KR100798351B1 - Plasma processing chamber having multi remote plasma generator - Google Patents

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KR100798351B1
KR100798351B1 KR1020060126431A KR20060126431A KR100798351B1 KR 100798351 B1 KR100798351 B1 KR 100798351B1 KR 1020060126431 A KR1020060126431 A KR 1020060126431A KR 20060126431 A KR20060126431 A KR 20060126431A KR 100798351 B1 KR100798351 B1 KR 100798351B1
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plasma processing
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최대규
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주식회사 뉴파워 프라즈마
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Abstract

A plasma processing chamber having a multi remote plasma generator is provided to stably supply large amount of uniform plasma into a chamber housing by mounting one or more remote plasma generators in an accommodating space formed on an upper portion of the chamber. A chamber housing has a substrate support(230) on which a target substrate is placed. A chamber upper portion(200) configures an upper portion of the chamber housing. One or more accommodating spaces(210) are formed on an outer upper portion of the chamber upper portion to mount a remote plasma generator. A gas entrance(312) is formed in the accommodating space. One or more remote plasma generator(300) is mounted on the accommodating space. The remote plasma generator supplies remotely plasma into an inside of the chamber housing through the gas entrance. The remote plasma generator includes two ring-shaped discharge tubes(310), a ring-shaped core(320) having a first winding, and a cooling channel. The ring-shaped tubes have gas entrances and gas exits(314). The first winding is electrically connected to a power supplying source.

Description

다중 원격 플라즈마 발생기를 구비한 플라즈마 처리 챔버{PLASMA PROCESSING CHAMBER HAVING MULTI REMOTE PLASMA GENERATOR}Plasma processing chamber with multiple remote plasma generators {PLASMA PROCESSING CHAMBER HAVING MULTI REMOTE PLASMA GENERATOR}

본 발명의 상세한 설명에서 사용되는 도면을 보다 충분히 이해하기 위하여, 각 도면의 간단한 설명이 제공된다.In order to more fully understand the drawings used in the detailed description of the invention, a brief description of each drawing is provided.

도 1은 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 플라즈마 처리 챔버의 사시도이다.1 is a perspective view of a plasma processing chamber in accordance with a preferred embodiment of the present invention.

도 2는 도 1의 A-A 단면도로 챔버 상부의 단면 구조를 보여주는 도면이다.FIG. 2 is a cross-sectional view of the upper portion of the chamber in A-A cross-sectional view of FIG. 1.

도 3은 도 2의 B-B 단면도로 원격 플라즈마 발생기의 단면 구조를 보여주는 도면이다.3 is a cross-sectional view of the remote plasma generator in B-B cross-sectional view of FIG.

도 4는 도 2의 C-C 단면도로 플라즈마 처리 챔버의 단면 구조를 보여주는 도면이다.4 is a cross-sectional view of the plasma processing chamber taken along the line C-C of FIG.

*도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명** Description of the symbols for the main parts of the drawings

100: 챔버 하우징 200: 챔버 상부100: chamber housing 200: upper chamber

300: 원격 플라즈마 발생기 310: 환형 방전관300: remote plasma generator 310: annular discharge tube

320: 환형 코어 330: 일차 권선320: annular core 330: primary winding

340: 냉각 채널 몸체 400: 전원 공급원340: cooling channel body 400: power source

본 발명은 원격 플라즈마 발생기를 구비한 플라즈마 처리 챔버에 관한 것으로, 구체적으로는 다중 원격 플라즈마 발생기를 구비한 플라즈마 처리 챔버에 관한 것이다.The present invention relates to a plasma processing chamber having a remote plasma generator, and more particularly to a plasma processing chamber having multiple remote plasma generators.

플라즈마는 같은 수의 음이온(positive ions)과 전자(electrons)를 포함하는 고도로 이온화된 가스이다. 플라즈마 방전은 이온, 자유 라디컬, 원자, 분자를 포함하는 활성 가스를 발생하기 위한 가스 여기에 사용되고 있다. 활성 가스는 다양한 분야에서 널리 사용되고 있으며 대표적으로 반도체 제조 공정 예들 들어, 식각(etching), 증착(deposition), 세정(cleaning), 에싱(ashing) 등에 다양하게 사용된다.Plasma is a highly ionized gas containing the same number of positive ions and electrons. Plasma discharges are used for gas excitation to generate active gases containing ions, free radicals, atoms, molecules. The active gas is widely used in various fields and is typically used in a variety of semiconductor manufacturing processes such as etching, deposition, cleaning, ashing, and the like.

반도체 제조 공정에서 챔버 세정이나 아싱 공정에서 원격 플라즈마가 사용되고 있다. 원격 플라즈마 발생기를 탑재한 플라즈마 처리 챔버는 원격 플라즈마 발생기에서 발생된 플라즈마를 챔버 하우징의 내부로 받아들여서 세정 공정이나 아싱 공정 등과 같은 플라즈마 처리 공정들을 수행한다.Remote plasmas are used in chamber cleaning and ashing processes in semiconductor manufacturing processes. The plasma processing chamber equipped with the remote plasma generator receives the plasma generated by the remote plasma generator into the chamber housing and performs plasma processing processes such as a cleaning process or an ashing process.

한편, 피처리 기판 사이즈가 증가하면서 챔버 하우징의 볼륨도 커지고 있으며 이로 인하여 대용량의 원격 플라즈마 발생기가 요구되고 있다. 그러나 단순히 원격 플라즈마 발생기의 용량을 크게 하는 것으로는 문제 해결의 올바른 방법이 되기 어렵다. 그럼으로 효율적으로 다수개의 원격 플라즈마 발생기를 플라즈마 처리 챔버에 탑재할 수 있는 방안이 요구되고 있는 것이다.On the other hand, as the size of the substrate to be processed increases, the volume of the chamber housing also increases, thereby requiring a large-capacity remote plasma generator. However, simply increasing the capacity of the remote plasma generator is not the right way to solve the problem. Therefore, there is a need for a method for efficiently mounting a plurality of remote plasma generators in a plasma processing chamber.

본 발명의 목적은 플라즈마 피처리 기판의 대면적화에 효과적으로 대응할 수 있으며 효율적으로 하나 이상의 원격 플라즈마 발생기를 플라즈마 처리 챔버에 탑재할 수 있는 다중 원격 플라즈마 발생기를 구비한 플라즈마 처리 챔버를 제공하는데 있다.SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is to provide a plasma processing chamber having multiple remote plasma generators which can effectively cope with the large area of the plasma treated substrate and which can efficiently mount one or more remote plasma generators in the plasma processing chamber.

상기한 기술적 과제를 달성하기 위한 본 발명의 일면은 플라즈마 처리 챔버에 관한 것이다. 본 발명의 플라즈마 처리 챔버는: 피처리 기판이 놓이는 기판 지지대를 구비하는 챔버 하우징; 챔버 하우징의 상부를 구성하는 챔버 상부; 원격 플라즈마 발생기가 탑재되기 위해 챔버 상부의 외측 상부에 형성되며 챔버 하우징의 내부로 개구된 가스 입구가 형성된 하나 이상의 수용 공간; 및 하나 이상의 수용 공간에 탑재되며, 가스 입구를 통해서 챔버 하우징의 내부로 원격으로 플라즈마를 공급하는 하나 이상의 원격 플라즈마 발생기를 포함한다.One aspect of the present invention for achieving the above technical problem relates to a plasma processing chamber. The plasma processing chamber of the present invention comprises: a chamber housing having a substrate support on which a substrate to be processed is placed; A chamber upper portion constituting an upper portion of the chamber housing; One or more receiving spaces formed at an outer upper portion of the upper chamber for mounting the remote plasma generator and having a gas inlet opened into the chamber housing; And one or more remote plasma generators mounted in one or more receiving spaces for remotely supplying plasma through the gas inlet into the chamber housing.

일 실시예에 있어서, 상기 원격 플라즈마 발생기는: 각기 가스 입구와 가스 출구를 갖는 두 개의 환형 방전관; 환형 방전관에 공통으로 결합되며 전원 공급원에 전기적으로 연결되는 일차 권선을 갖는 환형 코어; 및 두 개의 환형 방전관에 각기 장착되는 냉각 채널을 포함한다.In one embodiment, the remote plasma generator comprises: two annular discharge tubes each having a gas inlet and a gas outlet; An annular core commonly coupled to the annular discharge vessel and having a primary winding electrically connected to a power source; And cooling channels respectively mounted to the two annular discharge tubes.

일 실시예에 있어서, 상기 냉각 채널은: 두 개의 환형 방전관의 개구 안쪽에 맞도록 환형으로 설치되며, 다수의 냉각수 공급로가 형성된 냉각 채널 몸체; 냉각 채널 몸체의 에디 전류 발생을 막기 위하여 냉각 채널 몸체에 구성되는 절연 영역 을 포함한다.In one embodiment, the cooling channel comprises: a cooling channel body that is annularly installed to fit inside the openings of the two annular discharge tubes and has a plurality of cooling water supply passages; It includes an insulating area configured in the cooling channel body to prevent the eddy current generation of the cooling channel body.

일 실시예에 있어서, 상기 환형 방전관은 석영 또는 알루미나 중 어느 하나로 구성된다.In one embodiment, the annular discharge tube is made of either quartz or alumina.

일 실시예에 있어서, 가스 공급원으로부터 공급되는 공정 가스를 하나 이상의 원격 플라즈마 발생기로 균일하게 분배 공급하는 가스 공급부를 포함한다.In one embodiment, the apparatus includes a gas supply for uniformly distributing and supplying process gas supplied from a gas source to one or more remote plasma generators.

일 실시예에 있어서, 챔버 하우징의 내측 상부를 가로질러 설치되어서 챔버 상부의 가스 입구를 통해서 입력되는 플라즈마 가스를 고르게 분배하여 하부로 흐르게 하는 하나 이상의 가스 분배판을 포함한다.In one embodiment, it comprises one or more gas distribution plates installed across the inner top of the chamber housing to evenly distribute and flow the incoming plasma gas through the gas inlet above the chamber.

본 발명과 본 발명의 동작상의 이점 및 본 발명의 실시예에 의하여 달성되는 목적을 충분히 이해하기 위해서는 본 발명의 바람직한 실시예를 예시하는 첨부 도면 및 첨부 도면에 기재된 내용을 참조하여야 한다. 본 발명의 실시예는 여러 가지 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 아래에서 상술하는 실시예로 인해 한정되어 지는 것으로 해석되어져서는 안 된다. 본 실시예는 당업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 보다 완전하게 설명하기 위해서 제공 되어지는 것이다. 따라서 도면에서의 요소의 형상 등은 보다 명확한 설명을 강조하기 위해서 과장되어진 것이다. 각 도면을 이해함에 있어서, 동일한 부재는 가능한 한 동일한 참조부호로 도시하고자 함에 유의하여야 한다. 그리고 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 공지 기능 및 구성에 대한 상세한 기술은 생략된다.DETAILED DESCRIPTION In order to fully understand the present invention, the operational advantages of the present invention, and the objects achieved by the embodiments of the present invention, reference should be made to the accompanying drawings which illustrate preferred embodiments of the present invention and the contents described in the accompanying drawings. The embodiments of the present invention may be modified in various forms, and the scope of the present invention should not be construed as being limited by the embodiments described below. This embodiment is provided to more completely explain the present invention to those skilled in the art. Accordingly, the shape of the elements in the drawings and the like are exaggerated to emphasize a clearer description. In understanding the drawings, it should be noted that like parts are intended to be represented by the same reference numerals as much as possible. And detailed description of known functions and configurations that are determined to unnecessarily obscure the subject matter of the present invention is omitted.

(실시예)(Example)

이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 설명함으로써, 본 발명의 다중 원격 플라즈마 발생기를 구비한 플라즈마 처리 챔버를 상세히 설명한다.Hereinafter, with reference to the accompanying drawings illustrating a preferred embodiment of the present invention, a plasma processing chamber having a multi-remote plasma generator of the present invention will be described in detail.

도 1은 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 플라즈마 처리 챔버의 사시도이고, 도 2는 도 1의 A-A 단면도로 챔버 상부의 단면 구조를 보여주는 도면이다.1 is a perspective view of a plasma processing chamber according to a preferred embodiment of the present invention, Figure 2 is a cross-sectional view of the upper portion of the chamber in the cross-sectional view A-A of FIG.

도 1 및 도 2를 참조하여, 본 발명의 플라즈마 처리 챔버는 챔버 하우징(100)과 그 상부에 구성되는 챔버 상부(200) 그리고 챔버 상부에 탑재되는 하나 이상의 원격 플라즈마 발생기(300)를 포함하여 구성된다. 챔버 하우징(100)과 챔버 상부(200)는 진공 절연되어 연결된다. 본 실시예에서는 네 개의 원격 플라즈마 발생기(300)가 챔버 상부(200)에 탑재되는 것을 예시하고 있다. 네 개의 원격 플라즈마 발생기(300)는 챔버 상부(200)에 정방형으로 배치되어 장착된다. 챔버 상부(200)는 외측 상부에 원격 플라즈마 발생기(300)가 탑재될 수 있도록 아래로 파여진 하나 이상의 수용 공간(210)이 마련된다. 이 수용 공간(210)에 원격 플라즈마 발생기(300)가 장착된다.1 and 2, the plasma processing chamber of the present invention comprises a chamber housing 100, a chamber top 200 configured thereon, and one or more remote plasma generators 300 mounted on the chamber top. do. The chamber housing 100 and the chamber top 200 are connected by vacuum insulation. In this embodiment, four remote plasma generators 300 are mounted on the upper chamber 200. Four remote plasma generators 300 are arranged in a square on the upper chamber 200. The chamber upper part 200 is provided with at least one receiving space 210 which is dug down to allow the remote plasma generator 300 to be mounted on the outer upper part. The remote plasma generator 300 is mounted in the accommodation space 210.

챔버 하우징(100)과 챔버 상부(200)는 알루미늄, 스테인리스, 구리와 같은 금속 물질로 재작된다. 또는 코팅된 금속 예를 들어, 양극 처리된 알루미늄이나 니켈 도금된 알루미늄으로 재작될 수 있다. 또는 내화 금속(refractory metal)로 재작될 수 있다. 또 다른 대안으로 석영, 세라믹과 같은 전기적 절연 물질로 재작하는 것도 가능하며, 의도된 플라즈마 프로세스가 수행되기에 적합한 다른 물질로도 재작될 수 있다. 그리고 원격 플라즈마 발생기(300)에 의해서 발생되는 유도 기전력의 영향에 에디 전류가 발생되는 것을 막기 위하여 챔버 하우징(100)과 챔버 상부(200)는 적절한 부분에 전기적 절연층이 구비될 수 있다. 그리고 전체적으로 사각의 박스형 구조를 갖지만 다른 구조로 변형이 가능하다.The chamber housing 100 and the chamber top 200 are made of metal materials such as aluminum, stainless steel, and copper. Or coated metal, for example anodized aluminum or nickel plated aluminum. Or refractory metal. Alternatively, it is possible to rewrite an electrically insulating material such as quartz, ceramic, or other materials suitable for the intended plasma process to be performed. In order to prevent the eddy current from being generated by the influence of the induced electromotive force generated by the remote plasma generator 300, the chamber housing 100 and the upper chamber 200 may be provided with an electrically insulating layer at an appropriate portion. And although it has a rectangular box-shaped structure as a whole, it can be transformed into another structure.

도 3은 도 2의 B-B 단면도로 원격 플라즈마 발생기의 단면 구조를 보여주는 도면이고, 도 4는 도 2의 C-C 단면도로 플라즈마 처리 챔버의 단면 구조를 보여주는 도면이다.3 is a cross-sectional view of the remote plasma generator in B-B cross-sectional view of FIG. 2, and FIG. 4 is a cross-sectional view of the plasma processing chamber in cross-sectional view C-C of FIG. 2.

도 3 및 도 4를 참조하여, 원격 플라즈마 발생기(300)는 각기 가스 입구(312)와 가스 출구(314)를 갖는 두 개의 환형 방전관(310)이 쌍을 이루어 구성된다. 쌍을 이루는 두 개의 환형 방전관(310)에는 공통으로 환형 코어(320)가 결합된다. 두 개의 환형 방전관(310)에 각기 구비되는 가스 출구(314)는 챔버 상부(200)의 수용 공간(210)의 하부에 개구된 가스 입구(230)에 결합된다.3 and 4, the remote plasma generator 300 is configured by pairing two annular discharge tubes 310 each having a gas inlet 312 and a gas outlet 314. The annular core 320 is commonly coupled to two pair of annular discharge tubes 310. The gas outlets 314 respectively provided in the two annular discharge tubes 310 are coupled to the gas inlet 230 opened in the lower portion of the receiving space 210 of the upper chamber 200.

환형 코어(320)는 마그네틱 코어로 구성되며, 도 2에 도시된 바와 같이, 전원 공급원(400)에 전기적으로 연결되는 일차 권선(330)이 권선된다. 네 개의 원격 플라즈마 발생기(300)에 각기 구성되는 환형 코어(320)의 일차 권선(330)들은 임피던스 정합기(410)를 통하여 전원 공급원(400)에 직렬, 병렬, 직렬 병렬 혼합 방식 중 어느 하나의 방식으로 연결된다.  The annular core 320 is composed of a magnetic core, and as shown in FIG. 2, the primary winding 330 is electrically wound to the power supply 400. The primary windings 330 of the annular core 320 respectively configured in the four remote plasma generators 300 are connected to the power supply 400 through the impedance matcher 410 in any one of series, parallel and series parallel mixing schemes. Connected in a way.

챔버 상부(200)의 각각의 수용 공간(210)에는 두 개의 환형 방전관(310)과 하나의 환형 코어(320)가 장착되며 진공 절연을 위하여 수용 공간(210)의 적절한 부분에 진공 절연 부재(220)가 설치된다. 수용 공간(210)은 두 개의 환형 방전관(310)의 반 이상이 수용되며 환형 코어(320)는 대부분이 수용될 수 있는 정도의 크기를 갖는다. Each accommodating space 210 of the upper chamber 200 is equipped with two annular discharge tubes 310 and one annular core 320, and a vacuum insulating member 220 is provided at an appropriate portion of the accommodating space 210 for vacuum insulation. ) Is installed. The accommodating space 210 accommodates more than half of the two annular discharge tubes 310 and the annular core 320 is large enough to accommodate most of the annular cores 310.

환형 방전관(310)은 석영 또는 알루미나 중 어느 하나로 구성될 수 있다. 또는 알루미늄, 스테인리스, 구리와 같은 금속 물질이나, 코팅된 금속 예를 들어, 양극 처리된 알루미늄이나 니켈 도금된 알루미늄으로 재작될 수 있다. 또는 내화 금속(refractory metal)로 재작될 수 있다. 기타 의도된 플라즈마 프로세스가 수행되기에 적합한 다른 물질로도 재작될 수 있다. 특히, 금속 물질로 제작되는 경우에는 에디 전류가 발생되는 것을 막기 위하여 적절한 부분에 전기적 절연 영역을 구비하는 것이 바람직하다.The annular discharge tube 310 may be made of either quartz or alumina. Or metal materials such as aluminum, stainless steel, copper, or coated metals such as anodized aluminum or nickel plated aluminum. Or refractory metal. Other intended plasma processes may also be rewritten with other materials suitable to be performed. In particular, when made of a metallic material, it is preferable to provide an electrically insulating region at an appropriate portion to prevent eddy currents from being generated.

쌍을 이루는 두 개의 환형 방전관(310)에는 각기 냉각 채널이 구비된다. 냉각 채널은 두 개의 환형 방전관(310)의 개구 안쪽에 맞도록 환형으로 설치되는 냉각 채널 몸체(340)로 구성된다. 냉각 채널 몸체(340)에는 다수의 냉각수 공급로(342)가 형성되어 있다. 특히, 냉각 채널은 금속 물질로 구성되는 경우 냉각 채널 몸체(340)의 에디 전류 발생을 막기 위하여 냉각 채널 몸체에 구성되는 절연 영역(344)이 구성된다.The pair of annular discharge tubes 310 are provided with cooling channels, respectively. The cooling channel consists of a cooling channel body 340 that is annularly installed to fit inside the openings of the two annular discharge tubes 310. The cooling channel body 340 has a plurality of cooling water supply paths 342 formed therein. In particular, when the cooling channel is made of a metallic material, an insulating region 344 configured in the cooling channel body is configured to prevent eddy current generation of the cooling channel body 340.

챔버 하우징(100)의 내부에는 기판 지지대(230)가 설치된다. 기판 지지대(230)에는 피처리 기판(W)이 안착된다. 피처리 기판(W)은 예를 들어, 반도체 장치를 제조하기 위한 실리콘 웨이퍼 기판 또는 액정 디스플레이나 플라즈마 디스플레이 등의 제조를 위한 유리 기판이다.The substrate support 230 is installed inside the chamber housing 100. The substrate W is mounted on the substrate support 230. The substrate W to be processed is, for example, a silicon wafer substrate for producing a semiconductor device or a glass substrate for producing a liquid crystal display or a plasma display.

기판 지지대(230)는 임피던스 정합기(430)를 통하여 바이어스 전원 공급원(420)에 연결되어 바이어스 된다. 본 실시예에서, 기판 지지대(230)는 단일 전 원 공급원에 의해 단일 바이어스 구조를 갖지만, 서로 다른 무선 주파수 전원을 공급하는 두 개의 전원 공급원에 의해 이중 바이어스 되는 구조를 취할 수도 있다. 바이어스 전원 공급원(420)은 별도의 임피던스 정합기 없이 출력 전원의 제어가 가능한 전원 공급원을 사용하여 구성할 수도 있다.The substrate support 230 is connected and biased to the bias power supply 420 through the impedance matcher 430. In this embodiment, the substrate support 230 has a single bias structure by a single power source, but may have a structure that is double biased by two power sources that supply different radio frequency power. The bias power supply 420 may be configured using a power supply source capable of controlling the output power without a separate impedance matcher.

플라즈마 처리 챔버의 상부에는 가스 공급원(미도시)으로부터 공급되는 공정 가스를 하나 이상의 원격 플라즈마 발생기로 균일하게 분배 공급하는 가스 공급부(500)가 구성된다. 가스 공급부(500)는 가스 공급원에 연결되는 가스 입구(520)와 가스 분배를 위한 하나 이상의 가스 분배판(510)이 구성될 수 있다. 본 실시예예서 가스 공급부(500)는 네 개의 원격 플라즈마 발생기(300)의 가스 입구(312)에 각기 연결되어 가스 공급원으로부터 공급되는 공정 가스를 고르게 분배하여 공급한다.A gas supply unit 500 is configured above the plasma processing chamber to uniformly distribute and supply process gas supplied from a gas supply source (not shown) to one or more remote plasma generators. The gas supply unit 500 may include a gas inlet 520 connected to a gas supply source and one or more gas distribution plates 510 for gas distribution. In the present embodiment, the gas supply unit 500 is connected to the gas inlets 312 of the four remote plasma generators 300 and evenly distributes the process gas supplied from the gas supply source.

이상에서 설명된 본 발명의 다중 원격 플라즈마 발생기를 구비한 플라즈마 처리 챔버의 실시예는 예시적인 것에 불과하며, 본 발명이 속한 기술분야의 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 타 실시예가 가능하다는 점을 잘 알 수 있을 것이다. 그럼으로 본 발명은 상기의 상세한 설명에서 언급되는 특별한 형태로 한정되는 것이 아닌 것으로 이해되어야 한다. 따라서 본 발명의 진정한 기술적 보호 범위는 첨부된 특허청구범위의 기술적 사상에 의해 정해져야 할 것이며, 본 발명은 첨부된 청구범위에 의해 정의되는 본 발명의 정신과 범위 내에 있는 모든 변형물과 균등물 및 대체물을 포함하는 것으로 이해되어야 한다.The embodiment of the plasma processing chamber with the multi-remote plasma generator of the present invention described above is merely illustrative, and various modifications and equivalent implementations may be made by those skilled in the art to which the present invention pertains. You can see that examples are possible. Therefore, it is to be understood that the present invention is not limited to the specific forms mentioned in the above description. Therefore, the true technical protection scope of the present invention should be defined by the technical spirit of the appended claims, and the present invention is intended to cover all modifications, equivalents, and substitutes within the spirit and scope of the present invention as defined by the appended claims. It should be understood to include.

상술한 바와 같은 본 발명의 다중 원격 플라즈마 발생기를 구비한 플라즈마 처리 챔버에 의하면, 하나 이상의 원격 플라즈마 발생기(300)가 챔버 상부(200)에 마련된 수용 공간(210)에 장착됨으로 안정적인 장착 구조를 갖는다. 또한, 원격 플라즈마 발생기(300)는 두 개의 환형 방전관(310)이 쌍을 이루어 구성되며, 하나의 환형 코어(320)에 의해 유도 기전력이 전달되어 동시에 플라즈마 발생하는 구조를 갖는다. 이러한 구조를 갖는 원격 플라즈마 발생기(300)가 챔버 하우징(100)의 상부에 하나 이상 적절한 간격을 갖고 분산되어 설치됨으로 챔버 하우징(100)의 내부로 매우 균일한 대량의 플라즈마를 안정적으로 공급할 수 있다. 또한, 하나의 환형 코어(320)에 결합되는 두 개의 환형 방전관(310) 구조에 의해 플라즈마 발생 효율을 높일 수 있음으로 플라즈마 발생 용량에 대비하여 비교적 낮은 설비비용을 달성 할 수 있다.According to the plasma processing chamber including the multi-remote plasma generator of the present invention as described above, one or more remote plasma generators 300 are mounted in the accommodation space 210 provided in the upper chamber 200, thereby having a stable mounting structure. In addition, the remote plasma generator 300 has a structure in which two annular discharge tubes 310 are formed in pairs, and induced electromotive force is transferred by one annular core 320 to simultaneously generate plasma. The remote plasma generator 300 having such a structure can be stably supplied with a very uniform mass of plasma to the interior of the chamber housing 100 because the remote plasma generator 300 is distributed and installed at one or more intervals at an upper portion of the chamber housing 100. In addition, the plasma generating efficiency can be improved by the structure of the two annular discharge tubes 310 coupled to one annular core 320, thereby achieving a relatively low installation cost in comparison with the plasma generating capacity.

Claims (6)

피처리 기판이 놓이는 기판 지지대를 구비하는 챔버 하우징;A chamber housing having a substrate support on which a substrate to be processed is placed; 챔버 하우징의 상부를 구성하는 챔버 상부;A chamber upper portion constituting an upper portion of the chamber housing; 원격 플라즈마 발생기가 탑재되기 위해 챔버 상부의 외측 상부에 형성되며 챔버 하우징의 내부로 개구된 가스 입구가 형성된 하나 이상의 수용 공간; 및One or more receiving spaces formed at an outer upper portion of the upper chamber for mounting the remote plasma generator and having a gas inlet opened into the chamber housing; And 하나 이상의 수용 공간에 탑재되며, 가스 입구를 통해서 챔버 하우징의 내부로 원격으로 플라즈마를 공급하는 하나 이상의 원격 플라즈마 발생기를 포함하는 플라즈마 처리 챔버.A plasma processing chamber mounted in one or more receiving spaces, the plasma processing chamber comprising one or more remote plasma generators for supplying plasma remotely through the gas inlet into the chamber housing. 제1항에 있어서, 상기 원격 플라즈마 발생기는:The method of claim 1, wherein the remote plasma generator: 각기 가스 입구와 가스 출구를 갖는 두 개의 환형 방전관;Two annular discharge tubes each having a gas inlet and a gas outlet; 환형 방전관에 공통으로 결합되며 전원 공급원에 전기적으로 연결되는 일차 권선을 갖는 환형 코어; 및An annular core commonly coupled to the annular discharge vessel and having a primary winding electrically connected to a power source; And 두 개의 환형 방전관에 각기 장착되는 냉각 채널을 포함하는 플라즈마 처리 챔버.A plasma processing chamber comprising cooling channels respectively mounted to two annular discharge tubes. 제2항에 있어서, 상기 냉각 채널은:The method of claim 2, wherein the cooling channel is: 두 개의 환형 방전관의 개구 안쪽에 맞도록 환형으로 설치되며, 다수의 냉각수 공급로가 형성된 냉각 채널 몸체;A cooling channel body installed in an annular shape so as to fit inside the openings of the two annular discharge tubes, and formed with a plurality of cooling water supply paths; 냉각 채널 몸체의 에디 전류 발생을 막기 위하여 냉각 채널 몸체에 구성되는 절연 영역을 포함하는 플라즈마 처리 챔버.A plasma processing chamber comprising an insulation region configured in the cooling channel body to prevent eddy current generation of the cooling channel body. 제2항에 있어서, 상기 환형 방전관은 석영 또는 알루미나 중 어느 하나로 구성되는 플라즈마 처리 챔버.The plasma processing chamber of claim 2, wherein the annular discharge tube is made of either quartz or alumina. 제1항에 있어서, 가스 공급원으로부터 공급되는 공정 가스를 하나 이상의 원격 플라즈마 발생기로 균일하게 분배 공급하는 가스 공급부를 포함하는 플라즈마 처리 챔버.The plasma processing chamber of claim 1, further comprising a gas supply for uniformly distributing and supplying process gas supplied from the gas supply to one or more remote plasma generators. 제1항에 있어서, 챔버 하우징의 내측 상부를 가로질러 설치되어서 챔버 상부의 가스 입구를 통해서 입력되는 플라즈마 가스를 고르게 분배하여 하부로 흐르게 하는 하나 이상의 가스 분배판을 포함하는 플라즈마 처리 챔버.10. The plasma processing chamber of claim 1, comprising one or more gas distribution plates disposed across the inner top of the chamber housing to evenly distribute and flow the plasma gas input through the gas inlet above the chamber.
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