KR20080009453A - Method of manufacturing printing plate and liquid crystal display device using the same - Google Patents

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Abstract

A method of manufacturing a printing plate and a method of manufacturing an LCD(Liquid Crystal Display) using the printing plate manufacturing method are provided to form a trench using a mask layer and a photoresist film as a mask to prevent an etchant from infiltrating into a mask region so as to manufacture a printing plate having a desired aperture ratio. A mask layer(610) is formed on a substrate(450). A predetermined photoresist pattern(630) is formed on the mask layer. The mask layer is patterned by the photoresist pattern as a mask. A trench(700) is formed in the substrate using the mask layer and the photoresist pattern as a mask. The mask layer and the photoresist pattern are removed.

Description

인쇄판 제조방법 및 그를 이용한 액정표시소자 제조방법{Method of Manufacturing Printing Plate and Liquid Crystal Display Device Using the Same}Printing plate manufacturing method and liquid crystal display device manufacturing method using the same {Method of Manufacturing Printing Plate and Liquid Crystal Display Device Using the Same}

도 1a 내지 도 1c는 인쇄롤을 이용하여 기판 상에 패턴물질층을 패터닝하는 공정을 도시한 공정도이다.1A to 1C are process diagrams illustrating a process of patterning a pattern material layer on a substrate using a printing roll.

도 2a 내지 도 2c는 종래기술에 따른 인쇄판 제조방법을 개략적으로 도시한 공정도이다.2a to 2c is a process diagram schematically showing a printing plate manufacturing method according to the prior art.

도 3은 종래기술에 따른 인쇄판의 불량을 개략적으로 도시한 단면도이다.3 is a cross-sectional view schematically showing a defect of a printing plate according to the prior art.

도 4a 내지 도 4e는 본 발명의 제1실시예에 따른 인쇄판 제조방법을 개략적으로 도시한 공정도이다.4A to 4E are process diagrams schematically showing a printing plate manufacturing method according to a first embodiment of the present invention.

도 5a 내지 도 5f는 본 발명의 제2실시예에 따른 인쇄판 제조방법을 개략적으로 도시한 공정도이다.5A to 5F are process diagrams schematically showing a printing plate manufacturing method according to a second embodiment of the present invention.

도 6은 본 발명의 제1실시예에 따른 인쇄판 제조공정 중 마스크층에 핀 홀이 발생한 것을 개략적으로 도시한 단면도이다.FIG. 6 is a cross-sectional view schematically illustrating the occurrence of a pin hole in a mask layer during a printing plate manufacturing process according to a first embodiment of the present invention.

도 7은 본 발명의 제2실시예에 따른 인쇄판 제조공정 중 제1마스크층 및 제2마스크층에 핀 홀이 발생한 것을 개략적으로 도시한 단면도이다.7 is a cross-sectional view schematically illustrating that pinholes are generated in a first mask layer and a second mask layer during a printing plate manufacturing process according to a second exemplary embodiment of the present invention.

도 8a 내지 도 8d는 본 발명의 실시예에 따른 액정표시소자의 제조방법을 개 략적으로 도시한 공정도이다.8A through 8D are process diagrams schematically illustrating a method of manufacturing a liquid crystal display device according to an exemplary embodiment of the present invention.

도 9a 내지 도 9c는 본 발명의 실시예에 따른 인쇄판을 이용하여 패턴물질을 패터닝하는 공정을 개략적으로 도시한 공정도이다.9A to 9C are process diagrams schematically illustrating a process of patterning a pattern material using a printing plate according to an embodiment of the present invention.

<도면의 주요부의 부호에 대한 설명><Description of Signs of Major Parts of Drawing>

450 : 기판 610 : 마스크층450: substrate 610: mask layer

612 : 제1마스크층 614 : 제2마스크층612: first mask layer 614: second mask layer

630 : 포토레지스트층 700 : 트렌치630 photoresist layer 700 trench

본 발명은 액정표시소자에 관한 것으로 보다 구체적으로는 액정표시소자의 패턴형성방법 중 하나인 인쇄방법에 사용되는 인쇄판에 관한 것이다.The present invention relates to a liquid crystal display device, and more particularly, to a printing plate used in a printing method which is one of the pattern forming methods of the liquid crystal display device.

표시화면의 두께가 수 센티미터(cm)에 불과한 초박형의 평판표시소자(Flat Panel Display), 그 중에서도 액정표시소자는 동작 전압이 낮아 소비 전력이 적고 휴대용으로 쓰일 수 있는 등의 이점으로 노트북 컴퓨터, 모니터, 우주선, 항공기 등에 이르기까지 응용분야가 넓고 다양하다.Ultra-thin flat panel displays with a thickness of only a few centimeters (cm). Among them, liquid crystal displays have low operating voltages, which consume less power and can be used as portable devices. Applications range from ships to spacecraft to aircraft.

상기 액정표시소자는 하부기판, 상부기판, 및 상기 양 기판 사이에 형성된 액정층을 포함하여 구성된다. The liquid crystal display device includes a lower substrate, an upper substrate, and a liquid crystal layer formed between the two substrates.

상기 하부기판 상에는 서로 종횡으로 교차되어 화소영역을 정의하는 게이트 배선과 데이터 배선이 형성되어 있다. 그리고 상기 게이트 배선과 데이터 배선의 교차 영역에는 스위칭 소자로서 박막트랜지스터가 형성되어 있다. 그리고 화소전극이 형성되어 박막트랜지스터와 연결되어 있다.Gate lines and data lines are formed on the lower substrate so as to cross each other vertically and horizontally to define pixel regions. A thin film transistor is formed as a switching element in an intersection region of the gate line and the data line. A pixel electrode is formed and connected to the thin film transistor.

또한, 상부기판 상에는 상기 게이트 배선, 데이터 배선, 및 박막트랜지스터 영역에서 광이 누설되는 것을 차단하기 위한 차광층이 형성되어 있고, 상기 차광층 위에 컬러필터층이 형성되어 있으며, 상기 컬러필터층 상부에 공통전극이 형성되어 있다.In addition, a light blocking layer is formed on the upper substrate to block light leakage from the gate wiring, data wiring, and thin film transistor regions, and a color filter layer is formed on the light blocking layer, and a common electrode is formed on the color filter layer. Is formed.

이와 같이 액정표시소자는 다양한 구성요소들을 포함하고 있으며 그 구성요소들을 형성하기 위해 수많은 공정들이 반복적으로 행해지게 된다. 특히, 다양한 구성요소들을 다양한 형태로 패터닝하기 위해서 종래 포토리소그래피공정이 사용되어 왔다.As such, the liquid crystal display includes various components, and numerous processes are repeatedly performed to form the components. In particular, conventional photolithography processes have been used to pattern various components into various shapes.

종래 포토리소그래피공정은 기판 상에 패턴물질층을 형성한 후, 상기 패턴물질층 상에 소정 패턴의 마스크를 위치시키고, 기판 전면에 광을 조사하여 패턴을 형성하는 방법이다.The conventional photolithography process is a method of forming a pattern by forming a pattern material layer on a substrate, placing a mask of a predetermined pattern on the pattern material layer, and irradiating light onto the entire surface of the substrate.

그러나 상기 포토리소그래피 공정은 소정 패턴의 마스크를 사용해야 하므로 그 만큼 제조비용이 상승되는 단점이 있으며, 또한 현상 공정 등을 거쳐야 하므로 공정이 복잡하고 공정시간이 오래 걸리는 단점이 있다.However, since the photolithography process requires the use of a mask having a predetermined pattern, the manufacturing cost increases accordingly, and the process is complicated and the process takes a long time because the photolithography process requires a development process.

따라서 상기 포토리소그래피 공정의 단점을 해결하기 위한 새로운 패턴 형성 방법이 요구되었으며, 그와 같은 요구에 따라 인쇄롤을 이용하여 패턴을 형성하는 방법이 고안되었다.Therefore, a new pattern forming method has been required to solve the shortcomings of the photolithography process, and a method of forming a pattern using a printing roll has been devised in accordance with such a request.

도 1a 내지 도 1c는 인쇄롤을 이용하여 기판 상에 패턴물질층을 패터닝하는 공정을 도시한 공정도이다.1A to 1C are process diagrams illustrating a process of patterning a pattern material layer on a substrate using a printing roll.

우선, 도 1a에서 알 수 있듯이, 인쇄노즐(10)을 이용하여 패턴물질(30)을 인쇄롤(20)에 도포한다.First, as shown in FIG. 1A, the pattern material 30 is applied to the printing roll 20 using the printing nozzle 10.

그 후, 도 1b에서 알 수 있듯이, 소정형상의 돌출부가 형성된 인쇄판(40)상에서 상기 인쇄롤(20)을 회전시켜, 상기 인쇄판의 돌출부에 일부 패턴물질(30b)을 전사하고 잔존하는 패턴물질(30a)에 의해 인쇄롤(20)에 소정형상의 패턴을 형성한다.Thereafter, as shown in FIG. 1B, the printing roll 20 is rotated on the printing plate 40 on which the protrusion of the predetermined shape is formed, thereby transferring some of the pattern material 30b to the protrusion of the printing plate and remaining the pattern material ( A predetermined shape pattern is formed on the printing roll 20 by 30a).

그 후, 도 1c에서 알 수 있듯이, 기판(50) 상에서 상기 인쇄롤(20)을 회전하여 상기 기판(50) 상에 패턴물질(30a)을 전사한다.Thereafter, as shown in FIG. 1C, the printing material 20 is rotated on the substrate 50 to transfer the pattern material 30a onto the substrate 50.

이와 같이, 상기 인쇄롤을 이용하여 패턴을 형성하는 방법은 소정 형상의 인쇄판을 필요로 한다.Thus, the method of forming a pattern using the said printing roll requires the printing plate of a predetermined shape.

이하에서, 도면을 참조로 종래기술에 따른 인쇄판 제조방법에 대해 설명하기로 한다.Hereinafter, a printing plate manufacturing method according to the prior art will be described with reference to the drawings.

도 2a 내지 도 2c는 종래기술에 따른 인쇄판 제조방법을 개략적으로 도시한 공정도이다.2a to 2c is a process diagram schematically showing a printing plate manufacturing method according to the prior art.

우선, 도 2a에서 알 수 있듯이, 기판(45) 상에 소정 패턴의 포토레지스트층(60)을 형성한다.First, as shown in FIG. 2A, a photoresist layer 60 having a predetermined pattern is formed on the substrate 45.

그 후, 도 2b에서 알 수 있듯이, 상기 소정 패턴의 포토레지스트층(60)을 이용하여 상기 기판(45)을 선택적으로 식각하여 트렌치(70)를 형성한다.Thereafter, as illustrated in FIG. 2B, the substrate 45 is selectively etched using the photoresist layer 60 of the predetermined pattern to form the trench 70.

그 후, 도 2c에서 알 수 있듯이, 상기 기판(45) 상에서 상기 소정 패턴의 포 토레지스트층(60)을 제거하면, 인쇄판(45)이 완성된다.Thereafter, as shown in FIG. 2C, when the photoresist layer 60 of the predetermined pattern is removed from the substrate 45, the printing plate 45 is completed.

다만, 상기 포토레지스트층(60)은 기판(45)과의 부착력(Adhesion)이 떨어지기 때문에, 트렌치(70)의 가장자리 영역(도 2b의 A)에 식각액이 침투하기 쉽다.However, since the adhesive force with the substrate 45 is poor in the photoresist layer 60, the etching solution easily penetrates into the edge region (A of FIG. 2B) of the trench 70.

도 3은 종래기술에 따른 인쇄판의 불량을 개략적으로 도시한 단면도이다.3 is a cross-sectional view schematically showing a defect of a printing plate according to the prior art.

도 3에서 알 수 있듯이, 포토레지스트층(60)을 마스크로 하여 기판(45)을 식각하는 경우, 트렌치(70)의 가장자리 영역(도 2b의 A)에 식각액이 침투하여, 의도하였던 트렌치(70)의 폭보다 넓어지는 불량(도 3의 B)이 발생한다.As can be seen in FIG. 3, when the substrate 45 is etched using the photoresist layer 60 as a mask, an etchant penetrates into an edge region (A in FIG. 2B) of the trench 70, and the intended trench 70 is formed. The defect (B of FIG. 3) which becomes wider than the width | variety of) generate | occur | produces.

본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위해 안출한 것으로,The present invention has been made to solve the above problems,

본 발명의 목적은, 마스크 영역으로의 식각액 침투를 막음으로써, 원하는 개구율을 가지는 정밀한 인쇄판 제조방법 및 그를 이용한 액정표시소자 제조방법을 제공하는 것이다.SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is to provide an accurate printing plate manufacturing method having a desired aperture ratio and a liquid crystal display device manufacturing method using the same by preventing etching liquid penetration into the mask region.

본 발명은 상기와 같은 목적을 달성하기 위해서, 기판 상에 마스크층을 형성하는 공정; 상기 마스크층 상에 소정 패턴의 포토레지스트층을 형성하는 공정; 상기 포토레지스트층을 마스크로 하여 상기 마스크층을 패터닝하는 공정; 상기 마스크층 및 포토레지스트층을 마스크로 하여 기판에 트렌치를 형성하는 공정; 및 상기 마스크층 및 포토레지스트층을 제거하는 공정을 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 인쇄판 제조방법을 제공한다.The present invention provides a process for forming a mask layer on a substrate in order to achieve the above object; Forming a photoresist layer of a predetermined pattern on the mask layer; Patterning the mask layer using the photoresist layer as a mask; Forming a trench in the substrate using the mask layer and the photoresist layer as a mask; And it provides a printing plate manufacturing method comprising the step of removing the mask layer and the photoresist layer.

상기 마스크층은 크롬(Cr), 몰리브덴(Mo), 구리(Cu) 및 인-주석-산화 물(Indium-Tin-Oxide) 중 어느 하나로 이루어지고, 그 두께는 500 ~ 1500Å으로 이루어질 수 있다.The mask layer is made of one of chromium (Cr), molybdenum (Mo), copper (Cu), and phosphorus-tin-oxide (Indium-Tin-Oxide), the thickness may be made of 500 ~ 1500Å.

상기 마스크층 및 포토레지스트층을 마스크로 하여 기판에 트렌치를 형성하는 공정에서 상기 포토레지스트층은 5000Å 이상의 두께로 이루어질 수 있다.In the process of forming a trench in the substrate using the mask layer and the photoresist layer as a mask, the photoresist layer may have a thickness of 5000 GPa or more.

상기 기판 상에 마스크층을 형성하는 공정은 기판 상에 제1마스크층을 형성하는 공정; 및 상기 제1마스크층이 형성된 기판 상에 제2마스크층을 형성하는 공정을 포함하여 이루어지고, 상기 제1마스크층 및 제2마스크층의 두께는 각각 500 ~ 1500Å으로 이루어질 수 있다.The forming of the mask layer on the substrate may include forming a first mask layer on the substrate; And forming a second mask layer on the substrate on which the first mask layer is formed, and the thicknesses of the first mask layer and the second mask layer may be 500 to 1500 mW, respectively.

또한, 본 발명은 상기와 같은 목적을 달성하기 위해서, 제1기판 상에 차광층을 형성하는 공정; 상기 차광층을 포함하는 제1기판 상에 컬러필터층을 형성하는 공정; 제2기판을 준비하는 공정; 및 상기 제1기판 및 제2기판 사이에 액정층을 형성하는 공정을 포함하여 이루어지며, 상기 제1기판 상에 차광층을 형성하는 공정, 상기 컬러필터층을 형성하는 공정 중 적어도 하나의 공정은, 상기 제1항 내지 제8항 중 어느 한 항에 의해 제조된 인쇄판을 이용하여 패턴을 형성하는 공정으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 액정표시소자 제조방법을 제공한다.In addition, the present invention, in order to achieve the above object, the step of forming a light shielding layer on the first substrate; Forming a color filter layer on the first substrate including the light blocking layer; Preparing a second substrate; And forming a liquid crystal layer between the first substrate and the second substrate, wherein at least one of forming a light blocking layer on the first substrate and forming the color filter layer includes: It provides a liquid crystal display device manufacturing method comprising the step of forming a pattern using a printing plate manufactured according to any one of claims 1 to 8.

상기 제2기판을 준비하는 공정은 상기 제2기판 상에 서로 종횡으로 교차되어 화소영역을 정의하는 게이트 배선 및 데이터 배선과, 상기 게이트 배선과 데이터 배선의 교차 영역에 박막트랜지스터와, 상기 박막트랜지스터와 연결되는 화소전극을 형성하는 공정을 포함하여 이루어질 수 있다.The process of preparing the second substrate may include a gate wiring and a data wiring crossing the horizontal and horizontal crosses on the second substrate to define a pixel region, a thin film transistor, a thin film transistor and a thin film transistor at an intersection of the gate wiring and the data wiring. And forming a pixel electrode to be connected.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 상세히 설명한 다.Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

1. 인쇄판 제조방법1. Printing plate manufacturing method

제1실시예First embodiment

도 4a 내지 도 4e는 본 발명의 제1실시예에 따른 인쇄판 제조방법을 개략적으로 도시한 공정도이다.4A to 4E are process diagrams schematically showing a printing plate manufacturing method according to a first embodiment of the present invention.

우선, 도 4a에서 알 수 있듯이, 기판(450) 상에 마스크층(610)을 형성한다.First, as shown in FIG. 4A, a mask layer 610 is formed on the substrate 450.

상기 마스크층(610)은 크롬(Cr), 몰리브덴(Mo), 구리(Cu) 및 인-주석-산화물(Indium-Tin-Oxide) 중 어느 하나로 이루어지고, 그 두께는 약 500 ~ 1500Å으로 이루어진다.The mask layer 610 is made of one of chromium (Cr), molybdenum (Mo), copper (Cu), and phosphorus-tin-oxide (Indium-Tin-Oxide), and has a thickness of about 500 to 1500Å.

그 후, 도 4b에서 알 수 있듯이, 상기 마스크층(610) 상에 소정 패턴의 포토레지스트층(630)을 형성한다.Thereafter, as shown in FIG. 4B, a photoresist layer 630 having a predetermined pattern is formed on the mask layer 610.

상기 소정 패턴의 포토레지스트층(630)은 포토리소그래피 공정 또는 인쇄롤을 이용한 패턴형성방법을 이용하여 형성되고, 그 두께는 약 10000Å으로 이루어진다.The photoresist layer 630 of the predetermined pattern is formed using a photolithography process or a pattern forming method using a printing roll, the thickness of which is about 10000 kPa.

그 후, 도 4c에서 알 수 있듯이, 상기 소정 패턴의 포토레지스트층(630)을 마스크로 하여 상기 마스크층(610)을 패터닝한다.Thereafter, as shown in FIG. 4C, the mask layer 610 is patterned using the photoresist layer 630 having the predetermined pattern as a mask.

상기 마스크층(610)을 패터닝하는 공정은 마스크층(610)을 식각할 수 있는 식각액을 이용하여 상기 마스크층(610)을 식각함으로써 이루어진다.The process of patterning the mask layer 610 is performed by etching the mask layer 610 using an etchant capable of etching the mask layer 610.

이 때, 상기 포토레지스트층(630)도 상기 마스크층(610)의 식각액과 일부 반응하여 그 두께가 약 5000Å으로 줄어든다.In this case, the photoresist layer 630 also partially reacts with the etching solution of the mask layer 610, and the thickness thereof is reduced to about 5000 kPa.

그 후, 도 4d에서 알 수 있듯이, 상기 마스크층(610) 및 포토레지스트층(630)을 마스크로 하여 기판(450)에 트렌치(700)를 형성한다.Thereafter, as shown in FIG. 4D, the trench 700 is formed in the substrate 450 using the mask layer 610 and the photoresist layer 630 as a mask.

상기 기판(450)에 트렌치(700)를 형성하는 공정은 불산(HF) 계열의 식각액을 이용하여 기판(450)을 식각함으로써 이루어진다.The process of forming the trench 700 in the substrate 450 is performed by etching the substrate 450 using an etchant of hydrofluoric acid (HF).

상기 마스크층(610)과 기판(450) 사이의 부착력이 우수하기 때문에, 트렌치(700)의 가장자리 영역으로 식각액이 침투하여 불량을 발생시킬 확률이 현저하게 줄어든다.Since the adhesion between the mask layer 610 and the substrate 450 is excellent, the probability that the etchant penetrates into the edge region of the trench 700 to cause defects is significantly reduced.

또한, 상기 포토레지스트층(630)은, 상기 트렌치(700) 형성공정시, 얇은 마스크층(610)이 스트레스로 인하여 트렌치(700) 내부로 말려들어가는 것을 방지해주고, 상기 마스크층(610) 상에서 마스크층(610)을 눌러주어 마스크층(610)과 기판(450) 사이의 부착력을 더욱 향상시킨다.In addition, the photoresist layer 630 prevents the thin mask layer 610 from being curled into the trench 700 due to stress during the trench 700 forming process, and masks the mask layer 610 on the mask layer 610. The layer 610 is pressed to further improve adhesion between the mask layer 610 and the substrate 450.

그 후, 도 4e에서 알 수 있듯이, 상기 마스크층(610) 및 포토레지스트층(630)을 기판(450)으로부터 제거하여, 인쇄판을 완성한다.Thereafter, as shown in FIG. 4E, the mask layer 610 and the photoresist layer 630 are removed from the substrate 450 to complete the printing plate.

제2실시예Second embodiment

도 5a 내지 도 5f는 본 발명의 제2실시예에 따른 인쇄판 제조방법을 개략적으로 도시한 공정도이다.5A to 5F are process diagrams schematically showing a printing plate manufacturing method according to a second embodiment of the present invention.

본 발명의 제2실시예에 따른 인쇄판 제조방법은, 상기 제1실시예의 마스크층(610)을 제1마스크층(612) 및 제2마스크층(614) 즉 이중층으로 형성한다는 점을 제외하고는, 그 구성 및 방법이 상기 제1실시예에 따른 인쇄판 제조방법과 동일하다.The printing plate manufacturing method according to the second embodiment of the present invention, except that the mask layer 610 of the first embodiment is formed of a first mask layer 612 and a second mask layer 614, that is, a double layer The configuration and method are the same as those of the printing plate manufacturing method according to the first embodiment.

마스크층(610)을 단일층으로 형성하는 경우, 도 6에서 알 수 있듯이, 상기 마스크층(610) 형성시 기포 또는 이물질에 의해 상기 마스크층(610) 상에 핀 홀(도 6의 D) 등이 형성되고, 상기 핀 홀 등에 의해 기판(450)에서 원하지 않는 영역이 식각될 수 있다.When the mask layer 610 is formed as a single layer, as can be seen in FIG. 6, pin holes (D in FIG. 6), etc., are formed on the mask layer 610 by bubbles or foreign matters when the mask layer 610 is formed. May be formed, and an unwanted area of the substrate 450 may be etched by the pin hole or the like.

상기 마스크층(610) 상에 포토레지스트층(610)이 형성되어 있음에도 불구하고, 핀 홀(도 6의 D)이 형성된 영역의 기판(450)이 식각되어 불량을 유발할 수 있다.Although the photoresist layer 610 is formed on the mask layer 610, the substrate 450 in the region where the pin hole (D of FIG. 6) is formed may be etched to cause defects.

이에 반해, 상기 마스크층(610)을 이중층으로 형성하는 경우에는, 도 7에서 알 수 있듯이, 제1마스크층(612) 및 제2마스크층(612) 형성시 상기 제1마스크층(612) 및 제2마스크층(614) 상에 핀 홀(도 7의 E, 도 7의 F) 등이 형성되더라도, 핀 홀이 형성된 영역의 기판(450)이 식각되는 것을 방지할 수 있다.In contrast, when the mask layer 610 is formed as a double layer, as shown in FIG. 7, when the first mask layer 612 and the second mask layer 612 are formed, the first mask layer 612 and Even if a pin hole (E in FIG. 7, F in FIG. 7) or the like is formed on the second mask layer 614, the substrate 450 in the region where the pin hole is formed may be prevented from being etched.

이는 상기 제1마스크층(612) 및 제2마스크층(614)의 핀 홀(도 7의 E, 도 7의 F)이 동일한 위치에 발생할 확률이 작고, 핀 홀들(도 7의 E, 도 7의 F)이 동일한 위치에 발생하기 않는다면, 제1마스크층(612) 및 제2마스크층(614)이 서로 다른 층의 핀 홀에 대해 마스크 역할을 할 수 있기 때문이다.This is because the pin holes (E in FIG. 7 and F in FIG. 7) of the first mask layer 612 and the second mask layer 614 are less likely to occur at the same position, and the pin holes (E in FIG. 7 and FIG. 7). If F) does not occur at the same position, the first mask layer 612 and the second mask layer 614 may serve as a mask for the pin holes of the different layers.

상기 제1마스크층(612) 및 제2마스크층(614)은 모두 크롬(Cr), 몰리브덴(Mo), 구리(Cu) 및 인-주석-산화물(Indium-Tin-Oxide) 중 어느 하나로 이루어지고, 그 각각의 두께는 약 500 ~ 1500Å으로 이루어진다.The first mask layer 612 and the second mask layer 614 are all made of any one of chromium (Cr), molybdenum (Mo), copper (Cu), and indium-tin-oxide (oxide). The thickness of each is about 500-1500 mm.

제1마스크층(612) 및 제2마스크층(614)의 두께가 각각 1500Å을 넘어 총 두께가 3000Å을 초과하면, 그 무게로 인하여 트렌치(700)에 오버랩된 마스크층 영 역(도 5e의 C)이 트렌치(700) 내부로 주저앉을 수 있다.If the thickness of the first mask layer 612 and the second mask layer 614 exceeds 1500 kPa and the total thickness exceeds 3000 kPa, respectively, the mask layer region overlapped in the trench 700 due to its weight (C in FIG. 5E). ) May sit inside the trench 700.

또한, 기판(450) 상에 제1마스크층(612)을 형성(도 5a)한 후, 상기 제1마스크층(612)이 형성된 기판(450) 상에 제2마스크층(614)을 형성(도 5b)하기 전에, 상기 제1마스크층(612)이 형성된 기판(450)을 세정하는 공정이 이루어진다.In addition, after the first mask layer 612 is formed on the substrate 450 (FIG. 5A), the second mask layer 614 is formed on the substrate 450 on which the first mask layer 612 is formed (FIG. 5A). Before the process of FIG. 5B), the process of cleaning the substrate 450 on which the first mask layer 612 is formed is performed.

상기 제1마스크층(612)이 형성된 기판(450)을 세정하는 공정은 브러쉬(Brush)를 이용하여 이루어진다.The process of cleaning the substrate 450 on which the first mask layer 612 is formed is performed using a brush.

상기 제1마스크층(612)이 형성된 기판(450)을 세정함으로써, 제1마스크층(612)을 형성할 때 발생할 수 있는 이물질 등을 제거할 수 있어, 제2마스크층(612)의 코팅품위가 높아진다.By cleaning the substrate 450 on which the first mask layer 612 is formed, foreign matters that may occur when the first mask layer 612 is formed may be removed, and thus, the coating quality of the second mask layer 612 may be removed. Becomes higher.

2. 액정표시소자 제조방법2. Manufacturing method of liquid crystal display device

도 8a 내지 도 8d는 본 발명의 실시예에 따른 액정표시소자의 제조방법을 개략적으로 도시한 공정 단면도이다.8A to 8D are cross-sectional views schematically illustrating a method of manufacturing a liquid crystal display device according to an exemplary embodiment of the present invention.

우선, 도 8a에서 알 수 있듯이, 제1기판(500) 상에 차광층(300)을 형성한다.First, as shown in FIG. 8A, the light blocking layer 300 is formed on the first substrate 500.

그 후, 도 8b에서 알 수 있듯이, 상기 차광층(300)을 포함하는 제1기판(500) 상에 컬러필터층(350)을 형성한다.Thereafter, as shown in FIG. 8B, the color filter layer 350 is formed on the first substrate 500 including the light blocking layer 300.

여기서, 상기 차광층(300)을 형성하는 공정(도 8a 참조), 상기 컬러필터층(350)을 형성하는 공정(도 8b 참조) 중 적어도 하나의 공정은, 전술한 인쇄판 제조방법의 실시예에 의해 제조된 인쇄판을 이용하여 패턴을 형성하는 공정으로 이루어질 수 있다.Here, at least one of the process of forming the light shielding layer 300 (see FIG. 8A) and the process of forming the color filter layer 350 (see FIG. 8B) may be performed by the embodiment of the printing plate manufacturing method described above. It may be made by a process of forming a pattern using the manufactured printing plate.

상기 전술한 인쇄판 제조방법의 실시예에 의해 제조된 인쇄판을 이용하여 패 턴을 형성하는 바람직한 방법을 도 9a 내지 도 9c를 참조하여 구체적으로 설명하기로 한다.A preferred method of forming a pattern using a printing plate manufactured by the above-described printing plate manufacturing method will be described in detail with reference to FIGS. 9A to 9C.

우선, 도 9a에서 알 수 있듯이, 패턴물질(300)을 인쇄롤(200)에 도포한다.First, as shown in FIG. 9A, the pattern material 300 is applied to the printing roll 200.

그 후, 도 9b에서 알 수 있듯이, 상기 전술한 인쇄판 제조방법의 실시예에 의해 제조된 인쇄판 상에서, 상기 패턴물질(300)이 도포된 인쇄롤(200)을 회전시켜, 일부 패턴물질(300b)을 인쇄판 상에 전사한다.Then, as can be seen in Figure 9b, on the printing plate manufactured by the embodiment of the printing plate manufacturing method described above, by rotating the printing roll 200 is coated with the pattern material 300, a portion of the pattern material (300b) Is transferred onto the printing plate.

그 후, 도 9c에서 알 수 있듯이, 상기 기판(500) 상에서, 상기 인쇄롤(200)을 회전시켜, 인쇄롤(200)에 잔존하는 패턴물질(300a)을 기판(500) 상에 전사한다.Thereafter, as shown in FIG. 9C, the printing roll 200 is rotated on the substrate 500 to transfer the pattern material 300a remaining on the printing roll 200 onto the substrate 500.

이와 같이 도 9a 내지 도 9c와 같은 방법으로 상기 기판(500) 상에 소정 패턴을 형성할 수 있다.As described above, a predetermined pattern may be formed on the substrate 500 in the same manner as in FIGS. 9A to 9C.

그 후, 도 8c에서 알 수 있듯이, 제2기판(550)을 준비한다.Thereafter, as shown in FIG. 8C, the second substrate 550 is prepared.

상기 제2기판(550)을 준비하는 공정은, 도시하지는 않았으나, 상기 제2기판 상에 서로 종횡으로 교차되어 화소영역을 정의하는 게이트 배선 및 데이터 배선과, 상기 게이트 배선과 데이터 배선의 교차 영역에 박막트랜지스터와, 상기 박막트랜지스터와 연결되는 화소전극을 형성하는 공정을 포함하여 이루어질 수 있다.Although not illustrated, a process of preparing the second substrate 550 may be performed on gate lines and data lines on the second substrate, which cross each other vertically and laterally to define pixel regions, and intersecting regions of the gate lines and data lines. And forming a thin film transistor and a pixel electrode connected to the thin film transistor.

그 후, 도 8d에서 알 수 있듯이, 상기 제1기판(500) 및 제2기판(550) 사이에 액정층(900)을 형성한다.Thereafter, as shown in FIG. 8D, the liquid crystal layer 900 is formed between the first substrate 500 and the second substrate 550.

이 때, 상기 액정층(900)을 형성하는 공정은 제1기판(500) 및 제2기판(550) 중 어느 하나의 기판에 주입구 없는 씨일재를 형성하고, 씨일재가 형성된 기판에 액정(900)을 적하한 후 양 기판(500,550)을 합착하여 형성할 수 있다.In this case, the process of forming the liquid crystal layer 900 forms a sealing material without an injection hole on any one of the first substrate 500 and the second substrate 550, and the liquid crystal 900 on the substrate on which the sealing material is formed. After dropping, both substrates 500 and 550 may be bonded to each other.

또한, 상기 액정층을 형성하는 공정은 제1기판(500) 및 제2기판(550) 중 어느 하나의 기판에 주입구 형성되도록 씨일재를 형성한 후 양 기판을 합착하고, 그 후에 상기 주입구를 통해 모세관 현상과 압력차를 이용하여 액정(900)을 주입하여 형성할 수 있다.In addition, in the process of forming the liquid crystal layer, a sealing material is formed to form an injection hole in any one of the first substrate 500 and the second substrate 550, and then both substrates are bonded to each other, and then through the injection hole. The liquid crystal 900 may be formed by using a capillary phenomenon and a pressure difference.

상기 구성에 의한 본 발명에 따르면,According to the present invention by the above configuration,

마스크층 및 포토레지스트층을 함께 마스크로 하여 트렌치를 형성하기 때문에, 마스크 영역으로의 식각액 침투를 막을 수 있어, 원하는 개구율을 갖는 정밀한 인쇄판의 제작이 가능해진다.Since the trench is formed by using the mask layer and the photoresist layer together as a mask, penetration of the etchant into the mask region can be prevented, and a precise printing plate having a desired aperture ratio can be produced.

또한, 마스크층을 이중층으로 형성하기 때문에, 어느 한 마스크층에 핀 홀 등이 발생하더라도 다른 마스크층이 이를 보완해줄 수 있어, 기판의 원하지 않는 영역이 식각되는 불량을 방지할 수 있다.In addition, since the mask layer is formed as a double layer, even if a pin hole or the like occurs in one mask layer, the other mask layer can compensate for this, thereby preventing a defect that an unwanted area of the substrate is etched.

Claims (11)

기판 상에 마스크층을 형성하는 공정;Forming a mask layer on the substrate; 상기 마스크층 상에 소정 패턴의 포토레지스트층을 형성하는 공정;Forming a photoresist layer of a predetermined pattern on the mask layer; 상기 포토레지스트층을 마스크로 하여 상기 마스크층을 패터닝하는 공정;Patterning the mask layer using the photoresist layer as a mask; 상기 마스크층 및 포토레지스트층을 마스크로 하여 기판에 트렌치를 형성하는 공정; 및Forming a trench in the substrate using the mask layer and the photoresist layer as a mask; And 상기 마스크층 및 포토레지스트층을 제거하는 공정을 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 인쇄판 제조방법.A printing plate manufacturing method comprising the step of removing the mask layer and the photoresist layer. 제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 마스크층은 크롬(Cr), 몰리브덴(Mo), 구리(Cu) 및 인-주석-산화물(Indium-Tin-Oxide) 중 어느 하나로 이루어지는 것을 특징으로 하는 인쇄판 제조방법.The mask layer is a printing plate manufacturing method, characterized in that made of any one of chromium (Cr), molybdenum (Mo), copper (Cu) and phosphorus-tin-oxide (Indium-Tin-Oxide). 제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 마스크층은 500 ~ 1500Å의 두께로 이루어지는 것을 특징으로 하는 인쇄판 제조방법.The mask layer is a printing plate manufacturing method, characterized in that made of a thickness of 500 ~ 1500Å. 제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 마스크층 및 포토레지스트층을 마스크로 하여 기판에 트렌치를 형성하는 공정에서 상기 포토레지스트층은 5000Å 이상의 두께로 이루어지는 것을 특징으로 하는 인쇄판 제조방법.And forming a trench in the substrate using the mask layer and the photoresist layer as a mask, wherein the photoresist layer has a thickness of 5000 GPa or more. 제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 마스크층 및 포토레지스트층을 마스크로 하여 기판에 트렌치를 형성하는 공정은 불산(HF) 계열의 식각액을 이용하여 기판을 식각하는 공정으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 인쇄판 제조방법.The method of forming a trench on the substrate using the mask layer and the photoresist layer as a mask comprises etching the substrate using a hydrofluoric acid (HF) -based etching solution. 제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 기판 상에 마스크층을 형성하는 공정은The process of forming a mask layer on the substrate 기판 상에 제1마스크층을 형성하는 공정; 및Forming a first mask layer on the substrate; And 상기 제1마스크층이 형성된 기판 상에 제2마스크층을 형성하는 공정을 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 인쇄판 제조방법.And a step of forming a second mask layer on the substrate on which the first mask layer is formed. 제6항에 있어서,The method of claim 6, 상기 제1마스크층이 형성된 기판을 세정하는 공정을 추가로 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 인쇄판 제조방법.And a step of cleaning the substrate on which the first mask layer is formed. 제6항에 있어서,The method of claim 6, 상기 제1마스크층 및 제2마스크층은 각각 500 ~ 1500Å의 두께로 이루어지는 것을 특징으로 하는 인쇄판 제조방법.The first mask layer and the second mask layer is a printing plate manufacturing method, characterized in that each made of a thickness of 500 ~ 1500Å. 제1기판 상에 차광층을 형성하는 공정;Forming a light shielding layer on the first substrate; 상기 차광층을 포함하는 제1기판 상에 컬러필터층을 형성하는 공정;Forming a color filter layer on the first substrate including the light blocking layer; 제2기판을 준비하는 공정; 및Preparing a second substrate; And 상기 제1기판 및 제2기판 사이에 액정층을 형성하는 공정을 포함하여 이루어지며,And forming a liquid crystal layer between the first substrate and the second substrate, 상기 제1기판 상에 차광층을 형성하는 공정, 상기 컬러필터층을 형성하는 공정 중 적어도 하나의 공정은, 상기 제1항 내지 제8항 중 어느 한 항에 의해 제조된 인쇄판을 이용하여 패턴을 형성하는 공정으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 액정표시소자 제조방법.At least one of the steps of forming the light shielding layer on the first substrate and the step of forming the color filter layer, the pattern is formed by using the printing plate manufactured by any one of claims 1 to 8. A liquid crystal display device manufacturing method comprising a step of making. 제9항에 있어서,The method of claim 9, 상기 제1항 내지 제8항 중 어느 한 항에 의해 제조된 인쇄판을 이용하여 패턴을 형성하는 공정은The process of forming a pattern using the printing plate manufactured by any one of claims 1 to 8 is 차광물질 또는 컬러필터물질을 인쇄롤에 도포하는 공정;Applying a light shielding material or color filter material to a printing roll; 상기 제1항 내지 제8항 중 어느 한 항에 의해 제조된 인쇄판 상에서, 상기 차광물질 또는 컬러필터물질이 도포된 인쇄롤을 회전시켜, 일부 차광물질 또는 컬러필터물질을 인쇄판 상에 전사하는 공정; 및A method of transferring a light shielding material or color filter material onto a printing plate by rotating a printing roll coated with the light blocking material or color filter material on the printing plate manufactured according to any one of claims 1 to 8; And 상기 제1기판 상에서, 상기 인쇄롤을 회전시켜, 인쇄롤에 잔존하는 차광물질 또는 컬러필터물질을 기판 상에 전사하는 공정으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 액정표시소자 제조방법.And rotating the printing roll on the first substrate to transfer the light blocking material or color filter material remaining on the printing roll onto the substrate. 제9항에 있어서,The method of claim 9, 상기 제2기판을 준비하는 공정은The process of preparing the second substrate is 상기 제2기판 상에 서로 종횡으로 교차되어 화소영역을 정의하는 게이트 배선 및 데이터 배선과, 상기 게이트 배선과 데이터 배선의 교차 영역에 박막트랜지스터와, 상기 박막트랜지스터와 연결되는 화소전극을 형성하는 공정을 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 액정표시소자 제조방법.A process of forming a thin film transistor and a pixel electrode connected to the thin film transistor at a cross region of the gate line and the data line, the gate line and the data line crossing each other horizontally and horizontally to define the pixel area; Liquid crystal display device manufacturing method comprising a.
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