KR20080003898A - Ｌｅｄ계 조명용 적색 인광체 - Google Patents

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Abstract

화학식 (RE1-yCey)Mg2-xLixSi3-xPxO12로 표시되는 인광체 조성물로서, RE는 Sc, Lu, Gd, Y 및 Tb 중 적어도 하나이고, 0.0001<x<0.1 및 0.001<y<0.1인 인광체 조성물이 개시된다. 적어도 하나의 다른 인광체와 조합되어 청색 또는 UV LED 유래의 복사선으로 처리될 때, 상기 인광체들을 넓은 색 온도 범위에서 높은 CRI를 가진 색상 품질이 양호한 백색광원을 제공할 수 있다. 또한, 상기 인광체와 다른 인광체의 블렌드도 개시된다.
인광체, LED계 조명, 백색광, 인광체 블렌드

Description

ＬＥＤ계 조명용 적색 인광체{RED PHOSPHOR FOR LED BASED LIGHTING}
본 발명의 예시적 양태들은 신규 인광체 조성물에 관한 것이다. 본 발명은 LED에 의해 발생된 자외선(UV), 자색선 또는 청색선을 일반 조명 목적의 백색광 또는 다른 유색 광으로 변환시키는 것과 관련된 특정 용도에 관한 것이다. 하지만, 본 발명은 또한 Hg계 형광 램프의 복사선 전환에, 전산화단층촬영(CT) 및 양전자방사단층촬영(PET)의 섬광성 검출기 부재로서, UV 레이저, 자색 레이저 및/또는 청색 레이저, 뿐만 아니라 여러 용도들에 사용되는 다른 백색 또는 유색 광원에도 적용될 수 있다.
발광 다이오드(LED)는 백열등과 같은 여타 광원의 대용으로 종종 사용되는 반도체 발광기(ligth emitter)이다. 이것은 특히 디스플레이광, 경고등 및 지시등으로서, 또는 유색등이 필요한 다른 용도들에 특히 유용하다. LED에 의해 생기는 광의 색은 LED 제조에 사용된 반도체 소재의 종류에 따라 달라진다.
유색 반도체 발광 장치, 예컨대 발광 다이오드 및 레이저(본 명세서에서는 이 둘을 총괄하여 LED라 지칭한다)는 갈륨 니트라이드(GaN)와 같은 III족-V족 합금으로부터 생산되고 있다. LED를 만들기 위해, 상기 합금 층은 보통 탄화규소 또는 사파이어와 같은 기재 위에 에피택셜하게(epitaxially) 침착되고, 발광 효율과 같 은 성질을 개선시키기 위해 각종 n형 및 p형 도판트(dopant)를 혼입시킬 수 있다. GaN계 LED에 있어서, 광은 일반적으로 UV 및/또는 청색 범위의 전자기 스펙트럼에서 방출된다. LED는 요근래에도 LED에 의해 생긴 광의 고유 색으로 인해, 밝은 백색광이 필요한 조명 용도에 적합하지 않은 것이었다.
최근, LED로부터 방출된 광을 조명 목적의 유용한 광으로 변환시키는 기술이 개발되었다. 한가지 기술은 LED를 인광체 층으로 코팅 또는 도포하는 것이다. 인광체는 전자기 스펙트럼의 일부분에서 복사선 에너지를 흡수하고 다른 부분의 전자기 스펙트럼에서 에너지를 방출하는 발광 물질이다. 중요한 인광물질의 한 부류는 소량의 다른 성분("활성제"라 지칭함)이 효과적인 형광 물질로의 변환을 위해 첨가된 일정 조성의 화학적 순도가 매우 높은 결정형 무기 화합물이다. 활성제와 주성분인 무기 화합물의 정확한 조합으로, 방출 색이 제어될 수 있다. 가장 유용하고 공지된 인광체는 가시 범위 외의 전자기 복사선에 의한 여기에 대한 반응으로 전자기 스펙트럼의 가시 부위에서 복사선을 방출한다.
LED에 의해 발생된 복사선에 의해 여기되는 인광체의 개재 시, 스펙트럼의 가시 범위의 광과 같은 다른 파장의 광이 발생될 수 있다. 유색 LED는 종종 장난감, 표시등 및 다른 장치에 사용된다. 사용자 주문 색과 더 높은 명도를 수득하기 위해 제조업자들은 상기 LED에 사용할 새로운 유색 인광체를 조사하고 있는 중이다.
유색 LED외에, LED 유래의 광과 인광물질 유래의 광의 조합이 백색광의 발생에 사용될 수 있다. 가장 일반적인 백색 LED는 청색 방출성 GaInN 칩(chip)을 바탕 으로 한다. 청색 방출성 칩은 청색 복사선의 일부를 보색, 예컨대 황색-녹색 방출물로 변환시키는 인광체로 코팅된다. 이러한 인광체 유래의 광과 LED 칩 유래의 광의 합은 대응하는 색좌표(x 및 y)와 이에 상관된 색 온도(CCT)를 지닌 색점(color point)을 제공하고, 이의 분광 분포는 연색지수(color rendering index: CRI)로 측정되는 연색능을 제공한다.
CRI는 일반적으로 8가지 표준 색 표본(R1-8)의 평균값, 즉 보통 평균연색지수로 불리고, 약어 Ra로 표시되는 값으로 정의되지만, 국제적으로 14가지 표준 색 표본이 지정되어 있고 이들의 평균값으로서 더 광범한 CRI(R1-14)를 계산할 수 있다.
공지된 백색광 방출 장치의 하나는 최고 방출 파장이 청색 범위(약 440nm 내지 약 480nm)에 있는 청색광 방출 LED와 함께, 세륨 혼입된 이트륨 알루미늄 가넷 Y3Al5O12:Ce3+("YAG")와 같은 인광체를 함유한다. 이러한 인광체는 LED에서 방출된 복사선의 일부를 흡수하고, 흡수된 복사선을 황색-녹색 광으로 변환시킨다. LED에 의해 방출된 나머지 청색광은 인광체를 통해 투과되어 인광체에 의해 방출된 황색광과 혼합된다. 관찰자는 이러한 청색과 황색광의 혼합물을 백색광으로서 인지한다.
전술한 청색 LED-YAG 인광체 장치는 일반적으로 평균연색지수(Ra)가 약 70 내지 82 사이이고 가변 색온도가 약 4000K 내지 8000K 범위인 백색광을 생산한다. 보통 일반적인 조명 용도에는 청색 LED-YAG 방식에 의해 가능한 것보다 높은 CRI와 낮은 CCT 값이 필요하다. CRI를 향상시키기 위한 노력으로, CaS:Eu2+ 또는 (Ba,Sr,Ca)2Si5N8:Eu2+와 같은 적색 인광체를 비롯한 1 이상의 다른 인광체와 YAG 인광체의 블렌드(blend)를 이용하는 근래 시판되는 LED는 색온도 4000K 이하와 Ra 90 정도를 제공한다.
효과적이지만, 이러한 인광체들은 이 인광체 중의 Eu2 + 흡수 밴드와 다른 인광체 유래의 방출과의 중첩으로 인해 조명 장치에 존재할 수 있는 다른 인광체(예, YAG) 유래의 방출을 재흡수할 수 있다. 이것은 결과적으로 전체 램프 성능의 추가 손실로 이어진다.
따라서, 단일 인광체 성분으로서 사용되거나 또는 백색 LED 및 유색 LED의 제조 시는 물론 다른 용도들에서 인광체 블렌드의 일부로서 사용될 수 있는 또 다른 적색 인광체 조성물에 대한 요구는 계속되고 있다. 이러한 인광체 조성물은 양호한 색상 품질(CRI>80)과 광범위의 색 온도를 가진 광원을 생산하는 능력을 비롯한 바람직한 성질을 가진 매우 다양한 LED를 제공할 것이다.
간단한 설명
제1 관점으로서, 본 발명은 (RE1 - yCey)Mg2 - xLixSi3 - xPxO12 (여기서, RE는 Sc, Lu, Gd, Y 및 Tb 중 적어도 하나이고, 0.0001<x<0.1 및 0.001<y<0.1 이다)를 포함하는 희토류 옥시니트라이드 인광물질을 제공한다.
제2 관점으로서, 본 발명은 최고 방출 범위가 약 250 내지 약 550nm인 반도체 광원과 위에 정의된 희토류 옥시니트라이드 인광체를 포함하는 발광 장치를 제공한다.
제3 관점으로서, 본 발명은 위에 정의된 제1 희토류 옥시니트라이드 인광체와 하나 이상의 다른 인광체를 포함하는 인광체 블렌드로서, 이러한 인광체 블렌드가 일반 조명에 사용하기에 적합한 광을 단독으로 또는 상기 인광체 블렌드에 복사적 연결된 반도체 광원에 의해 방출된 복사선과 함께 방출할 수 있는 인광체 블렌드를 제공한다.
도 1은 본 발명의 제1 양태에 따른 조명 시스템의 개략적 횡단면도이다.
도 2는 본 발명의 제2 양태에 따른 조명 시스템의 개략적 횡단면도이다.
도 3은 본 발명의 제3 양태에 따른 조명 시스템의 개략적 횡단면도이다.
도 4는 본 발명의 제4 양태에 따른 조명 시스템의 절단 측면 투시도이다.
상세한 설명
인광체는 복사선(에너지)을 가시광으로 변환시킨다. 인광체의 다른 조합은 다른 색의 발광을 제공한다. 인광체 유래의 유색광은 색온도를 제공한다. 본 발명에서는 신규 인광체 조성물뿐만 아니라 이들의 LED 및 다른 광원에서의 용도를 제공한다.
인광체 변환 물질(인광물질)은 발생된 UV 또는 청색 복사선을 다른 파장의 가시광으로 변환시킨다. 발생된 가시광의 색은 인광물질의 구체적인 성분에 따라 달라진다. 인광물질은 단일 인광체 조성물만을 포함하거나, 또는 기본색의 2 이상 의 인광체, 예컨대 바람직한 색(색조)의 광을 방출하는 황색과 적색 인광체의 1 이상의 특별한 혼합물을 포함할 수 있다. 본 명세서에 사용된, "인광물질"이란 용어는 단일 인광체뿐만 아니라 2 이상의 인광체의 블렌드를 포함하는 것을 의미한다.
밝은 백색광을 생성하는 LED 램프는 광원으로서 LED에 바람직한 품질을 부여하는데 유용한 것으로 측정되었다. 따라서, 본 발명의 일 양태에서는 백색광을 제공하는 발광 물질 인광체 변환 물질 코팅된 LED 칩이 개시된다. 여기서, 인광물질은 각 인광체이거나, 또는 특정 파장의 복사선, 예컨대 UV 내지 가시성 LED에 의해 방출된 약 250 내지 550nm의 복사선을 다른 파장의 가시광으로 변환시키는 각 인광체를 포함하는 2 이상의 인광체 조성물의 인광체 블렌드일 수 있다. 인광물질( 및 가시광을 방출한다면 LED 칩)에 의해 제공되는 가시광은 높은 강도와 밝기를 가진 밝은 백색광을 포함한다.
도 1을 살펴보면, 본 발명의 바람직한 일 구조에 따른 예시적인 LED계 발광 어셈블리 또는 램프(10)가 도시되어 있다. 발광 어셈블리(10)는 반도체 UV 또는 반도체 UV 또는 가시 복사선 근원, 예컨대 발광 다이오드(LED) 칩(12) 및 이 LED 칩에 전기적으로 부착된 납(14)을 포함한다. 납(14)은 얇은 와이어와 이를 지지하고 있는 보다 두꺼운 납 프레임(들)(16)을 포함할 수 있고, 또는 납 프레임 없이 자립성 전극을 포함할 수도 있다. 납(14)은 LED 칩(12)에 전류를 제공하여 LED 칩(12)이 복사선을 방출하게 한다.
램프는 여기서 방출된 복사선이 인광체 위로 유도될 때 백색광을 생성할 수 있는 임의의 반도체 가시광원 또는 UV 광원을 포함할 수 있다. 본 발명에서 바람직 한 LED 칩의 최고 방출은 개시된 양태들에 존재하는 인광체의 정체에 따라 달라질 것이며, 예컨대 250 내지 550nm 범위일 수 있다. 하지만, 바람직한 일 양태에서, LED의 방출은 거의 UV 내지 진한 청색 영역에서 일어나는 것이며, 약 350 내지 약 430nm 범위에서 최고 파장을 나타낸다. 그 다음 일반적으로 반도체 광원은 각종 혼입물이 첨가된 LED를 포함한다. 따라서, LED는 임의의 적합한 III족-V족, II족-VI족 또는 IV족-IV족 반도체 층을 기초로 하고 약 250 내지 550nm의 방출 파장을 가진 반도체 다이오드를 포함할 수 있다.
바람직하게는, LED는 GaN, ZnSe 또는 SiC를 포함하는 적어도 하나의 반도체 층을 함유할 수 있다. 예를 들어, LED는 약 250nm 초과, 약 550nm 미만의 최고 방출 파장을 가진 화학식 IniGajAlkN(여기서, 0≤i; 0≤j; 0≤k이고 i+j+k=1이다)으로 표시되는 니트라이드 화합물 반도체를 포함할 수 있다. 이러한 LED 반도체는 당업계에 공지되어 있다. 복사원은 본 명세서에서 편의상 LED로 표현했다. 하지만, 본 명세서에서 이 용어는 반도체 레이저 다이오드 등을 비롯한 모든 반도체 복사원을 포함하는 것을 의미한다.
본 명세서에서 논의된 본 발명의 예시적 구조들에 대한 전반적인 논의는 무기 LED계 광원에 대한 것이지만, LED 칩은 별다른 표시가 없는 한 유기 발광 구조 또는 다른 복사원으로 대체될 수 있으며, LED 칩이나 반도체에 대한 모든 언급은 임의의 적당한 복사원을 단지 대표하는 것뿐인 것으로 이해해야 한다.
LED 칩(12)은 LED 칩과 캡슐화재(encapsulant material)(20)를 동봉하는 외 피(shell)(18) 안에 캡슐화될 수 있다. 외피(18)는 예를 들어 유리 또는 플라스틱일 수 있다. LED(12)는 캡슐화재(20) 내의 거의 중앙에 위치하는 것이 바람직하다. 캡슐화재(20)는 에폭시, 플라스틱, 저온 유리, 폴리머, 열가소성 물질, 열경화성 물질, 수지 또는 당업계에 공지된 다른 종류의 LED 캡슐화 물질인 것이 바람직하다. 경우에 따라, 캡슐화재(20)는 스핀온글라스(spin-on glass)이거나 몇몇 다른 높은 굴절지수의 물질이다. 캡슐화재(20)는 에폭시 또는 폴리머 물질, 예컨대 실리콘인 것이 바람직하다. 외피(18)와 캡슐화재(20)는 둘다 LED 칩(12)과 인광물질(22)에 의해 생성된 광의 파장에 대해 투명하거나 거의 광학적 투과성인 것이 바람직하다(이하에 설명됨). 대안적 양태에서, 램프(10)는 외측 외피(18)없이 캡슐화재만을 함유할 수도 있다. LED 칩(12)은 예컨대 납 프레임(16)에 의해, 자립성 전극에 의해, 외피(18)의 바닥에 의해 또는 외피 또는 납 프레임에 설치된 받침대(도시 안됨)에 의해 지지될 수 있다.
조명 시스템의 구조는 LED 칩(12)에 복사적 연결된 인광물질(22)을 포함한다. 복사적 연결된(radiationally coupled)이란 표현은 한 부재 유래의 복사선이 다른 부재로 투과되도록 부재들이 서로 결합되어 있음을 의미한다.
이러한 인광물질(22)은 임의의 적당한 방법에 의해 LED(12) 위에 침착된다. 예를 들어, 인광물질(들)의 수계 현탁액을 만들어서, LED 표면에 인광체 층으로서 적용할 수 있다. 이러한 하나의 방법으로서, 인광체 입자가 불규칙하게 현탁되어 있는 실리콘 슬러리를 LED 주위에 배치한다. 이 방법은 인광물질(22)과 LED(12)의 가능한 위치들의 일 예일 뿐이다. 즉, 인광물질(22)은 LED 칩(12) 위에 인광체 현 탁액의 코팅 및 건조에 의해 LED 칩(12)의 발광 표면 위에 코팅되거나 또는 그 표면에 직접 코팅될 수 있다. 외피(18)와 캡슐화재(20)는 모두 상기 부재들을 통해 광(24)이 투과될 수 있도록 투명해야 한다. 일 양태에 따르면, 인광물질의 중간 입자 크기는 약 1 내지 약 10 미크론 범위일 수 있으나, 이에 국한되는 것은 아니다.
도 2는 본 발명의 바람직한 관점에 따른 제2의 바람직한 시스템 구조를 도시한 것이다. 도 2에 도시된 양태의 구조는 도 1과 유사하지만, 단 인광물질(122)이 LED 칩(112) 위에 직접 형성되지 않고, 캡슐화재(120) 내에 산재되어 있다. 인광물질(분말 형태)은 캡슐화재(120)의 단일 영역 내에 산재되어 있을 수 있고, 또는 더 바람직하게는 캡슐화재 전체 부피를 통한 산재되어 있을 수 있다. LED 칩(112)에 의해 방출된 복사선(126)은 인광물질(122)에 의해 방출된 광과 혼합되고, 혼합된 광은 백색광(124)으로서 나타난다. 인광체가 캡슐화재(120) 내에 산재되어 있어야 한다면, 인광체 분말은 폴리머 전구체에 첨가되어 LED 칩(112) 주위에 부하될 수 있고, 그 다음 폴리머 전구체를 경화시켜 폴리머 물질을 응고시킬 수 있다. 또한, 다른 공지된 인광체 산재 방법, 예컨대 트란스퍼 로딩(transfer loading)을 사용할 수도 있다.
도 3은 본 발명의 바람직한 관점에 따른 시스템의 바람직한 제3 구조를 도시한 것이다. 도 3에 도시된 양태의 구조는 도 1과 유사하나, 인광물질(222)이 LED 칩(212) 위에 형성되지 않고, 외피(218)의 표면 위에 코팅되어 있다. 인광물질은 외피(218) 내면에 코팅되는 것이 바람직하나, 필요하다면 외피의 외측 표면에 코팅될 수도 있다. 인광물질(222)은 외피 전면에 코팅되거나 또는 외피 표면의 정상부 에만 코팅될 수도 있다. LED 칩(212)에 의해 방출된 복사선(226)은 인광물질(222)에 의해 방출된 광과 혼합되고, 혼합된 광은 백색광(224)으로서 나타난다. 물론, 도 1 내지 3의 구조는 조합될 수 있고, 인광체는 임의의 두 위치 또는 세 위치 모두에 존재하거나, 또는 다른 임의의 적당한 위치, 예컨대 외피와 분리되어, 또는 LED 내에 통합되어 존재할 수도 있다.
전술한 임의의 구조에서, 램프(10)는 또한 캡슐화재 내에 매립된 복수의 산란 입자(도시 안됨)를 포함할 수도 있다. 산란 입자는 알루미나 분말과 같은 Al2O3 입자 또는 TiO2 입자 등을 포함할 수 있다. 산란 입자는 LED 칩으로부터 방출된 간섭광을 효과적으로 산란하고, 흡수 양은 미미한 것이 바람직하다.
도 4에 도시된 바람직한 제4 구조를 살펴보면, LED 칩(412)은 반사 컵(430) 안에 설치될 수 있다. 컵(430)은 반사 물질, 예컨대 알루미나, 티타니아 또는 당업계에 공지된 다른 유전 분말로 제조되거나 코팅될 수 있다. 바람직한 반사 물질은 Al2O3이다. 도 4에 도시된 양태의 나머지 구조는 앞의 도면들에 제시된 것과 같고, 2개의 납(416), LED 칩(412)을 제2 납과 전기적으로 연결하는 전도성 와이어(432), 및 캡슐화재(420)를 포함한다.
일 양태에서, 본 발명은 전술한 LED 광에서 인광체 조성물(22)에 단독으로 또는 블렌드의 일부로서 사용될 수 있는 신규 인광체 조성물로서, 화학식 (RE1-yCey)Mg2-xLixSi3-xPxO12 로 표시되며, 여기서 RE는 Sc, Lu, Gd, Y 및 Tb 중 적어도 하 나이고, 0.0001<x<0.1 내지 0.001<y<0.1인 인광체 조성물을 제공한다. RE는 Lu인 것이 바람직하다.
본 양태에 바람직한 인광체는 Lu1 .91Ce0 .09CaMg1 .95Li0 .05Si2 .95P0 .05O12이다.
이러한 인광체는 1931 CIE 색도도에서 방출 색좌표(ccx, ccy)가 (0.55, 0.445)이다. 이 인광체는 2003년 10월 29일자로 제출된 함께 양도되어 공계류중인 특허원 10/696,637에 개시되고 (0.535,0.46)의 색점을 가진 Lu1.91Ce0.09CaMg2Si3O12 인광체보다 더 적색인 방출 색상을 나타낸다.
도판트로서 Ce3+의 이용은 다른 적색 인광체에 비해, 다른 인광체가 존재할 때 수득되는 조명 장치의 효율을 증가시킬 수 있다. 즉, Eu2+ 혼입된 인광체는 장치에 존재하는 다른 인광체에 의해 방출된 복사선을 흡수하는 반면 Ce3+는 통상 그렇지 않은 것으로 알려져 있기 때문에, Eu2+ 농도의 감소로 인해 상기 인광체에 의해 방출된 광이 더 적게 흡수되는 바, 다른 인광체 존재(예, YAG) 시, 장치 패키지 효율을 증가시키는 추가 이점을 나타낸다.
전술한 인광체는 청색 또는 UV LED 칩을 보유한 많은 용도들에 단독으로도 적합하지만, 백색광 LED 광원에 사용 시에는 하나 이상의 다른 인광체와 배합할 수 있다. 따라서, 다른 양태로서, 상기 양태들 중 한 양태 유래의 인광체와 백색광 방출 장치를 형성하는 하나 이상의 다른 인광체를 배합한 블렌드를 함유하는 인광체 조성물을 포함하는 LED 조명 어셈블리가 제공된다.
이러한 인광체들은 CCT가 2500 내지 10,000K 범위이고 CRI가 50 내지 99 범위인 백색광 방출 장치를 생성하기 위해 적당한 인광체와 배합될 수 있다. 인광체 블렌드에 본 발명의 인광체와 사용하기에 적합한 인광체의 비제한적 예는 이하에 기술한다.
인광체 블렌드에 사용되는 각 인광체의 구체적 함량은 원하는 색 온도에 따라 달라진다. 인광체 블렌드에 존재하는 각 인광체의 상대적 함량은 분광 중량으로서 표현할 수 있다. 분광 중량은 각 인광체가 장치의 총 방출 스펙트럼에 기여하는 상대적 함량이다. LED 원 유래의 각 인광체 및 임의의 나머지 방출물 전체의 분광 중량의 함량은 합계 100% 이하가 되어야 한다. 배합된 인광체의 바람직한 양태에서, 블렌드 중의 전술한 인광체는 분광 중량이 약 1 내지 75% 범위일 것이다.
본 발명의 전술한 인광체와 함께 사용될 수 있는 적당한 인광체의 비제한적 예에는 다음과 같은 것이 포함된다:
Figure 112007082703607-PCT00001
설명한 바와 같이, 본 발명의 인광체는 단색 광원을 만들기 위해 단독으로 사용되거나 백색광원을 위해 블렌드로서 사용될 수 있다. 바람직한 일 양태에서, 인광체 조성물은 LED 장치로부터 방출된 광이 백색광이도록 하는 하나 이상의 갭 충진 인광체와 전술한 본 발명의 인광체의 블렌드이다.
인광체 조성물이 2 이상의 인광체의 블렌드를 포함할 때, 인광체 블렌드에 존재하는 각 인광체의 각 비율은 원하는 산출 광의 특성에 따라 달라질 수 있다. 다양한 양태의 인광체 블렌드에서 각 인광체의 상대적 비율은 이들의 방출이 배합되어 역광조명 장치에 이용될 때 CIE 색도도에서 소정의 x값과 y값을 가진 가시광이 생산되도록 조정될 수 있다. 이미 설명한 바와 같이, 백색광이 생성되는 것이 바람직하다. 이러한 백색광은 예를 들어 약 0.30 내지 약 0.55 범위의 x값과 약 0.30 내지 약 0.55 범위의 y값을 가질 수 있다. 하지만, 이미 설명한 바와 같이 인광체 조성물에 포함된 각 인광체의 정확한 정체와 함량은 최종 사용자의 요구에 따라 달라질 수 있다.
전술한 인광체 조성물은 출발물질로서 예컨대 원소의 니트라이드, 옥사이드, 카보네이트 및/또는 하이드록사이드를 배합하여 인광체를 생산하는 공지된 용액상 또는 고상 반응 공정을 이용하여 제조할 수 있다. 다른 출발 물질로는 니트레이트, 설페이트, 아세테이트, 시트레이트 또는 옥살레이트가 있다. 대안적으로, 희토류 옥사이드의 공침전물을 RE 원소의 출발 물질로서 사용할 수도 있다. 전형적인 공정에서, 출발 물질은 건식 또는 습식 배합 공정을 통해 배합한 다음 공기 중이나 환원 대기 하에서 또는 암모니아 중에서, 예컨대 1000 내지 1600℃의 온도로 연소시킨다.
혼합 단계 전이나 혼합 단계 중에 혼합물에 융제(fluxing agent)를 첨가할 수 있다. 이러한 융제는 AlF3, NH4Cl 또는 임의의 다른 통상적인 융제, 예컨대 루테 튬, 이트륨, 테르븀, 알루미늄, 갈륨 및 인듐으로 이루어진 그룹 중에서 선택되는 적어도 하나의 금속의 플루오라이드일 수 있다. 혼합물 총 중량의 약 20중량% 미만, 바람직하게는 약 10중량% 미만인 융제의 함량은 용융 목적에 일반적으로 적당하다.
출발 물질은 임의의 기계적 방법, 예컨대 고속 블렌더 또는 리본 블렌더에서의 교반이나 블렌드 등, 이에 국한되지 않는 방법으로 함께 혼합할 수 있다. 출발 물질은 보울 밀(bowl mill), 해머(hammer) 밀 또는 제트(jet) 밀에서 함께 혼합하고 분쇄할 수 있다. 혼합은 특히 출발 물질의 혼합물이 이후 침전용 용액에 제조되어야만 할 때 습식 밀링으로 수행할 수 있다. 혼합물이 습윤성이면, 먼저 건조한 다음 환원성 대기 하에 약 900℃ 내지 약 1700℃, 바람직하게는 약 1400℃ 내지 약 1600℃의 온도에서 혼합물 전체를 최종 조성물로 변환시키기에 충분한 시간 동안 연소한다.
연소는 회분식 또는 연속식 공정으로, 바람직하게는 양호한 기체-고체 접촉을 조장하는 교반 또는 혼합 작용 하에 수행할 수 있다. 연소 시간은 연소되어야 하는 혼합물의 함량, 하소 장치를 통한 기체 전달 속도, 및 하소 장치에서 기체-고체 접촉의 품질에 따라 달라진다. 통상, 약 10시간 이하의 하소 시간이 적당하지만, 상 형성을 위해서는 연마 후에 바람직한 온도에서 2 내지 3회 재연소하는 것이 바람직하다. 환원성 대기는 일반적으로 수소, 일산화탄소, 암모니아 또는 이의 조합과 같은 환원성 기체를 포함하고, 경우에 따라 불활성 기체, 예컨대 질소, 헬륨 등이나 이의 조합 등으로 희석되기도 한다. 일반적으로 연소 대기는 질소 중의 1% H2이다. 대안적으로, 이러한 혼합물을 함유하는 도가니(crucible)는 고순도 탄소 입자를 함유하는 제2의 밀폐 도가니에 넣고 공기 중에서 연소하여, 탄소 입자가 공기에 존재하는 산소와 반응하여 환원 대기를 제공하는 일산화탄소를 생성하도록 한다.
인광체 조성물에 안료 또는 필터를 첨가하는 것도 바람직할 수 있다. LED가 UV 방출성 LED일 때, 인광체 층(22)은 또한 250nm 내지 550nm 사이의 파장을 가진 UV 복사선을 흡수 또는 반사할 수 있는 안료 또는 여타 UV 흡수재를 0 내지 최고 약 5중량%(인광체 총 중량을 기준으로)로 함유할 수 있다.
적당한 안료 또는 필터에는 250nm 내지 550nm 사이에서 발생된 복사선을 흡수할 수 있는 당업계에 공지된 모든 것이 포함된다. 이러한 안료에는 예컨대 니켈 티타네이트 또는 프라세오디뮴 지르코네이트가 있다. 안료는 250nm 내지 550nm의 모든 범위에서 발생된 복사선의 10% 내지 100%를 여과하기에 효과적인 함량으로 사용한다.
인광체 블렌드의 일부로서 조명 용도에 사용될 때, 각 인광체를 적당한 분광 중량으로 분할하면, 특히 백색 램프를 위해, 색 공간의 상대적 부위를 커버하는 분광 블렌드를 만들 수 있다. 각종 바람직한 CCT, CRI 및 색점에 대하여, 블렌드에 첨가할 각 인광체의 적당한 양을 결정할 수 있다. 따라서, 거의 모든 CCT 또는 색점을, 대응하는 높은 CRI와 함께 제공하는 인광체 블렌드를 주문제작할 수 있다. 물론, 각 인광체의 색은 인광체의 정확한 조성에 따라 달라질 것이다. 하지만, 그 러한 변동에 의해 필수불가결해진 동일하거나 유사한 특성의 조명 장치를 생성하는 분광 중량의 변화 측정은 일상적인 것이며, 다양한 방법론, 예컨대 실험 디자인(DOE) 및 다른 전략을 이용하여 당업자라면 수행할 수 있을 것이다.
LED 인광체 블렌드에 본 발명에 따른 인광체의 사용에 의해, 일반 조명에 필요한 당해의 색온도 전 범위(2500K 내지 10,000K)에 걸쳐서 CRI 값이 높은, 예컨대 90 이상인 램프를 생산할 수 있다. 일부 블렌드에서, CRI 값은 이론적 최대값인 100에 이를 수 있다.
전술한 인광체 조성물은 LED 외에 다른 용도에도 사용될 수 있다. 예를 들어, Hg 형광 램프, 음극선관(cathode ray tube), 플라즈마 디스플레이 소자 또는 액정 디스플레이(LCD) 중의 인광체로도 사용될 수 있다. 또한, 이 조성물은 전자기 열량계, 감마선 카메라, 전산화단층촬영 스캐너 중의 섬광기로서, CT 또는 PET 시스템이나, 레이저 중의 섬광성 검출기 부재로서 사용될 수 있다. 이러한 용도들은 단지 예시적이며 제한적인 것은 아니다.
예시적 양태는 바람직한 양태들에 관한 설명이었다. 분명한 것은, 앞의 상세한 설명을 숙지하면 변형과 개조를 수행할 수 있을 것이라는 점이다. 예시적 양태는 이러한 모든 변형과 개조가 첨부되는 청구의 범위의 범주 또는 이의 등가물에 속하는 한 본 발명에 포함되는 것으로 간주되어야 한다.

Claims (16)

  1. 약 250nm 내지 약 550nm 범위에서 최고 복사선을 방출하는 광원; 및
    상기 광원에 복사적 연결된 인광체 조성물로, (RE1-yCey)Mg2-xLixSi3-xPxO12 를 함유하되, RE는 Sc, Lu, Gd, Y 및 Tb 중 적어도 하나이고, 0.0001<x<0.1 및 0.001<y<0.1인 인광체 조성물을 포함하는, 백색광 방출용 조명 기구.
  2. 제1항에 있어서, 광원이 약 370 내지 약 485nm 범위의 파장을 가진 복사선을 방출하는 반도체 발광 다이오드(LED)인 조명 기구.
  3. 제2항에 있어서, LED가 화학식 IniGajAlkN으로 표시되는 니트라이드 화합물 반도체를 함유하고, 여기서 0≤i; 0≤j; 0≤k이고 i+j+k=1인, 조명 기구.
  4. 제1항에 있어서, 광원이 유기 방출 구조인 조명 기구.
  5. 제1항에 있어서, 인광체 조성물이 광원의 표면에 코팅되어 있는 조명 기구.
  6. 제1항에 있어서, 광원과 인광체 조성물 주위에 캡슐화재(encapsulant)를 추가로 포함하는 조명 기구.
  7. 제1항에 있어서, 인광체 조성물이 캡슐화재에 분산되어 있는 조명 기구.
  8. 제1항에 있어서, 추가로 반사체 컵을 포함하는 조명 기구.
  9. 제1항에 있어서, 인광체 조성물이 추가로 하나 이상의 다른 인광체를 함유하는 조명 기구.
  10. 제9항에 있어서, 하나 이상의 다른 인광체가 다음 인광체로 이루어진 그룹 중에서 선택되는 것인 조명 기구:
    Figure 112007082703607-PCT00002
  11. 제1항에 있어서, 인광체 조성물이 Lu1.91Ce0.09CaMg1.95Li0.05Si2.95P0.05O12를 포함하는 조명 기구.
  12. (RE1-yCey)Mg2-xLixSi3-xPxO12 로 표시되는 인광체 조성물로서, RE는 Sc, Lu, Gd, Y 및 Tb 중 적어도 하나이고, 0.0001<x<0.1 및 0.001<y<0.1인 인광체 조성물.
  13. 제12항에 있어서, Lu1.91Ce0.09CaMg1.95Li0.05Si2.95P0.05O12를 포함하는 인광체 조성물.
  14. (RE1-yCey)Mg2-xLixSi3-xPxO12 (여기서, RE는 Sc, Lu, Gd, Y 및 Tb 중 적어도 하나이고, 0.0001<x<0.1 및 0.001<y<0.1 이다)를 함유하는 제1 인광체; 및 적어도 하나의 다른 인광체를 포함하는 인광체 블렌드로서, 이러한 인광체 블렌드가 이 인광체 블렌드와 복사적 연결된 광원에 의해 방출된 복사선으로 처리될 때 일반 조명에 사용하기에 적합한 광을 단독으로 방출하거나 또는 상기 광원에 의해 방출된 상기 복사선과 함께 방출할 수 있는 인광체 블렌드.
  15. 제14항에 있어서, 제1 인광체가 Lu1.91Ce0.09CaMg1.95Li0.05Si2.95P0.05O12를 포함하 는 인광체 블렌드.
  16. 제14항에 있어서, 적어도 하나의 다른 인광체가 다음과 같은 인광체 중 적어도 하나를 포함하는 것인 인광체 블렌드:
    Figure 112007082703607-PCT00003
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Families Citing this family (43)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2009137053A1 (en) 2008-05-06 2009-11-12 Qd Vision, Inc. Optical components, systems including an optical component, and devices
EP2297762B1 (en) 2008-05-06 2017-03-15 Samsung Electronics Co., Ltd. Solid state lighting devices including quantum confined semiconductor nanoparticles
US9207385B2 (en) 2008-05-06 2015-12-08 Qd Vision, Inc. Lighting systems and devices including same
US9157167B1 (en) 2008-06-05 2015-10-13 Soraa, Inc. High pressure apparatus and method for nitride crystal growth
US8871024B2 (en) * 2008-06-05 2014-10-28 Soraa, Inc. High pressure apparatus and method for nitride crystal growth
US20090301388A1 (en) * 2008-06-05 2009-12-10 Soraa Inc. Capsule for high pressure processing and method of use for supercritical fluids
US20100006873A1 (en) * 2008-06-25 2010-01-14 Soraa, Inc. HIGHLY POLARIZED WHITE LIGHT SOURCE BY COMBINING BLUE LED ON SEMIPOLAR OR NONPOLAR GaN WITH YELLOW LED ON SEMIPOLAR OR NONPOLAR GaN
US20090320745A1 (en) * 2008-06-25 2009-12-31 Soraa, Inc. Heater device and method for high pressure processing of crystalline materials
WO2011044554A1 (en) 2009-10-09 2011-04-14 Soraa, Inc. Method for synthesis of high quality large area bulk gallium based crystals
US20100003492A1 (en) * 2008-07-07 2010-01-07 Soraa, Inc. High quality large area bulk non-polar or semipolar gallium based substrates and methods
US8284810B1 (en) 2008-08-04 2012-10-09 Soraa, Inc. Solid state laser device using a selected crystal orientation in non-polar or semi-polar GaN containing materials and methods
CN102144294A (zh) * 2008-08-04 2011-08-03 Soraa有限公司 使用非极性或半极性的含镓材料和磷光体的白光器件
US8979999B2 (en) * 2008-08-07 2015-03-17 Soraa, Inc. Process for large-scale ammonothermal manufacturing of gallium nitride boules
US8021481B2 (en) 2008-08-07 2011-09-20 Soraa, Inc. Process and apparatus for large-scale manufacturing of bulk monocrystalline gallium-containing nitride
US8323405B2 (en) * 2008-08-07 2012-12-04 Soraa, Inc. Process and apparatus for growing a crystalline gallium-containing nitride using an azide mineralizer
US10036099B2 (en) 2008-08-07 2018-07-31 Slt Technologies, Inc. Process for large-scale ammonothermal manufacturing of gallium nitride boules
US20100031873A1 (en) * 2008-08-07 2010-02-11 Soraa, Inc. Basket process and apparatus for crystalline gallium-containing nitride
US8430958B2 (en) * 2008-08-07 2013-04-30 Soraa, Inc. Apparatus and method for seed crystal utilization in large-scale manufacturing of gallium nitride
JP2010076995A (ja) * 2008-09-29 2010-04-08 Denki Kagaku Kogyo Kk ３−５族化合物半導体の製造装置用サセプタ部材およびその製造方法
US20100295088A1 (en) * 2008-10-02 2010-11-25 Soraa, Inc. Textured-surface light emitting diode and method of manufacture
US8354679B1 (en) 2008-10-02 2013-01-15 Soraa, Inc. Microcavity light emitting diode method of manufacture
US8455894B1 (en) 2008-10-17 2013-06-04 Soraa, Inc. Photonic-crystal light emitting diode and method of manufacture
US8703016B2 (en) 2008-10-22 2014-04-22 General Electric Company Phosphor materials and related devices
US8329060B2 (en) * 2008-10-22 2012-12-11 General Electric Company Blue-green and green phosphors for lighting applications
US8461071B2 (en) * 2008-12-12 2013-06-11 Soraa, Inc. Polycrystalline group III metal nitride with getter and method of making
US8987156B2 (en) 2008-12-12 2015-03-24 Soraa, Inc. Polycrystalline group III metal nitride with getter and method of making
US8878230B2 (en) * 2010-03-11 2014-11-04 Soraa, Inc. Semi-insulating group III metal nitride and method of manufacture
US9543392B1 (en) 2008-12-12 2017-01-10 Soraa, Inc. Transparent group III metal nitride and method of manufacture
USRE47114E1 (en) 2008-12-12 2018-11-06 Slt Technologies, Inc. Polycrystalline group III metal nitride with getter and method of making
US20100147210A1 (en) * 2008-12-12 2010-06-17 Soraa, Inc. high pressure apparatus and method for nitride crystal growth
US20110100291A1 (en) * 2009-01-29 2011-05-05 Soraa, Inc. Plant and method for large-scale ammonothermal manufacturing of gallium nitride boules
US8299473B1 (en) 2009-04-07 2012-10-30 Soraa, Inc. Polarized white light devices using non-polar or semipolar gallium containing materials and transparent phosphors
US8306081B1 (en) 2009-05-27 2012-11-06 Soraa, Inc. High indium containing InGaN substrates for long wavelength optical devices
JP2013502047A (ja) 2009-08-14 2013-01-17 キユーデイー・ビジヨン・インコーポレーテツド 照明装置、照明装置用光学部品および方法
US8435347B2 (en) 2009-09-29 2013-05-07 Soraa, Inc. High pressure apparatus with stackable rings
CN101818057A (zh) * 2010-05-14 2010-09-01 中国科学院长春应用化学研究所 一种发光材料及其制备方法
US9564320B2 (en) 2010-06-18 2017-02-07 Soraa, Inc. Large area nitride crystal and method for making it
CN102329617A (zh) * 2010-07-14 2012-01-25 海洋王照明科技股份有限公司 含磷硅酸盐荧光粉及其制备方法
DE102010045368A1 (de) * 2010-09-14 2012-03-15 Merck Patent Gmbh Silicophosphat-Leuchtstoffe
US8786053B2 (en) 2011-01-24 2014-07-22 Soraa, Inc. Gallium-nitride-on-handle substrate materials and devices and method of manufacture
CN103274598B (zh) * 2013-06-06 2015-11-11 昆明理工大学 一种高效白光发射含银纳米颗粒的玻璃及其制备方法
CN104232082A (zh) 2013-06-17 2014-12-24 欧司朗有限公司 红色荧光体、白色光源、发光装置和红色荧光体形成方法
CN103666468B (zh) * 2014-01-08 2015-03-25 轻工业部南京电光源材料科学研究所 一种紫光led激发的宽光谱荧光粉及其制备方法

Family Cites Families (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR1323921A (fr) 1962-05-10 1963-04-12 Rca Corp Substances luminescentes
JPS6010065B2 (ja) * 1981-06-16 1985-03-14 株式会社東芝 緑色発光螢光体
JPS59226087A (ja) 1983-06-07 1984-12-19 Toshiba Corp 螢光ランプ
AUPM647094A0 (en) * 1994-06-27 1994-07-21 Melanesia International Trust Company Limited Chemical milling apparatus and method
TW383508B (en) * 1996-07-29 2000-03-01 Nichia Kagaku Kogyo Kk Light emitting device and display
US6252254B1 (en) 1998-02-06 2001-06-26 General Electric Company Light emitting device with phosphor composition
US6351069B1 (en) * 1999-02-18 2002-02-26 Lumileds Lighting, U.S., Llc Red-deficiency-compensating phosphor LED
JP2003505582A (ja) * 1999-07-23 2003-02-12 パテント−トロイハント−ゲゼルシヤフト フユール エレクトリツシエ グリユーラムペン ミツト ベシユレンクテル ハフツング 光源用発光物質および発光物質を有する光源
US6552487B1 (en) * 1999-10-27 2003-04-22 Patent-Treuhand-Gesellschaft Fuer Elektrische Gluehlampen Mbh Phosphor for light sources, and associated light source
US6538371B1 (en) * 2000-03-27 2003-03-25 The General Electric Company White light illumination system with improved color output
US6409938B1 (en) * 2000-03-27 2002-06-25 The General Electric Company Aluminum fluoride flux synthesis method for producing cerium doped YAG
JP4695819B2 (ja) 2000-05-29 2011-06-08 パテント−トロイハント−ゲゼルシヤフト フユール エレクトリツシエ グリユーラムペン ミツト ベシユレンクテル ハフツング Ｌｅｄをベースとする白色発光照明ユニット
US6596195B2 (en) 2001-06-01 2003-07-22 General Electric Company Broad-spectrum terbium-containing garnet phosphors and white-light sources incorporating the same
US7189340B2 (en) * 2004-02-12 2007-03-13 Mitsubishi Chemical Corporation Phosphor, light emitting device using phosphor, and display and lighting system using light emitting device
DE10223988A1 (de) 2002-05-29 2003-12-18 Siemens Ag Leuchtstoffpulver, Verfahren zum Herstellen des Leuchtstoffpulvers und Leuchtstoffkörper mit dem Leuchtstoffpulver
TWI229125B (en) * 2003-03-28 2005-03-11 Nantex Industry Co Ltd Fluorescent material of terbium aluminum garnet and manufacturing method therefor
US7442326B2 (en) * 2003-10-29 2008-10-28 Lumination Llc Red garnet phosphors for use in LEDs
US7094362B2 (en) * 2003-10-29 2006-08-22 General Electric Company Garnet phosphor materials having enhanced spectral characteristics

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