KR101085131B1 - Patterning Method and Method of manufacturing a substrate for Liquid Crystal Display Device using the same - Google Patents

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Abstract

본 발명은 인쇄롤에 패턴을 형성하는 공정; 및 기판 상에서 상기 인쇄롤을 회전하여 상기 기판 상에 패턴을 전사하는 공정으로 이루어지며, 이때, 상기 기판의 온도가 상기 인쇄롤의 온도보다 높은 것을 특징으로 하는 패턴 형성 방법 및 그 방법을 이용한 액정표시소자용 기판 제조방법에 관한 것으로서, The present invention is a step of forming a pattern on a printing roll; And rotating the printing roll on the substrate to transfer the pattern onto the substrate, wherein the temperature of the substrate is higher than the temperature of the printing roll and the liquid crystal display using the method. As a method for manufacturing a substrate for an element,

본 발명에 따르면, 인쇄롤을 이용하여 패턴을 형성하기 때문에 패턴 형성시 노광 및 현상 공정이 필요치 않아 제조비용이 절감되고, 제조공정도 단축되고, 또한, 제조공정이 진행됨에 따라 장비의 온도를 증가시킴으로써, 패턴의 접착력이 증가되어 완전한 전사를 통해 원하는 패턴을 얻을 수 있다. According to the present invention, since the pattern is formed using a printing roll, the exposure and development processes are not required when forming the pattern, thereby reducing the manufacturing cost, shortening the manufacturing process, and increasing the temperature of the equipment as the manufacturing process proceeds. By doing so, the adhesion of the pattern is increased to obtain a desired pattern through complete transfer.

패턴, 인쇄롤 Pattern, printing roll

Description

패턴 형성 방법 및 그를 이용한 액정표시소자용 기판 제조방법{Patterning Method and Method of manufacturing a substrate for Liquid Crystal Display Device using the same}Pattern Forming Method and Method for Manufacturing Substrate for Liquid Crystal Display Device Using the Same {Patterning Method and Method of manufacturing a substrate for Liquid Crystal Display Device using the same}

도 1은 일반적인 액정표시소자의 하부 기판의 단면도이다.1 is a cross-sectional view of a lower substrate of a general liquid crystal display device.

도 2는 하부 기판의 제조공정 중 게이트전극을 포토리소그래피공정으로 형성하는 공정을 도시한 공정 단면도이다.2 is a cross-sectional view illustrating a process of forming a gate electrode through a photolithography process in a process of manufacturing a lower substrate.

도 3a 내지 도 3c는 본 발명의 제1실시예에 따른 패턴 형성 방법을 개략적으로 도시한 공정 단면도이다.3A to 3C are cross-sectional views schematically illustrating a pattern forming method according to a first embodiment of the present invention.

도 4a 내지 도 4d는 본 발명의 제2실시예에 따른 패턴 형성 방법을 개략적으로 도시한 공정 단면도이다.4A to 4D are cross-sectional views schematically illustrating a pattern forming method according to a second embodiment of the present invention.

도 5a 내지 도 5c는 본 발명의 제3실시예에 따른 패턴 형성 방법을 개략적으로 도시한 공정 단면도이다.5A to 5C are cross-sectional views schematically illustrating a pattern forming method according to a third embodiment of the present invention.

도 6a 내지 도 6g는 본 발명의 일 실시예에 따른 액정표시소자용 기판의 제조방법을 개략적으로 도시한 공정 단면도이다.6A to 6G are cross-sectional views schematically illustrating a method of manufacturing a substrate for a liquid crystal display device according to an exemplary embodiment of the present invention.

도 7a 및 도 7b는 본 발명의 제1실시예에 따라 형성된 패턴의 사진이다.7A and 7B are photographs of patterns formed according to the first embodiment of the present invention.

<도면의 주요부의 부호에 대한 설명>DESCRIPTION OF THE REFERENCE NUMERALS OF THE DRAWINGS FIG.

130: 인쇄노즐 150: 패턴물질 130: printing nozzle 150: pattern material                 

200: 인쇄롤 300: 인쇄판200: printing roll 300: printing plate

400: 기판400: substrate

본 발명은 액정표시소자에 관한 것으로, 보다 구체적으로는 액정표시소자의 패턴 형성방법에 관한 것이다. The present invention relates to a liquid crystal display device, and more particularly to a method for forming a pattern of the liquid crystal display device.

표시화면의 두께가 수 센치미터(cm)에 불과한 초박형의 평판표시소자(Flat Panel Display), 그 중에서도 액정표시소자는 동작 전압이 낮아 소비 전력이 적고 휴대용으로 쓰일 수 있는 등의 이점으로 노트북 컴퓨터, 모니터, 우주선, 항공기 등에 이르기까지 응용분야가 넓고 다양하다.Ultra-thin flat panel displays with a display screen thickness of only a few centimeters (cm). Among them, liquid crystal displays have low operating voltages, which consume less power and can be used as portable devices. Applications range from monitors to spacecraft to aircraft.

상기 액정표시소자는 하부기판, 상부기판, 및 상기 양 기판 사이에 형성된 액정층을 포함하여 구성되며, 일반적으로 상기 하부기판 상에는 박막트랜지스터 및 화소전극이 형성되어 있고, 상기 상부 기판 상에는 차광층, 컬러필터층 및 공통전극이 형성되어 있다. The liquid crystal display device includes a lower substrate, an upper substrate, and a liquid crystal layer formed between the two substrates. In general, a thin film transistor and a pixel electrode are formed on the lower substrate, and a light blocking layer and a color are formed on the upper substrate. The filter layer and the common electrode are formed.

이와 같이 액정표시소자는 다양한 구성요소들을 포함하고 있으며 그 구성요소들을 형성하기 위해 수많은 공정들이 반복적으로 행해지게 된다. 특히, 다양한 구성요소들을 다양한 형태로 패터닝하기 위해서 포토리소그래피공정이 사용되고 있다. As such, the liquid crystal display includes various components, and numerous processes are repeatedly performed to form the components. In particular, photolithography processes are used to pattern various components in various forms.

이하에서, 도면을 참조로 종래 포토리소그래피공정을 통한 패턴 형성 방법을 설명하기로 한다. Hereinafter, a pattern forming method through a conventional photolithography process will be described with reference to the drawings.

도 1은 일반적인 액정표시소자의 하부 기판의 단면을 도시한 것이고, 도 2는 하부 기판의 제조공정 중 게이트전극을 포토리소그래피공정으로 형성하는 공정을 도시한 공정 단면도이다.FIG. 1 is a cross-sectional view of a lower substrate of a general liquid crystal display device, and FIG. 2 is a cross-sectional view illustrating a process of forming a gate electrode by a photolithography process in a process of manufacturing a lower substrate.

도 1에서 알 수 있듯이, 액정표시소자의 하부 기판은 투명기판(10) 위에 게이트전극(12)이 형성되어 있고, 게이트전극(12) 위에 게이트절연막(14)이 형성되어 있고, 게이트절연막(14) 위에 반도체층(16)이 형성되어 있으며, 반도체층(16) 위에 소스전극(18a) 및 드레인전극(18b)이 형성되어 있다. 그리고, 소스전극(18a) 및 드레인전극(18b) 위에 보호막(20)이 형성되어 있고, 보호막(20)의 콘택홀을 통해 상기 드레인전극(18b)과 연결되도록 화소전극(25)이 상기 보호막(20) 위에 형성되어 있다. As shown in FIG. 1, in the lower substrate of the liquid crystal display device, the gate electrode 12 is formed on the transparent substrate 10, the gate insulating film 14 is formed on the gate electrode 12, and the gate insulating film 14 is formed. The semiconductor layer 16 is formed on the semiconductor layer 16, and the source electrode 18a and the drain electrode 18b are formed on the semiconductor layer 16. The passivation layer 20 is formed on the source electrode 18a and the drain electrode 18b, and the pixel electrode 25 is connected to the drain electrode 18b through a contact hole of the passivation layer 20. 20) formed on the top.

이와 같은 액정표시소자의 하부 기판을 제조하는 공정 중에는 게이트전극(12) 형성시, 반도체층(16) 형성시, 소스전극(18a) 및 드레인전극(18b) 형성시, 보호막(20)에 콘택홀 형성시, 그리고 화소전극(25) 형성시 패턴 형성 공정이 수행된다. 따라서, 액정표시소자의 하부 기판을 제조하기 위해서는 총 5번의 포토리소그래피 공정이 수행되게 된다. During the process of manufacturing the lower substrate of the liquid crystal display device, a contact hole is formed in the passivation layer 20 when the gate electrode 12 is formed, when the semiconductor layer 16 is formed, when the source electrode 18a and the drain electrode 18b are formed. At the time of forming and at the time of forming the pixel electrode 25, a pattern forming process is performed. Therefore, a total of five photolithography processes are performed to manufacture the lower substrate of the liquid crystal display.

이하에서는 포토리소그래피 공정을 통한 게이트 전극 형성 공정을 설명하기로 한다. 우선, 도 2a에서 알 수 있듯이, 투명기판(10) 상에 게이트전극용 금속층(12a) 및 포토레지스트층(30a)을 차례로 형성한다. 그 후, 도 2b에서 알 수 있듯이, 상기 포토레지스트층(30a) 위에 마스크(40)를 위치시킨 후 광조사장치를 통해 광을 조사한다. 그 후, 도 2c에서 알 수 있듯이, 현상공정을 통해 포토레지스트 패턴(30)을 완성한다. 그 후, 도 2d에서 알 수 있듯이, 상기 포토레지스트 패턴(30)을 마스크로 하여 금속층을 식각하여 게이트전극(12)을 완성한다. 그 후, 도 2e에서 알 수 있듯이, 포토레지스트 패턴(30)을 제거한다. Hereinafter, a process of forming a gate electrode through a photolithography process will be described. First, as shown in FIG. 2A, the gate electrode metal layer 12a and the photoresist layer 30a are sequentially formed on the transparent substrate 10. Thereafter, as shown in FIG. 2B, the mask 40 is positioned on the photoresist layer 30a and then irradiated with light through a light irradiation apparatus. Thereafter, as shown in FIG. 2C, the photoresist pattern 30 is completed through a developing process. 2D, the metal layer is etched using the photoresist pattern 30 as a mask to complete the gate electrode 12. Thereafter, as shown in FIG. 2E, the photoresist pattern 30 is removed.

결국, 액정표시소자의 하부기판을 완성하기 위해서는 상기와 같은 포토리소그래피 공정을 5번 수행해야 한다. As a result, the above-described photolithography process has to be performed five times to complete the lower substrate of the liquid crystal display.

그러나, 상기 포토리소그래피 공정은 마스크 및 광조사장치를 사용해야 하므로 그 만큼 제조비용이 상승되는 단점이 있으며, 또한 노광 공정 및 현상 공정 등을 거쳐야 하므로 공정이 복잡하고 공정 시간이 오래 걸리는 단점이 있다. However, since the photolithography process requires the use of a mask and a light irradiation apparatus, the manufacturing cost increases accordingly, and the process is complicated and takes a long time because the photolithography process requires an exposure process and a developing process.

따라서, 상기 포토리소그래피 공정의 단점을 해결하기 위한 새로운 패턴 형성 방법이 요구되고 있는 실정이다. Therefore, there is a need for a new pattern forming method for solving the disadvantages of the photolithography process.

본 발명은 상기 요구에 부응하기 위해 이루어진 것으로, The present invention has been made to meet the above requirements,

액정표시소자를 저가의 비용으로 보다 단축된 공정시간 내에 제조할 수 있도록 하기 위해서, 새로운 방법에 의해 패턴을 형성하는 방법을 제공하는 것을 그 목적으로 한다. It is an object of the present invention to provide a method of forming a pattern by a new method in order to be able to manufacture a liquid crystal display device in a shorter process time at a lower cost.

본 발명은 또한, 상기 패턴 형성 방법을 이용하여 액정표시소자용 기판의 제조방법을 제공하는 것을 다른 목적으로 한다. Another object of the present invention is to provide a method for manufacturing a substrate for a liquid crystal display device using the pattern forming method.

본 발명은 상기 목적을 달성하기 위해서, 인쇄롤에 패턴을 형성하는 공정(제1공정); 및 기판 상에서 상기 인쇄롤을 회전하여 상기 기판 상에 패턴을 전사하는 공정(제2공정)으로 이루어지며, 이때, 상기 기판의 온도가 상기 인쇄롤의 온도보다 높은 것을 특징으로 하는 패턴 형성 방법을 제공한다.In order to achieve the above object, the present invention provides a method for forming a pattern on a printing roll (first step); And rotating the print roll on the substrate to transfer the pattern onto the substrate (second step), wherein the temperature of the substrate is higher than the temperature of the print roll. do.

즉, 본 발명은 인쇄롤을 이용하여 패턴을 형성함으로써, 종래 포토리소그래피공정과 같은 노광 및 현상 공정이 필요치 않아 비용도 저렴하며 공정도 간단하여 대량생산에 매우 적합하다. That is, the present invention forms a pattern using a printing roll, which does not require an exposure and development process as in the conventional photolithography process, and therefore is inexpensive and simple to process, which is very suitable for mass production.

한편, 본 발명자는 인쇄롤에 형성한 패턴을 기판 상에 전사하는 경우에 있어서, 패턴이 기판 상에 완전히 전사되지 않고 인쇄롤에 잔류하여 결국 원하는 패턴 형성이 불가능할 수 있음을 확인하였다. 이에, 그와 같은 문제를 해결할 수 있는 방안에 대해서 연구하던 중, 패턴이 형성된 인쇄롤의 온도보다 패턴이 전사되는 기판의 온도를 보다 높게 형성하는 경우 패턴이 인쇄롤에 잔류하지 않고 기판에 완전히 전사되는 것을 발견하여 본 발명을 완성하였다. On the other hand, the present inventors confirmed that in the case of transferring a pattern formed on a printing roll onto a substrate, the pattern is not completely transferred onto the substrate and remains on the printing roll, so that a desired pattern formation may be impossible. Thus, while researching a solution to solve such a problem, when the temperature of the substrate to which the pattern is transferred is formed higher than the temperature of the printing roll on which the pattern is formed, the pattern is completely transferred to the substrate without remaining on the printing roll. The present invention was found to be complete.

이때, 상기 인쇄롤에 패턴을 형성하는 공정(제1공정)은 인쇄노즐을 이용하여 패턴물질을 인쇄롤에 도포하는 공정; 및 돌출부가 형성된 인쇄판 상에서 상기 인쇄롤을 회전시켜, 상기 인쇄판의 돌출부에 패턴물질을 전사하고 잔존하는 패턴물질에 의해 인쇄롤에 패턴을 형성하는 공정으로 이루어질 수 있다(하기 제1실시예).At this time, the step (first step) of forming a pattern on the printing roll is a step of applying a pattern material to the printing roll using a printing nozzle; And rotating the printing roll on the printing plate on which the protrusion is formed, transferring the pattern material to the protrusion of the printing plate, and forming a pattern on the printing roll by the remaining pattern material (first embodiment).

또한, 상기 인쇄롤에 패턴을 형성하는 공정(제1공정)은 인쇄노즐을 이용하여 패턴물질을 인쇄판의 오목부에 도포하는 공정; 및 상기 인쇄판 상에서 인쇄롤을 회전시켜, 상기 인쇄판의 오목부에 형성된 패턴물질을 인쇄롤에 전사함으로써 인쇄롤에 패턴을 형성하는 공정으로 이루어질 수 있다(하기 제2실시예). In addition, the step (first step) of forming a pattern on the printing roll is a step of applying a pattern material to the recess of the printing plate using a printing nozzle; And forming a pattern on the printing roll by rotating the printing roll on the printing plate and transferring the pattern material formed in the recess of the printing plate onto the printing roll (second embodiment).

또한, 상기 인쇄롤에 패턴을 형성하는 공정(제1공정)은 인쇄노즐을 이용하여 패턴물질을 인쇄판에 도포하는 공정; 패턴물질이 형성된 인쇄판 상에서 볼록부가 형성된 인쇄롤을 회전시켜, 상기 볼록부에 패턴물질을 전사함으로써 인쇄롤에 패턴을 형성하는 공정으로 이루어질 수 있다(하기 제3실시예). In addition, the step (first step) of forming a pattern on the printing roll is a step of applying a pattern material to the printing plate using a printing nozzle; The printing roll on which the convex portion is formed on the printing plate on which the pattern material is formed may be rotated to transfer the pattern material to the convex portion to form a pattern on the printing roll (third embodiment).

여기서, 상기 인쇄롤에 패턴을 형성하는 공정(제1공정)에서는, 처음공정보다는 나중공정에서 장비 온도를 높거나 같게, 보다 바람직하게는 높게 하는 것이 패턴의 접착력이 향상되어 완전한 전사가 이루어지게 된다. Here, in the step (first step) of forming a pattern on the printing roll, the higher the temperature of the equipment in the later step than the first step, or more preferably, the higher the adhesion of the pattern is improved to achieve a complete transfer .

또한, 본 발명은 상기 패턴 형성 방법을 이용하여 액정표시소자용 기판을 제조하는 방법을 제공한다. In addition, the present invention provides a method of manufacturing a substrate for a liquid crystal display device using the pattern forming method.

이하, 도면을 참조로 본 발명의 바람직한 실시예를 상세히 설명한다.Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings.

1. 패턴 형성 방법1. Pattern formation method

제1실시예First embodiment

도 3a 내지 도 3c는 본 발명의 제1실시예에 따른 패턴 형성 방법을 개략적으로 도시한 공정 단면도이다.3A to 3C are cross-sectional views schematically illustrating a pattern forming method according to a first embodiment of the present invention.

우선, 도 3a 및 도 3b와 같이 인쇄롤에 패턴을 형성한다. First, a pattern is formed on a printing roll as shown in Figs. 3A and 3B.

구체적으로는, 도 3a와 같이, 인쇄노즐(130)을 이용하여 패턴물질(150)을 인 쇄롤(200)에 도포한다.Specifically, as shown in FIG. 3A, the pattern material 150 is applied to the printing roll 200 using the printing nozzle 130.

그 후, 도 3b와 같이, 돌출부(330)가 형성된 인쇄판(300) 상에서 상기 인쇄롤(200)을 회전시켜, 상기 인쇄판(300)의 돌출부(330)에만 패턴물질(150)을 전사하고 잔존하는 패턴물질(150)에 의해 인쇄롤(200)에 패턴(150b)을 형성한다.Thereafter, as shown in FIG. 3B, the printing roll 200 is rotated on the printing plate 300 on which the protrusion 330 is formed, thereby transferring and remaining the pattern material 150 only on the protrusion 330 of the printing plate 300. The pattern 150b is formed on the printing roll 200 by the pattern material 150.

그 후, 도 3c와 같이, 기판(400) 상에서 상기 인쇄롤(200)을 회전하여 상기 기판(400) 상에 패턴(150a)을 전사한다. Thereafter, as shown in FIG. 3C, the printing roll 200 is rotated on the substrate 400 to transfer the pattern 150a onto the substrate 400.

여기서, 상기 도 3a에서, 상기 인쇄롤(200)의 온도는 상기 인쇄노즐(130)의 온도와 같거나, 상기 인쇄롤(200)의 온도는 상기 인쇄노즐(130)의 온도보다 높은 것이 바람직하다.
또한, 상기 도 3b에서, 상기 인쇄판(300)의 온도는 상기 인쇄롤(200)의 온도와 같거나, 상기 인쇄판(300)의 온도는 상기 인쇄롤(200)의 온도보다 높은 것이 바람직하다.Here, in FIG. 3A, the temperature of the printing roll 200 is equal to the temperature of the printing nozzle 130 or the temperature of the printing roll 200 is higher than the temperature of the printing nozzle 130. .
In addition, in Figure 3b, the temperature of the printing plate 300 is equal to the temperature of the printing roll 200, or the temperature of the printing plate 300 is preferably higher than the temperature of the printing roll 200.

또한, 상기 도 3c에서, 상기 기판(400)의 온도가 상기 인쇄롤(200)의 온도보다 높은 것이 바람직하다. In addition, in FIG. 3C, it is preferable that the temperature of the substrate 400 is higher than the temperature of the printing roll 200.

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보다 구체적으로는, 상기 인쇄노즐(130)의 온도는 17 내지 23℃범위가 바람직하고, 상기 인쇄롤(200)의 온도는 17 내지 23℃범위가 바람직하고, 상기 인쇄판(300)의 온도는 20 내지 30 ℃범위가 바람직하고, 상기 기판(400)의 온도는 20 내지 30℃범위가 바람직하다. More specifically, the temperature of the printing nozzle 130 is preferably in the range of 17 to 23 ℃, the temperature of the printing roll 200 is preferably in the range of 17 to 23 ℃, the temperature of the printing plate 300 is 20 The 30 to 30 ℃ range is preferred, the temperature of the substrate 400 is preferably in the range of 20 to 30 ℃.

제2실시예Second embodiment

도 4a 내지 도 4d는 본 발명의 제2실시예에 따른 패턴 형성 방법을 개략적으로 도시한 공정 단면도이다. 4A to 4D are cross-sectional views schematically illustrating a pattern forming method according to a second embodiment of the present invention.                     

우선, 도 4a 내지 도 4c와 같이 인쇄롤에 패턴을 형성한다. First, a pattern is formed on a printing roll as shown in Figs. 4A to 4C.

구체적으로는, 도 4a와 같이, 인쇄노즐(130)을 이용하여 패턴물질(150)을 오목부를 구비한 인쇄판(300)에 도포한다. Specifically, as shown in FIG. 4A, the pattern material 150 is applied to the printing plate 300 having the recess by using the printing nozzle 130.

그 후, 도 4b와 같이, 상기 인쇄판(300)에서 블레이드(350) 등을 이용하여 오목부 이외의 부분에 형성된 패턴물질(150)을 제거하여, 오목부에만 패턴(150a)을 형성한다.Thereafter, as shown in FIG. 4B, the pattern material 150 formed in portions other than the recesses is removed from the printing plate 300 by using the blade 350 or the like to form the pattern 150a only in the recesses.

그 후, 도 4c와 같이, 상기 인쇄판(300) 상에서 인쇄롤(200)을 회전시켜, 상기 인쇄판(300)의 오목부에 형성된 패턴(150a)을 인쇄롤(200)에 전사함으로써 인쇄롤(200)에 패턴(150a)을 형성한다.Thereafter, as shown in FIG. 4C, the printing roll 200 is rotated on the printing plate 300 to transfer the pattern 150a formed in the recess of the printing plate 300 to the printing roll 200. ) To form a pattern 150a.

그 후, 도 4d와 같이, 기판(400) 상에서 상기 인쇄롤(200)을 회전하여 상기 기판(200) 상에 패턴(150a)을 전사한다.Thereafter, as shown in FIG. 4D, the printing roll 200 is rotated on the substrate 400 to transfer the pattern 150a onto the substrate 200.

여기서, 상기 도 4a에서, 상기 인쇄판(300)의 온도는 상기 인쇄노즐(130)의 온도와 같거나, 상기 인쇄판(300)의 온도는 상기 인쇄노즐(130)의 온도보다 높은 것이 바람직하다.Here, in FIG. 4A, the temperature of the printing plate 300 is equal to the temperature of the printing nozzle 130, or the temperature of the printing plate 300 is higher than the temperature of the printing nozzle 130.

또한, 상기 도 4c에서, 상기 인쇄롤(200)의 온도는 상기 인쇄판(300)의 온도와 같거나, 상기 인쇄롤(200)의 온도는 상기 인쇄판(300)의 온도보다 높은 것이 바람직하다. In addition, in FIG. 4C, the temperature of the printing roll 200 is equal to the temperature of the printing plate 300, or the temperature of the printing roll 200 is higher than the temperature of the printing plate 300.

또한, 상기 도4d에서, 상기 기판(400)의 온도가 상기 인쇄롤(200)의 온도보다 높은 것이 바람직하다. In addition, in Figure 4d, it is preferable that the temperature of the substrate 400 is higher than the temperature of the printing roll 200.

보다 구체적으로는, 상기 인쇄노즐(130)의 온도는 17 내지 23℃범위가 바람직하고, 상기 인쇄판(300)의 온도는 17 내지 23℃범위가 바람직하고, 상기 인쇄롤(200)의 온도는 20 내지 30 ℃범위가 바람직하고, 상기 기판(400)의 온도는 20 내 지 30℃범위가 바람직하다. More specifically, the temperature of the printing nozzle 130 is preferably in the range of 17 to 23 ℃, the temperature of the printing plate 300 is preferably in the range of 17 to 23 ℃, the temperature of the printing roll 200 is 20 To 30 ℃ is preferred, the temperature of the substrate 400 is preferably in the range of 20 to 30 ℃.

제3실시예Third embodiment

도 5a 내지 도 5c는 본 발명의 제3실시예에 따른 패턴 형성 방법을 개략적으로 도시한 공정 단면도이다.5A to 5C are cross-sectional views schematically illustrating a pattern forming method according to a third embodiment of the present invention.

우선, 도 5a 및 도 5b와 같이 인쇄롤에 패턴을 형성한다. First, a pattern is formed on a printing roll as shown in Figs. 5A and 5B.

구체적으로는, 도 5a와 같이, 인쇄노즐(130)을 이용하여 패턴물질(150)을 인쇄판(300)에 도포한다. Specifically, as shown in FIG. 5A, the pattern material 150 is applied to the printing plate 300 using the printing nozzle 130.

그 후, 도 5b와 같이, 패턴물질(150)이 형성된 인쇄판(300) 상에서 볼록부(250)가 형성된 인쇄롤(200)을 회전시켜, 상기 볼록부(250)에 패턴물질(150)을 전사함으로써 인쇄롤(200)에 패턴(150a)을 형성한다.Thereafter, as illustrated in FIG. 5B, the printing roll 200 having the convex portion 250 is rotated on the printing plate 300 on which the pattern material 150 is formed, thereby transferring the pattern material 150 to the convex portion 250. The pattern 150a is formed in the printing roll 200 by this.

그 후, 도 5c와 같이, 기판(400) 상에서 상기 인쇄롤(200)을 회전하여 상기 기판(400) 상에 패턴(150a)을 전사한다. Thereafter, as shown in FIG. 5C, the printing roll 200 is rotated on the substrate 400 to transfer the pattern 150a onto the substrate 400.

여기서, 상기 도 5a에서, 상기 인쇄판(300)의 온도는 상기 인쇄노즐(130)의 온도와 같거나, 상기 인쇄판(300)의 온도는 상기 인쇄노즐(130)의 온도보다 높은 것이 바람직하다.Here, in FIG. 5A, the temperature of the printing plate 300 is equal to the temperature of the printing nozzle 130, or the temperature of the printing plate 300 is higher than the temperature of the printing nozzle 130.

또한, 상기 도 5b에서, 상기 인쇄롤(200)의 온도는 상기 인쇄판(300)의 온도와 같거나, 상기 인쇄롤(200)의 온도는 상기 인쇄판(300)의 온도보다 높은 것이 바람직하다.In addition, in FIG. 5B, the temperature of the printing roll 200 is equal to the temperature of the printing plate 300, or the temperature of the printing roll 200 is preferably higher than the temperature of the printing plate 300.

또한, 상기 도5c에서, 상기 기판(400)의 온도가 상기 인쇄롤(200)의 온도보다 높은 것이 바람직하다. In addition, in FIG. 5C, it is preferable that the temperature of the substrate 400 is higher than the temperature of the printing roll 200.

보다 구체적으로는, 상기 인쇄노즐(130)의 온도는 17 내지 23℃범위가 바람직하고, 상기 인쇄판(300)의 온도는 17 내지 23℃범위가 바람직하고, 상기 인쇄롤 (200)의 온도는 20 내지 30 ℃범위가 바람직하고, 상기 기판(400)의 온도는 20 내지 30℃범위가 바람직하다.More specifically, the temperature of the printing nozzle 130 is preferably in the range of 17 to 23 ℃, the temperature of the printing plate 300 is preferably in the range of 17 to 23 ℃, the temperature of the printing roll 200 is 20 The 30 to 30 ℃ range is preferred, the temperature of the substrate 400 is preferably in the range of 20 to 30 ℃.

실험예Experimental Example

본 발명자는 상기 제1실시예에 따른 방법으로 기판 상에 제1패턴을 형성하였다. 여기서, 상기 인쇄노즐(130)의 온도는 18℃로 하였고, 상기 인쇄롤(200)의 온도는 18℃로 하였고, 상기 인쇄판(300)의 온도는 25℃범위로 하였고, 상기 기판(400)의 온도도 35℃로 하였다. 완성된 제1패턴은 도 7a와 같다.The inventor formed the first pattern on the substrate by the method according to the first embodiment. Here, the temperature of the printing nozzle 130 was 18 ℃, the temperature of the printing roll 200 was 18 ℃, the temperature of the printing plate 300 was 25 ℃ range, the substrate 400 The temperature was also 35 ° C. The completed first pattern is as shown in FIG. 7A.

또한, 상기 제1실시예에 따른 방법으로 기판 상에 제2패턴을 형성하였다. 다만, 상기 인쇄노즐(130), 상기 인쇄롤(200), 상기 인쇄판(300), 및 상기 기판(400)의 온도를 모두 18℃로 하였다. 완성된 제2패턴은 도 7b와 같다.In addition, a second pattern was formed on the substrate by the method according to the first embodiment. However, the temperature of the printing nozzle 130, the printing roll 200, the printing plate 300, and the substrate 400 were all 18 ℃. The completed second pattern is as shown in FIG. 7B.

도 7a 및 도 7b에서 알 수 있듯이, 패턴 형성 공정이 진행됨에 따라 장비의 온도를 증가시키는 것이 완전한 패턴 형성을 위해 바람직함을 알 수 있다.As can be seen in Figures 7a and 7b, it can be seen that it is desirable to increase the temperature of the equipment as the pattern forming process proceeds for complete pattern formation.

2. 액정표시소자용 기판의 제조방법2. Manufacturing method of substrate for liquid crystal display device

도 6a 내지 도 6g는 본 발명의 일 실시예에 따른 액정표시소자용 기판의 제조방법을 개략적으로 도시한 공정 단면도이다.6A to 6G are cross-sectional views schematically illustrating a method of manufacturing a substrate for a liquid crystal display device according to an exemplary embodiment of the present invention.

우선, 도 6a 및 도 6b와 같이, 기판(500) 상에 게이트전극(520)을 형성한다.First, as shown in FIGS. 6A and 6B, the gate electrode 520 is formed on the substrate 500.

그 후, 도 6c와 같이, 상기 게이트전극(520)을 포함하는 기판(500) 전면에 게이트절연막(540)을 형성한다. Thereafter, as shown in FIG. 6C, a gate insulating film 540 is formed on the entire surface of the substrate 500 including the gate electrode 520.

그 후, 도 6d와 같이, 상기 게이트절연막(540) 위에 반도체층(560)을 형성한다. Thereafter, as shown in FIG. 6D, a semiconductor layer 560 is formed on the gate insulating film 540.                     

그 후, 도 6e와 같이, 상기 반도체층(560) 위에 소스전극(580a) 및 드레인전극(580b)을 형성한다. Thereafter, as shown in FIG. 6E, a source electrode 580a and a drain electrode 580b are formed on the semiconductor layer 560.

그 후, 도 6f와 같이, 상기 소스전극(580a) 및 드레인전극(580b) 위에 보호막(600)을 형성하고 상기 보호막(600)을 선택적으로 제거하여 상기 드레인 전극(580b)을 노출시키는 콘택홀(650)을 형성한다.Thereafter, as shown in FIG. 6F, a contact hole 600 is formed on the source electrode 580a and the drain electrode 580b, and the protective layer 600 is selectively removed to expose the drain electrode 580b. 650).

그 후, 도 6g와 같이, 상기 보호막(600) 상부에 형성되며, 상기 콘택홀(650)을 통해 드레인전극(580b)과 연결되는 화소전극(700)을 형성한다. Thereafter, as illustrated in FIG. 6G, a pixel electrode 700 is formed on the passivation layer 600 and connected to the drain electrode 580b through the contact hole 650.

여기서, 상기 게이트전극(520)을 형성하는 공정(도 6b 참조), 상기 반도체층(560)을 형성하는 공정(도 6d 참조), 상기 소스전극(580a) 및 드레인 전극(580b)을 형성하는 공정(도 6e 참조), 상기 보호막(600)에 콘택홀(650)을 형성하는 공정(도 6f 참조), 및 상기 화소전극(700)을 형성하는 공정(도 6g 참조) 중 하나 이상의 공정은, 전술한 제1 내지 제3실시예를 적용하여 포토레지스트 패턴을 형성한 후, 형성된 포토레지스트 패턴을 마스크로 이용하여 형성되는 것이 바람직하다.Here, a process of forming the gate electrode 520 (see FIG. 6B), a process of forming the semiconductor layer 560 (see FIG. 6D), and a process of forming the source electrode 580a and the drain electrode 580b. (See FIG. 6E), the process of forming the contact hole 650 in the passivation layer 600 (see FIG. 6F), and the process of forming the pixel electrode 700 (see FIG. 6G) may be described above. After forming the photoresist pattern by applying the first to third embodiments, it is preferable that the formed photoresist pattern is used as a mask.

그 외, 게이트절연막(540), 보호막(600) 등의 구성 재료 및 형성공정 등은 당업자에게 자명한 범위 내에서 변경하여 실시할 수 있을 것이다. In addition, the constituent materials such as the gate insulating film 540 and the protective film 600, the forming process, and the like may be changed within a range apparent to those skilled in the art.

상기 구성에 의한 본 발명에 따르면, 인쇄롤을 이용하여 패턴을 형성하기 때문에 패턴 형성시 노광 및 현상 공정이 필요치 않아 제조비용이 절감되고, 제조공정도 단축된다.According to the present invention having the above-described configuration, since the pattern is formed using a printing roll, the exposure and development processes are not necessary at the time of pattern formation, thereby reducing the manufacturing cost and shortening the manufacturing process.

또한, 본 발명에 따르면 제조공정이 진행됨에 따라 장비의 온도를 증가시킴 으로써, 패턴의 접착력이 증가되어 완전한 전사를 통해 원하는 패턴을 얻을 수 있다. In addition, according to the present invention by increasing the temperature of the equipment as the manufacturing process proceeds, the adhesion of the pattern is increased to obtain a desired pattern through complete transfer.

Claims (13)

인쇄롤에 패턴을 형성하는 공정; 및Forming a pattern on a printing roll; And 기판 상에서 상기 인쇄롤을 회전하여 상기 기판 상에 패턴을 전사하는 공정으로 이루어지며, Rotating the printing roll on a substrate to transfer a pattern onto the substrate, 이때, 상기 기판의 온도가 상기 인쇄롤의 온도보다 높은 것을 특징으로 하는 패턴 형성 방법. At this time, the temperature of the substrate is a pattern forming method, characterized in that higher than the temperature of the printing roll. 제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 인쇄롤에 패턴을 형성하는 공정은 Forming a pattern on the printing roll 인쇄노즐을 이용하여 패턴물질을 인쇄롤에 도포하는 공정; 및Applying a pattern material to a printing roll using a printing nozzle; And 돌출부가 형성된 인쇄판 상에서 상기 인쇄롤을 회전시켜, 상기 인쇄판의 돌출부에 패턴물질을 전사하고 잔존하는 패턴물질에 의해 인쇄롤에 패턴을 형성하는 것을 특징으로 하는 패턴 형성 방법.Rotating the printing roll on the printing plate on which the protrusion is formed, transferring the pattern material to the protrusion of the printing plate and forming a pattern on the printing roll by the remaining pattern material. 제2항에 있어서,3. The method of claim 2, 상기 인쇄롤의 온도는 상기 인쇄노즐의 온도와 같거나, 상기 인쇄롤의 온도는 상기 인쇄노즐의 온도보다 높으며,The temperature of the printing roll is equal to the temperature of the printing nozzle, or the temperature of the printing roll is higher than the temperature of the printing nozzle, 상기 인쇄판의 온도는 상기 인쇄롤의 온도와 같거나, 상기 인쇄판의 온도는 상기 인쇄롤의 온도보다 높은 것을 특징으로 하는 패턴 형성 방법. The temperature of the printing plate is equal to the temperature of the printing roll, or the temperature of the printing plate is a pattern forming method, characterized in that higher than the temperature of the printing roll. 제 3항에 있어서,The method of claim 3, 상기 인쇄노즐의 온도는 17 내지 23℃이고, The temperature of the print nozzle is 17 to 23 ℃, 상기 인쇄롤의 온도는 17 내지 23℃이고, The temperature of the printing roll is 17 to 23 ℃, 상기 인쇄판의 온도는 20 내지 30 ℃이고,The temperature of the printing plate is 20 to 30 ℃, 상기 기판의 온도는 20 내지 30℃인 것을 특징으로 하는 패턴 형성 방법. The temperature of the substrate is a pattern forming method, characterized in that 20 to 30 ℃. 제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 인쇄롤에 패턴을 형성하는 공정은Forming a pattern on the printing roll 인쇄노즐을 이용하여 패턴물질을 인쇄판의 오목부에 도포하는 공정; 및 Applying a pattern material to the recesses of the printing plate by using a printing nozzle; And 상기 인쇄판 상에서 인쇄롤을 회전시켜, 상기 인쇄판의 오목부에 형성된 패턴물질을 인쇄롤에 전사함으로써 인쇄롤에 패턴을 형성하는 것을 특징으로 하는 패턴 형성 방법. And rotating the printing roll on the printing plate to transfer the pattern material formed in the recess of the printing plate onto the printing roll to form a pattern on the printing roll. 제5항에 있어서,The method of claim 5, 상기 인쇄판의 온도는 상기 인쇄노즐의 온도와 같거나, 상기 인쇄판의 온도는 상기 인쇄노즐의 온도보다 높으며,The temperature of the printing plate is equal to the temperature of the printing nozzle, or the temperature of the printing plate is higher than the temperature of the printing nozzle, 상기 인쇄롤의 온도는 상기 인쇄판의 온도와 같거나, 상기 인쇄롤의 온도는 상기 인쇄판의 온도보다 높은 것을 특징으로 하는 패턴 형성 방법. The temperature of the printing roll is equal to the temperature of the printing plate, or the pattern forming method, characterized in that the temperature of the printing roll is higher than the temperature of the printing plate. 제 6항에 있어서,The method of claim 6, 상기 인쇄노즐의 온도는 17 내지 23℃이고, The temperature of the print nozzle is 17 to 23 ℃, 상기 인쇄판의 온도는 17 내지 23℃이고, The temperature of the printing plate is 17 to 23 ℃, 상기 인쇄롤의 온도는 20 내지 30 ℃이고,The temperature of the printing roll is 20 to 30 ℃, 상기 기판의 온도는 20 내지 30℃인 것을 특징으로 하는 패턴 형성 방법. The temperature of the substrate is a pattern forming method, characterized in that 20 to 30 ℃. 제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 인쇄롤에 패턴을 형성하는 공정은 Forming a pattern on the printing roll 인쇄노즐을 이용하여 패턴물질을 인쇄판에 도포하는 공정;Applying a pattern material to a printing plate using a printing nozzle; 패턴물질이 형성된 인쇄판 상에서 볼록부가 형성된 인쇄롤을 회전시켜, 상기 볼록부에 패턴물질을 전사함으로써 인쇄롤에 패턴을 형성하는 것을 특징으로 하는 패턴 형성 방법. And a pattern formed on the printing roll by rotating the printing roll having the convex portion formed on the printing plate on which the pattern material is formed, and transferring the pattern material to the convex portion. 제8항에 있어서,The method of claim 8, 상기 인쇄판의 온도는 상기 인쇄노즐의 온도와 같거나, 상기 인쇄롤의 온도는 상기 인쇄노즐의 온도보다 높으며,The temperature of the printing plate is equal to the temperature of the printing nozzle, or the temperature of the printing roll is higher than the temperature of the printing nozzle, 상기 인쇄롤의 온도는 상기 인쇄판의 온도와 같거나, 상기 인쇄롤의 온도는 상기 인쇄판의 온도보다 높은 것을 특징으로 하는 패턴 형성 방법. The temperature of the printing roll is equal to the temperature of the printing plate, or the pattern forming method, characterized in that the temperature of the printing roll is higher than the temperature of the printing plate. 제 9항에 있어서,The method of claim 9, 상기 인쇄노즐의 온도는 17 내지 23℃이고, The temperature of the print nozzle is 17 to 23 ℃, 상기 인쇄판의 온도는 17 내지 23℃이고, The temperature of the printing plate is 17 to 23 ℃, 상기 인쇄롤의 온도는 20 내지 30 ℃이고,The temperature of the printing roll is 20 to 30 ℃, 상기 기판의 온도는 20 내지 30℃인 것을 특징으로 하는 패턴 형성 방법. The temperature of the substrate is a pattern forming method, characterized in that 20 to 30 ℃. 기판 상에 게이트전극을 형성하는 공정;Forming a gate electrode on the substrate; 상기 게이트전극을 포함하는 기판 전면에 게이트절연막을 형성하는 공정;Forming a gate insulating film on an entire surface of the substrate including the gate electrode; 상기 게이트절연막 위에 반도체층을 형성하는 공정;Forming a semiconductor layer on the gate insulating film; 상기 반도체층 위에 소스전극 및 드레인 전극을 형성하는 공정;Forming a source electrode and a drain electrode on the semiconductor layer; 상기 소스전극 및 드레인 전극 위에 보호막을 형성하고 상기 보호막을 선택적으로 제거하여 콘택홀을 형성하는 공정; 및Forming a contact hole by forming a passivation layer on the source electrode and the drain electrode and selectively removing the passivation layer; And 상기 보호막 상부에 형성되며, 상기 콘택홀을 통해 드레인 전극과 연결되는 화소전극을 형성하는 공정을 포함하여 이루어지며, And forming a pixel electrode formed on the passivation layer and connected to the drain electrode through the contact hole. 상기 게이트전극을 형성하는 공정, 상기 반도체층을 형성하는 공정, 상기 소스전극 및 드레인 전극을 형성하는 공정, 상기 보호막에 콘택홀을 형성하는 공정, 및 상기 화소전극을 형성하는 공정 중 하나 이상의 공정은 인쇄롤을 이용하여 형성된 포토 레지스트 패턴을 마스크로 이용하여 형성되며,One or more of the steps of forming the gate electrode, forming the semiconductor layer, forming the source electrode and the drain electrode, forming the contact hole in the passivation layer, and forming the pixel electrode It is formed using a photoresist pattern formed using a printing roll as a mask, 상기 인쇄롤을 이용하여 포토 레지스트 패턴을 형성하는 것은,Forming a photoresist pattern using the printing roll, 인쇄노즐을 이용하여 인쇄롤에 포토 레지스트를 도포하는 단계;Applying a photoresist to a printing roll using a printing nozzle; 상기 인쇄롤을 돌출부가 형성된 제 1 인쇄판 상에 회전시켜, 상기 제 1 인쇄판의 돌출부에 상기 포토 레지스트를 전사하는 단계; 및Rotating the printing roll on a first printing plate having a protrusion, thereby transferring the photoresist to the protrusion of the first printing plate; And 상기 돌출부에 대응되지 않는 영역에 상기 포토 레지스트가 잔존하는 인쇄롤을 제 2 인쇄판 상에 회전시켜, 포토 레지스트 패턴을 형성하는 단계를 포함하며, 상기 제 2 인쇄판의 온도가 상기 인쇄롤의 온도와 같거나, 상기 제 2 인쇄판의 온도가 상기 인쇄롤의 온도보다 높은 것을 특징으로 하는 액정표시소자용 기판의 제조방법. Forming a photoresist pattern by rotating a printing roll having the photoresist remaining in a region not corresponding to the protruding portion on the second printing plate, wherein the temperature of the second printing plate is equal to the temperature of the printing roll. Or, the temperature of the second printing plate is higher than the temperature of the printing roll. 기판 상에 게이트전극을 형성하는 공정;Forming a gate electrode on the substrate; 상기 게이트전극을 포함하는 기판 전면에 게이트절연막을 형성하는 공정;Forming a gate insulating film on an entire surface of the substrate including the gate electrode; 상기 게이트절연막 위에 반도체층을 형성하는 공정;Forming a semiconductor layer on the gate insulating film; 상기 반도체층 위에 소스전극 및 드레인 전극을 형성하는 공정;Forming a source electrode and a drain electrode on the semiconductor layer; 상기 소스전극 및 드레인 전극 위에 보호막을 형성하고 상기 보호막을 선택적으로 제거하여 콘택홀을 형성하는 공정; 및Forming a contact hole by forming a passivation layer on the source electrode and the drain electrode and selectively removing the passivation layer; And 상기 보호막 상부에 형성되며, 상기 콘택홀을 통해 드레인 전극과 연결되는 화소전극을 형성하는 공정을 포함하여 이루어지며,And forming a pixel electrode formed on the passivation layer and connected to the drain electrode through the contact hole. 상기 게이트전극을 형성하는 공정, 상기 반도체층을 형성하는 공정, 상기 소스전극 및 드레인 전극을 형성하는 공정, 상기 보호막에 콘택홀을 형성하는 공정, 및 상기 화소전극을 형성하는 공정 중 하나 이상의 공정은 인쇄롤을 이용하여 형성된 포토 레지스트 패턴을 마스크로 이용하여 형성되며,One or more of the steps of forming the gate electrode, forming the semiconductor layer, forming the source electrode and the drain electrode, forming the contact hole in the passivation layer, and forming the pixel electrode It is formed using a photoresist pattern formed using a printing roll as a mask, 상기 인쇄롤을 이용하여 포토 레지스트 패턴을 형성하는 것은,Forming a photoresist pattern using the printing roll, 인쇄노즐을 이용하여 제 1 인쇄판의 오목부에 포토 레지스트를 도포하는 단계;Applying a photoresist to a recess of the first printing plate using a printing nozzle; 인쇄롤을 상기 제 1 인쇄판 상에 회전시켜, 상기 제 1 인쇄판의 오목부에 도포된 포토 레지스트를 상기 인쇄롤에 전사하는 단계; 및Rotating a printing roll onto the first printing plate to transfer the photoresist applied to the recess of the first printing plate onto the printing roll; And 상기 포토 레지스트가 전사된 상기 인쇄롤을 제 2 인쇄판 상에 회전시켜, 포토 레지스트 패턴을 형성하는 단계를 포함하며, 상기 제 2 인쇄판의 온도가 상기 인쇄롤의 온도와 같거나, 상기 제 2 인쇄판의 온도가 상기 인쇄롤의 온도보다 높은 것을 특징으로 하는 액정표시소자용 기판의 제조방법.Rotating the printing roll on which the photoresist has been transferred onto a second printing plate to form a photoresist pattern, wherein the temperature of the second printing plate is equal to the temperature of the printing roll, or of the second printing plate. A temperature is higher than the temperature of said printing roll. The manufacturing method of the board | substrate for liquid crystal display elements characterized by the above-mentioned. 기판 상에 게이트전극을 형성하는 공정;Forming a gate electrode on the substrate; 상기 게이트전극을 포함하는 기판 전면에 게이트절연막을 형성하는 공정;Forming a gate insulating film on an entire surface of the substrate including the gate electrode; 상기 게이트절연막 위에 반도체층을 형성하는 공정;Forming a semiconductor layer on the gate insulating film; 상기 반도체층 위에 소스전극 및 드레인 전극을 형성하는 공정;Forming a source electrode and a drain electrode on the semiconductor layer; 상기 소스전극 및 드레인 전극 위에 보호막을 형성하고 상기 보호막을 선택적으로 제거하여 콘택홀을 형성하는 공정; 및Forming a contact hole by forming a passivation layer on the source electrode and the drain electrode and selectively removing the passivation layer; And 상기 보호막 상부에 형성되며, 상기 콘택홀을 통해 드레인 전극과 연결되는 화소전극을 형성하는 공정을 포함하여 이루어지며,And forming a pixel electrode formed on the passivation layer and connected to the drain electrode through the contact hole. 상기 게이트전극을 형성하는 공정, 상기 반도체층을 형성하는 공정, 상기 소스전극 및 드레인 전극을 형성하는 공정, 상기 보호막에 콘택홀을 형성하는 공정, 및 상기 화소전극을 형성하는 공정 중 하나 이상의 공정은 인쇄롤을 이용하여 형성된 포토 레지스트 패턴을 마스크로 이용하여 형성되며,One or more of the steps of forming the gate electrode, forming the semiconductor layer, forming the source electrode and the drain electrode, forming the contact hole in the passivation layer, and forming the pixel electrode It is formed using a photoresist pattern formed using a printing roll as a mask, 상기 인쇄롤을 이용하여 포토 레지스트 패턴을 형성하는 것은,Forming a photoresist pattern using the printing roll, 인쇄노즐을 이용하여 제 1 인쇄판에 포토 레지스트를 도포하는 단계;Applying photoresist to the first printing plate using a printing nozzle; 볼록부를 갖는 인쇄롤을 상기 제 1 인쇄판 상에 회전시켜, 상기 인쇄롤의 볼록부에 상기 포토 레지스트를 전사하는 단계; 및Rotating the printing roll having the convex portion on the first printing plate to transfer the photoresist to the convex portion of the printing roll; And 상기 인쇄롤을 제 2 인쇄판 상에 회전시켜, 포토 레지스트 패턴을 형성하는 단계를 포함하며, 상기 제 2 인쇄판의 온도가 상기 인쇄롤의 온도와 같거나, 상기 제 2 인쇄판의 온도가 상기 인쇄롤의 온도보다 높은 것을 특징으로 하는 액정표시소자용 기판의 제조방법.Rotating the printing roll on a second printing plate to form a photoresist pattern, wherein the temperature of the second printing plate is equal to the temperature of the printing roll, or the temperature of the second printing plate is A method of manufacturing a substrate for a liquid crystal display device, characterized in that it is higher than the temperature.
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