KR101264713B1 - Method for Manufacturing Printing Plate and Method for Manufacturing Liquid Crystal Display Device Using the Same - Google Patents

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Abstract

본 발명은 인쇄판에 형성되는 트렌치의 깊이 폭의 종횡비를 높게 하여, 전사 패턴이 트렌치에 남게됨을 방지하는 인쇄판 제조 방법 및 이를 이용한 액정 표시 장치의 제조 방법에 관한 것으로, 본 발명의 인쇄판의 제조 방법은, 기판 상에 제 1 오픈 부위를 갖는 제 1 금속층 패턴을 형성하는 단계와, 상기 제 1 금속층 패턴을 이용하여 상기 기판을 식각하여 제 1 트렌치를 형성하는 단계와, 상기 제 1 트렌치의 표면을 포함한 상기 기판 상에 무전해 도금법에 의해 제 2 금속층을 형성하는 단계와, 상기 제 2 금속층을 선택적으로 제거하여 상기 제 1 금속층 패턴 하부에 위치한 상기 제 1 트렌치 내에 남는 형상의 제 2 금속층 패턴을 형성하는 단계 및 상기 제 1 금속층 패턴 및 제 2 금속층 패턴을 이용하여 상기 기판을 식각하여 제 2 트렌치를 형성하는 단계를 포함하여 이루어짐을 특징으로 한다.The present invention relates to a printing plate manufacturing method for preventing the transfer pattern from remaining in the trench by increasing the aspect ratio of the depth width of the trench formed in the printing plate, and a manufacturing method of the liquid crystal display device using the same. Forming a first metal layer pattern having a first open portion on the substrate, etching the substrate using the first metal layer pattern to form a first trench, and including a surface of the first trench; Forming a second metal layer on the substrate by an electroless plating method, and selectively removing the second metal layer to form a second metal layer pattern having a shape remaining in the first trench under the first metal layer pattern; And etching the substrate using the first metal layer pattern and the second metal layer pattern to form a second trench. It is characterized by including the.

인쇄판, 식각, 오프셋 프린팅(Off-set printing), 고종횡비(high aspect ratio) Plate, Etch, Off-set Printing, High Aspect Ratio

Description

인쇄판의 제조 방법 및 이를 이용한 액정 표시 장치의 제조 방법{Method for Manufacturing Printing Plate and Method for Manufacturing Liquid Crystal Display Device Using the Same}Method for manufacturing printing plate and method for manufacturing liquid crystal display device using the same}

도 1a 내지 도 1c는 인쇄롤을 이용하여 기판 상에 패턴 물질을 패터닝하는 공정을 도시한 단면도1A to 1C are cross-sectional views illustrating a process of patterning a pattern material on a substrate using a printing roll.

도 2a 내지 도 2c는 종래 기술에 따른 인쇄판 제작 방법을 개략적으로 도시한 단면도2a to 2c are cross-sectional views schematically showing a printing plate manufacturing method according to the prior art

도 3은 종래 기술에 따른 인쇄판을 이용하여 패턴을 형성할 때 발생하는 문제점을 보여주기 위한 도면3 is a view showing a problem occurring when forming a pattern using a printing plate according to the prior art

도 4a 내지 도 4f는 소정 깊이의 트렌치를 형성하는 인쇄판 제조 방법을 일 예를 나타낸 공정 단면도4A to 4F are cross-sectional views illustrating an example of a method of manufacturing a printing plate for forming trenches having a predetermined depth.

도 5는 본 발명의 인쇄판의 제조 방법에 의해 형성된 인쇄판을 나타낸 단면도5 is a cross-sectional view showing a printing plate formed by the manufacturing method of the printing plate of the present invention.

도 6a 내지 도 6c는 본 발명의 인쇄판의 제조 방법을 도시한 공정 단면도6A to 6C are cross-sectional views illustrating a method of manufacturing the printing plate of the present invention.

도 7a 내지 도 7c는 본 발명의 액정 표시 장치의 제조 방법을 나타낸 공정 단면도7A to 7C are cross-sectional views illustrating a method of manufacturing the liquid crystal display of the present invention.

*도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명*Description of the Related Art [0002]

200 : 기판 210 : 제 1 금속층 패턴200 substrate 210 first metal layer pattern

220 : 제 1 감광막 패턴 155 : 제 1 트렌치220: first photosensitive film pattern 155: first trench

117 : 제 2 금속층 패턴 119 : 제 2 감광막 패턴117: second metal layer pattern 119: second photosensitive film pattern

155 : 제 2 트렌치 180 : 요부 패턴155: second trench 180: recessed pattern

본 발명은 액정 표시 장치에 관한 것으로 특히, 인쇄판에 형성되는 트렌치의 깊이 폭의 종횡비를 높게 하여, 전사 패턴이 트렌치에 남게됨을 방지하는 인쇄판 제조 방법 및 이를 이용한 액정 표시 장치의 제조 방법에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a liquid crystal display device, and more particularly, to a printing plate manufacturing method for preventing a transfer pattern from remaining in a trench by increasing an aspect ratio of a depth width of a trench formed in a printing plate, and a manufacturing method of a liquid crystal display device using the same.

표시 화면의 두께가 수 센티미터(cm)에 불과한 초박형의 평판표시장치(Flat Panel Display), 그 중에서도 액정 표시 장치는 동작 전압이 낮아 소비 전력이 적고 휴대용으로 쓰일 수 있는 등의 이점으로 노트북 컴퓨터, 모니터, 우주선, 항공기 등에 이르기까지 응용분야가 넓고 다양하다.Ultra-thin flat panel displays with a thickness of only a few centimeters (cm). Among them, liquid crystal displays have low operating voltages, which consume less power and can be used as portable devices. Applications range from ships to spacecraft to aircraft.

상기 액정 표시 장치는 하부기판, 상부기판, 및 상기 양 기판 사이에 형성된 액정층을 포함하여 구성된다. The liquid crystal display device includes a lower substrate, an upper substrate, and a liquid crystal layer formed between the two substrates.

상기 하부기판 상에는 서로 종횡으로 교차되어 화소영역을 정의하는 게이트 배선과 데이터 배선이 형성되어 있다. 그리고 상기 게이트 배선과 데이터 배선의 교차 영역에는 스위칭 장치로서 박막 트랜지스터가 형성되어 있다. 그리고 화소전극이 형성되어 박막 트랜지스터와 연결되어 있다.Gate lines and data lines are formed on the lower substrate so as to cross each other vertically and horizontally to define pixel regions. A thin film transistor is formed as a switching device in the intersection region of the gate wiring and the data wiring. A pixel electrode is formed and connected to the thin film transistor.

또한, 상부기판 상에는 상기 게이트 배선, 데이터 배선, 및 박막 트랜지스터 영역에서 광이 누설되는 것을 차단하기 위한 차광층이 형성되어 있고, 상기 차광층 위에 컬러필터층이 형성되어 있으며, 상기 컬러필터층 상부에 공통전극이 형성되어 있다.In addition, a light shielding layer is formed on the upper substrate to block light leakage from the gate wiring, the data wiring, and the thin film transistor region, a color filter layer is formed on the light shielding layer, and a common electrode on the color filter layer. Is formed.

이와 같이 액정 표시 장치는 다양한 구성요소들을 포함하고 있으며 그 구성요소들을 형성하기 위해 수많은 공정들이 반복적으로 행해지게 된다. 특히, 다양한 구성요소들을 다양한 형태로 패터닝하기 위해서 종래 포토 리소그래피(Photo-lithography) 공정이 사용되어 왔다.As such, the liquid crystal display includes various components, and numerous processes are repeatedly performed to form the components. In particular, conventional photo-lithography processes have been used to pattern various components in various forms.

종래 포토 리소그래피 공정은 기판 상에 패턴물질층을 형성한 후, 상기 패턴물질층 상에 소정 패턴의 마스크를 위치시키고, 기판 전면에 광을 조사하여 패턴을 형성하는 방법이다.The conventional photolithography process is a method of forming a pattern by forming a pattern material layer on a substrate, then placing a mask of a predetermined pattern on the pattern material layer and irradiating light on the entire surface of the substrate.

그러나, 상기 포토 리소그래피 공정은 소정 패턴의 마스크를 사용해야 하므로 그 만큼 제작비용이 상승되는 단점이 있으며, 또한 마스크를 이용하여 감광막을 현상하는 공정 등을 거쳐야 하므로 공정이 복잡하고 공정시간이 오래 걸리는 단점이 있다.However, since the photolithography process requires the use of a mask having a predetermined pattern, the manufacturing cost increases accordingly. Furthermore, the photolithography process requires a process of developing a photoresist film using a mask. have.

따라서 상기 포토리소그래피 공정의 단점을 해결하기 위한 새로운 패턴 형성 방법이 요구되었으며, 그와 같은 요구에 따라 인쇄 롤을 이용하여 패턴을 형성하는 방법이 고안되었다.Therefore, a new pattern forming method has been required to solve the disadvantages of the photolithography process, and a method of forming a pattern using a printing roll has been devised in accordance with such a request.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 종래의 인쇄롤을 이용한 패터닝 방법을 설명하면 다음과 같다.Hereinafter, a patterning method using a conventional printing roll will be described with reference to the accompanying drawings.

도 1a 내지 도 1c는 인쇄롤을 이용하여 기판 상에 패턴물질층을 패터닝하는 공정을 도시한 단면도이다.1A to 1C are cross-sectional views illustrating a process of patterning a pattern material layer on a substrate using a printing roll.

우선, 도 1a에서 알 수 있듯이, 인쇄노즐(10)을 이용하여 패턴물질(30)을 인쇄롤(20)에 도포한다.First, as shown in FIG. 1A, the pattern material 30 is applied to the printing roll 20 using the printing nozzle 10.

그 후, 도 1b에서 알 수 있듯이, 소정형상의 돌출부가 형성된 인쇄판(40)상에서 상기 인쇄롤(20)을 회전시켜, 상기 인쇄판의 돌출부에 일부 패턴물질(30b)을 전사하고 잔존하는 패턴물질(30a)에 의해 인쇄롤(20)에 소정형상의 패턴을 형성한다.Thereafter, as shown in FIG. 1B, the printing roll 20 is rotated on the printing plate 40 on which the protrusion of the predetermined shape is formed, thereby transferring some of the pattern material 30b to the protrusion of the printing plate and remaining the pattern material ( A predetermined shape pattern is formed on the printing roll 20 by 30a).

그 후, 도 1c에서 알 수 있듯이, 투명기판(50) 상에서 상기 인쇄롤(20)을 회전하여 상기 기판(50) 상에 패턴물질(30a)을 전사한다.Thereafter, as shown in FIG. 1C, the printing roll 20 is rotated on the transparent substrate 50 to transfer the pattern material 30a onto the substrate 50.

이와 같이, 상기 인쇄롤을 이용하여 패턴을 형성하는 방법은 소정 형상의 인쇄판을 필요로 한다.Thus, the method of forming a pattern using the said printing roll requires the printing plate of a predetermined shape.

이하에서, 도면을 참조로 종래의 인쇄판 제조 방법에 대해 설명하기로 한다.Hereinafter, a conventional printing plate manufacturing method will be described with reference to the drawings.

우선, 도 2a에서 알 수 있듯이, 기판(45) 상에 소정 패턴의 마스크층(60)을 형성한다.First, as shown in FIG. 2A, a mask layer 60 of a predetermined pattern is formed on the substrate 45.

그 후, 도 2b에서 알 수 있듯이, 상기 소정 패턴의 마스크층(60)을 이용하여 상기 기판(45)을 선택적으로 식각하여 트렌치(70)를 형성한다.Thereafter, as shown in FIG. 2B, the substrate 45 is selectively etched using the mask layer 60 having the predetermined pattern to form the trench 70.

그 후, 도 2c에서 알 수 있듯이, 상기 기판(45) 상에서 상기 소정 패턴의 마스크층(60)을 제거하면, 종래의 인쇄판(45)이 완성된다.Thereafter, as shown in FIG. 2C, when the mask layer 60 of the predetermined pattern is removed from the substrate 45, the conventional printing plate 45 is completed.

그러나, 종래의 인쇄판 제조 방법에 의해서는 정밀한 패턴의 형성이 불가능 하다.However, it is impossible to form a precise pattern by a conventional printing plate manufacturing method.

이는, 도 3에서 알 수 있듯이, 트렌치(70)의 경사가 트렌치(70)의 중심방향으로 완만하게 형성되어 있어, 인쇄판(45) 상에 패턴물질(30b)을 전사할 경우, 트렌치의 가장자리 부분에 패턴물질(30b)이 전사될 우려가 있기 때문이다.As shown in FIG. 3, the inclination of the trench 70 is gently formed in the direction of the center of the trench 70, and the edge portion of the trench is transferred when the pattern material 30b is transferred onto the printing plate 45. This is because the pattern material 30b may be transferred.

상기와 같은 종래의 인쇄롤을 이용한 패터닝 방법에 있어서는, 인쇄기판에 소정의 개구부에 대응하여 선택적으로 식각되어 형성되는 트렌치를 구비하는 경우, 상기 트렌치가 갖는 완만한 경사로 형성되어, 인쇄판에 형성된 트렌치의 가장자리에 패턴 물질이 전사되어, 이를 이용한 인쇄 공정에서 상기 트렌치 가장 자리에도 의도하지 않은 전사 패턴이 잔류하게 되어 정확한 패터닝이 이루어지지 않는 문제점이 있다.In the conventional patterning method using a printing roll as described above, when the printed board is provided with a trench that is selectively etched to correspond to a predetermined opening, the trench is formed with a gentle inclination of the trench, There is a problem that the pattern material is transferred to the edge, and in the printing process using the same, an unintentional transfer pattern remains in the trench edge, thereby preventing accurate patterning.

본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위해 안출한 것으로 인쇄판에 형성되는 트렌치의 깊이 폭의 종횡비를 높게 하여, 전사 패턴이 트렌치에 남게됨을 방지하는 인쇄판 제조 방법 및 이를 이용한 액정 표시 장치의 제조 방법을 제공하는 데, 그 목적이 있다.SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made to solve the above problems, by increasing the aspect ratio of the depth width of the trench formed in the printing plate, to prevent the transfer pattern remains in the trench and a manufacturing method of the liquid crystal display device using the same The purpose is to provide.

상기와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명의 인쇄판의 제조 방법은, 기판 상에 제 1 오픈 부위를 갖는 제 1 금속층 패턴을 형성하는 단계와, 상기 제 1 금속층 패턴을 이용하여 상기 기판을 식각하여 제 1 트렌치를 형성하는 단계와, 상기 제 1 트렌치의 표면을 포함한 상기 기판 상에 무전해 도금법에 의해 제 2 금속층을 형성하는 단계와, 상기 제 2 금속층을 선택적으로 제거하여 상기 제 1 금속층 패턴 하부에 위치한 상기 제 1 트렌치 내에 남는 형상의 제 2 금속층 패턴을 형성하는 단계 및 상기 제 1 금속층 패턴 및 제 2 금속층 패턴을 이용하여 상기 기판을 식각하여 제 2 트렌치를 형성하는 단계를 포함하여 이루어짐에 그 특징이 있다.Method of manufacturing a printing plate of the present invention for achieving the above object, the step of forming a first metal layer pattern having a first open portion on the substrate, by etching the substrate using the first metal layer pattern Forming a first trench, forming a second metal layer by an electroless plating method on the substrate including the surface of the first trench, and selectively removing the second metal layer below the first metal layer pattern Forming a second metal layer pattern having a shape remaining in the first trench located and etching the substrate using the first metal layer pattern and the second metal layer pattern to form a second trench. There is this.

상기 제 1 금속층 패턴을 형성하는 단계는 상기 기판 상에 제 1 금속층을 증착 후, 상기 제 1 오픈 부위에 상응하여 오픈 부위를 갖는 제 1 감광막 패턴을 마스크로 이용하여, 상기 제 1 금속층을 식각하여 이루어진다.The forming of the first metal layer pattern may include depositing a first metal layer on the substrate and etching the first metal layer by using a first photoresist pattern having an open portion corresponding to the first open portion as a mask. Is done.

상기 제 1 금속층 패턴을 형성 후 상기 제 1 감광막 패턴은 상기 제 2 금속층의 형성시 남아있다.After forming the first metal layer pattern, the first photosensitive film pattern remains upon formation of the second metal layer.

상기 제 2 금속층을 형성하는 단계에서, 상기 제 2 금속층은 상기 제 1 트렌치의 표면을 포함하여, 상기 제 1 감광막 패턴의 표면 및 측면과, 상기 제 1 트렌치의 상부에 노출된 상기 제 1 금속층 패턴에 함께 형성된다.In the forming of the second metal layer, the second metal layer includes a surface of the first trench, the surface and the side surface of the first photoresist pattern, and the first metal layer pattern exposed on the upper portion of the first trench. Are formed together.

상기 제 2 금속층 패턴의 형성은 상기 제 1 금속층 패턴을 이용한 자기정렬 포토 공정에 의해 이루어진다.The second metal layer pattern is formed by a self-aligned photo process using the first metal layer pattern.

상기 제 1 금속층 패턴을 이용한 자기정렬 포토 공정은, 상기 제 1 트렌치를 포함한 상기 제 1 금속층 패턴의 상부에 제 2 감광막을 형성하는 단계와, 상기 제 1 금속층 패턴을 마스크로 하여 상기 제 2 감광막을 노광 및 현상하여 상기 제 1 금속층 패턴 하부의 상기 제 1 트렌치 내에 제 2 감광막 패턴을 형성하는 단계 및 상기 제 2 감광막 패턴을 마스크로 이용하여 상기 제 2 금속층을 선택적으로 제거하여 상기 제 2 금속층 패턴을 형성하는 단계를 포함하여 이루어진다.The self-aligned photo process using the first metal layer pattern may include forming a second photoresist film on the first metal layer pattern including the first trench, and using the first metal layer pattern as a mask to form the second photoresist film. Exposing and developing to form a second photoresist pattern in the first trench under the first metal layer pattern; and selectively removing the second metal layer by using the second photoresist pattern as a mask to remove the second metal layer pattern. It comprises the step of forming.

상기 제 2 트렌치를 형성하는 단계는, 상기 제 2 금속층 패턴, 상기 제 2 감광막 패턴 및 상기 제 1 금속층 패턴을 마스크로 이용하여 상기 기판을 식각하여 이루어진다.The forming of the second trench may be performed by etching the substrate using the second metal layer pattern, the second photoresist pattern, and the first metal layer pattern as a mask.

상기 제 1 금속층 패턴은 상기 기판 식각액에 비해 내식성이 있는 금속으로 이루어진다.The first metal layer pattern is made of a metal that is more corrosion resistant than the substrate etchant.

상기 제 1 금속층 패턴은 크롬, 몰리브덴, 구리, 인-주석-산화물(ITO: Indium Tin Oxide), 인듐-아연-산화물(IZO: Indium Zinc Oxide) 및 인듐-주석-아연-산화물(ITZO: Indium Tin Zinc Oxide) 중 적어도 어느 하나를 이용하여 형성한다.The first metal layer pattern may include chromium, molybdenum, copper, indium tin oxide (ITO), indium zinc oxide (IZO), and indium tin-zinc-oxide (ITZO). Zinc oxide).

상기 제 2 금속층은 니켈(Ni), 구리(Cu), 니켈-인(Ni-P), 니켈-보론(Ni-B) 합금 중 적어도 어느 하나를 이용한다.The second metal layer uses at least one of nickel (Ni), copper (Cu), nickel-phosphorus (Ni-P), and nickel-boron (Ni-B) alloy.

상기 제 1, 제 2 트렌치의 형성을 위한 상기 기판의 식각은 불산(HF)을 포함한 식각액을 이용한다.The etching of the substrate for forming the first and second trenches uses an etchant including hydrofluoric acid (HF).

상기 제 2 트렌치 상부의 제 1 금속층 패턴의 하측에 대응되어 무전해 도금법에 의한 제 3 금속층 패턴을 형성한 후, 이를 이용하여 상기 기판을 식각하여 제 3 트렌치를 형성하는 단계를 더 포함한다.The method may further include forming a third trench by etching the substrate using the third metal layer pattern formed by the electroless plating method corresponding to the lower side of the first metal layer pattern on the second trench.

상기 제 2 트렌치 표면에, 무전해 도금법에 의해 상기 제 1 금속층 패턴의 하측에 대응되는 금속층 패턴의 형성과, 이를 이용한 상기 기판의 식각을 반복하여 소정 깊이의 트렌치를 형성하는 단계를 더 포함한다.The method may further include forming a trench having a predetermined depth on the surface of the second trench by repeating formation of a metal layer pattern corresponding to a lower side of the first metal layer pattern by an electroless plating method and etching of the substrate using the same.

상기 기판의 식각은, 상기 금속층 패턴의 형성 후 상기 제 1 금속층 패턴의 하측에 대응되는 상기 제 2 트렌치에 감광막 패턴을 더 포함하여 이루어진다.The etching of the substrate may further include a photosensitive film pattern in the second trench corresponding to the lower side of the first metal layer pattern after the metal layer pattern is formed.

또한, 동일한 목적을 달성하기 위한 본 발명의 액정 표시 장치의 제조 방법은 서로 대향된 제 1, 제 2 기판을 준비하는 단계와, 상기 제 1 기판 상에 차광층 및 복수개의 컬러 필터층을 형성하는 단계와, 상기 제 1 기판 상에 박막 트랜지스터 어레이를 형성하는 단계 및 상기 제 1, 제 2 기판 사이에 액정층을 형성하는 단계를 포함하여 이루어지며, 상기 차광층 및 복수개의 컬러 필터층 중 적어도 어느 하나는 상술한 방법에 의해 제조된 인쇄판을 이용하여 형성한다. 여기서, 상기 인쇄판을 이용하여 패턴을 형성하는 공정은 차광 물질 또는 컬러 필터 형성물질을 인쇄롤에 도포하는 공정과, 상술한 방법에 의해 제작된 인쇄판 상에서, 상기 차광 물질 또는 컬러 필터 형성 물질이 도포된 인쇄롤을 회전시켜, 일부 차광물질 또는 컬러 필터 형성 물질을 상기 인쇄판 상에 전사하는 공정; 및 상기 제 1기판 상에서, 상기 인쇄롤을 회전시켜, 상기 인쇄롤에 잔존하는 차광 물질 또는 컬러 필터 형성 물질을 기판 상에 전사하는 공정으로 이루어진다.In addition, the manufacturing method of the liquid crystal display device of the present invention for achieving the same object comprises the steps of preparing a first, second substrate facing each other, and forming a light shielding layer and a plurality of color filter layer on the first substrate And forming a thin film transistor array on the first substrate and forming a liquid crystal layer between the first and second substrates, wherein at least one of the light blocking layer and the plurality of color filter layers is formed. It forms using the printing plate manufactured by the method mentioned above. Here, the process of forming a pattern using the printing plate is a process of applying a light-shielding material or color filter forming material to a printing roll, and the light-shielding material or color filter forming material is coated on a printing plate produced by the method described above Rotating a printing roll to transfer a part of the light shielding material or the color filter forming material onto the printing plate; And rotating the printing roll on the first substrate to transfer the light blocking material or the color filter forming material remaining on the printing roll onto the substrate.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 인쇄판 제조 방법을 상세히 설명하면 다음과 같다.Hereinafter, the printing plate manufacturing method of the present invention with reference to the accompanying drawings in detail as follows.

이하에서는 먼저, 깊이 방향으로 복수층의 트렌치를 형성하여 원하는 깊이의 요부 패턴을 형성하는 인쇄판 제조 방법에 대하여 살펴본다.Hereinafter, first, a printing plate manufacturing method of forming trenches having a desired depth by forming a plurality of layers of trenches in a depth direction will be described.

도 4a 내지 도 4f는 소정 깊이의 트렌치를 형성하는 인쇄판 제조 방법을 일 예를 나타낸 공정 단면도이다.4A to 4F are cross-sectional views illustrating a method of manufacturing a printing plate for forming trenches having a predetermined depth.

도 4a와 같이, 기판(100) 상에 크롬(Cr)과 같은 제 1 금속 물질층(110과 동 일층)을 증착한 후, 그 상부에 감광막(미도시)을 도포한 후, 상기 감광막의 소정 폭(W)을 제거하도록 상기 감광막을 노광 및 현상하여 제 1 감광막 패턴(미도시)을 형성한다. 이어, 상기 제 1 감광막 패턴을 마스크로 하여 노출된 상기 제 1 금속 물질층을 식각하여 제 1 금속층 패턴(110)을 형성한다. 이어, 상기 제 1 금속층 패턴(110) 상부의 제 1 감광막 패턴을 스트립(strip)하여 제거한다.As shown in FIG. 4A, after depositing a first metal material layer 110 such as chromium (Cr) on the substrate 100 and then applying a photoresist film (not shown) thereon, a predetermined portion of the photoresist film may be formed. The photosensitive film is exposed and developed to remove the width W to form a first photoresist pattern (not shown). Subsequently, the exposed first metal material layer is etched using the first photoresist pattern as a mask to form a first metal layer pattern 110. Subsequently, the first photoresist pattern on the first metal layer pattern 110 is stripped and removed.

이어, 상기 제 1 금속층 패턴(110)을 마스크로 하여, 상기 제 1 금속층 패턴(110) 하측의 노출된 상기 기판(100)의 표면을 식각하여 제 1 깊이(D1)의 제 1 트렌치(107)를 형성한다. 이러한 상기 기판(100)의 표면을 식각하는 과정에서 등방성 식각이 일어나게 되고 이 때, 상기 제 1 금속층 패턴(110)이 오픈된 가장자리에 대응되는 상기 기판(100)의 오픈된 부위에서는, 상기 제 1 금속층 패턴(110)의 가장자리를 원의 중심으로 하는 원호 모양의 식각이 일어나 언더컷(undercut) 형상으로 식각된다. 따라서, 상대적으로 상기 제 1 금속층 패턴(110)이 오픈된 영역이 갖는 폭(W)에 비해 그 양측으로 약 'C'의 길이를 반지름으로 하는 원호모양이 더 식각되어, 상기 제 1 금속층 패턴(110)은 상기 제 1 트렌치(107)에 비해 약 'C'의 폭 더 길게 남아 있다. Subsequently, the surface of the exposed substrate 100 under the first metal layer pattern 110 is etched using the first metal layer pattern 110 as a mask to form a first trench 107 having a first depth D1. To form. In the process of etching the surface of the substrate 100, isotropic etching occurs, and at this time, in the open portion of the substrate 100 corresponding to the edge where the first metal layer pattern 110 is opened, the first An arc-shaped etch is performed with the edge of the metal layer pattern 110 as the center of the circle, and is etched into an undercut shape. Accordingly, a circular arc shape having a radius of about 'C' on both sides of the first metal layer pattern 110 is more etched than the width W of the region where the first metal layer pattern 110 is opened. 110 remains longer than the first trench 107 by about 'C' in width.

도 4b와 같이, 상기 제 1 트렌치(107)의 표면을 포함한 상기 제 1 금속층 표면(110)에 몰리브덴(Mo) 또는 ITO(Indium Tin Oxide) 등과 같은 투명 금속의 제 2 금속층(117과 동일층)을 스퍼터링(sputtering)하여 증착하고, 이어, 상기 제 1 트렌치(107)를 포함한 상기 제 2 금속층의 표면에 제 2 감광막(115와 동일층)을 도포한다.As shown in FIG. 4B, the second metal layer 117 of the transparent metal such as molybdenum (Mo) or indium tin oxide (ITO) or the like is formed on the surface of the first metal layer 110 including the surface of the first trench 107. Is deposited by sputtering, and then a second photosensitive film 115 and the same layer are coated on the surface of the second metal layer including the first trench 107.

이어, 상기 제 2 감광막을 자기 정렬 포토(self-align photo) 공정에 의해 상기 제 1 금속층 패턴(110)을 마스크로 하여 노광 및 현상하여, 상기 제 1 금속층 패턴(110)이 가리는 상기 제 1 트렌치(107)의 가장자리에 남아있는 형상의 제 2 감광막 패턴(115)을 형성한다. 즉, 상기 제 1 금속층 패턴(110)을 마스크로 하여, 상기 제 2 금속층의 상부와 상기 제 1 금속층 패턴(110)이 오픈된 상기 제 1 트렌치(107) 내의 제 2 감광막을 제거하여, 상기 제 1 금속층 패턴(110)이 가리는 상기 제 1 트렌치(107)의 가장자리에 남아있는 형상의 제 2 감광막 패턴(115)을 형성한다. 이 경우, 상기 제 2 감광막은 네거티브 감광성 물질로, 광이 조사된 부위가 현상에 의해 제거되는 것으로, 이러한 자기 정렬 포토 공정을 거친 후 상기 제 1 트렌치(107) 가장자리에만 상기 제 2 감광막 패턴(115)이 남게 된다.Subsequently, the second photoresist layer is exposed and developed using the first metal layer pattern 110 as a mask by a self-align photo process, and the first trench covered by the first metal layer pattern 110 is covered. A second photosensitive film pattern 115 having a shape remaining at the edge of 107 is formed. That is, by using the first metal layer pattern 110 as a mask, an upper portion of the second metal layer and a second photosensitive layer in the first trench 107 in which the first metal layer pattern 110 is opened are removed to remove the second photoresist layer. A second photoresist pattern 115 having a shape remaining on the edge of the first trench 107 covered by the first metal layer pattern 110 is formed. In this case, the second photoresist layer is a negative photosensitive material, and a portion irradiated with light is removed by development. After the self-aligned photo process, the second photoresist layer pattern 115 is formed only at the edge of the first trench 107. ) Will remain.

이어, 상기 제 2 감광막 패턴(115)을 마스크로 하여, 상기 제 1 금속층 패턴(110)이 형성되지 않은 상기 제 1 트렌치(107) 내의 노출된 상기 제 2 금속층을 식각하여 제거하여, 제 2 금속층 패턴(117)을 형성한다.Subsequently, the exposed second metal layer in the first trench 107 in which the first metal layer pattern 110 is not formed is etched and removed using the second photoresist pattern 115 as a mask to form a second metal layer. Pattern 117 is formed.

여기서, 상기 제 1 트렌치(107)의 가장 자리와 상기 제 1 금속층 패턴(110)이 오버랩된 부위에서의 상기 제 1 금속층 패턴(110)을 금속 윙(metal wing)(A 표시 부위)이라 하며, 이 경우, 상술한 자기 정렬 포토(self-align photo) 공정에서는 상기 금속 윙 하측에 대응되는 제 1 트렌치(107) 표면의 제 2 금속층 패턴(117)만이 남도록 패터닝된다. Here, the first metal layer pattern 110 at a portion where the edge of the first trench 107 and the first metal layer pattern 110 overlap each other is called a metal wing (A display portion). In this case, in the above-described self-align photo process, only the second metal layer pattern 117 on the surface of the first trench 107 corresponding to the lower side of the metal wing is patterned.

이어, 도 4c와 같이, 상기 제 2 감광막 패턴(115)과, 상기 제 1 금속층 패턴(110) 및 상기 제 1 트렌치(107) 내의 제 2 금속층 패턴(117)을 마스크로 하여 상기 기판(100)을 식각하여, 제 2 트렌치(120)을 형성한다. 이 때, 노출된 기판(100) 상에, 상기 제 2 금속층 패턴(117)의 가장자리를 중심으로 한 원호 모양의 제 2 트렌치(120)가 형성된다.Subsequently, as shown in FIG. 4C, the substrate 100 may be formed using the second photoresist layer pattern 115, the first metal layer pattern 110, and the second metal layer pattern 117 in the first trench 107 as a mask. Is etched to form second trenches 120. In this case, an arc-shaped second trench 120 around the edge of the second metal layer pattern 117 is formed on the exposed substrate 100.

도 4d와 같이, 상기 제 2 트렌치(120)의 표면을 포함한 상기 제 1 금속층 패턴(110) 표면에 몰리브덴(Mo) 또는 ITO(Indium Tin Oxide) 등과 같은 투명 금속의 제 3 금속층(127과 동일층)을 증착하고, 이어, 상기 제 2 트렌치(120)를 포함한 상기 제 1, 및 제 3 금속층(127)의 표면에 제 3 감광막을 도포한다.As shown in FIG. 4D, the third metal layer 127 of the transparent metal such as molybdenum (Mo) or indium tin oxide (ITO) or the like is formed on the surface of the first metal layer pattern 110 including the surface of the second trench 120. ), And then, a third photosensitive film is coated on the surfaces of the first and third metal layers 127 including the second trenches 120.

이어, 상기 제 3 감광막을 자기 정렬 포토(self-align photo) 공정에 의해 노광 및 현상하여, 상기 제 2 금속층 패턴(117)이 가리는 상기 제 2 트렌치(120)의 가장자리에 남아있는 형상의 제 3 감광막 패턴(125)을 형성한다. 마찬가지로, 상기 제 3 감광막은 네거티브 감광성 물질로, 광이 조사된 부위가 현상에 의해 제거되는 것으로, 이러한 자기 정렬 포토 공정을 거친 후 상기 제 2 트렌치(120) 가장자리에만 상기 제 3 감광막 패턴(125)이 남게 된다.Subsequently, the third photoresist layer is exposed and developed by a self-align photo process to form a third shape having a shape remaining at the edge of the second trench 120 covered by the second metal layer pattern 117. The photosensitive film pattern 125 is formed. Similarly, the third photoresist layer is a negative photosensitive material, and a portion irradiated with light is removed by development. After the self-aligned photo process, the third photoresist pattern 125 is formed only at the edge of the second trench 120. Will remain.

이어, 제 3 감광막 패턴(125)을 마스크로 하여 상기 제 3 금속층을 식각하여 상기 제 1 금속층 패턴(110) 및 상기 제 2 금속층 패턴(117)의 하측에 제 3 금속층 패턴(127)을 형성한다. Subsequently, the third metal layer is etched using the third photoresist layer pattern 125 as a mask to form a third metal layer pattern 127 under the first metal layer pattern 110 and the second metal layer pattern 117. .

이어, 도 4e와 같이, 상기 제 1 금속층 패턴(110) 및 상기 제 1 트렌치(107) 내의 상기 제 2 감광막 패턴(115)과, 제 2 금속층 패턴(117) 및 상기 제 2 트렌치(120) 내의 상기 제 3 감광막 패턴(125)과, 상기 제 3 금속층 패턴(127)을 마스크로 하여 상기 기판(100)을 식각하여, 제 3 트렌치(130)를 형성한다. 이 때, 노출 된 기판(100) 상에, 상기 제 3 금속층 패턴(127)의 가장자리를 중심으로 한 원호 모양의 제 3 트렌치(130)가 형성된다.Subsequently, as shown in FIG. 4E, the second photoresist layer pattern 115 and the second metal layer pattern 117 and the second trench 120 in the first metal layer pattern 110 and the first trench 107 may be formed. The third trench 130 is formed by etching the substrate 100 using the third photoresist pattern 125 and the third metal layer pattern 127 as a mask. In this case, an arc-shaped third trench 130 around the edge of the third metal layer pattern 127 is formed on the exposed substrate 100.

이어, 도 4f와 같이, 최종적으로 상기 제 1 금속층 패턴(110)을 식각하여 제거하고, 상기 제 1, 제 2 트렌치(107, 120) 내의 제 2, 제 3 감광막 패턴(115, 125)을 스트립하여 제거한다. 이러한 과정을 거치면, 상기 기판(100)이 제 1 내지 제 3 트렌치(107, 120, 130)를 합한 깊이와 이들 폭의 요부 패턴(150)을 구비하며, 이와 같은 요부 패턴(150)을 구비한 상기 기판(100)을 액정 표시 장치의 박막을 형성하기 위한 인쇄판으로 이용한다.Subsequently, as illustrated in FIG. 4F, the first metal layer pattern 110 is etched and removed, and the second and third photoresist patterns 115 and 125 in the first and second trenches 107 and 120 are stripped. To remove it. Through this process, the substrate 100 includes a recess pattern 150 having a depth and a width of the sum of the first to third trenches 107, 120, and 130, and the recess pattern 150. The substrate 100 is used as a printing plate for forming a thin film of a liquid crystal display.

이러한 인쇄판 제조 방법에 있어서, 상기 도 4b 및 도 4c의 과정은, 도 4d 및 도 4e의 과정과 같이, 복수개의 트렌치에 의해 원하는 깊이의 최종적인 요부 패턴(150)이 형성될 때까지 반복적으로 진행할 수 있다.In the printing plate manufacturing method, the process of FIGS. 4B and 4C may be repeatedly performed until the final recess pattern 150 having a desired depth is formed by a plurality of trenches, as in the process of FIGS. 4D and 4E. Can be.

그러나, 이러한 공정 중에, 예를 들어, 제 1 금속층 패턴(110)이 제 1, 제 2 트렌치(107, 120)를 가린 상태에서, 각 트렌치 내에 제 2, 제 3 금속층을 스퍼터링하는 과정에서, 상기 제 1 금속층 패턴(110)의 금속 윙(metal wing) 밑에 상기 스퍼터링된 금속이 잘 들어가지 못하게 되어, 상기 제 2 금속층 패턴(117)의 증착이 정상적으로 이루어지지 못하는 문제가 발생할 수 있으며, 이에 따라, 상기 제 2 금속층 패턴(117)을 마스크로 이용한 기판의 식각시, 상기 제 2 금속층 패턴(117)이 증착되지 않은 부위의 기판이 함께 식각될 수 있다. 따라서, 트렌치를 형성하는 과정이 진행될수록 상기 제 1 금속층 패턴(110)이 가리는 부위에도 식각이 일어날 수 있거나, 각각 금속층의 자기 정렬이 정확히 이루어지지 못하게 되어, 따라서, 각 트렌치를 이용한 식각이 반복될수록, 형성되는 각층의 트렌치의 폭의 편차(CD bias : Critical Dimension Bias)가 발생되고, 이 경우, 편차에 의해 기판의 식각이 깊이 방향보다 측방향으로 커질 수 있어, 상대적으로 식각이 진행될 수록 각 트렌치의 높이(D2, D3, ...)가 상대적으로 제 1 트렌치에서 형성된 제 1 높이(D1) 비해 작아지게 된다. 예를 들어, 도4a에 도시된 제 1 트렌치의 제 1 높이(D1)에 비해 상기 도 4c 및 도 4e에 도시된 제 2 및 제 3 트렌치의 제2, 제 3 높이(D2, D3)가 그보다 약 60~70% 정도로 작게 된다.However, during this process, for example, in a state in which the first metal layer pattern 110 covers the first and second trenches 107 and 120, in the process of sputtering the second and third metal layers in each trench, Since the sputtered metal does not enter well under the metal wing of the first metal layer pattern 110, the deposition of the second metal layer pattern 117 may not occur normally. Accordingly, When etching the substrate using the second metal layer pattern 117 as a mask, the substrate of the portion where the second metal layer pattern 117 is not deposited may be etched together. Therefore, as the process of forming the trench proceeds, etching may occur in a portion covered by the first metal layer pattern 110, or the self-alignment of the metal layers may not be accurately performed. Therefore, as the etching using each trench is repeated, In this case, the deviation of the width of the trenches of each layer to be formed (CD bias: Critical Dimension Bias) is generated, and in this case, the etching of the substrate may increase laterally than the depth direction. The heights D2, D3, ... are relatively smaller than the first height D1 formed in the first trench. For example, the second and third heights D2 and D3 of the second and third trenches shown in FIGS. 4C and 4E are greater than the first height D1 of the first trench shown in FIG. 4A. It is as small as about 60-70%.

이하에서는, 위의 각 트렌치의 CD 폭 조절이 용이하며, 이에 따라 고 종횡비의 트렌치의 형성이 가능한 본 발명의 인쇄판의 제조 방법에 대하여 설명한다.Hereinafter, the manufacturing method of the printing plate of this invention which is easy to adjust CD width of each said trench, and can form a high aspect ratio trench by this is demonstrated.

도 5는 본 발명의 인쇄판을 나타낸 단면도이다.5 is a cross-sectional view showing a printing plate of the present invention.

도 5와 같이, 본 발명의 인쇄판의 요부 패턴(180)은 기판(200) 상에 제 1 깊이(D1)의 제 1 트렌치(155)와 상기 제 2 깊이(D2')보다 큰 제 2 깊이의 제 2 트렌치(165)를 상기 제 1 트렌치(155)의 하측에 구비하여 이루어진다. 그리고, 상기 제 1 깊이의 제 1 트렌치(155)와 상기 제 1 트렌치(155) 하측의 제 2 트렌치(165)의 폭은 동일하며, 상기 제 1, 제 2 트렌치(155, 165)의 폭은 상기 기판(200) 상의 제 1 금속층 패턴(210)이 갖는 오픈 부위의 폭보다 상대적으로 크다. 이는 상기 제 1 금속층 패턴(210)을 이용한 상기 기판(200)의 식각시 상기 제 1 금속층 패턴(210)의 가장 자리를 중심으로 하여 원호 형상의 식각이 이루어지기 때문에 상기 제 1, 제 2 트렌치(155, 165)의 폭이 크게 된 것이다. 여기서, 상기 제 1 트렌치(155)의 제 1 깊이(D1)에 비해 상기 제 2 트렌치(165)의 제 2 깊이(D2')는 약 120~130%의 수준에 상당한다.As shown in FIG. 5, the recessed part pattern 180 of the printing plate of the present invention has a second depth greater than the first trench 155 and the second depth D2 ′ of the first depth D1 on the substrate 200. A second trench 165 is provided below the first trench 155. The first trench 155 having the first depth and the second trench 165 below the first trench 155 have the same width, and the widths of the first and second trenches 155 and 165 are the same. The width of the open portion of the first metal layer pattern 210 on the substrate 200 is relatively greater. This is because the first and second trenches may be etched in an arc shape around the edge of the first metal layer pattern 210 when the substrate 200 is etched using the first metal layer pattern 210. 155, 165) wider. Here, the second depth D2 ′ of the second trench 165 corresponds to a level of about 120 to 130% compared to the first depth D1 of the first trench 155.

여기서, 상기 제 1 금속층 패턴(210)은 상기 기판(200)이 인쇄판으로 이용시 제거되는 부분이다.Here, the first metal layer pattern 210 is a portion removed when the substrate 200 is used as a printing plate.

도 6a 내지 도 6c는 본 발명의 인쇄판 제조 방법을 도시한 공정 단면도이다.6A to 6C are cross-sectional views showing the printing plate manufacturing method of the present invention.

도 6a와 같이, 본 발명의 인쇄판 제조 방법은 먼저, 기판 상에 금속층을 증착한다. As shown in Figure 6a, the printing plate manufacturing method of the present invention first, depositing a metal layer on the substrate.

도 6a와 같이, 기판(200) 상에 크롬(Cr), 몰리브덴(Mo), 구리(Cu), 인-주석-산화물(ITO: Indium Tin Oxide), 인듐-아연-산화물(IZO: Indium Zinc Oxide) 및 인듐-주석-아연-산화물(ITZO: Indium Tin Zinc Oxide)를 이용하여 단일층 또는 이중층으로 제 1 금속층(210과 동일층)을 형성한다. 여기서, 상기 제 1 금속층을 이루는 금속은 상기 기판(200)을 식각하기 위해 이용되는 식각액에 대하여 내성이 있는 금속으로 한다.As shown in FIG. 6A, chromium (Cr), molybdenum (Mo), copper (Cu), indium tin oxide (ITO), and indium zinc oxide (IZO) are formed on the substrate 200. ) And an indium tin zinc oxide (ITZO) to form a first metal layer (the same layer as 210) in a single layer or a double layer. Here, the metal constituting the first metal layer is a metal that is resistant to an etchant used to etch the substrate 200.

이어, 상기 제 1 금속층 상부에 감광막(220과 동일층)을 도포한 후, 상기 제 1 감광막의 소정 폭이 제거되도록 상기 제 1 감광막을 노광 및 현상하여 제 1 감광막 패턴(220)을 형성한다. 이어, 상기 제 1 감광막 패턴(220)을 마스크로 하여 노출된 상기 제 1 금속층을 소정 폭(W) 제거하여 제 1 금속층 패턴(210)을 형성한다. 도시된 도면에서, 상기 제 1 감광막 패턴(220)이 상기 제 1 금속층 패턴(210)에 비해 상대적으로 작은 폭이 오픈된 것으로 관찰되고 있으며, 이는 상대적으로 상기 제 1 금속층 패턴(210)을 형성하는 식각 과정에서, 상기 제 1 감광막 패턴(220)이 가리는 폭보다 상기 제 1 금속층 패턴(210)이 더 식각될 수 있기 때문이다.Subsequently, after the photoresist layer 220 is coated on the first metal layer, the first photoresist layer is exposed and developed to remove a predetermined width of the first photoresist layer, thereby forming a first photoresist layer pattern 220. Subsequently, the first metal layer pattern 210 may be removed by removing a predetermined width W by using the first photoresist pattern 220 as a mask. In the illustrated figure, it is observed that the first photoresist layer pattern 220 has a smaller width than that of the first metal layer pattern 210, which relatively forms the first metal layer pattern 210. This is because, in the etching process, the first metal layer pattern 210 may be etched more than the width covered by the first photoresist pattern 220.

이어, 상기 제 1 금속층 패턴(210) 및 상기 제 1 감광막 패턴(220)을 마스크로 하여, 상기 제 1 금속층 패턴(210) 하측의 노출된 상기 기판(200)의 표면을 식각하여 제 1 깊이(D1)의 제 1 트렌치(155)를 형성한다. 이러한 상기 기판(200)의 표면을 식각하는 과정에서 등방성 식각이 일어나게 되고 이 때, 상기 제 1 금속층 패턴(210)이 오픈된 가장자리에 대응되는 상기 기판(200)의 오픈된 부위에서는, 상기 제 1 금속층 패턴(210)의 가장자리를 원의 중심으로 하는 원호 모양의 식각이 일어나 언더컷(undercut) 형상으로 식각된다. 따라서, 상대적으로 상기 제 1 금속층 패턴(210)이 오픈된 영역이 갖는 폭(W)에 비해 그 양측으로 약 'C'의 길이를 반지름으로 하는 원호모양이 더 식각되어, 상대적으로 상기 제 1 트렌치(155)가 상기 제 1 금속층 패턴(210)이 남아있는 부위에 약 'C'의 폭으로 더 들어가게 형성된다.Subsequently, the surface of the exposed substrate 200 under the first metal layer pattern 210 is etched using the first metal layer pattern 210 and the first photoresist layer pattern 220 as a mask to form a first depth ( The first trench 155 of D1) is formed. In the process of etching the surface of the substrate 200, isotropic etching occurs. At this time, in the open portion of the substrate 200 corresponding to the edge where the first metal layer pattern 210 is opened, the first portion is formed. An arc-shaped etch is performed with the edge of the metal layer pattern 210 as the center of the circle, and is etched into an undercut shape. Therefore, a circular arc shape having a length of about 'C' as a radius is more etched on both sides of the first trench than the width W of the region where the first metal layer pattern 210 is opened. 155 is formed to further enter a width of about 'C' in the remaining portion of the first metal layer pattern 210.

한편, 여기서, 상기 기판(200)의 식각 전 상기 제 1 감광막 패턴(220)은 제거될 수도 있다.Meanwhile, the first photoresist pattern 220 may be removed before etching the substrate 200.

이어, 도 6b와 같이, 상기 제 1 금속층 패턴(210) 상부의 제 1 트렌치(155)의 표면을 포함한 상기 기판(200) 상에 무전해 도금법(Electroless plating)에 의해 니켈(Ni)과 같은 금속으로 제 2 금속층(117과 동일층)을 형성한다. 이와 같은 무전해 도금법에 의하면, 상기 제 2 금속층이 상기 제 1 트렌치(155) 내부의 상기 제 1 금속층 패턴(210)의 하측이라도 정상적으로 증착될 수 있으며, 그에 따라 상기 제 2 금속층을 마스크로 이용한 기판의 식각이 원하는 형상으로 이루어질 수 있다.Subsequently, as shown in FIG. 6B, a metal such as nickel (Ni) may be formed on the substrate 200 including the surface of the first trench 155 on the first metal layer pattern 210 by electroless plating. Thus, the second metal layer 117 and the same layer are formed. According to the electroless plating method, the second metal layer may be normally deposited even under the first metal layer pattern 210 inside the first trench 155, and thus the substrate using the second metal layer as a mask. Etch may be made in the desired shape.

이러한 무전해 도금법은 외부로부터 전기에너지를 공급받지 않고 금속염 수용액 중의 금속이온을 환원제의 힘에 의해 자기 촉매적으로 환원시켜 피처리물의 표면 위에 금속을 석출시켜 이루어지며, 이 때, 상기 무전해 도금법으로 형성되는 금속으로는 상술한 니켈(Ni) 외에 구리(Cu), 니켈-인(Ni-P), 니켈-보론(Ni-B) 합금 등이 가능하다. 이러한 무전해 도금법에 의한 제 2 금속층은 치밀하며, 균일한 두께로 형성될 수 있다. The electroless plating method is performed by autocatalytically reducing metal ions in an aqueous metal salt solution by the force of a reducing agent without receiving electrical energy from the outside, thereby depositing a metal on the surface of the object to be treated. Examples of the metal to be formed include copper (Cu), nickel-phosphorus (Ni-P), nickel-boron (Ni-B) alloys, and the like, in addition to nickel (Ni) described above. The second metal layer by the electroless plating method is dense and may be formed to have a uniform thickness.

이 때, 형성된 상기 제 2 금속층은 상기 제 1 트렌치(155)의 표면과 함께, 노출된 상기 제 1 금속층 패턴(210)의 표면(상기 제 1 트렌치 상에 위치한 측면 및 하부면)과, 상기 제 1 감광막 패턴(220)에도 함께 형성된다. 만일, 도 6a의 과정에서, 상기 제 1 감광막 패턴(220)을 제거할 경우에는 상기 제 1 금속층 패턴(210)의 상부 표면에도 상기 제 2 금속층의 증착이 이루어질 것이다.In this case, the formed second metal layer is formed together with the surface of the first trench 155, the exposed surfaces of the first metal layer pattern 210 (side and bottom surfaces positioned on the first trench), and the first metal layer. The photosensitive film pattern 220 is also formed together. If the first photoresist pattern 220 is removed in the process of FIG. 6A, the deposition of the second metal layer may be performed on the upper surface of the first metal layer pattern 210.

이어, 상기 제 2 금속층 상부에 제 2 감광막을 도포하고, 상기 제 1 금속층 패턴(210)을 마스크로 이용하여 상기 제 2 감광막을 노광 및 현상에 의해 선택적으로 제거하여 상기 제 1 트렌치(155) 내부의 상기 제 1 금속층 패턴(210) 하부에 남겨 제 2 감광막 패턴(119)을 형성한다. Subsequently, a second photoresist film is coated on the second metal layer, and the second photoresist film is selectively removed by exposure and development by using the first metal layer pattern 210 as a mask to form the inside of the first trench 155. The second photoresist layer pattern 119 is formed below the first metal layer pattern 210.

이어, 상기 제 2 감광막 패턴(119)을 마스크로 이용하여 상기 제 2 금속층을 선택적으로 제거하여 제 2 금속층 패턴(117)을 형성한다.Subsequently, the second metal layer is selectively removed using the second photosensitive film pattern 119 as a mask to form a second metal layer pattern 117.

도 6c와 같이, 상기 제 1 금속층 패턴(210) 및 상기 제 1 트렌치의 가장자리의 상기 제 2 감광막 패턴(119)과 상기 제 2 금속층 패턴(117)을 마스크로 이용하여 상기 기판(200)을 식각하여 제 2 트렌치(165)를 형성한다.As illustrated in FIG. 6C, the substrate 200 is etched using the first metal layer pattern 210 and the second photoresist layer pattern 119 and the second metal layer pattern 117 at the edge of the first trench as a mask. To form a second trench 165.

이와 같이, 상기 제 2 트렌치(165)를 형성하는 과정에서, 상기 제 2 감광막 패턴(119)과 함께 무전해 도금법에 의해 형성된 제 2 금속층 패턴(117)을 함께 마스크로 이용하는 이유는 감광막 물질은 기판 표면에 대한 응집력(adhesion)이 좋지 않기 때문에 감광막만 단일막으로 이용할 수 없으며, 얇게 형성되는 금속층 단일막만으로는 단일 파티클(particle), 마이크로 핀홀(micro pinhole) 혹은 침식 현상에 의한 패턴 불량을 유발하기 때문에 이를 단일막으로 이용할 수 없기 때문이다. 그에 따라 밀착성이 좋은 상기 제 2 금속층 패턴(117)을 상기 제 2 감광막 패턴(119) 하측에 위치시킨 것이다. 그리고, 무전해 도금법에 의해 상기 제 2 금속층 패턴(117)을 형성한 것은 스퍼터링법에 의하여는 상기 제 1 금속층 패턴(210)에 가려진 상기 제 1 트렌치(155)의 가장자리의 표면에 금속층 증착이 이루어지지 않기 때문에 이를 개선하기 위함이다.As such, in the process of forming the second trench 165, the second photoresist layer pattern 119 together with the second metal layer pattern 117 formed by the electroless plating method is used as a mask. Due to the poor adhesion to the surface, only a photoresist film cannot be used as a single layer, and a thin metal layer alone causes a pattern defect caused by a single particle, micro pinhole, or erosion. This is because it cannot be used as a single film. Accordingly, the second metal layer pattern 117 having good adhesion is positioned under the second photosensitive film pattern 119. The second metal layer pattern 117 is formed by an electroless plating method, and a metal layer is deposited on the surface of the edge of the first trench 155 covered by the first metal layer pattern 210 by sputtering. This is to improve this because it is not supported.

이러한 과정을 통해 상기 제 2 감광막 패턴(119) 및 상기 제 2 금속층 패턴(117)을 마스크로 하여 상기 기판(200)의 노출된 부위를 식각하면 상대적으로 상기 제 1 트렌치(155)의 제 1 높이(D1)에 비해 최대 약 120~130% 수준의 제 2 높이(D2')의 제 2 트렌치(165)의 형성이 가능하다. 여기서, 제 2 트렌치(165)의 형성은 상기 제 1 트렌치(155)에 형상과 마찬가지로, 상기 제 2 감광막 패턴(119) 및 제 2 금속층 패턴(117)이 제거되어 노출된 상기 기판(200)의 표면에서 노출되어 있으며, 상기 노출된 기판(200)의 표면으로부터 제 2 높이(D2')로 동일하게 식각되며, 상기 제 2 감광막 패턴(119) 및 제 1 금속층 패턴(210)와 상기 노출된 기판이 만나는 코너로부터는 동일한 길이를 반지름으로 한 원호 모양으로 더 식각되어 언 더컷(undercut)된 형상으로 형성된다.By etching the exposed portion of the substrate 200 using the second photoresist layer pattern 119 and the second metal layer pattern 117 as a mask, the first height of the first trench 155 is relatively increased. A second trench 165 having a second height D2 ′ of up to about 120 to 130% as compared to D1 may be formed. Here, the second trench 165 may be formed in the first trench 155 in the same manner as the shape of the first trench 155, and the second photoresist layer pattern 119 and the second metal layer pattern 117 may be removed to expose the substrate 200. The substrate is exposed on the surface and is etched equally to the second height D2 ′ from the surface of the exposed substrate 200, and the second photoresist pattern 119 and the first metal layer pattern 210 and the exposed substrate are exposed. From this encountering corner, it is further etched into an arc shape having the same length as a radius to form an undercut shape.

이어, 상기 제 2 감광막 패턴(119) 및 제 1 감광막 패턴(220)은 감광 물질 스트리퍼(stripper)를 통해 제거한다.Subsequently, the second photoresist pattern 119 and the first photoresist pattern 220 are removed through a photosensitive material stripper.

이어, 상기 기판(200)의 표면의 제 1 금속층 패턴(210) 및 상기 제 1 트렌치(155) 내의 제 2 금속층 패턴(117)을 식각액에 의해 식각하여 제거한다.Subsequently, the first metal layer pattern 210 and the second metal layer pattern 117 in the first trench 155 on the surface of the substrate 200 are etched and removed by an etchant.

이와 같이, 상기와 같이 형성된 제 1 및 제 2 트렌치(155, 165)는 함께 상기 기판(200) 상에 요부 패턴(180)으로 기능하며, 이와 같이, 요부 패턴(180)을 구비한 기판(200)은 인쇄판으로 기능한다.As described above, the first and second trenches 155 and 165 formed as described above together function as the recessed pattern 180 on the substrate 200, and thus, the substrate 200 having the recessed pattern 180. ) Serves as a printing plate.

그리고, 상기 제 2 상기 제 2 트렌치(165) 표면에, 무전해 도금법에 의해 상기 제 1 금속층 패턴(210)의 하측에 대응되는 금속층 패턴의 형성과, 이를 이용한 상기 기판(200)의 식각을 반복하여 소정 깊이의 트렌치를 형성하여, 원하는 깊이의 최종적인 요부 패턴을 형성할 수 있을 것이다. 이 경우, 상기 기판(200)의 식각은, 상기 금속층 패턴의 형성 후 상기 제 1 금속층 패턴의 하측에 대응되는 상기 제 2 트렌치에 감광막 패턴을 더 포함하여 이루어질 수 있다.Then, the formation of the metal layer pattern corresponding to the lower side of the first metal layer pattern 210 by the electroless plating method on the surface of the second trench 165, and the etching of the substrate 200 using the same are repeated. By forming a trench of a predetermined depth, it is possible to form a final recess pattern of the desired depth. In this case, etching of the substrate 200 may further include a photosensitive film pattern in the second trench corresponding to the lower side of the first metal layer pattern after the metal layer pattern is formed.

그리고, 상기 기판(200)의 상기 제 1, 제 2 트렌치(155, 165)의 형성을 위한 식각액은 불산(HF)을 포함한 식각액을 이용한다.The etching solution for forming the first and second trenches 155 and 165 of the substrate 200 uses an etching solution including hydrofluoric acid (HF).

이어, 본 발명의 인쇄판 제조 방법을 적용하여 액정 표시 장치의 제조에 적용하는 바에 대하여 설명한다.Next, what is applied to manufacture of a liquid crystal display device by applying the printing plate manufacturing method of this invention is demonstrated.

상기 전술한 인쇄판 제조 방법에 의해 제작된 인쇄판을 이용하여 패턴을 형 성하는 바람직한 방법을 도 7a 내지 도 7c를 참조하여 구체적으로 설명하기로 한다.A preferred method of forming a pattern using the printing plate manufactured by the above-described printing plate manufacturing method will be described in detail with reference to FIGS. 7A to 7C.

먼저, 도 7a와 같이, 패턴물질(330)을 인쇄 노즐(310)을 통해 인쇄롤(320)에 도포한다.First, as shown in FIG. 7A, the pattern material 330 is applied to the printing roll 320 through the printing nozzle 310.

이어, 도 7b와 같이, 상기 전술한 인쇄판 제조 방법에 의해 제작된 인쇄판(도 5의 200 참조) 상에서, 상기 패턴물질(330)이 도포된 인쇄롤(320)을 회전시켜, 일부 패턴물질(330b)을 상기 인쇄판 상에 전사한다. 이 경우, 상기 인쇄판(도 5의 200 참조)의 구비된 요부 패턴(180)을 제외한 나머지 표면에 패턴 물질(330b)이 전사되게 된다. 이 경우, 상기 인쇄롤(320)에는 전사되지 않고 남은 패턴 물질(330a)이 잔존하게 된다.Subsequently, as shown in FIG. 7B, the printing roll 320 coated with the pattern material 330 is rotated on the printing plate (see 200 of FIG. 5) manufactured by the above-described printing plate manufacturing method, thereby partially patterning material 330b. ) Is transferred onto the printing plate. In this case, the pattern material 330b is transferred to the remaining surfaces except for the recessed part pattern 180 of the printing plate (see 200 of FIG. 5). In this case, the pattern material 330a which is not transferred remains on the printing roll 320.

이어, 도 7c와 같이, 패터닝을 진행하는 기판(500) 상에서, 상기 인쇄롤(320)을 회전시켜, 인쇄롤(320)에 잔존하는 패턴물질(330a)을 기판(500) 상에 전사한다.Subsequently, as illustrated in FIG. 7C, the printing roll 320 is rotated on the substrate 500 to be patterned to transfer the pattern material 330a remaining on the printing roll 320 onto the substrate 500.

이와 같이, 상기 인쇄롤(320)의 잔존된 패턴 물질(330a)을 기판(500)에 전사하는 방식으로, 도 7a 내지 도 7c와 같은 방법으로 상기 기판(500) 상에 소정 패턴을 형성할 수 있다. As such, a predetermined pattern may be formed on the substrate 500 by transferring the remaining pattern material 330a of the printing roll 320 onto the substrate 500, as in FIGS. 7A to 7C. have.

여기서, 상기 기판(500)은 예를 들어, 액정 표시 장치에서의 컬러 필터 어레이를 형성하는 기판을 들 수 있다. 이 경우, 상기 패터닝이 이루어지는 물질층은 상기 컬러 필터 어레이 중 블랙 매트릭스층이나 혹은 복수개의 컬러 필터층 중 어느 하나 혹은 이들 중 모두일 수 있다.Here, the substrate 500 may be, for example, a substrate forming a color filter array in a liquid crystal display device. In this case, the patterned material layer may be a black matrix layer, a plurality of color filter layers, or both of the color filter arrays.

또한, 상기 기판(500)에 패터닝하는 방법은 유기 발광 소자의 유기 발광층을 포함한 유기 박막을 형성하는 방법에 이용될 수도 있을 것이다.In addition, the method of patterning the substrate 500 may be used in a method of forming an organic thin film including an organic light emitting layer of the organic light emitting device.

예를 들어, 상기 기판(500)에 패터닝하는 방법은 다음과 같이, 도시하지 않았으나, 액정 표시 장치의 제조에 이용할 수 있다. For example, a method of patterning the substrate 500 may be used to manufacture a liquid crystal display, although not illustrated as follows.

즉, 제 1, 제 2 기판을 준비한다.That is, the 1st, 2nd board | substrate is prepared.

상기 제 1 기판은 상술한 블랙 매트릭스층 및 컬러 필터층을 포함하는 컬러 필터 어레이 기판이며, 상기 제 2기판은 서로 교차하여 화소영역을 정의하는 게이트 배선 및 데이터 배선과, 상기 게이트 배선과 데이터 배선의 교차 영역에 박막트랜지스터와, 상기 박막트랜지스터와 연결되는 화소전극을 포함하여 이루어진 박막 트랜지스터 어레이 기판이다. 예를 들어, 상기 제 1, 제 2 기판들에 형성되는 블랙 매트릭스층 또는 컬러 필터층과 같은 유기 박막 형성 공정에 상술한 방법으로 제조된 인쇄판을 이용한 패터닝을 진행한다.The first substrate is a color filter array substrate including the above-described black matrix layer and a color filter layer, and the second substrate crosses each other with a gate wiring and a data wiring defining a pixel region, and an intersection of the gate wiring and the data wiring. A thin film transistor array substrate including a thin film transistor in a region and a pixel electrode connected to the thin film transistor. For example, patterning using a printing plate manufactured by the method described above is performed in an organic thin film forming process such as a black matrix layer or a color filter layer formed on the first and second substrates.

이어, 상기 제 1기판 및 제2기판 사이에 액정층을 형성한다. 이 때, 상기 액정층을 형성하는 공정은 제 1기판 및 제2기판 중 어느 하나의 기판에 주입구 없는 씨일재를 형성하고, 씨일재가 형성된 기판에 액정을 적하한 후 제 1, 제 2 기판을 합착하여 형성하거나 혹은 제 1 기판 및 제 2 기판 중 어느 하나의 기판에 주입구 형성되도록 씨일재를 형성한 후 양 기판을 합착하고, 그 후에 상기 주입구를 통해 모세관 현상과 압력차를 이용하여 액정을 주입하여 형성할 수 있다.Next, a liquid crystal layer is formed between the first substrate and the second substrate. At this time, in the process of forming the liquid crystal layer, a sealing material without an injection hole is formed on any one of the first substrate and the second substrate, the liquid crystal is dropped on the substrate on which the sealing material is formed, and then the first and second substrates are bonded together. After forming the sealing material to form an injection hole in any one of the first substrate and the second substrate or the two substrates are bonded to each other, and then the liquid crystal is injected using the capillary phenomenon and the pressure difference through the injection hole Can be formed.

이상에서 설명한 본 발명은 상술한 실시예 및 첨부된 도면에 한정되는 것이 아니고, 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위내에서 여러 가지 치환, 변형 및 변경이 가능하다는 것이 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 있어 명백할 것이다.The present invention described above is not limited to the above-described embodiment and the accompanying drawings, and it is common in the art that various substitutions, modifications, and changes can be made without departing from the technical spirit of the present invention. It will be evident to those who have knowledge of.

상기와 같은 본 발명의 인쇄판의 제조 방법 및 이를 이용한 액정 표시 장치의 제조 방법은 다음과 같은 효과가 있다.The manufacturing method of the printing plate of the present invention as described above and the manufacturing method of the liquid crystal display device using the same have the following effects.

인쇄판의 요부 패턴을 형성함에 있어서, 원하는 깊이의 요부 패턴의 구현이 일회의 식각으로 어려울 경우, 복수개의 적층구조의 트렌치를 형성하여 요부 패턴의 형성 공정이 이루어진다. 이 때, 요부 패턴을 형성함에 1차 트렌치 형성 후, 2차 트렌치를 형성시 기판 표면에 남아있는 제 1 금속층 패턴의 가장자리와 그 하부에 1차 트렌치 내에 무전해 도금법에 의해 제 2 금속층을 형성하고, 나머지 영역에 감광막 물질을 채워 상기 제 1 금속층 패턴을 경계로 한 기판 식각 공정을 진행한다. 이를 통해 무전해 도금법에 의해 상기 기판 표면의 제 1 금속층 패턴에 가려진 1차 트렌치 가장자리에도 금속층 증착이 잘 이루어지고, 또한, 그 표면에 감광막 형성이 이루어져, 상기 제 1 금속층 패턴과 그 상부에 감광막이 마스크로 이용되어, 핀홀 또는 패턴 불량이 발생하지 않게 안정적으로 깊이 방향의 기판 식각이 가능하다.In forming the recessed part pattern of the printing plate, when it is difficult to realize the recessed part pattern having a desired depth by one etching, a process of forming the recessed part pattern is performed by forming trenches of a plurality of laminated structures. At this time, after forming the trench, after forming the first trench, a second metal layer is formed in the edge of the first metal layer pattern remaining on the substrate surface and the lower portion of the first trench in the first trench by electroless plating. The substrate etching process is performed by filling the photoresist material in the remaining region, and bordering the first metal layer pattern. Through the electroless plating method, the metal layer is well deposited on the edge of the first trench covered by the first metal layer pattern on the surface of the substrate, and a photoresist film is formed on the surface of the first metal layer pattern. It is used as a mask, it is possible to stably etch the substrate in the depth direction so that pinholes or pattern defects do not occur.

또한, 복수개의 트렌치를 형성함에 있어, 각 층의 트렌치의 폭 편차없이 깊이 방향의 트렌치 형성이 가능하다. 따라서, 기판 표면으로 하부의 트렌치로 갈수록 트렌치의 폭 변화없이 깊이 방향으로 식각률이 개선되어, 즉, 고종횡비(high aspect ratio)의 구현이 가능하여, 트렌치 형성 횟수를 줄이더라도 원하는 깊이 요부 패턴의 구현이 가능하다. 따라서, 인쇄판 제조에 들어가는 공정 시간 및 횟수를 줄일 수 있으며, 이에 따라 수율 향상을 기대할 수 있다.In forming a plurality of trenches, it is possible to form trenches in the depth direction without variation in the width of the trenches in each layer. Therefore, the etching rate is improved in the depth direction without changing the width of the trench toward the lower trench toward the substrate surface, that is, the high aspect ratio can be realized, so that the desired depth recess pattern can be realized even if the number of trench formation is reduced. This is possible. Therefore, the process time and the number of times for manufacturing a printing plate can be reduced, and a yield improvement can be expected accordingly.

Claims (16)

기판상에 제 1 금속층 및 제 1 감광막을 증착하고, 노광 및 현상 공정으로 제 1 감광막 패턴을 형성하는 단계;Depositing a first metal layer and a first photoresist film on the substrate, and forming a first photoresist pattern by an exposure and development process; 상기 제 1 감광막 패턴을 마스크로 이용하고 상기 제 1 금속층을 제거하여 상기 기판 상에 제 1 오픈 부위를 갖는 제 1 금속층 패턴을 형성하는 단계;Using the first photoresist pattern as a mask and removing the first metal layer to form a first metal layer pattern having a first open portion on the substrate; 상기 제 1 감광막 패턴 및 상기 제 1 금속층 패턴을 이용하여 상기 기판을 식각하여 제 1 트렌치를 형성하는 단계;Etching the substrate using the first photoresist pattern and the first metal layer pattern to form a first trench; 상기 제 1 트렌치의 표면을 포함한 상기 기판 상에 무전해 도금법에 의해 제 2 금속층을 형성하고, 상기 제 2 금속층상에 제 2 감광막을 형성하는 단계;Forming a second metal layer on the substrate including the surface of the first trench by an electroless plating method, and forming a second photosensitive film on the second metal layer; 상기 제 1 금속층 패턴을 마스크로 이용하여 상기 제 2 감광막을 노광 및 현상하여 상기 제 1 금속층 패턴 하부의 상기 제 1 트렌치 내에 제 2 감광막 패턴을 형성하는 단계;Exposing and developing the second photoresist layer using the first metal layer pattern as a mask to form a second photoresist pattern in the first trench below the first metal layer pattern; 상기 제 2 감광막 패턴을 마스크로 이용하고 상기 제 2 금속층을 선택적으로 제거하여 상기 제 1 금속층 패턴 하부에 위치한 상기 제 1 트렌치 내에 남는 형상의 제 2 금속층 패턴을 형성하는 단계; 및Forming a second metal layer pattern having a shape remaining in the first trench under the first metal layer pattern by using the second photoresist pattern as a mask and selectively removing the second metal layer; And 상기 제 1 금속층 패턴, 제 2 감광막 패턴 및 제 2 금속층 패턴을 마스크로 이용하고 상기 기판을 식각하여 제 2 트렌치를 형성하는 단계를 포함하여 이루어짐을 특징으로 하는 인쇄판의 제조 방법.And using the first metal layer pattern, the second photoresist pattern, and the second metal layer pattern as a mask and etching the substrate to form a second trench. 삭제delete 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 제 1 금속층 패턴을 형성 후, 상기 제 1 감광막 패턴은 상기 제 2 금속층의 형성시 남아있는 것을 특징으로 하는 인쇄판의 제조 방법.And after forming the first metal layer pattern, the first photosensitive film pattern remains upon formation of the second metal layer. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 제 2 금속층을 형성하는 단계에서,In the forming of the second metal layer, 상기 제 2 금속층은 상기 제 1 트렌치의 표면을 포함하여, 상기 제 1 감광막 패턴의 표면 및 측면과, 상기 제 1 트렌치의 상부에 노출된 상기 제 1 금속층 패턴에 함께 형성되는 것을 특징으로 하는 인쇄판의 제조 방법.The second metal layer includes a surface of the first trench, and is formed together with the surface and side surfaces of the first photoresist pattern and the first metal layer pattern exposed on the upper portion of the first trench. Manufacturing method. 삭제delete 삭제delete 삭제delete 제 1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 제 1 금속층 패턴은 상기 기판 식각액에 비해 내식성이 있는 금속으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 인쇄판의 제조 방법.The first metal layer pattern is a manufacturing method of the printing plate, characterized in that made of a metal with corrosion resistance compared to the substrate etching solution. 제 8항에 있어서,9. The method of claim 8, 상기 제 1 금속층 패턴은 크롬, 몰리브덴, 구리, 인-주석-산화물(ITO: Indium Tin Oxide), 인듐-아연-산화물(IZO: Indium Zinc Oxide) 및 인듐-주석-아연-산화물(ITZO: Indium Tin Zinc Oxide) 중 적어도 어느 하나를 이용하여 형성하는 것을 특징으로 하는 인쇄판의 제조 방법.The first metal layer pattern may include chromium, molybdenum, copper, indium tin oxide (ITO), indium zinc oxide (IZO), and indium tin-zinc-oxide (ITZO). Zinc Oxide) is formed using at least one of the manufacturing method of the printing plate. 제 1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 제 2 금속층은 니켈(Ni), 구리(Cu), 니켈-인(Ni-P), 니켈-보론(Ni-B) 합금 중 어느 하나를 이용하는 것을 특징으로 하는 인쇄판의 제조 방법. The second metal layer is any one of nickel (Ni), copper (Cu), nickel-phosphorus (Ni-P), nickel-boron (Ni-B) alloy manufacturing method of the printing plate. 제 1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 제 1, 제 2 트렌치의 형성을 위한 상기 기판의 식각은 불산(HF)을 포함한 식각액을 이용하는 것을 특징으로 하는 인쇄판의 제조 방법.And etching the substrate for forming the first and second trenches using an etching solution containing hydrofluoric acid (HF). 제 1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 제 2 트렌치 상부의 제 1 금속층 패턴의 하측에, 상기 제 2 감광막 패턴과 제 2 금속층 패턴 형성 방법과 동일하게 제 3 감광막 패턴 및 제 3 금속층 패턴과 을 형성한 후, 이를 이용하여 상기 기판을 식각하여 제 3 트렌치를 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 인쇄판의 제조 방법.The third photoresist pattern and the third metal layer pattern are formed under the first metal layer pattern on the second trench in the same manner as the second photoresist pattern and the second metal layer pattern formation method, and then the substrate is formed using the second photoresist pattern. And etching to form a third trench. 제 12항에 있어서,13. The method of claim 12, 상기 제 2 트렌치 표면에, 무전해 도금법에 의해 상기 제 1 금속층 패턴의 하측에 대응되는 금속층 패턴의 형성과, 이를 이용한 상기 기판의 식각을 반복하여 소정 깊이의 트렌치를 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 인쇄판의 제조 방법.Forming a trench of a predetermined depth on the surface of the second trench by repeating formation of a metal layer pattern corresponding to a lower side of the first metal layer pattern by an electroless plating method and etching of the substrate using the same; The manufacturing method of the printing plate characterized by the above-mentioned. 삭제delete 서로 대향된 제 1, 제 2 기판을 준비하는 단계;Preparing first and second substrates facing each other; 상기 제 1 기판 상에 차광층 및 복수개의 컬러 필터층을 형성하는 단계;Forming a light blocking layer and a plurality of color filter layers on the first substrate; 상기 제 1 기판 상에 박막 트랜지스터 어레이를 형성하는 단계; 및Forming a thin film transistor array on the first substrate; And 상기 제 1, 제 2 기판 사이에 액정층을 형성하는 단계를 포함하여 이루어지며,Forming a liquid crystal layer between the first and second substrates; 상기 차광층 및 복수개의 컬러 필터층 중 적어도 어느 하나는 상기 제1항, 제3항 내지 제4항, 제8항 내지 제13항 중 어느 한 항에 의해 제조된 인쇄판을 이용하여 형성하는 것을 특징으로 하는 액정 표시 장치의 제조 방법.At least one of the light blocking layer and the plurality of color filter layers is formed using a printing plate manufactured by any one of claims 1, 3, 4, and 8 to 13. The manufacturing method of the liquid crystal display device. 제 15항에 있어서,16. The method of claim 15, 상기 제1항, 제3항 내지 제4항, 제8항 내지 제13항 중 어느 한 항에 의해 제작된 인쇄판을 이용하여 패턴을 형성하는 단계는The step of forming a pattern using the printing plate produced by any one of claims 1, 3 to 4, 8 to 13 차광 물질 또는 컬러 필터 형성물질을 인쇄롤에 도포하는 단계;Applying a light blocking material or a color filter forming material to a printing roll; 상기 인쇄판 상에서, 상기 차광 물질 또는 컬러 필터 형성 물질이 도포된 인쇄롤을 회전시켜, 일부 차광물질 또는 컬러 필터 형성 물질을 상기 인쇄판 상에 전사하는 단계; 및Rotating the printing roll coated with the light blocking material or the color filter forming material on the printing plate to transfer some of the light blocking material or the color filter forming material onto the printing plate; And 상기 제 1기판 상에서, 상기 인쇄롤을 회전시켜, 상기 인쇄롤에 잔존하는 차광 물질 또는 컬러 필터 형성 물질을 기판 상에 전사하는 단계로 이루어진 것을 특징으로 하는 액정표시장치 제조 방법.And rotating the printing roll on the first substrate to transfer the light blocking material or the color filter forming material remaining on the printing roll onto the substrate.
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