, C 3 ~ C It is selected from the group consisting of C 6 ~ C 40 amino group unsubstituted or substituted with one or more groups selected from the group consisting of 40 heterocycloalkyl group, C 6 ~ C 40 aryl group and C 3 ~ C 40 heteroaryl group,
R3 및 R4 중 적어도 하나는 하기 화학식 2의 기 또는 하기 화학식 3의 기이며,At least one of R3 and R4 is a group of formula (2) or a group of formula (3),
상기 화학식 2 에 있어서,In Chemical Formula 2,
L1는 직접결합이거나; C1-C40의 알킬기, C2-C40의 알케닐기, C2-C40의 알키닐 기, C1-C40의 알콕시기, C6~C40의 아릴기 및 C3~C40의 헤테로아릴기로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상의 기로 치환되거나 비치환된 C2~C40의 알케닐렌기; 할로겐, 아미노기, 니트릴기, 니트로기, C1~C40의 알킬기, C2~C40의 알케닐기, C1~C40의 알콕시기, C3~C40의 시클로알킬기, C3~C40의 헤테로시클로알킬기, C6~C40의 아릴기 및 C3~C40의 헤테로아릴기로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상의 기로 치환되거나 비치환된 C6~C40의 아릴렌기; 할로겐, 아미노기, 니트릴기, 니트로기, C1~C40의 알킬기, C2~C40의 알케닐기, C1~C40의 알콕시기, C3~C40의 시클로알킬기, C3~C40의 헤테로시클로알킬기, C6~C40의 아릴기 및 C3~C40의 헤테로아릴기로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상의 기로 치환되거나 비치환된 C5~C40의 헤테로아릴렌기; 및 C1~C40의 알킬기, C2~C40의 알케닐기, C1~C40의 알콕시기, C3~C40의 시클로알킬기, C3~C40의 헤테로시클로알킬기, C6~C40의 아릴기 및 C3~C40의 헤테로아릴기로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상의 기로 치환되거나 비치환된 C6~C40의 아릴아민기로 이루어진 군에서 선택되고, L 1 is a direct bond; An alkoxy group of C 1 -C 40 alkyl, C 2 -C 40 alkenyl, C 2 -C 40 alkynyl group, C 1 -C 40 of the, C 6 ~ C 40 aryl group and C 3 ~ C 40 C 2 ~ C 40 alkenylene group unsubstituted or substituted with one or more groups selected from the group consisting of a heteroaryl group of; Halogen, amino group, nitrile group, nitro group, C 1 ~ C 40 alkyl group, C 2 ~ C 40 alkenyl group, C 1 ~ C 40 alkoxy group, C 3 ~ C 40 cycloalkyl group, C 3 ~ C 40 a heterocycloalkyl group of the aryl group, C 6 ~ C 40 aryl group and C 3 ~ C 40 heteroaryl group unsubstituted or substituted with one or more groups selected from the group consisting of unsubstituted C 6 ~ C 40; Halogen, amino group, nitrile group, nitro group, C 1 ~ C 40 alkyl group, C 2 ~ C 40 alkenyl group, C 1 ~ C 40 alkoxy group, C 3 ~ C 40 cycloalkyl group, C 3 ~ C 40 a heterocycloalkyl group, a heteroaryl group of C 6 ~ C 40 aryl group and C 3 ~ C 40 heteroaryl group substituted with one or more selected from the group consisting of unsubstituted C 5 ~ C 40; And C 1 to C 40 alkyl group, C 2 to C 40 alkenyl group, C 1 to C 40 alkoxy group, C 3 to C 40 cycloalkyl group, C 3 to C 40 heterocycloalkyl group, C 6 to C It is selected from the group consisting of C 6 ~ C 40 arylamine group unsubstituted or substituted with one or more groups selected from the group consisting of 40 aryl group and C 3 ~ C 40 heteroaryl group,
R5 및 R6은 서로 같거나 상이하고, 수소; 할로겐, 아미노기, 니트릴기, 니트로기, C1~C40의 알킬기, C2~C40의 알케닐기, C1~C40의 알콕시기, C3~C40의 시클로알킬기, C3~C40의 헤테로시클로알킬기, C6~C40의 아릴기 및 C3~C40의 헤테로아릴기로 이루 어진 군으로부터 선택된 하나 이상의 기로 치환되거나 비치환된 C1~C40의 알킬기; 할로겐, 아미노기, 니트릴기, 니트로기, C1~C40의 알킬기, C2~C40의 알케닐기, C1~C40의 알콕시기, C3~C40의 시클로알킬기, C3~C40의 헤테로시클로알킬기, C6~C40의 아릴기 및 C3~C40의 헤테로아릴기로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상의 기로 치환되거나 비치환된 C3~C40의 시클로알킬기; 할로겐, 아미노기, 니트릴기, 니트로기, C1~C40의 알킬기, C2~C40의 알케닐기, C1~C40의 알콕시기, C3~C40의 시클로알킬기, C3~C40의 헤테로시클로알킬기, C6~C40의 아릴기 및 C3~C40의 헤테로아릴기로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상의 기로 치환되거나 비치환된 C3~C40의 알케닐기; 할로겐, 아미노기, 니트릴기, 니트로기, C1~C40의 알킬기, C2~C40의 알케닐기, C1~C40의 알콕시기, C3~C40의 시클로알킬기, C3~C40의 헤테로시클로알킬기, C6~C40의 아릴기 및 C3~C40의 헤테로아릴기로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상의 기로 치환되거나 비치환된 C3~C40의 알콕시기; 할로겐, 아미노기, 니트릴기, 니트로기, C1~C40의 알킬기, C2~C40의 알케닐기, C1~C40의 알콕시기, C3~C40의 시클로알킬기, C3~C40의 헤테로시클로알킬기, C6~C40의 아릴기 및 C3~C40의 헤테로아릴기로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상의 기로 치환되거나 비치환된 C3~C40의 아미노기; 할로겐, 아미노기, 니트릴기, 니트로기, C1~C40의 알킬기, C2~C40의 알케닐기, C1~C40의 알콕시기, C3~C40의 시클로알킬기, C3~C40의 헤테로시클로알킬기, C6~C40의 아릴기 및 C3~C40의 헤테로아릴기로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상의 기로 치환되거나 비치환된 C6~C40의 아릴기; 및 할로겐, 아미노기, 니트릴기, 니트로기, C1~C40의 알킬기, C2~C40의 알케닐기, C1~C40의 알콕시기, C3~C40의 시클로알킬기, C3~C40의 헤테로시클로알킬기, C6~C40의 아릴기 및 C3~C40의 헤테로아릴기로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상의 기로 치환되거나 비치환된 C3~C40의 헤테로아릴기로 이루어진 군에서 선택되고,R5 and R6 are the same as or different from each other, and hydrogen; Halogen, amino group, nitrile group, nitro group, C 1 ~ C 40 alkyl group, C 2 ~ C 40 alkenyl group, C 1 ~ C 40 alkoxy group, C 3 ~ C 40 cycloalkyl group, C 3 ~ C 40 A C 1 -C 40 alkyl group unsubstituted or substituted with one or more groups selected from the group consisting of a heterocycloalkyl group, a C 6 -C 40 aryl group and a C 3 -C 40 heteroaryl group; Halogen, amino group, nitrile group, nitro group, C 1 ~ C 40 alkyl group, C 2 ~ C 40 alkenyl group, C 1 ~ C 40 alkoxy group, C 3 ~ C 40 cycloalkyl group, C 3 ~ C 40 a heterocycloalkyl group, C 6 ~ C 40 aryl group and C 3 ~ C 40 heteroaryl group unsubstituted or substituted with one or more groups selected from the group consisting of unsubstituted cycloalkyl group of C 3 ~ C 40; Halogen, amino group, nitrile group, nitro group, C 1 ~ C 40 alkyl group, C 2 ~ C 40 alkenyl group, C 1 ~ C 40 alkoxy group, C 3 ~ C 40 cycloalkyl group, C 3 ~ C 40 A C 3 -C 40 alkenyl group unsubstituted or substituted with one or more groups selected from the group consisting of a heterocycloalkyl group, a C 6 -C 40 aryl group and a C 3 -C 40 heteroaryl group; Halogen, amino group, nitrile group, nitro group, C 1 ~ C 40 alkyl group, C 2 ~ C 40 alkenyl group, C 1 ~ C 40 alkoxy group, C 3 ~ C 40 cycloalkyl group, C 3 ~ C 40 a heterocycloalkyl group, an alkoxy group of C 6 ~ C 40 aryl group and C 3 ~ C 40 heteroaryl group substituted with one or more selected from the group consisting of unsubstituted C 3 ~ C 40; Halogen, amino group, nitrile group, nitro group, C 1 ~ C 40 alkyl group, C 2 ~ C 40 alkenyl group, C 1 ~ C 40 alkoxy group, C 3 ~ C 40 cycloalkyl group, C 3 ~ C 40 A C 3 -C 40 amino group unsubstituted or substituted with one or more groups selected from the group consisting of a heterocycloalkyl group, a C 6 -C 40 aryl group and a C 3 -C 40 heteroaryl group; Halogen, amino group, nitrile group, nitro group, C 1 ~ C 40 alkyl group, C 2 ~ C 40 alkenyl group, C 1 ~ C 40 alkoxy group, C 3 ~ C 40 cycloalkyl group, C 3 ~ C 40 a heterocycloalkyl group, an aryl group, a C 6 ~ C 40 aryl group and C 3 ~ C 40 heteroaryl group substituted with one or more selected from the group consisting of unsubstituted C 6 ~ C 40; And halogen, amino group, nitrile group, nitro group, C 1 ~ C 40 alkyl group, C 2 ~ C 40 alkenyl group, C 1 ~ C 40 alkoxy group, C 3 ~ C 40 cycloalkyl group, C 3 ~ C 40 heterocycloalkyl group, C 6 ~ C 40 aryl group and C 3 ~ C 40 substituted with one or more groups selected from the heteroaryl group consisting of or selected from the group consisting of a heteroaryl unsubstituted C 3 ~ C 40 of ,
상기 화학식 3 에 있어서,In Chemical Formula 3,
L2는 직접결합이거나; C1-C40의 알킬기, C2-C40의 알케닐기, C2-C40의 알키닐기, C1-C40의 알콕시기, C6~C40의 아릴기 및 C3~C40의 헤테로아릴기로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상의 기로 치환되거나 비치환된 C2~C40의 알케닐렌기; 할로겐, 아미노기, 니트릴기, 니트로기, C1~C40의 알킬기, C2~C40의 알케닐기, C1~C40의 알콕시 기, C3~C40의 시클로알킬기, C3~C40의 헤테로시클로알킬기, C6~C40의 아릴기 및 C3~C40의 헤테로아릴기로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상의 기로 치환되거나 비치환된 C6~C40의 아릴렌기; 할로겐, 아미노기, 니트릴기, 니트로기, C1~C40의 알킬기, C2~C40의 알케닐기, C1~C40의 알콕시기, C3~C40의 시클로알킬기, C3~C40의 헤테로시클로알킬기, C6~C40의 아릴기 및 C3~C40의 헤테로아릴기로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상의 기로 치환되거나 비치환된 C5~C40의 헤테로아릴렌기; 및 C1~C40의 알킬기, C2~C40의 알케닐기, C1~C40의 알콕시기, C3~C40의 시클로알킬기, C3~C40의 헤테로시클로알킬기, C6~C40의 아릴기 및 C3~C40의 헤테로아릴기로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상의 기로 치환되거나 비치환된 C6~C40의 아릴아민기로 이루어진 군에서 선택되고,
R7 및 R8은 서로 같거나 상이하고, 수소; 할로겐, 아미노기, 니트릴기, 니트로기, C1~C40의 알킬기, C2~C40의 알케닐기, C1~C40의 알콕시기, C3~C40의 시클로알킬기, C3~C40의 헤테로시클로알킬기, C6~C40의 아릴기 및 C3~C40의 헤테로아릴기로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상의 기로 치환되거나 비치환된 C1~C40의 알킬기; 할로겐, 아미노기, 니트릴기, 니트로기, C1~C40의 알킬기, C2~C40의 알케닐기, C1~C40의 알콕시기, C3~C40의 시클로알킬기, C3~C40의 헤테로시클로알킬기, C6~C40의 아릴기 및 C3~C40의 헤테로아릴기로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상의 기로 치환되거나 비치환된 C3~C40의 시클로알킬기; 할로겐, 아미노기, 니트릴기, 니트로기, C1~C40의 알킬기, C2~C40의 알케닐기, C1~C40의 알콕시기, C3~C40의 시클로알킬기, C3~C40의 헤테로시클로알킬기, C6~C40의 아릴기 및 C3~C40의 헤테로아릴기로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상의 기로 치환되거나 비치환된 C3~C40의 알케닐기; 할로겐, 아미노기, 니트릴기, 니트로기, C1~C40의 알킬기, C2~C40의 알케닐기, C1~C40의 알콕시기, C3~C40의 시클로알킬기, C3~C40의 헤테로시클로알킬기, C6~C40의 아릴기 및 C3~C40의 헤테로아릴기로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상의 기로 치환되거나 비치환된 C3~C40의 알콕시기; 할로겐, 아미노기, 니트릴기, 니트로기, C1~C40의 알킬기, C2~C40의 알케닐기, C1~C40의 알콕시기, C3~C40의 시클로알킬기, C3~C40의 헤테로시클로알킬기, C6~C40의 아릴기 및 C3~C40의 헤테로아릴기로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상의 기로 치환되거나 비치환된 C3~C40의 아미노기; 할로겐, 아미노기, 니트릴기, 니트로기, C1~C40의 알킬기, C2~C40의 알케닐기, C1~C40의 알콕시기, C3~C40의 시클로알킬기, C3~C40의 헤테로시클로알킬기, C6~C40의 아릴기 및 C3~C40의 헤테로아릴기로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상의 기로 치환되거나 비치환된 C6~C40의 아릴기; 및 할로겐, 아미노기, 니트릴기, 니트로기, C1~C40의 알킬기, C2~C40 의 알케닐기, C1~C40의 알콕시기, C3~C40의 시클로알킬기, C3~C40의 헤테로시클로알킬기, C6~C40의 아릴기 및 C3~C40의 헤테로아릴기로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상의 기로 치환되거나 비치환된 C3~C40의 헤테로아릴기로 이루어진 군에서 선택되며, R7 and R8 are the same as or different from each other, hydrogen; Halogen, amino group, nitrile group, nitro group, C 1 ~ C 40 alkyl group, C 2 ~ C 40 alkenyl group, C 1 ~ C 40 alkoxy group, C 3 ~ C 40 cycloalkyl group, C 3 ~ C 40 A C 1 -C 40 alkyl group unsubstituted or substituted with one or more groups selected from the group consisting of a heterocycloalkyl group, a C 6 -C 40 aryl group and a C 3 -C 40 heteroaryl group; Halogen, amino group, nitrile group, nitro group, C 1 ~ C 40 alkyl group, C 2 ~ C 40 alkenyl group, C 1 ~ C 40 alkoxy group, C 3 ~ C 40 cycloalkyl group, C 3 ~ C 40 a heterocycloalkyl group, C 6 ~ C 40 aryl group and C 3 ~ C 40 heteroaryl group unsubstituted or substituted with one or more groups selected from the group consisting of unsubstituted cycloalkyl group of C 3 ~ C 40; Halogen, amino group, nitrile group, nitro group, C 1 ~ C 40 alkyl group, C 2 ~ C 40 alkenyl group, C 1 ~ C 40 alkoxy group, C 3 ~ C 40 cycloalkyl group, C 3 ~ C 40 A C 3 -C 40 alkenyl group unsubstituted or substituted with one or more groups selected from the group consisting of a heterocycloalkyl group, a C 6 -C 40 aryl group and a C 3 -C 40 heteroaryl group; Halogen, amino group, nitrile group, nitro group, C 1 ~ C 40 alkyl group, C 2 ~ C 40 alkenyl group, C 1 ~ C 40 alkoxy group, C 3 ~ C 40 cycloalkyl group, C 3 ~ C 40 a heterocycloalkyl group, an alkoxy group of C 6 ~ C 40 aryl group and C 3 ~ C 40 heteroaryl group substituted with one or more selected from the group consisting of unsubstituted C 3 ~ C 40; Halogen, amino group, nitrile group, nitro group, C 1 ~ C 40 alkyl group, C 2 ~ C 40 alkenyl group, C 1 ~ C 40 alkoxy group, C 3 ~ C 40 cycloalkyl group, C 3 ~ C 40 A C 3 -C 40 amino group unsubstituted or substituted with one or more groups selected from the group consisting of a heterocycloalkyl group, a C 6 -C 40 aryl group and a C 3 -C 40 heteroaryl group; Halogen, amino group, nitrile group, nitro group, C 1 ~ C 40 alkyl group, C 2 ~ C 40 alkenyl group, C 1 ~ C 40 alkoxy group, C 3 ~ C 40 cycloalkyl group, C 3 ~ C 40 a heterocycloalkyl group, an aryl group, a C 6 ~ C 40 aryl group and C 3 ~ C 40 heteroaryl group substituted with one or more selected from the group consisting of unsubstituted C 6 ~ C 40; And halogen, amino group, nitrile group, nitro group, C 1 ~ C 40 alkyl group, C 2 ~ C 40 alkenyl group, C 1 ~ C 40 alkoxy group, C 3 ~ C 40 cycloalkyl group, C 3 ~ C 40 heterocycloalkyl group, C 6 ~ C 40 aryl group and C 3 ~ C 40 substituted with one or more groups selected from the heteroaryl group consisting of or is selected from the group consisting of a heteroaryl unsubstituted C 3 ~ C 40 ,
R3 및 R4 중 하나가 상기 화학식 2의 기 또는 화학식 3의 기일 때, 나머지 하나는 할로겐, 아미노기, 니트릴기, 니트로기, C1~C40의 알킬기, C2~C40의 알케닐기, C1~C40의 알콕시기, C3~C40의 시클로알킬기, C3~C40의 헤테로시클로알킬기, C6~C40의 아릴기, C3~C40의 헤테로아릴기 및 아릴아민기로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상의 기로 치환되거나 비치환된 C6~C40의 아릴기; 할로겐, 아미노기, 니트릴기, 니트로기, C1~C40의 알킬기, C2~C40의 알케닐기, C1~C40의 알콕시기, C3~C40의 시클로알킬기, C3~C40의 헤테로시클로알킬기, C6~C40의 아릴기 및 C3~C40의 헤테로아릴기로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상의 기로 치환되거나 비치환된 C3~C40의 헤테로아릴기; 및 할로겐, 아미노기, 니트릴기, 니트로기, C1~C40의 알킬기, C2~C40의 알케닐기, C1~C40의 알콕시기, C3~C40의 시클로알킬기, C3~C40의 헤테로시클로알킬기, C6~C40의 아릴기 및 C3~C40의 헤테로아릴기로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상의 기로 치환되거나 비치환된 C6~C40의 아미노기로 이루어진 군에서 선택될 수 있다.When group or a date of formula (3) in one of R3 and R4 is the formula (2), the other is halogen, an amino group, a nitrile group, a nitro group, C 1 ~ C 40 alkyl group, C 2 ~ C 40 alkenyl group, C 1 A group consisting of a -C 40 alkoxy group, C 3 -C 40 cycloalkyl group, C 3 -C 40 heterocycloalkyl group, C 6 -C 40 aryl group, C 3 -C 40 heteroaryl group and arylamine group C 6 ~ C 40 aryl group unsubstituted or substituted with one or more groups selected from; Halogen, amino group, nitrile group, nitro group, C 1 ~ C 40 alkyl group, C 2 ~ C 40 alkenyl group, C 1 ~ C 40 alkoxy group, C 3 ~ C 40 cycloalkyl group, C 3 ~ C 40 a heterocycloalkyl group, a heteroaryl group of C 6 ~ C 40 aryl group and C 3 ~ C 40 heteroaryl group substituted with one or more selected from the group consisting of unsubstituted C 3 ~ C 40; And halogen, amino group, nitrile group, nitro group, C 1 ~ C 40 alkyl group, C 2 ~ C 40 alkenyl group, C 1 ~ C 40 alkoxy group, C 3 ~ C 40 cycloalkyl group, C 3 ~ C It may be selected from the group consisting of C 6 ~ C 40 amino group unsubstituted or substituted with one or more groups selected from the group consisting of 40 heterocycloalkyl group, C 6 ~ C 40 aryl group and C 3 ~ C 40 heteroaryl group have.
본 발명의 하나의 실시상태에 있어서, 상기 화학식 1의 R1 및 R2는 동일한 아릴기일 수 있다. 이 아릴기는 치환되거나 비치환된 페닐기, 바이페닐기 또는 나프틸기인 것이 바람직하다.In one embodiment of the present invention, R1 and R2 of Formula 1 may be the same aryl group. This aryl group is preferably a substituted or unsubstituted phenyl group, biphenyl group or naphthyl group.
본 발명의 또 하나의 실시상태에 있어서, 상기 화학식 1의 R1 및 R2는 동일한 헤테로아릴기일 수 있다. 이 헤테로아릴기는 치환되거나 비치환된 피리딜기, 바이피리딜기, 퀴놀릴기 또는 이소퀴놀릴기인 것이 바람직하다.In another exemplary embodiment of the present invention, R1 and R2 of Formula 1 may be the same heteroaryl group. This heteroaryl group is preferably a substituted or unsubstituted pyridyl group, bipyridyl group, quinolyl group or isoquinolyl group.
본 발명의 또 하나의 실시상태에 있어서, 상기 화학식 1의 R1 및 R2는 동일한 C6~C40의 아릴기 또는 C3~C40의 헤테로아릴기로 치환된 아미노기일 수 있다. In another exemplary embodiment of the present invention, R1 and R2 of Chemical Formula 1 may be amino groups substituted with the same C 6 to C 40 aryl group or C 3 to C 40 heteroaryl group.
본 발명의 또 하나의 실시상태에 있어서, 상기 화학식 1의 R1 및 R2는 구체적으로 하기 구조식으로 이루어진 군으로부터 선택될 수 있다. In another exemplary embodiment of the present invention, R1 and R2 of Chemical Formula 1 may be specifically selected from the group consisting of the following structural formulas.
상기 구조식에서 Z1 내지 Z3은 서로 같거나 상이하고, 독립적으로 상기 화학식 1의 R1 및 R2에 대하여 정의한 기들 중에서 선택될 수 있다.Z1 to Z3 in the structural formula may be the same as or different from each other, and may be independently selected from the groups defined for R1 and R2 of the formula (1).
본 발명의 또 하나의 실시 상태에 있어서, 상기 화학식 2에서, L1은 직접결합; 비치환된 C6~C40의 아릴렌기; 또는 비치환된 C5~C40의 헤테로아릴렌기가 바람직하고, R5 및 R6 중 적어도 하나는 C1~C40의 알킬기 또는 C6~C40의 아릴기로 치환 또는 비치환된 C6~C40의 아릴기가 바람직하다. In another embodiment of the present invention, in the
본 발명의 또 하나의 실시 상태에 있어서, 상기 화학식 3에서, L2는 직접결합; 비치환된 C6~C40의 아릴렌기; 또는 비치환된 C5~C40의 헤테로아릴렌기가 바람직하 고, R7 및 R8 중 하나는 C1~C40의 알킬기 또는 C6~C40의 아릴기로 치환 또는 비치환된 C6~C40의 아릴기가 바람직하다. In another embodiment of the present invention, in the
구체적으로 각 치환기들을 설명하면 다음과 같다.Specifically, each substituent will be described as follows.
알킬기는 탄소수 1 내지 40의 입체적 방해를 주지 않는 것이 바람직하다. 구체적인 예로는 메틸기, 에틸기, 프로필기, 이소프로필기, 부틸기, t-부틸기, 펜틸기, 헥실기, 헵틸기 등이 있으나, 이들에 한정되지 않는다.It is preferable that the alkyl group does not cause steric hindrance of 1 to 40 carbon atoms. Specific examples include, but are not limited to, methyl, ethyl, propyl, isopropyl, butyl, t-butyl, pentyl, hexyl, heptyl, and the like.
시클로알킬기는 탄소수 3 내지 40의 입체적 방해를 주지 않는 것이 바람직하다. 구체적인 예로서 시클로펜틸기 또는 시클로헥실기가 더욱 바람직하다.It is preferable that a cycloalkyl group does not give a steric hindrance of 3 to 40 carbon atoms. As a specific example, a cyclopentyl group or a cyclohexyl group is more preferable.
알케닐기로는 탄소수 2 내지 40의 알케닐기가 바람직하며, 구체적으로 스틸베닐기(stylbenyl), 스티레닐기(styrenyl) 등의 아릴기가 치환된 알케닐기가 바람직하다.As the alkenyl group, an alkenyl group having 2 to 40 carbon atoms is preferable, and an alkenyl group in which aryl groups such as stylbenyl and styrenyl are substituted is particularly preferable.
알콕시기는 탄소수 1 내지 40의 알콕시기인 것이 바람직하다.It is preferable that an alkoxy group is a C1-C40 alkoxy group.
아릴기의 예로는 페닐기, 나프틸기, 안트라세닐기, 비페닐기, 파이레닐기, 페릴렌기, 이들의 유도체 등이 있으나, 이들에 한정되는 것은 아니다.Examples of the aryl group include, but are not limited to, phenyl group, naphthyl group, anthracenyl group, biphenyl group, pyrenyl group, perylene group, derivatives thereof, and the like.
아릴 아민기의 예로는 페닐아민, 나프틸아민, 비페닐아민, 안트라세닐아민, 3-메틸-페닐아민, 4-메틸-나프틸아민, 2-메틸-비페닐아민, 9-메틸-안트라세닐아민, 디페닐 아민기, 페닐 나프틸 아민기, 디톨릴 아민기, 페닐 톨릴 아민기, 카바졸, 트리페닐 아민기 등이 있으나. 이들에 한정되는 것은 아니다.Examples of aryl amine groups include phenylamine, naphthylamine, biphenylamine, anthracenylamine, 3-methyl-phenylamine, 4-methyl-naphthylamine, 2-methyl-biphenylamine, 9-methyl-anthracenyl Amine, diphenyl amine group, phenyl naphthyl amine group, ditolyl amine group, phenyl tolyl amine group, carbazole, triphenyl amine group and the like. It is not limited to these.
헤테로고리기의 예로는 피리딜기, 비피리딜기, 트리아진기, 아크리딜기, 티 오펜기, 퓨란기, 이미다졸기, 옥사졸기, 티아졸기, 트리아졸기, 퀴놀리닐기, 이소퀴놀린기 등이 있으나, 이들에 한정되는 것은 아니다.Examples of the heterocyclic group include pyridyl group, bipyridyl group, triazine group, acridil group, thiopene group, furan group, imidazole group, oxazole group, thiazole group, triazole group, quinolinyl group, isoquinoline group, and the like. It is not limited to these.
할로겐기의 예로는 불소, 염소, 브롬 또는 요오드가 있다.Examples of halogen groups are fluorine, chlorine, bromine or iodine.
본 명세서에서, 용어 "인접하는 기"란 해당 치환기의 바로 옆의 치환기를 의미하며, 상기 옆의 치환기는 화학식 중에 표시되지 않은 수소원자를 포함한다.As used herein, the term "adjacent group" refers to a substituent immediately next to a corresponding substituent, and the next substituent includes a hydrogen atom not represented in the formula.
C2~C40의 알케닐렌기가 치환되는 경우 그 치환기는 치환되거나 비치환의 C1-C40의 알킬기, 치환되거나 비치환의 C2-C40의 알케닐기, 치환되거나 비치환의 C2-C40의 알키닐기, 치환되거나 비치환의 C1-C40의 알콕시기, 치환되거나 비치환의 C6-C40의 아릴기 및 치환되거나 비치환의 C3-C40의 헤테로아릴기로 이루어진 군에서 선택되는 1 가지 이상의 기이다.When a C 2 to C 40 alkenylene group is substituted, the substituent is substituted or unsubstituted C 1 -C 40 alkyl group, substituted or unsubstituted C 2 -C 40 alkenyl group, substituted or unsubstituted C 2 -C 40 At least one selected from the group consisting of alkynyl groups, substituted or unsubstituted C 1 -C 40 alkoxy groups, substituted or unsubstituted C 6 -C 40 aryl groups, and substituted or unsubstituted C 3 -C 40 heteroaryl groups Qi.
상기 화학식 1의 화합물의 바람직한 구체적인 예로는 하기 화합물들이 있으나, 이들에만 한정되는 것은 아니다. Preferred specific examples of the compound of Formula 1 include the following compounds, but are not limited thereto.
이하, 상기 화학식 1의 화합물에 화학식 2 및 화학식 3 중 어느 하나 이상의 트리아졸기가 도입된 안트라센 유도체의 제조방법에 대하여 설명한다.Hereinafter, a method for preparing an anthracene derivative in which at least one triazole group of
상기 화학식 1의 화합물은 안트라센 유도체에 아릴 치환기를 도입함으로써 제조될 수 있다. 구체적으로, 상기 화학식 1의 화합물은 2-안트라센 보론산 또는 2-안트라센 보론에스테르 유도체와 아릴할라이드 유도체 또는 헤테로아릴할라이드 유도체를 Pd촉매 하에서 스즈키 결합 반응하여 제조할 수 있다.The compound of Formula 1 may be prepared by introducing an aryl substituent to the anthracene derivative. Specifically, the compound of Formula 1 may be prepared by Suzuki bond reaction of 2-anthracene boronic acid or 2-anthracene boron ester derivative with an aryl halide derivative or heteroaryl halide derivative under a Pd catalyst.
화학식 1의 화합물을 제조시 이용되는 방법 중 스즈키 결합 반응 이외의 반응들은 당 기술 분야에 알려져 있는 일반적인 방법을 이용할 수 있다. Reactions other than the Suzuki binding reaction among the methods used when preparing the compound of Formula 1 may use a general method known in the art.
구체적으로, 상기 화학식 1의 화합물은 Specifically, the compound of Formula 1
1) 할로겐기가 치환되어 있는 안트라퀴논 유도체와 R4 치환체를 갖는 보론산 또는 보론에스테르 화합물을 Pd촉매 하에서 스즈키커플링하여 R4가 치환된 안트라퀴논 유도체를 제조하는 단계,1) preparing an anthraquinone derivative substituted with R4 by suzuki-coupling an anthraquinone derivative substituted with a halogen group and a boronic acid or boron ester compound having an R4 substituent under a Pd catalyst,
2) 상기 1)단계에서 제조된 안트라퀴논 유도체로부터 디알코올 유도체를 제조하는 단계, 및2) preparing a dialcohol derivative from the anthraquinone derivative prepared in step 1), and
3) 상기 2)단계에서 제조된 디알코올 유도체를 환원시켜 안트라센 유도체를 제조하는 단계를 포함하는 방법에 의하여 제조될 수 있다. 이와 같은 제조 방법은 하기 반응식 1로 표시될 수 있다.3) by reducing the dialcohol derivative prepared in step 2) may be prepared by a method comprising the step of preparing an anthracene derivative. Such a manufacturing method may be represented by the following Scheme 1.
[반응식 1]Scheme 1
또한, 상기 화학식 1의 화합물은 In addition, the compound of Formula 1
1) 할로겐기가 치환된 안트라퀴논 유도체로부터 디알코올 유도체를 제조하는 단계,1) preparing a dialcohol derivative from a halogen-substituted anthraquinone derivative,
2) 상기 1)단계에서 제조된 디알코올 유도체를 환원시켜 안트라센 유도체를 제조하는 단계,2) preparing an anthracene derivative by reducing the dialcohol derivative prepared in step 1);
3) 상기 2)단계에서 제조된 안트라센 유도체를 안트라센 보론에스테르 유도체로 제조하는 단계, 및3) preparing the anthracene derivative prepared in step 2) as an anthracene boron ester derivative, and
4) 상기 3)단계에서 제조된 안트라센 보론에스테르 유도체와 R4의 할로겐화물을 Pd 촉매 하에서 스즈키커플링하여 R4가 치환된 화학식 1의 화합물을 제조하는 단계를 포함하는 방법에 의하여 제조될 수 있다. 이와 같은 제조방법은 하기 반응식 2로 표시될 수 있다.4) Suzuki-coupling the anthracene boron ester derivative prepared in step 3) and the halide of R4 under a Pd catalyst to prepare a compound of Formula 1 wherein R4 is substituted. Such a manufacturing method may be represented by the following
[반응식 2]
구체적으로, 상기 화학식 2의 치환기는 Specifically, the substituent of
1) 할로겐기와 메틸 또는 에틸 에스테르가 치환된 L1 유도체를 히드라진모노하이드레이트와 반응시켜 하이드라자이드(hydrazide)기가 치환된 L1 유도체를 만드는 단계 1) reacting a L1 derivative substituted with a halogen group and methyl or ethyl ester with hydrazine monohydrate to form a L1 derivative substituted with a hydrazide group
2) 상기 1)단계에서 제조된 L1 유도체에 산염화물(acid chloride)를 갖는 R6 유도체를 도입하는 단계, 및2) introducing an R6 derivative having an acid chloride to the L1 derivative prepared in step 1), and
3) 상기 2)단계에서 제조된 물질을 NH2기를 갖는 R5 유도체와 POCl3로 처리하여, L1, R5 및 R6가 치환된 트리아졸 유도체를 제조하는 단계를 포함하는 방법에 의하여 제조될 수 있다.3) The material prepared in step 2) may be prepared by treating the R5 derivative having an NH 2 group with POCl 3 to prepare a triazole derivative substituted with L1, R5 and R6.
이와 같은 제조 방법은 하기 반응식 3으로 표시될 수 있다.Such a manufacturing method may be represented by the following
[반응식 3]
구체적으로, 상기 화학식 3의 치환기는 Specifically, the substituent of
1) 메틸 또는 에틸 에스테르가 치환되어 R7 유도체를 히드라진모노하이드레이트와 반응시켜 하이드라자이드(hydrazide)기가 치환된 R7 유도체를 만드는 단계, 1) a methyl or ethyl ester is substituted to react the R7 derivative with hydrazine monohydrate to form a R7 derivative substituted with a hydrazide group,
2) 상기 1)단계에서 제조된 R7 유도체에 산염화물을 갖는 R8 유도체를 도입하는 단계, 및2) introducing an R8 derivative having an acid chloride into the R7 derivative prepared in step 1), and
3) 상기 2)단계에서 제조된 물질을 NH2기와 할로겐기를 갖는 L2 유도체와 함께 POCl3로 처리하여, L2, R7 및 R8이 치환된 트리아졸 유도체를 제조하는 단계를 포함하는 방법에 의하여 제조될 수 있다.3) treating the material prepared in step 2) with POCl 3 together with the
이와 같은 제조 방법은 하기 반응식 4로 표시될 수 있다.Such a preparation method may be represented by the following
[반응식 4]
또한, 본 발명은 제1 전극, 제2 전극, 및 상기 제1 전극과 제2 전극 사이에 배치된 1층 이상의 유기물층을 포함하는 유기전자소자로서, 상기 유기물층들 중 1 층 이상은 상기 화학식 1의 화합물을 포함하는 것인 유기전자소자를 제공한다. In addition, the present invention is an organic electronic device comprising a first electrode, a second electrode, and at least one organic material layer disposed between the first electrode and the second electrode, at least one of the organic material layer of Formula 1 It provides an organic electronic device comprising a compound.
본 발명의 유기전자소자는 전술한 본 발명의 안트라센 유도체를 이용하여 한 층 이상의 유기물층을 형성하는 것을 제외하고는, 통상의 유기전자소자의 제조방법 및 재료에 의하여 제조될 수 있다.The organic electronic device of the present invention may be manufactured by a conventional method and material for manufacturing an organic electronic device, except that at least one organic material layer is formed using the anthracene derivative of the present invention described above.
이하, 본 발명의 안트라센 유도체를 이용한 유기발광소자에 대하여 예시한다.Hereinafter, an organic light emitting device using the anthracene derivative of the present invention will be exemplified.
본 발명의 하나의 실시 상태에 있어서, 유기발광소자는 제 1 전극과 제 2 전극 및 이 사이에 배치된 유기물층을 포함하는 구조로 이루어질 수 있다. 본 발명의 유기발광소자 중 유기물층은 1층으로 이루어진 단층 구조일 수도 있으나, 발광층을 포함하는 2층 이상의 다층 구조일 수도 있다. 본 발명의 유기발광소자의 유기물층이 다층 구조인 경우, 이는 예컨대 정공 주입층, 정공 수송층, 발광층, 전자 수송층 등이 적층된 구조일 수 있다. 그러나, 유기발광소자의 구조는 이에 한정되지 않고 더 적은 수의 유기물층을 포함할 수 있다. 예컨대, 본 발명의 유기발광소자는 도 1에 나타낸 것과 같은 구조를 가질 수 있다. 도 1에 있어서, 도면부호 1은 기판, 2는 양극, 3은 정공 주입층, 4는 정공 수송층, 5는 유기 발광층, 6은 전자 수송층, 7은 음극을 각각 나타낸다. 도 1과 같은 구조의 유기발광소자를 통상 정방향 구조의 유기발광소자라고 하는데, 본 발명은 이에 한정되지 않고 역방향 구조의 유기발광소자도 포함한다. 즉, 본 발명의 유기발광소자는 기판, 음극, 전자 수송층, 유기 발광층, 정공 수송층, 정공 주입층 및 양극이 순차적으로 적층된 구조를 가질 수 있다. In one exemplary embodiment of the present invention, the organic light emitting diode may have a structure including a first electrode, a second electrode, and an organic material layer disposed therebetween. The organic material layer of the organic light emitting device of the present invention may be a single layer structure consisting of one layer, may be a multilayer structure of two or more layers including a light emitting layer. When the organic material layer of the organic light emitting device of the present invention has a multi-layer structure, for example, it may be a structure in which a hole injection layer, a hole transport layer, a light emitting layer, an electron transport layer and the like are stacked. However, the structure of the organic light emitting device is not limited thereto and may include a smaller number of organic material layers. For example, the organic light emitting device of the present invention may have a structure as shown in FIG. In Fig. 1, reference numeral 1 denotes a substrate, 2 an anode, 3 a hole injection layer, 4 a hole transport layer, 5 an organic light emitting layer, 6 an electron transport layer, and 7 a cathode. An organic light emitting device having a structure as shown in FIG. 1 is generally referred to as an organic light emitting device having a forward structure, but the present invention is not limited thereto and includes an organic light emitting device having a reverse structure. That is, the organic light emitting device of the present invention may have a structure in which a substrate, a cathode, an electron transport layer, an organic light emitting layer, a hole transport layer, a hole injection layer, and an anode are sequentially stacked.
본 발명에 따른 유기발광소자가 다층 구조의 유기물층을 갖는 경우, 상기 화학식 1의 화합물은 발광층, 정공 수송층, 정공 수송과 발광을 동시에 하는 층, 발광과 전자 수송을 동시에 하는 층, 전자 수송층, 전자 수송 및/또는 주입층 등에 포함될 수 있다. 본 발명에 있어서, 상기 화학식 1의 화합물은 특히 전자 주입 및/또는 수송층 또는 발광층에 포함되는 것이 바람직하다.When the organic light emitting device according to the present invention has an organic material layer of a multi-layer structure, the compound of Formula 1 is a light emitting layer, a hole transport layer, a layer for simultaneously transporting holes and light emission, a layer for simultaneously emitting light and electron transport, an electron transport layer, electron transport And / or injection layers and the like. In the present invention, the compound of Formula 1 is particularly preferably included in the electron injection and / or transport layer or light emitting layer.
본 발명에 따른 유기발광소자는 전술한 화학식 1의 안트라센 유도체를 유기발광소자의 유기물층 중 1층 이상에 사용한다는 것을 제외하고는, 통상의 유기발광소자의 제조방법 및 재료를 사용하여 제조될 수 있다. 예컨대, 본 발명에 따른 유기발광소자는 스퍼터링(sputtering) 이나 전자빔 증발(e-beam evaporation)과 같은 PVD(physical vapor deposition) 방법을 이용하여, 기판 상에 금속 또는 전도성을 가지는 금속 산화물 또는 이들의 합금을 증착시켜 양극을 형성하고, 그 위에 정공 주입층, 정공 수송층, 발광층 및 전자 수송층을 포함하는 유기물층을 형성한 후, 그 위에 음극으로 사용할 수 있는 물질을 증착시킴으로써 제조될 수 있다. 이와 같은 방법 외에도, 전술한 바와 같이 역방향 구조의 유기발광소자를 제작하기 위하여 기판 상에 음극 물질부터 유기물층, 양극 물질을 차례로 증착시켜 유기발광소자를 만들 수도 있다.The organic light emitting device according to the present invention may be manufactured using a conventional method and material for manufacturing an organic light emitting device, except that the anthracene derivative of Chemical Formula 1 is used in at least one layer of the organic material layer of the organic light emitting device. . For example, the organic light emitting device according to the present invention is a metal oxide or a metal oxide or alloy thereof having a conductivity on a substrate by using a physical vapor deposition (PVD) method such as sputtering or e-beam evaporation It can be prepared by depositing an anode to form an anode, an organic material layer including a hole injection layer, a hole transport layer, a light emitting layer and an electron transport layer thereon, and then depositing a material that can be used as a cathode thereon. In addition to the above method, in order to fabricate an organic light emitting device having a reverse structure as described above, the organic light emitting device may be manufactured by sequentially depositing a cathode material, an organic material layer, and an anode material on a substrate.
상기 유기물층은 다양한 고분자 소재를 사용하여 증착법이 아닌 용매 공정(solvent process), 예컨대 스핀 코팅, 딥 코팅, 닥터 블레이딩, 스크린 프린팅, 잉크젯 프린팅, 열 전사법 등의 방법에 의하여 더 적은 수의 층으로 제조할 수 있다.The organic layer may be formed into a smaller number of layers by using a variety of polymer materials, but not by a deposition process such as spin coating, dip coating, doctor blading, screen printing, inkjet printing, or thermal transfer. It can manufacture.
상기 양극 물질로는 통상 유기물층으로 정공주입이 원활할 수 있도록 일함수가 큰 물질이 바람직하다. 본 발명에서 사용될 수 있는 양극 물질의 구체적인 예로는 바나듐, 크롬, 구리, 아연, 금과 같은 금속 또는 이들의 합금; 아연산화물, 인듐산화물, 인듐주석 산화물(ITO), 인듐아연산화물(IZO)과 같은 금속 산화물; ZnO:Al 또는 SnO2:Sb와 같은 금속과 산화물의 조합; 폴리(3-메틸티오펜), 폴리[3,4-(에틸렌-1,2-디옥시)티오펜](PEDT), 폴리피롤 및 폴리아닐린과 같은 전도성 고분자 등이 있으나, 이들에만 한정되는 것은 아니다.As the cathode material, a material having a large work function is usually preferred to facilitate hole injection into the organic material layer. Specific examples of the positive electrode material that can be used in the present invention include metals such as vanadium, chromium, copper, zinc and gold or alloys thereof; Metal oxides such as zinc oxide, indium oxide, indium tin oxide (ITO), indium zinc oxide (IZO); Combinations of metals and oxides such as ZnO: Al or SnO 2 : Sb; Conductive polymers such as poly (3-methylthiophene), poly [3,4- (ethylene-1,2-dioxy) thiophene] (PEDT), polypyrrole and polyaniline, and the like, but are not limited thereto.
상기 음극 물질로는 통상 유기물층으로 전자주입이 용이하도록 일함수가 작은 물질인 것이 바람직하다. 음극 물질의 구체적인 예로는 마그네슘, 칼슘, 나트륨, 칼륨, 티타늄, 인듐, 이트륨, 리튬, 가돌리늄, 알루미늄, 은, 주석 및 납과 같은 금속 또는 이들의 합금; LiF/Al 또는 LiO2/Al과 같은 다층 구조 물질 등이 있으나, 이들에만 한정되는 것은 아니다.It is preferable that the negative electrode material is a material having a small work function to facilitate electron injection into the organic material layer. Specific examples of the negative electrode material include metals such as magnesium, calcium, sodium, potassium, titanium, indium, yttrium, lithium, gadolinium, aluminum, silver, tin, and lead or alloys thereof; Multilayer structure materials such as LiF / Al or LiO 2 / Al, and the like, but are not limited thereto.
상기 정공 주입 물질로는 낮은 전압에서 양극으로부터 정공을 잘 주입받을 수 있는 물질로서, 정공 주입 물질의 HOMO(highest occupied molecular orbital)가 양극 물질의 일함수와 주변 유기물층의 HOMO 사이인 것이 바람직하다. 정공 주입 물질의 구체적인 예로는 금속 포피린(porphyrine), 올리고티오펜, 아릴아민 계열의 유기물, 헥사니트릴헥사아자트리페닐렌 계열의 유기물, 퀴나크리돈(quinacridone) 계열의 유기물, 페릴렌(perylene) 계열의 유기물, 안트라퀴논 및 폴리아닐린과 폴리티오펜 계열의 전도성 고분자 등이 있으나, 이들에만 한정되는 것은 아니다.The hole injection material is a material capable of well injecting holes from the anode at a low voltage, and the highest occupied molecular orbital (HOMO) of the hole injection material is preferably between the work function of the anode material and the HOMO of the surrounding organic material layer. Specific examples of hole injecting materials include metal porphyrine, oligothiophene, arylamine-based organics, hexanitrile hexaazatriphenylene-based organics, quinacridone-based organics, and perylene-based Organic substances, anthraquinone and polyaniline and polythiophene-based conductive polymers, but are not limited thereto.
상기 정공 수송 물질로는 양극이나 정공 주입층으로부터 정공을 수송 받아 발광층으로 옮겨줄 수 있는 물질로 정공에 대한 이동성이 큰 물질이 적합하다. 구체적인 예로는 아릴아민 계열의 유기물, 전도성 고분자, 및 공액 부분과 비공액 부분이 함께 있는 블록 공중합체 등이 있으나, 이들에만 한정되는 것은 아니다.As the hole transporting material, a material capable of transporting holes from the anode or the hole injection layer and transferring the holes to the light emitting layer is suitable. Specific examples thereof include an arylamine-based organic material, a conductive polymer, and a block copolymer having a conjugated portion and a non-conjugated portion together, but are not limited thereto.
상기 발광 물질로는 정공 수송층과 전자 수송층으로부터 정공과 전자를 각각 수송받아 결합시킴으로써 가시광선 영역의 빛을 낼 수 있는 물질로서, 형광이나 인광에 대한 양자효율이 좋은 물질이 바람직하다. 구체적인 예로는 8-히드록시-퀴놀린 알루미늄 착물 (Alq3); 카르바졸 계열 화합물; 이량체화 스티릴(dimerized styryl) 화합물; BAlq; 10-히드록시벤조 퀴놀린-금속 화합물; 벤족사졸, 벤즈티아졸 및 벤즈이미다졸 계열의 화합물; 폴리(p-페닐렌비닐렌)(PPV) 계열의 고분자; 스피로(spiro) 화합물; 폴리플루오렌, 루브렌 등이 있으나, 이들에만 한정되는 것은 아니다.The light emitting material is a material capable of emitting light in the visible region by transporting and combining holes and electrons from the hole transport layer and the electron transport layer, respectively, and a material having good quantum efficiency with respect to fluorescence or phosphorescence is preferable. Specific examples include 8-hydroxy-quinoline aluminum complex (Alq 3 ); Carbazole series compounds; Dimerized styryl compounds; BAlq; 10-hydroxybenzoquinoline-metal compound; Benzoxazole, benzthiazole and benzimidazole series compounds; Poly (p-phenylenevinylene) (PPV) -based polymers; Spiro compounds; Polyfluorene, rubrene and the like, but are not limited thereto.
상기 전자 수송 물질로는 음극으로부터 전자를 잘 주입 받아 발광층으로 옮겨줄 수 있는 물질로서, 전자에 대한 이동성이 큰 물질이 적합하다. 구체적인 예로는 8-히드록시퀴놀린의 Al 착물; Alq3를 포함한 착물; 유기 라디칼 화합물; 히드록시플라본-금속 착물 등이 있으나, 이들에만 한정되는 것은 아니다.As the electron transporting material, a material capable of injecting electrons well from the cathode and transferring the electrons to the light emitting layer is suitable. Specific examples include Al complexes of 8-hydroxyquinoline; Complexes including Alq 3 ; Organic radical compounds; Hydroxyflavone-metal complexes and the like, but are not limited thereto.
본 발명에 따른 유기발광소자는 사용되는 재료에 따라 전면 발광형, 후면 발광형 또는 양면 발광형일 수 있다.The organic light emitting device according to the present invention may be a top emission type, a bottom emission type or a double-sided emission type according to the material used.
본 발명에 따른 화합물은 유기태양전지, 유기감광체, 유기트랜지스터 등을 비롯한 유기전자소자에서도 유기발광소자에 적용되는 것과 유사한 원리로 작용할 수 있다.The compound according to the present invention may act on a principle similar to that applied to organic light emitting devices in organic electronic devices including organic solar cells, organic photoconductors, organic transistors, and the like.
이하, 본 발명의 이해를 돕기 위하여 바람직한 실시예를 제시한다. 그러나, 하기 실시예는 본 발명을 예시하기 위한 것이며, 이에 의하여 본 발명의 범위가 한정되는 것은 아니다.Hereinafter, preferred examples are provided to aid in understanding the present invention. However, the following examples are intended to illustrate the invention, whereby the scope of the invention is not limited.
<제조예 1> <Manufacture example 1>
1-1. 하기 화학식 1-A, 1-B 및 1-C의 화합물 합성1-1. Compound Synthesis of Formulas 1-A, 1-B and 1-C
[화학식 1-A] [화학식 1-B] [화학식 1-C] [Formula 1-A] [Formula 1-B] [Formula 1-C]
6-브로모-2-나프토산메틸에스테르화합물(8.0 g, 30 mmol)과, 히드라진모노히드레이트(6 ㎖, 120 mmol)를 메탄올 150 ㎖에 녹인 후 실온에서 2시간 교반시킨 후, 80 ℃에서 20 시간 교반시켰다. 상온으로 식힌 후 형성된 흰색 고체를 여과 및 세척(메탄올) 건조하여, 상기 화학식 1-A의 화합물(7.5 g, 수율 94%)을 제조하였다. MS: [M+H]+=2656-bromo-2-naphthoic acid methyl ester compound (8.0 g, 30 mmol) and hydrazine monohydrate (6 mL, 120 mmol) were dissolved in 150 mL of methanol, stirred at room temperature for 2 hours, and then stirred at 80 ° C. Stir for 20 hours. After cooling to room temperature, the white solid formed was filtered and washed (methanol) and dried to prepare the compound of Formula 1-A (7.5 g, yield 94%). MS: [M + H] + = 265
상기 화학식 1-A의 화합물(3.5 g, 13.2 mmol)과 디이소프로필에틸아민(4.6 ㎖, 26.4 mmol)을 자일렌 50 ㎖에 녹인 후, 벤조일클로라이드(1.8 ㎖, 19.8 mmol)을 0 ℃에서 적가하였다. 20분 후 140 ℃로 반응시킨 후, 상온으로 식히자 흰색 고체가 형성되었다. 형성된 흰색 고체를 여과 및 세척 후 건조하여, 상기 화학식 1-B의 화합물(3.5 g, 수율 72%)을 제조하였다. MS: [M+H]+=369After dissolving the compound of Formula 1-A (3.5 g, 13.2 mmol) and diisopropylethylamine (4.6 mL, 26.4 mmol) in 50 mL of xylene, benzoyl chloride (1.8 mL, 19.8 mmol) was added dropwise at 0 ° C. It was. After 20 minutes, the mixture was reacted at 140 ° C., and cooled to room temperature to form a white solid. The white solid formed was filtered, washed and dried to prepare the compound of Formula 1-B (3.5 g, yield 72%). MS: [M + H] + = 369
상기 화학식 1-B의 화합물(3.1 g, 8.5 mmol), 아닐린(4.7g, 51 mmol)을 1,2-디클로로벤젠에 분산시킨 후 POCl3 (0.8 ㎖, 8.5 mmol)를 천천히 적가하였다. 반응 온도를 180 ℃로 하여, 4시간 교반시킨 후 상온으로 다시 식혀 흰색 고체가 형성되었다. 이를 여과한 후 얻어진 고체를 2M NaOH에 분산시킨 후 70 ℃로 가열하면서 교반하였다. 다시 고체를 여과한 후 충분히 물로 씻어주고 건조시켜 상기 화학식 1-C의 화합물(2.6 g, 수율 72%)을 제조하였다. MS: [M+H]+=426The compound of Formula 1-B (3.1 g, 8.5 mmol) and aniline (4.7 g, 51 mmol) were dispersed in 1,2-dichlorobenzene, and POCl 3 (0.8 mL, 8.5 mmol) was slowly added dropwise. The reaction temperature was adjusted to 180 ° C., stirred for 4 hours, and cooled to room temperature again to form a white solid. After filtering this, the obtained solid was dispersed in 2M NaOH and stirred while heating to 70 ℃. The solid was filtered again, washed with plenty of water and dried to prepare the compound of Formula 1-C (2.6 g, 72% yield). MS: [M + H] + = 426
1-2. 하기 화학식 1-D 및 1-E의 화합물의 합성1-2. Synthesis of Compounds of Formulas 1-D and 1-E
[화학식 1-D] [화학식 1-E] [Formula 1-D] [Formula 1-E]
3-브로모벤조익 하이드라자이드(3-Bromobenzoic hydrazide, 2.85 g, 13.2 mmol)과 디이소프로필에틸아민(4.6 ㎖, 26.4 mmol)을 자일렌 50 ㎖에 녹인 후, 벤조일클로라이드(1.8 ㎖, 19.8 mmol)를 0 ℃에서 적가하였다. 20분 후 140 ℃로 반응시킨 후, 상온으로 식히자 흰색 고체가 형성되었다. 이를 여과 및 세척 후 건조하여, 상기 화학식 1-D의 화합물(3.0 g, 수율 72%)을 제조하였다. MS: [M+H]+=3203-Bromobenzoic hydrazide (2.85 g, 13.2 mmol) and diisopropylethylamine (4.6 mL, 26.4 mmol) were dissolved in 50 mL of xylene, followed by benzoyl chloride (1.8 mL, 19.8). mmol) was added dropwise at 0 ° C. After 20 minutes, the mixture was reacted at 140 ° C., and cooled to room temperature to form a white solid. It was filtered and washed and dried to prepare the compound of Formula 1-D (3.0 g, 72% yield). MS: [M + H] + = 320
상기 화학식 1-D의 화합물(2.7g, 8.5 mmol), 1-아미노나프탈렌(7.3g, 51 mmol)을 1,2-디클로로벤젠에 분산시킨 후 POCl3 (0.8 ㎖, 8.5 mmol)를 천천히 적가하였다. 반응 온도를 180 ℃로 하여 6시간 교반시킨 후 상온으로 다시 식혀 흰색 고체가 형성되었다. 여과 후 얻어진 고체를 2M NaOH에 분산시킨 후 70 ℃로 가열하면서 교반하였다. 다시 고체를 여과한 후 충분히 물로 씻어주고 건조시켜 상기 화학식 1-E의 화합물(2.07 g, 수율 57%)을 제조하였다. MS: [M+H]+=427The compound of Formula 1-D (2.7 g, 8.5 mmol) and 1-aminonaphthalene (7.3 g, 51 mmol) were dispersed in 1,2-dichlorobenzene and POCl 3 (0.8 mL, 8.5 mmol) was slowly added dropwise. . The reaction temperature was stirred at 180 ° C. for 6 hours, and then cooled to room temperature to form a white solid. The solid obtained after the filtration was dispersed in 2M NaOH and stirred while heating to 70 ℃. The solid was filtered again, washed with plenty of water and dried to prepare the compound of formula 1-E (2.07 g, yield 57%). MS: [M + H] + = 427
1-3. 하기 화학식 1-F 및 1-G의 화합물의 합성1-3. Synthesis of Compounds of Formulas 1-F and 1-G
[화학식 1-F] [화학식 1-G] [Formula 1-F] [Formula 1-G]
4-브로모벤조익 하이드라자이드(3-Bromobenzoic hydrazide, 2.85 g, 13.2 mmol)과 디이소프로필에틸아민(4.6 ㎖, 26.4 mmol)을 자일렌 50 ㎖에 녹인 후, 4-터셔리부틸-벤조일클로라이드(3.9g, 19.8 mmol)을 0 ℃에서 적가하였다. 20분 후 140 ℃로 반응시킨 후, 상온으로 식히자 흰색 고체가 형성되었다. 이를 여과 및 세척 후 건조하여, 상기 화학식 1-F의 화합물(3.5 g, 수율 70%)을 제조하였다.4-Bromobenzoic hydrazide (2-85 g, 13.2 mmol) and diisopropylethylamine (4.6 mL, 26.4 mmol) were dissolved in 50 mL of xylene, and then 4-tert-butyl benzoyl Chloride (3.9 g, 19.8 mmol) was added dropwise at 0 ° C. After 20 minutes, the mixture was reacted at 140 ° C., and cooled to room temperature to form a white solid. It was filtered and washed and dried to prepare the compound of Formula 1-F (3.5 g, yield 70%).
MS: [M+H]+=376MS: [M + H] + = 376
상기 화학식 1-F의 화합물(3.2g, 8.5 mmol), 아닐린(4.7g, 51 mmol)을 1,2-디클로로벤젠에 분산시킨 후 POCl3 (0.8 ㎖, 8.5 mmol)를 천천히 적가하였다. 반응 온도를 180 ℃로 하여 4시간 교반시킨 후 상온으로 다시 식혀 흰색 고체가 형성되었다. 여과 후 얻어진 고체를 2M NaOH에 분산시킨 후 70 ℃로 가열하면서 교반하였다. 다시 고체를 여과한 후 충분히 물로 씻어주고 건조시켜 상기 화학식 1-G의 화합물(2.64 g, 수율 72%)을 제조하였다. MS: [M+H]+=433The compound of Formula 1-F (3.2 g, 8.5 mmol) and aniline (4.7 g, 51 mmol) were dispersed in 1,2-dichlorobenzene and POCl 3 (0.8 mL, 8.5 mmol) was slowly added dropwise. The reaction temperature was stirred at 180 ° C. for 4 hours, and then cooled to room temperature to form a white solid. The solid obtained after the filtration was dispersed in 2M NaOH and stirred while heating to 70 ℃. The solid was filtered again, washed with plenty of water and dried to prepare the compound of Formula 1-G (2.64 g, 72% yield). MS: [M + H] + = 433
1-4. 하기 화학식 1-H 및 1-1-4. Formulas 1-H and 1- I 의Of I 화합물의 합성 Synthesis of Compound
[화학식 1-H] [화학식 1-I] Formula 1-H Formula 1-I
6-브로모-2-나프토산메틸에스테르화합물 대신 벤조익 하이드라자이드를 사용한 것을 제외하고 화학식 1-B의 제조 방법과 동일한 방법으로 상기 화학식 1-H의 화합물을 제조하였다. MS: [M+H]+=241The compound of Chemical Formula 1-H was prepared by the same method as the preparation method of Chemical Formula 1-B, except that benzoic hydrazide was used instead of the 6-bromo-2-naphthoic acid methyl ester compound. MS: [M + H] + = 241
상기 화학식 1-H의 화합물(3.2 g, 8.5 mmol), 3-브로모-아닐린(8.8 g, 51 mmol)을 1,2-디클로로벤젠에 분산시킨 후 POCl3 (0.8 ㎖, 8.5 mmol)를 천천히 적가하였다. 반응 온도를 180 ℃로 하고 4시간 교반시킨 후 상온으로 다시 식혀 흰색 고체를 얻었다. 여과 후 얻어진 고체를 2M NaOH에 분산시킨 후 70 ℃로 가열하면서 교반하였다. 다시 고체를 여과한 후 충분히 물로 씻어주고 건조시켜 상기 화학식 1-I의 화합물(2.1 g, 수율 65%)을 제조하였다. MS: [M+H]+=377After dispersing the compound of Formula 1-H (3.2 g, 8.5 mmol) and 3-bromo-aniline (8.8 g, 51 mmol) in 1,2-dichlorobenzene, POCl 3 (0.8 mL, 8.5 mmol) was slowly Added dropwise. The reaction temperature was 180 ° C., stirred for 4 hours, and cooled again to room temperature to obtain a white solid. The solid obtained after the filtration was dispersed in 2M NaOH and stirred while heating to 70 ℃. The solid was filtered again, washed with plenty of water and dried to prepare the compound of formula 1-I (2.1 g, yield 65%). MS: [M + H] + = 377
1-5. 하기 화학식 1-J 및 1-K의 화합물의 합성1-5. Synthesis of Compounds of Formulas 1-J and 1-K
[화학식 1-J] [화학식 1-K] [Formula 1-J] [Formula 1-K]
6-브로모-2-나프토산메틸에스테르화합물 대신 4-브로모-벤조익 하이드라자이드를 사용한 것을 제외하고 화학식 1-B의 제조 방법과 동일한 방법으로 상기 화학식 1-J의 화합물을 제조하였다. MS: [M+H]+= 320The compound of Chemical Formula 1-J was prepared by the same method as the preparation method of Chemical Formula 1-B, except that 4-bromo-benzoic hydrazide was used instead of the 6-bromo-2-naphthoic acid methyl ester compound. MS: [M + H] + = 320
상기 화학식 1-B 화합물 대신 상기 화학식 1-J를 사용한 것을 제외하고 화학식 1-C의 제조 방법과 동일한 방법으로 상기 화학식 1-K의 화합물을 얻었다.The compound of Chemical Formula 1-K was obtained by the same method as the method of preparing Chemical Formula 1-C, except that Chemical Formula 1-J was used instead of Chemical Formula 1-B.
MS: [M+H]+= 377MS: [M + H] + = 377
1-6. 하기 화학식 1-L 및 1-1-6. Formulas 1-L and 1- M 의M of 화합물의 합성 Synthesis of Compound
[화학식 1-L] [화학식 1-M] [Formula 1-L] [Formula 1-M]
벤조일 클로라이드 대신 1-나프토일 클로라이드를 사용한 것을 제외하고 화학식 1-H의 제조 방법과 동일한 방법으로 상기 화학식 1-L의 화합물을 제조하였다. MS: [M+H]+=291The compound of Chemical Formula 1-L was prepared by the same method as the preparation method of Chemical Formula 1-H, except that 1-naphthoyl chloride was used instead of benzoyl chloride. MS: [M + H] + = 291
상기 화학식 1-L의 화합물(2.4 g, 8.5 mmol), 3-브로모-아닐린(8.8 g, 51 mmol)을 1,2-디클로로벤젠에 분산시킨 후 POCl3 (0.8 ㎖, 8.5 mmol)를 천천히 적가하였다. 반응 온도를 180 ℃로 하여 4시간 교반시킨 후 상온으로 다시 식혀 흰색 고체를 얻었다. 여과 후 얻어진 고체를 2M NaOH에 분산시킨 후 70 ℃로 가열하면서 교반하였다. 다시 고체를 여과한 후 충분히 물로 씻어주고 건조시켜 상기 화학식 1-M의 화합물(2.35 g, 수율 65%)을 제조하였다. MS: [M+H]+=427The compound of formula 1-L (2.4 g, 8.5 mmol) and 3-bromo-aniline (8.8 g, 51 mmol) were dispersed in 1,2-dichlorobenzene and POCl 3 (0.8 mL, 8.5 mmol) was slowly Added dropwise. The reaction temperature was stirred at 180 ° C. for 4 hours, and then cooled to room temperature to give a white solid. The solid obtained after the filtration was dispersed in 2M NaOH and stirred while heating to 70 ℃. The solid was filtered again, washed with plenty of water and dried to prepare the compound of formula 1-M (2.35 g, yield 65%). MS: [M + H] + = 427
<제조예 2><Manufacture example 2>
2-1. 하기 화학식 2-A의 화합물의 합성2-1. Synthesis of Compound of Formula 2-A
[화학식 2-A][Formula 2-A]
2-브로모-9,10-디나프틸안트라센(5.00 g, 9.82 mmol), 비스(피나콜라토)디보론 (2.75 g, 10.9 mmol) 및 아세트산 칼륨 (2.89 g, 29.4 mmol)을 디옥산(50 ㎖)에 현탁시켰다. 상기 현탁액에 팔라듐(디페닐포스피노페로센)클로라이드(0.24 g, 3 mol%)를 가하였다. 얻어진 혼합물을 약 6 시간 동안 80 ℃에서 교반하고, 실온으로 냉각하였다. 상기 혼합물을 물(50 ㎖)로 희석하고 디클로로메탄(3 × 50 ㎖)으로 추출하였다. 유기 추출물을 황산 마그네슘 상에서 건조하고 진공 내 농축하였다. 조 생성물을 에탄올로 세척하고 진공 내 건조하여 9,10-디나프틸안트라세닐-2-보레이트인 상기 화학식 2-A의 화합물(5.46 g, 92 %)을 제조하였다. MS: [M+H]+=5572-bromo-9,10-dinaphthylanthracene (5.00 g, 9.82 mmol), bis (pinacolato) diboron (2.75 g, 10.9 mmol) and potassium acetate (2.89 g, 29.4 mmol) were added to dioxane ( 50 ml). Palladium (diphenylphosphinoferrocene) chloride (0.24 g, 3 mol%) was added to the suspension. The resulting mixture was stirred at 80 ° C. for about 6 hours and cooled to room temperature. The mixture was diluted with water (50 mL) and extracted with dichloromethane (3 x 50 mL). The organic extract was dried over magnesium sulfate and concentrated in vacuo. The crude product was washed with ethanol and dried in vacuo to give the compound of formula 2-A (5.46 g, 92%) which was 9,10-dinaphthylanthracenyl-2-borate. MS: [M + H] + = 557
2-2. 하기 화학식 2-B의 화합물의 합성2-2. Synthesis of Compound of Formula 2-B
[화학식 2-B][Formula 2-B]
카바졸 (3.3 g, 20 mmol), 1-브로모-4-요오드벤젠(3.0 ㎖, 24 mmol), 탄산 칼륨 (K2CO3, 5.6 g, 40 mmol), 요오드화구리 (CuI, 1.9g, 1.0 mmol) 및 자일렌 50 ㎖를 질소 분위기 하에서 환류시켰다. 상온으로 냉각한 후 생성물을 에틸아세테이트로 추출하고 무수황산마그네슘으로 수분을 제거한 후 감압 하에서 용매를 제거하였다. 헥산 용매를 사용하여 실리카겔 컬럼을 통과시켜 화합물을 얻은 후 용매를 감압 하에서 제거하고 진공 건조시켜 흰색 고체의 상기 화학식 2-B의 화합물(1.6g, 25 %)을 제조하였다. MS: [M+H]+ = 322Carbazole (3.3 g, 20 mmol), 1-bromo-4-iodinebenzene (3.0 mL, 24 mmol), potassium carbonate (K 2 CO 3 , 5.6 g, 40 mmol), copper iodide (CuI, 1.9 g, 1.0 mmol) and 50 ml of xylene were refluxed under a nitrogen atmosphere. After cooling to room temperature, the product was extracted with ethyl acetate, water was removed with anhydrous magnesium sulfate, and the solvent was removed under reduced pressure. After passing through a silica gel column using a hexane solvent to obtain a compound, the solvent was removed under reduced pressure and dried under vacuum to prepare the compound of formula 2-B (1.6g, 25%) as a white solid. MS: [M + H] + = 322
2-3. 하기 화학식 2-C의 화합물의 합성2-3. Synthesis of Compound of Formula 2-C
[화학식 2-C][Formula 2-C]
상기 화학식 2-B의 화합물(4.38 g, 13.2 mmol)을 건조 테트라하이드로퓨란 (80 ㎖)에 질소 분위기하에서 용해하였다. 상기 용액을 -78 ℃로 냉각하고, 냉각된 용액에 10 분에 걸쳐 n-부틸 리튬(6.6 ㎖, 2.5 M 헥산 용액)을 서서히 가한 후 -78 ℃에서 약 40분 동안 교반하였다. 2-브로모안트라퀴논 화합물(3.59 g, 5.5 mmol)을 반응 혼합물에 가하고, -78 ℃ 에서 약 3 시간 동안 추가로 교반하였다. 혼합물을 실온에서 약 1 시간 동안 교반하였다. 상기 혼합물에 수성 염화 암모늄 용액(50㎖)을 가하였다. 유기층을 분리하고 수용액층을 디에틸 에테르(60㎖)로 추출하였다. 추출한 유기용액층을 황산 마그네슘으로 건조하고 감압 하에 농축하였다. 수득된 고체를 디에틸 에테르로 현탁시키고, 1 시간 동안 교반 후 여과하였다. 건조 후, 디알코올 화합물인 상기 화학식 2-C의 화합물(3.32 g, 73 %)을 제조하였다.The compound of formula 2-B (4.38 g, 13.2 mmol) was dissolved in dry tetrahydrofuran (80 mL) under nitrogen atmosphere. The solution was cooled to −78 ° C., and n-butyl lithium (6.6 mL, 2.5 M hexane solution) was slowly added to the cooled solution over 10 minutes and then stirred at −78 ° C. for about 40 minutes. 2-Bromoanthraquinone compound (3.59 g, 5.5 mmol) was added to the reaction mixture and further stirred at −78 ° C. for about 3 hours. The mixture was stirred at rt for about 1 h. To the mixture was added aqueous ammonium chloride solution (50 mL). The organic layer was separated and the aqueous layer was extracted with diethyl ether (60 mL). The extracted organic solution layer was dried over magnesium sulfate and concentrated under reduced pressure. The obtained solid was suspended with diethyl ether, stirred for 1 hour and then filtered. After drying, the compound of formula 2-C (3.32 g, 73%) was prepared as a dialcohol compound.
MS [M+H]+ = 773MS [M + H] + = 773
2-4. 하기 화학식 2-D의 화합물의 합성2-4. Synthesis of Compound of Formula 2-D
[화학식 2-D][Formula 2-D]
상기 화학식 2-C의 화합물(2.82 g, 3.65 mmol)을 아세트산(60 ㎖), 요오드산칼륨 (3.32 g, 20 mmol) 및 하이포아인산나트륨 수화물(3.52g, 40 mmol)의 분산액에 가하였다. 상기 혼합물을 계속하여 교반하면서 약 3 시간 동안 환류시킨 다음, 실온으로 냉각하였다. 상기 혼합물을 여과하고 물로 세척한 다음, 진공 건조하여 상기 화학식 2-D의 화합물(2.87 g, 90 %)을 제조하였다. MS: [M+H]+=739The compound of formula 2-C (2.82 g, 3.65 mmol) was added to a dispersion of acetic acid (60 mL), potassium iodide (3.32 g, 20 mmol) and sodium hypophosphite hydrate (3.52 g, 40 mmol). The mixture was refluxed for about 3 hours with continued stirring and then cooled to room temperature. The mixture was filtered, washed with water and dried in vacuo to give the compound of formula 2-D (2.87 g, 90%). MS: [M + H] + = 739
2-5 하기 화학식 2-E의 화합물의 합성2-5 Synthesis of Compound of Formula 2-E
[화학식 2-E][Formula 2-E]
상기 제조예 2의 화학식 2-A의 화합물의 제조방법에서 2-브로모-9,10-디나프틸안트라센 및 비스(피나콜라토)디보론 대신 상기 화학식 2-D의 화합물을 사용한 것을 제외하고는, 상기 화학식 2-A의 화합물의 제조 방법과 동일한 방법으로 상기 화학식 2-E의 화합물을 제조하였다. MS [M+H]+ = 787Except for using the compound of formula 2-D instead of 2-bromo-9,10-dinaphthylanthracene and bis (pinacolato) diboron in the method for preparing a compound of formula 2-A of Preparation Example 2 Was prepared in the same manner as the method for preparing the compound of formula 2-A. MS [M + H] + = 787
2-6. 하기 화학식 2-F의 화합물의 합성2-6. Synthesis of Compound of Formula 2-F
[화학식 2-F][Formula 2-F]
1-브로모나프탈렌(34.8 g, 168.2 mmol)을 테트라하이드로퓨란 (170 ㎖)에 녹인 후 -78 ℃로 온도를 낮추고 n-뷰틸리튬(67.3 ㎖, 168,2 mmol)을 천천히 첨가한 후 1시간 동안 교반하였다. 2-브로모안트라퀴논 (21 g, 73.1 mmol)을 첨가하고 상온으로 온도를 올리고 3시간 동안 교반하였다. 포화염화암모늄수용액을 넣고 물층을 제거한 후 무수황산마그네슘으로 건조하고 여과한 후 감압 건조하였다. 에틸에테르와 페트롤륨에테르로 재결정하여 상기 화학식 2-F의 화합물(32.3 g, 82 %)을 제조하였다. MS: [M+H]+=544Dissolve 1-bromonaphthalene (34.8 g, 168.2 mmol) in tetrahydrofuran (170 mL), lower the temperature to -78 ° C and slowly add n-butyllithium (67.3 mL, 168,2 mmol) for 1 hour. Was stirred. 2-bromoanthraquinone (21 g, 73.1 mmol) was added and the temperature was raised to room temperature and stirred for 3 hours. Aqueous solution of saturated ammonium chloride was added thereto, the water layer was removed, dried over anhydrous magnesium sulfate, filtered and dried under reduced pressure. Recrystallization with ethyl ether and petroleum ether to prepare the compound of formula 2-F (32.3 g, 82%). MS: [M + H] + = 544
2-7. 하기 화학식 2-G의 화합물의 합성2-7. Synthesis of Compound of Formula 2-G
[화학식 2-G][Formula 2-G]
상기 화학식 2-F의 화합물(32.3 g, 59.5 mmol), 요오드화 칼륨(29.6 g, 178.4 mmol), 차아인산소다(38 g, 256.8 mmol)를 아세트산(40 ㎖)에 넣고 3시간 동안 가열교반하고 상온으로 온도를 낮춘 후 침전물을 여과한 후 에탄올로 재결정하여 상기 화학식 2-G의 화합물(25.5 g, 84 %)을 제조하였다. MS: [M+H]+=509The compound of Chemical Formula 2-F (32.3 g, 59.5 mmol), potassium iodide (29.6 g, 178.4 mmol) and sodium hypophosphite (38 g, 256.8 mmol) were added to acetic acid (40 mL), and the mixture was heated and stirred for 3 hours at room temperature. After lowering the temperature, the precipitate was filtered and then recrystallized with ethanol to prepare the compound of Chemical Formula 2-G (25.5 g, 84%). MS: [M + H] + = 509
2-8. 하기 화학식 2-H의 화합물의 합성2-8. Synthesis of Compound of Formula 2-H
[화학식 2-H][Formula 2-H]
상기 제조예 2의 화학식 2-A의 화합물의 합성에서 2-브로모-9,10-디나프틸안트라센 대신 상기 화학식 2-G를 사용한 것을 제외하고는, 상기 화학식 2-A의 화합물의 합성 방법과 동일한 방법으로 합성하여 상기 화학식 2-H의 화합물을 제조하였다. MS: [M+H]+= 557Method of synthesizing the compound of Formula 2-A, except that Formula 2-G was used instead of 2-bromo-9,10-dinaphthylanthracene in the synthesis of Compound 2-A of Preparation Example 2 Synthesis was carried out in the same manner as to prepare a compound of Formula 2-H. MS: [M + H] + = 557
2-9. 하기 화학식 2-I의 화합물의 합성2-9. Synthesis of Compound of Formula 2-I
[화학식 2-I][Formula 2-I]
상기 제조예 2의 화학식 2-F의 화합물의 합성에서 1-브로모나프탈렌 대신 1-브로모-4-(2-나프틸)벤젠을 사용한 것을 제외하고는, 상기 화학식 2-F의 화합물을 합성한 방법과 동일한 방법으로 상기 화학식 2-I의 화합물을 제조하였다.Except that 1-bromo-4- (2-naphthyl) benzene was used instead of 1-bromonaphthalene in the synthesis of the compound of Formula 2-F of Preparation Example 2, the compound of Formula 2-F was synthesized The compound of Formula 2-I was prepared in the same manner as one method.
MS: [M+H]+=696MS: [M + H] + = 696
2-10. 하기 화학식 2-J의 화합물의 합성2-10. Synthesis of Compound of Formula 2-J
[화학식 2-J][Formula 2-J]
상기 제조예 2의 화학식 2-G의 화합물의 합성에서 화학식 2-F의 화합물 대신 상기 화학식 2-I의 화합물을 사용한 것을 제외하고는, 상기 화학식 2-G의 화합물을 합성한 방법과 동일한 방법으로 상기 화학식 2-J의 화합물을 제조하였다.Except for using the compound of formula 2-I instead of the compound of formula 2-F in the synthesis of the compound of formula 2-G of Preparation Example 2 in the same manner as the method of synthesizing the compound of formula 2-G The compound of Formula 2-J was prepared.
MS: [M+H]+= 661MS: [M + H] + = 661
2-11. 하기 화학식 2-K의 화합물의 합성2-11. Synthesis of Compound of Formula 2-K
[화학식 2-K][Formula 2-K]
상기 제조예 2의 화학식 2-A의 화합물의 합성에서 2-브로모-9,10-디나프틸안트라센 대신 상기 화학식 2-J의 화합물을 사용한 것을 제외하고는 상기 화학식 2-A의 화합물을 합성한 방법과 동일한 방법으로 상기 화학식 2-K의 화합물을 제조하였다. MS: [M+H]+= 709Except for using the compound of formula 2-J instead of 2-bromo-9,10- dinaphthylanthracene in the synthesis of the compound of formula 2-A of Preparation Example 2 to synthesize the compound of formula 2-A The compound of Chemical Formula 2-K was prepared in the same manner as one method. MS: [M + H] + = 709
<제조예 3> 화학식 1-1 화합물 합성Preparation Example 3 Synthesis of Compound of Formula 1-1
3-1. 하기 화학식 3-A, 3-B, 3-C 및 화학식 1-1의 화합물의 합성3-1. Synthesis of Compounds of Formulas 3-A, 3-B, 3-C and Formula 1-1
[화학식 3-A] [화학식 3-B] [Formula 3-A] [Formula 3-B]
[화학식 3-C] [화학식 1-1] [Formula 3-C] [Formula 1-1]
2-안트라퀴논카르복실 클로라이드(2-anthraquinonecarboxyl chloride, 10.0 g, 37 mmol)과 벤조익하이드라자이드(benzoic hydrazide, 7.0 g, 51 mmol)를 자일렌 250 ㎖에 녹인 후, 실온에서 1시간 교반시킨 후, 3시간 동안 환류시켰다. 상온으로 식힌 후 형성된 흰색 고체를 여과 및 세척(벤젠)후 건조하여, 상기 화학식 3-A의 화합물(12.9 g, 수율 94%)을 제조하였다. MS: [M+H]+=3712-anthraquinonecarboxyl chloride (10.0 g, 37 mmol) and benzoic hydrazide (7.0 g, 51 mmol) were dissolved in 250 ml of xylene and stirred at room temperature for 1 hour. Then, refluxed for 3 hours. The white solid formed after cooling to room temperature was filtered, washed (benzene) and dried to prepare the compound of Chemical Formula 3-A (12.9 g, yield 94%). MS: [M + H] + = 371
화학식 3-A(3.0 g, 8 mmol)와 포스포러스 펜타클로라이드(PCl5, 8 g, 38 mmol)를 섞고 145 ℃에서 30분 동안 두어 녹게한다. 쿨링시킨 후, 벤젠을 부어 노란색 고체를 석출시킨 후, 여과 및 세척(벤젠) 후 건조 시켰다. 이 노란색 고체(1.8 g, 4.4 mol)와 다이메틸아릴린 10 ㎖, 아닐린 0.44 ㎖를 섞어 180 ℃로 유지한 후, 1시간 동안 교반하였다. 실온으로 낮춘 후, 1N HCl을 부어 고체를 석출시키고, 이를 여과하였다. 생성된 고체를 아세트산으로 재결정하여 여과 후 건조시켜 상기 화학식 3-B (0.66g, 수율 20%)를 제조하였다. MS: [M+H]+= 427Formula 3-A (3.0 g, 8 mmol) and phosphorus pentachloride (PCl 5 , 8 g, 38 mmol) are mixed and left to melt at 145 ° C. for 30 minutes. After cooling, benzene was poured to precipitate a yellow solid, which was then filtered and washed (benzene) and dried. The yellow solid (1.8 g, 4.4 mol) was mixed with 10 ml of dimethylarylene and 0.44 ml of aniline and maintained at 180 ° C, followed by stirring for 1 hour. After lowering to room temperature, 1N HCl was poured to precipitate a solid, which was filtered. The resulting solid was recrystallized with acetic acid, filtered and dried to prepare the above Chemical Formula 3-B (0.66 g, 20% yield). MS: [M + H] + = 427
질소 분위기하에서 2-브로모 나프탈렌(1.3 g, 6.1 mmol)을 건조 테트라하이드로퓨란(30 ㎖)에 용해하였다. 상기 용액을 -78 ℃로 냉각하고, 냉각된 용액에 10 분에 걸쳐 n-부틸 리튬(2.2 ㎖, 2.5 M 헥산 용액)을 서서히 가한 후 -78 ℃에서 약 40분 동안 교반하였다. 상기 화학식 3-B(0.66 g, 1.54 mmol)을 반응 혼합물에 가하고, -78 ℃ 에서 약 3시간 동안 추가로 교반하였다. 혼합물을 실온에서 약 1시간 동안 교반하였다. 상기 혼합물에 수성 염화 암모늄 용액(5㎖)을 가하였다. 유기층을 분리하고 수용액층을 디에틸 에테르(20㎖)로 추출하였다. 추출한 유기용액층을 황산 마그네슘으로 건조하고 감압 하에 농축하였다. 수득된 고체를 디에틸 에테르로 현탁시키고, 1시간 동안 교반 후 여과하였다. 건조 후, 디알코올 화합물인 상기 화학식 3-C의 화합물(0.42 g, 40 %)을 제조하였다. MS [M+H]+ = 6842-bromo naphthalene (1.3 g, 6.1 mmol) was dissolved in dry tetrahydrofuran (30 mL) under nitrogen atmosphere. The solution was cooled to −78 ° C. and n-butyl lithium (2.2 mL, 2.5 M hexane solution) was slowly added to the cooled solution over 10 minutes and then stirred at −78 ° C. for about 40 minutes. Formula 3-B (0.66 g, 1.54 mmol) was added to the reaction mixture and further stirred at −78 ° C. for about 3 hours. The mixture was stirred at rt for about 1 h. To the mixture was added aqueous ammonium chloride solution (5 mL). The organic layer was separated and the aqueous layer was extracted with diethyl ether (20 mL). The extracted organic solution layer was dried over magnesium sulfate and concentrated under reduced pressure. The obtained solid was suspended with diethyl ether, stirred for 1 hour and then filtered. After drying, a compound of formula 3-C (0.42 g, 40%) was prepared as a dialcohol compound. MS [M + H] + = 684
상기 화학식 3-C의 화합물(0.4 g, 0.6 mmol)을 아세트산(10 ㎖), 요오드산칼륨(1.0 g, 6 mmol) 및 하이포아인산나트륨 수화물(1.3 g, 14 mmol)의 분산액에 가하였다. 상기 혼합물을 계속하여 교반하면서 약 3시간 동안 환류시킨 다음, 실온으로 냉각하였다. 상기 혼합물을 여과하고 물로 세척한 다음, 진공 건조하여 상기 화학식 1-1의 화합물(0.3 g, 77 %)을 제조하였다. 도 2에 화학식 1-1의 화합물의 MS값을 그래프로 나타내었다. MS: [M+H]+=650 The compound of formula 3-C (0.4 g, 0.6 mmol) was added to a dispersion of acetic acid (10 mL), potassium iodide (1.0 g, 6 mmol) and sodium hypophosphite hydrate (1.3 g, 14 mmol). The mixture was refluxed for about 3 hours with continued stirring and then cooled to room temperature. The mixture was filtered, washed with water and dried in vacuo to give the compound of formula 1-1 (0.3 g, 77%). 2 shows the MS value of the compound of Formula 1-1 in a graph. MS: [M + H] + = 650
<제조예 4><Manufacture example 4>
4-1. 하기 화학식 1-51의 화합물의 합성4-1. Synthesis of Compound of Formula 1-51
[화학식 1-51][Formula 1-51]
상기 화학식 2-A의 화합물(3.5 g, 6.3 mmol)과 상기 화학식 1-K의 화합물(2.6 g, 6.9 mmol)을 테트라하이드로퓨란(100 ㎖)에 완전히 녹인 후 2 M 탄산칼륨수용액을 첨가하고 테트라키스트리페닐포스피노팔라듐(155 mg, 0.013 mmol)을 넣은 후 5시간 동안 가열 교반하였다. 상온으로 온도를 낮추고 물층을 제거하고 무수황산마그네슘으로 건조한 후 감압농축시키고 테트라하이드로퓨란 : 헥산 = 1 : 6으로 컬럼하여 상기 화학식 1-51의 화합물(3.0 g, 66 %)를 제조하였다. 도 3에 화학식 1-51의 화합물의 MS값을 그래프로 나타내었다. MS: [M+H]+=726After dissolving the compound of Formula 2-A (3.5 g, 6.3 mmol) and the compound of Formula 1-K (2.6 g, 6.9 mmol) in tetrahydrofuran (100 mL), 2 M aqueous potassium carbonate solution was added and tetra Keystriphenylphosphinopalladium (155 mg, 0.013 mmol) was added thereto, followed by heating and stirring for 5 hours. The temperature was lowered to room temperature, the water layer was removed, dried over anhydrous magnesium sulfate, concentrated under reduced pressure, and tetrahydrofuran: hexane = 1: 6 to prepare a compound of Chemical Formula 1-51 (3.0 g, 66%). 3 shows the MS value of the compound of Formula 1-51 in a graph. MS: [M + H] + = 726
4-2. 하기 화학식 1-91의 화합물의 합성4-2. Synthesis of Compound of Formula 1-91
[화학식 1-91][Formula 1-91]
상기 화학식 2-A의 화합물(3.5 g, 6.3 mmol)과 상기 화학식 1-G의 화합물(2.98 g, 6.9 mmol)을 테트라하이드로퓨란(100 ㎖)에 완전히 녹인 후 2 M 탄산칼륨수용액을 첨가하고 테트라키스트리페닐포스피노팔라듐(155 mg, 0.013 mmol)을 넣은 후 5시간 동안 가열 교반하였다. 상온으로 온도를 낮추고 물층을 제거하고 무수황산마그네슘으로 건조한 후 감압농축시키고 테트라하이드로퓨란 : 헥산 = 1 : 6으로 컬럼하여 상기 화학식 1-91의 화합물(2.95 g, 60 %)를 제조하였다.After dissolving the compound of Formula 2-A (3.5 g, 6.3 mmol) and the compound of Formula 1-G (2.98 g, 6.9 mmol) in tetrahydrofuran (100 mL), 2 M potassium carbonate solution was added and tetra Keystriphenylphosphinopalladium (155 mg, 0.013 mmol) was added thereto, followed by heating and stirring for 5 hours. The temperature was lowered to room temperature, the water layer was removed, dried over anhydrous magnesium sulfate, concentrated under reduced pressure, and tetrahydrofuran: hexane = 1: 6 to prepare a compound of Chemical Formula 1-91 (2.95 g, 60%).
MS: [M+H]+=783MS: [M + H] + = 783
4-3. 하기 화학식 1-111의 화합물의 합성4-3. Synthesis of Compound of Formula 1-111
[화학식 1-111][Formula 1-111]
상기 화학식 2-A의 화합물(3.5 g, 6.3 mmol)과 상기 화학식 1-E의 화합물(2.94 g, 6.9 mmol)을 테트라하이드로퓨란(100 ㎖)에 완전히 녹인 후 2 M 탄산칼륨수용액을 첨가하고 테트라키스트리페닐포스피노팔라듐(155 mg, 0.013 mmol)을 넣은 후 5시간 동안 가열 교반하였다. 상온으로 온도를 낮추고 물층을 제거하고 무수황산마그네슘으로 건조한 후 감압농축시키고 테트라하이드로퓨란 : 헥산 = 1 : 6 으로 컬럼하여 상기 화학식 1-111의 화합물(3.4 g, 70 %)를 제조하였다.After dissolving the compound of Formula 2-A (3.5 g, 6.3 mmol) and the compound of Formula 1-E (2.94 g, 6.9 mmol) in tetrahydrofuran (100 mL), 2 M potassium carbonate solution was added and tetra Keystriphenylphosphinopalladium (155 mg, 0.013 mmol) was added thereto, followed by heating and stirring for 5 hours. The temperature was lowered to room temperature, the water layer was removed, dried over anhydrous magnesium sulfate, concentrated under reduced pressure, and tetrahydrofuran: hexane = 1: 6 to prepare a compound of Chemical Formula 1-111 (3.4 g, 70%).
MS: [M+H]+=776MS: [M + H] + = 776
4-4. 하기 화학식 1-113의 화합물의 합성4-4. Synthesis of Compound of Formula 1-113
[화학식 1-113][Formula 1-113]
상기 화학식 2-G의 화합물(3.5 g, 6.3 mmol)과 상기 화학식 1-E의 화합물(2.94 g, 6.9 mmol)을 테트라하이드로퓨란(100 ㎖)에 완전히 녹인 후 2 M 탄산칼륨수용액을 첨가하고 테트라키스트리페닐포스피노팔라듐(155 mg, 0.013 mmol)을 넣은 후 5시간 동안 가열 교반하였다. 상온으로 온도를 낮추고 물층을 제거하고 무수황산마그네슘으로 건조한 후 감압농축시키고 테트라하이드로퓨란 : 헥산 = 1 : 6으로 컬럼하여 상기 화학식 1-113의 화합물(3.4 g, 70 %)를 제조하였다.The compound of formula 2-G (3.5 g, 6.3 mmol) and the compound of formula 1-E (2.94 g, 6.9 mmol) were completely dissolved in tetrahydrofuran (100 mL), followed by adding 2 M aqueous potassium carbonate solution. Keystriphenylphosphinopalladium (155 mg, 0.013 mmol) was added thereto, followed by heating and stirring for 5 hours. The temperature was lowered to room temperature, the water layer was removed, dried over anhydrous magnesium sulfate, concentrated under reduced pressure, and tetrahydrofuran: hexane = 1: 6 to prepare a compound of Chemical Formula 1-113 (3.4 g, 70%).
MS: [M+H]+=776MS: [M + H] + = 776
4-5. 하기 화학식 1-151의 화합물의 합성4-5. Synthesis of Compound of Formula 1-151
[화학식 1-151][Formula 1-151]
상기 화학식 2-A의 화합물(3.5 g, 6.3 mmol)과 상기 화학식 1-C의 화합물(2.94 g, 6.9 mmol)을 테트라하이드로퓨란(100 ㎖)에 완전히 녹인 후 2 M 탄산칼륨수용액을 첨가하고 테트라키스트리페닐포스피노팔라듐(155 mg, 0.013 mmol)을 넣은 후 5시간 동안 가열 교반하였다. 상온으로 온도를 낮추고 물층을 제거하고 무수황산마그네슘으로 건조한 후 감압농축시키고 테트라하이드로퓨란 : 헥산 = 1 : 6으로 컬럼하여 상기 화학식 1-151의 화합물(3.4 g, 70 %)를 제조하였다. 도 4에 화학식 1-151의 화합물의 MS값을 그래프로 나타내었다. MS: [M+H]+=776After dissolving the compound of Formula 2-A (3.5 g, 6.3 mmol) and the compound of Formula 1-C (2.94 g, 6.9 mmol) in tetrahydrofuran (100 mL), 2 M potassium carbonate solution was added and tetra Keystriphenylphosphinopalladium (155 mg, 0.013 mmol) was added thereto, followed by heating and stirring for 5 hours. The temperature was lowered to room temperature, the water layer was removed, dried over anhydrous magnesium sulfate, concentrated under reduced pressure, and tetrahydrofuran: hexane = 1: 6 to prepare a compound of Chemical Formula 1-151 (3.4 g, 70%). 4 shows the MS value of the compound of Formula 1-151 as a graph. MS: [M + H] + = 776
4-6. 하기 화학식 2-101의 화합물의 합성4-6. Synthesis of Compound of Formula 2-101
[화학식 2-101][Formula 2-101]
상기 화학식 2-A의 화합물(3.5 g, 6.3 mmol)과 상기 화학식 1-I의 화합물(2.6 g, 6.9 mmol)을 테트라하이드로퓨란(100 ㎖)에 완전히 녹인 후 2 M 탄산칼륨수용액을 첨가하고 테트라키스트리페닐포스피노팔라듐(155 mg, 0.013 mmol)을 넣은 후 5시간 동안 가열 교반하였다. 상온으로 온도를 낮추고 물층을 제거하고 무수황산마그네슘으로 건조한 후 감압농축시키고 테트라하이드로퓨란 : 헥산 = 1 : 6으로 컬럼하여 상기 화학식 2-101의 화합물(3.4 g, 75 %)를 제조하였다. 도 5에 화학식 2-101의 화합물의 MS값을 그래프로 나타내었다. MS: [M+H]+=726After dissolving the compound of Formula 2-A (3.5 g, 6.3 mmol) and the compound of Formula 1-I (2.6 g, 6.9 mmol) in tetrahydrofuran (100 mL), 2 M aqueous potassium carbonate solution was added and tetra Keystriphenylphosphinopalladium (155 mg, 0.013 mmol) was added thereto, followed by heating and stirring for 5 hours. The temperature was lowered to room temperature, the water layer was removed, dried over anhydrous magnesium sulfate, concentrated under reduced pressure, and tetrahydrofuran: hexane = 1: 6 to prepare the compound of Chemical Formula 2-101 (3.4 g, 75%). 5 is a graph showing the MS value of the compound of formula 2-101. MS: [M + H] + = 726
4-7. 하기 화학식 2-105의 화합물의 합성4-7. Synthesis of Compound of Formula 2-105
[화학식 2-105][Formula 2-105]
상기 화학식 2-E의 화합물(4.95 g, 6.3 mmol)과 상기 화학식 1-I의 화합물(2.6 g, 6.9 mmol)을 테트라하이드로퓨란(100 ㎖)에 완전히 녹인 후 2 M 탄산칼륨수용액을 첨가하고 테트라키스트리페닐포스피노팔라듐(155 mg, 0.013 mmol)을 넣은 후 5시간 동안 가열 교반하였다. 상온으로 온도를 낮추고 물층을 제거하고 무수황산마그네슘으로 건조한 후 감압농축시키고 테트라하이드로퓨란 : 헥산 = 1 : 6으로 컬럼하여 상기 화학식 2-105의 화합물(4.2 g, 70 %)를 제조하였다.After completely dissolving the compound of Formula 2-E (4.95 g, 6.3 mmol) and the compound of Formula 1-I (2.6 g, 6.9 mmol) in tetrahydrofuran (100 mL), an aqueous 2 M potassium carbonate solution was added and tetra Keystriphenylphosphinopalladium (155 mg, 0.013 mmol) was added thereto, followed by heating and stirring for 5 hours. The temperature was lowered to room temperature, the water layer was removed, dried over anhydrous magnesium sulfate, concentrated under reduced pressure, and tetrahydrofuran: hexane = 1: 6 to prepare a compound of Chemical Formula 2-105 (4.2 g, 70%).
MS: [M+H]+=957MS: [M + H] + = 957
4-8. 하기 화학식 2-116의 화합물의 합성4-8. Synthesis of Compound of Formula 2-116
[화학식 2-116][Formula 2-116]
상기 화학식 2-K의 화합물(4.47 g, 6.3 mmol)과 상기 화학식 1-M의 화합물(2.94 g, 6.9 mmol)을 테트라하이드로퓨란(100 ㎖)에 완전히 녹인 후 2 M 탄산칼륨수용액을 첨가하고 테트라키스트리페닐포스피노팔라듐(155 mg, 0.013 mmol)을 넣은 후 5시간 동안 가열 교반하였다. 상온으로 온도를 낮추고 물층을 제거하고 무수황산마그네슘으로 건조한 후 감압농축시키고 테트라하이드로퓨란 : 헥산 = 1 : 6으로 컬럼하여 상기 화학식 2-116의 화합물(3.74 g, 64 %)를 제조하였다.After completely dissolving the compound of Formula 2-K (4.47 g, 6.3 mmol) and the compound of Formula 1-M (2.94 g, 6.9 mmol) in tetrahydrofuran (100 mL), an aqueous 2 M potassium carbonate solution was added and tetra Keystriphenylphosphinopalladium (155 mg, 0.013 mmol) was added thereto, followed by heating and stirring for 5 hours. The temperature was lowered to room temperature, the water layer was removed, dried over anhydrous magnesium sulfate, concentrated under reduced pressure, and tetrahydrofuran: hexane = 1: 6 to prepare a compound of Chemical Formula 2-116 (3.74 g, 64%).
MS: [M+H]+=929MS: [M + H] + = 929
<< 실험예Experimental Example 1> 1>
ITO(indium tin oxide)가 1500 Å의 두께로 박막 코팅된 유리 기판을 세제를 녹인 증류수에 넣고 초음파로 세척하였다. 이 때, 세제로는 피셔사(Fischer Co.) 제품을 사용하였으며, 증류수로는 밀리포어사 (Millipore Co.) 제품의 필터(Filter)로 2차로 걸러진 증류수를 사용하였다. ITO를 30 분간 세척한 후 증류수로 2회 반복하여 초음파 세척을 10분간 진행하였다. 증류수 세척이 끝난 후, 이소프로필알콜, 아세톤, 메탄올의 용제로 초음파 세척을 하고 건조시킨 후 플라즈마 세정기로 수송시켰다. 또한, 산소 플라즈마를 이용하여 상기 기판을 5분간 세정한 후 진공 증착기로 기판을 수송시켰다.A glass substrate coated with a thin film of ITO (indium tin oxide) at a thickness of 1500 Å was placed in distilled water in which detergent was dissolved and ultrasonically cleaned. At this time, Fischer Co. product was used as a detergent, and distilled water filtered secondly as a filter of Millipore Co. product was used as distilled water. After ITO was washed for 30 minutes, ultrasonic washing was performed twice with distilled water for 10 minutes. After washing the distilled water, ultrasonic washing with a solvent of isopropyl alcohol, acetone, methanol, dried and transported to a plasma cleaner. In addition, the substrate was cleaned for 5 minutes using an oxygen plasma, and then the substrate was transferred to a vacuum evaporator.
이렇게 준비된 ITO 투명 전극 위에 하기 화학식의 헥사니트릴 헥사아자트리페닐렌(hexanitrile hexaazatriphenylene; HAT)를 500 Å의 두께로 열 진공 증착하여 정공 주입층을 형성시켰다. The hexanitrile hexaazatriphenylene (HAT) of the following formula was thermally vacuum deposited to a thickness of 500 kPa on the prepared ITO transparent electrode to form a hole injection layer.
[HAT][HAT]
상기 정공 주입층 위에 정공을 수송하는 물질인 하기 화학식의 4,4'-비스[N-(1-나프틸)-N-페닐아미노]비페닐(NPB)(400 Å)를 진공 증착하여 정공 수송층을 형성하였다. 4,4'-bis [N- (1-naphthyl) -N-phenylamino] biphenyl (NPB) (400 kPa) of the following formula, which is a material for transporting holes on the hole injection layer, is vacuum deposited to form a hole transport layer Formed.
[NPB][NPB]
이어서, 상기 정공 수송층 위에 하기 화학식의 Alq3(알루미늄 트리스(8-히드록시퀴놀린))를 300 Å의 두께로 진공증착하여 발광층을 형성하였다.Subsequently, Alq 3 (aluminum tris (8-hydroxyquinoline)) of the following formula was vacuum deposited on the hole transport layer to a thickness of 300 Pa to form a light emitting layer.
[Alq3][Alq 3 ]
상기 발광층 위에 제조예 1에서 제조된 화학식 1-1의 화합물을 200 Å의 두께로 진공 증착하여 전자 주입 및 수송층을 형성시켰다.The compound of Formula 1-1 prepared in Preparation Example 1 was vacuum deposited to a thickness of 200 kPa on the light emitting layer to form an electron injection and transport layer.
상기 전자 주입 및 수송층 위에 순차적으로 12 Å 두께로 리튬 플루라이드(LiF)와 2000 Å 두께로 알루미늄을 증착하여 음극을 형성하였다.On the electron injection and transport layer, lithium fluoride (LiF) and aluminum were deposited to have a thickness of 12 kW in order to form a cathode.
상기의 과정에서 유기물의 증착속도는 0.4 ~ 0.7 Å/sec를 유지하였고, 음극의 리튬플루오라이드는 0.3 Å/sec, 알루미늄은 2 Å/sec의 증착 속도를 유지하였으며, 증착시 진공도는 2 × 10-7 ~ 5 × 10-8 torr를 유지하였다.In the above process, the deposition rate of the organic material was maintained at 0.4 ~ 0.7 Å / sec, the lithium fluoride of the cathode was maintained at a deposition rate of 0.3 Å / sec, aluminum is 2 Å / sec, the vacuum degree during deposition is 2 × 10 −7 to 5 × 10 −8 torr was maintained.
상기에서 제조된 유기발광소자에 5.6 V의 순방향 전계를 가한 결과, 50 mA/㎠의 전류밀도에서 1931 CIE 색 좌표(color coordinate) 기준으로 x = 0.32, y = 0.55 에 해당하는 녹색 빛이 관찰되었고, 6.4 V의 순방향 전계를 가한 결과 100 mA/㎠의 전류밀도에서 2.6 cd/A 의 녹색빛이 관찰되었다.When a forward electric field of 5.6 V was applied to the organic light emitting device, green light corresponding to x = 0.32 and y = 0.55 was observed based on the 1931 CIE color coordinate at a current density of 50 mA /
<< 실험예Experimental Example 2> 2>
실험예 1과 같은 방법으로 제조된 ITO 전극 위에 헥사니트릴 헥사아자트리페닐렌(500 Å), 4,4'-비스[N-(1-나프틸)-N-페닐아미노]비페닐(NPB)(400 Å), Alq3(300 Å), 화학식 1-51(200 Å)의 화합물을 순차적으로 열 진공 증착하여 정공 주입층, 정공 수송층, 발광층 및 전자 수송층을 차례로 형성시켰다.Hexanitrile hexaazatriphenylene (500 Hz), 4,4'-bis [N- (1-naphthyl) -N-phenylamino] biphenyl (NPB) on an ITO electrode prepared in the same manner as in Experimental Example 1 (400 kPa), Alq 3 (300 kPa), and the compounds of Formulas 1-51 (200 kPa) were sequentially thermally vacuum deposited to form a hole injection layer, a hole transport layer, a light emitting layer, and an electron transport layer in that order.
상기 전자 수송층 위에 순차적으로 12 Å의 두께의 리튬 플루오라이드(LiF)DHK 2000 Å의 두께의 알루미늄을 증착하여 음극을 형성하여, 유기발광소자를 제조하였다.An organic light emitting device was manufactured by sequentially depositing aluminum having a thickness of 12 Å and lithium fluoride (LiF) DHK 2000 Å on the electron transport layer to form a cathode.
상기 과정에서 유기물의 증착속도는 0.4 ~ 0.7 Å/sec를 유지하였고, 음극의 리튬플루오라이드는 0.3 Å/sec, 알루미늄은 2 Å/sec의 증착 속도를 유지하였으며, 증착시 진공도는 2 × 10-7 ~ 5 × 10-8 torr를 유지하였다.The deposition rate of the organic material in the above process was maintained at 0.4 ~ 0.7 Å / sec, the lithium fluoride of the cathode was 0.3 Å / sec, the aluminum was deposited at a rate of 2 Å / sec, the deposition upon the degree of
상기에서 제조된 유기발광소자에 5.7 V의 순방향 전계를 가한 결과, 50 mA/㎠의 전류밀도에서 1931 CIE 색 좌표 기준으로 x = 0.33, y = 0.56 에 해당하는 녹색 빛이 관찰되었고, 6.8 V의 순방향 전계를 가한 결과 100 mA/㎠의 전류밀도에서 2.49 cd/A 의 녹색빛이 관찰되었다.As a result of applying a forward electric field of 5.7 V to the organic light emitting device, green light corresponding to x = 0.33 and y = 0.56 was observed based on the 1931 CIE color coordinate at a current density of 50 mA /
<< 실험예Experimental Example 3> 3>
실험예 1과 같은 방법으로 제조된 ITO 전극 위에 헥사니트릴 헥사아자트리페닐렌(500 Å), 4,4'-비스[N-(1-나프틸)-N-페닐아미노]비페닐(NPB)(400 Å), 화학식 1-151(400 Å)의 화합물을 순차적으로 열 진공 증착하여 정공 주입층, 정공 수송층 및 발광과 전자 수송을 동시에 하는 층을 차례로 형성시켰다.Hexanitrile hexaazatriphenylene (500 Hz), 4,4'-bis [N- (1-naphthyl) -N-phenylamino] biphenyl (NPB) on an ITO electrode prepared in the same manner as in Experimental Example 1 (400 kPa) and the compound of Chemical Formula 1-151 (400 kPa) were sequentially thermally vacuum deposited to form a hole injection layer, a hole transport layer, and a layer for simultaneously emitting and electron transport.
상기 발광과 전자 수송을 동시에 하는 층 위에 순차적으로 12 Å의 두께의 리튬 플루오라이드(LiF)와 2000 Å의 두께의 알루미늄을 증착하여 음극을 형성하여, 유기발광소자를 제조하였다.An organic light emitting device was manufactured by depositing lithium fluoride (LiF) having a thickness of 12 kW and aluminum having a thickness of 2000 kW sequentially on the layer simultaneously emitting light and transporting electrons.
상기의 과정에서 유기물의 증착속도는 0.4 ~ 0.7 Å/sec를 유지하였고, 음극의 리튬플루오라이드는 0.3 Å/sec, 알루미늄은 2 Å/sec의 증착 속도를 유지하였으며, 증착시 진공도는 2 × 10-7 ~ 5 × 10-8 torr를 유지하였다.In the above process, the deposition rate of the organic material was maintained at 0.4 ~ 0.7 Å / sec, the lithium fluoride of the cathode was maintained at a deposition rate of 0.3 Å / sec, aluminum is 2 Å / sec, the vacuum degree during deposition is 2 × 10 −7 to 5 × 10 −8 torr was maintained.
상기에서 제조된 유기발광소자에 5.8 V의 순방향 전계를 가한 결과, 50 mA/㎠의 전류밀도에서 1931 CIE 색 좌표 기준으로 x = 0.33, y = 0.58 에 해당하는 녹색 빛이 관찰되었고, 6.9 V의 순방향 전계를 가한 결과 100 mA/㎠의 전류밀도에서 2.6 cd/A 의 녹색 빛이 관찰되었다.As a result of applying a forward electric field of 5.8 V to the organic light emitting device manufactured above, green light corresponding to x = 0.33 and y = 0.58 was observed based on the 1931 CIE color coordinate at a current density of 50 mA /
<< 실험예Experimental Example 4> 4>
실험예 1과 같은 방법으로 제조된 ITO 전극 위에 헥사니트릴 헥사아자트리페닐렌(500 Å), 4,4'-비스[N-(1-나프틸)-N-페닐아미노]비페닐(NPB) (400 Å), Alq3(300 Å) 및 상기 화학식 2-101의 화합물(200 Å), 리튬 플루오라이드(LiF) 12 Å을 순차적으로 열 진공 증착하여 정공 주입층, 정공 수송층, 발광층, 전자 수송층, 전자 주입층을 차례로 형성시켰다. 그 위에 2000 Å 두께의 알루미늄을 증착하여 음극을 형성하고 유기발광소자를 제조하였다.Hexanitrile hexaazatriphenylene (500 Hz), 4,4'-bis [N- (1-naphthyl) -N-phenylamino] biphenyl (NPB) on an ITO electrode prepared in the same manner as in Experimental Example 1 (400 Å), Alq 3 (300 Å), the compound of formula 2-101 (200 Å), and lithium fluoride (LiF) 12 순차적 in order to thermally vacuum deposit a hole injection layer, a hole transport layer, a light emitting layer, an electron transport layer And the electron injection layer were formed in order. 2000 nm thick aluminum was deposited thereon to form a cathode to manufacture an organic light emitting device.
상기 제조된 유기발광소자에 4.8 V의 순방향 전계를 가한 결과, 50 mA/㎠의 전류밀도에서 1931 CIE 색 좌표 기준으로 x = 0.32, y = 0.56에 해당하는 녹색 빛이 관찰되었다. 또한, 5.7 V의 순방향 전계를 가한 결과 100 mA/㎠의 전류밀도에서 2.8 cd/A 의 녹색 빛이 관찰되었다.As a result of applying a forward electric field of 4.8 V to the organic light emitting device, green light corresponding to x = 0.32 and y = 0.56 was observed based on a 1931 CIE color coordinate at a current density of 50 mA /
<< 실험예Experimental Example 5> 5>
실험예 1과 같은 방법으로 제조된 ITO 전극 위에 헥사니트릴 헥사아자트리페닐렌(500 Å), 4,4'-비스[N-(1-나프틸)-N-페닐아미노]비페닐(NPB) (400 Å), Alq3(300 Å) 및 상기 화학식 2-116의 화합물(200 Å), 리튬 플루오라이드(LiF) 12 Å을 순차적으로 열 진공 증착하여 정공 주입층, 정공 수송층, 발광층, 전자 수송층 및 전자 주입층을 차례로 형성시켰다. 그 위에 2000 Å 두께의 알루미늄을 증착하여 음극을 형성하고 유기발광소자를 제조하였다.Hexanitrile hexaazatriphenylene (500 Hz), 4,4'-bis [N- (1-naphthyl) -N-phenylamino] biphenyl (NPB) on an ITO electrode prepared in the same manner as in Experimental Example 1 (400 Å), Alq 3 (300 Å), the compound of formula 2-116 (200 Å), and lithium fluoride (LiF) 12 순차적 in succession by thermal vacuum deposition to form a hole injection layer, a hole transport layer, a light emitting layer, an electron transport layer And an electron injection layer were formed in turn. 2000 nm thick aluminum was deposited thereon to form a cathode to manufacture an organic light emitting device.
상기 제조된 유기발광소자에 4.9 V의 순방향 전계를 가한 결과, 50 mA/㎠의 전류밀도에서 1931 CIE 색 좌표 기준으로 x = 0.33, y = 0.58에 해당하는 녹색 빛이 관찰되었다. 또한, 5.8 V의 순방향 전계를 가한 결과 100 mA/㎠의 전류밀도에서 2.7 cd/A 의 녹색 빛이 관찰되었다.As a result of applying a forward electric field of 4.9 V to the organic light emitting device, green light corresponding to x = 0.33 and y = 0.58 was observed based on a 1931 CIE color coordinate at a current density of 50 mA /
본 발명에 따른 신규한 안트라센 화합물은 안트라센 화합물에 트리아졸 유 도체를 도입하여, 유기발광소자를 비롯한 유기전자소자의 유기물층 재료로서 사용될 수 있다. 상기 본 발명에 따른 안트라센 화합물을 유기물층의 재료로서 이용한 유기발광소자를 비롯한 유기전자소자는 효율, 구동전압, 수명 등에서 우수한 특성을 나타낸다. The novel anthracene compound according to the present invention may be used as an organic material layer material of an organic electronic device including an organic light emitting device by introducing a triazole derivative into the anthracene compound. The organic electronic device including the organic light emitting device using the anthracene compound according to the present invention as a material of the organic material layer has excellent characteristics in efficiency, driving voltage, lifespan, and the like.
Claims (18)
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020060077502A KR101251656B1 (en) | 2006-08-17 | 2006-08-17 | New anthracene derivatives and organic electronic device using the same |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020060077502A KR101251656B1 (en) | 2006-08-17 | 2006-08-17 | New anthracene derivatives and organic electronic device using the same |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20080016005A true KR20080016005A (en) | 2008-02-21 |
KR101251656B1 KR101251656B1 (en) | 2013-04-05 |
Family
ID=39384191
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020060077502A KR101251656B1 (en) | 2006-08-17 | 2006-08-17 | New anthracene derivatives and organic electronic device using the same |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
KR (1) | KR101251656B1 (en) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN108658877A (en) * | 2017-04-01 | 2018-10-16 | 中国科学院成都有机化学有限公司 | A kind of preparation and its application of electron-transporting type material |
KR20200039087A (en) * | 2018-10-04 | 2020-04-16 | 삼성디스플레이 주식회사 | Organic light-emitting device and display including the same |
Family Cites Families (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20060120040A (en) | 2003-10-24 | 2006-11-24 | 이스트맨 코닥 캄파니 | Electroluminescent device with anthracene derivative host |
-
2006
- 2006-08-17 KR KR1020060077502A patent/KR101251656B1/en active IP Right Grant
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN108658877A (en) * | 2017-04-01 | 2018-10-16 | 中国科学院成都有机化学有限公司 | A kind of preparation and its application of electron-transporting type material |
KR20200039087A (en) * | 2018-10-04 | 2020-04-16 | 삼성디스플레이 주식회사 | Organic light-emitting device and display including the same |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR101251656B1 (en) | 2013-04-05 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR100961821B1 (en) | New anthracene derivatives and organic electronic device using the same | |
KR100872692B1 (en) | New anthracene derivatives and organic electronic device using the same | |
JP5497045B2 (en) | Novel anthracene derivative and organic electronic device using the same | |
KR101460361B1 (en) | New imidazole derivatives and organic electronic device using the same | |
KR100864154B1 (en) | New anthracene derivatives, preparation method thereof and organic electronic device using the same | |
KR20090114008A (en) | New imidazole derivatives and organic electronic device using the same | |
KR20070062920A (en) | Novel imidazoquinazoline derivative, process for preparing the same, and organic electronic device using the same | |
KR20070012220A (en) | New imidazole derivatives, preparation method thereof and organic electronic device using the same | |
KR101262420B1 (en) | New anthracene derivatives and organic electronic devices using the same | |
KR20100007143A (en) | New anthracene derivatives and organic electronic device using the same | |
KR20100007791A (en) | New anthracene derivatives and organic electronic device using the same | |
KR20130100948A (en) | New anthracene derivatives and organic electronic device using the same | |
KR20080016007A (en) | New anthracene derivatives and organic electronic device using the same | |
KR101153095B1 (en) | New cycloalkene derivatives and organic electronic diode using the same | |
KR101317531B1 (en) | New imidazole derivatives and organic electronic device using the same | |
KR100887870B1 (en) | New anthracene derivatives, preparation method thereof and organic electronic device using the same | |
KR101380008B1 (en) | New anthracene derivatives and organic electronic device using the same | |
KR20130083887A (en) | New imidazole derivatives and organic electronic device using the same | |
KR101251656B1 (en) | New anthracene derivatives and organic electronic device using the same | |
KR100970836B1 (en) | New fluorene derivatives and organic electronic devices using the same | |
KR101273057B1 (en) | New anthracene derivatives and organic electronic device using the same | |
KR101022125B1 (en) | New fluorene derivatives and organic electronic devices using the same | |
KR101350524B1 (en) | New anthracene derivatives and organic electronic device using the same | |
KR101251655B1 (en) | New bianthracene derivatives and organic electronic device using the same | |
KR20140009095A (en) | New imidazole derivatives and organic electronic device using the same |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A201 | Request for examination | ||
E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
GRNT | Written decision to grant | ||
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20170328 Year of fee payment: 5 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20180403 Year of fee payment: 6 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20190401 Year of fee payment: 7 |