KR20070079612A - Liquid crystal display panel and memufacturing method thereof - Google Patents

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KR20070079612A
KR20070079612A KR1020060010347A KR20060010347A KR20070079612A KR 20070079612 A KR20070079612 A KR 20070079612A KR 1020060010347 A KR1020060010347 A KR 1020060010347A KR 20060010347 A KR20060010347 A KR 20060010347A KR 20070079612 A KR20070079612 A KR 20070079612A
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trap
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KR1020060010347A
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손정호
계명하
전백균
서덕종
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삼성전자주식회사
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Abstract

An LCD(Liquid Crystal Display) panel and a manufacturing method thereof are provided to form a trap electrode between a display area and a sealant in order to collect ion impurities due to the non-curing of the sealant. A TFT(Thin Film Transistor) is formed at the display area of a lower substrate(10). An upper substrate is located oppositely to the lower substrate and has a black matrix for preventing the light leakage from being generated at a non-display area. A sealant(300) bonds the upper and lower substrates. A trap electrode is formed at the non-display area in a side of any one of the upper and lower substrates and collects ion impurities due to the non-curing of the sealant. The trap electrode includes the first trap electrode formed at the upper substrate. The first trap electrode is any one of a floating electrode formed by floating with the common electrode and the black matrix. A voltage supply line(400) supplies the voltage to the first trap electrode. The second trap electrode is formed on the lower substrate and overlapped with the first black matrix.

Description

액정패널 및 이의 제조방법{LIQUID CRYSTAL DISPLAY PANEL AND MEMUFACTURING METHOD THEREOF}Liquid crystal panel and its manufacturing method {LIQUID CRYSTAL DISPLAY PANEL AND MEMUFACTURING METHOD THEREOF}

도 1은 본 발명의 제1 실시 예에 따른 액정패널의 단면을 도시한 단면도이다.1 is a cross-sectional view illustrating a cross section of a liquid crystal panel according to a first embodiment of the present invention.

도 2는 본 발명의 제2 실시 예에 따른 액정패널의 단면을 도시한 단면도이다.2 is a cross-sectional view of a liquid crystal panel according to a second exemplary embodiment of the present invention.

도 3은 본 발명의 제3 실시 예에 따른 액정패널의 단면을 도시한 단면도이다.3 is a cross-sectional view illustrating a cross section of a liquid crystal panel according to a third exemplary embodiment of the present invention.

도 4는 도 3에 도시된 트랩전극을 2중 라인으로 형성한 것을 도시한 단면도이4 is a cross-sectional view illustrating the formation of the trap electrode illustrated in FIG. 3 in a double line;

도 5 및 도 6은 본 발명의 제4 실시 예에 따른 액정패널의 단면을 도시한 단면도이다.5 and 6 are cross-sectional views illustrating a cross section of a liquid crystal panel according to a fourth exemplary embodiment of the present invention.

<도면부호의 간단한 설명><Brief Description of Drawings>

1: 컬러필터 기판 2: 박막 트랜지스터 기판1: color filter substrate 2: thin film transistor substrate

10: 하부기판 20: 게이트 전극10: lower substrate 20: gate electrode

21: 게이트 절연막 22: 활성층21: gate insulating film 22: active layer

23: 오믹콘택층 30: 드레인 전극23: ohmic contact layer 30: drain electrode

31: 소스 전극 40: 콘택홀31: source electrode 40: contact hole

50: 보호막 60: 화소전극50: protective film 60: pixel electrode

100: 상부기판 110: 제2 블랙매트릭스100: upper substrate 110: the second black matrix

120: 제1 블랙매트릭스 130: 컬러필터120: first black matrix 130: color filter

140: 오버코트 150: 공통전극140: overcoat 150: common electrode

160: 플로팅 전극 200: 액정160: floating electrode 200: liquid crystal

250: 제2 트랩전극 300: 실란트250: second trap electrode 300: sealant

400: 전압공급라인400: voltage supply line

본 발명은 액정패널에 관한 것으로, 특히 실란트의 미경화로 인한 선잔상을 방지한 액정패널 및 이의 제조방법에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a liquid crystal panel, and more particularly, to a liquid crystal panel and a method of manufacturing the same, which prevents an afterimage due to uncured sealant.

일반적으로, 액정표시장치는 전계를 이용하여 액정의 광투과율을 조절함으로써 화상을 표시하는 장치이다. 이러한 액정표시장치는 액정을 사이에 두고 서로 대향하여 합착된 컬러필터 기판 및 박막 트랜지스터 기판을 구비한다.In general, a liquid crystal display device is an apparatus for displaying an image by adjusting the light transmittance of the liquid crystal using an electric field. The liquid crystal display includes a color filter substrate and a thin film transistor substrate which are bonded to each other with the liquid crystal interposed therebetween.

컬러필터 기판은 상부 기판상에 빛샘 방지를 위한 블랙매트릭스와, 색구현을 위한 컬러필터 어레이 및 액정에 공통전압을 인가하기 위한 공통전극을 포함한다.The color filter substrate includes a black matrix for preventing light leakage on the upper substrate, a color filter array for color implementation, and a common electrode for applying a common voltage to the liquid crystal.

박막 트랜지스터 기판은 하부기판 상에 서로 교차되게 형성된 게이트 라인 및 데이타 라인과, 그들의 교차부에 형성된 박막 트랜지스터, 박막 트랜지스터와 접속된 화소전극을 포함한다.The thin film transistor substrate includes a gate line and a data line formed to cross each other on a lower substrate, a thin film transistor formed at an intersection thereof, and a pixel electrode connected to the thin film transistor.

액정은 데이터 신호가 공급된 화소전극과 기준전압인 공통전압이 공급된 공통전극 간의 전압차로 구동한다. 이에 따라, 유전율 이방성을 갖는 액정이 그 전압차에 따라 회전하여 광원으로부터 입사된 광의 투과율을 가변시키게 된다.The liquid crystal is driven by the voltage difference between the pixel electrode supplied with the data signal and the common electrode supplied with the common voltage which is a reference voltage. As a result, the liquid crystal having the dielectric anisotropy rotates according to the voltage difference to vary the transmittance of the light incident from the light source.

박막 트랜지스터 어레이와 컬러필터 어레이가 형성된 각각의 기판을 실란트에 의해 합착하고 액정을 주입하여 액정패널을 제조한다. 이 때, 액정을 주입하는 공정에서 불순물이 액정내로 침투하거나, 컬러필터 기판과 박막 트랜지스터 기판을 합착하는 실란트가 액정패널 내부로 침투하여 액정을 오염시킨다.Each of the substrates on which the thin film transistor array and the color filter array are formed are bonded to each other with a sealant, and a liquid crystal is injected to manufacture a liquid crystal panel. At this time, an impurity penetrates into the liquid crystal in the process of injecting the liquid crystal, or a sealant for bonding the color filter substrate and the thin film transistor substrate penetrates into the liquid crystal panel to contaminate the liquid crystal.

특히, 액정패널 제조시 미경화된 실란트 성분들이 액정이 주입된 표시영역쪽으로 확산되어 액정패널의 주변부부터 잔상이 발생하고 시간이 지남에 따라 액정패널의 중앙부로 잔상이 확산된다. In particular, during manufacture of the liquid crystal panel, uncured sealant components are diffused toward the display region into which the liquid crystal is injected, so that an afterimage occurs from the periphery of the liquid crystal panel, and the afterimage diffuses into the center portion of the liquid crystal panel as time passes.

따라서, 본 발명에 따른 목적은 표시영역과 실란트 사이에 트랩전극을 형성하여 불순물에 의한 선잔상을 방지한 액정패널 및 이의 제조방법을 제공하는 데 있다.Accordingly, an object of the present invention is to provide a liquid crystal panel and a method of manufacturing the same, by forming a trap electrode between the display area and the sealant to prevent an afterimage caused by impurities.

상기의 목적을 달성하기 위하여, 본 발명은 표시영역에 박막 트랜지스터가 형성된 하부기판과, 상기 하부기판과 대응되며, 상기 비표시영역으로의 빛샘을 방지하는 블랙매트릭스가 형성된 상부기판과, 상기 하부기판 및 상기 상부기판을 합착하는 실란트 및 상기 상부기판 및 하부기판 중 적어도 어느 일측의 비표시영역에 형성되어 상기 실란트의 미경화에 의한 이온불순물을 포집하는 트랩전극을 구비한 것을 특징으로 하는 액정패널을 제공한다.In order to achieve the above object, the present invention provides a lower substrate on which a thin film transistor is formed in a display area, an upper substrate corresponding to the lower substrate, and a black matrix formed therein to prevent light leakage to the non-display area, and the lower substrate. And a sealant for adhering the upper substrate and a trap electrode formed in a non-display area of at least one of the upper and lower substrates to collect ionic impurities due to uncuring of the sealant. to provide.

여기서, 상기 트랩전극은 상기 상부기판에 형성된 제1 트랩전극을 포함하며, 상기 제1 트랩전극은 공통전극과 플로팅되어 형성된 플로팅 전극 및 상기 블랙매트릭스 중 적어도 어느 하나인 것을 특징으로 한다.The trap electrode may include a first trap electrode formed on the upper substrate, and the first trap electrode may be at least one of the floating electrode and the black matrix formed by floating the common electrode.

그리고, 상기 제1 트랩전극에 전압을 공급하는 전압공급라인를 더 구비한다.And a voltage supply line for supplying a voltage to the first trap electrode.

상기 제1 트랩전극은 2중 라인으로 형성되어 각각 다른 극성의 전압이 공급되는 것을 특징으로 한다.The first trap electrode is formed as a double line is characterized in that the voltage of different polarity is supplied.

상기 하부기판상에 상기 제1 블랙매트릭스와 중첩되어 제2 트랩전극이 형성된 것을 특징으로 한다.A second trap electrode is formed on the lower substrate by overlapping with the first black matrix.

상기 제2 트랩전극은 게이트 금속, 데이터 금속 및 투명금속 중 적어도 어느 하나인 것을 특징으로 한다.The second trap electrode may be at least one of a gate metal, a data metal, and a transparent metal.

상기 제2 트랩전극은 2중 라인으로 형성되어 각각 다른 극성의 전압이 공급되는 것을 특징으로 한다.The second trap electrode is formed of a double line is characterized in that the voltage of different polarity is supplied.

한편, 상기 상부기판에 형성된 제1 트랩전극 및 상기 하부기판에 형성된 제2 트랩전극을 구비하고, 상기 제1 및 제2 트랩전극에 서로 다른 극성의 전압이 각각 공급되는 것을 특징으로 한다.Meanwhile, a first trap electrode formed on the upper substrate and a second trap electrode formed on the lower substrate may be provided, and voltages having different polarities may be supplied to the first and second trap electrodes, respectively.

그리고 상기의 목적을 달성하기 위하여, 본 발명에 따른 액정패널의 제조방법은 박막 트랜지스터 어레이가 형성되며 표시영역의 외곽을 따라 도포된 실란트의 외곽에 전압공급라인를 구비한 박막 트랜지스터 기판을 마련하는 단계와, 상부기판에 불투명 금속으로 블랙매트릭스가 형성된 컬러필터 기판을 마련하는 단계와, 상기 박막 트랜지스터 기판과 상기 컬러필터 기판을 합착하여 상기 전압공급라인를 상기 블랙매트릭스와 접속하여 제1 트랩전극을 형성하는 단계를 포함한다.In order to achieve the above object, a method of manufacturing a liquid crystal panel according to the present invention includes the steps of: providing a thin film transistor substrate having a thin film transistor array and having a voltage supply line at an outer side of a sealant applied along an outer side of a display area; And forming a color filter substrate having a black matrix formed of an opaque metal on an upper substrate, and bonding the thin film transistor substrate and the color filter substrate to connect the voltage supply line with the black matrix to form a first trap electrode. It includes.

여기서 상기 컬러필터 기판을 형성하는 단계는, 상기 블랙매트릭스와 중첩되며 공통전극과 플로팅된 플로팅 전극을 형성하는 단계 및 상기 하부기판에 형성된 전압공급라인를 상기 플로팅 전극과 접속하여 제1 트랩전극을 형성하는 단계를 더 포함한다.The forming of the color filter substrate may include forming a floating electrode overlapping the black matrix and floating with the common electrode and connecting the voltage supply line formed on the lower substrate with the floating electrode to form a first trap electrode. It further comprises a step.

또한, 상기 하부기판에 상기 블랙매트릭스에 중첩되며 상기 실란트에 인접하여 불순물을 포집하는 제2 트랩전극을 형성하는 단계를 더 포함한다.The method may further include forming a second trap electrode on the lower substrate, the second trap electrode overlapping the black matrix and adjacent to the sealant to collect impurities.

상기 제1 및 제2 트랩전극 중 적어도 어느 하나는 2중 라인으로 형성되는 단계를 더 포함한다.At least one of the first and second trap electrodes may further include forming a double line.

상기 제1 트랩전극은 게이트 금속, 데이터 금속 및 투명 금속 중 적어도 어느 하나로 형성되는 단계를 더 포함한다.The first trap electrode may further include forming at least one of a gate metal, a data metal, and a transparent metal.

한편, 박막 트랜지스터 어레이가 형성되며 표시영역의 외곽을 따라 도포된 실란트를 구비한 박막 트랜지스터 기판을 마련하는 단계와, 상부기판에 블랙매트릭스가 형성된 컬러필터 기판을 마련하는 단계와, 상기 블래매트릭스와 중첩되어 상 기 하부기판의 실란트와 인접하게 형성된 트랩전극을 형성하는 단계를 더 포함한다.On the other hand, the step of providing a thin film transistor substrate having a thin film transistor array formed with a sealant applied along the outside of the display area, the step of providing a color filter substrate having a black matrix formed on the upper substrate, and overlaps with the bla matrix And forming a trap electrode formed adjacent to the sealant of the lower substrate.

또한, 상기 트랩전극은 정극성 및 부극성 전압이 공급되는 2중 라인을 형성되는 단계를 더 포함한다.The trap electrode may further include forming a double line to which positive and negative voltages are supplied.

그리고, 상기 트랩전극은 게이트 금속, 데이터 금속 및 투명 금속 중 적어도 어느 하나로 형성되는 단계를 더 포함한다.The trap electrode may further include forming at least one of a gate metal, a data metal, and a transparent metal.

상기 목적 외에 본 발명의 다른 목적 및 이점들은 첨부 도면을 참조한 본 발명의 바람직한 실시 예에 대한 설명을 통하여 명백하게 드러나게 될 것이다. 이하, 첨부한 도면을 참조하여 본 발명의 구체적인 실시 예를 상세히 설명하기로 한다.Other objects and advantages of the present invention in addition to the above object will be apparent from the description of the preferred embodiment of the present invention with reference to the accompanying drawings. Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도 1은 본 발명의 제1 실시 예에 따른 액정패널을 도시한 단면도이다.1 is a cross-sectional view of a liquid crystal panel according to a first embodiment of the present invention.

도 1을 참조하면, 본 발명의 제1 실시 예에 따른 액정패널은 표시영역에 형성된 박막 트랜지스터가 형성된 하부기판(10)과, 하부기판(10)과 대응되며, 비표시영역으로의 빛샘을 방지하는 블랙매트릭스(110, 120)가 형성된 상부기판(100)과, 하부기판(10) 및 상부기판(100)을 합착하는 실란트(300)와, 상부기판(100) 및 하부기판(10) 중 적어도 어느 일측의 비표시영역에 형성되어 실란트(300)의 확산에 의한 이온 불순물을 트랩하는 트랩전극을 구비한다.Referring to FIG. 1, the liquid crystal panel according to the first embodiment of the present invention corresponds to the lower substrate 10 having the thin film transistor formed in the display area and the lower substrate 10, and prevents light leakage to the non-display area. At least one of an upper substrate 100 having the black matrix 110 and 120 formed therein, a sealant 300 for bonding the lower substrate 10 and the upper substrate 100 to each other, and at least one of the upper substrate 100 and the lower substrate 10. And a trap electrode formed in a non-display area on either side to trap ion impurities due to diffusion of the sealant 300.

구체적으로, 액정패널은 액정(200)을 사이에 두고 서로 대향하여 합착된 박막 트랜지스터 기판(2) 및 컬러필터 기판(1)을 구비한다.Specifically, the liquid crystal panel includes a thin film transistor substrate 2 and a color filter substrate 1 bonded to each other with the liquid crystal 200 interposed therebetween.

컬러필터 기판(1)은 상부기판(100) 상에 순차적으로 형성된 블랙매트릭스 (110, 120), 컬러필터(130), 오버코트(140) 및 공통전극(150)을 구비한다. The color filter substrate 1 includes black matrices 110 and 120, a color filter 130, an overcoat 140, and a common electrode 150 sequentially formed on the upper substrate 100.

블랙 매트릭스(110, 120)는 액정패널의 외곽으로 빛샘을 방지하기 위해 형성된 제1 블랙매트릭스(120)와, 표시영역에 컬러필터(130)가 형성되어질 다수의 셀영역들로 나누고, 인접한 셀들간의 광 간섭 및 외부광 반사를 방지하는 제2 블랙매트릭스를 포함한다. 이를 위해, 제1 블랙매트릭스(120)는 상부기판(100)의 표시영역을 따라 상부기판(100)의 외곽을 따라 형성되며, 제2 블랙매트릭스(120)는 하부기판(10) 상에 형성된 데이터 라인, 게이트 라인 및 박막 트랜지스터에 중첩되게 상부기판(100) 상에 형성된다. The black matrices 110 and 120 are divided into a first black matrix 120 formed to prevent light leakage to the outside of the liquid crystal panel and a plurality of cell regions in which the color filter 130 is to be formed in the display area. A second black matrix to prevent optical interference and external light reflection of the device. To this end, the first black matrix 120 is formed along the periphery of the upper substrate 100 along the display area of the upper substrate 100, and the second black matrix 120 is formed on the lower substrate 10. The upper substrate 100 is formed to overlap the line, the gate line, and the thin film transistor.

컬러필터(130)는 제2 블랙매트릭스(110)에 의해 구분된 셀영역에 적(R), 녹(G), 청(B)으로 구분되게 형성되어 적, 녹, 청색 광을 각각 투과시킨다. 컬러필터(130)는 제2 블랙매트릭스(110)와 중첩되어 형성되어 개구율을 크게 한다.The color filter 130 is formed to be divided into red (R), green (G), and blue (B) in the cell region divided by the second black matrix 110 to transmit red, green, and blue light, respectively. The color filter 130 is formed to overlap the second black matrix 110 to increase the aperture ratio.

오버코트(140)는 블랙매트릭스와 컬러필터가 중첩되어 불규칙한 면을 평탄화한다.The overcoat 140 overlaps the black matrix and the color filter to planarize an irregular surface.

공통전극(150)은 투명 도전층으로 액정 구동시 기준이 되는 공통 전압(Vcom)을 공급한다. The common electrode 150 supplies a common voltage Vcom which is a reference when driving the liquid crystal to the transparent conductive layer.

박막 트랜지스터 기판(2)은 하부기판(10) 위에 서로 교차하게 형성된 게이트 라인 및 데이터 라인과, 그 교차부에 인접한 박막 트랜지스터와, 그 교차 구조로 마련된 화소 영역에 형성된 화소전극(60)을 구비한다. The thin film transistor substrate 2 includes a gate line and a data line intersecting each other on the lower substrate 10, a thin film transistor adjacent to the intersection portion, and a pixel electrode 60 formed in a pixel region provided in the cross structure. .

박막 트랜지스터는 게이트 라인에 공급되는 스캔 신호에 응답하여 데이터 라인에 공급되는 화소 신호가 화소전극(60)에 충전되어 유지되게 한다. 이를 위하 여, 박막 트랜지스터는 게이트 라인과 접속된 게이트 전극(20), 데이터 라인과 접속된 소스 전극(31), 소스 전극(31)과 대향하게 위치하여 화소전극(60)과 접속된 드레인 전극(30), 소스 전극(31)과 드레인 전극(30) 사이에 채널을 형성하는 활성층(22), 소스 전극(31) 및 드레인 전극(30)과의 오믹 접촉을 위한 오믹콘택층(23)을 구비한다. The thin film transistor keeps the pixel signal supplied to the data line charged in the pixel electrode 60 in response to the scan signal supplied to the gate line. To this end, the thin film transistor is positioned to face the gate electrode 20 connected to the gate line, the source electrode 31 connected to the data line, and the source electrode 31, and the drain electrode connected to the pixel electrode 60 ( 30, an active layer 22 forming a channel between the source electrode 31 and the drain electrode 30, and an ohmic contact layer 23 for ohmic contact with the source electrode 31 and the drain electrode 30. do.

화소전극(60)은 박막 트랜지스터로부터 공급된 화소 신호를 충전하여 컬러필터 기판(1)에 형성되는 공통전극(150)과 전위차를 발생시키게 된다. 이 전위차에 의해 박막 트랜지스터 기판(2)과 컬러필터 기판(1)에 위치하는 액정(200)이 유전 이방성에 의해 회전하게 되며 백라이트 유닛으로부터 화소전극(60)을 경유하여 입사되는 광량을 조절하여 컬러필터 기판(1) 쪽으로 투과시키게 된다.The pixel electrode 60 charges a pixel signal supplied from the thin film transistor to generate a potential difference with the common electrode 150 formed on the color filter substrate 1. Due to this potential difference, the liquid crystal 200 positioned on the thin film transistor substrate 2 and the color filter substrate 1 is rotated by dielectric anisotropy, and the amount of light incident from the backlight unit via the pixel electrode 60 is adjusted to adjust the color. It is made to permeate toward the filter substrate 1.

이러한 박막 트랜지스터 기판(2)과 컬러필터 기판(1)은 실란트(300)에 의해 합착된다. 실란트(300)는 박막 트랜지스터 기판(2)의 표시영역을 따라 외곽에 도포되며, 컬러필터 기판(1)과 합착된 후 경화된다. 여기서, 하부기판(10)의 표시영역을 따라 하부기판(10)의 외곽에 형성된 실란트(300)는 상부기판(100)의 제1 블랙매트릭스(120)와 중첩되어 합착된다. 실란트(300)는 제1 블랙매트릭스의 소정영역과 중첩되어 형성된다. 즉, 실란트(300)는 제1 블랙매트릭스(120)의 폭보다 좁게 형성된다.The thin film transistor substrate 2 and the color filter substrate 1 are bonded by the sealant 300. The sealant 300 is applied to the outside along the display area of the thin film transistor substrate 2 and bonded to the color filter substrate 1 and then cured. Here, the sealant 300 formed on the outer side of the lower substrate 10 along the display area of the lower substrate 10 overlaps with the first black matrix 120 of the upper substrate 100 to be bonded. The sealant 300 is formed to overlap with a predetermined region of the first black matrix. That is, the sealant 300 is formed to be narrower than the width of the first black matrix 120.

그리고, 하부기판(10)의 외곽에 실란트(300)와 중첩을 회피하여 적어도 하나 이상의 전압공급라인(400)가 형성된다. 전압공급라인(400)는 상부기판(100)의 제1 블랙매트릭스(120)에 전압을 공급한다. 이때, 전압공급라인(400)는 알루미늄 등의 금속물질로 형성된다. 이러한 전압공급라인(400)를 통해 제1 블랙매트릭스(120)에 공급된 전압은 실란트(300)의 미경화에 의해 발생된 이온불순물을 포집한다. 여기서, 이온불순물의 극성이 예측 가능한 경우 전압공급라인(400)를 통해 공급되는 전압은 이온불순물의 극성과 반대의 극성을 갖도록 한다. At least one voltage supply line 400 is formed outside the lower substrate 10 to avoid overlapping with the sealant 300. The voltage supply line 400 supplies a voltage to the first black matrix 120 of the upper substrate 100. At this time, the voltage supply line 400 is formed of a metal material such as aluminum. The voltage supplied to the first black matrix 120 through the voltage supply line 400 collects ion impurities generated by uncuring the sealant 300. Here, when the polarity of the ion impurity is predictable, the voltage supplied through the voltage supply line 400 has a polarity opposite to that of the ion impurity.

한편, 이온불순물의 극성을 미리 알 수 없는 경우, 제1 블랙매트릭스(120)를 분할 형성하여 정극성 전압 및 부극성 전압을 각각에 공급한다. 즉, 제1 블랙매트릭스(120)를 2중 라인으로 형성하여 각각의 분할된 제1 블랙매트릭스(120)에는 정극성 및 부극성 전압을 각각 공급한다. 이를 통해 이온불순물의 극성이 정극성일 경우에 제1 블랙매트릭스(120)에 부극성으로 공급된 어느 하나의 블랙매트릭스를 통해 이온불순물이 포집되고, 이와 반대로 이온불순물의 부극성일 경우에는 제1 블랙매트릭스에 정극성으로 공급된 어느 하나의 블랙매트릭스를 통해 이온불순물이 포집된다.On the other hand, when the polarity of the ion impurity is not known in advance, the first black matrix 120 is divided and supplied with the positive voltage and the negative voltage, respectively. That is, the first black matrix 120 is formed in a double line to supply the positive and negative voltages to the divided first black matrices 120, respectively. As a result, when the polarity of the ionic impurities is positive, the ionic impurities are collected through any one of the black matrices that are negatively supplied to the first black matrix 120, and conversely, when the ionic impurities are negative, the first black matrix is negative. Ion impurity is trapped through any one of the black matrices supplied with positive polarity.

여기서, 포집된 이온불순물은 제1 블랙매트릭스(120)의 내측의 비표시 영역으로 포집되므로 이온불순물의 포집으로 인한 표시불량이 발생하지 않는다.Here, since the collected ion impurities are collected into the non-display area inside the first black matrix 120, display defects due to the collection of ion impurities do not occur.

또한, 제1 블랙매트릭스(120)와 중첩된 플로팅 전극(160)을 이용하여 이온불순물을 포집할 수 있다.In addition, the ion impurity may be collected using the floating electrode 160 overlapping the first black matrix 120.

도 2는 본 발명의 제2 실시 예에 따른 액정패널의 단면을 도시한 도면이다. 2 is a cross-sectional view of a liquid crystal panel according to a second exemplary embodiment of the present invention.

도 2를 참조하면, 제1 블랙매트릭스(120)와 중첩되게 형성된 플로팅 전극(160)을 더 구비한다. 여기서 플로팅 전극(160)은 공통전극(150)과 절연되게 플로팅되어 제1 블랙매트릭스(120)와 중첩되게 형성되며, 실란트(300)의 외곽에 형성된 전압공급라인(400)를 통해 전압을 인가받는다. Referring to FIG. 2, a floating electrode 160 is formed to overlap the first black matrix 120. Here, the floating electrode 160 is floated to be insulated from the common electrode 150 to overlap the first black matrix 120, and receives a voltage through the voltage supply line 400 formed at the outer side of the sealant 300. .

플로팅 전극(160)을 통해 이온불순물을 포집하는 제1 트랩전극을 형성할 수 있다. A first trap electrode may be formed through the floating electrode 160 to collect ion impurities.

또한, 플로팅 전극(160)은 2중 라인으로 형성할 수 있다. 여기서 2중으로 형성된 각각의 플로팅 전극(160)에는 정극성 및 부극성 전압이 인가되어 이온불순물의 극성을 예측하지 못하는 경우에도 이온불순물을 포집할 수 있다.In addition, the floating electrode 160 may be formed as a double line. Here, each of the floating electrodes 160 formed as a double may collect ionic impurities even when positive and negative voltages are applied to predict the polarity of the ionic impurities.

도 1 및 도 2를 참조하여 본 발명의 제1 및 제2 실시 예에 따른 액정패널을 제조하는 방법을 설명하기로 한다.A method of manufacturing a liquid crystal panel according to the first and second embodiments of the present invention will be described with reference to FIGS. 1 and 2.

먼저 유리나 플라스틱 같은 하부기판(10)상에 스퍼터링 등의 방법으로 Cr 또는 Cr합금, Al 또는 Al합금, Mo 또는 Mo합금, Ag 또는 Ag합금 등의 게이트 라인, 게이트 전극(20)을 포함하는 게이트 금속층을 단일층 또는 다중층으로 증착한 후, 게이트 마스트를 사용한 사진식각공정을 통해 게이트 금속층을 패터닝하여 게이트 패턴을 형성한다.First, a gate metal layer including a gate line such as Cr or Cr alloy, Al or Al alloy, Mo or Mo alloy, Ag or Ag alloy, or gate electrode 20 by sputtering or the like on the lower substrate 10 such as glass or plastic. After depositing a single layer or multiple layers, the gate metal layer is patterned through a photolithography process using a gate mast to form a gate pattern.

게이트 패턴을 형성한 후에 PECVD(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition) 등의 방법을 사용하여 SiNx 또는 SiOx와 같은 게이트 절연막(21)과 a-Si와 같은 활성층(22)과 n도핑된 a-Si와 같은 오믹콘택층(23)을 연속증착한다. 그런 다음, 액티브마스크를 사용한 사진식각공정을 통해 활성층(22) 및 오믹콘택층(23)을 형성한다.After the gate pattern is formed, a gate insulating film 21 such as SiNx or SiOx and an active layer 22 such as a-Si and an ohmic such as n-doped a-Si are formed using a method such as plasma enhanced chemical vapor deposition (PECVD). The contact layer 23 is continuously deposited. Then, the active layer 22 and the ohmic contact layer 23 are formed through a photolithography process using an active mask.

게이트 절연막(21) 및 활성층, 오믹콘택층(23)을 형성한 후에 스퍼터링 등의 방법을 사용하여 게이트 절연막(21)과 오믹콘택층(23) 상에 Cr 또는 Cr합금, Al 또 는 Al합금, Mo 또는 Mo합금, Ag 또는 Ag합금, Ti 또는 Ti합금 등의 데이터 금속층을 단일층 또는 다중층으로 증착한다. 이어 데이터마스크를 사용한 사진식각공정을 통해 데이터 금속층을 패터닝하여 단일층 또는 다중층의 데이터 패턴을 형성한다. 그런 다음, 소스 전극(31) 및 드레인 전극(30) 사이에 노출되어 있는 오믹콘택층(23)을 건식식각하여 활성층(22)을 노출시킨다.After the gate insulating film 21 and the active layer and the ohmic contact layer 23 are formed, Cr or Cr alloys, Al or Al alloys are formed on the gate insulating film 21 and the ohmic contact layer 23 using a method such as sputtering. A data metal layer such as Mo or Mo alloy, Ag or Ag alloy, Ti or Ti alloy is deposited in a single layer or multiple layers. Subsequently, the data metal layer is patterned through a photolithography process using a data mask to form a single or multiple data pattern. Then, the ohmic contact layer 23 exposed between the source electrode 31 and the drain electrode 30 is dry etched to expose the active layer 22.

데이터패턴을 형성한 후에 PECVD 등의 방법을 사용하여 SiNx 또는 SiOx와 같은 보호막(50)을 증착한다. 이어 보호막마스크를 사용한 사진식각공정을 통해 콘택홀(40)을 형성함으로써 드레인 전극(30)을 노출시킨다. After forming the data pattern, a protective film 50 such as SiNx or SiOx is deposited using a method such as PECVD. Subsequently, the contact hole 40 is formed through a photolithography process using a protective film mask to expose the drain electrode 30.

보호막(50)을 형성한 후에 스퍼터링 등의 방법을 사용하여 ITO(Indium Tin Oxide)나 IZO(Indium Zinc Oxide)와 같은 투명도전금속층을 형성하고 화소전극마스크를 사용한 사진식각공정을 통해 투명도전금속층을 패터닝하여 화소전극(60)을 형성한다.After the protective film 50 is formed, a transparent conductive metal layer such as indium tin oxide (ITO) or indium zinc oxide (IZO) is formed by a method such as sputtering, and the transparent conductive metal layer is formed through a photolithography process using a pixel electrode mask. The pixel electrode 60 is formed by patterning.

다음으로는 컬러필터 기판의 제조방법에 대해 설명한다.Next, the manufacturing method of a color filter substrate is demonstrated.

유리나 플라스틱 같은 상부기판(100)상에 스퍼터링 등의 방법을 사용하여 Cr 또는 Cr합금 등의 블랙층을 단일층 또는 다중층으로 증착한다. 그런 다음, 블랙매트릭스마스크를 사용한 사진식각공정을 통해 상부기판(100)의 외곽을 따라 형성된 제1 블랙매트릭스(120) 및 표시영역에 셀영역을 구분하는 제2 블랙매트릭스(110)를 형성한다.On the upper substrate 100 such as glass or plastic, a black layer such as Cr or Cr alloy is deposited in a single layer or multiple layers using a method such as sputtering. Thereafter, a first black matrix 120 formed along the periphery of the upper substrate 100 and a second black matrix 110 for dividing the cell region are formed through the photolithography process using the black matrix mask.

제1 및 제2 블랙매트릭스(120, 110)를 형성한 후에 적색컬러필터(R)와 녹색컬러필터(G) 및 청색컬러필터(B)가 필터마스크를 사용한 사진공정을 통해 차례로 형성한다.After the first and second black matrices 120 and 110 are formed, the red color filter R, the green color filter G, and the blue color filter B are sequentially formed through a photographic process using a filter mask.

컬러필터(130)를 형성한 후에 유기물질을 전면에 도포하여 오버코트(140)를 형성한다. After forming the color filter 130, the organic material is applied to the entire surface to form the overcoat 140.

이어 스퍼터링 등의 방법을 사용하여 ITO(Indium Tin Oxide)나 IZO(Indium Zinc Oxide)와 같은 금속을 증착하여 공통전극(150)을 형성한다.Subsequently, a common electrode 150 is formed by depositing a metal such as indium tin oxide (ITO) or indium zinc oxide (IZO) using a method such as sputtering.

상술한 바와 같이, 박막 트랜지스터 기판(2) 및 컬러필터 기판(1)이 각각 제조되면 하부기판(10)상에 표시영역의 외곽을 따라 실란트(300)를 도포한다. 그리고 실란트(300)와 하부기판(10)의 가장자리에 상부기판(100)의 제1 블랙매트릭스(120)와 전기적으로 접촉되는 Al 등의 물질로 이루어진 전압공급라인(400)를 도포한다. As described above, when the thin film transistor substrate 2 and the color filter substrate 1 are manufactured, the sealant 300 is coated on the lower substrate 10 along the outside of the display area. The voltage supply line 400 made of a material such as Al in electrical contact with the first black matrix 120 of the upper substrate 100 is applied to the edges of the sealant 300 and the lower substrate 10.

다음으로, 두 기판(1, 2)을 합착하고 액정(200)을 주입하여 액정패널을 제조한다. 이때, 전압공급라인(400)와 제1 블랙매트릭스(120)를 전기적으로 접속하여 제1 블랙매트릭스(120)를 제1 트랩전극으로 사용한다.Next, the two substrates 1 and 2 are bonded to each other and the liquid crystal 200 is injected to manufacture a liquid crystal panel. At this time, the voltage supply line 400 and the first black matrix 120 are electrically connected to each other to use the first black matrix 120 as the first trap electrode.

한편, 공통전극(150)을 형성하는 단계에서 상부기판(100)의 공통전극(150)을 패터닝하여 플로팅 전극(160)을 형성한다. 플로팅 전극(160)은 제1 블랙매트릭스(120)와 중첩되어 형성된다. 그리고, 플로팅 전극(160)과 하부기판(10)에 형성된 전압공급라인(400)를 접속하여 제1 트랩전극을 형성한다.Meanwhile, in the forming of the common electrode 150, the floating electrode 160 is formed by patterning the common electrode 150 of the upper substrate 100. The floating electrode 160 overlaps with the first black matrix 120. In addition, a first trap electrode is formed by connecting the floating electrode 160 and the voltage supply line 400 formed on the lower substrate 10.

한편, 블랙층을 형성하는 단계에서 제1 블랙매트릭스(120)는 2중 라인으로 패터닝하여 형성할 수 있다. 그리고, 전압공급라인(400)를 통해 각각의 제1 블랙매트릭스(120)를 접속하여 제1 트랩전극으로 이용할 수 있다.Meanwhile, in the forming of the black layer, the first black matrix 120 may be formed by patterning a double line. Each of the first black matrices 120 may be connected through the voltage supply line 400 to be used as the first trap electrode.

또한, 공통전극(150)을 형성하는 단계에서 플로팅 전극(160)을 2중 라인으로 패터닝하여 형성하고 전압공급라인(400)를 통해 각각의 플로팅 전극(160)을 접속한다.In addition, in the forming of the common electrode 150, the floating electrode 160 is formed by patterning a double line, and each floating electrode 160 is connected through the voltage supply line 400.

본 발명에 따른 액정패널은 상술한 기능 및 효과를 갖는 제2 트랩전극이 하부기판(10)에 형성될 수 있다.In the liquid crystal panel according to the present invention, a second trap electrode having the above-described functions and effects may be formed on the lower substrate 10.

도 3은 본 발명의 제3 실시 예에 따른 액정패널의 단면을 도시한 단면도이고, 도 4는 도 3에 도시된 트랩전극을 2중 라인으로 형성한 것을 도시한 단면도이다.3 is a cross-sectional view illustrating a cross section of a liquid crystal panel according to a third exemplary embodiment of the present invention, and FIG. 4 is a cross-sectional view illustrating a trap line illustrated in FIG.

본 발명의 제3 실시 예에 따를 액정패널은 도 1에 도시된 액정패널과 대비하여 실란트(300)와 인접한 영역의 하부기판(10)상에 제2 트랩전극(250)을 형성한 것을 제외하고는 동일한 구성을 갖는다. 따라서, 동일한 구성요소에 대한 중복된 설명은 생략하기로 한다.In the liquid crystal panel according to the third exemplary embodiment of the present invention, the second trap electrode 250 is formed on the lower substrate 10 in the region adjacent to the sealant 300 as compared to the liquid crystal panel shown in FIG. 1. Has the same configuration. Therefore, duplicate descriptions of the same components will be omitted.

도 3을 참조하면, 하부기판(10) 상에 실란트(300)와 인접한 영역에 도전성이 있는 금속등의 물질로 제2 트랩전극(250)이 형성된다. 제2 트랩전극(250)은 상부기판(100)의 제1 블랙매트릭스(120)와 중첩되도록 형성되며, 정극성 또는 부극성의 전압이 공급된다. 이 때, 상부기판(100)에는 트랩전극이 형성되지 않는다. Referring to FIG. 3, a second trap electrode 250 is formed of a conductive metal or the like in a region adjacent to the sealant 300 on the lower substrate 10. The second trap electrode 250 is formed to overlap the first black matrix 120 of the upper substrate 100 and is supplied with a positive or negative voltage. At this time, the trap electrode is not formed on the upper substrate 100.

여기서, 이온불순물의 극성을 예측할 수 없는 경우, 도 4에 도시한 바와 같이, 제2 트랩전극(250)은 2중 라인으로 각각 형성하여 각각의 트랩전극(251, 252)에 정극성과 부극성의 전압을 각각 공급하여 제2 트랩전극(250)을 통해 이온불순물을 포집한다. In this case, when the polarity of the ion impurity cannot be predicted, as shown in FIG. 4, the second trap electrodes 250 are formed in double lines, respectively, so that the positive and negative polarities of the trap electrodes 251 and 252 are different. A voltage is supplied to each other to collect ion impurities through the second trap electrode 250.

여기서, 제2 트랩전극(250)은 게이트 라인과 동일한 게이트 금속층, 데이터 라인과 동일한 데이트 금속층 또는 화소전극과 동일한 투명전극층 중 적어도 어느 하나로 형성된다. 이 때, 제2 트랩전극(250)은 표시영역으로 신호를 공급하는 신호라인과의 접속을 회피하기 위하여 절연막들의 상부에 형성된 화소전극(60)과 동일한 투명전극으로 형성하는 것이 바람직하다.The second trap electrode 250 is formed of at least one of the same gate metal layer as the gate line, the same data metal layer as the data line, or the same transparent electrode layer as the pixel electrode. In this case, the second trap electrode 250 may be formed of the same transparent electrode as the pixel electrode 60 formed on the insulating layers in order to avoid connection with a signal line supplying a signal to the display area.

도 3 및 도 4를 참조하여 본 발명의 제3 및 제4 실시 예에 따른 액정패널의 제조방법을 설명한다. 도 3 및 도 4는 도 1 및 도 2에 도시된 도면과 대비하여 비표시영역에 형성된 제2 트랩전극(250)을 제외하고는 동일한 제조방법이므로 구체적인 설명은 생략하기로 한다.A method of manufacturing a liquid crystal panel according to third and fourth embodiments of the present invention will be described with reference to FIGS. 3 and 4. 3 and 4 are the same manufacturing method except for the second trap electrode 250 formed in the non-display area in comparison with the drawings illustrated in FIGS. 1 and 2, and thus, detailed description thereof will be omitted.

먼저, 박막 트랜지스터 기판의 제조방법을 설명한다. 여기서, 게이트 패턴, 게이트 절연막, 활성층, 오믹콘택층 및 데이터 패턴층을 형성하는 단계는 본 발명의 제1 및 제2 실시 예에 따른 박막 트랜지스터 기판의 제조방법과 동일하므로 그 구체적인 설명은 생략하기로 한다.First, the manufacturing method of a thin film transistor substrate is demonstrated. Here, the steps of forming the gate pattern, the gate insulating film, the active layer, the ohmic contact layer, and the data pattern layer are the same as the method of manufacturing the thin film transistor substrate according to the first and second embodiments of the present invention, and thus the detailed description thereof will be omitted. do.

보호막(50)을 형성한 후에 스퍼터링 등의 방법을 사용하여 ITO나 IZO와 같은 투명도전금속층을 형성하고 화소전극마스크를 사용한 사진식각공정을 통해 투명도전금속층을 패터닝하여 화소전극(60)을 형성한다. 이 때, 투명도전금속층을 패터닝하여 제2 트랩전극(250)을 실란트(300)가 도포되는 영역에 제1 블랙매트릭스(120)와 대응되도록 형성한다.After the protective film 50 is formed, a transparent conductive metal layer such as ITO or IZO is formed using a method such as sputtering, and the transparent conductive metal layer is patterned through a photolithography process using a pixel electrode mask to form the pixel electrode 60. . In this case, the transparent conductive metal layer is patterned so that the second trap electrode 250 is formed to correspond to the first black matrix 120 in the region where the sealant 300 is applied.

제2 트랩전극(250)은 도 4에 도시된 바와 같이, 2중 라인으로 패터닝 되어 형성되어 정극성 전압 및 부극성 전압이 각각에 공급될 수 있도록 한다. As illustrated in FIG. 4, the second trap electrode 250 is patterned in a double line so that a positive voltage and a negative voltage can be supplied to each.

여기서 상부기판(100)의 제1 블랙매트릭스 또는 플로팅 전극(160)과 접속되는 전압공급라인(400)는 형성하지 않는다.The voltage supply line 400 connected to the first black matrix or the floating electrode 160 of the upper substrate 100 is not formed.

이하 컬러필터 제조방법은 상술한 제조방법과 동일하므로 생략하기로 한다.Hereinafter, the color filter manufacturing method is the same as the above-described manufacturing method, and thus will be omitted.

도 5 및 도 6은 본 발명의 제4 실시 예에 따른 액정패널의 단면을 도시한 단면도들이다. 5 and 6 are cross-sectional views illustrating a cross section of a liquid crystal panel according to a fourth embodiment of the present invention.

도 5 및 도 6은 도 1 내지 도 4와 대조하여 동일한 구성요소를 구비하고 상부기판(100)과 하부기판(10) 각각에 제1 및 제2 트랩전극(250)이 형성된다. 따라서, 동일한 구성요소에 대한 중복된 설명은 생략하기로 한다.5 and 6 have the same components as in FIGS. 1 through 4, and first and second trap electrodes 250 are formed on the upper substrate 100 and the lower substrate 10, respectively. Therefore, duplicate descriptions of the same components will be omitted.

도 5 및 도 6을 참조하면, 상부기판(100)에 형성된 제1 트랩전극과 하부기판(10)에 형성된 제2 트랩전극(250)을 포함한다.5 and 6, a first trap electrode formed on the upper substrate 100 and a second trap electrode 250 formed on the lower substrate 10 are included.

제1 트랩전극은 도 5에 도시한 바와 같이, 상부기판(100)상에 형성된 제1 블랙매트릭스(120)로 형성되거나, 도 6에 도시한 바와 같이 플로팅 전극(160)으로 형될 수 있다. 그리고 제2 트랩전극(250)은 하부기판(10)상에 제1 블랙매트릭스(120) 또는 플로팅 전극(160)과 대응되게 형성된다. 이 때, 제1 트랩전극과 제2 트랩전극(250)은 서로 다른 극성의 전압이 인가되도록 한다. 특히, 상부기판(100)에 형성되는 블랙매트릭스를 유기수지를 사용하는 경우 제1 트랩전극은 플로팅 전극(160)으로 형성된다. As illustrated in FIG. 5, the first trap electrode may be formed of the first black matrix 120 formed on the upper substrate 100 or may be formed of the floating electrode 160 as illustrated in FIG. 6. The second trap electrode 250 is formed on the lower substrate 10 to correspond to the first black matrix 120 or the floating electrode 160. In this case, the first trap electrode and the second trap electrode 250 may be applied with voltages of different polarities. In particular, when the organic material is used as the black matrix formed on the upper substrate 100, the first trap electrode is formed as the floating electrode 160.

상술한 바와 같이, 본 발명에 따른 액정패널 및 이의 제조방법은 상부기판 또는 하부기판 중 적어도 어느 일측에 형성된 트랩전극을 통해 실란트 미경화로 기인한 이온불순물을 포집하여 액정패널의 표시불량을 방지할 수 있다.As described above, the liquid crystal panel and the method of manufacturing the same according to the present invention can prevent the display defect of the liquid crystal panel by trapping the ionic impurities caused by the uncured sealant through the trap electrode formed on at least one side of the upper substrate or the lower substrate. have.

이상에서 상술한 본 발명은 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 여러 가지 치환, 변형 및 변경이 가능하다 할 것이다. 따라서 본 발명은 상술한 실시 예 및 첨부된 도면에 한정하지 않고 청구범위에 의해 그 권리가 정해져야 할 것이다.The present invention described above will be capable of various substitutions, modifications and changes by those skilled in the art to which the present invention pertains. Therefore, the present invention should not be limited to the above-described embodiments and the accompanying drawings, and the rights thereof should be determined by the claims.

Claims (16)

표시영역에 박막 트랜지스터가 형성된 하부기판과;A lower substrate on which a thin film transistor is formed in the display area; 상기 하부기판과 대응되며, 상기 비표시영역으로의 빛샘을 방지하는 블랙매트릭스가 형성된 상부기판과;An upper substrate corresponding to the lower substrate and having a black matrix formed therein to prevent light leakage into the non-display area; 상기 하부기판 및 상기 상부기판을 합착하는 실란트; 및A sealant for bonding the lower substrate and the upper substrate together; And 상기 상부기판 및 하부기판 중 적어도 어느 일측의 비표시영역에 형성되어 상기 실란트의 미경화에 의한 이온불순물을 포집하는 트랩전극을 구비한 것을 특징으로 하는 액정패널.And a trap electrode formed in a non-display area of at least one of the upper substrate and the lower substrate and collecting ions impurities due to uncured sealant. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 트랩전극은 상기 상부기판에 형성된 제1 트랩전극을 포함하며, 상기 제1 트랩전극은 공통전극과 플로팅되어 형성된 플로팅 전극 및 상기 블랙매트릭스 중 적어도 어느 하나인 것을 특징으로 하는 액정패널.The trap electrode includes a first trap electrode formed on the upper substrate, wherein the first trap electrode is at least one of the floating electrode and the black matrix formed by floating the common electrode and the liquid crystal panel. 제 2 항에 있어서,The method of claim 2, 상기 제1 트랩전극에 전압을 공급하는 전압공급라인를 더 구비한 것을 특징으로 하는 액정패널.And a voltage supply line for supplying a voltage to the first trap electrode. 제 3 항에 있어서,The method of claim 3, wherein 상기 제1 트랩전극은 2중 라인으로 형성되어 각각 다른 극성의 전압이 공급되는 것을 특징으로 하는 액정패널.The first trap electrode is formed as a double line, the liquid crystal panel, characterized in that the voltage of different polarity is supplied. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 하부기판상에 상기 제1 블랙매트릭스와 중첩되어 제2 트랩전극이 형성된 것을 특징으로 하는 액정패널.And a second trap electrode overlapping the first black matrix on the lower substrate. 제 5 항에 있어서, The method of claim 5, 상기 제2 트랩전극은 게이트 금속, 데이터 금속 및 투명금속 중 적어도 어느 하나인 것을 특징으로 하는 액정패널.The second trap electrode is at least one of a gate metal, a data metal and a transparent metal. 제 6 항에 있어서,The method of claim 6, 상기 제2 트랩전극은 2중 라인으로 형성되어 각각 다른 극성의 전압이 공급되는 것을 특징으로 하는 액정패널.The second trap electrode is formed of a double line, the liquid crystal panel, characterized in that the voltage of different polarity is supplied. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 상부기판에 형성된 제1 트랩전극; 및A first trap electrode formed on the upper substrate; And 상기 하부기판에 형성된 제2 트랩전극을 구비하고, 상기 제1 및 제2 트랩전극에 서로 다른 극성의 전압이 각각 공급되는 것을 특징으로 하는 액정패널.And a second trap electrode formed on the lower substrate, and voltages having different polarities are respectively supplied to the first and second trap electrodes. 박막 트랜지스터 어레이가 형성되며 표시영역의 외곽을 따라 도포된 실란트의 외곽에 전압공급라인를 구비한 박막 트랜지스터 기판을 마련하는 단계와;Providing a thin film transistor substrate having a thin film transistor array, the thin film transistor substrate having a voltage supply line at an outer side of a sealant applied along an outer side of a display area; 상부기판에 불투명 금속으로 블랙매트릭스가 형성된 컬러필터 기판을 마련하는 단계와;Providing a color filter substrate having a black matrix formed of an opaque metal on the upper substrate; 상기 박막 트랜지스터 기판과 상기 컬러필터 기판을 합착하여 상기 전압공급라인를 상기 블랙매트릭스와 접속하여 제1 트랩전극을 형성하는 단계를 포함하는 액정패널의 제조방법.And bonding the thin film transistor substrate and the color filter substrate to connect the voltage supply line with the black matrix to form a first trap electrode. 제 9 항에 있어서,The method of claim 9, 상기 컬러필터 기판을 형성하는 단계는,Forming the color filter substrate, 상기 블랙매트릭스와 중첩되며 공통전극과 플로팅된 플로팅 전극을 형성하는 단계; 및 Forming a floating electrode overlapping the black matrix and floating with the common electrode; And 상기 하부기판에 형성된 전압공급라인를 상기 플로팅 전극과 접속하여 제1 트랩전극을 형성하는 단계를 더 포함하는 액정패널의 제조방법.And forming a first trap electrode by connecting the voltage supply line formed on the lower substrate to the floating electrode. 제 10 항에 있어서,The method of claim 10, 상기 하부기판에 상기 블랙매트릭스에 중첩되며 상기 실란트에 인접하여 불순물을 포집하는 제2 트랩전극을 형성하는 단계를 더 포함하는 액정패널의 제조방법.And forming a second trap electrode on the lower substrate, the second trap electrode overlapping the black matrix and adjacent to the sealant to collect impurities. 제 11 항에 있어서,The method of claim 11, 상기 제1 및 제2 트랩전극 중 적어도 어느 하나는 2중 라인으로 형성되는 단계를 더 포함하는 액정패널의 제조방법.At least one of the first and second trap electrode further comprises the step of forming a double line of the liquid crystal panel. 제 12항에 있어서,The method of claim 12, 상기 제1 트랩전극은 게이트 금속, 데이터 금속 및 투명 금속 중 적어도 어느 하나로 형성되는 단계를 더 포함하는 액정패널의 제조방법.And the first trap electrode is formed of at least one of a gate metal, a data metal, and a transparent metal. 박막 트랜지스터 어레이가 형성되며 표시영역의 외곽을 따라 도포된 실란트를 구비한 박막 트랜지스터 기판을 마련하는 단계와;Providing a thin film transistor substrate on which a thin film transistor array is formed, the thin film transistor substrate having a sealant applied along an edge of the display area; 상부기판에 블랙매트릭스가 형성된 컬러필터 기판을 마련하는 단계와;Providing a color filter substrate having a black matrix formed on the upper substrate; 상기 블랙매트릭스와 중첩되어 상기 하부기판의 실란트와 인접하게 형성된 트랩전극을 형성하는 단계를 더 포함하는 액정패널의 제조방법.And forming a trap electrode overlapping the black matrix and formed adjacent to the sealant of the lower substrate. 제 14 항에 있어서,The method of claim 14, 상기 트랩전극은 정극성 및 부극성 전압이 공급되는 2중 라인을 형성되는 단계를 더 포함하는 액정패널의 제조방법.The trap electrode further comprises the step of forming a double line is supplied with a positive and negative voltage. 제 15 항에 있어서,The method of claim 15, 상기 트랩전극은 게이트 금속, 데이터 금속 및 투명 금속 중 적어도 어느 하 나로 형성되는 단계를 더 포함하는 액정패널의 제조방법.The trap electrode may further include forming at least one of a gate metal, a data metal, and a transparent metal.
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