KR20070083191A - Method of detecting defect in photomask and photomask - Google Patents

Method of detecting defect in photomask and photomask Download PDF

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미치아키 사노
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Abstract

A photo mask and a defect inspecting method thereof are provided to install an inspection pattern area at a vacant space and to compare the peripheral pattern area with the inspection pattern area. A photo mask(10) has a pixel pattern area(9) having the repeat pattern. Peripheral pattern areas(10A,10B,10C,10D) with no repeated pattern are installed at the circumference of the pixel pattern area. Inspection pattern areas(20A,20B,20C,20D) are installed at a vacant space with no pixel pattern area and the peripheral pattern area. The same patterns as the peripheral pattern area are arrayed to the inspection pattern areas. The peripheral pattern areas and the inspection pattern areas are compared with each other so that a defect of the peripheral pattern areas is inspected. The distance between the inspection pattern areas and the peripheral pattern areas are set above the predetermined distance so that the comparison inspection is performed by an optical system of an inspection device.

Description

포토마스크의 결함 검사방법 및 포토마스크{METHOD OF DETECTING DEFECT IN PHOTOMASK AND PHOTOMASK}Defect inspection method and photomask of photomask {METHOD OF DETECTING DEFECT IN PHOTOMASK AND PHOTOMASK}

도 1은, 본 발명에 따른 포토마스크의 제1의 실시예를 나타내는 평면도이다.1 is a plan view showing a first embodiment of a photomask according to the present invention.

도 2는, 도 1의 포토마스크에 있어서, 하프톤부를 구비한 주변 패턴 영역을 설명하기 위한 개략도이며, (a)가 평면도, (b)가 측단면도이다.FIG. 2 is a schematic view for explaining a peripheral pattern region including a halftone portion in the photomask of FIG. 1, (a) is a plan view, and (b) is a side cross-sectional view.

도 3은, 본 발명에 따른 포토마스크의 제2의 실시예를 나타내는 평면도이다.3 is a plan view showing a second embodiment of a photomask according to the present invention.

도 4는, 본 발명에 따른 포토마스크의 제3의 실시예를 나타내는 평면도다.4 is a plan view showing a third embodiment of a photomask according to the present invention.

도 5는, 하프톤부를 구비한 주변 패턴 영역의 다른 양태를 나타내는 평면도이다.5 is a plan view showing another embodiment of the peripheral pattern region including the halftone portion.

도 6은, 종래의 포토마스크를 나타내는 평면도이다.6 is a plan view showing a conventional photomask.

도 7은, 도 6의 포토마스크에 있어서, 하프톤부를 구비한 주변 패턴 영역의 패턴의 결함을 검사할 때의 상황을 나타내는 평면도이다.FIG. 7 is a plan view illustrating a situation when a defect in a pattern of a peripheral pattern region including a halftone portion is inspected in the photomask of FIG. 6.

본 발명은, 예를 들면 액정표시장치(Liquid Crystal Display : 이하, LCD라고 칭한다)의 박막트랜지스터(Thin Film Transistor :이하, TFT라고 칭한다)등의 제조에 적절히 사용되는 포토마스크 및 이 포토마스크에 있어서의 패턴의 결함을 검사하는 포토마스크의 결함검사방법에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION Field of the Invention The present invention is, for example, in photomasks and photomasks suitably used for the manufacture of thin film transistors (Liquid Crystal Display: hereinafter referred to as LCD). It relates to a defect inspection method of the photomask for inspecting the defect of the pattern.

LCD는, CRT(음극선관)에 비하여, 박형으로 하기 쉽고 소비 전력이 낮다는 이점으로부터, 현재 상품화가 급속히 진행되고 있다. 도 6에 나타내는 포토마스크(100)는, 상기 LCD를 제조하기 위한 것이다. 이 포토마스크(100)는, 동일한 화소 패턴이 반복되는 반복 패턴을 구비한 화소 패턴 영역(109)과, 이 화소 패턴 영역(109)의 주변에 설치되어 반복패턴이 없는 주변 패턴 영역 110A, 110B, 110C, 110D를 가지고 있다. 이 주변 패턴 영역 110A, 110B, 110C, 110D는, 배선패턴 영역이나 테스트패턴 영역 등이다.Commercialization of LCD is progressing rapidly from the advantage that it is easy to make it thin and low power consumption compared with CRT (cathode ray tube). The photomask 100 shown in FIG. 6 is for manufacturing the said LCD. The photomask 100 includes a pixel pattern region 109 having a repeating pattern in which the same pixel pattern is repeated, and peripheral pattern regions 110A, 110B, which are provided around the pixel pattern region 109 and have no repeating pattern. It has 110C, 110D. The peripheral pattern regions 110A, 110B, 110C, and 110D are wiring pattern regions, test pattern regions, and the like.

상기의 패턴 영역 109, 110A∼110D에는, 패턴을 구성하는 차광부(103), 투광부(104)등에, 핀홀 등의 결핍 결함(화이트결함)이나, 스폿 등의 잉여결함(블랙결함)이 발생하는 경우가 있어, 이 패턴의 결함을 검사할 필요가 있다.In the pattern regions 109 and 110A to 110D described above, deficient defects (white defects) such as pinholes and excess defects (black defects) such as spots are generated in the light shielding portion 103 and the light transmitting portion 104 constituting the pattern. In some cases, it is necessary to check the defect of this pattern.

화소 패턴 영역(109)에서는, 동일 패턴이 반복되고 있기 때문에, 일본국 공개특허공보 특개2002-174602호에 기재한 바와 같이, 실제의 패턴으로부터의 투과량 신호를 비교하는 Die to Die의 검사 방식(DD검사 방식)에 의해, 패턴의 결함이 검사된다.Since the same pattern is repeated in the pixel pattern region 109, as described in Japanese Laid-Open Patent Publication No. 2002-174602, a die to die inspection method (DD) for comparing the transmittance signal from the actual pattern. Inspection method), the defect of the pattern is inspected.

이에 대하여 차광부(103)와 투광부(104)로 이루어지는 패턴을 가지고, 또한 이들이 반복 패턴이 아닌 주변 패턴 영역 110D에서는, 상기 DD검사 방식을 실시할 수 없으므로, 주변 패턴 영역 110D로부터의 투과량 신호와, 이 주변 패턴 영역 110D의 설계 데이터를 비교하는 Die to Data base의 검사 방식(DDB검사 방식)이 채용되고 있다.On the other hand, since the DD inspection method cannot be performed in the peripheral pattern region 110D having the pattern made up of the light shielding portion 103 and the light transmitting portion 104, and they are not repeated patterns, the transmittance signal from the peripheral pattern region 110D The die-to-data base inspection method (DDB inspection method) which compares the design data of this peripheral pattern area 110D is employ | adopted.

또한 주변 패턴 영역 110A, 110B, 110C에 대해서는, 차광부(103)와 투광부(104)와, 노광광의 투과량을 저감하는 반투광 막으로 이루어지는 그레이톤 부(105)를 가지고 패턴이 구성되어 있기 때문에, 이 그레이톤 부(105)를 차광부 (블랙) 또는 투광부(화이트)로 간주하여, 상기 DDB검사 방식에 의한 검사를 실시하고 있다. 즉, 그레이톤 부(105)의 광투과율이 높을 경우에는, 도 7(a)에 나타나 있는 바와 같이 그레이톤 부(105)를 투광부(104)로서 인식시켜서, DDB검사 방식에 의해 패턴의 결함을 검사하고 있다. 또한 그레이톤 부(105)의 광투과율이 낮을 경우에는, 도 7(b)에 나타나 있는 바와 같이 그레이톤 부(105)를 차광부(103)로서 인식시켜서, DDB검사 방식에 의해 패턴의 결함을 검사하고 있다.In addition, since the pattern is comprised about the peripheral pattern area | region 110A, 110B, 110C with the light shielding part 103, the light transmission part 104, and the gray-tone part 105 which consists of the semi-transmissive film which reduces the transmission amount of exposure light, This gray tone part 105 is regarded as a light shielding part (black) or a light transmitting part (white), and the inspection by the said DDB test method is performed. In other words, when the light transmittance of the gray tone portion 105 is high, the gray tone portion 105 is recognized as the light transmitting portion 104 as shown in Fig. 7 (a), and the pattern defect is detected by the DDB inspection method. Checking When the light transmittance of the gray tone portion 105 is low, the gray tone portion 105 is recognized as the light shielding portion 103, as shown in FIG. 7 (b), and the defect of the pattern is detected by the DDB inspection method. Checking

그러나, DDB검사 방식은, DD검사 방식에 비하여 검사 정밀도가 떨어지고, 검사에 장시간을 필요로 한다.However, the DDB inspection method has a lower inspection accuracy than the DD inspection method and requires a long time for inspection.

또한 그레이톤 부(105)를 구비한 주변 패턴 영역 110A, 110B, 110C의 패턴 결함을 검사할 경우, 그레이톤 부(105)를 투광부(104)로 간주했을 때에는(도 7(a)), 그레이톤 부(105)안의 화이트결함이나, 차광부(103)에 그레이톤 부(105) 형성용의 반투광 막이 부착된 결함 등을 검사할 수 없다. 또한 그레이톤 부(105)를 차광부(103)로 간주했을 때에는(도 7(b)), 그레이톤 부(105)안의 블랙결함을 검사할 수 없고, 또한 반투광 막 위에 차광막이 적층 되어 차광부(103)가 형성되어 있을 경우에는, 상기 차광막에 화이트결함이 발생해도 그 화이트결함을 검사할 수 없다.In addition, when inspecting the pattern defects of the peripheral pattern regions 110A, 110B, and 110C having the gray tone portion 105, when the gray tone portion 105 is regarded as the light transmitting portion 104 (Fig. 7 (a)), White defects in the gray tone portion 105, defects having a light transmissive film attached to the light shielding portion 103 for forming the gray tone portion 105, and the like cannot be inspected. When the gray tone portion 105 is regarded as the light shielding portion 103 (FIG. 7 (b)), black defects in the gray tone portion 105 cannot be inspected, and a light shielding film is laminated on the translucent film. When the light portion 103 is formed, the white defect cannot be inspected even when a white defect occurs in the light shielding film.

본 발명의 목적은, 상기의 사정을 고려하여 행해진 것으로, 포토마스크에 있어서의 패턴의 결함을 고정밀하게, 단시간에 검사할 수 있는 포토마스크의 결함검사장치 및 포토마스크를 제공하는 데에 있다.SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention has been made in view of the above circumstances, and an object of the present invention is to provide a photomask defect inspection apparatus and a photomask capable of inspecting a defect in a pattern in a photomask with high accuracy and in a short time.

청구항 1에 기재된 발명에 따른 포토마스크의 결함검사방법은, 동일 패턴이 반복되는 반복 패턴을 구비한 화소 패턴 영역과, 이 화소 패턴 영역의 주변에 설치되어 반복 패턴이 없는 주변 패턴 영역을 가지는 포토마스크에 있어서의 상기 패턴의 결함을 검사하는 포토마스크의 결함검사방법에 있어서, 상기 포토마스크에는, 상기 화소 패턴 영역 및 상기 주변 패턴 영역이 존재하지 않는 빈 스페이스에, 상기 주변 패턴 영역의 패턴과 동일한 패턴이 배열된 검사용 패턴 영역이 설치되고, 이들의 주변 패턴 영역과 검사용 패턴 영역을 비교함으로써, 이 주변 패턴 영역에 있어서의 패턴의 결함을 검사하는 것을 특징으로 하는 것이다.A defect inspection method of a photomask according to the invention according to claim 1 includes a photomask having a pixel pattern region having a repeating pattern in which the same pattern is repeated and a peripheral pattern region provided around the pixel pattern region and having no repeating pattern. In a defect inspection method of a photomask for inspecting a defect of the pattern in the pattern, the photomask has a pattern identical to the pattern of the peripheral pattern region in an empty space in which the pixel pattern region and the peripheral pattern region do not exist. This arranged inspection pattern region is provided, and the defects of the pattern in the peripheral pattern region are inspected by comparing the peripheral pattern region and the inspection pattern region.

청구항 2에 기재된 발명에 따른 포토마스크의 결함검사방법은, 청구항 1에 기재된 발명에 있어서, 상기 검사용 패턴 영역은, 상기 주변 패턴 영역과의 간격이, 소정의 거리이상으로 설정됨으로써, 검사장치의 광학계에 의한 비교 검사가 가능하게 된 것을 특징으로 하는 것이다.In the defect inspection method of the photomask according to the invention according to claim 2, in the invention according to claim 1, in the inspection pattern region, an interval from the peripheral pattern region is set to a predetermined distance or more, thereby It is characterized by the comparative inspection by an optical system.

청구항 3에 기재된 발명에 따른 포토마스크의 결함검사방법은, 청구항 1에 기재된 발명에 있어서, 상기 검사용 패턴 영역은, 상기 화소 패턴 영역을 끼우고 상기 주변 패턴 영역과 반대 위치에 설치된 것을 특징으로 하는 것이다.In the defect inspection method of the photomask according to the invention according to claim 3, in the invention according to claim 1, the inspection pattern region is provided at a position opposite to the peripheral pattern region with the pixel pattern region interposed therebetween. will be.

청구항 4에 기재된 발명에 따른 포토마스크의 결함검사방법은, 청구항 1에 기재된 발명에 있어서, 상기 포토마스크에는, 상기 화소 패턴 영역의 주변에 복수 설치된 주변 패턴 영역 중, 소정의 선택된 주변 패턴 영역에 대해서만 대응하는 검사용 패턴 영역이 설치되고, 상기 소정의 선택된 주변 패턴 영역과 상기 검사용 패턴 영역을 비교하여, 이 주변 패턴 영역에 있어서의 패턴의 결함을 검사하는 것을 특징으로 하는 것이다.In the defect inspection method of the photomask according to the invention according to claim 4, in the invention according to claim 1, only a predetermined peripheral pattern region is selected from among the peripheral pattern regions provided in a plurality of peripheries of the pixel pattern region in the photomask. A corresponding inspection pattern region is provided, and the defects of the pattern in the peripheral pattern region are inspected by comparing the predetermined selected peripheral pattern region with the inspection pattern region.

청구항 5에 기재된 발명에 따른 포토마스크의 결함검사방법은, 청구항 1 내지 청구항 4의 어느 한항에 기재된 발명에 있어서, 상기 주변 패턴 영역은, 차광부와 투광부와, 포토마스크 사용시에 이용되는 노광광의 투과량을 저감하는 반투광 막으로 이루어지는 그레이톤 부로 이루어지는 패턴을 가지는 것을 특징으로 하는 것이다.In the defect inspection method of the photomask according to the invention of claim 5, in the invention of any one of claims 1 to 4, the peripheral pattern region includes a light shielding portion, a light transmitting portion, and exposure light used when the photomask is used. It is characterized by having the pattern which consists of gray-tone parts which consist of a semi-transmissive film which reduces the transmittance | permeability.

청구항 6에 기재된 발명에 따른 포토마스크는, 동일 패턴이 반복되는 반복 패턴을 구비한 화소 패턴 영역과, 이 화소 패턴 영역의 주변에 설치되어 반복 패턴이 없는 주변 패턴 영역을 가지는 포토마스크에 있어서, 상기 화소 패턴 영역 및 상기 주변 패턴 영역이 존재하지 않는 빈 스페이스에, 상기 주변 패턴 영역의 패턴과 동일한 패턴이 배열된 검사용 패턴 영역이 설치된 것을 특징으로 하는 것이다.A photomask according to claim 6 includes a pixel pattern region having a repeating pattern in which the same pattern is repeated, and a photomask having a peripheral pattern region provided around the pixel pattern region and having no repeating pattern. The inspection pattern region in which the same pattern as the pattern of the peripheral pattern region is arranged is provided in an empty space in which the pixel pattern region and the peripheral pattern region do not exist.

청구항 7에 기재된 발명에 따른 포토마스크는, 청구항 6에 기재된 발명에 있어서, 상기 검사용 패턴 영역은, 상기 주변 패턴 영역과의 간격이, 소정의 거리이 상으로 설정됨으로써, 검사장치의 광학계에 의한 비교 검사가 가능하도록 설정된 것을 특징으로 하는 것이다.In the photomask according to the invention described in claim 7, in the invention according to claim 6, the inspection pattern region is compared with the optical system of the inspection apparatus by setting a predetermined distance to an interval with the peripheral pattern region. It is characterized in that the inspection is set to be possible.

청구항 8에 기재된 발명에 따른 포토마스크는, 상기 검사용 패턴 영역이, 상기 화소 패턴 영역을 끼우고 상기 주변 패턴 영역과 반대 위치에 설치된 것을 특징으로 하는 것이다.The photomask according to the invention of claim 8 is characterized in that the inspection pattern region is provided at a position opposite to the peripheral pattern region with the pixel pattern region interposed therebetween.

청구항 9에 기재된 발명에 따른 포토마스크는, 청구항 6에 기재된 발명에 있어서, 상기 검사용 패턴 영역은, 상기 화소 패턴 영역의 주변에 복수 설치된 주변 패턴 영역 중 소정의 선택된 주변 패턴 영역에 대해서만 설치된 것을 특징으로 하는 것이다.In the invention according to claim 9, in the invention according to claim 9, the inspection pattern region is provided only for a predetermined selected peripheral pattern region among a plurality of peripheral pattern regions provided around the pixel pattern region. It is to be done.

청구항 10에 기재된 발명에 따른 포토마스크는, 청구항 6 내지 청구항 9항 중 어느 한 항에 기재된 발명에 있어서, 상기 주변 패턴 영역은, 차광부와 투광부와, 포토마스크 사용시에 사용되는 노광광의 투과량을 저감하는 반투광 막으로 이루어지는 그레이톤 부로 이루어지는 패턴을 가지고 구성된 것을 특징으로 하는 것이다.In the photomask according to the invention according to claim 10, in the invention according to any one of claims 6 to 9, the peripheral pattern region is a light-shielding portion, a light-transmitting portion, and the amount of exposure light used when the photomask is used. It is characterized by having the pattern which consists of gray-tone parts which consist of a semi-transmissive film to reduce.

이하, 본 발명을 실시하기 위한 최선의 형태를, 도면에 의거하여 설명한다.EMBODIMENT OF THE INVENTION Hereinafter, the best form for implementing this invention is demonstrated based on drawing.

[A]제1의 실시예(도 1, 도 2)[A] First Embodiment (Figs. 1 and 2)

도 1은, 본 발명에 따른 포토마스크의 제1의 실시예를 나타내는 평면도이다. 도 2는, 도 1의 포토마스크에 있어서, 하프톤부를 구비한 주변 패턴 영역을 설명하 기 위한 개략도이며, (a)가 평면도, (b)가 측단면도이다.1 is a plan view showing a first embodiment of a photomask according to the present invention. FIG. 2 is a schematic view for explaining a peripheral pattern region including a halftone portion in the photomask of FIG. 1, (a) is a plan view, and (b) is a side cross-sectional view.

도 1에 나타내는 포토마스크(10)는, 예를 들면 액정표시장치(LCD)의 박막트랜지스터(TFT)나 칼라필터 또는 플라즈마 디스플레이 패널(PDP)등을 제조하기 위해서 이용되는 것이다. 이 포토마스크(10)는, 동일한 화소 패턴이 반복되는 반복 패턴을 구비한 화소 패턴 영역(9)과, 이 화소 패턴 영역(9)의 주변에 복수설치되어 있는, 동일한 패턴이 반복되는 반복 패턴이 없는 주변 패턴 영역 10A, 10B, 10C, 10D와, 이들의 주변 패턴 영역 10A∼10D를 검사하기 위한 검사용 패턴 영역 20A, 2OB, 20C, 20D를 가지고 구성된다.The photomask 10 shown in FIG. 1 is used for manufacturing a thin film transistor (TFT), a color filter, a plasma display panel (PDP), or the like of a liquid crystal display (LCD), for example. The photomask 10 includes a pixel pattern region 9 having a repeating pattern in which the same pixel pattern is repeated, and a repeating pattern in which a plurality of the same pattern is provided around the pixel pattern region 9. And peripheral pattern regions 10A, 10B, 10C, and 10D which are not present, and inspection pattern regions 20A, 2OB, 20C, and 20D for inspecting these peripheral pattern regions 10A to 10D.

상기 주변 패턴 영역 10A, 10B, 10C, 10D는, 구체적으로는, 배선패턴 영역, 테스트패턴 영역 또는 얼라이먼트 마크 패턴영역 등이다. 배선패턴 영역은, 화소 패턴 영역(9)에 있어서의 각 화소 패턴에 접속된 배선을 형성하기 위한 패턴이다. 테스트패턴 영역은, 포토마스크(10)의 사용시에 있어서의 예를 들면 전사 테스트용의 패턴이다. 또한 얼라이먼트 마크 패턴영역은, 포토마스크(10)의 사용시에 있어서의 피전사 기판과의 위치맞춤용의 패턴 등이다.Specifically, the peripheral pattern regions 10A, 10B, 10C, and 10D are wiring pattern regions, test pattern regions, alignment mark pattern regions, and the like. The wiring pattern region is a pattern for forming wiring connected to each pixel pattern in the pixel pattern region 9. The test pattern area is, for example, a pattern for a transfer test when the photomask 10 is used. In addition, the alignment mark pattern area | region is a pattern for alignment with a to-be-transferred board | substrate at the time of use of the photomask 10, etc. In FIG.

상기 주변 패턴 영역 10D는, 포토마스크(10)의 사용시에 노광광을 차광(광투과율이 대략 0％)시키는 차광부(13)와, 노광광을 대략 100％투과시키는 투광부(14)로 이루어지는 패턴을 가지고 구성된다. 차광부(13)는, 투광성 기판의 표면에, 차광성의 차광막(도시하지 않음)이 설치되어 구성된다.The peripheral pattern region 10D includes a light shielding portion 13 for shielding the exposure light (the light transmittance is approximately 0%) when the photomask 10 is used, and a light transmission portion 14 for transmitting the exposure light approximately 100%. It is constructed with a pattern. The light shielding portion 13 is formed by providing a light shielding film (not shown) on the surface of the light transmissive substrate.

이에 대하여 주변 패턴 영역 10A, 10B 및 10C는, 도 2에도 나타나 있는 바와 같이 포토마스크(10)의 사용시에 노광광을 차광(투과율이 대략 0％)시키는 차광 부(13)와, 노광광을 대략 100％투과시키는 투광부(14)와, 노광광의 투과율을 10∼60％정도로 저감시키는 그레이톤 부(15)를 가지고 구성된다. 그레이톤 부(15)는, 유리 기판 등의 투광성 기판(16)의 표면에, 광 반투과성의 반투광막(17)이 설치되어 구성된다. 또한 투광부(13)는, 투광성 기판(16)의 표면에, 차광성의 차광막(18)및 상기 반투광막(17)이 설치되어서 구성된다.In contrast, the peripheral pattern regions 10A, 10B, and 10C, as shown in Fig. 2, have a light shielding portion 13 that shields exposure light (transmittance is approximately 0%) when the photomask 10 is used, and the exposure light is approximately The light transmission part 14 which transmits 100% and the gray-tone part 15 which reduce the transmittance | permeability of exposure light to about 10 to 60% are comprised. The gray tone part 15 is comprised by the light semitransmissive semi-transmissive film 17 provided in the surface of the translucent board | substrates 16, such as a glass substrate. In addition, the light-transmitting portion 13 is configured by providing a light-shielding light-shielding film 18 and the semi-transmissive film 17 on the surface of the light-transmissive substrate 16.

상기 반투광막(17)으로서는, 크롬화합물, MoSi, MoSiN, MoSiON, MoSiCON, Si, W, Al을 들 수 있다. 이 중, 크롬화합물에는, 산화크롬(CrOx), 질화 크롬(CrNx), 산질화 크롬(CrOxN), 불화 크롬(CrFx)이나, 이들에 탄소나 수소를 포함하는 것이 있다. 또한 차광막(18)으로서는, 주변 패턴 영역 10D의 경우도 같지만, Cr, Si, W, Al등을 들 수 있다. 상기 차광부(13)와 그레이톤 부(15)의 투과율은, 반투광막(17), 차광막(18)의 막재질과 막두께와의 선정에 의해 설정된다.Examples of the translucent film 17 include chromium compounds, MoSi, MoSiN, MoSiON, MoSiCON, Si, W, and Al. Among these, chromium compounds include chromium oxide (CrOx), chromium nitride (CrNx), chromium oxynitride (CrOxN), chromium fluoride (CrFx), and those containing carbon or hydrogen. Moreover, although the case of the peripheral pattern area | region 10D is the same as the light shielding film 18, Cr, Si, W, Al etc. are mentioned. The transmittances of the light shielding portion 13 and the gray tone portion 15 are set by selecting the film material and the film thickness of the semi-transmissive film 17 and the light shielding film 18.

포토마스크(10)를 사용했을 때, 주변 패턴 영역 10A, 10B, 10C에 있어서는, 차광부(13)에서 노광광이 투과하지 않고, 그레이톤 부(15)에서 노광광이 저감된다. 이 때문에, 피전사체(11)위에 부착된 레지스트 막(포지티브형 포토레지스트 막)은, 노광 및 현상 후에, 차광부(13)에 대응하는 부분에서 막두께가 두꺼워져, 그레이톤 부(15)에 대응하는 부분에서 막두께가 얇아지고, 투광부(14)에 대응하는 부분에서는 막이 없는 레지스트 패턴(12)을 형성한다. 이에 따라 레지스트 패턴(12)의 막이 없는 부분에서, 피전사체(11)에 있어서의 예를 들면 막 19A 및 19B에 제1에칭을 실시하고, 레지스트 패턴(12)의 막이 얇은 부분을 애싱 등에 의해 제거하여 이 부분에서, 피전사체(11)에 있어서의 예를 들면 막 19B에 제2에칭을 실시하는 것이 가능 하게 된다.When the photomask 10 is used, in the peripheral pattern regions 10A, 10B, and 10C, the exposure light does not transmit through the light shielding portion 13, and the exposure light is reduced in the gray tone portion 15. For this reason, the resist film (positive photoresist film) adhered on the to-be-transferred body 11 becomes thick in the part corresponding to the light shielding part 13 after exposure and image development, and is made to the gray tone part 15. In the corresponding portion, the film thickness becomes thin, and in the portion corresponding to the light transmitting portion 14, the resist pattern 12 without the film is formed. As a result, first etching is performed on, for example, the films 19A and 19B on the transfer member 11 in the portion where the film of the resist pattern 12 is not present, and the thin portion of the film of the resist pattern 12 is removed by ashing or the like. In this portion, for example, the second etching can be performed on the film 19B in the transfer object 11.

도 1에 나타내는 상기 검사용 패턴 영역 20A, 20B, 20C, 20D는, 포토마스크(10)에 있어서, 화소 패턴 영역(9) 및 주변 패턴 영역 10A∼10D가 존재하지 않는 빈 스페이스(21)에 설치된다. 검사용 패턴 영역 20A는, 주변 패턴 영역 10A의 패턴과 동일한 패턴이 배열되고 있으며, 이 주변 패턴 영역 1OA의 근방에 설치된다. 또한 검사용 패턴 영역 20B는, 주변 패턴 영역 10B의 패턴과 동일한 패턴이 배열되고 있으며, 이 주변 패턴 영역 10B의 근방에 설치된다. 또한 검사용 패턴 영역 20C는, 주변 패턴 영역 10C의 패턴과 동일한 패턴이 배열되고 있으며, 이 주변 패턴 영역 10C의 근방에 설치된다. 또한 검사용 패턴 영역 20D는, 주변 패턴 영역 10D의 패턴과 동일한 패턴이 배열되고 있으며, 이 주변 패턴 영역 10D의 근방에 설치된다.The inspection pattern regions 20A, 20B, 20C, and 20D shown in FIG. 1 are provided in the photomask 10 in the empty space 21 in which the pixel pattern region 9 and the peripheral pattern regions 10A to 10D do not exist. do. The pattern same as the pattern of the peripheral pattern area | region 10A is arrange | positioned in the inspection pattern area | region 20A, and is provided in the vicinity of this peripheral pattern area | region 10A. In addition, the pattern same as the pattern of the peripheral pattern area | region 10B is arrange | positioned in the inspection pattern area | region 20B, and is provided in the vicinity of this peripheral pattern area | region 10B. In addition, the pattern same as the pattern of the peripheral pattern area | region 10C is arrange | positioned in the inspection pattern area | region 20C, and is provided in the vicinity of this peripheral pattern area | region 10C. In addition, the pattern same as the pattern of the peripheral pattern area | region 10D is arrange | positioned in the inspection pattern area | region 20D, and is provided in the vicinity of this peripheral pattern area | region 10D.

검사용 패턴 영역 20A와 대응하는 주변 패턴 영역 10A와의 거리 La(피치)는, 주변 패턴 영역 10A∼10D에 있어서의 패턴의 결함을 검사하는 비교 검사장치의 렌즈(상부 렌즈, 하부 렌즈: 모두 도시하지 않음)간격에 근거하는 최소검사 간격(예를 들면 4cm)등, 사용하는 광학계의 제약을 고려하여, 비교 검사가 가능하게 되는 간격이상으로 설정된다. 마찬가지로, 검사용 패턴 영역 20B와 대응하는 주변 패턴 영역 1OB와의 거리 Lb, 검사용 패턴 영역 20C와 대응하는 주변 패턴 영역 10C와의 거리 Lc, 검사용 패턴 영역 20D와 대응하는 주변 패턴 영역 10D와의 거리 Ld도, 모두, 상기 간격이상으로 설정된다.The distance La (pitch) of the inspection pattern region 20A and the corresponding peripheral pattern region 10A is a lens (upper lens, lower lens: not shown) of the comparative inspection apparatus that inspects a defect in the pattern in the peripheral pattern regions 10A to 10D. In consideration of the constraints of the optical system to be used, such as the minimum inspection interval (for example, 4 cm) based on the interval, the interval is set to be equal to or greater than the interval at which the comparative inspection is possible. Similarly, the distance Lb of the peripheral pattern area 1OB corresponding to the inspection pattern area 20B, the distance Lc of the peripheral pattern area 10C corresponding to the inspection pattern area 20C, and the distance Ld of the peripheral pattern area 10D corresponding to the inspection pattern area 20D are also Are all set above the interval.

여기에서, 상기 상부 렌즈와 하부 렌즈는, 후술과 같이, 상기 비교 검사에 있어서, 한쪽이 주변 패턴 영역 10A, 10B, 10C, 10D의 패턴을 주사하고, 다른쪽이 20A, 20B, 20C, 20D의 패턴을 주사하는 것이다.Here, in the comparison inspection, one side scans the pattern of the peripheral pattern regions 10A, 10B, 10C, and 10D, and the other side of the upper lens and the lower lens is as described later, and the other side is 20A, 20B, 20C, and 20D. To scan the pattern.

다음에 상기의 포토마스크(10)에 있어서, 화소 패턴 영역(9)과 주변 패턴 영역 10A, 10B, 10C, 10D의 각각의 패턴에 생긴 결함을 검사하는 결함검사방법을 설명한다.Next, a defect inspection method for inspecting defects in the pattern of the pixel pattern region 9 and the peripheral pattern regions 10A, 10B, 10C, and 10D in the photomask 10 will be described.

포토마스크(10)를 예를 들면 세로로 놓도록 설정하고, 비교 검사장치에 있어서의 상측에 위치하는 상부 렌즈 유닛의 상부 렌즈(도시하지 않음)를, 화소 패턴 영역(9), 주변 패턴 영역 10A, 10B, 10C, 10D위에서 주사시킨다. 또한 비교 검사장치에 있어서의 하부 렌즈 유닛의 하부 렌즈(도시하지 않음)를, 화소 패턴 영역(9), 검사용 패턴 영역 2OA, 20B, 20C, 20D위에서 주사시킨다. 그리고, 이들 실제의 패턴으로부터 얻은 투과량 신호를 비교하는 Die to Die의 검사 방식(DD검사 방식)에 의해, 패턴의 결함을 검사한다.The photomask 10 is set to be vertical, for example, and the upper lens (not shown) of the upper lens unit positioned above the image in the comparison inspection apparatus is the pixel pattern region 9 and the peripheral pattern region 10A. Inject at 10B, 10C or 10D. Further, the lower lens (not shown) of the lower lens unit in the comparison inspection apparatus is scanned on the pixel pattern region 9, the inspection pattern regions 20A, 20B, 20C, and 20D. And the defect of a pattern is test | inspected by the inspection method (DD inspection method) of Die to Die which compares the transmission amount signals obtained from these actual patterns.

화소 패턴 영역(9)의 패턴 결함을 검사할 때는, 이 화소 패턴 영역(9)이, 동일 화소 패턴이 반복되는 반복 패턴 영역이기 때문에, 이 화소 패턴 영역(9)을 상하 2개의 구획으로 나누어, 각각의 구획에 상부 렌즈 유닛의 상부 렌즈, 하부 렌즈 유닛의 하부 렌즈를 각각 배치하여 주사시킨다. 이에 따라 각 렌즈 유닛내의 CCD 라인 센서가 투과량 신호를 검출한다. 이들의 투과량 신호는, 화소 패턴 영역(9)이 동일 패턴이기 때문에 동일 파형이 되지만, 한쪽의 패턴에 결함(예를 들면 핀 홀 등의 화이트결함, 스폿 등의 블랙결함)이 존재하면, 이 결함을 반영한 파형이 된다. 그래서, 양쪽 투과량 신호를 차분(뺄셈)하여 차분 신호를 구하면, 이 차분 신호에는, 상기 결함을 반영한 결함신호가 추출된다. 그리고, 이 결함신호의 레벨이 소정 임계값 이상 인지의 여부에 의해 결함의 유무를 검사한다.When inspecting the pattern defect of the pixel pattern region 9, since the pixel pattern region 9 is a repeating pattern region in which the same pixel pattern is repeated, the pixel pattern region 9 is divided into two upper and lower sections, In each compartment, the upper lens of the upper lens unit and the lower lens of the lower lens unit are arranged and scanned. As a result, the CCD line sensor in each lens unit detects the transmission amount signal. These transmittance signals have the same waveform because the pixel pattern regions 9 have the same pattern. However, if a defect (for example, a white defect such as a pinhole or a black defect such as a spot) exists in one pattern, the defect is present. The waveform reflects this. Thus, when the difference signal is obtained by subtracting (subtracting) both transmission amount signals, a defect signal reflecting the above defect is extracted to the difference signal. Then, the presence or absence of a defect is checked by whether or not the level of the defect signal is equal to or greater than a predetermined threshold value.

또한 주변 패턴 영역 10A∼10D의 패턴 결함을 검사할 때는, 이들의 주변 패턴 영역 10A∼10D와 대응하는 검사용 패턴 영역 20A∼20D를 각각 비교함으로써, DD검사 방식에 의한 패턴 결함검사를 실시한다.In the case of inspecting the pattern defects of the peripheral pattern regions 10A to 10D, the pattern defect inspection by the DD inspection method is performed by comparing the peripheral pattern regions 10A to 10D and the inspection pattern regions 20A to 20D corresponding to each.

즉, 주변 패턴 영역 10A와 검사용 패턴 영역 20A의 한쪽에 상부 렌즈를, 다른 쪽에 하부 렌즈를 각각 배치하여, 각 렌즈를 주사시킨다. 이에 따라 각 렌즈 유닛 내의 CCD라인 센서가 투과량 신호를 검출한다. 이들의 투과량 신호는, 주변 패턴 영역 10A와 검사용 패턴 영역 20A가 동일 패턴이기 때문에 동일 파형이 되지만 주변 패턴 영역 10A의 패턴에 결함(핀홀 등의 결핍 결함(화이트결함)이나, 스폿 등의 잉여결함(블랙결함))이 존재하면, 이 결함을 반영시킨 파형이 된다. 그래서, 양쪽 투과량 신호를 차분하여 차분 신호를 구하면, 이 차분 신호에는, 상기 결함을 반영한 결함신호가 추출된다. 그리고, 이 결함신호의 레벨이 소정 임계값 이상 인지의 여부에 의해, 주변 패턴 영역 10A의 패턴에 있어서의 결함의 유무를 검출한다.That is, the upper lens is arranged on one side of the peripheral pattern region 10A and the inspection pattern region 20A, and the lower lens is placed on the other side, and each lens is scanned. Accordingly, the CCD line sensor in each lens unit detects the transmission amount signal. These transmittance signals have the same waveform because the peripheral pattern region 10A and the inspection pattern region 20A have the same pattern, but defects (defective defects such as pinholes (white defects), spots, etc., are present in the pattern of the peripheral pattern region 10A). If (black defect) is present, a waveform reflecting this defect is obtained. Thus, when a difference signal is obtained by differentially dividing both transmission amount signals, a defect signal reflecting the above defect is extracted to the difference signal. Then, the presence or absence of a defect in the pattern of the peripheral pattern region 10A is detected by whether or not the level of the defect signal is equal to or higher than a predetermined threshold value.

주변 패턴 영역 10B에 있어서도, 이 주변 패턴 영역 10B와 검사용 패턴 영역 20B의 한쪽에 상부 렌즈를, 다른 쪽에 하부 렌즈를 배치한다. 또한 주변 패턴 영역 10C에 있어서도, 이 주변 패턴 영역 10C와 검사용 패턴 영역 20C과의 한쪽에 상부 렌즈를, 다른 쪽에 하부 렌즈를 배치한다. 또한 주변 패턴 영역 10D에 있어서도, 이 주변 패턴 영역 10D와 검사용 패턴 영역 20D와의 한쪽에 상부 렌즈를, 다른 쪽에 하부 렌즈를 배치한다. 이와 같이 하여, 주변 패턴 영역 10A의 경우와 마찬가지 로 하여, 주변 패턴 영역 10B, 10C, 10D에 있어서의 패턴의 결함을 검사한다. 그레이톤 부(15)를 가지는 주변 패턴 영역 10A, 10B 및 10C에 관해서도, 그레이톤 부(15)을 가지지 않는 주변 패턴 영역 10D에 관해서도, 마찬가지로, DD검사 방식에 의해 패턴의 결함을 검사한다.Also in the peripheral pattern region 10B, an upper lens is disposed on one side of the peripheral pattern region 10B and the inspection pattern region 20B, and a lower lens is placed on the other side. Also in the peripheral pattern region 10C, an upper lens is disposed on one side of the peripheral pattern region 10C and the inspection pattern region 20C, and a lower lens is placed on the other side. Also in the peripheral pattern region 10D, an upper lens is disposed on one side of the peripheral pattern region 10D and the inspection pattern region 20D, and a lower lens is placed on the other side. In this manner, similarly to the case of the peripheral pattern region 10A, defects in the pattern in the peripheral pattern regions 10B, 10C, and 10D are inspected. As for the peripheral pattern regions 10A, 10B and 10C having the gray tone portion 15, and the peripheral pattern region 10D without the gray tone portion 15, the defects in the pattern are similarly inspected by the DD inspection method.

이상과 같이 구성된 것으로부터, 상기 실시예에 의하면, 다음 효과 (1)∼ (3)을 나타낸다.From the structure comprised as mentioned above, according to the said Example, the following effect (1)-(3) is exhibited.

(1)포토마스크(10)의 빈 스페이스(21)에, 주변 패턴 영역 10A, 10B, 10C, 10D의 패턴과 동일한 패턴이 각각 배열된 검사용 패턴 영역 20A, 20B, 20C, 20D가 설치되고, 이들의 주변 패턴 영역 10A∼10D와, 검사용 패턴 영역 20A∼20D를 각각 비교하여, 이 주변 패턴 영역 10A∼10D에 있어서의 패턴의 결함을 검사한다. 이 때문에, 반복 패턴이 없는 주변 패턴 영역 10A∼10D에 있어서도, 실제의 패턴을 비교하는 Die to Die의 검사 방식(DD검사 방식)을 실시할 수 있다. 이 결과, 실제의 패턴과 해당 패턴의 설계 데이터를 비교하는 Die to Data base의 검사 방식(DDB검사 방식)을 실시하는 경우에 비하여, 반복패턴이 없는 주변 패턴 영역 10A∼10D에 있어서도, 패턴의 결함을 고정밀하게, 단시간에 검사할 수 있다.(1) In the empty space 21 of the photomask 10, inspection pattern regions 20A, 20B, 20C, and 20D in which the same patterns as the patterns of the peripheral pattern regions 10A, 10B, 10C, and 10D are arranged, respectively, are provided. The peripheral pattern regions 10A to 10D and the inspection pattern regions 20A to 20D are compared with each other to inspect the defects in the pattern in the peripheral pattern regions 10A to 10D. For this reason, also in the peripheral pattern areas 10A-10D without a repeating pattern, the inspection method (DD inspection method) of Die to Die which compares an actual pattern can be implemented. As a result, in the peripheral pattern areas 10A to 10D without the repeating pattern, the defects of the pattern are compared with the case of performing the die to database inspection method (DDB inspection method) for comparing the actual pattern with the design data of the pattern. Can be inspected with high precision and in a short time.

(2)차광부(13)와 투광부(14)와 그레이톤 부(15)로 이루어지는 패턴을 가지는 주변 패턴 영역 10A, 10B, 10C에 관해서도, 이 주변 패턴 영역 10A, 10B, 10C의 패턴과 동일한 패턴을 각각 구비한 검사용 패턴 영역 20A, 20B, 20C를 사용하여, DD검사 방식의 패턴 결함검사를 실시할 수 있으므로, 이 주변 패턴 영역 10A, 10B, 10C의 패턴의 결함을 고정밀하게, 단시간에 검사할 수 있다. 즉, 본 실시예의 발명 에 의하면, 검사 대상이 되는 주변 패턴이, 차광부, 투광부에 더해서 그레이톤 부를 가지고 있는 경우라도, 각각의 영역에 있어서의 투과량 신호를, 대응하는 검사용 패턴 영역의 투과량 신호와 비교하여, 그 차분이 허용범위내 인지의 여부에 의해서만, 결함의 유무를 간단히 판단할 수 있다. 가령, 같은 패턴에 대해서, DDB검사를 행하는 것이라면, 상기와 같은 문제를 회피하기 위해서는, 그레이톤 부를 차광부로 간주하여 행하는 검사와, 그레이톤 부를 투광부로 간주하여 행하는 검사의 2중의 검사가 필요하다. 이것은, 2중의 검사가 필요하게 될 뿐만아니라, 검사장치가 취급하는 데이터량이 방대해짐에 따라, 처리 시간의 대폭적인 증대를 초래하는 것을 피할 수 없다. 따라서, 본 발명은, 차광부와 투광부로 이루어지는 소위 바이너리 마스크에 더해, 반투광부를 가지는 그레이톤 마스크에 있어서, 특히 현저한 효과를 갖는 것이다.(2) The peripheral pattern regions 10A, 10B, and 10C having a pattern composed of the light shielding portion 13, the light transmitting portion 14, and the gray tone portion 15 are the same as the patterns of the peripheral pattern regions 10A, 10B, and 10C. The pattern defect inspection of the DD inspection method can be performed using the inspection pattern regions 20A, 20B, and 20C each provided with a pattern, so that defects in the patterns of the peripheral pattern regions 10A, 10B, and 10C can be precisely and accurately in a short time. Can be checked That is, according to the invention of this embodiment, even when the peripheral pattern to be inspected has a gray tone portion in addition to the light shielding portion and the light transmitting portion, the transmission amount of the inspection pattern region corresponding to the transmission amount signal in each region is transmitted. Compared with the signal, it is possible to simply determine the presence or absence of a defect only by whether the difference is within an allowable range. For example, if the DDB inspection is performed on the same pattern, in order to avoid the above problems, two inspections are necessary, one for which the gray tone portion is regarded as the light shielding portion, and one for which the gray tone portion is regarded as the light transmitting portion. This not only requires double inspection, but also inevitably leads to a significant increase in processing time as the amount of data handled by the inspection apparatus becomes large. Therefore, in addition to the so-called binary mask which consists of a light shielding part and a light transmitting part, this invention has especially remarkable effect in the gray tone mask which has a semi-transmissive part.

(3)각 검사용 패턴 영역 20A, 20B, 20C, 20D가 각 주변 패턴 영역 10A, 10B, 10C, 10D의 각각의 근방에 설치되는 것으로부터, 이들 양쪽 패턴 영역의 패턴을 용이하게 비교하여 패턴 결함을 검사할 수 있다.(3) Since the pattern areas 20A, 20B, 20C, and 20D for inspection are provided in the vicinity of each of the peripheral pattern areas 10A, 10B, 10C, and 10D, the patterns of both pattern areas are easily compared and the pattern defects are compared. You can check

[B]제2의 실시예(도 3)[B] Second Embodiment (Fig. 3)

도 3은, 본 발명에 따른 포토마스크의 제2의 실시예를 나타내는 평면도이다. 이 제2의 실시예에 있어서, 상기 제1의 실시예와 같은 부분은, 동일한 부호를 붙여 그 설명을 생략한다.3 is a plan view showing a second embodiment of a photomask according to the present invention. In this second embodiment, the same parts as those in the first embodiment are denoted by the same reference numerals and the description thereof will be omitted.

이 제2의 실시예의 포토마스크(30)에서는, 주변 패턴 영역 10A, 10B, 10C, 10D의 각각의 패턴과 동일한 패턴을 가지는 검사용 패턴 영역 20A, 20B, 20C, 20D 가, 포토마스크(30)의 빈 스페이스(21)에 있어서, 화소 패턴 영역(9)을 끼우고 반대측에 설치된다. 즉, 검사용 패턴 영역 20A가 화소 패턴 영역(9)을 끼우고 주변 패턴 영역 10A와 반대 위치에, 검사용 패턴 영역 20B가 화소 패턴 영역(9)을 끼우고 주변 패턴 영역 10B와 반대 위치에, 검사용 패턴 영역 20C가 화소 패턴 영역(9)을 끼우고 주변 패턴 영역 10C와 반대 위치에, 검사용 패턴 영역 20D가 화소 패턴 영역(9)을 끼우고 주변 패턴 영역 10D와 반대 위치에 각각 설치된다. 그리고, 상기 제1의 실시예와 마찬가지로, 주변 패턴 영역 10A∼10D의 패턴의 결함을, 검사용 패턴 영역 20A∼20D를 사용하여, DD검사 방식에 의해 검사한다.In the photomask 30 of the second embodiment, the inspection pattern regions 20A, 20B, 20C, and 20D having the same pattern as the respective patterns of the peripheral pattern regions 10A, 10B, 10C, and 10D are included in the photomask 30. In the empty space 21, the pixel pattern region 9 is sandwiched and provided on the opposite side. That is, the inspection pattern region 20A sandwiches the pixel pattern region 9 and is opposite to the peripheral pattern region 10A, and the inspection pattern region 20B sandwiches the pixel pattern region 9 and is opposite to the peripheral pattern region 10B. The inspection pattern region 20C sandwiches the pixel pattern region 9 and is positioned opposite to the peripheral pattern region 10C, and the inspection pattern region 20D sandwiches the pixel pattern region 9 and is disposed opposite to the peripheral pattern region 10D, respectively. . And like the said 1st Example, the defect of the pattern of the peripheral pattern area | region 10A-10D is test | inspected by a DD test | inspection system using the inspection pattern area 20A-20D.

따라서, 이 제2의 실시예의 포토마스크(30)에 의하면, 상기 실시예의 효과(1) 및 (2)에 더해, 다음 효과(4)를 나타낸다.Therefore, according to the photomask 30 of this 2nd Example, in addition to the effects (1) and (2) of the said Example, the following effect (4) is shown.

(4)검사용 패턴 영역 20A, 20B, 20C, 20D의 각각이, 화소 패턴 영역(9)을 끼우고 주변 패턴 영역 10A, 10B, 10C, 10D의 각각과 반대 위치에 설치된다. 따라서, 주변 패턴 영역 10A∼10D와 대응하는 검사용 패턴 영역 20A∼20D와의 거리는 각각, 화소 패턴 영역(9)의 폭보다도 크다. 이것은, 주변 패턴 영역 10A∼10D와 대응하는 검사용 패턴 영역 20A∼20D와의 거리가, 화소 패턴 영역(9)의 결함검사에 이용되는 비교 검사장치의 렌즈 간격에 근거하는 최소검사 간격 등의 광학계에 의한 제약조건을 필연적으로 만족시키는 것을 의미한다. 그 때문에, 본 실시예에서는, 주변 패턴 영역 10A∼10D와 대응하는 검사용 패턴 영역 20A∼20D와의 거리가, 비교 검사장치의 렌즈 간격에 근거하는 최소검사 간격 등의 광학계에 의한 제약조건을 확실하게 충족시킨 상태에서, 이들의 주변 패턴 영역 10A∼10D와 검사용 패턴 영역 20A∼ 20D와의 패턴을 비교하여, 이 주변 패턴 영역 10A∼10D에 있어서의 패턴의 결함을 검사할 수 있다.(4) Each of the inspection pattern regions 20A, 20B, 20C, and 20D is provided at a position opposite to each of the peripheral pattern regions 10A, 10B, 10C, and 10D with the pixel pattern region 9 interposed therebetween. Therefore, the distance between the peripheral pattern regions 10A to 10D and the inspection pattern regions 20A to 20D is larger than the width of the pixel pattern region 9, respectively. The distance between the peripheral pattern regions 10A to 10D and the inspection pattern regions 20A to 20D corresponding to the optical system such as the minimum inspection interval based on the lens spacing of the comparison inspection apparatus used for defect inspection of the pixel pattern region 9. Means that it will inevitably satisfy the constraint. Therefore, in the present embodiment, the distance between the peripheral pattern regions 10A to 10D and the inspection pattern regions 20A to 20D corresponding to the optical inspection system such as the minimum inspection interval based on the lens interval of the comparative inspection apparatus is assuredly. In the state of being satisfied, the pattern of these peripheral pattern areas 10A-10D and the inspection pattern areas 20A-20D can be compared and the defect of the pattern in this peripheral pattern area 10A-10D can be inspected.

[C]제3의 실시예(도 4)[C] Third Embodiment (Fig. 4)

도 4는, 본 발명에 따른 포토마스크의 제3의 실시예를 나타내는 평면도이다. 이 제3의 실시예에 있어서, 상기 제1의 실시예와 같은 부분은, 동일한 부호를 붙여, 그 설명을 생략한다.4 is a plan view showing a third embodiment of a photomask according to the present invention. In this third embodiment, the same parts as in the first embodiment are denoted by the same reference numerals, and description thereof will be omitted.

이 제3의 실시예의 포토마스크(40)에서는, 특히 빈 스페이스(21)가 좁을 경우에, 복수의 주변 패턴 영역, 즉 주변 패턴 영역 10A, 10B, 10C, 10D 중, 특정한 (예를 들면 마스크 메이커에 있어서 중요한) 선택된 주변 패턴 영역(예를 들면 주변 패턴 영역 10B)의 패턴과 동일한 패턴을 가지는 검사용 패턴 영역(예를 들면 검사용 패턴 영역 20B)이, 빈 스페이스(21)에 설치된다. 이 검사용 패턴 영역 20B는, 화소 패턴 영역(9)을 끼우고 주변 패턴 영역 10B와 반대 위치에, 또는 주변 패턴 영역 10B의 근방에 설치된다. 그리고, 상기 제1의 실시예와 같은 방법으로 하여, 특정한 선택된 주변 패턴 영역 10B의 패턴 결함을, 검사용 패턴 영역 20B를 사용하여 DD검사 방식에 의해 검사한다.In the photomask 40 of this third embodiment, among the plurality of peripheral pattern regions, that is, the peripheral pattern regions 10A, 10B, 10C, and 10D, particularly when the empty space 21 is narrow, a specific (for example, mask maker) An inspection pattern region (for example, inspection pattern region 20B) having the same pattern as the pattern of the selected peripheral pattern region (for example, peripheral pattern region 10B) is provided in the empty space 21. The inspection pattern region 20B is provided at a position opposite to the peripheral pattern region 10B with the pixel pattern region 9 interposed therebetween, or in the vicinity of the peripheral pattern region 10B. Then, in the same manner as in the first embodiment, the pattern defects of the specific selected peripheral pattern region 10B are inspected by the DD inspection method using the inspection pattern region 20B.

다른 주변 패턴 영역 10A, 10C, 10D에 대해서는, 이들로부터의 투과량 신호와, 주변 패턴 영역 10A, 10C, 10D의 각각의 설계 데이터를 비교하는 Die to Data base의 검사 방식(DDB검사 방식)을 실시하여, 주변 패턴 영역 1OA, 10C, 10D의 패턴의 결함을 검사한다.For the other peripheral pattern regions 10A, 10C, and 10D, a die-to-data base inspection method (DDB inspection method) for comparing the transmission amount signals therefrom and the design data of the peripheral pattern regions 10A, 10C, and 10D is performed. The defects in the patterns of the peripheral pattern regions 10A, 10C, and 10D are examined.

따라서, 이 제3의 실시예에 의하면, 중요한 주변 패턴 영역(예를 들면 주변 패턴 영역 10B)에 대해서, 상기 제1의 실시예의 효과(1) 및 (2)와 같은 효과를 나타내는 외에, 다음 효과(5)를 나타낸다.Therefore, according to this third embodiment, in addition to exhibiting the same effects as those of the effects (1) and (2) of the first embodiment, the following effects on the important peripheral pattern region (for example, the peripheral pattern region 10B). (5) is shown.

(5) 중요한 예를 들면 주변 패턴 영역 10B에 대해서만, 검사용 패턴 영역 20B와 비교하여, 이 주변 패턴 영역 10B의 패턴의 결함을 검사함으로써, 이 중요한 주변 패턴 영역 10B에 대해서, DD검사 방식에 의해 패턴의 결함검사를 고정밀하게, 단시간에 실시할 수 있다.(5) As an important example, only the peripheral pattern region 10B is inspected for defects in the pattern of the peripheral pattern region 10B as compared with the inspection pattern region 20B. The defect inspection of a pattern can be performed with high precision and a short time.

이상, 본 발명을 상기 실시예에 의거하여 설명했지만, 본 발명은 이것에 한정되는 것은 아니다. 예를 들면 그레이톤 부(15)를 가지지 않는 주변 패턴 영역 10D에 관해서는, 포토마스크(10, 30)의 빈 스페이스(21)에, 이 주변 패턴 영역 10D의 패턴과 동일한 패턴이 배열된 검사용 패턴 영역 20D를 설치하지 않아도 된다. 이 경우, 이 주변 패턴 영역 10D에 대해서는, DDB검사 방식에 의해 패턴의 결함을 검사한다.As mentioned above, although this invention was demonstrated based on the said Example, this invention is not limited to this. For example, with respect to the peripheral pattern region 10D having no gray tone section 15, the same pattern as that of the pattern of the peripheral pattern region 10D is arranged in the empty space 21 of the photomasks 10 and 30. It is not necessary to provide the pattern area 20D. In this case, the pattern defect is inspected for this peripheral pattern region 10D by the DDB inspection method.

또한 상기 실시예에서는, 그레이톤 부(15)를 가지고, 또한 반복 패턴을 가지지 않는 주변 패턴 영역 10A, 10B, 10C가 존재하는 포토마스크(10, 30, 40)에 대해서 본 발명을 적용하는 것을 설명했지만, 그레이톤 부(15)를 가지지 않는 주변 패턴 영역이 화소 패턴 영역(9)의 주변에 설치된 포토마스크에 관해서도, 본 발명을 적용할 수 있다.Further, in the above embodiment, the application of the present invention to the photomasks 10, 30, and 40 in which the peripheral pattern regions 10A, 10B, and 10C having the gray tone portion 15 and no repeating pattern are present will be described. However, the present invention can also be applied to a photomask in which a peripheral pattern region having no gray tone portion 15 is provided around the pixel pattern region 9.

또한 상기 주변 패턴 영역 10A, 10B, 10C의 그레이톤 부(15)가 광 반투과성을 구비한 반투광막(17)으로 구성된 것을 설명했지만, 차광 패턴으로 구성된 그레이톤 부라도 된다. 다시 말해, 도 5에 나타나 있는 바와 같이 이 그레이톤 부(50) 는, 포토마스크를 사용하는 대형 LCD용 노광기의 해상한계 이하의 미세 패턴으로 이루어지는 차광 패턴(51)을 형성한 영역이다. 예를 들면 이 차광 패턴(51)의 라인 폭과 이 라인의 간격은, 상기 노광기의 해상한계 이하의 예를 들면 3㎛미만이다. 또한 이 차광 패턴(51)은, 차광부(13)와 마찬가지로, 크롬 또는 크롬화합물로 이루어지고, 동일 막두께로 형성된 것이다.In addition, although the gray-tone part 15 of the said peripheral pattern area | region 10A, 10B, and 10C was comprised from the semi-transmissive film 17 provided with light semitransmissivity, the gray-tone part comprised with the light shielding pattern may be sufficient. In other words, as shown in FIG. 5, the gray tone unit 50 is a region in which the light shielding pattern 51 formed of a fine pattern below the resolution limit of the large-scale LCD exposure machine using the photomask is formed. For example, the line width of this light shielding pattern 51 and the space | interval of this line are less than 3 micrometers, for example below the resolution limit of the said exposure machine. The light shielding pattern 51 is made of chromium or a chromium compound similarly to the light shielding portion 13, and is formed to have the same film thickness.

청구항 1 또는 6에 기재된 발명에 의하면, 포토마스크의 빈 스페이스에, 주변 패턴 영역의 패턴과 동일한 패턴이 배열된 검사용 패턴 영역이 설치되고, 이들의 주변 패턴 영역과 검사용 패턴 영역을 비교하여, 이 주변 패턴 영역에 있어서의 패턴의 결함을 검사할 수 있다. 즉, 반복 패턴이 없는 주변 패턴 영역에 있어서도, 실제의 패턴끼리를 비교하는 Die to Die의 검사 방식(DD검사 방식)에 의한 검사를 실시할 수 있다. 이 결과, 본 발명은, 실제의 패턴과 해당 패턴의 설계 데이터를 비교하는 Die to Data base의 검사 방식(DDB검사 방식)을 실시하는 경우와 비교하여, 반복 패턴이 없는 주변 패턴 영역에 있어서도, 패턴의 결함을 고정밀하게, 단시간에 검사할 수 있다.According to invention of Claim 1 or 6, the inspection pattern area | region which arrange | positions the same pattern as the pattern of the peripheral pattern area | region is provided in the empty space of a photomask, These peripheral pattern area | region is compared with the inspection pattern area | region, The defect of the pattern in this peripheral pattern area can be inspected. That is, even in the peripheral pattern area without a repeating pattern, inspection by the inspection method (DD inspection method) of Die to Die which compares actual patterns can be performed. As a result, the present invention provides a pattern even in a peripheral pattern region without a repeating pattern, as compared with the case of performing a die to database inspection method (DDB inspection method) for comparing the actual pattern with design data of the pattern. Can be inspected with high accuracy and in a short time.

청구항 2 또는 7에 기재된 발명에 의하면, 검사용 패턴 영역이 주변 패턴 영역의 근방에 설치된 것으로부터, 이들 양쪽 패턴 영역의 패턴을 용이하게 비교하여 패턴 결함을 검사할 수 있다.According to invention of Claim 2 or 7, since the inspection pattern area | region is provided in the vicinity of the peripheral pattern area | region, the pattern defect can be inspected easily by comparing the pattern of these both pattern areas.

청구항 3 또는 8에 기재된 발명에 의하면, 검사용 패턴 영역이, 화소 패턴 영역을 끼우고 주변 패턴 영역과 반대 위치에 설치되는 것으로부터, 주변 패턴 영역과 검사용 패턴 영역과의 거리를, 확실하게 비교 검사장치의 렌즈 간격에 근거하는 최소 검사간격 이상으로 할 수 있다. 다시 말해, 본 발명은, 비교 검사장치의 광학계에 의한 제약조건을 확실하게 충족시킨 상태에서, 이들의 주변 패턴 영역과 검사용 패턴 영역과의 패턴을 비교하여, 이 주변 패턴 영역에 있어서의 패턴의 결함을 검사할 수 있다.According to invention of Claim 3 or 8, since the inspection pattern area | region is provided in the position opposite to the peripheral pattern area | region sandwiching a pixel pattern area | region, the distance between a peripheral pattern area | region and an inspection pattern area | region is reliably compared. It may be more than the minimum inspection interval based on the lens spacing of the inspection apparatus. In other words, the present invention compares the pattern between the peripheral pattern region and the inspection pattern region in a state where the constraint condition by the optical system of the comparison inspection apparatus is reliably satisfied, and thus the pattern in the peripheral pattern region is compared. Defects can be checked.

청구항 4 또는 9에 기재된 발명에 의하면, 소정의(예를 들면 마스크 메이커에 있어서 중요한 특정의) 선택된 주변 패턴 영역에 대해서만, 검사용 패턴 영역과 비교하여, 이 주변 패턴 영역의 패턴의 결함을 검사하는 것으로부터, 이 소정의 선택된 주변 패턴 영역에 대해서, DD검사 방식에 의해 패턴의 결함검사를 고정밀하게, 단시간에 실시할 수 있다. 여기에서, 소정의 선택된 주변 패턴 영역이라 함은, 주변 패턴이더라도 메인 패턴(화소 패턴)과 같은 정도로 결함검사정밀도가 요구되는 패턴이다.According to the invention as set forth in claim 4 or 9, only a predetermined (for example, a specific important matter in a mask maker) selected peripheral pattern region is inspected for defects in the pattern of the peripheral pattern region in comparison with the inspection pattern region. From this, the defect inspection of the pattern can be performed with high accuracy and in a short time with respect to the predetermined selected peripheral pattern region. Here, the predetermined selected peripheral pattern region is a pattern in which defect inspection precision is required to the same extent as the main pattern (pixel pattern) even in the peripheral pattern.

청구항 5 또는 10에 기재된 발명에 의하면, 차광부와 투광부와 그레이톤 부로 이루어지는 패턴을 가지는 주변 패턴 영역에 관해서도, 이 주변 패턴 영역의 패턴과 동일한 패턴을 구비한 검사용 패턴 영역을 사용하여, DD검사 방식의 패턴 결함검사를 실시할 수 있으므로, 이 주변 패턴 영역의 패턴의 결함을 고정밀하게, 단시간에 검사할 수 있다.According to the invention of Claim 5 or 10, also about the peripheral pattern area | region which has the pattern which consists of a light shielding part, a light transmission part, and a gray tone part, DD is used using the inspection pattern area | region provided with the same pattern as the pattern of this peripheral pattern area | region. Since the pattern defect inspection of the inspection method can be performed, the defect of the pattern of the peripheral pattern region can be inspected with high precision and in a short time.

Claims (10)

동일패턴이 반복되는 반복 패턴을 구비한 화소 패턴 영역과, 이 화소 패턴 영역의 주변에 설치되어 반복 패턴이 없는 주변 패턴 영역을 가지는 포토마스크에 있어서의 상기 패턴의 결함을 검사하는 포토마스크의 결함검사방법으로서,Defect inspection of a photomask for inspecting a defect of the pattern in a photomask having a pixel pattern region having a repeating pattern having the same pattern repeated and a peripheral pattern region provided around the pixel pattern region and having no repeating pattern. As a method, 상기 포토마스크에는, 상기 화소 패턴 영역 및 상기 주변 패턴 영역이 존재하지 않는 빈 스페이스에, 상기 주변 패턴 영역의 패턴과 동일한 패턴이 배열된 검사용 패턴 영역이 설치되고,In the photomask, an inspection pattern region in which the same pattern as the pattern of the peripheral pattern region is arranged is provided in an empty space in which the pixel pattern region and the peripheral pattern region do not exist. 이들의 주변 패턴 영역과 검사용 패턴 영역을 비교함으로써, 이 주변 패턴 영역에 있어서의 패턴의 결함을 검사하는 것을 특징으로 하는 포토마스크의 결함 검사방법.The defect inspection method of the photomask characterized by inspecting the defect of the pattern in this peripheral pattern area | region by comparing these peripheral pattern area | region and inspection pattern area | region. 제 1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 검사용 패턴 영역은, 상기 주변 패턴 영역과의 간격이, 소정의 거리이상으로 설정됨으로써, 검사장치의 광학계에 의한 비교 검사가 가능하게 된 것을 특징으로 하는 포토마스크의 결함 검사방법.The inspection pattern region is a defect inspection method of a photomask, wherein a distance from the peripheral pattern region is set to be equal to or greater than a predetermined distance, whereby a comparative inspection by an optical system of the inspection apparatus is enabled. 제 1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 검사용 패턴 영역은, 상기 화소 패턴 영역을 끼우고 상기 주변 패턴 영역이라고 반대 위치에 설치된 것을 특징으로 하는 포토마스크의 결함 검사방법.The inspection pattern region is a defect inspection method of a photomask, characterized in that the pixel pattern region is sandwiched between the inspection pattern region and the peripheral pattern region. 제 1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 포토마스크에는, 상기 화소 패턴 영역의 주변에 복수 설치된 주변 패턴 영역 중, 소정의 선택된 주변 패턴 영역에 대해서만 대응하는 검사용 패턴 영역이 설치되고,In the photomask, an inspection pattern region corresponding to only a predetermined peripheral pattern region among a plurality of peripheral pattern regions provided around the pixel pattern region is provided. 상기 소정의 선택된 주변 패턴 영역과 상기 검사용 패턴 영역을 비교하여, 이 주변 패턴 영역에 있어서의 패턴의 결함을 검사하는 것을 특징으로 하는 포토마스크의 결함 검사방법.And comparing the predetermined selected peripheral pattern region with the inspection pattern region to inspect defects in the pattern in the peripheral pattern region. 제 1항 내지 제 4항 중 어느 한 항에 있어서,The method according to any one of claims 1 to 4, 상기 주변 패턴 영역은, 차광부와 투광부와, 포토마스크 사용시에 사용되는 노광광의 투과량을 저감하는 반투광 막으로 이루어지는 그레이톤 부로 이루어지는 패턴을 가지는 것을 특징으로 하는 포토마스크의 결함 검사방법.The peripheral pattern region has a pattern comprising a light shielding portion, a light transmitting portion, and a gray tone portion formed of a semi-transmissive film for reducing the transmission amount of exposure light used when the photomask is used. 동일 패턴이 반복되는 반복 패턴을 구비한 화소 패턴 영역과,A pixel pattern region having a repeating pattern in which the same pattern is repeated; 이 화소 패턴 영역의 주변에 설치되어 반복 패턴이 없는 주변 패턴 영역을 가지는 포토마스크로서,A photomask provided around the pixel pattern region and having a peripheral pattern region without a repeating pattern, 상기 화소 패턴 영역 및 상기 주변 패턴 영역이 존재하지 않는 빈 스페이스에, 상기 주변 패턴 영역의 패턴과 동일한 패턴이 배열된 검사용 패턴 영역이 설치된 것을 특징으로 하는 포토마스크.And an inspection pattern region in which the same pattern as the pattern of the peripheral pattern region is arranged in an empty space in which the pixel pattern region and the peripheral pattern region do not exist. 제 6항에 있어서,The method of claim 6, 상기 검사용 패턴 영역은, 상기 주변 패턴 영역과의 간격이, 소정의 거리이상으로 설정됨으로써, 검사장치의 광학계에 의한 비교 검사가 가능하도록 설정된 것을 특징으로 하는 포토마스크.The inspection pattern region is a photomask, characterized in that the interval between the peripheral pattern region is set to be greater than or equal to a predetermined distance, so that a comparative inspection by an optical system of the inspection apparatus is possible. 제 6항에 있어서,The method of claim 6, 상기 검사용 패턴 영역은, 상기 화소 패턴 영역을 끼우고 상기 주변 패턴 영역과 반대 위치에 설치된 것을 특징으로 하는 포토마스크.The inspection pattern region may be provided at a position opposite to the peripheral pattern region with the pixel pattern region interposed therebetween. 제 6항에 있어서,The method of claim 6, 상기 검사용 패턴 영역은, 상기 화소 패턴 영역의 주변에 복수 설치된 주변 패턴 영역 중 소정의 선택된 주변 패턴 영역에 대해서만 설치된 것을 특징으로 하는 포토마스크.And the inspection pattern region is provided only for a predetermined selected peripheral pattern region among the plurality of peripheral pattern regions provided around the pixel pattern region. 제 6항 내지 제 9항 중 어느 한 항에 있어서,The method according to any one of claims 6 to 9, 상기 주변 패턴 영역은, 차광부와 투광부와, 포토마스크 사용시에 이용되는 노광광의 투과량을 저감하는 반투광 막으로 이루어지는 그레이톤 부로 이루어지는 패턴을 가지고 구성된 것을 특징으로 하는 포토마스크.And the peripheral pattern region comprises a pattern consisting of a light shielding portion, a light transmitting portion, and a gray tone portion formed of a semi-transmissive film for reducing the amount of transmission of exposure light used when the photomask is used.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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JP2011215197A (en) * 2010-03-31 2011-10-27 Hoya Corp Photomask and method for manufacturing the same
JP6386898B2 (en) * 2014-12-15 2018-09-05 株式会社ニューフレアテクノロジー Inspection method and inspection apparatus
CN106249553B (en) * 2016-10-20 2018-03-13 南京华东电子信息科技股份有限公司 A kind of periphery exposure method in panel of LCD manufacture
CN108461414A (en) * 2018-03-30 2018-08-28 上海华力微电子有限公司 A method of increasing wafer-scanning area
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