CN101065462A - 发光元件和含有该发光元件的发光装置 - Google Patents

发光元件和含有该发光元件的发光装置 Download PDF

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Abstract

本发明的目的在于提供一种具有与传统发光元件不同的结构并且包含具有新结构的物质的发光元件。本发明的目的还在于提供一种具有该发光元件的发光装置。鉴于上述目的，本发明提供了一种包含位于一对电极之间的含有由通式(1)表示的三嗪衍生物以及无机金属氧化物的层的发光元件。进一步地，本发明提供了一种具有该发光元件的发光装置。

Description

发光元件和含有该发光元件的发光装置
技术领域
本发明涉及一种包括三嗪衍生物的发光元件的结构，以及涉及具有该发光元件的发光装置。
背景技术
许多用于显示器等等的发光元件具有其中包含发光材料的层被夹在一对电极之间的结构。在这些发光元件中，当由从一个电极注入的电子和从另一个电极注入的空穴再结合而形成的激发子回到基态时发射出光。
在发光元件领域，为了获得在发光效率和色度方面具有优越性能或者能够防止猝灭等等的发光元件，已经开发了包含发光材料的层的结构，用于形成包含发光材料的层的新材料，等等。
例如，对于包含发光材料的层的结构，建议使用由包含高载体注入底物的层、包含高载体输送底物的层等等而组成的多层结构，以使得发光区域形成于远离电极的区域。进一步地，关于高载体输送底物，建议使用例如专利文献1或者专利文献2中公开的三嗪衍生物。
[专利文献1]日本专利申请特许公开号H7-157473
[专利文献2]日本专利申请特许公开号H8-1199163
发明内容
鉴于上述的情形，本发明的目的是提供一种具有发光性能的发光装置。
鉴于上述目的，本发明具有如下发光元件的特征：该发光元件包括一对电极以及包含由通式(1)代表的三嗪衍生物的层和位于这对电极之间的无机金属氧化物。
Figure A20058004086400091
在通式(1)中，R1至R12是各自独立的，或者R1和R2、R3和R4、R5和R6、R7和R8、R9和R10以及R11和R12中的任意一组键合形成环。这里，当R1至R12是各自独立的时，R1至R12各自是氢、具有1至6个碳原子的烷基、具有1至6个碳原子的烷氧基、卤素、具有1至6个碳原子的酰基、具有1至6个碳原子的烷氧羰基、具有6至30个碳原子的芳基(优选6至14个碳原子)以及具有2至18个碳原子(优选2至14个碳原子)的杂芳族基团(杂芳基)中的任意一种。应当注意的是，在本发明中烷基包括脂肪族杂环基团。然而，优选使用链烷基，因为对该三嗪衍生物的处理是容易的。在芳基和杂芳族基团中优选碳原子数是在考虑原料和这种三嗪衍生物处理的容易程度的情况下而决定的。
进一步地，优选杂芳族基团具有5元环的单环结构、6元环的单环结构、包含5元环和6元环中的任意一种的多环结构，或者同时包含5元环和6元环的多环结构。此外，杂芳族基团包含氮、氧和硫中的任意一种原子。
此外，当R1和R2、R3和R4、R5和R6、R7和R8、R9和R10以及R11和R12各自键合形成环时，这些环各自是芳环、杂环和脂环中的任意一种。在这种情况下，R1和R2的键合、R3和R4的键合、R5和R6的键合、R7和R8的键合、R9和R10的键合、以及R11和R12的键合各自是独立的。例如，R1和R2可以键合形成芳环、杂环以及脂环中的任意一种，而R3至R12可以各自是氢或者取代基。此外，芳环可以与另一个芳环稠合。芳环、杂环、以及脂环可以各自具有例如桥氧基和具有1至6个碳原子的烷基的取代基。应当注意，本发明中的烷基包括脂肪族杂环基团。然而，优选使用链烷基，因为对该三嗪衍生物的处理是容易的。
在通式(1)中，X1、X2以及X3各自表示式(2)至(7)基团中的任意一种。
在由式(2)表示的基团中，R13和R14可以是各自独立的或者键合形成环。当R13和R14是各自独立的时，R13和R14各自是氢、具有1至6个碳原子的烷基、具有6至30个碳原子(优选6至14个碳原子)的芳基、以及具有2至18个碳原子(优选2至10个碳原子)的杂芳族基团(杂芳基)中的任意一种。应当注意，在本发明中的烷基包括脂肪族杂环基。然而，优选使用链烷基，因为对该三嗪衍生物的处理是容易的。在芳基和杂芳族基团中优选碳原子数是在考虑原料和这种三嗪衍生物处理的容易程度的情况下而决定的。此外，芳基和杂芳族基团可以各自具有取代基。进一步地，优选杂芳族基团具有5元环的单环结构、6元环的单环结构、包含5元环和6元环中的任意一种的多环结构，或者同时包含5元环和6元环的多环结构。此外，杂芳族基团包含氮、氧和硫中的任意一种原子。
此外，当R13和R14键合形成环时，该环是具有3至10个碳原子(优选6个碳原子)的脂环。脂环中优选碳原子数是在考虑原料和这种三嗪衍生物处理的容易程度的情况下而决定的。当脂环中的碳原子数大量增加时，化合物的熔点(Tg)可能会大大地降低，并且可能因此难以处理该化合物。
在由式(5)所表示的基团中，R15是氢、具有6至30个碳原子(优选6至14碳原子)的芳基、以及具有2至18个碳原子(优选2至10个碳原子)的杂芳族基团(杂芳基)中的任意一种。在芳基和杂芳族基团中优选碳原子数是在考虑原料和这种三嗪衍生物处理的容易程度的情况下而决定的。这里，芳基可以具有一个或多个取代基，例如具有1至6个碳原子的烷基、具有1至6个碳原子的酰基、卤素以及桥氧基，或者可以是未被取代的。应当注意，本发明中的烷基包括脂肪族杂环基团。然而，优选使用链烷基，因为对该三嗪衍生物的处理是容易的。优选地，杂芳族基团具有5元环的单环结构、6元环的单环结构、包含5元环和6元环中的任意一种的多环结构或者同时包含5元环和6元环的多环结构。此外，杂芳族基团包含氮、氧和硫中的任意一种原子。
在由式(6)表示的基团中，R16和R17是各自独立的，并且是氢、具有6至30个碳原子的芳基、具有2至18个碳原子(优选2至10个碳原子)的杂芳族基团(杂芳基)、以及氰基中的任意一种。在杂芳族基团中优选碳原子数是在考虑原料和这种三嗪衍生物处理的容易程度的情况下而决定的。这里，芳基可以具有一个或多个取代基，例如具有1至6个碳原子的烷基、卤素、以及具有6至30个碳原子(优选6至14个碳原子)的芳基，或者可以是未取代的。应当注意，本发明的烷基包括脂肪族杂环基团。然而，优选使用链烷基，因为对该三嗪衍生物的处理是容易的。在芳基中优选碳原子数是在考虑原料和这种三嗪衍生物处理的容易程度的情况下而决定的。优选地，杂芳族基团具有5元环的单环结构、6元环的单环结构、包含5元环和6元环中的任意一种的多环结构或者同时包含5元环和6元环的多环结构。此外，杂芳族基团包含氮、氧和硫中的任意一种原子。
在由式(7)表示的基团中，R18是氢、具有1至6个碳原子的烷基、具有6至30个碳原子(优选6至14个碳原子)的芳基、以及具有2至18个碳原子(优选2至10个碳原子)的杂芳族基团(杂芳基)中的任意一种。应当注意，本发明的烷基包括脂肪族杂环基团。然而，优选使用链烷基，因为对该三嗪衍生物的处理是容易的。在芳基和杂芳族基团中优选碳原子数是在考虑原料和这种三嗪衍生物处理的容易程度的情况下而决定的。这里，芳基可以具有取代基例如二烷基氨基。优选地，杂芳族基团具有5元环的单环结构、6元环的单环结构、包含5元环和6元环中的任意一种的多环结构，或者同时包含5元环和6元环的多环结构。此外，杂芳族基团包含氮、氧和硫的任意一种原子。
在本发明的发光元件中，可以使用金属氧化物或者金属氮化物以及金属氮氧化物。
作为具有受电子物质功能的特殊材料，可以使用属于周期表第4至12族的任意一种过渡金属氧化物。首先，许多属于周期表第4至12族的过渡金属氧化物具有高电子接受性能。特别地，氧化钒、氧化钼、氧化铌、氧化铼、氧化钨、氧化钌、二氧化钛、氧化铬、氧化锆、二氧化铪、以及氧化钽是合适的。
进一步地，作为具有供电子物质功能的上述金属，可以使用选自碱金属和碱土金属，具体地说，锂(Li)、钙(Ca)、钠(Na)、钾(K)、镁(Mg)，等等的物质。具体的物质包括碱金属的氧化物或者上述碱土金属、碱金属的氮化物以及碱土金属的氮化物，具体地说，氧化锂(Li2O)、氧化钙(CaO)、氧化钠(Na2O)、氧化钾(K2O)、以及氧化镁(MgO)。此外，可以使用碱金属的氟化物，等等，具体地说，氟化锂(LiF)、氟化铯(CsF)、氟化钙(CaF2)等等。
进一步地，有可能本发明的发光元件具有这样的层，其中本发明的三嗪衍生物和作为无机金属化合物的氧化物是混合的，或者其中三嗪衍生物和作为无机化合物的金属氧化物是叠层的(以下，共同称为混合层)。
本发明这些三嗪衍生物可以被用作产生电子的层(电子产生层)或者发光元件中的发光层。
当本发明的三嗪衍生物用于产生电子的层(电子产生层)时，在形成混合层的情况下，可以引用作为上述金属氧化物例子的有氧化锂(Li2O)、氧化钙(CaO)、氧化钠(Na2O)、氧化钾(K2O)、以及氧化镁(MgO)。此外，可以使用氟化锂(LiF)、氟化铯(CsF)以及氟化钙(CaF2)作为金属氟化物。
当本发明的三嗪衍生物用于发光层时，发光元件具有由通式(1)代表的三嗪衍生物以及位于一对电极之间的具有400至500nm频带宽度的发射波长的发光材料。应当注意，本发明的三嗪衍生物可以被用于主剂或者掺杂剂。
进一步地，本发明具有发光装置的特征，该发光装置具有如上所述的发光元件。
通过具有本发明的三嗪衍生物和无机金属氧化物，可以获得能在较低驱动电压下运行的发光元件，即使该组件被制造的更厚。
进一步地，通过使用本发明的三嗪衍生物用于发光层，可以获得能够显示更接近于来源于发光材料的发光色的发光色的发光元件。
因此，通过将包括本发明的三嗪衍生物的发光元件运用于像素，可以获得能显示具有良好色泽复现性图像的发光装置。
进一步地，根据本发明，可以获得用于制造发光元件的新物质，于是可以提供一种具有新结构的发光元件。因此，可以扩展制造发光元件时材料选择的范围。
附图说明
图1是举例说明本发明的发光元件的剖视图；
图2是举例说明本发明的发光元件的剖视图；
图3是举例说明本发明的面板的示意图；
图4A至4C是举例说明本发明像素的剖面图；
图5是举例说明本发明像素的剖视图；
图6是举例说明本发明像素的剖视图；
图7A至7C是举例说明本发明像素的等效电路的示意图；以及
图8A至8F是举例说明本发明电子装置的示意图。
本发明的最佳实施方式
以下将参照附图具体地描述本发明的实施方案。然而，本领域技术人员能够很容易地理解到本发明具有很多可能的变化和改变，这样的变化和改变并不背离本发明的内容和范围。因此，本发明不应当被理解为仅限于以下具体实施方案的描述。应当注意，在用于描述具体实施方式的所有附图中，通过相同的附图标记数字表示相同的部分或者具有相同功能的部分，并且省略了它们的描述。
本发明所提及的三嗪衍生物包括：
2，4，6-三(9-氧代-10(9H)-吖啶基)-1，3，5-三嗪，
2，4，6-三(9-氧代-12(7H)-苯并[a]吖啶基)-1，3，5-三嗪，
2，4，6-三(2-氯-9-氧代-10(9H)-吖啶基)-1，3.5-三嗪，
2，4，6-三(3-甲氧基-9-氧代-10(9H)-吖啶基)-1，3，5-三嗪，
2，4，6-三(2-甲氧基-9-氧代-10(9H)-吖啶基)-1，3，5-三嗪，
2，4，6-三(10-苯基-二氢吩嗪-5-基)-1，3，5-三嗪，
2，4，6-三(10-苯基-苯并[a]二氢吩嗪-5-基)-1，3，5-三嗪，
2，4，6-三(10-苯基-二苯并[a，c]二氢吩嗪-5-基)-1，3，5-三嗪，
2，4，6-三(10-苯基-二苯并[a，i]二氢吩嗪-5-基)-1，3，5，-三嗪，
2，4，6-三(10-甲基-二氢吩嗪-5-基)-1，3，5-三嗪，
2，4，6-三[10-(4-二甲基氨基)苯基-二氢吩嗪-5-基]-1，3，5-三嗪，
2，4，6-三[10-(2-吡啶基)-二氢吩嗪-5-基]-1，3，5-三嗪，
2，4，6-三[10-(2-噻吩基)-二氢吩嗪-5-基]-1，3，5-三嗪，
2，4，6-三[10-(1-萘基)-二氢吩嗪-5-基]-1，3，5-三嗪，
2，4，6-三[9-(苯基亚氨基)-10(9H)-吖啶基]-1，3，5-三嗪，
2，4，6-三[9-(1-萘基亚氨基)-10(9H)-吖啶基]-1，3，5-三嗪，
2，4，6-三[9-(1-蒽基)-10(9H)-吖啶基]-1，3，5-三嗪，
2，4，6-三[9-(氟苯基亚氨基)-10(9H)-吖啶基]-1，3，5-三嗪，
2，4，6-三[9-(甲氧基苯基亚氨基)-10(9H)-吖啶基]-1，3，5-三嗪，
2，4，6-三[9-(甲苯基亚氨基)-10(9H)-吖啶基]-1，3，5-三嗪，2，4，6-三[9-N-{1，8-萘二甲酸酐-4-基}亚氨基-10(9H)-吖啶基]-1，3，5-三嗪，
2，4，6-三[9-(2-吡啶基亚氨基)-10(9H)-吖啶基]-1，3，5-三嗪，
2，4，6-三[9-N-(1，3-苯并噻唑-2-基)亚氨基-10(9H)-吖啶基]-1，3，5-三嗪，
2，4，6-三(9-亚苄基-10(9H)-吖啶基)-1，3，5-三嗪，
2，4，6-三[9-(2-亚萘基)-10(9H)-吖啶基]-1，3，5-三嗪，
2，4，6-三[9-(蒽-9-亚基)-10(9H)-吖啶基]-1，3，5-三嗪，
2，4，6-三[9-(二苯基亚甲基)-10(9H)-吖啶基]-1，3，5-三嗪，
2，4，6-三[9-(2-亚联苯基)-10(9H)-吖啶基]-1，3，5-三嗪，
2，4，6-三[9-(甲基亚苄基)-10(9H)-吖啶基]-1，3，5-三嗪，
2，4，6-三[9-(氟亚苄基)-10(9H)-吖啶基]-1，3，5-三嗪，
2，4，6-三[9-(2-亚吡啶基)-10(9H)-吖啶基]-1，3，5-三嗪，
2，4，6-三[9-(2-亚噻吩基)-10(9H)-吖啶基]-1，3，5-三嗪，
2，4，6-三(9，9-二苯基-9，10-二氢-9-吖啶基)-1，3，5-三嗪，
2，4，6-三[9-(二氰基亚甲基)-10(9H)-吖啶基]-1，3，5-三嗪，
2，4，6-三(3-甲氧基-4(1H)-吡啶酮-1-基)-1，3，5-三嗪，
2，4，6-三(3，4-二氰基-2，6-二甲基-4(1H)-吡啶酮-1-基)-1，3，5-三嗪，
2，4，6-三(2，6-二甲氧基羰基-4(1H)-吡啶酮-1-基)-1，3，5-三嗪，
2，4，6-三[2，6-二(2-吡啶基)-4(1H)-吡啶酮-1-基]-1，3，5-三嗪，
2，4，6-三(3，5-二乙酰基-2，6-二甲基-1，4-二氢吡啶-1-基)-1，3，5-三嗪，
2，4，6-三(3，5-二乙氧羰基-2，6-二甲基-1，4-二氢吡啶-1-基)-1，3，5-三嗪，
2，4，6-三[3，3，6，6-四甲基-3，4，6，7，9，10-六氢-1，8(2H，5H)-吖啶二酮-10-基]-1，3，5-三嗪，
2，4，6-三(3，5-二氰基2，4，4，6-四甲基-1，4-二氢吡啶-1-基)-1，3，5-三嗪，
2，4，6-三(1，5-二氰基-2，4-二甲基-3-氮杂螺[5，5]十一-1，4-二烯-1-基)-1，3，5-三嗪，
2，4，6-三(3，5-二氰基-2，6-二甲基-4-苯基-1，4-二氢吡啶-1-基)-1，3，5-三嗪，
2，4，6-三[3，5-二氰基-4-(2-呋喃基)-2，6-二甲基-1，4-二氢吡啶-1-基]-1，3，5-三嗪，
2，4，6-三[3，5-二氰基-2，6-二甲基-4-(3-吡啶基)-1，4-二氢吡啶-1-基]-1，3，5-三嗪，
2，4，6-三[3，5-二氰基-2，6-二甲基-4-(2-噻吩基)-1，4-二氢吡啶-1-基]-1，3，5-三嗪，
2，4，6-三[9-异丙基-3，4，6，7，9，10-六氢-1，8-(2H，5H)-吖啶二酮-1-基]-1，3，5-三嗪，以及
2，4，6-三{8-苯基-5，8-二氢-1H，3H-二呋喃并[3，4-b：3，4-e]吡啶-1，7(4H)-二酮-1-基}-1，3，5-三嗪
然后，可以制造一种发光元件，在该组件中的一对电极之间提供了至少一种上述的三嗪衍生物和作为无机化合物的金属氧化物。在这种情况下，优选形成其中混合了三嗪衍生物和金属氧化物的层。
通过在层中使三嗪衍生物和金属氧化物混合，可以防止驱动电压的增加，即使该层的膜被增厚的情况下。当除了包括三嗪衍生物的层之外再提供一种其中混合了另一种有机化合物和金属氧化物的层时，除了其中混合了三嗪衍生物和金属氧化物的层以外，还可以阻止由于使包括金属氧化物的层变厚而引起的驱动电压的增加。
通常，不优选将发光元件制成更厚的，因为那样会使驱动电压增加。然而，在包括极端薄的膜的发光元件中，通过增厚可以防止电极之间的短路，并且预期可以改善规模生产能力。此外，本发明人已经发现，通过形成一种其中有机化合物和作为无机化合物的金属氧化物被包含于一对电极之间的层，可以防止驱动电压增加，甚至是当发光元件层被制成更厚的时候。
氧化钒、氧化钼、氧化铌、氧化铼、氧化钨、氧化钌、二氧化钛、氧化铬、氧化锆、二氧化铪以及氧化钽适合用作这些金属氧化物。这些材料具有作为受电子物质的功能。
作为供电子物质，可以使用例如氧化锂(Li2O)、氧化钙(CaO)、氧化钠(Na2O)、氧化钾(K2O)、氧化镁(MgO)等等的金属氧化物。此外，金属氟化物也可以作为供电子物质，并且具体地说，可以例举的有氟化锂(LiF)、氟化铯(CsF)、氟化钙(CaF2)等等。
在本发明的发光元件中，除了上述金属氧化物之外，还可以使用金属氮化物、金属氮氧化物以及金属氟化物。
因此，优选地，将发光元件的层制造得更厚，可以防止电极之间的短路，并且可以提高规模生产能力。
进一步地，可以通过共蒸发法来制备其中本发明的三嗪衍生物、金属氧化物等等相互混合的层。具体的，可以例举的有电阻加热蒸发的共蒸发、电子束蒸发的共蒸发、以及电阻加热蒸发和电子束蒸发的共蒸发。上述的包含层的可以通过联合相似类型的方法来形成。进一步地，不同类型的方法可以和蒸发法组合。例如，可以使用电阻加热蒸发和溅射法的沉积、电子束蒸发和溅射的沉积等等来制造该混合层。上述例子显示了包括三嗪衍生物和金属氧化物二种材料的层。然而，就包括三种或者更多种材料的层来说，该层可以通过联合相似类型和不同类型的方法来形成。
(具体实施方案1)
在本具体实施方案中，将会描述具有本发明的三嗪衍生物的发光元件的结构。
如图1所示的本发明发光元件，具有彼此相对立的第一电极101和第二电极102，并且具有从第一电极101起依次堆叠的第一层111、第二层112以及第三层113。当电压被施加于该发光元件以致第一个电极101的电势高于第二电极102时，空穴被从第一层111注入第二层112，并且电子被从第三层113注入第二层112。空穴和电子在第二层112中再结合以激发发光材料。然后，当激发态的发光材料回到基态时发出光线。
以下，将描述第一层111至第三层113、第一电极101以及第二电极102。
第一层111是产生空穴(空穴产生层)的层。作为该层，例如，可以例举的有包含空穴传导物质以及相对于该空穴传导物质显示出电子接受性能的物质的层。进一步地，优选包含相对于该空穴传导物质显示出电子接受性能的物质，以使得该相对于空穴传导物质显示出电子接受性能的物质的摩尔比率(＝相对于具有空穴传导性能的材料具有电子接受性能的材料/具有空穴传导性能的物质)为0.5至2。
该空穴传导物质是一种传导性能高于电子传导性能的物质。例如，可以使用有机化合物如芳香胺化合物，例如
4，4′-双[N-(1-萘基)-N-苯基氨基]联苯(缩写：α-NPD)，4，4′-双[N-(3-甲基苯基)-N-苯基氨基]联苯(缩写：TPD)、4，4′，4″-三(N，N-二苯基氨基)三苯胺(缩写：TDATA)、4，4′，4″-三[N-(3-甲基苯基)-N-苯基氨基]三苯胺(缩写：MTDATA)，和4，4′-双[N-{4-(N，N-二-间-甲苯基氨基)苯基}-N-苯基氨基]联苯(缩写：DNTPD)以及酞菁化合物，例如酞菁(缩写：H2Pc)、铜酞菁(缩写：CuPc)和氧钒基酞菁(缩写：VOPc)。应当注意的是，该传导物质不局限于这些。
进一步地，可以使用属于周期表第4至12族的任意一种过渡金属氧化物作为相对于空穴传导物质显示出电子接受性能的物质。特别是，许多属于第4至8族的任意一种过渡金属氧化物具有高电子接受性能。特别是，氧化钒、氧化钼、氧化铌、氧化铼、氧化钨、氧化钌、二氧化钛、氧化铬、氧化锆、二氧化铪以及氧化钽是合适的。应当注意的是，该相对于空穴传导物质显示出电子接受性能的物质不局限于这些。
第一层111可以通过蒸发法形成。在形成混合层的情况下，可以使用共蒸发法。例如，其中包含空穴传导物质和相对于该传导物质显示出电子接受性能的物质(例如上述的金属氧化物)的第一层111可以通过共蒸发法来制造。作为用于形成第一层111的蒸发法，可以联合相似类型和不同类型的方法，例如电阻加热蒸发的共蒸发法、电子束蒸发的共蒸发、电阻加热蒸发和电子束蒸发的共蒸发、电阻加热蒸发和溅射的沉积、电子束蒸发和溅射的沉积。虽然上述例子被用于包含二种类型材料的层，但是包含三种或者更多材料的层同样可以通过联合上述相似类型和不同类型的方法来形成。
应当注意的是，第一层可以包含另外的有机化合物。作为该有机化合物可以例举的是红荧烯等等。加入红荧烯可以改进安全性。
此外，第一层111可以是由金属氧化物例如氧化钼、氧化钒、氧化钌、氧化钴和氧化铜组成的层。
优选地，第一层111可以通过具有如上所述的有机化合物、金属氧化物等等的层来形成，因为这样具有较高的传导率。当传导率较高时，第一层可以被制造得更厚。
进一步地，可以通过使用具有有机化合物、金属氧化物等等的层来抑制有机化合物层的结晶，并且该有机化合物层可以因此被形成得更厚而没有电阻的增加。因此，甚至当底物上存在由于灰尘、污染等等引起的不规则时，该有机化合物层也几乎不受不规则的影响，因为该有机化合物层被制造得较厚。因此，可以防止例如由于不规则而引起的短路的缺点。
第二层112是包含发光层的层。该包含发光层的层可以是仅仅由发光层组成的单一层或者是一种多层。特定的多层除了发光层之外还包括选自电子传导层、空穴传导层以及空穴注入层的一层或多层。图1显示了其中第二层112除了发光层123之外还包括电子传导层124和空穴传导层122的情况。
优选地，该发光层是这样的一层，在该层中，发光物质分散在一种具有比发光物质更大能隙的材料中。然而，发光层不局限于这些。应当注意的是，该能隙指示在LUMO能级和HOMO能级之间的能隙。进一步地，可以使用那些提供良好发光效率以及能够发射出具有所期望波长的光线的材料。
可以使用本发明的三嗪衍生物作为发光物质以及具有比发光物质更大能隙的材料。作为用于分散发光物质的材料，例如，除了蒽衍生物例如9，10-二(2-萘基)-2-叔-丁基蒽(缩写：t-BuDNA)和咔唑衍生物例如4，4′-双(N-咔唑基)联苯(缩写：CBP)之外，还可以使用金属配合物例如双[2-(2-羟苯基)吡啶]锌(缩写：Znpp2)和双[2-(2-羟苯基)苯并唑]锌(缩写：ZnBOX)等等。然而，用于分散发光物质的材料不局限于这些材料。当如上所述的那样分散发光物质时，可以防止由于发光物质的浓度而引起的来自发光物质的发射光猝灭。
为了由该第二层112显示出白色或者带白色光的发射，例如，可以使用这样的一种结构，其中自第一电极101开始，依次为TPD(芳香二元胺)、3-(4-叔-丁基苯基)-4-苯基-5-(4-联苯基)-1，2，4-三唑(缩写：TAZ)、三(8-羟基喹啉)铝(缩写：Alq3)、掺杂有红色发光染料尼罗红的Alq3以及Alq3，它们以此顺序通过蒸发等方法层叠。
此外，还可以使用这样的一种结构，其中自第一电极101开始，依次为NPB、掺杂有二萘嵌苯的NPB、掺杂有DCM1的双(2-甲基-8-羟基喹啉)-4-苯基酚-铝(缩写：BAlq)、BAlq以及Alq3，它们以该次序通过蒸发等方法层叠。
进一步地，30wt％的2-(4-联苯基)-5-(4-叔-丁基苯基)-1，3，4-二唑(缩写：PBD)被分散在聚(N-乙烯基咔唑)(缩写：PVK)中作为电子传导剂，然后分散适当量的4种颜料(TPB、香豆素6、DCM1、和尼罗红)以获得带白色的发射光。
此外，将第二层112制造为具有叠层结构，并且该叠层结构由能够产生彼此为互补色光的材料形成，例如，第一层和第二层使用用于红色和青绿色的发光材料，以获得白色或者带白色的发射光。
应当注意的是，除了上述提供白色或者带白色发射光的发光元件外，可以适当地选择用于发光层的材料。例如，第二层112可以由用于红色(R)、绿色(G)以及蓝色(B)的每一种发光物质来形成。
为了获得红色或者带红色的发射光，可以使用4-二氰基亚甲基-2-异丙基-6-[2-(1，1，7，7-四甲基久洛里定-9-基)乙烯基]-4H-吡喃(缩写：DCJTI)、4-二氰基亚甲基-2-甲基-6-[2-(1，1，7，7-四甲基久洛里定-9-基)乙烯基]-4H-吡喃(缩写：DCJT)、4-二氰基亚甲基-2-叔-丁基-6-[2-(1，1，7，7-四甲基久洛里定-9-基)乙烯基]-4H-吡喃(缩写：DCJTB)、periflanthene、2，5-二氰基-1，4-双[2-(10-甲氧基-1，1，7，7-四甲基久洛里定-9-基)乙烯基]苯、双[2，3-双(4-氟苯基)喹喔啉]铱(乙酰丙酮盐)(缩写：Ir[Fdpq]2acac)等等。然而，该发光物质不局限于这些材料，能够产生发射光谱峰为600至700nm的发射光的材料都可以被使用。
为了获得绿色或者带绿色的发射光，可以使用N，N′-二甲基喹吖啶酮(缩写：DMQd)、香豆素6、香豆素545T、三(8-羟基喹啉)合铝(缩写：Alq3)等等。然而，该发光物质不局限于这些材料，能够产生发射光谱峰为500至600nm的发射光的材料都可以被使用。
本发明的三嗪衍生物同样也可以作为包含产生蓝色或者带蓝色发射光的发光层的层。本发明的三嗪衍生物可以特别地被用作用于产生蓝色或者带蓝色发射光的发光层的基质材料。因此，本发明的发光元件具有存在于一对电极之间的包含本发明的三嗪衍生物以及发射波长的频带宽度为400至500nm的发光材料的层，以产生蓝色或者带蓝色的发射光。应当注意的是，本发明的三嗪衍生物既可以用于主剂也可以用于掺杂剂。
进一步地，为了获得蓝色或者带蓝色的发射光，包含本发明三嗪衍生物的层之外，还可以使用9，10-双(2-萘基)-叔-丁基蒽(缩写：t-BuDNA)、9，9′-联蒽、9，10-双苯基蒽(缩写：DPA)、9，10-双(2-萘基)蒽(缩写：DNA)、双(2-甲基8-羟基喹啉)-4-苯基酚合镓(缩写：BGaq)、双(2-甲基-8-羟基喹啉)-4-苯基酚合铝(缩写：BAlq)等等。然而，该发光物质不局限于这些材料，能够产生发射光谱峰为400至500nm的发射光的材料都可以被使用。
当第二层112被形成为具有用于红色(R)、绿色(G)、以及蓝色(B)的每一种发光物质时，可以另外提供滤色器或者颜色转换层来调整每一个发光光谱峰的峰等等。滤色器和颜色转换层可以形成在发射光引出的一侧，也就是说，既可以被放置在薄膜晶体管形成的底物一侧也可以被放置在与底物对立的一面。
可以通过蒸发法来制造第二层112。在形成混合层的情况下，可以使用共蒸发法。用于形成第二层112的共蒸发法可用于联合相似类型和不同类型的方法，例如电阻加热蒸发的共蒸发法、电子束蒸发的共蒸发、电阻加热蒸发和电子束蒸发的共蒸发、电阻加热蒸发和溅射的沉积、以及电子束沉积和溅射的共沉积。虽然上述例子被用于包含二种材料的层，但是包含三种或者更多种材料的层可以通过联合如上所述的相似类型和不同类型的方法来形成。
第三层113是产生电子的层(电子产生层)。本发明的三嗪衍生物可以用于该第三层113，也就是产生电子的层。作为这样的层，例如，除了包含本发明三嗪衍生物的层之外，还可以例举的有包含电子传导物质和相对于该电子传导物质显示出供电子性能的物质的层。
应当注意的是，电子传导物质是其中电子传导性能高于空穴传导性能的物质。例如，可以使用金属配合物，例如三(8-羟基喹啉)合铝(缩写：Alq3)、三(4-甲基-8-羟基喹啉)合铝(缩写：Almq3)、双(羟基苯并[h]-喹啉)合铍(缩写：BeBq2)、双(2-甲基-8-羟基喹啉)-4-苯基酚合铝(缩写：BAlq)、双[2-(2-羟基苯基)苯并唑]合锌(缩写：Zn(BOX)2)，以及双[2-(2-羟基苯基)苯并噻唑]合锌(缩写：Zn(BTZ)2)。以下材料可以作为电子传导物质使用：2-(4-联苯基)-5-(4-叔-丁基苯基)-1，3，4-二唑(缩写：PBD)；1，3-双[5-(对-叔-丁基苯基)-1，3，4-二唑-2-基]苯(缩写：OXD-7)；3-(4-叔-丁基苯基)-4-苯基-5-(4-联苯基)-1，2，4-三唑(缩写：TAZ)；3-(4-叔-丁基苯基)-4-(4-乙基苯基)-5-(4-联苯基)-1，2，4-三唑(缩写：p-EtTAZ)；红菲咯啉(缩写：BPhen)；浴铜灵(缩写：BCP)；4，4′-双(5-甲基-苯并唑-2-基)均二苯乙烯(缩写：BzOs)；等等。进一步地，该第三层113可以通过使用N型半导体来形成。然而，电子传导物质不局限于这些。
对于相对于电子传导物质显示出供电子性能的物质，可以使用选自碱金属和碱土金属的材料，具体地说，锂(Li)、钙(Ca)、钠(Na)、钾(K)、镁(Mg)等等。进一步地，具体的材料包括上述碱金属和碱土金属的氧化物、碱金属的氮化物、碱土金属的氮化物，具体地说，氧化锂(Li2O)、氧化钙(CaO)、氧化钠(Na2O)、氧化钾(K2O)、氧化镁(MgO)、氟化锂(LiF)、氟化铯(CsF)、氟化钙(CaF2)。然而，相对于电子传导物质显示出供电子性能的物质不局限于这些。优选地包含相对于电子传导物质显示出供电子性能的物质以致该相对于电子传导物质显示出供电子性能的物质的摩尔比率(＝相对于电子传导物质显示出供电子性能的物质/电子传导物质)为0.5至2。
另外地，该第三层113可以是由例如氧化锌、硫化锌、硒化锌、氧化锡或者二氧化钛所组成的层。
当本发明的三嗪衍生物运用于产生电子的层并且形成其中混合了三嗪衍生物和金属氧化物的层时，优选地使用氧化锂(Li2O)、氧化钙(CaO)、氧化钠(Na2O)、氧化钾(K2O)、氧化镁(MgO)、以及氟化锂(LiF)中的任意一种作为该金属氧化物。此外，对于产生电子的层，可以使用氟化铯(CsF)和氟化钙(CaF2)中的任意一种。例如，在使用氧化锂的情况下，可以相信三嗪衍生物起电子传导物质的作用并且氧化锂起相对于电子传导物质显示出供电子性能的物质的作用。
该第三层113可以通过蒸发法来制造。在形成混合层的情况下，可以使用共蒸发法。用于形成第三层113的共蒸发法可用于联合相似类型和不同类型的方法，例如电阻加热蒸发的共蒸发法、电子束蒸发的共蒸发、电阻加热蒸发和电子束蒸发的共蒸发、电阻加热蒸发和溅射的沉积、以及电子束蒸发和溅射的沉积。虽然上述例子假定该层包括两种材料，但是包含三种或者更多种材料的层可以通过联合如上所述的相似类型和不同类型的方法来形成。
第一层111至第三层113可以通过相同的方法来形成，特别是，第一层111至第三层113可以通过多室来形成。因此，这些层可以不暴露于空气中连续地形成。不暴露于空气中连续地形成第一层111至第三层113，这样使得减少杂质混入分界面中等成为可能。
在上述的发光元件中，在被包括在第二层112中的层中，在被包括在第三层113中的电子传导物质和被包括在与第三层113接触的层的物质之间的电子亲合性差异优选为2eV或者更少，更优选地，为1.5eV或者更少。当第三层113包含N型半导体时，在被包括在第二层112中的层中，N型半导体的功函和被包括在与第三层113接触的层的材料的电子亲合性之间的差异优选为2eV或者更少，更优选地，为1.5eV或者更少。因此，通过使第二层112与第三层113接触，可以容易地将电子从第三层113注入到第二层112中。
应当注意的是，本发明具有包括位于一对电极之间的三嗪衍生物以及不限于图1所示的发光元件结构的发光元件的特征。例如，尽管显示了其中具有与第三层113接触的电子传导层124的结构，可能有一种其中不具有电子传导层124的情况。然后，提供了和第三层113接触的发光层123。在这种情况下，优选地将用于分散发光物质的材料运用于该发光层123。不具备空穴传导层122的情况是完全有可能的。
进一步地，可以将能够发光而不被分散的材料例如Alq3用于发光层123。因为例如Alq3的材料是具有优异载体输送性质的发光物质，仅仅由Alq3组成的层可以起发光层的作用而不用分散Alq3。在这种情况下，发光层123相当于发光物质本身。
进一步地，在第二层112中，可以提供起电子注入层作用的层，使得电子从第三层113注入第二层112更加容易。在第二层112中，可以提供起空穴注入层作用的层，使得空穴从第一层111注入第二层112更加容易。
以下，将描述电极。通过使用传导性材料来形成第一电极101和第二电极102。进一步地，必要的是在其中来自发光层的光被引出的那一侧上提供的电极除了具有传导性之外还具有光透射性质。同样也可以通过形成由非光透射性材料组成的非常薄的膜来获得光透射性质。
作为用于第一电极101的材料，除了铝之外还可以使用光透射性材料例如氧化铟锡(ITO)、包含二氧化硅的氧化铟锡(称为ITSO)、或者包含氧化锌的氧化铟。此外，可以使用金属材料例如金(Au)、铂(Pt)、镍(Ni)、钨(W)、铬(Cr)、钼(Mo)、铁(Fe)、钴(Co)、铜(Cu)或者钯(Pd)。然而，用于第一电极101的材料不局限于这些。
当使用如上所述的非光透射性材料并且第一电极101需要具有光透射性质时，可以形成由该材料组成的膜。
进一步地，对于该第一电极101，可以使用上述金属材料的单层或者复合层。因此，当复合层用于第一电极101时，可以使用这样的一种结构，其中上述材料被制成薄的并且在其上层叠有光透射性材料。当然，第一电极101可以借助于该薄的材料作为单一层来形成。可以使用辅助金属线通过将第一电极101制成薄的来防止阻力的增加。进一步地，可以通过在电极中使用复合层来防止阻力的增加。
作为用于第二电极102的材料，可以使用光透射性材料例如氧化铟锡(ITO)、包含二氧化硅的氧化铟锡(ITSO)、或者包含氧化锌的氧化铟。此外，可以使用金属材料例如金(Au)、铂(Pt)、镍(Ni)、钨(W)、铬(Cr)、钼(Mo)、铁(Fe)、钴(Co)、铜(Cu)或者钯(Pd)。然而，第二电极102的材料不局限于这些。
当上述材料具有非光透射性质并且第一电极101需要具有透射性时，可以将上述材料制成薄的厚度。
进一步地，对于该第二电极102，可以使用上述金属材料的单层或者复合层。因此，当复合层用于第二电极102时，可以使用这样的一种结构，其中上述材料被制成薄的并且在其上层叠有光透射性材料。当然，第二电极102可以借助于该薄的材料作为单一层来形成。可以使用辅助金属线通过将第二电极102制成薄的来防止阻力的增加。进一步地，可以通过在电极中使用复合层来防止阻力的增加。
第一电极101或者第二电极102可以通过溅射、蒸发法等等来形成。当使用蒸发法时，可以在不暴露于空气的条件下连续地形成第一电极101、第一层111至第三层113以及第二电极102。在不暴露于空气的条件下连续地形成该发光元件使减少杂质混入分界面中等成为可能。
(具体实施方案2)
在该具体实施方案中，将要描述一种发光元件的结构，该结构不同于上述具体实施方案中的发光元件。
如图2所示，本具体实施方案所展示的发光元件具有彼此对立的第一电极101和第二电极102以及具有第一层111、第二层112、第三层113和第四层128，它们从第一电极101起以此次序堆叠，其特征是提供了第四层128。第四层128可以由与第一层111相似的材料来形成，并且其它结构和上述具体实施方案1相似。因此，将省略对该结构的描述。
提供如上所述的第四层128使减少对形成第二电极102的损害成为可能。
将其中至少一种选自例如氧化钒、氧化钼、氧化铌、氧化铼、氧化钨、氧化钌、二氧化钛、氧化铬、氧化锆、二氧化铪以及氧化钽的氧化物的层混合作为包含在第四层128中的材料。进一步地，可以使用这些金属的氮化物和氮氧化物。当使用这些金属氧化物等等时，即使当第四层128被制造得更厚，也没有必要增加驱动电压。
通过将第四层128制造得更厚，可以预期对形成第二电极102的损害能进一步地减少。
(具体实施方案3)
在本具体实施方案中，将会描述三嗪衍生物。
本发明的三嗪衍生物由通式(8)表示。
Figure A20058004086400251
在通式(8)中，R19至R21各自独立地为由以下通式(9)至(15)所表示的基团中的任意一种。
Figure A20058004086400252
在通式(9)表示的基团中，R24和R25是各自独立的，或者键合形成环。当R24和R25是独立时，R24和R25各自是氢、具有1至6个碳原子的烷基、具有6至30个碳原子(优选地，6至14个碳原子)的芳基、以及具有2至18个碳原子(优选地，2至10个碳原子)的杂芳族基团(杂芳基)中的任意一种。本发明中的烷基包括脂肪族杂环基团。然而，优选使用链烷基，因为对该三嗪衍生物的处理是容易的。芳基和杂芳族基团中优选碳原子数是在考虑了原料和这种三嗪衍生物处理的容易程度的情况下而决定的。
进一步地，优选该杂芳族基团具有5元环的单环结构、6元环的单环结构、包含5元环和6元环中的任意一种的多环结构，或者同时包含5元环和6元环的多环结构。此外，杂芳族基团包含氮、氧和硫中的任意一种原子。
当R24和R25键合形成环时，该环是具有3至10个碳原子(优选地，6个碳原子)的脂环。脂环中优选碳原子数是在考虑了原料和这种三嗪衍生物处理的容易程度的情况下而决定的。当脂环中的碳原子数大量增加时，化合物的熔点(Tg)可能会大大地降低，并且可能因此难以处理该化合物。
R22、R23、R26和R27是各自独立的，或者R22和R23以及R26、和R27各自键合形成环。当R22、R23、R26和R27是各自独立的时，R22、R23、R26和R27各自是氢、具有1至6个碳原子的烷基、具有1至6个碳原子的烷氧基、卤素、具有1至6个碳原子的酰基、具有1至6个碳原子的烷氧羰基、具有6至30个碳原子的芳基(优选地，6至14个碳原子)以及具有2至18个碳原子(优选地，2至14个碳原子)的杂芳族基团(杂芳基)中的任意一种。应当注意的是，在本发明中烷基包括脂肪族杂环基团。然而，优选使用链烷基，因为对该三嗪衍生物的处理是容易的。在芳基和杂芳族基团中的优选碳原子数是在考虑了原料和这种三嗪衍生物处理的容易程度的情况下而决定的。
进一步地，优选该杂芳族基团具有5元环的单环结构、6元环的单环结构、包含5元环和6元环中的任意一种的多环结构，或者同时包含5元环和6元环的多环结构。此外，杂芳族基团包含氮、氧和硫中的任意一种原子。
当R22和R23R26和R27各自键合形成环时，这些环是具有3至10个碳原子(优选地，6个碳原子)的脂环。脂环中优选碳原子数是在考虑了原料和这种三嗪衍生物处理的容易程度的情况下而决定的。当脂环中的碳原子数大量增加时，化合物的熔点(Tg)可能会大大地降低，并且可能因此难以处理该化合物。
在通式(10)表示的基团中，R28至R31是各自独立的，并且各自是氢、具有1至6个碳原子的烷基、具有1至6个碳原子的烷氧基、卤素、具有1至6个碳原子的酰基、具有1至6个碳原子的烷氧羰基、具有6至30个碳原子的芳基(优选地，6至14个碳原子)以及具有2至18个碳原子(优选地，2至14个碳原子)的杂芳族基团(杂芳基)中的任意一种。应当注意的是在本发明中烷基包括脂肪族杂环基团。然而，优选使用链烷基，因为对该三嗪衍生物的处理是容易的。芳基和杂芳族基团中优选碳原子数是在考虑了原料和这种三嗪衍生物处理的容易程度的情况下而决定的。
进一步地，优选该杂芳族基团具有5元环的单环结构、6元环的单环结构、包含5元环和6元环的任意一种的多环结构，或者同时包含5元环和6元环的多环结构。此外，杂芳族基团包含氮、氧和硫中的任意一种原子。
在通式(11)表示的基团中，R32是具有6至30个碳原子(优选地，6至14个碳原子)的芳基和具有2至18个碳原子(优选地，2至10个碳原子)的杂芳族基团(杂芳基)中的任意一种。芳基和杂芳族基团中优选碳原子数是在考虑了原料和这种三嗪衍生物处理的容易程度的情况下而决定的。该芳基可以具有取代基，例如具有1至6个碳原子的烷基、具有1至6个碳原子的烷氧基、具有1至6个碳原子的酰基、具有1至6个碳原子的烷氧基羰基以及卤素，或者该芳基可以是未取代的。应当注意的是在本发明中烷基包括脂肪族杂环基团。然而，优选使用链烷基，因为对该三嗪衍生物的处理是容易的。
进一步地，优选该杂芳族基团具有5元环的单环结构、6元环的单环结构、包含5元环和6元环的任意一种的多环结构，或者同时包含5元环和6元环的多环结构。此外，杂芳族基团包含氮、氧和硫中的任意一种原子。
此外，该芳基和杂芳族基团可以各自与另外的芳环和另外的杂环稠合。
在通式(12)表示的基团中，R33至R36是各自独立的，并且各自是氢、具有1至6个碳原子的烷基、具有1至6个碳原子的烷氧基、具有1至6个碳原子的酰基、具有1至6个碳原子的烷氧羰基以及卤素中的任意一种。应当注意的是，在本发明中烷基包括脂肪族杂环基团。然而，优选使用链烷基，因为对该三嗪衍生物的处理是容易的。彼此相邻的R33和R34、R34和R35、或者R35和R36可以结合形成芳环。该芳环可以包括桥氧基等等。
在通式(13)表示的基团中，R36至R39是各自独立的，或者键合形成环。当R36至R39是各自独立的时，R36至R39为氢。当R37和R38以及R39和R40各自键合形成环时，该环为芳环。应当注意的是R37和R38的键合以及R39和R40的键合各自是独立的。
R41是具有1至6个碳原子的烷基、具有6至30个碳原子(优选地，6至14个碳原子)的芳基以及具有2至18个碳原子(优选地，2至10个碳原子)的杂芳族基团(杂芳基)中的任意一种。应当注意的是，在本发明中烷基包括脂肪族杂环基团。然而，优选使用链烷基，因为对该三嗪衍生物的处理是容易的。芳基和杂芳族基团中优选碳原子数是在考虑了原料和这种三嗪衍生物处理的容易程度的情况下而决定的。该芳基可以具有取代基例如二烷基氨基，或者是未被取代的。
优选该杂芳族基团具有5元环的单环结构、6元环的单环结构、包含5元环和6元环中的任意一种的多环结构，或者同时包含5元环和6元环的多环结构。此外，杂芳族基团包含氮、氧和硫中的任意一种原子。
在通式(14)表示的基团中，R42至R43是各自独立的，并且各自是氢、具有6至30个碳原子(优选地，6至14个碳原子)的芳基、具有2至18个碳原子(优选地，2至10个碳原子)的杂芳族基团(杂芳基)或者氰基。优选碳原子数是在考虑了原料和这种三嗪衍生物处理的容易程度的情况下而决定的。该芳基可以含有取代基例如具有1至6个碳原子的烷基、具有6至30个碳原子(优选地，6至14个碳原子)的芳基以及卤素，或者是未被取代的。应当注意的是，在本发明中烷基包括脂肪族杂环基团。然而，优选使用链烷基，因为对该三嗪衍生物的处理是容易的。
优选该杂芳族基团具有5元环的单环结构、6元环的单环结构、包含5元环和6元环中的任意一种的多环结构，或者同时包含5元环和6元环的多环结构。此外，杂芳族基团包含氮、氧和硫中的任意一种原子。
在通式(15)表示的基团中，Y是芳族基团、杂环或者脂环。应当注意的是，该芳族基团可以具有取代基例如桥氧基，或者是未取代的。进一步地，优选该杂环具有5元环的单环结构、6元环的单环结构、包含5元环和6元环中的任意一种的多环结构，或者同时包含5元环和6元环的多环结构。此外，该杂环优选包含氮、氧和硫中的任意一种原子。R44和R45是各自独立的或者键合形成环。当R44和R45是各自独立的时，R44和R45各自是氢、具有6至30个碳原子(优选地，6至14个碳原子)的芳基、具有2至18个碳原子(优选地，2至10个碳原子)的杂芳族基团(杂芳基)以及具有1至6个碳原子的烷基。应当注意的是，在本发明中烷基包括脂肪族杂环基团。然而，优选使用链烷基，因为对该三嗪衍生物的处理是容易的。在芳基和杂芳族基团中，优选碳原子数是在考虑了原料和这种三嗪衍生物处理的容易程度的情况下而决定的。
优选该杂芳族基团具有5元环的单环结构、6元环的单环结构、包含5元环和6元环中的任意一种的多环结构，或者同时包含5元环和6元环的多环结构。此外，杂芳族基团包含氮、氧和硫中的任意一种原子。
当R44和R45键合形成环时，该环是具有3至10个碳原子(优选地，6个碳原子)的脂环。在脂环中优选碳原子数是在考虑了原料和这种三嗪衍生物处理的容易程度的情况下而决定的。当脂环中的碳原子数大量增加时，化合物的熔点(Tg)可能会大大地降低，并且可能因此难以处理该化合物。
通式(9)至(15)表示的基团的具体例子由结构式(16)至(65)表示。
Figure A20058004086400311
Figure A20058004086400321
Figure A20058004086400331
Figure A20058004086400341
Figure A20058004086400361
上述本发明的三嗪衍生物可以用作制造发光元件的材料。如上所述，按照本发明可以获得用于制造发光元件的新材料。
本具体实施方案可以与上述具体实施方案自由地结合。例如，可以通过共蒸发法来形成具有其中混合了本发明的三嗪衍生物和金属氧化物等等的层的发光元件。
(具体实施方案4)
在本具体实施方案中，将要描述具有上述发光元件的显示装置的结构。
在图3中，显示了这样一种面板，在该面板中，驱动电路例如信号线驱动电路302和扫描线驱动电路303被设置在像素部分300的周围。
该扫描线驱动电路303具有作为移位寄存器311、电平位移器312、以及缓冲器313的电路。例如栅起始脉冲(GSP)、栅时钟信号(GCK)等等的信号输入到移位寄存器311中。应当注意的是本发明的扫描线驱动电路不局限于这些。
进一步地，信号线驱动电路302具有起移位寄存器321、第一锁存器313、第二锁存器323、电平位移器324以及缓冲器325作用的电路。例如起始脉冲(SSP)等等的信号、例如视频信号等等的数据(DATA)，以及锁存(LAT)信号等等分别地输入到移位寄存器321、第一个锁存器322、以及第二锁存器323中。应当注意的是本发明的信号线驱动电路不局限于这些。
像素部分300具有大量的像素，并且每一像素都具有上述的发光元件。用于控制发光元件电流供应的半导体元件与每个发光元件相连接。在以下具体实施方案中将要描述具有发光元件的像素的横截面。应当注意的是本发明的像素部分不局限于这些，并且可以具有被动类型的结构。
可以通过在相同的基底上提供的半导体元件来形成信号线驱动电路302、扫描线驱动电路303以及像素部分300。例如，可以使用装备在玻璃基底上的薄膜晶体管。进一步地，可以通过使用集成电路片使信号线驱动电路302或者扫描线驱动电路303固定在玻璃基底上。
本具体实施方案可以与上述任意一种具体实施方案自由地结合。
(具体实施方案5)
在本具体实施方案中，将要描述具有发光元件的像素的横截面。
图4A至4C显示了剖视图，其中使用p型薄膜晶体管(TFT)作为用于控制发光元件电流供应的半导体元件，并且以下将要描述在发光元件中第一电极作为阳极和第二电极作为阴极的情形。
图4A显示了其中TFT601为p型以及发光元件603发出的光从第一电极101侧引出的像素的剖视图。在图4A中，设置在基底600上的TFT601具有一层半导体薄膜，设置在该半导体薄膜上的门电极和插在它们之间的一层绝缘薄膜以及与在该半导体薄膜中形成的杂质区连接的导线。进一步地，在该发光元件603中TFT601的导线电连接至第一电极101。
该薄膜晶体管601被夹层绝缘薄膜608所覆盖，并且具有开口的分区(储存库)609被形成于夹层绝缘薄膜608上。在分区609的开口中，第一电极101是部分暴露的，并且第一电极101、电致发光层605和第二电极102以此顺序堆叠在该开口中。应当注意的是，本具体实施方案中的电致发光层605是指上述具体实施方案中的第一层111至第三层113以及另外的第四层128。换句话说，该电致发光层605是指位于第一电极101和第二电极102之间的层。
夹层绝缘薄膜608可以由有机树脂薄膜、无机绝缘薄膜或者绝缘薄膜来形成，其中绝缘薄膜包含由基于硅氧烷的材料作为原材料而形成的Si-O-Si键(以下称为“硅氧烷绝缘薄膜”)。应当注意的是硅氧烷具有由硅(Si)和氧(O)键形成的骨架结构，其中至少包含氢的有机基团(例如烷基或者芳香烃)被用作取代基。此外，也可以使用氟作为取代基。进一步地，可以使用至少包含氢和氟的有机基团作为取代基。夹层绝缘薄膜608也可以是通过使用所谓的低介电常数材料(low-k材料)而形成。夹层绝缘薄膜608既可以是单层也可以是层叠层。
分区609可以由有机树脂薄膜、无机绝缘薄膜或者硅氧烷绝缘薄膜形成。在使用有机树脂薄膜的情况下，例如，可以使用丙烯酸、聚酰亚胺或者聚酰胺。在使用无机绝缘薄膜的情况下，可以使用二氧化硅、氮氧化硅等等。分区609由感光性有机树脂薄膜形成并且在第一电极101上具有一个开口，它被制成这样以致于它的侧面具有一个具有连续的曲率的斜坡，因此防止了第一电极101和第二电极102的彼此接触。进一步地，该分区609既可以是单层也可以是层叠层。
在图4A中，为了将光引向第一电极101的一侧，第一电极101是通过使用一种材料形成的或者使其具有薄膜，其厚度足以透射光线。进一步地，第一电极101由适合用作阳极的材料形成。此外，除了上述光传递材料之外，第一电极101可以通过采用例如，由锡、氮化锆、钛、钨、镍、铂、铬、银、铝等等中的一种或多种组成的单层薄膜、氮化钛薄膜和包含铝作为主要成分的薄膜的层压层或者氮化钛薄膜、包括铝作为主要成分的薄膜以及氮化钛薄膜的三层结构来形成。然而，当使用除了光传递材料以外的材料时，第一电极101被形成为具有足以透射光线的厚度(优选地，约5nm至30nm)。
第二电极102由反射或者形成阻挡光的材料形成并且具有足以反射或者阻挡光线的厚度。进一步地，该第二电极102由适合用作阴极的材料形成。也就是说，可以使用金属、合金、具有低功函数的导电化合物、或者它们的混合物来形成第二电极102。具体地说，可以使用碱金属例如锂和铯、碱土金属例如镁、钙和锶、含有这些金属的合金(镁：银，铝：锂，镁：铟，等等)、这些金属的化合物(氟化钙或者氮化钙)、或者稀土金属例如镱和铒。
电致发光层605由一个信号层或者多个层组成。尽管上述具体实施方案显示了其中层与层之间的分界面是清晰的图形(参考图1和2)，但这些分界面并不总是必须为清晰的。形成各自层的材料可以部分混合以使分界面不清晰。
就图4A所显示的像素而言，如空心箭头所示，可以将发光元件发出的光从第一电极101侧引出。
图4B是这样一种像素的剖视图，在该像素中TFT601为p型并且发光元件603射出的光从第二电极102侧引出。在图4B中，发光元件603的第一电极101电连接于TFT601。进一步地，电致发光层605和第二电极102依次堆叠在第一电极101上。
第一电极101由反射或者形成阻挡光的材料形成并且具有足以反射或者阻挡光线的薄膜厚度。该第一电极101由适合用作阳极的材料形成。例如，第一电极101可以由锡、氮化锆、钛、钨、镍、铂、铬、银、铝等等的一种或多种的单层薄膜、氮化钛薄膜和包含铝作为主要成分的薄膜的叠层、或者氮化钛薄膜、包含铝作为主要成分的薄膜以及氮化钛薄膜的三层构造来形成。
第二电极102通过使用发光材料来形成或者使其具有足以透射光线的薄膜厚度。进一步地，第二电极102可以由金属、合金、具有低功函数的导电化合物或者它们的混合物来形成。具体地说，可以使用碱金属例如锂和铯、例如碱土金属镁、钙和锶、含有这些金属的合金(镁∶银，铝∶锂，镁∶铟，等等)、这些金属的化合物(氟化钙或者氮化钙)、或者稀土金属例如镱和铒。然后，将第二电极102形成为具有足以透射光线的厚度(优选地，约5nm至30nm)。应当注意的是，也可以使用透射光的传导性氧化物材料，例如氧化铟锡(ITO)、氧化锌(ZnO)、氧化铟锌(IZO)、以及掺杂镓的氧化锌(GZO)。此外，可以使用包含二氧化硅的氧化锌、包含二氧化硅的氧化铟锡(ITSO)、或者与氧化锌(ZnO)混合的ITSO。
可以以类似于图4A中的电致发光层605的方式形成该电致发光层605。
就图4B中所显示的像素而言，如空心箭头所示，由发光元件603射出的光线可以从第二电极102侧引出。
图4C是这样一种像素的剖视图，在该像素中TFT601为p型的并且发光元件603射出的光线从第一电极101和第二电极102两侧引出。在图4C中，发光元件603的第一电极101电连接于TFT601。此外，电致发光层605和第二电极102依次堆叠在第一电极101上。
可以以类似于图4A中所示的第一电极101的方式形成该第一电极101。可以以类似于图4B中所示的第二电极102的方式形成该第二电极102。该电致发光层605可以形成为类似于图4A中所示的电致发光层605。
就图4C中所显示的像素而言，如空心箭头所示，发光元件603射出的光线可以从第一电极101和第二电极102两侧引出。
应当注意的是，本发明的像素结构不局限于这些。例如，可以将N型TFT用于用来控制进入发光元件603的电流的半导体元件。在这种情况下，优选地将第一电极101作为阴极并且将第二电极102作为阳极。
进一步地，第一电极101和TFT601的导线的连接结构不局限于图4A至4C所示的那些。例如，TFT601中的导线可以在形成第一电极101之后形成。此外，第一电极101和TFT601的导线可以同时形成。
本具体实施方案可以自由地与如上所述的那些具体实施方案相结合。
(具体实施方案6)
在本具体实施方案中，将会描述一种用于实现全色显示的面板剖面结构，其中具有滤色器、颜色转化层，等等。
如图5所示，为了实现全色显示，可以依照上述具体实施方案中所显示的像素结构分别形成显示红色或带红色光(R)的像素、显示绿色或带绿色光(G)的像素以及显示蓝色或者带蓝色光(B)的像素。应当注意的是，在图5中，像素的半导体元件分别由601R、601G以及601B表示，并且其中的电致发光层分别由605R、605G、以及605B表示。
然后，使用位于相对的基底610将其封闭。因而，在相对立的基底601和基底600之间形成了一个空间。可以在该空间内充满惰性气体例如氮气或者树脂。因此，可以防止氧和水分渗透入电致发光层。此外，还可以通过适当地安置干燥剂来防止氧和水分的渗透。进一步地，可以安置一个用于保持相对立的基底601和基底600之间间距的隔板，并且该隔板可以具有干燥剂的作用。
在位于相对的基底610上，在相对于电致发光层605R、605G、以及605B的区域，分别设置作为滤色器或者颜色转化层的607R、607G、以及607B。进一步地，在与TFT 601R、601G以及601B相对立的区域中具有作为黑色矩阵的树脂611。
使用这种方法，可以形成用于从对位基底610侧引出光线的发光装置。发射光可以穿过滤色器等而被引出。因此，可以控制RGB各自的发光光谱宽度，并且可以提供一种实现清晰显示的发光装置。
尽管在本具体实施方案中，将显示RGB每一种光的原料用于电致发光层，然而原料不局限于这些。例如，上述显示白光的材料可以用于实现全色显示。
图6显示了一种实现全色显示的面板剖面结构，在该结构的基底600侧具有滤色器、颜色转化层等等。其它结构与图5中相同，并且它们的描述将被省略。
在面板剖面结构如图6所示的情况下，可以形成用于从基底600侧引出光线的发光装置。
类似地，当形成如图4C所示的用于从基底600和与其对立的基底610两侧引出光线的发光元件时，可以在基底600侧和与其对立的基底610侧上设置滤色器等等。
这样，本具体实施方案可以与上述任意的具体实施方案自由地结合。
(具体实施方式7)
在本具体实施方案中，将会描述用于上述显示设备的像素电路。
图7A是一个像素等效电路图的例子，其包括信号线6114、供电线路6115、扫描线6116、以及位于它们交叉部分的发光元件603、晶体管6110和6111、以及电容器6112。对于发光元件603，使用上述具体实施方案中介绍的结构。通过信号线驱动电路将视频信号输入信号线6114。晶体管6110可以根据输入扫描线6116的选择信号来控制对晶体管栅极的视频信号电势的供给。晶体管6111是一种驱动晶体管，其可以根据视频信号的电势来控制对发光元件603电流的供给。电容器6112可以保持晶体管6111的栅极和源极之间的电压。应当注意的是，尽管图7中举例了电容器6112，然而如果晶体管6111的栅电容或者其它寄生电容是足够的，则并不要求具有电容器。
图7B是这样一种像素的等效电路图，相对于图7A所显示的像素，其额外地具有晶体管6118和扫描线6119。通过该晶体管6118，晶体管6111的栅极和源极的电势可以彼此相等以致强制产生没有电流通入发光元件613的状态。因此，各个副帧周期的周期可以比视频信号输入所有像素的周期设置得更短。进一步地，甚至在图7A所显示的像素中都可以强制产生没有电流通入发光元件603的状态，这取决于驱动方法。
图7C是这样一种像素的等效电路图，相对于图7B所显示的像素，其额外地具有晶体管6125和导线6126。通过导线6126来调整晶体管6125的门电势。此外，晶体管6111和6125串联于供电线路6115和发光元件613之间。因此，在图7C中，晶体管6125控制提供给发光元件603的电流的量而晶体管6111控制是否提供电流给发光元件603。
应当注意的是，本发明的像素电路不局限于本具体实施方案中所显示的结构，并且除数字灰度等级之外可以使用模拟灰度等级。本具体实施方案可以与上述具体实施方案自由地结合。
(具体实施方案8)
具有本发明发光元件的电子装置包括：电视机(简单地称为TV，或者电视接收机)、数字照相机、数字视频照相机、移动式电话装置(简单地称为移动电话装置或者移动电话)、手提式信息终端例如PDA，手提式游戏机、计算机监测器、计算机、例如汽车声频装置的声音再生装置、例如家庭游戏机的具有记录媒体的图像再生装置，等等。以下将参照图8A至8F描述它们的具体例子。
图8A显示的手提式信息终端设备包括主体9201、显示器部分9202等等。本发明的发光装置可以被用于该显示器部分9202。因此，提供这样的一种手提式信息终端设备是可能的：在该设备中发光元件被制造得更厚并且可以获得较低的电力消耗而没有驱动电压的增加。
图8B中显示的数字视频照相机包括显示器部分9701、显示器部分9702，等等。本发明的发光装置可以被用于显示器部分9701。因此，有可能提供这样一种数字视频照相机：在该照相机中发光元件被制造得更厚并且可以获得较低的电力消耗而没有驱动电压的增加。
图8C中显示的移动电话包括机身9101、显示器部分9102，等等。本发明的发光装置可以被用于显示器部分9102。因此，有可能提供这样一种移动电话：在该移动电话中发光元件被制造得更厚并且可以获得较低的电力消耗而没有驱动电压的增加。
图8D显示的便携式电视机包括机身9301、显示器部分9302，等等。本发明的发光装置可以被用于显示器部分9302。因此，有可能提供这样一种便携式电视机：在该电视机中发光元件被制造得更厚并且可以获得较低的电力消耗而没有驱动电压的增加。进一步地，本发明的发光装置可以被用于不同种类的电视机，例如并入便携式终端(例如移动电话机)的小型电视机、携带式的中型电视机、以及大型电视机(例如，大小为40英寸或更大)。
图8E中显示的便携式计算机包括机身9401、显示器部分9402，等等。本发明的发光装置可以被用于显示器部分9402。因此，有可能提供这样一种便携式计算机：在该计算机中发光元件被制造得更厚并且可以获得较低的电力消耗而没有驱动电压的增加。
图8F中显示的电视机包括机身9501、显示器部分9502，等等。本发明的发光装置可以被用于显示器部分9502。因此，有可能提供这样一种电视机：在该电视机中发光元件被制造得更厚并且可以获得较低的电力消耗而没有驱动电压的增加。
因此，依据本发明有可能提供这样一种电子装置：在该装置中发光元件被制造得更厚并且可以获得较低的电力消耗而没有驱动电压的增加。
[实施例]
(合成实施例1)
以下将会描述2，4，6-三(吖啶酮-N-基)-1，3，5-三嗪的合成方法。
将吖啶酮(10.0g，54.6mmol)缓慢加入到在冰中冷却的氢化钠(60％油状，2.4g，60mmol)的THF(四氢呋喃)悬浮液(200mL)中。将该悬浮液在室温下搅拌30分钟，并且将干燥的氰尿酰氯(2.50g，13.8mmol)的THF溶液(50mL)滴入该溶液中。在室温下搅拌12小时后，加热回流6小时。然后，将约100mL乙醇加入到反应混合物中，并且过滤得到沉淀的固体。将该获得的固体溶解于热氯仿中，并且使用硅藻土过滤。将滤液浓缩以进行重结晶，并且以77％的收率获得浅黄色化合物。
所获得的化合物通过NMR(核磁共振)测定可以证实该获得的化合物为由结构式(66)表示的1，3，5-三(吖啶酮-N-基)三嗪。
Figure A20058004086400441
以下是NMR(核磁共振)光谱数据。
1H NMR(300MHz，CDCl3)δ7.37-7.51(m，12H)，7.67(d，6H，J＝8.4Hz)，8.35(dd，6H，J＝1.8，7.8Hz).13C NMR(75.5MHz，CDCl3)δ121.8，124.9，126.1，127.1，132.6，136.4，140.5，179.7.
进一步地，使用熔点测定器(由As One公司制造，ATM-01)测量该获得的化合物，发现熔点超过300或更高。
此外，通过蒸发法将该获得的化合物沉淀。然后，当用光电子分光计(由Riken Keiki有限公司制造，AC-2)测量其在细小薄膜状态中的电离电位时，该电离电位为-5.6eV。当使用UV/VIS分光计(由JASCO公司制造，V-550)测量其在细小薄膜状态中的吸收光谱时，在吸收光谱的较长波长一侧的吸收边缘的能级为3.0eV。它确定了由结构式(66)代表的物质的HOMO能级和LUMO能级分别为-5.6eV和-2.6eV，并且该HOMO能级和LUMO能级之间的能带宽度为3.0eV。
(合成实施例2)
以下将描述2，4，6-三(10-苯基-二氢吩嗪-5-基)-1，3，5-三嗪的合成方法。在室温、氮气气氛下，将苯基锂(2.0M二丁基醚溶液，53.0mmol)滴入干燥的吩嗪(10.1g，56.0mmol)甲苯溶液(180mL)中。在室温下干燥12小时后，将干燥的氰尿酰氯(2.40g，13.2mmol)THF溶液(50mL)滴入该溶液中。将反应混合物加热回流6小时，并且加入水以进行与甲苯的萃取。应当注意的是通过过滤来除去萃取期间沉淀的不溶物。用饱和水溶液洗涤甲苯层，然后进行干燥，过滤，以及用硫酸镁浓缩。向所得到的固体中加入约300mL的乙醚以通过过滤获得不溶解于醚的部分。将该固体用氯仿/乙醇重结晶(两次)纯化，然后获得浅棕色化合物(产率为45％)。
所获得的化合物通过NMR(核磁共振)测定可以证实该获得的化合物为由结构式(67)表示的物质(2，4，6-三(10-苯基-二氢吩嗪-5-基)-1，3，5-三嗪)。
Figure A20058004086400451
以下是NMR(核磁共振)光谱数据。
1H NMR(300MHz，CDCl3)δ6.25(dd，6H，J＝1.5，8.4Hz)，6.77-6.86(m，12H)，7.36-7.58(m，21H)

Claims (6)

1.一种发光元件，包括：
一对电极，以及
一个位于这对电极之间的层，该层包含金属氧化物以及由通式(1)代表的三嗪衍生物，
Figure A2005800408640002C1
其中，在通式(1)中，R1至R12是各自独立的，或者R1和R2、R3和R4、R5和R6、R7和R8、R9和R10以及R11和R12中的任意一组键合形成环，当R1至R12是各自独立的时，R1至R12各自是氢、具有1至6个碳原子的烷基、具有1至6个碳原子的烷氧基、卤素、具有1至6个碳原子的酰基、具有1至6个碳原子的烷氧基羰基、具有6至30个碳原子，优选6至14个碳原子的芳基、以及具有2至18个碳原子，优选2至14个碳原子的杂芳族基团中的任意一种，
所述杂芳族基团具有5元环的单环结构、6元环的单环结构、包含5元环和6元环中的任意一种的多环结构、或者同时包含5元环和6元环的多环结构，并且包含氮、氧和硫中的任意一种原子，
当R1和R2、R3和R4、R5和R6、R7和R8、R9和R10以及R11和R12中的任意一组键合形成环时，该环是芳环、杂环和脂环中的任意一种，
R1和R2的键合、R3和R4的键合、R5和R6的键合、R7和R8的键合、R9和R10的键合、以及R11和R12的键合是各自独立的，R1和R2键合形成芳环、杂环和脂环中的任意一种，并且R3至R12各自是氢或者取代基，
该芳环与另一芳环稠合，
芳环、杂环和脂环各自具有取代基，例如桥氧基和具有1至6个碳原子的烷基，并且
X1、X2以及X3各自表示式(2)至(7)的任意一种基团，
Figure A2005800408640003C1
其中，在式(2)中，R13和R14是各自独立的或者键合形成环，
当R13和R14是各自独立的时，R13和R14各自是氢、具有1至6个碳原子的烷基、具有6至30个碳原子，优选6至14个碳原子的芳基、以及具有2至18个碳原子，优选2至10个碳原子的杂芳族基团中的任意一种，
在式(2)中，芳基和杂芳族基团各自具有取代基，
所述杂芳族基团具有5元环或者6元环的单环结构、包含5元环和6元环中的任意一种或者同时包含这两种的多环结构，并且包含氮、氧和硫中的任意一种原子，
当R13和R14键合形成环时，该环是具有3至10个碳原子，优选6个碳原子的脂环，
其中，在式(5)中，R15是氢、具有6至30个碳原子，优选6至14碳原子的芳基、以及具有2至18个碳原子，优选2至10个碳原子的杂芳族基团中的任意一种，
在式(5)中，芳基可以具有一个或两个或多个取代基，例如具有1至6个碳原子的烷基、具有1至6个碳原子的酰基、卤素以及桥氧基，或者可以是未被取代的，并且
所述杂芳族基团具有5元环的单环结构、6元环的单环结构、包含5元环和6元环中的任意一种的多环结构、或者同时包含5元环和6元环的多环结构，并且包含氮、氧、和硫中的任意一种原子，
其中，在式(6)中，R16和R17是各自独立的，并且是氢、具有6至30个碳原子的芳基、具有2至18个碳原子，优选2至10个碳原子的杂芳族基团、以及氰基中的任意一种，
在式(6)中，芳基可以具有一个或多个取代基，例如具有1至6个碳原子的烷基、卤素、以及具有6至30个碳原子，优选6至14个碳原子的芳基，或者是未取代的，并且
所述杂芳族基团具有5元环的单环结构、6元环的单环结构、包含5元环和6元环中的任意一种的多环结构、或者同时包含5元环和6元环的多环结构，并且包含氮、氧和硫中的任意一种原子，
其中，在式(7)中，R18是氢、具有1至6个碳原子的烷基、具有6至30个碳原子，优选6至14个碳原子的芳基、以及具有2至18个碳原子，优选2至10个碳原子的杂芳族基团中的任意一种，
在式(7)中，芳基具有取代基例如二烷基氨基，并且
所述杂芳族基团具有5元环的单环结构、6元环的单环结构、包含5元环和6元环中的任意一种的多环结构、或者同时包含5元环和6元环的多环结构，并且包含氮、氧、和硫中的任意一种原子。
2.根据权利要求1的发光元件，其中金属氧化物为氧化钼、氧化钒、氧化钛、氧化锂或者氧化铼。
3.根据权利要求1的发光元件，其中该发光元件包括位于一对电极之间的具有频带宽度为400至500nm的发射波长的发光物质。
4.一种发光装置，包括：
半导体层，
装备在该半导体层上的一对电极，以及
依次装备在该对电极之间的第一层、第二层和第三层，
其中第一层至第三层中的任意一层具有一种包含金属氧化物和由通式(1)表示的三嗪衍生物的层，
Figure A2005800408640005C1
其中，在通式(1)中，R1至R12是各自独立的，或者R1和R2、R3和R4、R5和R6、R7和R8、R9和R10以及R11和R12中的任意一组键合形成环，当R1至R12是各自独立的时，R1至R12各自是氢、具有1至6个碳原子的烷基、具有1至6个碳原子的烷氧基、卤素、具有1至6个碳原子的酰基、具有1至6个碳原子的烷氧基羰基、具有6至30个碳原子，优选6至14个碳原子的芳基、以及具有2至18个碳原子，优选2至14个碳原子的杂芳族基团中的任意一种，
所述杂芳族基团具有5元环的单环结构、6元环的单环结构、包含5元环和6元环中的任意一种的多环结构、或者同时包含5元环和6元环的多环结构，并且包含氮、氧和硫中的任意一种原子，
当R1和R2、R3和R4、R5和R6、R7和R8、R9和R10以及R11和R12中的任意一组键合形成环时，该环是芳环、杂环和脂环中的任意一种，
R1和R2的键合、R3和R4的键合、R5和R6的键合、R7和R8的键合、R9和R10的键合、以及R11和R12的键合是各自独立的，R1和R2结合成芳环、杂环和脂环中的任意一种，并且R3至R12各自是氢或者取代基，
该芳环与另一芳环稠合，
芳环、杂环和脂环各自具有取代基，例如桥氧基和具有1至6个碳原子的烷基，并且
X1、X2以及X3各自表示式(2)至(7)的任意一种基团，
Figure A2005800408640006C1
其中，在式(2)中，R13和R14是各自独立的或者键合形成环，
当R13和R14是各自独立的时，R13和R14各自是氢、具有1至6个碳原子的烷基、具有6至30个碳原子，优选6至14个碳原子的芳基、以及具有2至18个碳原子，优选2至10个碳原子的杂芳族基团中的任意一种，
在式(2)中，芳基和杂芳族基团各自具有取代基，
所述杂芳族基团具有5元环或者6元环的单环结构、包含5元环和6元环中的任意一种或者同时包含这两种的多环结构，并且包含氮、氧和硫中的任意一种原子，
当R13和R14键合形成环时，该环是具有3至10个碳原子，优选6个碳原子的脂环，
其中，在式(5)中，R15是氢、具有6至30个碳原子，优选6至14碳原子的芳基、以及具有2至18个碳原子，优选2至10个碳原子的杂芳族基团中的任意一种，
在式(5)中，芳基可以具有一个或两个或多个取代基，例如具有1至6个碳原子的烷基、具有1至6个碳原子的酰基、卤素以及桥氧基，或者可以是未被取代的，
并且杂芳族基团具有5元环的单环结构、6元环的单环结构、包含5元环和6元环中的任意一种的多环结构、或者同时包含5元环和6元环的多环结构，并且包含氮、氧和硫中的任意一种原子，
其中，在式(6)中，R16和R17是各自独立的，并且是氢、具有6至30个碳原子的芳基、具有2至18个碳原子，优选2至10个碳原子的杂芳族基团、以及氰基中的任意一种，
在式(6)中，芳基可以具有一个或多个取代基，例如具有1至6个碳原子的烷基、卤素、以及具有6至30个碳原子，优选6至14个碳原子的芳基，或者是未取代的，并且
所述的杂芳族基团具有5元环的单环结构、6元环的单环结构、包含5元环和6元环中的任意一种的多环结构、或者同时包含5元环和6元环的多环结构，并且包含氮、氧和硫中的任意一种原子，
其中，在式(7)中，R18是氢、具有1至6个碳原子的烷基、具有6至30个碳原子，优选6至14个碳原子的芳基、以及具有2至18个碳原子，优选2至10个碳原子的杂芳族基团中的任意一种，
在式(7)中，芳基具有取代基例如二烷基氨基，并且
所述的杂芳族基团具有5元环的单环结构、6元环的单环结构、包含5元环和6元环中的任意一种的多环结构、或者同时包含5元环和6元环的多环结构，并且包含氮、氧、和硫中的任意一种原子。
5.根据权利要求4的发光装置，其中金属氧化物是氧化钼、氧化钒、氧化钛、氧化锂或者氧化铼。
6.根据权利要求4的发光装置，其中发光元件包括位于一对电极之间的具有频带宽度为400至500nm的发射波长的发光物质。
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