KR20070083449A - 오염물 제거 시스템 및 방법 - Google Patents

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윌리암 굿윈
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엔테그리스, 아이엔씨.
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Abstract

본 발명은 반도체 처리 장치에서 가스로부터 오염물을 제거하는 장치를 포함하는 시스템 및 방법을 제공하며, 이러한 오염물 제거 장치는 적어도 2개의 평행한 필터 스테이지가 내부에 배치되는 필터 유닛을 포함할 수 있다. 필터 스테이지는 그 필터 스테이지를 통해 유동되는 가스의 오염물 중 적어도 일부를 제거시킬 수 있도록 형성된다. 오염물 제거 장치는 또한 가스 유동을 필터 스테이지에 분배하는 유동 컨트롤러를 포함할 수 있다. 일 실시예에 따르면, 컨트롤러는 확산판으로 구성될 수 있다. 본 발명은 또한 본 발명의 시스템이나 방법에 가스 유동 컨트롤용 샘플 추출 관 오리피스를 제공한다. 또 다른 실시예에 따르면, 청청실의 가스로부터 오염물을 제거하는 장치는, 그 장치를 통해 가스가 유동될 때 가스의 오염물 중 일부를 제거하는 데 사용되는 적어도 2개의 평행한 필터 스테이지를 구비한 필터 유닛을 포함한다.
반도체 처리 장치, 청정실, 가스 오염물, 필터 유닛, 확산판

Description

오염물 제거 시스템 및 방법{SYSTEM AND METHOD FOR REMOVING CONTAMINANTS}
<관련 출원의 상호 참조>
본 출원은 2004년 6월 7일자로 출원된 발명의 명칭이 "오염물 제거 시스템 및 방법"인 미국 특허 가출원 제60/577,723호와 2004년 10월 18일자로 출원된 발명의 명칭이 "오염물 제거 시스템 및 방법"인 미국 특허 가출원 제60/619,857호의 우선권을 주장하는 출원으로서, 상기 미국 특허 가출원들은 본 명세서에 참고로 포함된다.
청정실은 오염도 조절과 제품 품질 및 제품 수율의 향상을 위해 여러 산업 분야에 활용되고 있다. 예를 들면, 청정실은 제약 분야, 생명 공학 분야 및 반도체 분야에 활용될 수 있다. 이하에서는 하나의 예시적인 환경으로서 반도체 제조 환경을 중심으로 하여 설명한다.
최적의 반도체 수율을 확보하기 위해서는, 공기 동반 오염물은 저감되거나 제거되어야 한다. 따라서, 반도체 제조 환경에서는 가스의 여과가 매우 중요하다. 반도체 제조 장치에 사용되는 가스로부터 수율 저하 유발 오염물을 제거하고자 많은 연구를 시도하고 있다. 이러한 오염물은 일반적으로 미립자 오염물 혹은 분자 오염물로 구분될 수 있다. 통상적인 미립자 오염물에는 먼지, 린트(lint), 각질 및 제조시의 잔해가 있다. 수율 저하 유발 오염물의 예로서, 일례로 브롬화수소 산, 질산, 황산, 인산, 염산과 같은 산과, 일례로 암모니아, 수산화암모늄, 수산화 테트라메틸암모늄, 트라이메틸아민, 트라이에틸아민, 헥사메틸다이실라잔, N-메틸피롤리돈(NMP), 시클로헥실아민, 다이에틸아미노에탄올, 메틸아민, 다이메틸아민, 에탄올아민, 몰폴린과 같은 염기와, 일례로 비등점이 대략 150℃ 이상인 실리콘 및 탄화수소와 같은 응축물과, 일례로 붕소(일반적으로 붕산), 인(일반적으로 유기인산염) 및 비소(일반적으로 비산염)와 같은 첨가 불순물(dopant)을 들 수 있다.
공기 동반 미립자 오염물은 청정실 내의 공기에 존재할 수도 있고, 그 청정실 내로 유입되는 가스에 의해 동반될 수도 있다. 예를 들면, 반도체 사진 식각 장치에서, 장치의 공압 부재들을 작동시키고 장치의 광학 소자들을 세정하기 위해서 가스가 공급된다. 일반적으로 공압 부재의 작동과 광학 소자의 세정을 위해서 정화된 건공기, 질소 등이 사용되지만, 일례로 조사기 광학 소자 및 투사 렌즈와 같은 광학 소자를 충분히 손상시킬 수 있는 농도로 소량의 오염물이 가스에 존재할 수 있다. 오염물은 광학 소자 상에 고착되어 분자층을 형성할 수 있다. 이러한 광학 소자 표면의 분자층은 입사광을 흡수하고 산란시킨다. 이렇게 사진 식각 광학 소자 표면에서 산란되거나 흡수된 광은 파면의 구면 상태의 왜곡을 초래하게 된다. 구면 파면에 포함된 정보가 왜곡되면, 영상이 잘못 형성되거나 왜곡된다. 이렇게 영상이 왜곡되거나 또는 사진 식각의 경우에 회로 패턴을 레티클(reticle)에 정확하게 재생시킬 수 없게 되면, 매우 심각한 치수 제어 및 공정 수율 상의 손실이 초래된다.
오염물은 사진 식각 장치의 광학 소자 표면이나 그 장치에서 처리되는 웨이 퍼 혹은 그 둘 모두와 화학적으로 반응할 수 있다. 예를 들면, 이산화황이 사진 식각 장치의 웨이퍼와 반응하여 그 장치의 광학 소자를 비가역적으로 손상시킬 수 있는 황산을 생성시킬 수 있다. 또한, 암모니아가 일례로 레지스트(resisit), 게이트 절연막 등과 같은 웨이퍼 표면 재료와 반응할 수 있다. 이러한 반응으로 인해, 사진 식각 처리 단계가 방해되어 공정 수율이 저하될 수 있다. 따라서, 반도체 처리 장치로 공급되는 가스의 순도가 매우 중요하다.
청정실의 가스 유동 상태와 수율 저하 유발 오염물은 일반적으로 하나 이상의 반도체 처리 장치에 대해서 수개의 샘플 추출 포트를 통해 모니터링된다. 일반적으로, 이러한 샘플 추출 포트는, 청정 제조 환경이 유지되고 있고 반도체 수율이 오염물 수준에 의해 영향을 받지 않고 있음을 확인하는 데 사용된다. 가스 유동 상태가 편차를 보이면, 반도체 수율이 상당한 영향을 받을 수 있다. 오염물과 가변 가스 유동으로 인해, 유지 비용 및 작동 비용이 증가될 수 있다. 가스 유동 상태를 모니터링하는 통상의 샘플 추출 포트는 일례로 웨이퍼의 제조 중에 막힐 수 있으며, 이는 공정 제어와 품질 확보를 저해할 수 있다. 또한, 제조 중에 샘플 추출 포트를 개방하게 되면, 압력의 심한 변동을 초래할 수 있다.
종래의 포트에 따르면, 품질 측정에 영향을 미칠 수 있는 잔류 오염물을 배출시키기 위해서 일반적으로 포트를 수 분 동안 세정하여야 하기 때문에, 샘플 추출에 상당한 시간이 소요된다. 또한, 이러한 포트를 통과하는 가스 유량이 종종 샘플 추출 작업 중에 변하기 때문에, 샘플의 균일성과 정확성에 문제를 일으키게 된다. 반도체 수율을 향상시키고 수율 저하 유발 오염물을 모니터링하기 위해서 는, 위에서 설명한 종래 포트의 단점들을 극복하여 가스 유동의 샘플 추출 작업을 행할 수 있게 하는 것이 필요하다. 또한, 이러한 오염물을 저감시키고 그리고/또는 제거시킬 수 있게 하는 것이 필요하다. 또한, 가스 유동의 샘플 추출 작업을 행하고 수율 저하 유발 오염물을 저감 혹은 제거하는 수단은 기존의 반도체 장치, 청정실 및 그들의 관련 샘플 추출 포트에 쉽게 적용될 수 있어야 한다. 또한, 수율 저하 유발 오염물을 연속하여 제거하고 그 오염물에 대한 가스 유동 상태를 연속하여 모니터링할 수 있게 하는 것이 바람직하다.
본 발명의 실시예들은 공기 동반 오염물을 제거시키기 위해서 유입 공기를 여과시키는 데 이용될 수 있다. 또한, 본 발명의 실시예들은 일례로 수율 저하 유발 오염물과 같은 오염물의 제거를 위해서 가스 유동 상태를 모니터링하는 데 이용될 수 있다. 고효율의 여과 작용을 제공하고 필터 교체 주기를 연장시키기 위해서, 평행한 필터 스테이지들이 사용된다. 본 발명의 실시예들에는 유입 공기를 다수의 평행 필터 스테이지들로 분배하는 유동 컨트롤러가 구비된다. 이러한 유동 컨트롤러는 그 유입면에서 유입 공기를 수용하여 그 유출면에서 확산된 공기 스트림을 형성한다. 이러한 확산된 공기 스트림은, 각각의 필터 뱅크가 확산된 공기 스트림의 동일량을 수용하고 또한 각각의 필터 뱅크를 통과하는 공기 스트림의 유속이 동일하도록 형성된다.
본 발명의 일 태양에 따르면, 본 발명의 시스템 및 방법은 반도체 처리 장치에서 가스로부터 오염물을 제거하는 장치를 포함한다. 이러한 오염물 제거 장치는 적어도 2개의 평행 필터 스테이지가 내부에 배치되는 필터 유닛을 포함한다. 이러한 필터 스테이지는 그를 통과하여 유동하는 가스의 오염물 중 적어도 일부를 제거할 수 있도록 형성된다. 오염물 제거 장치는 또한 가스 유동을 필터 스테이지로 분배하는 유동 컨트롤러를 포함한다. 바람직한 실시예에 따르면, 유동 컨트롤러는 확산판으로 구성될 수 있다. 이러한 확산판은 그의 표면에 걸쳐 배치되는 구멍들을 포함하며, 이러한 구멍은 확산판 유입면의 가스가 각각의 필터 스테이지로 균일하게 동일량만큼 유동될 수 있게 형성된다. 오염물 제거 장치는, 필터 유닛의 유입구에 존재하는 오염물과, 필터 유닛의 필터 스테이지에 존재하는 오염물과, 필터 스테이지의 유출구에 존재하는 오염물을 측정하는 센서를 포함할 수 있다. 구멍의 크기 및 간격은, 소정의 적용 분야에 대해 확산판을 보다 최적으로 형성시키기 위해서, 일례로 유량, 평행 스테이지의 수량 및 크기와 같은 가스 유동 특성을 선택할 수 있는 소프트웨어 프로그램에 의해 결정될 수 있다.
본 발명의 다른 태양에 따르면, 청정실에서 가스로부터 오염물을 제거하는 장치가 제공된다. 이러한 오염물 제거 장치는, 그 장치를 통해 가스가 유동될 때 가스의 오염물 중 적어도 일부를 제거하는 데 사용되는 적어도 2개의 평행 필터 스테이지를 구비한 필터 유닛을 포함한다. 또한, 오염물 제거 장치는, 가스를 수용하는 유입면과 가스를 필터 스테이지로 분배하는 유출면을 구비한 확산판을 포함한다. 이러한 확산판은 동일량의 가스를 각각의 필터 스테이지로 분배시킬 수 있도록 필터 유닛 내에 설치된다. 또한, 오염물 제거 장치는 각각의 필터 스테이지를 통과하는 소정 체적의 가스를 대표하는 샘플을 추출하기 위한 다수의 샘플 추출 포트들을 포함한다. 센서에 의해 획득된 데이터는, 오염물 제거 장치의 성능을 모니터링하고 또한 필터 스테이지를 구성하는 필터 모듈의 교체 시기를 예측하는 데 사용될 수 있다.
본 발명의 또 다른 태양에 따르면, 개구를 구비한 샘플 추출 관 포트가 필터 하우징에 구비되며, 이러한 개구는 샘플 추출 관의 미사용시 가스를 연속하여 유출시킬 수 있게 하기 위해서 제1 직경 및 그 제1 직경보다 작은 제2 직경을 갖는다. 필터 하우징은 일반적으로 내부에서 양압(positive pressure)을 가져, 샘플 추출 포트가 가스를 유출시킬 수 있게 된다. 개구의 직경은, 샘플 추출 포트에 존재하는 오염물을 최소화시키거나 제거시키는 동시에 필터 조립체를 통과하는 가스 유동에 대한 영향을 최소화시킬 수 있게 하기 위해서, 샘플 추출 포트의 미사용시 가스가 연속하여 유출될 수 있도록 크기가 형성된다. 필터 하우징은 일반적으로 2.54cm 내지 30.48cm(1인치 내지 12인치)의 수압을 견딜 수 있다. 개구는 10cc/분 내지 100cc/분 사이의 유출량을 갖는 원추형 오리피스의 형태를 가질 수 있다. 이러한 오리피스는 일례로 반도체 처리 장치에서 가스로부터 오염물을 제거하는 다단 필터 시스템의 샘플 추출 포트와 함께 사용될 수 있다.
일 실시예에 따르면, 관 오리피스는 일례로 청정실에서 가스로부터 오염물을 제거하는 본 발명의 오염물 제거 장치와 함께 사용될 수 있다. 예시적인 샘플 추출 포트들은, 가스 유동 상태를 모니터링하고 일례로 수율 저하 유발 오염물 및 오염물 수준을 모니터링하는 데 사용될 수 있다. 바람직하게는, 본 발명의 샘플 추출 관 오리피스는 개구가 종방향으로 관통되어 배치되는 본체부를 포함한다. 샘플 추출 관 오리피스의 개구는 절두원추형(frustoconical) 부분과 원통형 부분을 구비한다.
절두원추형 부분과 원통형 부분은 적어도 개구의 제1 직경과 제2 직경을 형성한다. 개구는 일례로 본 발명의 하나 이상의 오염물 제거 장치와 연통되어, 그 장치로 유입된 가스가 개구로 유입될 수 있게 된다. 이어서, 가스는 관 오리피스로부터 배출될 때까지 개구를 통해 유동된다. 샘플 추출 관 오리피스는 본 발명의 오염물 제거 장치의 가스 유동 상태를 그 장치 내의 압력에 영향을 주지 않고서 쉽게 모니터링할 수 있도록 하는 샘플 추출 관으로 대체될 수 있다. 가스 유동 상태는 일례로 수율 저하 유발 오염물 및 오염물 수준에 대해서 모니터링될 수 있다.
샘플 추출 관 오리피스의 다른 실시예에 따르면, 관 오리피스는 원통형 부분 및 절두원추형 부분의 원통형 영역과 연통되는 전이부(transition portion)를 포함한다. 이러한 전이부는 적어도 개구의 제3 직경을 형성할 수 있다. 오리피스는 또한 적어도 개구의 제4 직경을 형성하는 부분을 포함할 수 있다. 샘플 추출부는 관 오리피스의 개구로부터 가스 샘플을 취출하는 데 사용될 수 있다. 샘플 추출 관 오리피스는 본 명세서에 기재한 임의의 실시예들에 사용될 수 있으며, 바람직하게는 포트와 연통되는 링과 같은 유지 부재에 의해서 관 오리피스가 제 위치에 유지되는 본 발명에 따른 오염물 제거 장치의 샘플 추출 포트 내에 배치될 수 있다.
본 발명의 샘플 추출 관 오리피스는 가스 유동과 공정 혹은 제조 상태에 의해 유발되는 열을 견딜 수 있는 임의의 적절한 재료로 구성될 수 있다. 이러한 재료는, 가스 유동을 교란시키고 가스 유동에 영향을 미칠 수 있는 소망하지 않는 돌기부의 형성을 회피하기 위해서 정밀하게 기계 가공될 수 있다. 예를 들면, 본 발명의 샘플 추출 관 오리피스는 사파이어로 구성될 수 있다. 오리피스는 다수의 각기 다른 유형의 재료들로 구성되어 복합체를 형성할 수도 있다. 본 발명에 따른 관 오리피스는 바람직하게는 가스 유동 내의 잠재 부식제에 대한 내성을 갖는다. 이러한 부식제로서, 일례로 수율 저하 유발 오염물을 들 수 있다.
관 오리피스는, 가스 유동이 반도체 제작이나 제조를 방해하지 않고서 본 발명에 따른 오염물 제거 장치로부터 연속하여 균일하게 유동될 수 있도록 제조된다. 이렇게 연속하는 균일한 가스 유동을 형성시켜 관 오리피스로부터 샘플을 추출하게 되면, 일례로 수율 저하 유발 오염물과 오염물 수준을 모니터링할 때 많은 시간이 소요되는 가스 세정 작업을 피할 수 있게 되고 샘플 변동을 줄일 수 있게 된다. 또한, 가스가 관 오리피스를 통해 연속하여 유동되면, 샘플 추출 포트의 사용시 일례로 수율 저하 유발 오염물과 오염물 수준을 최소화시키기 위한 공정 제어와 품질 확보를 저해할 수 있는 샘플 추출 포트의 막힘 현상을 방지할 수 있게 된다. 본 발명의 관 오리피스는, 공정 압력의 심한 변화를 초래하지 않고서도 소량의 가스 유동이 고속의 균일한 속도로 유동되도록 함으로써 가스 유동 상태를 모니터링하는 데 효과적이다.
예를 들면, 본 발명의 샘플 추출 관 오리피스는, 통과하는 가스로부터 오염물의 적어도 일부를 제거하는 다수의 평행 필터 스테이지들이 내부에 배치된 필터 유닛과 함께 사용될 수 있다. 선택적으로, 오염물 제거 장치는 평행 필터 스테이지로 가스 유동을 분배하는 유동 컨트롤러를 포함할 수 있다. 또 다른 실시예에 따르면, 샘플 추출 관 오리피스는, 일례로 통과하는 가스로부터 오염물의 적어도 일부를 제거하는 다수의 평행 필터 스테이지들이 내부에 배치된 필터 유닛을 포함하는 오염물 제거 장치와 연통될 수 있다. 바람직하게는, 오염물 제거 장치는, 가스를 수용하는 유입면과 가스를 다수의 필터 스테이지들로 분배하는 유출면을 구비한 확산판을 포함한다. 또한, 이러한 확산판은 필터 유닛 내에 설치될 수 있으며, 동일량의 가스를 다수의 필터 스테이지들의 각각의 부재로 분배하도록 형성될 수 있다.
본 발명의 또 다른 태양에 따르면, 반도체 처리 장치에서 필터 유닛을 사용하여 가스로부터 오염물을 제거하는 방법이 제공된다. 유입 가스는 필터 유닛에 의해 수용된다. 이어서 가스는 유동 컨트롤러를 통과한다. 가스는 유동 컨트롤러를 통과한 후에, 필터 유닛 내에 배치된 다수의 필터 스테이지들에 대해 이용가능하게 된다. 가스의 일부가 각각의 필터 스테이지를 통과하여, 가스에 존재하는 오염물의 적어도 일부가 제거된다. 본 발명은 또한 샘플 추출 관 오리피스를 통해 일례로 수율 저하 유발 오염물과 오염물 수준에 대해 가스 유동 상태를 모니터링하는 방법을 제공한다.
본 발명의 또 다른 태양에 따르면, 기계로 실행가능한 명령을 포함하는 컴퓨터 판독가능 매체가 제공된다. 기계로 실행가능한 명령은, 프로세서가 다수의 필터 스테이지들이 내부에서 작동되는 필터 유닛을 통과하는 가스를 모니터링하는 방법을 실행시킬 수 있도록 한다. 컴퓨터 판독가능 매체는, 다수의 필터 스테이지들 중 하나를 통과하는 가스를 모니터링하여 모니터링된 가스를 마련하는 단계와, 모니터링된 가스로부터 샘플을 처리하여 처리된 샘플을 형성시키는 단계와, 처리된 샘플을 평가하여 모니터링된 필터 스테이지가 소정의 기준에 따라 정확하게 작동되고 있는지를 판단하는 단계와, 모니터링된 필터 스테이지가 소정의 기준에 따라 작동되지 않고 있다면 보고하는 단계를 수행하는 명령을 포함한다.
일례로 평행 필터 스테이지를 사용하여 가스로부터 오염물을 제거하는 시스템 및 방법의 위에서 설명한 이점들과 기타 다른 이점들을 첨부 도면들을 참고로 한 이하의 바람직한 실시예들의 상세한 설명으로부터 명확하게 파악할 수 있다. 첨부 도면들에서 동일 도면 부호는 동일 부재를 나타낸다.
본 발명의 기타 다른 특징들 및 이점들을 첨부 도면들을 참고로 하여 이하의 상세한 설명으로부터 명확하게 파악할 수 있다.
도1은 본 발명에 따른 필터 시스템의 개략도이다.
도2a는 필터 시스템의 일 실시예를 도시한 사시도로서, 필터 모듈, 접근 도어, 공기 유입구 및 공기 유출구를 도시한 사시도이다.
도2b는 본 발명에 따른 샘플 추출 관 오리피스의 단면도이다.
도2c는 샘플 추출 포트 내에 배치된 본 발명에 따른 샘플 추출 관 오리피스의 부분도이다.
도3a 내지 도3c는 각각 확산판의 정면도, 확산판의 측면도 및 예시적인 구멍 패턴의 분해도이다.
도4a는 도2a 내지 도2c의 실시예에 따른 예시적인 3×2 배열의 필터 모듈을 도시한 사시도이다.
도4b는 본 발명의 일 실시예에 따른 예시적인 2×2 배열의 필터 모듈을 도시한 사시도이다.
도5a 내지 도5i는 여러 가지 유형의 필터 매체 및 지지 수단과 함께 작동하는 필터 모듈의 여러 실시예들을 도시한 도면들이다.
도6a는 본 발명에 따른 필터 시스템 내에서 필터 모듈의 성능을 모니터링하는 데 사용되는 다수의 센서들과 결합된 컨트롤러의 개략도이다.
도6b는 필터 시스템, 네트워크, 제조자 분석 센터 및 소비자 관리 센터를 포함하는 예시적인 네트워크 환경을 도시한 도면이다.
도7은 본 발명의 실시예들을 수행하는 예시적인 방법을 도시한 도면이다.
도8은 사용 중인 도2b의 샘플 추출 관 오리피스를 도시한 사시 단면도이다.
본 발명의 여러 가지 실시예들은 오염물이 없는 유체를 소망하는 환경에서 유체에 의해 동반되는 오염물을 제거시키거나 감소시키기 위해 채택될 수 있다. 이때, 일례로 유체는 가스일 수 있으며, 특히 반도체 제조에 사용되는 청정실 내의 공기일 수 있다. 본 발명의 실시예들은 청정실 내의 공기를 여과시키는 데 이용될 수 있거나, 한정된 영역으로 유동되는 기타 다른 가스 유동을 여과시키는 데 이용될 수 있거나, 일례로 고속 공기 스트림을 사용하여 사진 식각 장치상의 오염물 축적 현상을 저하시키기 위해 한정된 영역 내에서 이용될 수 있다.
본 발명의 바람직한 실시예들을 청정실 환경을 중심으로 설명하지만, 본 발 명은 구성, 적용 분야, 크기 등에 있어서 그에 한정되지 않는다. 이하의 상세한 설명과 도면들로부터 본 발명의 기타 다른 실시예들과 용도들을 명확하게 파악할 수 있다.
도1은 본 발명에 따른 필터 시스템의 개략도이다. 필터 시스템(5)은 외함(enclosure)(14), 유동 컨트롤러(16), 하나 이상의 교체가능한 필터 모듈(18A 내지 18F)[통칭하여 필터(18)], 하나 이상의 고효율 미립자 공기(HEPA) 필터 모듈(20A, 20B)[통칭하여 HEPA 필터(20)] 및 시일(seal)(19A, 19B)을 포함할 수 있다. 필터 시스템(5)은 또한 송풍기/팬 유닛(10) 및/또는 배기 팬(22)을 포함할 수 있다. 필터 시스템(5)은 일반적으로 플리넘(plenum)이나 배관과 같은 공기 취급 장치에 연결된다. 이러한 공기 취급 장치는 유입 단부(6)로 유입되거나 유출 단부(7)로부터 유출되는 공기를 포집하여 집중시키는 역할을 한다.
플리넘은 유입 공기(12)가 유입 단부(6)에서 외함(14)으로 유입되기 전에 공기(11)를 송풍기 팬(10)으로 유입시킬 수 있다. 송풍기/팬(10)은 유입 공기(12)의 속도를 증가시킬 수 있도록 전기 기계식으로, 기계식으로 혹은 공압식으로 구동된다. 외함(14)은 일례로 알루미늄, 냉간 압연 강재, 플라스틱, 복합재 등과 같은 가스 비투과성 재료로 제조된 다수의 패널들로 구성될 수 있다. 외함(14)은 필터 시스템(5)의 외부 구조를 형성한다. 일반적으로, 필터 유닛이라고도 불리우는 외함(14)은 전위 패널(front panel), 그 전위 패널에 대향되게 설치된 후위 패널(rear panel), 제1 측위 패널(side panel), 그 제1 측위 패널에 대향되게 설치된 제2 측위 패널을 구비한다. 측위 패널들은 전위 패널 및 후위 패널과 밀봉되게 맞 물려서, 유동 컨트롤러(16), 필터(18) 및 HEPA 필터(20)가 설치되는 일정 체적의 외함을 형성한다. 시스템(5)의 전체 체적은 일반적으로 2.27m3(80ft3)미만으로서 바람직한 실시예에서는 대략 1.84m3(65ft3)이며, 시스템(5)의 전체 크기는 높이가 184.15cm(72.5인치), 폭이 83.82cm(33인치) 그리고 깊이가 120.02cm(47.25인치)이다. 상단 패널과 하단 패널이 서로 대향되게 설치되어, 측위 패널들, 전위 패널 및 후위 패널에 밀봉되게 부착된다. 유입 공기(12), 유출 공기(26), 접근 도어, 컨트롤 패널 등을 수용할 수 있도록 개구가 하나 이상의 패널에 배치될 수 있다.
유입 공기(12)는 외함(14)으로의 유입시 확산판(diffuser plate)인 유동 컨트롤러(16)와 접촉된다. 확산판(16)은 도3a에 도시된 바와 같이 다양한 크기를 갖는 다수의 구멍들을 포함하며, 이러한 구멍은 제1 속도를 갖는 공기를 확산판(16)의 유입면(78)에서 수용하여 확산판(16)의 유출면(80)의 표면적에 걸쳐 일정한 공기 압력 및 속도를 갖는 확산된 유입 공기(13)를 형성시킬 수 있도록 구성된다. 확산판(16)의 개구 혹은 구멍(82)은 소망하는 확산된 공기(13)가 형성되도록 변경될 수 있다. 시스템(5)은 일반적으로 대략 1분당 2.12m3 내지 2.83m3(75ft3 내지 100ft3)의 유입 공기량을 수용하도록 형성되며, 바람직한 실시예에 따르면 유입 공기량은 1분당 2.41m3(85ft3)이다.
확산판(16)의 사용에 의해서, 필터의 각각의 뱅크(bank)(스테이지 혹은 스택으로도 불리움)는 확산된 공기(13)의 동일량만큼을 수용하게 된다. 상부 뱅크는 필터 모듈(18A 내지 18C, 20A)[통칭하여 상부 뱅크(15)]로 구성되고, 하부 뱅크는 필터 모듈(18D 내지 18F, 20B)[통칭하여 상부 뱅크(17)]로 구성된다. 공기가 필터 주위로 통과하지 못하게 하기 위해서, 시일(19A, 19B)이 상부 뱅크(15)와 하부 뱅크(17) 사이에 배치될 수 있다. 이러한 시일(19A, 19B)은 또한 필터 모듈(18)과 외함(14) 사이의 시일을 형성할 수 있다.
확산된 유입 공기(13)가 필터 뱅크(15, 17)를 통과함에 따라, 다수의 필터들에 의해서 오염물이 제거된다. 일반적으로, 상부 뱅크를 통과하는 공기가 하부 필터 뱅크를 통과하는 공기와 동일한 유형 및 수준의 여과 작용을 받을 수 있도록, 필터는 쌍을 이루어 형성된다. 특히, 필터(18A)는 필터(18D)와 동일한 유형의 필터이고, 필터(18B)는 필터(18E)와 동일한 유형의 필터이며, 이하 위와 같다. 소정의 뱅크 내에 사용된 필터는 여과 작용의 소망하는 결과에 따라서 동일 혹은 다른 유형일 수 있다. 필터(18)의 중량은 일반적으로 각각 15.9kg(35파운드) 미만으로 형성되며, 바람직한 실시예에서는 각각 12.3kg(27파운드) 정도이다. HEPA 필터(20A, 20B)는 상류의 필터에 의해 포집되지 않은 공기 동반 오염물을 제거시킬 수 있도록 각각의 필터 뱅크의 단부에 배치될 수 있다. 확산된 유출 공기(24)는 HEPA 필터(20A, 20B)로부터 배출되어 유출 단부(7)의 방향으로 유동된다. 공기가 유출 단부(7) 쪽으로 유동될수록, 공기는 다소 압축되어 유출 공기(26)를 형성하게 된다. 공기가 외함(14)을 통해 유동될 때 공기의 속도를 더욱 증가시키기 위해서 배기 팬(22)이 구비될 수 있다. 이러한 배기 팬(22)은 송풍기/팬(10)과 함께 혹은 송풍기/팬(10) 대신에 사용될 수 있다. 공기(28)는 청정실로의 분배를 위해 혹은 청정실 내에 배치된 장비로의 유동을 위해 배관 내로 유입될 수 있다. 선택적으로, 공기(28)는 청정실 내의 공기로 직접 유입될 수 있다.
도1에 도시된 바와 같은 필터 시스템은 필터가 그의 규정 효율대로 작동된다면 공기 동반 오염물을 상당히 저감시킬 수 있다. 하지만, 오염물이 필터에 포집될수록, 필터 효율은 저하된다. 청정실 내의 소망하는 오염물 수준을 유지시키기 위해서는, 필터의 효율이 저하되기 전에 필터를 교체할 필요가 있다. 본 발명의 실시예들에 따르면, 외함(14) 내의 각각의 필터의 성능을 모니터링함으로써 필터를 적절한 교체 주기를 두고서 교체시킬 수 있게 된다. 예를 들면, 필터(18A 내지 18F, 20A, 20B)가 외함(14) 내에서 작동될 때, 센서(30A 내지 30H)가 필터를 모니터링한다. 센서(30A 내지 30H)는 컨트롤러(32)에 의해 모니터링된다. 이러한 센서(30A 내지 30H)와 컨트롤러(32)는 도6a 및 도6b에 상세히 도시되어 있다.
도2a는 필터 시스템(5)의 일 실시예를 도시하고 있다. 도2a에 도시된 바와 같이, 필터 시스템(5)은, 힌지식으로 부착된 접근 도어(42)를 구비한 전위 패널(40)과, 유입 단부(6)에서 다수의 유입구(46A, 46B)들 및 다수의 유출구(47A, 47B)들을 구비한 상단 패널(44)과, 하단 패널(48)과, 후위 패널(50)과, 제1 측위 패널(52)과, 제2 측위 패널(54)로 구성된다. 하단 패널(48)에는 프레임(56)이 설치되며, 이러한 프레임은 그에 나사 체결식으로 부착되는 4개의 수평기(58A, 58B, 58C, 58D)를 포함한다. 이러한 수평기(58)는 측부들이 수직으로 위치되고 상단부가 수평으로 위치되도록 필터 시스템(50)을 조절하는 데 사용된다. 접근 도어(42)는 도어와 전위 패널 간의 접촉면을 밀봉시키는 가스켓(60)을 포함할 수 있다. 전 위 패널(40)에는 또한 가스켓(62)이 설치될 수 있으며, 이러한 가스켓은 가스켓(60)과의 접촉시 기밀 시일을 형성할 수 있도록 그에 대응되게 형성된다.
가스켓(60, 62)은 청정실의 공기나 가스에 대해 비투과성인 가요성 재료로 제조될 수 있다. 본 발명에 사용되는 가스켓 재료의 예로서 고무, 실리콘, 네오프렌, 라텍스, 가요성 전도성 차폐물, 고밀도 펠트(felt), 가요성 중합체 등을 들 수 있지만, 이에 한정되는 것은 아니다.
접촉면 영역을 통한 공기 유동을 방지하기 위해 가스켓(60, 62)에 충분한 압력을 가하여 접근 도어(42)를 밀폐 위치에서 유지시킬 수 있도록, 접근 도어(42)는 다수의 기계식, 전기 기계식 및/또는 전자기식 잠금부(64)를 구비할 수 있다. 도2a의 필터 시스템에는 상태 및/또는 컨트롤 패널(66)이 구비될 수 있다.
필터(18A 내지 18C)가 또한 도2a에 도시되어 있다. 추가로 도4a 및 도4b에 도시된 바와 같이, 필터(18)는 배열을 이루며 배치된다. 접근 도어(42)는 필터(18A 내지 18C)의 설치와 제거를 용이하게 한다. 필터(18)에는 운반 및 제거를 용이하게 하기 위한 파지 스트랩(strap)(199), 후퇴식 핸들 혹은 노브(knob)가 구비될 수 있다. 필터(18A 내지 18C)에는 또한 필터(18A 내지 18C)를 제 위치에서 견고하게 유지시키는 유지 수단(63)이 구비될 수 있다. 이러한 유지 수단(63)은 스프링식 클래스프(clasp), 쿼터-턴 패스너(quarter-turn fastener), 스크류, 플라스틱/나일론 마찰식 유지구 등일 수 있다. 또한, 필터(18A 내지 18C)는, 일례로 필터(18)의 각각을 모니터링하기 위한 샘플 추출 장치가 삽입될 수 있도록 하는 샘플 추출 포트(65)를 포함할 수 있다. 또한, 시스템(5)에는, 작업 파라미터의 설정 에 사용되고 작업자와 시스템(5) 간의 상호 작용을 용이하게 하는 컨트롤 패널(66)이 구비될 수 있다. 이러한 컨트롤 패널(66)은 또한 시스템의 상태와 오류를 작업자에게 알려줄 수 있다. 이러한 컨트롤 패널(66)은 또한 게이지(66B)와 같은 또 다른 표시 장치를 포함할 수 있다.
본 명세서에 기재되고 일례로 청정실 혹은 반도체 처리 장치에 사용되는 바와 같은 샘플 추출 포트는, 가스 유동 상태와 수율 저하 유발 오염물 및 오염물 수준을 모니터링하기 위한 샘플 추출 관 오리피스를 포함할 수 있거나 내부에 배치하여 구비할 수 있다. 이러한 샘플 추출 포트의 한가지 예가 도2a에 도시되어 있다. 일 실시예에 따르면, 관 오리피스는 본체부를 포함하며, 이러한 본체부를 통해 개구가 종방향으로 배치된다. 이러한 개구는 적어도 제1 직경 및 제2 직경을 형성하는 절두원추형(frustoconical) 부분 및 원통형 부분을 구비한다. 개구는 일례로 청정실 혹은 본 발명에 따른 오염물 제거 장치의 가스 유동과 연통될 수 있어, 가스가 샘플 추출 관 오리피스로부터 배출될 때까지 개구를 통해 유동될 수 있게 된다. 관 오리피스는 일례로 웨이퍼 제조 중에 압력을 변경시키지 않고서도 가스 유동 상태를 쉽게 모니터링할 수 있도록 한다. 오리피스는 그를 통해 균일한 연속 가스 유동이 형성되도록 하여 샘플 편차를 저감시키고 개구의 막힘 현상을 방지할 수 있도록 형성된다. 본 발명에 따른 관 오리피스는 일례로 본 발명의 오염물 제거 시스템 혹은 장치의 기존 샘플 추출 포트와 함께 사용될 수 있다.
예를 들면, 본 발명의 샘플 추출 관 오리피스는 반도체 처리 장치의 가스의 오염물을 제거하는 본 발명의 오염물 제거 장치와 연통될 수 있다. 이러한 오염물 제거 장치는, 유동 가스로부터 오염물의 적어도 일부를 제거하기 위해 다수의 평행 필터 스테이지들이 내부에 배치되는 필터 유닛을 구비할 수 있다. 선택적으로, 오염물 제거 장치는 가스 유동을 평행 필터 스테이지로 분배시키는 유동 컨트롤러를 포함할 수 있다. 또 다른 실시예에 따르면, 샘플 추출 관 오리피스는, 일례로 유동 가스로부터 오염물의 적어도 일부를 제거하기 위해 다수의 평행 필터 스테이지들이 내부에 배치된 필터 유닛을 포함하는 오염물 제거 장치와 연통될 수 있다. 바람직하게는, 이러한 오염물 제거 장치는 가스를 수용하는 유입면과 가스를 다수의 필터 스테이지들로 분배하는 유출면을 구비한 확산판을 포함한다. 또한, 확산판은 필터 유닛 내에 배치되어 동일량의 가스를 다수의 필터 스테이지들의 각각의 부재에 분배하도록 형성될 수 있다.
도2b는 본 발명에 따른 샘플 추출 관 오리피스의 단면도이다. 관 오리피스(302)는 개구(306)가 종방향으로 배치되는 본체부(304)를 포함한다. 일 실시예에 따르면, 개구는 절두원추형 부분(308)과 원통형 부분(310)을 포함한다. 이러한 부분들은 적어도 개구의 제1 직경과 제2 직경을 형성한다. 개구의 제1 직경과 제2 직경은 일례로 대략 2.54mm 내지 12.7mm(0.1인치 내지 0.5인치)의 범위일 수 있다. 제1 직경은 개구의 절두원추형 부분에 의해 형성된다. 제1 직경은 일반적으로 원통형 부분에 의해 형성되는 제2 직경에 비해 작다. 이러한 개구 직경의 차이로 인해, 소량의 연속 가스 유동이 고속의 일정한 속도로 관 오리피스를 통해 유동될 수 있게 된다.
절두원추형 부분(308)의 직경과 원통형 부분(310)의 직경은 적용 분야에 따 라 변경될 수 있다. 이러한 개구 부분들은 또한 직경이나 형상이 변경되도록 제조될 수 있다. 예를 들어, 일정한 직경을 갖는 원통형 영역(312)이 개구(306)의 절두원추형 부분에 구비되어 도시되어 있다. 여러 개구 부분들과 영역들의 직경 및 형상은, 일례로 웨이퍼 처리 혹은 제조 중에 불리한 압력 변화를 유발시키지 않게 소량의 연속 가스 유동이 관 오리피스를 통해 유동되도록 정해진다. 소량의 가스 유동으로 인해, 일례로 웨이퍼 제조와 같은 진행 중인 공정을 방해하지 않으면서 수율 저하 유발 오염물에 대해 가스 상태를 모니터링할 수 있게 된다. 또한, 소량의 연속 가스 유동으로 인해, 많은 시간이 소요되는 세정 작업의 필요없이 샘플 추출 작업을 행할 수 있게 된다. 연속 가스 유동은 또한 개구의 막힘 현상을 방지할 수 있다.
여러 개구 부분들과 영역들의 직경과 형상은 또한 일정한 가스량을 확보할 수 있도록 정해진다. 이러한 일정한 가스량은 각기 다른 샘플들 간의 변화를 감소시킬 수 있다. 일정한 혹은 일관된 가스량은 또한 사용 중에 가스가 오리피스 내에 정체되거나 체류되는 현상을 방지할 수 있도록 한다. 포트 내의 유동이 불균일하거나 방해를 받으면 샘플 균일도에 영향을 미치기 때문에, 일례로 수율 저하 유발 오염물에 대해 가스 유동 상태를 모니터링할 때 샘플 추출 포트가 일관되지 못한 결과를 산출하게 된다. 본 발명의 샘플 추출 관 오리피스는 직경 및 형상이 점차 변화하는 부분들 혹은 영역들을 포함하는 정밀하게 기계 가공된 개구를 구비함으로써, 이러한 불균일하거나 방해를 받는 가스 유동을 방지하게 된다.
도2b는 이렇게 직경 및 형상이 점차 변화된 상태를 도시하고 있으며, 이때 관 오리피스 개구(306)는 전이부(transition portion)(314)를 포함한다. 이러한 전이부는 절두원추형 부분(308)의 원통형 영역(312) 및 원통형 부분(310)과 연통된다. 전이부(314)는 적어도 개구의 제3 직경을 형성한다. 도시된 바와 같이, 전이부의 직경은 원통형 부분(310)과 원통형 영역(312) 사이에서 점차 감소한다. 전이부(314)의 직경은 대략 2.54mm 내지 7.62mm(0.1인치 내지 0.3인치)의 범위이다. 개구(306)는 또한 적어도 개구의 제4 직경을 형성하는 샘플 추출부(316)를 포함할 수 있으며, 이러한 샘플 추출부의 직경은 대략 0.13mm 내지 2.54mm(0.005인치 내지 0.1인치)의 범위이다. 샘플 추출부(316)는 관 오리피스 개구(306)로부터 가스 샘플을 취출하는 데 사용될 수 있다.
관 오리피스 개구(306)의 샘플 추출부(316)는 절두원추형 부분(308)과 연통될 수 있다. 가스 유동은 종래의 샘플 추출 장치를 사용하여 샘플 추출부(316)로부터 취출될 수 있다. 일 실시예에 따르면, 샘플 추출부(316)는 그로부터의 가스 유동이 가스 색층 분석 장치와 같은 가스 상태 분석 장치에 직접 분배될 수 있도록 구성된다. 개구(306)의 샘플 추출부(316)를 통해 배출되는 소량의 가스 유동으로 인해, 샘플 추출 관 오리피스(302)를 일례로 공압 배관을 통해 분석 장비에 직접 연결시킬 수 있게 된다.
관 오리피스(302)는, 정밀하게 기계 가공하기에 적합하고 일관된 가스 유동을 형성시킬 수는 있는 임의의 재료로 구성될 수 있다. 관 오리피스의 구성은 또한 소정의 적용 분야 혹은 오리피스를 사용하는 조건에 따라 변할 수 있다. 일례로 본 발명의 오염물 제거 장치로부터 가스 유동 상태를 모니터링하는 재료의 예로 서 사파이어를 들 수 있다. 일 실시예에 따르면, 샘플 추출 관 오리피스는 각기 다른 양의 여러 가지 재료들을 포함하는 복합 구조체를 포함할 수 있다. 관 오리피스의 구성은 또한 연마 상태 혹은 관 오리피스의 개구를 통해 유동되는 가스 내의 잠재 부식제에 따라 변할 수 있다. 본 발명에 따르면, 개구를 통해 유동되는 가스가 상당한 양의 열을 발생시키거나 공정 조건에 의해서 과도한 열을 발생시킬 수 있기 때문에, 본 발명의 샘플 추출 관 오리피스는 내열성을 갖는다.
샘플 추출 관 오리피스(302)의 본체부(304)는 외표면을 구비한다. 일 실시예에 따르면, 본체부(304)의 외표면은 원통형일 수 있다. 관 오리피스의 크기는 특정 용도에 따라 변할 수 있으며, 일례로 오리피스의 길이는 대략 1.27cm 내지 6.35cm(0.5인치 내지 2.5인치)의 범위이다. 원통형 외표면을 구비한 관 오리피스의 직경은 대략 0.25cm 내지 3.81cm(0.1인치 내지 1.5인치) 범위일 수 있다. 샘플 추출 관 오리피스의 직경은 시판되는 공압 배관의 크기에 맞게 규격화될 수도 있다. 이렇게 관 오리피스 직경을 규격화시키게 되면, 오리피스를 일례로 가스 색층 분석 장치와 같은 통상의 가스 분석 장치에 직접 연결할 수 있게 된다.
도2b는 각형부(318)를 구비한 본체부(304)의 외표면을 도시하고 있다. 이러한 각형부는 오리피스 외표면 주위에 선택적으로 배치된다. 관 오리피스 외표면은 또한 본체부(304)의 주위에 배치된 적어도 하나의 채널(320)을 구비할 수 있다. 일 실시예에 따르면, 각형부(318)와 채널(320)은 관 오리피스가 본 명세서에 기재한 바와 같은 샘플 추출 포트 내에 쉽게 배치되고 제거될 수 있도록 구성된다. 도2c는 본 발명에 따른 장치의 샘플 추출 포트 내에 배치된 본 발명에 따른 샘플 추 출 관 오리피스의 부분도이다. 도시된 바와 같이, 오리피스(302)는 채널(320)과 협동하는 유지 부재(324)에 의해 샘플 추출 포트(322) 내에서 제 위치에 유지될 수 있으며, 이때 유지 부재는 관 오리피스의 주위에 배치된다.
샘플 추출 포트(322)는 가스 유동 상태를 모니터링하는 데 필요하다면 임의 유형의 공정과 조합 또는 결합될 수 있다. 이러한 예시적인 가스 샘플 추출 포트가 본 명세서에 기재된 임의의 실시예들과 함께 사용될 수 있거나, 일례로 청정실 혹은 반도체 처리 장치에 이용되는 임의의 실시예들과 함께 사용될 수 있다. 도2c를 보면, 샘플 추출 관 오리피스의 외표면에는 샘플 추출 포트 내부 플랜지(328)에 놓이도록 형성되는 노치(326)가 구비된다. 이러한 노치와 플랜지는 관 오리피스가 샘플 추출 포트 내로 압입되지 않도록 한다. 또한, 도2c를 보면, 관 오리피스가 샘플 추출 포트로부터 활주되어 이탈되지 않게 관 오리피스를 제 위치에 유지시키기 위해 채널(320)과 협동하는 유지 부재(324)가 도시되어 있다. 이러한 유지 부재(324)는 샘플 추출 포트(322)의 외표면에 결합된다. 유지 부재(324)는 또한 포트의 오리피스(302)를 제거시킬 수 있게 하기 위해서 채널(320)과의 결합 상태로부터 상승되어 이동될 수 있다. 샘플 추출 관 오리피스는 세정을 위해 혹은 다른 오리피스와의 교체를 위해 포트(322)로부터 제거될 수 있다.
도2c는 또한 샘플 추출 관 오리피스(302)의 외표면 주위에 배치된 각형부(318)를 도시하고 있다. 각형부(318)는 일례로 공압 배관을 수용할 수 있도록 형성될 수 있다. 또한, 도2c는 절두원추형 부분(308)과 원통형 부분(310)을 포함하는 관 오리피스의 개구(306)를 도시하고 있다. 개구(306)는 또한 전이부(314)와 샘플 추출부(316)를 구비한다. 위에서 설명한 바와 같이, 개구(306)는 고속의 일정한 속도로 오리피스를 통과하는 소량의 연속 가스 유동에 적합한 임의의 크기나 형상을 갖는 부분들이나 영역들을 구비할 수 있다. 이러한 개구 부분들 혹은 영역들의 크기 및 형상에 의하면, 불균일하거나 차단되는 영역의 형성이 방지됨으로써, 가스 유동의 변화를 감소시킬 수 있게 된다.
일 실시예에 따르면, 관 오리피스(302)의 원통형 부분(310)은 가스 샘플을 수용한다. 이러한 샘플은 이어서 일정한 가스 유동 속도로 개구 부분들 혹은 영역들을 통해 유동된다. 결과적으로, 샘플은 도2c에 도시된 샘플 추출부(316)를 통해 개구(306)로부터 배출된다. 원통형 부분은 일례로 본 발명에 따른 오염물 제거 장치로부터의 가스 유동과 직접 연통될 수 있다. 예를 들면, 원통형 부분(310)은 다수의 평행 필터 스테이지들이 내부에 배치된 필터 유닛을 포함하는 오염물 제거 장치와 연통될 수 있어, 그 오염물 제거 장치의 가스 유동 상태를 수율 저하 유발 오염물 및 오염물 수준에 대해 샘플 추출 관 오리피스를 통하여 모니터링할 수 있게 된다.
선택적으로, 본 발명에 따른 관 오리피스는 청정실 혹은 반도체 처리 장치의 기존 샘플 추출 포트 내에 배치될 수 있다. 이러한 환경에서, 오리피스를 통과하는 소량의 연속 가스 유동은 압력을 차단시키지 않는다. 또한, 오리피스(302)는 종래의 가스 분석 장치를 사용하여 가스 유동 상태를 연속하여 모니터링할 수 있기 때문에 바람직하다. 이러한 가스 분석 장치로서 색층 분석 장치, 질량 분석기, 혹은 이들의 조합물을 들 수 있지만, 이에 한정되는 것은 아니다.
본 발명의 관 오리피스는 또한 정밀 허용 오차를 가질 수 있도록 제조될 수 있다. 예를 들면, 사파이어로 구성된 오리피스의 기계 가공 허용 오차는 개구를 따라 대략 0.025mm 내지 0.13mm(0.001인치 내지 0.005인치)의 범위이다. 또한, 관 오리피스의 본체부는 대략 0.025mm 내지 1.27mm(0.001인치 내지 0.05인치) 범위의 기계 가공 허용 오차를 가질 수 있다. 이러한 미세한 허용 오차는 개구에서의 가스 유동의 균일성과 각기 다른 가스 샘플 간의 일관성에 영향을 미친다. 본 발명에 따른 관 오리피스의 정밀한 허용 오차에 의하면, 다수의 샘플 추출 관 오리피스를 일관되게 제조할 수 있게 된다.
본 발명은 또한 샘플 추출 관 오리피스를 사용하여 일례로 수율 저하 유발 오염물에 대해 가스 유동 상태를 모니터링하는 방법을 제공한다. 일반적으로, 이러한 방법은 본 발명에 따른 관 오리피스를 일례로 반도체 처리 장치에서 가스의 오염물을 제거하는 오염물 제거 장치와 같은 소정의 공정 환경에 제공하는 단계를 포함한다. 연속 가스 유동이 관 오리피스의 개구로 유입되어 그 개구를 통해 유동된다. 이어서, 가스 유동은 샘플 추출 관 오리피스로부터 취출된다. 이러한 가스 유동은 종래의 추출 장치를 사용하여 취출될 수 있다. 이어서, 가스 유동 상태가 색층 분석 장치와 같은 표준 장치를 사용하여 분석될 수 있다. 관 오리피스는 또한 가스 유동이 분석 장치에 직접 분배되도록 형성될 수 있다. 본 발명에 따른 방법에 의하면, 가스 유동 상태를 특정 시간 간격을 두고서 혹은 가스 샘플 추출 공정의 중단없이 연속하여 모니터링할 수 있게 된다.
도3a는 확산판 형태의 유동 컨트롤러(16)의 일 실시예를 도시한 도면으로서, 이러한 확산판은 상부 가장자리(70), 하부 가장자리(72), 제1 측부 가장자리(74) 및 제2 측부 가장자리(76)에서 마감되는 평면 형상을 구비하고 유입면(78)과 유출면(80)을 구비한다(도3b). 다수의 구멍(82)들 혹은 공동들이 배치된 확산판(16)은 알루미늄, 플라스틱 등과 같은 비통기성(air-impermeable) 재료로 제조된다. 구멍(82)은 확산판(16)의 표면에 걸쳐 기하학적 형상 패턴으로 배치될 수 있거나 임의로 분포되어 배치될 수 있다. 또한, 구멍(82)의 크기는 동일하거나 다를 수 있다. 또한, 구멍(82)의 피치 혹은 밀도는 확산판(16)의 각각의 위치에 따라 변할 수 있다. 예를 들면, 도3a의 확산판(16)은 제2 측위 패널(54)을 따라 그에 평행하게 도2a 내지 도2c의 외함(14) 내에 설치될 수 있다. 또한, 확산판(16)은, 유입구(46A, 46B)로 유입되는 유입 공기를 확산판(16)의 유입면(78)으로 유입시켜 그 유입 공기를 필터(18)와 접촉하기 전에 구멍(82)을 통해 유동시키도록 설치될 수 있다. 본 실시예의 확산판(16)은 구멍의 크기가 상부 가장자리(70) 쪽으로는 작아지고 하부 가장자리(72) 쪽으로는 커지는 구멍 패턴을 채택할 수 있다. 이러한 구멍 패턴에 의하면, 유출면(80)에 걸쳐 동일한 유속 및/또는 압력을 갖는 확산된 공기(13)의 형성이 용이해질 수 있다.
확산판(16)은 실제 시스템에서의 반복 실험 및 피팅 작업을 줄일 수 있도록 컴퓨터 이용 설계 및 분석 소프트웨어를 사용하여 형성되고 모의 실험될 수 있다. 확산판(16)은 확산된 공기(13)가 유출면(80)에 걸쳐 균일해지도록 형성될 수 있다. 구멍(82)은 일반적으로 원형 형상을 가지며 확산판(16)의 유입면 및 유출면과 동일 평면상에 수직하게 배치되지만, 구멍(82)은 기타 다른 형상을 가질 수도 있다. 예 를 들면, 구멍(82)은 일정 각도로 확산판(16)을 관통할 수도 있고, 유입면(78) 및/또는 유출면(80)에서 윤곽을 갖거나 경사진 가장자리를 구비할 수도 있으며, 유입면(78) 및/또는 유출면(80)을 넘어 연장될 수도 있다. 또한, 구멍(82)은 일례로 타원형, 정사각형, 삼각형 등과 같은 임의의 형상을 가질 수 있다.
확산판(16)은 일반적으로 유입 공기(12)가 확산판(16)의 주위를 통과하지 못하도록 외함(14) 내에 설치된다. 예를 들면, 상부 가장자리(70), 하부 가장자리(72), 제1 측부 가장자리(74) 및 제2 측부 가장자리(76)와 접촉하는 시일 혹은 가스켓이 확산판(16)과 외함(14) 내표면 사이의 비통기성 접촉면의 역할을 할 수 있다. 또한, 가요성 재료로 제조된 시일은 소망하지 않는 진동 및 소음을 저감시키는 감쇠 수단으로서 작용할 수 있다. 필요에 따라, 확산판(16)에는 유입 공기(12) 및/또는 확산된 유입 공기(13)의 속도와 압력을 모니터링하는 센서가 구비될 수 있다.
이상에서는 확산판으로서의 유동 컨트롤러(16)를 도시하여 설명하였지만, 유동 컨트롤러(16)가 이러한 형태로만 한정되는 것은 아니다. 예를 들면, 유동 컨트롤러(16)는, 유입 단부(6)에 근접하게 배치되어 미개방시 가스 유동을 차단시킬 수 있는 하나 이상의 작동 밸브를 포함할 수 있다. 이러한 다수의 밸브들은 일정한 양의 공기가 상부 스택 혹은 스테이지(15)와 하부 스택 혹은 스테이지(17)로 유입되도록 배관과 함께 작동될 수 있다. 실제의 유동 컨트롤은, 일례로 공기 유량 혹은 필터 스택(15, 17)의 작동도와 같은 한정가능한 기준에 따라 구멍(82)의 크기를 맞추는 전기 기계 수단, 기계 수단, 공압 수단 혹은 유압 수단을 활용하여 확산 판(16)과 함께 행해질 수 있다. 예를 들면, 확산판(16)에는 구멍 지점들의 일부 혹은 전부에 가변 개구가 구비될 수 있다. 이러한 개구는 보다 많은 양의 가스 유동을 위해 개방될 수 있거나, 유입 공기(12)의 유동을 감소 또는 차단할 수 있도록 구성될 수 있다.
확산판(16)은, 유입구 시일(19A)로부터 연장되고 직각으로 확산판(16)과 접촉되는 배플과 함께 작동될 수도 있다. 또한, 이러한 배플은, 배플의 일측에서의 공기가 배플의 타측으로 유동되지 못하게 하기 위해서 외함(14)의 전면으로부터 후면까지의 깊이만큼 연장될 수 있다. 만일 배플이 사용된다면, 이러한 배플은 하부 스택(17)으로 유입되는 확산된 유입 공기(13) 부분과 상부 스택(15)으로 유입되는 확산된 유입 공기 부분 사이의 격벽을 형성하게 된다. 확산판(16)은 배플과 함께 사용될 때 일정한 양의 공기를 상부 스택(15)과 하부 스택(17)에 제공하도록 형성된다.
도4a는 도2a 내지 도2c에 도시된 바와 같은 본 발명의 실시예들과 함께 사용될 수 있는 예시적인 필터의 배치도이다. 도4a에는 4개의 필터 뱅크(A 내지 F)가 도시되어 있으며, 이러한 필터 뱅크의 각각은 별도의 확산판을 구비한다. 각각의 뱅크는 3개의 필터(18A 내지 18C)를 포함한다. 도4a 및 도4b를 보면, 각각의 뱅크는 동일한 필터를 포함하고 있지만, 각각의 뱅크는 각기 다른 필터를 포함할 수도 있으며, 또는 필터는 동일하나 분배된 유입 공기(13)에 대해 그 순서는 다른 필터를 포함할 수도 있다. 필터 뱅크(A 내지 F)는 본 실시예에서는 3×2 배열인 필터 매트릭스(90)를 형성한다. 임의의 크기 및 수량의 필터(18, 20)를 구비하는 필터 매트릭스는 여과시킬 공기의 양, 소망하는 오염물 제거 수준 및 정해진 혹은 소망하는 필터 부재 교체 주기에 따라 채택될 수 있다. 예를 들면, 작동 체적이 작고 오염 유입 공기가 적으며 그리고/또는 필터 교체 주기가 짧은 적용 분야의 경우에는, 도4b에 도시된 바와 같은 2×2 매트릭스가 사용될 수 있다. 도4a를 보면, 필터(18A 내지 18C)는 특정 유형의 공기 동반 화학 물질을 제거하도록 형성되는 화학 필터일 수 있다. 필요에 따라, 먼지나 화분과 같은 비화학성 미립자 물질의 전체 농도를 저감시키기 위해서 HEPA 필터(20)가 필터(18A 내지 18C)와 함께 사용될 수 있다.
도5a는 도면 부호 202로 도시된 높이, 도면 부호 204로 도시된 길이 및 도면 부호 206으로 도시된 깊이를 갖는 프레임(200) 내에 설치되는 필터 모듈(18)의 일 실시예를 도시한 도면이다. 이러한 프레임(200)은 필터 모듈(18)이 내부에 설치되는 단일 부품으로 구성될 수도 있으며, 필터 모듈(18)의 주위에서 분해되어 재조립될 수 있는 2개 이상의 부품으로 구성될 수도 있다. 제거가능한 프레임(200)을 필터 조립체(201)의 부품으로서 채택하게 되면, 필터 모듈(18)을 구조적으로 지지할 필요성이 감소되고 외함(14)의 내부에 부착시키기 위한 밀봉/설치 수단없이 필터 모듈(18)을 제조할 수 있기 때문에, 필터 모듈(18)을 저렴한 비용으로 제조할 수 있게 된다. 필터 모듈(18)은 공기 동반 오염물을 제거하는 그의 성능이 소정의 성능 한계치 이하로 저하되었을 때 교체되도록 형성된다. 프레임(200)은 구조적 지지 작용의 제공 이외에도 프레임 혹은 기타 다른 중간의 설치 수단에 의해 외함(14)의 내부에 직접 혹은 간접적으로 밀봉가능하게 설치되어, 확산된 유입 공 기(13)가 여과 매체(220)를 통해 유동되도록 하는 도관을 형성한다.
도5b는 아코디언형 구조로 배치된 주름 여과 매체(216)를 포함하는 필터 모듈(18)의 일 실시예를 도시한 도면이다. 필터 모듈(18)은 정사각형 혹은 직사각형 형상의 용기(208)를 구비하며, 또한 공기 유동(218)과 수직으로 대면하는 전단부(210)와 후단부(212)를 구비한다. 도5c는, 정사각형 용기(208)를 구비하고 그 용기(208) 내에 순차적으로 배치된 주름 복합 필터 부재(219)를 구비하는 필터 모듈(18)의 또 다른 실시예를 도시하고 있다. 주름(219)은 바람직하게는 공기 유동(218)에 수직으로 지향된다.
도5d는 원통형 용기 혹은 프레임(222)을 구비하는 필터 모듈(18)의 또 다른 실시예를 도시하고 있다. 도5d의 필터 모듈(18)은 전체 원통형 용기(222)에 걸쳐 반경 방향으로 배치된 주름(214)을 구비한다. 공기 유동(218)은 도5d의 도시면 내로 향하는 원통의 주축에 수직으로 필터 모듈(18)에 유입된다. 도5e는, 원통형 용기(222) 내에 배치되고 나선형으로 배치된 여과 매체를 구비하는 필터 모듈(18)의 또 다른 실시예를 도시하고 있다.
도5f는, 2가지 유형의 여과 부재, 즉 화학 흡착식 필터 부재(226)와 물리 흡착식 필터 부재(228)를 포함하는 필터 모듈(18)의 개략도이다. 도관(230)은 프레임(200) 혹은 기타 다른 수단에 의해 형성되며, 공기를 필터 부재(226, 228)를 통해 유동시키면서 오염물을 제거하는 역할을 한다. 화학 흡착식 필터 부재(226)와 물리 흡착식 필터 부재(228)는 화학 흡착식 필터 부재(226)가 물리 흡착식 필터 부재(228) 전에서 공기 유동을 여과시키도록 일렬로 배치된다.
화학 흡착식 필터 부재(226)는, 작용기와 반응물을 반응시킬 수 있는 산성 작용기를 갖는 공중합체로 형성되는 다공성 화학 흡착 매체를 포함할 수 있다. 물리 흡착식 필터 부재(228)는 미처리 활성탄과 같은 물리 흡착 매체를 포함한다. 본 명세서에 사용되는 "미처리"라는 용어는 화학 흡착을 행할 수 있도록 하기 위한 화학 처리에 의해서 개질되지 않은 활성탄을 의미하는 것으로서, 이때 미처리 활성 탄은 물리적 혹은 무극성 흡착제로서 형성된다. 물리 흡착 매체는 일반적으로 비등점이 150℃ 이상인 응축가능한 유기 및 무기 오염물을 물리 흡착법을 통해 제거하며, 화학 흡착 매체는 화학 흡착법을 통해 기본 증기(basic vapor)를 제거한다.
"물리 흡착법"이라는 용어는 약한 물리력에 의해 피흡착물이 유지되는 가역 흡착법을 말한다. 반면에, "화학 흡착법"이라는 용어는 가스 혹은 액체 분자와 고체 표면 간에 화학 결합이 형성되는 비가역 화학 반응법을 말한다. 화학 흡착식 필터 부재(226)와 물리 흡착식 필터 부재(228)의 상대적인 두께는 두 필터 부재의 유효 수명이 소정의 환경에서 거의 동시에 종료되도록 형성될 수 있다.
따라서, 술폰화 중합체로 형성된 화학 흡착식 필터 부재는 미처리 탄소로 형성된 물리 흡착식 필터 부재에 비해 얇게 형성될 수 있는데, 왜냐하면 탄소의 물리 흡착 특성이 일반적으로 산성 술폰화 중합체의 화학 흡착 특성에 비해 빨리 소진되기 때문이다. 2개의 복합 필터 부재(226, 228)는 사진 식각 장치와 결합된 여과 장치의 공기 유동 경로에 설치되도록 임의의 적합한 용기나 프레임 내에 수용될 수 있으며, 일반적으로 필터 부재(226, 228)는 제거가능한 혹은 교체가능한 필터 부재의 형태이다. 유입 공기 유동에 노출되는 필터 재료의 표면적을 증가시키는 것이 바람직하며, 이를 위해서 복합 필터 부재에는 표면적의 증가를 위해 주름이 형성될 수 있다.
도5g는 물리 흡착식 필터 부재(228)가 2개의 화학 흡착식 필터 부재(226) 사이에 설치되는 필터 모듈(18)의 또 다른 실시예를 도시한 개략도이다. 도5h는 물리 흡착식 필터 부재(288)가 정전기가 하전된 부직포 필터 부재(230)와 화학 흡착식 필터 부재(226) 사이에 설치되는 필터 모듈(18)의 또 다른 실시예를 도시한 개략도이다.
도5f 내지 도5h에 도시된 장치는, 비등점이 낮은 오염물을 더욱 효율적으로 제거시킬 수 있도록 하고 화학 흡착 매체와 물리 흡착 매체가 작동되는 별도의 조건들을 더욱 최적화시킬 수 있도록 형성된다. 사진 식각 장치로 유입되는 공기 스트림을 더욱 우수하게 정화시키게 되면, 공기 동반 분자 물질에 의한 포토레지스트의 오염 현상과 광학 장치 표면상의 광 유발 유기물 오염 현상을 더욱 효과적으로 방지할 수 있게 된다.
도5i는, 다수의 필터 모듈(18)들이 공기 유동(218)에 대해 각도를 이루며 지향되고 HEPA 혹은 초미립자 공기(ULPA) 배출 필터 부재(232)와 일렬로 지향되는 넓은 표면적의 필터 조립체의 일 실시예를 도시하고 있다. 또한, 본 실시예에는 HEPA 혹은 ULPA 필터(236)와 함께 작동되는 강산성 중합체 필터 부재(231)의 주름 복합재를 포함할 수 있다. 본 명세서에 기재한 바와 같은 넓은 표면적의 필터 부재는 미국 특허 제5,204,055호, 제5,340,656호 및 제5,387,380호에 개시된 바와 같은 3차원 인쇄 기술을 이용하여 제조될 수 있으며, 이러한 미국 특허들의 내용은 본 명세서에 참고로 포함된다.
위에서 설명한 필터 모듈(18)은 여러 가지 구성을 가질 수 있다. 제1 실시예에서는, 중합체 팰릿(pallet) 및 미처리 활성탄의 베드가 종래의 매체 트레이 및 랙 시스템(일례로, 공기가 구조체를 통과하도록 하면서 흡착제에 유지시키는 천공 재료 혹은 스크린을 사용하는 금속 외함)을 사용하여 공기 스트림에 노출될 수 있다. 제2 실시예에서는, 필터가 중합체 팰릿과 미처리 활성탄이 부분 충진된 혹은 완전 충진된 하니콤 구조체 내에 유지되는 하니콤 형태일 수 있다. 제3 실시예에서는, 중합체와 미처리 활성탄이 단일체의 다공성 구조체나 하니콤 구조체를 형성할 수 있다. 제4 실시예에서는, 미처리 활성탄을 포함하는 직조 중합체 섬유 혹은 부직포 중합체 섬유의 매트에 주름이 형성되어 도5f 내지 도5h에 도시된 바와 같은 종래의 주름 공기 필터 내에 배치된다. 제5 실시예에서는, 활성탄 팰릿의 베드가 종래의 매체 트레이 및 랙 시스템을 사용하여 공기 스트림에 노출되며, 이때 산성 중합체를 포함하는 부직포 복합재나 술폰화 공중합체 기반 복합재의 층이 탄소 트레이의 일측 혹은 양측에 부착되거나 그 내부에 결합된다.
다양한 구성을 갖는 것 이외에, 본 발명의 필터 모듈(18)은 미국 특허 제5,582,865호의 활성탄 실시예들에 개시된 바와 같은 여러 가지 형태를 가질 수 있으며, 상기 미국 특허의 내용은 본 명세서에 참고로 포함된다. 이러한 필터는 2개 이상의 층을 구비할 수 있으며, 그 중 하나는 활성탄 층이고 다른 하나는 술폰화 다이비닐 벤젠 스티렌 공중합체 비드(bead)의 층이다. 또한, 본 실시예에 따른 복합 필터는 2개 이상의 재료가 혼합되어 형성될 수 있다.
또 다른 실시예에 따르면, 미국 특허 제5,834,114호에 개시된 바와 같은 합성 탄소 재료가 본 발명의 산성 재료로 코팅되어 본 발명에 따른 다공성 산성 필터 부재를 형성할 수 있으며, 상기 미국 특허의 내용은 본 명세서에 참고로 포함된다. 또한, 또 다른 실시예에 따르면, 미국 특허 제6,033,573호에 개시된 활성 소형 탄소 매체가 단독으로 또는 본 명세서에 기재한 화학 흡착 매체 혹은 물리 흡착 매체와 함께 사용되어 도관을 통과하는 공기로부터 본 명세서에 기재한 방식과 동일한 방식으로 오염물을 제거시킬 수 있으며, 상기 미국 특허의 내용은 본 명세서에 참고로 포함된다. 또한, 미국 특허 출원 제09/232,199호, 제08/795,949호 및 제08/996,790호에 개시된 바와 같이 공기의 오염물을 검출하여 필터의 교체 시기를 결정하기 위해서 컨트롤러(32)와 센서(30)가 필터 모듈(18)과 함께 사용될 수 있으며, 상기 미국 특허 출원들의 내용은 본 명세서에 참고로 포함된다.
도6a는 필터(18, 20)의 성능을 모니터링하는 센서(30)와 함께 사용될 수 있는 컨트롤러(32)의 일 실시예를 도시하고 있다. 이러한 컨트롤러(32)는 필터 작동을 모니터링하는 작업을 수행하기 위한 명령이나 기능 실행 코드를 판독할 수 있는 범용 컴퓨터 실행 장치로 구성될 수 있다. 컨트롤러(32)는 프로세서(102), 주 메모리(104), ROM(106), 저장 장치(108), 버스(110), 표시 장치(112), 키보드(114), 커서 컨트롤(116) 및 통신 인터페이스(118)를 포함할 수 있다.
프로세서(102)는 명령을 해석하여 실행시킬 수 있는 임의 유형의 종래 처리 장치일 수 있다. 주 메모리(104)는 RAM이나 이와 유사한 동적 저장 장치일 수 있다. 또한, 프로세서(102)에 의해 실행될 정보 및 명령을 저장하기 위해서, 주 메 모리(104)가 또한 프로세서(102)에 의한 명령의 실행 중에 일시적 변수나 기타 다른 중간 정보를 저장하는 데 사용될 수 있다. ROM(106)은 프로세서(102)에 대한 명령과 정적 정보를 저장한다. ROM(106)은 기타 다른 유형의 정적 저장 장치로 대체될 수 있다. 데이터 저장 장치(108)는 임의 유형의 자기 혹은 광학 매체 및 그의 대응 인터페이스와 작동 하드웨어를 포함할 수 있다.
예를 들면, 데이터 저장 장치(108)는 프로세서(102)에 사용되는 명령과 정보를 저장한다. 버스(110)는 컨트롤러(32)의 구성 부품들 간에 데이터를 전송시킬 수 있는 일련의 하드웨어 라인들(전도체, 광섬유 등)을 포함한다. 표시 장치(112)는 정보를 사용자에게 표시하는 LCD, 음극선 관(CRT) 등일 수 있다. 키보드(114)와 커서 컨트롤(116)은 사용자가 컨트롤러(32)와 상호 작용할 수 있도록 한다. 커서 컨트롤(116)은 일례로 마우스일 수 있다. 선택적인 구성에 따르면, 키보드(114)와 커서 컨트롤(116)은 사용자가 컨트롤러(32)와 상호 작용할 수 있도록 하는 마이크로폰 및 음성 인식 수단으로 대체될 수도 있고, 특정 버튼이 특정 기능을 수행하도록 예비 프로그램된 접촉 감지식 표시 장치나 소프트 패널(soft-panel) 기능 패드로 대체될 수도 있다.
통신 인터페이스(118)는 컨트롤러(32)가 임의의 통신 매체를 통해서 기타 다른 장치/시스템과 교신할 수 있도록 한다. 예를 들면, 통신 인터페이스(118)는 모뎀, LAN에 대한 이더넷(Ethernet) 인터페이스 혹은 프린터 인터페이스일 수 있다. 선택적으로, 통신 인터페이스(118)는 컨트롤러(32)와 일례로 무선 RF와 같은 기타 다른 장치나 시스템 간의 통신이 이루어지도록 하는 임의의 다른 인터페이스이거나 자유 공간 광 네트워킹 인터페이스일 수 있다.
바람직한 실시예에 따르면, 통신 인터페이스(118)는 센서(30A 내지 30H)에 연결된다. 통신 인터페이스(118)와 센서(30) 간의 연결은 와이어, 광결합 매체 혹은 무선 매체로 이루어질 수 있다. 예를 들면, 센서(30)는 본 기술 분야에 공지되어 있거나 본 명세서에 기재한 가스 샘플 추출 수단으로 구성될 수 있다. 센서(30)는, 샘플을 수용하는 유입 포트와, 센서(30)가 자체 분석 하드웨어 및/또는 소프트웨어를 포함하고 있지 않은 경우에 수집된 샘플을 분석 부품으로 전달하거나 또는 처리 분석된 출력을 제공하는 유출 포트를 구비한다. 본 발명에 사용될 수 있는 센서 및/또는 센서/분석기의 예로서, 내화성 트랩과, 선택 투과막 트랩과, 가스 색층 분석기/화염 이온화 검출기와, 이온 색층 분석기와, 질량 분석기와, 조합 색층 분석 및 질량 분석 센서와 같은 하나 이상의 기술을 조합한 하이브리드 센서를 들 수 있지만, 이에 한정되는 것은 아니다. 이러한 예들이 본 발명의 실시예들 중 일부 혹은 전부와 함께 사용될 수 있다.
센서 및 분석 기술의 예가 미국 공개 특허 공보 제2004/0023419 A1호(미국 출원 제10/395,834호)에 더욱 상세하게 개시되어 있으며, 상기 미국 공개 특허 공보의 내용은 본 명세서에 참고로 포함된다. 예를 들어, 본 발명에 따른 컨트롤러(32)에 의하면, 필터 시스템(5)이 실시간 혹은 준 실시간으로 필터 성능을 모니터링할 수 있게 되고, 획득된 데이터를 통신 네트워크(도6b에 도시)를 통해 기타 다른 장치와 교신할 수 있게 된다. 컨트롤러(32)는 일례로 메모리(104)에 저장된 일련의 명령을 실행하는 프로세서(102)에 응하여 소망하는 작동의 완료에 필요한 작업을 수행한다. 이러한 명령은 일례로 데이터 저장 장치(108)와 같은 다른 컴퓨터 판독가능 매체로부터 혹은 통신 인터페이스(118)를 통해 다른 장치로부터 메모리(104)로 판독될 수 있다. 메모리(104)에 저장된 일련의 명령을 실행하면, 프로세서(102)가 필터(18, 20)의 성능을 모니터링하는 방법을 실행하게 된다. 예를 들면, 프로세서(102)는 필터(18)에 의해 포집된 특정 오염물의 농도를 결정하는 기능을 수행하는 명령을 실행할 수 있다.
선택적으로, 본 발명을 실시하기 위해서 고정 배선 회로(hardwired circuiyrt)가 소프트웨어 명령을 대체하여 혹은 그와 함께 사용될 수 있다. 따라서, 본 발명은 고정 배선 회로와 소프트웨어의 임의의 특정 조합으로만 한정되는 것은 아니다. 도6b는, 컨트롤러(32)를 포함하고 네트워크 환경에서 작동되는 필터 시스템(5)의 개략도이다. 도6b의 시스템(119)은, 각각 컨트롤러(32A, 32B)를 구비한 2개의 필터 시스템(5A, 5B)과, 네트워크(120)와, 제조자 분석 센터(122)와, 소비자 관리 센터(124)를 포함한다. 필터 시스템(5A, 5B)은 공기 동반 오염물을 제거할 수 있도록 청정실에서 작동된다. 필터 시스템(5A, 5B)이 작동되면, 센서(30)가 각각의 필터(18, 20)를 모니터링하여 데이터를 컨트롤러(32A, 32B)로 전송한다. 컨트롤러(32A, 32B)는 각각 링크(126, 128)에 의해서 데이터 네트워크(120)에 통신가능하게 연결된다. 필터 시스템(5A)은 일례로 무선 이더넷 링크와 같은 무선 주파수(RF) 연결부에 의해서 네트워크(120)에 연결되며, 필터 시스템(5B)은 고정 배선 링크(126)에 의해서 네트워크(120)에 연결된다. 고정 배선 링크는 동 전도체 연선, 동축 케이블, 리본 케이블, 다중 전도체 송수신 케이블, 광섬유 등으로 구성 될 수 있다.
제조자 분석 센터(122)는 필터 시스템(5A, 5B) 및/또는 필터(18, 20)의 제조에 의해 작동될 수 있다. 제조자 분석 센터(122)는 다수의 시스템들과 소비자들로부터 데이터를 수집할 수 있다. 수집된 데이터는, 새로운 제품을 설계하고 기존 제품의 성능을 평가하거나 기존 제품의 작동을 향상시키는 데 사용될 수 있다. 예를 들면, 수집된 데이터는 제조자가 특정 환경 내에서 소정의 오염물 부하에 기초하여 평균 필터 교체 주기를 산출하는 데 사용될 수 있다.
필터 시스템(5A, 5B)의 데이터는 또한 소비자 관리 센터(124)로 전송될 수 있다. 이때, 제조자 분석 센터(122)는 다수의 소비자들을 지원할 수 있지만, 소비자 관리 센터(124)는 자체용으로 데이터를 수집한다. 수집된 데이터는 성능 불량 장치를 식별하는 데 사용될 수 있다. 예를 들어, 소비자 관리 센터(124)에 의한 확인 결과 특정 가스의 농도가 기타 다른 오염물의 농도에 비해 증가하고 있는 것으로 판명되면, 소비자 관리 센터는 이러한 성능 불량이 모니터링 환경 내에서의 특정 기계 작동과 관련되는지를 결정하는 진단 작업을 행할 수 있다. 따라서, 네트워크 데이터를 이용한 적시의 교정 작업이 쉽게 이루어질 수 있게 된다. 또한, 소비자 관리 센터(124)는, 모든 청정실의 전체 성능을 모니터링하고 현재의 정확한 데이터에 기초하여 유지 보수 주기를 산출하는 데 수집된 데이터를 활용할 수 있다. 도6b에 도시된 바와 같이, 네트워크 환경에서 작동되는 필터 시스템(5A, 5B)은 매우 효율적인 비용으로 많은 이점들을 제공한다.
도7은 본 발명의 실시예들을 실시하는 데 사용되는 예시적인 방법을 도시하 고 있다. 필터 시스템(5)은 특정 청정실에 대해 그 청정실 내에 존재할 것으로 예측되는 오염물의 유형과 농도에 기초하여 구성된다[단계(130)]. 이어서, 필터 시스템(5)은 플리넘 등을 사용하여 유입 공기(12)에 연통된다[단계(132)]. 이어서, 필터 시스템(5)은 적용 가능하다면 유출 배관에 연결된다[단계(134)]. 네트워크 연결부(126, 128)와 같은 입출력 연결부와 전력 연결부(각각 RF 및 링크)가 필터 시스템(5)에 연결된다[단계(136)]. 이어서, 필터 시스템(5)에 전력이 공급되어 작동을 시작하도록 초기화된다[단계(138)]. 유입 공기(12)가 유입되어 일례로 관통 구멍(82)들을 구비한 확산판과 같은 유동 컨트롤러(16)를 사용하여 확산된다[단계(140)]. 확산된 공기(13)는 직렬 혹은 병렬/매트릭스 형태로 배치된 다수의 필터(18, 20)들을 사용하여 여과된다[단계(142)]. 필터(18, 20)의 작동뿐만 아니라 일례로 공기 유량, 공기 온도, 소비 전력, 오류 검사 등과 같은 기타 다른 작동 파라미터가 모니터링된다[단계(144)]. 획득된 데이터는 필터 시스템(5) 내에 상주하면서 컨트롤러(32)에 의해 처리된다[단계(146)].
확산판은 코스모스 웍스(Cosmos Works)와 같은 소프트웨어를 사용하여 특정 필터 시스템 유동 요건에 맞게 형성될 수 있음을 주목하여야 한다. 필터의 기하학적 형상 및 유동 특성들을 포함하는 파라미터의 선택에 기초하여, 정해진 혹은 가변적인 크기 분포 및 간격의 구멍을 구비한 확산판이 선택되어 최적 성능을 위해 모델링될 수 있다. 이어서, 확산판은 선택된 구멍 분포에 따라 금속판에 구멍을 드릴 가공함으로써 제조된다.
이어서, 본 방법은 문제점이나 오류가 검출되었는지를 확인할 수 있다[단 계(148)]. 만일 문제점이 검출되어 심각한 문제점으로 판명되면[단계(150)], 담당자에게 경고하기 위해 시각적 혹은 청각적 알람 신호나 시각 및 청각적 알람 신호가 생성될 수 있다[단계(152)]. 반면에, 보고된 문제점이 단계(150)에서 심각한 것으로 판명되지 않으면, 그 문제점은 종래의 보고 채널 및 기구에 의해 청정실의 적소에 보고될 수 있다[단계(154)]. 만일 단계(148)에서 아무런 문제점도 검출되지 않으면, 본 방법은 필터 교체가 요구되는지를 확인할 수 있다[단계(156)]. 만일 필터 교체가 요구되면, 하나 이상의 필터(18, 20)가 교체되어야 함을 알려주는 신호가 본 기술 분야에 공지되어 사용되는 기타 다른 보고 수단에 의해 표시 장치로 전송될 수 있다[단계(158)].
반면에, 필터 교체가 요구되지 않거나 필터 교체 주기가 아니면, 정상 작동 상태 메시지가 표시 장치에 표시되거나, 일례로 녹색 LED 등을 점등시킴으로써 다른 방식으로 지시될 수 있다[단계(160)]. 단계(148)에서 문제점이 검출되는 경우에는, 단계(156)는 단계(152)와 단계(154) 이후에 실행될 수 있다. 도7의 방법은 일례로 24시간에 한번씩과 같이 타이머를 사용하여 예정 시간 간격을 두고 전체적으로 혹은 부분적으로 실행될 수 있다.
이하의 실시예는 위에서 설명하지 않은 본 발명의 이점들을 설명하기 위한 실시예로서, 본 기술 분야의 당업자가 본 명세서에서 설명한 실시예들을 구성하여 실시할 수 있도록 하기 위한 실시예이다. 이러한 실시예는 본 명세서에 기재한 본 발명의 실시예들이나 변형예들에 포함되거나 통합될 수 있다. 예를 들면, 본 발명의 샘플 추출 관 오리피스는 본 명세서에 기재한 시스템들이나 장치들에 통합될 수 도 있고, 본 기술 분야의 당업자라면 상정할 수 있는 기타 다른 적합한 시스템들이나 장치들에 통합될 수도 있다. 본 명세서에 기재한 실시예들은 본 발명의 기타 다른 모든 실시예들의 변형예들을 포함하거나 통합할 수 있다. 이하의 실시예는 본 기재 내용의 범위를 한정하지 않는다.
본 발명의 관 오리피스를 통한 가스의 체적 유량에 대한 연구를 수행하였다. 이러한 연구에는 오리피스 내로 유입되는 가스의 체적 유량과 오리피스로부터 유출되는 유량을 모니터링하는 작업이 포함되었다. 관 오리피스를 통한 가스 유량을 체적 유량계와 같은 표준 장치를 사용하여 측정하였다. 체적 유량은 대략 30초동안 측정하였다. 61개의 샘플로부터 관 오리피스를 통한 평균 체적 유량을 산출하였다.
[표 1]
샘플 추출 관 오리피스 최소 가스 체적 유량(ft3/분) 평균 가스 체적 유량(ft3/분) 최대 가스 체적 유량(ft3/분)
유입구 0.00429 0.00406 0.00389
유출구 0.00394 0.00398 0.00400
표1은 비교적 소량의 가스가 고속으로 관 오리피스를 통해 유동됨을 나타낸다. 또한, 표1의 결과는 최소 유량치와 최대 유량치 간의 편차가 실질적으로 없기 때문에 가스의 체적 유량이 일관됨을 나타낸다. 이러한 일관성은 또한 샘플 추출 관 오리피스 내의 가스 유량이 일정함을 의미한다. 표1을 보면, 오리피스 내로 유입되는 가스 유량과 오리피스로부터 유출되는 가스 유량이 거의 동일한 것으로 나타나 있으며, 이는 사용 중 가스가 오리피스 내에 정체되거나 체류되지 않음을 말 한다.
본 발명에 따른 관 오리피스를 통한 가스 유동의 일관성과 균일성이 또한 도8에 도시되어 있다. 도8은 사용 중의 샘플 추출 관 오리피스(302)를 도시한 개략도이다. 본 도면은 컴퓨터를 이용하여 도시한 도면으로서, 개구(306)를 통한 가스 유동을 근사하여 도시한 도면이다. 도시된 바와 같이, 오리피스의 가스 유동 속도는 대략 1525m/분 내지 2593m/분(5000ft/분 내지 8500ft/분)의 범위에 있다. 가스 유동 속도가 색상과 상관되어 도시되어 있다. 도8에 도시된 바에 따르면, 샘플 추출 관 오리피스(302)를 통과하는 가스의 속도는 색상이 일관되게 도시된 바와 같이 일정하다.
또한 도8에 도시된 바에 따르면, 관 오리피스(302)의 개구(306)를 통한 가스 유동은 가스 샘플이 도면 부호 328에 유입된 후에 급격한 유속의 가속이 이루어진다. 도8에 도시된 바에 따르면, 가스 샘플은 도면 부호 330에서 관 오리피스로부터 배출되는 즉시 감속된다. 도8은 관 오리피스가 사파이어 재료로 구성된다는 가정하에 도시한 도면이다. 위에서 설명한 바와 같이, 사파이어는 내열성을 가져 정밀하게 기계 가공될 수 있기 때문에 본 발명의 관 오리피스의 제조에 특히 바람직하다.
본 명세서에 본 발명의 선택적인 실시예들을 설명하였지만, 본 기술 분야의 당업자라면 본 명세서에 기재한 실시예들에 여러 가지 변형, 대체 및 수정을 가할 수 있다. 위에서 설명한 각각의 실시예는 기타 다른 실시예들에 대해 기재한 여러 가지 변형예들을 포함하거나 통합할 수 있다. 예를 들면, 제1 대체 실시예에서, 필터 시스템(5)은 도2a 내지 도2c에 도시된 바와 같은 자립형 유닛 대신에 천장이나 루프 상단에 설치되도록 구성될 수 있다.
제2 대체 실시예에서, 다수의 필터 시스템(5)들은 여과 수준을 증가시키거나 필터 교체 주기를 연장시키도록 직렬 혹은 병렬 구성으로 결합될 수 있다. 예를 들면, 직렬 구성을 형성시킬 수 있도록 제1 필터 시스템의 유출부가 제2 필터 시스템의 유입부 역할을 할 수 있다. 이와 달리, 병렬 구성을 형성시킬 수 있도록 유입 공기가 제1 필터 시스템과 제2 필터 시스템에 동시에 제공될 수 있다.
제3 대체 실시예에서, 컨트롤러(32)는, 사용자의 입력을 수용하고 출력을 사용자에게 제공하는 마이크로폰과 스피커로 구성될 수 있다. 이러한 실시예에서, 컨트롤러(32)는 음성 명령을 해석하는 음성 인식 소프트웨어를 사용할 수 있다. 사용자의 명령에 대한 응답 혹은 알람 데이터 제공 응답이 스피커를 통해 사용자에게 전달될 수 있다.
제4 대체 실시예에서, 컨트롤러(32)에는 필터 시스템(5)이 데이터를 휴대 전화, 개인 휴대 정보 단말기 등에 전송하도록 하여 작업자가 시스템 작동에 대한 정보를 지속적으로 파악할 수 있도록 하는 무선 통신 인터페이스가 구비될 수 있다.
제5 대체 실시예에서, 필터 시스템(5)은 주택이나 사무실 빌딩으로의 유입 공기를 여과시키는 데 사용될 수 있다. 적절한 유형의 필터(18, 20)를 구비한다면, 필터 시스템(5)은 알레르기 유발 물질과 탄저균과 같은 독성 공기 동반 오염물을 제거할 수 있다.
제6 대체 실시예에서, 필터(18, 20)는 자외선이나 전하/정전하와 같은 기타 다른 오염물 제거 혹은 중화 기술에 의해 향상될 수 있다. 또한, 청정실 혹은 기타 다른 환경 내의 소정의 수분 함량을 유지시키기 위해서 가습 수단이 필터 시스템(5)에 구비될 수 있다.
따라서, 본 발명의 모든 실시예들과 그 동등물들은 이하의 청구의 범위의 사상과 범위 내에 있다. 또한, 본 발명의 청구의 범위는 기재 순서나 구성 요소로 한정되지 않는다. 따라서, 본 발명은 첨부한 청구의 범위와 그 동등물에 의해서만 한정된다.

Claims (80)

  1. 반도체 처리 장치에서 가스로부터 오염물을 제거하는 장치이며,
    통과하여 유동하는 상기 가스로부터 상기 오염물의 적어도 일부를 제거하는 다수의 평행 필터 스테이지들이 내부에 배치되는 필터 유닛과,
    상기 평행 필터 스테이지를 통과하는 상기 가스 유동을 분배하는 유동 컨트롤러를 포함하는 오염물 제거 장치.
  2. 제1항에 있어서, 상기 유동 컨트롤러는 확산판을 포함하는 오염물 제거 장치.
  3. 제1항에 있어서, 상기 유동 컨트롤러는 능동 유동 컨트롤러인 오염물 제거 장치.
  4. 제2항에 있어서, 공기 여과 시스템인 오염물 제거 장치.
  5. 제4항에 있어서, 상기 다수의 필터 스테이지들의 각각의 부재는 다수의 필터 모듈들로 구성되는 오염물 제거 장치.
  6. 제5항에 있어서, 상기 다수의 필터 스테이지들은 적어도 2개의 행과 2개의 열을 갖는 매트릭스로 배치되는 오염물 제거 장치.
  7. 제5항에 있어서, 상기 오염물은 아민을 포함하는 오염물 제거 장치.
  8. 제7항에 있어서, 상기 다수의 필터 스테이지들의 각각의 부재는 물리 흡착식 필터 매체를 구비한 필터 모듈을 포함하는 오염물 제거 장치.
  9. 제7항에 있어서, 상기 다수의 필터 스테이지들의 각각의 부재는 화학 흡착식 필터 매체를 구비한 필터 모듈을 포함하는 오염물 제거 장치.
  10. 제9항에 있어서, 상기 화학 흡착식 필터 매체는 술폰화 재료 및 카르복실 관능기로 이루어진 군으로부터 선택되는 산성 재료를 포함하는 오염물 제거 장치.
  11. 청정실에서 가스로부터 오염물을 제거하는 장치이며,
    통과하는 상기 가스로부터 오염물의 적어도 일부를 제거하는 다수의 평행 필터 스테이지들이 내부에 배치되는 필터 유닛과;
    상기 가스를 수용하는 유입면과 상기 가스를 상기 다수의 필터 스테이지들로 분배하는 유출면을 구비하고, 상기 필터 유닛 내에 설치되며, 상기 가스의 동일량을 상기 다수의 필터 스테이지들의 각각의 부재로 분배하도록 형성되는 확산판과;
    상기 다수의 필터 스테이지들의 각각의 부재를 통과하는 상기 체적의 가스를 대표하는 샘플을 추출하기 위한 다수의 샘플 추출 포트들을 포함하는 오염물 제거 장치.
  12. 제11항에 있어서, 상기 확산판에는 다수의 구멍들이 패턴을 형성하며 배치되고, 상기 다수의 구멍들의 각각은 유입면으로부터 유출면까지 관통되어 상기 가스가 유동될 수 있도록 하며, 상기 구멍의 패턴은 상기 유출면과 상기 다수의 필터 스테이지들 사이에서 균일한 가스 유동을 촉진시키는 오염물 제거 장치.
  13. 제12항에 있어서, 상기 구멍의 적어도 일부는, 가스가 통과되도록 하기 위해 개방되도록 작동되거나 다르게는 가스가 통과되지 못하도록 밀폐될 수 있는 오염물 제거 장치.
  14. 제13항에 있어서, 상기 구멍의 적어도 일부의 개폐는 컨트롤러에 의해 조절되는 오염물 제거 장치.
  15. 제12항에 있어서, 상기 다수의 필터 스테이지들의 각각의 부재는 다수의 필터 모듈들을 포함하는 오염물 제거 장치.
  16. 제15항에 있어서, 상기 가스가 다수의 필터 스테이지들을 통과하기 전에 샘플 추출하기 위한 유입 샘플 추출 포트와, 상기 가스가 적어도 다수의 필터 스테이 지들을 통과한 후에 샘플 추출하기 위한 유출 샘플 추출 포트를 추가로 포함하는 오염물 제거 장치.
  17. 제16항에 있어서, 상기 다수의 샘플 추출 포트들, 상기 유입 샘플 추출 포트 및 상기 유출 샘플 추출 포트와 연통가능하게 결합되는 검출기를 추가로 포함하고, 선택적으로 각각의 샘플 추출 포트는 가스를 유출시킬 수 있도록 하는 직경의 개구를 사용하는 오염물 제거 장치.
  18. 제17항에 있어서, 상기 검출기의 작동을 조절하는 컨트롤러를 추가로 포함하는 오염물 제거 장치.
  19. 제18항에 있어서, 상기 오염물은 아민을 포함하는 오염물 제거 장치.
  20. 제19항에 있어서, 상기 다수의 필터 모듈들 중 적어도 하나의 부재는 물리 흡착식 필터 매체를 포함하는 오염물 제거 장치.
  21. 제20항에 있어서, 상기 물리 흡착식 필터 매체는 활성탄을 포함하는 오염물 제거 장치.
  22. 제19항에 있어서, 상기 다수의 필터 모듈들 중 적어도 하나의 부재는 화학 흡착식 필터 매체를 포함하는 오염물 제거 장치.
  23. 제22항에 있어서, 상기 화학 흡착식 필터 매체는 산성 재료를 포함하는 오염물 제거 장치.
  24. 제23항에 있어서, 상기 산성 재료는 술폰화 재료를 포함하는 오염물 제거 장치.
  25. 제24항에 있어서, 상기 산성 재료는 카르복실 관능기를 포함하는 오염물 제거 장치.
  26. 제11항에 있어서, 상기 다수의 샘플 추출 포트들 중 적어도 하나의 부재는 오염물을 축적하는 농축기에 연결되는 오염물 제거 장치.
  27. 가스 유동을 제공하도록 작동할 수 있는 개구를 갖는 포트를 구비하는 필터 하우징 내에서 가스 유동을 조절하는 개구이며,
    제1 단부 및 제2 단부를 구비하고, 적어도 상기 개구의 제1 직경을 형성하는 절두원추형 부분과;
    상기 절두원추형 부분의 제2 단부와 연통되고 적어도 상기 개구의 제2 직경을 형성하는 원통형 부분을 포함하는 개구.
  28. 제27항에 있어서, 상기 절두원추형 부분의 제2 단부는 원통형 영역을 포함하는 개구.
  29. 제27항에 있어서, 상기 제1 직경은 약 2.54mm(0.1인치) 미만인 개구.
  30. 제27항에 있어서, 상기 제2 직경은 약 12.7mm(0.5인치) 미만인 개구.
  31. 제27항에 있어서, 상기 원통형 부분과 연통되고 적어도 상기 개구의 제3 직경을 형성하는 전이부를 추가로 포함하는 개구.
  32. 제29항에 있어서, 상기 절두원추형 부분의 원통형 영역 및 원통형 부분과 연통되고 적어도 상기 개구의 제3 직경을 형성하는 전이부를 추가로 포함하는 개구.
  33. 제31항 또는 제32항에 있어서, 상기 제3 직경은 약 7.62mm(0.3인치) 미만인 개구.
  34. 제27항에 있어서, 상기 원통형 부분은 제1 단부 및 제2 단부를 구비하는 개구.
  35. 제34항에 있어서, 상기 원통형 부분의 제2 단부는 샘플을 수용할 수 있는 개구.
  36. 제34항에 있어서, 상기 원통형 부분의 제2 단부는 반도체 처리 장치에서 가스에 대해 오염물을 제거하는 장치와 연통되는 개구.
  37. 제36항에 있어서, 상기 장치는, 통과하여 유동하는 상기 가스로부터 상기 오염물의 적어도 일부를 제거하는 다수의 평행 필터 스테이지들이 내부에 배치되는 필터 유닛과, 상기 평행 필터 스테이지를 통과하는 상기 가스 유동을 분배하는 유동 컨트롤러를 포함하는 개구.
  38. 제36항에 있어서, 상기 장치는, 통과하는 상기 가스로부터 상기 오염물의 적어도 일부를 제거하는 다수의 평행 필터 스테이지들이 내부에 배치되는 필터 유닛과; 상기 가스를 수용하는 유입면과 상기 가스를 상기 다수의 필터 스테이지들로 분배하는 유출면을 구비하고, 상기 필터 유닛 내에 설치되며, 상기 가스의 동일량을 상기 다수의 필터 스테이지들의 각각의 부재로 분배하도록 형성되는 확산판을 포함하는 개구.
  39. 제36항에 있어서, 상기 원통형 부분의 제1 단부는 절두원추형 부분의 원통형 영역과 연통되는 개구.
  40. 제27항에 있어서, 상기 절두원추형 부분의 제1 단부와 연통되고 적어도 상기 개구의 제4 직경을 형성하는 샘플 추출부를 추가로 포함하는 개구.
  41. 제40항에 있어서, 상기 제2 직경은 약 0.25mm(0.01인치) 미만인 개구.
  42. 제27항에 있어서, 상기 샘플 추출부는 샘플을 취출하도록 작동할 수 있는 개구.
  43. 제27항에 있어서, 반도체 처리 장치에서 가스에 대해 오염물을 제거하는 장치의 샘플 추출 포트 내에 본체부가 배치되는 개구.
  44. 제43항에 있어서, 상기 본체부는 외표면을 구비하는 개구.
  45. 제44항에 있어서, 관 오리피스의 외표면은 원통형인 개구.
  46. 제44항 또는 제45항에 있어서, 관 오리피스의 외표면은 그 주위에 배치된 적어도 하나의 채널을 포함하는 개구.
  47. 제46항에 있어서, 상기 채널은 유지 부재를 수용하고, 상기 유지 부재는 샘 플 추출 포트와 결합되는 개구.
  48. 제27항에 있어서, 본체부는 사파이어로 구성되는 개구.
  49. 반도체 처리 장치에서 필터 유닛을 사용하여 가스로부터 오염물을 제거하는 방법이며,
    유입 가스를 수용하는 단계와,
    상기 가스가 상기 필터 유닛 내에 배치된 다수의 필터 스테이지들에 대해 이용가능하게 되기 전에 상기 가스를 유동 컨트롤러를 통과시키는 단계와,
    상기 가스의 일부를 다수의 평행 필터 스테이지들의 각각의 부재를 통과시켜 상기 오염물의 적어도 일부를 제거시키는 단계를 포함하는 오염물 제거 방법.
  50. 제49항에 있어서, 상기 유동 컨트롤러는 확산판을 포함하는 오염물 제거 방법.
  51. 제50항에 있어서, 상기 필터 유닛은 청정실 내에 배치되는 오염물 제거 방법.
  52. 제51항에 있어서, 상기 다수의 필터 스테이지들의 각각의 부재는 다수의 필터 모듈들로 구성되는 오염물 제거 방법.
  53. 제51항에 있어서, 상기 다수의 필터 스테이지들은 적어도 2개의 행과 2개의 열을 갖는 매트릭스로 배치되는 오염물 제거 방법.
  54. 제52항에 있어서, 상기 필터 유닛은 다수의 필터 스테이지들의 샘플을 추출하기 위한 다수의 샘플 추출 포트들을 추가로 포함하는 오염물 제거 방법.
  55. 제54항에 있어서, 상기 필터 유닛은 샘플 추출 포트와 연통가능하게 결합되는 검출기를 추가로 포함하는 오염물 제거 방법.
  56. 제55항에 있어서, 상기 필터 유닛은, 상기 다수의 필터 스테이지들에 도달하기 전에 상기 가스의 적어도 일부를 샘플 추출하기 위한 유입 샘플 추출 포트와, 다수의 필터 스테이지들을 통과한 후에 상기 가스의 적어도 일부를 샘플 추출하기 위한 유출 샘플 추출 포트를 추가로 포함하고, 상기 유입 샘플 추출 포트와 유출 샘플 추출 포트는 검출기와 추가로 연통가능하게 결합되는 오염물 제거 방법.
  57. 제56항에 있어서, 상기 필터 유닛은 그의 작동을 모니터링하는 컨트롤러를 추가로 포함하는 오염물 제거 방법.
  58. 제57항에 있어서, 상기 다수의 필터 모듈들의 적어도 하나의 부재는 물리 흡 착식 필터 매체를 포함하는 오염물 제거 방법.
  59. 제57항에 있어서, 상기 다수의 필터 모듈들의 적어도 하나의 부재는 화학 흡착식 필터 매체를 포함하는 오염물 제거 방법.
  60. 다수의 필터 스테이지들이 내부에서 작동되는 필터 유닛을 통과하는 가스를 모니터링하는 방법을 프로세서에 의해 실행시킬 수 있게 하기 위해서, 기계로 실행가능한 명령을 포함하는 컴퓨터 판독가능 매체이며,
    상기 다수의 필터 스테이지들 중 하나를 통과하는 가스를 모니터링하여 모니터링된 가스를 마련하는 단계와,
    상기 모니터링된 가스로부터 샘플을 처리하여 처리된 샘플을 형성시키는 단계와,
    상기 처리된 샘플을 평가하여 상기 다수의 필터 스테이지들 중 하나가 소정의 기준에 따라 작동되고 있는지를 판단하는 단계와,
    상기 다수의 필터 스테이지들 중 하나가 소정의 기준에 따라 작동되지 않고 있다면 보고하는 단계를 수행하는 명령을 포함하는 컴퓨터 판독가능 매체.
  61. 가스 유동을 여과시키는 방법이며,
    필터를 통해 유동 경로를 갖는 가스 유동으로부터 오염물을 제거하는 필터를 구비한 필터 하우징을 마련하는 단계와,
    가스를 유출시킬 수 있게 하기 위해서 제1 직경 및 그 제1 직경보다 작은 제2 직경을 갖는 개구를 구비하는, 필터 하우징용 샘플 추출 포트를 마련하는 단계를 포함하는 가스 유동 여과 방법.
  62. 제61항에 있어서, 상기 개구는, 절두원추형 부분의 제2 단부와 연통되고 적어도 상기 개구의 제3 직경을 형성하는 전이부를 추가로 포함하는 가스 유동 여과 방법.
  63. 제62항에 있어서, 상기 절두원추형 부분의 제2 단부는 원통형 영역을 포함하는 가스 유동 여과 방법.
  64. 제62항에 있어서, 상기 개구는 제1 단부 및 제2 단부를 갖는 원통형 부분을 구비하고, 상기 제1 단부는 전이부와 연통되는 가스 유동 여과 방법.
  65. 제64항에 있어서, 상기 원통형 부분의 제2 단부를 통해 가스 유동을 수용하는 단계를 추가로 포함하는 가스 유동 여과 방법.
  66. 제65항에 있어서, 상기 원통형 부분의 제2 단부는 반도체 처리 장치에서 가스에 대해 오염물을 제거하는 필터와 연통되는 가스 유동 여과 방법.
  67. 필터 시스템용 샘플 추출 포트 개구이며,
    상기 시스템은
    통과하여 유동하는 가스로부터 오염물의 적어도 일부를 제거하는 다수의 평행 필터 스테이지들이 내부에 배치되는 필터 유닛과,
    상기 평행 필터 스테이지를 통과하는 상기 가스 유동을 분배하는 유동 컨트롤러를 포함하고,
    상기 시스템은 상기 필터 시스템으로부터 가스를 유출시킬 수 있도록 하는 샘플 추출 포트 개구를 구비하는, 필터 시스템용 샘플 추출 포트 개구.
  68. 제67항에 있어서, 상기 가스를 수용하는 유입면과 상기 가스를 상기 다수의 필터 스테이지들로 분배하는 유출면을 구비하고, 상기 필터 유닛 내에 설치되며, 상기 가스의 동일량을 상기 다수의 필터 스테이지들의 각각의 부재로 분배하도록 형성되는 확산판을 포함하는 필터 시스템.
  69. 제65항 또는 제66항에 있어서, 상기 개구는, 절두원추형 부분의 제1 단부와 연통되고 적어도 상기 개구의 제4 직경을 형성하는 샘플 추출부를 추가로 포함하는 가스 유동 여과 방법.
  70. 제61항에 있어서, 상기 필터 하우징을 통해 가스를 양압(positive pressure)에서 유동시키는 단계를 추가로 포함하고, 상기 개구는 적어도 10cc/분의 유량을 갖는 가스 유동 여과 방법.
  71. 제61항에 있어서, 본체부는 사파이어로 구성되는 가스 유동 여과 방법.
  72. 제61항에 있어서, 상기 샘플은 가스 포집 장치에 의해 취출되는 가스 유동 여과 방법.
  73. 제61항에 있어서, 상기 샘플은 가스 분석 장치 내로 취출되는 가스 유동 여과 방법.
  74. 제73항에 있어서, 상기 가스 분석 장치는 가스 색층 분석 장치인 가스 유동 여과 방법.
  75. 제61항에 있어서, 상기 샘플은 관 오리피스의 개구로부터 연속하여 취출되는 가스 유동 여과 방법.
  76. 유동 컨트롤러 제조 방법이며,
    선택가능한 가스 유동 특성을 갖는 소프트웨어 프로그램을 마련하는 단계와;
    상기 프로그램을 사용하여 확산판을 위한 구멍 분포를 선택하는 단계 - 확산판의 구멍은 확산판을 통한 가스 유동 분포를 제공함 - 와;
    상기 선택된 구멍 분포를 갖는 확산판을 형성시키는 단계를 포함하는 유동 컨트롤러 제조 방법.
  77. 제76항에 있어서, 청정실 처리 장치용 평행 스테이지 필터 시스템을 위한 확산판을 형성시키는 단계를 추가로 포함하는 유동 컨트롤러 제조 방법.
  78. 제76항에 있어서, 확산판을 위한 구멍 크기 분포 및 구멍 간격 분포를 선택하는 단계를 추가로 포함하는 유동 컨트롤러 제조 방법.
  79. 제76항에 있어서, 반도체 사진 식각 장치용 패널을 형성시키는 단계를 추가로 포함하는 유동 컨트롤러 제조 방법.
  80. 제76항에 있어서, 금속판에 구멍을 드릴가공하는 단계를 추가로 포함하는 유동 컨트롤러 제조 방법.
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