KR20080007465A - 열 전사를 이용하여 패터닝된 금속층 - Google Patents

열 전사를 이용하여 패터닝된 금속층 Download PDF

Info

Publication number
KR20080007465A
KR20080007465A KR1020077026589A KR20077026589A KR20080007465A KR 20080007465 A KR20080007465 A KR 20080007465A KR 1020077026589 A KR1020077026589 A KR 1020077026589A KR 20077026589 A KR20077026589 A KR 20077026589A KR 20080007465 A KR20080007465 A KR 20080007465A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
laser
substrate
layer
receiving substrate
forming
Prior art date
Application number
KR1020077026589A
Other languages
English (en)
Inventor
켈빈 엔구엔
지하오 양
Original Assignee
이스트맨 코닥 캄파니
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 이스트맨 코닥 캄파니 filed Critical 이스트맨 코닥 캄파니
Publication of KR20080007465A publication Critical patent/KR20080007465A/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/02—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which the conductive material is applied to the surface of the insulating support and is thereafter removed from such areas of the surface which are not intended for current conducting or shielding
    • H05K3/04—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which the conductive material is applied to the surface of the insulating support and is thereafter removed from such areas of the surface which are not intended for current conducting or shielding the conductive material being removed mechanically, e.g. by punching
    • H05K3/046—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which the conductive material is applied to the surface of the insulating support and is thereafter removed from such areas of the surface which are not intended for current conducting or shielding the conductive material being removed mechanically, e.g. by punching by selective transfer or selective detachment of a conductive layer
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82—NANOTECHNOLOGY
    • B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
    • B82Y30/00—Nanotechnology for materials or surface science, e.g. nanocomposites
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
    • H05K2201/01—Dielectrics
    • H05K2201/0104—Properties and characteristics in general
    • H05K2201/0112—Absorbing light, e.g. dielectric layer with carbon filler for laser processing
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
    • H05K2201/02—Fillers; Particles; Fibers; Reinforcement materials
    • H05K2201/0203—Fillers and particles
    • H05K2201/0242—Shape of an individual particle
    • H05K2201/0257—Nanoparticles
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2203/00—Indexing scheme relating to apparatus or processes for manufacturing printed circuits covered by H05K3/00
    • H05K2203/05—Patterning and lithography; Masks; Details of resist
    • H05K2203/0502—Patterning and lithography
    • H05K2203/0528—Patterning during transfer, i.e. without preformed pattern, e.g. by using a die, a programmed tool or a laser
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2203/00—Indexing scheme relating to apparatus or processes for manufacturing printed circuits covered by H05K3/00
    • H05K2203/10—Using electric, magnetic and electromagnetic fields; Using laser light
    • H05K2203/107—Using laser light

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Thermal Transfer Or Thermal Recording In General (AREA)
  • Manufacturing Of Printed Wiring (AREA)
  • Electrodes Of Semiconductors (AREA)
  • Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)

Abstract

수용 기판(110)에 레이저 어블레이션(ablation) 전사공정에 의해 전기 전도체 패턴을 형성하는 방법은 전도성 재료의 금속 나노 입자를 형성하는 것을 포함한다. 도너 기판(45)이 형성된다. 이형 재료층(75)은 상기 도너 기판의 제 1 면상에 부착된다. 금속 나노 입자는 이형 재료 위에 부착된다. 금속 나노입자층은 상기 수용 기판과 접촉하여 놓여진다. 패턴은 도너 기판과 수용 기판에 의해 형성된 샌드위치 상에 쓰여져 나노입자층(90)으로부터 수용 기판으로 금속 나노입자가 어닐링 및 전사되도록 하여 수용 기판 상에 전기 전도체 패턴을 형성한다.

Description

열 전사를 이용하여 패터닝된 금속층{A PATTERNED METAL LAYER USING THERMAL TRANSFER}
본 발명은 개괄적으로는 수용 기판상에 전도체 패턴을 형성하는 방법에 관한 것이고, 상세하게는 도너 기판으로부터 수용 기판으로 금속 나노입자를 어닐링 및 전사하여 수용 기판상에 전도체를 형성하는 방법에 관한 것이다.
적어도 하나의 측방 치수(lateral dimension)가 1-1000 미크론인 전도체로 대면적 전기 회로를 프린팅하는 것이 흔히 필요하다. 이러한 유형의 회로 프린팅을 달성하기 위한 한가지 방법은 진공부착을 사용하는 것이다. 그러나 이 방법은 고비용의 방법이고 뱃지 공정에만 적당하다.
전기 회로를 구성하는 또 다른 방법은 금속 나노입자를 사용하여 패턴을 잉크젯 프린팅함으로써 전도체를 형성하는 것이다. 이 방법은 에스. 몰리사(S. Molesa) 등의 "초저비용 RFID 용도를 위한 플라스틱 상의 고품질 잉크젯 프린팅된 멀티레벨 배선(interconnect) 및 유도 부품(High-quality inkjet-printed multilevel interconnects and inductive components on plastic for ultra-low- cost RFID applications", University of California, Berkeley)"에 논의되어 있다. 이 방법과 관련된 몇가지 문제는 이 방법이 기판에 좌우된다는 것이고, 100 미크론 미만의 측방 치수를 달성하기가 어렵고, 입자를 벌크 가열로 어닐링하여야 한다는 것인데, 벌크 어닐링은 기판의 변형을 초래할 수 있다. 잉크젯 부착의 또 다른 문제점은 적당량의 재료를 부착시키기 위해서는 다수의 통과 회수(pass)가 필요한데, 이것은 산출량을 감소시킨다.
하기 두 참조 문헌에 기재된 벌크 가열 문제를 해결하려는 시도는 고전력 레이저를 사용하여 나노입자를 어닐링하는 것을 포함한다. 엔. 알. 비리(N.R. Bieri) 등; "나노입자 용액의 프린팅 및 레이져 경화에 의한 미세구조 형성(Microstructuring by printing and laser curing of nanoparticle solutions" Applied Physics Letters, Volume 82, Number 20, May 19, 2003, pages 3529-3531); 및 제이. 청(J.Chung) 등; "프린팅된 금 나노입자 잉크의 레이저 경화에 의한 전도체 미세구조(Conductor microstructures by laser curing of printed gold nanoparticle ink" Applied Physics Letters, Volume 84, Number 5, February 2, 2004, pages 801-803). 예로서 사용된 금 나노입자는 낮은 가열 효율을 초래하는 가시광 스펙트럼에서의 낮은 흡수율을 가진다. 이러한 낮은 가열 효율은 낮은 쓰기 속도로 인하여 상업적인 적용에서는 문제가 된다.
양(Yang) 등의 공동 계류중인 미국특허출원 제 10/881,301호에는 기판상에 용액으로부터의 광 흡수 염료와 혼합된 금속 나노 입자를 코팅한 다음 도전성 재료에 레이저 광으로 금속 나노입자를 선택적으로 어닐링하여 기판상에 전기 전도체 패턴을 형성하는 방법이 개시되어 있다.
미국특허 제 6,770,549호는 접촉 접착 전사에 의해 도너 기판으로부터 수용 기판으로 패터닝된 박막 금속층을 전사하는 방법을 개시하였다. 이 방법에서 미리 패터닝된 금속층은 진공 부착 및 섀도우 마스크 또는 사진식각법(photolithography)에 의한 스퍼터링과 같은 값비싼 공정으로 도너 기판상에 형성되어 왔다.
도너 기판으로부터 수용 기판으로 재료의 레이저 유도된 열 전사는 미국특허 제4,948,778; 5,171,650; 5,244,770; 5,256,506; 5,691,098; 5,800,960; 5,981,136; 6,097,416; 6,099,994; 6,190,826; 6,582,877 및 6,866,979호 뿐만 아니라 미국특허공개 제 2004/0029039, 2004/0028942 및 2003/018638호를 포함하여 여러 종래 기술에 개시되어 왔다. 그러나 이러한 것들 중 어느 것도 본 발명에서 개시된 것과 같은 레이저 유도된 열 전사 및 전사된 재료의 어닐링을 동시에 행하는 방법 또는 공정은 개시하고 있지 않다.
발명의 개요
간략하게는, 본 발명의 한 양태에 따르면, 수용 기판상에 전기 전도체의 패턴을 형성하는 방법은 도전성 재료인 금속 나노입자를 형성하는 것을 포함한다. 도너 기판이 형성된다. 광흡수재료층은 도너 기판의 제 1면상에 부착된다. 금속 나노입자는 상기 광흡수재료 위에 부착된다. 금속 나노입자층은 수용기판과 접촉하여 놓여진다. 패턴은 도너 기판과 수용기판에 의해 형성된 샌드위치 상에 쓰여져 금속나노입자층으로부터의 금속 나노입자가 수용기판으로 어닐링 및 전사되도록 하 여 수용 기판 상에 전기 전도체 패턴을 형성하게 된다.
본 발명의 한 구현예에 따르면 도너 요소는 도너 기판, 적외선(IR) 흡수층, 및 나노입자층을 포함하며, 여기서 나노입자층의 일부는 레이저에 의해 조사 및 가열되고, 도너 기판으로부터 수용 기판으로 분리 및 전사되는 반면, 나노입자층의 일부는 레이저에 의해 조사되지 않고 도너 기판에 부착되어 남아있는다.
본 발명과 그 목적 및 이점은 이하 바람직한 구현예의 상세한 설명에서 더욱 명백해질 것이다.
도 1은 나노입자층을 도너 기판으로부터 수용 기판으로 어닐링 및 전사하는데 유용한 장치의 개략도이다.
도 2는 본 발명에 따른 도너 기판의 단면도이다.
도 3은 본 발명에 따른 도너 요소의 단면도이다.
도 4a 및 도 4b는 본 발명에 따라 나노입자층의 일부가 수용 기판에 어닐링 및 전사되어 있는 도너 요소의 단면도이다.
도 5는 본 발명에 사용하기 위한 택일적인 프린트 헤드의 개략도이다.
도 6은 본 발명에 사용하기 위한 택일적인 프린트 헤드의 개략도이다.
도 7은 본 발명에 사용하기 위한 택일적인 프린트 헤드의 개략도이다.
* 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명
10: 레이저 프린팅 장치
14: 레이저
18: 기판
22: 검류계
24: f-세타 렌즈
26: 레이저 빔
28: 컴퓨터
30: 레이저 전력 조절 라인
32: 트랜스레이션 스테이지
40: 폴리곤
45: 도너 기판
46: 선형 트랜스레이터
50: 도너 지지체
60: 다채널 프린트헤드
65: 반사방지층
70: 회전 드럼
72: 섬유
75: 이형층
80: 흡수층
90: 나노입자층
100: 도너 요소
110: 수용 기판
120: 금속 전도성 필름
금속 나노입자의 가장 독특한 특징중 한가지는 크기에 좌우되는 표면 융점 강하이다(Ph. Buffat et al.; "Size effect on the melting temperature of gold particles" Physical Review A, Volume 13, Number 6, June 1976, pages 2287-,2297; A.N. Goldstein et al. "Melting in Semiconductor Nanocrystals" Science, Volume 256, June 5, 1002, pages 1425-1427; 및 K.K. Nanda et al.; "Liquid-drop model for the size-dependent melting of low-dimensional systems" Physical Review, A 66(2002), pages 013208-1 thru 013208-8). 이러한 성질은 금속 나노입자가 우수한 전기 전도성을 가진 다결정성 필름으로 용융 또는 소결될 수 있도록 할 것이다.(D. Huang, et al.; "Plastic-Compatible Low Resistance Printable Gold Nanoparticle Conductors for Flexible Electronic" Journal of the Electrochemical Society, Volume 150, Issue 7, July 2003, Abstract.)
본 발명은 나노입자층을 어닐링 및 전사하는데 레이저를 사용함으로써 수용기판상에 전기 전도체 패턴을 형성하는 방법에 대한 것이다. 일반적으로 이형재료층은 도너 기판의 제 1 면상에 부착된다. 금속 나노입자는 상기 이형재료상에 부착된다. 금속 나노입자층은 수용기판과 접촉하여 놓여진다. 도너 기판과 수용 기판에 의해 형성된 샌드위치상에 패턴이 쓰여져 금속 나노입자가 나노입자층으로부터 수용기판으로 어닐링 및 전사하여 수용기판상에 전기 전도체 패턴을 형성하게 한다.
바람직한 구현예에서, 용액처리 가능한 금속 나노클러스터를 용매중의 광흡수 염료와 배합하였다. 상기 재료를 IR 흡수층의 상부에 박막으로 코팅하였다. 금속 나노입자층은 수용기판과 접촉하여 놓여지고, 레이저를 사용하여 도너 기판과 수용 기판에 의해 형성된 샌드위치상에 씀으로써, 금속 나노입자가 나노입자층으로부터 수용 기판에 원하는 패턴으로 어닐링 및 전사되도록 하였다.
본 발명은 특히 본 발명에 따른 장치의 일부를 형성하거나 본 발명에 따른 장치와 더욱 직접적으로 상호 작용하는 요소들에 대한 것이다. 구체적으로 도시 또는 기재되지 않은 요소들은 당해 기술분야의 전문가들에게 잘 알려진 다양한 형태를 취할 수 있다는 것을 이해하여야 한다.
본 발명의 방법을 사용하여 레이저 어닐링된 전도성 재료 화상을 얻기 위하여, 다이오드 레이저는 작은 크기, 저비용, 안정성, 신뢰성, 강인성, 조작용이성 면에서 상당한 이점을 제공하기 때문에 바람직하게 사용된다. 실제로 임의의 레이저가 코팅된 요소를 가열하는데 사용될 수 있기 전에, 상기 요소는 금속, 카본블랙과 같은 안료, 또는 미국특허 제4,973,572호에 기재된 시아닌 적외선 흡수 염료 또는 본 명세서에 인용에 의해 통합되어 있는 하기 미국특허 제4,948,777; 4,950,640; 4,950,639; 4,948,776; 4,942,141; 4,952,552; 5,036,040; 및 4,912,083호에 기재된 다른 재료와 같은 적외선 흡수 재료를 함유하여야만 한다. 그런 다음 레이저 복사는 IR 흡수제에 흡수되고 내부 변환으로 알려진 분자 공정에 의해 열로 변환된다. 따라서 유용한 흡수제의 구성은 흡수제의 색상, 전사성 및 강도 뿐 아니라 복사선을 흡수하고 그것을 열로 전환하는 흡수제의 능력에 좌우될 것이다. 적외선 흡수 재료 또는 염료는 금속 나노입자 코팅 자체 또는 그것과 결합된 별개층, 즉 흡수제층 위 또는 아래의 층에 함유될 수 있다.
본 발명에 사용된 요소의 활성층은 지지체상에 코팅되거나 잉크젯, 그라비아 공정, 호퍼 코팅 또는 당해 기술 분야에서 공지된 다른 방법과 같은 임의의 용매 상용성 프린팅 방법에 의해 지지체 위에 프린팅될 수 있다. 금속 나노클러스터는 은, 금 또는 금속의 함금, 안정한 나노 클러스터를 형성할 수 있는 다른 귀금속 혼합물일 수 있다. 나노클러스터의 크기는 주로 1 내지 10나노미터이다.
이제 도 1을 참조하면, 본 발명에 따른 기판(18)을 레이저 복사에 화상에 따라 노출하기 위한 레이저 프린팅 장치(10)가 도시되어 있다. 프린팅 장치(10)의 레이저(14)는 다이오드 레이저 또는 레이저 빔(26)을 생성하는 임의의 다른 고전력 레이저일 수 있다. 하나보다 많은 레이저 또는 레이저 빔이 본 발명에서 동시에 사용될 수 있다. 빔의 형상은 계란형이어서, 본 명세서에 그 개시가 인용에 의해 통합되어 있는 공동 양수된 미국특허 제6,252,621호에 교시된 것처럼 저비용의 멀티모드 레이저를 사용하면서 작은 선들이 쓰여질 수 있다. 레이저 빔(26)과 기판(18) 사이의 상대적인 움직임을 제공하도록 레이저 빔을 스캐닝하기 위해, 가동 거울을 포함하는 검류계(galvanometer)(22)는 f-세타(f-theta) 렌즈(24)를 통해 X 방향의 선을 형성하기 위해 빔을 스캐닝한다. 당해 기술 분야 전문가들은 레이저 빔을 스캐닝하는 것은 경면을 가진 폴리곤(polygon)을 회전시키는 것과 같은 다른 종류의 가동 거울에 의해, 또는 회전 회절 격자와 같은 다른 장치에 의해 달성될 수 있다는 것을 이해할 것이다.
나노입자 코팅에 화상을 쓰는데 사용될 수 있는 다양한 레이저 열 프린터가 있다. 스캐너에 있는 디플렉터(deflector)는 미국특허 제6,031,561호에서 사용된 것과 같은 회전 폴리곤 디플렉터(40)일 수 있다. 도시되진 않았지만 폴리곤은 분 당 수천의 횟수로 회전할 수 있고 프린팅 속도는 예전의 갈보스캐너(galvo-scanner)에 비해 꽤 빠르기 때문에 단지 단일 레이저 공급원이 통상적으로 사용된다. 폴리곤 스캐너는 흔히 도 5에서 수용체 표면에 스캐닝된 레이저 빔의 초점을 맞추는 f-세타 렌즈(24)를 사용한다. 다시, 레이저 공급원은 적당한 디지털 전자 데이타 경로에 의해 공급된 화상 데이타로 변조된다(또는 연속 레이저 빔은 별도의 변조기 즉, 음향 광학 변조기(acoustic-optic modulator)에 의해 변조될 수 있다). 레이저 스팟(spot)은 빠른 스캔 방향으로 폴리곤 디플렉터에 의해 스캐닝되는 반면, 수용 표면은 도 5의 선형 트랜스레이터(translater)(46)에 의해 느린 스캔 방향으로 스캐닝된다. 레이저 빔은 충분한 전력을 가져 나노입자 코팅을 나노입자의 어닐링을 일으키기에 충분히 높은 온도로 가열시킬 수 있어야 한다. 스캐닝된 스팟 크기는 거의 프린팅된 선의 해상도를 결정한다.
레이저 패터닝 방법을 수행하는데 유용한 또 다른 프린터는 도 6 및 미국특허 제 6,169,565호에 도시한 것과 같은 다채널 프린트헤드(60)를 사용하지만 상당히 컴팩트한 다채널 프린트헤드로 적당하게 접혀진다. 프린트헤드는 일정한 속도(방향을 바꿀 때를 제외하고는)로 빠른 방향으로 앞뒤로 스캐닝되고, 수용체는 프린트헤드의 각 스캔 후에 256개의 프린팅 스팟의 어레이(256) 너비만큼 진행된다. 다르게는, 헤드는 미국특허 제4,900,130호에서 논의된 도 7에 도시한 것처럼 회전 드럼(70)상에 장착되는 수용체 시트로 프린팅할 수 있다. 미국특허 제4,900,130호의 프린트헤드는 수용체에서 프린팅 스팟의 어레이에 화상형성되는 섬유(72) 말단에 부착된 레이저(14)로 만들어진다. 이것은 과제에 적당한 또 다른 프린트헤드이다.
도 1에 도시한 구현예에서, 기판(18)은 선에 수직인 방향(Y)으로 전체 면적이스캐닝되도록 하는 트랜스레이션 스테이지(32)에 의해 수송된다. 스캔의 임의의 지점에서의 빔의 강도는 컴퓨터(28)의 지시를 사용하여 레이저 전력 조절 라인(30)에 의해 조절된다. 다르게는, 레이저 빔의 강도는 레이저 광학 분야의 전문가들에게 잘 알려져 있는 것처럼 음향광학 변조기(미도시)와 같은 별도의 변조기에 의해 조절될 수 있다. 다른 구현예에서, 기판은 정지 상태로 유지되고 레이저 장치가 움직이거나 레이저 빔이 광학적으로 방향이 조정되도록 할 수 있다. 중요한 특징은 전체 면적 스캐닝을 위해 레이저 빔과 디스플레이 기판 간의 상대적인 이동이 있다는 것이다.
이제 도 2는 본 발명에 사용되는 도너 기판의 한 구현예를 기술하고 있다. 도너 기판(45)은 도너 지지체(50)와 흡수제 층(80)을 포함한다. 도너 기판(45)은 선택적으로 반사방지층(65) 및/또는 이형층(75)을 포함할 수 있다.
임의의 재료가 레이저의 열을 견딜 수 있다면 도너 지지체(50)로 사용될 수 있다. 이러한 재료는 폴리(에틸렌 나프탈레이트); 폴리(에틸렌 테레프탈레이트)와 같은 폴리에스테르류; 폴리아미드류; 폴리카보네이트류; 셀룰로스 아세테이트와 같은 셀룰로스 에스테르류; 폴리(비닐리덴 플루오라이드) 또는 폴리(테트라플루오로에틸렌-co-헥사플루오로프로필렌)과 같은 플루오로 폴리머류; 폴리옥시메틸렌과 같은 폴리에테르류; 폴리아세탈류; 폴리스티렌, 폴리에틸렌,폴리프로필렌 또는 메틸펜텐 폴리머와 같은 폴리올레핀류; 및 폴리이미드-아미드류 및 폴리에테르-이미드류와 같은 폴리이미드류를 포함한다. 금속 기판 및 유리, 규소 게르마늄 및 산화알루미늄과 산화규소와 같은 금속 산화물과 같은 무기 재료도 본 발명에 유용하다. 도너 지지체(50)는 이러한 재료로 된 2 이상의 층을 포함할 수 있다. 도너 지지체(50)는 일반적으로 약 5 내지 약 5000㎛의 두께를 가진다.
그런 다음 도너 지지체(50)는 열을 생성하기 위해 스펙트럼의 소정 부분에서 레이저 광을 흡수할 수 있는 흡수제 층(80)으로 코팅된다. 흡수제 층(80)은 Ag, Au, Be, Co, Cr, Cu, Fe, Ir, Mo, Nb, Ni, Pt, Rh, Ta, Pd, V, Zr 또는 W, 또는 이들의 혼합물과 같은 금속일 수 있다. 이러한 군으로부터 바람직한 금속은 Ni, Mo, Zr, Be, Cr, V, Mo, Pt 또는 W 또는 이들의 혼합물이다. 흡수제 층(80)은 유기 재료 또는 염료일 수 있으며, 미국특허 제 4,541,830; 4,698,651; 4,695,287; 4,701,439; 4,757,046; 4,743,582; 4,769,369; 4,753,922 및 6,703,111호에 개시된 임의의 염료를 포함한다. 상기 염료는 단독으로 또는 다른 염료와 함게 사용될 수 있다.
반사방지층(65)은 도너 기판(45)의 선택적인 층이고 그것의 굴절률의 실수 부분이 3.0보다 큰 재료를 포함한다. 이것은 규소, 게르마늄 및 이들의 조합과 같은 재료를 포함한다. 특히 유용한 반사방지층(65) 및 흡수제층(80)의 조합은 규소와 크롬 및 게르마늄과 니켈을 포함한다. 반사방지층의 사용 및 흡수제층과 효과적인 반사방지층의 부합 방법은 본 명세서에 그 개시가 인용에 의해 통합되어 있는 공동 양수된 미국특허 제6,790,594호에 기재되어 있다.
본 발명의 한 구현예에서, 이형층(75)은 금속 나노입자층의 분리를 촉진하기 위해 흡수제층의 위 또는 아래에 코팅된다. 바람직한 구현예에서 이형층은 레이저에 의한 가열시 가체를 형성할 수 있는 기체 생성 폴리머 및 적외선 흡수 재료를 포함하고, 이형층은 미국특허 제6,165,671호에 개시된 것처럼 약 0.3 내지 1.0 사이의 Et 값을 가진 극성 용매를 사용하여 코팅되어 왔다. 또 다른 바람직한 구현예에서 기체 생성 폴리머는 시아노아크릴레이트이다. 또 다른 바람직한 구현예에서, 이형층은 150 ℃ 미만, 더욱 바람직하게는 100℃ 미만의 유리전이온도를 가진 폴리머를 포함한다.
도 3은 본 발명에 따른 도너 요소(100)의 단면도를 도시한다. 직경이 100nm 미만, 바람직하게는 50nm 미만인, 흡수제층(80) 위에 합성되고 코팅된 금속 나노입자를 가진 금속 나노입자층은 1% 내지 80%, 바람직하게는 1% 내지 40%의 농도를 가진 금속 나노입자를 포함하는 용액으로부터 만들어진다. 0.1% 내지 20%, 바람직하게는 1% 내지 5%의 농축물을 가진 광 흡수 염료는 금속 나노입자의 변환 특성을 촉진시키기 위해 금속 나노입자에 첨가될 수 있다.
Au 나노입자의 합성은 하기 공정으로 행해진다. 테트라옥틸암모늄 브로마이드 14g을 400ml의 톨루엔에 용해시키고, 3.0g의 염화금산(HAuCl4)을 물 100ml에 용해시켰다. 테트라옥틸 암모늄 브로마이드/톨루엔을 함유한 플라스크에 염화금산/물 혼합물을 따랐다. 플라스크에 마개를 하고 수 초간 흔들었다. 상기 혼합물을 분리 깔때기에 따르고 물/톨루엔 층이 분리되도록 둔 다음 상층(톨루엔) 용액을 수집하였다. 적갈색 유기상을 취하여 둥근 바닥 플라스크에 다시 넣었다. 25ml 톨루엔 중의 4.7g의 헥산티올 용액을 상기 플라스크에 첨가하고 용액이 무색이 될 때까지 10분동안 교반하였다. 3.8g의 수소화붕소나트륨을 175ml의 물에 용해시켰다. 격렬하게 교반하면서 적하깔때기를 사용하여 NaBH4 용액을 유기상에 2분에 걸쳐 첨가하였다. 3.5시간동안 교반한 다음 분리 깔때기를 사용하여 유기상으로부터 물질을 수집하였다. 용매를 Roto-증발(온도를 50℃ 미만으로 유지)에 의해 제거하였다. 생성물이 있는 둥근 바닥 플라스크에 100ml의 에탄올을 첨가하고 2분동안 혼합물을 초음파 처리하였다. 미세 소결 유리 필터를 사용하여 이 물질을 여과하고, 100ml의 에탄올로 침전물을 세척하였다. 생성물(금 나노입자)을 1시간동안 열 없이 진공 오븐에서 건조시킨 다음 측정하였을 때 0.8 내지 1 그램이었다. 나노입자는 TEM으로 조사하면 2-4nm의 크기를 가졌고, DSC로 190-200℃의 용융 또는 소결 온도를 나타내었다. 코팅액은 하기 레시피를 사용하여 배합되었다:
용액 1: 10% Au 나노입자 및 1% IR 염료 1을 에탄올/톨루엔의 40/60 혼합 용매에 용해시켰다.
용액 2: 20% Au 나노입자 및 2% IR 염료 1을 에탄올/톨루엔의 40/60의 혼합 용매에 용해시켰다.
Figure 112007081945435-PCT00001
IR 염료 1
상기 용액을 코팅 블레이드 또는 코팅 로드(rod)로 핸드 코팅하거나, 호퍼를 통해 기계 코팅하여 4mil PET 기판상에 코팅하였다. 코팅의 젖은 레이 다운(lay-down)은 5㎛ 내지 25㎛로 계산되었다. 코팅의 최종 건조 두께는 0.15㎛ 내지 2㎛로 측정되었다.
도 4a 및 도 4b는 본 발명에 따라 수용 기판에 나노입자층의 일부가 어닐링 및 전사된 도너 요소의 단면을 도시한다. 반사방지층(65) 및 이형층(75)은 도너 기판(50)의 제 1 면상에 부착되어 있다. 적외선(IR) 흡수층(80)은 이형층(75)의 상부에 코팅되어 레이저 광을 흡수하여 열로 변환시킨다. 금속 나노입자층(90)은 용액으로 준비되어 IR 흡수층(80)에 균일하게 부착된다. 그런 다음 도너 요소(100)는 금속 나노입자층(90)이 수용 기판(110)과 접촉되도록 놓여진다. 레이저 빔(26)은 활성화되어 레이저 광이 도너 요소(100)를 비추도록 한다. 레이저 광은 에너지 흡수층(80)의 선택된 부분에 의해 흡수되어, 이것에 의해 나노입자를 어닐링하여 금속 전도성 필름(120)을 형성하기에 충분한 수준으로 나노입자층(90)의 선택된 부분을 가열한다. 도너 요소(100) 및 수용 기판(110)은 그런 다음 나노입자층(90)의 일부가 레이저에 의해 조사되고 가열되고 도너 요소(100)로부터 분리되어 수용 기판(110)으로 전사되어 수용 기판(110) 상에 전기 전도체 패턴을 형성하는 반면, 나노입자층의 일부는 레이저에 의해 조사되지 않고 도너 요소(100)에 부착되어 남아있는 방식으로 분리된다.
수용 기판(110)은 유기 고체, 무기 고체 또는 도너 요소(100)로부터 금속 전도성 필름을 수용하기 위한 표면을 제공하는 유기 및 무기 고체의 조합물일 수 있고, 딱딱하거나 가요성일 수 있다. 대표적인 기판 재료는 유리, 플라스틱, 금속, 세라믹, 반도체, 금속 산화물, 반도체 산화물, 반도체 질화물 또는 이들의 조합물을 포함한다. 수용 기판(110)은 재료의 균질한 혼합물, 재료의 복합체 또는 재료의 다층물일 수 있다. 수용 기판(110)은 OLED 기판, 즉 OLED 소자를 제조하는데 흔히 사용되는 기판, 예를 들어 능동 매트릭스 저온 폴리실리콘 TFT 기판일 수 있다. 수용 기판(110)은 광투과성이거나 불투명할 수 있다. 수용 기판(110)은 전사 단계 이전에 다른 층으로 코팅될 수 있다.
본 발명 및 그 이점은 하기 실시예로 더 잘 인식될 수 있다.
실시예 1
도너 요소를 하기 방법으로 구성하였다:
40nm의 규소로 된 반사방지층과 40nm의 크롬으로 된 흡수층을 51 미크론 폴리이미드 도너 기판에 그 순서로 진공 부착하였다. 2-4nm 크기의 20% 금 나노입자 및 1-2%의 IR 흡수 염료를 에탄올/톨루엔의 40/60 혼합 용매에 분산시킨 다음 1cc/ft2의 젖은 레이 다운으로 크롬층 상에 코팅하였다. 그런 다음 샘플을 10분동안 실온에서 건조시켜 최종 두께 약 300-500nm를 얻었다.
수용 기판
본 발명에 사용된 수용 기판은 표면의 수용 면 위에 0.3㎛의 젤라틴 코팅을 가진 4 mil PET 필름이었다.
금속 나노입자층의 어닐링 및 전사
금속 나노입자층을 수용 기판의 겔층과 접촉하도록 놓은 다음 진공을 사용하여 유지하였다. 어닐링 및 전사가 요구되는 영역에 830nm 및 최대 전력 600mW의 레이저 다이오드를 함유한 레이저 라이터(writer)를 사용하여 코팅된 나노입자를 어닐링하고 미리 결정된 화상에 따라 도너 지지체의 제 2 면을 통해 스캐닝하여 패턴을 썼다. 스캐닝 속도는 약 1.3J/cm2의 에너지 레벨에서 코팅된 기판에 레이저가 노출되도록 스캐닝 속도를 지정하였다. 도너 요소와 수용 기판을 천천히 분리하여 나노입자층의 부분이 레이저에 의해 조사 및 가열되어 도너 기판으로부터 수용체 기판으로 전사되는 반면 나노입자층의 일부는 레이저에 의해 조사되지 않고 도너 기판에 부착되어 남아있도록 하였다.
실시예 2
50-70nm의 크기를 가진 은 나노입자(St. Paul, MN 소재의 CIMA Nanotech로부터 입수) 20%를 2%의 IR 흡수 염료를 함유한 에틸렌 글리콜 부틸 에테르 아세테이트 용액에 분산하는 것을 제외하고는 실시예 1에 기재된 대로 본 발명의 요건을 만족시키는 도너 요소 및 수용 기판을 구성하였다.
실시예 3
50-70nm의 크기를 가진 은 나노입자(St. Paul, MN 소재의 CIMA Nanotech로부터 입수) 20%를 2%의 IR 흡수 염료를 함유한 물 및 에탄올 혼합된 용매에 분산하는 것을 제외하고는 실시예 1에 기재된 대로 본 발명의 요건을 만족시키는 도너 요소 및 수용 기판을 구성하였다.
겔 코팅된 PET 상에 레이저 어닐링 및 전사된 패턴의 Au 및 Ag 전도체의 결과는 표 1에 도시하였다.
Figure 112007081945435-PCT00002
표 1은 레이저 전사 및 어닐링 시 겔 코팅된 PET상에 전사된 금속층의 비저항이 매우 전도성인 상태로 떨어짐을 나타낸다. 레이저에 의해 조사되지 않은 나노입자층은 소결이 없어서 도너 기판상에 비전도성인 상태로 남아 있다.

Claims (43)

  1. 전도성 재료인 금속 나노입자를 형성하는 단계;
    도너 기판을 형성하는 단계;
    상기 도너 기판의 제 1 면 상에 광 흡수 재료층을 부착하는 단계;
    상기 광 흡수 재료층 상에 상기 금속 나노입자를 부착하는 단계;
    상기 금속 나노입자층을 수용 기판과 접촉하도록 하는 단계; 및
    상기 도너 기판과 상기 수용 기판에 의해 형성된 샌드위치 상에 레이저로 패턴을 써서 상기 금속 나노입자가 상기 나노입자층으로부터 상기 수용 기판으로 어닐링 및 전사되어 상기 수용 기판상에 전기 전도체 패턴을 형성하도록 하는 단계를 포함하는, 수용 기판 상에 전기 전도체 패턴을 형성하는 방법.
  2. 제 1항에 있어서,
    상기 금속 나노입자를 광 흡수 모이어티와 혼합하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
  3. 제 1항에 있어서,
    상기 광 흡수 재료층을 부착하기 전에 상기 도너 기판 상에 반사방지층을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
  4. 제 1항에 있어서,
    상기 도너 기판의 제 2 면상에 반사방지층을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
  5. 제 1항에 있어서,
    상기 수용 기판상에 접착제 층을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
  6. 제 1항에 있어서,
    상기 레이저는 상기 도너 기판의 제 2 면에 쓰는 것을 특징으로 하는 방법.
  7. 제 1항에 있어서,
    상기 레이저는 상기 수용 기판에 쓰는 것을 특징으로 하는 방법.
  8. 제 1항에 있어서,
    상기 기판은 가요성인 것을 특징으로 하는 방법.
  9. 제 1항에 있어서,
    상기 나노입자는 금, 은, 팔라듐 및 백금을 포함하는 군으로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 방법.
  10. 제 1항에 있어서,
    상기 금속 나노입자는 유기 쉘을 갖는 것을 특징으로 하는 방법.
  11. 제 1항에 있어서,
    상기 나노입자는 측방 치수가 100nm 미만인 것을 특징으로 하는 방법.
  12. 제 1항에 있어서,
    상기 나노입자는 측방 지수가 50nm 미만인 것을 특징으로 하는 방법.
  13. 제 1항에 있어서,
    상기 광흡수 재료는 적외선 흡수 재료인 것을 특징으로 하는 방법.
  14. 제 1항에 있어서,
    상기 레이저 광은 적외선 레이저로 생성되는 것을 특징으로 하는 방법.
  15. 제 1항에 있어서,
    상기 레이저 광은 다수의 레이저로 이루어진 프린트 헤드로 생성되는 것을 특징으로 하는 방법.
  16. 제 1항에 있어서,
    상기 레이저 광은 다채널 레이저 프린트 헤드로 생성되는 것을 특징으로 하는 방법.
  17. 제 1항에 있어서,
    상기 레이저 광은 폴리곤 레이저 스캐너로 생성되는 것을 특징으로 하는 방법.
  18. 제 1항에 있어서,
    상기 레이저 광은 상기 도너로부터 상기 수용체로 전사되는 동안 상기 나노입자를 어닐링 하는 것을 특징으로 하는 방법.
  19. 전도성 재료인 된 금속 나노입자를 형성하는 단계;
    도너 기판을 형성하는 단계;
    상기 도너 기판의 제 1 면 상에 이형 재료층을 부착시키는 단계;
    상기 이형 재료층 상에 광 흡수 재료층을 부착하는 단계;
    상기 광 흡수 재료층 상에 상기 금속 나노입자를 부착하는 단계;
    상기 금속 나노입자층을 수용 기판과 접촉하여 놓는 단계; 및
    상기 도너 기판과 상기 수용 기판에 의해 형성된 샌드위치 상에 레이저로 패 턴을 써서 금속 나노입자가 상기 나노입자층으로부터 상기 수용 기판으로 어닐링 및 전사되어 상기 수용 기판상에 전기 전도체 패턴을 형성하도록 하는 단계를 포함하는, 수용 기판 상에 전기 전도체 패턴을 형성하는 방법.
  20. 제 19항에 있어서,
    상기 금속 나노입자를 광흡수 모이어티와 혼합하는 단계를 더 포함하는 방법.
  21. 제 19항에 있어서,
    상기 광흡수 재료층을 부착하기 전에 상기 도너 기판 상에 반사방지층을 형성하는 단계를 더 포함하는 방법.
  22. 제 19항에 있어서,
    상기 도너 기판의 제 2 면 상에 반사방지층을 형성하는 단계를 더 포함하는 방법.
  23. 제 19항에 있어서,
    상기 수용 기판 상에 접착제층을 형성하는 단계를 더 포함하는 방법.
  24. 제 19항에 있어서,
    상기 레이저는 상기 도너 기판의 제 2 면에 쓰는 것을 특징으로 하는 방법.
  25. 제 19항에 있어서,
    상기 레이저는 상기 수용 기판에 쓰는 것을 특징으로 하는 방법.
  26. 제 19항에 있어서,
    상기 기판은 가요성인 것을 특징으로 하는 방법.
  27. 제 19항에 있어서,
    상기 나노입자는 금, 은, 팔라듐 및 백금을 포함하는 군으로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 방법.
  28. 제 19항에 있어서,
    상기 금속 나노입자는 유기 쉘을 갖는 것을 특징으로 하는 방법.
  29. 제 19항에 있어서,
    상기 나노입자는 측방 치수가 100nm 미만인 것을 특징으로 하는 방법.
  30. 제 19항에 있어서,
    상기 나노입자는 측방 치수가 50nm 미만인 것을 특징으로 하는 방법.
  31. 제 19항에 있어서,
    상기 광흡수 재료는 적외선 흡수 재료인 것을 특징으로 하는 방법.
  32. 제 19항에 있어서,
    상기 레이저 광은 적외선 레이저로 생성되는 것을 특징으로 하는 방법.
  33. 제 19항에 있어서,
    상기 레이저 광은 다수의 레이저로 이루어진 프린트 헤드에 의해 생성되는 것을 특징으로 하는 방법.
  34. 제 19항에 있어서,
    상기 레이저 광은 다채널 레이저 프린트 헤드에 의해 생성되는 것을 특징으로 하는 방법.
  35. 제 19항에 있어서,
    상기 레이저 광은 폴리곤 레이저 스캐너로 생성되는 것을 특징으로 하는 방법.
  36. 제 19항에 있어서,
    상기 레이저 광은 상기 도너로부터 상기 수용체로 전사하는 동안 상기 나노입자를 어닐링하는 것을 특징으로 하는 방법.
  37. 제 19항에 있어서,
    상기 이형 재료층은 레이저에 의해 가열시 기체를 형성할 수 있는 기체 생성 폴리머 및 레이저 흡수 재료를 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
  38. 제 37항에 있어서,
    상기 기체 생성 폴리머는 시아노아크릴레이트인 것을 특징으로 하는 방법.
  39. 제 19항에 있어서,
    상기 이형재료층은 유리전이온도가 150℃ 미만인 폴리머를 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
  40. 제 19항에 있어서,
    상기 이형재료층은 유리전이온도가 100℃ 미만인 폴리머를 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
  41. 금속 나노입자와 광 흡수 모이어티를 혼합하기 위한 믹서;
    상기 혼합물을 도너 기판에 코팅하기 위한 코터; 및
    패턴을 상기 코팅된 도너 기판으로부터 수용 기판으로 전사하기 위한 레이저를 포함하는, 수용 기판상에 전기 전도체 패턴을 형성하기 위한 장치.
  42. 전도성 재료인 금속 나노입자를 형성하는 단계;
    상기 금속 나노입자를 광 흡수 모이어티와 혼합하는 단계;
    도너 기판을 형성하는 단계;
    상기 도너 기판과 상기 광 흡수 모이어티의 제 1 면상에 상기 금속 나노입자를 부착하는 단계;
    상기 금속 나노입자와 상기 광 흡수 모이어티 층을 수용 기판과 접촉하도록 놓는 단계; 및
    상기 도너 기판과 상기 수용 기판에 의해 형성된 샌드위치 상에 레이저로 패턴을 써서 금속 나노입자를 상기 나노입자층으로부터 상기 수용 기판에 어닐링 및 전사하여 상기 수용 기판상에 전기 전도체 패턴을 형성하도록 하는 단계를 포함하는, 수용 기판 상에 전기 전도체 패턴을 형성하는 방법.
  43. 제 42항에 있어서,
    상기 나노입자 및 광 흡수 모이어티로 이루어진 층을 부착하기 전에 상기 도너 기판 상에 이형층을 형성하는 단계를 더 포함하는 방법.
KR1020077026589A 2005-05-17 2006-05-02 열 전사를 이용하여 패터닝된 금속층 KR20080007465A (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US11/130,772 2005-05-17
US11/130,772 US7648741B2 (en) 2005-05-17 2005-05-17 Forming a patterned metal layer using laser induced thermal transfer method

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20080007465A true KR20080007465A (ko) 2008-01-21

Family

ID=36938060

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020077026589A KR20080007465A (ko) 2005-05-17 2006-05-02 열 전사를 이용하여 패터닝된 금속층

Country Status (6)

Country Link
US (1) US7648741B2 (ko)
EP (1) EP1884146A1 (ko)
JP (1) JP2008541481A (ko)
KR (1) KR20080007465A (ko)
CN (1) CN100576970C (ko)
WO (1) WO2006124320A1 (ko)

Families Citing this family (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007035742A (ja) * 2005-07-25 2007-02-08 Seiko Epson Corp 薄膜トランジスタの形成方法
US8084101B2 (en) * 2006-08-01 2011-12-27 The Board of Regents of the Nevada Systems of Higher Education on behalf of the University of Nevada, Las Vegas Fabrication of patterned and ordered nanoparticles
CN101601334A (zh) * 2007-01-05 2009-12-09 巴斯夫欧洲公司 生产导电表面的方法
US7666567B2 (en) * 2007-10-23 2010-02-23 E. I. Du Pont De Nemours And Company Negative imaging method for providing a patterned metal layer having high conductivity
TW201001624A (en) * 2008-01-24 2010-01-01 Soligie Inc Silicon thin film transistors, systems, and methods of making same
CN101519184B (zh) * 2008-02-29 2012-05-23 财团法人工业技术研究院 利用光热效应制作应用基板的方法
EP2299784A4 (en) * 2008-06-16 2012-05-30 Toray Industries CONTOUR MODELING METHOD, DEVICE MANUFACTURING METHOD USING THE CONTOUR MODELING METHOD, AND DEVICE
FR2946639B1 (fr) * 2009-06-12 2011-07-15 Saint Gobain Procede de depot de couche mince et produit obtenu.
US20110027499A1 (en) * 2009-07-30 2011-02-03 International Business Machines Corporation Radiation-assisted nanoparticle printing
DE102009050199A1 (de) * 2009-10-21 2011-04-28 Giesecke & Devrient Gmbh Herstellung von Leiterstrukturen auf Kunststoff-Folien mittels Nanotinten
DE102010015659A1 (de) 2010-04-20 2011-10-20 Giesecke & Devrient Gmbh Transferverfahren zur Herstellung von Leiterstrukturen mittels Nanotinten
FR2980279B1 (fr) * 2011-09-20 2013-10-11 Soitec Silicon On Insulator Procede de fabrication d'une structure composite a separer par exfoliation
KR20140140188A (ko) * 2013-05-28 2014-12-09 삼성디스플레이 주식회사 도너기판 및 이의 제조방법 및 이를 이용한 전사패턴 형성방법
CN106576429A (zh) * 2014-05-27 2017-04-19 耶路撒冷希伯来大学伊森姆研究发展有限公司 制造金属图案和物体的方法
EP3284325B1 (de) * 2015-04-13 2023-10-04 Jan Franck Vorrichtung und verfahren zur herstellung von leiterplatten für elektrische und/oder elektronische schaltungen
FR3035540B1 (fr) 2015-04-27 2017-04-28 Centre Nat Rech Scient Procede d'impression au moyen de deux lasers
US9776442B2 (en) 2015-12-30 2017-10-03 Palo Alto Research Center Incorporated Single pass imaging using rapidly addressable laser lamination
EP3663090A1 (en) 2018-12-04 2020-06-10 Nederlandse Organisatie voor toegepast- natuurwetenschappelijk onderzoek TNO High resolution laser induced forward transfer
CN117465081A (zh) * 2023-10-12 2024-01-30 广东工业大学 一种高吸光率复合膜片及其在激光诱导转移中的应用

Family Cites Families (42)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4541830A (en) 1982-11-11 1985-09-17 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Dye transfer sheets for heat-sensitive recording
US4695287A (en) 1985-12-24 1987-09-22 Eastman Kodak Company Cyan dye-donor element used in thermal dye transfer
US4701439A (en) 1985-12-24 1987-10-20 Eastman Kodak Company Yellow dye-donor element used in thermal dye transfer
US4698651A (en) 1985-12-24 1987-10-06 Eastman Kodak Company Magenta dye-donor element used in thermal dye transfer
US4743582A (en) 1986-10-06 1988-05-10 Eastman Kodak Company N-alkyl-or n-aryl-aminopyrazolone merocyanine dye-donor element used in thermal dye transfer
US4757046A (en) 1986-10-06 1988-07-12 Eastman Kodak Company Merocyanine dye-donor element used in thermal dye transfer
US4769360A (en) 1987-09-14 1988-09-06 Eastman Kodak Company Cyan dye-donor element for thermal dye transfer
US4753922A (en) 1987-11-20 1988-06-28 Eastman Kodak Company Neutral-black dye-donor element for thermal dye transfer
US4973572A (en) 1987-12-21 1990-11-27 Eastman Kodak Company Infrared absorbing cyanine dyes for dye-donor element used in laser-induced thermal dye transfer
US4900130A (en) 1988-10-07 1990-02-13 Eastman Kodak Company Method of scanning
US5256506A (en) 1990-10-04 1993-10-26 Graphics Technology International Inc. Ablation-transfer imaging/recording
US5171650A (en) 1990-10-04 1992-12-15 Graphics Technology International, Inc. Ablation-transfer imaging/recording
US4942141A (en) 1989-06-16 1990-07-17 Eastman Kodak Company Infrared absorbing squarylium dyes for dye-donor element used in laser-induced thermal dye transfer
US4950639A (en) 1989-06-16 1990-08-21 Eastman Kodak Company Infrared absorbing bis(aminoaryl)polymethine dyes for dye-donor element used in laser-induced thermal dye transfer
US4948777A (en) 1989-06-16 1990-08-14 Eastman Kodak Company Infrared absorbing bis(chalcogenopyrylo)polymethine dyes for dye-donor element used in laser-induced thermal dye transfer
US4950640A (en) 1989-06-16 1990-08-21 Eastman Kodak Company Infrared absorbing merocyanine dyes for dye-donor element used in laser-induced thermal dye transfer
US4948776A (en) 1989-06-16 1990-08-14 Eastman Kodak Company Infrared absorbing chalcogenopyrylo-arylidene dyes for dye-donor element used in laser-induced thermal dye transfer
US4952552A (en) 1989-06-20 1990-08-28 Eastman Kodak Company Infrared absorbing quinoid dyes for dye-donor element used in laser-induced thermal dye transfer
US4948778A (en) 1989-06-20 1990-08-14 Eastman Kodak Company Infrared absorbing oxyindolizine dyes for dye-donor element used in laser-induced thermal dye transfer
US4912083A (en) 1989-06-20 1990-03-27 Eastman Kodak Company Infrared absorbing ferrous complexes for dye-donor element used in laser-induced thermal dye transfer
US5036040A (en) 1989-06-20 1991-07-30 Eastman Kodak Company Infrared absorbing nickel-dithiolene dye complexes for dye-donor element used in laser-induced thermal dye transfer
US5244770A (en) 1991-10-23 1993-09-14 Eastman Kodak Company Donor element for laser color transfer
US5292559A (en) 1992-01-10 1994-03-08 Amp Incorporated Laser transfer process
US5691098A (en) 1996-04-03 1997-11-25 Minnesota Mining And Manufacturing Company Laser-Induced mass transfer imaging materials utilizing diazo compounds
US5725989A (en) * 1996-04-15 1998-03-10 Chang; Jeffrey C. Laser addressable thermal transfer imaging element with an interlayer
US5800960A (en) 1996-10-24 1998-09-01 Eastman Kodak Company Uniform background for color transfer
US6143451A (en) * 1996-11-26 2000-11-07 E. I. Du Pont De Nemours And Company Imaged laserable assemblages and associated processes with high speed and durable image-transfer characteristics for laser-induced thermal transfer
US6031561A (en) * 1997-04-22 2000-02-29 Eastman Kodak Company Printer system having a plurality of light sources of different wavelengths
US6097416A (en) 1997-11-10 2000-08-01 Eastman Kodak Company Method for reducing donor utilization for radiation-induced colorant transfer
US6252621B1 (en) 1998-08-03 2001-06-26 Eastman Kodak Company Printing lenticular images
US6169565B1 (en) * 1999-03-31 2001-01-02 Eastman Kodak Company Laser printer utilizing a spatial light modulator
US6165671A (en) * 1999-12-30 2000-12-26 Eastman Kodak Company Laser donor element
JP5008216B2 (ja) * 2000-10-13 2012-08-22 株式会社アルバック インクジェット用インクの製法
JP4463473B2 (ja) * 2000-12-15 2010-05-19 ジ・アリゾナ・ボード・オブ・リージェンツ 前駆体を含有するナノ粒子を用いた金属のパターニング方法
JP4066621B2 (ja) 2001-07-19 2008-03-26 富士通株式会社 全文検索システム及び全文検索プログラム
US6703111B2 (en) 2001-10-25 2004-03-09 Eastman Kodak Company Laser thermal imaging process, dye, and element
US6770549B2 (en) 2002-05-08 2004-08-03 Lucent Technologies Inc. Forming patterned thin film metal layers
US6890627B2 (en) 2002-08-02 2005-05-10 Eastman Kodak Company Laser thermal transfer from a donor element containing a hole-transporting layer
US6939660B2 (en) * 2002-08-02 2005-09-06 Eastman Kodak Company Laser thermal transfer donor including a separate dopant layer
TWI265762B (en) * 2003-01-14 2006-11-01 Sharp Kk Wiring material, wiring substrate and manufacturing method thereof, display panel, fine particle thin film material, substrate including thin film layer and manufacturing method thereof
US6790594B1 (en) * 2003-03-20 2004-09-14 Eastman Kodak Company High absorption donor substrate coatable with organic layer(s) transferrable in response to incident laser light
US20060003262A1 (en) 2004-06-30 2006-01-05 Eastman Kodak Company Forming electrical conductors on a substrate

Also Published As

Publication number Publication date
CN100576970C (zh) 2009-12-30
US7648741B2 (en) 2010-01-19
WO2006124320A1 (en) 2006-11-23
CN101199245A (zh) 2008-06-11
US20060263725A1 (en) 2006-11-23
EP1884146A1 (en) 2008-02-06
JP2008541481A (ja) 2008-11-20

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US7648741B2 (en) Forming a patterned metal layer using laser induced thermal transfer method
CN1973588A (zh) 在基材上形成电导体的方法
CN102448623B (zh) 金属油墨
JP4636496B2 (ja) 導電性及び透明性を有するナノ被覆物及びナノインクの製造方法、並びにこの製造方法により製造されるナノ粉末被覆物及びインク
Kang et al. One-step fabrication of copper electrode by laser-induced direct local reduction and agglomeration of copper oxide nanoparticle
CN101801674B (zh) 金属油墨
US20030146019A1 (en) Board and ink used for forming conductive pattern, and method using thereof
CN104919572B (zh) 导电图案的形成方法、导电膜、导电图案及透明导电膜
JP2004143571A (ja) 導電パターン描画用基板およびインク、ならびに導電パターンの形成方法
US20070279182A1 (en) Printed resistors and processes for forming same
Yung et al. Synthesis of submicron sized silver powder for metal deposition via laser sintered inkjet printing
KR101808741B1 (ko) 잉크젯 프린팅에 의한 도전층 패턴 형성방법
JP6229216B2 (ja) 導電性パターンの形成方法
Pasquet et al. Selective Laser Decomposition of Silver Oxalate: A New Way of Preparing and Shaping Metallic Silver Patterns
Ha et al. Femtosecond laser multiple pulse-induced thermochemical copper precipitation from glyoxylic acid copper complex ink with surfactant
Watanabe et al. Laser direct writing of conductive micropatterns using copper nanoparticle ink toward 3D interconnection
CN113454757A (zh) 形成金属布线的方法
Li et al. Semiconducting and Conducting Microstructures Directly Written by Using Selective Laser Sintering and Reduction of Cuo Nanoparticles

Legal Events

Date Code Title Description
WITN Application deemed withdrawn, e.g. because no request for examination was filed or no examination fee was paid