KR20070104701A - Inductive coupled plasma source with plasma discharging tube covered with magnetic core block - Google Patents
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Abstract
Description
본 발명의 상세한 설명에서 사용되는 도면을 보다 충분히 이해하기 위하여, 각 도면의 간단한 설명이 제공된다.In order to more fully understand the drawings used in the detailed description of the invention, a brief description of each drawing is provided.
도 1은 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 플라즈마 반응기의 사시도이다.1 is a perspective view of a plasma reactor according to a preferred embodiment of the present invention.
도 2는 도 1의 플라즈마 반응기의 단면도이다.2 is a cross-sectional view of the plasma reactor of FIG.
도 3은 도 1의 플라즈마 반응기의 분리 사시도이다.3 is an exploded perspective view of the plasma reactor of FIG. 1.
도 4는 플라즈마 반응기의 점화 회로 구성을 보여주는 도면이다.4 is a view showing the configuration of the ignition circuit of the plasma reactor.
도 5는 플라즈마 반응기가 프로세스 챔버에 탑재된 예를 보여주는 도면이다.5 shows an example in which a plasma reactor is mounted in a process chamber.
도 6 내지 도 12는 플라즈마 반응기의 다양한 변형예들을 보여주는 도면이다.6 to 12 show various modifications of the plasma reactor.
*도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명** Description of the symbols for the main parts of the drawings *
5: 변합기 10: 플라즈마 반응기5: transformer 10: plasma reactor
11: 무선 주파수 차단 커버 20: 마그네틱 코어 블록11: radio frequency blocking cover 20: magnetic core block
21: 일차 권선 22: 전원 공급원21: primary winding 22: power source
30: 플라즈마 방전 튜브 31, 32: 절연 영역30:
본 발명은 플라즈마 방전에 의하여 이온, 자유 래디컬, 원자 및 분자를 포함하는 활성 가스를 발생 시기고 활성 가스로 고체, 분말, 가스 등의 플라즈마 처리를 하기 위한 플라즈마 소스에 관한 것으로, 구체적으로는 마그네틱 코어 블록에 매설된 플라즈마 방전 튜브를 구비한 유도 결합 플라즈마 소스에 관한 것이다.The present invention relates to a plasma source for generating an active gas containing ions, free radicals, atoms, and molecules by plasma discharge, and performing plasma treatment of solids, powders, and gases with the active gas, and specifically, a magnetic core. An inductively coupled plasma source having a plasma discharge tube embedded in a block.
플라즈마 방전은 이온, 자유 래디컬, 원자, 분자를 포함하는 활성 가스를 발생하기 위한 가스 여기에 사용되고 있다. 활성 가스는 다양한 분야에서 널리 사용되고 있으며 대표적으로 반도체 제조 공정 예들 들어, 식각, 증착, 세정 등 다양하게 사용되고 있다.Plasma discharges are used for gas excitation to generate active gases containing ions, free radicals, atoms, molecules. The active gas is widely used in various fields and is typically used in various semiconductor manufacturing processes such as etching, deposition, and cleaning.
최근, 반도체 장치의 제조를 위한 웨이퍼나 LCD 글라스 기판은 더욱 대형화 되어 가고 있다. 그럼으로 플라즈마 이온 에너지에 대한 제어 능력이 높고, 대면적의 처리 능력을 갖는 확장성이 용이한 플라즈마 소스가 요구되고 있다.In recent years, wafers and LCD glass substrates for the manufacture of semiconductor devices are becoming larger. Therefore, there is a demand for a plasma source having a high controllability with respect to plasma ion energy and having a large-area processing capacity.
플라즈마를 발생하기 위한 플라즈마 소스는 여러 가지가 있는데 무선 주파수(radio frequency)를 사용한 용량 결합 플라즈마와 유도 결합 플라즈마가 그 대표적인 예이다. 그중 유도 결합 플라즈마 소스는 무선 주파수 전원의 증가에 따라 이온 밀도를 비교적 용이하게 증가시킬 수 있어서 고밀도 플라즈마를 얻기에 적합한 것으로 알려져 있다.There are a number of plasma sources for generating plasma, such as capacitively coupled plasma using radio frequency and inductively coupled plasma. Among them, inductively coupled plasma sources are known to be suitable for obtaining high-density plasma because they can increase ion density relatively easily with increasing radio frequency power.
그러나 유도 결합 플라즈마 방식은 공급되는 에너지에 비하여 플라즈마에 결 합되는 에너지가 낮아서 매우 고전압의 구동 코일을 사용하고 있다. 그럼으로 이온 에너지가 높아서 플라즈마 반응기의 내부 표면이 이온 충격(ion bombardment)에 의해 손상되는 경우가 발생된다. 이온 충격에 의한 플라즈마 반응기의 내부 표면 손상은 플라즈마 반응기의 수명을 단축하는 것뿐만 아니라 플라즈마 처리 오염원으로 작용하는 부정적인 결과를 얻게 된다. 이온 에너지를 낮추려는 경우에는 플라즈마에 결합되는 에너지가 낮아서 잦은 플라즈마 방전이 오프 되는 경우가 발생하게 된다. 그럼으로 안정적인 플라즈마 유지가 어렵게 되는 문제점이 발생한다.However, the inductively coupled plasma method uses a very high voltage driving coil because energy coupled to the plasma is lower than that of the supplied energy. As a result, the ion energy is so high that the inner surface of the plasma reactor is damaged by ion bombardment. Damage to the internal surface of the plasma reactor by ion bombardment not only shortens the lifetime of the plasma reactor, but also has negative consequences of acting as a plasma treatment contaminant. When the ion energy is to be lowered, the energy bound to the plasma is low, so that frequent plasma discharge is turned off. Therefore, a problem arises that it is difficult to maintain stable plasma.
한편, 반도체 제조 공정에서 플라즈마를 이용한 공정에서 원격 플라즈마의 사용은 매우 유용한 것으로 알려져 있다. 예를 들어, 공정 챔버의 세정이나 포토레지스트 스트립을 위한 에싱 공정에서 유용하게 사용되고 있다. 그런데 피처리 기판의 대형화에 따라 공정 챔버의 볼륨도 증가되고 있어서 고밀도의 활성 가스를 충분히 원격으로 공급할 수 있는 플라즈마 소스가 요구되고 있다. 게다가 다수의 기판을 동시에 처리하는 다중 처리 챔버의 경우에는 더욱 그러하다.On the other hand, the use of remote plasma in the process using the plasma in the semiconductor manufacturing process is known to be very useful. For example, it is usefully used in cleaning process chambers and ashing processes for photoresist strips. However, as the size of the substrate to be processed increases, the volume of the process chamber is also increasing, and a plasma source capable of sufficiently remotely supplying high density active gas is required. This is especially true for multiple processing chambers that process multiple substrates simultaneously.
따라서 본 발명은 플라즈마에 결합되는 유도 결합 에너지의 전달 효율을 높이여 플라즈마를 안정적으로 유지할 수 있고 고밀도의 플라즈마를 안정적으로 얻을 수 있는 마그네틱 코어 블록에 매설된 플라즈마 방전 튜브를 구비한 유도 결합 플라즈마 소스를 제공하는데 그 목적이 있다.Accordingly, the present invention provides an inductively coupled plasma source having a plasma discharge tube embedded in a magnetic core block that can stably maintain plasma and stably obtain a high density plasma by increasing the transfer efficiency of inductively coupled energy coupled to the plasma. The purpose is to provide.
상기한 기술적 과제를 달성하기 위한 본 발명의 일면은 유도 결합 플라즈마 소스에 관한 것이다. 본 발명의 유도 결합 플라즈마 소스는: 마그네틱 코어 블록과 일차 권선을 갖는 변압기; 마그네틱 코어 블록에 매설되어 마그네틱 코어 블록에 의해 전체적으로 감싸지는 플라즈마 방전 튜브; 마그네틱 코어 블록을 전체적으로 감싸는 코어 커버; 일차 권선에 전기적으로 연결되는 전원 공급원을 포함하고, 전원 공급원에 의해 일차 권선의 전류가 구동되고, 일차 권선의 구동 전류는 변압기의 이차 회로를 완성하는 유도 결합된 플라즈마를 형성하는 플라즈마 방전 튜브 내측의 AC 전위(AC potential)를 유도한다.One aspect of the present invention for achieving the above technical problem relates to an inductively coupled plasma source. Inductively coupled plasma sources of the present invention include: a transformer having a magnetic core block and a primary winding; A plasma discharge tube embedded in the magnetic core block and entirely wrapped by the magnetic core block; A core cover covering the magnetic core block as a whole; A power supply electrically connected to the primary winding, wherein the current is driven by the power supply, and the driving current of the primary winding is inside the plasma discharge tube to form an inductively coupled plasma that completes the secondary circuit of the transformer. Induces AC potential
일 실시예에 있어서, 플라즈마 방전 튜브는 전체적으로 하나 이상의 방전 루프를 포함한다.In one embodiment, the plasma discharge tube overall includes one or more discharge loops.
일 실시예에 있어서, 플라즈마 방전 튜브는 전체적으로 두 개 이상의 분리된 가스 흐름 경로를 포함한다.In one embodiment, the plasma discharge tube as a whole comprises two or more separate gas flow paths.
일 실시예에 있어서, 플라즈마 방전 튜브는 금속 물질을 포함한다.In one embodiment, the plasma discharge tube comprises a metal material.
일 실시예에 있어서, 플라즈마 방전 튜브는 에디 전류를 최소화하기 위하여 금속 물질 내에서 전기적 불연속성을 갖도록 하는 하나 이상의 전기적 절연 영역을 포함한다.In one embodiment, the plasma discharge tube includes one or more electrically insulating regions that have electrical discontinuities in the metal material to minimize eddy currents.
일 실시예에 있어서, 플라즈마 방전 튜브는 절연 물질을 포함한다.In one embodiment, the plasma discharge tube comprises an insulating material.
일 실시예에 있어서, 플라즈마 방전 튜브로 가스를 입력하기 위한 하나의 가스 입구와 플라즈마 방전 튜브에서 발생된 활성 가스를 배출하기 위한 하나 이상의 가스 출구를 포함한다.In one embodiment, it includes one gas inlet for entering gas into the plasma discharge tube and one or more gas outlets for discharging active gas generated in the plasma discharge tube.
일 실시예에 있어서, 마그네틱 코어 블록은 플라즈마 방전 튜브가 매설되는 영역을 피하는 하나 이상의 관통된 개구부를 갖는 포함한다.In one embodiment, the magnetic core block includes one or more through openings that avoid the area where the plasma discharge tube is embedded.
일 실시예에 있어서, 플라즈마 방전 튜브와 마그네틱 코어 블록 사이의 갭(gap)을 포함한다.In one embodiment, a gap between the plasma discharge tube and the magnetic core block is included.
일 실시예에 있어서, 일차 권선은 갭을 통하여 마그네틱 코어 블록에 설치된다.In one embodiment, the primary winding is installed in the magnetic core block through the gap.
일 실시예에 있어서, 갭을 통하여 플라즈마 방전 튜브를 따라 설치되는 냉각수 공급 채널을 포함한다.In one embodiment, a cooling water supply channel is installed along the plasma discharge tube through the gap.
일 실시예에 있어서, 마그네틱 코어 블록은 내부에 매설되는 냉각수 공급 채널을 포함한다.In one embodiment, the magnetic core block includes a coolant supply channel embedded therein.
일 실시예에 있어서, 마그네틱 코어에 권선되는 점화용 유도 코일과 유도 코일에 전기적으로 연결되며 플라즈마 방전 튜브에 설치되는 점화용 전극을 갖는 점화 회로를 포함한다.In one embodiment, an ignition circuit having an induction coil for ignition wound on a magnetic core and an ignition electrode electrically connected to the induction coil and installed in a plasma discharge tube.
일 실시예에 있어서, 전원 공급원과 일차 권선 사이에 구성되어 임피던스 정합을 수행하는 임피던스 정합 회로를 포함한다.In one embodiment, an impedance matching circuit is configured between the power supply and the primary winding to perform impedance matching.
일 실시예에 있어서, 전원 공급원은 조정 가능한 정합 회로 없이 동작한다.In one embodiment, the power supply operates without an adjustable matching circuit.
일 실시예에 있어서, 코어 커버는 무선 주파수 차단 재료를 포함한다.In one embodiment, the core cover comprises a radio frequency blocking material.
일 실시예에 있어서, 플라즈마 방전 튜브에서 발생된 플라즈마 가스를 제공받아 수용하는 프로세스 챔버를 더 포함한다.In one embodiment, it further comprises a process chamber for receiving and receiving the plasma gas generated in the plasma discharge tube.
일 실시예에 있어서, 코어 커버와 플라즈마 방전 튜브가 매설된 마그네틱 코어 블록은 플라즈마 반응기를 구성하며, 플라즈마 반응기는 프로세스 챔버에 탑재 가능한 구조를 갖고, 전원 공급원은 플라즈마 반응기와 물리적으로 분리된 구조를 갖고, 전원 공급원과 플라즈마 반응기는 무선 주파수 케이블로 원격으로 연결된다.In one embodiment, the magnetic core block embedded with the core cover and the plasma discharge tube constitute a plasma reactor, the plasma reactor has a structure that can be mounted in the process chamber, the power source has a structure physically separated from the plasma reactor The power supply and the plasma reactor are remotely connected by radio frequency cables.
일 실시예에 있어서, 플라즈마 방전 튜브로 유입되는 가스는 불활성 가스, 반응 가스, 불활성 가스와 반응 가스의 혼합 가스를 포함한다.In one embodiment, the gas entering the plasma discharge tube includes an inert gas, a reactive gas, and a mixed gas of an inert gas and a reactive gas.
본 발명과 본 발명의 동작상의 이점 및 본 발명의 실시예에 의하여 달성되는 목적을 충분히 이해하기 위해서는 본 발명의 바람직한 실시예를 예시하는 첨부 도면 및 첨부 도면에 기재된 내용을 참조하여야 한다. 각 도면을 이해함에 있어서, 동일한 부재는 가능한 한 동일한 참조부호로 도시하고자 함에 유의하여야 한다. 그리고 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 공지 기능 및 구성에 대한 상세한 기술은 생략된다.DETAILED DESCRIPTION In order to fully understand the present invention, the operational advantages of the present invention, and the objects achieved by the embodiments of the present invention, reference should be made to the accompanying drawings which illustrate preferred embodiments of the present invention and the contents described in the accompanying drawings. In understanding the drawings, it should be noted that like parts are intended to be represented by the same reference numerals as much as possible. And detailed description of known functions and configurations that are determined to unnecessarily obscure the subject matter of the present invention is omitted.
(실시예)(Example)
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 설명함으로써, 본 발명의 마그네틱 코어 블록에 매설된 플라즈마 방전 튜브를 구비한 유도 결합 플라즈마 소스를 상세히 설명한다.Hereinafter, an inductively coupled plasma source having a plasma discharge tube embedded in a magnetic core block of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.
도 1은 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 플라즈마 반응기의 사시도이고, 도 2는 도 1의 플라즈마 반응기의 단면도이다. 그리고 도 3은 도 1의 플라즈마 발생기의 분해 사시도이다.1 is a perspective view of a plasma reactor according to a preferred embodiment of the present invention, Figure 2 is a cross-sectional view of the plasma reactor of FIG. 3 is an exploded perspective view of the plasma generator of FIG. 1.
도 1 내지 도 3을 참조하여, 플라즈마 반응기(10)는 마그네틱 코어 블록(20)과 일차 권선(21)을 갖는 변압기(5)를 구비한다. 마그네틱 코어 블록(20)은 육면체의 입방체로 구성된다. 플라즈마 방전 튜브(30)는 마그네틱 코어 블록(20)에 매 설되어 마그네틱 코어 블록(20)에 의해 전체적으로 감싸진다. 마그네틱 코어 블록(20)은 다시 전체적으로 코어 커버(11)에 의해 감싸진다. 코어 커버(11)는 바람직하게는 무선 주파수를 차단할 수 있는 재료로 구성한다.1 to 3, the
플라즈마 방전 튜브(30)는 가스를 입력하기 위한 하나의 가스 입구(12)와 플라즈마 방전 튜브(30)에서 발생된 활성 가스를 배출하기 위한 가스 출구(13)를 포함한다. 플라즈마 방전 튜브(30)는 가스 입구(12)와 가스 출구(13) 사이에 하나의 방전 루프(33)를 포함한다.The
플라즈마 방전 튜브(30)로 공급되는 가스는 불활성 가스, 반응 가스, 불활성 가스와 반응 가스의 혼합 가스를 포함하는 그룹으로부터 선택된다. 또는 기타 플라즈마 프로세스에 적합한 다른 가스들이 선택될 수 있다.The gas supplied to the
플라즈마 방전 튜브(30)는 금속 물질 예를 들어, 알루미늄, 스테인리스, 구리와 같은 금속물질로 재작된다. 또는 코팅된 금속 예를 들어, 양극 처리된 알루미늄이나 니켈 도금된 알루미늄으로 재작될 수 있다. 또는 내화 금속(refractory metal)로 재작될 수 있다. 또 다른 대안으로 플라즈마 방전 튜브(30)는 석영, 세라믹과 같은 절연물질로 재작하는 것도 가능하며, 의도된 플라즈마 프로세스가 수행되기에 적합한 다른 물질로도 재작될 수 있다.The
플라즈마 방전 튜브(30)가 금속 물질을 포함하는 경우에는 에디 전류를 최소화하기 위하여 금속 물질 내에서 전기적 불연속성을 갖도록 하는 하나 이상의 전기적 절연 영역(31, 32)을 포함한다. 전기적 절연 영역(31, 32)은 필요에 따라 다수개가 서로 다른 영역에 설치될 수 있다.When the
플라즈마 방전 튜브(30)가 매설되는 영역(23)은 플라즈마 방전 튜브(30)와 마그네틱 코어 블록(20) 사이에 약간의 갭(gap)을 포함한다. 그리고 이 갭을 통하여 마그네틱 코어 블록(20)에 일차 권선(21)이 감겨진다. 또한, 갭을 통하여 플라즈마 방전 튜브(30)를 따라 냉각수 공급 채널(미도시)이 설치된다. 다른 대안으로는 마그네틱 코어 블록(20)은 내부에 냉각수 공급 채널(미도시)을 매설하여 구성할 수 있다.The
일차 권선(21)은 무선 주파수 전력을 공급하는 전원 공급원(22)에 전기적으로 연결된다. 전원 공급원(22)에 의해 일차 권선(21)의 전류가 구동되고, 일차 권선(21)의 구동 전류는 변압기(5)의 이차 회로를 완성하는 유도 결합된 플라즈마를 형성하는 플라즈마 방전 튜브(30) 내측의 AC 전위(AC potential)를 유도한다. 유도 결합된 플라즈마는 환형의 방전 루프(33)를 따라 형성된다.The primary winding 21 is electrically connected to a
무선 주파수 전력을 공급하는 전원 공급원(22)은 별도의 임피던스 정합기 없이 출력 전압의 제어가 가능한 RF 전원 공급원을 사용하여 구성된다. 다른 대안으로는 별도의 임피던스 정합기를 구성하여 구성하는 RF 전원 공급원을 사용하여 구성할 수 있다.
도 4는 플라즈마 발생기의 점화 회로 구성을 보여주는 도면이다.4 is a diagram illustrating an ignition circuit configuration of a plasma generator.
도 4를 참조하여, 플라즈마 방전 튜브(30)의 내부에는 각기 점화 전극(25)이 구성된다. 점화 전극(25)은 마그네틱 코어 블록(20)에 권선되는 점화용 유도 코일(24)에 전기적으로 연결된다. 플라즈마 방전 초기에 전원 공급원(22)으로부터 일차 권선(21)으로 고전압 펄스가 인가되면 점화용 유도 코일(24)에 고전압이 유도되 어 점화 전극(25) 사이에 방전이 이루어져 플라즈마 점화가 이루어진다. 점화 단계 이후에는 점화 전극(25)과 점화용 유도 코일(24)의 전기적 연결을 차단하여 전극으로 기능하지 않도록 할 수 있다. 또는 점화 단계 이후에도 점화 전극(24)의 전기적 연결을 차단하지 않고 유지하도록 할 수도 있다.Referring to FIG. 4,
도 5는 플라즈마 반응기가 프로세스 챔버에 탑재된 예를 보여주는 도면이다.5 shows an example in which a plasma reactor is mounted in a process chamber.
도 5를 참조하여, 플라즈마 반응기(10)는 프로세스 챔버(40)에 장착되어 원격으로 프로세스 챔버(40)로 플라즈마를 공급한다. 예를 들어, 프로세스 챔버(40)의 천정 외측에 장착될 수 있다. 플라즈마 반응기(10)는 전원 공급원인 무선 주파수 발생기(50)로부터 무선 주파수를 제공받고, 가스 공급 시스템(미도시)에 의해 가스를 공급받아 활성 가스를 발생한다.Referring to FIG. 5, the
프로세스 챔버(40)는 플라즈마 반응기(10)에서 발생된 활성 가스를 수용하여 소정의 플라즈마 처리를 수행한다. 프로세스 챔버(40)는 예를 들어, 증착 공정을 수행하는 증착 챔버이거나, 식각 공정을 수행하는 식각 챔버 일 수 있다. 또는 포토레지스트를 스트립핑하기 위한 에싱 챔버일 수 있다. 이외에도 다양한 반도체 제조 공정을 수행하기 위한 플라즈마 프로세싱 챔버일 수 있다.The process chamber 40 receives the active gas generated in the
특별히, 플라즈마 반응기(10)와 무선 주파수를 공급하는 전원 공급원인 무선 주파수 발생기(50)는 분리된 구조를 갖는다. 즉, 플라즈마 반응기(10)는 프로세스 챔버(40)에 장착 가능한 고정형으로 구성되고, 무선 주파수 발생기(50)는 플라즈마 반응기(10)와 분리 가능한 분리형으로 구성된다. 그리고 무선 주파수 발생기(50)의 출력단과 플라즈마 반응기(10)의 무선 주파수 입력단은 무선 주파수 케이블(52) 에 의해 상호 원격으로 연결된다. 그럼으로 종래와 같이 무선 주파수 발생기와 플라즈마 반응기가 하나의 유닛으로 구성되는 것과 달리 프로세스 챔버(40)에 매우 용이하게 설치할 수 있으며 시스템의 유지 관리 효율을 높일 수 있다.In particular, the
이상과 같은 본 발명의 유도 결합 플라즈마 소스는 플라즈마 반응기(10)가 마그네틱 코어 블록(20)에 전체적으로 매설되는 플라즈마 방전 튜브(30)를 구비함으로서 플라즈마에 결합되는 유도 결합 에너지의 전달 효율이 매우 높다.As described above, the inductively coupled plasma source of the present invention includes a
본 발명의 유도 결합 플라즈마 소스는 후술하는 바와 같이 다양한 변형로 플라즈마 반응기의 구조를 변형 실시할 수 있다. 후술되는 변형예들에서 동일한 기능의 구성에 대하여는 반복된 설명은 생략한다.The inductively coupled plasma source of the present invention may be modified in the structure of the plasma reactor by various modifications as described below. Repeated description of the configuration of the same function in the modifications described later will be omitted.
도 6 내지 도 12는 플라즈마 반응기의 다양한 변형예들을 보여주는 도면이다.6 to 12 show various modifications of the plasma reactor.
도 6을 참조하여, 일 변형의 플라즈마 반응기(10a)는 플라즈마 방전 튜브(30a)가 전체적으로 두 개 이상의 분리된 가스 흐름 경로(33a)를 포함한다. 예를 들어, 도시된 바와 같이 플라즈마 방전 튜브(30a)는 중간 부분에 연결 브릿지 튜브(34)를 갖는다. 각 루프마다 일차 권선(21-1, 21-2)도 분리되어 장착된다. 이로 인하여 두 개의 분리된 가스 흐름 경로(33a)를 갖게되고, 플라즈마 방전도 두 경로(33a)를 따라서 이루어진다.Referring to FIG. 6, one variation of the
도 7을 참조하여, 다른 변형의 플라즈마 반응기(10b)는 분리된 두 개의 가스 출구(13-1, 13-2)가 구성될 수 있다.Referring to FIG. 7, another variation of the
도 8을 참조하여, 또 다른 변형의 플라즈마 반응기(10c)는 플라즈마 방전 튜 브(30c) 폐루프를 형성하지 않는다. 이러한 경우에는 양쪽의 가스 출구(13-1, 13-2)가 프로세스 챔버(미도시)에 장착되어 프로세스 챔버에 공유되는 플라즈마 방전 경로를 형성하게 된다.Referring to FIG. 8, another variation of the
도 9를 참조하여, 또 다른 변형의 플라즈마 반응기(10d)는 마그네틱 코어 블록(20d)이 플라즈마 방전 튜브(30)가 매설되는 영역을 피하는 하나 이상의 관통된 개구부(27)를 갖는다.Referring to FIG. 9, another variant of the
이상과 같은 변형들은 이외에도 또 다른 많은 변형들이 있을 것이나 이러한 변형들은 본 발명의 사상에 기초할 때 당업자들에게는 자명한 것임을 잘 알 수 있을 것이다.There will be many other variations in addition to the above modifications, but it will be appreciated that these modifications will be apparent to those skilled in the art based on the spirit of the present invention.
상술한 바와 같이, 본 발명은 도면에 도시된 실시예를 참고로 설명되었으나 이는 예시적인 것에 불과하며, 본 발명이 속한 기술분야의 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 타 실시예가 가능하다는 점을 잘 알 수 있을 것이다. 그럼으로 본 발명의 진정한 기술적 보호 범위는 첨부된 특허청구범위의 기술적 사상에 의해 정해져야 할 것이다.As described above, the present invention has been described with reference to the embodiments shown in the drawings, but this is merely exemplary, and those skilled in the art to which the present invention pertains have various modifications and equivalent embodiments. You can see that it is possible. Therefore, the true technical protection scope of the present invention will be defined by the technical spirit of the appended claims.
상술한 바와 같은 본 발명의 마그네틱 코어 블록에 매설된 플라즈마 방전 튜브를 구비한 유도 결합 플라즈마 소스에 의하면, 플라즈마 반응기가 마그네틱 코어 블록에 전체적으로 매설되는 플라즈마 방전 튜브를 구비함으로서 플라즈마 방전 튜브의 내부에서 발생되는 플라즈마에 결합되는 유도 결합 에너지의 전달 효율이 매우 높다. 그럼으로 플라즈마에 결합되는 유도 결합 에너지의 전달 효율이 높아 서 고밀도의 플라즈마를 안정적으로 얻고 유지할 수 있다.According to the inductively coupled plasma source having the plasma discharge tube embedded in the magnetic core block of the present invention as described above, the plasma reactor is provided inside the plasma discharge tube by having the plasma discharge tube entirely embedded in the magnetic core block. The transfer efficiency of the inductive coupling energy coupled to the plasma is very high. Therefore, the transfer efficiency of the inductive coupling energy coupled to the plasma is high, so that the high density plasma can be stably obtained and maintained.
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