KR20070119160A - 피디피 전원 장치 - Google Patents

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KR20070119160A
KR20070119160A KR1020060053404A KR20060053404A KR20070119160A KR 20070119160 A KR20070119160 A KR 20070119160A KR 1020060053404 A KR1020060053404 A KR 1020060053404A KR 20060053404 A KR20060053404 A KR 20060053404A KR 20070119160 A KR20070119160 A KR 20070119160A
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이재삼
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엘지이노텍 주식회사
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Abstract

본 발명은 피디피 전원 장치에 관한 것으로,
본 발명은 피디피 전원 장치의 DC-DC 컨버터에서 펄스폭변조 컨트롤러와 메인스위칭소자 사이에 방전회로를 접속하여 상기 메인스위칭소자가 오프되는 동안 메인스위칭소자의 기생캐패시턴스에 축전된 전하를 상기 방전회로를 통해서 방전하여 상기 방전회로의 구동 저항값만큼 시정수를 크게하여 줌으로써, 부하단의 스위칭 주파수를 낮추지 않고도 상기 메인스위칭소자의 발열을 개선하는 효과를 제공하게 된다
PDP, DC-DC 컨버터, 방전

Description

피디피 전원 장치{PDP POWER SUPPLY}
도 1은 종래의 피디피 전원 장치의 회로도
도 2는 본 발명의 일실시예에 따른 피디피 전원 장치의 회로도
*도면의 주요부분에 대한 부호의 설명*
20; 펄스폭변조 컨트롤러 21; 방전회로
FET; 메인스위칭소자 L/C; 필터회로
Q; 출력트랜지스터 Q1,Q2; 트랜지스터
D1~D3; 스위칭다이오드 C; 캐패시터
본 발명은 피디피 전원 장치에 관한 것이다.
일반적으로 피디피는 기체 방전에 의해 생성된 플라즈마를 이용하여 문자 또는 영상을 표시하는 표시장치로서, 상기 피디피는 내부에 플라즈마 방전에 필요한 여러 종류의 고전압과, 오디오, 비디오, 팬 구동에 필요한 여러 종류의 저전압을 공급하는 다중 출력 전원회로가 구비하게 된다.
특히 다중 출력 전원회로에서 모듈 제어부의 전원 공급용 저전압 출력회로는 통상적으로 플라이백 컨버터 방식을 이용한 출력으로 DC-DC 컨버터 방식을 연결하여 사용되고 있고, 상기 DC-DC 컨버터 방식은 도 1에 도시한 바와 같이, 직류전압원으로부터 직류전압을 받아 구형파를 출력하는 펄스폭변조 컨트롤러(10)와; 상기 펄스폭변조 컨트롤러(10)로부터 출력되는 신호에 의하여 온/오프하는 출력트랜지스터(Q)와; 상기 출력트랜지스터(Q)로부터 제어신호를 받아 스위칭 구동하는 메인스위칭소자(FET)와 상기 메인스위칭소자(FET)의 스위칭 구동에 의하여 부하로 출력되는 전압을 필터링하는 필터회로(L/C)로 구성된다.
여기서 저항(R)은 메인스위칭소자(FET)의 바이어스 저항이다.
따라서 상기 DC-DC 컨버터는 펄스폭변조 컨트롤러(10)로부터 출력되는 신호에 의하여 출력트랜지스터(Q)는 온/오프 하면서 구동전압(VCC)은 저항(R)을 통해서 상기 출력트랜지스터(Q)의 콜렉터단자 및 에미터단자를 거쳐 그라운드로 흐르거나 차단된다.
그러므로 상기 메인스위칭소자(FET)의 게이트단자에는 상기 출력트랜지스터(Q)의 온/오프에 따라 로우/하이 신호가 교번하여 인가되게 되므로 상기 메인스위칭소자(FET)는 온/오프 제어구동하면서 필터회로(LC)를 통해서 부하로 저용량급 DC-DC전압을 출력하게 된다.
이때 상기 메인스위칭소자(FET)의 하강시간(falling time)의 시정수(Tf)는
바이어스저항(R)
Figure 112006041570311-PAT00001
Cgs(기생캐패시턴스)로서, 상기 Cgs 는 메인스위칭소자의 기생 캐패시턴스이다.
여기서, 상기 바이어스 저항(R)은 수KΩ가 사용되고, 기생캐패시턴스 Cgs는 nF 이므로, 상기 시정수(Tf)는 수 ㎲ 가 되어, 상기 메인스위칭소자(FET)의 스위칭 주파수가 100KHZ 인 경우 주기는 10 ㎲ 이므로 상기 메인스위칭소자(FET)의 오프시간은 스위칭 1주기와 대비하여 볼 때 상대적으로 크게 되므로 이에 따른 메인스위칭소자(FET)의 스위칭 발열이 발생하게 된다.
따라서 종래에는 DC-DC 컨버터에서 메인스위칭소자(FET)의 발열 문제를 해소하기 위하여, 50W 이상급 출력을 내는 고용량급에서는 공진 방식이 적용하고, 50W 미만급 출력을 내는 저용량급에서는 스위칭 주파수(FREQUNCY SWITCHING)를 낮게 함으로써, 스위칭 횟수를 감소하여 발열을 개선해오고 있으나, 상기 스위칭 주파수를 낮추면 상기 출력필터(L/C)의 저장에너지가 스위칭주파수에 비례하여 감소하므로 상기 출력필터(L/C)의 용량을 상대적으로 키워야 하는 문제점이 있다.
본 발명의 목적은 PDP 전원회로의 DC-DC 컨버터에서 메인스위칭소자의 발열을 개선하는 데 있다.
상기의 목적을 실현하기 위하여 본 발명은 직류전압원으로부터 직류전압을 받아 구형파를 출력하는 펄스폭변조 컨트롤러와; 상기 펄스폭 변조 컨트롤러로부터 출력되는 신호에 의하여 온/오프하는 출력트랜지스터와; 상기 출력트랜지스터로부터 제어신호를 받아 스위칭 구동하는 메인스위칭소자와 상기 메인스위칭소자의 스위칭구동에 의하여 부하로 출력되는 전압을 필터링하는 필터회로와; 상기 트랜지스터와 메인스위칭소자 사이에 기생캐패시턴스에 축전된 전하를 방전하는 방전회로를 포함하는 것을 특징으로 한다.
상기 방전회로는 서로 반대로 온/오프 구동하는 트랜지스터와; 바이어스 저항, 스위칭 다이오드, 캐패시터를 포함한다.
따라서 본 발명에 의하면, DC-DC 컨버터에서 메인스위칭소자가 오프되는 동안 메인스위칭소자의 기생캐패시턴스에 축전된 전하를 방전회로로 방전하게 되므로 스위칭 주파수를 낮추지 않고 메인스위칭소자의 발열을 개선하게 되는 것이다.
이하 첨부되는 도면에 의거 본 발명을 상세히 설명하면 다음과 같다.
도 2는 본 발명의 일실시예에 따른 피디피 전원 장치의 회로도로서, 본 발명은 펄스폭변조 컨트롤러(20), 출력트랜지스터(Q), 메인스위칭소자(FET), 필터회로(L/C), 방전회로(21)를 포함한다.
상기 펄스폭변조 컨트롤러(20)는 직류전압원(vcc)으로부터 직류전압을 받아 소정의 폭으로 변조된 구형파를 출력하는 집적회로로 구성된다.
상기 출력트랜지스터(Q)는 상기 펄스폭변조 컨트롤러(20)의 출력단과 접속되어 상기 펄스폭변조 컨트롤러(20)의 구형파 출력에 의하여 온/오프 구동하게 된다.
상기 메인스위칭소자(FET)는 직류전압원과 접속되어 상기 펄스폭변조 컨트롤러(20)의 출력트랜지스터(Q)에 의하여 온/오프 구동하는 P 채널인 전계효과트랜지스터로 구성된다.
상기 필터회로(L/C)는 상기 메인스위칭소자(FET)의 출력단자에 접속되어 출력되는 전압을 필터링하는 코일(L)에 병렬접속되는 캐패시터(C)로 구성된다.
상기 방전회로(21)는 상기 출력트랜지스터(Q)와 메인스위칭소자(FET)사이에 접속되어 상기 출력트랜지스터(Q)의 온/오프 구동에 따라 상호 반대로 동작하는 트랜지스터(Q1)(Q2), 상기 트랜지스터(Q1)(Q2)의 온/오프 구동에 의하여 온/오프 스위칭 구동하는 다이오드(D1-D3)와, 충전용 캐패시터(C1), 바이어스저항(R1)(R2)으로 구성된다.
상기와 같이 구성되는 본 발명은 펄스폭변조 컨트롤러(20)로부터 출력되는 구형파신호에 의하여 출력트랜지스터(Q)가 오프되면, 상기 방전회로(21)의 트랜지스터(Q1)의 베이스단자에는 하이신호가 걸리게 되므로, 상기 트랜지스터(Q1)는 오프된다.
그러므로 상기 메인스위칭소자(FET)의 게이트단자에는 상기 트랜지스터(Q1)의 오프에 의하여 하이신호가 걸리게 되어 상기 메인스위칭소자(FET)는 오프되고, 상기 트랜지스터(Q1)의 오프에 의하여 스위칭다이오드(D3)도 오프되어 캐패시터(C1)의 충전전압은 바이어스저항(R2), 스위칭다이오드(D2)를 통해서 트랜지스터(Q2)를 온시키게 되므로, 상기 메인스위칭소자(FET)의 기생캐패시턴스(Cgs)에 축전된 전하를 상기 트랜지스터(Q2)를 통해서 방전을 시키게 된다.
이와 같이 상기 기생캐패시턴스(Cgs)는 메인스위칭소자(FET) 오프시에 저항(R1), 트랜지스터(Q2)를 통해서 방전하게 되므로 상기 트랜지스터(Q2)의 온 저항값(Ron)이라면 상기 메인스위칭소자(FET)의 하강시간(falling time)의 시정수(Tf)는 [바이어스저항(R1)//트랜지스터(Q2)의 온저항값(Ron)]
Figure 112006041570311-PAT00002
Cgs(기생캐패시턴스)가 된다.
그러므로 상기 트랜지스터(Q2)의 온저항값(Ron)이 수십Ω 되므로 상기 시정 수(Tf)시간이 수 ns로 현저하게 감소되게 되어 스위칭주파수를 낮추지 않고도 스위칭손실을 개선하게 된다.
여기서 상기 방전회로(21)의 동작조건은 상기 메인스위칭소자(FET)의 기생캐패시턴스(Cgs)에 축전된 전하가 오프시간에 모두 방전해게 되므로 방전시간 동안 트랜지스터(Q2)가 온되어 있어야 하며, 상기 트랜지스터(Q2)의 베이스전압을 형성하는 캐패시터(C1)가 존재해야 한다.
그리고 상기 메인스위칭소자(FET)의 오프시간 보다는 트랜지스터(Q2)의 온시간이 작아야 한다. 그러므로 상기 캐패시터(C1)의 방전회로(21)는 시정수(Tf)<(R1 x C)< T off 조건이 된다.
한편 상기 펄스폭변조 컨트롤러(20)로부터 출력되는 구형파신호에 의하여 출력트랜지스터(Q)가 온 되면, 상기 방전회로(21)의 트랜지스터(Q1)의 베이스단자에 로우신호가 걸리게 되어, 상기 트랜지스터(Q1)는 온 된다.
그러므로 상기 메인스위칭소자(FET)의 게이트단자에는 로우신호가 걸리게 되어 상기 메인스위칭소자(FET)는 온 되고, 상기 트랜지스터(Q1)의 온에 의하여 스위칭다이오드(D3)도 온 되며, 상기 직류전압이 스위칭 다이오드(D1)를 통해서 캐패시터(C1)에 충전된다.
반면에 스위칭다이오드(D2)는 오프되어 상기 트랜지스터(Q2)의 베이스단자에는 로우신호가 걸리게 되므로 상기 트랜지스터(Q2)는 오프되어, 직류전압원(vcc)은 상기 메인스위칭소자(FET)를 통해서 전압을 출력하면서 상기 메인스위칭소자FET)의 기생캐패시턴스(Cgs)에 전하를 충전하게 된다.
이상에서 설명한 바와 같이 본 발명은 DC-DC 컨버터에서 펄스폭변조 컨트롤러와 메인스위칭소자 사이에 방전회로를 접속하여 상기 메인스위칭소자가 오프되는 동안 메인스위칭소자의 기생캐패시턴스에 축전된 전하를 상기 방전회로를 통해서 방전하게 되므로 상기 방전회로의 구동 저항값만큼 시정수가 크게 되어 부하단의 스위칭 주파수를 낮추지 않고 메인스위칭소자의 발열을 개선하는 효과를 제공하게 된다.

Claims (2)

  1. 직류전압원으로부터 직류전압을 받아 구형파를 출력하는 펄스폭변조 컨트롤러와; 상기 펄스폭변조 컨트롤러로부터 출력되는 신호에 의하여 온/오프하는 출력트랜지스터와; 상기 출력트랜지스터로부터 제어신호를 받아 스위칭 구동하는 메인스위칭소자와 상기 메인스위칭소자의 스위칭구동에 의하여 부하로 출력되는 전압을 필터링하는 필터회로와; 상기 트랜지스터와 메인스위칭소자 사이에 기생캐패시턴스에 축전된 전하를 방전하는 방전회로를 포함하는 피디피 전원 장치.
  2. 제 1 항에 있어서, 상기 방전회로는 상기 출력트랜지스터와 메인스위칭소자사이에 접속되어 상기 출력트랜지스터의 온/오프 구동에 따라 상호 반대로 동작하는 트랜지스터와, 상기 트랜지스터의 온/오프 구동에 의하여 온/오프 스위칭 구동하는 다이오드와, 충전용 캐패시터, 바이어스저항을 포함하는 피디피 전원 장치.
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