KR20080013426A - 기판 처리 장치 - Google Patents

기판 처리 장치 Download PDF

Info

Publication number
KR20080013426A
KR20080013426A KR1020060074919A KR20060074919A KR20080013426A KR 20080013426 A KR20080013426 A KR 20080013426A KR 1020060074919 A KR1020060074919 A KR 1020060074919A KR 20060074919 A KR20060074919 A KR 20060074919A KR 20080013426 A KR20080013426 A KR 20080013426A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
substrate
contact guide
guide portion
contact
support
Prior art date
Application number
KR1020060074919A
Other languages
English (en)
Other versions
KR100862912B1 (ko
Inventor
김기조
박형수
Original Assignee
무진전자 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 무진전자 주식회사 filed Critical 무진전자 주식회사
Priority to KR1020060074919A priority Critical patent/KR100862912B1/ko
Priority to TW96128550A priority patent/TWI384581B/zh
Priority to CN2007800294501A priority patent/CN101501833B/zh
Priority to PCT/KR2007/003776 priority patent/WO2008018731A1/en
Publication of KR20080013426A publication Critical patent/KR20080013426A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR100862912B1 publication Critical patent/KR100862912B1/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6838—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping with gripping and holding devices using a vacuum; Bernoulli devices
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68721—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by edge clamping, e.g. clamping ring
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68735—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by edge profile or support profile
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68785—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by the mechanical construction of the susceptor, stage or support

Abstract

기판을 지지하는 장치로서, 패턴이 형성된 기판의 전면 및 패턴이 형성되지 않은 기판의 후면을 모두 선택적으로 균일하게 처리할 수 있는 기판 지지 장치를 개시한다. 기판 지지 장치는 기판을 향하여 기체를 분출시킴으로써, 기판을 소정의 간격만큼 부양시키는 비접촉 가이드부, 비접촉 가이드부를 지지하고, 비접촉 가이드부를 수직방향으로 승하강시키는 승하강부, 상부에 기판을 고정하고, 비접촉 가이드부를 둘러싸는 고리 형상을 가지며, 비접촉 가이드부와 동심원상에 위치되는 접촉 가이드부, 접촉 가이드부를 지지하고, 접촉 가이드부를 회전시키는 회전부를 구비한다. 비접촉 가이드부가 접촉 가이드부보다 낮게 위치되는 경우 접촉 가이드부가 기판을 지지하고, 비접촉 가이드부가 접촉 가이드부보다 높게 위치되는 경우 비접촉 가이드부가 기판을 부양하도록 함으로써, 기판의 전면과 후면을 선택적으로 처리할 수 있다.
기판 지지 장치, 접촉식 척, 비접촉식 척, 승하강 부.

Description

기판 지지 장치 {DEVICE FOR SUPPORTING SUBSTRATE}
도 1a 는 종래 기술에 따른 기판의 상부면과 하부면을 동시에 처리하는 기판 지지 장치의 단면도.
도 1b 는 도 1 에 도시된 기판 지지 장치의 척 (10) 의 평면도.
도 2a 는 종래의 미케니컬 척 (mechanical chuck) 의 단면도.
도 2b 는 종래의 원심력 척의 단면도.
도 2c 는 종래의 자기력 척의 단면도.
도 3 은 본 발명의 일 실시형태에 따른 기판 지지 장치의 단면도.
도 4a 는 본 발명의 일 실시형태에 따른 접촉 가이드부의 평면도.
도 4b 는 본 발명의 일 실시형태에 따른 비접촉 가이드부의 평면도.
도 5a 는 도 4a 의 접촉 가이드부의 구조를 설명하는 구조도.
도 5b 는 도 4a 의 접촉 가이드부의 상부면을 도시하는 사시도.
도 5c 는 도 4a 의 접촉 가이드부의 회전체와 하부체를 도시하는 사시도.
도 6a 는 도 4b 의 비접촉 가이드부의 상부면의 평면도.
도 6b 는 도 4b 의 비접촉 가이드부의 하부면의 평면도.
도 6c 는 도 4b 의 다공성판이 배치된 비접촉 가이드부를 도시한 평면도.
도 6d 는 도 6a 의 비접촉 가이드부의 유체 공급부의 사시도.
도 7 은 본 발명의 일 실시형태에 따른 승하강부와 회전부의 구조를 도시하는 단면도.
도 8 은 본 발명의 일 실시형태에 따른 회전부의 일부를 도시하는 사시도.
도 9a 는 본 발명의 일 실시형태에 따른 기판 전면 또는 전후 양면 처리시의 승하강부, 접촉 가이드부, 및 비접촉 가이드부의 이동을 설명한 설명도.
도 9b 는 본 발명의 일 실시형태에 따른 기판 후면 처리시의 승하강부 및 비접촉 가이드부의 이동을 설명한 설명도.
도 10a 는 본 발명의 일 실시형태에 따른 기판 전면 또는 전후 양면 처리시의 기판 지지 방법을 도시한 단면도.
도 10b 는 본 발명의 일 실시형태에 따른 기판 후면 처리시의 기판 지지 방법을 도시한 단면도.
＊ 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명
A 기판 111 샤프트
101 접촉식 척 112 회전 모터
102 가이드 핀 113 승하강 실린더
103 서포트 핀 214a, 214b, 214c 원형판
104 유체 방출구 324 스핀들 하우징
106 비접촉식 척 325 스핀들
109 승하강 기초판
본 발명은 웨이퍼, LCD, PDP 등의 기판을 지지하는 장치에 관한 것이다. 더 자세하게는, 본 발명은 승하강부를 이용하여 비접촉 가이드부를 승하강 시키고, 회전부를 이용하여 접촉 가이드부를 회전시킴으로써, 기판의 전면, 후면 양면을 선택적으로 모두 처리할 수 있는 기판 지지 장치에 관한 것이다.
반도체 소자 등을 제조하기 위해서는 기판상에 반도체 소자를 형성하기 위해 기판을 가공하는 공정이 필요하며, 이러한 공정에 있어서 증착 공정, 리소그래피 공정 등이 반복적으로 수행된다. 이러한 공정에 있어서 반도체 소자 생산의 높은 정확도와 수율을 위해서는, 기판의 식각 (에칭) 및 세정이 매우 중요하며, 이러한 공정을 수행하는데는 기판을 지지하는 장치가 필요하다.
종래의 세정 장치로서, 기판을 세정 물질이 들어 있는 욕조 속에 담금으로써 기판 상의 잔여물질 등을 화학적으로 세정하는 습식 스테이션 (wet station) 이 사용되어 왔다. 그러나, 이러한 습식 스테이션의 경우 기판의 상호오염 문제가 발생하고, 기판의 양면이 모두 화학처리가 되며, 에칭의 균일성이 떨어지고, TAT (turn-around time; 턴-어라운드 타임) 가 크며, 처리할 면을 선택할 수 없다는 단점이 존재한다.
점차적으로 디바이스의 발전은 비용 감소를 위해 기판의 대구경화, 회로의 미세화 방향으로 진행되고 있으며 디바이스 성능을 향상시키기 위하여 새로운 물질 이 도입되고 있기 때문에 배치 (batch) 장비의 단점을 보완하기 위하여 싱글 웨이퍼 프로세서의 사용이 확대되고 있다. 싱글 웨이퍼 프로세서는 각 장비별로 기판의 처리면을 선택할 수 있는 장점은 있으나, 기판의 전면을 처리하는 프로세서와 후면을 처리하는 프로세서를 따로 구비해야 하는 단점이 여전히 존재한다.
도1a 와 1b 는 기판의 상면과 하면을 처리할 수 있는 기판 지지 장치를 도시한다. 도 1a 에 도시된 바와 같이, 이 종래의 기판 지지 장치는 제 1 가스 (비활성 가스) 를 분사하는 복수의 홀 (32, 40, 42) 을 설치한 척 (10) 을 구비하고, 이 척상에 형성된 다수의 분사구로부터 제 1 가스를 분사하여 기판 (A) 을 척으로부터 부양시키는 동시에 회전 가능한 상태로 유지하면서, 회전하는 기판 (A) 의 상방으로부터 기판 처리액을 공급하여 기판의 상부면을 처리한다.
도 1a 및 1b 에 도시된 종래의 기판 지지 장치는 불활성 기체로 기판을 부양시켜 전면, 후면 공정을 진행할 수 있지만, 기판의 양면 공정은 진행할 수 없다는 단점이 있다.
한편, 종래의 베르누이척은 기판을 부양하기 위해 높은 압력의 가스를 분출하여야 하고, 이로 인해 높은 압력의 가스가 기판의 높은 액스팩트 패턴 (aspect pattern) 을 손상시키는 문제가 존재한다. 또한, 기판의 전체면에 걸쳐서 균일한 온도를 형성시킬 수 없어, 기판의 에지부가 기판의 중심부에 비해 낮은 온도를 갖는 에지 쿨링 이펙트 (edge cooling effect) 를 가지는 문제점이 존재한다.
종래의 기판 지지 장치에 이용되어 왔던 미케니컬 척, 원심력 척, 자기력 척이 도 2a 내지 도 2c 에 각각 도시된다. 미케니컬 척은 그 상부에 형성된 하나 이상의 핀을 이용하여 기판을 지지한다. 원심력 척은 척의 내부에 S 자 형상의 홀더가 존재하고 그 홀더의 중심부를 고정하여 원심력에 의해 기판을 지지한다. 자기력 척은 원심력척과 동일한 형상의 홀더의 하부에 자석을 붙여 아래에서 위로 자석이 올라가면 원심력에 의하여 기판을 지지한다. 그러나, 이러한 척들을 이용한 기판 지지 장치로는 기판의 전면과 양면 공정은 가능하지만 기판의 후면 공정을 균일하게 진행할 수 없다.
본 발명의 목적은 기판의 전면, 후면, 양면을 선택적으로 처리할 수 있는 기판 지지 장치를 제공하는 것이다.
본 발명의 다른 목적은 기판의 패턴 사이드 프로세스 중에 기판의 비패턴 사이드가 오염되는 것을 방지할 수 있는 기판 지지 장치를 제공하는 것이다.
본 발명의 또 다른 목적은 기판의 비패턴 사이드 프로세스 중 기판을 부양시키는 가스의 밀도가 높을 필요가 없고, 에지 쿨링 이펙트를 가지지 않는 기판 지지 장치를 제공하는 것이다.
본 발명에 따른 기판 지지 장치는 기판을 향하여 기체를 분출시킴으로써, 기판을 소정의 간격만큼 부양시키는 비접촉 가이드부, 비접촉 가이드부를 지지하고, 비접촉 가이드부를 수직방향으로 승하강시키는 승하강부, 상부에 기판을 고정하고, 비접촉 가이드부를 둘러싸는 고리 형상을 가지며, 비접촉 가이드부와 동심원상에 위치되는 접촉 가이드부, 접촉 가이드부를 지지하고, 접촉 가이드부를 회전시키는 회전부를 구비하고, 비접촉 가이드부가 접촉 가이드부보다 낮게 위치되는 경우 접촉 가이드부가 기판을 지지하고, 비접촉 가이드부가 접촉 가이드부보다 높게 위치되는 경우 비접촉 가이드부가 기판을 부양하도록 하는 것을 특징으로 한다. 이에 의해, 하나의 기판 지지 장치를 이용하여 기판의 전면, 전후 양면, 후면을 선택적으로 처리할 수 있다.
또한, 접촉 가이드부는, 접촉 가이드부의 상부면에 환형으로 배치되고, 접촉 가이드부가 기판을 지지하는 경우 비접촉 가이드부의 최상단보다 더 높이 위치되고, 비접촉 가이드부가 기판을 부양하는 경우 비접촉 가이드부의 최상단보다 더 낮게 위치되는 복수의 서포트 핀, 및 접촉 가이드부의 상부면에서 복수의 서포트 핀의 바깥쪽에 배치되고, 기판의 측면상에 접촉하여 기판을 고정하는 복수의 가이드 핀을 구비하는 것을 특징으로 한다. 서포트 핀과 가이드 핀은 서로 분리되어 형성될 수도 있고, 일체로 형성될 수도 있다.
본 발명의 다른 실시형태에서, 접촉 가이드부는 도 2b 에 도시된 바와 같은 원심력 척일 수도 있다. 이 접촉 가이드부는 중심부에 중공이 형성되어 있는 고리 형상의 지지대 및 지지대에 힌지 결합된 복수개의 홀더들을 포함한다. 홀더들 각각은 상부에 고리를 가지고, 접촉 가이드부가 회전될 때 원심력에 의해 홀더들의 하부가 접촉 가이드부의 중심부의 반대방향으로 기울어짐과 동시에 상부의 돌기가 기판의 가장자리에 밀착되어 기판을 홀딩한다.
본 발명의 또 다른 실시형태에서, 접촉 가이드부는 도 2c 에 도시된 바와 같은 자기력 척일 수도 있다. 이 접촉 가이드부는 중심부에 중공이 형성되어 있 는 고리 형상의 지지대, 지지대에 힌지 결합되고 하부에 자석을 포함하는 복수개의 홀더들, 홀더들의 하부에 대응되는 위치에 존재하도록 지지대 상에 위치되는 자석과 동일한 극성의 복수개의 자석, 및 이 복수개의 자석을 상하 이동을 할 수 있도록 결합되는 실린더를 포함한다. 홀더들 각각은 상부에 고리를 가지고, 아래에 위치한 자석이 상방향으로 이동함에 따라 자기력에 의해 홀더들의 하부가 접촉 가이드부의 중심부의 반대방향으로 기울어짐과 동시에 상부의 돌기가 기판의 가장자리에 밀착되어 기판을 홀딩한다.
한편, 비접촉 가이드부의 다공성 판은 서로 다른 직경을 갖고 동심원상에 위치되는 하나 이상의 원형판들로 이루어지는 것을 특징으로 한다. 하나 이상의 원형판들은 동일한 크기의 복수의 홀을 가질 수도 있고, 각각 서로 다른 크기의 복수의 홀을 가질 수도 있다. 이에 의해, 비접촉 가이드부는 낮은 압력의 비활성 기체로도 기판을 부양할 수 있으며, 기판의 후면 처리시 기판 전면에 형성된 높은 애스팩트의 패턴을 손상시키는 것을 방지할 수 있으며, 기판의 전면 처리시 기판의 후면이 오염되는 것을 방지할 수 있다.
바람직하게는, 복수의 홀은 직경이 1~1000 ㎛ 이다. 홀의 직경이 상술한 범위 내인 경우, 비접촉 가이드부는 비활성 기체 내의 불순물등을 트랩하는 필터링을 제공할 수 있다.
또한, 비접촉 가이드부는 중심부에 유체 공급부를 더 구비하고, 하나 이상의 원형판들은 유체 공급부의 적어도 일부를 둘러쌀 수도 있다. 유체 공급부는 원통형의 형상을 가지고, 유체 공급부의 내부에는 유체를 공급하는 복수의 관을 포함 하며, 복수의 관은 절연재에 의해 절연되는 것을 특징으로 한다. 이에 의해, 기판의 전면 처리 중에 기판의 후면을 향하여 유체를 공급함으로써, 기판의 전후면을 동시에 처리할 수 있다.
비접촉 가이드부는 원의 형상을 가질 수도 있고, 다각형의 형상을 가질 수도 있다.
또한, 이 기판 지지 장치는 동심원상에 배치되는 제 1 중공축 및 제 2 중공축을 구비하고, 제 1 중공축의 직경은 제 2 중공축의 직경보다 작고, 제 2 중공축의 중공 내에 수납되며, 제 1 중공축은 하단이 승하강부와 연결되고, 상단이 비접촉 가이드부를 지지하고, 승하강부에 의해 수직 방향으로 승하강되어 비접촉 가이드부를 승하강시키며, 제 2 중공축은 하단이 회전부와 연결되고, 상단이 접촉 가이드부를 지지하고, 회전부에 의해 수평방향으로 회전하여 접촉 가이드부를 회전시키는 것을 특징으로 한다.
한편, 본 발명의 다른 실시형태에 따른 기판 지지 장치는 상부면에 환형 노즐이 형성되어 있고, 환형 노즐을 통해 기판을 향하여 기체를 분출시킴으로써, 기판을 소정의 간격만큼 부양시키는 원형의 비접촉 가이드부, 비접촉 가이드부를 지지하고, 비접촉 가이드부를 수직방향으로 승하강시키는 승하강부, 상부에 기판을 고정하고, 비접촉 가이드부를 둘러싸는 고리 형상을 가지며, 비접촉 가이드부와 동심원상에 위치되는 접촉 가이드부, 접촉 가이드부를 지지하고, 접촉 가이드부를 회전시키는 회전부를 구비하고, 비접촉 가이드부가 접촉 가이드부보다 낮게 위치되는 경우 접촉 가이드부가 기판을 지지하고, 비접촉 가이드부가 접촉 가이드부보다 높 게 위치되는 경우 비접촉 가이드부가 기판을 부양하도록 하는 것을 특징으로 한다.
또한, 본 발명의 일 실시형태에 따른, 비접촉 가이드부는 복수의 홀을 통해서 가스를 분출시킴으로써 기판을 소정의 간격만큼 부양시키고, 서로 다른 직경을 갖고 동심원상에 위치되는 하나 이상의 원형판들로 이루어지는 것을 특징으로 한다. 하나 이상의 원형판들은 동일한 크기의 복수의 홀을 가질 수도 있고, 하나 이상의 원형판들은 각각 서로 다른 크기의 복수의 홀을 가질 수도 있다. 바람직하게는 복수의 홀은 직경이 1~1000 ㎛ 이다. 비접촉식 척은 중심부에 유체 공급부를 더 구비하고, 하나 이상의 원형판들은 유체 공급부의 적어도 일부를 둘러쌀 수도 있다. 유체 공급부는 원통형의 형상을 가지고, 유체 공급부의 내부에는 유체를 공급하는 복수의 관을 포함하며, 복수의 관은 절연재에 의해 절연되는 것을 특징으로 한다.
본 발명의 이러한 작용 및 이점은 다음에 설명하는 실시 형태로부터 분명해진다. 이하에서는, 본 발명의 일 실시형태에 따르는 기판 지지 장치의 바람직한 실시 형태에 대해 도면을 참조하면서 설명한다.
먼저 본 발명의 일 실시형태에 따르는 기판 지지 장치의 전체 구성에 대해서 도 3 을 참조하여 설명한다.
도 3 에 도시된 바와 같이, 본 발명의 일 실시형태에 따르는 기판 지지 장치는 복수의 홀을 갖는 하나 이상의 다공성 판을 통해 가스를 분출함으로써 기판을 부양시키는 비접촉식 척 (106), 비접촉식 척을 지지하고, 수직 방향으로 승하강 시키기 위한 승하강 실린더 (113), 기판을 고정하는 가이드 핀 (102) 과 서포트 핀 (103) 을 포함하는 접촉식 척 (101), 및 접촉식 척 (101) 을 회전시키는 회전 모터 (112) 를 포함하는 회전부를 구비한다.
이하에서는 본 발명의 기판 지지 장치의 구조를 더욱 자세히 설명한다.
도 4a 내지 6d 는 본 발명의 일 실시형태에 따르는 접촉식 척 (101) 과 비접촉식 척 (106) 의 구조를 도시한다.
도 4a 및 도 4b 에 도시된 바와 같이, 접촉식 척 (101) 은 중심축 부분에 공동이 형성된 고리 형상을 하고, 비접촉식 척 (106) 은 접촉식 척 (101) 의 내부 공동의 직경보다 더 작은 직경을 갖는 원 형상을 가짐으로써, 비접촉식 척 (106) 이 접촉식 척 (101) 의 내부 공동을 통과할 수 있도록 형성된다.
도 5a 내지 도 5c 는 도 4a 의 접촉식 척 (101) 의 구조를 상세히 설명하는 구조도이다. 도 5a 및 도 5b 에 도시된 바와 같이, 접촉식 척 (101) 은 상부체 (201), 회전체 (202), 하부체 (203) 로 구성된다. 상부체 (201) 는 그 상부면에 복수의 서포트 핀 (103a, 103b, 103c) 을 일정한 직경의 원주를 따라 고정하고 있고, 서포트 핀이 고정된 원주보다 더 큰 직경의 원주를 따라 복수의 가이드 핀을 위한 복수의 홀을 형성하고 있다. 회전체 (202) 는 복수의 가이드 핀 (102a, 102b, 102c) 을 포함하고, 상부체의 복수의 홀을 관통하여 상방향으로 고정된다. 또한, 도 5c 에 도시된 바와 같이, 하부체 (203) 는 회전체 (202) 의 두께 이상의 높이를 가지는 원통형의 회전체 스토퍼 (205) 를 복수 개 포함하며, 일단은 하부체 (203) 에 고정되고 타단은 고리 (207) 를 포함하는 스프링 (204) 을 포함하고, 하부체 (203) 의 바깥쪽 원주면에서 안쪽 원주면을 향해 소정의 깊이를 가지고 스프 링의 길이보다 더 짧은 길이를 가지는 휘어진 직사각형 모양으로 패인 핀 클로즈 위치 슬롯 (206) 을 포함한다.
도 5c 에 도시된 바와 같이, 회전체는 (202) 는 핀 클로즈 위치 슬롯 (206) 의 한쪽 변이 회전체 스토퍼 (205) 에 닿아 있을 때가 핀 초기 위치이다. 접촉식 척에 기판을 로딩시키기 위하여 가이드 핀 (102a) 은 디척킹 샤프트 (de-chucking shaft, 미도시)에 의하여 회전체 (202) 가 고정되고 접촉식 척(101)의 상부체 (201, 미도시) 와 하부체 (203) 가 소정의 각도로 반시계방향으로 회전하면서 가이드 핀(102)이 반시계 방향으로 회전을 하여 가이드 핀이 오픈되게 된다. 그리고 기판을 접촉식 척에 고정시키기 위하여 가이드 핀 (102) 은 접촉식 척의 상부체 (201, 미도시) 와 하부체 (203) 가 시계 방향으로 소정의 각도로 회전하면서, 가이드 핀 (102a) 은 시계방향으로 회전하며 가이드 핀 (102a) 의 상부가 기판과 접촉하게 되면서 잠기게 된다. 기판은 스프링 (204) 의 탄성력에 의하여 가이드 핀 (102) 에 구속되어진다.
본 발명의 일 실시형태에 따른 접촉식 척 (101) 은 중심축 부분에 공동이 형성된 고리 형상을 하고 있으므로, 스프링을 배치하기 위해 공동 부분에 활을 구비하는 기존의 접촉식 척에 비하여 질량이 작은 것이 특징이다. 이러한 특징으로 인해, 기존의 접촉식 척보다 관성이 감소함으로써, 기판의 회전 및 정지 가감속 시간을 단축할 수 있고, 이를 통해 턴-어라운드 타임 (TAT) 을 줄임으로써 기판 처리의 속도를 향상시킬 수 있고, 또한 접촉식 척을 회전시키기 위한 회전 모터의 사양을 감소시킴으로써 기판 지지 장치의 원가를 절감할 수 있는 효과를 가진다.
도 6a 내지 6d 는 도 4b 에 도시된 비접촉식 척 (106) 을 도시하는 평면도이다. 비접촉식 척 (106) 의 상부면에는 기판의 양면을 처리하기 위해 이용되는 유체를 공급하는 유체 공급 포트 (212) 및 기판의 후면을 처리할 때 기판을 부양시키기 위한 다공성판이 형성된다. 또한, 도 6b 에 도시된 바와 같이 비접촉식 척 (106) 의 하부면에는 비활성 기체 공급 포트 (213) 가 형성된다.
도 6c 에 도시된 바와 같이 비접촉식 척 (106) 의 상부면에는 하나 이상의 원형판 (214a, 214b, 214c) 이 다공성판으로서 형성된다. 원형판 (214a, 214b, 214c) 은, 예를 들어, 내화학성이 우수하여 웨이퍼 처리시에 이용되는 케미컬과 반응하지 않고 불순물이 발생하지 않는, 사불화 폴리 에틸렌 (Poly Tetra Fluoro Ethylene; PTFE) 등으로 이루어질 수 있다.
홀의 크기가 다른 다공성판 (214a, 214b, 214c) 이 동심원으로 배열되어져 비접촉식 척 (106) 의 중심에서 가장자리 방향으로 홀 (215) 의 크기가 작은 것에서 큰 것으로 또는 큰 것에서 작은 것으로 구성되어져 기판의 회전시에 발생하는 원심력과 대응하게 구성될 수 있다.
상술한 바와 같이, 기판이 비활성 기체에 의해 비접촉식 척 (106) 의 상부에 부양됨으로써, 패턴이 형성된 기판의 전면에 세정 등의 처리를 하는 경우 홀 (215) 을 통해 분사된 비활성 기체가 기판의 후면 방향으로 이물질이 흘러들어가는 것을 막아주므로 기판의 후면이 오염되는 것을 막을 수 있다. 또한, 패턴이 형성되지 않은 기판의 후면에 에칭이나 세정 등의 처리를 하는 경우에도 기판의 전면이 오염되는 것을 방지할 수 있다.
홀 (215) 의 크기 및 수량은 필요에 따라 조절가능하며, 바람직하게는 홀의 직경이 1~1000 ㎛ 이다. 홀의 직경이 1~1000 ㎛ 의 범위 내인 경우, 기판을 부양시키는 비활성 기체 내에 존재하는 비이상적인 불순물 등을 트랩하므로 기판 처리시 불순물 등에 의해 기판이 오염되는 것을 방지하는 필터링 효과를 가진다. 또한, 불순물이 홀에 트랩되는 경우 압력차가 발생하므로, 이러한 압력차의 정도를 압력 게이지를 이용하여 측정함으로써 원형판 (214a, 214b, 214c) 의 교체주기를 알 수 있다.
또한, 다공성 판은 적어도 기판 면적의 50% 이상을 커버하는 것이 바람직하다. 다공성 판의 면적이 상술한 범위를 가지는 경우, 다공성 판의 상부에 형성된 복수의 홀을 통해 분사되는 비활성 기체는 기판의 나머지 면적 영역, 즉 에지부로 흘러가게 된다. 따라서, 비활성 기체가 기판 전체면에 고루 분사되게 되므로 기판 전체면의 온도가 균일하게 변화하고, 따라서 기판의 에지부의 온도가 중심부의 온도보다 낮은 에지 쿨링 이펙트 (edge cooling effect) 를 방지할 수 있다.
도 6d 는 비접촉식 척 (106) 의 중심부에 포함되는 유체 방출구 (104) 를 도시한다. 유체 방출구 (104) 는 원통의 형상을 가지고 내부에 다수의 관을 형성하고 있다. 본 실시형태에서는 특히 유체 방출구의 중심부에 존재하는 관은 가스 공급 포트 (211) 를 통해 기판에 건조 가스 (예를 들어, 건조한 N2) 를 공급할 수 있도록 형성되고, 중심부의 관의 주변을 둘러싸는 원주 상에 배치된 복수의 관은 유체 공급 포트 (212) 를 통해 각종 유체 (예를 들어, 기판 처리에 이용하는 케 미컬, 기판의 세정에 이용하는 초순수 (DIW) 등) 를 기판의 하부면에 공급할 수 있도록 형성된다. 또한, 유체 방출구 (104) 는 다수의 관 사이에 단열부 (223) 를 포함함으로써, 다수의 관이 서로 단열될 수 있도록 한다. 단열부 (223) 는 단열재를 사용하거나, 진공상태로 함으로써 형성될 수 있다.
비접촉식 척 (106) 의 중심부에 유체 방출구 (104) 를 포함함으로써 기판의 후면에 대해 유체를 이용한 처리를 수행할 수 있다. 또한, 유체 방출구 (104) 내에 형성된 다수의 관들이 단열부 (223) 에 의해 서로 단열됨으로써, 유체간의 온도 간섭을 방지하여 각 관을 통해 공급되는 유체들을 초기에 설정된 온도대로 기판에 공급할 수 있으며, 유체간의 온도 간섭으로 인한 공정 불량을 방지할 수 있다.
도 7 및 8 을 참조하여 본 발명의 일 실시형태에 따르는 승하강부 및 회전부를 설명한다.
도 7 은 본 발명의 일 실시형태에 따르는 기판 지지 장치에 포함되는 승하강부와 회전부의 구조를 더욱 자세히 설명하는 사시도이고, 도 8 은 회전부의 일부를 도시하는 투시도이다.
먼저, 승하강부의 구조를 설명한다. 일 실시형태에서 승하강 모터는 기판 지지 장치의 후면에 배치될 수 있다. 승하강 모터는 타이밍 벨트를 통해 승하강 기초판 (109) 과 연결되고, 승하강 기초판 (109) 은 그 상부면 상에 샤프트 하우징을 고정시켜 승하강 기초판의 중심부에 샤프트 (111) 를 위치시키고 있으며, 샤프트는 두 개의 부쉬 (108) 에 의해 가이드 된다.
샤프트 (111) 를 내부에 수납하는 샤프트 하우징과 승하강 실린더 (113) 는 승하강 기초판 (109) 에 고정되어 있다. 따라서, 승하강 기초판 (109) 의 상하 이동에 따라 샤프트 하우징과 승하강 실린더 (113) 도 함께 이동한다. 샤프트 하우징은 내부에 샤프트 (111) 의 상하 이동을 가이드하는 2 개의 부쉬 (108) 를 포함하며, 부쉬 (108) 의 바깥면에 형성되는 베어링 (321, 322) 은 스핀들 (325) 의 회전시에 부쉬 (108) 와 스핀들 (325) 간의 마찰력을 감소시킨다. 샤프트 (111) 는 스핀들 (325) 의 중공 내에 위치하지만, 스핀들 (325) 과 물리적으로 접촉하지는 않기 때문에, 스핀들 (325) 이 회전하더라도 샤프트 (111) 는 회전하지 않는다.
승하강 실린더 (113) 는 승하강 실린더 고정구 (328) 를 포함하며, 샤프트 (111) 는 승하강 실린더 고정구 (328) 에 의해 승하강 실린더 (113) 에 고정되므로, 승하강 실린더 (113) 의 상하 이동에 의해 샤프트 (111) 도 함께 상하 이동하게 된다. 또한, 샤프트 (111) 는 그 최상부에 비접촉식 척 (106) 을 지지하고 있으므로, 샤프트 (111) 의 상하 이동에 따라 비접촉식 척 (106) 도 상하 이동하게 된다.
다음으로, 회전부의 구조를 설명한다. 도 7 에 도시된 바와 같이, 스핀들 (325) 은 스핀들 하우징 (324) 의 내부에 수납된다. 또한, 그 중심축 부분에 중공이 형성되어 있어, 중공 내에 샤프트 (111) 를 포함한다. 스핀들 하우징 (324) 은 내부에 포함되는 베어링 (323, 326) 을 통해 스핀들 (325) 과의 마찰을 감소시킨다. 스핀들 하우징 (324) 은 승하강 기초판 (109) 상에 고정되고, 스핀들 하우징 (324) 의 내부에 수납된 스핀들 (325) 은 회전 휠 (107) 을 지지하 며, 회전 휠 (107) 은 접촉식 척 지지대 (105) 를 이용하여 접촉식 척 (101) 을 지지한다. 따라서, 승하강 기초판 (109) 의 상하 이동에 따라 스핀들 하우징 (324) 도 상하 이동하게 된다.
스핀들 (325) 의 최상부는 회전 휠 (107) 의 하부면에 고정되고, 회전 휠 (107) 의 상부면에 고정된 복수의 접촉식 척 지지대 (105) 는 접촉식 척 (101) 에 연결된다. 도 8 에 도시된 바와 같이, 스핀들 (325) 은 타이밍 벨트 (135) 를 통하여 회전 모터 (112) 의 회전력을 전달받아 회전한다. 스핀들 (325) 의 회전에 따라 스핀들 (325) 의 상부에 고정된 회전 휠 (107) 이 회전하게 되고, 이에 따라 접촉식 척 (101) 도 회전하게 된다.
이하에서는, 도 9a 내지 10b 를 참조하여 본 발명의 일 실시형태에 따른 기판 지지 장치에서 패턴이 형성되어 있는 기판의 전면과 패턴이 형성되지 않은 기판의 후면을 처리하는 방법에 대해 설명한다.
도 9a 및 도 9b 는 승하강 모터와 승하강 실린더의 상하 이동에 따른 접촉식 척과 비접촉식 척의 상하 이동을 도시한다. 그 중, 도 9a 는 기판의 전면 또는 전후 양면 처리시의 접촉식 척과 비접촉식 척의 상하 이동을 도시한다. 도 9a 에 도시된 바와 같이, 승하강 모터 (미도시) 에 연결된 승하강 기초판 (109) 은 승하강 모터에 의해 C 만큼 상승하고, 승하강 기초판 (109) 에 의해 지지되는 접촉식 척 (101) 및 비접촉식 척 (106) 또한 C 만큼 상방향으로 이동하게 된다. 이 때, 승하강 실린더 (113) 와 승하강 실린더 고정구 (328) 의 높이차는 A 만큼이다. 이 때, 비접촉식 척 (106) 의 최상단은 접촉식 척 (101) 의 서포트 핀 (103a) 의 최상단보다 낮게 위치되므로, 기판은 서포트 핀에 의해 지지된다.
다음으로, 도 9b 는 기판의 후면 처리시의 접촉식 척과 비접촉식 척의 상하 이동을 도시한다. 도 9a 의 경우와 마찬가지로, 승하강 기초판 (109) 은 승하강 모터에 의해 C 만큼 상승하게 되고, 이에 따라 접촉식 척 (101) 및 비접촉식 척 (106) 도 C 만큼 상승하게 된다. 그러나, 이 경우는 승하강 실린더 (113) 내에 포함된 실린더의 상방향 이동에 의해 승하강 실린더 고정구 (328) 가 추가적으로 A-B 만큼 상승하게 되고, 따라서, 승하강 실린더 (113) 와 승하강 실린더 고정구 (328) 간의 높이차는 B 가 된다. 이러한 승하강 실린더 고정구 (328) 의 추가적인 상승에 의해, 승하강 실린더 고정구 (328) 에 고정된 샤프트 (111) 와 샤프트의 최상부에 지지되어 있는 비접촉식 척 (106) 도 A-B 만큼 더 상승하게 된다. 이에 의해, 비접촉식 척 (106) 의 최상단이 접촉식 척 (101) 의 서포트 핀 (103a) 의 최상단보다 높게 위치되므로, 기판은 비접촉식 척 (106) 에 의해 부양되게 된다.
도 10a 및 도 10b 를 참조하여, 각각 도 9a 및 도 9b 에 도시된 접촉식 척과 비접촉식 척의 이동에 의한 기판 지지 방법의 차이를 설명한다.
도 10a 은 기판의 전면 또는 기판의 전후 양면을 처리하는 경우의 기판 지지 방법을 도시한다. 기판의 측면은 가이드 핀 (102a, 102b) 에 의해 고정되어 기판이 회전하는 경우에도 수평 방향으로 움직이는 것이 방지된다. 상술한 바와 같이, 비접촉식 척 (106) 의 최상단은 접촉식 척 (101) 의 상부에 형성되는 서포트 핀 (103a, 103b) 의 최상단보다 낮게 위치되고, 따라서, 기판 (A) 은 서포트 핀 (103a, 103b) 에 의해 지지된다. 따라서, 본 발명의 기판 지지 장치의 상부에 위치하는 기판 처리 장치 (미도시) 를 이용하여, 패턴이 형성된 기판의 전면에 대해 에칭 또는 세정 등의 공정을 수행할 수 있다. 또한, 이와 동시에 비접촉식 척 (106) 의 중심부에 위치한 유체 방출구 (104) 를 통해 유체 (예를 들어, 케미컬, 초순수 (DIW)) 를 공급함으로써, 패턴이 형성되지 않은 기판 (A) 의 후면을 처리할 수 있다. 이에 의해, 기판의 전면 처리 또는 전후 양면 처리가 가능하다.
도 10b 는 기판의 후면을 처리하는 경우의 기판 지지 방법을 도시한다. 비접촉식 척 (106) 의 최상단이 서포트 핀 (103a, 103b) 의 최상단보다 높게 위치되고, 따라서, 기판 (A) 는 비접촉식 척 (106) 의 다공성 판의 홀에서 분출된 비활성 가스에 의해 부양된다. 이 경우에도, 기판 (A) 는 가이드 핀 (102a, 102b) 에 의해 수평 방향으로의 움직임이 방지된다. 기판 (A) 은 비접촉식 척 (106) 에 의해 부양되며, 본 발명의 기판 지지 장치의 상부에 위치하는 기판 처리 장치 (미도시) 에 의해, 패턴이 형성되지 않은 기판의 후면에 대해 세정 등의 공정을 수행할 수 있다.
이와 같이, 본 발명의 일 실시형태에 따른 기판 지지 장치는 접촉식 척 (101) 과 비접촉식 척 (106) 의 상대적 위치 차이를 이용하여, 기판의 패턴이 형성된 면과 기판의 패턴이 형성되지 않은 면을 하나의 장치로서 선택적으로 처리할 수 있다는 점에서, 기판을 선택적으로 처리 할 수 없기 때문에 접촉식 척과 비접촉식 척을 따로 구비해야 하는 종래의 기판 지지 장치에 비해 장치 활용도가 높다 또한, 기판의 전면을 처리하는 모드, 기판의 전후면을 처리하는 모드, 기판의 후면 을 처리하는 모드를 모두 구현할 수 있다는 점에서, 역시 종래의 기판 지지 장치에 비해 장치 활용도가 높다.
개시된 실시형태에 대한 상술한 설명은 당업자라면 누구나 본 발명을 이용할 수 있도록 제공된다. 이 실시형태들의 여러 변형은 당업자에게 명백할 것이며, 여기서 정의된 일반적 원리는 본 발명의 사상 또는 범위를 벗어나지 않고 다른 실시형태에 적용될 수 있다. 따라서, 본 발명은 여기서 개시된 실시형태들에 한정되지 않으며, 본 발명에는 여기서 개시된 원리 및 신규한 특징과 일치하는 최광의 범위가 부여된다.
본 발명은 비접촉식 척과 접촉식 척을 하나의 장치 내에 모두 포함하고, 승하강부를 이용하여 이들의 상대적 위치를 조절함으로써, 기존의 기판 지지 장치가 패턴이 형성된 기판의 전면 처리, 패턴이 형성되지 않은 기판의 후면 처리, 및 기판의 전후 양면 처리의 세가지 모드의 처리를 수행하기 위해 2 개 이상의 장치를 필요로 하였던 문제를 해결한다.
또한, 본 발명의 일 실시형태에 따른 접촉식 척을 사용하는 경우, 척의 질량 감소에 따른 생산 수율의 증가와 장치 원가의 절감 효과를 가져온다.
또한, 본 발명의 일 실시형태에 따른 비접촉식 척을 사용하는 경우, 패턴이 형성된 기판의 전면을 처리하는 경우에 기판의 후면의 오염을 방지할 수 있다. 또한, 패턴이 형성되지 않은 기판의 후면을 처리하는 경우, 기판의 전체면에 대해 고른 온도 분포를 형성할 수 있고, 낮은 압력의 비활성 기체만으로도 기판을 부양 할 수 있으며, 패턴이 형성되지 않은 기판의 후면을 처리하는 경우에 높은 애스팩트 패턴을 갖는 기판의 전면이 손상되는 것을 방지할 수 있다.

Claims (22)

  1. 기판을 향하여 기체를 분출시킴으로써, 상기 기판을 소정의 간격만큼 부양시키는 비접촉 가이드부;
    상기 비접촉 가이드부를 지지하고, 상기 비접촉 가이드부를 수직방향으로 승하강시키는 승하강부;
    상부에 상기 기판을 고정하고, 상기 비접촉 가이드부를 둘러싸는 고리 형상을 가지며, 상기 비접촉 가이드부와 동심원상에 위치되는 접촉 가이드부;
    상기 접촉 가이드부를 지지하고, 상기 접촉 가이드부를 회전시키는 회전부를 구비하고,
    상기 비접촉 가이드부가 상기 접촉 가이드부보다 낮게 위치되는 경우 상기 접촉 가이드부가 상기 기판을 지지하고, 상기 비접촉 가이드부가 상기 접촉 가이드부보다 높게 위치되는 경우 상기 비접촉 가이드부가 상기 기판을 부양하도록 하는, 기판 지지용 장치.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 접촉 가이드부는,
    상기 접촉 가이드부의 상부면에 환형으로 배치되고, 상기 접촉 가이드부가 상기 기판을 지지하는 경우 상기 비접촉 가이드부의 최상단보다 더 높이 위치되고, 상기 비접촉 가이드부가 상기 기판을 부양하는 경우 상기 비접촉 가이드부의 최상 단보다 더 낮게 위치되는 복수의 서포트 핀, 및
    상기 접촉 가이드부의 상부면에서 상기 복수의 서포트 핀의 바깥쪽에 배치되고, 기판의 측면상에 접촉하여 기판을 고정하는 복수의 가이드 핀을 구비하는, 기판 지지용 장치.
  3. 제 2 항에 있어서,
    상기 서포트 핀과 상기 가이드 핀은 서로 분리되어 있는, 기판 지지용 장치.
  4. 제 2 항에 있어서,
    상기 서포트 핀과 상기 가이드 핀은 일체로 형성되어 있는, 기판 지지용 장치.
  5. 제 1 항에 있어서,
    상기 접촉 가이드부는, 중심부에 중공이 형성되어 있는 고리 형상의 지지대 및 상기 지지대에 힌지 결합된 복수개의 홀더들을 포함하고,
    상기 홀더들 각각은 상부에 고리를 가지고, 상기 접촉 가이드부가 회전될 때 원심력에 의해 홀더들의 하부가 상기 접촉 가이드부의 중심부의 반대방향으로 기울어짐과 동시에 상기 상부의 돌기가 상기 기판의 가장자리에 밀착되어 상기 기판을 홀딩하는, 기판 지지용 장치.
  6. 제 1 항에 있어서,
    상기 접촉 가이드부는,
    중심부에 중공이 형성되어 있는 고리 형상의 지지대; 상기 지지대에 힌지 결합되고 하부에 제 1 자석을 포함하는 복수개의 홀더들; 상기 홀더들의 하부에 대응되는 위치에 존재하도록 지지대 상에 위치되는, 상기 자석과 동일한 극성의 복수개의 제 2 자석; 및 상기 복수개의 제 2 자석을 상하 이동을 할 수 있도록 결합되는 실린더를 포함하며,
    상기 홀더들 각각은 상부에 고리를 가지고, 상기 제 2 자석이 상방향으로 이동함에 따라 자기력에 의해 상기 홀더들의 하부가 상기 접촉 가이드부의 중심부의 반대방향으로 기울어짐과 동시에 상기 상부의 돌기가 상기 기판의 가장자리에 밀착되어 상기 기판을 홀딩하는, 기판 지지용 장치.
  7. 제 1 항에 있어서,
    상기 비접촉 가이드부의 다공성 판은,
    서로 다른 직경을 갖고 동심원상에 위치되는 하나 이상의 원형판들로 이루어지는, 기판 지지 장치.
  8. 제 7 항에 있어서,
    상기 하나 이상의 원형판들은 동일한 크기의 복수의 홀을 갖는, 기판 지지 장치.
  9. 제 7 항에 있어서,
    상기 하나 이상의 원형판들은 각각 서로 다른 크기의 복수의 홀을 갖는, 기판 지지 장치.
  10. 제 8 항 또는 제 9 항에 있어서,
    상기 복수의 홀은 직경이 1~1000 ㎛ 인, 기판 지지 장치.
  11. 제 10 항에 있어서,
    상기 비접촉 가이드부는 중심부에 유체 공급부를 더 구비하고,
    상기 하나 이상의 원형판들은 상기 유체 공급부의 적어도 일부를 둘러싸는, 기판 지지 장치.
  12. 제 11 항에 있어서,
    상기 유체 공급부는 원통형의 형상을 가지고,
    상기 유체 공급부의 내부에는 유체를 공급하는 복수의 관을 포함하며,
    상기 복수의 관은 절연재에 의해 절연되는, 비접촉식 척.
  13. 제 1 항에 있어서,
    상기 기판 지지 장치는 동심원상에 배치되는 제 1 중공축 및 제 2 중공축을 구비하고,
    상기 제 1 중공축의 직경은 상기 제 2 중공축의 직경보다 작고, 상기 제 2 중공축의 중공 내에 수납되며,
    상기 제 1 중공축은 하단이 상기 승하강부와 연결되고, 상단이 상기 비접촉 가이드부를 지지하고, 상기 승하강부에 의해 수직 방향으로 승하강되어 상기 비접촉 가이드부를 승하강시키며,
    상기 제 2 중공축은 하단이 상기 회전부와 연결되고, 상단이 상기 접촉 가이드부를 지지하고, 회전부에 의해 수평방향으로 회전하여 상기 접촉 가이드부를 회전시키는, 기판 지지 장치.
  14. 제 1 항 내지 제 9 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 비접촉 가이드부는 원의 형상을 가지는, 기판 지지 장치.
  15. 제 1 항 내지 제 9 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 비접촉 가이드부는 다각형의 형상을 가지는, 기판 지지 장치.
  16. 상부면에 하나 이상의 서로 다른 환형 노즐이 동심원상으로 형성되어 있고, 상기 환형 노즐을 통해 기판을 향하여 기체를 분출시킴으로써, 상기 기판을 소정의 간격만큼 부양시키는 원형의 비접촉 가이드부;
    상기 비접촉 가이드부를 지지하고, 상기 비접촉 가이드부를 수직방향으로 승 하강시키는 승하강부;
    상부에 상기 기판을 고정하고, 상기 비접촉 가이드부를 둘러싸는 고리 형상을 가지며, 상기 비접촉 가이드부와 동심원상에 위치되는 접촉 가이드부;
    상기 접촉 가이드부를 지지하고, 상기 접촉 가이드부를 회전시키는 회전부를 구비하고,
    상기 비접촉 가이드부가 상기 접촉 가이드부보다 낮게 위치되는 경우 상기 접촉 가이드부가 상기 기판을 지지하고, 상기 비접촉 가이드부가 상기 접촉 가이드부보다 높게 위치되는 경우 상기 비접촉 가이드부가 상기 기판을 부양하도록 하는, 기판 지지용 장치.
  17. 복수의 홀을 통해서 가스를 분출시킴으로써 기판을 소정의 간격만큼 부양시키는 비접촉식 척에 있어서,
    서로 다른 직경을 갖고 동심원상에 위치되는 하나 이상의 원형판들로 이루어지는, 비접촉식 척.
  18. 제 17 항에 있어서,
    상기 하나 이상의 원형판들은 동일한 크기의 복수의 홀을 갖는, 비접촉식 척.
  19. 제 17 항에 있어서,
    상기 하나 이상의 원형판들은 각각 서로 다른 크기의 복수의 홀을 갖는, 비접촉식 척.
  20. 제 17 항 내지 제 19 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 복수의 홀은 직경이 1~1000 ㎛ 인, 비접촉식 척.
  21. 제 20 항에 있어서,
    상기 비접촉식 척은 중심부에 유체 공급부를 더 구비하고,
    상기 하나 이상의 원형판들은 상기 유체 공급부의 적어도 일부를 둘러싸는, 비접촉식 척.
  22. 제 21 항에 있어서,
    상기 유체 공급부는 원통형의 형상을 가지고,
    상기 유체 공급부의 내부에는 유체를 공급하는 복수의 관을 포함하며,
    상기 복수의 관은 절연재에 의해 절연되는, 비접촉식 척.
KR1020060074919A 2006-08-08 2006-08-08 기판 처리 장치 KR100862912B1 (ko)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020060074919A KR100862912B1 (ko) 2006-08-08 2006-08-08 기판 처리 장치
TW96128550A TWI384581B (zh) 2006-08-08 2007-08-03 用以撐持基材的裝置
CN2007800294501A CN101501833B (zh) 2006-08-08 2007-08-06 支撑基片的装置
PCT/KR2007/003776 WO2008018731A1 (en) 2006-08-08 2007-08-06 Device for supporting substrate

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020060074919A KR100862912B1 (ko) 2006-08-08 2006-08-08 기판 처리 장치

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20080013426A true KR20080013426A (ko) 2008-02-13
KR100862912B1 KR100862912B1 (ko) 2008-10-13

Family

ID=39033220

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020060074919A KR100862912B1 (ko) 2006-08-08 2006-08-08 기판 처리 장치

Country Status (4)

Country Link
KR (1) KR100862912B1 (ko)
CN (1) CN101501833B (ko)
TW (1) TWI384581B (ko)
WO (1) WO2008018731A1 (ko)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101136871B1 (ko) * 2009-03-02 2012-04-20 캐논 아네르바 가부시키가이샤 기판 처리 장치, 자기 디바이스의 제조 장치 및 제조 방법
WO2014164433A1 (en) * 2013-03-11 2014-10-09 Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. Floating high vacuum seal cartridge
CN108346607A (zh) * 2017-01-25 2018-07-31 上海新昇半导体科技有限公司 竖直插入式阻挡脚及伯努利吸盘

Families Citing this family (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102034754B1 (ko) * 2012-09-18 2019-10-22 삼성디스플레이 주식회사 공기압을 이용한 기판 고정 장치
CN105990181A (zh) * 2015-01-28 2016-10-05 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 顶针机构和除气腔室
CN105345937B (zh) * 2015-11-23 2017-06-30 河南理工大学 制备巴西圆盘人字形裂缝的实验装置及其操作方法
TWI566327B (zh) * 2015-12-01 2017-01-11 錫宬國際有限公司 晶圓承載裝置
CN106548971A (zh) * 2016-10-11 2017-03-29 武汉新芯集成电路制造有限公司 一种湿法单片清洗机台的卡盘
KR101917432B1 (ko) * 2016-11-21 2018-11-09 세메스 주식회사 기판 지지 부재 및 이를 구비하는 프로브 스테이션
CN110034062A (zh) * 2019-04-19 2019-07-19 德淮半导体有限公司 晶圆夹持装置及卡盘
FR3110948B1 (fr) 2020-05-29 2022-08-12 Commissariat Energie Atomique Système de positionnement d’une plaque.

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2855046B2 (ja) * 1993-03-31 1999-02-10 大日本スクリーン製造株式会社 回転式基板処理装置用の基板回転保持装置
US6239038B1 (en) * 1995-10-13 2001-05-29 Ziying Wen Method for chemical processing semiconductor wafers
KR100340154B1 (ko) * 1999-12-06 2002-06-10 김광교 웨이퍼를 스피닝하기 위한 웨이퍼 척
JP4177068B2 (ja) * 2002-10-08 2008-11-05 葵精機株式会社 基板処理装置およびその製造方法
JP4312001B2 (ja) * 2003-07-28 2009-08-12 リアライズ・アドバンストテクノロジ株式会社 基板支持装置および基板取り外し方法
US7604439B2 (en) * 2004-04-14 2009-10-20 Coreflow Scientific Solutions Ltd. Non-contact support platforms for distance adjustment
JP4467379B2 (ja) * 2004-08-05 2010-05-26 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理装置
KR100674922B1 (ko) 2004-12-02 2007-01-26 삼성전자주식회사 포커스 링을 냉각하는 냉각 유로를 가지는 웨이퍼지지장치

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101136871B1 (ko) * 2009-03-02 2012-04-20 캐논 아네르바 가부시키가이샤 기판 처리 장치, 자기 디바이스의 제조 장치 및 제조 방법
WO2014164433A1 (en) * 2013-03-11 2014-10-09 Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. Floating high vacuum seal cartridge
US8939451B2 (en) 2013-03-11 2015-01-27 Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. Floating high vacuum seal cartridge
CN108346607A (zh) * 2017-01-25 2018-07-31 上海新昇半导体科技有限公司 竖直插入式阻挡脚及伯努利吸盘

Also Published As

Publication number Publication date
TW200816361A (en) 2008-04-01
CN101501833A (zh) 2009-08-05
TWI384581B (zh) 2013-02-01
WO2008018731A1 (en) 2008-02-14
CN101501833B (zh) 2012-07-04
KR100862912B1 (ko) 2008-10-13

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100862912B1 (ko) 기판 처리 장치
JP5270607B2 (ja) 基板処理装置
KR102010720B1 (ko) 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
CN107104074B (zh) 基板处理装置及基板处理方法
KR20090120436A (ko) 처리액 공급노즐 및 처리액 공급장치
JP7282494B2 (ja) 基板処理装置および基板処理方法
JP2018163913A (ja) 基板処理装置
JP5795920B2 (ja) 基板処理装置
JP2021034731A (ja) 基板処理装置及び基板処理方法
KR20140041502A (ko) 웨이퍼 형상 물품들의 액체 처리를 위한 방법 및 장치
KR101329319B1 (ko) 노즐 및 이를 갖는 기판처리장치
JP2017073467A (ja) 基板処理方法
JP6491900B2 (ja) 基板処理装置および基板処理方法
KR20230038436A (ko) 기판 처리 장치
KR20180086165A (ko) 기판 처리 장치
KR101099733B1 (ko) 기판 처리 장치
JP6562508B2 (ja) 基板保持装置
KR20170136775A (ko) 기판 처리 장치
JP6405259B2 (ja) 基板処理装置および基板処理方法
JP3754334B2 (ja) 基板処理装置および基板処理方法
JP6416652B2 (ja) 基板処理装置
KR20100048407A (ko) 기판 지지 부재 및 이를 구비하는 기판 처리 장치
JP6563098B2 (ja) 基板処理装置および基板処理方法
KR20130019545A (ko) 브러시 유닛 및 이를 가지는 기판처리장치.
KR100885179B1 (ko) 기판 처리 장치

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20120927

Year of fee payment: 5

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20130926

Year of fee payment: 6

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20140918

Year of fee payment: 7

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20150907

Year of fee payment: 8

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20160927

Year of fee payment: 9

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20170928

Year of fee payment: 10

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20180920

Year of fee payment: 11

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20190731

Year of fee payment: 12