KR20070060223A - Semiconductor vacuum devices - Google Patents

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Abstract

Semiconductor vacuum equipment is provided to minimize the damage of an O-ring by making a cross-sectional area of the O-ring corresponding to the groove of a door valve to be thicken in comparison with the other cross-sectional area over two times. Semiconductor vacuum equipment includes a vacuum chamber and an O-ring. The vacuum chamber includes a gate door valve. The O-ring(121) is installed at the gate door valve of the vacuum chamber. The cross-section of the O-ring is larger at two or more portions than at the other portion. The gate door valve includes an O-ring insertion groove and an O-ring detaching/attaching groove. The O-ring insertion groove is composed of at least two groove portions corresponding to the large cross-section portions of the O-ring.

Description

반도체진공장비{Semiconductor vacuum devices} Semiconductor vacuum devices

도 1은 게이트 구조를 갖는 멀티 챔버형 반도체 제조설비의 구조를 개략적으로 도시한 도면.1 is a view schematically showing the structure of a multi-chamber semiconductor manufacturing equipment having a gate structure.

도 2는 일반적인 오링의 구조를 개략적으로 도시한 도면. Figure 2 schematically shows the structure of a typical O-ring.

도 3은 게이트 도어밸브에 도 2의 오링이 삽입된 모습을 개략적으로 도시한 도면. Figure 3 is a schematic view showing the state in which the O-ring of Figure 2 is inserted into the gate door valve.

도 4는 본 발명의 실시예에 따른 게이트 구조를 갖는 멀티 챔버형 반도체 제조설비의 게이트 도어밸브를 개략적으로 도시한 도면.Figure 4 is a schematic view showing a gate door valve of a multi-chamber semiconductor manufacturing equipment having a gate structure according to an embodiment of the present invention.

도 5는 본 발명의 실시예에 따른 오링의 구조를 개략적으로 도시한 도면. 5 schematically illustrates the structure of an O-ring in accordance with an embodiment of the present invention.

도 6은 게이트 도어밸브에 도 5의 오링이 삽입된 모습을 개략적으로 도시한 도면. FIG. 6 is a view schematically illustrating a state in which the O-ring of FIG. 5 is inserted into a gate door valve.

<도면의 주요부분에 대한 부호의 설명><Description of the symbols for the main parts of the drawings>

121 : 오링121: O-ring

본 발명은 반도체 제조용 챔버 게이트 도어밸브의 오링에 관한 것으로, 특히 오링의 손상을 최소화하기 위한 것이다. The present invention relates to an O-ring of a chamber gate door valve for semiconductor manufacturing, and in particular, to minimize damage of the O-ring.

일반적으로 반도체 제조용 설비에서 챔버에는 웨이퍼 또는 다수의 웨이퍼를 적재한 카세트가 이동할 수 있도록 하는 통로가 구비되도록 하고 있다. 이러한 통로는 통상 도어에 의해 개폐되고 있으며, 이러한 통로를 도어에 의해 개폐할 수 있도록 하는 게이트(gate) 구조는 최근의 반도체 제조설비가 멀티챔버의 구성으로 이루어지면서 챔버와 챔버가 연결되는 부위에서도 다수 적용되고 있다. In general, in a semiconductor manufacturing facility, a chamber is provided with a passage for allowing a wafer or a cassette in which a plurality of wafers are loaded to move. Such a passage is normally opened and closed by a door, and a gate structure that allows the passage to be opened and closed by a door has a number of places where the chamber and the chamber are connected as a recent semiconductor manufacturing facility has a multi-chamber configuration. Is being applied.

다시 말해서 카세트 캐리어가 구비되는 외부와 로드락챔버의 일측면 그리고 로드락챔버와 트랜스퍼챔버 간 그리고 트랜스퍼챔버와 공정챔버 간을 이와 같은 게이트에 의해서 개폐되고 있다. In other words, the outer side of the cassette carrier and one side of the load lock chamber, the load lock chamber and the transfer chamber, and the transfer chamber and the process chamber are opened and closed by the gate.

도 1은 게이트 구조를 갖는 멀티 챔버형 반도체 제조설비의 구조를 개략적으로 도시한 도면이다. 1 is a view schematically showing the structure of a multi-chamber semiconductor manufacturing equipment having a gate structure.

도시한 바와 같이, 설비의 구성은 크게 트랜스퍼챔버(13)를 기준으로 일측은 로드락챔버(15)와 연결되고, 타측은 공정챔버(11)에 연결되는 구성이며 이때, 로드락챔버(15)는 외부의 카세트 캐리어(17)와 근접하는 위치에 구비된다. As shown, the configuration of the equipment is largely connected to the load lock chamber 15 on the basis of the transfer chamber 13, the other side is connected to the process chamber 11, in this case, the load lock chamber 15 Is provided at a position close to the outer cassette carrier 17.

또한, 상기 공정챔버(11)와 트랜스퍼챔버(13)는 내부가 항상 진공상태인데 반해 로드락챔버(15)는 진공상태와 대기압상태로 변화 조성된다. In addition, while the process chamber 11 and the transfer chamber 13 are always in a vacuum state, the load lock chamber 15 is changed to a vacuum state and an atmospheric pressure state.

즉, 로드락챔버(15)에 카세트(미도시)가 로딩 및 언로딩 할 때에 로드락챔버(15)는 대기압 상태이고 상기 로드락챔버(15)와 트랜스퍼챔버(13) 간을 서로 통하 게 하여 웨이퍼(미도시)가 로딩 및 언로딩하는 때에는 진공압 상태가 되는 것이다. That is, when the cassette (not shown) is loaded and unloaded into the load lock chamber 15, the load lock chamber 15 is at atmospheric pressure and the load lock chamber 15 and the transfer chamber 13 communicate with each other. When the wafer (not shown) is loaded and unloaded, it is in a vacuum state.

전술한 바와 같은 상기 공정챔버(11)와 트랜스퍼챔버(13) 사이와, 상기 트랜스퍼챔버(13)와 로드락챔버(15) 간 웨이퍼(미도시)가 이동할 수 있도록 형성한 통로를 단속하기 위해서 구비되는 도어를 게이트 도어밸브(gate door V/V)라 하며, 상기 게이트 도어밸브가 형성되는 챔버의 벽면에는 도 2에 도시한 바와 같은 단면이 원형 형상의 오링(o-ring : 21)을 구비하여 상기 챔버 내부를 외부와 차단시키게 된다. It is provided to interrupt a passage formed between the process chamber 11 and the transfer chamber 13 as described above, and the wafer (not shown) between the transfer chamber 13 and the load lock chamber 15 to move. The door is referred to as a gate door valve (gate door V / V), the wall surface of the chamber in which the gate door valve is formed is provided with an o-ring (o-ring: 21) of the cross-sectional shape as shown in FIG. The inside of the chamber is blocked from the outside.

이때, 상기 게이트 도어밸브에는 도 3에 도시한 바와 같이 상기 오링(21)이 삽입되는 오링 삽입홈(23)이 구성되어 있으며, 상기 오링 삽입홈(23)의 적어도 두 곳에는 상기 오링(21)의 탈착 및 장착의 수월함을 위한 홈(25)이 구성되어 상기 오링(21)이 잘못 삽입되거나, 오링(21)의 마모 등으로 인해 오링(21)의 수명이 다하였을 경우 오링(21)의 교체를 손쉽게 할 수 있다. In this case, as shown in FIG. 3, the gate door valve includes an O-ring inserting groove 23 into which the O-ring 21 is inserted, and the O-ring 21 is formed in at least two places of the O-ring inserting groove 23. Of the O-ring 21 when the life of the O-ring 21 has expired due to the wrong insertion of the O-ring 21 or the wear of the O-ring 21, or the like. Easy to replace

그러나, 상기 오링(21)의 탈착 및 장착의 수월함을 위해 구성된 홈(25)은 챔버 내부에 노출되도록 구성되어, 챔버 내부의 플라즈마 또는 식각가스 등이 상기 홈(25)으로 침투하게 되는 경우가 발생한다. However, the groove 25 configured to facilitate the detachment and mounting of the O-ring 21 is configured to be exposed to the inside of the chamber, so that the plasma or etching gas in the chamber may penetrate into the groove 25. Occurs.

이로 인하여, 상기 홈(25) 부위의 오링(21)이 집중적으로 부식되게 되어 오링(21)의 수명이 단축되는 문제점이 있다. For this reason, the O-ring 21 of the groove 25 is intensively corroded, which shortens the life of the O-ring 21.

본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위한 것으로, 챔버형 반도체 제조 설비에 사용되는 오링의 수명을 연장하는 것을 목적으로 한다. The present invention is to solve the above problems, it is an object to extend the life of the O-ring used in the chamber-type semiconductor manufacturing equipment.

전술한 바와 같은 목적을 달성하기 위해, 본 발명은 게이트 도어밸브가 구성된 진공챔버와; 상기 게이트 도어밸브에 구성되며, 적어도 두 곳 이상의 단면적이 다른 영역의 단면적에 비해 두껍게 형성되는 오링을 포함하는 반도체진공장비를 제공한다. In order to achieve the above object, the present invention provides a vacuum chamber comprising a gate door valve; It is provided in the gate door valve, at least two or more cross-sectional area is provided a semiconductor vacuum equipment including an O-ring thicker than the cross-sectional area of the other area.

상기 게이트 도어밸브에는 오링 삽입홈과, 상기 오링의 탈착을 위한 홈이 구성되어 있는 것을 특징으로 하며, 상기 오링 삽입홈에 구성된 홈은 적어도 두 곳 이상 구성되며, 상기 홈 부위에 구성된 오링의 단면적이 두껍게 형성되는 것을 특징으로 한다. The gate door valve is characterized in that the O-ring insertion groove, the groove for the removal of the O-ring is configured, the at least two grooves are formed in the O-ring insertion groove, the cross-sectional area of the O-ring formed in the groove portion It is characterized by being formed thick.

또한, 상기 홈 부위의 오링의 단면적은 다른 부위의 단면적에 비해 적어도 2배 이상으로 두껍게 구성하는 것을 특징으로 한다. In addition, the cross-sectional area of the O-ring of the groove portion is characterized by comprising at least twice as thick as the cross-sectional area of the other portion.

이하, 도면을 참조하여 본 발명에 따른 실시예를 상세히 설명한다.Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings.

도 4는 본 발명의 실시예에 따른 게이트 구조를 갖는 멀티 챔버형 반도체 제조설비의 도어밸브를 개략적으로 도시한 도면이다. 4 is a view schematically showing a door valve of a multi-chamber semiconductor manufacturing apparatus having a gate structure according to an embodiment of the present invention.

설비의 구성은 크게 웨이퍼(미도시)를 공급하는 트랜스퍼챔버(130)와, 공정이 진행되는 공정챔버(110), 그리고 상기 트랜스퍼챔버(130)로부터 상기 공정챔버(110)로 공정이 진행될 대상이 공급될 수 있도록 도어를 개폐시키는 게이트 도어밸브(gate door V/V)가 구성된다. The structure of the equipment is largely a transfer chamber 130 for supplying a wafer (not shown), a process chamber 110 in which a process is performed, and an object to be processed from the transfer chamber 130 to the process chamber 110. A gate door valve (gate door V / V) is configured to open and close the door so that it can be supplied.

이때 도시한 바와 같이, 게이트 도어밸브는 제 1 도어 플레이트(123) 및 제 2 도어 플레이트(126)로 구성되며, 상기 제 1 및 제 2 도어 플레이트(123, 126)의 움직임에 의해 게이트 도어밸브를 개폐할 수 있는데, 상기 제 2 도어 플레이트(126)에 연결된 도어밸브 샤프트(125)의 움직임에 의하여 상기 제 1 도어 플레이트(123)는 도어를 개폐할 수 있다. At this time, the gate door valve is composed of a first door plate 123 and a second door plate 126, the gate door valve by the movement of the first and second door plates (123, 126). The first door plate 123 may open and close the door by moving the door valve shaft 125 connected to the second door plate 126.

이때, 상기 게이트 도어밸브가 형성되는 공정챔버(110)의 벽면에는 오링(o-ring : 121)을 구비하여 상기 게이트 도어밸브의 제 1 도어 플레이트(123)와 상기 공정챔버(110)를 밀착시키는 역할을 하여 상기 챔버(110) 내부를 외부와 차단시키게 된다. At this time, an o-ring (121) is provided on a wall surface of the process chamber 110 in which the gate door valve is formed to closely contact the first door plate 123 of the gate door valve and the process chamber 110. It serves to block the inside of the chamber 110 from the outside.

도 5는 본 발명의 실시예에 따른 오링의 구조를 개략적으로 도시한 도면이며, 도 6은 게이트 도어밸브 내에 구성된 오링 삽입홈에 삽입된 오링의 모습을 개략적으로 도시한 도면이다. 5 is a view schematically showing the structure of the O-ring according to an embodiment of the present invention, Figure 6 is a view schematically showing the appearance of the O-ring inserted into the O-ring insertion groove configured in the gate door valve.

도시한 바와 같이, 게이트 도어밸브에는 상기 오링(121)이 삽입되는 오링 삽입홈(123)이 구성되어 있는데, 상기 오링 삽입홈(123)의 적어도 두 곳에는 상기 오링(121)의 탈착 및 장착의 수월함을 위한 홈(125)이 구성되어 상기 오링(121)이 잘못 삽입되거나, 오링(121)의 마모 등으로 인해 오링(121)의 수명이 다하였을 경우 오링(121)의 교체를 손쉽게 할 수 있다. As shown, the gate door valve is formed with an O-ring insertion groove 123 into which the O-ring 121 is inserted, and at least two places of the O-ring insertion groove 123 are attached to and detached from the O-ring 121. The groove 125 for ease of construction is easy to replace the O-ring 121 when the O-ring 121 is at the end of the life of the O-ring 121 due to incorrect insertion of the O-ring 121, or wear of the O-ring 121. have.

이때, 상기 오링(121)의 단면은 원형형상으로 하는 것이 가장 바람직한데, 상기 오링 삽입홈(123)의 적어도 두 곳 이상 구성된 홈(125) 부위의 오링은 기존 오링의 원형형태의 단면 지름보다 적어도 2배 이상의 지름을 갖도록 구성한다.At this time, the cross-section of the O-ring 121 is most preferably made into a circular shape, the O-ring of the portion of the groove 125 formed at least two places of the O-ring insertion groove 123 is at least than the diameter of the circular cross-section of the conventional O-ring It is configured to have a diameter more than twice.

이는, 상기 오링 삽입홈(123)에 구성되어 있는 홈(125)은 상기 공정챔버(도 4의 110) 내부에 노출되도록 구성되어 있어, 챔버(도 4의 110) 내부의 플라즈마 또는 식각가스 등이 상기 홈(125)으로 침투하게 되는데 이때, 상기 홈(125) 부위의 오링(121)을 두껍게 형성함으로써 상기 플라즈마 또는 식각가스 등에 상기 오링(121)이 노출되어 부식되더라도 그 부식속도를 좀더 늦출 수 있기 때문이다.The groove 125 formed in the O-ring inserting groove 123 is configured to be exposed to the inside of the process chamber (110 of FIG. 4), such that plasma or etching gas inside the chamber (110 of FIG. 4) may be exposed. When the O-ring 121 of the groove 125 is formed to be thick, the corrosion rate may be lowered even if the O-ring 121 is exposed and corroded to the plasma or etching gas. Because.

또한, 상기 홈(125)에 대응하는 공정챔버(도 4의 110)와 제 1 도어 플레이트(도 4의 123) 간의 오링(121)의 접촉면적이 넓어지므로 상기 공정챔버(도 4의 110)의 진공 실링(sealing) 능력을 향상 시킬 수 있다. In addition, since the contact area of the O-ring 121 between the process chamber (110 in FIG. 4) and the first door plate (123 in FIG. 4) corresponding to the groove 125 is widened, the process chamber (110 in FIG. 4) is increased. It can improve the vacuum sealing ability.

전술한 바와 같이, 상기 오링 삽입홈(123)의 홈(125)에 대응하는 오링(121)의 단면적을 기존 오링(121)의 단면적보다 더욱 넓게 형성함으로써, 상기 공정챔버(도 4의 110) 내로 노출되어 구성되는 홈(125) 부위의 오링(121)이 빨리 부식되는 문제점을 해결할 수 있으며, 상기 홈(125)에 대응하는 오링(121)의 접촉면적이 넓어지므로 공정챔버(도 4의 110)의 진공 실링 능력을 향상 시킬 수 있다. As described above, the cross-sectional area of the O-ring 121 corresponding to the groove 125 of the O-ring inserting groove 123 is formed to be wider than the cross-sectional area of the existing O-ring 121, thereby into the process chamber (110 of FIG. 4). The problem that the O-ring 121 in the exposed portion of the groove 125 is quickly corroded can be solved, and the contact area of the O-ring 121 corresponding to the groove 125 is widened so that the process chamber (110 in FIG. 4) Can improve the vacuum sealing ability.

본 발명은 상기 실시예로 한정되지 않고, 본 발명의 취지를 벗어나지 않는 한도내에서 다양하게 변경하여 실시할 수 있다. The present invention is not limited to the above embodiments, and various modifications can be made without departing from the spirit of the present invention.

위에 상술한 바와 같이, 본 발명에 따라 진공챔버의 게이트 도어밸브에 구성되는 오링을 상기 게이트 도어밸브의 오링 삽입홈에 구성된 홈에 대응되는 오링의 단면적을 기존의 오링의 단면적에 비해 적어도 2배 이상으로 두껍게 형성하여 오링 이 부식되는 진행을 연장할 수 있는 효과가 있다. As described above, the cross-sectional area of the O-ring corresponding to the groove formed in the O-ring insertion groove of the gate door valve is at least twice as large as the cross-sectional area of the conventional O-ring. By forming a thick, there is an effect that can extend the progress of the O-ring corrosion.

또한, 오링의 접촉단면적을 넓히게 되므로 공정챔버의 진공 실링능력을 향상 시킬 수 있는 효과가 있다. In addition, since the contact area of the O-ring is widened, there is an effect of improving the vacuum sealing ability of the process chamber.

Claims (4)

게이트 도어밸브가 구성된 진공챔버와;A vacuum chamber configured with a gate door valve; 상기 게이트 도어밸브에 구성되며, 적어도 두 곳 이상의 단면적이 다른 영역의 단면적에 비해 두껍게 형성되는 오링O-ring is formed in the gate door valve, the at least two cross-sectional area is formed thicker than the cross-sectional area of the other area 을 포함하는 반도체진공장비. Semiconductor vacuum equipment comprising a. 제 1 항에 있어서, The method of claim 1, 상기 게이트 도어밸브에는 오링 삽입홈과, 상기 오링의 탈착을 위한 홈이 구성되어 있는 것을 특징으로 하는 반도체진공장비. The gate door valve has an O-ring insertion groove, the semiconductor vacuum equipment, characterized in that the groove for the removal of the O-ring. 제 2 항에 있어서, The method of claim 2, 상기 오링 삽입홈에 구성된 홈은 적어도 두 곳 이상 구성되며, 상기 홈 부위에 구성된 오링의 단면적이 두껍게 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체진공장비. And at least two grooves formed in the O-ring insertion groove, wherein a cross-sectional area of the O-ring formed in the groove portion is thickened. 제 3 항에 있어서, The method of claim 3, wherein 상기 홈 부위의 오링의 단면적은 다른 부위의 단면적에 비해 적어도 2배 이상 으로 두껍게 구성하는 것을 특징으로 하는 반도체진공장비.O-ring cross-sectional area of the groove portion is a semiconductor vacuum equipment, characterized in that configured to be at least twice as thick as the cross-sectional area of the other portion.
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