KR20070077278A - 플라즈마 디스플레이 패널의 제조방법 - Google Patents

Abstract

본 발명은 플라즈마 디스플레이 패널의 제조방법에 관한 것으로, 상판과 하판을 제조하여 합착하는 단계, 임시방전가스를 주입하고 방전시키는 단계, 상기 임시방전가스와 방전을 통해 발생한 불순물을 배기하는 단계, 방전가스를 주입하고 에이징(Aging)을 수행하는 단계를 포함하여 이루어진다. 본 발명의 이러한 특징에 의해, 특별한 장치없이 패널내에 잔존하는 불순물을 효과적으로 제거할 수 있으며, 에이징 과정에서의 불순물 발생을 방지하고 에이징 시간을 단축할 수 있으며, 플라즈마 디스플레이 패널의 안정성과 장수명을 실현하는 효과를 제공한다.

플라즈마 디스플레이 패널, 방전, 불순물

Description

플라즈마 디스플레이 패널의 제조방법{Method Of Manufacturing Plasma Display Panel}

도 1은 일반적인 플라즈마 디스플레이 패널의 분해사시도,

도 2는 일반적인 플라즈마 디스플레이 패널의 제조방법 수순도,

도 3은 본 발명의 일실시예에 따른 플라즈마 디스플레이 패널 제조방법의 수순도,

도 4는 본 발명에 따라 제조된 플라즈마 디스플레이 패널을 도시한 도이다.

***도면의 주요 부호의 설명***

10 : 상부기판 11 : 스캔 전극

12 : 서스테인 전극 13 : 상부 유전체층

14 : 보호막층 20 : 하부기판

21 : 어드레스 전극 22 : 하부 유전체층

23 : 격벽 24 : 형광체층

본 발명은 플라즈마 디스플레이 패널의 제조방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 상판 및 하판의 합착 후 에이징 공정 전에 패널내의 불순물 제거를 위해 고전압에서 방전을 수행한 후에 배기하는 플라즈마 디스플레이 패널의 제조방법에 관한 것이다.

플라즈마 디스플레이 패널은 가스방전이라는 물리적 현상을 이용하여 화상을 표시하기 위한 것으로서 작게는 단일 디지트에서 크게는 2백만 화소를 갖는 대각선 1m 크기의 그래픽용 디스플레이에 이르기까지 광범위한 크기 범위를 갖는 표시 소자이며, 상업적 제품으로 성공을 거두고 있는 디스플레이 중의 하나이다.

플라즈마 디스플레이 패널은 매우 강한 방전의 비선형성을 갖고 있어서, 점화전압 이하에서는 방전하지 않으므로 라인 수에 대한 제한이 없어 대형 제작이 가능하고 구동회로수를 줄이기 위한 다중화 기술을 이용할 수 있다. 또한 통상의 음극선관에 비하여 장수명이며 휘도와 휘도 효율이 높고 구조가 간단하며 제작이 용이한 점 등의 여러가지 장점을 갖고 있다. 이러한 장점으로 플라즈마 디스플레이 패널은 정보사회의 급신장에 따라 그 수요가 급증하고 있다.

플라즈마 디스플레이 패널은 방전셀에 인가하는 구동전압의 형식에 따라 교 류형과 직류형으로 나누어지는데, 널리 사용되는 것은 교류형으로서, 교류형에 대하여 좀더 상세히 설명하면, 각 유지 전극들이 유전체층 및 보호층에 의하여 방전층과 분리되어서 방전 현상시 발생되는 하전입자들을 상기 전극들이 흡수하지 않고 벽전하를 형성하게 되며 이 벽전하를 이용하여 다음 방전을 일으키도록 형성된 것이다.

도 1은 일반적인 교류형 플라즈마 디스플레이 패널의 개략적인 구성을 나타낸 분해사시도이다.

도시된 바와 같이 플라즈마 표시 장치는 하부 기판(110)과, 상기 하판 위에 형성된 어드레스 전극(111)과, 이 어드레스 전극이 형성된 하판 기판 위에 형성된 유전체층(112)과, 이 유전체층 상에 형성되어 방전거리를 유지시키고 셀간의 전기적 광학적 크로스 토크(Cross Talk)를 방지하는 격벽(113)과, 상기 격벽이 형성된 하판과 결합되며 상기 어드레스 전극과 직교하도록 소정의 패턴의 유지 전극쌍(114, 115)과 버스 전극쌍(114a, 115a)이 하면에 형성된 상부 기판(116)을 구비하여 구성된다. 상기 유지 전극쌍은 빛의 투과를 위하여 투명전극이 사용되며 투명전극의 높은 저항을 보상하기 위한 버스 전극이 접합된 형태가 일반적이다. 상기 격벽에 의해 구획된 내부공간 내의 적어도 일측에는 형광체층(117)이 형성되고, 상기 상판의 하면에는 전극들이 매립되는 유전체층(118)과 보호막(119)이 형성된다. 상기 내부공간에는 네온(Ne), 크세논(Xe) 등이 혼합된 방전가스가 주입된다.

이러한 플라즈마 디스플레이 패널의 화상을 구현할 때에는 전극에 방전개시전압을 인가하게 되며 보호막 위에서 플라즈마 방전이 일어난다. 이 때, 인가되는 전압의 크기는 전면과 후면기판 사이에 형성되는 내부공간의 간격, 내부공간 내에 유입한 방전가스의 종류와 압력, 유전체와 보호막의 성질에 따라 결정된다. 플라즈마 방전시 내부공간 내의 양이온들과 전자들은 서로 반대의 극성(Polarization)을 가지고 이동하며 결국,보호막의 표면은 서로 반대되는 두 개의 다른 극성을 가진 부분으로 나누어진다. 이와 같은 벽전하들은 보호막이 근본적으로 저항이 높은 절연체이므로 보호막 표면에 남아 있으며, 이러한 벽전하의 영향으로 방전개시전압보다 낮은 전압에서 방전이 유지되는 현상, 즉 교류형 플라즈마 디스플레이 패널 고유의 메모리 기능을 갖게 된다.

도 2는 일반적인 플라즈마 디스플레이 패널의 제조방법의 수순도이다.

도 2를 참조하면, 플라즈마 디스플레이 패널의 상판과 하판을 제조하고 이를 합착시킴과 아울러 상기 상, 하판 사이의 공기를 배기시키는 단계와, 방전가스를 주입하고 팁-오프(Tip-Off)하는 단계와, 상기 상/하부기판(10, 12)에 에이징을 수행하는 단계로 구성된다.

상판과 하판을 합착한 후, 상판과 하판 사이의 방전공간의 공기를 배기관을 통해 10^-6 Torr까지 배기시킨다. 이 후, 방전공간 내에 불활성가스를 소정의 압력으로 주입한 후, 배기관을 팁 오프(Tip Off)를 통해 방전가스가 누설되지 않도록 밀 봉한다. 이 팁-오프된 패널은 전기적 및 광학적 특성이 안정되도록 상온에서 에이징(aging)을 한다. 이러한 에이징 과정은 에이징 장치에 의해서 이루어지게 된다.

일반적으로 에이징 공정을 거치게 되면 PDP의 방전 전압이 낮아지고 전류가 안정화되며, 이미지 측면에서는 휘도와 색온도, 색좌표 등이 균일하게 나타나게 된다. 부가적으로, 팁을 사용한 배기로 인하여 배기관 근처에서 잔상의 무늬가 나타난다거나 방전의 특성이 좋지 않다거나 하는 경향이 이 에이징 공정을 통하여 어느 정도 해결되어 전체적인 PDP의 특성에 좋은 영향을 가져오게 된다.

일반적인 에이징 장치는 상판의 양측에 형성되는 전도성 패드들과, 전도성패드들에 전압을 공급하는 전원공급원과, 상판과 대향되어 방전 공간을 형성하는 하판을 구비한다. 두 전도성패드에 전압이 인가되면 상판과 하판 사이의 방전공간 내에 주입된 방전가스들은 방전을 일으켜 플라즈마 상태가 된다. 여기서, 방전은 전도성패드에 의한 전하의 공급량, 즉 전력에 따라 좌우되므로 전도성패드에 공급되는 전압과 전류의 조정에 따라 적절한 에이징 방전조건을 설정할 수 있다.

그러나 이러한 일반적인 에이징 방법에서는, 보호막층, 유전체층, 또는 형광체층에 결합, 흡착된 물질들이 뽑아져 나와 격벽과 형광체 등에 재흡착되는 등 플라즈마 디스플레이 패널을 오염시켜 플라즈마 디스플레이 패널의 안정화 및 장수명화에 막대한 악영향을 미치게 되는 문제점이 있다.

본 발명은 상기의 문제점을 해결하기 위한 것으로,

본 발명은 플라즈마 디스플레이 패널의 상판과 하판을 합착한 후에 고전압에서 방전을 수행하여 특별한 장치없이 간단한 공정으로 패널내에 잔존하는 불순물을 효과적으로 제거할 수 있는 플라즈마 디스플레이 패널의 제조방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.

또한, 면방전 및 대향방전을 수행하고 배기하는 과정을 통하여 불순물을 충분히 제거한 후에 팁오프(Tip-Off)하여 에이징을 실시하여 에이징 과정에서의 불순물 발생을 방지하고 에이징 시간을 단축할 수 있으며, 플라즈마 디스플레이 패널의 안정성과 장수명을 실현할 수 있는 플라즈마 디스플레이 패널의 제조방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.

본 발명에 따른 플라즈마 디스플레이 패널의 제조방법은, 다수의 스캔 전극 및 서스테인 전극을 구비한 상판과 다수의 어드레스 전극을 구비한 하판을 제조하고 이를 합착하는 단계; 상기 상판과 하판의 합착으로 형성된 방전공간내에 임시방전가스를 주입하고 방전시키는 단계; 상기 방전을 통해 발생한 불순물과 상기 임시방전가스를 배기하는 단계; 상기 상판과 하판의 합착으로 형성된 방전공간내에 방전가스를 주입하는 단계; 및 에이징(Aging)을 수행하는 단계;를 포함하여 이루어진다.

또한, 상기 방전시키는 단계는 상기 스캔 전극과 서스테인 전극간에 전위차를 발생시켜 면방전시키는 것을 특징으로 한다.

또한, 상기 방전시키는 단계는 상기 면방전 대신에 또는 추가로 상기 스캔 전극 및 어드레스 전극간에, 또는 서스테인 전극 및 어드레스 전극간에 전위차를 발생시켜 대향방전시키는 것을 특징으로 한다.

또한, 상기 스캔 전극과 서스테인 전극간의 전위차는 400~600V의 범위내인 것을 특징으로 한다.

또한, 상기 스캔 전극 및 어드레스 전극간의, 또는 서스테인 전극 및 어드레스 전극간의 전위차는 200~400V의 범위내인 것을 특징으로 한다.

또한, 상기 방전시키는 단계는 50~250℃의 범위내에서 수행하는 것을 특징으로 한다.

또한, 상기 방전시키는 단계는 10 ~ 100분간 수행하는 것을 특징으로 한다.

또한, 상기 방전은 복수회 실시하는 것을 특징으로 한다.

또한, 상기 방전시키는 단계와 상기 임시방전가스와 방전으로 발생한 불순물을 배기하는 단계를 반복적으로 복수회 실시하는 것을 특징으로 한다.

또한, 상기 임시방전가스 및 불순물을 배기하는 단계는 가열하면서 감압배기하는 것을 특징으로 한다.

또한, 상기 임시방전가스는 헬륨, 네온, 아르곤 및 크세논 중에서 적어도 하나 이상 포함되어 이루어진 것을 특징으로 한다.

이하에서는 첨부된 도면을 참고로 하여 본 발명의 기술적 특징을 상세하게 설명하기로 한다. 본 발명은 실시예에 의하여 보다 잘 이해될 수 있으며, 하기의 실시예는 본 발명의 예시 목적을 위한 것이고, 첨부된 특허청구범위에 의하여 정해지는 보호범위를 제한하고자 하는 것은 아니다.

도 3은 본 발명의 일실시예에 따른 플라즈마 디스플레이 패널의 제조방법 수순도를 도시한 도이며, 도 4는 본 발명의 일실시예에 따른 제조방법으로 제조된 플라즈마 디스플레이 패널을 도시한 도이다.

도시된 바와 같이, 본 발명에 따른 플라즈마 디스플레이 패널의 제조방법은, 다수의 스캔 전극(11)과 서스테인 전극(12)을 구비한 상판과 다수의 어드레스 전극(21)을 구비한 하판을 제조하고 이를 합착하는 단계(S10), 임시방전가스를 주입하 고 방전시키는 단계(S20), 상기 임시방전가스와 방전을 통해 발생한 불순물을 배기하는 단계(S30), 방전가스를 주입하는 단계(S40), 및 에이징(Aging)을 수행하는 단계(S50)를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 한다.

상기 방전은 상기 스캔 전극과 서스테인 전극간에 전위차를 발생시켜 면방전시킬 수도 있으며, 상기 면방전시키는 단계 대신에 또는 추가로 임시방전가스를 주입하고 상기 스캔 전극(11) 및 어드레스 전극(21)간에, 또는 서스테인 전극(12) 및 어드레스 전극(21)간에 전위차를 발생시켜 대향방전시키는 단계(S30)를 포함할 수 있다.

먼저, 상판과 하판을 각각 제조하고 이들을 본 발명의 기술분야에서 알려진 방법에 의하여 합착한다(S10).

상기 상판 및 하판의 구성은 제한되지 않으나 도 4에 도시된 구성을 갖는 것이 바람직하다. 즉, 상부기판(10) 하부에 다수의 스캔 전극(11)과 서스테인 전극(12)이 상호 이격되어 구비된다. 상기 스캔 전극(11)과 서스테인 전극(12)은 각각 투명전극(11a, 12a)과 버스전극(11b, 12b)으로 구성될 수 있으며 통상의 박막 형성방법으로 형성될 수 있다. 상기 투명 전극으로는 투과율이 높은 ITO(Indium Tin Oxide) 등이 적합하고, 상기 투명 전극 상에 은 분말, 유기 바인더, 유리 프릿, 유기 용제 등을 포함하는 은 페이스트를 이용하여, 버스 전극을 형성한다. 보다 상세하게는, 스크린 인쇄법을 이용하여 버스 전극의 패턴 형상으로 도포한 다음 건조할 수 있으며, 다른 방법으로, 은 페이스트층을 형성한 다음, 포토 리소그래피 (Photo Lithography)법 등을 이용하여 버스 전극 패턴을 형성할 수 있다.

그 후 상기 스캔 전극(11)과 서스테인 전극(12)을 커버하는 상부 유전체층(13)을 형성하고 상부 유전체층을 보호하고 2차 전자방출을 증가시키는 보호막층(14)을 형성한다. 상부 유전체층은 본 발명의 기술분야에서 적용될 수 있는 유전체 재료로 이루어지며, 일반적인 유전체 페이스트로 이루어진다. 상기 유전체 페이스트는 유리 분말, 수지, 유기 용제 등을 포함하여 이루어지며, 이에 사용되는 유리 분말로서는 PbO-B₂O₃-SiO₂계, ZnO-B₂O₃-SiO₂계, PbO-SiO₂-Al₂O₃계 등이 사용될 수 있다. 상기 보호막층의 재료로는 제한되지 않으나 산화마그네슘을 포함하여 이루어지는 것이 바람직하다. 전자빔 진공증착법(E-Beam Vacuum Evaporation Method)에 의하여 유전체층에 산화마그네슘을 진공 증착하여 형성될 수 있으며, 증착 조건으로서, 기판의 온도는 200℃, 진공도는 2x10^-6torr, 증발 속도는 10 내지 20nm/min 으로 유지하는 것이 적당하다.

STM(Scanning Tunneling Microscope)에 의하면, 동일한 진공증착법에 의하여 형성된 박막이라도 기판의 온도가 낮으면 오염도가 높게 되고 기판의 온도가 높을수록 산화마그네슘의 확산율이 증가하여 서로 잘 결합하기 때문에 증착된 산화마그네슘 덩어리가 크다는 것이 관찰된다. 상기 산화마그네슘 막은 스퍼터링(Sputtering) 방법이 사용될 수도 있다. 스퍼터링 방법을 이용하여 산화마그네슘 막을 형성할 경우 기판을 수직으로 세워 증착할 수 있기 때문에 대면적 증착이 가능하다.

상기 하판은 도시된 바와 같이, 하부기판(20) 상부에 상기 스캔 전극(11) 및 서스테인 전극(12)과 수직으로 배치되는 다수의 어드레스 전극(21)이 형성되고 상기 어드레스 전극(21)을 커버하는 하부 유전체층(22)과 그 상부에 형성된 격벽(23)과 형광체층(24)을 포함하여 이루어지는 것이 바람직하다. 상기 격벽은 방전공간을 구획하기 위해 상기 하판 상부에 형성된 것을 특징으로 한다. 본 발명의 하판의 격벽의 구조는 제한되지 않으며 그 중의 일예로 스트라이프형 격벽, 폐쇄형 격벽 또는 델타형 격벽일 수 있다. 상기 격벽 및 방전공간 하부에는 발광 자외선을 형광시켜 칼라를 구현할 형광체가 도포될 수 있다.

다음, 합착한 상,하판에 임시방전가스를 주입하고 면방전 및 대향방전 중 하나 이상 수행한다(S20).

상기 임시방전가스는 플라즈마 디스플레이 패널의 방전을 위해 사용될 수 있는 가스는 제한되지 않고 사용될 수 있으며, 헬륨, 네온, 아르곤 및 크세논 중에서 하나 이상 포함되어 이루어질 수 있다. 또한 실제로 플라즈마 디스플레이 패널에 사용되는 방전가스를 사용할 수도 있다.

면방전시키기 위한 상기 전위차는 제한되지 않으나 바람직하기로는 실제로 적용되는 플라즈마 디스플레이 패널의 구동전압보다 큰 전압으로 면방전시키는 것이 불순물 제거를 위해 보다 바람직하며, 특히 상기 전위차는 400~600V의 범위내인 것이 바람직하다. 면방전시키기 위한 전위차의 실현을 위해 상기 스캔 전극(11) 및 서스테인 전극 중 어느 하나에 펄스전압을 인가할 수 있으며 혹은 스캔 전극(11)과 서스테인 전극에 펄스전압을 나누어 인가할 수도 있다. 상기 방전을 위한 전위차를 발생시키는 방법과 인가되는 펄스전압의 파형은 제한되지 않는다.

상기 면방전을 통하여 보호막층 또는 상부 유전체층에 잔류하는 불순물을 보다 효과적으로 제거할 수 있게 된다. 또한, 상기 면방전은 방전공간의 하부에도 영향을 미치므로 하판의 형광체층 및 격벽에 잔존하는 불순물도 제거될 수 있다.

이러한 면방전은 불순물의 보다 효과적인 제거를 위해 동시에 열을 가하면서 수행할 수도 있다. 가열 온도는 50~250℃의 범위내에서 수행하는 것이 바람직하다. 상기 면방전을 수행하는 시간은 불순물을 충분히 제거할 수 있을 정도의 시간동안 수행하는 것이 좋으며 일례로, 10 ~ 100분간 수행하는 것이 바람직하다.

또한, 상기 면방전은 일회적으로 실시할 수도 있으나 복수회로 실시하는 것이 좋으며 이를 위해 주기적인 펄스전압을 인가할 수 있다.

한편, 상기 면방전 대신에 또는 추가로, 상기 스캔 전극(11) 및 어드레스 전극(21)간에, 또는 서스테인 전극(12) 및 어드레스 전극(21)간에 전위차를 발생시켜 대향방전을 시킬 수도 있다. 대향방전을 통해서 하판의 형광체층 또는 격벽에 잔존하는 불순물을 보다 효과적으로 제거할 수 있으며 상판의 상부 유전체층 또는 보호막층에 잔존하는 불순물을 제거할 수 있다.

대향방전시키기 위한 상기 전위차는 제한되지 않으나 바람직하기로는 실제로 적용되는 플라즈마 디스플레이 패널의 구동전압보다 큰 전압으로 면방전시키는 것이 불순물 제거를 위해 보다 바람직하며, 특히 상기 전위차는 200~400V의 범위내인 것이 바람직하다. 대향방전시키기 위한 전위차의 실현을 위한 방법은 제한되지 않으며, 일례로 어드레스 전극에 전압을 인가할 수 있으며, 혹은 상기 스캔 전극(11) 및 서스테인 전극 중 어느 하나에 펄스전압을 인가할 수도 있다. 상기 방전을 위한 전위차를 발생시키는 방법과 인가되는 펄스전압의 파형은 제한되지 않는다.

상기 대향방전은 면방전과 마찬가지의 방법으로 가열하여 수행할 수 있으며 수행시간 및 회수도 동일하게 적용될 수 있다.

한편, 상기 면방전과 대향방전을 모두 수행하여 불순물을 제거할 수 있으며 이 또한 본 발명의 범위내에 포함된다.

다음, 상기 임시방전가스와 면방전 또는 대향방전을 통해 발생한 불순물을 배기한다(S30). 상기 면방전 또는 대향방전으로인해 패널로부터 탈착된 불순물을 배기를 통해서 제거한다. 상기 임시방전가스 및 불순물을 보다 효과적으로 배기하기 위하여 가열하면서 감압배기하는 것이 바람직하다. 감압은 제한되지 않으나 10^-6 Torr까지 수행하는 것이 좋으며 가열온도는 제한되지 않으나 100~350℃의 범위내에서 수행하는 것이 좋다.

한편, 도 3에 도시된 바와 같이, 보다 효과적인 불순물의 제거를 위해 상기 방전과 불순물 배기를 반복적으로 실시하는 것이 좋다. 즉, 배기 후에 다시 방전을 실시하고 다시 배기하여 불순물을 재차 제거하는 것이 좋다.

다음, 상기 과정이 완료되면 플라즈마 디스플레이 패널에 사용되는 방전가스를 주입하고 팁오프(Tip-Off)한 후에(S40), 에이징(Aging)을 수행한다(S50). 상기 방전가스 주입 및 에이징 방법은 본 기술분야에서 잘 알려져 있으므로 그에 의하고 자세한 설명은 생략한다.

이상을 통해 본 발명의 바람직한 실시예에 대하여 설명하였지만, 본 발명은 이에 한정되는 것이 아니고 특허청구범위와 발명의 상세한 설명 및 첨부한 도면의 범위 안에서 여러 가지로 변형하여 실시하는 것이 가능하고 이 또한 본 발명의 범위에 속하는 것은 당연하다.

본 발명에 따른 플라즈마 디스플레이 패널의 제조방법은 플라즈마 디스플레이 패널의 상판과 하판을 합착한 후에 고전압에서 방전을 수행하여 특별한 장치없이 패널내에 잔존하는 불순물을 효과적으로 제거할 수 있으며,

면방전 및(또는) 대향방전을 수행하고 배기하는 과정을 통하여 불순물을 충분히 제거한 후에 팁오프(Tip-Off)하여 에이징을 실시하므로 에이징 과정에서의 불 순물 발생을 방지하고 에이징 시간을 단축할 수 있으며, 플라즈마 디스플레이 패널의 안정성과 장수명을 실현하는 효과를 제공한다.

Claims (11)

1. 다수의 스캔 전극 및 서스테인 전극을 구비한 상판과 다수의 어드레스 전극을 구비한 하판을 제조하고 이를 합착하는 단계;

   상기 상판과 하판의 합착으로 형성된 방전공간내에 임시방전가스를 주입하고 방전시키는 단계;

   상기 방전을 통해 발생한 불순물과 상기 임시방전가스를 배기하는 단계;

   상기 상판과 하판의 합착으로 형성된 방전공간내에 방전가스를 주입하는 단계; 및

   에이징(Aging)을 수행하는 단계;를 포함하여 이루어지는 플라즈마 디스플레이 패널의 제조방법.
2. 제1항에 있어서, 상기 방전시키는 단계는 상기 스캔 전극과 서스테인 전극간에 전위차를 발생시켜 면방전시키는 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널의 제조방법.
3. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 방전시키는 단계는 상기 스캔 전극 및 어드레스 전극간에, 또는 서스테인 전극 및 어드레스 전극간에 전위차를 발생시켜 대 향방전시키는 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널의 제조방법.
4. 제2항에 있어서, 상기 스캔 전극과 서스테인 전극간의 전위차는 400~600V의 범위내인 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널의 제조방법.
5. 제3항에 있어서, 상기 스캔 전극 및 어드레스 전극간의, 또는 서스테인 전극 및 어드레스 전극간의 전위차는 200~400V의 범위내인 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널의 제조방법.
6. 제1항에 있어서, 상기 방전시키는 단계는 50~250℃의 범위내에서 수행하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널의 제조방법.
7. 제1항에 있어서, 상기 방전시키는 단계는 10 ~ 100분간 수행하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널의 제조방법.
8. 제1항에 있어서, 상기 방전은 복수회 실시하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널의 제조방법.
9. 제1항에 있어서, 상기 방전시키는 단계와 상기 방전을 통해 발생한 불순물과 상기 임시방전가스를 배기하는 단계를 반복적으로 복수회 실시하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널의 제조방법.
10. 제1항에 있어서, 상기 방전을 통해 발생한 불순물과 상기 임시방전가스를 배기하는 단계는 가열하면서 감압배기하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널의 제조방법.
11. 제1항에 있어서, 상기 임시방전가스는 헬륨, 네온, 아르곤 및 크세논 중에서 적어도 하나 이상 포함되어 이루어진 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널의 제조방법.

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