KR20080015331A - 듀플렉서 - Google Patents

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KR20080015331A
KR20080015331A KR1020060076889A KR20060076889A KR20080015331A KR 20080015331 A KR20080015331 A KR 20080015331A KR 1020060076889 A KR1020060076889 A KR 1020060076889A KR 20060076889 A KR20060076889 A KR 20060076889A KR 20080015331 A KR20080015331 A KR 20080015331A
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이만형
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엘지이노텍 주식회사
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Abstract

본 발명에 의한 듀플렉서는 송신단으로부터 전달된 신호를 필터링하여 안테나단으로 전달하는 송신필터; 상기 안테나단에서 수신된 신호를 필터링하여 수신단으로 전달하는 수신필터; 상기 수신필터의 입력단 및 상기 송신필터의 출력단 사이에 연결되어 송신신호 및 수신신호를 격리시키는 위상천이기; 상기 송신필터의 출력단에 구비되는 제1집중소자; 및 상기 수신필터의 입력단에 구비되는 제2집중소자를 포함한다. 또한, 상기 송신필터, 수신필터, 위상천이기, 집중소자들은 단일 패키지칩으로 구성된다.
본 발명에 의하면, 구성 부품의 개수 및 사이즈를 최소화함으로써 다층 구조의 PCB상에서 이루어지는 부품 배치의 한계를 극복할 수 있는 효과가 있다. 또한, 분포소자의 크기는 최소화하고, 능동소자는 온칩(On-chip)형으로 구현함으로써 프론트앤드모듈의 전체 사이즈를 감소시키고 이동통신단말기의 슬림화를 이룰 수 있으며, 공정의 단순화, 재료비의 절감 효과를 얻을 수 있다.

Description

듀플렉서{Duplexer}
도 1은 종래의 듀플렉서의 구성 요소를 개략적으로 도시한 블록도.
도 2는 본 발명의 실시예에 의한 듀플렉서가 적용된 프론트앤드모듈의 구성 요소를 개략적으로 도시한 회로블록도.
도 3은 종래 위상천이기의 연결 구성을 간략히 도시한 회로도.
도 4는 본 발명에 의한 위상천이기가 집중소자와 연결되는 구성을 간략히 도시한 회로도.
〈도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명〉
100: 프론트앤드모듈 120: 듀플렉서
121: 위상천이기(PSN) 122: 제1집중소자
123: 제2집중소자 124: 송신필터
125: 수신필터 140: 매칭회로부
160: 전력증폭모듈(PAM)
본 발명은 격리구조가 개선된 듀플렉서(Duplexer)에 관한 것이다.
이동통신기기에 대표적으로 사용되는 듀플렉서(Duplexer)는 안테나 초단에 위치하는 핵심 수동 부품으로서, 공중파 신호를 송/수신의 양대역으로 동시에 선택적으로 전달하는 주파수 필터링 소자를 의미한다.
즉, 듀플렉서는 하나의 안테나를 공유하여 송/수신 전파의 상호 간섭에 영향받지 않고 효율적으로 전파를 방사시킬수 있으므로 듀플렉서에 연결된 송신장치가 송신중이라도 수신장치도 함께 수신이 가능하도록 한다.
이러한 듀플렉서의 구성을 살펴보면 다음과 같다.
도 1은 종래의 듀플렉서의 구성 요소(10)를 개략적으로 도시한 블록도이다.
도 1에 의하면, 종래의 듀플렉서(10)는 크게 위상천이기(16), 송신필터(12) 및 수신필터(14)를 포함하여 이루어지는데, 송신필터(12)는 송신단으로부터 전달된 신호를 안테나단으로 전송하는 역할을 하고, 수신필터(14)는 안테나단으로부터 수신된 신호를 수신단으로 전달하는 역할을 한다.
상기 송신필터(12)와 수신필터(14)는 쏘우(SAW; Surface Acoustic Wave) 필터로 구비될 수 있는데, 쏘우 필터는 압전체 상에 전기적인 입력 신호를 기계적인 진동으로 변환시키는 입력 변환기와, 이와 대응되게 기계적인 진동을 전기적인 신호로 변환하여 부하로 출력시키는 출력 변환기로 이루어지고, 입력 변환기와 출력 변환기는 빗살 형태의 알루미늄 전극이 서로 소정거리 이격되는 구조를 가진다.
이와 같이, 상기 송신필터(12)와 수신필터(14)가 쏘우 필터로 구현되는 경우, 보통 고주파 성능이 우수한 저온 동시 소성 세라믹(LTCC) 기판에 적층되어 패키지 형태로 제작된다.
듀플렉서(10)에서, 송신시는 불요의 수신신호가 임피던스 무한대로 되어 완전 격리가 이루어져야 하고 반대로 수신시에는 불요의 송신신호가 임피던스 무한대가 되어 완전 격리가 이루어져야 하는데, 일반적인 듀플렉서 설계 기법에 따른 경우, 필터의 설계 구조상 수신 대역에서는 송신필터(12)의 임피던스가 거의 무한대에 있기 때문에 상기 조건을 만족하지만, 송신 대역에서는 수신 필터(14)의 임피던스가 단락에 가까울 정도로 낮게 형성되어 있기 때문에 완전 격리가 이루어지지 않는다.
따라서, 수신필터(14)의 안테나 단자측에 위상천이기(16)가 구비된다.
상기 위상천이기(16)는 송수신 주파수에 전기적 혹은 물리적으로 위상(Phase) 차이를 발생시켜 송신대역에서의 수신필터(14) 상의 임피던스를 거의 무한대로 이동시켜줌으로써 듀플렉서(10)의 양방향 통신을 가능하게 하는데, 예를 들면 인덕터, 커패시터와 같은 집중소자(Lumped element)를 이용하여 전기적으로 위상차이를 발생시키거나 스트립라인(분포소자(Distributed element)의 물리적 길이를 바꿈으로써 위상 차이를 발생시킨다.
일반적으로, 대부분의 위상천이기(16)는 스트립라인을 이용하여 구현되며, PCS 대역에 이용되는 경우 50Ω의 임피던스를 유지하기 위하여 "λ/4" 길이를 가진다. 여기서, "λ/4"는 약 22mm의 길이를 의미하고 또한 약 90°의 위상차를 가진다고 해석될 수 있다.
이러한 경우, 다층 PCB(Printed Circuit Board)에 구성되는 상기 스트립라인은 그 길이로 인하여 여러 번 꼬아서 배치되는 등 내층 배치에 어려움을 가지게 된 다. 또한, 상기 스트립라인으로 인하여 듀플렉서를 이루는 회로소자와 비아홀의 배치도 어렵게 되므로 듀플렉서의 크기를 소형화하기에 제약이 따른다.
따라서, 전술한 구조를 가지는 듀플렉서(10)가 CDMA(Code Division Multiple Access)용 FEM(Front End Module; 다이플렉서(Diplexer), 듀플렉서 등의 RF 핵심부품을 하나의 모듈에 구성하여 그 크기를 최소화한 복합부품)에 적용되는 경우 상기 FEM의 사이즈를 최소화하는데 큰 장애로 작용되게 된다.
또한, 전술한 바와 같이 커패시터 및 인덕터와 같은 집중소자를 이용하여 위상천이기를 구현하면 사이즈의 소형화가 가능해지는 반면, 듀플렉서 제품을 생산함에 있어 생산 공정이 추가되고 전자 부품이 많이 소요되므로 생산 비용이 증가하는 문제점이 따른다.
그리고, 다층 구조의 기판 상에 듀플렉서를 구현하는 경우, 쏘우 필터(혹은 보우 필터)의 제조 공법 상, 상기 송신필터, 수신필터 및 위상천이기를 하나의 패키지 공정으로 제작하는 것은 불가능하므로, 송신필터와 수신필터는 별도의 칩으로 제작하여 기판 상에 접착/본딩/리플로두 솔더링 공정을 통하여 실장하고, 위상천이기 역시 내층에 위치되는 스트립라인의 형태로 개별 실장된다.
이러한 경우, 듀플렉서 모듈의 소형화에 한계가 생기고, 공정이 복잡해지며, 내구성이 저하되는 등의 문제점이 있다.
본 발명은 위상천이기의 구조를 개선함으로써 사이즈를 최소화시킬 수 있는 듀플렉서를 제공한다.
본 발명은 전체 임피던스 수치를 유지함에 있어서 제한된 개수의 집중소자 및 그 길이를 최소화한 분포소자를 조합적으로 이용함으로써, 부품 배치의 한계를 극복하고 단일 패키지 형태로 구현할 수 있는 듀플렉서를 제공한다.
본 발명에 의한 듀플렉서는 송신단으로부터 전달된 신호를 필터링하여 안테나단으로 전달하는 송신필터; 상기 안테나단에서 수신된 신호를 필터링하여 수신단으로 전달하는 수신필터; 상기 수신필터의 입력단 및 상기 송신필터의 출력단 사이에 연결되어 송신신호 및 수신신호를 격리시키는 위상천이기; 상기 송신필터의 출력단에 구비되는 제1집중소자; 및 상기 수신필터의 입력단에 구비되는 제2집중소자를 포함한다.
또한, 본 발명에 의한 듀플렉서의 상기 위상천이기는 스트립라인으로 구비되고, 상기 제1집중소자 및 제2집중소자는 커패시터로 구비되며, 상기 스트립라인의 길이는 "(λ/2π)×COS-1(2π×주파수대역×상기 커패시터 용량×전체 임피던스)" 의 등가식에 의하여 조정된다.
또한, 본 발명에 의한 듀플렉서의 상기 송신필터, 수신필터, 위상천이기, 제1집중소자 및 제2집중소자는 단일 패키지칩으로 구성된다.
이하에서 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예에 의한 듀플렉서에 대하여 상세히 설명하는데, 상기 듀플렉서가 적용된 프론트앤드모듈과 함께 설명하기로 한다.
도 2는 본 발명의 실시예에 의한 듀플렉서(120)가 적용된 프론트앤드모듈(이 하에서, "본 발명에 의한 프론트앤드모듈"이라 한다)(100)의 구성 요소를 개략적으로 도시한 회로블록도이다.
도 2에 의하면, 본 발명에 의한 프론트앤드모듈(100)은 전력증폭모듈(PAM; Power Amplifier Module)(160), 매칭회로부(140) 및 듀플렉서(120)를 포함하여 이루어지는데, 상기 듀플렉서(120)는 송신필터(124), 수신필터(125), 제1집중소자(122), 제2집중소자(123) 및 위상천이기(PSN; Phase Shift Network)(121)를 포함한다.
본 발명의 실시예를 설명함에 있어서, 설명의 편의를 위하여 상기 듀플렉서(120)는 PCS 대역의 주파수를 처리하고, 유전율이 4.3이며 6 mils의 유전체 두께를 가지는 기판이 사용된 것으로 한다.
상기 송신필터(124)와 수신필터(125)는 쏘우(SAW) 필터 또는 보우(BAW; Bulk Acoustic Wave) 필터로 구비될 수 있는데, 보우 필터는 실리콘 기판 상에서 수직 방향으로 공명 진동을 일으키는 압전 박막 필름(A1-N)을 약 2 마이크로 미터 높이의 에어갭 위에 이중 격자 구조로 연결시킨 필터 기술을 지칭한다.
보우 필터는 쏘우 필터에 비하여 삽입 손실이 적고, 리플이 약 0.3dB 정도로 낮은 점 등 보다 뛰어난 RF 신호 처리 특성을 가진다.
이러한 구조를 가지는 상기 듀플렉서(120)는 상기 유전체에 따라 내부 전자기파의 반응을 가지므로 SAW(Surface Acoutic Wave; 표면탄성파) 듀플렉서 또는 보우 듀플렉서라고 불리기도 한다.
상기 송신필터(124)는 매칭회로부(140)로부터 전달된 신호를 안테나단으로 전송하는 역할을 수행하고, 상기 수신필터(125)는 안테나단을 통하여 전송된 신호를 수신단으로 전달하는 역할을 수행한다.
도 2를 참조하면, 안테나단으로부터 분기된 제1선로 중 일측의 제1선로는 송신필터(124)와 연결되고, 타측의 제1선로는 위상천이기(121)를 경유하여 수신필터(125)와 연결된다.
또한, 안테나단으로부터 분기된 제2선로 중 일측의 제2선로는 송신필터(124)와 연결되고, 타측의 제2선로는 위상천이기(121)를 경유하여 수신필터(125)와 연결된다.
즉, 상기 송신필터(124)와 수신필터(125)는 각각 2개씩의 입력단과 출력단을 가지는데, 상기 송신필터(124)가 안테나단과 연결되는 제1선로와 제2선로 사이에 제1집중소자(122)가 병렬로 연결되고, 상기 수신필터(125)가 위상천이기(121)와 연결되는 제1선로와 제2선로 사이에 제2집중소자(123)가 병렬로 연결된다.
본 발명의 실시예에서, 상기 제1집중소자(122) 및 제2집중소자(123)는 커패시터로 구비되는데, 상기 위상천이기(121)는 사이즈가 조정되어 소정의 임피던스 수치를 가지는 분포소자로 구비되고, 상기 제1집중소자(122) 및 제2집중소자(123)가 위상천이기(121)의 사이즈에 대응하여 정전용량이 차별화됨으로써 전체 임피던스 수치를 유지시키게 된다.
이렇게, 상기 제1집중소자(122) 및 제2집중소자(123)의 수치에 반비례하여 위상천이기(121)의 길이가 조정되므로 본 발명에 의한 듀플렉서(120)에 구비되는 위상천이기(121)는 종래에 비하여 그 길이가 크게 짧아질 수 있다.
상기 전력증폭모듈(160)은 베이스밴드단으로부터 전달된 신호를, 안테나를 통하여 송출될 수 있는 크기의 신호로 증폭시키고, 상기 매칭회로부(140)는 전력증폭모듈(160)과 듀플렉서(120) 사이의 임피던스를 정합시키는 기능을 수행한다.
이하에서 첨부된 도면을 참조하여 본 발명에 의한 위상천이기(121)를 설계하는 방법에 대하여 상세히 설명하기로 한다.
도 3은 종래 위상천이기(16)의 연결 구성을 간략히 도시한 회로도이고, 도 4는 본 발명에 의한 위상천이기(121)가 집중소자(122, 123)와 연결되는 구성을 간략히 도시한 회로도이다.
도 3에 도시된 종래의 위상천이기(16)는 "50Ω"의 임피던스(Z0)를 형성하기 위하여 "λ/4"의 길이(L0)를 가지는 스트립라인으로 구현된다. 여기서, 상기 위상천이기(16)가 1.9 GHz의 주파수 신호를 처리한다고 가정하면, 상기 "λ"는 약 88mm의 수치를 가지게 되고 따라서 상기 스트립라인은 약 22mm의 길이로 구현된다.
이는 상기 스트립라인에 의하여 송/수신 주파수간에 약 90°의 위상차(θ0)가 생김을 의미한다.
이에 반하여, 도 4에 의하면 본 발명에 의한 위상천이기(121)는 전술한 바와 같이 병렬회로를 구성하는 두 개의 집중소자(커패시터; 122, 123)를 통하여 종래의 위상천이기(16)에 비하여 그 길이가 약 1/2로 줄어든다.
도 2 및 도 4에 의하면, 상기 집중소자(122, 123)는 2개의 커패시터로 구비되는 것으로 도시되었으나, 경우에 따라 차별화된 정전 용량을 가지는 다양한 개수 의 커패시터로 구비될 수도 있다.
그러나, 스트립라인의 길이가 짧아진다고 하여 커패시터의 개수가 지나치게 많아지면 오히려 사이즈가 증가되는 경우가 발생될 수 있으므로, 이하에서 설명될 등가회로의 수치 해석을 통하여 스트립라인의 길이와 커패시터의 개수가 정해지는 것이 바람직하다.
따라서, 본 발명에 의하면, 최소 개수의 집중소자 및 내층 배치가 용이하고 소형화에 가장 부합되는 길이의 스트립라인으로 구성되는 위상천이기(121)를 구현할 수 있게 된다.
도 3에서 언급된 조건에서 동일한 임피던스 수치를 가지는 집중소자(122, 123) 및 위상천이기(스트립라인; 121)의 등가 회로(도 4)를 구성하기 위하여 회로를 수치해석하면 다음과 같다.
cos (β×L) = ω×C×Za×sin(β×L)
(참고로, 상기 수학식 1은, "L=1/β×cos-1(ω×C×Za)"의 식으로 치환 가능함)여기서, β= 2π/λ,
L = 본 발명에 의한 위상천이기(스트립라인)(121)의 길이,
ω= 2π×f(:처리되는 신호의 주파수 대역),
C = 상기 집중소자(커패시터)(122, 123)의 정전 용량,
Za = 도 4에 도시된 스트립라인(121)의 임피던스를 의미한다.
Za×sin(β×L) = Z0 = 50Ω
여기서, Z0 = 도 3에 도시된 스트립라인(16)이 가지는 임피던스 수치를 의미한다.
상기 수식 2를 상기 수식 1에 대입하면, 다음의 수식 3이 도출된다.
cos (β×L) = ω×C×Z0
최종적으로, 수식 3은 "L = (1/ β)×cos-1(ω×C×Z0)의 등가식으로 정리된다.
따라서, 도 3을 참조하여 전술한 바와 같이, 상기 커패시터(122, 123)의 용량은 1피코(pico)이고, 상기 위상천이기(121)는 PCS 대역의 1.9 GHz 주파수를 처리하는 것으로 하며, 상기 위상천이기(121)는 유전율이 4.3이고, 전체 임피던스가 50Ω을 형성한다고 가정하면, 상기 수식 3에 의하여 상기 스트립라인(121)의 길이(L)는 다음과 같이 계산된다.
L = (λ/2π)cos-1(2π×1.9×109×1×10-12×50)
상기 수식 4를 계산하면 상기 스트립라인(121)에서의 위상각 θ는 51°로 형성되고, 그 길이는 약 12.64mm 로 줄어듦을 확인할 수 있다.
따라서, 본 발명에 의한 위상천이기(121)에 이용되는 상기 스트립라인의 길이는 절반 수준으로 감소되고 전체 임피던스는 커패시터(122, 123)로 보상됨으로써 비아 홀 및 구성 부품의 내층 배치가 용이해진다.
또한, 본 발명에 의한 위상천이기(121)의 임피던스는 다음과 같이 계산될 수 있다.
Figure 112006058000812-PAT00001
이상에서 예시된 바와 같이, 본 발명에 의한 위상천이기(121)는 LTCC(Low Temperature Co-fired Ceramic; 800∼1000℃ 정도의 저온에서 세라믹과 금속의 동시 소성 방식으로 형성되는 기판) 기술, HTCC(High Temperature Co-fired Ceramic)-PKG(package) 기술, CSP(Chip Size Package; 고집적화가 가능한 반도체 실장용 패키지 기판) 기술 등에 적용됨에 있어 그 사이즈를 획기적으로 줄일 수 있게 된다.
한편, 상기 송신필터(124), 수신필터(125), 위상천이기(121), 제1집중소자(122) 및 제2집중소자(123)는 단일 패키지칩으로 구성될 수 있는데, 기판에는 송신필터(124)와 수신필터(125)가 플립칩본딩되기 위하여 다이 영역에 범프(금, 구리, 알루미늄 또는 이들의 합금으로 이루어진 것으로 기판 상의 배선과 쏘우필터(124, 125)를 연결하는데 사용됨)가 형성된다.
상기 쏘우필터로 구비되는 송신필터(124)와 수신필터(125)는 기판 표면 근처 또는 표면을 따라 탄성파를 전파시키는 활성화 영역을 가지며, 이러한 활성화 영역은 표면 상태에 따라 매우 민감한 영향을 받는다. 물리적 충격을 방지하고 에어갭을 형성하기 위하여 프로텍터(Protector)가 필터의 실장 영역에 부착되는 것이 바람직하다.
상기 필터(124, 125)가 기판의 다이 영역에 플립칩본딩되면 압전체 기판상의 표면파 전송을 위한 에어 캐비티(Air cavity)를 확보하기 위하여 칩 가장자리에 언더필 재료가 도포되고 경화처리되어 언더필 영역이 형성된다.
또한, 위상천이기(121)는 내층에 형성되어 비아홀을 통하여 다른 층에 실장된 소자들과 전기적으로 연결되고, 상기 집중소자(122, 123) 역시 온칩형으로서 반도체 집적형 수동소자로 구현된다.
예를 들어, 기판의 내층으로 MIM(Metal-Insulator-Metal) 커패시터와 같은 수동수자 영역이 위치되고, 그 위로 통전로 사용되는 메탈 접속층, 메탈층이 층별로 형성될 수 있다.
상기 송신필터(124) 및 수신필터(125)가 쏘우 필터로 구비되는 경우, 높은 유전율을 고려하여 상기 제1집중소자(122)와 제2집중소자(123)는 빗살형 전극 구조를 가지는 평면형 커패시터로 구비되는 것이 좋고, 상기 송신필터(124) 및 수신필터(125)가 보우 필터로 구비되는 경우 상기 제1집중소자(122)와 제2집중소자(123)는 MIM(Metal-Insulator-Metal) 구조의 평판형 커패시터로 구비되는 것이 소형화 설계에 유리하다.
상기 송신필터(124)와 수신필터(125)가 반도체 집적형 소자로 구현되지 못하 고 개별소자로서 플립칩 본딩방식으로 기판에 결합되는 이유는, 쏘우필터가 Si 또는 GaAs 기판 등과는 재질이 상이한 단결정 압전체 기판으로 제작되기 때문이다.
이상에서 본 발명에 대하여 그 바람직한 실시예를 중심으로 설명하였으나 이는 단지 예시일 뿐 본 발명을 한정하는 것이 아니며, 본 발명이 속하는 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 본 발명의 본질적인 특성을 벗어나지 않는 범위에서 이상에 예시되지 않은 여러 가지의 변형과 응용이 가능함을 알 수 있을 것이다. 예를 들어, 본 발명의 실시예에 구체적으로 나타난 각 구성 요소는 변형하여 실시할 수 있는 것이다. 그리고 이러한 변형과 응용에 관계된 차이점들은 첨부된 청구 범위에서 규정하는 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.
이상에서 살펴본 바와 같이, 본 발명에 의한 듀플렉서에 의하면, 구성 부품의 개수 및 사이즈를 최소화함으로써 다층 구조의 PCB상에서 이루어지는 부품 배치의 한계를 극복할 수 있는 효과가 있다.
또한, 본 발명에 의하면, 분포소자의 크기는 최소화하고, 집중소자는 온칩(On-chip)형으로 구현함으로써 프론트앤드모듈의 전체 사이즈를 감소시키고 이동통신단말기의 슬림화를 이룰 수 있으며, 공정의 단순화, 재료비의 절감 효과를 얻을 수 있다.

Claims (8)

  1. 송신단으로부터 전달된 신호를 필터링하여 안테나단으로 전달하는 송신필터;
    상기 안테나단에서 수신된 신호를 필터링하여 수신단으로 전달하는 수신필터;
    상기 수신필터의 입력단 및 상기 송신필터의 출력단 사이에 연결되어 송신신호 및 수신신호를 격리시키는 위상천이기;
    상기 송신필터의 출력단에 구비되는 제1집중소자;
    상기 수신필터의 입력단에 구비되는 제2집중소자를 포함하는 것을 특징으로 하는 듀플렉서.
  2. 제1항에 있어서, 상기 제1집중소자는
    상기 송신필터에 병렬로 연결되는 것을 특징으로 하는 듀플렉서.
  3. 제2항에 있어서, 상기 제2집중소자는
    상기 수신필터 및 상기 위상천이기 사이에 병렬로 연결되는 것을 특징으로 하는 듀플렉서.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 위상천이기는 스트립라인으로 구비되고,
    상기 제1집중소자 및 제2집중소자는 커패시터로 구비되며,
    상기 스트립라인의 길이는
    "(λ/2π)×COS-1(2π×주파수대역×상기 커패시터 용량×전체 임피던스)"
    의 등가식에 의하여 조정되는 것을 특징으로 하는 듀플렉서.
  5. 제2항 또는 제3항에 있어서, 상기 집중소자는
    다수개로 구비되어 병렬 회로를 구성하는 것을 특징으로 하는 듀플렉서.
  6. 제1항에 있어서, 상기 송신필터 및 상기 수신필터 중 하나 이상의 필터는
    쏘우(SAW) 필터 또는 보우(BAW) 필터로 구비되는 것을 특징으로 하는 듀플렉서.
  7. 제1항에 있어서, 상기 송신필터, 수신필터, 위상천이기, 제1집중소자 및 제2집중소자는
    단일 패키지칩으로 구성되는 것을 특징으로 하는 듀플렉서.
  8. 제6항에 있어서, 상기 제1집중소자 및 상기 제2집중소자 중 하나 이상의 집중소자는
    빗살형 전극 구조를 가지는 평면형 커패시터 또는 MIM(Metal-Insulator-Metal) 구조의 평판형 커패시터로 구비되는 것을 특징으로 하는 듀플렉서.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101350459B1 (ko) * 2011-12-29 2014-01-10 전자부품연구원 듀플렉서 및 이를 이용한 통신기기

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