KR20070070625A - 액정 표시장치의 제조 방법 - Google Patents

액정 표시장치의 제조 방법 Download PDF

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KR20070070625A KR1020050133373A KR20050133373A KR20070070625A KR 20070070625 A KR20070070625 A KR 20070070625A KR 1020050133373 A KR1020050133373 A KR 1020050133373A KR 20050133373 A KR20050133373 A KR 20050133373A KR 20070070625 A KR20070070625 A KR 20070070625A
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김세준
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엘지.필립스 엘시디 주식회사
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Abstract

본 발명은 액정 표시장치의 시야각을 개선함과 아울러 제조공정을 안정화할 수 있는 액정 표시장치 및 그 제조 방법을 제공하는 것이다.
이 액정표시장치의 제조방법은 기판상에 게이트 라인을 형성하는 단계와; 상기 게이트 라인을 덮도록 게이트 절연막을 형성하는 단계와; 상기 게이트 절연막을 사이에 두고 상기 게이트 라인과 교차되도록 데이터 라인을 형성하는 단계와; 상기 게이트 라인과 상기 데이터 라인의 교차로 정의되는 화소영역에 화소 전극을 형성하는 단계와; 상기 게이트 라인, 상기 데이터 라인 및 상기 화소 전극과 중첩되도록 제1 배향막을 형성하는 단계와; 상기 제1 배향막 상부에 광 경화성 액정 물질을 전면 코팅하는 단계와; 상기 코팅된 광 경화성 액정 물질에 광을 조사하여 광 경화성 액정물질을 경화하는 단계와; 상기 경화하는 단계에서 경화되지 않은 광 경화성 액정 물질을 제거하여 광 경화성 액정층을 형성하는 단계와; 상기 광 경화성 액정층 표면에 플라즈마 처리를 하는 단계와; 상기 플라즈마 처리된 광 경화성 액정 상에 제2 배향막을 형성하는 단계를 포함한다.

Description

액정 표시장치의 제조 방법 {Method For Fabricating Of Liquid Crystal Display Device }
도 1은 종래의 액정 패널을 간략히 보여주는 도면.
도 2는 본 발명의 제1 실시예에 따른 액정 표시장치의 일부분을 도시한 평면도.
도 3은 도 2에 도시된 액정 표시장치를 I-I'선을 따라 절단하여 도시한 단면도.
도 4는 배향막 인쇄공정을 단계적으로 설명하기 위한 도면.
도 5는 본 발명의 제1 실시예에 따른 액정 패널의 문제점을 도식화한 도면.
도 6은 접촉각을 설명하기 위한 도면.
도 7a 및 도 7b는 플라즈마 기체를 이용한 표면 처리 공정의 효과를 설명하기 위한 도면.
도 8a 및 도 8b는 실험조건에 따른 평균 접촉각을 보여주는 그래프.
도 9은 본 발명의 제2 실시예에 따른 액정 표시장치의 일부분을 도시한 평면도.
도 10은 도 9에 도시된 액정 표시장치를 Ⅱ-Ⅱ'선을 따라 절단하여 도시한 단면도.
도 11a 내지 도 11i는 도 10에 도시된 액정 표시장치의 제조공정을 단계적으로 설명하기 위한 도면.
도 12는 도 11a 내지 도 11i에 도시된 제조공정을 통해 완성된 액정 패널의 일부분을 보여주는 도면.
<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명>
10 : 칼라 필터 기판 20 : 박막 트랜지스터 기판
12, 45, 145 : 하부 기판 14, 62, 162 : 게이트 라인
16, 64, 164 : 데이터 라인 18, 60, 160 : 박막 트랜지스터
22, 40, 140 : 화소 전극 100, 200 : 화면 표시영역
80, 180 : 제1 배향막 90, 190 : 제2 배향막
L, LL : 광 경화성 액정층
본 발명은 액정 표시장치에 관한 것으로, 특히 시야각을 개선함과 아울러 제조공정을 안정화할 수 있는 액정 표시장치 및 그 제조 방법에 관한 것이다.
액정 표시 장치는 전계를 이용하여 유전 이방성을 갖는 액정의 광투과율을 조절함으로써 화상을 표시하게 된다. 이를 위하여, 액정 표시 장치는 액정셀 매트릭스를 통해 화상을 표시하는 액정 표시 패널(이하, 액정 패널)과, 그 액정 패널을 구동하는 구동 회로를 구비한다.
도 1을 참조하면, 종래의 액정 패널은 액정(24)을 사이에 두고 접합된 칼라 필터 기판(10)과 박막 트랜지스터 기판(20)으로 구성된다.
칼라 필터 기판(10)은 상부 유리 기판(2) 상에 순차적으로 형성된 블랙 매트릭스(4)와 칼라 필터(6) 및 공통 전극(8)을 구비한다. 블랙 매트릭스(4)는 상부 유리 기판(2)에 매트릭스 형태로 형성된다. 이러한 블랙 매트릭스(4)는 상부 유리 기판(2)의 영역을 칼라 필터(6)가 형성되어질 다수의 셀 영역들로 나누고, 인접한 셀들간의 광 간섭 및 외부광 반사를 방지한다. 칼라 필터(6)는 블랙 매트릭스(4)에 의해 구분된 셀영역에 적(R), 녹(G), 청(B)으로 구분되게 형성되어 적, 녹, 청색 광을 각각 투과시킨다. 공통 전극(8)은 칼라 필터(6) 위에 전면 증착된 투명 도전층으로 액정(24) 구동시 기준이 되는 공통 전압(Vcom)을 공급한다. 그리고, 칼라 필터(6)의 평탄화를 위하여 칼라 필터(6)와 공통 전극(8) 사이에는 오버코트층(Overcoat Layer)(미도시)이 추가로 형성되기도 한다.
박막 트랜지스터 기판(20)은 하부 유리 기판(12)에서 게이트 라인(14)과 데이터 라인(16)의 교차로 정의된 셀영역마다 형성된 박막 트랜지스터(18)와 화소 전극(22)을 구비한다. 박막 트랜지스터(18)는 게이트 라인(12)으로부터의 게이트 신호에 응답하여 데이터 라인(16)으로부터의 데이터 신호를 화소 전극(22)으로 공급한다. 투명 도전층으로 형성된 화소 전극(22)은 박막 트랜지스터(18)로부터의 데이 터 신호를 공급하여 액정(24)이 구동되게 한다.
유전 이방성을 갖는 액정(24)은 화소 전극(22)의 데이터 신호와 공통 전극(8)의 공통 전압(Vcom)에 의해 형성된 전계에 따라 회전하여 광 투과율을 조절함으로써 계조가 구현되게 한다.
그리고, 액정 패널은 칼라 필터 기판(10)과 박막 트랜지스터 기판(20)과의 셀갭을 일정하게 유지하기 위한 스페이서(미도시)를 추가로 구비한다.
현재, 이러한 액정 표시장치의 개발은 넓은 시야각을 확보하기 위한 방향으로 진행되고 있다. 시야각 확보를 위한 대표적인 방법으로 광시야각 보상 필름을 사용하는 방법이 있는데, 이 외에도 광시야각 확보를 위해 다양한 연구가 이루어지고 있는 실정이다.
따라서 본 발명의 목적은 액정 표시장치의 시야각을 개선함과 아울러 제조공정을 안정화할 수 있는 액정 표시장치의 제조 방법을 제공하는 것이다.
상기 목적을 달성하기 위하여 본 발명에 따른 액정표시장치의 제조방법은 기판상에 게이트 라인을 형성하는 단계와; 상기 게이트 라인을 덮도록 게이트 절연막을 형성하는 단계와; 상기 게이트 절연막을 사이에 두고 상기 게이트 라인과 교차되도록 데이터 라인을 형성하는 단계와; 상기 게이트 라인과 상기 데이터 라인의 교차로 정의되는 화소영역에 화소 전극을 형성하는 단계와; 상기 게이트 라인, 상기 데이터 라인 및 상기 화소 전극과 중첩되도록 제1 배향막을 형성하는 단계와; 상기 제1 배향막 상부에 광 경화성 액정 물질을 전면 코팅하는 단계와; 상기 코팅된 광 경화성 액정 물질에 광을 조사하여 광 경화성 액정물질을 경화하는 단계와; 상기 경화하는 단계에서 경화되지 않은 광 경화성 액정 물질을 제거하여 광 경화성 액정층을 형성하는 단계와; 상기 광 경화성 액정층 표면에 플라즈마 처리를 하는 단계와; 상기 플라즈마 처리된 광 경화성 액정 상에 제2 배향막을 형성하는 단계를 포함한다.
상기 게이트 라인을 형성함과 동시에 상기 게이트 라인과 접속되도록 게이트 패드 하부 전극을 형성하는 단계와; 상기 데이터 라인을 형성함과 동시에 상기 데이터 라인과 접속되도록 데이터 패드 하부 전극을 형성하는 단계와; 상기 게이트 패드 하부 전극 및 상기 데이터 패드 하부 전극을 노출시키는 단계와; 상기 화소 전극과 형성됨과 동시에 상기 노출된 게이트 패드 하부 전극과 접속되는 게이트 패드 상부 전극 및 상기 데이터 패드 하부 전극과 접속되는 데이터 패드 상부 전극을 형성하는 단계를 추가로 포함한다.
상기 제1 및 제2 배향막과 상기 광 경화성 액정층은 상기 데이터 패드 및 상기 게이트 패드가 형성된 패드 영역을 제외한 영역에 형성된다.
상기 제1 및 제2 배향막을 형성하는 단계는 인쇄 방식으로 형성된다.
상기 목적 외에 본 발명의 다른 목적 및 이점들은 첨부한 도면들을 참조한 본 발명의 바람직한 실시예에 대한 설명을 통하여 명백하게 드러나게 될 것이다.
이하, 본 발명의 바람직한 실시예를 도 2 내지 도 9를 참조하여 상세히 설명하기로 한다.
도 2 및 도 3은 본 발명의 제1 실시예에 따른 액정표시장치의 일부분을 보여주는 평면도 및 단면도이다. 도 2 및 도 3을 참조하여 본 발명의 제1 실시예에 따른 액정표시장치에 대하여 살펴보기로 한다.
액정 표시 장치는 전계를 이용하여 유전 이방성을 갖는 액정의 광투과율을 조절함으로써 화상을 표시하게 된다. 이를 위하여, 액정 표시 장치는 액정셀 매트릭스를 통해 화상을 표시하는 액정 표시 패널(이하, 액정 패널)과, 그 액정 패널을 구동하는 구동 회로를 구비한다.
액정 패널은 액정을 사이에 두고 접합된 칼라 필터 기판과 박막 트랜지스터 기판으로 구성된다.
그리고, 액정 패널은 칼라 필터 기판과 박막 트랜지스터 기판과의 셀갭을 일정하게 유지하기 위한 스페이서를 추가로 구비한다.
도 2 및 도 3에 도시된 본 발명의 제1 실시예에 따른 액정표시장치의 박막 트랜지스터 어레이 기판은 하부 기판(45) 위에 게이트 절연막(46)을 사이에 두고 교차하게 형성된 게이트 라인(62) 및 데이터 라인(64)과, 그 교차부마다 형성된 박막 트랜지스터(60)와, 그 교차 구조로 마련된 화소 영역에 형성된 화소 전극(40)과, 게이트 라인(62)과 스토리지전극(72)의 중첩부에 형성된 스토리지 캐패시터(70)와, 게이트 라인(62)과 접속된 게이트 패드부(29)와, 데이터 라인(64)과 접속된 데이터 패드부(30)를 구비한다. 또한 게이트 패드부(29) 및 데이터 패드부(30) 를 제외한 화면 표시영역(100)에 형성된 제1 배향막(80), 제1 배향막 상부에 형성된 광 경화성 액정층(L), 광 경화성 액정층(L) 상부에 형성된 제2 배향막(90)을 구비한다.
게이트 신호를 공급하는 게이트 라인(62)과 데이터 신호를 공급하는 데이터 라인(64)은 교차 구조로 형성되어 화소 영역(25)을 정의한다.
박막 트랜지스터(60)는 게이트 라인(62)의 게이트 신호에 응답하여 데이터 라인(64)의 화소 신호가 화소 전극(40)에 충전되어 유지되게 한다. 이를 위하여, 박막 트랜지스터(60)는 게이트 라인(62)에 접속된 게이트 전극(61)과, 데이터 라인(64)에 접속된 소스 전극(63)과, 화소 전극(40)에 접속된 드레인 전극(65)을 구비한다. 또한, 박막 트랜지스터(60)는 게이트 전극(61)과 게이트 절연막(46)을 사이에 두고 중첩되면서 소스 전극(63)과 드레인 전극(65) 사이에 채널을 형성하는 활성층(48)을 더 구비한다.
그리고, 활성층(48)은 데이터 라인(64), 데이터 패드 하부 전극(32), 그리고 스토리지 전극(72)과도 중첩되게 형성된다. 이러한 활성층(48) 위에는 데이터 라인(64), 소스 전극(63), 드레인 전극(65), 데이터 패드 하부 전극(32), 그리고 스토리지 전극(72)과 오믹 접촉을 위한 오믹 접촉층(50)이 더 형성된다.
화소 전극(40)은 보호막(52)을 관통하는 제1 접촉홀(67)을 통해 박막 트랜지스터(60)의 드레인 전극(65)과 접속되어 화소 영역(25)에 형성된다.
이에 따라, 박막 트랜지스터(60)를 통해 화소 신호가 공급된 화소 전극(40)과 기준 전압이 공급된 공통 전극(도시하지 않음) 사이에는 전계가 형성된다. 이 러한 전계에 의해 박막 트랜지스터 어레이 기판과 칼라 필터 어레이 기판 사이의 액정 분자들이 유전 이방성에 의해 회전하게 된다. 그리고, 액정 분자들의 회전 정도에 따라 화소 영역(25)을 투과하는 광 투과율이 달라지게 됨으로써 계조를 구현하게 된다.
스토리지 캐패시터(70)는 게이트 라인(62)과, 그 게이트 라인(62)과 게이트 절연막(46), 활성층(48), 그리고 오믹 접촉층(50)을 사이에 두고 중첩되는 스토리지 전극(72)과, 그 스토리지 전극(72)과 보호막(52)에 형성된 제2 접촉홀(71)을 통해 접속된 화소 전극(40)으로 구성된다. 이러한 스토리지 캐패시터(70)는 화소 전극(40)에 충전된 화소 신호가 다음 화소 신호가 충전될 때까지 안정적으로 유지되게 한다.
게이트 패드부(29)는 게이트 드라이버(도시하지 않음)와 접속되어 게이트라인(62)에 게이트 신호를 공급한다. 이러한 게이트 패드부(29)는 게이트 라인(62)으로부터 연장되는 게이트 패드 하부 전극(26)과, 게이트 절연막(46) 및 보호막(52)을 관통하는 제3 접촉홀(27)을 통해 게이트 패드 하부 전극(26)과 접속된 게이트 패드 상부 전극(28)으로 구성된다.
데이터 패드부(30)는 데이터 드라이버(도시하지 않음)와 접속되어 데이터라인(64)에 데이터신호를 공급한다. 이러한 데이터 패드부(30)는 데이터 라인(64)으로부터 연장되는 데이터 패드 하부 전극(32)과, 보호막(52)을 관통하는 제4 접촉홀(33)을 통해 데이터 패드 하부 전극(32)과 접속된 데이터 패드 상부 전극(34)으로 구성된다.
제1 배향막(80)은 게이트 패드부(29) 및 데이터 패드부(30)를 제외한 화면 표시영역(100)에 형성되어 광 경화성 액정(L)을 배향시킨다.
광 경화성 액정층(L)은 본 발명에 따른 액정 표시장치의 시야각 범위를 확대하는 역할을 한다.
제2 배향막(90)은 광 경화성 액정층(L) 상부에 형성되어 박막 트랜지스터 어레이 기판과 칼라 필터 어레이 기판 사이의 액정 분자들을 배향시킨다.
도 2 및 도 3에 도시된 바와 같은 광 경화성 액정층(L)을 포함하는 액정 표시장치는 다수의 마스크 공정을 통해 형성된다. 그리고 제1 및 제2 배향막(80, 90)은 인쇄 방식으로 형성되므로 화면표시영역(100) 외곽부에는 인쇄되지 않는다.
도 4는 배향막을 인쇄 방식으로 형성하는 과정을 상세히 보여주는 도면으로 이를 참조하면, 먼저 배향막을 형성하기 위한 이전 단계를 마친 기판(Glass)을 테이블(table)에 로딩시킨다. 그리고 나서 인쇄 롤(Roll)에 부착된 고무 수지판에 배향액을 균일하게 도포하여 배향막을 형성하기 위한 기판 위에 인쇄한다. 배향막 인쇄가 완료되면, 배향액에 포함된 용매를 증발시키면서 배향막을 기판 전체적으로 균일하게 퍼지게 하는 예비 건조 단계를 진행한다. 예비 건조 단계에서 배향막의 프리 틸트각(Pre-tilt Angle)이 형성된다. 예비 건조 단계를 거친 기판은 배향막의 인쇄 불량등을 검사하는 단계를 진행한다. 검사 단계를 거쳐 선택된 기판은 예비 건조 후 기판 위에 남아있는 용매를 건조시킴과 아울러 검사 단계를 거친 배향막을 소성하여 배향막을 경화시킴으로써 배향막의 형성을 완료한다.
도 3에 도시된 제1 및 제2 배향막(80, 90) 또한 도 4에서 서술한 바와 같은 인쇄 방식으로 형성되는데, 광 경화성 액정층(L) 형성 후 그 광 경화성 액정층(L) 상부에 제2 배향막(90)을 형성할 때, 제2 배향막(90)은 도 3에 도시된 바와 같이 광 경화성 액정층(L) 상부에 균일하게 형성되지 않는 현상이 발생한다.
이와 같이 제2 배향막(90)이 불균일하게 형성됨에 따라 박막 트랜지스터 어레이 기판과 칼라 필터 어레이 기판 사이의 액정 분자들 배향이 균일하게 이루어지지 않게 되어 도 5에 도시된 바와 같이 완성된 액정 표시패널에 얼룩을 발생시킨다.
상기와 같이 제2 배향막(90)이 균일하게 형성되지 않는 원인을 규명하기 위해 광경화성 액정층(L)과 그 상부에 도포된 제2 배향막(90) 사이의 접촉각을 측정한 결과 평균 80°의 높은 수치가 측정되었다.
여기서 접촉각이란 도 6에 도시된 바와 같이 액체가 서로 섞이지 않는 물질과 접하는 경우, 그 경계에서 액체-기체간의 계면 에너지(Γlv)와, 고체-기체간의 계면 에너지(Γsv)와, 고체-액체간의 계면 에너지(Γsl)가 열역학적 평형 상태를 이룰 때 형성되는 특정한 각(θ)을 말한다. 이러한 접촉각(θ)의 측정을 통해 고체 표면의 젖음성(wettability)이나 표면 장력을 나타내는 지표로 사용한다.
한편, 고체 표면의 젖음성을 측정하는 정접촉각(static contact angle)에 대해 살펴보기로 한다. 도 6을 참조하면, 정접촉각(θ)은 평평한 고체 표면에 고착된 액체방울(sessile drop)에 의해 측정된다. 평평한 고체표면에 고착된 액체방울의 접촉각(θ)은 액체-고체-기체 접합점에서 액체방울의 접선과 고체 표면이 이루는 각도를 의미한다.
상기의 접촉각(θ)이 작은 경우, 높은 젖음성(친수성: hydrophilic)과 높은 표면 에너지를 가진다.
상기의 접촉각(θ)이 큰 경우, 낮은 젖음성(소수성: hydrophobic)과 낮은 표면 에너지를 가진다.
이러한 접촉각(θ)은 일반적으로 고체의 종류에 따른 표면의 거칠기 등과 같은 표면 특성 및 접촉하는 물질의 동역학적 요인 또는 분자적 요인 등이 있다.
상술한 바에서 알 수 있듯이 높은 수치의 접촉각은 고체 표면의 젖음성이 낮다는 것을 의미한다. 따라서 본 발명의 제1 실시예에서 광경화성 액정층(L)과 제2 배향막(90) 사이에서 측정된 접촉각이 높은 수치로 측정된 것으로 보아 광경화성 액정층(L) 상부에 도포되는 제2 배향막(90)의 젖음성이 낮다는 것을 알 수 있다. 이러한 낮은 젖음성으로 인하여 제2 배향막(90)은 광경화성 액정층(L) 상부에 도포될 때 고르게 퍼지지 못하게 된다. 제2 배향막(90)이 고르게 퍼지지 못하게 됨으로써 광경화성 액정층(L) 상부의 특정영역에는 제2 배향막(90)이 도포되지 않는 비젖음(dewetting) 현상이 발생하게 된다. 이러한 비젖음 현상으로 인하여 결과적으로 제2 배향막(90)이 광 경화성 액정층(L) 상부에 균일하게 형성되지 않는 것이다.
따라서 본 발명의 제1 실시예에서 발생하는 비젖음 현상을 해결하기 위해 본 발명의 제2 실시예에서는 비젖음 현상의 원인이 되는 높은 접촉각을 낮추기 위한 방법을 모색하여 도입한다.
한편, 고체 표면에 플라즈마 기체를 이용한 표면 처리를 진행함으로써 고체 표면의 상태를 변화시키는 방법이 있다. 이러한 표면 처리 공정은 고체 표면의 특성이나 플라즈마 기체의 종류에 따라 다양한 결과를 나타낸다.
예를 들어, 표면 처리 공정을 통해 표면의 젖음성을 조정할 수 있다.
도 7a 및 도 7b는 폴리아크릴로니트릴(polyacrylonitrile ; 이하 "PAN" 이라고 함) 막 표면에 CF4 플라즈마 처리를 한 경우 처리 시간에 따른 접촉각의 변화를 나타낸다. 도 7a를 참조하면 CF4 플라즈마 처리시간이 길어질수록 접촉각이 증가함을 알 수 있다.
접촉각의 증가에 대해 상세히 설명하면, PAN 표면에 CF4 플라즈마 처리를 한 경우 PAN 표면의 CH2-, -CN, -CH들이 플루오르 라디칼(Fluorine radical) F, CF, CF2, CF3 와 결합하여 PAN 표면이 플루오르화(Fluorination)된다. PAN 표면이 플루오르화(Fluorination)됨에 따라 PAN 표면은 소수성을 가지게 되므로 접촉각이 증가하게 된다.
도 7b는 상술한 PAN 표면에 CF4 플라즈마 처리를 한 경우와 달리 PAN 표면에 CF4 플라즈마 외에 H2 플라즈마를 첨가시켜 표면 처리한 경우 H2 플라즈마 비율을 높였을 때 접촉각의 변화를 나타낸다.
도 7b를 참조하면, H2 플라즈마의 비율이 높을수록 접촉각이 감소하는 것을 알 수 있다.
접촉각의 감소에 대해 상세히 설명하면, PAN 표면에 HF결합이 생성되면서 질소 원자들이 남게 되면서 PAN 표면은 친수성을 가지게 되므로 접촉각이 감소하게 된다.
도 7a 및 도 7b에서 살펴본 바와 같이 기체 플라즈마를 이용하여 막 표면의 작용기에 라디칼들을 결합시켜 막 표면이 소수성을 가지도록 해주거나 다른 기체 플라즈마를 이용하여 작용기를 생성함으로써 막 표면에 작용기를 생성시켜 친수성을 가지도록 해줄 수 있다. 즉, 기체 플라즈마의 종류에 따라 젖음성을 조절할 수 있다.
도 7a 및 도 7b에서 살펴본 바와 같이 표면 처리 공정을 통해 젖음성을 조절하는 것 외에 표면 처리 공정을 통해 고체 내부의 결함을 개선하거나, 고체 분자들이 안정적인 결합을 할 수 있도록 하거나, 고체 표면의 세정으로 인하여 다른 막과의 접착력을 증대시킬 수 있는 효과를 얻을 수 있다.
도 6 내지 도 7b에서 살펴본 바에 의하면 본 발명의 제1 실시예에 따른 액정표시장치의 광시야각 액정층(L) 상부에 플라즈마 처리를 하면 젖음성을 개선할 수 있음을 유추할 수 있다.
표 1은 광 경화성 액정층 상부에서 H2 플라즈마 처리를 실시한 실험 조건들을 보여주는 것이다.
최대값 최소값
힘(W) 400 800
압력(mTorr) 100 250
시간(sec) 40 80
표 2는 상기 표 1의 실험 조건에 따른 결과를 보여주는 것이다.
실험횟수 H2 플라즈마 처리 조건 접촉각 측정값(˚)
힘(W) 압력(mTorr) 시간(sec) 에지(edge)부 중앙부 평균
1 400 250 80 71.5 69.1 70.3
2 800 100 40 51.6 59.0 55.3
3 800 250 80 61.6 67.5 64.6
4 800 250 40 64.1 67.3 65.7
5 400 100 80 52.5 57.9 55.2
6 400 100 40 54.2 58.6 56.4
7 400 250 40 67.1 65.7 66.4
8 800 100 80 51.2 57.0 54.1
표 2를 참조하면 광 경화성 액정층 상부에 H2 플라즈마 처리를 해줌으로써 액상으로 도포되는 제2 배향막의 접촉각이 표 2의 모든 조건에서 개선되었음을 알 수 있다.
한편, 접촉각에 유의한 인자를 알아보기 위해 상기 힘, 압력, 시간의 조건들을 가지고 "ANOVA(Analysis of variance)"라 불리는 분석법을 이용한다.
표 3은 ANOVA 분석 결과이다.
Figure 112005077790964-PAT00001
한편, 도 8a는 각 인자의 최대값과 최소값에 따른 평균 접촉각을 나타내는 그래프이고, 도 8b는 각 인자간의 상호 작용에 따른 평균 접촉각을 나타내는 그래프이다.
표 3과, 도 8a 및 도 8b를 참조하면, 접촉각에 유의한 인자는 압력(Pressur)이고, 압력이 낮을 수록 접촉각이 작아짐을 알 수 있다.
이와 같은 실험 결과를 반영하여 광 경화성 액정층 상부에 H2 플라즈마를 이용하여 800W, 100mTorr, 80sec, H2 100sccm의 조건으로 표면 처리한다.
상기의 조건들로 광 경화성 액정층을 표면 처리하면 광 경화성 액정층 및 제2 배향막 사이의 접촉각이 평균 54.1˚로 표면 처리를 하지 않았을 경우의 접촉각과 비교하여 감소하는 것을 알 수 있다.
따라서 본 발명의 제2 실시예에 따른 액정표시장치는 상기 표1 내지 표3과, 도 6 내지 도 8b에서의 실험 결과들을 통해 얻은 결론을 통해 광시야각 액정층 상부 표면을 플라즈마 처리하여 제2 배향막과의 젖음성을 개선하고, 접착력을 증가시켜 액정 표시패널에 얼룩이 생기는 것을 방지한다.
도 9 및 도 10을 참조하여 본 발명의 제2 실시예에 따른 액정표시장치에 대하여 살펴보기로 한다.
도 9 및 도 10에 도시된 본 발명의 제2 실시예에 따른 액정표시장치의 박막 트랜지스터 어레이 기판은 하부 기판(145) 위에 게이트 절연막(146)을 사이에 두고 교차하게 형성된 게이트 라인(162) 및 데이터 라인(164)과, 그 교차부마다 형성된 박막 트랜지스터(160)와, 그 교차 구조로 마련된 화소 영역에 형성된 화소 전극(140)과, 게이트 라인(162)과 스토리지전극(172)의 중첩부에 형성된 스토리지 캐패시터(170)와, 게이트 라인(162)과 접속된 게이트 패드부(129)와, 데이터 라인(164)과 접속된 데이터 패드부(130)를 구비한다. 또한 게이트 패드부(129) 및 데이터 패드부(130)를 제외한 화면 표시영역(200)에 형성된 제1 배향막(180), 제1 배향막(180) 상부에 형성된 광 경화성 액정층(LL), 광 경화성 액정층(LL) 상부에 형성된 제2 배향막(190)을 구비한다.
게이트 신호를 공급하는 게이트 라인(162)과 데이터 신호를 공급하는 데이터 라인(64)은 교차 구조로 형성되어 화소 영역(125)을 정의한다.
박막 트랜지스터(160)는 게이트 라인(162)의 게이트 신호에 응답하여 데이터 라인(164)의 화소 신호가 화소 전극(140)에 충전되어 유지되게 한다. 이를 위하여, 박막 트랜지스터(160)는 게이트 라인(162)에 접속된 게이트 전극(161)과, 데이터 라인(164)에 접속된 소스 전극(163)과, 화소 전극(140)에 접속된 드레인 전극(165)을 구비한다. 또한, 박막 트랜지스터(160)는 게이트 전극(161)과 게이트 절연막(146)을 사이에 두고 중첩되면서 소스 전극(163)과 드레인 전극(165) 사이에 채널을 형성하는 활성층(148)을 더 구비한다.
그리고, 활성층(148)은 데이터 라인(164), 데이터 패드 하부 전극(132), 그리고 스토리지 전극(172)과도 중첩되게 형성된다. 이러한 활성층(148) 위에는 데이터 라인(164), 소스 전극(163), 드레인 전극(165), 데이터 패드 하부 전극(132), 그리고 스토리지 전극(172)과 오믹 접촉을 위한 오믹 접촉층(150)이 더 형성된다.
화소 전극(140)은 보호막(152)을 관통하는 제1 접촉홀(167)을 통해 박막 트랜지스터(160)의 드레인 전극(165)과 접속되어 화소 영역(125)에 형성된다.
이에 따라, 박막 트랜지스터(160)를 통해 화소 신호가 공급된 화소 전극(140)과 기준 전압이 공급된 공통 전극(도시하지 않음) 사이에는 전계가 형성된다. 이러한 전계에 의해 박막 트랜지스터 어레이 기판과 칼라 필터 어레이 기판 사이의 액정 분자들이 유전 이방성에 의해 회전하게 된다. 그리고, 액정 분자들의 회전 정도에 따라 화소 영역(125)을 투과하는 광 투과율이 달라지게 됨으로써 계조를 구현하게 된다.
스토리지 캐패시터(170)는 게이트 라인(162)과, 그 게이트 라인(162)과 게이트 절연막(146), 활성층(148), 그리고 오믹 접촉층(150)을 사이에 두고 중첩되는 스토리지 전극(172)과, 그 스토리지 전극(172)과 보호막(152)에 형성된 제2 접촉홀(171)을 통해 접속된 화소 전극(140)으로 구성된다. 이러한 스토리지 캐패시터(170)는 화소 전극(140)에 충전된 화소 신호가 다음 화소 신호가 충전될 때까지 안정적으로 유지되게 한다.
게이트 패드부(129)는 게이트 드라이버(도시하지 않음)와 접속되어 게이트라인(162)에 게이트 신호를 공급한다. 이러한 게이트 패드부(129)는 게이트 라인(162)으로부터 연장되는 게이트 패드 하부 전극(126)과, 게이트 절연막(146) 및 보호막(152)을 관통하는 제3 접촉홀(127)을 통해 게이트 패드 하부 전극(126)과 접속된 게이트 패드 상부 전극(128)으로 구성된다.
데이터 패드부(130)는 데이터 드라이버(도시하지 않음)와 접속되어 데이터라인(164)에 데이터신호를 공급한다. 이러한 데이터 패드부(130)는 데이터 라인(164)으로부터 연장되는 데이터 패드 하부 전극(132)과, 보호막(152)을 관통하는 제4 접촉홀(133)을 통해 데이터 패드 하부 전극(132)과 접속된 데이터 패드 상부 전극(134)으로 구성된다.
제1 배향막(180)은 게이트 패드부(129) 및 데이터 패드부(130)를 제외한 화면 표시영역(200)에 형성되어 광 경화성 액정(LL)을 배향시킨다.
광 경화성 액정층(LL)은 본 발명에 따른 액정 표시장치의 시야각 범위를 확대한다. 이 광 경화성 액정층(LL)은 일정 방향으로 정렬되어 경화된 액정층으로 형성되어 시야각을 확대해 준다. 일정 방향으로 정렬되어 경화된 광 경화성 액정층(LL)은 외부에서 전압을 인가하더라도 정렬 방향이 변하지 않으므로 외부 환경의 변화에 무관하게 시야각을 확대해 주는 역할을 할 수 있다.
상기와 같은 광 경화성 액정층(LL)을 이용하여 시야각을 확대하는 원리는 광 경화성 액정층(LL)을 이용하여 시야 방향의 변화에 대한 빛의 위상차 변화를 줄임으로써 시야각을 확대하는 것이다. 즉 광 경화성 액정층(LL) 없이 액정층을 투과하는 빛은 시야각에 따라 위상차 변화가 심하게 발생한다. 따라서, 이 위상차를 보상해 줄 수 있도록 일정방향으로 경화된 광 경화성 액정층(LL)을 추가로 구비함으로써 위상차 변화가 줄어들게 되고 시야각이 확대되는 것이다.
제2 배향막(190)은 광 경화성 액정층(LL) 상부에 형성되어 박막 트랜지스터 어레이 기판과 칼라 필터 어레이 기판 사이의 액정 분자들을 배향시킨다.
상기와 같은 구성의 본 발명의 제2 실시예에 따른 박막 트랜지스터 기판의 제조 방법을 5 마스크 공정을 이용하는 예를 들어 상세히 하면 도 11a 내지 도 11i에 도시된 바와 같다.
도 11a를 참조하면, 제1 마스크 공정을 이용하여 하부 기판(145) 상에 게이트 라인(162), 게이트 전극(161) 및 게이트 패드 하부 전극(126)을 포함하는 제1 도전 패턴군이 형성된다.
제1 도전 패턴군의 형성과정을 상세히 설명하면, 하부 기판(145) 상에 스퍼터링 방법 등의 증착 방법을 통해 게이트 금속층이 형성된다. 이어서, 제1 마스크를 이용한 포토리쏘그래피 공정과 식각 공정으로 게이트 금속층이 패터닝됨으로써 게이트 라인(162), 게이트 전극(161) 및 게이트 패드 하부 전극(126)을 포함하는 제1 도전 패턴군이 형성된다. 여기서, 게이트 금속층으로는 알루미늄계 금속 등이 이용된다.
도 11b를 참조하면, 제1 도전 패턴군이 형성된 하부 기판(145) 상에 게이트 절연막(146)이 도포된다. 그리고 제2 마스크 공정을 이용하여 게이트 절연막(146) 위에 활성층(148) 및 오믹 접촉층(150)을 포함하는 반도체 패턴과; 데이터 라인(164), 소스 전극(163), 드레인 전극(165), 데이터 패드 하부 전극(132), 스토리지 전극(172)을 포함하는 제2 도전 패턴군이 형성된다.
제2 도전 패턴군의 형성과정을 상세히 설명하면, 제1 도전 패턴군이 형성된 하부 기판(145) 상에 PECVD, 스퍼터링 등의 증착 방법을 통해 게이트 절연막(146), 비정질 실리콘층, n+ 비정질 실리콘층, 그리고 소스/드레인 금속층이 순차적으로 형성된다. 여기서, 게이트 절연막(146)의 재료로는 산화 실리콘(SiOx) 또는 질화 실리콘(SiNx) 등의 무기 절연물질이 이용된다. 소스/드레인 금속으로는 몰리브덴(Mo), 티타늄, 탄탈륨, 몰리브덴 합금(Mo alloy) 등이 이용된다.
이어서, 소스/드레인 금속층 위에 제2 마스크를 이용한 포토리쏘그래피 공정으로 포토레지스트 패턴을 형성하게 된다. 이 경우 제2 마스크로는 박막 트랜지스터의 채널부에 회절 노광부를 갖는 회절 노광 마스크를 이용함으로써 채널부의 포토레지스트 패턴이 다른 소스/드레인 패턴부 보다 낮은 높이를 갖게 한다.
이어서, 포토레지스트 패턴을 이용한 습식 식각 공정으로 소스/드레인 금속층이 패터닝됨으로써 데이터 라인(164), 소스 전극(163), 그 소스 전극(163)과 일체화된 드레인 전극(165), 스토리지 전극(172)을 포함하는 제2 도전 패턴군이 형성된다.
그 다음, 동일한 포토레지스트 패턴을 이용한 건식 식각공정으로 n+ 비정질 실리콘층과 비정질 실리콘층이 동시에 패터닝됨으로써 오믹 접촉층(150)과 활성층(148)이 형성된다.
그리고, 애싱(Ashing) 공정으로 채널부에서 상대적으로 낮은 높이를 갖는 포토레지스트 패턴이 제거된 후 건식 식각 공정으로 채널부의 소스/드레인 금속 패턴 및 오믹 접촉층(150)이 식각된다. 이에 따라, 채널부의 활성층(148)이 노출되어 소스 전극(163)과 드레인 전극(165)이 분리된다.
이어서, 스트립 공정으로 제2 도전 패턴군 위에 남아 있던 포토레지스트 패턴이 제거된다.
도 11c를 참조하면, 제2 도전 패턴군이 형성된 게이트 절연막(146) 상에 제3 마스크 공정을 이용하여 제1 내지 제4 접촉홀들(167, 171, 127, 133)을 포함하는 보호막(152)이 형성된다.
상세히 하면, 제2 도전 패턴군이 형성된 게이트 절연막(146) 상에 PECVD 등의 증착 방법으로 보호막(152)이 전면 형성된다. 이어서, 보호막(152)이 제3 마스크를 이용한 포토리쏘그래피 공정과 식각 공정으로 패터닝됨으로써 제1 내지 제4 접촉홀들(167, 171, 127, 133)이 형성된다. 제1 접촉홀(167)은 보호막(152)을 관통하여 드레인 전극(165)을 노출시키고, 제2 접촉홀(171)은 보호막(152)을 관통하여 스토리지 전극(172)을 노출시킨다. 제3 접촉홀(127)은 보호막(152) 및 게이트 절연막(146)을 관통하여 게이트 패드 하부 전극(126)을 노출시키고, 제4 접촉홀(133)은 보호막(152)을 관통하여 데이터 패드 하부 전극(132)을 노출시킨다. 여기서, 소스/드레인 금속으로 몰리브덴(Mo)과 같이 건식 식각비가 큰 금속이 이용되는 경우 제1, 제2, 제4 접촉홀(167, 171, 133) 각각은 드레인 전극(165), 스토리지 전극(172), 데이터 패드 하부 전극(132)까지 관통하여 그들의 측면을 노출시키게 된다.
보호막(152)의 재료로는 게이트 절연막(146)과 같은 무기 절연 물질이나 유전상수가 작은 아크릴(acryl)계 유기 화합물, BCB 또는 PFCB 등과 같은 유기 절연 물질이 이용된다.
도 11d를 참조하면, 제4 마스크 공정을 이용하여 보호막(152) 상에 화소 전극(140), 게이트 패드 상부 전극(128), 데이터 패드 상부 전극(134)을 포함하는 제3 도전 패턴군이 형성된다.
제3 도전 패턴군의 형성과정을 상세히 하면, 보호막(152) 상에 스퍼터링 등의 증착 방법으로 투명 도전막이 도포된다. 이어서 제4 마스크를 이용한 포토리쏘그래피 공정과 식각 공정을 통해 투명 도전막이 패텅님됨으로써 화소 전극(140), 게이트 패드 상부 전극(128), 데이터 패드 상부 전극(134)을 포함하는 제3 도전 패턴군이 형성된다. 화소 전극(140)은 제1 접촉홀(167)을 통해 드레인 전극(165)과 전기적으로 접속되고, 제2 접촉홀(171)을 통해 스토리지 전극(172)과 전기적으로 접속된다. 게이트 패드 상부 전극(128)는 제3 접촉홀(137)을 통해 게이트 패드 하부 전극(126)과 전기적으로 접속된다. 데이터 패드 상부 전극(134)은 제4 접촉홀(133)을 통해 데이터 하부 전극(132)과 전기적으로 접속된다.
여기서, 투명 도전막의 재료로는 인듐 틴 옥사이드(Indium Tin Oxide : ITO), 틴 옥사이드(Tin Oxide : TO), 인듐 틴 징크 옥사이드(Indium Tin Zinc Oxide : ITZO) 및 인듐 징크 옥사이드(Indium Zinc Oxide : IZO) 중 어느 하나가 이용된다.
도 11e 내지 도 11g를 참조하면, 제3 도전 패턴군이 형성된 보호막(152) 및 화소 전극(140) 상에 제1 배향막(180)이 인쇄된다. 그리고 제5 마스크 공정을 이용하여 제1 배향막(180) 위에 광 경화성 액정층(LL)을 패터닝 한다.
광 경화성 액정층(LL) 형성과정을 상세히 하면, 제3 도전 패턴군이 형성된 보호막(152) 및 화소 전극(140) 상에 도 3에서 상술한 바와 같은 인쇄 기법을 통해 제1 배향막(180)이 인쇄된다. 이 때 제1 배향막(180)은 을 게이트 패드부(129) 및 데이터 패드부(130)를 제외한 화면표시영역에 증착되고, 제1 배향막(180)의 재료로는 폴리 아믹산이나 폴리이미드(Polyimide)와 같은 유기 배향물질이 이용된다.
그리고 나서 제1 배향막(180), 보호막(152), 게이트 패드 상부 전극(128) 및 데이터 패드 상부 전극(134) 상에 스핀(spin) 또는 슬릿(silt) 공정을 통해 광 경화성 액정 물질(230)을 전면 코팅한다. 이 때 광 경화성 액정 물질(230)로는 박막 트랜지스터 어레이 기판과 칼라 필터 어레이 기판 사이에 배향되는 일반 액정과 동일한 물질이다.
이어서, 제5 마스크(250)를 광 경화성 액정 물질(230)이 전면 코팅된 기판(145) 상부에 배치시킨다. 이 제5 마스크(250)는 비 노광 영역(P1) 및 노광 영역(P2)을 포함하고 있다.
기판(145) 상부에 배치된 제5 마스크(250) 상부에서 자외선(UV)등의 광을 조사하면 노광 영역(P2)에 대응되는 광 경화성 액정 물질(230)이 경화된다. 그리고 비 노광 영역(P1)에 대응되는 광 경화성 액정 물질(230)은 경화되지 않고 현상액에 의해 제거됨으로써 광 경화성 액정층(LL)이 패터닝 된다.
도 11h를 참조하면, 패터닝 된 광 경화성 액정층(LL) 상부에서 수소(H2) 플라즈마를 이용한 표면 처리를 한다.
수소(H2) 이외에도 질소(N2), 아르곤(Ar)등의 가스를 이용하여 표면처리 할 수 있다.
이와 같이 수소(H2) 플라즈마를 이용한 표면 처리 공정을 통해 이 후 형성될 제2 배향막(190)이 광 경화성 액정층(LL)에 균일하게 퍼질 수 있게 된다. 즉, 제2 배향막(190)의 젖음(wetting)성이 개선된다.
도 11i를 참조하면, 표면 처리된 광 경화성 액정층(LL) 상부에 제2 배향막(190)이 인쇄된다. 제2 배향막(190)은 광 경화성 액정층(LL) 상부에서 도 3에서 상술한 바와 같은 인쇄 기법을 인쇄된다. 이 때 제2 배향막(190)의 재료로는 폴리 아믹산이나 폴리이미드(Polyimide)와 같은 유기 배향물질이 이용된다.
이와 같이 본 발명에 따른 액정표시장치는 광 경화성 액정층(LL)을 포함함과 아울러 본 발명에 따른 액정표시장치를 제조함에 있어 제2 배향막의 젖음(wetting)성을 개선하기 위해 광 경화성 액정층(LL) 상부에서 플라즈마 처리하는 단계를 추가로 포함한다.
도 12는 플라즈마 처리단계를 포함하는 액정표시장치의 제조방법에 따라 완성된 액정패널을 보여주는 도면이다. 도 9를 참조하면, 광 경화성 액정층(LL) 상부를 플라즈마 처리하므로써 제2 배향막의 젖음(wetting)성이 개선되어 제2 배향막이 광 경화성 액정층(LL) 상부에 균일하게 인쇄된다. 제2 배향막의 균일한 인쇄로 제2 배향막에 배향되는 액정 분자들이 균일하게 됨으로써 완성된 패널에 얼룩이 생기는 현상을 방지할 수 있게 된다.
플라즈마 처리단계를 포함하는 본 발명에 따른 액정표시장치의 제조방법은 상기 마스크 공정 수 및 액정표시장치의 구조에 제한되지 않고, 광 경화성 액정층을 포함하고 있는 어떠한 공지의 액정표시장치 및 광 경화성 액정층 상부에 배향막을 형성하는 단계을 포함하는 어떠한 공지의 액정표시장치의 제조방법에 이용될 수 있다.
상술한 바와 같이, 본 발명에 따른 액정표시장치의 제조방법은 광 경화성 액정층을 형성하는 단계를 포함하고 있어서 액정표시장치의 시야각을 보상할 수 있다. 그리고 본 발명에 따른 액정표시장치의 제조방법은 광 경화성 액정층 표면에서 수소 등의 가스를 이용한 플라즈마 처리 단계를 추가로 포함함으로써 제2 배향막이 광 경화성 액정층 표면에서 균일하게 형성될 수 있게 된다. 본 발명은 제2 배향막이 균일하게 형성시킬 수 있게 됨 따라 박막 트랜지스터 어레이 기판과 칼라 필터 어레이 기판 사이의 액정 분자들을 배향이 균일하게 이루어질 수 있게 되어 완성된 액정 패널에 얼룩이 생기는 현상을 방지할 수 있게 된다.
또한 본 발명은 광 경화성 액정층을 포함함으로써 시야각을 확보할 수 있어서 시야각을 확보하기 위해 부착하는 편광판 필름을 삭제할 수 있는 구조이므로, 본 발명에 따른 액정 패널은 더욱 박형화되고 경량화 될 수 있다.
이상 설명한 내용을 통해 당업자라면 본 발명의 기술사상을 일탈하지 아니하는 범위에서 다양한 변경 및 수정이 가능함을 알 수 있을 것이다. 따라서, 본 발명의 기술적 범위는 명세서의 상세한 설명에 기재된 내용으로 한정되는 것이 아니라 특허 청구 범위에 의해 정하여져야만 할 것이다.

Claims (7)

  1. 기판상에 게이트 라인을 형성하는 단계와;
    상기 게이트 라인을 덮도록 게이트 절연막을 형성하는 단계와;
    상기 게이트 절연막을 사이에 두고 상기 게이트 라인과 교차되도록 데이터 라인을 형성하는 단계와;
    상기 게이트 라인과 상기 데이터 라인의 교차로 정의되는 화소영역에 화소 전극을 형성하는 단계와;
    상기 게이트 라인, 상기 데이터 라인 및 상기 화소 전극과 중첩되도록 제1 배향막을 형성하는 단계와;
    상기 제1 배향막 상부에 광 경화성 액정 물질을 전면 코팅하는 단계와;
    상기 코팅된 광 경화성 액정 물질에 광을 조사하여 광 경화성 액정물질을 경화하는 단계와;
    상기 경화하는 단계에서 경화되지 않은 광 경화성 액정 물질을 제거하여 광 경화성 액정층을 형성하는 단계와;
    상기 광 경화성 액정층 표면에 플라즈마 처리를 하는 단계와;
    상기 플라즈마 처리된 광 경화성 액정 상에 제2 배향막을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 액정표시장치의 제조방법.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 게이트 라인을 형성함과 동시에 상기 게이트 라인과 접속되도록 게이트 패드 하부 전극을 형성하는 단계와;
    상기 데이터 라인을 형성함과 동시에 상기 데이터 라인과 접속되도록 데이터 패드 하부 전극을 형성하는 단계와;
    상기 게이트 패드 하부 전극 및 상기 데이터 패드 하부 전극을 노출시키는 단계와;
    상기 화소 전극과 형성됨과 동시에 상기 노출된 게이트 패드 하부 전극과 접속되는 게이트 패드 상부 전극 및 상기 데이터 패드 하부 전극과 접속되는 데이터 패드 상부 전극을 형성하는 단계를 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 액정표시장치의 제조방법.
  3. 제 2 항에 있어서,
    상기 제1 및 제2 배향막과 상기 광 경화성 액정층은 상기 데이터 패드 및 상기 게이트 패드가 형성된 패드 영역을 제외한 영역에 형성되는 것을 특징으로 하는 액정표시장치의 제조방법.
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 제1 및 제2 배향막을 형성하는 단계는 인쇄 방식으로 형성되는 것을 특징으로 하는 액정표시장치의 제조방법.
  5. 제1 마스크를 이용하여 기판상에 게이트 라인 및 상기 게이트 라인과 접속된 게이트 패드 하부 전극을 포함하는 제1 도전 패턴군을 형성하는 단계와;
    상기 제1 도전 패턴군을 덮도록 게이트 절연막을 형성하는 단계와;
    제2 마스크를 이용하여 상기 게이트 절연막 상에 상기 게이트 라인과 교차되는 데이터 라인 및 상기 데이터 라인과 접속된 데이터 패드 하부 전극을 포함하는 제2 도전 패턴을 형성하는 단계와;
    상기 제2 도전 패턴군을 덮도록 보호막을 형성하는 단계와;
    제3 마스크를 이용하여 상기 보호막 및 상기 게이트 절연막을 적어도 하나 관통하여 상기 게이트 패드 하부 전극 및 상기 데이터 패드 하부 전극을 노출시키는 단계와;
    제4 마스크를 이용하여 상기 보호막 상에 상기 게이트 라인과 상기 데이터 라인의 교차로 정의되는 화소영역에 화소 전극, 상기 노출된 게이트 패드 하부 전극과 접속된 게이트 패드 상부 전극 및 상기 노출된 데이터 패드 하부 전극과 접속된 데이터 패드 상부 전극을 형성하는 단계와;
    상기 게이트 라인, 상기 데이터 라인 및 상기 화소 전극과 중첩되도록 제1 배향막을 형성하는 단계와;
    상기 제1 배향막 상부에 광 경화성 액정 물질을 전면 코팅하는 단계와;
    제5 마스크를 이용하여 상기 코팅된 광 경화성 액정 물질에 광을 조사하여 광 경화성 액정물질을 경화하고, 경화되지 않은 광 경화성 액정 물질을 제거하여 광 경화성 액정층을 형성하는 단계와;
    상기 광 경화성 액정층 표면에 플라즈마 처리를 하는 단계와;
    상기 플라즈마 처리된 광 경화성 액정 상에 제2 배향막을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 액정표시장치의 제조방법.
  6. 제 5 항에 있어서,
    상기 제1 및 제2 배향막과 상기 광 경화성 액정층은 상기 데이터 패드 및 상기 게이트 패드가 형성된 패드 영역을 제외한 영역에 형성되는 것을 특징으로 하는 액정표시장치의 제조방법.
  7. 제 5 항에 있어서,
    상기 제1 및 제2 배향막을 형성하는 단계는 인쇄 방식으로 형성되는 것을 특징으로 하는 액정표시장치의 제조방법.
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