KR101182308B1 - Patterning Method and Method of Manufacturing Liquid Crystal Display Device using the same - Google Patents

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Abstract

본 발명은 기판 상에 포토레지스트층을 형성하는 공정; 상기 기판의 배면에 투과부, 반투과부 및 차광부를 구비한 소정 패턴의 마스크를 위치시키는 공정; 상기 기판의 배면에 광을 조사하는 공정; 상기 포토레지스트층을 현상하여 패터닝하는 공정; 상기 패터닝된 포토레지스트층 상에 패턴물질층을 형성하는 공정; 상기 포토레지스트층을 제거하는 공정을 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 패턴형성방법에 관한 것으로서,The present invention provides a process for forming a photoresist layer on a substrate; Placing a mask having a predetermined pattern including a transmissive portion, a transflective portion, and a light shielding portion on a rear surface of the substrate; Irradiating light on the back surface of the substrate; Developing and patterning the photoresist layer; Forming a patterned material layer on the patterned photoresist layer; A pattern forming method comprising the step of removing the photoresist layer,

본 발명에 따르면, 포토레지스트를 배면 노광하여 패터닝 한 후, 그 위에 패턴물질층을 형성함으로써, 패턴물질층을 따로 패터닝할 필요가 없어, 공정이 단순해지고, 기판 상에 패터닝이 어려운 무기물의 패터닝이 가능해진다.According to the present invention, after the photoresist is patterned by back exposure, a pattern material layer is formed thereon, thereby eliminating the need for patterning the pattern material layer separately, which simplifies the process and makes patterning of the inorganic material difficult to pattern on the substrate possible. It becomes possible.

배면노광, 반투과부 Back exposure, transflective part

Description

패턴형성방법 및 그를 이용한 액정표시소자 제조방법{Patterning Method and Method of Manufacturing Liquid Crystal Display Device using the same}Pattern Forming Method and Method of Manufacturing Liquid Crystal Display Device Using the Same {Patterning Method and Method of Manufacturing Liquid Crystal Display Device using the same}

도 1a 내지 도 1g는 종래기술에 따른 패턴형성방법을 개략적으로 도시한 공정단면도이다.1A to 1G are process cross-sectional views schematically showing a pattern forming method according to the prior art.

도 2a 내지 도 2e는 본 발명에 따른 패턴형성방법을 개략적으로 도시한 공정단면도이다.2A to 2E are schematic cross-sectional views of a pattern forming method according to the present invention.

도 3a 내지 도 3d는 본 발명에 따른 액정표시소자 제조방법을 개략적으로 도시한 공정단면도이다.3A to 3D are cross-sectional views schematically illustrating a method of manufacturing a liquid crystal display device according to the present invention.

<도면의 주요부의 부호에 대한 설명>DESCRIPTION OF THE REFERENCE NUMERALS OF THE DRAWINGS FIG.

100 : 기판 300 : 포토레지스트층100 substrate 300 photoresist layer

400 : 마스크 500 : 패턴물질400: mask 500: pattern material

본 발명은 액정표시소자에 관한 것으로 보다 구체적으로는 액정표시소자의 패턴형성방법에 관한 것이다.The present invention relates to a liquid crystal display device, and more particularly, to a pattern forming method of a liquid crystal display device.

본 발명은 액정표시소자에 관한 것으로 보다 구체적으로는 액정표시소자의 패턴 형성 방법 및 그를 이용한 액정표시소자의 제조방법에 관한 것이다.The present invention relates to a liquid crystal display device, and more particularly, to a pattern forming method of a liquid crystal display device and a method of manufacturing a liquid crystal display device using the same.

표시화면의 두께가 수 센티미터(cm)에 불과한 초박형의 평판표시소자(Flat Panel Display), 그 중에서도 액정표시소자는 동작 전압이 낮아 소비 전력이 적고 휴대용으로 쓰일 수 있는 등의 이점으로 노트북 컴퓨터, 모니터, 우주선, 항공기 등에 이르기까지 응용분야가 넓고 다양하다.Ultra-thin flat panel displays with a thickness of only a few centimeters (cm). Among them, liquid crystal displays have low operating voltages, which consume less power and can be used as portable devices. Applications range from ships to spacecraft to aircraft.

상기 액정표시소자는 하부기판, 상부기판, 및 상기 양 기판 사이에 형성된 액정층을 포함하여 구성되며, 하부 기판 상에는 서로 종횡으로 교차되어 화소영역을 정의하는 게이트 배선과 데이터 배선이 형성되어 있다. 그리고 상기 게이트 배선과 데이터 배선의 교차 영역에는 스위칭 소자로서 박막트랜지스터가 형성되어 있다.The liquid crystal display device includes a lower substrate, an upper substrate, and a liquid crystal layer formed between the two substrates, and a gate wiring and a data wiring are formed on the lower substrate so as to cross each other longitudinally and define a pixel region. A thin film transistor is formed as a switching element in an intersection region of the gate line and the data line.

또한, 상부기판 상에는 상기 게이트 배선, 데이터 배선, 및 박막트랜지스터 영역에서 광이 누설되는 것을 차단하기 위한 차광층이 형성되어 있고, 상기 차광층 위에 컬러필터층이 형성되어 있으며, 상기 컬러필터층 상부에 공통전극이 형성되어 있다.In addition, a light blocking layer is formed on the upper substrate to block light leakage from the gate wiring, data wiring, and thin film transistor regions, and a color filter layer is formed on the light blocking layer, and a common electrode is formed on the color filter layer. Is formed.

이와 같이 액정표시소자는 다양한 구성요소들을 포함하고 있으며 그 구성요소들을 형성하기 위해 수많은 공정들이 반복적으로 행해지게 된다. 특히, 다양한 구성요소들을 다양한 형태로 패터닝하기 위해서 포토리소그래피공정이 사용되고 있다.As such, the liquid crystal display includes various components, and numerous processes are repeatedly performed to form the components. In particular, photolithography processes are used to pattern various components in various forms.

유기물의 경우에는 간단한 포토리소그래피공정으로 패턴 형성이 가능하나, 금속과 같은 무기물의 경우 패턴 형성이 어렵기 때문에 유기물과 다른 방법을 통해 패턴을 형성한다.In the case of an organic material, a pattern can be formed by a simple photolithography process. However, in the case of an inorganic material such as a metal, it is difficult to form a pattern, thereby forming a pattern through a method different from the organic material.

이하에서, 도면을 참조로 종래 포토리소그래피공정을 통한 무기물의 패턴 형성 방법을 설명하기로 한다.Hereinafter, a method of forming an inorganic material through a conventional photolithography process will be described with reference to the drawings.

우선, 도 1a에서 알 수 있듯이, 기판(10)상에 절연막(20)을 형성한다.First, as shown in FIG. 1A, an insulating film 20 is formed on the substrate 10.

상기 절연막(20)으로는 실리콘 나이트라이드(SiN) 계열의 물질을 이용한다.As the insulating film 20, a silicon nitride (SiN) -based material is used.

그 후, 도 1b에서 알 수 있듯이, 상기 절연막(20) 상에 포토레지스트층(30)을 형성한다.Thereafter, as shown in FIG. 1B, a photoresist layer 30 is formed on the insulating film 20.

그 후, 도 1c에서 알 수 있듯이, 상기 포토레지스트층(30) 위에 소정 패턴의 마스크(40)를 위치시킨 후 광 조사장치를 통해 광을 조사한다.Thereafter, as shown in FIG. 1C, a mask 40 having a predetermined pattern is positioned on the photoresist layer 30 and then irradiated with light through a light irradiation apparatus.

그 후, 도 1d에서 알 수 있듯이, 현상공정을 통해 상기 포토레지스트층(30)을 패터닝한다.Thereafter, as shown in FIG. 1D, the photoresist layer 30 is patterned through a developing process.

그 후, 도 1e에서 알 수 있듯이, 상기 패터닝된 포토레지스트층(30a)을 마스크로 하여 상기 절연막(20)을 식각한다.Thereafter, as shown in FIG. 1E, the insulating layer 20 is etched using the patterned photoresist layer 30a as a mask.

이 때, 상기 절연막의 패턴(20a)은 상기 포토레지스트층(30a)의 패턴보다 좁게 형성되어 공간을 형성하기 때문에, 패턴 형성 후 식각액이 상기 공간으로 침투하여 상기 포토레지스트층(30a) 및 절연막(20a)이 기판(10)으로부터 쉽게 떨어져 나갈 수 있게 된다.At this time, since the pattern 20a of the insulating film is formed to be narrower than the pattern of the photoresist layer 30a to form a space, an etching solution penetrates into the space after the pattern is formed, and thus the photoresist layer 30a and the insulating film ( 20a can be easily separated from the substrate 10.

그 후, 도 1f에서 알 수 있듯이, 상기 패터닝된 포토레지스트층(30a) 상에 패턴물질(50)을 도포한다.Thereafter, as shown in FIG. 1F, the pattern material 50 is coated on the patterned photoresist layer 30a.

패턴을 형성하고자 하는 부분에는 포토레지스트층(30a) 및 절연막(20a)이 형 성되어 있지 아니하므로, 기판(10) 상에 패턴물질층(50a) 형성되고, 나머지 부분에는 포토레지스트층(30a) 및 절연막(20a)이 형성되어 있어, 상기 포토레지스트층(30a) 상에 패턴물질층(50b)이 형성된다.Since the photoresist layer 30a and the insulating film 20a are not formed in the portion where the pattern is to be formed, the pattern material layer 50a is formed on the substrate 10, and the photoresist layer 30a is formed in the remaining portion. And an insulating film 20a, and a pattern material layer 50b is formed on the photoresist layer 30a.

그 후, 도 1g에서 알 수 있듯이, 상기 패터닝된 포토레지스트층(30a) 및 절연막(20a)을 제거하면 무기물의 패턴(50a)이 기판(10) 상에 형성된다.Thereafter, as shown in FIG. 1G, when the patterned photoresist layer 30a and the insulating film 20a are removed, an inorganic pattern 50a is formed on the substrate 10.

유기물의 패턴형성과는 달리 무기물의 패턴 형성에는 절연막이 필요하다.Unlike pattern formation of an organic material, an insulating film is required for pattern formation of an inorganic material.

다만, 절연막을 형성하고 패터닝하는 공정이 필요하므로, 공정이 복잡해져서, 공정시간이 길어진다.However, since the process of forming and patterning an insulating film is necessary, the process becomes complicated and the process time becomes long.

그렇다고 해서, 절연막을 형성하지 않고, 포토레지스트층을 패터닝 한 후, 그 위에 패턴물질층을 형성하는 경우, 상기 포토레지스트층 밑으로 포토레지스트 스트리퍼가 침투할 공간이 없어, 포토레지스트층을 제거하는 것이 힘들다.However, when the photoresist layer is patterned without forming an insulating film and then a pattern material layer is formed thereon, there is no space for the photoresist stripper to penetrate under the photoresist layer, thereby removing the photoresist layer. Hard.

본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위해 안출한 것으로,SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made to solve the above problems,

본 발명의 제1목적은 반투과부를 구비한 마스크를 이용하여 배면노광 함으로써, 절연막을 형성하지 않고 간단히 패턴을 형성할 수 있는 방법을 제공하는 것이고, A first object of the present invention is to provide a method of forming a pattern without forming an insulating film by back exposure using a mask having a transflective portion.

본 발명의 제2목적은 상기 패턴형성방법을 이용하여 액정표시소자를 제조하는 방법을 제공하는 것이다.A second object of the present invention is to provide a method of manufacturing a liquid crystal display device using the pattern forming method.

본 발명은 상기와 같은 제1목적을 달성하기 위해서, 기판 상에 포토레지스트 층을 형성하는 공정(제1공정); 상기 기판의 배면에 투과부, 반투과부 및 차광부를 구비한 소정 패턴의 마스크를 위치시키는 공정(제2공정); 상기 기판의 배면에 광을 조사하는 공정; 상기 포토레지스트층을 현상하여 패터닝하는 공정(제3공정); 상기 패터닝된 포토레지스트층 상에 패턴물질층을 형성하는 공정(제4공정); 상기 포토레지스트층을 제거하는 공정(제5공정)을 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 패턴형성방법을 제공한다.The present invention provides a process for forming a photoresist layer on a substrate in order to achieve the first object as described above (first process); Positioning a mask having a predetermined pattern including a transmissive portion, a transflective portion, and a light shielding portion on a rear surface of the substrate (second step); Irradiating light on the back surface of the substrate; Developing and patterning the photoresist layer (third step); Forming a patterned material layer on the patterned photoresist layer (fourth step); It provides a pattern forming method comprising a step (a fifth step) of removing the photoresist layer.

본 발명의 특징은, 반투과부를 구비한 소정 패턴의 마스크를 이용하여 기판의 배면에서 노광을 함으로써, 포토레지스트층의 하면이 상면보다 좁은 폭을 갖는 사다리꼴의 형태로 포토레지스트층을 패터닝할 수 있기 때문에, 절연막을 형성하지 않더라도 상기 포토레지스트층을 쉽게 제거할 수 있다는 것이다.A feature of the present invention is that the photoresist layer can be patterned in the shape of a trapezoid having a narrower width than the upper surface of the photoresist layer by exposing from the back side of the substrate using a mask having a predetermined pattern having a transflective portion. Therefore, the photoresist layer can be easily removed even without forming the insulating film.

이 때, 상기 소정 패턴의 마스크에 구비된 반투과부는 다수개의 슬릿을 포함하여 이루어질 수 있다.In this case, the transflective portion provided in the mask of the predetermined pattern may include a plurality of slits.

반투과부에 형성된 다수개의 슬릿에 광이 조사되면 상기 광이 회절(diffraction)하기 때문에, 상기 하면이 상면보다 좁은 폭을 갖는 사다리꼴 형태로 포토레지스트를 패터닝할 수 있게 된다.When light is irradiated onto a plurality of slits formed in the transflective portion, the light is diffracted, so that the bottom surface of the photoresist can be patterned in a trapezoidal shape having a narrower width than the top surface.

또한, 상기 소정 패턴의 마스크에 구비된 반투과부는 반투과막으로 이루어질 수 있다.In addition, the transflective portion provided in the mask of the predetermined pattern may be formed of a transflective film.

상기 반투과막은 입사되는 광의 일부만 통과시키므로, 상기 반투과막으로 입사되는 광이 도달하는 부분은, 투과부로 입사되는 광이 도달하는 부분보다 광의 양이 적게 도달하기 때문에, 상기 하면이 상면보다 좁은 폭을 갖는 사다리꼴 형태로 포토레지스트를 패터닝할 수 있게 된다.Since the transflective film passes only a part of the incident light, a portion of the light entering the transflective film reaches less amount of light than a portion of the light incident on the transmissive portion, so that the lower surface is narrower than the upper surface. It is possible to pattern the photoresist in a trapezoidal form having a.

이 때, 상기 포토레지스트층은 포지티브(positive) 포토레지스트가 이용될 수 있다.In this case, a positive photoresist may be used as the photoresist layer.

또한, 본 발명은 상기 제2목적을 달성하기 위해서, 제1기판 상에 차광층을 형성하는 공정; 상기 차광층을 포함하는 제1기판 상에 컬러필터층을 형성하는 공정; 제2기판을 준비하는 공정; 및 상기 제1기판 및 제2기판 사이에 액정층을 형성하는 공정을 포함하여 이루어지며,In addition, the present invention is a process for forming a light shielding layer on a first substrate in order to achieve the second object; Forming a color filter layer on the first substrate including the light blocking layer; Preparing a second substrate; And forming a liquid crystal layer between the first substrate and the second substrate.

상기 제1기판 상에 차광층을 형성하는 공정, 상기 컬러필터층을 형성하는 공정 중 적어도 하나의 공정은, 전술한 패턴 형성 방법에 따르는 공정으로 이루어질 수 있다.At least one of the steps of forming the light blocking layer on the first substrate and the step of forming the color filter layer may be performed according to the pattern forming method described above.

상기 제2기판을 준비하는 공정은, 전술한 패턴형성방법에 따르는 공정을 이용하여 상기 제2기판 상에 서로 종횡으로 교차되어 화소영역을 정의하는 게이트 배선 및 데이터 배선과, 상기 게이트 배선과 데이터 배선의 교차 영역에 박막트랜지스터와, 상기 박막트랜지스터와 연결되는 화소전극을 형성하는 공정을 포함하여 이루어질 수 있다.The process of preparing the second substrate may include a gate wiring and a data wiring that cross each other on the second substrate vertically and horizontally to define a pixel region by using the pattern forming method described above, and the gate wiring and the data wiring. And forming a thin film transistor and a pixel electrode connected to the thin film transistor at an intersection region of the thin film transistor.

이 때, 상기 제1기판 및 제2기판 사이에 액정층을 형성하는 공정은, 상기 제1기판 또는 제2기판 중 어느 하나의 기판에 주입구 없는 씨일재를 형성하고, 상기 씨일재가 형성된 기판에 액정을 적하한 후 양 기판을 합착하는 공정으로 이루어질 수 있다.At this time, the step of forming a liquid crystal layer between the first substrate and the second substrate, forming a sealing material without the injection hole on any one of the first substrate or the second substrate, the liquid crystal on the substrate formed with the seal material After the addition of the two substrates may be bonded to each other.

또한, 상기 제1기판 및 제2기판 사이에 액정층을 형성하는 공정은, 상기 제1 기판 또는 제2기판 중 어느 하나의 기판에 주입구가 형성되도록 씨일재를 형성한 후 양 기판을 합착하고, 그 후에 상기 주입구를 통해 액정을 주입하여 형성할 수 있다.In addition, the process of forming a liquid crystal layer between the first substrate and the second substrate, after forming a sealing material to form an injection hole in any one of the first substrate or the second substrate, and then bonded both substrates, Thereafter, the liquid crystal may be injected and formed through the injection hole.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 상세히 설명한다.Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

1. 패턴형성방법1. Pattern formation method

도 2a 내지 도 2e는 본 발명에 따른 패턴형성방법을 개략적으로 도시한 공정단면도이다.2A to 2E are schematic cross-sectional views of a pattern forming method according to the present invention.

우선, 도 2a에서 알 수 있듯이, 기판(100) 상에 포토레지스트층(300)을 형성한다.First, as shown in FIG. 2A, a photoresist layer 300 is formed on the substrate 100.

상기 포토레지스트층(300)을 구성하는 물질로는 포지티브 포토레지스트를 이용한다.A positive photoresist is used as a material constituting the photoresist layer 300.

이 때, 상기 포토레지스트층(300)을 형성하는 공정은 기판(100) 상에 포토레지스트(300)를 적하한 후, 상기 기판(100)을 회전시키는 공정으로 이루어질 수 있다. In this case, the process of forming the photoresist layer 300 may be performed by dropping the photoresist 300 on the substrate 100 and then rotating the substrate 100.

또한, 상기 포토레지스트층(300)을 형성하는 공정은 인쇄노즐에서 포토레지스트(300)를 배출하고, 기판(100)을 이동하는 공정으로 이루어질 수 있다.In addition, the process of forming the photoresist layer 300 may include a process of discharging the photoresist 300 from the printing nozzle and moving the substrate 100.

또한, 상기 포토레지스트층(300)을 형성하는 공정은 인쇄롤에 포토레지스트(300)를 도포한 후, 상기 인쇄롤을 회전시켜 기판(100) 상에 포토레지스트(300)를 전사하는 공정으로 이루어질 수 있다.In addition, the process of forming the photoresist layer 300 consists of applying the photoresist 300 to a printing roll, and then rotating the printing roll to transfer the photoresist 300 onto the substrate 100. Can be.

그 후, 도 2b에서 알 수 있듯이, 상기 포토레지스트층(300)이 형성된 기판(100)의 배면에 투과부(400c), 반투과부(400b) 및 차광부(400a)를 구비한 소정 패턴의 마스크(400)를 위치시키고, 광 조사장치를 이용하여 광을 조사한다.Thereafter, as shown in FIG. 2B, a mask having a predetermined pattern having a transmissive portion 400c, a semi-transmissive portion 400b, and a light shielding portion 400a is formed on the back surface of the substrate 100 on which the photoresist layer 300 is formed. 400) and the light is irradiated using a light irradiation device.

이 때, 상기 소정 패턴의 마스크(400)에 구비된 반투과부(400b)는 다수개의 슬릿을 포함하여 구성될 수 있다.In this case, the transflective portion 400b provided in the mask 400 of the predetermined pattern may include a plurality of slits.

상기 마스크(400)의 반투과부(400b)에 형성된 다수개의 슬릿은 입사되는 광이 회절하도록 하여, 포토레지스트층(300)에 도달하는 광의 양을 조절한다.The plurality of slits formed in the transflective portion 400b of the mask 400 allow the incident light to diffract, thereby controlling the amount of light reaching the photoresist layer 300.

그 후, 도 2c에서 알 수 있듯이, 현상공정을 통하여 상기 포토레지스트층(300)을 패터닝한다.Thereafter, as shown in FIG. 2C, the photoresist layer 300 is patterned through a developing process.

회절현상에 의하면 가장자리부분에는 광이 작게 도달하므로, 차광부(400a)와 반투과부(400b)의 경계영역에 가장 작은 양의 빛이 도달되어, 하면이 상면보다 좁은 폭을 갖는 사다리꼴 형태로 포토레지스트층(300)이 패터닝된다.According to the diffraction phenomenon, since the light reaches a small portion at the edge, the smallest amount of light reaches the boundary area between the light shielding portion 400a and the semi-transmissive portion 400b, and the photoresist has a trapezoidal shape having a lower width than the upper surface. Layer 300 is patterned.

그 후, 도 2d에서 알 수 있듯이, 상기 패터닝된 포토레지스트층(300a) 상에 패턴물질(500)을 도포한다.Thereafter, as shown in FIG. 2D, the pattern material 500 is coated on the patterned photoresist layer 300a.

상기 패턴물질의 중 일부(500a)는 상기 포토레지스트층(300a)이 형성되지 않은 부분에 도포되고, 나머지는 포토레지스트층(300a) 상에 도포된다.A portion 500a of the pattern material is applied to a portion where the photoresist layer 300a is not formed, and the rest 500a is applied on the photoresist layer 300a.

상기 포토레지스트층(300a)은 하면이 상면보다 좁은 폭을 갖는 사다리꼴 형태로 패터닝 되어 있기 때문에, 상기 패턴물질(500)을 도포하더라도 포토레지스트 스트리퍼가 상기 포토레지스트층(300a)의 하면으로 침투할 공간이 확보된다.Since the lower surface of the photoresist layer 300a is patterned in a trapezoidal shape having a width smaller than that of the upper surface, the photoresist stripper may penetrate into the lower surface of the photoresist layer 300a even when the pattern material 500 is applied. This is secured.

종래 기술에 의하면, 절연막을 형성하지 않고서는 포토레지스트 스트리퍼가 침투할 공간을 확보할 수 없었으나, 본 발명은 포토레지스트층(300a)을 하면이 상면보다 좁은 폭을 갖는 사다리꼴 형태로 패터닝 함으로써, 절연막의 형성 없이도 포토레지스트 스트리퍼가 침투할 공간을 확보할 수 있다.According to the prior art, it is not possible to secure a space for the photoresist stripper to penetrate without forming the insulating film. However, in the present invention, the lower surface of the photoresist layer 300a is patterned in a trapezoidal shape having a width smaller than that of the upper surface, whereby the insulating film is formed. It is possible to secure a space for the photoresist stripper to penetrate without the formation of.

그 후, 도 2e에서 알 수 있듯이, 포토레지스트 스트리퍼를 이용하여 상기 포토레지스트층(300a)을 기판(100)으로부터 제거하면, 패턴이 완성된다.Thereafter, as shown in FIG. 2E, when the photoresist layer 300a is removed from the substrate 100 using a photoresist stripper, the pattern is completed.

2. 액정표시소자 제조방법2. Manufacturing method of liquid crystal display device

도 3a 내지 도 3d는 본 발명의 실시예에 따른 액정표시소자용 기판의 제조방법을 개략적으로 도시한 공정 단면도이다.3A to 3D are cross-sectional views schematically illustrating a method of manufacturing a substrate for a liquid crystal display device according to an exemplary embodiment of the present invention.

우선, 도 3a에서 알 수 있듯이, 제1기판(130) 상에 차광층(230)을 형성한다.First, as shown in FIG. 3A, the light blocking layer 230 is formed on the first substrate 130.

그 후, 도 3b에서 알 수 있듯이, 상기 차광층(230)을 포함하는 제1기판(130) 상에 컬러필터층(260)을 형성한다.Thereafter, as shown in FIG. 3B, the color filter layer 260 is formed on the first substrate 130 including the light blocking layer 230.

여기서, 상기 차광층을 형성하는 공정(도 3a 참조), 상기 컬러필터층을 형성하는 공정(도 3b 참조) 중 적어도 하나의 공정은, 전술한 패턴형성방법의 실시예에 따르는 공정으로 형성된다.Here, at least one of the process of forming the light shielding layer (see FIG. 3A) and the process of forming the color filter layer (see FIG. 3B) is formed by the process according to the embodiment of the pattern forming method described above.

그 후, 도 3c에서 알 수 있듯이, 제2기판(160)을 준비한다.Thereafter, as shown in FIG. 3C, the second substrate 160 is prepared.

상기 제2기판을 준비하는 공정은, 도시하지는 아니하였으나, 전술한 패턴형성방법의 실시예에 따르는 공정을 이용하여, 상기 제2기판 상에 서로 종횡으로 교차되어 화소영역을 정의하는 게이트 배선 및 데이터 배선과, 상기 게이트 배선과 데이터 배선의 교차 영역에 박막트랜지스터와, 상기 박막트랜지스터를 포함하는 제1기판 상에 보호막과, 상기 보호막 상부에 상기 박막트랜지스터의 드레인 전극에 접속되는 화소전극을 형성하는 공정을 포함하여 이루어질 수 있다.Although not illustrated, a process of preparing the second substrate may be performed by using a process according to the embodiment of the pattern forming method described above, and the gate wiring and the data defining the pixel area by crossing vertically and horizontally on the second substrate. Forming a passivation layer on a wiring, a thin film transistor at an intersection region of the gate line and the data line, a protective film on a first substrate including the thin film transistor, and a pixel electrode connected to the drain electrode of the thin film transistor on the passivation layer. It may be made, including.

그 후, 도 3d에서 알 수 있듯이, 상기 제1기판(130) 및 제2기판(160) 사이에 액정층(700)을 형성한다.Thereafter, as shown in FIG. 3D, the liquid crystal layer 700 is formed between the first substrate 130 and the second substrate 160.

이 때, 상기 액정층(700)을 형성하는 공정은 제1기판(130) 및 제2기판(160) 중 어느 하나의 기판에 주입구 없는 씨일재를 형성하고, 씨일재가 형성된 기판에 액정을 적하한 후 양 기판을 합착하여 형성할 수 있다.In this case, the process of forming the liquid crystal layer 700 forms a sealing material without an injection hole in any one of the first substrate 130 and the second substrate 160, and dropping the liquid crystal onto the substrate on which the sealing material is formed. After that, both substrates may be bonded to each other.

또한, 상기 액정층(700)을 형성하는 공정은 제1기판(130) 및 제2기판(160) 중 어느 하나의 기판에 주입구 형성되도록 씨일재를 형성한 후 양 기판을 합착하고, 그 후에 상기 주입구를 통해 모세관 현상과 압력차를 이용하여 액정을 주입하여 형성할 수 있다.In addition, in the process of forming the liquid crystal layer 700, the sealing material is formed to form an injection hole in any one of the first substrate 130 and the second substrate 160, and then both substrates are bonded to each other. The liquid crystal may be formed by using a capillary phenomenon and a pressure difference through the injection hole.

상기 구성에 의한 본 발명에 따르면,According to the present invention,

반투과부를 구비한 마스크를 이용하여 배면노광 함으로써, 포토레지스트층을 하면이 상면보다 좁은 폭을 갖는 사다리꼴 형태로 패터닝하기 때문에, 절연막을 형성하지 않고서도 금속, 무기물 등 패터닝이 어려운 물질도 쉽게 패터닝할 수 있다.By back exposure using a mask having a transflective portion, the bottom surface of the photoresist layer is patterned in a trapezoidal shape having a width smaller than that of the upper surface, thereby easily patterning materials such as metals and inorganic materials that are difficult to pattern without forming an insulating film. Can be.

절연막을 형성하고, 패터닝하는 공정이 필요치 않으므로, 공정이 간단해져서 공정시간이 단축된다.Since the process of forming and patterning an insulating film is not necessary, the process is simplified and the process time is shortened.

또한, 절연층의 형성 및 패터닝에 소요되는 비용이 절감되므로, 제조비용도 절감할 수 있다.In addition, since the cost of forming and patterning the insulating layer is reduced, the manufacturing cost can also be reduced.

Claims (8)

기판 상에 포토레지스트층을 형성하는 공정;Forming a photoresist layer on the substrate; 상기 기판의 배면에 투과부, 반투과부 및 차광부를 구비한 소정 패턴의 마스크를 위치시키는 공정;Placing a mask having a predetermined pattern including a transmissive portion, a transflective portion, and a light shielding portion on a rear surface of the substrate; 상기 기판의 배면에 광을 조사하는 공정;Irradiating light on the back surface of the substrate; 상기 포토레지스트층을 현상하여 패터닝하는 공정;Developing and patterning the photoresist layer; 상기 패터닝된 포토레지스트층 상에 패턴물질층을 형성하는 공정;Forming a patterned material layer on the patterned photoresist layer; 상기 포토레지스트층을 제거하는 공정을 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 패턴형성방법.And a step of removing the photoresist layer. 제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 마스크의 반투과부는The transflective portion of the mask 다수개의 슬릿을 포함하여 이루어진 것을 특징으로 하는 패턴형성방법.Pattern forming method comprising a plurality of slits. 제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 마스크의 반투과부는 반투과막으로 이루어진 것을 특징으로 하는 패턴형성방법.The semi-transmissive portion of the mask pattern forming method, characterized in that consisting of a semi-transmissive film. 제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 포토레지스트는 포지티브 포토레지스트를 이용하는 것을 특징으로 하는 패턴형성방법.And the photoresist uses a positive photoresist. 제1기판 상에 차광층을 형성하는 공정;Forming a light shielding layer on the first substrate; 상기 차광층을 포함하는 제1기판 상에 컬러필터층을 형성하는 공정;Forming a color filter layer on the first substrate including the light blocking layer; 제2기판을 준비하는 공정; 및Preparing a second substrate; And 상기 제1기판 및 제2기판 사이에 액정층을 형성하는 공정을 포함하여 이루어지며,And forming a liquid crystal layer between the first substrate and the second substrate, 상기 제1기판 상에 상기 차광층을 형성하는 공정은 상기 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 의해 패턴을 형성하는 공정으로 이루어진 것을 특징으로 하는 액정표시소자 제조방법.The method of forming the light shielding layer on the first substrate is a process of forming a pattern according to any one of claims 1 to 4, characterized in that the liquid crystal display device manufacturing method. 제5항에 있어서,The method of claim 5, 상기 제2기판을 준비하는 공정은,The process of preparing the second substrate, 상기 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 의해 패턴을 형성하는 공정을 이용하여 상기 제2기판 상에 게이트 배선을 형성하고,Forming a gate wiring on the second substrate using a process of forming a pattern according to any one of claims 1 to 4, 상기 게이트 배선과 종횡으로 교차되어 화소영역을 정의하는 데이터 배선과, 상기 게이트 배선과 상기 데이터 배선의 교차 영역에 박막트랜지스터와, 상기 박막트랜지스터를 포함하는 제2기판 상에 보호막과, 상기 보호막 상부에 상기 박막트랜지스터의 드레인 전극에 접속되는 화소전극을 형성하는 공정을 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 액정표시소자 제조방법.A data line intersecting the gate line vertically and defining a pixel region, a thin film transistor at an intersection area of the gate line and the data line, a passivation layer on a second substrate including the thin film transistor, and an upper portion of the passivation layer. And forming a pixel electrode connected to the drain electrode of the thin film transistor. 제5항에 있어서,The method of claim 5, 상기 제1기판 및 제2기판 사이에 액정층을 형성하는 공정은The process of forming a liquid crystal layer between the first substrate and the second substrate is 상기 제1기판 또는 제2기판 중 어느 하나의 기판에 주입구 없는 씨일재를 형성하고,Forming a sealing material without an injection hole on any one of the first substrate and the second substrate, 상기 씨일재가 형성된 기판에 액정을 적하한 후, 상기 제1기판과 제2기판을 합착하는 공정으로 이루어진 것을 특징으로 하는 액정표시소자 제조방법.And dropping the liquid crystal onto the substrate on which the seal material is formed, and then bonding the first substrate and the second substrate to each other. 제5항에 있어서,The method of claim 5, 상기 제1기판 및 제2기판 사이에 액정층을 형성하는 공정은The process of forming a liquid crystal layer between the first substrate and the second substrate is 상기 제1기판 또는 제2기판 중 어느 하나의 기판에 주입구가 형성되도록 씨일재를 형성하고,Sealing material is formed so that the injection hole is formed in any one of the first substrate or the second substrate, 상기 제1기판과 제2기판을 합착한 후, 상기 주입구에 액정을 주입하는 공정으로 이루어진 것을 특징으로 하는 액정표시소자 제조방법.And a process of injecting liquid crystal into the injection hole after bonding the first substrate and the second substrate together.
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