KR101251655B1 - New bianthracene derivatives and organic electronic device using the same - Google Patents

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Abstract

본 발명은 신규한 바이안트라센(bianthracene) 유도체, 이들을 제조하는 방법, 및 이를 이용한 유기전자소자를 제공한다.The present invention provides novel biantracene derivatives, a method of preparing them, and an organic electronic device using the same.

본 발명에 따른 유기전자소자는 효율, 구동전압 및 수명 면에서 우수한 특성을 나타낸다.The organic electronic device according to the present invention exhibits excellent characteristics in terms of efficiency, driving voltage and lifetime.

바이안트라센, 트리아진, 유기전자소자, 유기 발광 소자, 유기 발광 소자 재료 Biantracene, triazine, organic electronic device, organic light emitting device, organic light emitting device material

Description

신규한 바이안트라센 유도체 및 이를 이용한 유기전자소자{NEW BIANTHRACENE DERIVATIVES AND ORGANIC ELECTRONIC DEVICE USING THE SAME}Novel biantracene derivative and organic electronic device using the same {NEW BIANTHRACENE DERIVATIVES AND ORGANIC ELECTRONIC DEVICE USING THE SAME}

도 1은 본 발명에 따른 유기발광소자의 한 예를 도시한 것이다.1 illustrates an example of an organic light emitting device according to the present invention.

[도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명][Description of Symbols for Main Parts of Drawing]

1 기판 2 양극1 substrate 2 anode

3 정공 주입층 4 정공 수송층3 hole injection layer 4 hole transport layer

5 유기 발광층 6 전자 수송층5 organic light emitting layer 6 electron transport layer

7 음극7 cathode

본 발명은 바이안트라센(bianthracene)에 트리아진기가 결합된 신규한 바이안트라센 유도체 및 이를 이용한 유기전자소자에 관한 것이다. The present invention relates to a novel biantracene derivative having a triazine group bonded to a biantracene and an organic electronic device using the same.

본 명세서에서, 유기전자소자란 유기 반도체 물질을 이용한 전자소자로서, 전극과 유기 반도체 물질 사이에서의 정공 및/또는 전자의 교류를 필요로 한다. 유기전자소자는 동작 원리에 따라 하기와 같이 크게 두 가지로 나눌 수 있다. 첫째는 외부의 광원으로부터 소자로 유입된 광자에 의하여 유기물층에서 엑시톤(exiton)이 형성되고, 이 엑시톤이 전자와 정공으로 분리되고, 이 전자와 정공이 각각 다른 전극으로 전달되어 전류원(전압원)으로 사용되는 형태의 전자소자이다. 둘째는 2개 이상의 전극에 전압 또는 전류를 가하여 전극과 계면을 이루는 유기 반도체 물질층에 정공 및/또는 전자를 주입하고, 주입된 전자와 정공에 의하여 작동하는 형태의 전자소자이다.In the present specification, an organic electronic device is an electronic device using an organic semiconductor material, and requires an exchange of holes and / or electrons between an electrode and an organic semiconductor material. The organic electronic device can be divided into two types according to the operation principle. First, an exciton is formed in the organic layer by photons introduced into the device from an external light source, and the exciton is separated into electrons and holes, and these electrons and holes are transferred to different electrodes to be used as current sources (voltage sources). It is an electronic device of the form. The second type is an electronic device that injects holes and / or electrons into an organic semiconductor material layer that interfaces with the electrode by applying a voltage or current to two or more electrodes, and operates by injected electrons and holes.

유기전자소자의 예로는 유기발광소자, 유기태양전지, 유기감광체(OPC) 드럼, 유기 트랜지스터 등이 있으며, 이들은 모두 소자의 구동을 위하여 전자/정공 주입 물질, 전자/정공 추출 물질, 전자/정공 수송 물질 또는 발광 물질을 필요로 한다. 이하에서는 주로 유기발광소자에 대하여 구체적으로 설명하지만, 상기 유기전자소자들에서는 전자/정공 주입 물질, 전자/정공 추출 물질, 전자/정공 수송 물질 또는 발광 물질이 모두 유사한 원리로 작용한다.Examples of organic electronic devices include organic light emitting devices, organic solar cells, organic photoconductor (OPC) drums and organic transistors, all of which are electron / hole injection materials, electron / hole extraction materials, electron / hole transport materials Materials or luminescent materials are required. Hereinafter, the organic light emitting device will be described in detail, but in the organic electronic devices, the electron / hole injecting material, the electron / hole extracting material, the electron / hole transporting material, or the light emitting material all have a similar principle.

일반적으로 유기 발광 현상이란 유기 물질을 이용하여 전기에너지를 빛에너지로 전환시켜주는 현상을 말한다. 유기 발광 현상을 이용하는 유기 발광 소자는 통상 양극과 음극 및 이들 사이에 유기물층을 포함하는 구조를 가진다. 여기서 유기물층은 유기 발광 소자의 효율과 안정성을 높이기 위하여 각기 다른 물질로 구성된 다층의 구조로 이루어진 경우가 많으며, 예컨대 정공주입층, 정공수송층, 발광층, 전자수송층, 전자주입층 등을 포함할 수 있다. 이러한 유기 발광 소자의 구조에서 두 전극 사이에 전압을 걸어주게 되면 양극에서는 정공이, 음극에서는 전자가 유기물층으로 주입되고, 주입된 정공과 전자가 만났을 때 엑시톤(exciton)이 형성되며, 이 엑시톤이 바닥상태로 떨어질 때 빛이 나게 된다. 이러한 유기 발광 소자 는 자발광, 고휘도, 고효율, 낮은 구동 전압, 넓은 시야각, 높은 콘트라스트, 고속 응답성 등의 특성을 갖는 것으로 알려져 있다.In general, organic light emission phenomenon refers to a phenomenon in which an organic material is used to convert electric energy into light energy. An organic light emitting device using an organic light emitting phenomenon usually has a structure including an anode and a cathode and an organic layer between them. In this case, the organic material layer is often formed of a multi-layered structure composed of different materials to increase the efficiency and stability of the organic light emitting device, and may include, for example, a hole injection layer, a hole transport layer, a light emitting layer, an electron transport layer, an electron injection layer. When a voltage is applied between two electrodes in the structure of the organic light emitting device, holes are injected into the anode, electrons are injected into the organic layer, electrons are injected into the organic layer, excitons are formed when injected holes and electrons meet, When it falls to a state, it becomes a light. Such organic light emitting devices are known to have characteristics such as self-luminous, high brightness, high efficiency, low driving voltage, wide viewing angle, high contrast, and high speed response.

유기 발광 소자에서 유기물층으로 사용되는 재료는 기능에 따라, 발광 재료와 전하 수송 재료, 예컨대 정공주입 재료, 정공수송 재료, 전자수송 재료, 전자주입 재료 등으로 분류될 수 있다. 발광 재료는 발광색에 따라 청색, 녹색, 적색 발광 재료와 보다 나은 천연색을 구현하기 위해 필요한 노란색 및 주황색 발광 재료로 구분될 수 있다. 또한, 색순도의 증가와 에너지 전이를 통한 발광 효율을 증가시키기 위하여, 발광 재료로서 호스트/도판트 계를 사용할 수 있다. 그 원리는 발광층을 주로 구성하는 호스트 보다 에너지 대역 간극이 작고 발광 효율이 우수한 도판트를 발광층에 소량 혼합하면, 호스트에서 발생한 엑시톤이 도판트로 수송되어 효율이 높은 빛을 내는 것이다. 이 때 호스트의 파장이 도판트의 파장대로 이동하므로, 이용하는 도판트의 종류에 따라 원하는 파장의 빛을 얻을 수 있다.A material used as an organic material layer in an organic light emitting device can be classified into a light emitting material and a charge transporting material such as a hole injecting material, a hole transporting material, an electron transporting material, and an electron injecting material depending on functions. The light emitting material can be classified into blue, green and red light emitting materials and yellow and orange light emitting materials necessary for realizing better natural color depending on the luminescent color. Further, in order to increase the color purity and increase the luminous efficiency through energy transfer, a host / dopant system can be used as a light emitting material. The principle is that when a small amount of dopant having a smaller energy band gap and excellent luminous efficiency than the host mainly constituting the light emitting layer is mixed in the light emitting layer, excitons generated in the host are transported to the dopant to produce high efficiency light. At this time, since the wavelength of the host is shifted to the wavelength band of the dopant, the desired wavelength light can be obtained depending on the type of the dopant used.

전술한 유기 발광 소자가 갖는 우수한 특징들을 충분히 발휘하기 위해서는 소자내 유기물층을 이루는 물질, 예컨대 정공주입 물질, 정공수송 물질, 발광 물질, 전자수송 물질, 전자주입 물질 등이 안정하고 효율적인 재료에 의하여 뒷받침되는 것이 선행되어야 하나, 아직까지 안정하고 효율적인 유기 발광 소자용 유기물층 재료의 개발이 충분히 이루어지지 않은 상태이며, 따라서 새로운 재료의 개발이 계속 요구되고 있다.In order to sufficiently exhibit the excellent characteristics of the organic light emitting device, a material constituting the organic material layer in the device such as a hole injecting material, a hole transporting material, a light emitting material, an electron transporting material, and an electron injecting material is supported by a stable and efficient material However, the development of a stable and efficient organic material layer material for an organic light emitting device has not yet been sufficiently achieved, and therefore, the development of new materials has been continuously required.

본 발명자들은 바이안트라센에 트리아진기를 도입한 신규한 구조를 갖는 바 이안트라센 유도체를 밝혀내었다. 또한, 상기 신규한 바이안트라센 유도체를 이용하여 유기 전자 소자의 유기물층을 형성하는 경우 소자의 효율 상승, 구동 전압 하강 및 안정성 상승 등의 효과를 나타낼 수 있다는 사실을 밝혀내었다. The inventors have discovered a bianthracene derivative having a novel structure in which a triazine group is introduced into biantracene. In addition, when the organic layer of the organic electronic device is formed using the novel biantracene derivative, it has been found that effects such as an increase in efficiency of the device, a decrease in driving voltage, and an increase in stability may be exhibited.

이에 본 발명은 트리아진이 결합된 신규한 바이안트라센 유도체 및 이를 이용한 유기 전자 소자를 제공하는 것을 목적으로 한다. Accordingly, an object of the present invention is to provide a novel biantracene derivative in which triazine is bound and an organic electronic device using the same.

본 발명은 하기 화학식 1의 화합물을 제공한다. The present invention provides a compound of Formula 1 below.

Figure 112006058409220-pat00001
Figure 112006058409220-pat00001

상기 화학식 1에 있어서,In Formula 1,

R1 및 R2는 서로 같거나 상이하고, 독립적으로 할로겐, 아미노기, 니트릴기, 니트로기, C1~C40의 알킬기, C2~C40의 알케닐기, C1~C40의 알콕시기, C3~C40의 시클로알킬기, C3~C40의 헤테로시클로알킬기, C6~C40의 아릴기 및 C5~C40의 헤테로아릴기로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상의 기로 치환되거나 비치환된 C6~C40의 아릴기; 할로겐, 아미노기, 니트릴기, 니트로기, C1~C40의 알킬기, C2~C40의 알케닐기, C1~C40의 알콕시기, C3~C40의 시클로알킬기, C3~C40의 헤테로시클로알킬기, C6~C40의 아릴기 및 C5~C40의 헤테로아릴기로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상의 기로 치환되거나 비치환된 C5~C40의 헤테로아릴기; 및 할로겐, 아미노기, 니트릴기, 니트로기, C1~C40의 알킬기, C2~C40의 알케닐기, C1~C40의 알콕시기, C3~C40의 시클로알킬기, C3~C40의 헤테로시클로알킬기, C6~C40의 아릴기 및 C5~C40의 헤테로아릴기로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상의 기로 치환되거나 비치환된 C6~C40의 아미노기로 이루어진 군에서 선택되고,R1 and R2 are the same as or different from each other, independently halogen, an amino group, a nitrile group, a nitro group, C 1 ~ alkoxy group of C 40 alkyl group, C 2 ~ C 40 alkenyl group, C 1 ~ C 40 of, C 3 ~ C 40 cycloalkyl group, C 3 ~ C 40 of the heterocycloalkyl group, C 6 ~ C 40 aryl group and a C 5 ~ C 40 substituted with one or more groups selected from the heteroaryl group consisting of or unsubstituted C 6 ~ C 40 aryl group; Halogen, amino group, nitrile group, nitro group, C 1 ~ C 40 alkyl group, C 2 ~ C 40 alkenyl group, C 1 ~ C 40 alkoxy group, C 3 ~ C 40 cycloalkyl group, C 3 ~ C 40 a heterocycloalkyl group, a heteroaryl group of C 6 ~ C 40 aryl group and a C 5 ~ C 40 substituted with one or more groups selected from the group consisting of heteroaryl or unsubstituted C 5 ~ C 40; And halogen, amino group, nitrile group, nitro group, C 1 ~ C 40 alkyl group, C 2 ~ C 40 alkenyl group, C 1 ~ C 40 alkoxy group, C 3 ~ C 40 cycloalkyl group, C 3 ~ C It is selected from the group consisting of C 6 ~ C 40 amino group unsubstituted or substituted with one or more groups selected from the group consisting of 40 heterocycloalkyl group, C 6 ~ C 40 aryl group and C 5 ~ C 40 heteroaryl group,

R3 및 R4 중 적어도 하나는 하기 화학식 2의 기이며,At least one of R3 and R4 is a group of formula (2),

Figure 112006058409220-pat00002
Figure 112006058409220-pat00002

상기 화학식 2 에 있어서, R5 및 R6은 서로 같거나 상이하고, 수소; 할로겐, 아미노기, 니트릴기, 니트로기, C1~C40의 알킬기, C2~C40의 알케닐기, C1~C40의 알콕시기, C3~C40의 시클로알킬기, C3~C40의 헤테로시클로알킬기, C6~C40의 아릴기 및 C5~C40의 헤테로아릴기로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상의 기로 치환되거나 비치환된 C1~C40의 알킬기; 할로겐, 아미노기, 니트릴기, 니트로기, C1~C40의 알킬기, C2~C40의 알케닐기, C1~C40의 알콕시기, C3~C40의 시클로알킬기, C3~C40의 헤테로시클로알킬기, C6~C40의 아릴기 및 C5~C40의 헤테로아릴기로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상의 기로 치환되거나 비치환된 C3~C40의 시클로알킬기; 할로겐, 아미노기, 니트릴기, 니트로기, C1~C40의 알킬기, C2~C40의 알케닐기, C1~C40의 알콕시기, C3~C40의 시클로알킬기, C3~C40의 헤테로시클로알킬기, C6~C40의 아릴기 및 C5~C40의 헤테로아릴기로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상의 기로 치환되거나 비치환된 C3~C40의 알케닐기; 할로겐, 아미노기, 니트릴기, 니트로기, C1~C40의 알킬기, C2~C40의 알케닐기, C1~C40의 알콕시기, C3~C40의 시클로알킬기, C3~C40의 헤테로시클로알킬기, C6~C40의 아릴기 및 C5~C40의 헤테로아릴기로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상의 기로 치환되거나 비치환된 C3~C40의 알콕시기; 할로겐, 아미노기, 니트릴기, 니트로기, C1~C40의 알킬기, C2~C40의 알케닐기, C1~C40의 알콕시기, C3~C40의 시클로알킬기, C3~C40의 헤테로시클로알킬기, C6~C40의 아릴기 및 C5~C40의 헤테로아릴기로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상의 기로 치환되거나 비치환된 C3~C40의 아미노기; 할로겐, 아미노기, 니트릴기, 니트로기, C1~C40의 알킬기, C2~C40의 알케닐기, C1~C40의 알콕시기, C3~C40의 시클로알킬기, C3~C40의 헤테로시클로알킬기, C6~C40의 아릴기 및 C5~C40의 헤테로아릴기로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상의 기로 치환되거나 비치환된 C6~C40의 아릴기; 및 할로겐, 아미노기, 니트릴기, 니트로기, C1~C40의 알킬기, C2~C40의 알케닐기, C1~C40의 알콕시기, C3~C40의 시클로알킬기, C3~C40의 헤테로시클로알킬기, C6~C40의 아릴기 및 C5~C40의 헤테로아릴기로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상의 기로 치환되거나 비치환된 C5~C40의 헤테로아릴기로 이루어진 군에서 선택되거나, 인접하는 기와 지방족, 방향족, 헤테로지방족 또는 헤테로방향족의 축합 고리를 형성하거나 스피로 결합을 이룰 수 있으며,In Formula 2, R5 and R6 are the same as or different from each other, hydrogen; Halogen, amino group, nitrile group, nitro group, C 1 ~ C 40 alkyl group, C 2 ~ C 40 alkenyl group, C 1 ~ C 40 alkoxy group, C 3 ~ C 40 cycloalkyl group, C 3 ~ C 40 A C 1 -C 40 alkyl group unsubstituted or substituted with one or more groups selected from the group consisting of a heterocycloalkyl group, a C 6 -C 40 aryl group and a C 5 -C 40 heteroaryl group; Halogen, amino group, nitrile group, nitro group, C 1 ~ C 40 alkyl group, C 2 ~ C 40 alkenyl group, C 1 ~ C 40 alkoxy group, C 3 ~ C 40 cycloalkyl group, C 3 ~ C 40 A C 3 -C 40 cycloalkyl group unsubstituted or substituted with one or more groups selected from the group consisting of a heterocycloalkyl group, a C 6 -C 40 aryl group and a C 5 -C 40 heteroaryl group; Halogen, amino group, nitrile group, nitro group, C 1 ~ C 40 alkyl group, C 2 ~ C 40 alkenyl group, C 1 ~ C 40 alkoxy group, C 3 ~ C 40 cycloalkyl group, C 3 ~ C 40 A C 3 -C 40 alkenyl group unsubstituted or substituted with one or more groups selected from the group consisting of a heterocycloalkyl group, a C 6 -C 40 aryl group and a C 5 -C 40 heteroaryl group; Halogen, amino group, nitrile group, nitro group, C 1 ~ C 40 alkyl group, C 2 ~ C 40 alkenyl group, C 1 ~ C 40 alkoxy group, C 3 ~ C 40 cycloalkyl group, C 3 ~ C 40 A C 3 -C 40 alkoxy group unsubstituted or substituted with one or more groups selected from the group consisting of a heterocycloalkyl group, a C 6 -C 40 aryl group and a C 5 -C 40 heteroaryl group; Halogen, amino group, nitrile group, nitro group, C 1 ~ C 40 alkyl group, C 2 ~ C 40 alkenyl group, C 1 ~ C 40 alkoxy group, C 3 ~ C 40 cycloalkyl group, C 3 ~ C 40 A C 3 -C 40 amino group unsubstituted or substituted with at least one group selected from the group consisting of a heterocycloalkyl group, a C 6 -C 40 aryl group and a C 5 -C 40 heteroaryl group; Halogen, amino group, nitrile group, nitro group, C 1 ~ C 40 alkyl group, C 2 ~ C 40 alkenyl group, C 1 ~ C 40 alkoxy group, C 3 ~ C 40 cycloalkyl group, C 3 ~ C 40 a heterocycloalkyl group, an aryl group, a C 6 ~ C 40 aryl group and a C 5 ~ C 40 substituted with one or more groups selected from the group consisting of heteroaryl or unsubstituted C 6 ~ C 40; And halogen, amino group, nitrile group, nitro group, C 1 ~ C 40 alkyl group, C 2 ~ C 40 alkenyl group, C 1 ~ C 40 alkoxy group, C 3 ~ C 40 cycloalkyl group, C 3 ~ C 40 heterocycloalkyl group, C 6 ~ C 40 aryl group and a C 5 ~ C 40 substituted with one or more groups selected from the heteroaryl group consisting of or or selected from the group consisting of a heteroaryl unsubstituted C 5 ~ C 40 , To form a condensed ring of aliphatic, aromatic, heteroaliphatic or heteroaromatic with adjacent groups or to form a spiro bond,

L1은 직접결합이거나; C1-C40의 알킬기, C2-C40의 알케닐기, C2-C40의 알키닐기, C1-C40의 알콕시기, C6~C40의 아릴기 및 C5~C40의 헤테로아릴기로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상의 기로 치환되거나 비치환된 C2~C40의 알케닐렌기; 할로겐, 아미노기, 니트릴기, 니트로기, C1~C40의 알킬기, C2~C40의 알케닐기, C1~C40의 알콕시기, C3~C40의 시클로알킬기, C3~C40의 헤테로시클로알킬기, C6~C40의 아릴기 및 C5~C40의 헤테로아릴기로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상의 기로 치환되거나 비치환된 C6~C40의 아릴렌기; 할로겐, 아미노기, 니트릴기, 니트로기, C1~C40의 알킬기, C2~C40의 알케닐기, C1~C40의 알콕시기, C3~C40의 시클로알킬기, C3~C40의 헤테로시클로알킬기, C6~C40의 아릴기 및 C5~C40의 헤테로아릴기로 이루어진 군으로부터 선택된 하 나 이상의 기로 치환되거나 비치환된 C5~C40의 헤테로아릴렌기; 및 C1~C40의 알킬기, C2~C40의 알케닐기, C1~C40의 알콕시기, C3~C40의 시클로알킬기, C3~C40의 헤테로시클로알킬기, C6~C40의 아릴기 및 C5~C40의 헤테로아릴기로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상의 기로 치환되거나 비치환된 C6~C40의 아릴아민기로 이루어진 군에서 선택되고,L1 is a direct bond; A C 1 -C 40 alkyl, C 2 -C 40 alkenyl group, a C 2 -C 40 alkynyl group of, C 1 -C 40 alkoxy group, C 6 ~ C 40 aryl group and a C 5 ~ C 40 C 2 -C 40 alkenylene group unsubstituted or substituted with one or more groups selected from the group consisting of a heteroaryl group; Halogen, amino group, nitrile group, nitro group, C 1 ~ C 40 alkyl group, C 2 ~ C 40 alkenyl group, C 1 ~ C 40 alkoxy group, C 3 ~ C 40 cycloalkyl group, C 3 ~ C 40 a heterocycloalkyl group of the aryl group, C 6 ~ C 40 aryl group and a C 5 ~ C 40 heteroaryl group unsubstituted or substituted with one or more groups selected from the group consisting of unsubstituted C 6 ~ C 40; Halogen, amino group, nitrile group, nitro group, C 1 ~ C 40 alkyl group, C 2 ~ C 40 alkenyl group, C 1 ~ C 40 alkoxy group, C 3 ~ C 40 cycloalkyl group, C 3 ~ C 40 a heterocycloalkyl group, a heteroaryl group of C 6 ~ C 40 aryl group and a C 5 ~ C 40 substituted with one or more selected from the group consisting of heteroaryl or unsubstituted C 5 ~ C 40; And C 1 to C 40 alkyl group, C 2 to C 40 alkenyl group, C 1 to C 40 alkoxy group, C 3 to C 40 cycloalkyl group, C 3 to C 40 heterocycloalkyl group, C 6 to C It is selected from the group consisting of C 6 ~ C 40 arylamine group unsubstituted or substituted with one or more groups selected from the group consisting of 40 aryl group and C 5 ~ C 40 heteroaryl group,

Ar1은 하기 화학식 3이며,Ar1 is represented by the following Chemical Formula 3,

Figure 112006058409220-pat00003
Figure 112006058409220-pat00003

상기 화학식 3에 있어서, L2는 직접결합이거나; C1-C40의 알킬기, C2-C40의 알케닐기, C2-C40의 알키닐기, C1-C40의 알콕시기, C6~C40의 아릴기 및 C5~C40의 헤테로아릴기로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상의 기로 치환되거나 비치환된 C2~C40의 알케닐렌기; 할로겐, 아미노기, 니트릴기, 니트로기, C1~C40의 알킬기, C2~C40의 알케닐기, C1~C40의 알콕시기, C3~C40의 시클로알킬기, C3~C40의 헤테로시클로알킬기, C6~C40의 아릴기 및 C5~C40의 헤테로아릴기로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상 의 기로 치환되거나 비치환된 C6~C40의 아릴렌기; 할로겐, 아미노기, 니트릴기, 니트로기, C1~C40의 알킬기, C2~C40의 알케닐기, C1~C40의 알콕시기, C3~C40의 시클로알킬기, C3~C40의 헤테로시클로알킬기, C6~C40의 아릴기 및 C5~C40의 헤테로아릴기로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상의 기로 치환되거나 비치환된 C5~C40의 헤테로아릴렌기; 및 C1~C40의 알킬기, C2~C40의 알케닐기, C1~C40의 알콕시기, C3~C40의 시클로알킬기, C3~C40의 헤테로시클로알킬기, C6~C40의 아릴기 및 C5~C40의 헤테로아릴기로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상의 기로 치환되거나 비치환된 C6~C40의 아릴아민기로 이루어진 군에서 선택되고, In Chemical Formula 3, L 2 is a direct bond; A C 1 -C 40 alkyl, C 2 -C 40 alkenyl group, a C 2 -C 40 alkynyl group of, C 1 -C 40 alkoxy group, C 6 ~ C 40 aryl group and a C 5 ~ C 40 C 2 -C 40 alkenylene group unsubstituted or substituted with one or more groups selected from the group consisting of a heteroaryl group; Halogen, amino group, nitrile group, nitro group, C 1 ~ C 40 alkyl group, C 2 ~ C 40 alkenyl group, C 1 ~ C 40 alkoxy group, C 3 ~ C 40 cycloalkyl group, C 3 ~ C 40 a heterocycloalkyl group, an aryl group of C 6 ~ C 40 aryl group and a C 5 ~ C 40 substituted with one or more selected from the group consisting of heteroaryl or unsubstituted C 6 ~ C 40; Halogen, amino group, nitrile group, nitro group, C 1 ~ C 40 alkyl group, C 2 ~ C 40 alkenyl group, C 1 ~ C 40 alkoxy group, C 3 ~ C 40 cycloalkyl group, C 3 ~ C 40 a heterocycloalkyl group, a heteroaryl group of C 6 ~ C 40 aryl group and a C 5 ~ C 40 substituted with one or more groups selected from the group consisting of heteroaryl or unsubstituted C 5 ~ C 40; And C 1 to C 40 alkyl group, C 2 to C 40 alkenyl group, C 1 to C 40 alkoxy group, C 3 to C 40 cycloalkyl group, C 3 to C 40 heterocycloalkyl group, C 6 to C It is selected from the group consisting of C 6 ~ C 40 arylamine group unsubstituted or substituted with one or more groups selected from the group consisting of 40 aryl group and C 5 ~ C 40 heteroaryl group,

R7 및 R8은 서로 같거나 상이하고, 수소; 할로겐, 아미노기, 니트릴기, 니트로기, C1~C40의 알킬기, C2~C40의 알케닐기, C1~C40의 알콕시기, C3~C40의 시클로알킬기, C3~C40의 헤테로시클로알킬기, C6~C40의 아릴기 및 C5~C40의 헤테로아릴기로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상의 기로 치환되거나 비치환된 C1~C40의 알킬기; 할로겐, 아미노기, 니트릴기, 니트로기, C1~C40의 알킬기, C2~C40의 알케닐기, C1~C40의 알콕시기, C3~C40의 시클로알킬기, C3~C40의 헤테로시클로알킬기, C6~C40의 아릴기 및 C5~C40의 헤테로아릴기로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상의 기로 치환되거나 비치환된 C3~C40의 시클로알킬기; 할로겐, 아미노기, 니트릴기, 니트로기, C1~C40의 알킬기, C2~C40의 알케닐기, C1~C40의 알콕시기, C3~C40의 시클로알킬기, C3~C40의 헤테로시클로알킬기, C6~C40의 아릴기 및 C5~C40의 헤테로아릴기로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상의 기로 치환되거나 비치환된 C3~C40의 알케닐기; 할로겐, 아미노기, 니트릴기, 니트로기, C1~C40의 알킬기, C2~C40의 알케닐기, C1~C40의 알콕시기, C3~C40의 시클로알킬기, C3~C40의 헤테로시클로알킬기, C6~C40의 아릴기 및 C5~C40의 헤테로아릴기로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상의 기로 치환되거나 비치환된 C3~C40의 알콕시기; 할로겐, 아미노기, 니트릴기, 니트로기, C1~C40의 알킬기, C2~C40의 알케닐기, C1~C40의 알콕시기, C3~C40의 시클로알킬기, C3~C40의 헤테로시클로알킬기, C6~C40의 아릴기 및 C5~C40의 헤테로아릴기로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상의 기로 치환되거나 비치환된 C3~C40의 아미노기; 할로겐, 아미노기, 니트릴기, 니트로기, C1~C40의 알킬기, C2~C40의 알케닐기, C1~C40의 알콕시기, C3~C40의 시클로알킬기, C3~C40의 헤테로시클로알킬기, C6~C40의 아릴기 및 C5~C40의 헤테로아릴기로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상의 기로 치환되거나 비치환된 C6~C40의 아릴기; 및 할로겐, 아미노기, 니트릴기, 니트로기, C1~C40의 알킬기, C2~C40의 알케닐기, C1~C40의 알콕시기, C3~C40의 시클로알킬기, C3~C40의 헤테로시클로알킬기, C6~C40의 아릴기 및 C5~C40의 헤테로아릴기로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상의 기로 치환되거나 비치환된 C5~C40의 헤테로아릴기로 이루어진 군에서 선택되고, R3 및 R4 중 상기 화학식 2의 기가 아닌 것은 상기 화학식 2의 R5 및 R6의 정의로 이루어진 군에서 선택된다. 본 발명의 하나의 실시상태에 있어서, 상기 화학식 1의 R1 및 R2는 동일한 아릴기일 수 있다. 이 아릴기는 치환 또는 비치환된 페닐기, 바이페닐기 또는 나프틸기인 것이 바람직하다.R7 and R8 are the same as or different from each other, hydrogen; Halogen, amino group, nitrile group, nitro group, C 1 ~ C 40 alkyl group, C 2 ~ C 40 alkenyl group, C 1 ~ C 40 alkoxy group, C 3 ~ C 40 cycloalkyl group, C 3 ~ C 40 A C 1 -C 40 alkyl group unsubstituted or substituted with one or more groups selected from the group consisting of a heterocycloalkyl group, a C 6 -C 40 aryl group and a C 5 -C 40 heteroaryl group; Halogen, amino group, nitrile group, nitro group, C 1 ~ C 40 alkyl group, C 2 ~ C 40 alkenyl group, C 1 ~ C 40 alkoxy group, C 3 ~ C 40 cycloalkyl group, C 3 ~ C 40 A C 3 -C 40 cycloalkyl group unsubstituted or substituted with one or more groups selected from the group consisting of a heterocycloalkyl group, a C 6 -C 40 aryl group and a C 5 -C 40 heteroaryl group; Halogen, amino group, nitrile group, nitro group, C 1 ~ C 40 alkyl group, C 2 ~ C 40 alkenyl group, C 1 ~ C 40 alkoxy group, C 3 ~ C 40 cycloalkyl group, C 3 ~ C 40 A C 3 -C 40 alkenyl group unsubstituted or substituted with one or more groups selected from the group consisting of a heterocycloalkyl group, a C 6 -C 40 aryl group and a C 5 -C 40 heteroaryl group; Halogen, amino group, nitrile group, nitro group, C 1 ~ C 40 alkyl group, C 2 ~ C 40 alkenyl group, C 1 ~ C 40 alkoxy group, C 3 ~ C 40 cycloalkyl group, C 3 ~ C 40 A C 3 -C 40 alkoxy group unsubstituted or substituted with one or more groups selected from the group consisting of a heterocycloalkyl group, a C 6 -C 40 aryl group and a C 5 -C 40 heteroaryl group; Halogen, amino group, nitrile group, nitro group, C 1 ~ C 40 alkyl group, C 2 ~ C 40 alkenyl group, C 1 ~ C 40 alkoxy group, C 3 ~ C 40 cycloalkyl group, C 3 ~ C 40 A C 3 -C 40 amino group unsubstituted or substituted with at least one group selected from the group consisting of a heterocycloalkyl group, a C 6 -C 40 aryl group and a C 5 -C 40 heteroaryl group; Halogen, amino group, nitrile group, nitro group, C 1 ~ C 40 alkyl group, C 2 ~ C 40 alkenyl group, C 1 ~ C 40 alkoxy group, C 3 ~ C 40 cycloalkyl group, C 3 ~ C 40 a heterocycloalkyl group, an aryl group, a C 6 ~ C 40 aryl group and a C 5 ~ C 40 substituted with one or more groups selected from the group consisting of heteroaryl or unsubstituted C 6 ~ C 40; And halogen, amino group, nitrile group, nitro group, C 1 ~ C 40 alkyl group, C 2 ~ C 40 alkenyl group, C 1 ~ C 40 alkoxy group, C 3 ~ C 40 cycloalkyl group, C 3 ~ C 40 heterocycloalkyl group, C 6 ~ C 40 aryl group and a C 5 ~ C 40 substituted with one or more groups selected from the heteroaryl group consisting of or selected from the group consisting of a heteroaryl unsubstituted C 5 ~ C 40 , R3 and R4 is not selected from the group of formula (2) is selected from the group consisting of the definition of R5 and R6 of the formula (2). In one embodiment of the present invention, R1 and R2 of Formula 1 may be the same aryl group. It is preferable that this aryl group is a substituted or unsubstituted phenyl group, biphenyl group, or naphthyl group.

본 발명의 또 하나의 실시상태에 있어서, 상기 화학식 1의 R1 및 R2는 동일한 헤테로아릴기일 수 있다. 이 헤테로아릴기는 치환 또는 비치환된 피리딜기, 바이피리딜기, 퀴놀린기 또는 이소퀴놀린기인 것이 바람직하다.In another exemplary embodiment of the present invention, R1 and R2 of Formula 1 may be the same heteroaryl group. It is preferable that this heteroaryl group is a substituted or unsubstituted pyridyl group, bipyridyl group, quinoline group, or isoquinoline group.

본 발명의 또 하나의 실시상태에 있어서, 상기 화학식 1의 R1 및 R2는 동일한 C6~C40의 아릴기 또는 C5~C40의 헤테로아릴기로 치환된 아미노기일 수 있다. In another exemplary embodiment of the present invention, R1 and R2 of Formula 1 may be an amino group substituted with the same C 6 ~ C 40 aryl group or C 5 ~ C 40 heteroaryl group.

본 발명의 또 하나의 실시상태에 있어서, 상기 화학식 1의 R1 및 R2는 구체적으로 하기 구조식으로 이루어진 군으로부터 선택될 수 있다. In another exemplary embodiment of the present invention, R1 and R2 of Chemical Formula 1 may be specifically selected from the group consisting of the following structural formulas.

Figure 112006058409220-pat00004
Figure 112006058409220-pat00004

상기 구조식에서 Z1 내지 Z3은 서로 같거나 상이하고, 독립적으로 상기 화학식 2의 R5 및 R6에 대하여 정의한 기들 중에서 선택될 수 있다.Z 1 to Z 3 in the structural formulas may be the same as or different from each other, and may be independently selected from groups defined for R 5 and R 6 of Chemical Formula 2.

본 발명의 또 하나의 실시 상태에 있어서, 상기 화학식 2의 R5 및 R6 중 하나는 수소원자일 수 있으며, R5 및 R6가 모두 수소원자일 수 있다. In another exemplary embodiment of the present invention, one of R5 and R6 of Formula 2 may be a hydrogen atom, and both R5 and R6 may be hydrogen atoms.

본 발명의 또 하나의 실시 상태에 있어서,상기 화학식 3의 R7 및 R8 중 하나는 수소원자일 수 있으며, R7 및 R8이 모두 수소 원자일 수 있다.In another exemplary embodiment of the present invention, one of R7 and R8 of Formula 3 may be a hydrogen atom, and R7 and R8 may be both hydrogen atoms.

구체적으로 각 치환기들을 설명하면 다음과 같다. 알킬기는 탄소수 1 내지 40의 입체적 방해를 주지 않는 것이 바람직하다. 구체적인 예로는 메틸기, 에틸기, 프로필기, 이소프로필기, 부틸기, t-부틸기, 펜틸기, 헥실기 및 헵틸기 등이 있으나, 이들에 한정되지 않는다.Specifically, each substituent will be described as follows. It is preferable that the alkyl group does not cause steric hindrance of 1 to 40 carbon atoms. Specific examples include, but are not limited to, methyl, ethyl, propyl, isopropyl, butyl, t-butyl, pentyl, hexyl and heptyl.

시클로알킬기는 탄소수 3 내지 40의 입체적 방해를 주지 않는 것이 바람직하다. 구체적인 예로서 시클로펜틸기 또는 시클로헥실기가 더욱 바람직하다.It is preferable that a cycloalkyl group does not give a steric hindrance of 3 to 40 carbon atoms. As a specific example, a cyclopentyl group or a cyclohexyl group is more preferable.

알케닐기로는 탄소수 2 내지 40의 알케닐기가 바람직하며, 구체적으로 스틸베닐기(stylbenyl), 스티레닐기(styrenyl) 등의 아릴기가 치환된 알케닐기가 바람직하다.As the alkenyl group, an alkenyl group having 2 to 40 carbon atoms is preferable, and an alkenyl group in which aryl groups such as stylbenyl and styrenyl are substituted is particularly preferable.

알콕시기는 탄소수 1 내지 40의 알콕시기인 것이 바람직하다.It is preferable that an alkoxy group is a C1-C40 alkoxy group.

아릴기의 예로는 페닐기, 나프틸기, 안트라세닐기, 비페닐기, 파이레닐기, 페릴렌기 및 이들의 유도체 등이 있으나, 이들에만 한정되는 것은 아니다.Examples of the aryl group include, but are not limited to, phenyl group, naphthyl group, anthracenyl group, biphenyl group, pyrenyl group, perylene group, and derivatives thereof.

아릴아민기의 예로는 페닐아민, 나프틸아민, 비페닐아민, 안트라세닐아민, 3-메틸-페닐아민, 4-메틸-나프틸아민, 2-메틸-비페닐아민, 9-메틸-안트라세닐아민, 디페닐 아민기, 페닐 나프틸 아민기, 디톨릴 아민기, 페닐 톨릴 아민기, 카바졸 및 트리페닐 아민기 등이 있으나, 이들에만 한정되는 것은 아니다.Examples of arylamine groups include phenylamine, naphthylamine, biphenylamine, anthracenylamine, 3-methyl-phenylamine, 4-methyl-naphthylamine, 2-methyl-biphenylamine, 9-methyl-anthracenyl Amine, diphenyl amine group, phenyl naphthyl amine group, ditolyl amine group, phenyl tolyl amine group, carbazole and triphenyl amine group, and the like, but are not limited thereto.

헤테로고리기의 예로는 피리딜기, 비피리딜기, 트리아진기, 아크리딜기, 티오펜기, 퓨란기, 이미다졸기, 옥사졸기, 티아졸기, 트리아졸기, 퀴놀리닐기 및 이소퀴놀린기 등이 있으나, 이들에만 한정되는 것은 아니다.Examples of heterocyclic groups include pyridyl, bipyridyl, triazine, acridil, thiophene, furan, imidazole, oxazole, thiazole, triazole, quinolinyl and isoquinoline groups It is not limited only to these.

할로겐기의 예로는 불소, 염소, 브롬 또는 요오드가 있다.Examples of halogen groups are fluorine, chlorine, bromine or iodine.

본 명세서에서 용어 "인접하는 기"란 해당 치환기의 바로 옆의 치환기를 의 미하며, 상기 옆의 치환기는 화학식 중에 표시되지 않은 수소원자를 포함한다.As used herein, the term "adjacent group" refers to a substituent immediately next to a corresponding substituent, which includes a hydrogen atom not represented in the formula.

R1 및 R2는 동일한 나프틸, 페닐, 바이페닐, 카바졸릴이 치환된 페닐, 페난트릴, 피리딜이 치환된 피리딜, 두개의 페닐이 치환된 아미노기, 피리딜, 피레닐, 또는 아이소퀴놀릴인 것이 바람직하다. R 1 and R 2 are the same naphthyl, phenyl, biphenyl, carbazolyl substituted phenyl, phenanthryl, pyridyl substituted pyridyl, two phenyl substituted amino groups, pyridyl, pyrenyl, or isoquinolyl It is preferable.

L1은 직접결합, 페닐렌, 피리딜렌, 또는 싸이엔일렌인 것이 바람직하며, L2는 직접결합, 페닐렌 또는 나프틸렌인 것이 바람직하다.L 1 is preferably a direct bond, phenylene, pyridylene, or thiylene, and L 2 is preferably a direct bond, phenylene or naphthylene.

R5 및 R6은 모두 수소인 것이 바람직하다. It is preferable that both R5 and R6 are hydrogen.

R7 및 R8은 동일하거나 상이한 페닐, 나프틸, 바이페닐, 피리딜이 치환된 피리딜, 또는 페닐이 치환된 바이닐인 것이 바람직하다.R 7 and R 8 are preferably the same or different phenyl, naphthyl, biphenyl, pyridyl substituted pyridyl, or vinyl substituted phenyl.

상기 화학식 1의 화합물의 바람직한 구체적인 예로는 하기 화합물들이 있으나, 이들에만 한정되는 것은 아니다. Preferred specific examples of the compound of Formula 1 include the following compounds, but are not limited thereto.

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Figure 112006058409220-pat00034

이하, 상기 화학식 1 내지 3의 화합물의 제조방법에 대하여 설명한다.Hereinafter, a method for preparing the compound of Formulas 1 to 3 will be described.

상기 화학식 1의 화합물은 안트라센 유도체에 화학식 2의 치환기에 해당하는 R4를 도입함으로써 제조될 수 있다. 구체적으로, 상기 화학식 1의 화합물은 2-안트라센 보론산 또는 2-안트라센 보론에스테르 유도체와 할라이드가 치환된 화학식 2의 치환기에 해당하는 R4 유도체를 Pd촉매 하에서 스즈키 결합 반응하여 제조할 수 있다.The compound of Formula 1 may be prepared by introducing R 4 corresponding to the substituent of Formula 2 to the anthracene derivative. Specifically, the compound of Formula 1 may be prepared by Suzuki bond reaction of a 2-anthracene boronic acid or a 2-anthracene boron ester derivative and a R4 derivative corresponding to a substituent of Formula 2 substituted with a halide under a Pd catalyst.

화학식 1의 화합물을 제조시 이용되는 방법 중 스즈키 결합 반응 이외의 반응들은 당 기술 분야에 알려져 있는 일반적인 방법을 이용할 수 있다. Reactions other than the Suzuki binding reaction among the methods used when preparing the compound of Formula 1 may use a general method known in the art.

구체적으로, 상기 화학식 1의 화합물은 Specifically, the compound of Formula 1

1) 할로겐기가 치환되어 있는 안트라퀴논 유도체와 R4 치환체를 갖는 보론산 또는 보론에스테르 화합물을 Pd촉매 하에서 스즈키커플링하여 R4가 치환된 안트라퀴논 유도체를 제조하는 단계,1) preparing an anthraquinone derivative substituted with R4 by suzuki-coupling an anthraquinone derivative substituted with a halogen group and a boronic acid or boron ester compound having an R4 substituent under a Pd catalyst,

2) 상기 1)단계에서 제조된 안트라퀴논 유도체로부터 디알코올 유도체를 제조하는 단계, 및2) preparing a dialcohol derivative from the anthraquinone derivative prepared in step 1), and

3) 상기 2)단계에서 제조된 디알코올 유도체를 환원시켜 안트라센 유도체를 제조하는 단계를 포함하는 방법에 의하여 제조될 수 있다. 이와 같은 제조 방법은 하기 반응식 1로 표시될 수 있다.3) by reducing the dialcohol derivative prepared in step 2) may be prepared by a method comprising the step of preparing an anthracene derivative. Such a manufacturing method may be represented by the following Scheme 1.

[반응식 1][Reaction Scheme 1]

Figure 112006058409220-pat00035
Figure 112006058409220-pat00035

또한, 상기 화학식 1의 화합물은 In addition, the compound of Formula 1

1) 할로겐기가 치환된 안트라퀴논 유도체로부터 디알코올 유도체를 제조하는 단계,1) preparing a dialcohol derivative from a halogen-substituted anthraquinone derivative,

2) 상기 1)단계에서 제조된 디알코올 유도체를 환원시켜 할로겐기가 치환된 안트라센 유도체를 제조하는 단계,2) preparing an anthracene derivative substituted with a halogen group by reducing the dialcohol derivative prepared in step 1),

3) 상기 2)단계에서 제조된 할로겐기가 치환된 안트라센 유도체를 안트라센 보론에스테르 유도체로 제조하는 단계, 및3) preparing an anthracene derivative substituted with a halogen group prepared in step 2) as an anthracene boron ester derivative, and

4) 상기 3)단계에서 제조된 안트라센 보론에스테르 유도체와 R4의 할로겐화물을 Pd 촉매 하에서 스즈키커플링하여 R4가 치환된 화학식 1의 화합물을 제조하는 단계를 포함하는 방법에 의하여 제조될 수 있다. 이와 같은 제조방법은 하기 반응식 2로 표시될 수 있다.4) Suzuki-coupling the anthracene boron ester derivative prepared in step 3) and the halide of R4 under a Pd catalyst to prepare a compound of Formula 1 wherein R4 is substituted. Such a manufacturing method may be represented by the following Scheme 2.

[반응식 2][Reaction Scheme 2]

Figure 112006058409220-pat00036
Figure 112006058409220-pat00036

상기 화학식 2의 치환기는 안트라센 유도체에 화학식 3의 치환기에 해당하는 Ar1을 도입함으로써 제조될 수 있다. 구체적으로, 상기 화학식 2의 치환기는 9-브로모안트라센 유도체와 화학식 3의 치환기에 해당하는 Ar1의 보론산 혹은 보론에스테르 유도체를 Pd촉매 하에서 스즈키 결합 반응하고, 브롬화 반응을 통해 9-브로모안트라센 유도체를 제조하는 방법에 의해 제조될 수 있다.The substituent of Formula 2 may be prepared by introducing Ar 1 corresponding to the substituent of Formula 3 to the anthracene derivative. Specifically, the substituent of Formula 2 is a Suzuki bond reaction of the boronic acid or boron ester derivative of Ar1 corresponding to the 9-bromoanthracene derivative and the substituent of Formula 3 under the Pd catalyst, and the 9-bromoanthracene derivative through the bromination reaction It can be prepared by a method for producing.

이와 같이 제조된 화학식 2의 치환기는 전술한 바와 같이 화학식 1의 제조 단계에서 제시된 안트라센 보론에스테르 유도체와 직접 스즈키 결합반응을 통해 바이안트라센 유도체를 제조하거나 L1이 치환된 보론산 혹은 보론에스테르 화합물과 스즈키 결합한 후 화학식 1의 제조 단계에서 제시된 안트라센 보론에스테르 유도체와 스즈키 결합반응을 통해 바이안트라센 유도체를 제조할 수 있다. As described above, the substituent of Formula 2 may be used to prepare a biantracene derivative through direct Suzuki coupling reaction with the anthracene boron ester derivative shown in the preparation step of Formula 1, or to combine Suzuki with a boron acid or boron ester compound substituted with L1. Then, a biantracene derivative may be prepared through a Suzuki coupling reaction with the anthracene boron ester derivative shown in the preparation step of Formula 1.

화학식 2의 치환기를 제조시 이용되는 방법 중 스즈키 결합 반응 또는 브롬화 반응 이외의 반응들은 당 기술 분야에 알려져 있는 일반적인 방법을 이용할 수 있다. Reactions other than the Suzuki bonding reaction or the bromination reaction in the method used in preparing the substituent of Formula 2 may use a general method known in the art.

구체적으로, 상기 화학식 2의 치환기는 Specifically, the substituent of Formula 2

1) 9번 위치에 할로겐기가 치환되어 있는 안트라센 유도체와 Ar1 치환체를 갖는 보론산 또는 보론에스테르 화합물을 Pd촉매 하에서 스즈키커플링하여 Ar1이 치환된 안트라센 유도체를 제조하는 단계,1) preparing an anthracene derivative substituted with Ar1 by suzuki coupling an anthracene derivative substituted with a halogen group at position 9 and a boronic acid or boron ester compound having an Ar1 substituent under a Pd catalyst,

2) 상기 1)단계에서 제조된 안트라센 유도체로부터 브로모안트라센 유도체를 제조하는 단계, 및2) preparing a bromoanthracene derivative from the anthracene derivative prepared in step 1), and

3) 상기 2)단계에서 제조된 브로모안트라센 유도체와 L1 치환체를 갖는 보론산 또는 보론에스테르 화합물과 스즈키커플링하여 제조할 수 있다. 혹은 화학식 1의 제조 단계에서 제시된 안트라센 보론에스테르 유도체를 Pd촉매 하에서 스즈키커플링하여 화학식 1의 바이안트라센 유도체를 직접 제조할 수도 있다. 이와 같은 제조 방법은 하기 반응식 3로 표시될 수 있다.3) The bromoanthracene derivative prepared in step 2) and the boronic acid or boron ester compound having an L1 substituent may be prepared by Suzuki coupling. Alternatively, the biantracene derivative of Chemical Formula 1 may be directly prepared by suzuki coupling the anthracene boron ester derivative represented in the preparation step of Chemical Formula 1 under a Pd catalyst. Such a manufacturing method may be represented by the following Scheme 3.

[반응식 3]Scheme 3

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Figure 112006058409220-pat00037

상기 화학식 3의 치환기는 할로겐기가 치환된 트리아진 유도체에 R7, R8 및 L2 치환체를 도입함으로써 제조될 수 있다. 구체적으로, 상기 화학식 3의 치환기는 2,4,6번에 할라이드가 치환된 1,3,5-트리아진 유도체와 R7 및 R8이 치환된 그리냐드 화합물 유도체를 그리냐드 반응시킨 후 R7 및 R8이 치환된 트리아진 유도체와 L2가 치환된 보론산 혹은 보론 에스테스 유도체를 스즈키 결합반응 시켜 제조할 수 있다.The substituent of Formula 3 may be prepared by introducing R7, R8 and L2 substituents in the triazine derivative substituted with halogen. Specifically, the substituent of Formula 3 is R7 and R8 after the Grignard reaction of a 1,3,5-triazine derivative substituted with a halide and a Grignard compound derivative substituted with R7 and R8 at 2,4,6 Substituted triazine derivatives and L2 substituted boronic acid or boron ester derivatives can be prepared by Suzuki bonding.

화학식 3의 치환기를 제조시 이용되는 방법 중 그리냐드 반응 이외의 반응들은 당 기술 분야에 알려져 있는 일반적인 방법을 이용할 수 있다. Reactions other than the Grignard reaction among the methods used when preparing the substituent of Formula 3 may use a general method known in the art.

구체적으로, 상기 화학식 3의 치환기는 Specifically, the substituent of Formula 3

1) 할로겐기가 치환되어 있는 트리아진 유도체와 R7 치환체를 갖는 그리냐드 화합물을 그리냐드 반응을 통해 R7이 치환된 트리아진 유도체를 제조하는 단계,1) preparing a triazine derivative substituted with R7 through a Grignard reaction of a triazine derivative substituted with a halogen group and a Grignard compound having an R7 substituent,

2) 상기 1)단계에서 제조된 트리아진 유도체로부터 R8 치환체를 갖는 그리냐드 화합물을 그리냐드 반응을 통해 R7 및 R8이 치환된 트리아진 유도체를 제조하는 단계,2) preparing a triazine derivative substituted with R7 and R8 through a Grignard reaction of a Grignard compound having an R8 substituent from the triazine derivative prepared in step 1);

3) 상기 2)단계에서 제조된 트리아진 유도체를 트리아진 보론에스테르 화합물로 제조하는 단계 및,3) preparing a triazine derivative prepared in step 2) as a triazine boron ester compound, and

4) 상기 3)단계에서 제조된 트리아진 보론에스테르 유도체를 Pd촉매 하에 할로겐기가 치환된 L2와 스즈키 결합 반응을 통하여 R8, R7 및 L2가 치환된 트리아진 유도체를 제조하는 단계를 포함하는 방법에 의하여 제조될 수 있다. 이와 같은 제조 방법은 하기 반응식 4로 표시될 수 있다.4) preparing a triazine derivative substituted with R8, R7 and L2 through a Suzuki bond reaction with a halogen-substituted L2 under a Pd catalyst, using the triazine boron ester derivative prepared in step 3) above; Can be prepared. Such a preparation method may be represented by the following Scheme 4.

[반응식 4][Reaction Scheme 4]

Figure 112006058409220-pat00038
Figure 112006058409220-pat00038

또한, 본 발명은 제1 전극, 제2 전극, 및 상기 제1 전극과 제2 전극 사이에 배치된 1층 이상의 유기물층을 포함하는 유기전자소자로서, 상기 유기물층 중 1 층 이상은 상기 화학식 1의 화합물을 포함하는 것인 유기전자소자를 제공한다. In addition, the present invention is an organic electronic device comprising a first electrode, a second electrode, and at least one organic layer disposed between the first electrode and the second electrode, at least one of the organic layer is a compound of Formula 1 It provides an organic electronic device comprising a.

본 발명의 유기전자소자는 전술한 화합물들을 이용하여 한 층 이상의 유기물층을 형성하는 것을 제외하고는, 통상의 유기전자소자의 제조방법 및 재료에 의하여 제조될 수 있다.The organic electronic device of the present invention may be manufactured by a conventional method and material for manufacturing an organic electronic device except for forming one or more organic material layers using the above-described compounds.

이하에서는 유기발광소자에 대하여 예시한다.Hereinafter, the organic light emitting device will be described.

본 발명의 하나의 실시 상태에 있어서, 유기발광소자는 제 1 전극과 제 2 전극 및 이 사이에 배치된 유기물층을 포함하는 구조로 이루어질 수 있다. 본 발명의 유기 발광 소자 중 유기물층은 1층으로 이루어진 단층 구조일 수도 있으나, 발광층을 포함하는 2층 이상의 다층 구조일 수도 있다. 본 발명의 유기 발광 소자의 유기물층이 다층 구조인 경우, 이는 예컨대 정공주입층, 정공수송층, 발광층, 전자수송층 등이 적층된 구조일 수 있다. 그러나, 유기 발광 소자의 구조는 이에 한정되지 않고 더 적은 수의 유기물층을 포함할 수 있다. 예컨대, 본 발명의 유기 발광 소자는 도 1에 나타낸 것과 같은 구조를 가질 수 있다. 도 1에 있어서, 도면부호 1은 기판, 2는 양극, 3은 정공주입층, 4는 정공수송층, 5는 유기발광층, 6은 전자수송층, 7은 음극을 각각 나타낸다. 도 1과 같은 구조의 유기발광소자를 통상 정방향 구조의 유기발광소자라고 하는데, 본 발명은 이에 한정되지 않고 역방향 구조의 유기발광소자도 포함한다. 즉, 본 발명의 유기 발광 소자는 기판, 음극, 전자수송층, 유기발광층, 정공수송층, 정공주입층 및 양극이 순차적으로 적층된 구조를 가질 수 있다. In one exemplary embodiment of the present invention, the organic light emitting diode may have a structure including a first electrode, a second electrode, and an organic material layer disposed therebetween. The organic material layer of the organic light emitting device of the present invention may have a single layer structure consisting of one layer, or may have a multilayer structure of two or more layers including a light emitting layer. When the organic material layer of the organic light emitting device of the present invention has a multi-layer structure, for example, it may be a structure in which a hole injection layer, a hole transport layer, a light emitting layer, an electron transport layer and the like are stacked. However, the structure of the organic light emitting device is not limited thereto and may include a smaller number of organic material layers. For example, the organic light emitting device of the present invention may have a structure as shown in FIG. In Fig. 1, reference numeral 1 denotes a substrate, 2 an anode, 3 a hole injection layer, 4 a hole transport layer, 5 an organic light emitting layer, 6 an electron transport layer, and 7 a cathode. The organic light emitting device having the structure as shown in FIG. 1 is generally referred to as an organic light emitting device having a normal structure. However, the present invention is not limited to this and includes an organic light emitting device having a reverse structure. That is, the organic light emitting device of the present invention may have a structure in which a substrate, a cathode, an electron transport layer, an organic light emitting layer, a hole transport layer, a hole injection layer, and an anode are sequentially stacked.

본 발명에 따른 유기발광소자가 다층 구조의 유기물층을 갖는 경우, 상기 화학식 1의 화합물은 발광층, 정공수송층, 정공수송과 발광을 동시에 하는 층, 발광과 전자수송을 동시에 하는 층, 전자수송층, 전자수송 및/또는 주입층 등에 포함될 수 있다. 본 발명에 있어서, 상기 화학식 1의 화합물은 특히 전자주입 및/또는 수송층 또는 발광층에 포함되는 것이 바람직하다.When the organic light emitting device according to the present invention has an organic material layer of a multi-layer structure, the compound of Formula 1 is a light emitting layer, a hole transport layer, a layer for simultaneously transporting holes and light emission, a layer for simultaneously emitting light and electron transport, an electron transport layer, an electron transport And / or injection layers and the like. In the present invention, the compound of Formula 1 is particularly preferably included in the electron injection and / or transport layer or light emitting layer.

본 발명에 따른 유기발광소자는 전술한 화학식 1의 화합물을 유기발광소자의 유기물층 중 1층 이상에 사용한다는 것을 제외하고는, 통상의 유기발광소자의 제조방법 및 재료를 사용하여 제조될 수 있다. 예컨대, 본 발명에 따른 유기발광소자는 스퍼터링(sputtering) 이나 전자빔 증발(e-beam evaporation)과 같은 PVD(physical vapor deposition) 방법을 이용하여, 기판 상에 금속 또는 전도성을 가지는 금속 산화물 또는 이들의 합금을 증착시켜 양극을 형성하고, 그 위에 정공주입층, 정공수송층, 발광층 및 전자수송층을 포함하는 유기물층을 형성한 후, 그 위에 음극으로 사용할 수 있는 물질을 증착시킴으로써 제조될 수 있다. 이와 같은 방법 외에도, 전술한 바와 같이 역방향 구조의 유기발광소자를 제작하기 위하여 기판 상에 음극 물질부터 유기물층, 양극 물질을 차례로 증착시켜 유기발광소자를 만들 수도 있다.The organic light emitting device according to the present invention may be manufactured using a conventional method and material for manufacturing an organic light emitting device, except that the compound of Formula 1 is used in at least one layer of the organic material layer of the organic light emitting device. For example, the organic light emitting device according to the present invention is a metal oxide or a metal oxide or alloy thereof having a conductivity on a substrate by using a physical vapor deposition (PVD) method such as sputtering or e-beam evaporation It can be prepared by depositing an anode to form an organic material layer including a hole injection layer, a hole transport layer, a light emitting layer and an electron transport layer thereon, and then depositing a material that can be used as a cathode thereon. In addition to the above method, in order to fabricate an organic light emitting device having a reverse structure as described above, the organic light emitting device may be manufactured by sequentially depositing a cathode material, an organic material layer, and an anode material on a substrate.

상기 유기물층은 다양한 고분자 소재를 사용하여 증착법이 아닌 용매 공정(solvent process), 예컨대 스핀 코팅, 딥 코팅, 닥터 블레이딩, 스크린 프린팅, 잉크젯 프린팅 또는 열 전사법 등의 방법에 의하여 더 적은 수의 층으로 제조할 수 있다.The organic material layer may be formed by using a variety of polymer materials in a smaller number of layers by a solvent process such as a spin coating process, a dip coating process, a doctor blading process, a screen printing process, an inkjet printing process or a thermal transfer process, Can be manufactured.

상기 양극 물질로는 통상 유기물층으로 정공주입이 원활할 수 있도록 일함수가 큰 물질이 바람직하다. 본 발명에서 사용될 수 있는 양극 물질의 구체적인 예로는 바나듐, 크롬, 구리, 아연, 금과 같은 금속 또는 이들의 합금; 아연산화물, 인듐산화물, 인듐주석 산화물(ITO), 인듐아연산화물(IZO)과 같은 금속 산화물; ZnO:Al 또는 SnO2:Sb와 같은 금속과 산화물의 조합; 폴리(3-메틸티오펜), 폴리[3,4-(에틸렌-1,2-디옥시)티오펜](PEDT), 폴리피롤 및 폴리아닐린과 같은 전도성 고분자 등이 있으나, 이들에만 한정되는 것은 아니다.As the anode material, a material having a large work function is preferably used so that hole injection can be smoothly conducted into the organic material layer. Specific examples of the positive electrode material that can be used in the present invention include metals such as vanadium, chromium, copper, zinc and gold or alloys thereof; Metal oxides such as zinc oxide, indium oxide, indium tin oxide (ITO), and indium zinc oxide (IZO); ZnO: Al or SnO 2: a combination of a metal and an oxide such as Sb; Conductive polymers such as poly (3-methylthiophene), poly [3,4- (ethylene-1,2-dioxy) thiophene] (PEDT), polypyrrole and polyaniline.

상기 음극 물질로는 통상 유기물층으로 전자주입이 용이하도록 일함수가 작은 물질인 것이 바람직하다. 음극 물질의 구체적인 예로는 마그네슘, 칼슘, 나트륨, 칼륨, 티타늄, 인듐, 이트륨, 리튬, 가돌리늄, 알루미늄, 은, 주석 및 납과 같은 금속 또는 이들의 합금; LiF/Al 또는 LiO2/Al과 같은 다층 구조 물질 등이 있으나, 이들에만 한정되는 것은 아니다.The negative electrode material is preferably a material having a small work function to facilitate electron injection into the organic material layer. Specific examples of the negative electrode material include metals such as magnesium, calcium, sodium, potassium, titanium, indium, yttrium, lithium, gadolinium, aluminum, silver, tin, and lead or alloys thereof; Layer structure materials such as LiF / Al or LiO 2 / Al, but are not limited thereto.

상기 정공주입 물질로는 낮은 전압에서 양극으로부터 정공을 잘 주입받을 수 있는 물질로서, 정공주입 물질의 HOMO(highest occupied molecular orbital)가 양극 물질의 일함수와 주변 유기물층의 HOMO 사이인 것이 바람직하다. 정공주입 물질의 구체적인 예로는 금속 포피린(porphyrine), 올리고티오펜, 아릴아민 계열의 유기물, 헥사니트릴헥사아자트리페닐렌 계열의 유기물, 퀴나크리돈(quinacridone) 계열의 유기물, 페릴렌(perylene) 계열의 유기물, 안트라퀴논 및 폴리아닐린과 폴리티오펜 계열의 전도성 고분자 등이 있으나, 이들에만 한정되는 것은 아니다.As the hole injecting material, it is preferable that the highest occupied molecular orbital (HOMO) of the hole injecting material is between the work function of the anode material and the HOMO of the surrounding organic layer. Specific examples of the hole injection material include metal porphyrine, oligothiophene, arylamine-based organics, hexanitrile hexaazatriphenylene-based organics, quinacridone-based organics, and perylene-based Organic substances, anthraquinone and polyaniline and polythiophene-based conductive polymers, but are not limited thereto.

상기 정공수송 물질로는 양극이나 정공주입층으로부터 정공을 수송 받아 발광층으로 옮겨줄 수 있는 물질로 정공에 대한 이동성이 큰 물질이 적합하다. 구체적인 예로는 아릴아민 계열의 유기물, 전도성 고분자, 및 공액 부분과 비공액 부분이 함께 있는 블록 공중합체 등이 있으나, 이들에만 한정되는 것은 아니다.As the hole transporting material, a material having high mobility to holes is suitable for transporting holes from the anode or the hole injection layer to the light emitting layer. Specific examples thereof include an arylamine-based organic material, a conductive polymer, and a block copolymer having a conjugated portion and a non-conjugated portion together, but are not limited thereto.

상기 발광 물질로는 정공수송층과 전자수송층으로부터 정공과 전자를 각각 수송받아 결합시킴으로써 가시광선 영역의 빛을 낼 수 있는 물질로서, 형광이나 인광에 대한 양자효율이 좋은 물질이 바람직하다. 구체적인 예로는 8-히드록시-퀴놀린 알루미늄 착물 (Alq3); 카르바졸 계열 화합물; 이량체화 스티릴(dimerized styryl) 화합물; BAlq; 10-히드록시벤조 퀴놀린-금속 화합물; 벤족사졸, 벤즈티아졸 및 벤즈이미다졸 계열의 화합물; 폴리(p-페닐렌비닐렌)(PPV) 계열의 고분자; 스피로(spiro) 화합물; 폴리플루오렌, 루브렌 등이 있으나, 이들에만 한정되는 것은 아니다.The light emitting material is preferably a material capable of emitting light in the visible light region by transporting and receiving holes and electrons from the hole transporting layer and the electron transporting layer, respectively, and having good quantum efficiency for fluorescence or phosphorescence. Specific examples include 8-hydroxy-quinoline aluminum complex (Alq 3 ); Carbazole series compounds; Dimerized styryl compounds; BAlq; 10-hydroxybenzoquinoline-metal compound; Compounds of the benzoxazole, benzothiazole and benzimidazole series; Poly (p-phenylenevinylene) (PPV) -based polymers; Spiro compounds; Polyfluorene, rubrene and the like, but are not limited thereto.

상기 전자수송 물질로는 음극으로부터 전자를 잘 주입 받아 발광층으로 옮겨줄 수 있는 물질로서, 전자에 대한 이동성이 큰 물질이 적합하다. 구체적인 예로는 8-히드록시퀴놀린의 Al 착물; Alq3를 포함한 착물; 유기 라디칼 화합물; 히드록시플라본-금속 착물 등이 있으나, 이들에만 한정되는 것은 아니다.As the electron transporting material, a material capable of transferring electrons from the cathode well into the light emitting layer, which is suitable for electrons, is suitable. Specific examples include Al complexes of 8-hydroxyquinoline; Complexes including Alq 3 ; Organic radical compounds; Hydroxyflavone-metal complexes, and the like, but are not limited thereto.

본 발명에 따른 유기발광소자는 사용되는 재료에 따라 전면 발광형, 후면 발광형 또는 양면 발광형일 수 있다.The organic light emitting device according to the present invention may be a top emission type, a bottom emission type or a double-sided emission type according to the material used.

본 발명에 따른 화합물은 유기태양전지, 유기감광체, 유기트랜지스터 등을 비롯한 유기전자소자에서도 유기발광소자에 적용되는 것과 유사한 원리로 작용할 수 있다.The compound according to the present invention may act on a principle similar to that applied to organic light emitting devices in organic electronic devices including organic solar cells, organic photoconductors, organic transistors, and the like.

이하, 본 발명의 이해를 돕기 위하여 바람직한 실시예를 제시한다. 그러나 하기의 실시예는 본 발명을 예시하기 위한 것이며, 이에 의하여 본 발명의 범위가 한정되는 것은 아니다.Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described in order to facilitate understanding of the present invention. However, the following examples are intended to illustrate the invention, whereby the scope of the invention is not limited.

실시예Example

제조예Manufacturing example 1  One

하기 화학식 1-A의 화합물의 합성Synthesis of Compound of Formula 1-A

[화학식 1-A][Chemical Formula 1-A]

Figure 112006058409220-pat00039
Figure 112006058409220-pat00039

2-브로모-9,10-디나프틸안트라센 (5.00 g, 9.82 mmol), 비스(피나콜라토)디보론 (2.75 g, 10.9 mmol) 및 아세트산 칼륨 (2.89 g, 29.4 mmol)을 디옥산(50 mL)에 현탁시켰다. 상기 현탁액에 팔라듐(디페닐포스피노페로센)클로라이드 (0.24 g, 3 mol %)를 가하였다. 얻어진 혼합물을 약 6 시간 동안 80 ℃에서 교반하고, 실온으로 냉각하였다. 상기 혼합물을 물(50 mL)로 희석하고 디클로로메탄(3 × 50 mL)으로 추출하였다. 유기 추출물을 황산 마그네슘 상에서 건조하고 진공 내 농축하였다. 조 생성물을 에탄올로 세척하고 진공 내 건조하여 9,10-디나프틸안트라세닐-2-보레이트인 상기 화학식 1-A의 화합물(5.46 g, 92 %)을 제조하였다. 2-bromo-9,10-dinaphthylanthracene (5.00 g, 9.82 mmol), bis (pinacolato) diboron (2.75 g, 10.9 mmol) and potassium acetate (2.89 g, 29.4 mmol) were added to dioxane ( 50 mL). To the suspension was added palladium (diphenylphosphinoferrocene) chloride (0.24 g, 3 mol%). The resulting mixture was stirred at 80 ° C. for about 6 hours and cooled to room temperature. The mixture was diluted with water (50 mL) and extracted with dichloromethane (3 x 50 mL). The organic extract was dried over magnesium sulfate and concentrated in vacuo. The crude product was washed with ethanol and dried in vacuo to give the compound of formula 1-A (5.46 g, 92%) which was 9,10-dinaphthylanthracenyl-2-borate.

MS: [M+H]+=557MS: [M + H] + = 557

하기 화학식 1-B의 화합물의 합성Synthesis of Compound of Formula 1-B

[화학식 1-B][Formula 1-B]

Figure 112006058409220-pat00040
Figure 112006058409220-pat00040

2,4,6-트리클로로-1,3,5-트리아진(20 g, 108.5 mmol)을 무수테트라 하이드로퓨란(50 mL)에 녹인 후 1 M 페닐마그네슘브롬(228 mL, 227.8 mmol)을 0 ℃에서 천천히 적가하였다. 상온으로 온도를 올린 후 4 시간동안 교반하였다. 염화암모늄 수용액(200 mL)으로 남은 그리냐드화합물을 제거 한 후, 탄산수소나트륨 수용액(300 mL)으로 중화시킨 후 테트라하이드로퓨란(3 × 50 mL)으로 추출하였다. 무수황산마그네슘으로 수분을 제거한 후 여과하고 과량을 용매를 감압증류하여 제거한 후 헥산으로 재결정하여 화학식 1-B의 화합물(15 g, 52 %)을 얻었다.2,4,6-trichloro-1,3,5-triazine (20 g, 108.5 mmol) was dissolved in anhydrous tetrahydrofuran (50 mL), followed by 1 M phenylmagnesium bromide (228 mL, 227.8 mmol). It was slowly added dropwise at 占 폚. After raising the temperature to room temperature, the mixture was stirred for 4 hours. The remaining Grignard compound was removed with an aqueous solution of ammonium chloride (200 mL), neutralized with an aqueous solution of sodium bicarbonate (300 mL), and extracted with tetrahydrofuran (3 × 50 mL). Water was removed with anhydrous magnesium sulfate, followed by filtration. The excess was removed by distillation under reduced pressure of a solvent, and recrystallized with hexane to obtain a compound of Formula 1-B (15 g, 52%).

MS: [M+H]+=268MS: [M + H] + = 268

하기 화학식 1-C의 화합물의 합성Synthesis of Compound of Formula 1-C

[화학식 1-C][Formula 1-C]

Figure 112006058409220-pat00041
Figure 112006058409220-pat00041

9-브로모안트라센(10 g, 38.9 mmol)과 상기 화학식 1-B(12.5 g,46.7 mmol)를 테트라하이드로퓨란(100 mL)에 완전히 녹인 후 2 M 탄산칼륨 수용액을 첨가한 후 테트라키스트리페닐포스피노팔라듐(900 mg, 0.78 mmol)을 첨가하고 4 시간 동안 가열 교반하였다. 상온으로 온도를 낮춘 후 물층을 제거하였다. 용매를 감압증류하여 제거한 후 에탄올로 재결정하여 화학식 1-C의 화합물(10 g, 63 %)을 얻었다.9-Bromoanthracene (10 g, 38.9 mmol) and Formula 1-B (12.5 g, 46.7 mmol) were completely dissolved in tetrahydrofuran (100 mL), followed by addition of aqueous 2 M potassium carbonate solution. Phosphinopalladium (900 mg, 0.78 mmol) was added and heated and stirred for 4 hours. After lowering the temperature to room temperature, the water layer was removed. The solvent was distilled off under reduced pressure and then recrystallized with ethanol to obtain a compound of formula 1-C (10 g, 63%).

MS: [M+H]+=410MS: [M + H] + = 410

하기 화학식 1-D의 화합물의 합성Synthesis of Compound of Formula 1-D

[화학식 1-D][Formula 1-D]

Figure 112006058409220-pat00042
Figure 112006058409220-pat00042

상기 화학식 1-C의 화합물(10 g, 24.4 mmol)을 디메틸포름알데하이드(DMF, 50 mL)에 넣고 30 분간 교반하였다. 이어서, N-브로모숙신이미드(NBS, 4.34 g, 24.4 mmol)를 천천히 첨가시키고 3 시간 동안 교반하였다. 생성된 고체를 여과하여 상기 화학식 1-D의 화합물(11 g, 92 %)을 제조하였다.The compound of Chemical Formula 1-C (10 g, 24.4 mmol) was added to dimethylformaldehyde (DMF, 50 mL) and stirred for 30 minutes. N-bromosuccinimide (NBS, 4.34 g, 24.4 mmol) was then added slowly and stirred for 3 hours. The resulting solid was filtered to prepare the compound of Formula 1-D (11 g, 92%).

MS: [M+H]+=489MS: [M + H] + = 489

하기 화학식 1-1의 화합물의 합성Synthesis of Compound of Formula 1-1

[화학식 1-1][Formula 1-1]

Figure 112006058409220-pat00043
Figure 112006058409220-pat00043

상기 화학식 1-A의 화합물(3.5 g, 8.0 mmol)과 상기 화학식 1-D의 화합물(3.1 g, 6.3 mmol)을 테트라하이드로퓨란(100 mL)에 완전히 녹인 후 2 M 탄산칼륨수용액을 첨가하고 테트라키스트리페닐포스피노팔라듐(155 mg, 0.013 mmol)을 넣은 후 5 시간 동안 가열 교반하였다. 상온으로 온도를 낮추고 물층을 제거하고 무수황산마그네슘으로 건조한 후 감압농축시키고 테트라하이드로퓨란 : 헥산 = 1 : 6으로 컬럼하여 상기 화학식 1-1의 화합물(3.5 g, 66 %)를 제조하였다.After dissolving the compound of Formula 1-A (3.5 g, 8.0 mmol) and the compound of Formula 1-D (3.1 g, 6.3 mmol) in tetrahydrofuran (100 mL), 2 M aqueous potassium carbonate solution was added and tetra Keystriphenylphosphinopalladium (155 mg, 0.013 mmol) was added thereto, followed by heating and stirring for 5 hours. The temperature was lowered to room temperature, the water layer was removed, dried over anhydrous magnesium sulfate, concentrated under reduced pressure, and tetrahydrofuran: hexane = 1: 6 to prepare a compound of Chemical Formula 1-1 (3.5 g, 66%).

MS: [M+H]+=839MS: [M + H] + = 839

제조예Manufacturing example 2 2

하기 화학식 2-A의 화합물의 합성Synthesis of Compound of Formula 2-A

[화학식 2-A][Formula 2-A]

Figure 112006058409220-pat00044
Figure 112006058409220-pat00044

상기 화학식 1-A 화합물(15 g, 27.9 mmol)과 3-브로모페놀(4.5 g, 25.7 mmol)을 테트라하이드로퓨란(100 mL)에 완전히 녹인 후, 이것에 2 M 탄산칼륨 수용액을 첨가하고 테트라키스트리페닐포스피노팔라듐(626 mg, 0.54 mmol)을 넣은 후 5 시간 동안 가열 교반하였다. 상온으로 온도를 낮추고 물층을 제거하고 무수황산마그네슘으로 건조한 후 감압농축시키고 페트롤에테르로 재결정하여 상기 화학식 2-A의 화합물(13 g, 97 %)를 얻었다. After completely dissolving the compound of Formula 1-A (15 g, 27.9 mmol) and 3-bromophenol (4.5 g, 25.7 mmol) in tetrahydrofuran (100 mL), an aqueous 2 M potassium carbonate solution was added thereto and tetra Keystriphenylphosphinopalladium (626 mg, 0.54 mmol) was added thereto, followed by heating and stirring for 5 hours. The mixture was cooled to room temperature, the water layer was removed, dried over anhydrous magnesium sulfate, concentrated under reduced pressure and recrystallized with petroleum ether to obtain the compound of formula 2-A (13 g, 97%).

MS: [M+H]+=523MS: [M + H] + = 523

하기 화학식 2-B의 화합물의 합성Synthesis of Compound of Formula 2-B

[화학식 2-B][Formula 2-B]

Figure 112006058409220-pat00045
Figure 112006058409220-pat00045

화학식 2-A의 화합물(14 g, 26.8 mmol)을 디클로로메탄에 녹인 후 트리에틸아민(7.47 mL, 53.6 mmol)을 첨가한 후 10 분간 교반하였다. 0 ℃로 온도를 낮춘 후 트리플루오로메탄술폰산 무수물(4.4 mL, 40.2 mmol)을 천천히 첨가한 후 상온으로 온도를 올리고 1 시간 동안 교반하였다. 탄산수소나트륨 수용액을 첨가한 후 물층을 제거하고 무수황산마그네슘으로 수분을 제거하였다. 여과한 후 감압 농축하여 헥산으로 재결정하여 상기 화학식 2-B의 화합물(14.2 g, 81 %)을 얻었다. The compound of formula 2-A (14 g, 26.8 mmol) was dissolved in dichloromethane, triethylamine (7.47 mL, 53.6 mmol) was added, followed by stirring for 10 minutes. After the temperature was lowered to 0 ° C., trifluoromethanesulfonic anhydride (4.4 mL, 40.2 mmol) was added slowly, and then the temperature was raised to room temperature, followed by stirring for 1 hour. After adding an aqueous sodium hydrogen carbonate solution, the water layer was removed and water was removed with anhydrous magnesium sulfate. After filtration and concentration under reduced pressure, recrystallization with hexane to obtain the compound of formula 2-B (14.2 g, 81%).

MS: [M+H]+=655MS: [M + H] + = 655

하기 화학식 2-C의 화합물의 합성Synthesis of Compound of Formula 2-C

[화학식 2-C][Formula 2-C]

Figure 112006058409220-pat00046
Figure 112006058409220-pat00046

2-브로모-9,10-디나프틸안트라센 대신 상기 화학식 2-B를 사용한 것을 제외하고 화학식 1-A의 제조 방법과 동일한 방법으로 상기 화학식 2-C의 화합물을 얻었다. The compound of Chemical Formula 2-C was obtained by the same method as the method of preparing Chemical Formula 1-A, except that Chemical Formula 2-B was used instead of 2-bromo-9,10-dinaphthylanthracene.

MS: [M+H]+=633MS: [M + H] + = 633

하기 화학식 2-D의 화합물의 합성Synthesis of Compound of Formula 2-D

[화학식 2-D][Formula 2-D]

Figure 112006058409220-pat00047
Figure 112006058409220-pat00047

2,4,6-트리클로로-1,3,5-트리아진(10 g, 54.2 mmol)을 무수테트라 하이드로퓨란(250 mL)에 녹인 후 0 ℃로 온도를 낮추고 1 M 페닐마그네슘 브롬(54.2 mL)을 첨가하였다. 상온으로 온도를 올리고 2 시간동안 교반한 후 다시 0℃로 온도를 낮추고 1 M 2-나프틸마그네슘브롬(54.2 mL)을 천천히 첨가한 후 상온으로 온도를 올리고 3 시간동안 교반하였다. 염화암모늄 수용액(100 mL)으로 남은 그리냐드화합물을 제거 한 후, 탄산수소나트륨 수용액(100 mL)으로 중화시킨 후 테트라하이드로퓨란(3 × 50 mL)으로 추출하였다. 무수황산마그네슘으로 수분을 제거한 후 여과하고 과량을 용매를 감압증류하여 제거한 후 헥산으로 재결정하여 상기 화학식 2-D의 화합물(10.2 g, 59 %)을 얻었다. Dissolve 2,4,6-trichloro-1,3,5-triazine (10 g, 54.2 mmol) in anhydrous tetrahydrofuran (250 mL), lower the temperature to 0 ° C. and remove 1 M phenylmagnesium bromine (54.2 mL). ) Was added. After raising the temperature to room temperature and stirring for 2 hours, the temperature was lowered to 0 ° C. and 1 M 2-naphthyl magnesium bromide (54.2 mL) was added slowly, and then the temperature was raised to room temperature and stirred for 3 hours. The remaining Grignard compound was removed with an aqueous ammonium chloride solution (100 mL), neutralized with an aqueous sodium hydrogen carbonate solution (100 mL), and then extracted with tetrahydrofuran (3 × 50 mL). Water was removed with anhydrous magnesium sulfate, followed by filtration. The excess was removed by distillation under reduced pressure of a solvent, and then recrystallized with hexane to obtain the compound of formula 2-D (10.2 g, 59%).

MS: [M+H]+=318MS: [M + H] + = 318

하기 화학식 2-E의 화합물의 합성Synthesis of Compound of Formula 2-E

[화학식 2-E][Formula 2-E]

Figure 112006058409220-pat00048
Figure 112006058409220-pat00048

상기 화학식 1-B 대신 상기 화학식 2-D를 사용한 것을 제외하고 상기 화학식 1-C를 제조한 방법과 동일한 방법으로 상기 화학식 2-E의 화합물을 제조하였다. The compound of Formula 2-E was prepared by the same method as the method of preparing Formula 1-C, except that Formula 2-D was used instead of Formula 1-B.

MS: [M+H]+=460MS: [M + H] + = 460

하기 화학식 2-F의 화합물의 합성Synthesis of Compound of Formula 2-F

[화학식 2-F][Formula 2-F]

Figure 112006058409220-pat00049
Figure 112006058409220-pat00049

상기 화학식 1-C 대신 상기 화학식 2-E를 사용한 것을 제외하고 상기 화학식 1-D를 제조한 방법과 동일한 방법으로 상기 화학식 2-F의 화합물을 제조하였다. The compound of Formula 2-F was prepared by the same method as the method of preparing Formula 1-D, except that Formula 2-E was used instead of Formula 1-C.

MS: [M+H]+=539MS: [M + H] + = 539

하기 화학식 1-85의 화합물의 합성Synthesis of Compound of Formula 1-85

[화학식 1-85][Formula 1-85]

Figure 112006058409220-pat00050
Figure 112006058409220-pat00050

상기 화학식 2-C의 화합물(5 g, 7.9 mmol)과 상기 화학식 2-F(3.5 g, 6.6 mmol)의 화합물을 테트라하이드로퓨란(80 mL)에 완전히 녹인 후 2 M 탄산칼륨수용액을 첨가하고 테트라키스(트리페닐포스피노)팔라듐(183 mg, 0.16 mmol)을 넣은 후 5시간 동안 가열 교반하였다. 상온으로 온도를 낮추고 물층을 제거하고 무수황산마그네슘으로 건조한 후 감압농축시키고 테트라하이드로퓨란 : 헥산 = 1 : 6으로 컬럼하여 상기 화학식 1-85의 화합물(4.2 g, 70 %)을 제조하였다.After completely dissolving the compound of Formula 2-C (5 g, 7.9 mmol) and the compound of Formula 2-F (3.5 g, 6.6 mmol) in tetrahydrofuran (80 mL), an aqueous 2 M potassium carbonate solution was added and tetra Kis (triphenylphosphino) palladium (183 mg, 0.16 mmol) was added thereto, followed by heating and stirring for 5 hours. The temperature was lowered to room temperature, the water layer was removed, dried over anhydrous magnesium sulfate, concentrated under reduced pressure, and tetrahydrofuran: hexane = 1: 6 to prepare a compound of Chemical Formula 1-85 (4.2 g, 70%).

MS: [M+H]+=965MS: [M + H] + = 965

제조예Manufacturing example 3 3

하기 화학식 3-A의 화합물의 합성Synthesis of Compound of Formula 3-A

[화학식 3-A][Formula 3-A]

Figure 112006058409220-pat00051
Figure 112006058409220-pat00051

2-브로모-9,10-디나프틸안트라센 대신 2-브로모-6-나프톨을 사용한 것을 제외하고 상기 화학식 1-A를 제조하는 방법과 동일한 방법으로 상기 화학식 3-A의 화합물을 제조하였다. The compound of Chemical Formula 3-A was prepared by the same method as the method of preparing Chemical Formula 1-A, except that 2-bromo-6-naphthol was used instead of 2-bromo-9,10-dinaphthylanthracene. .

MS: [M+H]+=271MS: [M + H] + = 271

하기 화학식 3-B의 화합물의 합성Synthesis of Compound of Formula 3-B

[하기 화학식 3-B][Formula 3-B]

Figure 112006058409220-pat00052
Figure 112006058409220-pat00052

상기 화학식 3-A의 화합물 (9 g, 33.3 mmol)과 상기 화학식 1-B 화합물(7.43 g, 27.8 mmol)을 테트라하이드로퓨란(100 mL)에 완전히 녹인 후, 2 M 탄산칼륨수용액을 첨가하고 테트라키스트리페닐포스피노팔라듐(644 mg, 0.56 mmol)을 넣은 후 5 시간 동안 가열 교반하였다. 상온으로 온도를 낮추고 물층을 제거하고 무수황산마그네슘으로 건조한 후 감압농축시키고 헥산으로 재결정하여 상기 화학식 3-B의 화합물(8.2 g, 79 %)를 제조하였다.After completely dissolving the compound of Formula 3-A (9 g, 33.3 mmol) and the compound of Formula 1-B (7.43 g, 27.8 mmol) in tetrahydrofuran (100 mL), an aqueous 2 M potassium carbonate solution was added and tetra Keystriphenylphosphinopalladium (644 mg, 0.56 mmol) was added thereto, followed by heating and stirring for 5 hours. The temperature was lowered to room temperature, the water layer was removed, dried over anhydrous magnesium sulfate, concentrated under reduced pressure and recrystallized with hexane to prepare the compound of Chemical Formula 3-B (8.2 g, 79%).

MS: [M+H]+=376MS: [M + H] + = 376

하기 화학식 3-C의 화합물의 합성Synthesis of Compound of Formula 3-C

[화학식 3-C][Formula 3-C]

Figure 112006058409220-pat00053
Figure 112006058409220-pat00053

상기 화학식 2-A의 화합물 대신 상기 화합물 3-B의 화합물을 사용한 것을 제외하고 상기 화학식 2-B를 제조하는 방법과 동일한 방법으로 상기 화학식 3-C의 화합물을 제조하였다.The compound of Chemical Formula 3-C was prepared by the same method as the method of preparing Chemical Formula 2-B, except that the compound of Chemical Formula 3-B was used instead of the compound of Chemical Formula 2-A.

MS: [M+H]+=488MS: [M + H] + = 488

하기 화학식 3-D의 화합물의 합성Synthesis of Compound of Formula 3-D

[화학식 3-D][Formula 3-D]

Figure 112006058409220-pat00054
Figure 112006058409220-pat00054

상기 화학식 2-B 대신 상기 화학식 3-C를 사용한 것을 제외하고 상기 화학식 2-C를 제조한 방법과 동일한 방법으로 상기 화학식 3-D의 화합물을 제조하였다. The compound of Formula 3-D was prepared by the same method as the method of preparing Formula 2-C, except that Formula 3-C was used instead of Formula 2-B.

MS: [M+H]+=486MS: [M + H] + = 486

하기 화학식 3-E의 화합물의 합성Synthesis of Compound of Formula 3-E

[화학식 3-E][Formula 3-E]

Figure 112006058409220-pat00055
Figure 112006058409220-pat00055

9-브로모안트라센(5 g, 19.4 mmol)과 상기 화학식 3-D의 화합물(11.3 g, 23.3 mmol)을 테트라하이드로퓨란(150 mL)에 완전히 녹인 후, 2 M 탄산칼륨수용액을 첨가하고 테트라키스트리페닐포스피노팔라듐(450 mg, 0.39 mmol)을 넣은 후 5 시간 동안 가열 교반하였다. 상온으로 온도를 낮추고 물층을 제거하고 무수황산마그네슘으로 건조한 후 감압농축시키고 에탄올으로 재결정하여 상기 화학식 3-E의 화합물(7.6 g, 73 %)를 제조하였다.9-bromoanthracene (5 g, 19.4 mmol) and the compound of the above formula 3-D (11.3 g, 23.3 mmol) are completely dissolved in tetrahydrofuran (150 mL), and then 2M aqueous potassium carbonate solution is added and tetrakis Triphenylphosphinopalladium (450 mg, 0.39 mmol) was added thereto, followed by heating and stirring for 5 hours. The temperature was lowered to room temperature, the water layer was removed, dried over anhydrous magnesium sulfate, concentrated under reduced pressure, and recrystallized with ethanol to prepare the compound of Chemical Formula 3-E (7.6 g, 73%).

MS: [M+H]+=536MS: [M + H] + = 536

하기 화학식 3-F의 화합물의 합성Synthesis of Compound of Formula 3-F

Figure 112006058409220-pat00056
Figure 112006058409220-pat00056

상기 화학식 1-C 대신 상기 화학식 3-E를 사용한 것을 제외하고 상기 화학식 1-D를 제조한 방법과 동일한 방법으로 상기 화학식 3-F의 화합물을 제조하였다.The compound of Formula 3-F was prepared by the same method as the method of preparing Formula 1-D, except that Formula 3-E was used instead of Formula 1-C.

MS: [M+H]+=615MS: [M + H] + = 615

하기 화학식 1-217의 화합물의 합성Synthesis of Compound of Formula 1-217

[화학식 1-217][Formula 1-217]

Figure 112006058409220-pat00057
Figure 112006058409220-pat00057

상기 화학식 1-A(5 g, 9.0 mmol)의 화합물과 상기 화합물 3-F(4.6 g, 7.5 mmol)를 테트라하이드로퓨란(100 mL)에 완전히 녹인 후, 2 M 탄산칼륨수용액을 첨가하고 테트라키스트리페닐포스피노팔라듐(173 mg, 0.15 mmol)을 넣은 후 5 시간 동안 가열 교반하였다. 상온으로 온도를 낮추고 물층을 제거하고 무수황산마그네슘으로 건조한 후 감압농축시키고 컬럼 정제하여 재결정하여 상기 화학식 1-217의 화합물(4.8 g, 66 %)을 제조하였다.After completely dissolving the compound of Formula 1-A (5 g, 9.0 mmol) and the compound 3-F (4.6 g, 7.5 mmol) in tetrahydrofuran (100 mL), an aqueous 2 M potassium carbonate solution was added and the tetrakis Triphenylphosphinopalladium (173 mg, 0.15 mmol) was added thereto, followed by heating and stirring for 5 hours. The temperature was lowered to room temperature, the water layer was removed, dried over anhydrous magnesium sulfate, concentrated under reduced pressure, and purified by column purification to recrystallize to obtain the compound of Chemical Formula 1-217 (4.8 g, 66%).

MS: [M+H]+=965MS: [M + H] + = 965

제조예Manufacturing example 4 4

하기 화학식 4-A의 화합물의 합성Synthesis of Compound of Formula 4-A

[화학식 4-A][Formula 4-A]

Figure 112006058409220-pat00058
Figure 112006058409220-pat00058

2-브로모-9,10-디나프틸안트라센 대신 1-브로모-4-페놀을 사용한 것을 제외하고 상기 화학식 1-A를 제조하는 방법과 동일한 방법으로 상기 화학식 4-A의 화합물을 제조하였다. The compound of Formula 4-A was prepared by the same method as the method of preparing Formula 1-A, except that 1-bromo-4-phenol was used instead of 2-bromo-9,10-dinaphthylanthracene. .

MS: [M+H]+=221MS: [M + H] + = 221

하기 화학식 4-B의 화합물의 합성Synthesis of Compound of Formula 4-B

[하기 화학식 4-B][Formula 4-B]

Figure 112006058409220-pat00059
Figure 112006058409220-pat00059

상기 화학식 4-A의 화합물 (9 g, 40.9 mmol)과 상기 화학식 1-B 화합물(9.1 g, 34.1 mmol)을 테트라하이드로퓨란(400 mL)에 완전히 녹인 후, 2 M 탄산칼륨수용액을 첨가하고 테트라키스트리페닐포스피노팔라듐(790 mg, 0.68 mmol)을 넣은 후 5 시간 동안 가열 교반하였다. 상온으로 온도를 낮추고 물층을 제거하고 무수황산마그네슘으로 건조한 후 감압농축시키고 헥산으로 재결정하여 상기 화학식 4-B의 화합물(7.1 g, 64 %)을 제조하였다.After completely dissolving the compound of Formula 4-A (9 g, 40.9 mmol) and the compound of Formula 1-B (9.1 g, 34.1 mmol) in tetrahydrofuran (400 mL), 2 M aqueous potassium carbonate solution was added and tetra Keystriphenylphosphinopalladium (790 mg, 0.68 mmol) was added thereto, followed by heating and stirring for 5 hours. The temperature was lowered to room temperature, the water layer was removed, dried over anhydrous magnesium sulfate, concentrated under reduced pressure, and recrystallized with hexane to prepare the compound of Chemical Formula 4-B (7.1 g, 64%).

MS: [M+H]+=326MS: [M + H] + = 326

하기 화학식 4-C의 화합물의 합성Synthesis of Compound of Formula 4-C

[화학식 4-C][Formula 4-C]

Figure 112006058409220-pat00060
Figure 112006058409220-pat00060

상기 화학식 2-A의 화합물 대신 상기 화합물 4-B의 화합물을 사용한 것을 제외하고 상기 화학식 2-B를 제조하는 방법과 동일한 방법으로 상기 화학식 4-C의 화합물을 제조하였다.The compound of Formula 4-C was prepared by the same method as the method of preparing Formula 2-B, except that the compound of Compound 4-B was used instead of the compound of Formula 2-A.

MS: [M+H]+=438MS: [M + H] + = 438

하기 화학식 4-D의 화합물의 합성Synthesis of Compound of Formula 4-D

[화학식 4-D][Formula 4-D]

Figure 112006058409220-pat00061
Figure 112006058409220-pat00061

상기 화학식 2-B 대신 상기 화학식 4-C를 사용한 것을 제외하고 상기 화학식 2-C를 제조한 방법과 동일한 방법으로 상기 화학식 4-D의 화합물을 제조하였다. The compound of Formula 4-D was prepared by the same method as the method of preparing Formula 2-C, except that Formula 4-C was used instead of Formula 2-B.

MS: [M+H]+=436MS: [M + H] + = 436

하기 화학식 4-E의 화합물의 합성Synthesis of Compound of Formula 4-E

[화학식 4-E][Formula 4-E]

Figure 112006058409220-pat00062
Figure 112006058409220-pat00062

9-브로모안트라센(7 g, 27.2 mmol)과 상기 화학식 4-D의 화합물(14.2 g, 32.7 mmol)을 테트라하이드로퓨란(250 mL)에 완전히 녹인 후, 2 M 탄산칼륨수용액을 첨가하고 테트라키스트리페닐포스피노팔라듐(630 mg, 0.54 mmol)을 넣은 후 5 시간 동안 가열 교반하였다. 상온으로 온도를 낮추고 물층을 제거하고 무수황산마그네슘으로 건조한 후 감압농축시키고 에탄올으로 재결정하여 상기 화학식 4-E의 화합물(10.9 g, 83 %)을 제조하였다.9-bromoanthracene (7 g, 27.2 mmol) and the compound of the above formula 4-D (14.2 g, 32.7 mmol) are completely dissolved in tetrahydrofuran (250 mL), and then 2M aqueous potassium carbonate solution is added and tetrakis Triphenylphosphinopalladium (630 mg, 0.54 mmol) was added thereto, followed by heating and stirring for 5 hours. The temperature was lowered to room temperature, the water layer was removed, dried over anhydrous magnesium sulfate, concentrated under reduced pressure, and recrystallized with ethanol to obtain the compound of Chemical Formula 4-E (10.9 g, 83%).

MS: [M+H]+=486MS: [M + H] + = 486

하기 화학식 4-F의 화합물의 합성Synthesis of Compound of Formula 4-F

[화학식 4-F][Formula 4-F]

Figure 112006058409220-pat00063
Figure 112006058409220-pat00063

상기 화학식 1-C 대신 상기 화학식 4-E를 사용한 것을 제외하고 상기 화학식 1-D를 제조한 방법과 동일한 방법으로 상기 화학식 4-F의 화합물을 제조하였다.The compound of Formula 4-F was prepared by the same method as the method of preparing Formula 1-D, except that Formula 4-E was used instead of Formula 1-C.

MS: [M+H]+=565MS: [M + H] + = 565

하기 화학식 1-433의 화합물의 합성Synthesis of Compound of Formula 1-433

[화학식 1-433][Formula 1-433]

Figure 112006058409220-pat00064
Figure 112006058409220-pat00064

상기 화학식 2-C의 화합물(5 g, 7.9 mmol)과 상기 화합물 4-F(3.7 g, 6.6 mmol)를 테트라하이드로퓨란(100 mL)에 완전히 녹인 후, 2 M 탄산칼륨수용액을 첨가하고 테트라키스트리페닐포스피노팔라듐(153 mg, 0.13 mmol)을 넣은 후 5 시간 동안 가열 교반하였다. 상온으로 온도를 낮추고 물층을 제거하고 무수황산마그네슘으로 건조한 후 감압농축시키고 컬럼 정제하여 상기 화학식 1-433의 화합물(3.5 g, 54 %)을 제조하였다.After completely dissolving the compound of Formula 2-C (5 g, 7.9 mmol) and the compound 4-F (3.7 g, 6.6 mmol) in tetrahydrofuran (100 mL), an aqueous 2 M potassium carbonate solution was added and the tetrakis Triphenylphosphinopalladium (153 mg, 0.13 mmol) was added thereto, followed by heating and stirring for 5 hours. The temperature was lowered to room temperature, the water layer was removed, dried over anhydrous magnesium sulfate, concentrated under reduced pressure, and purified by column to obtain the compound of Chemical Formula 1-433 (3.5 g, 54%).

MS: [M+H]+=991MS: [M + H] + = 991

제조예Manufacturing example 5 5

하기 화학식 5-A의 화합물의 합성Synthesis of Compound of Formula 5-A

[화학식 5-A][Formula 5-A]

Figure 112006058409220-pat00065
Figure 112006058409220-pat00065

카바졸 (3.3 g, 20 mmol), 1-브로모-4-요오드벤젠(3.0 mL, 24 mmol), 탄산 칼륨 (K2CO3, 5.6 g, 40 mmol), 요오드화구리 (CuI, 1.9 g, 1.0 mmol) 및 자일렌 50 mL을 질소 분위기 하에서 환류하였다. 상온으로 냉각한 후 생성물을 에틸아세테이트로 추출하고 무수황산마그네슘으로 수분을 제거한 후 감압 하에서 용매를 제거하였다. 헥산 용매를 사용하여 실리카겔 컬럼을 통과시켜 화합물을 얻은 후 용매를 감압 하에서 제거하고 진공 건조시켜 흰색 고체의 상기 화학식 5-A의 화합물(1.6 g, 25 %)을 제조하였다.Carbazole (3.3 g, 20 mmol), 1-bromo-4-iodobenzene (3.0 mL, 24 mmol), potassium carbonate (K 2 CO 3 , 5.6 g, 40 mmol), copper iodide (CuI, 1.9 g, 1.0 mmol) and 50 mL of xylene were refluxed under a nitrogen atmosphere. After cooling to room temperature, the product was extracted with ethyl acetate, water was removed with anhydrous magnesium sulfate, and then the solvent was removed under reduced pressure. After passing through a silica gel column using a hexane solvent to obtain a compound, the solvent was removed under reduced pressure and dried under vacuum to prepare the compound of formula 5-A (1.6 g, 25%) as a white solid.

MS: [M+H]+ = 322MS: [M + H] + = 322

하기 화학식 5-B의 화합물의 합성Synthesis of Compound of Formula 5-B

[화학식 5-B][Formula 5-B]

Figure 112006058409220-pat00066
Figure 112006058409220-pat00066

상기 화학식 5-A의 화합물(4.38 g, 13.2 mmol)을 건조 테트라하이드로퓨란 (80 mL)에 질소 분위기하에서 용해하였다. 상기 용액을 -78 ℃로 냉각하고, 냉각된 용액에 10 분에 걸쳐 n-부틸 리튬(6.6 mL, 2.5 M 헥산 용액)을 서서히 가한 후 -78 ℃에서 약 40분 동안 교반하였다. 2-브로모안트라퀴논 화합물(3.59 g, 5.5 mmol)을 반응 혼합물에 가하고, -78℃ 에서 약 3 시간 동안 추가로 교반하였다. 혼합물을 실온에서 약 1 시간 동안 교반하였다. 상기 혼합물에 수성 염화 암모늄 용액(50 mL)을 가하였다. 유기층을 분리하고 수용액층을 디에틸 에테르(60 mL)로 추출하였다. 추출한 유기용액층을 황산 마그네슘으로 건조하고 감압 하에 농축하였다. 수득된 고체를 디에틸 에테르로 현탁시키고, 1 시간 동안 교반 후 여과하였다. 건조 후, 디알코올 화합물인 상기 화학식 5-B의 화합물(3.32 g, 73 %)을 제조하였다.The compound of formula 5-A (4.38 g, 13.2 mmol) was dissolved in dry tetrahydrofuran (80 mL) under nitrogen atmosphere. The solution was cooled to −78 ° C. and n-butyl lithium (6.6 mL, 2.5 M hexane solution) was slowly added to the cooled solution over 10 minutes and then stirred at −78 ° C. for about 40 minutes. 2-Bromoanthraquinone compound (3.59 g, 5.5 mmol) was added to the reaction mixture and further stirred at −78 ° C. for about 3 hours. The mixture was stirred at rt for about 1 h. To the mixture was added aqueous ammonium chloride solution (50 mL). The organic layer was separated and the aqueous layer was extracted with diethyl ether (60 mL). The extracted organic solution layer was dried over magnesium sulfate and concentrated under reduced pressure. The obtained solid was suspended with diethyl ether, stirred for 1 hour and then filtered. After drying, a compound of formula 5-B (3.32 g, 73%) was prepared as a dialcohol compound.

MS [M+H]+ = 773MS [M + H] + = 773

하기 화학식 5-C의 화합물의 합성Synthesis of Compound of Formula 5-C

[화학식 5-C][Formula 5-C]

Figure 112006058409220-pat00067
Figure 112006058409220-pat00067

상기 화학식 5-B의 화합물(2.82 g, 3.65 mmol)을 아세트산(60 mL), 요오드산칼륨 (3.32 g, 20 mmol) 및 하이포아인산나트륨 수화물(3.52 g, 40 mmol)의 분산액에 가하였다. 상기 혼합물을 계속하여 교반하면서 약 3 시간 동안 환류시킨 다음, 실온으로 냉각하였다. 상기 혼합물을 여과하고 물로 세척한 다음, 진공 건조하여 상기 화학식 5-C의 화합물(2.87 g, 90 %)을 제조하였다.The compound of formula 5-B (2.82 g, 3.65 mmol) was added to a dispersion of acetic acid (60 mL), potassium iodide (3.32 g, 20 mmol) and sodium hypophosphite hydrate (3.52 g, 40 mmol). The mixture was refluxed for about 3 hours with continued stirring and then cooled to room temperature. The mixture was filtered, washed with water and dried in vacuo to give the compound of formula 5-C (2.87 g, 90%).

MS: [M+H]+=739MS: [M + H] + = 739

하기 화학식 5-D의 화합물의 합성Synthesis of Compound of Formula 5-D

[화학식 5-D][Formula 5-D]

Figure 112006058409220-pat00068
Figure 112006058409220-pat00068

상기 제조예 1의 화학식 1-A의 화합물의 제조방법에서 2-브로모-9,10-디나프틸안트라센 및 비스(피나콜라토)디보론 대신 상기 화학식 5-C의 화합물을 사용한 것을 제외하고는, 상기 화학식 1-A의 화합물의 제조 방법과 동일한 방법으로 상기 화학식 5-D의 화합물을 제조하였다.Except for using the compound of Formula 5-C instead of 2-bromo-9,10-dinaphthylanthracene and bis (pinacolato) diboron in the method for preparing the compound of Formula 1-A of Preparation Example 1 Was prepared in the same manner as the method for preparing the compound of Formula 1-A.

MS [M+H]+ = 787MS [M + H] + = 787

하기 화학식 1-149의 화합물의 합성Synthesis of Compound of Formula 1-149

[화학식 1-149][Formula 1-149]

Figure 112006058409220-pat00069
Figure 112006058409220-pat00069

상기 화학식 5-D(5 g, 6.4 mmol)의 화합물과 상기 화학식 4-F(3.0 g, 5.3 mmol)의 화합물을 테트라하이드로퓨란(100 mL)에 완전히 녹인 후, 2 M 탄산칼륨수용액을 첨가하고 테트라키스트리페닐포스피노팔라듐(123 mg, 0.11 mmol)을 넣은 후 5 시간 동안 가열 교반하였다. 상온으로 온도를 낮추고 물층을 제거하고 무수황산마그네슘으로 건조한 후 감압농축시키고 컬럼 정제하여 재결정하여 상기 화학식 1-149의 화합물(3.1 g, 51 %)을 제조하였다.After completely dissolving the compound of Formula 5-D (5 g, 6.4 mmol) and the compound of Formula 4-F (3.0 g, 5.3 mmol) in tetrahydrofuran (100 mL), an aqueous 2 M potassium carbonate solution was added thereto. Tetrakistriphenylphosphinopalladium (123 mg, 0.11 mmol) was added thereto, followed by heating and stirring for 5 hours. The temperature was lowered to room temperature, the water layer was removed, dried over anhydrous magnesium sulfate, concentrated under reduced pressure, and purified by column purification to recrystallize to obtain the compound of Chemical Formula 1-149 (3.1 g, 51%).

MS: [M+H]+=1145MS: [M + H] + = 1145

제조예Manufacturing example 6 6

하기 화학식 6-A의 화합물의 합성Synthesis of Compound of Formula 6-A

[화학식 6-A][Formula 6-A]

Figure 112006058409220-pat00070
Figure 112006058409220-pat00070

1-브로모나프탈렌(34.8 g, 168.2 mmol)을 테트라하이드로퓨란 (170 ml)에 녹인 후 -78℃로 온도를 낮추고 n-뷰틸리튬(67.3 ml, 168,2 mmol)을 천천히 첨가한 후 1시간 동안 교반하였다. 2-브로모안트라퀴논 (21 g, 73.1 mmol)을 첨가하고 상온으로 온도를 올리고 3 시간 동안 교반하였다. 포화염화암모늄수용액을 넣고 물층을 제거한 후 무수황산마그네슘으로 건조하고 여과한 후 감압 건조하였다. 에틸에테르와 페트롤륨에테르로 재결정하여 상기 화학식 6-A의 화합물(32.3 g, 82 %)을 제조하였다.Dissolve 1-bromonaphthalene (34.8 g, 168.2 mmol) in tetrahydrofuran (170 ml), lower the temperature to -78 ° C and slowly add n-butyllithium (67.3 ml, 168,2 mmol) for 1 hour. Was stirred. 2-bromoanthraquinone (21 g, 73.1 mmol) was added and the temperature was raised to room temperature and stirred for 3 hours. Aqueous solution of saturated ammonium chloride was added thereto, the water layer was removed, dried over anhydrous magnesium sulfate, filtered and dried under reduced pressure. Recrystallization with ethyl ether and petroleum ether to prepare the compound of formula 6-A (32.3 g, 82%).

MS: [M+H]+=544MS: [M + H] + = 544

하기 화학식 6-B의 화합물의 합성Synthesis of Compound of Formula 6-B

[화학식 6-B][Formula 6-B]

Figure 112006058409220-pat00071
Figure 112006058409220-pat00071

상기 화학식 6-A의 화합물(32.3 g, 59.5 mmol), 요오드화 칼륨(29.6 g, 178.4 mmol), 차아인산소다(38 g, 256.8 mmol)를 아세트산(40 mL)에 넣고 3 시간 동안 가열교반하고 상온으로 온도를 낮춘 후 침전물을 여과한 후 에탄올로 재결정하여 상기 화학식 6-B의 화합물(25.5 g, 84 %)을 제조하였다.The compound of Chemical Formula 6-A (32.3 g, 59.5 mmol), potassium iodide (29.6 g, 178.4 mmol), sodium hypophosphite (38 g, 256.8 mmol) was added to acetic acid (40 mL), and the mixture was heated and stirred for 3 hours at room temperature. After lowering the temperature, the precipitate was filtered and recrystallized with ethanol to prepare the compound of Chemical Formula 6-B (25.5 g, 84%).

MS: [M+H]+=509MS: [M + H] + = 509

하기 화학식 6-C의 화합물의 합성Synthesis of Compound of Formula 6-C

[화학식 6-C][Formula 6-C]

Figure 112006058409220-pat00072
Figure 112006058409220-pat00072

상기 제조예 1의 화학식 1-A의 화합물의 합성에서 2-브로모-9,10-디나프틸안트라센 대신 상기 화학식 6-B를 사용한 것을 제외하고는, 상기 화학식 1-A의 화합물의 합성 방법과 동일한 방법으로 합성하여 상기 화학식 6-C의 화합물을 제조하였다.Method for synthesizing the compound of Formula 1-A, except that Formula 6-B was used instead of 2-bromo-9,10-dinaphthylanthracene in the synthesis of Compound 1-A of Preparation Example 1 Synthesis was carried out in the same manner as to prepare a compound of Chemical Formula 6-C.

MS: [M+H]+= 557MS: [M + H] + = 557

하기 화학식 1-147의 화합물의 합성Synthesis of Compound of Formula 1-147

[화학식1-147]Formula 1-147

Figure 112006058409220-pat00073
Figure 112006058409220-pat00073

상기 화학식 6-C의 화합물(5 g, 9.0 mmol)과 상기 화학식 4-F의 화합물(4.2 g, 7.5 mmol)을 테트라하이드로퓨란(100 mL)에 완전히 녹인 후, 2 M 탄산칼륨수용액을 첨가하고 테트라키스트리페닐포스피노팔라듐(174 mg, 0.15 mmol)을 넣은 후 5 시간 동안 가열 교반하였다. 상온으로 온도를 낮추고 물층을 제거하고 무수황산마그네슘으로 건조한 후 감압농축시키고 컬럼 정제하여 재결정하여 상기 화학식 1-147의 화합물(3.6 g, 53 %)을 제조하였다.After completely dissolving the compound of Formula 6-C (5 g, 9.0 mmol) and the compound of Formula 4-F (4.2 g, 7.5 mmol) in tetrahydrofuran (100 mL), an aqueous 2 M potassium carbonate solution was added thereto. Tetrakistriphenylphosphinopalladium (174 mg, 0.15 mmol) was added thereto, followed by heating and stirring for 5 hours. The temperature was lowered to room temperature, the water layer was removed, dried over anhydrous magnesium sulfate, concentrated under reduced pressure, and purified by column purification to recrystallize to obtain the compound of Chemical Formula 1-147 (3.6 g, 53%).

MS: [M+H]+= 915MS: [M + H] + = 915

제조예Manufacturing example 7 7

하기 화학식 7-A의 화합물의 합성Synthesis of Compound of Formula 7-A

[화학식 7-A][Formula 7-A]

Figure 112006058409220-pat00074
Figure 112006058409220-pat00074

상기 제조예 6의 화학식 6-A의 화합물의 합성에서 1-브로모나프탈렌 대신 1-브로모-4-(2-나프틸)벤젠을 사용한 것을 제외하고는, 상기 화학식 6-A의 화합물을 합성한 방법과 동일한 방법으로 상기 화학식 7-A의 화합물을 제조하였다. A compound of Chemical Formula 6-A was synthesized except that 1-bromo-4- (2-naphthyl) benzene was used instead of 1-bromonaphthalene in the synthesis of Chemical Formula 6-A of Preparation Example 6. In the same manner as one method to prepare a compound of Formula 7-A.

MS: [M+H]+=696MS: [M + H] + = 696

하기 화학식 7-B의 화합물의 합성Synthesis of Compound of Formula 7-B

[화학식 7-B][Formula 7-B]

Figure 112006058409220-pat00075
Figure 112006058409220-pat00075

상기 제조예 6의 화학식 6-B의 화합물의 합성에서 화학식 6-A의 화합물 대신 상기 화학식 7-A의 화합물을 사용한 것을 제외하고는, 상기 화학식 6-B의 화합물을 합성한 방법과 동일한 방법으로 상기 화학식 7-B의 화합물을 제조하였다.Except for using the compound of Formula 7-A instead of the compound of Formula 6-A in the synthesis of the compound of Formula 6-B of Preparation Example 6 in the same manner as the method of synthesizing the compound of Formula 6-B The compound of Formula 7-B was prepared.

MS: [M+H]+= 661MS: [M + H] + = 661

하기 화학식 7-C의 화합물의 합성Synthesis of Compound of Formula 7-C

[화학식 7-C][Formula 7-C]

Figure 112006058409220-pat00076
Figure 112006058409220-pat00076

상기 제조예 1의 화학식 1-A의 화합물의 합성에서 2-브로모-9,10-디나프틸안트라센 대신 상기 화학식 7-B의 화합물을 사용한 것을 제외하고는 상기 화학식 1-A의 화합물을 합성한 방법과 동일한 방법으로 상기 화학식 7-C의 화합물을 제조하였다. A compound of Chemical Formula 1-A was synthesized except that the compound of Chemical Formula 7-B was used instead of 2-bromo-9,10-dinaphthylanthracene in the synthesis of Chemical Formula 1-A of Preparation Example 1 In the same manner as one method to prepare a compound of Formula 7-C.

MS: [M+H]+= 709MS: [M + H] + = 709

하기 화학식 1-150의 화합물의 합성Synthesis of Compound of Formula 1-150

[화학식 1-150][Formula 1-150]

Figure 112006058409220-pat00077
Figure 112006058409220-pat00077

상기 화학식 7-C의 화합물(5 g, 7.1 mmol)과 상기 화합물 4-F(3.3 g, 5.9 mmol)를 테트라하이드로퓨란(100 mL)에 완전히 녹인 후, 2 M 탄산칼륨수용액을 첨가하고 테트라키스트리페닐포스피노팔라듐(137 mg, 0.12 mmol)을 넣은 후 5시간 동안 가열 교반하였다. 상온으로 온도를 낮추고 물층을 제거하고 무수황산마그네슘으로 건조한 후 감압농축시키고 컬럼 정제하여 재결정하여 상기 화학식 1-150의 화합물(4.0 g, 63 %)를 제조하였다.After completely dissolving the compound of Formula 7-C (5 g, 7.1 mmol) and the compound 4-F (3.3 g, 5.9 mmol) in tetrahydrofuran (100 mL), an aqueous 2 M potassium carbonate solution was added thereto and tetrakis Triphenylphosphinopalladium (137 mg, 0.12 mmol) was added thereto, followed by heating and stirring for 5 hours. The temperature was lowered to room temperature, the water layer was removed, dried over anhydrous magnesium sulfate, concentrated under reduced pressure, and purified by column purification to recrystallize to obtain the compound of Chemical Formula 1-150 (4.0 g, 63%).

MS: [M+H]+= 1067MS: [M + H] + = 1067

실험예Experimental Example 1  One

ITO(indium tin oxide)가 1500 Å의 두께로 박막 코팅된 유리 기판을 세제를 녹인 증류수에 넣고 초음파로 세척하였다. 이 때, 세제로는 피셔사(Fischer Co.) 제품을 사용하였으며, 증류수로는 밀리포어사 (Millipore Co.) 제품의 필터(Filter)로 2 차로 걸러진 증류수를 사용하였다. ITO를 30 분간 세척한 후 증류수로 2 회 반복하여 초음파 세척을 10 분간 진행하였다. 증류수 세척이 끝난 후, 이소프로필알콜, 아세톤, 메탄올의 용제로 초음파 세척을 하고 건조시킨 후 플라즈마 세정기로 수송시켰다. 또한, 산소 플라즈마를 이용하여 상기 기판을 5 분간 세정한 후 진공 증착기로 기판을 수송시켰다.The glass substrate coated with ITO (indium tin oxide) thin film with a thickness of 1500 Å was immersed in distilled water containing detergent and washed with ultrasonic waves. In this case, Fischer Co. was used as a detergent, and distilled water was filtered secondly as a filter of Millipore Co. as a distilled water. The ITO was washed for 30 minutes and then washed twice with distilled water and ultrasonically cleaned for 10 minutes. After the distilled water was washed, it was ultrasonically washed with a solvent of isopropyl alcohol, acetone, and methanol, dried, and then transported to a plasma cleaner. Further, the substrate was cleaned using oxygen plasma for 5 minutes, and then the substrate was transported by a vacuum evaporator.

이렇게 준비된 ITO 투명 전극 위에 하기 화학식의 헥사니트릴 헥사아자트리페닐렌 (hexanitrile hexaazatriphenylene; HAT)를 500 Å의 두께로 열 진공 증착하여 정공주입층을 형성하였다. The hexanitrile hexaazatriphenylene (HAT) of the following formula was thermally vacuum deposited to a thickness of 500 kPa on the prepared ITO transparent electrode to form a hole injection layer.

[HAT][LINE]

Figure 112006058409220-pat00078
Figure 112006058409220-pat00078

상기 정공주입층 위에 정공을 수송하는 물질인 하기 화학식의 4,4'-비스[N-(1-나프틸)-N-페닐아미노]비페닐(NPB)(400 Å)를 진공증착하여 정공수송층을 형성하였다. 4,4'-bis [N- (1-naphthyl) -N-phenylamino] biphenyl (NPB) (400 kPa), which is a substance for transporting holes on the hole injection layer, is vacuum deposited to form a hole transport layer Formed.

[NPB][NPB]

Figure 112006058409220-pat00079
Figure 112006058409220-pat00079

이어서, 상기 정공수송층 위에 하기 화학식의 Alq3(알루미늄 트리스(8-히드록시퀴놀린))를 300 Å의 두께로 진공증착하여 발광층을 형성하였다.Subsequently, Alq 3 (aluminum tris (8-hydroxyquinoline)) of the formula below was vacuum-deposited on the hole transport layer to form a light emitting layer.

[Alq3][Alq 3 ]

Figure 112006058409220-pat00080
Figure 112006058409220-pat00080

상기 발광층 위에 제조예 1에서 제조된 화학식 1-1의 화합물을 200 Å의 두께로 진공 증착하여 전자주입 및 수송층을 형성하였다.The compound of Formula 1-1 prepared in Preparation Example 1 was vacuum deposited to a thickness of 200 kPa on the light emitting layer to form an electron injection and transport layer.

상기 전자주입 및 수송층 위에 순차적으로 12 Å 두께로 리튬 플루라이드(LiF)와 2000 Å 두께로 알루미늄을 증착하여 음극을 형성하였다. Lithium fluoride (LiF) and aluminum having a thickness of 2000 Å were sequentially deposited on the electron injection and transport layer to a thickness of 12 Å to form a cathode.

상기의 과정에서 유기물의 증착속도는 0.4~0.7 Å/sec를 유지하였고, 음극의 리튬플루오라이드는 0.3 Å/sec, 알루미늄은 2 Å/sec의 증착 속도를 유지하였으며, 증착시 진공도는 2 × 10-7~ 5 × 10-8 torr를 유지하였다.The deposition rate of the organic material was maintained at 0.4 to 0.7 Å / sec, the lithium fluoride at the cathode was maintained at a deposition rate of 0.3 Å / sec and the deposition rate of aluminum was maintained at 2 Å / sec. -7 to 5 x 10 < -8 > torr.

상기에서 제조된 유기 발광 소자에 5.6 V의 순방향 전계를 가한 결과, 50 mA/㎠의 전류밀도에서 1931 CIE color coordinate 기준으로 x = 0.37, y = 0.52 에 해당하는 녹색 빛이 관찰되었고, 7.2 V의 순방향 전계를 가한 결과 100 mA/㎠의 전류밀도에서 2.79 cd/A 의 녹색빛이 관찰되었다.As a result of applying a forward electric field of 5.6 V to the organic light emitting device, green light corresponding to x = 0.37 and y = 0.52 was observed based on 1931 CIE color coordinate at a current density of 50 mA / cm 2, and 7.2 V of When the forward electric field was applied, green light of 2.79 cd / A was observed at a current density of 100 mA / cm 2.

실험예Experimental Example 2 2

실시예 1과 같은 방법으로 제조된 ITO 전극 위에 헥사니트릴 헥사아자 트리페닐렌(500 Å), 4,4'-비스[N-(1-나프틸)-N-페닐아미노]비페닐(NPB)(400 Å), Alq3(300 Å), 화학식 1-85(200 Å)의 화합물을 순차적으로 열 진공 증착하여 정공 주입층, 정공 수송층, 및 발광층, 전자수송층을 차례로 형성시켰다.Hexanitrile hexaaza triphenylene (500 Hz), 4,4'-bis [N- (1-naphthyl) -N-phenylamino] biphenyl (NPB) on an ITO electrode prepared in the same manner as in Example 1 (400 kPa), Alq 3 (300 kPa), and the compounds of Formulas 1-85 (200 kPa) were sequentially thermally vacuum deposited to form a hole injection layer, a hole transport layer, a light emitting layer, and an electron transport layer in this order.

상기 전자수송층 위에 순차적으로 12 Å의 두께의 리튬 플루오라이드(LiF)와 2000 Å의 두께의 알루미늄을 증착하여 음극을 형성하여, 유기 발광 소자를 제조하였다. An organic light emitting device was manufactured by sequentially depositing lithium fluoride (LiF) having a thickness of 12 kPa and aluminum having a thickness of 2000 kPa on the electron transport layer.

상기 과정에서 유기물의 증착속도는 0.4~0.7 Å/sec를 유지하였고, 음극의 리튬플루오라이드는 0.3 Å/sec, 알루미늄은 2 Å/sec의 증착 속도를 유지하였으며, 증착시 진공도는 2 × 10-7~ 5 × 10-8 torr를 유지하였다.The deposition rate of the organic material in the above process was maintained at 0.4 ~ 0.7 Å / sec, the lithium fluoride of the cathode was 0.3 Å / sec, the aluminum was deposited at a rate of 2 Å / sec, the deposition upon the degree of vacuum 2 × 10 - 7 to 5 x 10 -8 torr was maintained.

상기에서 제조된 유기 발광 소자에 5.3 V의 순방향 전계를 가한 결과, 50 mA/㎠의 전류밀도에서 1931 CIE color coordinate 기준으로 x = 0.33, y = 0.56 에 해당하는 녹색 빛이 관찰되었고, 6.8 V의 순방향 전계를 가한 결과 100 mA/㎠의 전류밀도에서 2.71 cd/A 의 녹색빛이 관찰되었다.As a result of applying a forward electric field of 5.3 V to the organic light emitting device, green light corresponding to x = 0.33 and y = 0.56 was observed based on 1931 CIE color coordinate at a current density of 50 mA / ㎠, When the forward electric field was applied, green color of 2.71 cd / A was observed at a current density of 100 mA / cm 2.

실험예Experimental Example 3 3

실시예 1과 같은 방법으로 제조된 ITO 전극 위에 헥사니트릴 헥사아자 트리페닐렌(500 Å), 4,4'-비스[N-(1-나프틸)-N-페닐아미노]비페닐(NPB)(400 Å), 화학식 1-147(400 Å)의 화합물을 순차적으로 열 진공 증착하여 정공 주입층, 정공 수송층, 및 발광과 전자수송을 동시에 하는 층을 차례로 형성시켰다.Hexanitrile hexaaza triphenylene (500 Hz), 4,4'-bis [N- (1-naphthyl) -N-phenylamino] biphenyl (NPB) on an ITO electrode prepared in the same manner as in Example 1 (400 kPa) and the compound of Formula 1-147 (400 kPa) were sequentially thermally vacuum-deposited to form a hole injection layer, a hole transport layer, and a layer which simultaneously emits light and electrons.

상기 발광과 전자수송을 동시에 하는 층 위에 순차적으로 12 Å의 두께의 리튬 플루오라이드(LiF)와 2000 Å의 두께의 알루미늄을 증착하여 음극을 형성하여, 유기 발광 소자를 제조하였다. An organic light emitting device was manufactured by sequentially depositing lithium fluoride (LiF) having a thickness of 12 kW and aluminum having a thickness of 2000 kW on a layer simultaneously emitting light and electron transport.

상기의 과정에서 유기물의 증착속도는 0.4~0.7 Å/sec를 유지하였고, 음극의 리튬플루오라이드는 0.3 Å/sec, 알루미늄은 2 Å/sec의 증착 속도를 유지하였으며, 증착시 진공도는 2 × 10-7~ 5 × 10-8 torr를 유지하였다.The deposition rate of the organic material was maintained at 0.4 to 0.7 Å / sec, the lithium fluoride at the cathode was maintained at a deposition rate of 0.3 Å / sec and the deposition rate of aluminum was maintained at 2 Å / sec. -7 to 5 x 10 < -8 > torr.

상기에서 제조된 유기 발광 소자에 6.1 V의 순방향 전계를 가한 결과, 50 mA/㎠의 전류밀도에서 1931 CIE color coordinate 기준으로 x = 0.42, y = 0.50 에 해당하는 녹색 빛이 관찰되었고, 7.8 V의 순방향 전계를 가한 결과 100 mA/㎠의 전류밀도에서 2.0 cd/A 의 녹색 빛이 관찰되었다.As a result of applying a forward electric field of 6.1 V to the organic light emitting device, green light corresponding to x = 0.42 and y = 0.50 was observed based on 1931 CIE color coordinate at a current density of 50 mA / cm 2 and 7.8 V As a result of applying the forward electric field, green light of 2.0 cd / A was observed at a current density of 100 mA / cm 2.

실험예Experimental Example 4 4

실험예 1과 같이 준비한 ITO 전극 위에 헥사니트릴 헥사아자트리페닐렌 (500 Å), 4,4'-비스[N-(1-나프틸)-N-페닐아미노]비페닐(NPB) (400 Å), Alq3(300 Å) 및 상기 화학식 1-433의 화합물(200 Å), 리튬 플루오라이드(LiF) 12 Å을 순차적으로 열 진공 증착하여 정공 주입층, 정공 수송층, 발광층, 전자수송층, 전자주입층을 차례로 형성시켰다. 그 위에 2000 Å 두께의 알루미늄을 증착하여 음극을 형성하고 유기 발광 소자를 제조하였다.Hexanitrile hexaazatriphenylene (500 Å), 4,4'-bis [N- (1-naphthyl) -N-phenylamino] biphenyl (NPB) (400 Å) on the ITO electrode prepared as in Experimental Example 1 ), Alq 3 (300 Å), the compound of Formula 1-433 (200 Å) and lithium fluoride (LiF) 12 순차적 in sequence thermal vacuum deposition to the hole injection layer, hole transport layer, light emitting layer, electron transport layer, electron injection The layers were formed in turn. 2000 nm thick aluminum was deposited thereon to form a cathode to manufacture an organic light emitting device.

상기 제조된 유기 발광 소자에 5.7 V의 순방향 전계를 가한 결과, 50 mA/㎠의 전류밀도에서 1931 CIE color coordinate 기준으로 x = 0.33, y = 0.59에 해당하는 녹색 빛이 관찰되었다. 또한, 6.6 V의 순방향 전계를 가한 결과 100 mA/㎠의 전류밀도에서 3.1 cd/A 의 녹색 빛이 관찰되었다.As a result of applying a forward electric field of 5.7 V to the organic light emitting device, green light corresponding to x = 0.33 and y = 0.59 was observed based on a 1931 CIE color coordinate at a current density of 50 mA / cm 2. In addition, a green light of 3.1 cd / A was observed at a current density of 100 mA / cm 2 as a forward electric field of 6.6 V was applied.

본 발명에 따른 신규한 바이안트라센 화합물은 바이안트라센 화합물에 트리아진 유도체를 도입되어 있어, 유기발광소자를 비롯한 유기전자소자의 유기물층 재 료로서 사용될 수 있다. 상기 본 발명에 따른 바이안트라센 화합물을 유기물층의 재료로서 이용한 유기발광소자를 비롯한 유기전자소자는 효율, 구동전압, 수명 등에서 우수한 특성을 나타낸다. The novel biantracene compound according to the present invention has a triazine derivative introduced into the biantracene compound, and can be used as an organic material layer material for organic electronic devices including organic light emitting devices. The organic electronic device including the organic light emitting device using the biantracene compound according to the present invention as a material of the organic material layer has excellent characteristics in efficiency, driving voltage, and lifespan.

Claims (16)

하기 화학식 1의 화합물:A compound of formula [화학식 1][Formula 1]
Figure 112012094811336-pat00081
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상기 화학식 1에 있어서, In Formula 1, R1 및 R2는 서로 같거나 상이하고, 독립적으로 할로겐, 아미노기, 니트릴기, 니트로기, C1~C40의 알킬기, C2~C40의 알케닐기, C1~C40의 알콕시기, C3~C40의 시클로알킬기, C3~C40의 헤테로시클로알킬기, C6~C40의 아릴기 및 C5~C40의 헤테로아릴기로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상의 기로 치환되거나 비치환된 C6~C40의 아릴기; 할로겐, 아미노기, 니트릴기, 니트로기, C1~C40의 알킬기, C2~C40의 알케닐기, C1~C40의 알콕시기, C3~C40의 시클로알킬기, C3~C40의 헤테로시클로알킬기, C6~C40의 아릴기 및 C5~C40의 헤테로아릴기로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상의 기로 치환되거나 비치환된 C5~C40의 헤테로아릴기; 및 할로겐, 아미노기, 니트릴기, 니트로기, C1~C40의 알킬기, C2~C40의 알케닐기, C1~C40의 알콕시기, C3~C40의 시클로알킬기, C3~C40의 헤테로시클로알킬기, C6~C40의 아릴기 및 C5~C40의 헤테로아릴기로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상의 기로 치환되거나 비치환된 C6~C40의 아릴아민기로 이루어진 군에서 선택되고, R1 and R2 are the same as or different from each other, independently halogen, an amino group, a nitrile group, a nitro group, C 1 ~ alkoxy group of C 40 alkyl group, C 2 ~ C 40 alkenyl group, C 1 ~ C 40 of, C 3 ~ C 40 cycloalkyl group, C 3 ~ C 40 of the heterocycloalkyl group, C 6 ~ C 40 aryl group and a C 5 ~ C 40 substituted with one or more groups selected from the heteroaryl group consisting of or unsubstituted C 6 ~ C 40 aryl group; Halogen, amino group, nitrile group, nitro group, C 1 ~ C 40 alkyl group, C 2 ~ C 40 alkenyl group, C 1 ~ C 40 alkoxy group, C 3 ~ C 40 cycloalkyl group, C 3 ~ C 40 a heterocycloalkyl group, a heteroaryl group of C 6 ~ C 40 aryl group and a C 5 ~ C 40 substituted with one or more groups selected from the group consisting of heteroaryl or unsubstituted C 5 ~ C 40; And halogen, amino group, nitrile group, nitro group, C 1 ~ C 40 alkyl group, C 2 ~ C 40 alkenyl group, C 1 ~ C 40 alkoxy group, C 3 ~ C 40 cycloalkyl group, C 3 ~ C 40 heterocycloalkyl group, C 6 ~ C 40 aryl group and a C 5 ~ C 40 substituted with one or more groups selected from the heteroaryl group consisting of or selected from the group consisting of an aryl amine of the unsubstituted C 6 ~ C 40 , R1 또는 R2가 C1~C40의 알킬기, C2~C40의 알케닐기, C1~C40의 알콕시기, C3~C40의 시클로알킬기, C3~C40의 헤테로시클로알킬기, 아미노기, C6~C40의 아릴기 또는 C5~C40의 헤테로아릴기로 치환된 C6~C40의 아릴기; C1~C40의 알킬기, C2~C40의 알케닐기, C1~C40의 알콕시기, C3~C40의 시클로알킬기, C3~C40의 헤테로시클로알킬기, 아미노기, C6~C40의 아릴기 또는 C5~C40의 헤테로아릴기로 치환된 C5~C40의 헤테로 아릴기; 또는 C1~C40의 알킬기, C2~C40의 알케닐기, C1~C40의 알콕시기, C3~C40의 시클로알킬기, C3~C40의 헤테로시클로알킬기, 아미노기, C6~C40의 아릴기 또는 C5~C40의 헤테로아릴기로 치환된 C6~C40의 아릴아민기인 경우, The R1 or R2 C 1 ~ C 40 alkyl group, C 2 ~ C 40 alkenyl group, C 1 ~ C 40 alkoxy group, C 3 ~ C 40 cycloalkyl group, C 3 ~ C 40 heterocycloalkyl group, an amino group of A C 6 -C 40 aryl group substituted with a C 6 -C 40 aryl group or a C 5 -C 40 heteroaryl group; C 1 ~ C 40 alkyl group, C 2 ~ C 40 alkenyl group, C 1 ~ C 40 alkoxy group, C 3 ~ C 40 cycloalkyl group, C 3 ~ C 40 heterocycloalkyl group, amino group, C 6 ~ a heteroaryl group of C 40 aryl group or C 5 ~ C 40 ~ C 40 substituted with a C 5 heteroaryl; Or C 1 to C 40 alkyl group, C 2 to C 40 alkenyl group, C 1 to C 40 alkoxy group, C 3 to C 40 cycloalkyl group, C 3 to C 40 heterocycloalkyl group, amino group, C 6 ~ C 40 aryl group, or the case of the arylamine group of C 5 ~ C 40 a C 6 ~ C 40 substituted heteroaryl, 상기 C6~C40의 아릴기, C5~C40의 헤테로 아릴기 또는 C6~C40의 아릴아민기에 치환되는 C1~C40의 알킬기, C2~C40의 알케닐기, C1~C40의 알콕시기, C3~C40의 시클로알킬기, C3~C40의 헤테로시클로알킬기, 아미노기, C6~C40의 아릴기 또는 C5~C40의 헤테로아릴기는 할로겐, 아미노기, 니트릴기, 니트로기, C1~C40의 알킬기, C2~C40의 알케닐기, C1~C40의 알콕시기, C3~C40의 시클로알킬기, C3~C40의 헤테로시클로알킬기, C6~C40의 아릴기 및 C5~C40의 헤테로아릴기로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상의 기로 추가로 치환되거나, 인접하는 기와 지방족, 방향족, 헤테로지방족 또는 헤테로방향족의 축합고리를 형성하거나 스피로 결합을 이룰 수 있으며, C 1 ~ C 40 Alkyl group, C 2 ~ C 40 Alkenyl group, C 1 substituted with the C 6 ~ C 40 aryl group, C 5 ~ C 40 hetero aryl group or C 6 ~ C 40 arylamine group C 40 -C 40 alkoxy group, C 3 ~ C 40 cycloalkyl group, C 3 ~ C 40 heterocycloalkyl group, amino group, C 6 ~ C 40 aryl group or C 5 ~ C 40 heteroaryl group is halogen, amino group, a nitrile group, a nitro group, C 1 ~ C 40 alkyl group, C 2 ~ C 40 alkenyl group, C 1 ~ C 40 alkoxy group, C 3 ~ C 40 cycloalkyl group, C 3 ~ heterocycloalkyl group of the C 40 of the Or further substituted with one or more groups selected from the group consisting of C 6 -C 40 aryl groups and C 5 -C 40 heteroaryl groups, or form a condensed ring of an aliphatic, aromatic, heteroaliphatic or heteroaromatic group with an adjacent group; Can be combined, R3 및 R4 중 적어도 하나는 하기 화학식 2의 기이며, At least one of R3 and R4 is a group of formula (2), [화학식 2][Formula 2]
Figure 112012094811336-pat00082
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상기 화학식 2 에 있어서, In Formula 2, R5 및 R6은 서로 같거나 상이하고, 수소; 할로겐, 아미노기, 니트릴기, 니트로기, C1~C40의 알킬기, C2~C40의 알케닐기, C1~C40의 알콕시기, C3~C40의 시클로알킬기, C3~C40의 헤테로시클로알킬기, C6~C40의 아릴기 및 C5~C40의 헤테로아릴기로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상의 기로 치환되거나 비치환된 C1~C40의 알킬기; 할로겐, 아미노기, 니트릴기, 니트로기, C1~C40의 알킬기, C2~C40의 알케닐기, C1~C40의 알콕시기, C3~C40의 시클로알킬기, C3~C40의 헤테로시클로알킬기, C6~C40의 아릴기 및 C5~C40의 헤테로아릴기로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상의 기로 치환되거나 비치환된 C3~C40의 시클로알킬기; 할로겐, 아미노기, 니트릴기, 니트로기, C1~C40의 알킬기, C2~C40의 알케닐기, C1~C40의 알콕시기, C3~C40의 시클로알킬기, C3~C40의 헤테로시클로알킬기, C6~C40의 아릴기 및 C5~C40의 헤테로아릴기로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상의 기로 치환되거나 비치환된 C3~C40의 알케닐기; 할로겐, 아미노기, 니트릴기, 니트로기, C1~C40의 알킬기, C2~C40의 알케닐기, C1~C40의 알콕시기, C3~C40의 시클로알킬기, C3~C40의 헤테로시클로알킬기, C6~C40의 아릴기 및 C5~C40의 헤테로아릴기로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상의 기로 치환되거나 비치환된 C3~C40의 알콕시기; 할로겐, 아미노기, 니트릴기, 니트로기, C1~C40의 알킬기, C2~C40의 알케닐기, C1~C40의 알콕시기, C3~C40의 시클로알킬기, C3~C40의 헤테로시클로알킬기, C6~C40의 아릴기 및 C5~C40의 헤테로아릴기로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상의 기로 치환되거나 비치환된 C3~C40의 아미노기; 할로겐, 아미노기, 니트릴기, 니트로기, C1~C40의 알킬기, C2~C40의 알케닐기, C1~C40의 알콕시기, C3~C40의 시클로알킬기, C3~C40의 헤테로시클로알킬기, C6~C40의 아릴기 및 C5~C40의 헤테로아릴기로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상의 기로 치환되거나 비치환된 C6~C40의 아릴기; 및 할로겐, 아미노기, 니트릴기, 니트로기, C1~C40의 알킬기, C2~C40의 알케닐기, C1~C40의 알콕시기, C3~C40의 시클로알킬기, C3~C40의 헤테로시클로알킬기, C6~C40의 아릴기 및 C5~C40의 헤테로아릴기로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상의 기로 치환되거나 비치환된 C5~C40의 헤테로아릴기로 이루어진 군에서 선택되거나, 인접하는 기와 지방족, 방향족, 헤테로지방족 또는 헤테로방향족의 축합 고리를 형성하거나 스피로 결합을 이룰 수 있으며,R5 and R6 are the same or different from each other and represent hydrogen; Halogen, amino group, nitrile group, nitro group, C 1 ~ C 40 alkyl group, C 2 ~ C 40 alkenyl group, C 1 ~ C 40 alkoxy group, C 3 ~ C 40 cycloalkyl group, C 3 ~ C 40 A C 1 -C 40 alkyl group unsubstituted or substituted with one or more groups selected from the group consisting of a heterocycloalkyl group, a C 6 -C 40 aryl group and a C 5 -C 40 heteroaryl group; Halogen, amino group, nitrile group, nitro group, C 1 ~ C 40 alkyl group, C 2 ~ C 40 alkenyl group, C 1 ~ C 40 alkoxy group, C 3 ~ C 40 cycloalkyl group, C 3 ~ C 40 A C 3 -C 40 cycloalkyl group unsubstituted or substituted with one or more groups selected from the group consisting of a heterocycloalkyl group, a C 6 -C 40 aryl group and a C 5 -C 40 heteroaryl group; Halogen, amino group, nitrile group, nitro group, C 1 ~ C 40 alkyl group, C 2 ~ C 40 alkenyl group, C 1 ~ C 40 alkoxy group, C 3 ~ C 40 cycloalkyl group, C 3 ~ C 40 A C 3 -C 40 alkenyl group unsubstituted or substituted with one or more groups selected from the group consisting of a heterocycloalkyl group, a C 6 -C 40 aryl group and a C 5 -C 40 heteroaryl group; Halogen, amino group, nitrile group, nitro group, C 1 ~ C 40 alkyl group, C 2 ~ C 40 alkenyl group, C 1 ~ C 40 alkoxy group, C 3 ~ C 40 cycloalkyl group, C 3 ~ C 40 A C 3 -C 40 alkoxy group unsubstituted or substituted with one or more groups selected from the group consisting of a heterocycloalkyl group, a C 6 -C 40 aryl group and a C 5 -C 40 heteroaryl group; Halogen, amino group, nitrile group, nitro group, C 1 ~ C 40 alkyl group, C 2 ~ C 40 alkenyl group, C 1 ~ C 40 alkoxy group, C 3 ~ C 40 cycloalkyl group, C 3 ~ C 40 A C 3 -C 40 amino group unsubstituted or substituted with at least one group selected from the group consisting of a heterocycloalkyl group, a C 6 -C 40 aryl group and a C 5 -C 40 heteroaryl group; Halogen, amino group, nitrile group, nitro group, C 1 ~ C 40 alkyl group, C 2 ~ C 40 alkenyl group, C 1 ~ C 40 alkoxy group, C 3 ~ C 40 cycloalkyl group, C 3 ~ C 40 a heterocycloalkyl group, an aryl group, a C 6 ~ C 40 aryl group and a C 5 ~ C 40 substituted with one or more groups selected from the group consisting of heteroaryl or unsubstituted C 6 ~ C 40; And halogen, amino group, nitrile group, nitro group, C 1 ~ C 40 alkyl group, C 2 ~ C 40 alkenyl group, C 1 ~ C 40 alkoxy group, C 3 ~ C 40 cycloalkyl group, C 3 ~ C 40 heterocycloalkyl group, C 6 ~ C 40 aryl group and a C 5 ~ C 40 substituted with one or more groups selected from the heteroaryl group consisting of or or selected from the group consisting of a heteroaryl unsubstituted C 5 ~ C 40 , To form a condensed ring of aliphatic, aromatic, heteroaliphatic or heteroaromatic with adjacent groups or to form a spiro bond, L1은 직접결합이거나; C6~C40의 아릴기 및 C5~C40의 헤테로아릴기로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상의 기로 치환되거나 비치환된 C2~C40의 알케닐렌기; 할로겐, 아미노기, 니트릴기, 니트로기, C1~C40의 알킬기, C2~C40의 알케닐기, C1~C40의 알콕시기, C3~C40의 시클로알킬기, C3~C40의 헤테로시클로알킬기, C6~C40의 아릴기 및 C5~C40의 헤테로아릴기로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상의 기로 치환되거나 비치환된 C6~C40의 아릴렌기; 할로겐, 아미노기, 니트릴기, 니트로기, C1~C40의 알킬기, C2~C40의 알케닐기, C1~C40의 알콕시기, C3~C40의 시클로알킬기, C3~C40의 헤테로시클로알킬기, C6~C40의 아릴기 및 C5~C40의 헤테로아릴기로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상의 기로 치환되거나 비치환된 C5~C40의 헤테로아릴렌기; 및 C1~C40의 알킬기, C2~C40의 알케닐기, C1~C40의 알콕시기, C3~C40의 시클로알킬기, C3~C40의 헤테로시클로알킬기, C6~C40의 아릴기 및 C5~C40의 헤테로아릴기로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상의 기로 치환되거나 비치환된 C6~C40의 아릴아민기로 이루어진 군에서 선택되고, L1 is a direct bond; A C 2 -C 40 alkenylene group unsubstituted or substituted with one or more groups selected from the group consisting of C 6 -C 40 aryl groups and C 5 -C 40 heteroaryl groups; Halogen, amino group, nitrile group, nitro group, C 1 ~ C 40 alkyl group, C 2 ~ C 40 alkenyl group, C 1 ~ C 40 alkoxy group, C 3 ~ C 40 cycloalkyl group, C 3 ~ C 40 a heterocycloalkyl group of the aryl group, C 6 ~ C40 aryl group and a C 5 ~ C 40 substituted with one or more groups selected from the group consisting of heteroaryl or unsubstituted C 6 ~ C 40; Halogen, amino group, nitrile group, nitro group, C 1 ~ C 40 alkyl group, C 2 ~ C 40 alkenyl group, C 1 ~ C 40 alkoxy group, C 3 ~ C 40 cycloalkyl group, C 3 ~ C 40 a heterocycloalkyl group, a heteroaryl group of C 6 ~ C 40 aryl group and a C 5 ~ C 40 substituted with one or more groups selected from the group consisting of heteroaryl or unsubstituted C 5 ~ C 40; And C 1 to C 40 alkyl group, C 2 to C 40 alkenyl group, C 1 to C 40 alkoxy group, C 3 to C 40 cycloalkyl group, C 3 to C 40 heterocycloalkyl group, C 6 to C It is selected from the group consisting of C 6 ~ C 40 arylamine group unsubstituted or substituted with one or more groups selected from the group consisting of 40 aryl group and C 5 ~ C 40 heteroaryl group, Ar1은 하기 화학식 3이며,Ar1 is represented by the following Chemical Formula 3, [화학식 3](3)
Figure 112012094811336-pat00083
Figure 112012094811336-pat00083
상기 화학식 3 에 있어서,In Chemical Formula 3, L2는 직접결합이거나; C6~C40의 아릴기 및 C5~C40의 헤테로아릴기로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상의 기로 치환되거나 비치환된 C2~C40의 알케닐렌기; 할로겐, 아미노기, 니트릴기, 니트로기, C1~C40의 알킬기, C2~C40의 알케닐기, C1~C40의 알콕시기, C3~C40의 시클로알킬기, C3~C40의 헤테로시클로알킬기, C6~C40의 아릴기 및 C5~C40의 헤테로아릴기로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상의 기로 치환되거나 비치환된 C6~C40의 아릴렌기; 할로겐, 아미노기, 니트릴기, 니트로기, C1~C40의 알킬기, C2~C40의 알케닐기, C1~C40의 알콕시기, C3~C40의 시클로알킬기, C3~C40의 헤테로시클로알킬기, C6~C40의 아릴기 및 C5~C40의 헤테로아릴기로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상의 기로 치환되거나 비치환된 C5~C40의 헤테로아릴렌기; 및 C1~C40의 알킬기, C2~C40의 알케닐기, C1~C40의 알콕시기, C3~C40의 시클로알킬기, C3~C40의 헤테로시클로알킬기, C6~C40의 아릴기 및 C5~C40의 헤테로아릴기로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상의 기로 치환되거나 비치환된 C6~C40의 아릴아민기로 이루어진 군에서 선택되고, R7 및 R8은 서로 같거나 상이하고, 수소; 할로겐, 아미노기, 니트릴기, 니트로기, C1~C40의 알킬기, C2~C40의 알케닐기, C1~C40의 알콕시기, C3~C40의 시클로알킬기, C3~C40의 헤테로시클로알킬기, C6~C40의 아릴기 및 C5~C40의 헤테로아릴기로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상의 기로 치환되거나 비치환된 C1~C40의 알킬기; 할로겐, 아미노기, 니트릴기, 니트로기, C1~C40의 알킬기, C2~C40의 알케닐기, C1~C40의 알콕시기, C3~C40의 시클로알킬기, C3~C40의 헤테로시클로알킬기, C6~C40의 아릴기 및 C5~C40의 헤테로아릴기로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상의 기로 치환되거나 비치환된 C3~C40의 시클로알킬기; 할로겐, 아미노기, 니트릴기, 니트로기, C1~C40의 알킬기, C2~C40의 알케닐기, C1~C40의 알콕시기, C3~C40의 시클로알킬기, C3~C40의 헤테로시클로알킬기, C6~C40의 아릴기 및 C5~C40의 헤테로아릴기로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상의 기로 치환되거나 비치환된 C3~C40의 알케닐기; 할로겐, 아미노기, 니트릴기, 니트로기, C1~C40의 알킬기, C2~C40의 알케닐기, C1~C40의 알콕시기, C3~C40의 시클로알킬기, C3~C40의 헤테로시클로알킬기, C6~C40의 아릴기 및 C5~C40의 헤테로아릴기로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상의 기로 치환되거나 비치환된 C3~C40의 알콕시기; 할로겐, 아미노기, 니트릴기, 니트로기, C1~C40의 알킬기, C2~C40의 알케닐기, C1~C40의 알콕시기, C3~C40의 시클로알킬기, C3~C40의 헤테로시클로알킬기, C6~C40의 아릴기 및 C5~C40의 헤테로아릴기로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상의 기로 치환되거나 비치환된 C3~C40의 아미노기; 할로겐, 아미노기, 니트릴기, 니트로기, C1~C40의 알킬기, C2~C40의 알케닐기, C1~C40의 알콕시기, C3~C40의 시클로알킬기, C3~C40의 헤테로시클로알킬기, C6~C40의 아릴기 및 C5~C40의 헤테로아릴기로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상의 기로 치환되거나 비치환된 C6~C40의 아릴기; 및 할로겐, 아미노기, 니트릴기, 니트로기, C1~C40의 알킬기, C2~C40의 알케닐기, C1~C40의 알콕시기, C3~C40의 시클로알킬기, C3~C40의 헤테로시클로알킬기, C6~C40의 아릴기 및 C5~C40의 헤테로아릴기로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상의 기로 치환되거나 비치환된 C5~C40의 헤테로아릴기로 이루어진 군에서 선택되고, R3 및 R4 중 상기 화학식 2가 아닌 것은 상기 R5 및 R6에서 정의되어진 군 중에서 선택된다. L 2 is a direct bond; A C 2 -C 40 alkenylene group unsubstituted or substituted with one or more groups selected from the group consisting of C 6 -C 40 aryl groups and C 5 -C 40 heteroaryl groups; Halogen, amino group, nitrile group, nitro group, C 1 ~ C 40 alkyl group, C 2 ~ C 40 alkenyl group, C 1 ~ C 40 alkoxy group, C 3 ~ C 40 cycloalkyl group, C 3 ~ C 40 a heterocycloalkyl group of the aryl group, C 6 ~ C 40 aryl group and a C 5 ~ C 40 heteroaryl group unsubstituted or substituted with one or more groups selected from the group consisting of unsubstituted C 6 ~ C 40; Halogen, amino group, nitrile group, nitro group, C 1 ~ C 40 alkyl group, C 2 ~ C 40 alkenyl group, C 1 ~ C 40 alkoxy group, C 3 ~ C 40 cycloalkyl group, C 3 ~ C 40 a heterocycloalkyl group, a heteroaryl group of C 6 ~ C 40 aryl group and a C 5 ~ C 40 substituted with one or more groups selected from the group consisting of heteroaryl or unsubstituted C 5 ~ C 40; And C 1 to C 40 alkyl group, C 2 to C 40 alkenyl group, C 1 to C 40 alkoxy group, C 3 to C 40 cycloalkyl group, C 3 to C 40 heterocycloalkyl group, C 6 to C Is selected from the group consisting of C 6 -C 40 arylamine groups unsubstituted or substituted with one or more groups selected from the group consisting of 40 aryl groups and C 5 -C 40 heteroaryl groups, and R7 and R8 are the same as or different from each other; , Hydrogen; Halogen, amino group, nitrile group, nitro group, C 1 ~ C 40 alkyl group, C 2 ~ C 40 alkenyl group, C 1 ~ C 40 alkoxy group, C 3 ~ C 40 cycloalkyl group, C 3 ~ C 40 A C 1 -C 40 alkyl group unsubstituted or substituted with one or more groups selected from the group consisting of a heterocycloalkyl group, a C 6 -C 40 aryl group and a C 5 -C 40 heteroaryl group; Halogen, amino group, nitrile group, nitro group, C 1 ~ C 40 alkyl group, C 2 ~ C 40 alkenyl group, C 1 ~ C 40 alkoxy group, C 3 ~ C 40 cycloalkyl group, C 3 ~ C 40 A C 3 -C 40 cycloalkyl group unsubstituted or substituted with one or more groups selected from the group consisting of a heterocycloalkyl group, a C 6 -C 40 aryl group and a C 5 -C 40 heteroaryl group; Halogen, amino group, nitrile group, nitro group, C 1 ~ C 40 alkyl group, C 2 ~ C 40 alkenyl group, C 1 ~ C 40 alkoxy group, C 3 ~ C 40 cycloalkyl group, C 3 ~ C 40 A C 3 -C 40 alkenyl group unsubstituted or substituted with one or more groups selected from the group consisting of a heterocycloalkyl group, a C 6 -C 40 aryl group and a C 5 -C 40 heteroaryl group; Halogen, amino group, nitrile group, nitro group, C 1 ~ C 40 alkyl group, C 2 ~ C 40 alkenyl group, C 1 ~ C 40 alkoxy group, C 3 ~ C 40 cycloalkyl group, C 3 ~ C 40 A C 3 -C 40 alkoxy group unsubstituted or substituted with one or more groups selected from the group consisting of a heterocycloalkyl group, a C 6 -C 40 aryl group and a C 5 -C 40 heteroaryl group; Halogen, amino group, nitrile group, nitro group, C 1 ~ C 40 alkyl group, C 2 ~ C 40 alkenyl group, C 1 ~ C 40 alkoxy group, C 3 ~ C 40 cycloalkyl group, C 3 ~ C 40 A C 3 -C 40 amino group unsubstituted or substituted with at least one group selected from the group consisting of a heterocycloalkyl group, a C 6 -C 40 aryl group and a C 5 -C 40 heteroaryl group; Halogen, amino group, nitrile group, nitro group, C 1 ~ C 40 alkyl group, C 2 ~ C 40 alkenyl group, C 1 ~ C 40 alkoxy group, C 3 ~ C 40 cycloalkyl group, C 3 ~ C 40 a heterocycloalkyl group, an aryl group, a C 6 ~ C 40 aryl group and a C 5 ~ C 40 substituted with one or more groups selected from the group consisting of heteroaryl or unsubstituted C 6 ~ C 40; And halogen, amino group, nitrile group, nitro group, C 1 ~ C 40 alkyl group, C 2 ~ C 40 alkenyl group, C 1 ~ C 40 alkoxy group, C 3 ~ C 40 cycloalkyl group, C 3 ~ C 40 heterocycloalkyl group, C 6 ~ C 40 aryl group and a C 5 ~ C 40 substituted with one or more groups selected from the heteroaryl group consisting of or selected from the group consisting of a heteroaryl unsubstituted C 5 ~ C 40 Of R3 and R4, the non-formula 2 is selected from the group defined in R5 and R6.
청구항 1에 있어서, 상기 화학식 1의 R1 및 R2는 동일한 아릴기인 것인 화합물. The compound of claim 1, wherein R 1 and R 2 in Formula 1 are the same aryl group. 청구항 1에 있어서, 상기 화학식 1의 R1 및 R2는 동일한 헤테로아릴기인 것인 화합물. The compound of claim 1, wherein R 1 and R 2 in Formula 1 are the same heteroaryl group. 청구항 1에 있어서, 상기 화학식 1의 R1 및 R2는 동일한 아릴기 또는 헤테로아릴기로 치환된 아미노기인 것인 화합물. The compound of claim 1, wherein R 1 and R 2 of Formula 1 are amino groups substituted with the same aryl group or heteroaryl group. 청구항 1에 있어서, 상기 화학식 1의 R1 및 R2는 독립적으로 하기 구조식으로 이루어진 군으로부터 선택되는 것인 화합물:The compound of claim 1, wherein R 1 and R 2 of Formula 1 are independently selected from the group consisting of
Figure 112006058409220-pat00084
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상기 구조식에서 Z1 내지 Z3은 서로 같거나 상이하고, 수소; 할로겐, 아미노기, 니트릴기, 니트로기, C1~C40의 알킬기, C2~C40의 알케닐기, C1~C40의 알콕시기, C3~C40의 시클로알킬기, C3~C40의 헤테로시클로알킬기, C6~C40의 아릴기 및 C5~C40의 헤테로아릴기로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상의 기로 치환되거나 비치환된 C1~C40의 알킬기; 할로겐, 아미노기, 니트릴기, 니트로기, C1~C40의 알킬기, C2~C40의 알케닐기, C1~C40의 알콕시기, C3~C40의 시클로알킬기, C3~C40의 헤테로시클로알킬기, C6~C40의 아릴기 및 C5~C40의 헤테로아릴기로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상의 기로 치환되거나 비치환된 C3~C40의 시클로알킬기; 할로겐, 아미노기, 니트릴기, 니트로기, C1~C40의 알킬기, C2~C40의 알케닐기, C1~C40의 알콕시기, C3~C40의 시클로알킬기, C3~C40의 헤테로시클로알킬기, C6~C40의 아릴기 및 C5~C40의 헤테로아릴기로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상의 기로 치환되거나 비치환된 C3~C40의 알케닐기; 할로겐, 아미노기, 니트릴기, 니트로기, C1~C40의 알킬기, C2~C40의 알케닐기, C1~C40의 알콕시기, C3~C40의 시클로알킬기, C3~C40의 헤테로시클로알킬기, C6~C40의 아릴기 및 C5~C40의 헤테로아릴기로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상의 기로 치환되거나 비치환된 C3~C40의 알콕시기; 할로겐, 아미노기, 니트릴기, 니트로기, C1~C40의 알킬기, C2~C40의 알케닐기, C1~C40의 알콕시기, C3~C40의 시클로알킬기, C3~C40의 헤테로시클로알킬기, C6~C40의 아릴기 및 C5~C40의 헤테로아릴기로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상의 기로 치환되거나 비치환된 C3~C40의 아미노기; 할로겐, 아미노기, 니트릴기, 니트로기, C1~C40의 알킬기, C2~C40의 알케닐기, C1~C40의 알콕시기, C3~C40의 시클로알킬기, C3~C40의 헤테로시클로알킬기, C6~C40의 아릴기 및 C5~C40의 헤테로아릴기로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상의 기로 치환되거나 비치환된 C6~C40의 아릴기; 및 할로겐, 아미노기, 니트릴기, 니트로기, C1~C40의 알킬기, C2~C40의 알케닐기, C1~C40의 알콕시기, C3~C40의 시클로알킬기, C3~C40의 헤테로시클로알킬기, C6~C40의 아릴기 및 C5~C40의 헤테로아릴기로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상의 기로 치환되거나 비치환된 C5~C40의 헤테로아릴기로 이루어진 군에서 선택되거나, 인접하는 기와 지방족, 방향족, 헤테로지방족 또는 헤테로방향족의 축합 고리를 형성하거나 스피로 결합을 이룰 수 있다.Z 1 to Z 3 in the structural formulas are the same as or different from each other, and hydrogen; Halogen, amino group, nitrile group, nitro group, C 1 ~ C 40 alkyl group, C 2 ~ C 40 alkenyl group, C 1 ~ C 40 alkoxy group, C 3 ~ C 40 cycloalkyl group, C 3 ~ C 40 A C 1 -C 40 alkyl group unsubstituted or substituted with one or more groups selected from the group consisting of a heterocycloalkyl group, a C 6 -C 40 aryl group and a C 5 -C 40 heteroaryl group; Halogen, amino group, nitrile group, nitro group, C 1 ~ C 40 alkyl group, C 2 ~ C 40 alkenyl group, C 1 ~ C 40 alkoxy group, C 3 ~ C 40 cycloalkyl group, C 3 ~ C 40 A C 3 -C 40 cycloalkyl group unsubstituted or substituted with one or more groups selected from the group consisting of a heterocycloalkyl group, a C 6 -C 40 aryl group and a C 5 -C 40 heteroaryl group; Halogen, amino group, nitrile group, nitro group, C 1 ~ C 40 alkyl group, C 2 ~ C 40 alkenyl group, C 1 ~ C 40 alkoxy group, C 3 ~ C 40 cycloalkyl group, C 3 ~ C 40 A C 3 -C 40 alkenyl group unsubstituted or substituted with one or more groups selected from the group consisting of a heterocycloalkyl group, a C 6 -C 40 aryl group and a C 5 -C 40 heteroaryl group; Halogen, amino group, nitrile group, nitro group, C 1 ~ C 40 alkyl group, C 2 ~ C 40 alkenyl group, C 1 ~ C 40 alkoxy group, C 3 ~ C 40 cycloalkyl group, C 3 ~ C 40 A C 3 -C 40 alkoxy group unsubstituted or substituted with one or more groups selected from the group consisting of a heterocycloalkyl group, a C 6 -C 40 aryl group and a C 5 -C 40 heteroaryl group; Halogen, amino group, nitrile group, nitro group, C 1 ~ C 40 alkyl group, C 2 ~ C 40 alkenyl group, C 1 ~ C 40 alkoxy group, C 3 ~ C 40 cycloalkyl group, C 3 ~ C 40 A C 3 -C 40 amino group unsubstituted or substituted with at least one group selected from the group consisting of a heterocycloalkyl group, a C 6 -C 40 aryl group and a C 5 -C 40 heteroaryl group; Halogen, amino group, nitrile group, nitro group, C 1 ~ C 40 alkyl group, C 2 ~ C 40 alkenyl group, C 1 ~ C 40 alkoxy group, C 3 ~ C 40 cycloalkyl group, C 3 ~ C 40 a heterocycloalkyl group, an aryl group, a C 6 ~ C 40 aryl group and a C 5 ~ C 40 substituted with one or more groups selected from the group consisting of heteroaryl or unsubstituted C 6 ~ C 40; And halogen, amino group, nitrile group, nitro group, C 1 ~ C 40 alkyl group, C 2 ~ C 40 alkenyl group, C 1 ~ C 40 alkoxy group, C 3 ~ C 40 cycloalkyl group, C 3 ~ C 40 heterocycloalkyl group, C 6 ~ C 40 aryl group and a C 5 ~ C 40 substituted with one or more groups selected from the heteroaryl group consisting of or or selected from the group consisting of a heteroaryl unsubstituted C 5 ~ C 40 It may form a condensed ring of aliphatic, aromatic, heteroaliphatic or heteroaromatic with an adjacent group or form a spiro bond.
청구항 1에 있어서, 상기 화학식 2 의 R5 및 R6 중 적어도 하나는 수소인 것인 화합물.The compound of claim 1, wherein at least one of R5 and R6 of Formula 2 is hydrogen. 청구항 1에 있어서, 상기 알킬기는 메틸기, 에틸기, 프로필기, 이소프로필기, 부틸기, t-부틸기, 펜틸기, 헥실기 또는 헵틸기이고, 상기 시클로알킬기는 시클로펜틸기 또는 시클로헥실기이며, 상기 알케닐기로는 스틸베닐기(stylbenyl) 또는 스티레닐기(styrenyl)이고, 상기 아릴기는 페닐기, 나프틸기, 안트라세닐기, 비페닐기, 파이레닐기 또는 페릴렌기이며, 상기 아릴아민기는 페닐아민, 나프틸아민, 비페닐아민, 안트라세닐아민, 3-메틸-페닐아민, 4-메틸-나프틸아민, 2-메틸-비페닐아민, 9-메틸-안트라세닐아민, 디페닐 아민기, 페닐 나프틸 아민기, 디톨릴 아민기, 페닐 톨릴 아민기, 카바졸 또는 트리페닐 아민기이고, 상기 헤테로고리기는 피리딜기, 비피리딜기, 트리아진기, 아크리딜기, 티오펜기, 퓨란기, 이미다졸기, 옥 사졸기, 티아졸기, 트리아졸기, 퀴놀리닐기 또는 이소퀴놀린기이며, 상기 할로겐기는 불소, 염소, 브롬 또는 요오드인 화합물.The method according to claim 1, wherein the alkyl group is a methyl group, ethyl group, propyl group, isopropyl group, butyl group, t-butyl group, pentyl group, hexyl group or heptyl group, the cycloalkyl group is cyclopentyl group or cyclohexyl group, The alkenyl group is a stilbenyl group or a styrenyl group, the aryl group is a phenyl group, a naphthyl group, anthracenyl group, a biphenyl group, a pyrenyl group or a perylene group, and the arylamine group is a phenylamine, Naphthylamine, biphenylamine, anthracenylamine, 3-methyl-phenylamine, 4-methyl-naphthylamine, 2-methyl-biphenylamine, 9-methyl-anthracenylamine, diphenyl amine group, phenyl naph A methyl amine group, a totolyl amine group, a phenyl tolyl amine group, a carbazole or a triphenyl amine group, and the heterocyclic group is a pyridyl group, a bipyridyl group, a triazine group, an acridil group, a thiophene group, a furan group, an imida Dozing, oxazole, thiazole, triazole, quinone The compound Li group or an isoquinoline group, and the halogen group is fluorine, chlorine, bromine or iodine. 청구항 1에 있어서, 상기 치환된 C2-C40의 알케닐렌기는 C1-C40의 알킬기, C2-C40의 알케닐기, C2-C40의 알키닐기, C1-C40의 알콕시기, C6-C40의 아릴기 및 C3-C40의 헤테로아릴기로 이루어진 군에서 선택되는 1 이상의 기로 치환된 것인 화합물.The substituted C 2 -C 40 alkenylene group of claim 1, wherein the substituted C 2 -C 40 alkenylene group is C 1 -C 40 alkyl group, C 2 -C 40 alkenyl group, C 2 -C 40 alkynyl group, C 1 -C 40 alkoxy A compound substituted with at least one group selected from the group consisting of a group, a C 6 -C 40 aryl group and a C 3 -C 40 heteroaryl group. 제1 전극, 제2 전극, 및 상기 제1 전극과 제2 전극 사이에 배치된 1층 이상의 유기물층을 포함하는 유기전자소자로서, 상기 유기물층 중 1 층 이상은 청구항 1의 화합물을 포함하는 것인 유기전자소자. An organic electronic device comprising a first electrode, a second electrode, and at least one organic material layer disposed between the first electrode and the second electrode, wherein at least one of the organic material layers includes the compound of claim 1 Electronic devices. 청구항 9에 있어서, 상기 유기전자소자는 유기발광소자, 유기태양전지, 유기감광체(OPC) 드럼 및 유기 트랜지스터로 이루어진 군에서 선택되는 것인 유기전자소자. The organic electronic device of claim 9, wherein the organic electronic device is selected from the group consisting of an organic light emitting device, an organic solar cell, an organic photoconductor (OPC) drum, and an organic transistor. 청구항 9에 있어서, 상기 유기전자소자는 유기발광소자인 것인 유기전자소자. The organic electronic device of claim 9, wherein the organic electronic device is an organic light emitting device. 청구항 11에 있어서, 상기 유기발광소자는 기판상에 양극, 1층 이상의 유기 물층 및 음극이 순차적으로 적층된 정방향 구조의 유기발광소자인 것인 유기전자소자. The organic electronic device of claim 11, wherein the organic light emitting device is an organic light emitting device having a forward structure in which an anode, at least one organic layer, and a cathode are sequentially stacked on a substrate. 청구항 11에 있어서, 상기 유기발광소자는 기판상에 음극, 1층 이상의 유기물층 및 양극이 순차적으로 적층된 역방향 구조의 유기발광소자인 것인 유기전자소자. [Claim 12] The organic electronic device of claim 11, wherein the organic light emitting device is an organic light emitting device having a reverse structure in which a cathode, one or more organic layers and an anode are sequentially stacked on a substrate. 청구항 11에 있어서, 상기 유기발광소자의 유기물층은 정공주입층, 정공수송층, 발광층, 및 전자주입 및 수송층를 포함하는 것인 유기전자소자. The organic electronic device of claim 11, wherein the organic material layer of the organic light emitting device includes a hole injection layer, a hole transport layer, a light emitting layer, and an electron injection and transport layer. 청구항 11에 있어서, 상기 유기발광소자의 유기물층은 발광층을 포함하고, 이 발광층이 청구항 1 내지 청구항 8의 화합물을 포함하는 것인 유기전자소자.The organic electronic device of claim 11, wherein the organic material layer of the organic light emitting device includes a light emitting layer, and the light emitting layer includes the compound of claim 1. 청구항 11에 있어서, 상기 유기발광소자의 유기물층은 전자수송 및/또는 주입층을 포함하고, 이 층이 청구항 1의 화합물을 포함하는 것인 유기전자소자.The organic electronic device of claim 11, wherein the organic material layer of the organic light emitting device includes an electron transport and / or injection layer, and the layer includes the compound of claim 1.
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