KR20080003958A - 엑스선 분석장치 및 이를 이용한 엑스선 세기 보정방법 - Google Patents

엑스선 분석장치 및 이를 이용한 엑스선 세기 보정방법 Download PDF

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Abstract

X선 분석 장치 및 X선 세기의 보정방법이 개시되어 있다. 상기 장치는 챔버, X선 발생부, 기준시료를 포함하는 스테이지 및 검출부를 포함한다. 상기 챔버는 X선을 이용하여 대상 기판에 형성된 박막의 불순물 농도 또는 두께를 측정하기 위한 공간을 제공한다. 상기 X선 발생부는 상기 챔버 상부에 구비되어 상기 챔버 내부의 기판으로 상기 X선을 조사한다. 상기 스테이지는 상기 챔버 내에 구비되어 상기 대상 기판을 지지하며, 상기 X선 발생부에서 조사되는 X선이 일정한 세기를 갖도록 상기 X선의 감도를 보정하는 공정시 이용되는 기준시료가 그 측면에 체결된 구조를 갖는다. 상기 검출부는 상기 챔버 일 측에 구비되어 상기 대상 기판부터 반사되는 X 선의 세기 정도를 검출한다.

Description

엑스선 분석장치 및 이를 이용한 엑스선 세기 보정방법{apparatus for X-ray analysis and method of X-ray intensity calibration using the same}
도 1은 본원 발명에 따른 X선 분석장치의 개략도이다.
도 2는 도 1에 개시된 X선 분석장치의 스테이지를 나타내는 사시도이다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 X선 분석 장치에 적용되는 X선의 보정 방법을 나타내는 순서도이다.
<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명>
110: 챔버 120: X선 발생부
130: 검출부 140: 스테이지
142 : 기판 지지부 144 : 기준 시료
150: 스플릿터
본 발명은 반도체 소자 제조과정에서 적용되는 X선 분석 장치 및 이를 이용한 X선 세기의 보정방법에 관한 것으로, 보다 상세하게 설명하면 기판의 형성된 박막의 두께 및 불순물의 농도를 구하는 X선 분석 장치 및 이를 이용한 X선 세기의 보정방법에 관한 것이다.
최근 급속도로 소형화 및 경량화가 진행되는 각종 전자장비에 있어서 반도체 소자는 필수적인 부품이라 하겠다. 반도체 소자는 순수한 4가의 원소에 3가의 원소를 도핑 하거나 5가의 원소를 도핑하여 제조된다. 이렇게 3가 또는 5가의 원소가 불순물(Dopant)로 주입되어 각각 정공(Acceptor)과 자유전자(Donor)를 형성함으로써 전류가 흐르게 된다.
따라서 박막의 전기적 특성을 좌우하는 불순물의 농도를 측정하고 이를 바탕으로 농도를 제어하는 공정은 반도체 소자의 제조공정에서 매우 중요하다.
통상적으로 반도체 소자에서 커패시터의 전극, 트랜지스터의 전극 등을 형성하기 위해서 불순물이 도핑된 아몰포스실리콘막 또는 폴리실리콘막이 사용되고, 이때 불순물로는 인(Phosphorus) 등이 주로 사용된다. 종래에는 폴리실리콘막을 증착한 후 POCL3 공정을 거쳐서 인을 주입하였으나, 근래에는 인(Phosphorus)이 불순물로써 포함된 폴리실리콘막을 직접 기판 상에 증착한다.
이러한 불순물의 농도 측정에는 X선 분석 장치 및 SIMS(Secondary Ion Mass Spectroscopy) 등이 사용되고 있다. 그러나 SIMS의 경우 매질과 표면 상태에 극히 민감하고 본질적으로 파괴적인 분석방법이라는 문제점이 있으므로 X선 분석 장치가 보다 많이 사용된다.
상기 X선 분석 장치를 이용하여 기판에 도핑된 불순물의 농도를 정확하게 분석하기 위해서는 상기 X선 분석 장치는 상기 기판에 조사되는 X선은 일정한 세기를 갖아야 한다. 상기 X선 분석 장치에서 상기 X선이 일정한 세기를 값을 갖도록 하기 위해 작업자는 매주 1 내지 2회 정도 상기 X선 형광분석 장치에서 X선 감도가 일정한 값을 갖도록 유지 보수해야 한다.
즉, 상기 X선 분석 장치의 유지보수는 X선 감도의 측정값이 낮으면 작업자가 X선 분석 장치에서 X선 세기를 보정하면서 상기 X선 분석 장치의 상태를 일정하게 유지시켜야 한다.
그러나 이러한 유기 보수 작업은 별도의 기준 시료 다수 제작한 후 제작된 기준 시료들을 기판에 로딩시키는 단계, 로딩된 기준 시료들에 X선을 조사하여 조사된 X선의 세기를 측정하는 단계 및 기준 시료들을 언 로딩하는 단계를 순차적으로 수행해야 한다. 따라서, X선 형광분석 장치에서 X선 세기를 일정한 값을 갖도록 보정하는 공정시 그때마다 기준 웨이퍼를 로딩 및 언 로딩해야 하기 때문에 작업자의 시간 낭비를 가져올 뿐 아니라 테스트를 위한 기준웨이퍼를 별도로 제조하는 시간을 요하므로 생산성이 저하된다.
따라서 본 발명의 목적은 기준시료를 스테이지 상에 로딩 또는 언로딩하는 공정을 수행하지 않고, X선 발생부에서 생성되는 X선의 세기를 기 설정된 세기로 유지시키는 보정 작업을 수행할 수 있는 X선 분석 장치를 제공하는데 있다.
본 발명의 다른 목적은 기준시료를 스테이지 상에 로딩 또는 언로딩하는 공정을 수행하지 않고 X선 발생부에서 생성되는 X선의 세기를 기 설정된 세기로 유지시킬 수 있는 X선 세기의 보정 방법을 제공하는데 있다.
상기 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 X선 분석 장치는 챔버, X선 발생부, 기준시료를 갖는 스테이지 및 검출부를 포함한다. 상기 챔버는 X선을 이용하여 대상 기판에 형성된 박막의 불순물 농도 또는 두께를 측정하기 위한 공간을 제공한다. 상기 X선 발생부는 상기 챔버 상부에 구비되어 상기 챔버 내부의 기판으로 상기 X선을 조사한다. 상기 스테이지는 상기 챔버 내에 구비되어 상기 대상 기판을 지지하며, 상기 X선 발생부에서 조사되는 X선이 일정한 세기를 갖도록 상기 X선의 감도를 보정하는 공정시 이용되는 기준시료가 그 측면에 체결된 구조를 갖는다. 상기 검출부는 상기 챔버 일측에 구비되어 상기 대상 기판부터 반사되는 X 선의 세기 정도를 검출한다.
상기 X선 분석 장치는 대상 기판으로 반사되는 X선의 경로 상에 위치하는 분석 스플리터를 더 포함할 수 있다.
또한, 상기 검출부는 상기 챔버의 제1 측면에 위치하는 제1 검출부 및 상기 제1 검출부와 대향되도록 상기 챔버의 제2 측면에 배치된 제2 검출부를 포함할 수 있다.
상기 기준시료는 서로 다른 불순물이 도핑된 폴리실리콘 기준시편들, 서로 다른 두께를 갖는 텅스텐 기준시편들, 서로 다른 두께를 갖는 티타늄막 기준시편들 및 서로 다른 두께를 갖는 알루미늄 기준시편들을 포함한다.
또한, 상기 다른 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 X선 분석 장치의 X선 세기 보정 방법에 따르면 스테이지의 일 측면에 체결되는 기준시료에 포함된 제1 기준시편에 X선 발생부에서 생성된 X선을 조사하여 상기 제1 기준시편으로부터 반 사되는 X선의 제1 세기 값을 측정한다. 상기 기준시료에 포함된 제2 기준시편에 X선을 조사하여 상기 제2 기준시편으로부터 반사되는 X선의 제2 세기 값을 측정한다. 상기 제1 세기 값과 상기 제2 세기 값에 따른 기울기 값을 산출하여 상기 X선 발생부에서 조사되는 X선을 세기 값을 산출한다. 상기 산출된 X선의 세기 값을 기 설정된 X선의 세기 값을 갖도록 보정한다.
상기 보정 방법에 적용되는 제1 기준시편은 제1 두께 또는 제1 불순물 농도를 갖음으로 인해 상기 기 설정된 X선에 대하여 제1 감도를 갖고, 상기 제2 기준시편은 제1 두께보다 큰 제2 두께 또는 제1 농도 보다 높은 제2 불순물 농도를 갖음으로 인해 상기 기 설정된 X선에 대하여 제1 감도보다 낮은 제2 감도를 갖는다.
또한, 상기 기준시편은 불순물이 도핑된 폴리실리콘 박막, 텅스텐 박막, 티타늄막 박막 또는 알루미늄 박막 등을 포함할 수 있다. 상기 기준시료는 적어도 1종 이상의 기준시편을 포함한다.
본 발명에 따른 구성을 갖는 X선 분석 장치를 이용하여 X선 발생부에서 생성된 X선을 기 설정된 X선 세기 값을 갖도록 보정할 경우 기 설정된 특성을 갖는 별도의 기준시료를 마련하여 스테이지 상에 로딩 또는 언 로딩 공정을 수행 않고도 상기 X선 발생부에서 생성되는 X선의 세기를 기 설정된 X선의 세기로 유지시키는 보정 작업을 원활히 수행할 수 있다.
이하, 첨부된 도면들을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예들에 따른 상변화 구조물 형성 방법들에 대하여 상세하게 설명하겠지만, 본 발명이 하기의 실시예들에 제한되는 것은 아니며, 해당 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양한 다른 형태로 구현할 수 있을 것이다. 첨부된 도면에 있어서, 구성 요소들의 치수는 본 발명의 명확성을 기하기 위하여 실제보다 확대하여 도시한 것이다. 구성 요소들이 "제1", "제2"," 제3" 및/또는 "제4"로 언급되는 경우, 이러한 구성 요소들을 한정하기 위한 것이 아니라 단지 구성 요소들을 구분하기 위한 것이다. 따라서 "제1", "제2", "제3" 및/또는 "제4"는 구성 요소들에 대하여 각기 선택적으로 또는 교환적으로 사용될 수 있다. 제1 구성 요소가 제2 구성 요소의 "상"에 형성되는 것으로 언급되는 경우에는 제1 구성 요소가 제2 구성 요소의 위에 직접 형성되는 경우뿐만 아니라 제1 구성 요소 및 제2 구성 요소 사이에 제3 구성 요소가 개재될 수 있다.
도 1은 본원 발명에 따른 X선 분석장치의 개략도이고, 도 2는 도 1에 개시된 X선 분석장치의 스테이지를 나타내는 사시도이다.
도 1 및 도 2를 참조하면, X선 분석 장치는 크게 챔버(110), X선 발생부(120), 검출부(130), 기준시료를 포함하는 스테이지(140) 및 분석 스플릿터(150)를 포함한다.
상기 챔버(110)는 X선 발생장치에서 발생된 X선을 이용하여 대상 기판에 형성된 박막의 불순물 농도 또는 두께를 측정하기 위한 공간을 제공한다. 상기 챔버(110)는 상기 X선 발생부(120)와 연통되는 제1 입구, 상기 검출부(130)와 연통되는 제2 입구들을 포함한다.
X선 발생부(120)는 X선관(X-ray tube; 미도시), 고전압 발생기(High voltage generator; 미도시) 및 각종 보안회로(미도시)를 포함하는 구성을 갖는다. 상기 X선관은 열 전자 2극 진공관으로 가열된 음극(일반적으로 텅스텐 필라멘트)으로부터 나온 열 전자를 가속시켜 대 음극에 충돌시켜 X선을 생성한다. 상기 대 음극을 향한 전자의 흐름은 일반적으로 넓게 퍼지므로 베넬트 원통(Wehnelt cylinder)에 적당한 전장을 걸어서 전자 흐름의 발산을 막는다. 상기 X 선관에는 20 내지 60 kV의 전압과 최대 50 mA의 전류가 사용된다. 상기 고전압 발생기는 X선을 생성하기 위해 X선관에 음의 고전압을 발생시켜 공급한다. 상기 보안회로는 X선 생성시 X 선 발생부의 과부하, 고전압, 저전압 등을 경고한다.
검출부(130) 상기 챔버(110) 일측에 구비되어 상기 대상 기판부터 반사되는 X선을 제공받아 상기 반사된 X선의 세기 정도를 검출한다. 즉, 대상 기판부터 반사된 X선의 세기 값을 측정한다. 본 실시예에서 상기 검출부(130)는 한 쌍이 구비된다. 즉, 검출부(130)는 상기 챔버의 제1 측면에 위치하는 제1 검출부 및 상기 제1 검출부와 대향되도록 상기 챔버의 제2 측면에 배치된 제2 검출부를 포함할 수 있다. 상기 검출기의 예로서는 비례 계수관(Proportional Counter, PC) 또는 신틸레이션 계수관(Scintillation Counter, SC) 등을 들 수 있다.
상기 검출부에서 검출되는 X선은 대상 기판에서 반사된 X선이 분석 스플릿터(150)를 통과하여 생성된 특정 X선이다. 이때, 상기 대상 기판에서 반사되는 X선은 대상 기판에 X선을 조사하여 전자가 높은 에너지 준위로 이동했다가 다시 낮은 에너지 준위로 이동하면서 발생하는 X선에 해당한다.
상기 분석 스플릿터(150)는 상기 대상 기판에서 반사되는 X선의 경로 상에 위치하고, 상기 대상 기판에서 반사되는 X선 중에서 특정 파장을 갖는 특성 X선만을 필터링 한다.
상기 스테이지(140)는 상기 챔버(110) 내부에 구비되어 상기 대상 기판을 지지하며, 상기 X선 발생부에서 조사되는 X선이 일정한 세기를 갖도록 상기 X선의 감도를 보정하는 공정시 이용되는 기준시료(144)를 포함한다.
구체적으로 상기 스테이지는 도 2에 도시된 바와 같이 상기 분석하고자 하는 대상 기판을 지지하는 기판 지지부(142)와 상기 기판 지지부(142)의 일 측면에 구비되는 X선 세기 보정용 기준시료(144)를 포함한다. 즉, 상기 기준시료(144)는 상기 기판 지지부(142)의 일 측면에 일체형으로 체결된다. 상기 기준시료(144)는 적어도 하나의 기준시편들을 포함한다.
일 예로, 상기 기준시료(144)는 서로 다른 불순물이 도핑된 폴리실리콘 기준시편들, 서로 다른 두께를 갖는 텅스텐 기준시편들, 서로 다른 두께를 갖는 티타늄막 기준시편들 및 서로 다른 두께를 갖는 알루미늄 기준시편들 등을 포함한다. 즉, 상기 기준시료(144)는 상기 적어도 한 종류 이상의 기준시편(146)들을 포함하는 것이 바람직하다. 또한, 상기 기준시편의 예로서는 불순물이 도핑된 폴리실리콘 박막, 텅스텐 박막, 티타늄막 박막, 알루미늄 박막 등을 들 수 있다.
상기 각각의 기준시편(146)들은 제1 기준시편(146a) 및 제2 기준시편(146b)을 포함한다. 상기 제1 기준시편(146a)은 제1 두께 또는 제1 불순물 농도를 갖음으로 인해 상기 기 설정된 X선에 대하여 제1 감도를 갖는다. 상기 제2 기준시편(146b)은 제1 두께보다 큰 제2 두께 또는 제1 농도 보다 높은 제2 불순물 농도를 갖음으로 인해 상기 기 설정된 X선에 대하여 제1 감도보다 낮은 제2 감도를 갖는다. 일 예로서, 상기 제1 기준시편의 감도(intensity)가 20kv 이상일 경우 상기 제2 기준시편의 감도는 약 1kv 미만인 것이 바람직하다.
또한, 상기 각각의 기준시편들의 폭은 상기 기준시편에 조사되는 X선의 보다 큰 것이 바람직하다. 일 예로서, 상기 X선의 폭이 약 40mm일 경우 상기 기준시편의 폭은 약 80mm정도를 갖는 것이 바람직하다.
이하, 상기 X선 분석 장치를 이용하여 X선 발생부에서 생성된 X선의 세기를 보정하는 방법을 설명하기로 한다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 X선 분석 장치에 적용되는 X선의 보정 방법을 나타내는 순서도이다.
도 3을 참조하면, X선 발생부에서 생성된 X선을 기 설정된 X선 세기 값을 갖도록 보정하기 위해서, 기판 지지부의 측면에 체결된 기준시료에 포함되는 제1 기준시편으로부터 반사되는 X선의 제1 세기 값을 측정한다(S110).
단계 S110을 구체적으로 설명하면, 먼저 X선 분석 장치의 스테이지에 포함된 기준시료의 위치와 X선 분석장치의 X선 발생부를 얼라인 한다. 이어서, X선 분석장치의 X선 발생부에서 생성되는 X선을 상기 기준시료에 포함된 제1 기준시편에 조사한다. 이어서, 제1 기준시편으로부터 반사되는 X선을 도 1에 도시된 검출부를 이용하여 그 세기를 검출한다. 즉, 검출된 X선은 제1 세기를 갖는다.
상기 제1 기준시편은 제1 두께 또는 제1 불순물 농도를 갖음으로 인해 상기 기 설정된 X선에 대하여 제1 감도를 갖는다.
일 예로서, 상기 제1 기준시편은 약 40kv로 설정된 세기를 갖는 X선이 조사될 경우 약 20kv의 세기를 갖는 X선을 방출하는 특성을 갖는 시료이다.
따라서, 상기 제1 기준시편으로 반사되는 X선의 제1 세기가 약 20kv를 초과할 경우 상기 X선 발생부에서 생성되는 X선의 세기는 기 설정된 X선의 세기보다 더 큼을 알 수 있다. 반면에 상기 제1 기준시편으로 반사되는 X선의 제1 세기가 약 20kv 미만일 경우 상기 X선 발생부에서 생성되는 X선의 세기는 기 설정된 X선의 세기보다 작음을 알 수 있다.
상기 기준시료에 포함된 제2 기준시편에 상기 X선을 조사하여 상기 제2 기준시편으로부터 반사되는 X선의 제2 세기 값을 측정한다(S120).
단계 S120을 구체적으로 설명하면, 먼저 X선 발생부에서 생성된 X선을 상기 기준시료에 포함된 제2 기준시편에 조사한다. 이어서, 제2 기준시편으로부터 반사되는 X선을 검출부를 이용하여 그 세기를 검출한다. 즉, 검출된 X선은 제2 세기를 갖는다.
상기 제2 기준시편은 제1 두께보다 큰 제2 두께 또는 제1 농도 보다 높은 제2 불순물 농도를 갖음으로 인해 상기 기 설정된 X선에 대하여 제1 감도보다 낮은 제2 감도를 갖는다.
일 예로서, 상기 제2 기준시편은 약 40kv로 설정된 세기를 갖는 X선이 조사될 경우 약 1kv 이하의 세기를 갖는 X선을 방출하는 특성을 갖는 시료이다. 따라서, 상기 제2 기준시편으로 반사되는 X선의 제2 세기가 약 1kv를 초과할 경우 상기 X선 발생부에서 생성되는 X선의 세기는 기 설정된 X선의 세기보다 더 큼을 알 수 있다. 반면에 상기 제2 기준시편으로 반사되는 X선의 제2 세기가 약 1kv 미만일 경우 상기 X선 발생부에서 생성되는 X선의 세기는 기 설정된 X선의 세기보다 작음을 알 수 있다.
상기 제1 세기 값과 상기 제2 세기 값에 따른 기울기 값을 산출한다(S130).
단계 S130을 구체적으로 설명하면, 상기 제1 기준시편으로 반사되는 X선의 상기 제1 세기 값과 제2 기준시편으로 반사되는 X선의 제2 세기 값을 지나는 라의 기울기 값을 산출한다.
이어서, 측정된 기울기 값을 이용하여 상기 제1 기준시편 및 제2 기준시편에 조사되는 X선의 세기 값을 측정한다(S140). 이때, 제1 기준시편 및 제2 기준시편에 조사되는 X선의 세기 값은 동일한 기준 시편에 대한 X선 세기 값의 변화에 따른 기준 기울기 값들에 상기 측정된 기울기 갑을 비교함으로써 측정할 수 있다.
상기 측정된 X선의 세기 값을 기 설정된 X선의 세기 값을 갖도록 보정한다(S150).
단계 S150을 구체적으로 설명하면, 상기 측정된 X선의 세기 값이 기 설정된 X선의 세기 값 보다 작을 경우 상기 X선 발생부에 인가되는 전압의 파워를 증가시켜 상기 제1 기준시편과 제2 기준시편에 조사되는 X선의 세기를 보정할 수 있다. 반면에 상기 측정된 X선의 세기 값이 기 설정된 X선의 세기 값 보다 클 경우 상기 X선 발생부에 인가되는 전압의 파워를 감소시켜 상기 제1 기준시편과 제2 기준시편에 조사되는 X선의 세기를 보정할 수 있다.
본 발명은 X선 발생부에서 생성된 X선을 기 설정된 X선 세기 값을 갖도록 보정할 경우 별도의 기준 웨이퍼를 제작하지 않고, 별도의 기준 시료를 스테이지에 일체형으로 구비시킴으로써 X선 세기 값의 보정 시간을 단축하 수 있다. 즉, 별도의 기준시료를 마련하여 스테이지 상에 로딩 또는 언 로딩 공정을 수행 않고도 상기 X선 발생부에서 생성되는 X선의 세기를 기 설정된 X선의 세기로 유지시키는 보정 작업을 원활히 수행할 수 있다.
상술한 바와 같이, 본 발명의 바람직한 실시예를 참조하여 설명하였지만 해당 기술 분야의 숙련된 당업자라면 하기의 특허 청구범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.

Claims (7)

  1. X선을 이용하여 대상 기판에 형성된 박막의 불순물 농도 또는 두께를 측정하기 위한 공간을 제공하는 챔버;
    상기 챔버 상부에 구비되어 상기 챔버 내부의 기판으로 상기 X선을 제공하는 X선 발생부;
    상기 챔버 내에 구비되어 상기 대상 기판을 지지하며, 상기 X선 발생부에서 조사되는 X선이 일정한 세기를 갖도록 상기 X선의 감도 보정 공정시 이용되는 기준시료를 포함하는 스테이지; 및
    상기 챔버 일측에 구비되어 상기 대상 기판부터 반사되는 X 선의 세기 정도를 검출하는 검출부를 포함하는 X선 분석 장치.
  2. 제1 항에 있어서, 상기 대상 기판으로 반사되는 X선의 경로 상에 위치하는 분석 스플릿터를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 X선 분석 장치.
  3. 제1 항에 있어서, 상기 검출부는 상기 챔버의 제1 측면에 위치하는 제1 검출부 및 상기 제1 검출부와 대향되도록 상기 챔버의 제2 측면에 배치된 제2 검출부를 포함하는 것을 특징으로 하는 X선 분석 장치.
  4. 제1 항에 있어서, 상기 기준시료는 서로 다른 불순물이 도핑된 폴리실리콘 기준시편들, 서로 다른 두께를 갖는 텅스텐 기준시편들, 서로 다른 두께를 갖는 티타늄막 기준시편들 및 서로 다른 두께를 갖는 알루미늄 기준시편들로 이루어진 군으로부터 선택된 적어도 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 X선 분석 장치.
  5. 스테이지에 포함된 기준시료의 제1 기준시편에 X선을 조사하여 상기 제1 기준시편으로부터 반사되는 X선의 제1 세기 값을 측정하는 단계;
    상기 기준시료에 포함된 제2 기준시편에 상기 X선을 조사하여 상기 제2 기준시편으로부터 반사되는 X선의 제2 세기 값을 측정하는 단계;
    상기 제1 세기 값과 상기 제2 세기 값에 따른 기울기 값을 산출하여 상기 제1 및 제2 기준시편에 조사되는 X선을 세기 값을 측정하는 단계; 및
    상기 측정된 X선의 세기 값을 기 설정된 X선의 세기 값을 갖도록 보정하는 단계를 포함하는 X선 분석 장치의 X선 세기 보정 방법.
  6. 제5 항에 있어서, 상기 제1 기준시편은 제1 두께 또는 제1 불순물 농도를 갖음으로 인해 상기 기 설정된 X선에 대하여 제1 감도를 갖고, 상기 제2 기준시편은 제1 두께보다 큰 제2 두께 또는 제1 농도 보다 높은 제2 불순물 농도를 갖음으로 인해 상기 기 설정된 X선에 대하여 제1 감도보다 낮은 제2 감도를 갖는 것을 특징으로 하는 X선 분석 장치의 X선 세기 보정 방법.
  7. 제5 항에 있어서, 상기 기준시편은 불순물이 도핑된 폴리실리콘 박막, 텅스 텐 박막, 티타늄막 박막, 알루미늄 박막으로 이루어진 군으로부터 선택된 어느 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 X선 분석 장치의 X선 세기 보정 방법.
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