KR20070117134A - 나노임프린트를 이용한 미세 패턴의 형성방법 - Google Patents
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Abstract
Description
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- 전체 표면 영역 중 적어도 일부 영역이 소수성을 갖는 미세 구조물을 스탬프에 형성하는 단계;기판 위에 막을 도포하는 단계;상기 스탬프의 미세 구조물을 상기 막에 접촉시켜 소정 압력으로 가압하는 단계; 및상기 막을 경화하고 나서 상기 스탬프를 이형하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 나노임프린트를 이용한 미세 패턴 형성방법.
- 제1항에 있어서, 상기 소수성을 갖는 미세 구조물은 각각 수 ㎛~수백 ㎚ 크기의 폭을 갖는 복수의 미세 돌기인 것을 특징으로 하는 나노임프린트를 이용한 미세 패턴 형성방법.
- 제1항에 있어서, 상기 스탬프의 표면 영역은 양각부 및 음각부를 구비하고, 상기 음각부에 상기 소수성을 갖는 미세 구조물을 형성하는 것을 특징으로 하는 나노임프린트를 이용한 미세 패턴 형성방법.
- 제1항에 있어서, 상기 막은 가열 또는 자외선 조사를 통해 경화작업을 수행할 수 있도록 자외선 경화성 수지 또는 열경화성 수지인 것을 특징으로 하는 나노 임프린트를 이용한 미세 패턴 형성방법.
- 제1항에 있어서, 상기 막은 친수성 레지스트인 것을 특징으로 하는 나노임프린트를 이용한 미세 패턴 형성방법.
- 제5항에 있어서, 상기 스탬프를 이형하는 경우 상기 레지스트의 표면 영역은 양각부와 음각부를 구비하고, 상기 양각부에 상기 소수성 영역을 형성하고 상기 음각부에 친수성 영역을 형성하는 것을 특징으로 하는 나노임프린트를 이용한 미세패턴 형성방법.
- 제6항에 있어서, 상기 레지스트의 음각부의 표면 영역은 평탄한 형상이고, 상기 레지스트의 양각부의 표면 영역은 요철 형상인 것을 특징으로 하는 나노임프린트를 이용한 미세 패턴 형성방법.
- 제7항에 있어서, 상기 요철 형상은 수 ㎛~수백 ㎚ 크기의 폭을 갖는 복수의 미세 돌기에 의해 형성되는 것을 특징으로 하는 나노임프린트를 이용한 미세 패턴 형성방법.
- 제6항에 있어서, 상기 레지스트의 표면 영역에 상기 소수성 영역 및 상기 친수성 영역을 교대로 형성하는 것을 특징으로 하는 나노임프린트를 이용한 미세 패 턴 형성방법.
- 제1항에 있어서, 상기 스탬프를 이형한 다음 상기 기판의 일부를 노출하기 위해 상기 막을 식각하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 나노임프린트를 이용한 미세 패턴 형성방법.
- 제1항에 있어서, 상기 스탬프에 상기 미세 구조물을 형성하는 단계에서 전자빔 리소그래피를 이용하는 것을 특징으로 하는 나노임프린트를 이용한 미세 패턴 형성방법.
- 양각부와 음각부를 구비하고, 상기 음각부에 소수성을 갖는 미세 구조물을 각인한 스탬프를 준비하는 단계; 및나노임프린트를 이용하여, 기판에 도포한 친수성 레지스트의 표면 영역에 상기 스탬프의 미세 구조물을 복제하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 나노임프린트를 이용한 미세 패턴 형성방법.
- 제12항에 있어서, 상기 소수성을 갖는 미세 구조물은 전자빔 리소그래피를 이용하여 형성하고 상기 미세 구조물은 각각 수 ㎛~수백㎚ 크기의 폭을 갖는 복수의 미세 돌기인 것을 특징으로 하는 나노임프린트를 이용한 미세 패턴 형성방법.
- 제12항에 있어서, 상기 미세 구조물을 복제하는 단계는,상기 스탬프의 미세 구조물을 상기 레지스트에 접촉시켜 소정 압력으로 가압하는 단계; 가열 또는 자외선 조사하여 상기 레지스트를 경화하고 나서 상기 스탬프를 이형하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 나노임프린트를 이용한 미세 패턴 형성방법.
- 제12항에 있어서, 상기 레지스트에 복제된 미세 구조물은 양각부와 음각부를 구비하고, 상기 양각부에 복수의 미세 돌기에 의한 요철 형상으로 소수성 영역을 형성하고 상기 음각부에 평탄한 형상으로 친수성 영역을 형성하는 것을 특징으로 하는 나노임프린트를 이용한 미세 패턴 형성 방법.
- 제12항에 있어서, 상기 레지스트에 복제된 미세 구조물은 소수성 영역 및 친수성 영역을 교대로 형성하는 것을 특징으로 하는 나노임프린트를 이용한 미세 패턴 형성방법.
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