KR20070061994A - 표시 장치 및 그 제조 방법 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 기판, 상기 기판 위에 형성되어 있으며 하나 이상의 피복을 가지는 동축 구조인 나노 발광체, 상기 기판의 하부 또는 상부에 위치하여 상기 나노 발광체에 광을 공급하는 광원, 그리고 상기 기판 위에 형성되어 있으며 상기 광원은 온(on) 또는 오프(off)하는 스위칭 소자를 포함하는 표시 장치에 관한 것이다.
나노 발광체, 유기 반도체, 절연체, 광 발광성, 동축 구조
Description
도 1은 본 발명의 한 실시예에 따른 표시 장치의 개략도이고,
도 2는 본 발명의 다른 한 실시예에 따른 표시 장치의 개략도이고,
도 3은 도 1 및 도 2의 표시 장치의 'A' 부분을 확대하여 표시한 확대도이고,
도 4a 내지 도 4c는 여러 형태의 나노 발광체를 보여주는 개략도이고,
도 5a 내지 도 5f는 본 발명의 한 실시예에 따른 나노 발광체를 제조하는 방법을 차례로 보여주는 개략도이고,
도 6 및 도 7은 복수의 화소(P)를 포함하는 박막 트랜지스터 표시판의 개략도이고,
도 8은 도 6 및 도 7의 박막 트랜지스터 표시판에서 하나의 화소를 확대한 배치도이고,
도 9 및 도 10은 도 8의 박막 트랜지스터 표시판을 IX-IX 선 및 X-X 선을 따라 잘라 도시한 단면도이다.
<도면 부호의 설명>
10: 주형 11: 중공
12: 중합 개시제 13: 진공 챔버
14: 기상 단량체 15: 피복
16: 종심 20: 나노 발광체
100: 박막 트랜지스터 표시판 110: 절연 기판
121: 게이트선 124: 게이트 전극
131: 유지 전극선 133a, 133b: 유지 전극
140: 게이트 절연막 151: 반도체
161, 165: 저항성 접촉 부재
171: 데이터선 173: 소스 전극
175: 드레인 전극 180: 보호막
181, 182, 183a, 183b, 185: 접촉 구멍
191: 화소 전극 340, 341: 광원
340: 박막 트랜지스터 342: 반사판
343: 기판 P: 화소
D: 표시 영역
본 발명은 표시 장치 및 그 제조 방법에 관한 것이다.
표시 장치는 문자나 도형 등의 정보를 시각적으로 표시하는 소자로서, 음극 선관(cathode ray tube, CRT), 액정 표시 장치(liquid crystal display, LCD), 전기 발광(electroluminescence) 장치 및 광 발광(photoluminescence) 장치 등이 포함된다.
음극선관은 전자총에서 나오는 전자빔이 화면의 형광면에 부딪치며 발광하여 표시하는 방식이며, 액정 표시 장치는 전기장 생성 전극에 전압을 인가하여 액정층에 전기장을 생성함으로써 액정층의 액정 분자들의 방향을 결정하고 액정층을 통과하는 빛의 투과율을 조절하는 방식이다.
전기 발광 장치는 하나의 전극으로부터 주입된 전자(electron)와 다른 전극으로부터 주입된 정공(hole)이 발광층에서 결합하여 여기자(exciton)를 형성하고 이것이 에너지를 방출하면서 발광하는 방식이고, 광 발광 장치는 외부에서 공급된 빛에 의해 에너지를 흡수하여 여기 상태(excited state)가 되고 이것이 바닥 상태(ground state)로 돌아갈 때 흡수한 에너지를 빛으로 방출하는 방식이다.
이러한 표시 장치는 복수의 화소를 포함하며, 각 화소는 미세한 크기로 형성되어야 고해상도를 얻을 수 있다.
그러나 화소는 일반적으로 사진 식각과 같은 방법으로 패터닝하므로 미세한 크기로 형성하는데 한계가 있다.
따라서 본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는 이러한 문제점을 해결하기 위한 것으로서 나노 크기의 화소를 형성하여 고해상도를 구현하는 것이다.
본 발명의 한 실시예에 따른 표시 장치는 기판, 상기 기판 위에 형성되어 있으며 하나 이상의 피복을 가지는 동축(coaxial) 구조인 나노 발광체, 상기 기판의 하부 또는 상부에 위치하여 상기 나노 발광체에 광을 공급하는 광원 그리고 상기 기판 위에 형성되어 있으며 상기 광원을 온(on) 또는 오프(off)하는 스위칭 소자를 포함한다.
또한, 상기 스위칭 소자는 각 화소마다 배열되어 있는 복수의 박막트랜지스터일 수 있다.
또한, 상기 광원은 복수 개를 포함하며, 상기 복수 개의 광원은 상기 복수의 박막 트랜지스터와 각각 연결될 수 있다.
또한, 상기 스위칭 소자는 매트릭스(matrix) 형태로 배열될 수 있다.
또한, 상기 나노 발광체는 발광성 유기 반도체를 포함할 수 있다.
또한, 상기 나노 발광체는 종심(core)과 상기 종심을 둘러싸는 하나 이상의 피복(shell)을 포함할 수 있다.
또한, 상기 종심 및 상기 하나 이상의 피복 중 어느 하나는 발광성 유기 반도체를 포함할 수 있다.
또한, 상기 종심 및 상기 하나 이상의 피복 중 적어도 하나는 광 투과성 물질을 포함할 수 있다.
또한, 상기 나노 발광체는 제1 피복, 상기 제1 피복의 내부에 형성되어 있는 종심, 그리고 상기 제1 피복과 상기 종심 사이에 형성되어 있으며 발광성 유기 반도체를 포함하는 제2 피복을 포함하며, 상기 종심 및 상기 제1 피복 중 적어도 하 나는 광 투과성 물질을 포함할 수 있다.
또한, 상기 발광성 유기 반도체는 로다민 B, 플루오레세인, 피렌, 펜타센, 루블렌, 폴리아닐린, 폴리티오펜 및 폴리피롤 중 하나일 수 있다.
또한, 상기 광 투과성 물질은 절연 물질을 포함할 수 있다.
또한, 상기 광 투과성 물질은 폴리메틸메타크릴레이트(polymethylmethacrylate), 폴리스티렌(polystyrene), 폴리디비닐벤젠(polydivinylbenzene), 폴리아크릴로니트릴(polyacrylonitrile) 및 폴리카보네이트 (Polycarbonate) 중 어느 하나를 포함할 수 있다.
또한, 상기 나노 발광체는 나노 와이어(nanowire) 또는 나노 튜브(nanotube)일 수 있다.
또한, 상기 나노 발광체는 세워져 있거나 누워있는 동축 구조일 수 있다.
또한, 본 발명의 한 실시예에 따른 표시 장치의 제조 방법은 나노 발광체를 제조하는 단계, 기판 위에 상기 나노 발광체를 형성하는 단계, 그리고 상기 기판의 하부 및 상부 중 어느 하나에 광원을 배치하는 단계를 포함한다.
또한, 상기 나노 발광체를 제조하는 단계는 포어(pore)를 가지는 주형(template)을 마련하는 단계, 상기 포어 내에 기상(vapor phase) 방법으로 유기 또는 무기 물질을 공급하는 단계를 포함할 수 있다.
또한, 상기 유기 또는 무기 물질을 도입하는 단계는 기상 증착으로 수행할 수 있다.
또한, 상기 유기 또는 무기 물질을 도입하는 단계는 기상 중합으로 수행할 수 있다.
또한, 상기 기상 중합은 상기 포어 내에 기상의 단량체를 공급하는 단계, 상기 단량체를 중합하는 단계를 포함할 수 있다.
또한, 상기 단량체를 중합하는 단계는 진공 하에 수행할 수 있다.
또한, 상기 단량체는 메틸메타크릴레이트(methylmethacrylate), 스티렌(styrene), 디비닐벤젠(divinylbenzene), 비닐페놀(vinylphenol), 피롤(pyrrole), 아닐린(aniline), 티오펜(thiophene), 펜타센 및 루블렌 중 어느 하나일 수 있다.
또한, 상기 단량체를 중합하는 단계는 50 내지 200℃에서 수행할 수 있다.
또한, 상기 단량체를 공급하는 단계 전에 상기 포어 내에 중합 개시제를 도입하는 단계를 더 포함할 수 있다.
또한, 상기 중합 개시제는 AIBN(2,2'-azobisisobutyronitrile), BPO(benzoyl peroxide), CAN(cerium ammonium nitride) 및 염화철(FeCl3) 중 적어도 하나일 수 있다.
또한, 상기 단량체를 중합하는 단계 후에 상기 주형으로부터 상기 나노 중합체를 분리하는 단계를 더 포함할 수 있다.
또한, 상기 주형은 산화알루미늄(aluminum oxide)을 포함하며, 상기 나노 중합체를 분리하는 단계는 상기 주형을 식각하여 수행할 수 있다.
또한, 상기 식각은 수산화나트륨 및 염산 중 적어도 하나를 사용할 수 있다.
또한, 상기 나노 발광체를 제조하는 단계는 포어(pore)를 가지는 주형 (template)을 마련하는 단계, 상기 포어 내에 제1 물질을 도입하여 내부가 비어있는 튜브 형상의 제1 피복을 형성하는 단계, 상기 포어 내에 제2 물질을 도입하여 상기 제1 피복의 내부에 위치하는 종심을 형성하는 단계를 포함할 수 있다.
또한, 상기 제1 피복을 형성하는 단계 후에 상기 포어 내에 제3 물질을 도입하여 상기 제1 피복의 내부에 튜브 형상의 제2 피복을 형성하는 단계를 더 포함할 수 있다.
또한, 상기 제1 피복, 상기 제2 피복 및 상기 종심은 기상 증착 또는 기상 중합으로 형성할 수 있다.
또한, 상기 제1 물질, 상기 제2 물질 및 상기 제3 물질 중 적어도 하나는 발광성 유기 반도체일 수 있다.
이하, 첨부한 도면을 참조하여 본 발명의 실시예에 대하여 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 상세히 설명한다. 그러나 본 발명은 여러 가지 상이한 형태로 구현될 수 있으며 여기에서 설명하는 실시예에 한정되지 않는다.
도면에서 여러 층 및 영역을 명확하게 표현하기 위하여 두께를 확대하여 나타내었다. 명세서 전체를 통하여 유사한 부분에 대해서는 동일한 도면 부호를 붙였다. 층, 막, 영역, 판 등의 부분이 다른 부분 "위에" 있다고 할 때, 이는 다른 부분 "바로 위에" 있는 경우 뿐만 아니라 그 중간에 또 다른 부분이 있는 경우도 포함한다. 반대로 어떤 부분이 다른 부분 "바로 위에" 있다고 할 때에는 중간에 다른 부분이 없는 것을 뜻한다.
그러면 본 발명의 한 실시예에 따른 표시 장치에 대하여 도 1 내지 도 3을 참조하여 상세하게 설명한다.
도 1은 본 발명의 한 실시예에 따른 표시 장치의 개략도이고, 도 2는 본 발명의 다른 한 실시예에 따른 표시 장치의 개략도이고, 도 3은 도 1 및 도 2의 표시 장치의 'A' 부분을 확대하여 표시한 확대도이다.
도 1을 참조하면, 본 발명의 한 실시예에 따른 표시 장치는 광원(341), 광원(341)의 하부에 위치하여 광을 반사하는 반사판(342), 광원(341)의 상부에 위치하는 기판(343), 그리고 기판(343)에 형성되어 있는 복수의 나노 발광체(20)를 포함한다.
광원(341)은 일반적으로 유기 발광체의 밴드갭 에너지 (bankgap energy)가 자외선(UV) 에너지 수준이므로 자외선 공급 램프(UV-lamp)를 사용하는 것이 바람직하다. 또한 냉음극 형광 램프(cold cathode flourescent lamp, CCFL), 발광 다이오드(light-emitting diode, LED) 및 섬유형 광원(fibrillar light source) 따위 또한 사용할 수 있으며, 이때 광원은 어느 한 쪽에 배치되어 있는 에지형일 수도 있고 복수 개가 나란히 배치되어 있는 직하형일 수도 있다.
반사판(342)은 광원(341)의 하부에 위치하여 광원(341)으로부터 방출되는 빛을 전면으로 반사하며, 알루미늄(Al) 또는 은(Ag) 따위의 불투명 금속으로 만들어질 수 있다.
기판(343)은 불투명 물질로 만들어질 수 있으며, 광원(341)으로부터 방출되는 광을 전면에 균일하게 전달하는 도광판의 역할을 한다.
기판(343)에는 복수의 나노 발광체(20)가 형성되어 있다. 나노 발광체(20)는 기판(343) 위에 수직으로 서있거나 수평하게 누워있을 수 있다. 이 때, 도 3에 도시한 바와 같이 나노 발광체(20)의 한쪽은 기판(343)에 심어진 형태, 즉 기판(343)을 통과하도록 배치함으로써 광원(341)으로부터 방출되는 광이 나노 발광체(20)에만 조사되고 나머지 영역에는 인체에 유해할 수 있는 자외선 수준의 에너지를 지니는 광이 투과되지 않도록 한다.
나노 발광체(20)는 표시하고자 하는 특정 숫자, 문자 또는 기호 등을 나타내도록 소정 위치에 형성되어 있으며, 하나 또는 복수 개의 다발(bundle)을 포함할 수 있다.
나노 발광체(20)는 직경 200nm 이하의 크기를 가지는 선형 발광체이며, 자외선 따위의 광을 흡수하여 가시광선 따위의 광을 방출할 수 있는 유기 반도체를 포함한다.
도 4a 내지 도 4c는 여러 형태의 나노 발광체(20)를 보여주는 개략도이다.
도 4a의 나노 발광체(20)는 종심(core)(16)과 이를 감싸고 있는 피복(shell)(15)을 포함한다. 피복(15)은 종심(16)의 중심 부분만 둘러싸고 있어 종심(16)의 양 끝이 노출될 수 있다. 종심(16)은 발광성 유기 반도체로 만들어지며, 피복(15)은 유기 반도체에서 방출하는 광을 외부로 보낼 수 있는 광 투과성 물질로 만들어진다.
발광성 유기 반도체는 광원으로부터 방출된 광을 흡수하여 여기 상태(excited state)가 되고 이것이 바닥 상태(ground state)로 돌아갈 때 흡수한 에너 지를 빛으로 방출한다.
발광성 유기 반도체는 저분자 물질과 고분자 물질을 포함할 수 있다.
저분자 물질에는 Alq3(tris-(8-hydroxyquinoline)aluminium), BeBq2(bis(benzoquinoline)beryllium) 따위의 금속 착화합물과 로다민-B(rhodamine-B), 플루오레세인(fluorescein), 피렌(pyrene), DPVBi(4,4'-bis(2,2'-diphenylethen-1-yl)-diphenyl), 펜타센(pentacene) 및 루블렌 따위의 유기 물질을 포함한다. 또한, 저분자 물질에 약 1 내지 5%의 도펀트를 첨가하여 발광 효율을 높일 수 있다.
고분자 물질에는 폴리피롤(polypyrrole), 폴리아닐린(polyaniline) 및 폴리티오펜(polythiophene) 따위를 들 수 있으며, 예컨대 폴리페닐렌비닐렌(polyphenylenevinylene), 폴리[2-메톡시-5-(2-에틸헥실옥시)-1,4-페닐렌비닐렌)(poly[2-methoxy-5-(2-ethyl-hexyloxy)-1,4-phenylenevinylene), 폴리알킬티오펜(polyalkylthiophene), 폴리비닐카바졸(polyvinylcarbazole) 등이 포함된다.
광 투과성 물질은 절연 물질일 수 있으며, 여기에는 폴리메틸메타크릴레이트(polymethylmethacrylate), 폴리스티렌(polystyrene), 폴리디비닐벤젠(polydivinylbenzene), 폴리아크릴로니트릴(polyacrylonitrile) 및 폴리카보네이트 (polycarbonate) 따위가 포함된다.
도 4b의 나노 발광체(20)는 튜브형인 제1 피복(15a), 제1 피복(15a)의 내부에 작은 튜브형으로 형성되어 있는 제2 피복(15b), 그리고 제2 피복(15b) 내부에 비어있는 중공(hollow)(11)을 포함한다. 제1 피복(15a)은 광 투과성 물질로 만들 어지며 제2 피복(15b)은 발광성 유기 반도체로 만들어질 수 있다.
도 4c의 나노 발광체(20)는 튜브형인 제1 피복(15a), 제1 피복(15a)의 내부에 작은 튜브형으로 형성되어 있는 제2 피복(15b), 그리고 제2 피복(15b)의 내부에 형성되어 있는 종심(16)을 포함한다. 제2 피복(15b)은 유기 반도체로 만들어지며, 제1 피복(15a)과 종심(16) 중 어느 하나는 광 투과성 물질로 만들어질 수 있다. 이와 같이 유기 반도체로 만들어진 제2 피복(15b)이 제1 피복(15a)과 종심(16) 사이에 위치함으로써 유기 반도체가 물리적으로 고정되어 안정적인 고휘도의 나노 발광체를 얻을 수 있다.
도 4a 및 도 4c에 도시한 나노 발광체(20)는 나노 와이어(nanowire)이고, 도 4b에 도시한 나노 발광체(20)는 나노 튜브(nanotube)이다.
이와 같이 표시하기 원하는 숫자, 문자 및 도형에 따라 나노 발광체(20)를 배치하여 표시 장치의 기능을 수행할 수 있다. 이 때 나노 발광체(20)는 다른 색을 방출하는 발광성 유기 반도체를 포함함으로써 다양한 색으로 표시할 수 있다. 예컨대 도 1은 숫자 '2''3''5'를 표시하는데, '2'를 표시하는 나노 발광체는 적색 발광 유기 반도체를 포함하고 '3'을 표시하는 나노 발광체는 녹색 발광 유기 반도체를 포함하고 '5'를 표시하는 나노 발광체는 청색 발광 유기 반도체를 포함함으로써 다양한 색으로 표시할 수 있다. 또한 다색광을 발할 수 있는 발광체를 사용할 경우, 광원의 파장을 바꾸어 줌으로써 발광색을 다양하게 변화시킬 수 있다.
도 2는 도 1의 표시 장치를 일부 변형한 것으로, 전면에 복수의 광원(도시하지 않음)이 배치되어 있고 각 광원은 각 화소의 스위칭 소자(도시하지 않음)와 연 결되어 있다.
여기서 스위칭 소자는 박막 트랜지스터(thin film transistor, TFT)일 수 있다.
도 2를 참조하면, 박막 트랜지스터 표시판(100) 위에 복수의 광원(도시하지 않음)이 배치되어 있는 광원부(340)가 형성되어 있다.
광원부(340) 위에는 불투명한 물질로 만들어지며 복수의 나노 발광체(20)가 끼워져 있는 기판(343)이 배치되어 있다.
박막 트랜지스터 표시판(100)은 복수의 화소를 가지며 각 화소마다 박막 트랜지스터(도시하지 않음)가 형성되어 있다.
광원부(340)는 각 화소에 대응하는 복수의 광원(도시하지 않음)을 포함하며, 광원은 각 박막 트랜지스터에 의해 개별적으로 스위칭되어 온(on) 또는 오프(off) 된다.
나노 발광체(20)는 하나 또는 둘 이상이 다발(bundle)을 이루어 하나의 화소를 이룰 수 있으며, 각 화소에 배열되어 있는 나노 발광체(20)는 그 화소의 박막 트랜지스터에 의해 스위칭되는 광원의 온 또는 오프에 의해 발광되거나 발광되지 않을 수 있다.
이와 같이, 하나 또는 다발의 나노 발광체(20)를 하나의 화소(pixel)로 사용하고 이를 스위칭 소자에 의해 개별적으로 온 또는 오프됨으로써 각 화소별로 선택적 발광을 할 수 있다.
그러면 도 6 내지 도 10을 참조하여 도 2의 표시 장치 중 박막 트랜지스터 표시판(100)에 대하여 상세하게 설명한다.
도 6 및 도 7은 복수의 화소(P)를 포함하는 박막 트랜지스터 표시판의 개략도이고, 도 8은 도 6 및 도 7의 박막 트랜지스터 표시판에서 하나의 화소를 확대한 배치도이고, 도 9 및 도 10은 도 8의 박막 트랜지스터 표시판을 IX-IX 선 및 X-X 선을 따라 잘라 도시한 단면도이다.
도 6 및 도 7에 도시한 바와 같이, 박막 트랜지스터 표시판(100)은 게이트선(121)과 데이터선(171)에 의해 정의되는 화소(P)를 포함하고, 복수의 화소(P)가 모여서 표시 영역(D)을 이룬다. 여기서 게이트선(121) 및 데이터선(171)의 한쪽 끝 부분은 외부 신호를 입력받기 위해서 표시 영역(D)을 벗어나 주변 영역까지 뻗어 있다. 복수의 화소(P)에는 스위칭 소자인 박막 트랜지스터(320)가 형성되어 있으며 박막 트랜지스터(320)는 주사 신호에 따라 화상 신호를 온 또는 오프 한다.
도 8 내지 도 10을 참조하여 하나의 화소(P)에 대하여 상세하게 설명한다.
투명한 유리 또는 플라스틱 따위로 만들어진 절연 기판(110) 위에 복수의 게이트선(gate line)(121) 및 복수의 유지 전극선(storage electrode line)(131)이 형성되어 있다.
게이트선(121)은 게이트 신호를 전달하며 주로 가로 방향으로 뻗어 있다. 각 게이트선(121)은 아래로 돌출한 복수의 게이트 전극(gate electrode)(124)과 다른 층 또는 외부 구동 회로와의 접속을 위하여 면적이 넓은 끝 부분(129)을 포함한다. 게이트 신호를 생성하는 게이트 구동 회로(도시하지 않음)는 기판(110) 위에 부착되는 가요성 인쇄 회로막(flexible printed circuit film)(도시하지 않음) 위 에 장착되거나, 기판(110) 위에 직접 장착되거나, 기판(110)에 집적될 수 있다. 게이트 구동 회로가 기판(110) 위에 집적되어 있는 경우 게이트선(121)이 연장되어 이와 직접 연결될 수 있다.
유지 전극선(131)은 소정의 전압을 인가 받으며, 게이트선(121)과 거의 나란하게 뻗은 줄기선과 이로부터 갈라진 복수 쌍의 유지 전극(133a, 133b)을 포함한다. 유지 전극선(131) 각각은 인접한 두 게이트선(121) 사이에 위치하며 줄기선은 두 게이트선(121) 중 아래쪽에 가깝다. 유지 전극(133a, 133b) 각각은 줄기선과 연결된 고정단과 그 반대쪽의 자유단을 가지고 있다. 한 쪽 유지 전극(133a)의 고정단은 면적이 넓으며, 그 자유단은 직선 부분과 굽은 부분의 두 갈래로 갈라진다. 그러나 유지 전극선(131)의 모양 및 배치는 여러 가지로 변형될 수 있다.
게이트선(121) 및 유지 전극선(131)은 알루미늄(Al)이나 알루미늄 합금 등 알루미늄 계열 금속, 은(Ag)이나 은 합금 등 은 계열 금속, 구리(Cu)나 구리 합금 등 구리 계열 금속, 몰리브덴(Mo)이나 몰리브덴 합금 등 몰리브덴 계열 금속, 크롬(Cr), 니켈(Ni), 탄탈륨(Ta) 및 티타늄(Ti) 따위로 만들어질 수 있다. 그러나 이들은 물리적 성질이 다른 두 개의 도전막(도시하지 않음)을 포함하는 다중막 구조를 가질 수도 있다. 이 중 한 도전막은 신호 지연이나 전압 강하를 줄일 수 있도록 비저항(resistivity)이 낮은 금속, 예를 들면 알루미늄 계열 금속, 은 계열 금속, 구리 계열 금속 등으로 만들어진다. 이와는 달리, 다른 도전막은 다른 물질, 특히 ITO(indium tin oxide) 및 IZO(indium zinc oxide)와의 물리적, 화학적, 전기적 접촉 특성이 우수한 물질, 이를테면 몰리브덴 계열 금속, 크롬, 티타늄, 탄탈륨 등으로 만들어진다. 이러한 조합의 좋은 예로는 크롬 하부막과 알루미늄 (합금) 상부막 및 알루미늄 (합금) 하부막과 몰리브덴 (합금) 상부막을 들 수 있다. 그러나 게이트선(121) 및 유지 전극선(131)은 이외에도 여러 가지 다양한 금속 또는 도전체로 만들어질 수 있다.
게이트선(121) 및 유지 전극선(131)의 측면은 기판(110) 면에 대하여 경사져 있으며 그 경사각은 약 30 내지 약 80도인 것이 바람직하다.
게이트선(121) 및 유지 전극선(131) 위에는 질화규소(SiNx) 또는 산화규소(SiOx) 따위로 만들어진 게이트 절연막(gate insulating layer)(140)이 형성되어 있다.
게이트 절연막(140) 위에는 수소화 비정질 규소(hydrogenated amorphous silicon)(비정질 규소는 약칭 a-Si로 씀) 또는 다결정 규소(poly silicon) 등으로 만들어진 복수의 선형 반도체(151)가 형성되어 있다. 선형 반도체(151)는 주로 세로 방향으로 뻗어 있으며, 게이트 전극(124)을 향하여 뻗어 나온 복수의 돌출부(projection)(154)를 포함한다. 선형 반도체(151)는 게이트선(121) 및 유지 전극선(131) 부근에서 너비가 넓어져 이들을 폭넓게 덮고 있다.
반도체(151) 위에는 복수의 선형 및 섬형 저항성 접촉 부재(ohmic contact)(161, 165)가 형성되어 있다. 저항성 접촉 부재(161, 165)는 인(P) 따위의 n형 불순물이 고농도로 도핑되어 있는 n+ 수소화 비정질 규소 따위의 물질로 만들어지거나 실리사이드(silicide)로 만들어질 수 있다. 선형 저항성 접촉 부재(161)는 복수의 돌출부(163)를 가지고 있으며, 이 돌출부(163)와 섬형 저항성 접촉 부재(165)는 쌍을 이루어 반도체(151)의 돌출부(154) 위에 배치되어 있다.
반도체(151)와 저항성 접촉 부재(161, 165)의 측면 역시 기판(110) 면에 대하여 경사져 있으며 경사각은 약 30 내지 80도 정도이다.
저항성 접촉 부재(161, 165) 및 게이트 절연막(140) 위에는 복수의 데이터선(data line)(171)과 복수의 드레인 전극(drain electrode)(175)이 형성되어 있다.
데이터선(171)은 데이터 신호를 전달하며 주로 세로 방향으로 뻗어 게이트선(121)과 교차한다. 각 데이터선(171)은 또한 유지 전극선(131)과 교차하며 인접한 유지 전극(133a, 133b) 집합 사이에 형성된다. 각 데이터선(171)은 게이트 전극(124)을 향하여 뻗은 복수의 소스 전극(source electrode)(173)과 다른 층 또는 외부 구동 회로와의 접속을 위하여 면적이 넓은 끝 부분(179)을 포함한다. 데이터 신호를 생성하는 데이터 구동 회로(도시하지 않음)는 기판(110) 위에 부착되는 가요성 인쇄 회로막(도시하지 않음) 위에 장착되거나, 기판(110) 위에 직접 장착되거나, 기판(110)에 집적될 수 있다. 데이터 구동 회로가 기판(110) 위에 집적되어 있는 경우, 데이터선(171)이 연장되어 이와 직접 연결될 수 있다.
드레인 전극(175)은 데이터선(171)과 분리되어 있고 게이트 전극(124)을 중심으로 소스 전극(173)과 마주 본다. 각 드레인 전극(175)은 면적이 넓은 한 쪽 끝 부분과 막대형인 다른 쪽 끝 부분을 가지고 있다. 넓은 끝 부분은 유지 전극선(131)과 중첩하며, 막대형 끝 부분은 U자형으로 구부러진 소스 전극(173)으로 일부 둘러싸여 있다.
하나의 게이트 전극(124), 하나의 소스 전극(173) 및 하나의 드레인 전극 (175)은 반도체(151)의 돌출부(154)와 함께 하나의 박막 트랜지스터(TFT)를 이루며, 박막 트랜지스터의 채널(channel)은 소스 전극(173)과 드레인 전극(175) 사이의 돌출부(154)에 형성된다.
데이터선(171) 및 드레인 전극(175)은 은, 구리, 몰리브덴, 크롬, 니켈, 코발트, 탄탈륨 및 티타늄 등 내화성 금속(refractory metal) 또는 이들의 합금으로 만들어지는 것이 바람직하며, 내화성 금속막(도시하지 않음)과 저저항 도전막(도시하지 않음)을 포함하는 다중막 구조를 가질 수 있다. 다중막 구조의 예로는 크롬 또는 몰리브덴 (합금) 하부막과 알루미늄 (합금) 상부막의 이중막, 몰리브덴 (합금) 하부막과 알루미늄 (합금) 중간막과 몰리브덴 (합금) 상부막의 삼중막을 들 수 있다. 그러나 데이터선(171) 및 드레인 전극(175)은 이외에도 여러 가지 다양한 금속 또는 도전체로 만들어질 수 있다.
데이터선(171) 및 드레인 전극(175) 또한 그 측면이 기판(110) 면에 대하여 30 내지 80도 정도의 경사각으로 기울어진 것이 바람직하다.
저항성 접촉 부재(161, 165)는 그 아래의 반도체(151)와 그 위의 데이터선(171) 및 드레인 전극(175) 사이에만 존재하며 이들 사이의 접촉 저항을 낮추어 준다. 대부분의 곳에서는 선형 반도체(151)의 너비가 데이터선(171)의 너비보다 작지만, 앞서 설명하였듯이 게이트선(121)과 만나는 부분에서 너비가 넓어져 표면의 프로파일을 부드럽게 함으로써 데이터선(171)이 단선되는 것을 방지한다. 반도체(151)에는 소스 전극(173)과 드레인 전극(175) 사이를 비롯하여 데이터선(171) 및 드레인 전극(175)으로 가리지 않고 노출된 부분이 있다.
데이터선(171), 드레인 전극(175) 및 노출된 반도체(154) 부분 위에는 보호막(passivation layer)(180)이 형성되어 있다. 보호막(180)은 질화규소나 산화규소 따위의 무기 절연물, 유기 절연물, 저유전율 절연물 따위로 만들어진다. 유기 절연물과 저유전율 절연물의 유전 상수는 4.0 이하인 것이 바람직하며 저유전율 절연물의 예로는 플라스마 화학 기상 증착(plasma enhanced chemical vapor deposition, PECVD)으로 형성되는 a-Si:C:O, a-Si:O:F 등을 들 수 있다. 유기 절연물 중 감광성(photosensitivity)을 가지는 것으로 보호막(180)을 만들 수도 있으며, 보호막(180)의 표면은 평탄할 수 있다. 그러나 보호막(180)은 유기막의 우수한 절연 특성을 살리면서도 노출된 반도체(151) 부분에 해가 가지 않도록 하부 무기막과 상부 유기막의 이중막 구조를 가질 수 있다.
보호막(180)에는 데이터선(171)의 끝 부분(179)과 드레인 전극(175)을 각각 드러내는 복수의 접촉 구멍(contact hole)(182, 185)이 형성되어 있으며, 보호막(180)과 게이트 절연막(140)에는 게이트선(121)의 끝 부분(129)을 드러내는 복수의 접촉 구멍(181), 유지 전극(133a) 고정단 부근의 유지 전극선(131) 일부를 드러내는 복수의 접촉 구멍(183a, 183b)이 형성되어 있다.
보호막(180) 위에는 복수의 도전체(191), 복수의 연결 다리(overpass)(83) 및 복수의 접촉 보조 부재(contact assistant)(81, 82)가 형성되어 있다. 이들은 ITO 또는 IZO 등의 투명한 도전 물질이나 알루미늄, 은 또는 그 합금 등의 반사성 금속으로 만들어질 수 있다.
도전체(191)는 접촉 구멍(185)을 통하여 드레인 전극(175)과 물리적, 전기적 으로 연결되어 있으며, 드레인 전극(175)으로부터 데이터 전압을 인가 받는다. 도전체(191)의 다른 한쪽은 광원(도시하지 않음)과 연결되어 광원을 온 또는 오프한다.
접촉 보조 부재(81, 82)는 각각 접촉 구멍(181, 182)을 통하여 게이트선(121)의 끝 부분(129) 및 데이터선(171)의 끝 부분(179)과 연결된다. 접촉 보조 부재(81, 82)는 데이터선(171) 및 게이트선(121)의 끝 부분(179, 129)과 외부 장치와의 접착성을 보완하고 이들을 보호한다.
연결 다리(83)는 게이트선(121)을 가로지르며, 게이트선(121)을 사이에 두고 반대쪽에 위치하는 접촉 구멍(183a, 183b)을 통하여 유지 전극선(131)의 노출된 부분과 유지 전극(133a) 자유단의 노출된 끝 부분에 연결되어 있다. 유지 전극(133a, 133b)을 비롯한 유지 전극선(131)은 연결 다리(83)와 함께 게이트선(121)이나 데이터선(171) 또는 박막 트랜지스터의 결함을 수리하는데 사용할 수 있다.
그러면 도 5a 내지 도 5f를 참조하여 본 발명의 한 실시예에 따른 나노 발광체(20)의 제조 방법에 대하여 상세하게 설명한다.
도 5a 내지 도 5f는 본 발명의 한 실시예에 따른 나노 발광체를 제조하는 방법을 차례로 보여주는 개략도이다.
도 5a에 도시한 바와 같이, 복수의 포어(pore)(11)를 가지는 주형(template)(10)을 준비한다. 포어(11)의 직경(d1)은 200nm 이하일 수 있으며 두께(d2)는 수십 내지 수백 ㎛ 정도일 수 있다. 주형(10)은 산화알루미늄 막(anodic aluminum oxide membrane)으로 만들어질 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
다음, 도 5b에 도시한 바와 같이, 포어(11)에 개시제(initiator)(12)를 도입한다. 개시제(12)는 라디칼 중합 또는 산화환원 중합을 개시한다. 라디칼 중합을 개시할 경우 개시제(12)는 AIBN(2,2'-azobisisobutyronitrile), BPO(benzoyl peroxide), CAN(cerium ammonium nitride)일 수 있으며, 산화환원 중합을 개시할 경우 염화철(FeCl3) 또는 과산화수소일 수 있다.
개시제(12)는 주형(10)을 개시제 용액(initiator solution)에 담근 후 건조하거나 기상(vapor phase)으로 공급할 수 있다.
다음, 도 5c에 도시한 바와 같이, 주형(10)을 진공 챔버(13)에 위치시킨다. 진공은 10-2 Torr 이하인 것이 바람직하다.
다음, 도 5d에 도시한 바와 같이, 기상의 단량체(monomer)(14)를 진공 챔버(13) 내에 공급한다. 단량체(14)가 상온에서 액상 또는 고상인 경우 진공 및/또는 가열을 통해서 기화시킨다. 단량체(14)는 예컨대 메틸메타크릴레이트(methylmethacrylate), 스티렌(styrene), 디비닐벤젠(divinylbenzene), 비닐페놀(vinylphenol)일 수 있다.
다음, 도 5e에 도시한 바와 같이, 단량체(14)를 중합하여 고분자로 만들어진 피복(15)을 형성한다. 피복(15)은 포어(11)의 측벽을 따라 형성되므로 튜브형이며, 피복(15) 내에는 크기가 작은 포어(11)가 형성된다.
중합은 주형(10)을 단량체(14)의 종류에 따라 약 50 내지 200℃로 열처리하여 수행한다. 고분자는 단량체(14)의 종류에 따라 폴리메틸메타크릴레이트, 폴리 스티렌, 폴리디비닐벤젠 또는 폴리비닐페놀일 수 있다.
다음, 도 5f에 도시한 바와 같이, 포어(11) 내에 종심(16)을 형성한다.
종심(16)은 상술한 방법과 마찬가지로, 주형(10)에 개시제와 단량체를 차례로 도입하고 중합하여 형성한다. 이 때 단량체는 피롤(pyrrole), 아닐린(aniline) 및 티오펜(thiophene) 따위일 수 있으며, 중합하여 폴리피롤, 폴리아닐린 및 폴리티오펜으로 만들어질 수 있다.
상술한 방법에 따라 피복(15)과 종심(16)을 가지는 나노 발광체(20)를 완성한다.
다음, 주형(10)으로부터 나노 발광체(20)를 분리한다. 주형(10)이 산화알루미늄으로 만들어진 경우 주형(10)을 염산 또는 수산화나트륨으로 식각하여 제거할 수 있다. 필요에 따라 분리 과정을 거치지 않고 포어(11)에 나노 발광체(20)가 형성되어 있는 주형(10) 자체를 이용할 수도 있다.
상술한 실시예에서는 기상 중합 방법으로 만들어진 고분자를 포함하는 나노 발광체(20)를 형성하는 방법에 대하여 설명하였지만, 피복(15) 또는 종심(16) 중 적어도 하나가 저분자 물질인 경우 기상 증착 방법으로 형성할 수 있다. 저분자 물질은 펜타센 또는 루블렌 따위일 수 있다.
이와 같이 나노 중합체(20)를 기상 중합 또는 기상 증착과 같은 기상 방법으로 형성하는 경우, 액상 방법과 달리 별도의 용매가 필요하지 않으며 완성 후 회수 과정이 필요하지 않다. 또한 중합이나 증착 조건에 따라 나노 중합체(20)의 두께를 조절하는 것이 용이하고 균일한 표면 및 계면을 가지는 다중의 나노 중합체를 형성할 수 있다.
전술한 실시예에서는 피복(15)을 유기 절연 물질로 만들고 종심(16)을 유기 반도체로 만들었지만, 피복(15)이 유기 반도체로 만들어질 수도 있고 종심(16)이 유기 절연 물질로 만들어질 수도 있다.
또한 전술한 실시예에서는 하나의 피복(15)과 하나의 종심(16)을 포함하는 나노 발광체(20)를 형성하는 방법에 대해서만 예시적으로 설명하였지만, 2층 이상의 피복을 가질 수도 있고 종심이 없는 튜브형일 수도 있다.
이와 같이 제조된 나노 발광체(20)는 기판(343)에 끼워지고, 이러한 기판(343)을 박막 트랜지스터 표시판(100)과 광원부(340) 위에 배치한다. 이에 따라 박막 트랜지스터 표시판(100), 광원부(340), 기판(343) 및 나노 발광체(20)를 포함하는 표시 장치를 완성한다.
이상에서 본 발명의 바람직한 실시예들에 대하여 상세하게 설명하였지만 본 발명의 권리범위는 이에 한정되는 것은 아니고 다음의 청구범위에서 정의하고 있는 본 발명의 기본 개념을 이용한 당업자의 여러 변형 및 개량 형태 또한 본 발명의 권리범위에 속하는 것이다.
나노 발광체를 포함함으로써 미세한 크기의 화소를 형성하고 고해상도 표시 장치를 구현할 수 있다.
Claims (31)
- 기판,상기 기판 위에 형성되어 있으며 하나 이상의 피복(shell)을 가지는 동축(coaxial) 구조인 나노 발광체,상기 기판의 하부 또는 상부에 위치하여 상기 나노 발광체에 광을 공급하는 광원, 그리고상기 기판 위에 형성되어 있으며 상기 광원을 온(on) 또는 오프(off)하는 스위칭 소자를 포함하는 표시 장치.
- 제1항에서,상기 스위칭 소자는 각 화소마다 배열되어 있는 복수의 박막 트랜지스터인 표시 장치.
- 제2항에서,상기 광원은 복수 개를 포함하며,상기 복수 개의 광원은 상기 복수의 박막 트랜지스터와 각각 연결되어 있는 표시 장치.
- 제1항에서,상기 스위칭 소자는 매트릭스(matrix) 형태로 배열되어 있는 표시 장치.
- 제1항에서,상기 나노 발광체는 발광성 유기 반도체를 포함하는 표시 장치.
- 제1항에서,상기 나노 발광체는 종심(core)과 상기 종심을 둘러싸는 하나 이상의 피복을 포함하는 표시 장치.
- 제6항에서,상기 종심 및 상기 하나 이상의 피복 중 어느 하나는 발광성 유기 반도체를 포함하는 표시 장치.
- 제6항에서,상기 종심 및 상기 하나 이상의 피복 중 적어도 하나는 광 투과성 물질을 포함하는 표시 장치.
- 제1항에서,상기 나노 발광체는제1 피복,상기 제1 피복의 내부에 형성되어 있는 종심, 그리고상기 제1 피복과 종심 사이에 형성되어 있으며 발광성 유기 반도체를 포함하는 제2 피복을 포함하며,상기 종심 및 상기 제1 피복 중 적어도 하나는 광 투과성 물질을 포함하는표시 장치.
- 제5항, 제7항 및 제9항에서,상기 발광성 유기 반도체는 로다민 B, 플루오레세인, 피렌, 펜타센 및 루블렌, 폴리아닐린, 폴리티오펜 및 폴리피롤 중 하나인 표시 장치.
- 제8항 또는 제9항에서,상기 광 투과성 물질은 절연 물질을 포함하는 표시 장치.
- 제11항에서,상기 광 투과성 물질은 폴리메틸메타크릴레이트(polymethylmethacrylate), 폴리스티렌(polystyrene), 폴리디비닐벤젠(polydivinylbenzene), 폴리아크릴로니트릴(polyacrylonitrile) 및 폴리카보네이트 (polycarbonate) 중 어느 하나를 포함하는 표시 장치.
- 제1항에서,상기 나노 발광체는 나노 와이어(nanowire) 또는 나노 튜브(nanotube)인 표시 장치.
- 제1항에서,상기 나노 발광체는 세워져 있거나 누워있는 동축 구조인 표시 장치.
- 나노 발광체를 제조하는 단계,기판 위에 상기 나노 발광체를 형성하는 단계, 그리고상기 기판의 하부 및 상부 중 어느 하나에 광원을 배치하는 단계를 포함하는 표시 장치의 제조 방법.
- 제15항에서,상기 나노 발광체를 제조하는 단계는포어(pore)를 가지는 주형(template)을 마련하는 단계,상기 포어 내에 기상(vapor phase) 방법으로 유기 또는 무기 물질을 공급하는 단계를 포함하는 표시 장치의 제조 방법.
- 제16항에서,상기 유기 또는 무기 물질을 도입하는 단계는 기상 증착으로 수행하는 표시 장치의 제조 방법.
- 제16항에서,상기 유기 또는 무기 물질을 도입하는 단계는 기상 중합으로 수행하는 표시 장치의 제조 방법.
- 제18항에서,상기 기상 중합은상기 포어 내에 기상의 단량체를 공급하는 단계, 그리고상기 단량체를 중합하는 단계를 포함하는 표시 장치의 제조 방법.
- 제19항에서,상기 단량체를 중합하는 단계는 진공 하에 수행하는 표시 장치의 제조 방법.
- 제19항에서,상기 단량체는 메틸메타크릴레이트(methylmethacrylate), 스티렌(styrene), 디비닐벤젠(divinylbenzene), 비닐페놀(vinylphenol), 피롤(pyrrole), 아닐린 (aniline), 티오펜(thiophene), 펜타센 및 루블렌 중 어느 하나인 표시 장치의 제조 방법.
- 제19항에서,상기 단량체를 중합하는 단계는 50 내지 200℃에서 수행하는 표시 장치의 제조 방법.
- 제19항에서,상기 단량체를 공급하는 단계 전에 상기 포어 내에 중합 개시제를 도입하는 단계를 더 포함하는 표시 장치의 제조 방법.
- 제23항에서,상기 중합 개시제는 AIBN(2,2'-azobisisobutyronitrile), BPO(benzoyl peroxide), CAN(cerium ammonium nitride) 및 염화철(FeCl3) 중 적어도 하나인 표시 장치의 제조 방법.
- 제19항에서,상기 단량체를 중합하는 단계 후에 상기 주형으로부터 상기 나노 중합체를 분리하는 단계를 더 포함하는 표시 장치의 제조 방법.
- 제25항에서,상기 주형은 산화알루미늄(aluminum oxide)을 포함하며,상기 나노 중합체를 분리하는 단계는 상기 주형을 식각하여 수행하는표시 장치의 제조 방법.
- 제26항에서,상기 식각은 수산화나트륨 및 염산 중 적어도 하나를 사용하는 표시 장치의 제조 방법.
- 제15항에서,상기 나노 발광체를 제조하는 단계는포어(pore)를 가지는 주형(template)을 마련하는 단계,상기 포어 내에 제1 물질을 도입하여 내부가 비어있는 튜브 형상의 제1 피복을 형성하는 단계, 그리고상기 포어 내에 제2 물질을 도입하여 상기 제1 피복의 내부에 위치하는 종심을 형성하는 단계를 포함하는 표시 장치의 제조 방법.
- 제28항에서,상기 제1 피복을 형성하는 단계 후에 상기 포어 내에 제3 물질을 도입하여 상기 제1 피복의 내부에 튜브 형상의 제2 피복을 형성하는 단계를 더 포함하는 표시 장치의 제조 방법.
- 제29항에서,상기 제1 피복, 상기 제2 피복 및 상기 종심은 기상 증착 또는 기상 중합으로 형성하는 표시 장치의 제조 방법.
- 제29항에서,상기 제1 물질, 상기 제2 물질 및 상기 제3 물질 중 적어도 하나는 발광성 유기 반도체인 표시 장치의 제조 방법.
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Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20110005177A (ko) * | 2009-07-09 | 2011-01-17 | 삼성전자주식회사 | 발광체-고분자 복합체용 조성물, 발광체-고분자 복합체 및 상기 발광체-고분자 복합체를 포함하는 발광 소자 |
| CN109545994A (zh) * | 2018-11-23 | 2019-03-29 | 京东方科技集团股份有限公司 | 电致发光器件及其制作方法、显示装置 |
Families Citing this family (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20070015260A (ko) * | 2005-07-30 | 2007-02-02 | 삼성전자주식회사 | 선형나노선재의 제조방법 및 이에 의한 선형나노선재그리고 선형나노선재를 이용한 박막트랜지스터 기판 |
| WO2009096961A1 (en) * | 2008-01-30 | 2009-08-06 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Nanostructures and methods of making the same |
| US8372652B2 (en) | 2008-05-08 | 2013-02-12 | Board Of Regents Of The University Of Texas System | Luminescent nanostructured materials for use in electrogenerated chemiluminescence |
| CN104035218B (zh) * | 2014-05-21 | 2017-04-19 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种阵列基板及数据线断线的修复方法 |
| CN106856228A (zh) * | 2016-12-27 | 2017-06-16 | Tcl集团股份有限公司 | 一种qled器件及其制备方法 |
| EP4071945A4 (en) * | 2020-01-13 | 2023-09-06 | Nuvoton Technology Corporation Japan | SEMICONDUCTOR DEVICE |
| CN113413839B (zh) * | 2021-07-07 | 2022-04-05 | 西南交通大学 | 一种盐响应聚苯胺微胶囊、自预警涂层及制备方法 |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7301199B2 (en) * | 2000-08-22 | 2007-11-27 | President And Fellows Of Harvard College | Nanoscale wires and related devices |
| EP2273552A3 (en) * | 2001-03-30 | 2013-04-10 | The Regents of the University of California | Methods of fabricating nanstructures and nanowires and devices fabricated therefrom |
| JP2003108021A (ja) * | 2001-09-28 | 2003-04-11 | Hitachi Ltd | 表示装置 |
| US7135728B2 (en) * | 2002-09-30 | 2006-11-14 | Nanosys, Inc. | Large-area nanoenabled macroelectronic substrates and uses therefor |
| US7265037B2 (en) * | 2003-06-20 | 2007-09-04 | The Regents Of The University Of California | Nanowire array and nanowire solar cells and methods for forming the same |
-
2005
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- 2006-12-12 CN CNA2006101669051A patent/CN1983350A/zh active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20110005177A (ko) * | 2009-07-09 | 2011-01-17 | 삼성전자주식회사 | 발광체-고분자 복합체용 조성물, 발광체-고분자 복합체 및 상기 발광체-고분자 복합체를 포함하는 발광 소자 |
| CN109545994A (zh) * | 2018-11-23 | 2019-03-29 | 京东方科技集团股份有限公司 | 电致发光器件及其制作方法、显示装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US20070131937A1 (en) | 2007-06-14 |
| CN1983350A (zh) | 2007-06-20 |
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