KR20070116340A - 고온용 일렉트렛, 그의 제조방법 및 이를 구비하는마이크로폰 - Google Patents
고온용 일렉트렛, 그의 제조방법 및 이를 구비하는마이크로폰 Download PDFInfo
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Abstract
Description
분류 | 실시예 1 | 실시예 2 | 비교예 1 | |
금속판 (니켈도금) | 황동 0.2mm | 황동 0.2mm | 황동 0.2mm | |
1차 융착 | PTFE 30um | 세라믹코팅액 20um | PTFE 50um | |
2차 융착 | 세라믹 코팅액 20um | PTFE 30um | - | |
고온 전하 특성 | 초기전하충전량 (v) | 440 | 470 | 400 |
260도10분 Ageing후(v) | 392 | 409 | 308 | |
전하 잔존율 (%) | 89 | 87 | 77 |
Claims (10)
- 내열성 불소계 수지를 포함하는 제1층; 및내열성 불소계 수지 및 세라믹 유전체 입자를 포함하는 제2층을 구비한 일렉트렛.
- 제1항에 있어서, 상기 제 2층의 내열성 불소계 수지가 Polytetrafluoroethylene(PTFE), Perfluoroalkoxy(PFA), Fluorinated ethylenepropylene resin(FEP), 또는 Polyvinylidenefluoroide(PVDF)인 것을 특징으로 하는 일렉트렛.
- 제1항에 있어서, 상기 세라믹 유전체 입자가 SiO2, Si3N4, TiO2, BaTiO3, PBZO3 , 또는 BN 인 것을 특징으로 하는 일렉트렛.
- 제1항에 있어서, 상기 제1층의 두께가 10 내지 40㎛인 것을 특징으로 하는 일렉트렛.
- 제1항에 있어서, 상기 제2층의 두께가 1 내지 40㎛인 것을 특징으로 하는 일렉트렛.
- 금속판 상에 내열성 불소수지계 필름 및 보호필름을 순차적으로 올려 놓고, 이를 융착시키는 단계;상기 보호필름을 제거하여 금속판 상에 제1층을 형성하는 단계;내열성 불소수지계 용액에 세라믹 유전체 물질이 혼합된 혼합용액을 상기 제1층 상에 도포하는 단계; 및상기 혼합용액을 소성 및 냉각시켜 제2층을 형성하는 단계;를 포함하는 일렉트렛의 제조방법.
- 내열성 불소수지계 용액에 세라믹 유전체 물질이 혼합된 혼합용액을 금속판 상에 도포하는 단계;상기 혼합용액을 소성 및 냉각시켜 금속판 상에 제2층을 형성하는 단계;상기 제2층 상에 내열성 불소수지계 필름 및 보호필름을 올려 놓고 이를 제2층 상에 융착시키는 단계; 및상기 보호필름을 제거하여 제1층을 형성하는 단계;를 포함하는 일렉트렛의 제조방법.
- 제6항 또는 제7항에 있어서, 상기 내열성 불소수지계 용액이 Polytetrafluoroethylene(PTFE), Perfluoroalkoxy(PFA), Fluorinated ethylenepropylene resin(FEP), 또는 Polyvinylidenefluoroide(PVDF)계의 함침,코 팅용 분산액 또는 저분자량 PTFE 용액인 것을 특징으로 하는 일렉트렛.
- 제6항 또는 제7항에 있어서, 상기 융착이 핫 프레스 처리 혹은 더블 벨트 프레스 처리인 것을 특징으로 하는 일렉트렛의 제조방법.
- 제1항 내지 제5항 중 어느 한 항에 따른 일렉트렛이 구비된 배극판;다이어프램; 및전계 효과 트랜지스터를 구비한 마이크로폰.
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KR1020060050249A KR100789129B1 (ko) | 2006-06-05 | 2006-06-05 | 고온용 일렉트렛, 그의 제조방법 및 이를 구비하는마이크로폰 |
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KR100469885B1 (ko) * | 2002-07-30 | 2005-02-02 | 주식회사 비에스이 | 반도체 백-일렉트릿의 제조방법 |
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2006
- 2006-06-05 KR KR1020060050249A patent/KR100789129B1/ko active IP Right Grant
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