KR20070083541A - Low voiding no flow fluxing underfill for electronic devices - Google Patents

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KR20070083541A
KR20070083541A KR1020077005244A KR20077005244A KR20070083541A KR 20070083541 A KR20070083541 A KR 20070083541A KR 1020077005244 A KR1020077005244 A KR 1020077005244A KR 20077005244 A KR20077005244 A KR 20077005244A KR 20070083541 A KR20070083541 A KR 20070083541A
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제임스 엠. 허레이
마크 윌슨
시아오윤 예
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프라이스 메탈스, 인크.
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Abstract

A no flow fluxing underfill having a hardener component comprising a phenolic component and an anhydride component in a molar ratio of phenolic component to anhydride component of between about 0.1:1 and about 2:1; or between about 0.8:1 and about 1.2:1. An underfill preparation method involving blending an epoxy component and a phenolic component, heating the blend, and cooling the blend, prior to incorporation of an anhydride component.

Description

전자소자를 위한, 낮은 공극 형성성을 갖는 비-유동 플럭싱 언더필{LOW VOIDING NO FLOW FLUXING UNDERFILL FOR ELECTRONIC DEVICES}LOW VOIDING NO FLOW FLUXING UNDERFILL FOR ELECTRONIC DEVICES

본 발명은 언더필 조성물, 및 땜납 접합부를 갖는 전자소자에서의 소자 부착 방법에 관한 것이다. The present invention relates to an underfill composition and a method for attaching an element in an electronic device having a solder joint.

레지스터, 커패시터, 인덕터, 트랜지스터, 집적회로 및 칩 캐리어와 같은 전기부품들은 전형적으로 두 가지의 구조들 중 하나에 따라 회로 기판 상에 탑재된다. 첫번째 구조에서, 부품들은 기판의 한 쪽 면 상에 탑재되며, 부품들로부터 유래된 납은 기판 내의 구멍을 통해 이어져 기판의 반대쪽 면 상에서 납땜된다. 두번째 구조에서, 부품들은 이것들이 탑재된 면과 동일한 기판 면에 납땜된다. 이러한 후자의 소자를 "표면-탑재(surface-mounted)"되었다고 한다.Electrical components such as resistors, capacitors, inductors, transistors, integrated circuits, and chip carriers are typically mounted on a circuit board according to one of two structures. In the first structure, the parts are mounted on one side of the substrate, and lead from the parts is led through holes in the substrate and soldered on the opposite side of the substrate. In the second structure, the parts are soldered to the same substrate side on which they are mounted. This latter device is referred to as "surface-mounted".

전자부품들의 표면-탑재는 소형 회로 구조물을 제조하는데 사용되고 공정 자동화에 매우 적합하다. 격자 배열 패키지(area array package)라고 지칭되는 표면-탑재 소자의 한 유형은, 소자의 하면 상에 탑재된 패드에 부착된 수많은 접합용 납을 갖는 집적회로와 같은 전자부품을 포함한다. Surface-mounting of electronic components is used to manufacture small circuit structures and is well suited for process automation. One type of surface-mount device, referred to as an area array package, includes electronic components such as integrated circuits with numerous bonding leads attached to pads mounted on the bottom surface of the device.

격자 배열 패키지의 예는 플립칩, 칩 스케일 패키지(chip scale package: CSP) 및 볼 그리드 어레이(ball grid array: BGA)를 포함한다. 격자 배열 패키지 의 사용과 관련하여, 회로 기판 또는 소자에는, 각 소자의 하면 상의 패드와 회로 기판의 표면 상의 패드에 상응하는 위치에 위치한 작은 땜납 범프(bump) 또는 볼(ball)(이하 "범프" 또는 "땜납 범프"라고 지칭됨)이 제공된다. (a) 땜납 범프가 기판 상의 패드와 소자 상의 상응하는 패드 사이에 끼이도록, 소자를 기판과 접촉시키고, (b) 이러한 조립체를, 땜납이 재유동(즉 용융)되도록 하는 온도까지 가열하고, (c) 조립체를 냉각시킴으로써, 소자를 기판 상에 탑재한다. 냉각시, 땜납이 경화함으로써 소자가 기판에 탑재된다. 격자 배열 기술에서는 공차(tolerance)가 중요한데, 왜냐하면 개별 소자들 사이의 간격 뿐만 아니라 소자와 기판 사이의 간격이 전형적으로 작기 때문이다. 예를 들면, 기판 표면으로부터 다이의 저부까지의 플립칩 간격은 전형적으로 약 15 내지 약 75 마이크론이고, 가까운 장래에 약 10 마이크론에 도달할 것으로 기대된다.Examples of grid array packages include flip chips, chip scale packages (CSPs) and ball grid arrays (BGAs). In connection with the use of a lattice array package, a circuit board or device includes a small solder bump or ball (hereinafter referred to as “bump”) located at a position corresponding to a pad on the bottom surface of each device and a pad on the surface of the circuit board. Or "solder bump"). (a) contacting the device with the substrate such that the solder bumps are sandwiched between the pad on the substrate and the corresponding pad on the device, and (b) heating this assembly to a temperature that allows the solder to reflow (ie melt), ( c) The device is mounted on a substrate by cooling the assembly. During cooling, the solder hardens so that the element is mounted on the substrate. Tolerance is important in the lattice arrangement technique because the spacing between the elements and the substrate as well as the spacing between the individual elements is typically small. For example, the flip chip spacing from the substrate surface to the bottom of the die is typically about 15 to about 75 microns, and is expected to reach about 10 microns in the near future.

격자 배열 기술과 관련된 문제점 중 하나는, 칩, 땜납, 및 회로 기판 구성 물질이 종종 현저하게 상이한 열팽창계수를 갖는다는 점이다. 상이한 팽창으로 인해, 제조 및 사용 과정에서 조립체의 가열은 심각한 응력을 초래할 수 있다. 또한, 소자가 낙하할 때(예를 들면 무선 전화기 및 휴대용 컴퓨터의 경우), 상당한 응력이 발생한다. 땜납 접합부 상에 가해진 응력은, 소자 성능을 저하시키거나 소자를 완전히 무능력하게 만드는 실패를 초래할 수 있다.One of the problems associated with grating arrangement techniques is that chips, solders, and circuit board construction materials often have significantly different coefficients of thermal expansion. Due to the different expansion, heating of the assembly during manufacture and use can lead to severe stresses. Also, when the element falls (for example in the case of cordless phones and portable computers), significant stress occurs. Stress applied on the solder joint can result in failure to degrade device performance or render the device completely incapable.

상이한 열팽창에 기인한 열기계적 피로를 최소화하기 위해서, 열경화성 에폭시를, 격자 배열 소자의 주변부를 둘러싸고 땜납에 의해 점유되지 않은 칩의 하면과 기판 사이의 칩 아래의 공간을 점유하는 언더필 물질로서 사용해 왔다. 이러한 에폭시 시스템은, 소자 부품들의 상이한 팽창 및/또는 낙하 충격으로 인한 땜납 접합부 상의 응력에 저항하거나 이를 감소시키는 물리적 장벽을 형성함으로써 일정 수준의 보호 효과를 제공한다. In order to minimize thermomechanical fatigue due to different thermal expansions, thermoset epoxy has been used as an underfill material that occupies the space below the chip between the lower surface of the chip and the substrate that surrounds the periphery of the lattice array element and is not occupied by solder. Such epoxy systems provide some level of protection by forming physical barriers that resist or reduce stresses on solder joints due to different expansion and / or drop impacts of device components.

격자 배열 표면-탑재 소자의 기술에서 몇몇 경향이 점점 중요해지고 있다. 이러한 경향에는 (1) 플립칩 및 BGA 다이 크기를 증가시킴, (2) 전기적 접합부의 개수를 증가시킴, (3) 다이와 기판 사이의 간격-높이를 감소시킴, (4) 처리량을 증가시키기 위한 드라이브를 장착함, (5) 취약한 저-K 유전층을 실리콘 다이 내에 혼입시킴이 포함된다. 이러한 논제를 처리하기 위해서, 소위 "비-유동 언더필(NUF)"을 사용하는 것에 대해 지대한 관심이 모아지고 있다. 이것은 전형적으로 플럭싱제를 함유하는 열경화성 에폭시계 물질이다. Several trends are becoming increasingly important in the art of grating array surface-mount devices. These trends include (1) increasing the flip chip and BGA die size, (2) increasing the number of electrical junctions, (3) reducing the gap-height between the die and the substrate, and (4) driving the drive to increase throughput. (5) incorporating a vulnerable low-K dielectric layer into the silicon die. In order to address this issue, great attention has been paid to the use of so-called "non-flow underfill (NUF)". This is typically a thermoset epoxy based material containing a fluxing agent.

비-유동 언더필은 소자의 배치 전에 기판에 직접 도포된다. 열이 예를 들면 재유동 오븐 내에서와 같이 가해지면, 플럭싱제는 땜납볼 상 및 패드 상의 금속 산화물을 제거하기 시작하고, 이로써 땜납의 액상 온도보다 높은 온도에서 땜납의 습윤 및 땜납 접합부의 형성이 가능해진다. 이와 동시에, 언더필은 중합(경화)되기 시작하여, 다이(또는 BGA/CSP)와 기판 사이에 강한 접착층을 형성한다. 이러한 접착층은 부품들 사이에 열적 응력을 분배시키도록 작용하여 소자의 신뢰도를 증가시킨다. Non-flow underfill is applied directly to the substrate prior to placement of the device. When heat is applied, for example in a reflow oven, the fluxing agent begins to remove metal oxides on the solder balls and on the pads, thereby preventing the wetting of the solder and the formation of solder joints at temperatures above the liquidus temperature of the solder. It becomes possible. At the same time, the underfill begins to polymerize (cure), forming a strong adhesive layer between the die (or BGA / CSP) and the substrate. This adhesive layer acts to distribute the thermal stress between the components, increasing the reliability of the device.

기존의 NUF 물질은 종종, 충분한 플럭싱 능력의 결여(저조한 전기적 수율을 초래), 과도한 휘발성, 기체-배출, 또는 언더필 층 내에서의 기포 또는 공극 형성과 같은, 소자의 신뢰도에 부정적인 영향을 미칠 수 있는 바람직하지 못한 성질들 을 나타낸다. 이러한 결함들은 NUF에서 사용되는 화학성분과 밀접한 관계가 있다. 예를 들면, 전형적인 상업적 NUF는 액체 에폭시 수지, 무수물 경화제(상승된 재유동 온도에서 휘발성임) 뿐만 아니라, 보다 소량의, 산성인 경화촉진제 및 첨가제(예를 들면 카르복실산), 또는 경화시에 현장에서 무수물과 반응하여 산성 화학종을 형성하는 첨가제(예를 들면 알콜과 같은 활성 수소 화합물)로 이루어진다. 특히 NUF 물질 내에 포함된 무수물 화합물은 비교적 높은 휘발성을 갖기 때문에, 공극 형성에 기여한다. 공극은, 특히 무-납 땜질 용도에서 필요한 높은 재유동 온도에서, 땜납 "가교"가 일어나도록 허용함으로써, 또는 열적 사이클 동안에 언더필 균열의 성장을 초래하는 응력-집중기로서 작용함으로써, 언더필의 신뢰도를 저하시킨다. Conventional NUF materials can often negatively affect device reliability, such as lack of sufficient fluxing ability (which results in poor electrical yields), excessive volatility, gas-emission, or bubble or void formation in the underfill layer. Present undesirable properties. These defects are closely related to the chemicals used in the NUF. For example, typical commercial NUFs are liquid epoxy resins, anhydride hardeners (volatile at elevated reflow temperatures), as well as smaller amounts of acidic curing accelerators and additives (eg carboxylic acids), or upon curing. It consists of additives (eg active hydrogen compounds such as alcohols) which react in situ with anhydrides to form acidic species. In particular, the anhydride compounds contained in the NUF material have relatively high volatility, thus contributing to the formation of voids. The voids increase the reliability of the underfill by allowing the solder "crosslinking" to occur, especially at the high reflow temperatures required for lead-free soldering applications, or by acting as a stress-focuser that results in the growth of underfill cracks during thermal cycles. Lowers.

에폭시 수지와 경화제를, 이 혼합물이 균일해질 때까지 혼합하고, 이어서 습윤제, 소포제 및 CTE 개질제와 같은 임의의 나머지 성분들을 용액 내에 용해시키거나 혼합함으로써, 비-유동 언더필을 제조해 왔다. Non-flow underfills have been prepared by mixing the epoxy resin and the curing agent until the mixture is homogeneous and then dissolving or mixing any remaining ingredients such as wetting agents, antifoams and CTE modifiers.

공극 형성 가능성이 감소되고 플럭싱 활성이 증가된 개선된 NUF를 디자인할 가능성은, (a) 우수한 가사시간 및 저장수명, (b) 물질을 분배가능하게 하도록 허용가능한 점도, (c) 높은 Tg, (d) 다이 보호막(passivation) 및 땜납 마스크에 대한 강한 부착성, (e) 높은 파괴인성 K1C, (f) 내습성 등과 같은 다양한 성능 요건에 의해 제한된다. The possibility of designing an improved NUF with reduced pore formation potential and increased fluxing activity is characterized by: (a) good pot life and shelf life, (b) acceptable viscosity to make the material dispensable, (c) high T g , (d) strong adhesion to die passivation and solder mask, (e) high fracture toughness K 1C , (f) moisture resistance, and the like.

발명의 요약Summary of the Invention

따라서, 본 발명의 목적은, 감소된 휘발성 및 공극 형성 가능성을 갖는 언더필 조성물; 증가된 플럭싱 활성을 갖는 언더필 조성물; 우수한 가사시간 및 저장수명을 갖는 언더필 조성물; 물질을 분배가능하게 하도록 낮은 점도를 갖는 언더필 조성물; 높은 Tg를 갖는 언더필 조성물; 다이 보호막 및 땜납 마스크에 대한 강한 부착성을 갖는 언더필 조성물; 높은 파괴인성 K1C을 갖는 언더필 조성물; 및 내습성을 갖는 언더필 조성물을 제공하는 것이다. Accordingly, it is an object of the present invention to provide an underfill composition having reduced volatility and potential for void formation; Underfill compositions having increased fluxing activity; Underfill compositions having good pot life and shelf life; An underfill composition having a low viscosity to make the material dispenseable; Underfill compositions having high T g ; An underfill composition having strong adhesion to the die protective film and the solder mask; Underfill compositions having high fracture toughness K 1C ; And an underfill composition having moisture resistance.

따라서, 요약컨데, 본 발명은 에폭시 성분, 및 약 0.1:1 내지 약 2:1의 페놀성 성분 대 무수물 성분의 몰비로서 페놀성 성분 및 무수물 성분을 포함하는 하드너(hardener) 성분을 포함하는, 전자제품의 제조에 사용되기 위한 언더필 조성물에 관한 것이다. Thus, in summary, the present invention includes an epoxy component and a hardener component comprising a phenolic component and an anhydride component in a molar ratio of phenolic component to anhydride component from about 0.1: 1 to about 2: 1. An underfill composition for use in the manufacture of an article.

본 발명은 또한 전자제품의 제조에 사용되기 위한, 에폭시 성분, 무수물 성분 및 페놀성 성분을 포함하는 언더필 조성물의 제조 방법에 관한 것이다. 이 방법은 에폭시 성분과 약 80 중량% 이상의 페놀성 성분을 블렌딩하여 에폭시/페놀성 블렌드를 형성하고; 언더필 조성물로 하여금 약 0.1:1 내지 약 2:1의 페놀성 성분 대 무수물 성분의 몰비를 갖게 하는 양으로 무수물 성분을 에폭시/페놀성 블렌드 내에 블렌딩함을 포함한다.The invention also relates to a process for the preparation of an underfill composition comprising an epoxy component, an anhydride component and a phenolic component for use in the manufacture of an electronic product. The method blends the epoxy component with at least about 80% by weight of the phenolic component to form an epoxy / phenolic blend; Blending the anhydride component into the epoxy / phenolic blend in an amount such that the underfill composition has a molar ratio of phenolic component to anhydride component from about 0.1: 1 to about 2: 1.

또다른 양태에서, 본 발명은 전자제품의 제조에 사용되기 위한, 에폭시 성분, 무수물 성분 및 페놀성 성분을 포함하는 언더필 조성물의 제조 방법에 관한 것이다. 이 방법은 에폭시 성분과 약 80 중량% 이상의 페놀성 성분을 블렌딩하여 에 폭시/페놀성 블렌드를 형성하고; 에폭시/페놀성 블렌드를 페놀성 성분의 연화점보다 높은 온도로 가열하고; 에폭시/페놀성 블렌드를 냉각시키고; 무수물 성분을 에폭시/페놀성 블렌드 내에 블렌딩하여 언더필 조성물을 형성함을 포함한다.In another aspect, the present invention relates to a method of making an underfill composition comprising an epoxy component, an anhydride component and a phenolic component for use in the manufacture of an electronic product. The method blends the epoxy component with at least about 80% by weight of the phenolic component to form an epoxy / phenolic blend; The epoxy / phenolic blend is heated to a temperature above the softening point of the phenolic component; Cool the epoxy / phenolic blend; Blending the anhydride component into the epoxy / phenolic blend to form the underfill composition.

본 발명의 기타 목적 및 양태는 부분적으로 명확해질 것이며, 이후에도 부분적으로 설명될 것이다. Other objects and aspects of the invention will be in part apparent and in part pointed out hereinafter.

본 발명의 언더필 조성물은 에폭시 성분, 무수물 성분, 페놀성 성분, 잠재성(latent) 촉매 및 후술되는 기타 첨가제를 포함한다. The underfill composition of the present invention comprises an epoxy component, an anhydride component, a phenolic component, a latent catalyst and other additives described below.

에폭시Epoxy

주요 에폭시 성분은 열가소성이라기 보다는 열경화성이라고 간주되는 에폭시 수지들 중에서 선택된다. 일반적으로 열가소성 물질은 가열되면 최소로 가교되고 부드러워지며 변형가능해진다. 이와 대조적으로, 열경화성 물질은 가열되면 고도로 가교되고 딱딱하고 뻣뻣해진다. 이러저러한 차이점 때문에, 열경화성 물질은 전형적으로 열가소성 물질보다 더 큰 강도(예를 들면 보다 큰 기계적 충격 내성 및 열적 사이클 내성)를 패키지에 제공하는 경향이 있다. 열가소성 물질은 그만큼 큰 강도를 언더필에 제공하지 못할지라도, 일정 수준의 재가공성(reworkability)을 제공하기 위해 언더필에 포함되도록 선택될 수 있다. The main epoxy component is selected from epoxy resins that are considered thermoset rather than thermoplastic. In general, thermoplastics are minimally crosslinked, softened and deformable when heated. In contrast, thermosets become highly crosslinked, hard and stiff when heated. Because of these differences, thermosets typically tend to provide the package with greater strength (eg, greater mechanical shock resistance and thermal cycle resistance) than thermoplastics. Thermoplastics may be selected to be included in the underfill to provide some level of reworkability, even if they do not provide such strength to the underfill.

열경화성 물질과 열가소성 물질의 구조적 차이(즉 가교도)는 에폭시 성분의 온도-관련 성질에도 반영된다. 경화된 에폭시 성분의 유리전이온도(Tg)가 특히 중요하다. 유리전이온도는, 중합체가 탄성 변형 프로필을 나타내는 고체-유사 형태로부터 점성 변형 프로필을 나타내는 고무-유사 형태로 변형되는 온도이다. 또한, Tg에서의 변형은 전형적으로 열팽창계수(CTE)의 상당한 증가 및 저장 및 체적 탄성률의 상당한 감소와 연관된다. 전형적으로, 열경화성 물질의 Tg는 열가소성 물질의 Tg보다 크다. 예를 들면, 비스페놀 A의 디글리시딜 에테르(본원에서는 "비스-A 에폭시 수지"라고도 지칭됨)와 같은 경화된 열경화성 물질은, 경화제 및/또는 하드너 등에 따라서는, 약 70 내지 약 220 ℃의 Tg를 갖지만, 반면에 인켐레즈 페녹시 PKHJ(INCHEMREZ PHENOXY PKHJ)와 같은 열가소성 물질은 약 95℃의 Tg를 갖는다. 일반적으로, 에폭시 성분은 경화되면 약 70℃ 이상의 Tg를 갖는다. 한 실시양태에서, 에폭시 성분은 경화되면 약 60 내지 약 90 ℃의 Tg를 갖도록 선택된다. 또다른 실시양태에서, 에폭시는 경화되면 약 90 내지 약 150 ℃의 Tg를 갖도록 선택된다.Structural differences (ie crosslinking) between thermosets and thermoplastics are also reflected in the temperature-related nature of the epoxy component. Of particular importance is the glass transition temperature (T g ) of the cured epoxy component. The glass transition temperature is the temperature at which a polymer deforms from a solid-like form exhibiting an elastic strain profile to a rubber-like form exhibiting a viscous strain profile. In addition, the strain in T g is typically associated with a significant increase in coefficient of thermal expansion (CTE) and a significant decrease in storage and volume modulus. Typically, T g of the heat-curable material is greater than T g of the thermoplastic material. For example, a cured thermosetting material, such as diglycidyl ether of bisphenol A (also referred to herein as a "bis-A epoxy resin"), may vary from about 70 to about 220 ° C, depending on the curing agent and / or hardener, etc. T g , but on the other hand thermoplastics such as INCHEMREZ PHENOXY PKHJ have a T g of about 95 ° C. Generally, the epoxy component has a T g of at least about 70 ° C. when cured. In one embodiment, the epoxy component is selected to have a T g of about 60 to about 90 ° C when cured. In another embodiment, the epoxy is selected to have a T g of about 90 to about 150 ° C when cured.

에폭시 성분의 용융 온도(Tm) 또는 연화점(특정 융점을 갖지 않는 물질의 경우, 점성 유동이 가소성 유동으로 변하는 온도)은 약 -50 내지 약 0 ℃이다. 연화점은 JIS K 7234..1986 또는 ASTM D 6493-99에 의해 결정될 수 있다. 용융 온도는 표준 ISO 11357-5 또는 ASTM E 794-01에 따르는 시차주사열계량법(DSC)에 의해 결정될 수 있다. 에폭시 성분은 전형적으로 비교적 순수하다고 간주된다. 예를 들면, 에폭시 성분은 바람직하게는 약 500 ppm 미만의 가수분해성 염화물을 함유한다(ASTM D1726). The melting temperature (T m ) or softening point of the epoxy component (the temperature at which the viscous flow turns into a plastic flow for materials without a particular melting point) is from about -50 to about 0 ° C. The softening point can be determined by JIS K 7234..1986 or ASTM D 6493-99. Melting temperatures can be determined by differential scanning calorimetry (DSC) according to standard ISO 11357-5 or ASTM E 794-01. The epoxy component is typically considered to be relatively pure. For example, the epoxy component preferably contains less than about 500 ppm hydrolyzable chloride (ASTM D1726).

에폭시 수지 성분은 하나 이상의 에폭사이드기를 포함하는(즉 1작용성 이상인) 임의의 적당한 유형의 분자를 포함할 수 있다. 2작용성 및/또는 다작용성 수지가, 단독으로 또는 1작용성 수지와의 조합으로서, 가교밀도를 증가시켜 언더필 용액의 유리전이온도를 증가시키기 위해, 선택될 수 있다. 적당한 에폭시 수지 성분은 전형적으로, 반복 단위의 개수(즉 중합도)가 약 1 내지 약 7인 에폭시 수지를 포함한다. 바람직하게는, 반복 단위의 개수는 약 1 내지 약 3이다. The epoxy resin component can include any suitable type of molecule that includes one or more epoxide groups (ie, at least monofunctional). Bifunctional and / or polyfunctional resins, alone or in combination with monofunctional resins, may be selected to increase the glass transition temperature of the underfill solution by increasing the crosslinking density. Suitable epoxy resin components typically include epoxy resins having a number of repeat units (ie degree of polymerization) of about 1 to about 7. Preferably, the number of repeat units is about 1 to about 3.

에폭시 수지 성분은 전형적으로 언더필 용액의 약 25 내지 약 75 중량%를 차지한다. 비록 전형적인 것은 아니지만, 에폭시 수지 성분의 농도는 본 발명의 범주에서 벗어나지 않는 한 전술된 범위 외의 농도일 수도 있다. 특정 용도에 따라서, 에폭시 수지 성분의 농도는 예를 들면 언더필 용액의 약 15 중량% 이하 정도로 작을 수 있거나 80 중량% 이상 정도로 클 수 있다. 바람직하게는, 에폭시 수지 성분은 언더필 용액의 약 50 내지 약 70 중량%를 차지한다.The epoxy resin component typically comprises about 25 to about 75 weight percent of the underfill solution. Although not typical, the concentration of the epoxy resin component may be at concentrations outside the above-mentioned range without departing from the scope of the present invention. Depending on the particular application, the concentration of the epoxy resin component may be as small as about 15 wt% or less of the underfill solution, or may be as high as 80 wt% or more. Preferably, the epoxy resin component comprises about 50 to about 70 weight percent of the underfill solution.

언더필 용액 및/또는 경화된 언더필의 원하는 특성에 따라서, 에폭시 수지 성분은 단일 에폭시 수지 또는 에폭시 수지들의 조합을 포함할 수 있다. 한 실시양태에서, 에폭시 수지 성분, 또는 블렌드가 사용되는 경우 에폭시 수지들은, 비스페놀 A의 글리시딜에테르, 비스페놀 F의 글리시딜에테르, 나프탈렌 에폭시, 지환족 에폭시, 에폭시-작용성 반응성 희석제 등 중에서 선택된다. 예를 들면, 이것은 비스페놀 A의 디글리시딜 에테르, 비스페놀 F의 디글리시딜 에테르, 트리페노메탄의 트리글리시딜 에테르, 노볼락의 폴리글리시딜 에테르, 폴리글리시딜 에테르 크레솔 노볼락, 나프탈렌 페놀의 폴리글리시딜 에테르, 및 이것들의 메틸, 에틸, 프로필 및 부틸-치환된 변태로 이루어진 군에서 선택된다. 예를 들면, 경화된 언더필 내의 가교량을 증가시켜 언더필의 Tg를 증가시키기 위해, 3작용성 에폭시 수지를 혼입시키는 것이 바람직할 수 있다. 크레솔 노볼락의 폴리글리시딜 에테르가 고온 성능을 개선시키기 위해 에폭시 수지 성분의 일부로서 혼입될 수 있다. 비스-A 에폭시 수지는 전형적으로 언더필 용액의 유리전이온도 및/또는 점도를 증가시키기 위해 혼입된다. 비스페놀 F의 디글리시딜 에테르(본원에서는 "비스-F 에폭시 수지"라고 지칭될 수 있음)가 통상적으로 점도를 감소시키기 위해 혼입된다. Depending on the desired properties of the underfill solution and / or the cured underfill, the epoxy resin component may comprise a single epoxy resin or a combination of epoxy resins. In one embodiment, when the epoxy resin component, or blend, is used, the epoxy resins may be selected from among glycidyl ether of bisphenol A, glycidyl ether of bisphenol F, naphthalene epoxy, cycloaliphatic epoxy, epoxy-functional reactive diluent, and the like. Is selected. For example, it is diglycidyl ether of bisphenol A, diglycidyl ether of bisphenol F, triglycidyl ether of trifenomethane, polyglycidyl ether of novolac, polyglycidyl ether cresol novolac , Polyglycidyl ethers of naphthalene phenol, and methyl, ethyl, propyl and butyl-substituted transformations thereof. For example, it may be desirable to incorporate trifunctional epoxy resins to increase the amount of crosslinks in the cured underfill to increase the T g of the underfill. Polyglycidyl ethers of cresol novolac may be incorporated as part of the epoxy resin component to improve high temperature performance. Bis-A epoxy resins are typically incorporated to increase the glass transition temperature and / or viscosity of the underfill solution. Diglycidyl ethers of bisphenol F (which may be referred to herein as "bis-F epoxy resins") are typically incorporated to reduce viscosity.

본 발명의 NUF 조성물에 혼입되기에 적합한 에폭시 수지의 구체적인 예는 하기의 것들을 포함한다: 비스-F 에폭시 수지: 에팔로이(Epalloy) 8229, 8230, 8230E, 8240 및 8240E(미국 뉴저지주 무어스타운 소재의 CVC 스페셜티 케미칼즈 인코포레이티드(CVC Specialty Chemicals Inc.)), 에피클론(Epiclon, 등록상표) 830, 830-S, 830-LVP, 835 및 835-LV(일본 도쿄 소재의 다이니폰 잉크 앤드 케미칼즈 인코포레이티드(Dainipppon Ink & Chemicals, Inc.), 에폰 레진(Epon Resin) 862(미국 텍사스주 휴스톤 소재의 레졸루션 퍼포먼스 프로덕츠(Resolution Performance Products)), RE-304S(일본 도쿄 소재의 니폰 카야쿠 캄파니 리미티드(Nippon Kayaku Co. Ltd.)); 비스-A 에폭시 수지: 에팔로이 7190(미국 뉴저지주 무어스타운 소재의 CVC 스페셜티 케미칼즈 인코포레이티드), 에폰 824, 826 및 828(미국 텍사스주 휴스톤 소재의 레졸루션 퍼포먼스 프로덕츠), 에피클론 840, 840-S, 850, 850-S, 850-CRP 및 850-LC(일본 도쿄 소재의 다이니폰 잉크 앤드 케미칼즈 인코포레이티드), DER 330 및 331(미국 미시간주 미들랜드 소재의 다우 케미칼(Dow Chemical)), RE-310S(일본 도쿄 소재의 니폰 카야쿠 캄파니 리미티드); 나프탈렌 에폭시 수지: HP-4032 및 HP-4032D(일본 도쿄 소재의 다이니폰 잉크 앤드 케미칼즈 인코포레이티드); 지환족 에폭시: ERL-4221(미국 코네티컷주 댄버리 소재의 유니온 카바이드 코포레이션(Union Carbide Corp.)), 알라다이트(Arladite) CY 179(미국 유타주 솔트레이크시티 소재의 헌츠만 어드밴스드 머터리얼즈(Huntsman Advanced Materials)); 3작용성 에폭시 수지: 에피코트(Epikote) 1032(일본 도쿄 소재의 재팬 에폭시 레진즈 캄파니 리미티드(Japan Epoxy Resins Co. Ltd.)), 탁틱스(Tactix) 742(미국 유타주 솔트레이크시티 소재의 헌츠만 어드밴스드 머터리얼즈).Specific examples of suitable epoxy resins for incorporation into the NUF composition of the present invention include the following: Bis-F epoxy resins: Epalloy 8229, 8230, 8230E, 8240 and 8240E (Moors Town, NJ) CVC Specialty Chemicals Inc., Epiclon® 830, 830-S, 830-LVP, 835, and 835-LV (Dainipon Ink and Materials, Tokyo, Japan) Chemicals, Inc., Dainipppon Ink & Chemicals, Inc., Epon Resin 862 (Resolution Performance Products, Houston, TX), RE-304S (Nippon Kaya, Tokyo, Japan) Nippon Kayaku Co. Ltd .; Bis-A epoxy resin: Epaloy 7190 (CVC Specialty Chemicals, Inc., Moorestown, NJ), EPON 824, 826, and 828 (USA) Resolution in Houston, Texas Performance Products), Epiclon 840, 840-S, 850, 850-S, 850-CRP and 850-LC (Dainippon Ink and Chemicals, Inc., Tokyo, Japan), DER 330 and 331 (Michigan, USA) Dow Chemical, Midland, RE-310S (Nippon Kayaku Co., Ltd., Tokyo, Japan); Naphthalene epoxy resins: HP-4032 and HP-4032D (Dinipon Ink and Chemicals Inn, Tokyo, Japan) Cycloaliphatic epoxy: ERL-4221 (Union Carbide Corp., Danbury, Conn.), Arladite CY 179 (Huntsman Advanced, Salt Lake City, Utah, USA); Huntsman Advanced Materials; Trifunctional epoxy resins: Epikote 1032 (Japan Epoxy Resins Co., Tokyo, Japan). Ltd.), and Tactix 742 (Huntsman Advanced Materials, Salt Lake City, Utah, USA).

전술된 내용에 비추어 볼 때, 에폭시의 샘플 조합은 하기의 것들을 포함한다:In view of the foregoing, sample combinations of epoxies include the following:

(a) 90%의 비스페놀 F 에폭시 및 10%의 나프탈렌 에폭시; (b) 50%의 비스페놀 F 에폭시 및 50%의 비스페놀 A 에폭시; (c) 80%의 비스페놀 F 에폭시 및 20%의 지환족 에폭시; 및 (d) 80%의 비스페놀 F 에폭시, 10%의 3작용성 에폭시, 10%의 지환족 에폭시.(a) 90% bisphenol F epoxy and 10% naphthalene epoxy; (b) 50% bisphenol F epoxy and 50% bisphenol A epoxy; (c) 80% bisphenol F epoxy and 20% alicyclic epoxy; And (d) 80% bisphenol F epoxy, 10% trifunctional epoxy, 10% cycloaliphatic epoxy.

경화된 에폭시 수지 성분의 유리전이온도 및 기타 성질(예를 들면 탄성률)은, 에폭시 수지 성분을 구성하는 다양한 에폭시 수지들의 당량을 기준으로 하는, 에폭시 수지 성분의 "당량"에 따라 크게 달라진다. 에폭시 수지의 당량은 에폭시 수지 분자의 분자량을 분자 내에 함유된 에폭사이드기의 개수로 나눈 것과 같다. 예를 들면, 레졸루션에서 에폰 828이라는 상표명으로서 입수가능한 비스-A 에폭시 수지는 약 380 g/mole의 분자량을 갖고 분자당 2개의 에폭사이드기를 포함하는데, 이것은 약 190의 당량에 상응하는 것이다. 레졸루션에서 에폰 862라는 상표명으로서 입수가능한 통상적인 비스-F 에폭시 수지는 2작용성이고 약 170의 당량을 갖는다. 일반적으로, 당량이 커질수록, 경화된 에폭시는 보다 가요성이 되는데, 왜냐하면 가교부위들 사이의 간격이 더 커지기 때문이다. 따라서, 언더필에서 전형적으로 요구되는 바와 같이, 강성 및 유리전이온도를 증가시키기 위해서, 보다 작은 당량 또는 보다 높은 작용기수를 갖는 에폭시 수지를 에폭시 수지 성분의 일부로서 혼입시킬 수 있다. 당량은 에폭시 수지의 물성에 영향을 미치는 외에도, 언더필 용액 내에 포함되는 플럭싱 경화제의 양을 결정하는데에도 일정 역할을 한다. 예를 들면, 에폭시 수지 성분의 총당량(즉 대체로 에폭시 수지 성분을 구성하는 상이한 에폭시 수지들의 상대적 양을 기준으로 하는 에폭시 수지 성분의 당량)이 작아질수록, 주어진 양의 에폭시 수지 성분에 대한 에폭사이드 가교부위의 개수는 많아지므로, 땜납 재유동 동안 에폭시 수지 성분을 경화시키는데 필요한 플럭싱 경화제의 양은 많아진다. The glass transition temperature and other properties (eg modulus) of the cured epoxy resin component largely depend on the "equivalent weight" of the epoxy resin component, based on the equivalents of the various epoxy resins that make up the epoxy resin component. The equivalent of epoxy resin is equal to the molecular weight of the epoxy resin molecule divided by the number of epoxide groups contained in the molecule. For example, Bis-A epoxy resins available under the tradename EPON 828 in resolution have a molecular weight of about 380 g / mole and include two epoxide groups per molecule, corresponding to about 190 equivalents. Typical bis-F epoxy resins available under the trade name EPON 862 in resolution are difunctional and have an equivalent of about 170. In general, the greater the equivalent, the more flexible the cured epoxy is, because the greater the spacing between the crosslinking sites. Thus, as typically required in underfill, to increase the rigidity and glass transition temperature, epoxy resins having smaller equivalents or higher functional groups can be incorporated as part of the epoxy resin component. In addition to affecting the physical properties of the epoxy resin, the equivalent plays a role in determining the amount of fluxing hardener included in the underfill solution. For example, the smaller the total equivalent of the epoxy resin component (ie, the equivalent of the epoxy resin component based on the relative amounts of the different epoxy resins that make up the epoxy resin component generally), the epoxide for the given amount of epoxy resin component. Since the number of crosslinking sites increases, the amount of flux hardening agent required to cure the epoxy resin component during solder reflow increases.

무수물anhydride

본 발명의 NUF 조성물에 사용되는 경화제의 제 1 성분은 무수물 화합물이다. 적합한 무수물 화합물의 예는 메틸헥사히드로프탈산 무수물, 헥사히드로프탈산 무수물, 테트라히드로프탈산 무수물, 도데케닐 숙신산 무수물, 메틸-5-노르보르넨-2,3-디카르복실산 무수물을 포함한다. 무수물 성분의 기능 중 하나는 에폭시 수지와 반응하여 고도로 가교된 열경화성 중합체를 생성하는 것이다. 또다른 기능은 페놀성 성분과 반응하여 1-에스테르화 카르복실산을 형성하는 것인데, 이렇게 형성된 1-에스테르화 카르복실산은 금속 산화물을 제거하여 땜납 접합부의 형성을 용이하게 하는 활성 플럭싱제로서의 기능을 한다. The first component of the curing agent used in the NUF composition of the present invention is an anhydride compound. Examples of suitable anhydride compounds include methylhexahydrophthalic anhydride, hexahydrophthalic anhydride, tetrahydrophthalic anhydride, dodekenyl succinic anhydride, methyl-5-norbornene-2,3-dicarboxylic anhydride. One of the functions of the anhydride component is to react with the epoxy resin to produce a highly crosslinked thermoset polymer. Another function is to react with the phenolic component to form a 1-esterified carboxylic acid, which thus functions as an active fluxing agent that removes metal oxides and facilitates the formation of solder joints. do.

무수물 성분은 무수물 및 페놀성 성분을 포함하는 총 하드너 성분의 약 15 내지 약 90 %를 차지한다. 무수물 성분은 총 언더필 조성물의 약 30 내지 약 60 %를 차지한다. The anhydride component comprises about 15 to about 90% of the total hardener component, including the anhydride and phenolic components. The anhydride component comprises about 30 to about 60% of the total underfill composition.

페놀phenol

본 발명의 NUF 조성물에 사용되는 경화제의 제 2 성분은 페놀성 화합물이다. 적합한 페놀성 화합물의 예는 고체 페놀성 노볼락 화합물, 예를 들면 H-1, H-2, H-3, H-4, H-5, MEH-7500, -7800, -7851(일본 도쿄 소재의 메이와 플라스틱 인더스트리즈 리미티드(Meiwa Plastic Industries, Ltd.)), 레지큐어(Rezicure) 3000, 3010, 3020 및 3020(미국 뉴욕주 쉐넥타디 소재의 쉐넥타디 인터네셔널 인코포레이티드(Schenectady International Inc.)), GP 2074 및 GP 5833(미국 조지아주 아틀란타 소재의 조지아-퍼시픽 레진즈 인코포레이티드(Georgia-Pacific Resins Inc.)), 듀라이트(Durite) SD-1731(미국 켄터키주 루이스빌 소재의 보르덴 케미칼 인코포레이티드(Borden Chemical Inc.)), 타마놀(Tamanol) PA 및 758(일본 오사카 소재의 아라카와 케미칼 인더스트리즈 리미티드(Arakawa Chemical Industries,Ltd.))을 포함한다. 기타 예는 반-고체 또는 액체 페놀성 수지, 특히 반-고체 또는 액체 알킬-치환된 페놀성 수지, 예를 들면 MEH 8000H, -8005, -8010(일본 도쿄 소재의 메이와 플라스틱 인더스트리즈 리미티드) 및 YLH903(일본 도쿄 소재의 재팬 에폭시 레진즈 캄파니 리미티드)을 포함한다. 페놀성 성분은 에폭시 수지를 위한 하드너로서 작용하고, 일반적으로 하기 반응식에 따라, 무수물 성분과 반응하여 1-에스테르화 카르복실산을 형성한다:The second component of the curing agent used in the NUF composition of the present invention is a phenolic compound. Examples of suitable phenolic compounds are solid phenolic novolac compounds such as H-1, H-2, H-3, H-4, H-5, MEH-7500, -7800, -7851 (Tokyo, Japan) Meiwa Plastic Industries, Ltd., Rezicure 3000, 3010, 3020 and 3020 (Schenectady International Inc., Schenectady, NY, USA) .)), GP 2074 and GP 5833 (Georgia-Pacific Resins Inc., Atlanta, GA, USA), Durite SD-1731 (Lewisville, KY, USA) Borden Chemical Inc.), Tamanol PA and 758 (Arakawa Chemical Industries, Ltd., Osaka, Japan). Other examples include semi-solid or liquid phenolic resins, in particular semi-solid or liquid alkyl-substituted phenolic resins such as MEH 8000H, -8005, -8010 (Maywa Plastic Industries Limited, Tokyo, Japan) and YLH903 (Japan Epoxy Resin's Co., Ltd., Tokyo, Japan). The phenolic component acts as a hardener for the epoxy resin and generally reacts with the anhydride component to form the 1-esterified carboxylic acid, according to the following scheme:

Figure 112007018124759-PCT00001
Figure 112007018124759-PCT00001

이러한 카르복실산은 활성 플럭싱제로서 작용하고, 몇몇 에폭시와 반응하여 하기와 같은 생성물을 형성한다: This carboxylic acid acts as an active fluxing agent and reacts with some epoxy to form the following product:

Figure 112007018124759-PCT00002
Figure 112007018124759-PCT00002

페놀성 성분은 총 하드너 성분의 약 10 내지 약 85 %를 차지한다. 페놀성 성분은 총 언더필 조성물의 약 5 내지 약 60 %를 차지한다. The phenolic component comprises about 10 to about 85% of the total hardener component. The phenolic component comprises about 5 to about 60% of the total underfill composition.

잠재성 촉매Latent catalyst

무수물/페놀성 화합물의 경화 작용을 보충하기 위해서, 본 발명의 NUF 조성물은 잠재성 촉매를 사용한다. 바람직한 촉매는, 저온(약 40℃ 이하)에서, 반응 및/또는 중합체 경화 속도가 매우 느려서, 언더필 점도가 단지 서서히 증가할 뿐이라는 점에서, "잠재성"이다. 잠재성 촉매 중에서, 중합체-결합된 촉매 및 포스포늄염계 촉매, 특히 테트라아릴 포스포늄염, 테트라알킬 포스포늄염, 혼합 테트라(아릴/알킬) 포스포늄염이 바람직하다. 고온(150℃ 초과)에서는, 반응 및 중합 속도가 빨라져서, 언더필로 하여금 빠른 시간(전형적으로 1 내지 2 시간 미만) 내에 완전 경화 상태를 달성하도록 허용한다. 적합한 잠재성 촉매의 예는, 일본 도쿄 소재의 호코 케미칼 인더스트리즈(Hokko Chemical Industries)에서 입수가능한 바와 같은, 고체 4차 포스포늄염, 예를 들면 테트라페닐포스포늄-테트라페닐보레이트, 테트라부티포스포늄-테트라페닐보레이트, 테트라페닐포스포늄 테트라-p-톨릴보레이트 등 중에서 선택된 촉매를 포함한다. 적합한 잠재성 촉매의 추가적인 예는 중합체-결합된 이미다졸, 예를 들면 인텔리머(Intelimer, 등록상표) 7002, 7004 또는 7024(미국 뉴저지주 린덴 소재의 루브리졸 독 레진즈(Lubrizol Dock Resins))를 포함한다. 이러한 군의 잠재성 촉매들은 본질적으로, 결정질 중합체 매트릭스 내에 "가두어지거나" 봉쇄된 이미다졸 촉매로 이루어진다. 중합체 매트릭스가 그것의 융점(전형적으로 60 내지 80 ℃)보다 높은 온도로 가열되면, 활성 촉매가 방출되어, 에폭시 수지의 빠른 경화를 허용한다. 잠재성 촉매의 양은, ISO 11357-5에 따르는 램프(ramped) DSC(10 C/min)에서 피크 경화 온도가 150 내지 220 ℃의 값을 갖게 하는 양이다. 잠재성 촉매는 총 언더필 조성물의 약 0.2 내지 약 2 중량%의 구성비율로 혼입된다. In order to supplement the curing action of the anhydride / phenolic compound, the NUF composition of the present invention uses a latent catalyst. Preferred catalysts are “potential” in that at low temperatures (up to about 40 ° C.) the reaction and / or polymer cure rates are very slow, resulting in only a slight increase in underfill viscosity. Among the latent catalysts, polymer-bonded catalysts and phosphonium salt based catalysts, in particular tetraaryl phosphonium salts, tetraalkyl phosphonium salts, mixed tetra (aryl / alkyl) phosphonium salts are preferred. At high temperatures (above 150 ° C.), the reaction and polymerization rates are faster, allowing the underfill to achieve a fully cured state within a faster time (typically less than 1-2 hours). Examples of suitable latent catalysts are solid quaternary phosphonium salts, such as tetraphenylphosphonium-tetraphenylborate, tetrabutyphosphonium, such as available from Hokko Chemical Industries, Tokyo, Japan. Tetraphenylborate, tetraphenylphosphonium tetra-p-tolylborate, and the like. Further examples of suitable latent catalysts include polymer-linked imidazoles, such as Intelimer® 7002, 7004 or 7024 (Lubrizol Dock Resins, Linden, NJ). It includes. This group of latent catalysts consists essentially of imidazole catalysts that are "contained" or enclosed in the crystalline polymer matrix. When the polymer matrix is heated to a temperature above its melting point (typically 60 to 80 ° C.), the active catalyst is released, allowing rapid curing of the epoxy resin. The amount of latent catalyst is such that the peak curing temperature has a value of 150 to 220 ° C. in a ramped DSC (10 C / min) according to ISO 11357-5. The latent catalyst is incorporated at a composition ratio of about 0.2 to about 2 weight percent of the total underfill composition.

강인화제Toughening agent

강인화제는 파괴인성을 개선하고 응력감소제로서 작용하기 위해 언더필 조성물 내에 임의적으로 포함된다. 강인화제는 예를 들면 말레산-무수물 작용화 폴리부타디엔, 아크릴 또는 폴리실록산 코어-셀 중합체의 분산된 서브마이크론 입자, 또는 CTBN(카르복실-종결된 부타디엔-니트릴 수지)이다. 강인화제가 존재한다면, 그 농도는 언더필 조성물의 약 20 중량% 이하이다. Toughening agents are optionally included in the underfill compositions to improve fracture toughness and to act as stress reducing agents. Toughening agents are, for example, dispersed submicron particles of maleic anhydride functionalized polybutadiene, acrylic or polysiloxane core-cell polymers, or CTBN (carboxyl-terminated butadiene-nitrile resin). If present, the toughening agent is at a concentration of about 20% by weight or less of the underfill composition.

구성비율Composition ratio

페놀성 하드너 및 무수물 성분은 약 0.1:1 내지 약 2:1의 페놀성 화합물/무수물 화합물 몰비로 사용된다. 페놀성 성분의 구성비율이 너무 높으면 생성물이 지나치게 점성이 된다. 무수물의 구성비율이 너무 높으면 생성물이 지나치게 휘발성이 되며 공극이 형성된다. 한 바람직한 실시양태에서, 이것들은 거의 화학양론적 혼합물로서 사용된다. 즉, 이러한 두 성분들의 몰비는 약 0.8:1 내지 약 1.2:1이다. 한 바람직한 실시양태에서, 이러한 몰비는 약 0.9:1 내지 약 1.1:1이다. 몰비가 약 1:1인 혼합물도 이러한 실시양태에 속한다. 이러한 비는 조기 경화를 회피하면서도 언더필 생성물 내에서 플럭싱 기능을 수행하기에 충분한 카르복실산 반응 생성물을 형성하는, 우수한 균형을 제공하는 것으로 밝혀졌다. Phenolic hardener and anhydride components are used in the molar ratio of phenolic compound / anhydride compound from about 0.1: 1 to about 2: 1. If the composition ratio of the phenolic component is too high, the product becomes too viscous. Too high a composition ratio of the anhydride causes the product to become too volatile and voids are formed. In one preferred embodiment, these are used as near stoichiometric mixtures. That is, the molar ratio of these two components is about 0.8: 1 to about 1.2: 1. In one preferred embodiment, this molar ratio is about 0.9: 1 to about 1.1: 1. Mixtures having a molar ratio of about 1: 1 also belong to this embodiment. These ratios have been found to provide a good balance, avoiding premature curing but forming sufficient carboxylic acid reaction product to perform the fluxing function in the underfill product.

에폭시 수지 및 하드너 성분은, 에폭시 수지 대 총 하드너의 몰비가 약 0.6:1 내지 약 1.4:1이 되도록 하는 양으로 혼입된다. 총 하드너는 페놀과 무수물의 누적합이다. 한 바람직한 실시양태에서, 이것들은 거의 화학양론적 혼합물로서 사용된다. 즉, 에폭시 수지 대 하드너 성분의 몰비는 약 0.8:1 내지 약 1.2:1이다. 한 바람직한 실시양태에서, 이러한 몰비는 약 0.9:1 내지 약 1.1:1이다. 몰비가 약 1:1인 혼합물도 이러한 실시양태에 속한다. The epoxy resin and hardener component are incorporated in an amount such that the molar ratio of epoxy resin to total hardener is from about 0.6: 1 to about 1.4: 1. Total Hardener is the cumulative sum of phenol and anhydride. In one preferred embodiment, these are used as near stoichiometric mixtures. That is, the molar ratio of epoxy resin to hardener component is about 0.8: 1 to about 1.2: 1. In one preferred embodiment, this molar ratio is about 0.9: 1 to about 1.1: 1. Mixtures having a molar ratio of about 1: 1 also belong to this embodiment.

기타 첨가제Other additives

요구되는 것은 아니지만, 기타 첨가제, 예를 들면 습윤제, 소포제, 유동촉진제, 분산보조제, 난연제, 커플링제, 응력감소제 및 충전제가 언더필 내에 포함될 수도 있다. 습윤제는 전형적으로 언더필의 필름-형성성을 개선하고/하거나 언더필의 표면장력을 감소시킴으로써 집적회로소자 및 인쇄회로기판의 표면에 대한 언더필의 결합을 향상시키기 위해 첨가된다. 적당한 습윤제는 개질된 실리콘 수지, 플루오르화탄소 및 아크릴 수지를 포함한다. 언더필에서 가장 통상적으로 사용되는 유형의 습윤제는 실란이다. 이러한 상업적으로 입수가능한 실란-유형의 습윤제 중 하나는 독일 베젤 소재의 BYK 케미(BYK Chemie)에서 BYK 306이라는 상표명으로서 입수가능하다. 습윤제가 존재한다면, 언더필 용액 내의 습윤제의 농도는 전형적으로 효과적인 습윤을 달성하는 최소의 농도와 유사한 농도로 유지되는데, 왜냐하면 높은 농도는 실제로 부착성을 감소시킬 수 있기 때문이다. 일반적으로, 습윤제의 농도는 언더필 용액의 약 0.005 내지 약 2.0 중량%이다. 바람직하게는, 습윤제의 농도는 언더필 용액의 약 0.1 내지 약 0.5 중량%이다. BYK 306 습윤제는 단지 12 중량%의 습윤제를 함유하고 나머지는 용매라는 것을 주목하도록 한다. 따라서, 약 0.5 중량%의 BYK 306을 언더필 용액에 첨가하는 것은, 약 0.06 중량%의 습윤제 및 약 0.44 중량%의 용매를 첨가하는 것과 같다. Although not required, other additives may also be included in the underfill, such as wetting agents, antifoams, flow promoters, dispersion aids, flame retardants, coupling agents, stress reducers and fillers. Wetting agents are typically added to improve the bond of the underfill to the surface of the integrated circuit device and the printed circuit board by improving the film-formability of the underfill and / or reducing the surface tension of the underfill. Suitable wetting agents include modified silicone resins, carbon fluorides, and acrylic resins. The most commonly used type of wetting agent in underfill is silane. One such commercially available silane-type wetting agent is available under the trade name BYK 306 from BYK Chemie, Bezel, Germany. If a humectant is present, the concentration of the humectant in the underfill solution is typically maintained at a concentration similar to the minimum concentration that achieves effective wetting, because high concentrations can actually reduce adhesion. Generally, the concentration of the wetting agent is from about 0.005 to about 2.0 weight percent of the underfill solution. Preferably, the concentration of the humectant is from about 0.1 to about 0.5 weight percent of the underfill solution. Note that the BYK 306 wetting agent contains only 12% by weight wetting agent and the rest are solvents. Thus, adding about 0.5 wt% BYK 306 to the underfill solution is equivalent to adding about 0.06 wt% wetting agent and about 0.44 wt% solvent.

소포제는, 존재한다면, 언더필 용액의 탈기를 돕기 위해, 전형적으로 에폭시 수지 성분과 플럭싱 경화제와 용매의 혼합 전 또는 혼합 동안에 첨가된다. 달리 말하자면, 소포제는 언더필 용액 내에 포집된 공기의 포켓의 형성을 최소화하는 경향이 있다. 이러한 포집된 공기의 포켓은 전형적으로 언더필의 부착성 및 열적 응력 보상 효과를 저하시키는 공극을 경화된 언더필 내에 형성하게 하는 경향이 있다. 적당한 소포제는 폴리에테르 개질된 실록산과 메틸알킬 실록산의 물질군을 포함한다. 가장 통상적으로 사용되는 소포제는 개질된 폴리실록산을 포함한다. 이러한 소포제의 구체적인 예는 독일 베젤 소재의 BYK 케미에서 입수가능한 BYK 525, BYK 530 및 BYK 535를 포함한다. 개질된 폴리디메틸실록산을 포함하는 또다른 유형의 소포제는 미국 코네티컷주 미들버리 소재의 크롬프톤(Crompton)에서 SAG 100이라는 상표명으로서 상업적으로 입수가능하다. 소포제가 존재한다면, 언더필 용액 내의 소포제의 농도는 전형적으로 효과적인 탈기를 달성하는 최소의 농도와 유사한 농도로 유지되는데, 왜냐하면 높은 농도는 부착성을 감소시킬 수 있기 때문이다. 일반적으로, 소포제의 농도는 언더필 용액의 약 1 중량% 이하이다. 바람직하게는, 소포제의 농도는 언더필 용액의 약 0.05 내지 약 0.5 중량%이다. Antifoaming agents, if present, are typically added before or during mixing of the epoxy resin component, fluxing curing agent and solvent to aid in degassing of the underfill solution. In other words, the antifoaming agent tends to minimize the formation of pockets of air trapped in the underfill solution. Such trapped air pockets typically tend to form voids in the cured underfill that degrade the underfill's adhesion and thermal stress compensation effects. Suitable antifoams include a group of polyether modified siloxanes and methylalkyl siloxanes. Most commonly used defoamers include modified polysiloxanes. Specific examples of such defoamers include BYK 525, BYK 530 and BYK 535 available from BYK Chemie, Bezel, Germany. Another type of antifoam including modified polydimethylsiloxanes is commercially available under the trade name SAG 100 from Crompton, Middlebury, Connecticut. If an antifoam is present, the concentration of the antifoam in the underfill solution is typically maintained at a concentration similar to the minimum concentration that achieves effective degassing, since high concentrations can reduce adhesion. Generally, the concentration of antifoaming agent is about 1% by weight or less of the underfill solution. Preferably, the concentration of antifoaming agent is from about 0.05 to about 0.5 weight percent of the underfill solution.

경화된 에폭시 수지는 전형적으로, 약 50 내지 약 80 ppm/℃의 선형 열팽창계수(CTE)를 갖고, 땜납과 기판 물질 사이의 CTE 불일치를 감소시키는 역할을 한다. 집적회로와 땜납과 회로 기판 사이의 임의의 CTE 불일치를 추가로 감소시키기 위해서, 언더필 용액은 종종 충전제라고 지칭되는 열팽창계수 개질 성분을 포함할 수 있다. CTE 개질 성분은 기판(예를 들면 플립칩 및 회로 기판)에 대해 보다 상용성이어서 열적 사이클 동안 열적 응력을 감소시키는 CTE를 갖는다. CTE 개질 성분은 전기적 절연성이며, 바람직하게는 약 10 ppm/℃ 미만의 CTE를 갖는다. 예시적인 CTE 개질 성분 물질은 산화베릴륨(약 8.8 ppm/℃), 산화알루미늄(약 6.5 내지 7.0 ppm/℃), 질화알루미늄(약 4.2 ppm/℃), 탄화규소(약 4.0 ppm/℃), 이산화규소(약 0.5 ppm/℃), 저팽창 세라믹 또는 유리 분말(약 1.0 내지 약 9.0 ppm/℃) 및 이것들의 혼합물을 포함한다. CTE 개질 성분은 존재한다면, 바람직하게는 이산화규소를 포함한다.The cured epoxy resin typically has a linear coefficient of thermal expansion (CTE) of about 50 to about 80 ppm / ° C. and serves to reduce the CTE mismatch between the solder and the substrate material. In order to further reduce any CTE mismatch between the integrated circuit and the solder and the circuit board, the underfill solution may include a coefficient of thermal expansion modification, often referred to as a filler. CTE modifying components have CTEs that are more compatible with substrates (eg flip chip and circuit boards) to reduce thermal stress during thermal cycles. The CTE modifying component is electrically insulating and preferably has a CTE of less than about 10 ppm / ° C. Exemplary CTE modifying component materials include beryllium oxide (about 8.8 ppm / ° C), aluminum oxide (about 6.5 to 7.0 ppm / ° C), aluminum nitride (about 4.2 ppm / ° C), silicon carbide (about 4.0 ppm / ° C), dioxide Silicon (about 0.5 ppm / ° C.), low expansion ceramic or glass powder (about 1.0 to about 9.0 ppm / ° C.) and mixtures thereof. The CTE modifying component, if present, preferably comprises silicon dioxide.

CTE 개질 성분의 최대입경(즉 입자의 최대 횡단면 길이)은 바람직하게는 땜납 접합부의 일체성에 임의의 부정적인 영향을 미치는 것을 최소화하도록 땜납 범프의 높이 미만이다. 전형적으로, 통상적인 CTE 개질 물질의 평균입경은 약 0.5 내지 약 15 마이크론이다. 전형적으로 약 10 내지 약 500 ㎚의 중위입경을 갖는 나노입자 충전제가 사용될 수도 있다. 언더필 내의 충전제의 양은 특정 용도에 따라 달라질 수는 있지만, 존재한다면, 언더필 용액 내에 현탁 또는 분산된 CTE 개질 성분의 양은 전형적으로 언더필 용액의 약 10 내지 약 90%이다. The maximum particle diameter of the CTE modifying component (ie the maximum cross-sectional length of the particles) is preferably below the height of the solder bumps to minimize any negative impact on the integrity of the solder joint. Typically, the average particle diameter of conventional CTE modifying materials is from about 0.5 to about 15 microns. Nanoparticle fillers, typically having a median particle size of about 10 to about 500 nm, may also be used. The amount of filler in the underfill may vary depending on the particular application, but if present, the amount of CTE modifying component suspended or dispersed in the underfill solution is typically about 10 to about 90% of the underfill solution.

평활(습윤)제가, 언더필 용액의 표면장력을 감소시켜, 언더필 용액으로 하여금, 용액을 도포하는 동안 및/또는 언더필 용액이 침착된 기판에 전자 부품을 배치하는 동안, 보다 쉽게 유동하도록 허용하기 위해, 포함될 수 있다. 또한, 평활제는 언더필 용액과 결합될 표면을 습윤시키는 언더필 용액의 능력을 향상시킬 수도 있다. 통상적인 평활제는 하기 4가지 카테고리에 속한다: (1) 플루오르계 계면활성제; (2) 유기개질된 실리콘; (3) 유기-티탄산염 및 유기-지르콘산염(켄리치 페트로케미칼즈 인코포레이티드(Kenrich Petrochemicals, Inc.); 및 (4) 아크릴. 평활제는 임의의 하나 이상의 전술된 평활제 유형을 포함할 수 있다. 평활제는 존재한다면, 전형적으로는 언더필 용액의 약 0.01 내지 약 1.2 중량%를 차지한다. 예를 들면, 한 실시양태에서, 언더필 용액은 평활제를 언더필 용액의 약 0.5 중량%인 농도로 포함한다.To reduce the surface tension of the underfill solution to allow the underfill solution to flow more easily during application of the solution and / or during placement of the electronic component on the substrate on which the underfill solution is deposited, May be included. The leveling agent may also enhance the ability of the underfill solution to wet the surface to be combined with the underfill solution. Conventional levelers fall into four categories: (1) fluorine-based surfactants; (2) organomodified silicon; (3) organo-titanate and organo-zirconates (Kenrich Petrochemicals, Inc.); and (4) acrylics. Leveling agents, if present, typically comprise from about 0.01% to about 1.2% by weight of the underfill solution, for example, in one embodiment, the underfill solution is about 0.5% by weight of the underfill solution. Include in concentration.

실란 커플링제가 다양한 기판에 대한 언더필의 부착성을 개선하기 위해서 언더필 용액 내에 포함될 수 있다. 전형적으로, 실란 커플링제는 유기개질된 실리콘 분자를 포함한다. 실란 커플링제는 존재한다면, 그 농도는 언더필 용액의 약 0.5 내지 약 2 중량%인 농도이다. 한 실시양태에서, 실란 커플링제는 언더필 용액의 약 0.5 중량%를 차지한다.Silane coupling agents may be included in the underfill solution to improve the adhesion of the underfill to various substrates. Typically, silane coupling agents include organomodified silicon molecules. If present, the concentration of the silane coupling agent is from about 0.5 to about 2 weight percent of the underfill solution. In one embodiment, the silane coupling agent comprises about 0.5% by weight of the underfill solution.

언더필 조성물의 제조 방법Process for producing underfill composition

일반적으로, 다양한 성분들을 함께 혼합함으로써 언더필 용액을 제조한다. 전형적으로, 제조 공정은 선택된 성분들을 예를 들면 행성식 혼합기에서 혼합함을 포함한다. 필요하다면, 혼합을 돕기 위해 특정 용매를 첨가할 수 있다. 바람직하게는, 언더필 용액 내에서의 기체의 포집을 감소 또는 제거하기 위해서, 혼합 공정을 진공 중에서 수행한다. In general, an underfill solution is prepared by mixing the various components together. Typically, the manufacturing process involves mixing selected components, for example in a planetary mixer. If desired, certain solvents may be added to aid mixing. Preferably, the mixing process is carried out in vacuo to reduce or eliminate the trapping of gas in the underfill solution.

본 발명의 NUF 조성물을 제조하는데 있어서, 본 발명은 감소된 공극 형성 가능성, 증가된 플럭싱 활성, 우수한 가사시간 및 저장수명(점도 안정성) 및 기타 이점을 갖는 조성물의 형성을 용이하게 하는 것으로 밝혀진 혼합 순서를 포함한다. 특히, 우선 고체 페놀성 성분을 에폭시 수지 성분과 혼합한다. 바람직한 실시양태에서는, 전량의 페놀성 성분을 이러한 최초 블렌딩 작업 동안에 에폭시 성분과 블렌딩한다. 또다른 실시양태에서는, 전량 미만의 양, 예를 들면 약 80 중량% 이상의 페놀성 성분을 최초 블렌딩 작업 동안에 에폭시 성분과 블렌딩하고, 나중에 나머지 페놀성 성분을 기타 성분들과 블렌딩한다. 이러한 최초 블렌딩 작업을 통해 에폭시/페놀성 블렌드를 수득한다. In preparing the NUF compositions of the present invention, the invention has been found to facilitate the formation of compositions having reduced pore formation potential, increased fluxing activity, good pot life and shelf life (viscosity stability) and other advantages. Include the order. In particular, the solid phenolic component is first mixed with the epoxy resin component. In a preferred embodiment, the entire amount of phenolic component is blended with the epoxy component during this initial blending operation. In another embodiment, less than the total amount of phenolic components, such as at least about 80% by weight, of the phenolic components are blended with the epoxy component during the initial blending operation, and later the remaining phenolic components are blended with the other components. This initial blending operation yields an epoxy / phenolic blend.

무수물 성분을 첨가하기 전에, 이러한 에폭시/페놀성 블렌드를, 고-전단 혼합을 이용하여, 페놀성 성분의 연화점보다 높은 온도, 전형적으로는 약 80 ℃ 초과, 흔히는 약 100 ℃ 초과의 온도로 가열한다. 블렌드의 가열 온도를 약 80 또는 100 ℃ 초과의 온도로 유지하면서, 에폭시 중합이 일어날 위험 또는 경향이 상당히 높아지는 온도보다 낮은 온도로 유지한다. 따라서, 많은 실시양태의 경우, 온도를 약 170 ℃ 미만의 온도로 유지한다. 이러한 온도에서 균일한 혼합물이 수득되면, 에폭시/페놀성 블렌드가 냉각되도록 둔다. 이것이 약 40 ℃ 미만으로 냉각되면, 무수물을 첨가한다. 액체 또는 반-고체 페놀성 수지를 페놀성 성분으로서 사용하는 경우에는 이러한 가열이 필요없다. 기타 첨가제가 존재한다면, 이것들을 이러한 시점에서 첨가한다. 이어서 이러한 성분들을 통상적인 고-전단 분산 기술을 사용하여 혼합한다. 그러나, 커플링제 및 강인화제와 같은 임의의 기타 첨가제를 첨가하는 타이밍은 아주 중요한 것은 아니다. 특히, 이것들을 가열 단계 이전에 첨가할 수 있다. Prior to addition of the anhydride component, this epoxy / phenolic blend is heated to a temperature above the softening point of the phenolic component, typically above about 80 ° C., often above about 100 ° C., using high-shear mixing. do. The temperature of the blend is maintained at a temperature above about 80 or 100 ° C. while the temperature is lower than the temperature at which the risk or tendency for epoxy polymerization to occur is significantly higher. Thus, for many embodiments, the temperature is maintained at less than about 170 ° C. Once a homogeneous mixture is obtained at this temperature, the epoxy / phenolic blend is allowed to cool. If it cools below about 40 ° C., anhydride is added. This heating is not necessary when a liquid or semi-solid phenolic resin is used as the phenolic component. If other additives are present, they are added at this point. These components are then mixed using conventional high-shear dispersion techniques. However, the timing of adding any other additives such as coupling agents and toughening agents is not critical. In particular, they can be added before the heating step.

균일한 혼합물이 수득된 후, 혼합물을 진공 하에서 탈기시키고, 포장한다. 생성물을 바람직하게는 약 -20 미만의 온도에서 저장한다. After a homogeneous mixture is obtained, the mixture is degassed under vacuum and packed. The product is preferably stored at a temperature of less than about -20.

전술된 프로토콜을 따르면, 페놀성 성분과 무수물 성분 사이의 조기 반응이 회피되거나 적어도 상당히 감소한다는 것이 밝혀졌다. 따라서, 이로써 블렌드의 점도가 극적으로 감소하며, 가사시간이 증가하고, 조기 반응을 통한 성분들의 소모가 감소되는데, 만약 그렇지 않으면, (1) 문헌[H.Lee 및 K.Neville, "Handbook of Epoxy Resins, 1982-reissue", 5 내지 18 페이지(1982, McGraw-Hill, N.Y.) 및 (2) 문헌[W.Blank, Z.He 및 M.Picci: "Catalysis of the Epoxy-Carboxyl Reaction, " Proceeding, Int. Waterborne, High-Solids and Powder Coatings Symposium February 21-23, 2001 New Orleans, LA]에 교시된 바와 같이 에폭시와의 반응에 이용될 수 있는 하드너 성분이 덜 남아있게 될 것이다. 하드너 성분의 효율을 증가시킴으로써, 보다 낮은 총 구성비율의 하드너를 사용하게 되고, 이는 여러 이점들 중에서도 특히 보다 높은 가교밀도 및 Tg라는 이점이 있다. According to the aforementioned protocol, it has been found that premature reactions between phenolic and anhydride components are avoided or at least significantly reduced. Thus, this results in a dramatic decrease in the viscosity of the blend, an increase in pot life, and a reduction in the consumption of the components through premature reactions, if not otherwise (1) H. Lee and K. Neville, "Handbook of Epoxy Resins, 1982-reissue, pages 5-18 (1982, McGraw-Hill, NY) and (2) W. Blanc, Z. He and M. Picci: "Catalysis of the Epoxy-Carboxyl Reaction," Proceeding, Int. Waterborne, High-Solids and Powder Coatings Symposium February 21-23, 2001 New Orleans, LA] will have less hardener components available for reaction with epoxy. By increasing the efficiency of the hardener component, a lower total constituent of the hardener is used, which in particular has the advantage of higher crosslink density and T g .

특정 이론에 얽매이려는 것은 아니지만, 페놀성 성분을 에폭시에 예비-용해시킴으로써, 페놀성 성분이 무수물 성분과 과도하게 반응할 위험을 감소시킨다고 생각된다. 또한 페놀성 성분이 에폭시 성분과 반응할 위험이 감소하는데, 왜냐하면 예비용해를 너무 높지 않은 온도에서, 고-전단 혼합을 사용하여, 촉매의 부재 하에서 수행하기 때문이다. 또한, 에폭시/페놀성 블렌드가 냉각되기 전까지는 무수물을 블렌딩하지 않기 때문에, 그리고 촉매의 본질 때문에, 무수물은 소모되지 않을 것이라고 생각한다. While not wishing to be bound by any theory, it is believed that pre-dissolving the phenolic component in the epoxy reduces the risk of the phenolic component reacting excessively with the anhydride component. In addition, the risk of the phenolic component reacting with the epoxy component is reduced because the predissolution is carried out in the absence of a catalyst, using high-shear mixing, at a temperature not too high. It is also contemplated that the anhydride will not be consumed because the anhydride is not blended until the epoxy / phenolic blend is cooled, and because of the nature of the catalyst.

본 발명은 하기 실시예에 의해 추가로 설명된다. The invention is further illustrated by the following examples.

실시예 1Example 1

언더필 조성물을 제조하기 위해, 파라로이드(Paraloid, 등록상표) EXL 2330 코어-셀 고무 9.6부를, 고-전단 원심분리 실험실용 혼합기를 사용하여, 비스-페놀 F의 액체 디글리시딜에테르(DGEBPF) 38부에 예비-분산시켰다. 이어서 이 예비-블렌드를, 추가의 DGEBPF 62부, 고체 페놀성 노볼락 수지 30.2 부, 및 실퀘스트(Silquest, 등록상표) A-189 머캅토프로필-트리메톡시실란 1.9부와 함께, 유리 용기에 넣었다. 이 혼합물을 전기 핫플레이트 상에서 125 ℃로 가열하고, 고강도 원심 회전날개가 장착된 단축 혼합기를 사용하여 25분 동안 균질화시켰다. 연분홍색 내지 오렌지색을 띤 점성 불투명 혼합물을 약 40 ℃로 냉각되도록 두고, 혼합물이 냉각되면, 메틸헥사히드로프탈산 무수물(MHHPA) 48.8부를, 테트라페닐포스포늄 테트라페닐보레이트(TPP-K) 0.76부와 발연 실리카 0.08부(데구사(Degussa)의 R-972)의 미분쇄 혼합물(TPP-K/발연 실리카 블렌드 0.84부)과 함께, 첨가하였다. 이 혼합물을 실온에서 추가로 10분 동안 격렬하게 혼합한 후, 진공(25 mmHg 미만) 하에서 90분 동안 탈기시켰다. To prepare the underfill composition, 9.6 parts of Paraoid® EXL 2330 core-cell rubber, liquid diglycidyl ether of bis-phenol F (DGEBPF), were prepared using a high-shear centrifugal laboratory mixer. Pre-dispersed in 38 parts. This pre-blend was then placed in a glass container with additional 62 parts of DGEBPF, 30.2 parts of solid phenolic novolac resin, and 1.9 parts of Silquest® A-189 mercaptopropyl-trimethoxysilane. Put in. The mixture was heated to 125 ° C. on an electric hotplate and homogenized for 25 minutes using a uniaxial mixer equipped with high strength centrifugal rotors. The pale pink to orange viscous opaque mixture is allowed to cool to about 40 ° C., and when the mixture is cooled, 48.8 parts of methylhexahydrophthalic anhydride (MHHPA) is fumed with 0.76 parts of tetraphenylphosphonium tetraphenylborate (TPP-K). Along with 0.08 parts of silica (R-972 from Degussa) was added, along with 0.84 parts of TPM-K / fumed silica blend. The mixture was mixed vigorously for another 10 minutes at room temperature and then degassed for 90 minutes under vacuum (less than 25 mm Hg).

실시예 2Example 2

TPP-K/발연 실리카 블렌드 대신에 인텔리머 7024 중합체-결합된 이미다졸 0.48부를 사용한다는 것만 제외하고는, 실시예 1의 프로토콜에 따라 언더필 조성물을 제조하였다. An underfill composition was prepared according to the protocol of Example 1, except that 0.48 parts of Intellimer 7024 polymer-bonded imidazole was used instead of the TPP-K / fumed silica blend.

비교예 1Comparative Example 1

고체 페놀성 노볼락 수지의 구성비율이 14부로 감소하고, MHHPA의 구성비율이 81.0부로 증가하고, TPP-K/발연 실리카 블렌드의 구성비율이 1.04부로 증가한 것만 제외하고는, 실시예 1의 프로토콜에 따라 언더필 조성물을 제조하였다. The composition of Example 1 was changed except that the composition ratio of the solid phenolic novolac resin was reduced to 14 parts, the composition ratio of MHHPA was increased to 81.0 parts, and the composition ratio of the TPP-K / fumed silica blend was increased to 1.04 parts. Accordingly an underfill composition was prepared.

비교예 2Comparative Example 2

DGEBPF 100부, 고체 페놀성 노볼락 수지 14.0 부, 파라로이드 EXL 2330 코어-셀 고무 9.6부, 실퀘스트 A-189 머캅토프로필-트리메톡시실란 1.9부 및 MHHPA 81.0부를 유리 용기에 넣음으로써, 언더필 조성물을 제조하였다. 이 혼합물을 고강도 원심 회전날개가 장착된 단축 혼합기를 사용하여 125 ℃에서 25분 동안 균질화시켰다. 이것을 실온으로 냉각시킨 후, 큐라졸(Curazol) 2E4MZ(에어 프로덕츠(Air Products)) 0.19부를 혼합물에 첨가하는 동시에 교반하였다. 이어서 이 블렌드를 진공(25 mmHg 미만) 하에서 90분 동안 탈기시켰다. 100 parts of DGEBPF, 14.0 parts of solid phenolic novolac resin, 9.6 parts of Pararoid EXL 2330 core-cell rubber, 1.9 parts of Silquest A-189 mercaptopropyl-trimethoxysilane and 81.0 parts of MHHPA were placed in an underfill. The composition was prepared. This mixture was homogenized at 125 ° C. for 25 minutes using a uniaxial mixer equipped with a high strength centrifugal rotor. After cooling to room temperature, 0.19 parts of Curazol 2E4MZ (Air Products) were added to the mixture and stirred at the same time. This blend was then degassed for 90 minutes under vacuum (<25 mmHg).

비교예 3Comparative Example 3

코어-셀 고무(파라로이드 EXL 2330 9.6부)를 고-전단 원심분리 실험실용 혼합기를 사용하여 DGEBPF 38부에 예비-분산시켰다. 이어서 예비-블렌드를, 추가의 DGEBPF 62부, 실퀘스트 A-189 머캅토프로필-트리메톡시실란 1.9부 및 MHHPA 103.7부와 함께, 유리 용기에 넣었다. 별도의 단계에서, 수소화 비스-페놀 A(알드리치(Aldrich)) 16.2부를 발연 실리카 1.6부와 함께 미분쇄시키고, 상기 혼합물에 첨가하고, 이 혼합물을 고강도 원심 회전날개가 장착된 단축 혼합기를 사용하여 실온에서 25분 동안 블렌딩하였다(참고: 용융 블렌딩을 통해 수소화 비스페놀-F와 에폭시 수지의 균질한 단일상 블렌드를 제조하려는 시도는, 수소화 비스페놀-A의 높은 융점 및 이것의 에폭시 수지와의 비-상용성으로 인해 전체 상분리가 일어났으므로, 성공적이지 못했음). 마지막으로, 10분 동안 격렬하게 혼합시키는 방법을 사용하여, TPP-K 1.04부와 발연 실리카 0.1부의 미분쇄 혼합물을 상기 혼합물에 첨가하였다. 이어서 이 블렌드를 진공(25 mmHg 미만) 하에서 90분 동안 탈기시켰다. Core-cell rubbers (9.6 parts of Pararoid EXL 2330) were pre-dispersed in 38 parts of DGEBPF using a high-shear centrifugal laboratory mixer. The pre-blend was then placed in a glass container with additional 62 parts of DGEBPF, 1.9 parts of Silquest A-189 mercaptopropyl-trimethoxysilane and 103.7 parts of MHHPA. In a separate step, 16.2 parts of hydrogenated bis-phenol A (Aldrich) were ground together with 1.6 parts of fumed silica and added to the mixture, which was added to a room temperature using a single screw mixer equipped with a high-strength centrifugal rotor. (See: Attempts to produce a homogeneous single phase blend of hydrogenated bisphenol-F and an epoxy resin via melt blending have been achieved by high melting point of hydrogenated bisphenol-A and its incompatibility with epoxy resin.) Due to full phase separation, which was not successful). Finally, using a method of vigorously mixing for 10 minutes, 1.04 parts of TPP-K and 0.1 part of fumed silica were added to the mixture. This blend was then degassed for 90 minutes under vacuum (<25 mmHg).

비교예 4Comparative Example 4

수소화 비스-페놀 A 대신에 글리세롤(알드리치) 4.1부를 사용하고, TPP-K/발연 실리카 블렌드를 1.34부로 증가시킨다는 것만 제외하고는, 비교예 3의 프로토콜에 따라 언더필 조성물을 제조하였다. An underfill composition was prepared according to the protocol of Comparative Example 3, except that 4.1 parts of glycerol (Aldrich) was used instead of hydrogenated bis-phenol A and the TPP-K / fumed silica blend was increased to 1.34 parts.

비교예 5Comparative Example 5

TPP-K/발연 실리카 블렌드 대신에 큐어졸 2MA-OK 이미다졸염(에어 프로덕츠) 0.74부와 발연 실리카 0.07부의 미분쇄 혼합물을 사용한다는 것만 제외하고는, 실시예 1의 프로토콜에 따라 언더필 조성물을 제조하였다. An underfill composition was prepared according to the protocol of Example 1, except that 0.74 parts of cured 2MA-OK imidazole salt (Air Products) and 0.07 parts of fumed silica were used in place of the TPP-K / fumed silica blend. It was.

비교예 6Comparative Example 6

TPP-K/발연 실리카 블렌드 대신에 이미다졸인 큐어졸 2E4MZ 이미다졸(에어 프로덕츠) 0.20부를 사용한다는 것만 제외하고는, 실시예 1의 프로토콜에 따라 언더필 조성물을 제조하였다. An underfill composition was prepared according to the protocol of Example 1, except that 0.20 parts of Curazole 2E4MZ imidazole (Air Products), an imidazole, was used in place of the TPP-K / fumed silica blend.

비교예 7Comparative Example 7

TPP-K/발연 실리카 블렌드 대신에 트리페닐포스핀 0.76부와 발연 실리카 0.08부의 미분쇄 혼합물을 사용한다는 것만 제외하고는, 실시예 1의 프로토콜에 따라 언더필 조성물을 제조하였다. An underfill composition was prepared according to the protocol of Example 1, except that 0.76 parts of triphenylphosphine and 0.08 parts of fumed silica were used in place of the TPP-K / fumed silica blend.

비교예 8Comparative Example 8

에폭시 수지와 고체 페놀성 수지와 A-189 실란과 파라로이드 2330 강인화제와 MHHPA를 함께 25분 동안 125 ℃에서 용융-블렌딩하고, 40℃로 냉각시킨 후 TPP-K 촉매를 첨가한다는 것만 제외하고는, 실시예 1의 프로토콜에 따라 언더필 조성물을 제조하였다. Except that the epoxy resin, solid phenolic resin, A-189 silane, Pararoid 2330 toughening agent and MHHPA were melt-blended together at 125 ° C. for 25 minutes, cooled to 40 ° C. and then added with TPP-K catalyst. , An underfill composition was prepared according to the protocol of Example 1.

실시예 3Example 3

실시예 1 및 비교예 1 내지 7의 언더필 조성물을 하기 특성에 대해 평가하였다:The underfill compositions of Example 1 and Comparative Examples 1-7 were evaluated for the following properties:

(1) 최초 브룩필드 점도(ISO 2555)(1) First Brookfield Viscosity (ISO 2555)

(2) 특징적 온도 T피크 및 Tg(ISO 11357-5)(2) characteristic temperature T peak and T g (ISO 11357-5)

(3) 플럭싱 능력(3) fluxing ability

(5) 공극 형성성(5) void formation

(6) 중량손실률(6) weight loss rate

플럭싱 능력을 평가하기 위해서, 각각의 NUF 조성물 약 0.5 ㎖를 구리/OSP-코팅된 FR4 라미네이트의 7×3 ㎝ 스트립 상에 분배하였다. 3개의 35.4-mil 직경의 공융 63Sb37Pb 땜납 구를 상기 액체 내에 넣고, 표준 JEDEC 공융 재유동 프로필(220 ℃ 피크, 액상선 위의 시간 = 60 초)에 적용시켰다. 재유동 후, 구 직경의 증가에 의해 입증되는 바와 같은, 붕괴 및 구리 상에의 습윤을 입증하기 위해 구를 검사하였다. x-선 이미지는 일반적으로 보다 밝은 색의 "후광(halo)"에 의해 둘러싸여진 진한 색 중심원으로 이루어진다. 구 직경의 % 증가율(100×[(Rf/Ri)-1](여기서 Rf는 재유동 후 진한 색의 중심 이미지의 직경이고, Ri는 재유동 전 x-선 이미지의 직경임)에 따라 계산됨)은 NUF의 플럭싱 능력을 나타내는 것으로 간주된다.To assess the fluxing capacity, about 0.5 ml of each NUF composition was dispensed onto a 7 × 3 cm strip of copper / OSP-coated FR4 laminate. Three 35.4-mil diameter eutectic 63Sb37Pb solder spheres were placed into the liquid and applied to a standard JEDEC eutectic reflow profile (220 ° C. peak, time above liquidus = 60 seconds). After reflow, the spheres were examined to demonstrate collapse and wetting on the copper, as evidenced by an increase in the sphere diameter. X-ray images generally consist of dark color centers surrounded by lighter "halo". Calculated according to the percentage increase in sphere diameter (100 × [(Rf / Ri) -1], where Rf is the diameter of the dark center image after reflow and Ri is the diameter of the x-ray image before reflow ) Is considered to represent the fluxing ability of the NUF.

공극 형성성 분석의 경우, 언더필을 50-mil 피치의 공융 범프 24개를 갖는 13 × 13 ㎜ 유리 다이 하에 놓았다. 이러한 다이를 Cu 패드가 장착된 FR-4 유기 기판에 부착하였다. 이 조립체를 표준 JEDEC 공융 재유동에 적용시킨 후, 공극 형성 정도를 평가하기 위해 초음파 주사 현미경으로써 검사하였다.For pore formability analysis, the underfill was placed under a 13 x 13 mm glass die with 24 eutectic bumps of 50-mil pitch. This die was attached to an FR-4 organic substrate equipped with Cu pads. This assembly was subjected to standard JEDEC eutectic reflow and then examined with an ultrasound scanning microscope to assess the degree of pore formation.

7 내지 8 ㎎의 샘플 크기, 10 ℃/min의 가열 속도로 25 ℃로부터 275 ℃까지 가열, 및 질소 대기를 사용하는 퍼킨-엘머 모델 피리스 1 써모-그래비메트릭 애널라이저(Perkin-Elmer Model Pyris 1 Thermo-Gravimetric Analyzer)를 사용하여 중량손실률을 분석하였다. Perkin-Elmer Model Pyris 1 using a sample size of 7-8 mg, heating from 25 ° C. to 275 ° C. at a heating rate of 10 ° C./min, and a nitrogen atmosphere. The weight loss rate was analyzed using a Thermo-Gravimetric Analyzer.

이러한 평가 결과가 하기 표 1에 명시되어 있다. The results of these assessments are set forth in Table 1 below.

점도-최초, cPViscosity-First, cP 23℃에서 4시간 후의 점도Viscosity after 4 hours at 23 ° C DSC T피크* (*최초 또는 가장 큰 피크)DSC T peak * ( * first or largest peak) TGA 중량손실률, %TGA weight loss rate,% DSC Tg DSC T g 플럭싱 (% 직경 증가율)Fluxing (% Diameter Growth) 공극 (% 다이 하 면적)Voids (% area under the die) 실시예 1 (바람직함)Example 1 (preferred) 7,8007,800 9,8409,840 185185 11.911.9 101101 130130 00 실시예 2 (바람직함)Example 2 (preferred) 10,27010,270 13,19013,190 182182 8.38.3 9898 138138 00 비교예 1Comparative Example 1 1,2001,200 1,4301,430 191191 20.620.6 109109 140140 1One 비교예 2Comparative Example 2 2,9802,980 3,3203,320 185185 16.116.1 108108 143143 00 비교예 3Comparative Example 3 <1,000<1,000 1,0201,020 191191 19.619.6 109109 96* (불규칙 형상)96 * (irregular shape) 22 비교예 4Comparative Example 4 <1,000<1,000 1,0301,030 191191 20.120.1 108108 127127 1One 비교예 5Comparative Example 5 5,3005,300 30,00030,000 182182 8.08.0 8888 113* (불규칙 형상)113 * (irregular shape) 00 비교예 6Comparative Example 6 19,80019,800 >50,000> 50,000 188188 8.48.4 9797 105* (불규칙 형상)105 * (irregular shape) 00 비교예 7Comparative Example 7 16,50016,500 >50,000> 50,000 184184 9.19.1 9696 121121 00 비교예 8Comparative Example 8 21,00021,000 46,00046,000 186186 9.29.2 9999 140140 22

본 발명의 실시양태(실시예 1 및 2)는 탁월한 플럭싱 능력, 비교적 낮은 TGA 중량손실률, 낮은 공극 형성성, 및 안정한 실온 점도(우수한 가사시간)을 보인다.Embodiments of the present invention (Examples 1 and 2) exhibit excellent fluxing ability, relatively low TGA weight loss rate, low pore formation, and stable room temperature viscosity (good pot life).

고체 페놀성 노볼락의 농도가 보다 낮고 무수물 농도가 증가된 비교예 1은, 바람직한 실시양태에 비해, 증가된 공극 형성성, 및 보다 높은 TGA 중량손실률을 보인다. 그러나 이 물질은 보다 낮은 점도를 갖는다. Comparative Example 1, which has a lower concentration of solid phenolic novolac and an increased anhydride concentration, shows an increased pore formability, and a higher TGA weight loss rate compared to the preferred embodiment. However, this material has a lower viscosity.

비교예 2는 비교예 1과 유사한 조성을 갖지만, 이것은 통상적인 블렌딩 공정(촉매를 제외한 모든 물질을 넣고, 가열하고, 함께 혼합함) 및 2E4MZ 촉매를 사용하여 제조된다. 이 물질은 바람직한 실시양태에 비해 보다 높은 중량손실률을 갖는다. 그러나 이 물질은 보다 낮은 점도를 갖는다. Comparative Example 2 has a composition similar to Comparative Example 1, but it is prepared using a conventional blending process (adding all materials except catalyst, heating and mixing together) and 2E4MZ catalyst. This material has a higher weight loss rate compared to the preferred embodiment. However, this material has a lower viscosity.

비교예 3 및 비교예 4는, 지방족 폴리올(글리세롤, 수소화 비스페놀 A)은, 유사한 활성 수소 몰농도에서, 보다 높은 공극 형성 경향을 가짐을 보여준다. Comparative Examples 3 and 4 show that aliphatic polyols (glycerol, hydrogenated bisphenol A) have a higher tendency of pore formation at similar molar concentrations of active hydrogen.

비교예 5는, 또다른 통상적인 잠재성 촉매(이미다졸 첨가생성물)가, 낮은 점도를 유지하는데 있어서, 포스포늄염 또는 중합체-결합된 이미다졸 만큼 효과적이지는 않다는 것을 보여준다. Comparative Example 5 shows that another conventional latent catalyst (imidazole adduct) is not as effective as phosphonium salt or polymer-linked imidazole in maintaining low viscosity.

비교예 6 및 7은, 실시예 1 및 실시예 2의 바람직한 실시양태 및 비교예 2와는 대조적으로, 무수물/페놀성 하드너의 몰비가 유사할 때, 즉 1에 가까울 때에는, 통상적인 촉매인 큐어졸 2E4MZ 또는 TPP 유기포스핀이 적합하지 않다는 것을 보여준다. Comparative Examples 6 and 7, in contrast to the preferred embodiments of Example 1 and 2 and Comparative Example 2, are cursols which are conventional catalysts when the molar ratios of anhydride / phenolic hardeners are similar, i.e. close to 1. It is shown that 2E4MZ or TPP organophosphine is not suitable.

높은 점도 및 불량한 가사시간을 갖는 비교예 8은, 바람직한 실시양태에서 개시된 바와 같이, 원하는 물질 성질을 달성하는데 있어서의 첨가 순서의 이점을 예시한다. Comparative Example 8, with high viscosity and poor pot life, illustrates the advantages of the order of addition in achieving the desired material properties, as disclosed in the preferred embodiments.

본 발명은 상기 실시양태에만 국한되지는 않으며 다양하게 변형될 수 있다. 바람직한 실시양태에 대한 상기 내용은, 해당 분야의 숙련자들이 본 발명을 특정 용도의 요건에 가장 적합할 수 있는 수많은 형태로서 수정하고 적용시키도록, 해당 분야의 숙련자에게 본 발명, 본 발명의 원리 및 실제적 응용을 숙지시키기 위한 것일 뿐이다.The present invention is not limited to the above embodiments and can be variously modified. The foregoing description of the preferred embodiments is directed to those skilled in the art, the principles and practical aspects of the invention, to enable those skilled in the art to modify and apply the invention in numerous forms that may best suit the requirements of the particular application. It is only intended to familiarize you with the application.

본 명세서 전체에 걸쳐(첨부된 청구의 범위를 포함) "포함하다" 또는 "포함하는"이라는 단어를 사용하는 경우, 달리 언급이 없는 한, 이러한 단어는 배타적이 아닌 포함적인 것으로 해석되는 근거 및 명확한 이해를 바탕으로 사용된다는 것을 알도록 하며, 이러한 단어는 각각 본 명세서 전체에 걸쳐 그렇게 해석된다는 것을 알도록 한다.Throughout this specification (including the appended claims), when the words “comprise” or “comprising” are used, unless otherwise stated, these words are to be interpreted as inclusive and not as exclusive, unless otherwise stated. It is to be understood that the phraseology is used on an understanding basis, and that each of these words is so interpreted throughout this specification.

Claims (45)

에폭시 성분과 약 80 중량% 이상의 페놀성 성분을 블렌딩하여 에폭시/페놀성 블렌드를 형성하는 단계; Blending the epoxy component with at least about 80% by weight of the phenolic component to form an epoxy / phenolic blend; 에폭시/페놀성 블렌드를 페놀성 성분의 연화점보다 높은 온도로 가열하는 단계; Heating the epoxy / phenolic blend to a temperature above the softening point of the phenolic component; 에폭시/페놀성 블렌드를 냉각시키는 단계; Cooling the epoxy / phenolic blend; 무수물 성분을 에폭시/페놀성 블렌드 내에 블렌딩하여 언더필 조성물을 형성하는 단계Blending an anhydride component into the epoxy / phenolic blend to form an underfill composition 를 포함하는, 전자제품의 제조에 사용되기 위한, 에폭시 성분, 무수물 성분 및 페놀성 성분을 포함하는 언더필 조성물의 제조 방법. A method for producing an underfill composition comprising an epoxy component, an anhydride component and a phenolic component, for use in the manufacture of an electronic product comprising a. 제 1 항에 있어서, 에폭시/페놀성 블렌드를 냉각시키는 상기 단계가 약 40 ℃ 미만의 온도로 냉각시킴을 포함하는 방법.The method of claim 1 wherein the step of cooling the epoxy / phenolic blend comprises cooling to a temperature of less than about 40 ° C. 제 1 항에 있어서, 에폭시 성분과 약 80 중량% 이상의 페놀성 성분을 블렌딩하여 에폭시/페놀성 블렌드를 형성하는 단계가 에폭시 성분과 실질적으로 전량의 페놀성 성분을 블렌딩함을 포함하는 방법.The method of claim 1, wherein blending the epoxy component with at least about 80% by weight of the phenolic component to form an epoxy / phenolic blend comprises blending substantially the entire amount of the phenolic component with the epoxy component. 제 2 항에 있어서, 에폭시 성분과 약 80 중량% 이상의 페놀성 성분을 블렌딩 하여 에폭시/페놀성 블렌드를 형성하는 단계가 에폭시 성분과 실질적으로 전량의 페놀성 성분을 블렌딩함을 포함하는 방법.3. The method of claim 2, wherein blending the epoxy component with at least about 80% by weight of the phenolic component to form an epoxy / phenolic blend comprises blending substantially the entire amount of the phenolic component with the epoxy component. 제 1 항에 있어서, 무수물 성분을 에폭시/페놀성 블렌드 내에 블렌딩하여 언더필 조성물을 형성하는 단계가, 언더필 조성물로 하여금 약 0.1:1 내지 약 2:1의 페놀성 성분 대 무수물 성분의 몰비를 갖게 하는 양으로 무수물 성분을 에폭시/페놀성 블렌드 내에 블렌딩함을 포함하는 방법.The method of claim 1 wherein blending the anhydride component into the epoxy / phenolic blend to form the underfill composition causes the underfill composition to have a molar ratio of phenolic component to anhydride component from about 0.1: 1 to about 2: 1. Blending the anhydride component in an epoxy / phenolic blend in an amount. 제 1 항에 있어서, 에폭시 성분의 블렌딩 및 무수물 성분의 블렌딩을 통해, 약 0.6:1 내지 약 1.4:1의 에폭시 성분 대 총 하드너의 몰비를 달성하며, 이 때 총 하드너는 페놀성 성분과 무수물 성분의 누적합인 방법. The method of claim 1 wherein blending of the epoxy component and blending of the anhydride component achieves a molar ratio of epoxy component to total hardener of about 0.6: 1 to about 1.4: 1, wherein the total hardener is a phenolic component and an anhydride component. The cumulative sum of. 제 2 항에 있어서, 무수물 성분을 에폭시/페놀성 블렌드 내에 블렌딩하여 언더필 조성물을 형성하는 단계가, 언더필 조성물로 하여금 약 0.1:1 내지 약 2:1의 페놀성 성분 대 무수물 성분의 몰비를 갖게 하는 양으로 무수물 성분을 에폭시/페놀성 블렌드 내에 블렌딩함을 포함하는 방법.The method of claim 2, wherein blending the anhydride component into the epoxy / phenolic blend to form the underfill composition causes the underfill composition to have a molar ratio of phenolic component to anhydride component from about 0.1: 1 to about 2: 1. Blending the anhydride component in an epoxy / phenolic blend in an amount. 제 2 항에 있어서, 에폭시 성분의 블렌딩 및 무수물 성분의 블렌딩을 통해, 약 0.6:1 내지 약 1.4:1의 에폭시 성분 대 총 하드너의 몰비를 달성하며, 이 때 총 하드너는 페놀성 성분과 무수물 성분의 누적합인 방법. 3. The method of claim 2, wherein through blending the epoxy component and blending the anhydride component, a molar ratio of epoxy component to total hardener is achieved between about 0.6: 1 and about 1.4: 1, wherein the total hardener is a phenolic component and an anhydride component. The cumulative sum of. 제 3 항에 있어서, 무수물 성분을 에폭시/페놀성 블렌드 내에 블렌딩하여 언더필 조성물을 형성하는 단계가, 언더필 조성물로 하여금 약 0.1:1 내지 약 2:1의 페놀성 성분 대 무수물 성분의 몰비를 갖게 하는 양으로 무수물 성분을 에폭시/페놀성 블렌드 내에 블렌딩함을 포함하는 방법.4. The method of claim 3, wherein blending the anhydride component into the epoxy / phenolic blend to form the underfill composition causes the underfill composition to have a molar ratio of phenolic component to anhydride component from about 0.1: 1 to about 2: 1. Blending the anhydride component in an epoxy / phenolic blend in an amount. 제 3 항에 있어서, 에폭시 성분의 블렌딩 및 무수물 성분의 블렌딩을 통해, 약 0.6:1 내지 약 1.4:1의 에폭시 성분 대 총 하드너의 몰비를 달성하며, 이 때 총 하드너는 페놀성 성분과 무수물 성분의 누적합인 방법. 4. The molar ratio of epoxy component to total hardener of about 0.6: 1 to about 1.4: 1 is achieved by blending the epoxy component and blending the anhydride component, wherein the total hardener is a phenolic component and an anhydride component. The cumulative sum of. 제 1 항에 있어서, 첨가제를 에폭시/페놀성 블렌드 내에 블렌딩함을 추가로 포함하고, 상기 첨가제가 습윤제, 소포제, 유동촉진제, 분산보조제, 난연제, 커플링제, 응력감소제, CTE 개질제, 및 이것들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되는 방법. The method of claim 1 further comprising blending the additive into an epoxy / phenolic blend, wherein the additive is a wetting agent, antifoaming agent, flow promoter, dispersion aid, flame retardant, coupling agent, stress reducer, CTE modifier, and their The method selected from the group consisting of combinations. 제 1 항에 있어서, 첨가제를 에폭시/페놀성 블렌드 내에 블렌딩함을 추가로 포함하고, 상기 첨가제가 습윤제, 소포제, 유동촉진제, 분산보조제, 난연제, 커플링제, 응력감소제, CTE 개질제, 및 이것들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되고, 첨가제의 블렌딩을 에폭시/페놀성 블렌드의 냉각 후에 수행하는 방법. The method of claim 1 further comprising blending the additive into an epoxy / phenolic blend, wherein the additive is a wetting agent, antifoaming agent, flow promoter, dispersing aid, flame retardant, coupling agent, stress reducer, CTE modifier, and their Selected from the group consisting of combinations, wherein the blending of the additives is carried out after cooling of the epoxy / phenolic blend. 제 2 항에 있어서, 첨가제를 에폭시/페놀성 블렌드 내에 블렌딩함을 추가로 포함하고, 상기 첨가제가 습윤제, 소포제, 유동촉진제, 분산보조제, 난연제, 커플링제, 응력감소제, CTE 개질제, 및 이것들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되는 방법. The method of claim 2 further comprising blending the additives in an epoxy / phenolic blend, wherein the additives are wetting agents, antifoams, flow promoters, dispersing aids, flame retardants, coupling agents, stress reducers, CTE modifiers, and their The method selected from the group consisting of combinations. 제 2 항에 있어서, 첨가제를 에폭시/페놀성 블렌드 내에 블렌딩함을 추가로 포함하고, 상기 첨가제가 습윤제, 소포제, 유동촉진제, 분산보조제, 난연제, 커플링제, 응력감소제, CTE 개질제, 및 이것들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되고, 첨가제의 블렌딩을 에폭시/페놀성 블렌드의 냉각 후에 수행하는 방법. The method of claim 2 further comprising blending the additives in an epoxy / phenolic blend, wherein the additives are wetting agents, antifoams, flow promoters, dispersing aids, flame retardants, coupling agents, stress reducers, CTE modifiers, and their Selected from the group consisting of combinations, wherein the blending of the additives is carried out after cooling of the epoxy / phenolic blend. 제 5 항에 있어서, 첨가제를 에폭시/페놀성 블렌드 내에 블렌딩함을 추가로 포함하고, 상기 첨가제가 습윤제, 소포제, 유동촉진제, 분산보조제, 난연제, 커플링제, 응력감소제, CTE 개질제, 및 이것들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되는 방법. 6. The method of claim 5 further comprising blending the additives in an epoxy / phenolic blend, wherein the additives are wetting agents, antifoams, flow promoters, dispersing aids, flame retardants, coupling agents, stress reducers, CTE modifiers, and their The method selected from the group consisting of combinations. 제 6 항에 있어서, 첨가제를 에폭시/페놀성 블렌드 내에 블렌딩함을 추가로 포함하고, 상기 첨가제가 습윤제, 소포제, 유동촉진제, 분산보조제, 난연제, 커플링제, 응력감소제, CTE 개질제, 및 이것들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되고, 첨가제의 블렌딩을 에폭시/페놀성 블렌드의 냉각 후에 수행하는 방법. 7. The method of claim 6 further comprising blending the additive into an epoxy / phenolic blend, wherein the additive is a wetting agent, antifoaming agent, flow promoter, dispersion aid, flame retardant, coupling agent, stress reducer, CTE modifier, and their Selected from the group consisting of combinations, wherein the blending of the additives is carried out after cooling of the epoxy / phenolic blend. 제 1 항에 있어서, 잠재성 촉매를 에폭시/페놀성 블렌드 내에 블렌딩함을 추가로 포함하는 방법.The method of claim 1 further comprising blending the latent catalyst into an epoxy / phenolic blend. 제 1 항에 있어서, 잠재성 촉매를 에폭시/페놀성 블렌드 내에 블렌딩함을 추가로 포함하고, 잠재성 촉매의 블렌딩을 에폭시/페놀성 블렌드의 냉각 후에 수행하는 방법. The method of claim 1, further comprising blending the latent catalyst into an epoxy / phenolic blend, wherein the blending of the latent catalyst is performed after cooling of the epoxy / phenolic blend. 제 2 항에 있어서, 잠재성 촉매를 에폭시/페놀성 블렌드 내에 블렌딩함을 추가로 포함하는 방법.3. The process of claim 2 further comprising blending the latent catalyst into an epoxy / phenolic blend. 제 2 항에 있어서, 잠재성 촉매를 에폭시/페놀성 블렌드 내에 블렌딩함을 추가로 포함하고, 잠재성 촉매의 블렌딩을 에폭시/페놀성 블렌드의 냉각 후에 수행하는 방법. The method of claim 2 further comprising blending the latent catalyst into an epoxy / phenolic blend, wherein the blending of the latent catalyst is performed after cooling of the epoxy / phenolic blend. 제 5 항에 있어서, 잠재성 촉매를 에폭시/페놀성 블렌드 내에 블렌딩함을 추가로 포함하는 방법.6. The process of claim 5 further comprising blending the latent catalyst into an epoxy / phenolic blend. 제 5 항에 있어서, 잠재성 촉매를 에폭시/페놀성 블렌드 내에 블렌딩함을 추가로 포함하고, 잠재성 촉매의 블렌딩을 에폭시/페놀성 블렌드의 냉각 후에 수행하는 방법. 6. The process of claim 5 further comprising blending the latent catalyst into an epoxy / phenolic blend, wherein the blending of the latent catalyst is performed after cooling of the epoxy / phenolic blend. 제 6 항에 있어서, 잠재성 촉매를 에폭시/페놀성 블렌드 내에 블렌딩함을 추가로 포함하는 방법.7. The process of claim 6 further comprising blending the latent catalyst into an epoxy / phenolic blend. 제 6 항에 있어서, 잠재성 촉매를 에폭시/페놀성 블렌드 내에 블렌딩함을 추가로 포함하고, 잠재성 촉매의 블렌딩을 에폭시/페놀성 블렌드의 냉각 후에 수행하는 방법.7. The method of claim 6 further comprising blending the latent catalyst into an epoxy / phenolic blend, wherein the blending of the latent catalyst is performed after cooling of the epoxy / phenolic blend. 제 1 항에 있어서, 무수물 성분을 에폭시/페놀성 블렌드 내에 블렌딩하여 언더필 조성물을 형성하는 단계가, 언더필 조성물로 하여금 약 0.8:1 내지 약 1.2:1의 페놀성 성분 대 무수물 성분의 몰비를 갖게 하는 양으로 무수물 성분을 에폭시/페놀성 블렌드 내에 블렌딩함을 포함하는 방법.The method of claim 1 wherein blending the anhydride component into the epoxy / phenolic blend to form the underfill composition causes the underfill composition to have a molar ratio of phenolic component to anhydride component from about 0.8: 1 to about 1.2: 1. Blending the anhydride component in an epoxy / phenolic blend in an amount. 제 2 항에 있어서, 무수물 성분을 에폭시/페놀성 블렌드 내에 블렌딩하여 언더필 조성물을 형성하는 단계가, 언더필 조성물로 하여금 약 0.8:1 내지 약 1.2:1의 페놀성 성분 대 무수물 성분의 몰비를 갖게 하는 양으로 무수물 성분을 에폭시/페놀성 블렌드 내에 블렌딩함을 포함하는 방법.The method of claim 2, wherein blending the anhydride component into the epoxy / phenolic blend to form the underfill composition causes the underfill composition to have a molar ratio of phenolic component to anhydride component from about 0.8: 1 to about 1.2: 1. Blending the anhydride component in an epoxy / phenolic blend in an amount. 제 6 항에 있어서, 무수물 성분을 에폭시/페놀성 블렌드 내에 블렌딩하여 언더필 조성물을 형성하는 단계가, 언더필 조성물로 하여금 약 0.8:1 내지 약 1.2:1 의 페놀성 성분 대 무수물 성분의 몰비를 갖게 하는 양으로 무수물 성분을 에폭시/페놀성 블렌드 내에 블렌딩함을 포함하는 방법.The method of claim 6, wherein blending the anhydride component into the epoxy / phenolic blend to form the underfill composition causes the underfill composition to have a molar ratio of phenolic component to anhydride component from about 0.8: 1 to about 1.2: 1. Blending the anhydride component in an epoxy / phenolic blend in an amount. 제 12 항에 있어서, 무수물 성분을 에폭시/페놀성 블렌드 내에 블렌딩하여 언더필 조성물을 형성하는 단계가, 언더필 조성물로 하여금 약 0.8:1 내지 약 1.2:1의 페놀성 성분 대 무수물 성분의 몰비를 갖게 하는 양으로 무수물 성분을 에폭시/페놀성 블렌드 내에 블렌딩함을 포함하는 방법.The method of claim 12, wherein blending the anhydride component into the epoxy / phenolic blend to form the underfill composition causes the underfill composition to have a molar ratio of phenolic component to anhydride component from about 0.8: 1 to about 1.2: 1. Blending the anhydride component in an epoxy / phenolic blend in an amount. 제 17 항에 있어서, 무수물 성분을 에폭시/페놀성 블렌드 내에 블렌딩하여 언더필 조성물을 형성하는 단계가, 언더필 조성물로 하여금 약 0.8:1 내지 약 1.2:1의 페놀성 성분 대 무수물 성분의 몰비를 갖게 하는 양으로 무수물 성분을 에폭시/페놀성 블렌드 내에 블렌딩함을 포함하는 방법.18. The method of claim 17, wherein blending the anhydride component into the epoxy / phenolic blend to form the underfill composition causes the underfill composition to have a molar ratio of phenolic component to anhydride component from about 0.8: 1 to about 1.2: 1. Blending the anhydride component in an epoxy / phenolic blend in an amount. 제 18 항에 있어서, 무수물 성분을 에폭시/페놀성 블렌드 내에 블렌딩하여 언더필 조성물을 형성하는 단계가, 언더필 조성물로 하여금 약 0.8:1 내지 약 1.2:1의 페놀성 성분 대 무수물 성분의 몰비를 갖게 하는 양으로 무수물 성분을 에폭시/페놀성 블렌드 내에 블렌딩함을 포함하는 방법.The method of claim 18, wherein blending the anhydride component into the epoxy / phenolic blend to form the underfill composition causes the underfill composition to have a molar ratio of phenolic component to anhydride component from about 0.8: 1 to about 1.2: 1. Blending the anhydride component in an epoxy / phenolic blend in an amount. 제 1 항에 있어서, 에폭시/페놀성 블렌드를 페놀성 성분의 연화점보다 높은 온도로 가열하는 단계가 약 80 ℃ 초과의 온도로 가열함을 포함하는 방법.The method of claim 1, wherein heating the epoxy / phenolic blend to a temperature above the softening point of the phenolic component comprises heating to a temperature above about 80 ° C. 3. 제 2 항에 있어서, 에폭시/페놀성 블렌드를 페놀성 성분의 연화점보다 높은 온도로 가열하는 단계가 약 80 ℃ 초과의 온도로 가열함을 포함하는 방법.The method of claim 2, wherein heating the epoxy / phenolic blend to a temperature above the softening point of the phenolic component comprises heating to a temperature above about 80 ° C. 4. 에폭시 성분과 약 80 중량% 이상의 페놀성 성분을 블렌딩하여 에폭시/페놀성 블렌드를 형성하는 단계; Blending the epoxy component with at least about 80% by weight of the phenolic component to form an epoxy / phenolic blend; 언더필 조성물로 하여금 약 0.1:1 내지 약 2:1의 페놀성 성분 대 무수물 성분의 몰비를 갖게 하는 양으로 무수물 성분을 에폭시/페놀성 블렌드 내에 블렌딩하는 단계Blending the anhydride component into the epoxy / phenolic blend in an amount such that the underfill composition has a molar ratio of phenolic component to anhydride component from about 0.1: 1 to about 2: 1. 를 포함하는, 전자제품의 제조에 사용되기 위한, 에폭시 성분, 무수물 성분 및 페놀성 성분을 포함하는 언더필 조성물의 제조 방법.A method for producing an underfill composition comprising an epoxy component, an anhydride component and a phenolic component, for use in the manufacture of an electronic product comprising a. 제 33 항에 있어서, 페놀성 성분이 반-고체 또는 액체 페놀성 수지인 방법.34. The method of claim 33, wherein the phenolic component is a semi-solid or liquid phenolic resin. 제 33 항에 있어서, 무수물 성분을 에폭시/페놀성 블렌드 내에 블렌딩하는 단계가, 언더필 조성물로 하여금 약 0.8:1 내지 약 1.2:1의 페놀성 성분 대 무수물 성분의 몰비를 갖게 하는 양으로 무수물 성분을 에폭시/페놀성 블렌드 내에 블렌딩함을 포함하는 방법.34. The method of claim 33, wherein blending the anhydride component into the epoxy / phenolic blend causes the underfill composition to have a molar ratio of phenolic component to anhydride component from about 0.8: 1 to about 1.2: 1. Blending into an epoxy / phenolic blend. 제 34 항에 있어서, 무수물 성분을 에폭시/페놀성 블렌드 내에 블렌딩하는 단계가, 언더필 조성물로 하여금 약 0.8:1 내지 약 1.2:1의 페놀성 성분 대 무수물 성분의 몰비를 갖게 하는 양으로 무수물 성분을 에폭시/페놀성 블렌드 내에 블렌딩함을 포함하는 방법.35. The method of claim 34, wherein blending the anhydride component into the epoxy / phenolic blend causes the underfill composition to have a molar ratio of phenolic component to anhydride component from about 0.8: 1 to about 1.2: 1. Blending into an epoxy / phenolic blend. 제 33 항에 있어서, 잠재성 촉매를 에폭시/페놀성 블렌드 내에 블렌딩함을 추가로 포함하는 방법.34. The method of claim 33, further comprising blending the latent catalyst into an epoxy / phenolic blend. 제 34 항에 있어서, 잠재성 촉매를 에폭시/페놀성 블렌드 내에 블렌딩함을 추가로 포함하는 방법. 35. The method of claim 34, further comprising blending the latent catalyst into an epoxy / phenolic blend. 제 1 항의 방법에 의해 제조된, 전자제품의 제조에 사용되기 위한 언더필 조성물.An underfill composition for use in the manufacture of an electronic product produced by the method of claim 1. 에폭시 성분; 및 Epoxy component; And 약 0.1:1 내지 약 2:1의 페놀성 성분 대 무수물 성분의 몰비로서 페놀성 성분 및 무수물 성분을 포함하는 하드너 성분Hardener component comprising a phenolic component and an anhydride component in a molar ratio of phenolic component to anhydride component from about 0.1: 1 to about 2: 1 을 포함하는, 전자제품의 제조에 사용되기 위한 언더필 조성물.Underfill composition for use in the manufacture of electronics, comprising. 제 40 항에 있어서, 하드너 성분이 약 0.8:1 내지 약 1.2:1의 페놀성 성분 대 무수물 성분의 몰비로서 페놀성 성분 및 무수물 성분을 포함하는 언더필 조성 물.41. The underfill composition of claim 40, wherein the hardener component comprises a phenolic component and an anhydride component in a molar ratio of phenolic component to anhydride component from about 0.8: 1 to about 1.2: 1. 제 40 항에 있어서, 잠재성 촉매를 추가로 포함하는 언더필 조성물.The underfill composition of claim 40 further comprising a latent catalyst. 제 41 항에 있어서, 잠재성 촉매를 추가로 포함하는 언더필 조성물.42. The underfill composition of claim 41 further comprising a latent catalyst. 제 40 항에 있어서, 중합체-결합된 촉매 및 포스포늄염계 촉매로 이루어진 군에서 선택된 잠재성 촉매를 추가로 포함하는 언더필 조성물.41. The underfill composition of claim 40 further comprising a latent catalyst selected from the group consisting of polymer-bonded catalysts and phosphonium salt based catalysts. 제 41 항에 있어서, 중합체-결합된 촉매 및 포스포늄염계 촉매로 이루어진 군에서 선택된 잠재성 촉매를 추가로 포함하는 언더필 조성물.42. The underfill composition of claim 41 further comprising a latent catalyst selected from the group consisting of polymer-bonded catalysts and phosphonium salt based catalysts.
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