KR20070102425A

KR20070102425A - 반도체 발광 장치 및 그 제조 방법

Info

Publication number: KR20070102425A
Application number: KR1020070036379A
Authority: KR
Inventors: 큐오 신 휴앙
Original assignee: 하이 파워 옵토일렉트로닉스, 아이엔씨.
Priority date: 2006-04-14
Filing date: 2007-04-13
Publication date: 2007-10-18
Also published as: TW200739935A; JP2007288192A; TWI301679B; US20070241345A1

Abstract

본 발명은 다층 구조물을 구비한 반도체 발광 장치를 제공한다. 추가적으로, 전극이 다층 구조물의 제1 표면 상에 배치된다. 또한, 전극은 복수 개의 본딩 패드를 포함한다.

다층 구조물, 전극, 전선, 본딩 패드

Description

반도체 발광 장치 및 그 제조 방법 {SEMICONDUCTOR LIGHT-EMITTING DEVICE AND METHOD OF FABRICATING THE SAME}

도 1a 및 도 1b는 종래 기술에 따른 반도체 발광 장치에 대한 모식도이다.

도 2는 본 발명의 일 실시 예에 따른 반도체 발광 장치의 평면도이다.

도 3a 및 도 3b는 본 발명의 일 실시 예에 따른 반도체 발광 장치의 평면도이다.

도 4는 본 발명의 일 실시 예에 따른 반도체 발광 장치의 평면도이다.

도 5는 본 발명의 바람직한 실시 예에 따른 반도체 발광 장치의 평면도이다.

도 6은 본 발명의 일 실시 예에 따른 반도체 발광 장치의 제조 방법에 대한 흐름도이다.

본 발명은 반도체 장치 및 그 제조 방법에 대한 것으로, 보다 상세하게는, 반도체 발광 장치 및 그 제조 방법에 대한 것이다.

수명이 길고, 가벼우며, 전력 소모가 적으면서, 수은(mercury)을 사용하지 않는다는 장점 때문에, LED(Light Emitting Diode)와 같은 반도체 발광 장치가 이 상적인 광원으로 사용되고 있으며, 이에 따라 급속하게 발전되고 있다. LED는 정보, 통신, 소비자 가전, 자동차, 신호등, 광고판, 조명 시장을 포함한 많은 분야에서 사용될 수 있다. 유명한 분야로는 휴대폰의 백라이트 및 키패드 광과 같은 통신 산업, 자동차의 방향지시등 및 대시보드(dashboards)와 같은 자동차 산업, 그 밖에 광고판 및 조명등과 같은 조명 산업을 포함할 수 있다.

도 1a 및 도 1b을 참고하면, 도 1a는 종래 기술에 따른 반도체 발광 장치에 대한 측면도이고, 도 1b는 도 1a의 반도체 발광 장치의 평면도이다. 도 1a 및 도 1b에 도시된 바와 같이, 반도체 발광 장치(5)는 다층 구조물(multi-layer structure : 51), P-타입 전극과 같은 전극(53)을 포함하며, 전극(53)은 다층 구조물의 표면 상에 배치된다. 또한, 전극(53)은 전선(55)를 통하여 외부 전력 소스(미도시)와 전기적으로 연결된다.

종래 기술에 따른 반도체 발광 장치가 P-타입 전극 또는 N-타입 전극만을 가지며, 각 전극은 단 하나의 전선을 통해 개별 전력 소스와 전기적으로 연결되기 때문에, 비용이 절감되는 장점이 있었다. 하지만, 전류가 전극 또는 전선의 부하를 초과하여 유입되거나, 기타 다른 이유로 인하여 전극 또는 전선이 파손될 경우, 반도체 발광 장치는 그 기능을 상실하여, 발광을 할 수 없게 된다.

최근, 텔레비젼 또는 모니터 스크린의 백라이트와 같은 다양한 응용분야에서, 반도체 발광 장치의 품질에 대한 요청이 높아지고 있다. 결과적으로, 보다 안정적인 반도체 발광 장치의 제작이 필요하다.

따라서, 본 발명의 목적은, 상술한 종래 기술보다 더 안정적인 반도체 발광 장치를 제공하는 것이다. 또한, 본 발명의 반도체 발광 장치는 쉽게 고장나지 않아서, 상술한 종래 기술의 문제점을 개선할 수 있게 된다.

본 발명의 또 다른 목적은 반도체 발광 장치 제조 방법을 제공하는 것이다. 본 방법에 의해 제조되는 반도체 발광 장치는 향상된 품질을 가진다.

본 발명의 바람직한 일 실시 예에 따르면, 반도체 발광 장치는 다층 구조물을 포함한다. 또한, 전극이 상기 다층 구조물의 표면 상에 배치된다. 또한, 상기 전극은 복수 개의 본딩 패드를 포함한다.

본 발명의 또 다른 바람직한 실시 예에 따르면, 반도체 발광 장치는 기판, 반도체 다층 구조물, 복수 개의 와이어를 포함한다. 상기 반도체 다층 구조물은 상기 기판 상에 배치된다. 한편, 전극이 상기 반도체 다층 구조물의 표면 상에 배치된다. 또한, 상기 복수 개의 와이어는 상기 전극과 연결된다.

한편, 본 발명의 바람직한 일 실시 예에 따르면, 반도체 발광 장치 제조방법은, 기판을 마련하는 단계를 우선 포함한다. 그리고 나서, 반도체 다층 구조물이 상기 기판 상에 형성된다. 끝으로, 복수 개의 본딩 패드를 포함하는 전극이 상기 반도체 다층 구조물의 표면 상에 배치된다.

본 발명의 범위는, 당해 기술 분야의 통상적인 기술을 가진 자가 후술하는 본 발명의 상세한 설명, 첨부된 도면의 내용으로부터 용이하게 이해할 수 있음은 물론이다.

본 발명은 반도체 발광 장치를 제공하는 것이다. 본 발명에 대한 바람직한 실시 예들이 이하에서 설명된다.

본 발명의 바람직한 실시 예에 따르면, 반도체 발광 장치는 다층 구조물을 포함한다. 추가적으로, 전극이 다층 구조물 표면 상에 배치된다. 전극은 복수 개의 본딩 패드를 포함한다. 구체적으로는, 전극은 P-타입 전극 또는 N-타입 전극이 될 수 있다.

구체적으로는, 다층 구조물은 기판 층, 발광 층, 반사층을 더 포함할 수 있다. 필요시에는, 다층 구조물은 다른 물질로 이루어진 다른 층 또는 다른 기능을 하는 다른 층을 더 포함할 수도 있다.

도 2와 관련하여, 도 2는 본 발명의 일 실시 예에 따른 반도체 발광 장치의 평면도이다. 도 2에 도시된 바와 같이, 반도체 발광 장치(1)는 다층 구조물(11)을 포함한다. 또한, 전극(13)은 다층 구조물(11)의 표면(111) 상에 배치된다. 전극(13)은 또한 3개의 본딩 패드(131)를 포함한다. 도 2에 도시된 바와 같이, 반도체 발광 장치(1)는 또한 복수 개의 전선(wire : 15)을 포함한다. 각 전극은 세 개의 본딩 패드(131)에 각각 연결된다. 복수 개의 전선(15)은 3개의 본딩 패드(131)를 외부 전력 소스(미도시)로 전기적으로 연결할 수 있다.

도 2에 도시된 바와 같이, 복수 개의 본딩 패드(131)는 메탈 컨덕터(metal conductor : 17)를 통하여 서로 전기적으로 연결된다. 또한, 복수 개의 본딩 패드(131)는 반도체(즉, 반도체 다층 구조물 그자체)와 같은 다른 컨덕터를 통하여 서로 전기적으로 연결될 수 있다.

또한, 도 3a 및 도 3b에 도시된 바와 같이, 본 발명에 따른 반도체 발광 장치는 2개의 본딩 패드(131)를 포함(도 3A에 도시)하거나, 4개의 본딩 패드(131)를 포함(도 3b)할 수 있다. 본 발명의 반도체 발광 장치는 필요시 다른 개수의 본딩 패드를 포함할 수 있음은 자명하다.

도 4와 관련하여, 도 4는 본 발명의 일 실시 예에 따른 반도체 발광 장치의 평면도이다. 본 실시 예에 따르면, 복수 개의 본딩 패드는 제1 본딩 패드(1311) 및 제2 본딩 패드(1313)를 포함한다. 보다 구체적으로는, 제1 본딩 패드(1311) 및 제2 본딩 패드(1313)는 표면 상에서 대각선 L 상에 배치된다. 구체적으로는, 복수 개의 본딩 패드 각각의 면적은 표면 면적의 2% 정도, 즉, 표면 면적의 1% 내지 25% 범위 내에 있다.

도 5에 따르면, 본 발명의 바람직한 실시 예에 따른 반도체 발광 장치의 평면도가 도시된다. 본 실시 예에서, 본 발명에 따른 반도체 발광 장치(3)는 기판(미도시), 반도체 다층 구조물(31), 복수 개의 전선(33)을 포함한다. 본 반도체 다층 구조물(31)은 상기 기판 상에 배치되며, 전극(35)이 상기 다층 구조물(31)의 표면(311) 상에 배치된다. 또한, 복수 개의 전선(33)이 전극(35)에 전기적으로 연결된다. 구체적으로는, 전극(35)은 P-타입 전극 또는 N-타입 전극이 될 수 있다.

본 발명의 일 실시 예에 따르면, 복수 개의 전선은 제1 전선 및 제2 전선을 포함한다. 특히, 제1 전선과 전극 간의 접점 및 제2 전선과 전극 간의 접점은 표면 상에서 대각선으로 배치될 수 있다.

본 발명의 일 실시 예에 따르면, 반도체 발광 장치의 제조 방법이 제공된다. 도 6을 참고하면, 본 방법은 4 개의 단계를 포함한다. 먼저, 기판이 마련된다(S71). 다음으로, 반도체 다층 구조물이 기판 상에 형성된다(S73). 그리고 나서, 전극이 반도체 다층 구조물의 표면 상에 배치되며, 전극은 복수 개의 본딩 패드를 포함한다. 끝으로, 복수 개의 전선이 복수 개의 대응되는 본딩 패드와 각각 연결된다(S77).

구체적으로는, 복수 개의 본딩 패드 각각의 면적은 표면 면적의 1% 내지 25% 내가 된다. 실제 응용시, 복수 개의 본딩 패드는 제1 본딩 패드 및 제2 본딩 패드를 더 포함한다. 보다 구체적으로는, 제1 본딩 패드 및 제2 본딩 패드가 표면 상에서 대각선으로 배치된다.

분명히, 본 발명에 따른 반도체 발광 장치는 복수 개의 본딩 패드 또는 전선을 가진다. 그 결과, 일부 본딩 패드 또는 전선이 파손되더라도, 본 반도체 발광 장치는 다른 전선 및/또는 본딩 패드를 통하여 그 기능을 유지할 수 있다. 따라서, 본 발명에 따른 반도체 발광 장치는 종래의 반도체 발광 장치에 비해 더 안정적이며, 사용 중에 쉽게 고장나지 않는다. 또한, 본딩 패드가 본 발명의 반도체 발광 장치의 표면 가장자리에 배치되기 때문에, 반도체 발광 장치의 광 경로가 차단되지 않을 것이다. 이에 따라, 밝기 저하 또는 광 중심부가 비는 현상이 방지될 수 있다.

상술한 예시 및 설명에 의해, 본 발명의 사상 및 특징은 자세하게 설명되었다. 당해 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면, 본 발명의 내용을 참고하여 다양한 수정 또는 변경을 할 수 있다. 따라서, 상술한 내용은 첨부된 도면의 경계 및 범위에 의해서만 제한적으로 해석되어야 한다.

Claims

다층 구조물; 및

상기 다층 구조물의 표면 상에 배치되며, 복수 개의 본딩 패드를 구비한 전극;을 포함하는 반도체 발광 장치.
제1항의 반도체 발광 장치에 있어서,

상기 전극은 P-타입 전극인 반도체 발광 장치.
제1항의 반도체 발광 장치에 있어서,

상기 전극은 N-타입 전극인 반도체 발광 장치.
제1항의 반도체 발광 장치에 있어서,

상기 복수 개의 본딩 패드는 컨덕터(conductor)를 통하여 서로 전기적으로 연결된 반도체 발광 장치.
제4항의 반도체 발광 장치에 있어서,

상기 컨덕터는 메탈인 반도체 발광 장치.
제4항의 반도체 발광 장치에 있어서,

상기 컨덕터는 반도체인 반도체 발광 장치.
제1항의 반도체 발광 장치에 있어서,

상기 복수 개의 본딩 패드 각각의 면적은 상기 표면 면적의 1% 내지 25%의 범위인 반도체 발광 장치.
제1항의 반도체 발광 장치에 있어서,

상기 복수 개의 본딩 패드는 제1 본딩 패드 및 제2 본딩 패드를 더 포함하며, 상기 제1 본딩 패드 및 제2 본딩 패드는 상기 표면 상에서 대각선 상에 배치된 반도체 발광 장치.
제1항의 반도체 발광 장치에 있어서,

상기 복수 개의 본딩 패드와 각각 연결되는 복수 개의 전선을 더 포함하는 반도체 발광 장치.
기판;

상기 기판 상에 배치된 다층 구조물과, 상기 다층 구조물의 표면 상에 배치된 전극;

상기 전극에 연결된 복수 개의 전선;을 포함하는 반도체 발광 장치.
제10항의 반도체 발광 장치에 있어서,

상기 전극은 P-타입 전극인 반도체 발광 장치.
제10항의 반도체 발광 장치에 있어서,

상기 전극은 N-타입 전극인 반도체 발광 장치.
제10항의 반도체 발광 장치에 있어서,

상기 복수 개의 전선은 제1 전선 및 제2 전선을 더 포함하며, 상기 제1 전선 및 제2 전선은 상기 표면 상의 대각선 상에 배치된 반도체 발광 장치.
반도체 발광 장치를 제조하는 방법에 있어서,

(a) 기판을 마련하는 단계;

(b) 상기 기판 상에 반도체 다층 구조물을 형성하는 단계; 및,

(c) 상기 반도체 다층 구조물의 표면 상에 복수 개의 본딩 패드를 구비한 전극을 배치하는 단계;를 포함하는 방법.
제14항의 방법에 있어서,

(d) 복수 개의 전선을 상기 복수 개의 본딩 패드에 각각 연결하는 단계;를 더 포함하는 방법.
제14항의 방법에 있어서,

상기 복수 개의 본딩 패드 각각의 면적은 상기 표면 면적의 1% 내지 25%의 범위 인 방법.
제14항의 방법에 있어서,

상기 복수 개의 본딩 패드는 제1 본딩 패드 및 제2 본딩 패드를 더 포함하며, 상기 제1 본딩 패드 및 상기 제2 본딩 패드는 상기 표면 상에서 대각선 상에 배치된 방법.