KR20070075994A - 탄성을 이용하는 웨이퍼 레벨 본딩 장치 - Google Patents

탄성을 이용하는 웨이퍼 레벨 본딩 장치 Download PDF

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KR20070075994A
KR20070075994A KR1020060004869A KR20060004869A KR20070075994A KR 20070075994 A KR20070075994 A KR 20070075994A KR 1020060004869 A KR1020060004869 A KR 1020060004869A KR 20060004869 A KR20060004869 A KR 20060004869A KR 20070075994 A KR20070075994 A KR 20070075994A
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권용재
이동호
이강욱
한성일
마금희
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삼성전자주식회사
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Abstract

본 발명은 탄성을 이용하는 웨이퍼 레벨 본딩 장치에 관한 것으로, 종래기술에 따른 웨이퍼 레벨 본딩 장치의 경우, 각기 다른 두께를 갖는 반도체 칩들 또는 두께가 부분적으로 다른 웨이퍼를 다른 웨이퍼 상에 적층시키는 경우, 반도체 칩들 또는 웨이퍼 중에 전달 플레이트와 접촉되지 못하여 열과 압력을 전달받지 못하는 부분이 발생되어, 칩 대 웨이퍼 또는 웨이퍼 대 웨이퍼의 적층이 제대로 이루어지지 않는 문제가 발생된다. 본 발명은 상기한 문제를 해결하기 위해서, 가압 수단과 본딩 헤드 사이에 압력 분배 수단이 설치되고, 본딩 헤드의 가열 플레이트의 하부에 탄성 부재가 결합된 것을 특징으로 하는 탄성을 이용하는 웨이퍼 레벨 본딩 장치를 제공한다. 본 발명에 따르면, 가압 수단으로부터 가해지는 압력이 압력 분배 수단에 의해 본딩 헤드의 각 부분으로 균일하게 분배되고, 균일하게 분배된 압력이 탄성 부재와 접촉하는 각기 다른 두께를 갖는 모든 반도체 칩들 또는 두께가 부분적으로 다른 웨이퍼 전체에 작용하기 때문에, 반도체 칩들 또는 웨이퍼의 두께에 관계없이 칩 대 웨이퍼 또는 웨이퍼 대 웨이퍼의 적층이 제대로 이루어질 수 있다.
본딩 헤드, 압력 분배 수단, 탄성 부재, 적층, 칩 대 웨이퍼

Description

탄성을 이용하는 웨이퍼 레벨 본딩 장치{WAFER LEVEL BONDER USING ELASTICITY}
도 1은 본 발명의 제 1 실시예에 따른 웨이퍼 레벨 본딩 장치를 나타내는 사시도이다.
도 2는 본 발명의 제 1 실시예에 따른 웨이퍼 레벨 본딩 장치가 웨이퍼 상에 반도체 칩을 적층시키는 상태를 나타내는 단면도이다.
도 3은 본 발명의 제 2 실시예에 따른 웨이퍼 레벨 본딩 장치가 웨이퍼 상에 반도체 칩을 적층시키는 상태를 나타내는 단면도이다.
도 4는 본 발명의 제 3 실시예에 따른 웨이퍼 레벨 본딩 장치가 웨이퍼 상에 반도체 칩을 적층시키는 상태를 나타내는 단면도이다.
* 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명 *
1 : 제 1 칩(the first chip)
2 : 제 1 웨이퍼(the first wafer)
3 : 제 2 칩(the second chip)
4 : 접착층(adhesive layer)
10, 60, 110 : 본딩 스테이지(bonding stage)
20, 70, 120 : 본딩 헤드(bonding head)
21 : 가열 플레이트(heating plate)
23, 73, 123 : 전달 플레이트(transmitting plate)
25, 75, 125 : 탄성 부재(elastic member)
76, 126 : 외부 피막(external film)
78 : 마이크로 스프링(micro-spring)
128 : 유체(fluid)
30 : 가압 수단(pressing device)
40 : 압력 분배 수단(pressure distributing device)
50, 100, 150 : 웨이퍼 레벨 본딩 장치(wafer level bonder)
본 발명은 본딩 장치에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 반도체 칩 또는 웨이퍼를 다른 웨이퍼 상에 적층시킬 수 있는 탄성을 이용하는 웨이퍼 레벨 본딩 장치에 관한 것이다.
오늘날, 전자 산업의 추세는 더욱 경량화, 소형화, 고속화, 다기능화, 고성능화되고 높은 신뢰성을 갖는 제품을 저렴하게 제조하는 것이다. 이를 가능하게 하는 중요한 기술 중의 하나가 바로 패키지(package) 기술이며, 이에 따라 근래에 개발된 패키지 중의 하나가 적층 칩 패키지(stack chip package)이다.
적층 칩 패키지는 패키지 기판 위에 반도체 칩들이 3차원으로 적층된 반도체 패키지로서, 고집적화를 이룰 수 있는 동시에 반도체 제품의 경박단소화에 대한 대응성도 뛰어난 장점을 갖고 있다. 이러한 적층 칩 패키지는 칩 레벨(chip level) 또는 웨이퍼 레벨(wafer level)에서 제조가 이루어진다.
그런데, 칩 레벨에서 적층 칩 패키지를 제조하는 경우, 신뢰성이 검증된 노운 굳 다이(Known Good Die;KGD)를 이용하기 때문에, 제조가 완료된 적층 칩 패키지의 신뢰성이 우수한 반면에, 제조 공정에 장시간이 소요되기 때문에, 적층 칩 패키지의 생산성이 낮아진다.
한편, 웨이퍼 레벨에서 적층 칩 패키지를 제조하는 경우, 제조 공정에 소요되는 시간이 단축되어 적층 칩 패키지의 생산성이 향상되는 반면에, 신뢰성이 검증되지 않은 반도체 칩들이 웨이퍼 상태로 이용되기 때문에, 제조가 완료된 적층 칩 패키지의 신뢰성이 낮아진다. 더욱이, 적층 칩 패키지의 신뢰성은, 적층되는 웨이퍼의 수가 많을수록, 더욱 낮아진다.
이에 따라, 최근에는 칩 대 웨이퍼 레벨에서 적층 칩 패키지를 제조하는 기술이 개발되고 있다. 이러한 칩 대 웨이퍼 레벨에서 제조된 적층 칩 패키지는, 칩 레벨에서 제조된 적층 칩 패키지와 비교하여 생산성이 높으며, 웨이퍼 레벨에서 제조된 적층 칩 패키지와 비교하여 신뢰성이 우수하다. 이 때, 칩 대 웨이퍼 레벨에서 적층 칩 패키지를 제조하기 위해서 웨이퍼 상에 반도체 칩을 접착시키는 데에, 기존의 웨이퍼 레벨 본딩 장치가 사용되고 있다.
종래기술에 따른 웨이퍼 레벨 본딩 장치는 본딩 스테이지에 대응하는 상부에서 가압 수단에 의해 본딩 헤드가 수직으로 이동하여 열압착으로 제 1 웨이퍼 상에 제 2 칩들 또는 제 2 웨이퍼를 적층시키는 구조를 갖는다. 그리고, 본딩 헤드는 열을 발생시키는 가열 플레이트 및 제 2 칩들 또는 제 2 웨이퍼와 접촉하여 가압 수단에 의해 가해진 압력과 가열 플레이트로부터 발생된 열을 전달하는 전달 플레이트를 포함한다. 이 때, 전달 플레이트는 탄성이 작은 물질로 이루어져 있다.
그런데, 웨이퍼의 후면을 기계적으로 연마하여 웨이퍼의 두께를 줄이는 웨이퍼 후면 연마 공정시, 웨이퍼에는 부분적으로 두께의 차이가 발생되며, 웨이퍼로부터 분리된 반도체 칩들은 동일한 웨이퍼로부터 분리되더라도, 각기 다른 두께를 갖는다. 이로 인하여, 각기 다른 두께를 갖는 제 2 칩들 또는 두께가 부분적으로 다른 제 2 웨이퍼를 제 1 웨이퍼 상에 적층시키는 경우, 제 2 칩들 또는 제 2 웨이퍼 중에는 전달 플레이트와 접촉되지 못하여 열과 압력을 전달받지 못하는 부분이 존재한다.
더욱이, 제 1 웨이퍼와 제 2 칩들 또는 제 2 웨이퍼의 사이에 파티클(particle)이 개재되는 경우, 제 2 칩들 또는 제 2 웨이퍼 중에서 전달 플레이트와 접촉하지 못하는 부분이 더욱 확대될 수 있다.
이에 따라, 칩 대 웨이퍼 또는 웨이퍼 대 웨이퍼의 적층이 제대로 이루어지지 않는 문제가 발생된다.
따라서, 본 발명의 목적은, 칩 대 웨이퍼 또는 웨이퍼 대 웨이퍼의 적층이 제대로 이루어지도록 탄성을 이용하는 웨이퍼 레벨 본딩 장치를 제공하는 데 있다.
상기 목적을 달성하기 위하여, 본 발명은, 제 1 칩들을 포함하는 제 1 웨이퍼와, 제 1 웨이퍼 상에 접착층을 매개로 정렬되어 있는 제 2 칩들 또는 제 2 웨이퍼가 탑재되어 있는 본딩 스테이지와, 본딩 스테이지에 대응하는 상부에서 수직으로 이동하여 열압착으로 제 1 웨이퍼 상에 제 2 칩들 또는 제 2 웨이퍼를 적층시키는 본딩 헤드와, 본딩 헤드의 상부에서 본딩 헤드를 수직으로 이동시키는 가압 수단과, 가압 수단과 본딩 헤드의 사이에서 가압 수단으로부터 가해지는 압력을 본딩 헤드 전체에 균일하게 분배시키는 압력 분배 수단을 포함하며, 본딩 헤드는, 열을 발생시키는 가열 플레이트와, 가열 플레이트의 하부에서 제 2 칩들 또는 제 2 웨이퍼와 접촉하여 가열 플레이트로부터 전달된 열과 압력 분배 수단에 의해 분배된 압력을 제 2 칩들 또는 제 2 웨이퍼의 두께와 관계없이 작용시키는 탄성 부재를 포함하는 것을 특징으로 하는 탄성을 이용하는 웨이퍼 레벨 본딩 장치를 제공한다.
본 발명에 따른 웨이퍼 레벨 본딩 장치에 있어서, 압력 분배 수단은, 중심 부분이 가압 수단에 체결되며 각각의 단부가 본딩 헤드에 결합되는 삼각대(tripod)의 형태를 가질 수 있다.
본 발명에 따른 웨이퍼 레벨 본딩 장치에 있어서, 본딩 헤드는 가열 플레이트와 탄성 부재의 사이에서 압력 분배 수단에 의해 분배된 압력과 가열 플레이트로부터 발생된 열을 탄성 부재로 전달하는 전달 플레이트를 더 포함할 수 있다.
본 발명에 따른 웨이퍼 레벨 본딩 장치에 있어서, 탄성 부재는 엘라스토머(elastomer)로 이루어진 플레이트일 수 있다.
본 발명에 따른 웨이퍼 레벨 본딩 장치에 있어서, 탄성 부재는 복수개의 마 이크로 스프링이 내재된 플레이트일 수 있다.
본 발명에 따른 웨이퍼 레벨 본딩 장치에 있어서, 탄성 부재는 유체가 채워진 튜브(tube)로 이루어진 플레이트일 수 있다.
이하, 첨부 도면을 참조하여 본 발명의 실시예를 보다 상세하게 설명하고자 한다.
도 1은 본 발명의 제 1 실시예에 따른 웨이퍼 레벨 본딩 장치를 나타내는 사시도이다. 도 2는 본 발명의 제 1 실시예에 따른 웨이퍼 레벨 본딩 장치에서 웨이퍼 상에 반도체 칩을 적층시키는 상태를 나타내는 단면도이다.
도 1 및 도 2를 참조하면, 본 발명의 제 1 실시예에 따른 웨이퍼 레벨 본딩 장치(50)는 본딩 헤드(20)와 가압 수단(30) 사이에 압력 분배 수단(40)을 설치하고, 본딩 헤드(20)의 전달 플레이트(23)의 하부면에 탄성 부재(25)를 설치하여, 본딩 스테이지(10)와 본딩 헤드(20) 사이에서 제 1 웨이퍼(2) 상에 모든 제 2 칩(3)들을 적층시킨다. 이 때, 압력 분배 수단(40)은 가압 수단(30)으로부터 가해지는 압력을 본딩 헤드(20) 전체에 균일하게 분배시키고, 탄성 부재(25)는 제 1 웨이퍼(2) 상에 정렬되어 있는 모든 제 2 칩(3)들과 접촉하여 압력을 작용시킨다.
본 발명의 제 1 실시예에 따른 웨이퍼 레벨 본딩 장치(50)에 대해서 구체적으로 설명하면 다음과 같다.
본딩 스테이지(10)는 적층될 제 1 웨이퍼(2)와 제 2 칩(3)들이 탑재되는 부분으로서, 이러한 본딩 스테이지(10)에 제 1 칩(1)들을 포함하는 제 1 웨이퍼(2)가 탑재된 다음, 각각 분리되어 있는 제 2 칩(3)들이 각각의 제 1 칩(1)들 상부면에 접착층(4)을 매개로 정렬된다. 이 때, 본딩 스테이지(10)는 제 1 웨이퍼(2)와 제 2 칩(3)들 사이에서 접착층(4)이 반경화(反硬化)되도록 열을 제공한다. 이러한 본딩 스테이지(10)는, 예컨대 전기적 에너지에 의해 발열하는 열선이 내부에 배선되어 있는 열전도성 재질의 히터(heater)일 수 있다.
본딩 헤드(20)는 본딩 스테이지(10)와 맞물려 제 1 웨이퍼(2) 상에 제 2 칩(3)들을 열압착으로 접착 및 적층시키는 구조를 갖는다. 이러한 본딩 헤드(20)는 본딩 스테이지(10)에 대응하는 상부에 위치하며, 수직 이동이 가능하다. 즉, 본딩 헤드(20)가 제 2 칩(3)들과 접촉하도록 하강하여 제 1 웨이퍼(2) 상에 제 2 칩(3)들이 적층되도록 열과 압력을 전달한 다음 다시 상승한다.
가압 수단(30)은 본딩 헤드(20)의 상부에 설치된다. 이러한 가압 수단(30)은 본딩 헤드(20)가 수직으로 이동되도록, 본딩 헤드(20)의 상부에서 압력을 가하는 역할을 한다.
압력 분배 수단(40)은 가압 수단(30)과 본딩 헤드(20) 사이에 설치된다. 이러한 압력 분배 수단(40)은 가압 수단(30)으로부터 가해지는 압력을 본딩 헤드(20) 전체에 균일하게 분배시키는 역할을 한다. 즉, 가압 수단(30)으로부터 가해지는 압력이 본딩 헤드(20)의 중심부로 편중(偏重)되는 것을 방지하기 위해서, 압력 분배 수단(40)이 가압 수단(30)으로부터 가해지는 압력을 본딩 헤드(20)의 각 부분으로 분배하여 전달한다.
이 때, 이러한 압력 분배 수단(40)은, 예컨대 삼각대의 형태를 가질 수 있다. 즉, 압력 분배 수단(40)은, 삼각대의 중심 부분이 가압 수단(30)에 체결되고, 각각의 단부가 본딩 헤드(20)의 각 부분에 결합되는 구조를 가질 수 있다. 이에 따라, 삼각대의 중심 부분으로 가해지는 압력이 세 개의 다리로 동일하게 분배되어 각각의 단부를 통해 본딩 헤드(20)로 전달될 수 있다.
한편, 본 실시예에 따른 웨이퍼 레벨 본딩 장치(50)의 본딩 헤드(20)는 가열 플레이트(21), 전달 플레이트(23) 및 탄성 부재(25)를 포함한다.
가열 플레이트(21)는 본딩 헤드(20)의 최상층에 위치하는 플레이트로서, 압력 분배 수단(40)에 의해 분배된 압력을 하부로 전달하는 동시에, 열을 발생시키는 역할을 한다. 이러한 가열 플레이트(21)로부터 발생된 열은 압력 분배 수단(40)에 의해 분배된 압력과 함께 하부로 전달되어, 본딩 헤드(20)와 접촉하고 있는 제 2 칩(3)들과 제 1 웨이퍼(2) 사이의 접착층(4)을 반경화시키는 데 이용된다. 이러한 가열 플레이트(21)는, 예컨대 열선이 내부에 배선되어 있는 열전도성 재질의 히터일 수 있다.
전달 플레이트(23)는 가열 플레이트(21)의 하부면에 결합되어 있는 플레이트로서, 압착 분배 수단(40)으로부터 분배되어 가열 플레이트(21)를 통해 전달된 압력과 가열 플레이트(21)로부터 발생되어 전달된 열을 하부로 전달하는 역할을 한다.
탄성 부재(25)는 전달 플레이트(23)의 하부면에 결합되어 본딩 헤드(20)의 최하층에 위치하는 플레이트이다. 이러한 탄성 부재(25)는 본딩 헤드(20)가 하강함에 따라서 제 2 칩(3)들과 접촉하여, 전달 플레이트(23)로부터 전달된 열과 압력을 제 1 웨이퍼(2) 상에 정렬되어 있는 제 2 칩(3)들에 작용시키는 역할을 한다. 이 때, 탄성 부재(25)는 일정 탄성을 가지고 있는 엘라스토머로 이루어진 플레이트이기 때문에, 제 1 웨이퍼(2) 상에 정렬되어 있는 제 2 칩(3)들의 두께가 각각 다르더라도, 모든 제 2 칩(3)들과의 접촉이 가능하다. 이에 따라, 탄성 부재(25)는, 제 1 웨이퍼(2) 상에 정렬되어 있는 제 2 칩(3)들의 두께에 관계없이, 모든 제 2 칩(3)들에 열과 압력을 작용시킬 수 있다.
이와 같은 구조를 갖는 본 발명의 제 1 실시예에 따른 웨이퍼 레벨 본딩 장치(50)의 동작을 설명하면, 본딩 스테이지(10) 상에 제 1 웨이퍼(2)가 탑재된 다음 제 1 웨이퍼(2) 상에 제 2 칩(3)들이 이송되어 정렬되면, 본딩 헤드(20)가 가압 수단(30)으로부터 가해지는 압력에 의해 하강하여 본딩 스테이지(10)와 맞물린다. 이 때, 가압 수단(30)으로부터 가해지는 압력은 압력 분배 수단(40)에 의해 본딩 헤드(20) 전체에 균일하게 분배되며, 본딩 헤드(20)를 통해 전달되는 압력은 탄성 부재(25)에 의해 제 1 웨이퍼(2) 상에 정렬되어 있는 제 2 칩(3)들의 두께에 관계없이 모든 제 2 칩(3)들에 작용된다. 그리고, 본딩 헤드(20)의 가열 플레이트(21)로부터 발생되어 전달 플레이트(23)와 탄성 부재(25)를 통해 전달된 열과, 본딩 스테이지(10)로부터 제공된 열이 제 1 웨이퍼(2)와 제 2 칩(3)들 사이의 접착층(4)을 반경화시킨다. 이에 따라, 본딩 스테이지(10)와 본딩 헤드(20) 사이에 작용하는 열과 압력으로 인하여, 제 1 웨이퍼(2) 상에 제 2 칩(3)들이 적층된다.
한편, 전술한 실시예에서는 엘라스토머 재질의 탄성 부재를 이용한 웨이퍼 레벨 본딩 장치에 대해서만 개시하였으나, 다양한 재질의 탄성 부재를 이용하여 본 발명의 웨이퍼 레벨 본딩 장치를 구현할 수 있다. 도 2 및 도 3은 그러한 예로서, 도 2는 본 발명의 제 2 실시예에 따른 웨이퍼 레벨 본딩 장치에서 웨이퍼 상에 반도체 칩을 적층시키는 상태를 나타내는 단면도이고, 도 3은 본 발명의 제 3 실시예에 따른 웨이퍼 레벨 본딩 장치에서 웨이퍼 상에 반도체 칩을 적층시키는 상태를 나타내는 단면도이다.
도 2 및 도 3을 참조하면, 웨이퍼 레벨 본딩 장치(100, 150)의 기본 구조는 전술한 실시예의 웨이퍼 레벨 본딩 장치와 동일하다. 다만, 본 실시예들의 웨이퍼 레벨 본딩 장치(100, 150)의 탄성 부재(75, 125)는 엘라스토머로 이루어지지 않는다.
즉, 본 발명의 제 2 실시예에 따르면, 탄성 부재(75)는 외부 피막(76) 내에 복수개의 마이크로 스프링(78)이 내재되어 있는 구조를 갖는다. 이에 따라, 탄성 부재(75)는 마이크로 스프링(78)으로 인하여 일정 탄성을 갖게 되기 때문에, 모든 제 2 칩(3)들과 접촉할 수 있으며, 전달 플레이트(73)로부터 전달된 압력을 제 1 웨이퍼(2) 상에 정렬되어 있는 제 2 칩(3)들의 두께에 관계없이 모든 제 2 칩(3)들에 작용시킬 수 있다.
또한, 본 발명의 제 3 실시예에 따르면, 탄성 부재(125)는 외부 피막(126) 내에 유체(128)가 채워진 튜브의 구조를 갖는다. 이에 따라, 탄성 부재(125)는 유체128)의 압력으로 인한 일정 탄성을 갖게 되기 때문에, 모든 제 2 칩(3)들과 접촉할 수 있으며, 전달 플레이트(123)로부터 전달된 압력을 제 1 웨이퍼(2) 상에 정렬되어 있는 제 2 칩(3)들의 두께에 관계없이 모든 제 2 칩(3)들에 작용시킬 수 있다.
한편, 전술한 실시예들에서는 칩 대 웨이퍼의 적층 예를 개시하였지만, 웨이퍼 대 웨이퍼의 적층에도 본 발명의 웨이퍼 레벨 본딩 장치가 이용될 수 있다. 또한, 본 발명의 웨이퍼 레벨 본딩 장치를 이용하여 둘 이상의 웨이퍼들 또는 웨이퍼들과 칩들의 적층을 구현할 수 있다.
따라서, 본 발명의 구조를 따르면, 가압 수단으로부터 가해지는 압력이 압력 분배 수단에 의해 본딩 헤드의 각 부분으로 균일하게 분배될 뿐만 아니라, 탄성 부재가 모든 반도체 칩들 또는 웨이퍼 전체에 접촉하기 때문에, 균일하게 분배된 압력이 각기 다른 두께를 갖는 모든 반도체 칩들 또는 두께가 부분적으로 다른 웨이퍼 전체에 작용함으로써, 반도체 칩들 또는 웨이퍼의 두께에 관계없이 칩 대 웨이퍼 또는 웨이퍼 대 웨이퍼의 적층이 제대로 이루어질 수 있다.

Claims (6)

  1. 제 1 칩들을 포함하는 제 1 웨이퍼와, 상기 제 1 웨이퍼 상에 접착층을 매개로 정렬되어 있는 제 2 칩들 또는 제 2 웨이퍼가 탑재되어 있는 본딩 스테이지;
    상기 본딩 스테이지에 대응하는 상부에서 수직으로 이동하여 열압착으로 상기 제 1 웨이퍼 상에 상기 제 2 칩들 또는 상기 제 2 웨이퍼를 적층시키는 본딩 헤드;
    상기 본딩 헤드의 상부에서 상기 본딩 헤드를 수직으로 이동시키는 가압 수단; 및
    상기 가압 수단과 상기 본딩 헤드의 사이에서 상기 가압 수단으로부터 가해지는 압력을 상기 본딩 헤드 전체에 균일하게 분배시키는 압력 분배 수단;을 포함하며,
    상기 본딩 헤드는,
    열을 발생시키는 가열 플레이트; 및
    상기 가열 플레이트의 하부에서 상기 제 2 칩들 또는 상기 제 2 웨이퍼와 접촉하여 상기 가열 플레이트로부터 전달된 열과 상기 압력 분배 수단에 의해 분배된 압력을 상기 제 2 칩들 또는 상기 제 2 웨이퍼의 두께와 관계없이 작용시키는 탄성 부재;를 포함하는 것을 특징으로 하는 탄성을 이용하는 웨이퍼 레벨 본딩 장치.
  2. 제 1항에 있어서, 상기 압력 분배 수단은, 중심 부분이 상기 가압 수단에 체 결되며 각각의 단부가 상기 본딩 헤드에 결합되는 삼각대의 형태를 갖는 것을 특징으로 하는 탄성을 이용하는 웨이퍼 레벨 본딩 장치.
  3. 제 1항에 있어서, 상기 본딩 헤드는,
    상기 가열 플레이트와 상기 탄성 부재의 사이에서 상기 압력 분배 수단에 의해 분배된 압력과 상기 가열 플레이트로부터 발생된 열을 상기 탄성 부재로 전달하는 전달 플레이트;를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 탄성을 이용하는 웨이퍼 레벨 본딩 장치.
  4. 제 1항에 있어서, 상기 탄성 부재는 엘라스토머로 이루어진 플레이트인 것을 특징으로 하는 탄성을 이용하는 웨이퍼 레벨 본딩 장치.
  5. 제 1항에 있어서, 상기 탄성 부재는 복수개의 마이크로 스프링이 내재된 플레이트인 것을 특징으로 하는 탄성을 이용하는 웨이퍼 레벨 본딩 장치.
  6. 제 1항에 있어서, 상기 탄성 부재는 유체가 채워진 튜브로 이루어진 플레이트인 것을 특징으로 하는 탄성을 이용하는 웨이퍼 레벨 본딩 장치.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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KR100969998B1 (ko) * 2010-04-02 2010-07-15 한국기계연구원 대면적 전사용 유연 스탬프, 상기 대면적 전사용 유연 스탬프를 이용한 대면적 전사용 스탬프 헤드 모듈 및 상기 대면적 전사용 스탬프 헤드 모듈을 이용한 대면적 전사 장비
KR101681024B1 (ko) 2015-10-29 2016-12-01 한국기계연구원 웨이퍼 본딩 장치

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