KR20070086658A - 발광소자, 및 그 발광소자를 가지는 발광장치 - Google Patents

발광소자, 및 그 발광소자를 가지는 발광장치 Download PDF

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KR20070086658A
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다이스케 쿠마키
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Abstract

종래의 발광소자와 다른 구조를 가지고 새로운 구조를 가지는 물질을 포함하는 발광소자를 제공하는 것을 목적으로 한다. 그 발광소자를 가진 발광장치를 제공하는 것도 목적으로 한다. 상기 목적을 감안하여, 본 발명은 한 쌍의 전극 사이에 설치된, 일반식 (1)에 나타내는 트리아진 유도체, 및 무기화합물인 금속산화물을 가지는 층을 포함하는 발광소자를 제공한다. 또한, 본 발명은 그 발광소자를 가진 발광장치를 제공한다.
Figure 112007046262236-PCT00024
발광소자, 발광장치, 트리아진 유도체, 금속산화물

Description

발광소자, 및 그 발광소자를 가지는 발광장치{LIGHT EMITTING ELEMENT AND LIGHT EMITTING DEVICE HAVING THE LIGHT EMITTING ELEMENT}
본 발명은, 트리아진 유도체를 포함한 발광소자의 구성 및, 상기 발광소자를 가지는 발광장치에 관한 것이다.
디스플레이 등에 이용되는 발광소자의 대부분은, 한 쌍의 전극 사이에 발광 물질을 포함한 층이 개재된 구성을 가진다. 이러한 발광소자는, 한쪽의 전극에 주입된 전자와, 다른 한쪽의 전극에 주입된 정공이 재결합함으로써 형성된 여기자가 기저상태로 되돌아올 때에 발광한다.
발광소자의 분야에서는, 발광 효율, 색도가 좋고, 소광 등을 방지할 수 있는 발광소자를 얻기 위해서, 발광 물질을 포함한 층의 구성, 또는 발광 물질을 포함한 층을 형성하기 위한 새로운 물질 등에 대한 개발이 진행되어 왔다.
예를 들면, 발광 물질을 포함한 층의 구성에 대해서는, 발광 영역이 전극으로부터 격리된 부위에 형성되도록, 캐리어 주입성이 좋은 물질을 포함한 층과, 캐리어 수송성이 좋은 물질을 포함한 층 등을 조합한 다층 구조가 제안되었다. 또한 캐리어 수송성이 좋은 물질로는, 예를 들면, 특허문헌 1 또는 특허문헌 2에 개시되어 있는 바와 같은 트리아진 유도체가 제안되었다.
[특허문헌 1] 일본국 공개특허공보 특개 평7-157473호
[특허문헌 2] 일본국 공개특허공보 특개 평8-1199163호
이러한 상황을 감안하여, 본 발명은 발광 특성을 가진 발광장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.
상기 과제를 감안하여, 본 발명은 한 쌍의 전극과, 한 쌍의 전극 사이에 설치된, 일반식 (1)에 나타내는 트리아진 유도체, 및 무기화합물인 금속산화물을 가지는 층을 포함한 발광소자를 특징으로 한다.
Figure 112007046262236-PCT00001
일반식 (1)에 있어서, R1∼R12는 각각 독립적이거나, R1과 R2, R3과 R4, R5와 R6, R7과 R8, R9와 R10, R11과 R12 중 어느 하나가 결합해서 환을 형성한다. 여기에서, R1∼R12가 각각 독립적인 경우, R1∼R12는, 각각 수소, 탄소수 1∼6의 알킬기, 탄소수 1∼6의 알콕시기, 할로겐기, 탄소수 1∼6의 아실기, 탄소수 1∼6의 알콕시카르보닐기, 탄소수 6∼30(바람직하게는 탄소수 6∼14)의 아릴기, 및 탄소수 2∼18(바람직하게는 탄소수 2∼14)의 복소방향환기 중 어느 하나를 나타낸다. 이때 본 발명에 있어서, 알킬기에는, 지환식 복소환기가 포함된다. 그러나, 쇄형 알킬기를 사용하면, 트리아진 유도체의 취급이 용이하므로 바람직하다. 아릴기 및 복소방향환기에 있어서의, 바람직한 탄소수는, 원재료나 트리아진 유도체의 취급의 용이성을 고려하여 결정한다.
또한, 복소방향환기는, 5원환의 단환, 6원환의 단환, 5원환 및 6원환 중 어느 하나를 포함한 다환, 또는 5원환 및 6원환을 모두 포함한 다환인 것이 바람직하다. 또한 복소방향환기는, 질소, 산소, 및 황 중 어느 하나의 원자를 포함한다.
또한 R1과 R2, R3과 R4, R5와 R6, R7과 R8, R9와 R10, R11과 R12가 각각 결합해서 환을 형성할 때, 그 환들은, 방향환, 복소환, 또는 지환 중 어느 하나의 환을 나타낸다. 이때, R1과 R2의 결합과, R3과 R4의 결합과, R5와 R6의 결합과, R7과 R8의 결합과, R9와 R10의 결합과, R11과 R12의 결합은, 각각 독립적이다. 예를 들면, R1과 R2가 결합해서 방향환, 복소환, 또는 지환 중 어느 하나의 환을 형성하고, R3∼R12가 각각 독립적으로 수소 또는 치환기를 나타낼 수 있다. 또한 방향환은, 또 다른 방향환과 축합해도 된다. 또한 방향환과 복소환과 지환은, 각각, 옥소기, 탄소수 1∼6의 알킬기 등의 치환기를 가져도 된다. 이때, 본 발명에 있어서, 알킬기에는, 지환식 복소환기가 포함된다. 그러나 쇄형 알킬기를 사용하면, 트리아진 유도체의 취급이 용이하므로 바람직하다.
일반식 (1)에 있어서, X1, X2, X3은, 각각 독립적으로 식 (2)∼(7) 중 어느 하나의 기를 나타낸다.
Figure 112007046262236-PCT00002
식 (2)에 나타내는 기에 있어서, R13과 R14는, 각각 독립적이거나, 결합해서 환을 형성해도 된다. R13과 R14이 각각 독립적인 경우, R13과 R14는, 각각 수소, 탄소수 1∼6의 알킬기, 탄소수 6∼30(바람직하게는 탄소수 6∼14)의 아릴기, 탄소수 2∼18(바람직하게는 탄소수 2∼10)의 복소방향환기를 나타낸다. 이때 본 발명에 있어서, 알킬기에는, 지환식 복소환기가 포함된다. 그러나, 쇄형 알킬기를 사용하면, 트리아진 유도체의 취급이 용이하므로 바람직하다. 아릴기 및 복소방향환기에 있어서의, 바람직한 탄소수는, 원재료나 트리아진 유도체의 취급의 용이성을 고려하여 결정한다. 또한 아릴기, 복소방향환기는, 각각 치환기를 가져도 된다. 또한, 복소방향환기는, 5원환의 단환, 6원환의 단환, 5원환 및 6원환 중 어느 하나를 포함한 다환, 또는 5원환 및 6원환을 모두 포함한 다환인 것이 바람직하다. 또한 복소방향환기는, 질소, 산소, 및 황 중 어느 하나의 원자를 포함한다.
또한 R13과 R14가 결합해서 환을 형성할 때, 그 환은, 탄소수 3∼10(바람직하게는 탄소수 6)의 지환을 나타낸다. 지환에 있어서의, 바람직한 탄소수는, 원재료나 트리아진 유도체의 취급의 용이성을 고려하여 결정한다. 지환에 있어서 탄소수가 너무 많아지면, 그 화합물의 융점(Tg)이 크게 내려갈 수 있어, 취급하기 어려워질 수 있다.
식 (5)에 나타내는 기에 있어서, R15은, 수소, 또는 탄소수 6∼30(바람직하게는 탄소수 6∼14)의 아릴기, 및 탄소수 2∼18(바람직하게는 탄소수 2∼10)의 복소방향환기 중 어느 하나를 나타낸다. 아릴기 및 복소방향환기에 있어서의, 바람직한 탄소수는, 원재료나 트리아진 유도체의 취급의 용이성을 고려하여 결정한다. 여기에서, 아릴기는, 탄소수 1∼6의 알킬기, 탄소수 1∼6의 아실기, 할로겐기, 옥소기 등의 치환기를 1 이상 가져도 되고, 무치환으로 해도 된다. 이때 본 발명에 있어서, 알킬기에는, 지환식 복소환기가 포함된다. 그러나, 쇄형 알킬기를 사용하면, 트리아진 유도체의 취급이 용이하므로 바람직하다. 복소방향환기는, 5원환의 단환, 6원환의 단환, 5원환 및 6원환 중 어느 하나를 포함한 다환, 또는 5원환 및 6원환을 모두 포함한 다환인 것이 바람직하다. 또한 복소방향환기는 질소, 산소, 및 황 중 어느 하나의 원자를 포함한다.
식 (6)에 나타내는 기에 있어서, R16과 R17는, 각각 독립적으로, 수소, 탄소수 6∼30의 아릴기, 탄소수 2∼18(바람직하게는 탄소수 2∼10)의 복소방향환기, 시아노기를 나타낸다. 복소방향환기에 있어서의, 바람직한 탄소수는, 원재료나 트리아진 유도체의 취급의 용이성을 고려하여 결정한다. 여기에서, 아릴기는, 탄소수 1∼6의 알킬기, 할로겐기, 탄소수 6∼30(바람직하게는 탄소수 6∼14)의 아릴기 등의 치환기를, 1 이상 가져도 되고, 무치환으로 해도 된다. 이때 본 발명에 있어서, 알킬기에는, 지환식 복소환기가 포함된다. 그러나, 쇄형 알킬기를 사용하면, 트리아진 유도체의 취급이 용이하므로 바람직하다. 아릴기에 있어서의, 바람직한 탄소수는, 원재료나 트리아진 유도체의 취급의 용이성을 고려하여 결정한다. 복소방향환기는, 5원환의 단환, 6원환의 단환, 5원환 및 6원환 중 어느 하나를 포함한 다환, 또는 5원환 및 6원환을 모두 포함한 다환인 것이 바람직하다. 또한 복소방향환기는, 질소, 산소, 및 황 중 어느 하나의 원자를 포함한다.
식 (7)에 나타내는 기에 있어서, R18은, 수소, 탄소수 1∼6의 알킬기, 탄소수 6∼30(바람직하게는 탄소수 6∼14)의 아릴기, 탄소수 2∼18(바람직하게는 탄소수 2∼10)의 복소방향환기를 나타낸다. 이때 본 발명에 있어서, 알킬기에는, 지환식 복소환기가 포함된다. 그러나, 쇄형 알킬기를 사용하면, 트리아진 유도체의 취급이 용이하므로 바람직하다. 아릴기 및 복소방향환기에 있어서의, 바람직한 탄소수는, 원재료나 트리아진 유도체의 취급의 용이성을 고려하여 결정한다. 여기에서, 아릴기는, 디알킬아미노기 등의 치환기를 가져도 된다. 복소방향환기는, 5원환의 단환, 6원환의 단환, 5원환 및 6원환 중 어느 하나를 포함한 다환, 또는 5원환 및 6원환을 모두 포함한 다환인 것이 바람직하다. 또한, 질소, 산소, 및 황 중 어느 하나의 원자를 포함한다.
본 발명의 발광소자에 있어서, 금속산화물, 금속질화물, 또는 금속질화산화물을 사용할 수도 있다.
전자수용성 물질로서의 기능을 가지는 구체적인 재료로서는, 주기율표 제4족 내지 제12족 중 어느 하나의 천이금속산화물을 사용할 수 있다. 그 중에서도, 주기율표 제4족 내지 제8족 중 어느 하나의 천이금속산화물은 전자수용성이 높은 경우가 많다. 특히 바나듐산화물, 몰리브덴산화물, 니오브산화물, 레늄산화물, 텅스텐산화물, 루테늄산화물, 티탄산화물, 크롬산화물, 지르코늄산화물, 하프늄산화물, 탄탈산화물이 바람직하다.
또한, 전자공여성을 나타내는 물질로서의 기능을 가지는 금속으로는, 알칼리금속 및 알칼리토금속 중에서 선택된 물질, 구체적으로는 리튬(Li), 칼슘(Ca), 나트륨(Na), 칼륨(K), 마그네슘(Mg) 등을 사용할 수 있다. 구체적인 재료로서는, 상기 알칼리금속의 산화물 또는 알칼리토금속의 산화물, 알칼리금속의 질화물, 알칼리토금속의 질화물 등으로, 구체적으로는 리튬 산화물(Li2O), 칼슘 산화물(CaO), 나트륨 산화물(Na2O), 칼륨 산화물(K2O), 마그네슘 산화물(MgO) 등을 들 수 있다. 그 외, 알칼리금속 등의 불화물, 구체적으로는 불화리튬(LiF), 불화세슘(CsF), 불화칼슘(CaF2) 등을 사용할 수 있다.
또한, 본 발명의 발광소자는, 본 발명의 트리아진 유도체와, 무기화합물인 금속산화물이 혼재된 층, 또는 트리아진 유도체와, 무기화합물인 금속산화물이 적층된 층(이하, 통틀어 혼재된 층이라고 한다)을 가질 수 있다.
이러한 본 발명의 트리아진 유도체는, 발광소자에 있어서, 전자를 발생하는 층(전자발생층)이나 발광층으로 사용할 수 있다.
본 발명의 트리아진 유도체를, 전자를 발생하는 층(전자발생층)으로 사용할 경우, 혼재된 층을 형성할 때, 상기 금속산화물로서 리튬 산화물(Li2O), 칼슘 산화물(CaO), 나트륨 산화물(Na2O), 칼륨 산화물(K2O), 마그네슘 산화물(MgO)을 들 수 있다. 또한, 금속 불화물로서, 불화리튬(LiF), 불화세슘(CsF), 불화칼슘(CaF2)을 사용할 수 있다.
본 발명의 트리아진 유도체를, 발광층으로 사용할 경우, 발광소자는 한 쌍의 전극 사이에, 상기 일반식 (1)에 나타내는 트리아진 유도체와, 400nm∼500nm의 대역에 발광 파장을 가지는 발광 물질을 가진다. 이때, 본 발명의 트리아진 유도체는, 호스트, 또는 불순물에 사용할 수 있다.
또한 본 발명은, 상기 발광소자를 가지는 발광장치를 특징으로 한다.
도 1은 본 발명의 발광소자를 나타낸 단면도다.
도 2는 본 발명의 발광소자를 나타낸 단면도다.
도 3은 본 발명의 패널을 나타낸 도면이다.
도 4a 내지 4c는 본 발명의 화소를 나타낸 단면도다.
도 5는 본 발명의 화소를 나타낸 단면도다.
도 6은 본 발명의 화소를 나타낸 단면도다.
도 7a 내지 7c는 본 발명의 화소의 등가회로를 나타낸 도면이다.
도 8a 내지 8f는 본 발명의 전자기기를 나타낸 도면이다.
본 발명의 실시예에 대해서, 도면을 참조하여 이하에 설명한다. 단, 본 발명은 이하의 설명에 한정되지 않고, 본 발명의 취지 및 그 범위에서 일탈하는 않는 한 그 형태 및 상세한 내용을 다양하게 변경할 수 있다는 것은 당업자라면 용이하게 이해된다. 따라서, 본 발명이 이하에 나타내는 실시예의 기재 내용에 한정해서 해석되는 것은 아니다. 또한, 이하에 설명하는 본 발명의 구성에 있어서, 동일한 부분을 가리키는 부호는 다른 도면 사이에서 공통으로 사용하고, 반복된 설명을 생략하는 경우가 있다.
전술한 본 발명의 트리아진 유도체에는,
2,4,6-트리스(9-옥소-10(9H)-아크리디닐)-1,3,5-트리아진,
2,4,6-트리스(9-옥소-12(7H)-벤조[a]아크리디닐)-1,3,5-트리아진,
2,4,6-트리스(2-클로로-9-옥소-10(9H)-아크리디닐)-1,3,5-트리아진,
2,4,6-트리스(3-메톡시-9-옥소-10(9H)-아크리디닐)-1,3,5-트리아진,
2,4,6-트리스(2-메톡시-9-옥소-10(9H)-아크리디닐)-1,3,5-트리아진,
2,4,6-트리스(10-페닐-디히드로페나진-5-일)-1,3,5-트리아진,
2,4,6-트리스(10-페닐-벤조[a]디히드로페나진-5-일)-1,3,5-트리아진,
2,4,6-트리스(10-페닐-디벤조[a, c]디히드로페나진-5-일)-1,3,5-트리아진,
2,4,6-트리스(10-페닐-디벤조[a, i]디히드로페나진-5-일)-1,3,5-트리아진,
2,4,6-트리스(10-메틸-디히드로페나진-5-일)-1,3,5-트리아진,
2,4,6-트리스[10-(4-디메틸아미노)페닐-디히드로페나진-5-일]-1,3,5-트리아진,
2,4,6-트리스[10-(2-피리딜)-디히드로페나진-5-일]-1,3,5-트리아진,
2,4,6-트리스[10-(2-티에닐)-디히드로페나진-5-일]-1,3,5-트리아진,
2,4,6-트리스[10-(1-나프틸)-디히드로페나진-5-일]-1,3,5-트리아진,
2,4,6-트리스[9-(페닐이미노)-10(9H)-아크리디닐]-1,3,5-트리아진,
2,4,6-트리스[9-(1-나프틸이미노)-10(9H)-아크리디닐]-1,3,5-트리아진,
2,4,6-트리스[9-(1-안트릴)-10(9H)-아크리디닐]-1,3,5-트리아진,
2,4,6-트리스[9-(플루오로페닐이미노)-10(9H)-아크리디닐]-1,3,5-트리아진,
2,4,6-트리스[9-(메톡시페닐이미노)-10(9H)-아크리디닐]-1,3,5-트리아진,
2,4,6-트리스[9-(톨릴이미노)-10(9H)-아크리디닐]-1,3,5-트리아진, 2,4,6-트리스[9-N-{1,8-나프탈릭 안하이드라이드-4-일}이미노-10(9H)-아크리디닐]-1,3,5-트 리아진,
2,4,6-트리스[9-(2-피리딜이미노)-10(9H)-아크리디닐]-1,3,5-트리아진,
2,4,6-트리스[9-N-(1,3-벤조티아졸-2-일)이미노-10(9H)-아크리디닐]-1,3,5-트리아진,
2,4,6-트리스(9-벤질리덴-10(9H)-아크리디닐)-1,3,5-트리아진,
2,4,6-트리스[9-(2-나프틸리덴)-10(9H)-아크리디닐]-1,3,5-트리아진,
2,4,6-트리스[9-(안트라센-9-이리덴)-10(9H)-아크리디닐]-1,3,5-트리아진,
2,4,6-트리스[9-(디페닐메틸리덴)-10(9H)-아크리디닐]-1,3,5-트리아진,
2,4,6-트리스[9-(2-비페닐리덴)-10(9H)-아크리디닐]-1,3,5-트리아진,
2,4,6-트리스[9-(메틸벤질리덴)-10(9H)-아크리디닐]-1,3,5-트리아진,
2,4,6-트리스[9-(플루오르벤질리덴)-10(9H)-아크리디닐]-1,3,5-트리아진,
2,4,6-트리스[9-(2-피리딜리덴)-10(9H)-아크리디닐]-1,3,5-트리아진,
2,4,6-트리스[9-(2-티에닐리덴)-10(9H)-아크리디닐]-1,3,5-트리아진,
2,4,6-트리스(9,9-디페닐-9,10-디히드로-9-아크리디닐)-1,3,5-트리아진,
2,4,6-트리스[9-(디시아노메틸리덴)-10(9H)-아크리디닐]-1,3,5-트리아진,
2,4,6-트리스(3-메톡시-4(1H)-피리디논-1-일)-1,3,5-트리아진,
2,4,6-트리스(3,4-디시아노-2,6-디메틸-4(1H)-피리디논-1-일)-1,3,5-트리아진,
2,4,6-트리스(2,6-디메톡시카르보닐-4(1H)-피리디논-1-일)-1,3,5-트리아진,
2,4,6-트리스[2,6-비스(2-피리딜)-4(1H)-피리디논-1-일]-1,3,5-트리아진,
2,4,6-트리스(3,5-디아세틸-2,6-디메틸-1,4-디하이드로피리딘-1-일)-1,3,5-트리아진,
2,4,6-트리스(3,5-디에톡시카르보닐-2,6-디메틸-1,4-디하이드로피리딘-1-일)-1,3,5-트리아진,
2,4,6-트리스[3,3,6,6-테트라메틸-3,4,6,7,9,10-헥사히드로-1,8(2H,5H)-아크리딘디온-10-일]-1,3,5-트리아진,
2,4,6-트리스(3,5-디시아노-2,4,4,6-테트라메틸-1,4-디하이드로피리딘-1-일)-1,3,5-트리아진,
2,4,6-트리스(1,5-디시아노-2,4-디메틸-3-아자스피로[5,5]운데카-1,4-디엔-1-일)-1,3,5-트리아진,
2,4,6-트리스(3,5-디시아노-2,6-디메틸-4-페닐-1,4-디하이드로피리딘-1-일)-1,3,5-트리아진,
2,4,6-트리스[3,5-디시아노-4-(2-푸릴)-2,6-디메틸-1,4-디하이드로피리딘-1-일]-1,3,5-트리아진,
2,4,6-트리스[3,5-디시아노-2,6-디메틸-4-(3-피리딜)-1,4-디하이드로피리딘-1-일]-1,3,5-트리아진,
2,4,6-트리스[3,5-디시아노-2,6-디메틸-4-(2-티에닐)-1,4-디하이드로피리딘-1-일]-1,3,5-트리아진,
2,4,6-트리스[9-이소프로필-3,4,6,7,9,10-헥사히드로-1,8(2H,5H)-아크리딘디온-1-일]-1,3,5-트리아진,
2,4,6-트리스{8-페닐-5,8-디하이드로-1H,3H-디푸로[3,4-b:3,4-e]피리딘-1,7(4H)-디온-1-일}-1,3,5-트리아진이 포함된다.
그리고, 상기한 트리아진 유도체 중 적어도 어느 하나와, 무기화합물인 금속산화물 등을 한 쌍의 전극 사이에 설치한 발광소자를 제조할 수 있다. 이때, 트리아진 유도체와, 금속산화물이 혼재된 층을 형성하는 것이 바람직하다.
트리아진 유도체와, 금속산화물을 혼재함으로써, 상기 층의 막을 후막화해도, 구동전압의 상승을 방지할 수 있다.
트리아진 유도체와, 금속산화물이 혼재된 층에 한정되지 않고, 트리아진 유도체를 포함한 층에 추가로, 별도의 유기화합물과, 금속산화물이 혼재된 층을 가지는 경우에도, 상기 금속산화물을 갖는 층을 후막화하는 것으로 인한 구동전압의 상승을 방지할 수 있다.
일반적으로, 발광소자의 층을 후막화하면, 구동전압이 증가하므로, 바람직하지 못하다. 그러나, 상당히 얇은 막을 가지는 발광소자는, 후막화함으로써 전극 사이의 단락을 방지할 수 있고, 대량생산성의 향상이 기대된다. 그리고, 본 발명자들은, 한 쌍의 전극 사이에 유기화합물과, 무기화합물인 금속산화물이 혼재된 층을 형성함으로써, 발광소자의 층을 후막화해도 구동전압의 증가를 방지할 수 있다는 것을 알아냈다.
이러한 금속산화물로는, 바나듐산화물, 몰리브덴산화물, 니오브산화물, 레늄산화물, 텅스텐산화물, 루테늄산화물, 티탄산화물, 크롬산화물, 지르코늄산화물, 하프늄산화물, 탄탈산화물이 바람직하다. 이러한 재료는, 전자수용성 물질로서의 기능을 가진다.
전자공여성을 나타내는 물질로서의 기능을 가지는 금속산화물로서, 리튬 산화물(Li2O), 칼슘 산화물(CaO), 나트륨 산화물(Na2O), 칼륨 산화물(K2O), 마그네슘 산화물(MgO) 등을 들 수 있다. 또한, 전자공여성을 물질로서 금속 불화물이 있는데, 구체적으로는 불화리튬(LiF), 불화세슘(CsF), 불화칼슘(CaF2) 등을 들 수 있다.
본 발명의 발광소자에 있어서, 금속산화물 이외에, 상기 금속 원소를 가지는 금속질화물, 금속질화산화물, 금속 불화물을 사용할 수 있다.
이에 따라, 발광소자가 갖는 층은 후막화되어 전극 사이가 단락하는 것을 방지할 수 있고, 대량생산성을 높일 수 있어, 상당히 바람직하다.
또한, 본 발명의 트리아진 유도체와, 금속산화물 등이 혼재된 층은, 공증착법에 의해 제조할 수 있다. 구체적으로는, 저항가열증착에 의한 공증착법, 전자빔증착에 의한 공증착법, 저항가열증착과 전자빔증착에 의한 공증착법을 들 수 있다. 이렇게 상기 혼재된 층은, 유사한 방식을 조합해서 형성할 수 있다. 또한 증착법과, 다른 방식을 조합해도 된다. 예를 들면, 저항가열증착과 스퍼터링법에 의한 성막, 전자빔증착과 스퍼터링에 의한 성막 등에 의해 혼재된 층을 제조할 수 있다. 상기 예는 트리아진 유도체와, 금속산화물의 2종류의 재료를 포함한 층을 나타내지만, 3종류 이상의 재료를 포함한 경우도 마찬가지로, 유사하거나 다른 방식을 조합해서 형성할 수 있다.
(실시예 1)
본 실시예에서는, 본 발명의 트리아진 유도체를 가지는 발광소자의 구성에 관하여 설명한다.
본 발명의 발광소자는, 도 1에 나타낸 바와 같이, 대향하는 제1 전극(101), 제2 전극(102)을 가지고, 제1 전극(101)로부터 순차적으로, 제1 층(111), 제2 층(112), 제3 층(113)이 적층되어 있다. 이러한 발광소자는, 제2 전극(102)의 전위보다도 제1 전극(101)의 전위가 높아지도록 전압을 인가하면, 제1 층(111)으로부터 제2 층(112)에 정공이 주입되고, 제3 층(113)으로부터 제2 층(112)에 전자가 주입된다. 정공과, 전자가, 제2 층(112)에서 재결합하고, 발광 물질을 여기상태로 전환한다. 그리고, 여기상태의 발광 물질은, 기저상태로 되돌아올 때에 발광한다.
다음으로, 제1 층(111) 내지 제3 층(113), 제1 전극(101), 및 제2 전극(102)에 관하여 설명한다.
제1 층(111)은, 정공을 발생하는 층(정공발생층)이다. 이러한 층으로는, 예를 들면, 정공수송성 물질과, 그 정공수송성 물질에 대하여 전자수용성을 나타내는 물질을 포함한 층을 들 수 있다. 또한, 정공수송성 물질에 대하여 전자수용성을 나타내는 물질은, 정공수송성 물질에 대하여, 몰비가 0.5∼2(=정공수송성 물질에 대하여 전자수용성을 나타내는 물질/정공수송성 물질)가 되도록 포함되는 것이 바람직하다.
정공수송성 물질은, 전자보다도 정공의 수송성이 높은 물질이며, 예를 들면, 4,4'－비스[N-(1-나프틸)-N-페닐아미노]비페닐(약칭:α-NPD), 4,4'－비스[N-(3-메틸페닐)-N-페닐아미노]비페닐(약칭:TPD), 4,4',4"－트리스(N, N-디페닐아미노)트리 페닐아민(약칭:TDATA), 4,4',4"－트리스[N-(3-메틸페닐)-N-페닐아미노]트리페닐아민(약칭:MTDATA), 4,4'－비스[N-{4-(N, N-디-m-톨릴아미노)페닐}-N-페닐아미노]비페닐(약칭:DNTPD) 등의 방향족아민 화합물이나, 프탈로시아닌(약칭:H2Pc), 구리 프탈로시아닌(약칭:CuPc), 바나딜 프탈로시아닌(약칭:VOPc) 등의 프탈로시아닌 화합물 등의 유기화합물을 사용할 수 있다. 이때, 정공수송성 물질이 이것들에 한정되는 것은 아니다.
또한 정공수송성 물질에 대하여 전자수용성을 나타내는 물질은, 주기율표 제4족 내지 제12족 중 어느 하나의 천이금속의 산화물을 사용할 수 있다. 그 중에서도, 주기율표 제4족 내지 제8족 중 어느 하나의 천이금속의 산화물은 전자수용성이 높은 경우가 많다. 특히 바나듐산화물, 몰리브덴산화물, 니오브산화물, 레늄산화물, 텅스텐산화물, 루테늄산화물, 티탄산화물, 크롬산화물, 지르코늄산화물, 하프늄산화물, 탄탈산화물이 바람직하다. 이때, 정공수송성 물질에 대하여 전자수용성을 나타내는 물질은, 이것들에 한정되는 것은 아니다.
제1 층(111)은, 증착법에 의해 형성할 수 있고, 혼재하는 층을 형성할 경우에는 공증착법을 이용할 수 있다. 예를 들면, 정공수송성 물질과, 그 물질에 대하여 전자수용성을 나타내는 물질(일례로서 상기 금속산화물)이 혼재된 제1 층(111)은, 공증착법에 의해 제조할 수 있다. 제1 층(111)을 형성하는 증착법은, 저항가열증착에 의한 공증착법, 전자빔증착에 의한 공증착법, 저항가열증착과 전자빔증착에 의한 공증착법, 저항가열증착과 스퍼터링법에 의한 성막, 전자빔증착과 스퍼터링에 의한 성막등, 유사하거나 다른 방식을 조합해서 형성할 수 있고, 상기 예는 2종류의 재료를 포함한 층을 상정하지만, 3종류 이상의 재료를 포함한 경우도 마찬가지로, 유사하거나 다른 방식을 조합해서 형성할 수 있다는 것은 전술한 바와 같다.
이때 제1 층(111)에, 또 다른 유기화합물을 포함해도 된다. 또 다른 유기화합물에는, 루브렌 등을 들 수 있다. 루브렌을 첨가함으로써, 신뢰성을 향상시킬 수 있다.
또한, 제1 층(111)은, 몰리브덴산화물, 바나듐산화물, 루테늄산화물, 코발트산화물, 구리산화물과 같은 금속산화물로 이루어진 층으로 해도 된다.
제1 층(111)은, 상기한 바와 같이 유기화합물과 금속산화물 등을 갖는 층으로 형성하는 것이, 도전성이 높아지므로 바람직하다. 도전성이 높으면, 제1 층(111)을 보다 후막화할 수 있다.
또한, 유기화합물과 금속산화물 등을 갖는 층을 사용함으로써, 유기화합물층의 결정화를 억제할 수 있고, 저항의 증가를 수반하지 않고 유기화합물층을 두껍게 형성할 수 있게 된다. 따라서 기판 위에 먼지나 오염 등에 기인하는 요철이 있는 경우에도, 유기화합물층의 후막화에 의해, 요철의 영향을 거의 받지 않는다. 따라서, 요철에 기인하는 쇼트 등의 불량을 방지할 수 있다.
제2 층(112)은 발광층을 포함한 층이다. 발광층을 포함한 층은, 발광층만으로 이루어지는 단층이나 다층으로 구성할 수 있다. 구체적인 다층은, 발광층 외에, 전자수송층, 정공수송층, 및 정공주입층으로부터 선택된 단수 또는 복수의 층을 포함한다. 도 1에 있어서, 제2 층(112)은, 발광층(123) 이외에, 전자수송층(124), 정 공수송층(122)을 포함한 다층인 경우를 나타낸다.
발광층은, 발광 물질이, 상기 발광 물질이 가지는 에너지갭보다 큰 에너지갭을 가지는 물질 내에, 분산되어 포함된 층인 것이 바람직하다. 단 발광층은, 이것에 한정되는 것은 아니다. 여기에서, 에너지갭은 LUMO 준위와 HOMO준위 사이의 에너지갭을 말한다. 또한, 발광 물질은, 발광 효율이 양호하고, 원하는 발광 파장의 발광이 가능한 물질을 사용하면 된다.
본 발명의 트리아진 유도체는 발광 물질, 및 상기 발광 물질이 가지는 에너지갭보다 큰 에너지갭을 가지는 물질로 사용할 수 있다.
발광 물질을 분산시키기 위해 사용하는 물질은, 예를 들면, 9,10-디(2-나프틸)-2-tert-부틸안트라센(약칭:t-BuDNA) 등의 안트라센 유도체, 또는 4,4'－비스(N-카르바졸릴)비페닐(약칭:CBP) 등의 카르바졸 유도체 외에도, 비스[2-(2-히드록시페닐)피리디나토아연](약칭:Znpp2), 비스[2-(2-히드록시페닐)벤조옥사졸라토]아연(약칭:ZnBOX) 등의 금속착체 등을 사용할 수 있다. 단, 발광 물질을 분산 상태로 하기 위해서 사용하는 물질은 이들 재료에 한정되지 않는다. 상기한 바와 같이 발광 물질이 분산된 상태이면, 발광 물질로부터의 발광이, 농도에 기인해서 소광하는 것을 방지할 수 있다.
이러한 제2 층(112)으로부터, 백색계의 발광을 나타내기 위해서는, 예를 들면, 제1 전극(101)으로부터 순차적으로, TPD(방향족 디아민), 3-(4-tert-부틸페닐)-4-페닐-5-(4-비페닐일)-1,2,4-트리아졸(약칭:TAZ), 트리스(8-퀴놀리노레이트) 알루미늄(약칭:Alq3), 적색발광 색소인 나일 레드를 도프한 Alq3, 그리고 Alq3을 증착법 등에 의해 적층한 구성을 이용할 수 있다.
또한, 제1 전극(101)으로부터 순차적으로, NPB, 페릴렌을 도프한 NPB, DCM1을 도프한 비스(2-메틸-8-퀴놀리노레이트)-4-페닐페놀레이트-알루미늄(약칭:BAlq), BAlq, Alq3을 증착법 등에 의해 적층한 구성을 이용할 수 있다.
또한, 30wt％의 2-(4-비페닐일)-5-(4-tert-부틸페닐)-1,3,4-옥사디아졸(약칭:PBD)을 전자수송제로서 폴리(N-비닐카르바졸)(약칭:PVK)에 분산시키고, 4종류의 색소(TPB, 쿠마린 6, DCM1, 나일 레드)를 적당량 분산시킴으로써 백색계의 발광을 얻을 수 있다.
또한, 제2 층(112)을 적층형으로 하고, 제1 층과 제2 층의 발광 재료를 예를 들면 적색과 청록색 등, 서로 보색 관계를 가지는 발광 색을 생성하는 재료로 형성함으로써, 백색계의 발광을 얻을 수도 있다.
이때, 이상에 나타낸 백색계의 발광이 얻어지는 발광소자 이외에도, 발광층의 재료를 적절히 선택할 수 있다. 예를 들면, 제2 층(112)을, 빨강(R), 초록(G), 파랑(B)의 각 발광 재료로 구성해도 된다.
적색계의 발광을 얻고자 하는 경우에는, 4-디시아노메틸렌-2-이소프로필-6-[2-(1,1,7,7-테트라메틸줄로리딘-9-일)에테닐]-4H-피란(약칭:DCJTI), 4-디시아노메틸렌-2-메틸-6-[2-(1,1,7,7-테트라메틸줄로리딘-9-일)에테닐]-4H-피란(약칭:DCJT), 4-디시아노메틸렌-2-tert-부틸-6-[2-(1,1,7,7-테트라메틸줄로리딘-9-일)에테닐]- 4H-피란(약칭:DCJTB)이나 페리플란텐, 2,5-디시아노-1,4-비스[2-(10-메톡시-1,1,7,7-테트라메틸줄로리딘-9-일)에테닐]벤젠, 비스[2,3-비스(4-플루오르페닐)퀴녹살리나토]이리듐(아세틸아세토네이트)(약칭:Ir[Fdpq]2acac) 등을 사용할 수 있다. 단 이것들의 재료에 한정되지 않고, 600nm 내지 700nm에 발광스펙트럼의 피크를 가지는 발광을 나타내는 물질을 사용할 수 있다.
녹색계의 발광을 얻고자 하는 경우에는, N, N'－디메틸퀴나크리돈(약칭:DMQd), 쿠마린 6이나 쿠마린 545T, 트리스(8-퀴놀리노레이트)알루미늄(약칭:Alq3) 등을 사용할 수 있다. 단 이들 재료에 한정되지 않고, 500nm 내지 600nm에 발광스펙트럼의 피크를 가지는 발광을 나타내는 물질을 사용할 수 있다.
본 발명의 트리아진 유도체는, 청색계의 발광을 나타내는, 발광층을 포함한 층으로서도 기능할 수 있다. 구체적으로는, 본 발명의 트리아진 유도체는, 청색계의 발광을 나타내는, 발광층의 호스트 재료로서 사용할 수 있다. 따라서, 본 발명의 발광소자는, 한 쌍의 전극 사이에, 본 발명의 트리아진 유도체와, 400nm 내지 500nm의 대역에 발광 파장을 가지는 발광 물질을 포함한 층을 가짐으로써, 청색계의 발광을 나타낼 수 있다. 이때, 본 발명의 트리아진 유도체는, 호스트, 또는 불순물로 사용할 수 있다.
또한, 청색계의 발광을 얻고자 하는 경우에는, 본 발명의 트리아진 유도체를 포함한 층 외에도, 9,10-비스(2-나프틸)-tert-부틸안트라센(약칭:t-BuDNA), 9,9'－비안트릴, 9,10-디페닐안트라센(약칭:DPA), 9,10-비스(2-나프틸)안트라센(약칭 :DNA), 비스(2-메틸-8-퀴놀리노레이트)-4-페닐페놀레이트-갈륨(약칭:BGaq), 비스(2-메틸-8-퀴놀리노레이트)-4-페닐페놀레이트-알루미늄(약칭:BAlq) 등을 사용할 수 있다. 단, 이들 재료에 한정되지 않고, 400nm 내지 500nm에 발광스펙트럼의 피크를 가지는 발광을 나타내는 물질을 사용할 수 있다.
이렇게 제2 층(112)을 빨강(R), 초록(G), 파랑(B)의 각 발광 재료를 가지도록 형성할 경우, 컬러 필터나 색 변환층을 더 설치하여, 각 발광스펙트럼의 피크 등을 조절해도 된다. 컬러 필터나 색 변환층은, 발광을 외부에 추출하는 쪽에 형성하면 되는데, 즉, 박막 트랜지스터가 형성되는 기판 측, 또는 그것에 대향하는 기판 측에 설치할 수 있다.
이러한 제2 층(112)는, 증착법에 의해 제조할 수 있고, 혼재하는 층을 형성할 경우에는 공증착법을 이용할 수 있다. 제2 층(112)을 형성하는 공증착법은, 저항가열증착에 의한 공증착법, 전자빔증착에 의한 공증착법, 저항가열증착과 전자빔증착에 의한 공증착법, 저항가열증착과 스퍼터링법에 의한 성막, 전자빔증착과 스퍼터링에 의한 성막 등, 유사하거나 다른 방식을 조합할 수 있고, 상기 예는 2종류의 재료를 포함한 층을 상정하지만, 3종류 이상의 재료를 포함한 경우도 마찬가지로, 유사하거나 다른 방식을 조합해서 형성할 수 있다는 것은, 전술한 바와 같다.
제3 층(113)은, 전자를 발생하는 층이다. 본 발명의 트리아진 유도체를, 제3 층(113), 즉 전자를 발생하는 층으로서 적용할 수 있다. 이러한 층으로서, 본 발명의 트리아진 유도체를 포함한 층 외에도, 예를 들면, 전자수송성 물질과, 그 물질에 대하여 전자공여성을 나타내는 물질을 포함한 층을 들 수 있다.
이때 전자수송성 물질은, 정공의 수송성보다 전자의 수송성이 높은 물질이다. 예를 들면, 트리스(8-퀴놀리노라토)알루미늄(약칭:Alq3), 트리스(4-메틸-8-퀴놀리노레이트)알루미늄(약칭:Almq3), 비스(10-히드록시벤조[h]-퀴놀리노라토)베릴륨(약칭:BeBq2), 비스(2-메틸-8-퀴놀리노레이트)-4-페닐페놀레이트-알루미늄(약칭:BAlq), 비스[2-(2-히드록시페닐)벤조옥사졸라토]아연(약칭:Zn(BOX)2), 비스[2-(2-히드록시페닐)벤조티아졸레이트]아연(약칭:Zn(BTZ)2) 등의 금속착체 외에도, 2-(4-비페닐일)-5-(4-tert-부틸페닐)-1,3,4-옥사디아졸(약칭:PBD), 1,3-비스[5-(p-tert-부틸페닐)-1,3,4-옥사디아졸-2-일]벤젠(약칭:OXD-7), 3-(4-tert-부틸페닐)-4-페닐-5-(4-비페닐일)-1,2,4-트리아졸(약칭:TAZ), 3-(4-tert-부틸페닐)-4-(4-에틸페닐)-5-(4-비페닐일)-1,2,4-트리아졸(약칭:p-EtTAZ), 바토페날트롤린(약칭:BPhen), 바토쿠프로인(약칭:BCP), 4,4'－비스(5-메틸-벤조옥사졸-2-일)스틸벤(약칭:BzOs) 등을 사용할 수 있다. 또한, 제3 층(113)은, n형 반도체를 사용해서 형성할 수 있다. 단, 전자수송성 물질은 이것들에 한정되지 않는다.
전자수송성 물질에 대하여 전자공여성을 나타내는 물질은, 알칼리금속 및 알칼리토금속 중에서 선택된 물질, 구체적으로는 리튬(Li), 칼슘(Ca), 나트륨(Na), 칼륨(K), 마그네슘(Mg) 등을 사용할 수 있다. 또한 구체적인 재료로서는, 상기 알칼리금속의 산화물 또는 알칼리토금속의 산화물, 알칼리금속의 질화물, 알칼리토금속의 질화물 등으로, 구체적으로는 리튬 산화물(Li2O), 칼슘 산화물(CaO), 나트륨 산화물(Na2O), 칼륨 산화물(K2O), 마그네슘 산화물(MgO), 불화리튬(LiF), 불화세슘(CsF), 불화칼슘(CaF2) 등을 들 수 있다. 단, 전자수송 물질에 대하여 전자공여성을 나타내는 물질은, 이것들에 한정되지 않는다. 또한, 전자수송성 물질에 대하여 전자공여성을 나타내는 물질은, 전자수송성 물질에 대하여, 몰비가 0.5∼2(=전자수송성 물질에 대하여 전자공여성을 나타내는 물질/전자수송성 물질)가 되도록 포함되는 것이 바람직하다.
또한, 제3 층(113)은, 산화아연, 유화아연, 셀렌화아연, 산화주석, 산화티탄과 같은 물질로 이루어지는 층으로 할 수 있다.
본 발명의 트리아진 유도체를, 전자를 발생하는 층에 적용할 경우로서, 금속산화물과 혼재된 층을 형성할 때, 상기 금속산화물에는 리튬 산화물(Li2O), 칼슘 산화물(CaO), 나트륨 산화물(Na2O), 칼륨 산화물(K2O), 마그네슘 산화물(MgO), 불화리튬(LiF) 중 어느 하나를 사용하는 것이 바람직하다. 그 외, 전자를 발생하는 층으로서, 불화세슘(CsF), 불화칼슘(CaF2) 중 어느 하나를 사용해도 된다. 예를 들면, 리튬 산화물을 사용하면, 전자수송성 물질로서 트리아진 유도체가 기능하고, 전자수송성 물질에 대하여 전자공여성을 나타내는 물질로서 리튬 산화물이 기능한다고 여겨진다.
제3 층(113)은, 증착법에 의해 제조할 수 있다. 혼재하는 층을 형성할 경우에는 공증착법을 이용할 수 있다. 제3 층(113)을 형성하는 증착법은, 저항가열증착 에 의한 공증착법, 전자빔증착에 의한 공증착법, 저항가열증착과 전자빔증착에 의한 공증착법, 저항가열증착과 스퍼터링법에 의한 성막, 전자빔증착과 스퍼터링에 의한 성막 등, 유사하거나 다른 방식을 조합해서 형성할 수 있고, 상기 예는 2종류의 재료를 포함한 층을 상정하지만, 3종류 이상의 재료를 포함한 경우도 마찬가지로, 유사하거나 다른 방식을 조합해서 형성할 수 있다는 것은, 전술한 바와 같다.
제1 층(111) 내지 제3 층(113)은, 동일한 방식에 의해 형성할 수 있다. 특히, 제1 층(111) 내지 제3 층(113)은, 멀티 쳄버를 사용해서 형성할 수 있다. 따라서, 대기에 노출하지 않고 연속으로 형성할 수 있다. 이렇게 대기에 노출하지 않고 연속으로 제1 층(111) 내지 제3 층(113)을 형성함으로써, 계면 등으로의 불순물 혼입을 저감할 수 있다.
이상과 같은, 발광소자에 있어서, 제3 층(113)에 포함되는 전자수송성 물질의 전자친화력과, 제2 층(112)에 포함되는 층 중 제3 층(113)에 접하는 층에 포함되는 물질의 전자친화력의 차이는, 바람직하게는 2eV 이하, 더 바람직하게는 1.5eV 이하로 하는 것이 바람직하다. 또한 제3 층(113)이 n형 반도체로 이루어지는 경우, n형 반도체의 일함수와, 제2 층(112)에 포함되는 층 중 제3 층(113)에 접하는 층에 포함되는 물질의 전자친화력의 차이는, 바람직하게는 2eV 이하, 더 바람직하게는 1.5eV 이하로 하는 것이 바람직하다. 이렇게, 제2 층(112)과 제3 층(113)을 접합함으로써, 제3 층(113)으로부터 제2 층(112)에의 전자의 주입이 용이해진다.
이때, 본 발명은 상기 트리아진 유도체를 한 쌍의 전극 사이에 가지는 발광소자를 특징으로 하며, 도 1에 나타내는 발광소자 구성에 한정되는 것은 아니다. 예를 들면, 제3 층(113)에 접해서 형성된 전자수송층(124) 설치하는 구성을 나타내지만, 전자수송층(124)을 가지지 않는 경우도 있다. 그러자 발광층(123)은, 제3 층(113)에 접하는 구성이 된다. 이 경우, 상기 발광층(123)에는, 발광 물질을 분산 상태로 하기 위한 물질을 사용하는 것이 바람직하다. 마찬가지로, 정공수송층(122)을 가지지 않는 경우도 생각할 수 있다.
또한, Alq3 등과 같이 분산 상태로 하지 않아도 발광할 수 있는 물질을 발광층(123)에 사용할 수 있다. Alq3 등은, 캐리어의 수송성이 좋은 발광 물질이므로, 분산 상태로 하는 않고 Alq3만으로 이루어진 층을 발광층으로서 기능시킬 수 있다. 이 경우, 발광층(123)은 발광 물질 자체에 해당한다.
또한, 제2 층(112)에 있어서, 제3 층(113)으로부터 제2 층(112)에의 전자의 주입을 용이하게 하기 위해서, 전자주입층으로서 기능하는 층을 설치할 수도 있다. 마찬가지로 제2 층(112)에 있어서, 제1 층(111)으로부터 제2 층(112)에 정공의 주입을 용이하게 하기 위해서, 정공주입층으로서 기능하는 층을 설치할 수도 있다.
다음으로, 전극에 관하여 설명한다. 제1 전극(101)과 제2 전극(102)은, 도전성을 가지는 물질로 형성한다. 또한, 발광층으로부터의 빛을 외부에 추출하는 측에 설치된 전극은, 도전성뿐만 아니라 투광성을 가질 필요가 있다. 투광성을 가지기 위해서는, 비투광성을 가지는 재료를, 상당히 얇게 형성함으로써, 얻을 수도 있다.
제1 전극(101)의 재료는, 알루미늄(Al) 외에도, 인듐주석산화물(ITO), 산화규소를 포함한 인듐주석산화물(ITSO라고 한다), 산화아연을 포함한 산화인듐 등의 투광성 재료 외에도, 금(Au), 백금(Pt), 니켈(Ni), 텅스텐(W), 크롬(Cr), 몰리브덴(Mo), 철(Fe), 코발트(Co), 구리(Cu), 혹은 팔라듐(Pd) 등의 금속재료를 사용할 수 있다. 단, 제1 전극(101)의 재료는, 이것들에 한정되지 않는다.
비투광성을 가지는 상기 재료를 사용할 경우로서, 제1 전극(101)에 투광성이 필요할 때, 상기 재료를 얇게 형성해도 된다.
또한, 제1 전극(101)으로는, 상기 금속재료의 단층, 또는 적층을 사용할 수 있다. 따라서, 제1 전극(101)에 적층을 사용할 경우, 상기 재료를 얇게 형성하고, 그 위에 투광성재료를 적층하는 구성을 채용할 수도 있다. 물론, 상기 얇은 재료를 단층으로 사용하여, 제1 전극(101)을 형성해도 된다. 제1 전극(101)을 얇게 형성함으로써, 저항이 높아지는 것을 방지하기 위해서, 보조 배선을 설치할 수도 있다. 또한, 전극에 적층을 사용함으로써 고저항이 되는 것을 방지할 수 있다.
제2 전극(102)의 재료에는, 인듐주석산화물(ITO), 산화 규소를 포함한 인듐주석산화물(ITSO), 산화아연을 포함한 산화인듐 등의 투광성재료 외에도, 금(Au), 백금(Pt), 니켈(Ni), 텅스텐(W), 크롬(Cr), 몰리브덴(Mo), 철(Fe), 코발트(Co), 구리(Cu), 혹은 팔라듐(Pd) 등의 금속재료를 사용할 수 있다. 단, 제2 전극(102)의 재료는, 이것들에 한정되지 않는다.
비투광성을 가지는 상기 재료를 사용할 경우로서, 제1 전극(101)에 투광성이 필요할 때, 상기 재료를 얇게 형성해도 된다.
또한 제2 전극(102)에는, 상기 금속재료의 단층, 또는 적층을 사용할 수 있다. 따라서, 제2 전극(102)에 적층을 사용할 경우, 상기 재료를 얇게 형성하고, 그 위에 투광성재료를 적층하는 구성을 이용할 수도 있다. 물론, 상기 얇은 재료를 단층으로 사용하고, 제2 전극(102)을 형성해도 된다. 제2 전극(102)을 얇게 형성함으로써, 저항이 높아지는 것을 방지하기 위해서, 보조 배선을 설치할 수도 있다. 또한 적층을 사용함으로써 고저항이 되는 것을 방지할 수 있다.
제1 전극(101), 또는 제2 전극(102)은, 스퍼터링법이나 증착법 등을 이용해서 형성할 수 있다. 증착법을 이용할 경우, 제1 전극(101), 제1 층(111) 내지 제3 층(113), 제2 전극(102)의 제조에 있어서, 적절히, 대기에 노출하지 않고 연속으로 형성할 수 있게 된다. 이렇게 대기에 노출하지 않고 연속으로 발광소자를 형성함으로써, 계면 등으로의 불순물 혼입을 저감할 수 있다.
(실시예 2)
본 실시예에서는, 상기 실시예와 다른 발광소자의 구성에 관하여 설명한다.
도 2에 나타낸 바와 같이, 본 실시예에 나타내는 발광소자는, 대향하는 제1 전극(101), 제2 전극(102)을 가지고, 제1전극(101)으로부터 순차적으로, 제1 층(111), 제2 층(112), 제3 층(113), 제4 층(128)이 적층되고, 제4 층(128)을 설치한 것을 특징으로 한다. 제4 층(128)은, 제1 층(111)과 동일한 재료로 형성할 수 있고, 그 외의 구성은, 상기 실시예 1과 동일하므로, 그 설명을 생략한다.
이렇게 제4 층(128)을 설치하면, 제2 전극(102)을 형성할 때의 데미지를 저감할 수 있다.
제4 층(128)에 사용하는 금속산화물로는, 바나듐산화물, 몰리브덴산화물, 니오브산화물, 레늄산화물, 텅스텐산화물, 루테늄산화물, 티탄산화물, 크롬산화물, 지르코늄산화물, 하프늄산화물, 탄탈산화물 등으로부터 선택된 적어도 하나가 혼재된 층을 사용할 수 있다. 또한 이들 금속의 질화물 및, 산화 질화물로 해도 된다. 이들 금속산화물 등을 사용하면, 후막화해도 구동전압을 높일 필요가 없기 때문이다.
제4 층(128)을 후막화함으로써, 제2 전극(102)을 형성할 때의 데미지의 저감을 더욱 기대할 수 있다.
(실시예 3)
본 실시예에서는, 트리아진 유도체에 관하여 설명한다.
본 발명의 트리아진 유도체는, 일반식 (8)에 나타낸다.
Figure 112007046262236-PCT00003
일반식 (8)에 있어서, R19∼R21은, 각각 독립적으로 식 (9)∼(15)에 나타내는 어느 하나의 기를 나타낸다.
Figure 112007046262236-PCT00004
Figure 112007046262236-PCT00005
Figure 112007046262236-PCT00006
Figure 112007046262236-PCT00007
Figure 112007046262236-PCT00008
Figure 112007046262236-PCT00009
Figure 112007046262236-PCT00010
식 (9)에 나타내는 기에 있어서, R24, R25는, 각각 독립적이거나 결합해서 환을 형성한다. R24, R25가 독립적인 경우, R24, R25는 각각, 수소, 또는 탄소수 1∼6의 알킬기, 또는 탄소수 6∼30(바람직하게는 탄소수 6∼14)의 아릴기, 또는 탄소수 2∼18(바람직하게는 탄소수 2∼10)의 복소방향환기 중 어느 하나를 나타낸다. 이때 본 발명에 있어서, 알킬기에는, 지환식 복소환기가 포함된다. 그러나, 쇄형 알킬기를 사용하면, 트리아진 유도체의 취급이 용이하므로 바람직하다. 아릴기 및 복소방향환기에 있어서의, 바람직한 탄소수는, 원재료나 트리아진 유도체의 취급의 용이성을 고려하여 결정한다.
또한, 복소방향환기는, 5원환의 단환, 6원환의 단환, 5원환 및 6원환 중 어느 하나를 포함한 다환, 또는 5원환 및 6원환을 모두 포함한 다환인 것이 바람직하다. 또한 복소방향환기는, 질소, 산소, 및 황 중 어느 하나의 원자를 포함한다.
R24와 R25가 결합해서 환을 형성할 때, 그 환은, 탄소수 3∼10(바람직하게는 탄소수 6)의 지환을 나타낸다. 지환에 있어서의, 바람직한 탄소수는, 원재료나 트 리아진 유도체의 취급의 용이성을 고려하여 결정한다. 지환에 있어서 탄소수가 너무 많아지면, 그 화합물의 융점(Tg)이 크게 내려갈 수 있어, 취급하기 어려워질 수 있다.
R22, R23, R26, R27은, 각각 독립적이거나 R22와 R23, R26과 R27이 각각 결합해서 환을 형성한다. R22, R23, R26, R27이 독립적인 경우, R22, R23, R26, R27은, 각각, 수소, 탄소수 1∼6의 알킬기, 탄소수 1∼6의 알콕시기, 할로겐기, 탄소수 1∼6의 아실기, 탄소수 1∼6의 알콕시카르보닐기, 시아노기, 탄소수 6∼30(바람직하게는 탄소수 6∼14)의 아릴기, 탄소수 2∼18(바람직하게는 탄소수 2∼10)의 복소방향환기 중 어느 하나를 나타낸다. 이때 본 발명에 있어서, 알킬기에는, 지환식 복소환기가 포함된다. 그러나, 쇄형 알킬기를 사용하면, 트리아진 유도체의 취급이 용이하므로 바람직하다. 아릴기 및 복소방향환기에 있어서의, 바람직한 탄소수는, 원재료나 트리아진 유도체의 취급의 용이성을 고려하여 결정한다.
또한, 복소방향환기는, 5원환의 단환, 6원환의 단환, 5원환 및 6원환 중 어느 하나를 포함한 다환, 또는 5원환 및 6원환을 모두 포함한 다환인 것이 바람직하다. 또한 복소방향환기는, 질소, 산소, 및 황 중 어느 하나의 원자를 포함한다.
R22과 R23, R26과 R27이 각각 결합해서 환을 형성할 때, 그 환들은, 각각, 탄소수 3∼10(바람직하게는 탄소수 6)의 지환을 나타낸다. 지환에 있어서의, 바람직한 탄소수는, 원재료나 트리아진 유도체의 취급의 용이성을 고려하여 결정한다. 지환에 있어서 탄소수가 너무 많아지면, 그 화합물의 융점(Tg)이 크게 내려갈 수 있어, 취급하기 어려워질 수 있다.
식 (10)에 나타내는 기에 있어서, R28∼R31은, 각각 독립적으로, 수소, 탄소수 1∼6의 알킬기, 탄소수 1∼6의 알콕시기, 할로겐기, 탄소수 1∼6의 아실기, 탄소수 1∼6의 알콕시카르보닐기, 탄소수 6∼30(바람직하게는 탄소수 6∼14)의 아릴기, 탄소수 2∼18(바람직하게는 탄소수 2∼10)의 복소방향환기 중 어느 하나를 나타낸다. 이때 본 발명에 있어서, 알킬기에는, 지환식 복소환기가 포함된다. 그러나, 쇄형 알킬기를 사용하면, 트리아진 유도체의 취급이 용이하므로 바람직하다. 아릴기 및 복소방향환기에 있어서의, 바람직한 탄소수는, 원재료나 트리아진 유도체의 취급의 용이성을 고려하여 결정한다.
또한, 복소방향환기는, 5원환의 단환, 6원환의 단환, 5원환 및 6원환 중 어느 하나를 포함한 다환, 또는 5원환 및 6원환을 모두 포함한 다환인 것이 바람직하다. 또한 복소방향환기는, 질소, 산소, 및 황 중 어느 하나의 원자를 포함한다.
식 (11)에 나타내는 기에 있어서, R32는, 탄소수 6∼30(바람직하게는 탄소수 6∼14)의 아릴기, 및 탄소수 2∼18(바람직하게는 탄소수 2∼10)의 복소방향환기 중 어느 하나를 나타낸다. 아릴기 및 복소방향환기에 있어서의, 바람직한 탄소수는, 원재료나 트리아진 유도체의 취급의 용이성을 고려하여 결정한다. 아릴기는, 탄소수 1∼6의 알킬기, 탄소수 1∼6의 알콕시기, 탄소수 1∼6의 아실기, 탄소수 1∼6의 알콕시카르보닐기, 또는 할로겐기 등의 치환기를 가져도 되고, 무치환으로 해도 된다. 이때 본 발명에 있어서, 알킬기에는, 지환식 복소환기가 포함된다. 그러나, 쇄 형 알킬기를 사용하면, 트리아진 유도체의 취급이 용이하므로 바람직하다.
또한, 복소방향환기는, 5원환의 단환, 6원환의 단환, 5원환 및 6원환 중 어느 하나를 포함한 다환, 또는 5원환 및 6원환을 모두 포함한 다환인 것이 바람직하다. 또한 복소방향환기는, 질소, 산소, 및 황 중 어느 하나의 원자를 포함한다.
또한 아릴기와 복소방향환기는, 각각 다른 방향환 또는 복소환이 축합한 것으로 할 수 있다.
식 (12)에 나타내는 기에 있어서, R33∼R36은, 각각 독립적으로, 수소, 탄소수 1∼6의 알킬기, 탄소수 1∼6의 알콕시기, 탄소수 1∼6의 아실기, 탄소수 1∼6의 알콕시카르보닐기, 및 할로겐기 중 어느 하나를 나타내도 된다. 또한 본 발명에 있어서, 알킬기에는, 지환식 복소환기가 포함된다. 그러나, 쇄형 알킬기를 사용하면, 트리아진 유도체의 취급이 용이하므로 바람직하다. 또한 인접하는 R33 및 R34, R34 및 R35, 또는 R35 및 R36이 결합하고, 방향환을 형성해도 된다. 방향환은, 옥소기 등을 포함해도 된다.
식 (13)에 나타내는 기에 있어서, R36∼R39는, 각각 독립적이거나 결합해서 환을 형성한다. R36∼R39가, 각각 독립적인 경우, R36∼R39는 수소를 나타낸다. R37과 R38, R39와 R40이 각각 결합해서 환을 형성할 때, 그 환은 방향환을 나타낸다. 또한, R37과 R38의 결합과, R39와 R40의 결합은, 각각 독립적이다.
R41은, 탄소수 1∼6의 알킬기, 탄소수 6∼30(바람직하게는 탄소수 6∼14)의 아릴기, 및 탄소수 2∼18(바람직하게는 탄소수 2∼10)의 복소방향환기 중 어느 하나를 나타낸다. 이때 본 발명에 있어서, 알킬기에는, 지환식 복소환기가 포함된다. 그러나, 쇄형 알킬기를 사용하면, 트리아진 유도체의 취급이 용이하므로 바람직하다. 아릴기 및 복소방향환기에 있어서의, 바람직한 탄소수는, 원재료나 트리아진 유도체의 취급의 용이성을 고려하여 결정한다. 아릴기는, 디알킬아미노기 등의 치환기를 가져도 되고, 무치환으로 해도 된다.
복소방향환기는, 5원환의 단환, 6원환의 단환, 5원환 및 6원환 중 어느 하나를 포함한 다환, 또는 5원환 및 6원환을 모두 포함한 다환인 것이 바람직하다. 또한 복소방향환기는, 질소, 산소, 및 황 중 어느 하나의 원자를 포함한다.
식 (14)에 나타내는 기에 있어서, R42, R43은, 각각 독립적으로, 수소, 탄소수 6∼30(바람직하게는 탄소수 6∼14)의 아릴기, 탄소수 2∼18(바람직하게는 탄소수 2∼10)의 복소방향환기, 또는 시아노기를 나타낸다. 아릴기 및 복소방향환기에 있어서의, 바람직한 탄소수는, 원재료나 트리아진 유도체의 취급의 용이성을 고려하여 결정한다. 아릴기는, 탄소수 1∼6의 알킬기, 탄소수 6∼30(바람직하게는 탄소수 6∼14)의 아릴기, 할로겐기 등의 치환기를 가져도 되고, 무치환으로 해도 된다. 이때 본 발명에 있어서, 알킬기에는, 지환식 복소환기가 포함된다. 그러나, 쇄형 알킬기를 사용하면, 트리아진 유도체의 취급이 용이하므로 바람직하다.
복소방향환기는, 5원환의 단환, 6원환의 단환, 5원환 및 6원환 중 어느 하나 를 포함한 다환, 또는 5원환 및 6원환을 모두 포함한 다환인 것이 바람직하다. 또한 복소방향환기는, 질소, 산소, 및 황 중 어느 하나의 원자를 포함한다.
식 (15)에 나타내는 기에 있어서, Y는, 방향환, 복소환, 또는 지환을 나타낸다. 또한, 방향환은 옥소기 등의 치환기를 가져도 되고, 무치환으로 해도 된다. 또한 복소환은, 5원환의 단환, 6원환의 단환, 5원환 및 6원환 중 어느 하나를 포함한 다환, 또는 5원환 및 6원환을 모두 포함한 다환인 것이 바람직하다. 또한 복소환은, 질소, 산소, 및 황 중 어느 하나의 원자를 포함한 것이 바람직하다. R44, R45는, 각각 독립적이거나 결합해서 환을 형성한다. R44, R45가 독립적인 경우, R44, R45는, 각각, 수소, 탄소수 6∼30(바람직하게는 탄소수 6∼14)의 아릴기, 탄소수 2∼18(바람직하게는 탄소수 2∼10)의 복소방향환기, 및 탄소수 1∼6의 알킬기 중 어느 하나를 나타낸다. 또한 본 발명에 있어서, 알킬기에는, 지환식 복소환기가 포함된다. 그러나, 쇄형 알킬기를 사용하면, 트리아진 유도체의 취급이 용이하므로 바람직하다. 아릴기 및 복소방향환기에 있어서의, 바람직한 탄소수는, 원재료나 트리아진 유도체의 취급의 용이성을 고려하여 결정한다.
복소방향환기는, 5원환의 단환, 6원환의 단환, 5원환 및 6원환 중 어느 하나를 포함한 다환, 또는 5원환 및 6원환을 모두 포함한 다환인 것이 바람직하다. 또한 복소방향환기는, 질소, 산소, 및 황 중 어느 하나의 원자를 포함한다.
R44와 R45가 결합해서 환을 형성할 때, 그 환은 탄소수 3∼10(바람직하게는 탄소수 6)의 지환을 나타낸다. 지환에 있어서의, 바람직한 탄소수는, 원재료나 트 리아진 유도체의 취급의 용이성을 고려하여 결정한다. 지환에 있어서 탄소수가 너무 많아지면, 그 화합물의 융점(Tg)이 크게 내려갈 수 있어, 취급하기 어려워질 수 있다.
식 (9)∼(15)에 나타내는 기의 구체적인 예를 구조식 (16)∼(65)에 나타낸다.
Figure 112007046262236-PCT00011
Figure 112007046262236-PCT00012
Figure 112007046262236-PCT00013
Figure 112007046262236-PCT00014
Figure 112007046262236-PCT00015
Figure 112007046262236-PCT00016
Figure 112007046262236-PCT00017
이상과 같은, 본 발명의 트리아진 유도체는, 발광소자를 제조하기 위한 재료로서 사용할 수 있다. 이렇게 본 발명에 의해, 발광소자를 제조하기 위한 새로운 재료를 얻을 수 있다.
본 실시예는, 상기 실시예와 자유롭게 조합할 수 있다. 예를 들면, 본 발명의 트리아진 유도체와, 금속산화물 등이 혼재된 층을 가지는 발광소자를, 공증착법에 의해 형성할 수 있다.
(실시예 4)
본 실시예에서는, 상기 발광소자를 가지는 표시장치의 구성에 관하여 설명한다.
도 3은, 신호선 구동회로(302) 및 주사선 구동회로(303) 등의 구동회로를, 화소부(300)의 주변에 설치한 상태의 패널을 나타낸다.
주사선 구동회로(303)는, 시프트 레지스터(311), 레벨 시프터(312), 버퍼(313)로서 기능하는 회로를 가진다. 시프트 레지스터(311)에는 게이트 스타트 펄스(GSP), 게이트 클록 신호(GCK) 등의 신호가 입력된다. 여기에서, 본 발명의 주사 선 구동회로는 이것에 한정되지 않는다.
또한 신호선 구동회로(302)는, 시프트 레지스터(321), 제1 래치(313), 제2 래치(323), 레벨 시프터(324), 버퍼(325)로서 기능하는 회로를 가진다. 시프트 레지스터(321)에는, 스타트 펄스(SSP) 등의 신호가, 제1 래치(322)에는 비디오신호 등의 데이터(DATA)가, 제2 래치(323)에는 래치(LAT) 신호 등이 각각 입력된다. 여기에서, 본 발명의 신호선 구동회로는 이것에 한정되지 않는다.
화소부(300)는, 복수의 화소를 가지고, 각 화소에는 상기한 발광소자가 설치된다. 발광소자에는, 상기 발광소자에의 전류의 공급을 제어하기 위한 반도체소자가 각각 접속되어 있다. 발광소자를 가지는 화소의 단면에 대해서는, 이하의 실시예에서 설명한다. 여기에서, 본 발명의 화소부는, 이것에 한정되지 않고, 패시브형의 구성으로 해도 된다.
이러한 신호선 구동회로(302), 주사선 구동회로(303), 화소부(300)는, 동일 기판 위에 설치된 반도체소자에 의해 형성할 수 있다. 예를 들면, 유리 기판에 설치된 박막 트랜지스터를 사용해서 형성할 수 있다. 또한 신호선 구동회로(302)나 주사선 구동회로(303)는, IC칩을 사용하여, 유리 기판 위에 설치할 수도 있다.
본 실시예는, 상기 실시예와 자유롭게 조합할 수 있다.
(실시예 5)
본 실시예에서는, 발광소자를 가지는 화소의 단면에 관하여 설명한다.
도 4a 내지 4c는, 발광소자에의 전류의 공급을 제어하는 반도체소자로서, p형 박막 트랜지스터(TFT)를 사용한 단면도를 나타내고, 발광소자에 있어서 제1 전 극은 양극으로서 기능하고, 제2 전극은 음극으로서 기능할 경우에 관하여 설명한다.
도 4a는 TFT(601)가 p형이고, 발광소자(603)로부터 발생하는 빛을, 제1 전극(101) 측으로부터 추출할 경우의, 화소의 단면도를 나타낸다. 도 4a에서 기판(600) 위에 설치된 TFT(601)는, 반도체막과, 반도체막 위의 절연막을 사이에 두고 설치된 게이트 전극과, 반도체막 내에 형성된 불순물영역에 접속되는 배선을 가진다. 또한, TFT(601)가 가지는 배선은, 발광소자(603)의 제1 전극(101)과 전기적으로 접속되어 있다.
TFT(601)는 층간 절연막(608)으로 덮여 있고, 층간 절연막(608) 위에는 개구부를 가지는 분리벽(609)이 형성되어 있다. 분리벽(609)의 개구부에 있어서 제1 전극(101)은 일부 노출되고, 상기 개구부에 있어서 제1 전극(101), 전계발광층(605), 제2 전극(102)이 순차적으로 적층되어 있다. 이때 본 실시예에 있어서의 전계발광층(605)은, 상기 실시예에 있어서의 제1 층(111) 내지 제3 층(113), 및 추가로 제4 층(128)까지를 가리킨다. 즉, 전계발광층(605)은, 제1 전극(101)과, 제2 전극(102) 사이의 층을 가리킨다.
층간 절연막(608)은, 유기수지막, 무기절연막 또는 실록산계 재료를 출발 재료로 해서 형성된 Si-O-Si결합을 포함한 절연막(이하, 실록산계 절연막이라고 한다)을 사용해서 형성할 수 있다. 여기에서, 실록산은, 실리콘(Si)과 산소(O)의 결합으로 골격구조가 구성된다. 치환기로서, 적어도 수소를 포함한 유기기(예를 들면, 알킬기, 방향족 탄화수소)를 사용할 수 있다. 치환기로서, 플루오르기를 사용 해도 된다. 또는 치환기로서, 적어도 수소를 포함한 유기기와, 플루오르기를 사용해도 된다. 층간 절연막(608)에, 저유전율재료(low-k재료)라 불리는 재료를 사용해도 된다. 층간 절연막(608)은, 단층으로 해도 되고, 적층으로 해도 된다.
분리벽(609)은, 유기수지막, 무기절연막 또는 실록산계 절연막을 사용해서 형성할 수 있다. 유기수지막인 경우, 예를 들면, 아크릴, 폴리이미드, 폴리아미드 등, 무기절연막인 경우 산화규소, 질화산화규소 등을 사용할 수 있다. 감광성 유기수지막을 분리벽(609)에 사용하고, 제1 전극(101) 위에 개구부를 형성하고, 그 개구부의 측벽이 연속한 곡률로 형성되는 경사면이 되도록 형성함으로써 제1 전극(101)과 제2 전극(102)이 접속하는 것을 막을 수 있다. 또한, 분리벽(609)은, 단층으로 해도 되고, 적층으로 해도 된다.
도 4a에서는 제1 전극(101) 측에 발광을 추출하기 위해서, 제1 전극(101)은, 빛을 투과하는 재료 또는 빛을 투과하는 정도의 막 두께로 형성한다. 또한, 제1 전극(101)은 양극으로 사용하기에 적합한 재료로 형성한다. 또한, 상기 투광성을 가지는 재료 이외에, 예를 들면, TiN, ZrN, Ti, W, Ni, Pt, Cr, Ag, Al 등의 1개 또는 복수로 이루어진 단층막 외에도, 질화티탄막과 알루미늄을 주성분으로 하는 막의 적층, 질화티탄막과 알루미늄을 주성분으로 하는 막과 질화티탄막의 3층 등을 제1 전극(101)에 사용할 수도 있다. 다만 투광성을 가지는 재료 이외의 재료를 사용할 경우, 빛이 투과하는 정도의 막 두께(바람직하게는, 5nm∼30nm 정도)로 제1 전극(101)을 형성한다.
제2 전극(102)은, 빛을 반사 혹은 차폐하는 재료 및 빛을 반사 혹은 차폐하 는 정도의 막 두께로 형성한다. 또한 제2 전극(102)은 음극으로 사용하기에 적합한 재료로 형성한다. 즉, 일함수가 작은 금속, 합금, 전기전도성 화합물, 및 이것들의 혼합물 등으로 형성할 수 있다. 구체적으로는, Li나 Cs 등의 알칼리금속, 및 Mg, Ca, Sr 등의 알칼리토금속, 이것들을 포함한 합금(Mg:Ag, Al:Li, Mg:In 등), 및 이것들의 화합물(불화칼슘, 질화칼슘) 외에도, Yb이나 Er 등의 희토류금속을 사용할 수 있다.
전계발광층(605)은, 단수 또는 복수의 층에서 구성되어 있다. 상기 실시예에서는, 각 층의 경계선이 명확한 도면(도 1, 도 2 참조)을 나타냈지만, 반드시 명확할 필요는 없다. 서로 층을 구성하고 있는 재료가 일부 혼합되어, 계면이 불명확한 경우도 있다.
도 4a에 나타낸 화소의 경우, 발광소자(603)로부터 발생하는 빛을, 흰 화살표로 도시한 바와 같이 제1 전극(101) 측으로부터 추출할 수 있다.
도 4b는, TFT(601)가 p형이고, 발광소자(603)로부터 발생하는 빛을 제2 전극(102) 측으로부터 추출할 경우의, 화소의 단면도를 나타낸다. 도 4b에서는 발광소자(603)의 제1 전극(101)과, TFT(601)가 전기적으로 접속되어 있다. 또한, 제1 전극(101) 위에, 전계발광층(605), 제2 전극(102)이 순차적으로 적층되어 있다.
제1 전극(101)은, 빛을 반사 혹은 차폐하는 재료 및 빛을 반사 혹은 차폐하는 정도의 막 두께로 형성한다. 제1 전극(101)은, 양극으로 사용하기에 적합한 재료로 형성한다. 예를 들면, TiN, ZrN, Ti, W, Ni, Pt, Cr, Ag, Al 등의 1개 또는 복수로 이루어지는 단층막 외에도, 질화티탄과 알루미늄을 주성분으로 하는 막의 적층, 질화티탄막과 알루미늄을 주성분으로 하는 막과 질화티탄막의 3층으로 이루어진 구성 등을 제1 전극(101)에 사용할 수 있다.
제2 전극(102)은, 빛을 투과하는 재료 또는 빛을 투과하는 정도의 막 두께로 형성한다. 또한 제2 전극(102)은, 일함수가 작은 금속, 합금, 전기전도성 화합물, 및 이것들의 혼합물 등으로 형성할 수 있다. 구체적으로는, Li나 Cs 등의 알칼리금속, 및 Mg, Ca, Sr 등의 알칼리토금속, 이것들을 포함한 합금(Mg:Ag, Al:Li, Mg:In 등), 및 이것들의 화합물(불화칼슘, 질화칼슘) 외에도, Yb이나 Er 등의 희토류금속을 사용할 수 있다. 그리고 제2 전극(102)을, 빛이 투과하는 정도의 막 두께(바람직하게는, 5nm∼30nm 정도)로 형성한다. 또한, 산화인듐주석(ITO), 산화아연(ZnO), 산화인듐아연(IZO), 갈륨을 첨가한 산화아연(GZO) 등 그 외의 투광성 산화물 도전 재료를 사용할 수도 있다. 또는, 산화 규소를 포함한 산화아연, 산화규소를 포함한 산화인듐주석(ITSO), ITSO에 산화아연(ZnO)을 더 혼합한 것을 사용해도 된다.
전계발광층(605)은, 도 4a의 전계발광층(605)과 마찬가지로 형성할 수 있다.
도 4b에 나타낸 화소의 경우, 발광소자(603)로부터 발생하는 빛을, 흰색 화살표로 도시한 바와 같이 제2 전극(102) 측으로부터 추출할 수 있다.
도 4c는, TFT(601)가 p형이고, 발광소자(603)로부터 발생하는 빛을 제1 전극(101) 측, 및 제2 전극(102) 측으로부터 추출할 경우의, 화소의 단면도를 나타낸다. 도 4c에서는 발광소자(603)의 제1 전극(101)과, TFT(601)가 전기적으로 접속되어 있다. 또한 제1 전극(101) 위에 전계발광층(605), 제2 전극(102)이 순차적으로 적층되어 있다.
제1 전극(101)은, 도 4a의 제1 전극(101)과 마찬가지로 형성할 수 있다. 제2 전극(102)은, 도 4b의 제2 전극(102)과 마찬가지로 형성할 수 있다. 전계발광층(605)은, 도 4a의 전계발광층(605)과 마찬가지로 형성할 수 있다.
도 4c에 나타낸 화소의 경우, 발광소자(603)로부터 발생하는 빛을, 흰색 화살표로 도시한 바와 같이 제1 전극(101) 측 및 제2 전극(102) 측으로부터 추출할 수 있다.
이때, 본 발명의 화소구성은, 이것에 한정되지 않는다. 예를 들면, 발광소자(603)에의 전류를 제어하는 반도체소자에, n형의 TFT를 사용할 수 있다. 이 경우, 제1 전극(101)을 음극으로 기능시키고 제2 전극(102)을 양극으로 기능시키는 것이 바람직하다.
또한 제1 전극(101)과, TFT(601)가 가지는 배선의 접속 구성도, 도 4a 내지 4c에 한정되지 않는다. 예를 들면, 제1 전극(101)을 형성한 후, TFT(601)가 가지는 배선을 형성해도 된다. 또한 제1 전극(101)과, TFT(601)가 가지는 배선을 동시에 형성할 수도 있다.
본 실시예는, 상기의 실시예와 자유롭게 조합할 수 있다.
(실시예 6)
본 실시예에서는, 컬러 필터, 색 변환층 등을 설치한 풀 컬러 표시를 행하는 패널의 단면구성에 관하여 설명한다.
도 5에 나타낸 바와 같이, 상기 실시예에서 서술한 화소 구성에 근거하여, 풀 컬러 표시를 행하기 위해서, 적색계의 발광을 나타내는 화소(R), 녹색계의 발광 을 나타내는 화소(G), 청색계의 발광을 나타내는 화소(B)를 각각 형성할 수 있다. 또한 도 5에 있어서, 각 화소가 가지는 반도체소자를 각각 601R, 601G, 601B라고 하고, 전계발광층을 각각 605R, 605G, 605B라고 한다.
이어서, 대향기판(610)을 사용하여, 밀봉을 행한다. 그러면, 대향기판(610)과, 기판(600) 사이에는, 공간이 형성된다. 공간은, 질소 등의 불활성가스나 수지로 충전할 수 있다. 그 결과, 전계발광층으로의 산소나 수분의 침입을 방지할 수 있다. 또한, 건조제를 적절히 배치하여, 산소나 수분의 침입을 방지해도 된다. 또한, 대향기판(610)과, 기판(600)의 간격을 유지하기 위한 스페이서를 배치해도 되고, 상기 스페이서가 건조제로서의 기능을 가지도록 해도 된다.
대향기판(610)에는, 컬러 필터나 색 변환층으로서, 전계발광층(605R, 605G, 605B)에 대향하는 영역에, 각각 607R, 607G, 607B가 설치된다. 또한, TFT(601R, 601G, 601B)에 대향하는 영역에는, 블랙 매트릭스로서 기능하는 수지(611)가 설치된다.
이와 같이 하여, 대향기판(610) 측으로부터 빛을 추출하는 발광장치를 형성할 수 있다. 컬러 필터 등을 통해 발광을 추출할 수 있으므로, 각 RGB의 발광스펙트럼의 폭을 제어할 수 있고, 표시가 선명한 발광장치를 제공할 수 있다.
본 실시예에서는, 전계발광층에, 각 RGB의 발광을 나타내는 재료를 사용했지만, 이것에 한정되지 않는다. 예를 들면, 전술한 백색의 발광을 나타내는 재료를 사용하여, 풀 컬러 표시를 행할 수 있다.
도 6에는, 기판(600) 측에 컬러 필터나 색 변환층 등을 설치한 풀 컬러 표시 를 행하는 패널의 단면 구성을 나타낸다. 그 외의 구성은, 도 5와 동일하므로, 설명을 생략한다.
도 6에 나타내는 패널 단면구성의 경우, 기판(600) 측으로부터 빛을 추출하는 발광장치를 형성할 수 있다.
유사한 방식으로, 도 4c에 나타낸 바와 같은, 기판(600) 측, 및 대향기판(610) 측으로부터 빛을 추출하는 발광소자를 형성할 경우, 기판(600) 측, 및 대향기판(610) 측에 컬러 필터 등을 설치할 수 있다.
이렇게, 본 실시예는, 상기 실시예와 자유롭게 조합할 수 있다.
(실시예 7)
본 실시예에서는, 상기 표시장치에 사용하는 화소 회로에 관하여 설명한다.
도 7a는, 화소의 등가회로도의 일례를 게시한 것이며, 신호선(6114), 전원선(6115), 주사선(6116), 그것들의 교차부에, 발광소자(613), 트랜지스터(6110, 6111), 용량소자(6112)를 가진다. 발광소자(603)에는, 상기 실시예에 나타낸 구성을 이용한다. 신호선(6114)에는 신호선 구동회로에 의해 영상신호가 입력된다. 트랜지스터(6110)는, 주사선(6116)에 입력되는 선택신호에 따라, 트랜지스터(6111)의 게이트에의, 상기 영상신호의 공급을 제어할 수 있다. 트랜지스터(6111)는, 상기 영상신호의 전위에 따라, 발광소자(613)에의 전류의 공급을 제어할 수 있는 구동용 트랜지스터다. 용량소자(6112)는, 트랜지스터(6111)의 게이트와 소스 사이의 전압을 유지할 수 있다. 여기에서, 도 7a에는 용량소자(6112)를 도시했지만, 트랜지스터(6111)의 게이트 용량이나 다른 기생 용량으로 조달할 수 있는 경우에는, 설치하 지 않아도 된다.
도 7b는, 도 7a에 나타낸 화소에, 트랜지스터(6118)와 주사선(6119)을 더 설치한 화소의 등가회로도다. 트랜지스터(6118)에 의해, 트랜지스터(6111)의 게이트와 소스를 동전위로 해서 강제적으로 발광소자(613)에 전류가 흐르지 않는 상태를 만들 수 있으므로, 모든 화소에 영상신호가 입력되는 기간보다도, 서브프레임 기간의 길이를 짧게 할 수 있다. 또한 구동방식에 따라, 도 7a에 나타내는 화소여도, 강제로 발광소자(613)에 전류가 흐르지 않는 상태를 만들 수 있다.
도 7c는, 도 7b에 나타낸 화소에, 트랜지스터(6125)와, 배선(6126)을 더 설치한 화소의 등가회로도다. 트랜지스터(6125)는, 그 게이트의 전위가, 배선(6126)에 의해 고정되어 있다. 그리고, 트랜지스터(6111)와 트랜지스터(6125)는, 전원선(6115)과 발광소자(613) 사이에 직렬로 접속되어 있다. 따라서 도 7c에서는 트랜지스터(6125)에 의해 발광소자(613)에 공급되는 전류의 값이 제어되고, 트랜지스터(6111)에 의해 발광소자(613)로의 상기 전류의 공급의 유무를 제어할 수 있다.
여기에서, 본 발명의 화소 회로는, 본 실시예에서 나타낸 구성에 한정되지 않고, 디지털 계조 이외에 아날로그 계조를 사용할 수도 있다. 본 실시예는, 상기 실시예와 자유롭게 조합할 수 있다.
(실시예 8)
본 발명의 발광장치를 구비한 전자기기로서, 텔레비전 장치(간단히 텔레비전, 또는 텔레비전 수신기라고도 부른다), 디지털 카메라, 디지털 비디오 카메라, 휴대전화장치(간단히 휴대전화기, 휴대전화라고도 부른다), PDA 등의 휴대 정보단 말, 휴대형 게임기, 컴퓨터용 모니터, 컴퓨터, 카 오디오 등의 음향재생장치, 가정용 게임기 등의 기록 매체를 구비한 화상재생장치 등을 들 수 있다. 그 구체적인 예에 대해서, 도 8a 내지 8f를 참조해서 설명한다.
도 8a에 나타내는 휴대 정보단말기기는, 본체(9201), 표시부(9202) 등을 포함한다. 표시부(9202)에는, 본 발명의 발광장치를 적용할 수 있다. 그 결과, 발광소자를 후막화할 수 있고, 구동전압의 상승 없이 저소비 전력화가 달성된 휴대 정보단말기기를 제공할 수 있다.
도 8b에 나타내는 디지털 비디오 카메라는, 표시부(9701), 표시부(9702) 등을 포함한다. 표시부(9701)에는, 본 발명의 발광장치를 적용할 수 있다. 그 결과, 발광소자를 후막화할 수 있고, 구동전압의 상승 없이 저소비 전력화가 달성된 디지털 비디오 카메라를 제공할 수 있다.
도 8c에 나타내는 휴대전화기는, 본체(9101), 표시부(9102) 등을 포함한다. 표시부(9102)에는, 본 발명의 발광장치를 적용할 수 있다. 그 결과, 발광소자를 후막화할 수 있고, 구동전압의 상승 없이 저소비 전력화가 달성된 휴대전화기를 제공할 수 있다.
도 8d에 나타내는 휴대형 텔레비전 장치는, 본체(9301), 표시부(9302) 등을 포함한다. 표시부(9302)에는, 본 발명의 발광장치를 적용할 수 있다. 그 결과, 발광소자를 후막화할 수 있고, 구동전압의 상승 없이 저소비 전력화가 달성된 휴대형 텔레비전 장치를 제공할 수 있다. 또한 텔레비전 장치로는, 휴대전화기 등의 휴대 단말에 탑재하는 소형 텔레비전, 운반할 수 있는 중형 텔레비전, 및 대형 텔레비 전(예를 들면, 40인치 이상) 등 폭넓게 본 발명의 발광장치를 적용할 수 있다.
도 8e에 나타내는 휴대형 컴퓨터는, 본체(9401), 표시부(9402) 등을 포함한다. 표시부(9402)에는, 본 발명의 발광장치를 적용할 수 있다. 그 결과, 발광소자를 후막화할 수 있고, 구동전압의 상승 없이 저소비 전력화가 달성된 휴대형 컴퓨터를 제공할 수 있다.
도 8f에 나타내는 텔레비전 장치는, 본체(9501), 표시부(9502) 등을 포함한다. 표시부(9502)에는, 본 발명의 발광장치를 적용할 수 있다. 그 결과, 발광소자를 후막화할 수 있고, 구동전압의 상승 없이 저소비 전력화가 달성된 텔레비전 장치를 제공할 수 있다.
이렇게, 본 발명에 의해, 발광소자를 후막화할 수 있고, 구동전압의 상승 없이 저소비 전력화가 달성된 전자기기를 제공할 수 있다.
[예]
(합성예 1)
2,4,6-트리스(아크리돈-N-일)-1,3,5-트리아진의 합성 방법에 관하여 설명한다.
수소화나트륨(60％ in oil, 2.4g, 60mmol)의 건조 THF(테트라히드로프란) 현탁액(200mL)에, 빙냉 하에, 아크리돈(10.0g, 54.6mmol)을 천천히 첨가했다. 30분 실온에서 교반한 후, 염화시아눌(2.50g, 13.8mmol)의 건조 THF 용액(50mL)을 적하했다. 실온에서 12시간 교반한 후, 6시간 가열 환류했다. 그 후에, 반응 혼합물에 에탄올, 약 100mL을 첨가하고, 석출한 고체를 여과했다. 얻어진 고체를 따뜻한 클 로로포름에 용해한 후, 셀리트 여과를 행했다. 여과액을 농축해서 재결정을 행하고, 담황색의 화합물을 수율 77%로 얻었다.
얻어진 화합물을 NMR(핵자기공명법)에 의해 측정한 결과, 구조식 (66)에 나타내는 1,3,5-트리스(아크리돈-N-일)트리아진이 얻어진 것을 확인할 수 있었다.
Figure 112007046262236-PCT00018
NMR(핵자기공명법) 스펙트럼 데이터를 이하에 나타낸다.
1H NMR(300MHz, CDCl3)δ 7.37-7.51(m, 12H), 7.67(d, 6H, J=8.4Hz), 8.35(dd, 6H, J=1.8, 7.8Hz). 13C NMR(75.5MHz, CDCl3)δ 121.8, 124.9, 126.1, 127.1, 132.6, 136.4, 140.5, 179.7.
또한 얻어진 화합물을 융점측정기(As One사 제품, ATM-01)에 의해 측정한 결과, 융점이 300도 이상인 것을 알았다.
또한, 얻어진 화합물을 증착법에 의해 성막하였다. 그리고, 박막상태에 있어 서의 그 화합물의 이온화퍼텐셜을, 광전자 분광장치(리켄계기사 제품, AC-2)를 사용해서 측정한 결과, -5.6eV였다. 박막상태에 있어서의 그 화합물의 흡수스펙트럼을, UV/VIS 분광광도계(JASCO사 제품, V-550)를 사용해서 측정한 결과, 흡수스펙트럼의 장파장 측의 흡수단의 에너지준위는, 3.0eV였다. 구조식 (66)에 나타낸 물질의 HOMO준위는 -5.6eV, LUMO 준위는 -2.6eV, 그리고 HOMO준위와 LUMO 준위의 에너지갭은 3.0eV인 것을 알았다.
(합성예 2)
2,4,6-트리스(10-페닐-디히드로페나진-5-일)-1,3,5-트리아진의 합성 방법에 관하여 설명한다.
질소분위기 하, 페나진(10.1g, 56.0mmol)의 건조 톨루엔 용액(180mL)에, 페닐리튬(2.0M 디부틸에테르 용액, 53.0mmol)을 실온에서 적하했다. 12시간 동안 실온에서 건조한 후, 염화시아눌(2.40g, 13.2mmol)의 건조 THF 용액(50mL)을 적하했다. 반응 혼합물을 6시간 가열 환류하고, 물을 추가하여, 톨루엔으로 추출했다. 이때, 추출시에 석출한 불용물은 여과에 의해 제거했다. 톨루엔층은 포화 식염수로 세정한 후, 황산마그네슘에 의한 건조, 여과, 농축을 행했다. 얻어진 고체에 에테르 약 300mL을 가해, 에테르 불용부를 여과에 의해 얻었다. 이 고체를 클로로포름/에탄올에 의한 재결정(2회)에 의해 정제하고, 묽은 갈색의 화합물을 얻었다(수율 45%).
얻어진 화합물을 NMR(핵자기공명법)에 의해 측정한 결과, 구조식 (67)에 나타내는 물질(2,4,6-트리스(10-페닐-디히드로페나진-5-일)-1,3,5-트리아진)이 얻어 진 것을 확인할 수 있었다.
Figure 112007046262236-PCT00019
NMR(핵자기공명법) 스펙트럼 데이터를 이하에 나타낸다.
1H NMR(300MHz, CDCl3)δ 6.25(dd, 6H, J=1.5, 8.4Hz), 6.77-6.86(m, 12H), 7.36-7.58(m, 21H)
본 발명의 트리아진 유도체 및 무기화합물인 금속산화물을 가짐으로써, 소자를 후막화한 경우에도, 낮은 구동전압으로 동작하는 발광소자를 얻을 수 있다.
또한 본 발명의 트리아진 유도체를 발광층에 사용함으로써, 발광 물질에 유래한 발광 색에 보다 가까운 발광 색을 나타낼 수 있는 발광소자를 얻을 수 있다.
그 결과, 본 발명의 트리아진 유도체를 포함한 발광소자를 화소에 적용함으로써, 색채재현이 양호한 화상을 표시할 수 있는 발광장치를 얻을 수 있다.
또한 본 발명에 의해, 발광소자를 제조하기 위한 새로운 물질을 얻을 수 있고, 새로운 구조를 가지는 발광소자를 제공할 수 있다. 이에 따라, 발광소자를 제조할 때에, 재료의 선택의 폭을 넓힐 수 있다.
[부호의 설명]
101: 제1 전극 102: 제2 전극
111: 제1 층 112: 제2 층
113: 제3 층 122: 정공수송층
123: 발광층 124: 전자수송층
128: 제4 층 300: 화소부
302: 신호선 구동회로 303: 주사선 구동회로
311: 시프트 레지스터 312: 레벨 시프터
313: 버퍼 321: 시프트 레지스터
322: 제1 래치 323: 제2 래치
324: 레벨 시프터 325: 버퍼
600: 기판 601: TFT
603: 발광소자 605: 전계발광층
608: 층간 절연막 609: 분리벽
610: 대향기판 611: 수지
613: 발광소자 6110: 트랜지스터
6111: 트랜지스터 6112: 용량소자
6114: 신호선 6115: 전원선
6116: 주사선 6118: 트랜지스터
6119: 주사선 6125: 트랜지스터
9201: 본체 9202: 표시부
9701: 표시부 9702: 표시부
9101: 본체 9102: 표시부
9301: 본체 9302: 표시부
9401: 본체 9402: 표시부
9501: 본체 9502: 표시부

Claims (6)

  1. 한 쌍의 전극과,
    상기 한 쌍의 전극 사이에 설치된, 일반식 (1)에 나타내는 트리아진 유도체, 및 금속산화물을 가지는 층을 포함한 발광소자로서,
    Figure 112007046262236-PCT00020
    상기 일반식 (1)에 있어서, R1∼R12는 각각 독립적이거나, R1과 R2, R3과 R4, R5와 R6, R7과 R8, R9와 R10, 및 R11과 R12 중 어느 하나가 결합해서 환을 형성하고, R1∼R12가 각각 독립적인 경우, R1∼R12는, 각각 수소, 탄소수 1∼6의 알킬기, 탄소수 1∼6의 알콕시기, 할로겐기, 탄소수 1∼6의 아실기, 탄소수 1∼6의 알콕시카르보닐기, 탄소수 6∼30, 바람직하게는 탄소수 6∼14의 아릴기, 탄소수 2∼18, 바람직하게는 탄소수 2∼14의 복소방향환기 중 어느 하나를 나타내고,
    상기 복소방향환기는, 5원환의 단환, 6원환의 단환, 5원환 및 6원환 중 어느 하나를 포함한 다환, 또는 5원환 및 6원환을 모두 포함한 다환 구조를 가지고, 질소, 산소, 및 황 중 어느 하나의 원자를 포함하고,
    R1과 R2, R3과 R4, R5와 R6, R7과 R8, R9와 R10, 및 R11과 R12중 어느 하나가 결합해서 환을 형성할 때, 상기 환은 방향환, 복소환, 또는 지환 중 어느 하나의 환이고,
    R1과 R2의 결합과, R3과 R4의 결합과, R5와 R6의 결합과, R7과 R8의 결합과, R9와 R10의 결합과, R11과 R12의 결합은, 각각 독립적이고, R1과 R2는 결합해서 방향환, 복소환, 또는 지환 중 어느 하나의 환을 나타내고, R3∼R12는 독립적으로 수소 또는 치환기를 나타내고,
    상기 방향환은, 또 다른 방향환과 축합되고,
    상기 방향환, 복소환 및 지환은, 각각, 옥소기, 탄소수 1∼6의 알킬기 등의 치환기를 가지고,
    X1, X2, X3은, 독립적으로 식 (2)∼(7) 중 어느 하나의 기를 나타내고,
    Figure 112007046262236-PCT00021
    상기 식 (2)에 있어서, R13과 R14는, 각각 독립적이거나, 결합해서 환을 형성하고,
    13과 R14가 각각 독립적인 경우, R13과 R14는, 독립적으로 수소, 탄소수 1∼6의 알킬기, 탄소수 6∼30, 바람직하게는 탄소수 6∼14의 아릴기, 탄소수 2∼18, 바람직하게는 탄소수 2∼10의 복소방향환기를 나타내고,
    상기 식 (2)에 있어서, 상기 아릴기, 복소방향환기는 독립적으로 치환기를 가지고,
    상기 복소방향환기는, 5원환 또는 6원환의 단환, 5원환과 6원환 중 어느 하나 또는 모두를 포함한 다환 구조를 가지며, 질소, 산소, 및 황 중 어느 하나의 원자를 포함하고,
    R13과 R14가 결합해서 환을 형성할 때, 그 환은, 탄소수 3∼10, 바람직하게는 6의 지환을 나타내고,
    상기 식 (5)에 있어서, R15는 수소, 또는 탄소수 6∼30, 바람직하게는 탄소수 6∼14의 아릴기, 및 탄소수 2∼18, 바람직하게는 탄소수 2∼10의 복소방향환기 중 어느 하나를 나타내고,
    상기 식 (5)에 있어서, 상기 아릴기는, 탄소수 1∼6의 알킬기, 탄소수 1∼6의 아실기, 할로겐기, 옥소기 등의 치환기를 1 이상 가지거나, 무치환이고,
    상기 복소방향환기는, 5원환의 단환, 6원환의 단환, 5원환 및 6원환 중 어느 하나를 포함한 다환, 또는 5원환 및 6원환을 모두 포함한 다환 구조를 가지며, 질소, 산소, 및 황 중 어느 하나의 원자를 포함하고,
    상기 식 (6)에 있어서, R16과 R17은, 각각 독립적으로, 수소, 탄소수 6∼30의 아릴기, 탄소수 2∼18, 바람직하게는 탄소수 2∼10의 복소방향환기, 시아노기를 나타내고,
    상기 식 (6)에 있어서, 아릴기는, 탄소수 1∼6의 알킬기, 할로겐기, 탄소수 6∼30, 바람직하게는 탄소수 6∼14의 아릴기 등의 치환기를 1 이상 가지거나, 무치환이고,
    상기 복소방향환기는, 5원환의 단환, 6원환의 단환, 5원환 및 6원환 중 어느 하나를 포함한 다환, 또는 5원환 및 6원환을 모두 포함한 다환 구조를 가지며, 질소, 산소, 및 황 중 어느 하나의 원자를 포함하고,
    상기 식 (7)에 있어서, R18은, 수소, 탄소수 1∼6의 알킬기, 탄소수 6∼30, 바람직하게는 탄소수 6∼14의 아릴기, 탄소수 2∼18, 바람직하게는 탄소수 2∼10의 복소방향환기를 나타내고,
    상기 식 (7)에 있어서, 아릴기는, 디알킬아미노기 등의 치환기를 가지고,
    상기 복소방향환기는, 5원환의 단환, 6원환의 단환, 5원환 및 6원환 중 어느 하나를 포함한 다환, 또는 5원환 및 6원환을 모두 포함한 다환 구조를 가지고, 질소, 산소, 및 황 중 어느 하나의 원자를 포함하는 발광소자.
  2. 제 1항에 있어서,
    상기 금속산화물은, 몰리브덴산화물, 바나듐산화물, 티탄산화물, 리튬산화물, 또는 레늄산화물인 발광소자.
  3. 제 1항에 있어서,
    상기 한 쌍의 전극 사이에, 400nm 내지 500nm의 대역에 발광 파장을 가지는 발광 물질을 포함한 발광소자.
  4. 반도체층과,
    상기 반도체층 위에 설치된 한 쌍의 전극과,
    상기 한 쌍의 전극 사이에, 순차적으로 설치된 제1 층, 제2 층, 제3 층을 포함한 발광장치로서,
    상기 제1 층 내지 상기 제3 층 중 어느 하나는, 일반식 (1)에 나타내는 트리아진 유도체, 및 금속산화물을 가지는 층을 포함하고,
    Figure 112007046262236-PCT00022
    상기 일반식 (1)에 있어서, R1∼R12는 각각 독립적이거나, R1과 R2, R3과 R4, R5와 R6, R7과 R8, R9와 R10, 및 R11과 R12 중 어느 하나가 결합해서 환을 형성하고, R1∼R12가 각각 독립적인 경우, R1∼R12는, 각각 수소, 탄소수 1∼6의 알킬기, 탄소수 1∼6의 알콕시기, 할로겐기, 탄소수 1∼6의 아실기, 탄소수 1∼6의 알콕시카르보닐기, 탄소수 6∼30, 바람직하게는 탄소수 6∼14의 아릴기, 탄소수 2∼18, 바람직하게는 탄소수 2∼14의 복소방향환기 중 어느 하나를 나타내고,
    상기 복소방향환기는, 5원환의 단환, 6원환의 단환, 5원환 및 6원환 중 어느 하나를 포함한 다환, 또는 5원환 및 6원환을 모두 포함한 다환 구조를 가지고, 질소, 산소, 및 황 중 어느 하나의 원자를 포함하고,
    R1과 R2, R3과 R4, R5와 R6, R7과 R8, R9와 R10, 및 R11과 R12중 어느 하나가 결합해서 환을 형성할 때, 상기 환은 방향환, 복소환, 또는 지환 중 어느 하나의 환 이고,
    R1과 R2의 결합과, R3과 R4의 결합과, R5와 R6의 결합과, R7과 R8의 결합과, R9와 R10의 결합과, R11과 R12의 결합은, 각각 독립적이고, R1과 R2는 결합해서 방향환, 복소환, 또는 지환 중 어느 하나의 환을 나타내고, R3∼R12는 독립적으로 수소 또는 치환기를 나타내고,
    상기 방향환은, 또 다른 방향환과 축합되고,
    상기 방향환, 복소환 및 지환은, 각각, 옥소기, 탄소수 1∼6의 알킬기 등의 치환기를 가지고,
    X1, X2, X3은, 독립적으로 식 (2)∼(7) 중 어느 하나의 기를 나타내고,
    Figure 112007046262236-PCT00023
    상기 식 (2)에 있어서, R13과 R14는, 각각 독립적이거나, 결합해서 환을 형성하고,
    13과 R14가 각각 독립적인 경우, R13과 R14는, 독립적으로 수소, 탄소수 1∼6의 알킬기, 탄소수 6∼30, 바람직하게는 탄소수 6∼14의 아릴기, 탄소수 2∼18, 바람직하게는 탄소수 2∼10의 복소방향환기를 나타내고,
    상기 식 (2)에 있어서, 상기 아릴기, 복소방향환기는 독립적으로 치환기를 가지고,
    상기 복소방향환기는, 5원환 또는 6원환의 단환, 5원환과 6원환 중 어느 하나 또는 모두를 포함한 다환 구조를 가지며, 질소, 산소, 및 황 중 어느 하나의 원자를 포함하고,
    R13과 R14가 결합해서 환을 형성할 때, 그 환은, 탄소수 3∼10, 바람직하게는 6의 지환을 나타내고,
    상기 식 (5)에 있어서, R15는 수소, 또는 탄소수 6∼30, 바람직하게는 탄소수 6∼14의 아릴기, 및 탄소수 2∼18, 바람직하게는 탄소수 2∼10의 복소방향환기 중 어느 하나를 나타내고,
    상기 식 (5)에 있어서, 상기 아릴기는, 탄소수 1∼6의 알킬기, 탄소수 1∼6의 아실기, 할로겐기, 옥소기 등의 치환기를 1 이상 가지거나, 무치환이고,
    상기 복소방향환기는, 5원환의 단환, 6원환의 단환, 5원환 및 6원환 중 어느 하나를 포함한 다환, 또는 5원환 및 6원환을 모두 포함한 다환 구조를 가지며, 질소, 산소, 및 황 중 어느 하나의 원자를 포함하고,
    상기 식 (6)에 있어서, R16과 R17은, 각각 독립적으로, 수소, 탄소수 6∼30의 아릴기, 탄소수 2∼18, 바람직하게는 탄소수 2∼10의 복소방향환기, 시아노기를 나 타내고,
    상기 식 (6)에 있어서, 아릴기는, 탄소수 1∼6의 알킬기, 할로겐기, 탄소수 6∼30, 바람직하게는 탄소수 6∼14의 아릴기 등의 치환기를 1 이상 가지거나, 무치환이고,
    상기 복소방향환기는, 5원환의 단환, 6원환의 단환, 5원환 및 6원환 중 어느 하나를 포함한 다환, 또는 5원환 및 6원환을 모두 포함한 다환 구조를 가지며, 질소, 산소, 및 황 중 어느 하나의 원자를 포함하고,
    상기 식 (7)에 있어서, R18은, 수소, 탄소수 1∼6의 알킬기, 탄소수 6∼30, 바람직하게는 탄소수 6∼14의 아릴기, 탄소수 2∼18, 바람직하게는 탄소수 2∼10의 복소방향환기를 나타내고,
    상기 식 (7)에 있어서, 아릴기는, 디알킬아미노기 등의 치환기를 가지고,
    상기 복소방향환기는, 5원환의 단환, 6원환의 단환, 5원환 및 6원환 중 어느 하나를 포함한 다환, 또는 5원환 및 6원환을 모두 포함한 다환 구조를 가지고, 질소, 산소, 및 황 중 어느 하나의 원자를 포함하는 발광장치.
  5. 제 4항에 있어서,
    상기 금속산화물은, 몰리브덴산화물, 바나듐산화물, 티탄산화물, 리튬산화물, 또는 레늄산화물인 발광장치.
  6. 제 4항에 있어서,
    상기 발광소자는 상기 한 쌍의 전극 사이에, 400nm 내지 500nm의 대역에 발광 파장을 가지는 발광 물질을 포함한 발광장치.
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