KR20070112451A - 유기 전자 장치 및 방법 - Google Patents

유기 전자 장치 및 방법 Download PDF

Info

Publication number
KR20070112451A
KR20070112451A KR1020077017362A KR20077017362A KR20070112451A KR 20070112451 A KR20070112451 A KR 20070112451A KR 1020077017362 A KR1020077017362 A KR 1020077017362A KR 20077017362 A KR20077017362 A KR 20077017362A KR 20070112451 A KR20070112451 A KR 20070112451A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
layer
workpiece
active layer
liquid medium
thickness
Prior art date
Application number
KR1020077017362A
Other languages
English (en)
Other versions
KR101290012B1 (ko
Inventor
고르다나 에스알다노브
강 유
Original Assignee
이 아이 듀폰 디 네모아 앤드 캄파니
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 이 아이 듀폰 디 네모아 앤드 캄파니 filed Critical 이 아이 듀폰 디 네모아 앤드 캄파니
Publication of KR20070112451A publication Critical patent/KR20070112451A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR101290012B1 publication Critical patent/KR101290012B1/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/10—Deposition of organic active material
    • H10K71/12—Deposition of organic active material using liquid deposition, e.g. spin coating
    • H10K71/15—Deposition of organic active material using liquid deposition, e.g. spin coating characterised by the solvent used
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B33/00—Electroluminescent light sources
    • H05B33/10—Apparatus or processes specially adapted to the manufacture of electroluminescent light sources
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B05—SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05D—PROCESSES FOR APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05D3/00—Pretreatment of surfaces to which liquids or other fluent materials are to be applied; After-treatment of applied coatings, e.g. intermediate treating of an applied coating preparatory to subsequent applications of liquids or other fluent materials
    • B05D3/02—Pretreatment of surfaces to which liquids or other fluent materials are to be applied; After-treatment of applied coatings, e.g. intermediate treating of an applied coating preparatory to subsequent applications of liquids or other fluent materials by baking
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K30/00—Organic devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/10—Deposition of organic active material
    • H10K71/12—Deposition of organic active material using liquid deposition, e.g. spin coating
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/10—Organic polymers or oligomers
    • H10K85/111—Organic polymers or oligomers comprising aromatic, heteroaromatic, or aryl chains, e.g. polyaniline, polyphenylene or polyphenylene vinylene
    • H10K85/113—Heteroaromatic compounds comprising sulfur or selene, e.g. polythiophene
    • H10K85/1135—Polyethylene dioxythiophene [PEDOT]; Derivatives thereof
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
    • H10K85/615—Polycyclic condensed aromatic hydrocarbons, e.g. anthracene
    • H10K85/626—Polycyclic condensed aromatic hydrocarbons, e.g. anthracene containing more than one polycyclic condensed aromatic rings, e.g. bis-anthracene
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
    • Y02E10/549—Organic PV cells

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)
  • Thin Film Transistor (AREA)
  • Photovoltaic Devices (AREA)
  • Application Of Or Painting With Fluid Materials (AREA)

Abstract

딥 코팅층을 포함하는 유기 전자 장치를 제조하는 방법, 및 그로부터 제조된 장치를 개시한다.

Description

유기 전자 장치 및 방법{ORGANIC ELECTRONIC DEVICES AND METHODS}
상호 참조
본 출원은 본 원에 2004년 12월 30일 출원된 미국 가출원 시리얼 번호 제60/640,673호, 및 2005년 6월 28일 출원된 미국 가출원 시리얼 번호 제60/694,886호에 대한 잇점을 주장하고, 그들 각각의 전체 개시 내용은 본 원에 참고로 인용한다.
본 개시 내용은 일반적으로 유기 전자 장치, 그를 제조하기 위한 부재 및 그의 제조 방법에 관한 것이다.
유기 전자 장치는 전기 에너지를 방사선으로 전환시키거나, 전자 공정을 통해 신호를 검출하거나, 방사선을 전기 에너지로 전환시키거나, 하나 이상의 반도체 층을 포함한다. 대개의 유기 전자 장치는 침착된 층(deposited layer)을 포함한다. 중요 분야는 비용면에서 효율적인 유기 전자 장치 생산에 관한 것이다. 예로서, 스핀-코팅 또는 잉크젯 인쇄와 같은 액체 매질로부터의 침착이 갖는 장점은 상당하다.
따라서, 유기 전자 장치를 제조하기 위한 액체 침착 방법이 더욱 많이 요구 되고 있다.
요약
하나 이상의 딥-코팅된 층을 갖는 유기 전자 장치, 그를 제조하는 방법, 및 그를 포함하는 장치 및 조립 부품을 제공한다.
상기의 일반 설명 및 하기의 상세한 설명은 단지 예시적이고 설명적인 것이며, 첨부된 청구범위에서 정의되는 바와 같이 본 발명을 제한하는 것은 아니다.
도 1은 유기 전자 장치의 개략도이다.
도 2 는 접촉각과 관련된 개략도이다.
도 3은 딥-코팅된 장치의 I-V 플롯이다.
도 4는 딥-코팅된 장치에 대한 휘도 대 전압 플롯이다.
도 5는 또다른 딥-코팅된 장치의 I-V 플롯이다.
하나의 실시태양에서, 하나 이상의 딥-코팅된 층을 갖는 유기 전자 장치를 제공한다. 하나의 실시태양에서, 상기 층의 두께는 약 10nm 내지 약 500nm, 또는 약 10nm 내지 약 300nm, 또는 80nm 내지 150nm이다. 딥-코팅은 장치중 일부 ("워크피스(workpiece)" - 정의부 참조)를 침지시키고 수거하는 것을 언급한다. 용어 "액체 매질"은 순수 액체, 액체들의 배합물, 용액, 분산액, 현탁액, 및 에멀젼을 비롯한 액체 물질을 의미하고자 한다. 하나 이상의 용매가 존재하는지 여부와는 상관없이 액체 매질이 사용된다. 원하는 코팅에 따라, 액체 매질이 활성재를 함유할 수 있다.
용어 "활성"이 층 또는 부재와 관련하여 언급될 때, 전자적 성질 또는 전자 방사성 성질을 나타내는 층 또는 부재를 의미하고자 한다. 활성층 부재는 방사선을 방사할 수 있거나, 방사선을 받았을 때 전자-정공쌍(electron-hole pair)의 농도를 변화시킬 수 있다. 용어 "활성재"는 장치의 작동을 전자적으로 촉진시키는 부재를 언급한다. 활성재의 예로서, 제한하는 것은 아니지만, 전자 또는 정공중 어디에나 존재할 수 있는 전하를 전도시키거나, 주입하거나, 수송하거나, 차단하는 부재를 포함한다. 불활성재의 예로서, 제한하는 것은 아니지만, 평탄화 부재, 절연재, 및 환경차단재를 포함한다.
용어 "광활성"은 전계 발광, 광발광, 및/또는 감광성을 나타내는 임의의 부재를 언급한다. 추가로, 그러한 부재는 완충재, 전하 수송체 (전자 또는 정공), 또는 전극일 수 있다. 활성재의 혼합물 또한 사용될 수 있다.
하나의 실시태양에서, 워크피스를 제공하고; 활성층 부재를 포함하는 액체 매질내로 워크피스를 딥-코팅시키는 것을 포함하는, 유기 전자 장치용 활성층을 침착시키는 방법을 제공한다. 하나의 실시태양에서, 활성재는 완충재이다. 하나의 실시태양에서, 워크피스는 완충층을 갖고, 활성재는 방출재이다. 하나의 실시태양에서, 두께 범위가 약 10nm 내지 약 500nm인 활성층을 제공하도록 액체 매질의 성질이 선택된다. 하나의 실시태양에서, 두께 범위가 약 10nm 내지 약 500nm인 활성층을 제공하도록 침지 속도는 선택된다.
기판을 세정하여 표면의 물접촉각이 10° 미만이 되게 하고; 상기 기판을 액체 매질에 딥-코팅시키는 것을 포함하는, 유기 전자 장치상에 층을 침착시키는 방법이다. 하나의 실시태양에서, 딥-코팅되는 기판은 외면의 탈이온수 ("물") 접촉각이 10° 미만이 되도록 세정된다. 본 원에서 사용되는 바, 용어 "접촉각"은 도 2에 나타낸 각 θ를 의미하고자 한다. 표면상의 액적의 경우, 액적 바깥쪽 가장자리로부터 표면까지의 선과 평면의 교차점에 의해 정의된다. 각 θ는 적용 후 액적이 표면상에서 평형 위치에 도달된 후에 측정되는데, 이는 즉, "정적 접촉각"이다. 다양한 제조사들이 접촉각을 측정할 수 있는 장치를 제조하였다.
세정을 통해 본 원에 기술된 원하는 물접촉각을 갖는 표면을 수득할 수 있다면, 전자 분야, 특히 OLED 제조 분야에서 통상 사용되는 임의의 표면 세정 기술을 사용하여 세정을 실시할 수 있다. 몇몇 일례로, 표면을 UV 오존으로 처리하여 세정 공정을 실시할 수 있다. 다른 일례로, O2 플라즈마 처리를 사용할 수 있다. 본 분야의 당업자는 본 발명과 관련하여 세정하기 위해 사용될 수 있는 세정 방법에 대해서 잘 알고 있다. 일반적으로 세정은 원하는 물접촉각을 얻기에 충분한 조건하에서, 그러한 시간동안 수행될 것이라는 것이 이해된다. 그러한 조건의 선택 및 구현된 물접촉각의 평가는 작업자(routineer)의 기술 수준내에 있는 활동이다.
하나의 실시태양에서, 물접촉각이 약 8°이하로 될 때까지 기판을 세정한다. 하나의 실시태양에서, 물접촉각이 약 5°이하로 될 때까지 기판을 세정한다.
하나의 실시태양에서, 액체 매질의 점도는 약 1cP 내지 약 100cP, 약 1cP 내지 약 50cP, 또는 약 1cP 내지 약 20cP이다. 임의의 결함을 제거하거나 코팅된 필름 또는 층의 두께를 조절하기 위해서 워크피스를 동일한 액체내로 1회 이상 딥핑시킬 수 있다.
시간에는 상관없이 워크피스를 코팅 액체내 침지시킬 수 있고, 몇몇 실시태양에서의 시간은 5초 내지 30분 사이이다. 딥 공정시 워크피스의 각도 및/또는 방향(orientation)은, 잘 공지되어 있는, 침착의 두께를 조절하는 방법에 따라 조절될 수 있다.
액체 매질로부터의 수거시, 워크피스는 약 0.2mm/분 내지 약 400mm/분의 속도로 수거된다. 하나의 실시태양에서, 수거 속도는 약 1mm/분 내지 약 25mm/분이다. 워크피스를 수거시킬 때의 각도는 상응하는 액체 매질의 기액 표면(air-liquid surface)에 대하여 약 45 ° 내지 약 90 ° 범위이다.
하나의 실시태양에서, 워크피스를 제공하고; 워크피스중 일부분을 처리하여 그를 비-습윤화(non-wettable)시키고; 활성층 부재를 포함하는 액체 매질내로 워크피스를 딥-코팅하되, 활성층 부재가 비-습윤성 부분상에 침착되지 않음으로써 패턴이 형성되는 것을 포함하는, 유기 전자 장치상에서 패턴화된 활성층을 형성하는 방법을 제공한다. 하나의 실시태양에서, 처리는 불소 함유 플라즈마로 한다. 하나의 실시태양에서, 활성층 부재는 완충층 부재이다. 하나의 실시태양에서, 활성층 부재는 정공 수송층 부재이다. 하나의 실시태양에서, 활성층 부재는 광활성재이다. 하나의 실시태양에서, 워크피스는 추가로 방출재로 코팅된다. 하나의 실시태양에서, 생성된 활성층의 두께는 약 10nm 내지 약 300nm 범위이다.
하나의 실시태양에서, 두께 범위가 약 10nm 내지 약 500nm인 활성층을 제공하기 위하여 액체 매질의 성질이 선택된다. 하나의 실시태양에서, 액체 매질의 점도는 약 1cP 내지 약 100cP, 약 1cP 내지 약 50cP, 또는 약 1cP 내지 약 20cP이다.
하나의 실시태양에서, 두께 범위가 약 10nm 내지 약 500nm인 활성층을 제공하기 위하여 침지 후의 수거 속도는 선택된다. 하나의 실시태양에서, 수거 속도는 약 0.2mm/분 내지 약 400mm/분, 또는 약 1mm/분 내지 약 25mm/분이다.
액체 매질을 워크피스의 표면에 접촉시키는 대체 방법을 딥 코팅으로 제한하는 것은 아니다. 액체 매질을 세정된 워크피스에 접촉시킨 후 2개를 분리시키는 방법에서는, 액체 매질의 표면에 대한 균일한 부착성을 파괴하지 못하도록 하는 평활한(smooth) 또는 완만한(gentle) 전이가 요구될 것이다. 딥 코팅법 및 기기에 대한 몇몇 일례는 미국 특허번호 제5,693,372호, 미국 특허번호 제5,681,391호, 미국 특허번호 제5,578,410호, 및 미국 특허번호 제5,633,046호(이들 전문이 본 원에서 참고로 인용된다)에 개시되어 있다.
제2 활성재가 적용될 수 있다. 제1 활성재의 제1 층에 악영향을 미치지 않도록 제2 용매가 선택된다. 예를 들면, 제2 용매는 실질적으로 제1 활성재를 용해시키거나 분산시키지 못한다. 하나의 실시태양에서, 제1 층은 제2 용매중에서 용해되거나 분산되지 못하도록 가교결합될 수 있다. 제2 액체 매질은 추가의 딥-코팅과 같은 액체 침착, 또는 예로서, 기상 침착 및 열 전달과 같은 비-액체 침착을 비롯한 임의의 침착 기술에 의해 적용될 수 있다. 몇몇 다른 액체 침착 기술로서, 제한하는 것은 아니지만, 스핀 코팅, 그라비아 코팅(gravure coating), 커튼 코팅(curtain coating), 슬롯-다이 코팅, 분무 코팅, 및 연속 노즐 코팅과 같은 연속 침착 기술; 및 잉크젯 인쇄, 그라비아 인쇄, 및 스크린 인쇄와 같은 불연속 침착 기술을 포함한다. 몇몇 실시태양에서, 제2 활성재는 스핀 코팅, 잉크젯 인쇄, 및 연속 노즐 코팅 인쇄로부터 선택되는 방법에 의해 적용된다.
장치
도 1을 참고로 하여, 예시적인 유기 전자 장치(100)을 제시한다. 장치(100)은 기판(105)을 포함한다. 기판(105)는 경질이거나 가요성일 수 있고, 예를 들면, 유리, 세라믹, 금속, 또는 플라스틱일 수 있다. 전압을 가하였을 때, 방출광은 기판(105)을 통해 가시화된다.
제1 전기 접촉층(110)이 기판(105)상에 침착된다. 설명하기 위한 목적으로, 층(110)은 애노드 층이다. 애노드 층은 라인들로서 침착될 수 있다. 애노드는 예를 들면, 금속, 혼합 금속, 합금, 금속 산화물 또는 혼합-금속 산화물을 함유하거나 그를 포함하는 부재로 제조될 수 있다. 애노드는 전도성 중합체, 중합체 혼화물 또는 중합체 혼합물을 포함할 수 있다. 적합한 금속은 11족 금속, 4, 5, 및 6족 금속, 및 8족, 10족 전이 금속을 포함한다. 애노드가 광-투과성일 경우, 12, 13, 및 14족 금속의 혼합-금속 산화물, 예로서, 인듐-주석-산화물이 일반적으로 사용된다. 애노드는 또한 [Flexible Light - Emitting Diodes Made From Soluble Conducting Polymer , Nature 1992, 357, 477-479]에 기재되어 있는 예시적인 부재를 비롯한, 유기재, 특히, 예로서, 폴리아닐린과 같은 전도성 중합체를 포함할 수 있다. 생성된 빛이 관찰될 수 있도록 하기 위하여 적어도 하나의 애노드 및 캐소드는 적어도 부분적으로는 투명하여야 한다.
정공 수송재와 같은 임의의 완충층(120)이 애노드 층(110)상에 침착될 수 있고, 후자는 종종 "정공-주입 접촉층(hole-injecting contact layer)"으로서 언급된다. 층(120)으로 사용하기에 적합한 정공 수송재의 일례는 예를 들면, [Kirk Othmer, Encyclopedia of Chemical Technology, Vol. 18, 837-860 (4th ed. 1996)]에 요약되어 있다. 정공 수송 "소(small)" 분자 뿐만 아니라 올리고머 및 중합체가 양자 모두가 사용될 수 있다. 정공 수송 분자는, 제한하는 것은 아니지만, N,N' 디페닐-N,N'-비스(3-메틸페닐)-[1,1'-바이페닐]-4,4'-디아민 (TPD), 1,1 비스[(디-4-톨릴)페닐]사이클로헤산 (TAPC), N,N' 비스(4-메틸페닐)-N,N'-비스(4-에틸페닐)-[1,1'-(3,3'-디메틸)바이페닐]-4,4'-디아민 (ETPD), 테트라키스 (3-메틸페닐)-N,N,N',N'-2,5-페닐렌디아민 (PDA), a-페닐 4-N,N-디페닐아미노스티렌 (TPS), p (디에틸아미노)벤즈알데히드 디페닐히드라존 (DEH), 트리페닐아민 (TPA), 비스[4 (N,N-디에틸아미노)-2-메틸페닐](4-메틸페닐)메탄 (MPMP), 1 페닐-3-[p-(디에틸아미노)스티릴]-5-[p-(디에틸아미노)페닐]피라졸린 (PPR 또는 DEASP), 1,2 트랜스-비스(9H-카바졸-9-일)시클로부탄 (DCZB), N,N,N',N' 테트라키스(4-메틸페닐)-(1,1'-바이페닐)-4,4'-디아민 (TTB), 및 포르피린 화합물, 예로서, 구리 프탈로시아닌을 포함한다. 유용한 정공 수송 중합체로는, 제한하는 것은 아니지만, 폴리비닐카바졸, (페닐메틸)폴리실란, 및 폴리아닐린을 포함한다. 전도성 중합체는 한 부류로서 유용하다. 예로서, 상기 언급된 것과 같은 정공 수송 부위를 예로서, 폴리스티렘 및 폴리카보네이트와 같은 중합체로 도핑(doping)함으로써 정공 수송 중합체를 수득할 수도 있다.
완충층(120)이 존재할 경우에는 완충층(120)상에, 또는 제1 전기 접촉층(110)상에 유기층(130)을 침착시킬 수 있다. 몇몇 실시태양에서, 유기층(130)은 다양한 소자들을 포함하는 다수의 개별층(discrete layer)일 수 있다. 장치의 용도에 따라, 유기층(130)은 가해지는 전압 (예로서, 발광 다이오드 또는 발광 전기화학적 전지에서)에 의해 활성화되는 발광층일 수 있거나, 방사 에너지에 반응하고, 가해지는 바이어스 전압(예로서, 광검출기에서)을 포함하거나, 포함하지 않고 신호를 생성하는 부재층일 수 있다.
장치중 다른 층들은, 그러한 층에 의해 (는 기능을 고려할 때, 그러한 층에서 유용하다고 공지되어 있는 임의의 부재로 제조될 수 있다.
임의의 유기 전계 발광 ("EL") 부재는 광활성재 (예로서, 층(130)에서)로서 사용될 수 있다. 그러한 부재로는, 제한하는 것은 아니지만, 형광 염료, 소분자 유기 형광 화합물, 형광 및 인광 금속 착물, 접합된 중합체, 및 그의 혼합물을 포함한다. 형광 염료의 일례로, 제한하는 것은 아니지만, 피렌, 페릴렌, 루브렌, 그의 유도체, 및 그의 혼합물을 포함한다. 금속 착물의 일례로, 제한하는 것은 아니지만, 금속 킬레이트 옥시노이드 화합물, 예로서, 트리스(8-하이드록시퀴놀라토)알루미늄 (Alq3); 사이클로메탈화된 이리듐 및 플래티늄 전계 발광 화합물, 예로서, 페트로브(Petrov) 등의, 공개된 PCT 출원 WO 02/02714에 개시되어 있는 페닐피리딘, 페닐퀴놀린, 또는 페닐피리미딘 리간드와 이리듐의 착물, 및 예를 들면, 공개된 출원 US 2001/0019782, EP 1191612, WO 02/15645, 및 EP 1191614에 기재되어 있는 유기금속 착물; 및 그의 혼합물을 포함한다. 전하 수반 호스트(host) 부재 및 금속 착물을 포함하는 전계 발광 방출층은 톰슨(Thompson) 등에 의해 미국 특허 제6,303,238호, 및 부로우스(Burrows) 및 톰슨에 의해 공개된 PCT 출원 WO 00/70655 및 WO 01/41512에 기재되었다. 접합된 중합체의 일례로는, 제한하는 것은 아니지만, 폴리(페닐렌비닐렌), 폴리플루오렌, 폴리(스피로바이플루오렌), 폴리티오펜, 폴리(p-페닐렌), 그의 공중합체, 및 그의 혼합물을 포함한다.
본 발명의 장치에 대한 하나의 실시태양에서, 광활성재는 유기금속 착물일 수 있다. 또다른 실시태양에서, 광활성재는 이리듐 또는 플래티늄의 사이클로메탈화된 착물이다. 다른 유용한 광활성재 또한 사용될 수 있다. 페닐피리딘, 페닐퀴놀린, 또는 페닐피리미딘 리간드와 이리듐의 착물은 전계 발광 화합물로서, 페트로브(Petrov) 등의, 공개된 PCT 출원 WO 02/02714에 개시되어 있다. 다른 유기금속 착물은 예를 들면, 공개된 출원 US 2001/0019782, EP 1191612, WO 02/15645, 및 EP 1191614에 기재되어 있다. 이리듐의 금속 착물로 도핑된 폴리비닐 카바졸 (PVK) 활성층을 갖는 전계 발광 장치는 부로우스 및 톰슨에 의해 공개된 PCT 출원 WO 00/70655 및 WO 01/41512에 기재되었다. 전하 수반 호스트(host) 부재 및 인광 금속 플래티늄 착물을 포함하는 전계 발광 방출층은 톰슨 등에 의해 미국 특허 제6,303,238호, 및 부로우스 등에 의해 [Synth. Met. 2001, 116 (1-3), 379-383], 및 캠벨(Campbell) 등에 의해 [Phys. Rev. B, Vol. 65 085210]에 기재되었다.
제2 전기 접촉층(160)은 유기층(130)위에 침착된다. 설명하기 위한 목적으로, 층(160)은 캐소드층이다.
캐소드층은 라인으로 또는 필름으로서 침착될 수 있다. 캐소드는 애노드보다 일함수가 낮은 임의의 금속 또는 비금속일 수 있다. 캐소드용의 임의의 부재로서 알칼리 금속, 특히, 리튬, 2족 (알칼리토) 금속, 희토류 원소 및 란탄 계열 원소, 및 악티니드를 비롯한 12족 금속을 포함할 수 있다. 부재, 예로서, 알루미늄, 인듐, 칼슘, 바륨, 사마륨 및 마그네슘 뿐만 아니라 조합물이 사용될 수 있다. 리튬-함유 및 다른 화합물, 예로서, LiF 및 Li2O 또한 시스템의 동작 전압을 강하시키기 위해서 유기층과 캐소드층 사이에 침착될 수 있다.
전자 수송충(140) 또는 전자 주입층(150)은 임의로 캐소드에 인접하게 배치되는데, 여기에서, 캐소드는 종종 "전자-주입 접촉층"으로도 언급된다.
비바람직한 성분들, 예로서, 물 및 산소가 장치(100)내로 진입하지 못하도록 하기 위하여 캡슐화 층(170)이 접촉층(160)상에 침착된다. 상기 성분들이 유기층(130)에 악영향을 줄 수 있다. 하나의 실시태양에서, 캡슐화 층(170)은 차단층 또는 필름이다.
도시하지는 않았지만, 장치(100)은 추가의 층들을 포함할 수 있다는 것이 이해된다. 예를 들면, 애노드(110)와 정공 수송층(120) 사이에는 양전하 수송 및/또는 층의 밴드-갭 매칭(band-gap matching)을 용이하게 하거나, 또는 보호층으로 기능하는 층(나타내지 않음)이 존재할 수 있다. 본 분야에 공지된 다른 층 또는 그외의 것들이 사용될 수 있다. 또한, 상기-기술한 층들중 임의의 것은 2개 이상의 서브층(sublayer)을 포함할 수 있거나, 적층형(laminar) 구조를 형성할 수 있다. 다르게는, 애노드 층(110), 정공 수송층(120), 전자 수송층(140) 및 (150) 및 캐소드 층(160), 및 다른 층들중 일부 또는 전부를 처리, 특히, 표면 처리하여 전하 캐리어 수송 효율 또는 장치의 다른 물리적 성질을 증가시킬 수 있다. 바람직하게는, 각 소자 층에 대한 부재를 선택하는 것은 장치 효율이 높은 장치를 제공하려는 목적과, 장치 작동 수명시간에 대한 고려사항, 제조 시간 및 복잡성 인자 및 본 분야의 당업자에게 인식되는 다른 고려사항을 비교평가함으로써 결정된다. 최적의 소자들, 소자 구성, 및 구성 식별(compositional identity)을 결정하는 것은 본 분야의 당업자에게 통상적인 것으로서 이해될 것이다.
하나의 실시태양에서, 상이한 층들은 하기 범위의 두께를 갖는다: 애노드(110), 500-5000Å, 하나의 실시태양에서, 1000-2000Å; 정공 수송층(120), 50-2000Å, 하나의 실시태양에서 200-1000Å; 광활성층(130), 10-2000Å, 하나의 실시태양에서, 100-1000Å; 층(140) 및 (150), 50-2000Å, 하나의 실시태양에서 100-1000Å; 캐소드(160), 200-10000Å, 하나의 실시태양에서, 300-5000Å. 장치 중 전자-정공 재조합 대역의 위치 및 이에 따른 장치의 방출 스펙트럼은 각 층의 상대적 두께에 의해 영향받을 수 있다. 따라서, 전자-수송층의 두께는 전자-정공 재조합 대역이 발광층에 존재하도록 선택되어야 한다. 원하는 층 두께비는 사용되는 부재의 정확한 성질에 따라 좌우될 것이다.
작동시, 적절한 전원 공급 장치 (도시하지 않음)로부터의 전압이 장치(100)에 가해진다. 그 결과, 전류는 장치(100)을 가로질러 통과하게 된다. 전자는 유기 중합체층에 진입하게 되고, 광자는 방출된다. 능동 매트릭스 OLED로 명명되는 몇몇 OLED 디스플레이에서, 광활성 유기 필름의 개별 침착들은 전류의 통과에 의해 독립적으로 여기되어, 개별 화소의 빛을 방출한다. 수동 매트릭스 OLED로 명명되는 몇몇 OLED 디스플레이에서, 광활성 유기 필름의 침착들은 전기 접촉층의 행과 열(row and column)에 의해 여기될 수 있다.
장치는 다양한 기술을 사용하여 제조될 수 있다. 비제한적인 일례로서, 기상 침착 기술 및 액체 침착을 포함한다. 장치는 또한 제품의 분리형 물품으로 조립 부품화된 후, 결합하여 장치를 형성할 수 있다.
정의
"하나의(a)" 또는 "하나의(an)"는 본 발명의 요소 및 성분들을 설명하기 위해 사용된다. 이는 단지 편의상 사용되는 것이고, 본 발명의 일반적인 의미를 제공한다. 이러한 설명은 하나 또는 적어도 하나를 포함하는 것으로 읽혀야 하고, 단수는 또한 그것이 다른 의미를 갖는 것이 명백하지 않다면 복수를 포함한다.
본 원에서 사용되는 바, 용어 "포함하다(comprise)", "포함하는(comprising)", "포함하다(include)", "포함하는(including)", "갖다(have)", "갖는(having)" 또는 이들의 임의의 다른 변형어들은 비제한적인 포함을 의미하고자 한다. 예를 들면, 일련의 요소들을 포함하는 공정, 방법, 물품, 또는 장치는 반드시 그러한 요소들만으로 제한될 필요는 없으며, 그러한 공정, 방법, 물품, 또는 장치에 대해 분명하게 열거 또는 내재되지 않은 다른 요소들을 포함할 수 있다. 추가로, 달리 분명하게 서술되지 않는다면, "또는"은 포괄적인 "또는"을 의미하고, 배타적인 "또는"을 의미하지 않는다. 예를 들면, 조건 A 또는 B는, 임의의 것으로도 만족된다: A는 사실이고 (또는 존재하고) B는 거짓인 (존재하지 않는) 경우, A는 거짓이고 (존재하지 않고) B는 사실인 (존재하는) 경우, 및 A와 B 모두 사실인 (존재하는) 경우중 임의의 것으로도 만족된다.
용어 "층"은 용어 "필름"과 상호교환적으로 사용되고, 이는 원하는 구역을 덮는 코팅을 언급한다. 구역은 전체 장치 또는 특정 기능 구역, 예로서, 실제 영상 디스플레이만큼 크거나, 단일 서브-화소만큼 작을 수 있다. 필름은 기상 침착 및 액체 침착을 비롯한, 임의의 통상적인 침착 기술에 의해 형성될 수 있다. 액체 침착 기술은, 제한하는 것은 아니지만, 연속 침착 기술, 예로서, 스핀 코팅, 그라비아 코팅, 커튼 코팅, 딥 코팅, 슬롯-다이 코팅, 분무-코팅, 및 연속 노즐 코팅; 및 불연속 침착 기술, 예로서, 잉크젯 인쇄, 그라비아 인쇄, 및 스크린 인쇄를 포함한다.
용어 "유기 전자 장치"는 하나 이상의 반도체 층 또는 부재를 포함하는 장치를 의미하고자 한다. 유기 전자 장치는 제한하는 것은 아니지만: 1) 전기 에너지를 방사선으로 전환하는 장치 (예를 들면, 발광 다이오드, 발광 다이오드 디스플레이 또는 다이오드 레이저), (2) 전자 공학 공정을 통해 신호를 검출하는 장치 (예를 들면, 광검출기, 광도전성 전지, 포토레지스터, 광스위치, 광트랜지스터, 광전관, 적외선("IR") 검출기, 또는 바이오센서), (3) 방사선을 전기 에너지로 전환하는 장치 (예를 들면, 광기전력 장치 또는 태양 전지), 및 (4) 하나 이상의 유기 반도체 층을 포함하는 하나 이상의 전자 부품을 포함하는 장치 (예를 들면, 트랜지스터 또는 다이오드)를 포함한다. 장치라는 용어는 또한 메모리 저장 장치용 코팅 부재, 정전기방지 필름, 바이오센서, 전기발색 장치, 고체 전해질 캐패시터(capacitor), 에너지 저장 장치, 예로서, 재충전 배터리, 및 전자기 차폐 적용을 포함한다.
용어 "기판"은 경질이거나 가요성일 수 있고, 하나 이상의 부재들의 하나 이상의 층을 포함하는 기반 부재를 의미하고자 하며, 상기의 부재는, 제한하는 것은 아니지만, 유리, 중합체, 금속 또는 세라믹 부재 또는 그의 조합을 포함할 수 있다. 기판에 대한 기준점은 공정시 순서의 시작점이다. 기판은 전자 소자, 회로, 또는 전도성 부재를 포함하거나 포함하지 않을 수 있다.
용어 "워크피스"는 공정시의 순서 중 임의의 특정 시점에서의 기판을 의미하고자 한다. 기판은 공정시의 순서 동안 현저하게 변화하지 않을 수 있는 반면, 워크피스는 공정시의 순서 동안 현저하게 변화한다는 것에 주목한다. 예를 들면, 공정시 순서의 시작점에서, 기판 및 워크피스는 동일물이다. 층이 기판상에 형성된 후, 기판에서 기술상 변화된 것은 없지만, 현 상태의 워크피스는 기판 및 층을 포함한다.
달리 정의되지 않는 한, 본 원에서 사용되는 모든 기술적 및 과학적 용어들은 본 발명이 속한 분야에서의 당업자에게 공통적으로 이해되는 바와 동일한 의미를 갖는다. 본 원에서 설명되는 것들과 유사하거나 동등한 방법 및 재료들이 본 발명을 실행하거나 시험하는데 사용될 수 있지만, 적합한 방법 및 재료들이 하기에 설명된다. 본 원에서 언급되는 모든 공개문헌, 특허 출원, 특허, 및 기타 참고문헌들은, 특정 페이지가 인용되지 않는다면, 전문이 참고로 인용된다. 서로 모순되는 경우, 정의를 포함하여 본 원의 명세서 내용을 적용한다. 또한, 부재, 방법 및 실시예는 단지 예시적이며 제한하고자 하는 의도는 없다.
본 원에서 설명되지 않은 경우에, 특정 부재, 공정 행위 및 회로에 대한 많은 상세한 내용은 통상적인 것이고, 유기 발광 다이오드 디스플레이, 광검출기, 광기전력 및 반도체 부재 분야 내의 교재 및 다른 출처에서 찾아볼 수 있다.
본 원에 기술된 개념은 하기 실시예에서 추가로 설명될 것이며, 첨부된 청구범위에서 기술하는 본 발명의 범주를 제한하지는 않는다.
실시예 1
본 실시예는 다양한 장치의 특징, 예로서, 전류, 발광, 및 장치 효율에 대한 딥-코팅된 층의 효과를 설명하는 것이다.
딥 코팅 공정 (표 1 참조)을 사용하여 유리/ITO (애노드)/완충층/발광층/Ba/AI (캐소드)의 구조를 갖는 OLED를 조립하였다. 완충층은 PEDOT (베이트론-P(Baytron-P), CH 8000 (바이엘(Bayer)로부터 입수))를 함유하고, 발광층은 PPV 유도체 (PDY-132, SY20-007-021 (코비온(Covion)으로부터 입수))를 함유하였다. 기판의 크기는 30mm x 30mm였고, 활성 면적 크기는 20mm x 15mm였다.
완충층 및 발광층의 스핀 코팅 및 딥 코팅에 대한 다양한 조합으로 4개의 장치를 제조하였다. 4개의 장치는 표 1에서 샘플 1-4로 언급된다.
샘플 완충층 발광층
1 1000rpm으로 스핀 코팅 1800rpm으로 스핀 코팅
2 10mm/분으로 딥 코팅 1800rpm으로 스핀 코팅
3 1000rpm으로 스핀 코팅 20mm/분으로 딥 코팅
4 10mm/분으로 딥 코팅 20mm/분으로 딥 코팅
표 1의 데이타는 단일 코트의 완충층 및 단일 코트의 발광층을 사용하여 수집하였다. 용액 표면에 대하여 대략 90°로 (즉, 세로로 수직으로) 워크피스를 용액밖으로 취출하였다.
수성 완충층 용액을 0.45-미크론 필터를 통해 여과시켜, 각각의 통과 후에는 입자가 존재하지 않도록 하였다. 유기 용매중의 발광층 용액도 0.45-미크론 필터를 통해 여과시켰다.
워크피스를 약 5-30초 사이의 기간동안 각각의 딥 코팅 용액내로 침지시킨 후, 수거하였다. 데크타크(Dektak) 표면 윤곽 측정 장치(profilometer)에 의해 측정되는 바에 따라 약 100nm 내지 120nm의 두께로 제1 층인 완충층을 적용시킨 후, 워크피스를 핫 플레이트상에서 200℃에서 약 5분동안 베이킹하였다.
다르게는, 워크피스를 진공하에 90℃에서 약 30분동안 베이킹하였다.
발광층을 65nm 내지 76nm의 두께로 적용시키고, 180℃에서 약 10분동안 베이킹하였다.
완충층 및 발광층, 각각을 1회 이상 딥 코팅함으로써 원하는 층을 수득할 수 있거나, 필요한 경우, 표면의 결함을 수정할 수 있었다. 전형적으로, 매 디핑시마다 층의 두께는 30% 내지 70%로 증가하였다.
도 3은 전극에 가해지는 전압의 함수로서 샘플 장치의 전류 수준에 대한 I-V 플롯이다. 도면에 나타낸 바와 같이, 0.2V 내지 5.0V 범위의 전압을 각 샘플에 가하였다. 샘플간의 전류 수준차는 1.5V 미만의 전압 범위에서 컸지만, 2V 초과의 전압 범위에서는 약 75mA 이하였다. 샘플 4는 다른 샘플들의 전류 수준보다 다소 높은 전류 수준을 나타내었다. 이론에 국한되지 않고, 더 높은 전류 수준은 스핀 코팅된 층보다 더 박층의, 딥 코팅된 층에 기인할 수 있다. 전반적으로, 샘플 4개의 전류 수준은 서로의 합당한 범위안에 있었고, 이는 전류 누설과 관련하여 볼 때 대등한 성과임을 나타낸다.
도 4는 전압의 함수로서 샘플 장치의 휘도 수준에 대한 플롯이다. 적어도 약 1.8V 내지 5.0V의 전압 범위에서 샘플 장치의 휘도 수준에서의 차이는 약 75cd/㎡ 이하였다. 그러나, 일반적으로, 샘플 4는 상기 협범위의 변동내에서 가장 높은 휘도 수준을 나타내었다.
표 2에는 약 3V의 전압 및 200cd/㎡의 휘도에서 4개 샘플의 전류 및 장치 효율값을 요약한다. "장치 효율"은 단위 면적당 전류에 대한 단위 면적당의 방출광의 비[cd/A]이다. 완충층 및 발광층 양자 모두가 딥-코팅되었을 때 장치 효율이 최고라는 것이 데이타를 통해 제시되었는데, 이는 광자를 생성하기 위해 요구되는 전하 캐리어의 갯수가 가장 적기 때문이다. 완충층은 딥 코팅되고 발광층은 스핀-코팅되었을 때 효율이 가장 낮았고, 이는 광자를 생성하기 위해서는 평균적으로 7개 초과의 전하 캐리어를 필요로 하였다.
샘플 전압 전류[ mA /㎠] 장치 효율[ cd /A]
1 3.4 3.0 6.7
2 3.1 4.8 5.9
3 3.4 4.5 7.3
4 2.9 2.5 5.1
표 2의 데이타는 딥 코팅 및 스핀 코팅에 의해 대등한 장치 효율이 구현되었음을 제시한다. 본 실험을 위한 기판의 크기는 단지 30mm x 30mm 불과하였지만, 기판 크기를 Gen-5 또는 Gen-6 크기로 확장시킬 경우에도 샘플 성향에 현저한 영향을 미치지 않아야 한다.
실시예 2
본 실시예는 딥 코팅을 사용하여 풀 칼라 전계 발광 디스플레이를 제조하는 방법을 설명한다. 세정된 기판을 액체 부재 용기에 디핑시켰다. 하나의 실시태양에서, 액체 매질은 완충재였다. 바이엘로부터의 베이트론-P, CH 8000을 완충재로서 사용할 수 있었다. 이어서, 완충-코팅된 워크피스를 코비온 폴리스피로 CB02LO2 006002 (단계 330)와 같은 청색 발광 중합체에 딥-코팅시켰다. 이어서, 코비온으로부터의 스피로-폴리플루오렌 적색 방출체 (아니솔:o-크실렌:3,4-DMA의 공용매중 0.05-0.15wt.%)를 액적 침착시키거나 연속 라인 침착시킴으로써 적색 화소를 청색층상에 잉크-분사시켰다. 단일 노즐 또는 다중-노즐 잉크젯 장치를 사용하여 액적 침착 또는 라인 침착을 실시할 수 있었다. 적색층의 두께는 약 10nm 내지 30nm였다. 적색 발광층을 건조시킨 후, 상응하는 중합체 용액을 사용하여 녹색 발광층을 적색 중합체층상에 잉크-분사시켰다. 녹색 부재는 예를 들면, 다우 케미컬 코포레이션(Dow Chemical Co.)으로부터 입수한 DOW 그린-K2일 수 있었다. 이어서, 코팅된 워크피스를 120℃에서 약 10분동안 베이킹하였다. 베이킹한 후, 캐소드를 침착시켰다. 다른 공정에서는, 녹색 및 적색 중합체층이 형성된 후, 패턴화되지 않는 청색 중합체가 딥 코팅에 의해 침착되었다. 또한, 녹색 및 적색 화소에 대한 잉크젯 공정은 규정된 대역(defined zone)으로의 레이저 열 전달 또는 열 확산으로 대체될 수 있었다. 임의로, 적색층 및 녹색층이 침착되는 부분에 청색층이 존재하지 않도록 청색층중 일부를 제거할 수 있었다. 청색층은 시간제어(time-controlled) 플라즈마 에칭에 의해 제거할 수 있었다.
실시예 3
본 실시예는 딥 코팅을 사용하여 풀 칼라 전계 발광 디스플레이를 제조하기 위한 제2 OLED 제조공정을 설명한다. 본 공정은 실시예의 공정과 유사하되, 주된 차이는, 적색 방출체보다 먼저 녹색 방출체를 잉크-분사하였다는 것이다. 따라서, 실시예 2에 기술된 방식으로 청색 발광 중합체를 딥 코팅한 후, 녹색 발광 부재 (예로서, 다우 케미컬 코포레이션으로부터 입수한 DOW 그린-K2)를 사용하여 청색-코팅된 워크피스에 잉크-분사시켰다. 녹색 부재를 건조시킨 후, 적색층 (예로서, 실시예 2의 코비온 혼합물)을 잉크-분사시키고, 120℃에서 약 10분동안 베이킹하였다.
실시예 4
본 실시예는, 딥 코팅을 사용함으로써 고화질을 갖는, 고품질의 대형 디스플레이를 제조할 수 있다는 것을 입증하는 것이다. 대략 102mm x 102mm (대각선 4-인치) 및 QVGA (320 x RGB x 240 화소, 전체 화소 수는 2.3 x 105 초과이다)의 활성 매트릭스 무정형 실리카를 수득하였다. 표 1로부터의 구조물중 하나 (딥 코팅/스핀 코팅)를 선택하되, 그의 완충층의 두께는 약 100nm가고, 발광층의 두께는 약 80nm였다.
200cd/㎡에서 상기 구조물의 전계 발광 효율은 약 11.2cd/A이고, 전력 효율은 약 4.5Im/와트였다. 상기 디스플레이는 고화질임과 동시에 전 활성 영역에 걸쳐 균질성인 것으로 나타났다. I-V 특징을 도 5에 나타낸다.
실시예 5
기판, 예를 들면, CaponRev2 기판상의 포토레지스터 구조물을 불소 함유 플라즈마로 처리함으로써 구조물중 처리된 부분을 비-습윤화시켰다.
플라즈마는 마치 플라스마 시스템(March Plasma System) (캘리포니아 콘코드 소재)에 의한 March PX500 모델 플라즈마 발생기를 사용하여 생산할 수 있었다. 접지된 천공 플레이트 및 부동 기판 플레이트를 갖는 장치는 유체 통과형(flow through) 모드로 구성되어 있었다. 6-인치의 부동 기판 플레이트를 CF4/O2 가스 조성물로부터 형성된 플라즈마로 처리하였다. 상기 가스 조성물은 80-100 부피% CH4, 또는 약 92 부피% CF4, 및 약 0 부피% 내지 약 20 부피% O2, 또는 약 8 부피% O2를 포함할 수 있다. 약 200W 내지 500W의 플라즈마, 또는 약 400W의 플라즈마를 사용하여, 약 300mTorr 내지 약 600mTorr의 압력, 또는, 약 400mTorr의 압력에서 약 2분 내지 약 5분동안, 또는 약 3분 동안 기판을 노출시킬 수 있었다.
이어서, 워크피스를 완충층에서 딥 코팅시켰다. 적절하게 건조시킨 후, 연속하여 워크피스를 정공 수송층에 딥 코팅시켰다. 구조물중 처리된, 비-습윤성 부분은 코팅되지 않았고, 그의 비-습윤성 특징은 유지되었고, 이는 RGB (적색, 녹색, 청색) 방출층 인쇄시 사용될 수 있었다. 예를 들면, 30um의 잉크젯 팁이 있는 MicroFab 잉크젯 프린터를 사용함으로써 3,4 디메틸 아니솔중 1%의 Dow K2 녹색 발광 중합체를 포함하는 37pL의 액적을 제공할 수 있었다. 캐소드를 가하고, 워크피스를 캡슐화하여 유기 전자 장치를 형성함으로써 제조는 완료되었다.
상기 명세서에서의 개념들은 특정 실시태양과 관련하여 기술되었다. 그러나, 본 분야의 당업자는, 하기 청구범위에 기재된 본 발명의 범주로부터 벗어남 없이 다양하게 변형되고 변경될 수 있다는 것을 이해한다. 따라서, 명세서 및 도면은 제한한다는 의미보다는 설명적인 것으로서 간주되어야 하고, 그러한 모든 변형도 본 발명의 범주내 포함시키고자 한다.
다수의 측면과 실시태양이 상기에 기술되었고, 이는 단지 예시적인 것이며 제한적인 것은 아니다. 본 명세서를 읽은 후, 본 분야의 당업자들은 본 발명의 범주로부터 벗어남 없이 다른 측면 및 실시태양도 실행가능하다는 것을 이해한다.
잇점, 다른 장점들, 및 문제 해결안들이 특정 실시태양과 관련하여 상기에 기술되었다. 그러나, 잇점, 장점들, 문제 해결안들, 및 임의의 잇점, 장점, 또는 더욱 명확하게 나타나거나 더욱 명확해진 해결안을 가져올 수 있는 임의의 특징(들)이, 임의 또는 모든 청구범위가 갖는 중요하거나, 요구되거나, 본질적인 특징들로서 해석되어서는 안된다.
특정한 특징은 명확성을 위해서 별도의 실시태양과 관련하여 본 원에 개시되고, 단일 실시태양에서도 조합하여 제공될 수도 있는 것으로 이해된다. 역으로, 간결하게 하기 위해서 단일 실시태양와 관련하여 기술된 다양한 특징들은 또한 별도로 또는 어떠한 서브조합(subcombination)으로도 제공될 수 있다. 추가로, 범위로서 제시된 값에 대한 언급은 상기 범위내의 각각의 값 및 모든 값을 포함한다.

Claims (20)

  1. 워크피스(workpiece)를 제공하고;
    활성층 부재를 포함하는 액체 매질내로 워크피스를 딥-코팅(dip-coating)시키는 것을 포함하는, 유기 전자 장치용 활성층을 침착시키는 방법.
  2. 제1항에 있어서, 활성재가 완충재이거나, 워크피스가 완충층을 갖고 활성재가 방출재인 방법.
  3. 제1항에 있어서, 생성된 층의 두께가 약 10nm 내지 약 300nm 범위인 방법.
  4. 제1항에 있어서, 두께 범위가 약 10nm 내지 약 500nm인 활성층을 제공하도록 액체 매질의 성질을 선택하는 것을 추가로 포함하는 방법.
  5. 제4항에 있어서, 액체 매질의 점도가 약 1cP 내지 약 100cP, 약 1cP 내지 약 50cP, 또는 약 1cP 내지 약 20cP인 방법.
  6. 제1항에 있어서, 두께 범위가 약 10nm 내지 약 500nm인 활성층을 제공하도록 침지 후의 수거 속도를 선택하는 것을 추가로 포함하는 방법.
  7. 제6항에 있어서, 수거 속도가 약 0.2mm/분 내지 약 400mm/분, 또는 약 1mm/분 내지 약 25mm/분인 방법.
  8. 기판을 세정하여 표면의 물접촉각이 10° 미만이 되게 하고;
    기판을 액체 매질에 딥-코팅시키는 것을 포함하는, 유기 전자 장치상에 층을 침착시키는 방법.
  9. 제8항에 있어서, 물접촉각이 약 8°이하로 될 때까지 기판을 세정하거나, 물접촉각이 약 5°이하로 될 때까지 기판을 세정하는 방법.
  10. 워크피스를 제공하고;
    워크피스중 일부분을 처리하여 그를 비-습윤화(non-wettable)시키고;
    활성층 부재를 포함하는 액체 매질내로 워크피스를 딥-코팅하되, 활성층 부재는 비-습윤성 부분상에 침착되지 않음으로써 패턴이 형성되는 것을 포함하는, 유기 전자 장치상에서 패턴화된 활성층을 형성하는 방법.
  11. 제10항에 있어서, 처리를 불소 함유 플라즈마로 하는 방법.
  12. 제10항에 있어서, 활성층 부재가 완충층 부재인 방법.
  13. 제10항에 있어서, 활성층 부재가 정공 수송층 부재인 방법.
  14. 제10항에 있어서, 활성층 부재가 광활성재인 방법.
  15. 제10항에 있어서, 워크피스가 추가로 방출재로 코팅되는 방법.
  16. 제10항에 있어서, 생성된 활성층의 두께가 약 10nm 내지 약 300nm 범위인 방법.
  17. 제10항에 있어서, 두께 범위가 약 10nm 내지 약 500nm인 활성층을 제공하도록 액체 매질의 성질을 선택하는 것을 추가로 포함하는 방법.
  18. 제17항에 있어서, 액체 매질의 점도가 약 1cP 내지 약 100cP, 약 1cP 내지 약 50cP, 또는 약 1cP 내지 약 20cP인 방법.
  19. 제10항에 있어서, 두께 범위가 약 10nm 내지 약 500nm인 활성층을 제공하도록 침지 후의 수거 속도를 선택하는 것을 추가로 포함하는 방법.
  20. 제19항에 있어서, 수거 속도가 약 0.2mm/분 내지 약 400mm/분, 또는 약 1mm/분 내지 약 25mm/분인 방법.
KR1020077017362A 2004-12-30 2005-12-29 유기 전자 장치 및 방법 KR101290012B1 (ko)

Applications Claiming Priority (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US64067304P 2004-12-30 2004-12-30
US60/640,673 2004-12-30
US69488605P 2005-06-28 2005-06-28
US60/694,886 2005-06-28
PCT/US2005/047598 WO2006072066A2 (en) 2004-12-30 2005-12-29 Organic electronic devices and methods

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20070112451A true KR20070112451A (ko) 2007-11-26
KR101290012B1 KR101290012B1 (ko) 2013-07-30

Family

ID=36615567

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020077017362A KR101290012B1 (ko) 2004-12-30 2005-12-29 유기 전자 장치 및 방법

Country Status (5)

Country Link
US (1) US8481104B2 (ko)
EP (1) EP1836001A4 (ko)
JP (1) JP5258302B2 (ko)
KR (1) KR101290012B1 (ko)
WO (1) WO2006072066A2 (ko)

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5966250B2 (ja) * 2011-03-16 2016-08-10 富士電機株式会社 基板支持治具
WO2014163773A1 (en) * 2013-03-11 2014-10-09 Applied Materials, Inc. Plasma curing of pecvd hmdso film for oled applications
JP6195022B2 (ja) * 2015-03-19 2017-09-13 ウシオ電機株式会社 ワークの貼り合わせ方法

Family Cites Families (34)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6137883A (ja) * 1984-07-31 1986-02-22 Canon Inc 電界発光素子
US4741976A (en) * 1984-07-31 1988-05-03 Canon Kabushiki Kaisha Electroluminescent device
JPH01185353A (ja) 1988-01-18 1989-07-24 Matsushita Electric Works Ltd エポキシ樹脂成形材料の製造方法
US5633046A (en) * 1995-05-22 1997-05-27 Xerox Corporation Multiple dip coating method
US5578410A (en) * 1995-06-06 1996-11-26 Xerox Corporation Dip coating method
JP3497283B2 (ja) * 1995-06-19 2004-02-16 松下電器産業株式会社 有機薄膜ｅｌ素子
US5693372A (en) * 1996-02-29 1997-12-02 Xerox Corporation Immersion coating process
US5681391A (en) * 1996-02-29 1997-10-28 Xerox Corporation Immersion coating apparatus
JP3899566B2 (ja) 1996-11-25 2007-03-28 セイコーエプソン株式会社 有機ｅｌ表示装置の製造方法
JP2845856B2 (ja) * 1997-03-10 1999-01-13 出光興産株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法
US6303238B1 (en) * 1997-12-01 2001-10-16 The Trustees Of Princeton University OLEDs doped with phosphorescent compounds
JP4003273B2 (ja) * 1998-01-19 2007-11-07 セイコーエプソン株式会社 パターン形成方法および基板製造装置
KR100660384B1 (ko) 1998-03-17 2006-12-21 세이코 엡슨 가부시키가이샤 표시장치의 제조방법
JP3606047B2 (ja) * 1998-05-14 2005-01-05 セイコーエプソン株式会社 基板の製造方法
AU5004700A (en) 1999-05-13 2000-12-05 Trustees Of Princeton University, The Very high efficiency organic light emitting devices based on electrophosphorescence
WO2001041512A1 (en) 1999-12-01 2001-06-07 The Trustees Of Princeton University Complexes of form l2mx as phosphorescent dopants for organic leds
JP2001185353A (ja) * 1999-12-27 2001-07-06 Sharp Corp 有機ｌｅｄディスプレイの有機層の形成方法およびそれを用いた表示装置
US6821645B2 (en) * 1999-12-27 2004-11-23 Fuji Photo Film Co., Ltd. Light-emitting material comprising orthometalated iridium complex, light-emitting device, high efficiency red light-emitting device, and novel iridium complex
US20020121638A1 (en) 2000-06-30 2002-09-05 Vladimir Grushin Electroluminescent iridium compounds with fluorinated phenylpyridines, phenylpyrimidines, and phenylquinolines and devices made with such compounds
EP1325671B1 (en) 2000-08-11 2012-10-24 The Trustees Of Princeton University Organometallic compounds and emission-shifting organic electrophosphorescence
JP4154140B2 (ja) 2000-09-26 2008-09-24 キヤノン株式会社 金属配位化合物
JP4154139B2 (ja) 2000-09-26 2008-09-24 キヤノン株式会社 発光素子
WO2002063700A1 (de) * 2001-02-06 2002-08-15 Schott Glas VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINER LICHT-EMITTIERENDEN eINRICHTUNG SOWIE LICHT-EMITTIERENDE EINRICHTUNG
GB2373095A (en) * 2001-03-09 2002-09-11 Seiko Epson Corp Patterning substrates with evaporation residues
WO2003001616A2 (en) * 2001-06-20 2003-01-03 Showa Denko K.K. Light emitting material and organic light-emitting device
KR100424090B1 (ko) * 2001-06-25 2004-03-22 삼성에스디아이 주식회사 유기 전계 발광 소자용 정공 수송층, 그 정공 수송층을사용한유기 전계 발광 소자 및 그 소자의 제조 방법
US20030027051A1 (en) * 2001-07-23 2003-02-06 Kejha Joseph B. Manufacturing method and structure of electrodes for lithium based electrochemical devices
JP3578162B2 (ja) * 2002-04-16 2004-10-20 セイコーエプソン株式会社 パターンの形成方法、パターン形成装置、導電膜配線、デバイスの製造方法、電気光学装置、並びに電子機器
US6972261B2 (en) * 2002-06-27 2005-12-06 Xerox Corporation Method for fabricating fine features by jet-printing and surface treatment
KR100769946B1 (ko) * 2003-01-15 2007-10-25 주식회사 엘지화학 저 전압에서 구동되는 유기 발광 소자
GB0301089D0 (en) 2003-01-17 2003-02-19 Plastic Logic Ltd Active layer islands
US6969166B2 (en) 2003-05-29 2005-11-29 3M Innovative Properties Company Method for modifying the surface of a substrate
JP4629997B2 (ja) 2003-06-02 2011-02-09 株式会社リコー 薄膜トランジスタ及び薄膜トランジスタアレイ
EP1728256B1 (en) * 2004-03-24 2015-05-13 Showa Denko K.K. Crosslinked self-doping type electrically conducting polymer, production process thereof, product coated with the polymer and electronic device

Also Published As

Publication number Publication date
KR101290012B1 (ko) 2013-07-30
EP1836001A2 (en) 2007-09-26
JP2008527637A (ja) 2008-07-24
JP5258302B2 (ja) 2013-08-07
EP1836001A4 (en) 2009-08-05
US20100233383A1 (en) 2010-09-16
WO2006072066A2 (en) 2006-07-06
US8481104B2 (en) 2013-07-09
WO2006072066A3 (en) 2007-09-07

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US9209398B2 (en) Process for forming an electroactive layer
US8907353B2 (en) Process for forming an electroactive layer
US20140264307A1 (en) Process for forming an electroactive layer
JP5701782B2 (ja) 電気活性層の形成方法
KR101290012B1 (ko) 유기 전자 장치 및 방법
US20080309221A1 (en) Containment Structure For an Electronic Device
US8017223B2 (en) Containment structure and method
US20080207823A1 (en) Active Compositions And Methods

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
LAPS Lapse due to unpaid annual fee