KR20070071051A - 이미지센서 및 그의 제조 방법 - Google Patents
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Abstract
Description
Claims (11)
- 반도체기판;상기 반도체기판 내에 형성된 포토다이오드;상기 반도체기판 상에 형성되며 상기 포토다이오드의 에지부 상부를 개방시키는 에어웨이브가이드를 제공하는 다층 구조의 절연층; 및상기 절연층의 소정 표면 상에 형성된 쉴드메탈을 포함하는 이미지 센서.
- 제1항에 있어서,상기 절연층은,상기 포토다이오드를 벗어나는 반도체기판 상부에 형성된 제1절연층;상기 포토다이오드의 상부에 형성되며 상기 포토다이오드의 에지부에서 상기 제1절연층과 일정 빈 공간을 제공하는 제2절연층; 및상기 제1절연층과 제2절연층 사이의 빈 공간을 일부 채워 상기 에어웨이브가이드를 형성하는 제3절연층을 포함하는 것을 특징으로 하는 이미지 센서.
- 제2항에 있어서,상기 제1,2 및 제3절연층은, 상기 제1,2 및 제3절연층을 통과하여 상기 에어웨이브가이드에 입사될 때 전반사되도록 상기 에어웨이브가이드의 굴절율(n=1)보다 더 큰 물질인 것을 특징으로 하는 이미지 센서.
- 제3항에 있어서,상기 제1,2 및 제3절연층은, 실리콘산화막인 것을 특징으로 하는 이미지 센서.
- 소정 공정이 완료된 반도체기판 상에 식각배리어층을 형성하는 단계;상기 식각배리어층 상에 제1절연층을 형성하는 단계;상기 제1절연층을 선택적으로 식각하여 포토다이오드 예정된 반도체기판의 일부분을 개방시키는 트렌치를 형성하는 단계;상기 트렌치 아래의 개방된 반도체기판에 이온주입을 통해 포토다이오드를 형성하는 단계;상기 트렌치 바닥의 식각배리어층을 식각하면서 상기 트렌치의 양측벽에 접하는 스페이서를 형성하는 단계;상기 스페이서 사이의 트렌치를 채우는 제2절연층을 형성하는 단계;상기 스페이서를 선택적으로 제거하여 상기 제1절연층과 상기 제2절연층 사이에 빈 공간을 형성하는 단계;상기 빈 공간의 입구를 막는 제3절연층을 전면에 형성하는 단계; 및상기 제3절연층의 소정 표면 상에 상기 포토다이오드 상부를 개방시키는 형태의 쉴드메탈을 형성하는 단계를 포함하는 이미지 센서의 제조 방법.
- 제5항에 있어서,상기 제1,2 및 제3절연층은, 상기 제1,2 및 제3절연층을 통과하여 상기 에어웨이브가이드에 입사될 때 전반사되도록 상기 에어웨이브가이드의 굴절율(n=1)보다 더 큰 물질로 형성하는 것을 특징으로 하는 이미지 센서의 제조 방법.
- 제6항에 있어서,상기 제1,2 및 제3절연층은, 실리콘산화막으로 형성하는 것을 특징으로 하는 이미지 센서의 제조 방법.
- 제5항에 있어서,상기 식각배리어층과 상기 스페이서는, 질화막으로 형성하는 것을 특징으로 하는 이미지센서의 제조 방법.
- 제5항 또는 제8항에 있어서,상기 스페이서를 형성하는 단계는,블랭킷 식각으로 진행하는 것을 특징으로 하는 이미지 센서의 제조 방법.
- 제5항 또는 제8항에 있어서,상기 스페이서를 제거하는 단계는,습식식각으로 진행하는 것을 특징으로 하는 이미지센서의 제조 방법.
- 제10항에 있어서,상기 습식식각은, 뜨거운 인산용액을 이용하는 것을 특징으로 하는 이미지 센서의 제조 방법.
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