KR20070083146A - 질화물 반도체 발광소자 및 그 제조 방법 - Google Patents

질화물 반도체 발광소자 및 그 제조 방법 Download PDF

Info

Publication number
KR20070083146A
KR20070083146A KR1020060016471A KR20060016471A KR20070083146A KR 20070083146 A KR20070083146 A KR 20070083146A KR 1020060016471 A KR1020060016471 A KR 1020060016471A KR 20060016471 A KR20060016471 A KR 20060016471A KR 20070083146 A KR20070083146 A KR 20070083146A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
layer
conductive semiconductor
semiconductor layer
buffer layer
light emitting
Prior art date
Application number
KR1020060016471A
Other languages
English (en)
Other versions
KR101189399B1 (ko
Inventor
김희진
Original Assignee
엘지이노텍 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 엘지이노텍 주식회사 filed Critical 엘지이노텍 주식회사
Priority to KR1020060016471A priority Critical patent/KR101189399B1/ko
Priority to US11/707,924 priority patent/US7868350B2/en
Publication of KR20070083146A publication Critical patent/KR20070083146A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR101189399B1 publication Critical patent/KR101189399B1/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/02—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
    • H01L33/12—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a stress relaxation structure, e.g. buffer layer
    • E—FIXED CONSTRUCTIONS
    • E02—HYDRAULIC ENGINEERING; FOUNDATIONS; SOIL SHIFTING
    • E02F—DREDGING; SOIL-SHIFTING
    • E02F3/00—Dredgers; Soil-shifting machines
    • E02F3/04—Dredgers; Soil-shifting machines mechanically-driven
    • E02F3/96—Dredgers; Soil-shifting machines mechanically-driven with arrangements for alternate or simultaneous use of different digging elements
    • E02F3/966—Dredgers; Soil-shifting machines mechanically-driven with arrangements for alternate or simultaneous use of different digging elements of hammer-type tools
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
    • H01L21/02367—Substrates
    • H01L21/0237—Materials
    • H01L21/02373—Group 14 semiconducting materials
    • H01L21/02378—Silicon carbide
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
    • H01L21/02367—Substrates
    • H01L21/0237—Materials
    • H01L21/0242—Crystalline insulating materials
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
    • H01L21/02436—Intermediate layers between substrates and deposited layers
    • H01L21/02439—Materials
    • H01L21/02491—Conductive materials
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
    • H01L21/02436—Intermediate layers between substrates and deposited layers
    • H01L21/02494—Structure
    • H01L21/02513—Microstructure
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
    • H01L21/02518—Deposited layers
    • H01L21/02521—Materials
    • H01L21/02538—Group 13/15 materials
    • H01L21/0254—Nitrides
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/005—Processes
    • H01L33/0062—Processes for devices with an active region comprising only III-V compounds
    • H01L33/0066—Processes for devices with an active region comprising only III-V compounds with a substrate not being a III-V compound
    • H01L33/007—Processes for devices with an active region comprising only III-V compounds with a substrate not being a III-V compound comprising nitride compounds
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B28—WORKING CEMENT, CLAY, OR STONE
    • B28D—WORKING STONE OR STONE-LIKE MATERIALS
    • B28D1/00—Working stone or stone-like materials, e.g. brick, concrete or glass, not provided for elsewhere; Machines, devices, tools therefor
    • B28D1/26—Working stone or stone-like materials, e.g. brick, concrete or glass, not provided for elsewhere; Machines, devices, tools therefor by impact tools, e.g. by chisels or other tools having a cutting edge
    • B28D1/28—Working stone or stone-like materials, e.g. brick, concrete or glass, not provided for elsewhere; Machines, devices, tools therefor by impact tools, e.g. by chisels or other tools having a cutting edge without cutting edge, e.g. chiseling machines
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
    • H01L21/02518—Deposited layers
    • H01L21/0257—Doping during depositing
    • H01L21/02573—Conductivity type
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
    • H01L21/02612—Formation types
    • H01L21/02617—Deposition types
    • H01L21/0262—Reduction or decomposition of gaseous compounds, e.g. CVD

Abstract

본 발명은 질화물 반도체 발광소자에 관한 것으로서, 구체적으로 기판상에 질화갈륨(GaN)의 성장을 용이하게 하여 결정 부정합을 감소시켜 주기 위한 질화물 반도체 발광소자 및 그 제조방법에 관한 것이다.
본 발명에 따른 질화물 반도체 발광소자는, 합금 금속으로 성장된 버퍼층; 상기 버퍼층 위에 형성된 제 1도전형 반도체층; 상기 제 1도전형 반도체층 위에 형성된 활성층; 및 상기 활성층 위에 형성된 제 2도전형 반도체층을 포함한다.
또한 본 발명에 따른 질화물 반도체 발광소자 제조방법은, 기판 상에 합금 금속을 성장시켜 버퍼층을 형성하는 단계; 상기 버퍼층 위에 제 1도전형 반도체층을 형성하는 단계; 상기 제 1도전형 반도체층 위에 활성층을 형성하는 단계; 상기 활성층 위에 제 2도전형 반도체층을 형성하는 단계를 포함한다.
질화물, 반도체, 발광소자, 버퍼층

Description

질화물 반도체 발광소자 및 그 제조 방법{Nitride compound light-emitting semiconductor and fabricating method thereof}
도 1은 종래의 질화물 반도체 발광소자의 일 예를 도시한 예시도.
도 2a 내지 도 2c는 본 발명의 실시 예에 따라 질화물 반도체 발광소자의 제조과정을 나타낸 단면도.
도 3은 본 발명에 따른 질화물 반도체 발광소자의 다른 구조를 나타낸 단면도.
*도면의 주요부분에 대한 부호의 설명*
20...기판 21...버퍼층
22...제1도전형 반도체층 23...활성층
24...제2도전형 반도체층 25...제3도전형 반도체층
26...p형 전극 27...n형 전극
본 발명은 질화물 반도체 발광소자에 관한 것으로서, 구체적으로 기판상에 질화갈륨(GaN)의 성장을 용이하게 하여 결정 부정합을 감소시켜 주기 위한 질화물 반도체 발광소자 및 그 제조방법에 관한 것이다.
질화물 반도체 발광소자들 중 대표적으로 GaN계 질화물 발광소자는 주로 사파이어 기판 또는 SiC 기판상에 성장되고, 저온의 성장 온도에서 사파이어 기판 또는 SiC 기판상에 버퍼층(buffer layer)을 성장시킨다.
이후, 고온에서 이 버퍼층 위에 도펀트가 도핑되지 않은 GaN층, 실리콘이 도핑된 n형 GaN층 등을 형성한다. 이어서, 이 n형 GaN계 층상에 발광층을 형성하고, 이 발광층 위에 p형 GaN계 층을 더 형성함으로써 발광소자를 제조한다.
일반적인 질화물 반도체 발광소자는 도 1에 도시된 바와 같이 사파이어 또는 SiC의 기판(1) 상에 버퍼층(2), n-GaN층(3), 활성층(4), p-GaN층(5), 마그네슘이 도핑된 InGaN 층(6), 및 마그네슘이 도핑된 GaN 층(7)이 순차 적층되어 있고, 마그네슘이 도핑된 GaN 층(7) 및 n-GaN층(3) 상에는 절연막이 형성되어 각각 대응하는 p 전극(9)과 n 전극(10)이 형성됨으로써 질화물 반도체 발광소자를 형성한다.
이러한 질화물 반도체 발광소자 또는 레이저와 같은 광 디바이스를 구현하기 위해서 형성되는 버퍼층은 기판과 그 위에 성장하는 층 사이의 스트레스를 완충시키기 위한 역할을 하므로, 사파이어, SiC, 및 Si 등의 기판의 종류에 따라 GaN, AlGaN 등의 재질을 이용한 버퍼층 성장 기술을 적용하고 있다.
그러나, 무엇보다도 버퍼층과 기판과의 결정격자 상수의 차이가 크기 때문에, 버퍼층은 기판 및 버퍼층 위에 성장되는 층 사이에 전위(dislocation) 또는 공격자점(vacancy) 등의 격자결함이 발생한다. 따라서, 버퍼층은 기판과 버퍼층 상에 성장하는 층과의 결정 부정합(lattice mismatch)을 감소시키는 양질의 결정 격자 결합이 이루어져야 한다.
본 발명은 격자결함이 없이 우수한 결정 격자 결합 특성이 있는 버퍼층을 포함하는 질화물 반도체 발광소자 및 그 제조방법을 제공함에 있다.
본 발명의 다른 목적은 열적 충격에 의한 스트레스가 적은 버퍼층을 포함하는 질화물 반도체 발광소자 및 그 제조방법을 제공함에 있다.
본 발명에 따른 질화물 반도체 발광소자는,
합금 금속으로 성장된 버퍼층; 상기 버퍼층 위에 형성된 제 1도전형 반도체층; 상기 제 1도전형 반도체층 위에 형성된 활성층; 및 상기 활성층 위에 형성된 제 2도전형 반도체층을 포함한다.
바람직하게, 상기 버퍼층의 합금 금속은 Fe계 비정질 합금 금속, Ni계 비정질 합금 금속 , Co계 비정질 합금 금속 중 적어도 하나를 포함한다.
또한 본 발명에 따른 질화물 반도체 발광소자 제조방법은, 기판 상에 합금 금속을 성장시켜 버퍼층을 형성하는 단계; 상기 버퍼층 위에 제 1도전형 반도체층을 형성하는 단계; 상기 제 1도전형 반도체층 위에 활성층을 형성하는 단계; 상기 활성층 위에 제 2도전형 반도체층을 형성하는 단계를 포함한다.
상세하게는, 상기 제 2도전형 반도체층 및 활성층을 부분 식각하여 제 1도전형 반도체층을 노출시키는 단계; 상기 제 2도전형 반도체층 상에 p형 전극, 상기 제 1도전형 반도체층 상에 n형 전극을 각각 형성하는 단계를 더 포함한다.
상세하게는, 상기 기판을 버퍼층으로부터 제거하는 단계; 상기 제 2도전형 반도체층 상에 p형 전극, 상기 버퍼층의 저면에 n형 전극을 각각 형성하는 단계를 더 포함한다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시 예를 상세하게 설명한다. 본 발명에 따른 질화물 반도체 발광소자는 다중양자웰구조(MQW)를 가진 발광소자에 적용하여 설명하지만, 이에 한정되지 않고 다양한 발광소자에 적용될 수 있다.
도 2a 내지 도 2c는 본 발명의 실시 예에 따른 질화물 반도체 발광소자의 제조과정을 나타낸 단면도이다.
먼저 도 2a에 도시된 바와 같이, 본 발명의 실시 예에 따라 예컨대, PVD 방법중 스퍼터링 방법을 위한 스퍼터링 챔버(도시되지 않음)에 사파이어 또는 SiC로 이루어진 기판(20)을 장착하게 된다.
상기 기판(20) 상에는 1500℃의 성장온도에서 73.5%의 Fe, 20.5%의 Si, 및 6%의 B로 이루어진 Fe-Si-B의 철합금을 시료로 하여 PVD 방법 중 예를 들어, 스퍼터링 방법으로 약 1~2 ㎛ 두께로 Fe-Si-B의 비정질(amorphous) 버퍼층(21)을 성장시킨다.
이어서, Fe-Si-B의 철합금으로 성장시킨 버퍼층(21)의 표면을 평탄하게 하기 위한 CMP(chemical-mechanical polishing)처리와 어닐링 과정을 수행하여, 최종적 으로 0.5~1 ㎛ 두께로 평탄한 표면을 가진 버퍼층(21)이 형성된다. 이러한 버퍼층(21)은 기판(20) 상에 합금 금속박을 소정 온도로 어닐링 처리하여 형성하게 된다. 이러한 상기 버퍼층(21)은 Fe계 비정질 합금 금속, Ni계 비정질 합금 금속 , Co계 비정질 합금 금속 중 적어도 하나를 포함한다.
이후, 상기 버퍼층(21) 상에는 NH3, TMGa, 및 Si와 같은 n형 도펀트를 포함한 실란가스를 공급하여 제 1도전형 반도체층(22)을 약 2㎛ 두께로 성장시킨다. 여기서, 상기 제 1도전형 반도체층(22)은 n-GaN 글래드층을 성장시킨 것이며, 상기 버퍼층(21)과 제 1도전형 반도체층(22) 사이에는 도펀트를 포함하지 않는 undoped GaN층을 더 형성할 수도 있다.
그리고, 도 2b에 도시된 바와 같이 기판(20)상에 버퍼층(21), 제 1도전형 반도체층(22)이 형성되면, 제 1도전형 반도체층(22) 상에 MOCVD(Metal Organic Chemical Vapor Deposition) 방법으로 InGaN/InGaN로 구성된 다중양자우물(Multi-Quantum Well : MQW)의 활성층(23)이 형성된다. 이때, 활성층(23)의 조성은 InGaN/InGaN의 각 원소성분의 몰 비율에 차이를 두고 성장시킨 적층 구성일 수 있다.
상기 활성층(23)이 형성된 후, 상기 활성층(23) 상에는 수소를 캐리어 가스로 하여 1000℃로 분위기 온도를 높여 TMGa, 트리메틸알루미늄(TMAl), 비세틸 사이클로 펜타디에닐 마그네슘(EtCp2Mg){Mg(C2H5C5H4)2}, 및 NH3을 공급하여 제 2도전형 반도체층(24)을 0.1 내지 0.3㎛의 두께로 성장시킨다. 여기서, 제 2도전형 반도체 층(24)에는 p-GaN 글래드층을 성장시킨 것이다.
그리고, 제 2도전형 반도체층(24) 상에는 n형 도펀트를 포함한 실란가스를 공급하여 얇은 제 3도전형 반도체층(25)을 부가적으로 형성하여 npn 구조의 발광소자를 형성할 수도 있다. 여기서, 제 3도전형 반도체층(25)은 n-GaN 글래드층을 성장시킨 것이다. 또한 본 발명은 상기와 같이 npn 구조의 발광소자 뿐만 아니라, 다른 접합 구조의 발광소자 예들 들면, 상기 기판(20) 상에 버퍼층(21), 제 1도전형 반도체층(22), 활성층(23), 제 2도전형 반도체층(24)의 적층 구조로 이루어진 pn 등의 접합구조의 발광소자로 구현할 수도 있다.
그리고, 상기 제 3도전형 반도체층(25)이 형성되면, n형 전극(27)을 형성하기 위해서 제 2도전형 반도체층(24) 및 활성층(23)의 일부 영역에 대해 소정 깊이까지 부분 에칭, 예를 들어 이방성 습식에칭을 실행하여 제 1 도전형 반도체층(22)을 노출시킨다.
상기 제 1도전형 반도체층(22)이 노출되면, 제 1 도전형 반도체층(22) 상에 티탄(Ti) 등으로 이루어진 n형 전극(27)을 형성하고, 제 2도전형 반도체층(24) 상에 니켈(Ni) 등으로 이루어진 p형 전극(26)을 형성한다.
도 3은 본 발명의 발광소자의 다른 구조를 나타낸 단도면이다. 이러한 본 발명은 n형 전극(27)을 형성함에 있어서, 활성층(23) 및 제 2도전형 반도체층(24)의 에칭 과정을 수행하지 않고 n형 전극(27)이 버퍼층(21)의 저면에 형성되게 할 수도 있어, 수직형 질화물 반도체 발광소자로 구현할 수도 있다. 구체적으로는 상기 버퍼층(21)이 전도성 물질이므로, 그 버퍼층(21)의 저면에 n형 전극이 형성되도록 한 다. 이를 위해 도 2b와 같은 구조에서 버퍼층(21)으로부터 그 하부의 기판(20)을 제거한 후, 제 2도전형 반도체층(24) 상에 p형 전극(26)을 형성하고, 버퍼층(21)의 저면에 n형 전극(27)을 형성할 수 있다. 그 개략도는 도 3과 같다.
한편, 본 발명에 따른 버퍼층(21)이 Fe 계열을 포함한 Fe-Si-B 합금을 이용할 수도 있으며, 또 Fe 계열 이외에 Co 또는 Ni을 포함하는 Co-Si-B 합금 또는 Ni-Si-B 합금을 이용하여 버퍼층(21)이 형성될 수 있다.
또한, 본 발명은 스퍼터링 방법을 이용하여 Fe-Si-B 합금을 버퍼층(21)으로 증착, 형성하는 실시형태 이외에, 1㎛ ~ 1.5㎛ 두께의 Fe-Si-B 합금 막(hoil)을 기판(20) 상에 겹쳐 놓은 후, 400℃ 내지 450℃의 분위기 온도에서 10 ~ 15분 동안 어닐링 처리를 수행하여 버퍼층(21)을 형성한다.
어닐링 처리를 수행한 후, 전술한 바와 같이 제 1도전형 반도체층(22), 활성층(23), 제 2도전형 반도체층(24), p형 전극(26), n형 전극(27) 등이 유사하게 순차적으로 형성될 수 있다.
종래의 GaN, AlGaN 등을 이용하여 버퍼층을 형성하면, GaN, AlGaN 등의 격자상수가 사파이어 또는 SiC 등의 기판이 가진 격자상수보다는 크고 버퍼층 상에 형성되는 GaN층의 격자상수보다는 작은 격자상수를 가지기 때문에, 격자결함이 해소될 수 없었다.
그러나, 본 발명에 따른 버퍼층을 형성하면 Fe-Si-B 합금의 버퍼층(21)의 격자상수가 기판(20)의 격자상수와 유사하므로 격자 부정합을 해소할 뿐만 아니라, 종래에 약 35% 정도의 열팽창 계수의 차이를 감소시킬 수 있다.
또한, 합금의 성질에 의해 활성층(23)의 광을 반사시키는 광반사(reflector) 효과, 및 하나의 지지작용을 하는 프레임과 같은 기능을 수행할 수 있기 때문에 웨이퍼 볼링(wafer bowling) 방지 효과도 있다.
본 발명의 기술사상은 상기 바람직한 실시 예에 따라 구체적으로 기술되었으나, 전술한 실시 예들은 그 설명을 위한 것이며, 그 제한을 위한 것이 아님을 주의하여야 한다.
또한, 본 발명의 기술분야의 통상의 전문가라면 본 발명의 기술사상의 범위내에서 다양한 실시가 가능함을 이해할 수 있을 것이다.
상기한 바와 같이 본 발명은 버퍼층의 격자상수가 기판 및 버퍼층 상에 형성된 질화물층의 격자상수와 유사하므로 격자 부정합을 해소할 뿐만 아니라, 열팽창 계수의 차이를 감소시킬 수 있게 된다.
본 발명은 또한 Fe, Co, Ni계 합금의 성질에 의해 광을 반사시키는 광반사(reflector) 효과, 및 지지기능에 의한 웨이퍼 볼링(wafer bowling) 방지효과가 있다.

Claims (12)

  1. 합금 금속으로 성장된 버퍼층;
    상기 버퍼층 위에 형성된 제 1도전형 반도체층;
    상기 제 1도전형 반도체층 위에 형성된 활성층; 및
    상기 활성층 위에 형성된 제 2도전형 반도체층을 포함하는 질화물 반도체 발광소자.
  2. 제 1항에 있어서,
    상기 제 2도전형 반도체층 위에 n형 질화물 반도체층으로 형성되는 제 3도전형 질화물층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 발광소자.
  3. 제 1항에 있어서,
    상기 버퍼층의 합금 금속은 Fe계 비정질 합금 금속, Ni계 비정질 합금 금속 , Co계 비정질 합금 금속 중 적어도 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 발광소자.
  4. 제 3항에 있어서,
    상기 Fe계 비정질 합금은 73.5%의 Fe, 20.5%의 Si, 및 6%의 B로 이루어진 Fe-Si-B 합금인 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 발광소자.
  5. 제 1항에 있어서,
    상기 버퍼층의 저면에 n형 전극이 형성되고,
    상기 제 2도전형 반도체층 상에는 p형 전극이 형성되는 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 발광소자.
  6. 제 1항에 있어서,
    상기 제 2도전형 반도체층에 p형 전극이 형성되고,
    상기 제 2도전형 반도체층 및 활성층의 부분 식각으로 노출된 제 1도전형 반도체층에 n형 전극이 형성되는 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 발광소자.
  7. 기판 상에 합금 금속으로 버퍼층을 형성하는 단계;
    상기 버퍼층 위에 제 1도전형 반도체층을 형성하는 단계;
    상기 제 1도전형 반도체층 위에 활성층을 형성하는 단계;
    상기 활성층 위에 제 2도전형 반도체층을 형성하는 단계를 포함하는 질화물 반도체 발광소자 제조방법.
  8. 제 7항에 있어서,
    상기 버퍼층 형성단계는
    상기 기판상에 합금 금속박(hoil)을 구비하는 구비단계; 및 기판 상에서 상 기 구비된 합금 금속박을 400 내지 700 ℃의 분위기 온도에서 어닐링 처리를 하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 발광소자 제조방법.
  9. 제 7항에 있어서,
    상기 버퍼층 형성단계는
    상기 기판상에 합금 금속을 스퍼터링 방법으로 증착하여 비정질 버퍼층으로 형성하는 단계; 및 상기 합금 금속을 구비한 상기 기판을 400 내지 700℃의 분위기 온도에서 어닐링 처리를 하는 단계를 포함하는 질화물 반도체 발광소자 제조방법.
  10. 제 7항에 있어서,
    상기 합금 금속은 Fe계 비정질 합금 금속, Ni계 비정질 합금 금속, Co계 비정질 합금 금속 중 적어도 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 발광소자 제조방법.
  11. 제 7항에 있어서,
    상기 제 2도전형 반도체층 및 활성층을 부분 식각하여 제 1도전형 반도체층을 노출시키는 단계; 상기 제 2도전형 반도체층 상에 p형 전극, 상기 제 1도전형 반도체층 상에 n형 전극을 각각 형성하는 단계를 더 포함하는 질화물 반도체 발광소자 제조방법.
  12. 제 7항에 있어서,
    상기 기판을 버퍼층으로부터 제거하는 단계; 상기 제 2도전형 반도체층 상에 p형 전극, 상기 버퍼층의 저면에 n형 전극을 각각 형성하는 단계를 더 포함하는 질화물 반도체 발광소자 제조방법.
KR1020060016471A 2006-02-20 2006-02-20 질화물 반도체 발광소자 및 그 제조 방법 KR101189399B1 (ko)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020060016471A KR101189399B1 (ko) 2006-02-20 2006-02-20 질화물 반도체 발광소자 및 그 제조 방법
US11/707,924 US7868350B2 (en) 2006-02-20 2007-02-20 Nitride semiconductor light-emitting device and method for manufacturing the same

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020060016471A KR101189399B1 (ko) 2006-02-20 2006-02-20 질화물 반도체 발광소자 및 그 제조 방법

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20070083146A true KR20070083146A (ko) 2007-08-23
KR101189399B1 KR101189399B1 (ko) 2012-10-10

Family

ID=38427301

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020060016471A KR101189399B1 (ko) 2006-02-20 2006-02-20 질화물 반도체 발광소자 및 그 제조 방법

Country Status (2)

Country Link
US (1) US7868350B2 (ko)
KR (1) KR101189399B1 (ko)

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7683398B2 (en) * 2007-03-02 2010-03-23 Mitsubishi Electric Corporation Nitride semiconductor device having a silicon-containing connection layer and manufacturing method thereof
US9312436B2 (en) * 2011-05-16 2016-04-12 Kabushiki Kaisha Toshiba Nitride semiconductor device, nitride semiconductor wafer, and method for manufacturing nitride semiconductor layer
KR101262725B1 (ko) * 2011-08-08 2013-05-09 일진엘이디(주) 누설전류 차단 효과가 우수한 질화물 반도체 발광소자 및 그 제조 방법
US20180053662A1 (en) * 2016-08-17 2018-02-22 Globalfoundries Inc. Texturing of silicon surface with direct-self assembly patterning

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0307109A1 (en) * 1987-08-24 1989-03-15 Canon Kabushiki Kaisha Method for forming semiconductor crystal and semiconductor crystal article obtained by said method
US5937274A (en) * 1995-01-31 1999-08-10 Hitachi, Ltd. Fabrication method for AlGaIn NPAsSb based devices
US6051847A (en) * 1997-05-21 2000-04-18 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Gallium nitride compound-based semiconductor light emitting device and process for producing gallium nitride compound-based semiconductor thin film
US6287882B1 (en) * 1999-10-04 2001-09-11 Visual Photonics Epitaxy Co., Ltd. Light emitting diode with a metal-coated reflective permanent substrate and the method for manufacturing the same
US6787814B2 (en) * 2000-06-22 2004-09-07 Showa Denko Kabushiki Kaisha Group-III nitride semiconductor light-emitting device and production method thereof
US6835962B2 (en) * 2001-08-01 2004-12-28 Showa Denko Kabushiki Kaisha Stacked layer structure, light-emitting device, lamp, and light source unit
KR100475414B1 (ko) * 2002-03-27 2005-03-10 김영창 산화아연 박막상에서의 피-엔 접합 형성방법 및 피-엔접합 박막

Also Published As

Publication number Publication date
US20070194344A1 (en) 2007-08-23
KR101189399B1 (ko) 2012-10-10
US7868350B2 (en) 2011-01-11

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5187610B2 (ja) 窒化物半導体ウエハないし窒化物半導体装置及びその製造方法
US7001791B2 (en) GaN growth on Si using ZnO buffer layer
KR101380717B1 (ko) 반도체 기판 및 수소화물-기상 에피택시에 의해자유-기립형 반도체 기판을 제조하기 위한 방법 및 마스크층
KR101321654B1 (ko) Ⅲ족 질화물 반도체 성장용 기판, ⅲ족 질화물 반도체 에피택셜 기판, ⅲ족 질화물 반도체 소자 및 ⅲ족 질화물 반도체 자립 기판, 및 이들의 제조 방법
US20090087937A1 (en) Method for manufacturing nitride based single crystal substrate and method for manufacturing nitride based light emitting diode using the same
JP2015216378A (ja) 窒化物半導体素子ならびにその製法
KR20070102114A (ko) 질화물 반도체 발광소자 및 그 제조 방법
JP2007106665A (ja) 格子パラメータを変化させる元素を含有する窒化ガリウムデバイス基板
JP2005019872A (ja) 窒化物半導体の製造方法及び半導体ウエハ並びに半導体デバイス
US6967355B2 (en) Group III-nitride on Si using epitaxial BP buffer layer
JP2009527913A5 (ko)
US8125001B2 (en) Method for manufacturing gallium oxide based substrate, light emitting device, and method for manufacturing the light emitting device
KR100639026B1 (ko) 질화물 반도체 발광소자 및 그 제조 방법
US8633508B2 (en) Semiconductor element and a production method therefor
JP2008103665A (ja) 窒化物半導体デバイス及びその製造方法
KR101189399B1 (ko) 질화물 반도체 발광소자 및 그 제조 방법
CN101330121B (zh) 氮化物半导体发光装置的制造方法
WO2004017432A1 (en) Nitride semiconductor and fabrication method thereof
JP2013526781A (ja) 緩和層上に成長したｉｉｉ族窒化物発光デバイス
TW201010147A (en) Light emitting diode device and method for fabricating thereof
JP5015480B2 (ja) 半導体単結晶基板の製造方法
JP2002110545A (ja) 窒化物半導体素子のエピタキシャル成長
US8633495B2 (en) Nitride semiconductor light-emitting device and method of manufacturing the same
CN1972044A (zh) 半导体器件及其制造方法
KR100304733B1 (ko) 질화물 반도체의 구조 및 그 결정성장방법

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20150904

Year of fee payment: 4

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20160905

Year of fee payment: 5

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20170905

Year of fee payment: 6

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20180910

Year of fee payment: 7

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20190916

Year of fee payment: 8